TWM586870U

TWM586870U - 加熱絲中介間隔件

Info

Publication number: TWM586870U
Application number: TW108200653U
Authority: TW
Inventors: 布林庫瑪塞涵迪拉維倫; 陳豪; 喬藍伯
Original assignee: 美商維克儀器公司
Priority date: 2018-07-13
Filing date: 2019-01-14
Publication date: 2019-11-21
Also published as: USD893088S1

Abstract

如本文中所描述之一種加熱絲中介間隔件或具有加熱絲中介間隔件的加熱子系統防止加熱線圈之各部分之間出現非所要的電耦合。

Description

加熱絲中介間隔件

本創作大體上係關於半導體製造技術，並且更特定而言，係關於用於在處理期間固持半導體晶圓的化學氣相沈積(CVD)處理及相關聯的設備。

在製造發光二極體(LED)及諸如激光二極體、光學偵測器及場效電晶體等其他高效能裝置中，通常使用化學氣相沈積(CVD)製程並使用氮化鎵等材料在藍寶石或矽基底上生長薄膜堆疊結構。CVD工具包括處理室，處理室是密封環境，其允許注入的氣體在基底(通常呈晶圓形式)上進行反應以生長薄膜層。此類製造設備之當前產品線之實例是由紐約普萊恩維尤的維易科儀器公司(Veeco Instruments Inc.)製造的TurboDisc®、EPIK®及PROPEL®系列的金屬有機化學氣相沈積(MOCVD)系統。

為了實現所期望的晶體生長，控制多種製程參數，諸如溫度、壓力及氣體流速。使用不同的材料及製程參數使不同層生長。例如，由III-V半導體等化合物半導體形成的裝置通常藉由使用MOCVD生長化合物半導體之連續層來形成。在此過程中，晶圓暴露於氣體組合，通常包括作為第III族金屬之源的金屬有機化合物，以及包括當晶圓維持在高溫下時在晶圓表面上流動的第V族元素之源。一般而言，金屬有機化合物及第V族源與明顯不參與反應的載氣(例如氮氣)組合。III-V半導體之一個實例是氮化鎵，其可以藉由有機鎵化合物及氨在具有合適晶格間距的基底上發生反應來形成，基底之實例是藍寶石晶圓。在氮化鎵及相關化合物沈積期間，晶圓通常維持在約1000-1100℃之溫度下。

在MOCVD製程中，當在基底之表面上藉由化學反應使晶體出現生長時，必須特別注意製程參數控制以確保化學反應在所要求條件下進行。即使製程條件發生較小變化，亦可能會對裝置品質及製造產率產生不利影響。舉例而言，若沈積氮化銦鎵層，則晶圓表面溫度之變化將引起所沈積層之組成及帶隙之變化。由於銦具有相對較高的蒸汽壓力，因此所沈積層在晶圓中表面溫度較高的彼等區域中將具有更低比例的銦及更大的帶隙。若所沈積層是LED結構之主動發光層，則由晶圓形成的LED之輻射波長亦將在不可接受的程度上變化。

在MOCVD處理室中，將上面要生長薄膜層的半導體晶圓放置在快速旋轉的旋轉式傳送帶(稱為晶圓載體)上，以使其表面均勻暴露於反應室內的氣氛以便半導體材料沈積。旋轉速度約為1,000RPM。當晶圓載體旋轉時，氣體被向下引導至晶圓載體之頂表面上，並在整個頂表面上朝向晶圓載體之外周流動。通過安置在晶圓載體下方的端口自反應室中將已用氣體抽空。通過安置在晶圓載體底表面下方的加熱元件(通常是電阻式加熱元件)將晶圓載體維持在所期望的高溫下。此等加熱元件維持在高於晶圓表面的所期望溫度的溫度下，而氣體分佈裝置通常維持在遠低於所期望反應溫度的溫度下以便阻止氣體過早發生反應。因此，熱自加熱元件傳遞至晶圓載體之底表面且通過晶圓載體向上流至個別晶圓。

晶圓上的氣流依據每一晶圓之徑向位置而變化，其中最外面的晶圓由於其在旋轉期間速度更快而經受更高的流速。即使在每一個別晶圓上，亦可能存在溫度不均勻性，亦即冷點及熱點。影響溫度不均勻性之形成的一個變量是晶圓載體內的凹部之形狀。一般而言，凹部形狀在晶圓載體的表面中形成環形形狀。當晶圓載體旋轉時，晶圓之最外邊緣(亦即，距離旋轉軸最遠的邊緣)經受相當大的向心力，使得晶圓壓抵晶圓載體中的相應凹部之內壁。在此條件下，晶圓之此等外邊緣及凹部邊緣之間存在緊密接觸。至晶圓之此等最外部分之熱傳導的增加會導致更大的溫度不均勻性，從而使上文所描述之問題進一步惡化。已經努力通過增加晶圓邊緣與凹部內壁之間的空隙來使溫度不均勻性最小化，包括設計在邊緣之一部分上平坦的晶圓(亦即，「平坦」晶圓)。晶圓之此平坦部分產生空隙，並減少與凹部內壁的接觸點，從而緩解溫度不均勻性。影響由晶圓載體固持的整個晶圓中的加熱均勻性的其他因素包括晶圓載體之熱傳遞及輻射率特性，以及晶圓凹部之佈局。

為了持續不斷地且均勻地產生所期望的溫度，加熱器線圈可以定位在基座下方。加熱器線圈可以由合適的導電材料製成，該導電材料之電阻率、橫截面及長度被設置成使得線圈在基座中用於晶圓生長之部分處產生基本上均勻的熱。由於加熱器線圈會發生熱膨脹，因此若線圈加熱過快、加熱不均勻或被加熱至足夠高的溫度，則線圈之各部分可能會彼此接觸。當線圈之各部分接觸線圈之其他部分時，可能會出現電弧或放電，從而可能會損壞線圈，導致線圈之一些區段短路(不加熱)，或以其他方式損壞設備或導致線圈效能不佳。

加熱器線圈由具有絕緣元件的基座支撐。本文中所描述的佈置防止加熱器線圈中希望與彼此保持電隔離的各部分之間出現非所要的接觸。

10‧‧‧反應室

12‧‧‧氣體分佈裝置

14‧‧‧處理氣體供應單元

16‧‧‧處理氣體供應單元

18‧‧‧處理氣體供應單元

20‧‧‧冷卻劑系統

22‧‧‧排氣系統

24‧‧‧轉軸

26‧‧‧中心軸

28‧‧‧裝置

30‧‧‧接合部

32‧‧‧旋轉驅動機構

34‧‧‧加熱元件

36‧‧‧開口

38‧‧‧前室

40‧‧‧門

40'‧‧‧打開位置

42‧‧‧第一晶圓載體

44‧‧‧第二晶圓載體

46‧‧‧主體

48‧‧‧頂表面

52'‧‧‧底表面

54‧‧‧晶圓

56‧‧‧凹部

58‧‧‧溫度分佈系統

60‧‧‧溫度監測器

134‧‧‧加熱元件

172‧‧‧柱

174‧‧‧加熱絲中介間隔件

176A‧‧‧陽極

176B‧‧‧陽極

274‧‧‧加熱絲中介間隔件

280‧‧‧柱

282‧‧‧凸緣

284‧‧‧凸榫

286‧‧‧托架

288A‧‧‧絕緣帽

288B‧‧‧絕緣帽

374‧‧‧加熱絲中介間隔件

380‧‧‧柱

382‧‧‧凸緣

384‧‧‧凸榫

386‧‧‧托架

388A‧‧‧絕緣帽

388B‧‧‧絕緣帽

474‧‧‧加熱絲中介間隔件

480‧‧‧柱

482‧‧‧凸緣

484‧‧‧凸榫

486‧‧‧托架

488‧‧‧絕緣帽

結合附圖考慮本創作之各種實施例之以下具體實施方式，可以更完整地瞭解本創作，在附圖中：圖1是根據實施例的MOCVD處理室之示意圖。

圖2是根據實施例的具有複數個加熱絲中介間隔件的加熱器線圈之平面圖。

圖3是圖2之加熱器線圈之詳細視圖，更詳細地示出了加熱絲中介間隔件。

圖4是根據實施例的加熱絲中介間隔件之透視圖。

圖5是圖4中所描繪的加熱絲中介間隔件之正視圖，後視圖與其相同。

圖6是圖4中所描繪的加熱絲中介間隔件之左視圖，右視圖與其相同。

圖7是圖4中所描繪的加熱絲中介間隔件之俯視圖。

圖8是圖4中所描繪的加熱絲中介間隔件之仰視圖。

圖9是圖4中所描繪的加熱絲中介間隔件之部分橫截面圖。

圖10是根據第二實施例的加熱絲中介間隔件之透視圖。

圖11是圖10中描繪的加熱絲中介間隔件之正視圖，後視圖與其相同。

圖12是圖10中描繪的加熱絲中介間隔件之左視圖，右視圖與其相同。

圖13是圖10中描繪的加熱絲中介間隔件之俯視圖。

圖14是圖10中描繪的加熱絲中介間隔件之仰視圖。

圖15是圖10中描繪的加熱絲中介間隔件之部分橫截面圖。

圖16是根據第三實施例的加熱絲中介間隔件之透視圖。

圖17是圖16中描繪的加熱絲中介間隔件之正視圖，後視圖與其相同。

圖18是圖16中描繪的加熱絲中介間隔件之左視圖，右視圖與其相同。

圖19是圖16中描繪的加熱絲中介間隔件之俯視圖。

圖20是圖16中描繪的加熱絲中介間隔件之仰視圖。

圖21是圖16中描繪的加熱絲中介間隔件之部分橫截面圖。

圖1示出根據本創作之一個實施例的化學氣相沈積設備。反應室10界定製程環境空間。氣體分佈裝置12佈置在室之一個端部處。具有氣體分佈裝置12的該端部在本文中被稱作反應室10之「頂部」端部。室之此端部通常但不是必須地安置在正常重力參考系中之室之頂部處。因此，如本文所使用的向下方向是指遠離氣體分佈裝置12的方向；而向上方向是指室內朝向氣體分佈裝置12的方向，不管此等方向是否與重力向上及向下方向對準。類似地，元件之「頂部」及「底部」表面在本文中是參考反應室10及氣體分佈裝置12的參考系來描述的。

氣體分佈裝置12連接至用於供應將在晶圓處理過程中使用的處理氣體(例如載氣及反應氣體)的源14、16及18，例如金屬有機化合物及第V族金屬之源。氣體分佈裝置12佈置成接收各種氣體並大體上在向下方向上引導處理氣體流。氣體分佈裝置12理想地亦連接至佈置成使通過氣體分佈裝置12的液體循環的冷卻劑系統20，以便在操作期間將氣體分佈裝置之溫度維持在所期望的溫度下。可以提供類似的冷卻劑佈置(未示出)來冷卻反應室10之壁。反應室10還配備有排氣系統22，該排氣系統22佈置成通過處於或接近於室底部的端口(未示出)自室10的內部中移除廢氣體，以便准許氣體在向下方向上自氣體分佈裝置12連續流動。

轉軸24佈置在室內，使得轉軸24之中心軸26在向上及向下方向上延伸。通過常規的併有軸承及密封件(未示出)的通過裝置28將旋轉轉軸24安裝至室上，使得轉軸24可以圍繞中心軸26旋轉，同時在轉軸24及反應室10之壁之間保持密封。轉軸在其頂部端部處具有接合部30，亦即，在轉軸中最接近氣體分佈裝置12的端部處具有接合部30。如下文進一步論述，接合部30是適於以可釋放方式接合晶圓載體的晶圓載體保持機構之實例。在所描繪的特定實施例中，接合部30是朝向轉軸的頂部端部逐漸變細且在平坦頂表面處封端的大體上為截頭圓錐形的元件。截頭圓錐形元件是一種具有錐形體之平截頭體之形狀的元件。轉軸24連接至旋轉驅動機構32，諸如電馬達驅動器，該旋轉驅動機構32佈置成使轉軸24圍繞中心軸26旋轉。

接合部30亦可為任何數目的其他配置。例如，端部形狀為方形或圓角方形、一連串柱、卵形或其他高寬比不是1：1的圓形形狀、三角形之轉軸24可以***至匹配接合部30中。可以在轉軸24及接合部30之間使用各種維持彼等組件之間的旋轉接合並防止非所要的打滑的其他鍵合、花鍵或互鎖佈置。在實施例中，可以使用鍵合、花鍵或互鎖佈置，儘管接合部30或轉軸24會出現預期量的熱膨脹或收縮，但是此等裝置仍然在接合部30與轉軸24之間維持所期望水準的旋轉接合。

加熱元件34安裝在室內，並且在接合部30下方圍繞轉軸24。反應室10亦設置有通向前室38的進入開口36及用於關閉及打開該進入開口的門40。門40僅在圖1中示意性地描繪，並且示出為可以在以實線示出的關閉位置及在40'處以虛線示出的打開位置之間移動，在該關閉位置，門將反應室10之內部與前室38隔離開來。門40配備有適當的控制及致動機構，用於在打開位置與關閉位置之間移動門40。圖1中所描繪之設備亦可包括載入機構(未示出)，該載入機構能夠將晶圓載體自前室38移動至室中並在操作條件中將晶圓載體與轉軸24接合，並且能夠將晶圓載體自轉軸24移動至前室38中。

設備亦包括複數個晶圓載體。在圖1所示之操作條件中，第一晶圓載體42在反應室10內部安置在操作位置中，而第二晶圓載體44安置在前室38內。每一晶圓載體包括基本上呈具有中心軸的圓盤(見圖2)形式的主體46。主體46圍繞軸線對稱地形成。在操作位置中，晶圓載體主體的軸線與轉軸24之中心軸26重合。主體46理想地由不會污染過程且在此過程中可以承受所遇到的溫度的材料形成。例如，盤之較大部分可基本上或完全由石墨、碳化矽或其他耐火材料等材料形成。主體46大體上具有平面頂表面48及底表面52'，該頂表面48及底表面52'以大體上彼此平行且大體上垂直於盤的中心軸的方式延伸。主體46還具有適於固持複數個晶圓的一個或複數個晶圓固持特徵。

在典型的MOCVD製程中，上面載有晶圓的晶圓載體42自前室38載入至反應室10中，並被放置在圖1所示的操作位置。在此條件中，晶圓之頂表面朝上面向氣體分佈裝置12。致動加熱元件34，且旋轉驅動機構32用以圍繞軸線26轉動轉軸24，並因此圍繞軸線26轉動晶圓載體42。通常，轉軸24以約50-1500轉/分鐘之轉速旋轉。致動處理氣體供應單元14、16及18以供應氣體通過氣體分佈裝置12。氣體向下朝向晶圓載體42傳遞，在晶圓載體42之頂表面48及晶圓54上傳遞，並向下在晶圓載體之外周周圍傳遞至出口及排氣系統22。因此，晶圓載體之頂表面及晶圓54之頂表面暴露於處理氣體，該處理氣體包括由各種處理氣體供應單元供應的各種氣體之混合物。最通常地，在頂表面處的處理氣體主要由載氣供應單元16所供應的載氣構成。在典型的化學氣相沈積製程中，載氣可為氮，因此在晶圓載體的頂表面處的處理氣體主要由氮構成，並帶有一定量的反應氣體組分。

加熱元件34主要通過輻射熱傳遞將熱傳遞至晶圓載體42之底表面52'。施加至晶圓載體42之底表面52'的熱通過晶圓載體之主體46向上流動至晶圓載體之頂表面48。通過主體向上傳遞的熱亦通過空隙向上傳遞至每一晶圓之底表面，並通過晶圓向上傳遞至晶圓54之頂表面。熱自晶圓載體42之頂表面48及晶圓之頂表面輻射至處理室之更冷元件，例如，輻射至處理室之壁及氣體分佈裝置12。熱亦自晶圓載體42之頂表面48及晶圓之頂表面傳遞至在此等表面上傳遞的處理氣體。

在所描繪之實施例中，系統包括設計成評估每一晶圓54之表面之加熱均勻性的數個特徵。在此實施例中，溫度分佈系統58自溫度監測器60接收可包括溫度及溫度監測位置資訊的溫度資訊。此外，溫度分佈系統58接收晶圓載體位置資訊，該晶圓載體位置資訊在一個實施例中可來自旋轉驅動機構32。通過此資訊，溫度分析系統58構建出晶圓載體42上的凹部56之溫度曲線。該溫度曲線表示每一個凹部56或其中所含的晶圓54之表面上的熱分佈。

圖2是加熱元件134之平面圖。加熱元件134可用於MOCVD系統，例如代替上文關於圖1所描述之加熱元件34。加熱元件134是可以通過施加電壓來加熱的蛇形線圈。在實施例中，諸如在圖2中所示之實施例中，加熱元件134之不同部分可以由不同電壓源提供電壓。如圖2所示，加熱元件134由五個獨立部分組成，這五個獨立部分在CVD系統中分開供電以提供熱。

加熱元件134由一連串柱172及加熱絲中介間隔件174支撐。在圖2中，柱172佈置成自底部支撐加熱元件134，但是在替代實施例中，柱172可以定位在防止加熱元件134扭曲、掉落或大體上防止非所要方向上的移動的數個其他區域中之任一個中。柱172不會完全阻擋加熱元件134之移動，因為考慮到加熱元件134之熱膨脹或收縮，一定的移動是必需的，加熱元件可以在數百或甚至數千攝氏度之溫度下操作。柱172可包括防止加熱元件134與CVD系統之其他組件之間出現電接觸的電絕緣組件。

加熱絲中介間隔件174對加熱元件134之移動的限制性比柱172更高。加熱絲中介間隔件174沿著由加熱元件134界定的路徑佈置。加熱絲中介間隔件174在加熱元件174周圍至少部分地周向延伸。在一些實施例中，加熱絲中介間隔件174可同時包括導電及電阻組件，如下文更詳細地描述。

圖3是由柱172及加熱絲中介間隔件174支撐的加熱元件134之一部分的詳細視圖。圖3進一步描繪了向加熱元件134提供電力的陽極 176A及176B。在實施例中，陽極及對應的陰極佈置在加熱元件134之每一區段(例如，上文關於圖2所描述的五個區段)之相對端部處以便為加熱元件134供電。

圖4-8是加熱絲中介間隔件274之一個實施例之詳細視圖。加熱絲中介間隔件274類似於圖2及3中描繪及上文描述的加熱絲中介間隔件174。大體而言，在整個本實用新型中，用以因子100迭代的參考標號描述類似部分。加熱絲中介間隔件274包括柱280、凸緣282、凸榫284、托架286及絕緣帽288A及288B。

柱280、凸緣282及凸榫284經結構設計以將托架286固持在距鄰近表面(例如，圖2及3之加熱元件134定位在上面的板)一距離處。柱280、凸緣282或凸榫284中之任一個或複數個可以由絕緣材料製成以將托架286與鄰近表面電隔離。

圖9是先前關於圖4-8描述的加熱絲中介間隔件274之部分橫截面圖。在圖9中示出的橫截面中，絕緣帽288B被等分(如剖面線所示)。如圖9所示，托架286穿過絕緣帽288B，且絕緣帽288B在托架286上被固持在適當位置。托架286經結構設計以部分周向地圍繞電動電阻加熱元件，例如上文關於圖1-3所描述的加熱元件。

在實施例中，托架286可以由金屬或另一導電材料製成，而柱280、凸緣282及/或凸榫284可以由電絕緣材料製成。因而，托架286與鄰近表面(例如，如關於圖2-3所示出及描述的具有凸榫284可以***其中的榫眼的板)電隔離。當由托架286固持的受熱線圈膨脹、收縮或以其他方式變形時，線圈及線圈的鄰近部分之間可能會形成非所要的電接觸。托架286防止線圈過度移動，而絕緣帽288A及288B防止線圈與托架286之間的直接電接觸。因而，即使線圈與絕緣帽288A或288B中之一個接觸，且即使整個加熱絲中介間隔件與線圈之鄰近部分電接觸，線圈之兩個區段之間亦維持有阻止出現電弧或電接觸的空隙。因此，加熱器線圈不會被損壞，且在線圈之不同部分之間不具有短路或非所要放電的情況下維持了所期望的均勻電流。

在實施例中，絕緣帽288A及288B可以由氧化鋁(Al₂O₃)、氧化鋯(ZrO₂)、塊滑石、堇青石或氮化硼(BN)以及其他相關材料製成。此等材料中之每一種能夠耐受超過1000℃的溫度，同時具有合乎期望的高相對電容率。

可以使用此等材料或具有高至足以用於CVD或MOCVD系統的操作溫度、足夠接近托架286的膨脹係數以在加熱期間維持配合接觸的膨脹係數以及高至足以防止在絕緣帽288A或288B上在電線圈之各區段之間出現電弧或放電的介電常數的其他材料。溫度要求及材料對反應器及/或過程產生污染的可能性使得高純度氧化鋁等現代耐火材料更受青睞。

圖10-15描繪加熱絲中介間隔件374之替代設計。如圖10-15中所示，加熱絲中介間隔件374包括柱380、凸緣382、凸榫384及托架386，它們每一個都基本上類似於上文關於圖4-9所描述的其對應物(280、282、284及286)。圖10-15亦描繪絕緣帽388A及388B，其類似於圖4-9之絕緣帽288A及288B，但是形狀不同，從而使得固持在托架386內的絕緣線圈及托架386自身之間可以接觸。因此，構成絕緣帽388A及388B的材料可能不需要對由於與鄰近線圈物理接觸而出現的變形具有抵抗性，因為線圈將會與托架386進行接觸。

圖16-21描繪加熱絲中介間隔件474之替代設計。如圖16-21中所示，加熱絲中介間隔件474包括柱480、凸緣482、凸榫484及托架486，其每一個都基本上類似於上文關於圖4-15所描述的其對應物(280/380、282/382、284/384及286/386)。圖16-21亦描繪絕緣帽488，其是配裝在托架486周圍的一體式帽。

實施例意欲是說明性的，且不具有限制性。額外實施例在申請專利範圍內。此外，儘管已經參考具體實施例描述本創作之各方面，但是熟習此項技術者應認識到，可以在不脫離如申請專利範圍所限定的本創作之範疇之情況下對形式及細節做出改變。

Claims

一種加熱絲中介間隔件，其包含：
複數個柱；
托架，其經結構設計以至少部分地圍繞加熱器線圈；以及
絕緣間隔件，其以機械方式耦合至該托架且經結構設計以防止該加熱器線圈中被該托架至少部分地圍繞的第一部分與該加熱器線圈中沒有被該托架至少部分地圍繞的第二部分之間出現電接觸。
如請求項1之加熱絲中介間隔件，其進一步包含第二絕緣間隔件，該第二絕緣間隔件以機械方式耦合至該托架且經結構設計以防止該加熱器線圈之該第一部分與該加熱器線圈中沒有被該托架至少部分地圍繞的第三部分之間出現電接觸。
如請求項1之加熱絲中介間隔件，其中該複數個柱包含兩個柱。
如請求項1之加熱絲中介間隔件，其中該複數個柱中之每一者耦合至凸緣。
如請求項4之加熱絲中介間隔件，其中該等凸緣中之每一者耦合至凸榫。
如請求項5之加熱絲中介間隔件，其中對於每一個柱：
該托架耦合至該柱之第一端部；
該凸緣之第一端部耦合至該柱中與該柱之該第一端部相對的第二端部；
該凸榫之第一端部耦合至該凸緣中與該凸緣之該第一端部相對的第二端部，
並且其中該凸榫經結構設計以與鄰近結構中之榫眼配合。
如請求項6之加熱絲中介間隔件，其中該等柱、該等凸緣及該等凸榫中之至少一者包含電絕緣材料。
如請求項1之加熱絲中介間隔件，其中該絕緣間隔件包含電絕緣材料。
如請求項8之加熱絲中介間隔件，其中該電絕緣材料是氧化鋁、氧化鋯、塊滑石、堇青石及氮化硼中之一種。
一種用於化學氣相沈積的加熱子系統，其中該加熱子系統包含：
佈置成蛇形形狀的導電加熱器線圈；
沿著該加熱器線圈佈置的複數個加熱絲中介間隔件，該等加熱絲中介間隔件中之每一者包含：
複數個柱；
托架，其經結構設計以至少部分地圍繞該加熱器線圈；以及
絕緣間隔件，其以機械方式耦合至該托架且經結構設計以防止該加熱器線圈中被該托架至少部分地圍繞的第一部分與該加熱器線圈中沒有被該托架至少部分地圍繞的第二部分之間出現電接觸。
如請求項10之加熱子系統，其中該加熱器線圈包含複數個加熱器線圈段。
如請求項10之加熱子系統，其中該複數個加熱絲中介間隔件各自進一步包含第二絕緣間隔件，該第二絕緣間隔件以機械方式耦合至該托架且經結構設計以防止該加熱器線圈之該第一部分與該加熱器線圈中沒有被該托架至少部分地圍繞的第三部分之間出現電接觸。
如請求項10之加熱子系統，其中該複數個柱中之每一者耦合至凸緣，並且其中該等凸緣中之每一者耦合至凸榫。
如請求項10之加熱子系統，其中該絕緣間隔件包含電絕緣材料。
如請求項14之加熱子系統，其中該電絕緣材料是氧化鋁、氧化鋯、塊滑石、堇青石及氮化硼中之一種。