TWM596875U - 直下式背光裝置 - Google Patents
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Abstract
本創作揭露一種直下式背光裝置,其包含:光源座及輔助片體。光源座包含:電路板、多個反射杯結構及多個發光單元。多個反射杯結構固定設置於電路板的一側,各個反射杯結構的一側內凹形成有反射腔。各個發光單元對應位於反射腔中。輔助片體定義有多個穿孔區域,輔助片體設置於光源座的上方,各個穿孔區域對應位於各個反射杯結構的正上方,且各個穿孔區域的中心對應位於發光單元的中心的上方,輔助片體包含多個穿孔;於各個穿孔區域內的多個穿孔,越靠近穿孔區域的中心越分散地排列,越遠離穿孔區域的中心越密集地排列。
Description
本創作涉及一種背光裝置,特別是一種直下式背光裝置。
現有大型顯示裝置(例如是電視等)的光源模組,大致可區分為側光式及直下式,直下式背光模組相對於側光式背光模組具有更好的色彩表現,因此,直下式背光模組為近年來相關廠商主要開發的技術之一。然,現有的直下式背光模組容易發生各區域的亮度不一致的問題。
本創作公開一種直下式背光裝置,主要用以改善現有技術中,直下式背光裝置容易發生暗區、亮區的問題。
本創作的其中一實施例公開一種直下式背光裝置,其包含:一光源座及一輔助片體。光源座包含:一電路板、多個反射杯結構及多個發光單元。多個反射杯結構固定設置於電路板的一側,各個反射杯結構相反於電路板的一側內凹形成有一反射腔。各個發光單元固定設置於電路板,且多個發光單元對應位於多個反射腔中。輔助片體定義有多個穿孔區域,輔助片體設置於光源座的上方,各個穿孔區域對應位於各個反射杯結構的正上方,且各個穿孔區域的中心對應位於發光單元的中心的上方,輔助片體包含多個穿孔,各個穿孔貫穿輔助片體;多個穿孔分布於多個穿孔區域內;於各個穿孔區域內的多個穿孔,越靠近穿孔區域的中心越分散地排列,越遠離穿孔區域的中心越密集地排列。
本創作的其中一實施例公開一種直下式背光裝置,其包含:一光源座及一輔助片體。光源座包含:一電路板、多個反射杯結構及多個發光單元。多個反射杯結構固定設置於電路板的一側,各個反射杯結構相反於電路板的一側內凹形成有一反射腔。各個發光單元固定設置於電路板,且多個發光單元對應位於多個反射腔中。輔助片體定義有多個穿孔區域,輔助片體設置於光源座的上方,各個穿孔區域對應位於各個反射杯結構的正上方,且各個穿孔區域的中心對應位於發光單元的中心的上方,輔助片體包含多個穿孔,各個穿孔貫穿輔助片體;多個穿孔分布於多個穿孔區域內;於各個穿孔區域內的多個穿孔,靠近穿孔區域的中心的穿孔的孔徑小於遠離穿孔區域的中心的穿孔的孔徑。
綜上所述,本創作的直下式背光裝置透過輔助片體的設置,相對於現有的直下式背光模組具有更好的出光均勻度。
為能更進一步瞭解本創作的特徵及技術內容,請參閱以下有關本創作的詳細說明與附圖,但是此等說明與附圖僅用來說明本創作,而非對本創作的保護範圍作任何的限制。
於以下說明中,如有指出請參閱特定圖式或是如特定圖式所示,其僅是用以強調於後續說明中,所述及的相關內容大部份出現於該特定圖式中,但不限制該後續說明中僅可參考所述特定圖式。需特別說明的是,為了使圖式能夠清楚地呈現出本創作的技術特徵,因此,本創作的圖式中所示的反射杯結構的尺寸、發光單元的尺寸、輔助片體的厚度、各個穿孔的尺寸等僅為參考示意圖,該等構件的具體尺寸除了以下說明中特別說明的部分外,其餘構件的尺寸可以依據需求變化。
請一併參閱圖1至圖3,圖1顯示為本創作的直下式背光裝置的第一實施例的側面示意圖,圖2顯示為本創作的直下式背光裝置的第一實施例的反射杯結構、發光單元及局部的輔助片體的側面示意圖,圖3顯示為本創作的直下式背光裝置的第一實施例的單一個發光單元的立體示意圖。
如圖1所示,本創作的直下式背光裝置100包含:一光源座1及一輔助片體2。光源座1包含:一電路板11、多個反射杯結構12及多個發光單元13。多個反射杯結構12固定設置於電路板11的一側。多個反射杯結構12可以是彼此緊密地排列設置於電路板11上,即相鄰的兩個反射杯結構12之間可以是沒有間距地設置,但不以此為限。在特殊的應用中,彼此相鄰的兩個反射杯結構12也可以是具有經過適當設計(在不影響直下式背光裝置100整體的出光均勻度)的微小間距。
如圖1及圖2所示,各個反射杯結構12由遠離電路板11的一側向靠近電路板11的一側內凹形成有一反射腔121。反射腔121相反於電路板11的一側為一反射面122,反射面122的反射率可以是大於90%。反射杯結構12可以是由高反射率材料所製成,舉例來說可以是使用含有由氧化鈦、氧化鋁、氧化矽等金屬氧化物粒子構成的高反射材料的樹脂製作,但不以此為限;在不同的應用中,反射杯結構12可以是由不摻有高反射材料的樹脂製成,而反射腔121相反於電路板11的一側則設置(例如是以塗佈的方式)具有高反射率的層狀結構,而具有高反射率的層狀結構的一側即可對應形成為前述反射面122。在實際應用中,各個反射腔121的寬度W與高度H比可以是介於2:1至6:1,但不以此為限,反射腔121的尺寸及其外型可以是依據發光單元13的不同而對應改變。
值得一提的是,在實際應用中,在反射腔121的側面示意圖(如圖1及圖2所示)中,各個反射腔121鄰近於電路板11的位置可以是具有一弧狀區段123,藉此,反射腔121將可以更有效地使發光單元13所發出的光束向輔助片體2的方向反射。當然,在不同的實施例中,在反射腔121的側面示意圖中,反射腔121也可以是僅包含有直線區段而不包含有任何弧狀區段。
如圖2及圖3所示,各個發光單元13固定設置於電路板11,且各個發光單元13對應位於各個反射腔121中,且各個發光單元13可以是對應位於反射腔121的中心且最低的位置。在實際應用中,反射杯結構12可以是包含有用來容置發光單元13的容槽124,而發光單元13則是對應設置於所述容槽124中。各個發光單元13具有一頂發光面13A及一環發光面13B,頂發光面13A的周緣與環發光面13B相連接,發光單元13由頂發光面13A發出的光束強度低於由環發光面13B發出的光束的強度。
在實際應用中,各個發光單元13於正向0度的光強度可以是低於20%以下,光強度最大值則是位在-55°~-75°及55°~75°之間,而各個發光單元13的光形圖大致呈現為半心形。如圖3所示,各個發光單元13的寬度L1可以是介於0.1公釐(mm)至2公釐(mm),各個發光單元13的長度L2可以是介於0.1公釐(mm)至2公釐(mm),各個發光單元13的高度L3可以是介於0.1公釐(mm)至1.7公釐(mm)。
如圖3所示,在具體的實施中,各個發光單元13可以是包含一發光二極體131、一半反射件132及一透光體133。發光二極體131可以是矩形立方體,而發光二極體131具有一頂面1311及四個側面1312,頂面1311為發光二極體131相反於與電路板11相連接的一端面,四個側面1312則與頂面1311的周緣相連接。
半反射件132設置於發光二極體131的頂面1311,而通過頂面1311向外射出的部分光束,將被半反射件132反射,另一部分的光束則能通過半反射件132向外射出。在實際應用中,半反射件132可以是以塗佈的方式形成於發光二極體131的頂面1311,而半反射件132例如可以是由半透明狀的材料所製成。在具體的應用中,半反射件132可以是由具有不同折射率的片體結構堆疊而成,例如是分佈式布拉格反射膜(Distributed Bragg Reflector)。
透光體133包覆半反射件132及發光二極體131設置,透光體133的外型可以是大致呈現為矩形立方體,而透光體133的外圍對應形成有所述頂發光面13A及所述環發光面13B,頂發光面13A與頂面1311彼此相面對地設置,而發光二極體131所發出的光束將通過的透光體133向外射出。所述透光體133用以保護發光二極體131及半反射件132,以避免發光二極體131及半反射件132直接裸露而容易受損。在實際應用中,半反射件132例如可以是包含二氧化矽(SiO2)、二氧化鈦(TiO2)等反射粒子。
在實際應用中,各個發光二極體131可以是依據需求發出不同波長的光束。在發光二極體131是發出波長460奈米至470奈米的藍光光束的實施例中,透光體133內可以是摻有一色轉換材料,色轉換材料例如可以是包含有磷光體、II-VI族半導體奈米晶體或III-V族半導體奈米晶體等材料,而發光二極體131所發出的藍光光束,通過透光體133內的色轉換材料後,將轉換為白光光束向外射出。另外,透光體133中也可以是設置有擴散粒子等,於此不加以限制。
依上所述,透過上述半反射件132的設置,發光單元13由頂發光面13A向外射出的光束的光通量,將明顯低於發光單元13由環發光面13B向外射出的光束的光通量,從而可提升直下式背光裝置100所發出的光束的均勻度,而避免使用者容易直接觀察到來自於各個發光單元13的頂發光面13A所發出的光束所形成的光點的問題。也就是說,設置有半反射件132的直下式背光裝置100,相較於未設置有半反射件132的直下式背光裝置100,具有更好的出光均勻度,且更不容易被使用者觀察到明顯的光點。
如圖3所示,值得一提的是,各個發光單元13的發光二極體131可以是覆晶封裝發光晶片(Flip chip),且各個發光單元13還可以是包含有一轉接板134。轉接板134包含絕緣結構及導電佈線結構,覆晶封裝發光晶片固定於轉接板134,且覆晶封裝發光晶片與導電佈線結構電性連通,而覆晶封裝發光晶片是通過轉接板134固定於電路板11,且覆晶封裝發光晶片是通過轉接板134與電路板11電性連通,而電路板11是通過轉接板134傳遞電力及控制訊號至覆晶封裝發光晶片。
透過上述轉接板134的設置,將可大幅降低覆晶封裝發光晶片在安裝於電路板11的過程中發生剝離(Peeling)的問題;更具體來說,在現有技術中,是直接將覆晶發光晶片固定於電路板11上,此種固定方式,在固定的過程中,覆晶發光晶片的電極結構,將容易直接受熱而膨脹,進而導致電極結構發生剝離(Peeling)的問題。相對地,若是使覆晶封裝發光晶片透過轉接板134固定於電路板11上,則在將發光單元13固定於電路板11的過程中,相關的熱能將不易直接傳遞至覆晶封裝發光晶片,而大部份的熱能會先被轉接板134吸收,藉此,覆晶封裝發光晶片將不容易發生上述剝離(Peeling)問題。
特別強調的是,本創作的直下式背光裝置100所包含的各個發光單元13具體的種類、形式、所發出的光束波長等,皆不以上述說明為限,亦即,在不同的實施例中,本創作的直下式背光裝置100的各個發光單元13可以是一般常見的發光二極體,而其頂發光面可以是不設置有前述半反射件132。
請一併參閱圖1、圖2、圖4及圖5,圖4顯示為本創作的直下式背光裝置的第一實施例的輔助片體的一側面的正視圖,圖5顯示本創作的直下式背光裝置的第一實施例的輔助片體的單一個穿孔區域的正視圖。
輔助片體2設置於光源座1的上方,且輔助片體2是完全地覆蓋所有的反射杯結構12。輔助片體2定義有多個穿孔區域2A,輔助片體2包含有多個穿孔21,各個穿孔21貫穿輔助片體2設置。在具體的實施中,各個穿孔區域2A對應位於各個反射杯結構12的正上方,且各個穿孔區域2A的中心對應位於發光單元13的中心的上方,亦即,各個穿孔區域2A的中心C與發光單元13的頂發光面13A的中心可以是位於同一軸線上。較佳地,各個穿孔區域2A是位在相對應的反射杯結構12向輔助片體2的方向的正投影的一投影區域內,或者,各個穿孔區域2A是等於相對應的反射杯結構12向輔助片體2的方向的正投影的投影區域。
如圖4及圖5所示,多個穿孔21是分布於多個穿孔區域2A內設置,且於單一個穿孔區域2A內的多個穿孔21的分布狀態是:多個穿孔21越靠近穿孔區域2A的中心C越分散地設置,多個穿孔21越遠離穿孔區域2A的中心則是越密集地設置。關於每一個穿孔區域2A內具有的穿孔21的數量,可以是依據需求變化,於此不加以限制。如圖5所示,在具體的應用中,各個穿孔區域2A內的每個穿孔21的孔徑OD可以是大致相同,越靠近的穿孔區域2A的中心C的相鄰的穿孔21彼此間的距離S1越大,而越遠離穿孔區域2A的中心C相鄰的穿孔21彼此間的距離S2越小。其中,每個穿孔21的孔徑OD可以是介於30微米(um)至500微米(um),輔助片體2的厚度可以是不大於2公釐(mm)。關於輔助片體2的各個穿孔21的形成方式,於此不加以限制,舉例來說,各個穿孔21可以是利用沖壓、沖孔、雷射切割等方式形成。在本實施例的圖式中,是以各個穿孔21為圓形為例,但各個穿孔21的外型不以此為限。
如圖1、圖2及圖4所示,在具體的實施應用中,直下式背光裝置100的輔助片體2的可以是由透光材質製成,而光源座1所發出的光束,通過輔助片體2未形成有穿孔21的位置的穿透率可以是40%~100%;且,直下式背光裝置100可以是還包含有一擴散片3(Diffuser Film),擴散片3設置於輔助片體2相反於光源座1的一側。在實際應用中,所述輔助片體2例如可以是透明片體,或者,輔助片體2也可以具有如同擴散片(Diffuser Film)所具有的功能。
依上所述,各個發光單元13所發出的光束,一部分將直接通過穿孔21射入擴散片3,一部分的光束會進入輔助片體2並由輔助片體2的一側射出,一部分的光束則會被輔助片體2反射、折射至所述反射腔121中,透過使各個穿孔區域2A的多個穿孔21靠近穿孔區域2A的中心越分散地排列,而遠離穿孔區域2A的中心則越密集地排列的設計,將可以大幅提升光源座1所發出的光束,通過輔助片體2及擴散片3射出的出光均勻度。也就是說,直下式背光裝置100在光源座1上方設置有輔助片體2及擴散片3的情況下,使用者於擴散片3相反於輔助片體2的一側觀看擴散片3時,使用者所看到的出光均勻度,將明顯高於光源座1的上方僅設置有擴散片3而未設置有輔助片體2時的出光均勻度。
更詳細來說,在發光單元13包含有發光二極體的實施例中,各個發光單元13由其頂發光面所發出的光束的強度,將明顯高於由其他側面所發出的光束的強度,而本創作的輔助片體2透過使每一個穿孔區域2A內的多個穿孔21,越靠近穿孔區域2A的中心越分散地排列,越遠離穿孔區域2A的中心越密集地排列的設計,將可以使各個發光單元13由其頂發光面所發出的強度相對較強的光束,大部分無法直接通過穿孔21穿過至輔助片體2相反於光源座1的一側,相對地,可以使各個發光單元13由其側發光面所發出的強度相對較弱的光束,大部分可以直接通過穿孔21穿過至輔助片體2相反於光源座1的一側。如此,使用者由輔助片體2相反於光源座1的一側觀看輔助片體2時,將可以看到每一個穿孔區域2A的亮度大致相同。
值得一提的是,在特殊的應用中,輔助片體2的其中一寬側面可以是具有一反光層,反光層能反射發光單元13所發出的光束。關於反光層的材質及其形成方式於此不加以限制。透過反射層的設置,可以進一步提直下式背光裝置100整體的出光均勻度。
請一併參閱圖6及圖7,圖6顯示為本創作的直下式背光裝置的第二實施例的輔助片體的寬側面的正視圖,圖7顯示本創作的直下式背光裝置的第二實施例的輔助片體的單一個穿孔區域的正視圖。本實施例與前述實施例最大不同之處在於:本實施例的輔助片體2的各個穿孔區域2A內的多個穿孔21的分布方式不同於前述實施例。更具體來說,本實施例的各個穿孔區域2A內的多個穿孔21,靠近穿孔區域2A的中心C的穿孔21的孔徑OD1小於遠離穿孔區域2A的中心C的穿孔21的孔徑OD2。在實際應用中,位於同一個穿孔區域2A內的多個穿孔21,可以是大致沿不同半徑的同心圓排列設置,而位於同一圈的穿孔21的孔徑可以是大致相同,位於不同圈的穿孔21的孔徑則是彼此不同。
依上所述,透過使各個穿孔區域2A內的多個穿孔21,靠近穿孔區域2A的中心C的穿孔21的孔徑OD1小於遠離穿孔區域2A的中心C的穿孔21的孔徑OD2的設計,可以讓各個發光單元13由其正上方發出的光束僅有少部分是能直接通過穿孔21直接向外射出,而各個發光單元13由非正上方發出的光束,則是大部分皆能通過穿孔21直接向外射出,如此,直下式背光裝置100可以同樣達到與前述實施例大致相同的出光均勻效果。
請一併參閱圖8及圖9,圖8顯示為本創作的直下式背光裝置的第三實施例的側面示意圖,圖9顯示為本創作的直下式背光裝置的第四實施例的側面示意圖。如圖8所示,圖8所示實施例與前述實施例最大不同之處在於:直下式背光裝置100除了包含擴散片3外,還可以包含一稜鏡片4(Prism Sheet)。所述稜鏡片4可以是包含有多個微結構(圖未示),而多個微結構可以用來改變光束的路徑,據以使通過的光束,能集中於預定的可視角範圍中。稜鏡片4設置於擴散片3相反於輔助片體2的一側。透過輔助片體2、擴散片3及稜鏡片4的設置,將可以提升直下式背光裝置100於可視範圍內的出光亮度及出光均勻度。
如圖9所示,圖9所示實施例與圖8所示實施例最大不同之處在於:直下式背光裝置100的發光二極體131是發出波長460奈米至470奈米的藍光光束,且直下式背光裝置100除了包含擴散片3及稜鏡片4外,還包含一藍光穿透膜5及一色轉換片6,藍光穿透膜5設置於擴散片3與稜鏡片4之間,色轉換片6設置於藍光穿透膜5與稜鏡片4之間。藍光穿透膜5僅可使發光單元13所發出的藍色光束通過,而通過藍光穿透膜5的藍光,將進入色轉換片6,色轉換片6則會將藍光轉換為白光光束。舉例來說,色轉換片例如可以是量子點膜(Quantum Dot Enhancement Film),但不以此為限,任何可以用來將藍光轉換為白光的片體,皆屬於本實施例所舉色轉換片6可實施的範圍。
請一併參閱圖10及圖11,圖10顯示為本創作的直下式背光裝置的第五實施例的側面示意圖,圖11顯示為本創作的直下式背光裝置的第六實施例的側面示意圖。如圖10所示,本實施例與前述第二實施例(如圖8所示)最大差異在於:直下式背光裝置100的光源座1與稜鏡片4之間可以是不設置有擴散片3,且輔助片體2內可以是摻有多個擴散粒子22,而輔助片體2可以是具有如同擴散片(Diffuser Film)的功能,亦即,光源座1所發出的光束,由輔助片體2未形成有穿孔21的位置進入輔助片體2內後,光束將會被擴散粒子22反覆地反射、折射後,才由輔助片體2相反於光源座1的一側射出,如此,將可以使通過輔助片體2未形成有穿孔21的位置的光束,能更均勻地向外射出。圖10所示的實施例,可進一步降低直下式背光裝置100的厚度,且亦可進一步降低直下式背光裝置100的製造成本。
如圖11所示,圖11所示實施例與圖10所示實施例最大不同之處在於:直下式背光裝置100的發光二極體131是發出波長460奈米至470奈米的藍光光束,且直下式背光裝置100除了包含稜鏡片4外,還包含一藍光穿透膜5及一色轉換片6,藍光穿透膜5設置於與稜鏡片4之間,色轉換片6設置於藍光穿透膜5與稜鏡片4之間。藍光穿透膜5僅可使發光單元13所發出的藍色光束通過,而通過藍光穿透膜5的藍光,將進入色轉換片6,色轉換片6則會將藍光轉換為白光光束。舉例來說,色轉換片6例如可以是量子點膜(Quantum Dot Enhancement Film),但不以此為限,任何可以用來將藍光轉換為白光的片體,皆屬於本實施例所舉色轉換片6可實施的範圍。
值得一提的是,如圖2、圖8至圖11所示,在實際應用中,輔助片體2與光源座1之間可以是具有一間隙G,間隙G可以是介於1至4公釐(mm),也就是說,在不同的實施例中,輔助片體2與光源座1之間也可以是完全沒有間隙,而輔助片體2可以是透過相關的構件(例如黏膠或是其他固定構件等),直接固定設置於光源座1的上方。當然,在輔助片體2與光源座1之間具有間隙G的實施例中,輔助片體2與光源座1之間是設置有相關的墊高構件,據以使輔助片體2設置於光源座1的上方時兩者之間形成有所述間隙G。在實際應用中,在輔助片體2與光源座1之間的間隙G介於1公釐至4公釐之間的實施例中,直下式背光裝置100的出光均勻度,將高於在輔助片體2與光源座1之間沒有間隙的實施例中,直下式背光裝置100的出光均勻度。另外,在輔助片體2與光源座1之間沒有間隙的實施例中,直下式背光裝置100的對比度,將優於在輔助片體2與光源座1之間的間隙G介於1公釐至4公釐之間的實施例中,直下式背光裝置100的對比度。
請參閱圖12,其顯示為本創作的直下式背光裝置100的發光單元13的第五實施例的示意圖。如圖所示,本實施例的發光單元13包含:一發光二極體131、一半反射件132、一透光體133及一轉接板134。發光二極體131固定設置於轉接板134,透光體133包覆發光二極體131,半反射件132則是設置於透光體133的頂面1331。關於發光二極體131、半反射件132、透光體133及轉接板134的詳細說明,請參閱前述實施例,於此不再贅述。簡單來說,本實施例與前述實施例(圖4)最大差異在於:半反射件132的設置位置不同,亦即,本創作的直下式背光裝置100的發光單元13,在具有半反射件132的實施例中,半反射件132的設置位置可以是依據需求變化,舉例來說,半反射件132可以是設置於發光二極體131的頂面1311(如圖3所示),或者,半反射件132也可以是設置於透光體133的頂面1331。
與前述實施例的說明相同,在實際應用中,本實施例所舉的發光單元13,在發光二極體131是發出藍光的情況中,透光體133則可以對應摻有色轉換材料,而發光二極體131所發出的藍光通過透光體133後,將會轉換為白光。
以上所述僅為本創作的較佳可行實施例,非因此侷限本創作的專利範圍,故舉凡運用本創作說明書及圖式內容所做的等效技術變化,均包含於本創作的保護範圍內。
100:直下式背光裝置
1:光源座
11:電路板
12:反射杯結構
121:反射腔
122:反射面
123:弧狀區段
124:容槽
13:發光單元
13A:頂發光面
13B:環發光面
131:發光二極體
1311:頂面
1312:側面
132:半反射件
133:透光體
1331:頂面
134:轉接板
2:輔助片體
2A:穿孔區域
21:穿孔
22:擴散粒子
3:擴散片
4:稜鏡片
5:藍光穿透膜
6:色轉換片
C:中心
H:高度
L1:寬度
L2:長度
L3:高度
OD:孔徑
OD1:孔徑
OD2:孔徑
S1:距離
S2:距離
W:寬度
G:間隙
圖1顯示為本創作的直下式背光裝置的第一實施例的側面示意圖。
圖2顯示為本創作的直下式背光裝置的第一實施例的反射杯結構、發光單元及局部的輔助片體的側面示意圖。
圖3顯示為本創作的直下式背光裝置的第一實施例的單一個發光單元的立體示意圖。
圖4顯示為本創作的直下式背光裝置的第一實施例的輔助片體的寬側面的正視圖。
圖5顯示本創作的直下式背光裝置的第一實施例的輔助片體的單一個穿孔區域的正視圖。
圖6顯示為本創作的直下式背光裝置的第二實施例的輔助片體的寬側面的正視圖。
圖7顯示本創作的直下式背光裝置的第二實施例的輔助片體的單一個穿孔區域的正視圖。
圖8顯示為本創作的直下式背光裝置的第三實施例的側面示意圖。
圖9顯示為本創作的直下式背光裝置的第四實施例的側面示意圖。
圖10顯示為本創作的直下式背光裝置的第五實施例的側面示意圖。
圖11顯示為本創作的直下式背光裝置的第六實施例的側面示意圖。
圖12顯示為本創作的直下式背光裝置的第五實施例的單一個發光單元的立體示意圖。
100:直下式背光裝置
1:光源座
11:電路板
12:反射杯結構
121:反射腔
122:反射面
123:弧狀區段
124:容槽
13:發光單元
13A:頂發光面
13B:環發光面
131:發光二極體
132:半反射件
133:透光體
2:輔助片體
2A:穿孔區域
21:穿孔
3:擴散片
G:間隙
Claims (10)
- 一種直下式背光裝置,其包含: 一光源座,其包含: 一電路板; 多個反射杯結構,其固定設置於所述電路板的一側,各個所述反射杯結構相反於所述電路板的一側內凹形成有一反射腔;及 多個發光單元,各個所述發光單元固定設置於所述電路板,且多個所述發光單元對應位於多個所述反射腔中;以及 一輔助片體,其定義有多個穿孔區域,所述輔助片體設置於所述光源座的上方,各個所述穿孔區域對應位於各個所述反射杯結構的正上方,且各個所述穿孔區域的中心對應位於所述發光單元的中心的上方,所述輔助片體包含多個穿孔,各個所述穿孔貫穿所述輔助片體;多個所述穿孔分布於多個所述穿孔區域內;於各個所述穿孔區域內的多個所述穿孔,越靠近所述穿孔區域的中心越分散地排列,越遠離所述穿孔區域的中心越密集地排列。
- 如請求項1所述的直下式背光裝置,其中,各個所述發光單元還包含一發光二極體、一半反射件及一透光體,所述發光二極體具有五個發光面,所述透光體包覆所述發光二極體設置,所述發光二極體所發出的光束能通過所述透光體向外射出,所述半反射件設置於透光體的一頂面,所述半反射件能阻擋通過所述透光體的所述頂面向外射出的部份光束;各個所述穿孔區域位在相對應的所述反射杯結構向所述輔助片體的方向的正投影的一投影區域內;所述輔助片體與所述光源座之間的形成有一間隙,所述間隙介於1公釐至4公釐。
- 如請求項1所述的直下式背光裝置,其中,各個所述穿孔為圓形,且各個所述穿孔的外徑介於30微米(um)至500微米(um);各個所述輔助片體的厚度不大於2公釐(mm);各個所述發光單元的長度介於0.1公釐(mm)至2.0公釐(mm),各個所述發光單元的寬度介於0.1公釐(mm)至2.0公釐(mm),各個所述發光單元的高度介於0.1公釐(mm)至1.7公釐(mm)。
- 如請求項1所述的直下式背光裝置,其中,所述輔助片體內部包含有多個擴散粒子,所述直下式背光裝置還包含一稜鏡片,所述稜鏡片設置於所述輔助片體相反於所述光源座的一側。
- 如請求項1所述的直下式背光裝置,其中,所述光源座所發出的光束通過所述輔助片體不具有所述穿孔的位置的穿透率大於40%,所述直下式背光裝置還包含一擴散片,所述擴散片設置於所述輔助片體相反於所述光源座的一側。
- 一種直下式背光裝置,其包含: 一光源座,其包含: 一電路板; 多個反射杯結構,其固定設置於所述電路板的一側,各個所述反射杯結構相反於所述電路板的一側內凹形成有一反射腔; 多個發光單元,各個所述發光單元固定設置於所述電路板,且多個所述發光單元對應位於多個所述反射腔中;以及 一輔助片體,其定義有多個穿孔區域,所述輔助片體設置於所述光源座的上方,各個所述穿孔區域對應位於各個所述反射杯結構的正上方,且各個所述穿孔區域的中心對應位於所述發光單元的中心的上方,所述輔助片體包含多個穿孔,各個所述穿孔貫穿所述輔助片體;多個所述穿孔分布於多個所述穿孔區域內;於各個所述穿孔區域內的多個所述穿孔,靠近所述穿孔區域的中心的所述穿孔的孔徑小於遠離所述穿孔區域的中心的所述穿孔的孔徑。
- 如請求項6所述的直下式背光裝置,其中,各個所述發光單元還包含一發光二極體、一半反射件及一透光體,所述發光二極體具有五個發光面,所述半反射件設置於所述發光二極體相反於與所述電路板相連接的一端面,通過所述端面向外射出的部份光束能通過所述半反射件向外射出,而所述半反射件能阻擋通過所述端面向外射出的部份光束;所述透光體包覆所述半反射件及所述發光二極體設置,各個所述發光二極體所發出的光束能通過相對應的所述透光體向外射出;各個所述穿孔區域位在相對應的所述反射杯結構向所述輔助片體的方向的正投影的一投影區域內;所述輔助片體與所述光源座之間的形成有一間隙,所述間隙介於1公釐至4公釐。
- 如請求項6所述的直下式背光裝置,其中,各個所述穿孔為圓形,且各個所述穿孔的外徑介於30微米(um)至500微米(um);各個所述輔助片體的厚度不大於2公釐(mm);各個所述發光單元的長度介於0.1公釐(mm)至2.0公釐(mm),各個所述發光單元的寬度介於0.1公釐(mm)至2.0公釐(mm),各個所述發光單元的高度介於0.1公釐(mm)至1.7公釐(mm)。
- 如請求項6所述的直下式背光裝置,其中,所述輔助片體內部包含有多個擴散粒子,所述直下式背光裝置還包含一稜鏡片,所述稜鏡片設置於所述輔助片體相反於所述光源座的一側。
- 如請求項6所述的直下式背光裝置,其中,所述光源座所發出的光束通過所述輔助片體不具有所述穿孔的位置的穿透率大於40%,所述直下式背光裝置還包含一擴散片,所述擴散片設置於所述輔助片體相反於所述光源座的一側。
Priority Applications (1)
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TW109201105U TWM596875U (zh) | 2020-01-30 | 2020-01-30 | 直下式背光裝置 |
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TW109201105U TWM596875U (zh) | 2020-01-30 | 2020-01-30 | 直下式背光裝置 |
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TWM596875U true TWM596875U (zh) | 2020-06-11 |
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ID=72176763
Family Applications (1)
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TW109201105U TWM596875U (zh) | 2020-01-30 | 2020-01-30 | 直下式背光裝置 |
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Country | Link |
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TW (1) | TWM596875U (zh) |
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2020
- 2020-01-30 TW TW109201105U patent/TWM596875U/zh unknown
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