TWM583555U - 半穿反式顯示模組 - Google Patents

半穿反式顯示模組 Download PDF

Info

Publication number
TWM583555U
TWM583555U TW108204312U TW108204312U TWM583555U TW M583555 U TWM583555 U TW M583555U TW 108204312 U TW108204312 U TW 108204312U TW 108204312 U TW108204312 U TW 108204312U TW M583555 U TWM583555 U TW M583555U
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
area
sub
region
pixel
pixels
Prior art date
Application number
TW108204312U
Other languages
English (en)
Inventor
唐安迪
周凱茹
吳哲耀
江宜達
陳翰
陳世偉
Original Assignee
凌巨科技股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 凌巨科技股份有限公司 filed Critical 凌巨科技股份有限公司
Priority to TW108204312U priority Critical patent/TWM583555U/zh
Publication of TWM583555U publication Critical patent/TWM583555U/zh

Links

Landscapes

  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

一種半穿反式顯示模組,其包括多個畫素。每一個畫素包括多個子畫素。多個子畫素分別適於輸出不同顏色的光束。每一個子畫素包括穿透區、反射區以及濾光圖案。至少一個子畫素的穿透區的面積不同於另一個子畫素的穿透區的面積。多個子畫素的多個濾光圖案具有多個開口,且至少一個開口的面積不同於另一個開口的面積。

Description

半穿反式顯示模組
本新型創作是有關於一種顯示模組,且特別是有關於一種半穿反式顯示模組。
半穿反式顯示模組與一般液晶顯示模組的差異在於半穿反式顯示模組的子畫素除了包括穿透區之外還包括反射區。因此,半穿反式顯示模組可在穿透模式與反射模式之間做切換。常見的穿透模式是以背光模組作為其光源,利用穿過液晶層的背光進行顯示。另一方面,反射模式是以環境光作為其光源,利用反射層將入射液晶層的環境光反射,並搭配濾光圖案及偏光片等設計進行顯示。
在半穿反式顯示模組的設計中,除了對比、顯示亮度及色彩飽和度之外,白色色座標(或黑色色座標)也是考量的重點之一。目前調變白色色座標(或黑色色座標)的方式包括調整濾光圖案參數、偏光片設計、液晶盒厚度、配向膜的配向方向及配向膜的預傾角的角度等。在上述方式中,調整濾光圖案參數(例如調整濾光圖案的面積比例)為一種有效方式。例如,當半穿反式顯示模組所顯示的白色偏黃時,可藉由縮減紅色濾光圖案及綠色濾光圖案的面積(例如在紅色濾光圖案及綠色濾光圖案中分別形成開口),來減少白光中的紅光成分以及綠光成分,藉此改善白色色座標偏黃的問題。
圖1為一色域圖,顯示習知半穿反式顯示模組操作於反射模式時於CIE 1931色度座標圖上的色域分布。在圖1中,點P1及點P2分別表示在調整濾光圖案的面積比例前後的白色色座標,而三角形T1及三角形T2分別表示在調整濾光圖案的面積比例前後的色域。從圖1可看出,通過上述優化方式,可使原本偏黃的白色色座標(點P1)往藍色移動,使得優化後的白色色座標(點P2)不顯黃。然而,採用上述優化方式亦會導致色域縮小,亦即上述優化方式會犧牲掉色彩飽和度。此外,濾光圖案中開口的最小尺寸會受限於濾光圖案的製程極限,導致白色色座標的實際偏移量D可能超出設計的或預期的偏移量。也就是說,上述的優化方式容易受到製程極限及製程誤差的影響,缺少了設計的靈活度以及誤差容忍度。
本新型創作提供一種半穿反式顯示模組,其具有設計彈性及良好的色彩表現。
本新型創作的一實施例提出一種半穿反式顯示模組,其包括多個畫素。每一個畫素包括多個子畫素。多個子畫素分別適於輸出不同顏色的光束。每一個子畫素包括穿透區、反射區以及濾光圖案。至少一個子畫素的穿透區的面積不同於另一個子畫素的穿透區的面積。多個子畫素的多個濾光圖案具有多個開口,且至少一個開口的面積不同於另一個開口的面積。
在本新型創作的一實施例中,多個子畫素的多個濾光圖案分別具有多個開口或分別具有單一開口。
基於上述,在本新型創作實施例的半穿反式顯示模組中,藉由調整反射區或穿透區的面積比例,可使反射率或穿透率進一步提升,且可對白色色座標進行微調,以補償濾光圖案之開口的製程極限及製程誤差對於白色色座標的實際偏移量的影響。因此,本新型創作實施例的半穿反式顯示模組具有設計彈性及良好的色彩表現。
為讓本新型創作的上述特徵和優點能更明顯易懂,下文特舉實施例,並配合所附圖式作詳細說明如下。
實施方式中所提到的方向用語,例如:「上」、「下」、「前」、「後」、「左」、「右」等,僅是參考附圖的方向。因此,使用的方向用語是用來說明,而並非用來限制本新型創作。在附圖中,各圖式繪示的是特定示範實施例中所使用的方法、結構及/或材料的通常性特徵。然而,這些圖式不應被解釋為界定或限制由這些示範實施例所涵蓋的範圍或性質。舉例來說,為了清楚起見,各膜層、區域及/或結構的相對尺寸、厚度及位置可能縮小或放大。
在實施方式中,相同或相似的元件將採用相同或相似的標號,且將省略其贅述。此外,不同示範實施例中的特徵在沒有衝突的情況下可相互組合,且依本說明書或申請專利範圍所作之簡單的等效變化與修飾,皆仍屬本專利涵蓋之範圍內。另外,本說明書或申請專利範圍中提及的「第一」、「第二」等用語僅用以命名分立(discrete)的元件或區別不同實施例或範圍,而並非用來限制元件數量上的上限或下限,也並非用以限定元件的製造順序或設置順序。
圖2為本新型創作之一實施例的半穿反式顯示模組200的上視示意圖。為清楚顯示半穿反式顯示模組200中的多個子畫素、多條掃描線SL以及多條資料線DL的相對配置關係,圖2示意性繪示出上述元件,但上述元件實際上位於半穿反式顯示模組200中而不會被使用者瞧見。圖3為圖2中的一個畫素480的上視示意圖。圖4為沿圖3中的剖線I-I’的剖面示意圖。為了使圖式清楚,圖2至圖4未繪示出各構件的細部構造。
請參照圖2至圖4,半穿反式顯示模組200包括多個畫素480。每一個畫素480包括多個子畫素。在本實施例中,這些子畫素排列成如圖2所示的陣列,且每一個子畫素被相鄰兩條資料線DL(沿第一方向D1延伸的導線)以及相鄰兩條掃描線SL(沿第二方向D2延伸的導線)所圍繞。這些子畫素包括適於輸出紅色光束的多個第一色子畫素480R、適於輸出綠色光束的多個第二色子畫素480G以及適於輸出藍色光束的多個第三色子畫素480B,其中輸出相同顏色的多個子畫素沿第一方向D1排列,且輸出不同顏色的多個子畫素沿第二方向D2交替排列。第一方向D1與第二方向D2相交且例如彼此垂直。此外,半穿反式顯示模組200的每一個畫素480由一個第一色子畫素480R、一個第二色子畫素480G以及一個第三色子畫素480B共同組成。然而,每一個畫素480中不同顏色子畫素的數量、顏色種類及這些畫素或子畫素的排列方式可依需求改變,而不以圖2所顯示的為限。
每一個子畫素(如第一色子畫素480R、第二色子畫素480G以及第三色子畫素480B)包括穿透區(如第一穿透區482R、第二穿透區482G以及第三穿透區482B)、反射區(如第一反射區484R、第二反射區484G以及第三反射區484B)以及濾光圖案(如第一濾光圖案486R、第二濾光圖案486G以及第三濾光圖案486B)。穿透區為半穿反式顯示模組200操作於穿透模式時的顯示區域,而反射區為半穿反式顯示模組200操作於反射模式時的顯示區域。濾光圖案位於所述穿透區與反射區中,且濾光圖案重疊於所述穿透區及反射區,使半穿反式顯示模組200無論是操作於穿透模式還式操作於反射模式皆能提供彩色的影像畫面。
如圖3所示,每一個子畫素的面積約為穿透區與反射區的面積總合,且每一個子畫素的濾光圖案的面積小於或等於所述子畫素的面積。圖3示意性繪示出多個子畫素具有相同的面積,且每一個子畫素的濾光圖案的面積等於所述子畫素的正投影的面積。換句話說,第一穿透區482R與第一反射區484R的面積總和等於第二穿透區482G與第二反射區484G的面積總和,第二穿透區482G與第二反射區484G的面積總和等於第三穿透區482B與第三反射區484B的面積總和,且第一濾光圖案486R、第二濾光圖案486G以及第三濾光圖案486B具有相同的面積。然而,在另一實施例中,多個子畫素可具有不同的面積,且不同子畫素的濾光圖案的面積可相同或不同。舉例來說,至少一個子畫素的面積可不同於另一個子畫素的面積,且不同顏色子畫素中的濾光圖案的面積可相同或不同。
請參照圖4,半穿反式顯示模組200可包括主動元件陣列基板410(也可稱作第一基板)、彩色濾光基板450(也可稱作第二基板)以及位於彩色濾光基板450與主動元件陣列基板410之間的顯示介質層430。
主動元件陣列基板410包括基板412、反射層414、配向層416、多個主動元件(未繪示)、多條掃描線SL(未繪示於圖4,請參照圖1)、多條資料線DL(未繪示於圖4,請參照圖1)以及周邊線路等。
基板412適於承載其他元件,且基板412為透光基板,以避免遮蔽光束。舉例來說,基板412可為玻璃基板或塑膠基板,但不以此為限。
反射層414設置於基板412上。圖4示意性繪示出反射層414與基板412接觸,然而,反射層414與基板412之間可選擇性地設置有其他元件或膜層,如前述的多個主動元件、多條掃描線、多條資料線以及周邊線路等,但不以此為限。反射層414除了可作為用於驅動顯示介質層430的電極之外,還可用於將環境光反射,使半穿反式顯示模組200操作於反射模式時能提供影像畫面。因此,反射層414位於反射區(包括第一反射區484R、第二反射區484G以及第三反射區484B)中。另一方面,為避免遮蔽來自背光模組(未繪示)的背光,使半穿反式顯示模組200操作於穿透模式時也能提供影像畫面,反射層414沒有位於穿透區(包括第一穿透區482R、第二穿透區482G以及第三穿透區482B)中。
配向層416位於反射層414與顯示介質層430之間。配向層416適於使顯示介質層430(如液晶層)中的液晶分子(未繪示)依特定的方向與預定的角度排列。
依據不同的需求,主動元件陣列基板410可進一步包括其他元件。相關的內容可參照已知技術,於此不再贅述。
彩色濾光基板450包含基板452、多個第一濾光圖案486R(圖4僅示意性繪示出一個)、多個第二濾光圖案486G(圖4僅示意性繪示出一個)、多個第三濾光圖案486B(圖4僅示意性繪示出一個)、配向層456及遮蔽層(未繪示)。
基板452適於承載其他元件,且基板452為透光基板,以避免遮蔽光束。舉例來說,基板452可為玻璃基板或塑膠基板,但不以此為限。
多個第一濾光圖案486R、多個第二濾光圖案486G以及多個第三濾光圖案486B設置於基板452上並沿第二方向D2交替排列。圖4示意性繪示出上述濾光圖案與基板452接觸,然而,上述濾光圖案與基板452之間可選擇性地設置有其他元件或膜層。舉例來說,上述濾光圖案與基板452之間可選擇性地設置有遮蔽層,以遮蔽半穿反式顯示模組200中不欲被使用者看到的元件,但不以此為限。在本實施例中,第一色子畫素480R、第二色子畫素480G以及第三色子畫素480B分別為紅色子畫素、綠色子畫素及藍色子畫素。對應地,第一濾光圖案486R適於讓紅色光束通過且將其餘顏色光束濾除。第二濾光圖案486G適於讓綠色光束通過且將其餘顏色光束濾除。第三濾光圖案486B適於讓藍色光束通過且將其餘顏色光束濾除。
配向層456位於上述濾光圖案與顯示介質層430之間。配向層456適於使顯示介質層430(如液晶層)中的液晶分子(未繪示)依特定的方向與預定的角度排列。
依據不同的需求,彩色濾光基板450也可進一步包括其他元件。相關的內容可參照已知技術,於此不再贅述。
在本實施例中,每一個子畫素的穿透區及反射區設置於主動元件陣列基板410(即第一基板),且每一個子畫素的濾光圖案設置於彩色濾光基板450(即第二基板),但不以此為限。在另一實施例中,每一個子畫素的濾光圖案也可設置於主動元件陣列基板410(即第一基板)。
為提高色彩飽和度及優化色域,不同顏色子畫素的穿透區的面積比例可依據不同的設計需求而調整。舉例來說,可調整至少一個顏色子畫素的穿透區的面積,使所述至少一個顏色子畫素的穿透區的面積不同於其餘顏色子畫素的穿透區的面積。在不同顏色子畫素具有相同面積的情況下,當第一色子畫素的穿透區的面積大於第二色子畫素的穿透區的面積時,所述第一色子畫素的反射區的面積會小於所述第二色子畫素的反射區的面積。然而,在不同顏色子畫素具有不同面積的情況下,當第一色子畫素的穿透區的面積大於第二色子畫素的穿透區的面積時,所述第一色子畫素的反射區的面積可能等於、小於或大於所述第二色子畫素的反射區的面積。
在一實施例中,不同顏色子畫素可滿足A1/A3=0.1~10且A2/A3=0.1~10,其中A1為第一色子畫素480R之第一穿透區482R的面積,A2為第二色子畫素480G之第二穿透區482G的面積,且A3為第三色子畫素480B之第三穿透區482B的面積。也就是說,第一色子畫素480R之第一穿透區482R的面積與第三色子畫素480B之第三穿透區482B的面積的比值落在0.1至10的範圍內,且第二色子畫素480G之第二穿透區482G的面積與第三色子畫素480B之第三穿透區482B的面積的比值落在0.1至10的範圍內。
類似地,為提高色彩飽和度及優化色域,不同顏色子畫素的反射區的面積比例亦可依據不同的設計需求而調整。舉例來說,可調整至少一個顏色子畫素的反射區的面積,使所述至少一個顏色子畫素的反射區的面積不同於其餘顏色子畫素的反射區的面積。在不同顏色子畫素具有相同面積的情況下,當第一色子畫素的反射區的面積大於第二色子畫素的反射區的面積時,所述第一色子畫素的穿透區的面積會小於所述第二色子畫素的穿透區的面積。然而,在不同顏色子畫素具有不同面積的情況下,當第一色子畫素的反射區的面積大於第二色子畫素的反射區的面積時,所述第一色子畫素的穿透區的面積可能等於、小於或大於所述第二色子畫素的穿透區的面積。
在一實施例中,不同顏色子畫素可滿足B1/B3=0.1~10且B2/B3=0.1~10,其中B1為第一色子畫素480R之第一反射區484R的面積,B2為第二色子畫素480G之第二反射區484G的面積,且B3為第三色子畫素480B之第三反射區482B的面積。也就是說,第一色子畫素480R之第一反射區484R的面積與第三色子畫素480B之第三反射區482B的面積的比值落在0.1至10的範圍內,且第二色子畫素480G之第二反射區484G的面積與第三色子畫素480B之第三反射區482B的面積的比值落在0.1至10的範圍內。
為提高色彩飽和度及優化色域,不同顏色子畫素的穿透區及反射區的面積比例可一併依據不同的設計需求而調整。此外,為滿足上述反射區與穿透區的面積比例關係,不同顏色子畫素可具有相同、至少部分相同或不同的面積。
圖5為一色域圖,顯示本新型創作之半穿反式顯示模組200(參照圖2)操作於反射模式時於CIE 1931色度座標圖上的色域分布。請參照圖2及圖5,當半穿反式顯示模組200操作於反射模式時的白色色座標(參照點P3)偏黃時,可藉由調整不同顏色子畫素的穿透區及/或反射區之面積比例,來改變白色色座標的位置。舉例來說,如圖3所示,可縮小第一反射區484R及第二反射區484G的面積(或增加第一穿透區482R及第二穿透區482G的面積),以減少反射模式下自畫素480輸出的光束中的紅光成分以及綠光成分,進而使白色色座標由圖5中的點P3位移至點P4。所述縮小第一反射區484R及第二反射區484G的面積例如是透過縮小反射層414(參照圖4)在第一色子畫素480R及第二色子畫素480G中佔據的面積來達成。
圖3示意性繪示出第三色子畫素480B之第三反射區484B的面積大於第二色子畫素480G之第二反射區484G的面積,且第二色子畫素480G之第二反射區484G的面積大於第一色子畫素480R之第一反射區484R的面積。然而,不同顏色子畫素的穿透區及/或反射區之面積比例可依據不同的情況(如白色色座標所需調整的位移量及方向)進行調整,且所述調整不限於對多個顏色子畫素的穿透區(或反射區)的面積進行調整。在一實施例中,可調整一個或多個顏色子畫素的穿透區(或反射區)的面積,使兩個以上不同顏色子畫素的穿透區(或反射區)的面積不同。
由於可以不用藉由在濾光圖案中形成開口來調整白色色座標的位置,因此可以不犧牲色彩飽和度,即維持色域(圖5中三角形T1所框出的範圍)。此外,反射層414之圖案化的光罩成本較彩色濾光圖案之圖案化的光罩成本低,因此藉由反射層之圖案化來優化白色色座標的設計成本較低,且利於降低優化之成本。另外,反射層之圖案化的製程精度較彩色濾光圖案之圖案化的製程精度高,因此圖5中白色色座標的實際偏移量DA(最小微調距離)可小於圖1中白色色座標的實際偏移量D(最小微調距離)。也就是說,藉由此優化方式能夠對白色色座標進行更細微的調整,且白色色座標的調整空間較大。
在一實施例中,為提高反射率,可增加每一子畫素的反射區之面積。舉例來說,當將第一反射區484R、第二反射區484G及第三反射區482B的面積一起增大k倍時,反射率亦可提升k倍。在另一實施例中,可縮小每一子畫素的反射區之面積,以提高穿透率。在此情況下,k值可小於1。舉例來說,k值之範圍約落在1.5至0.67的範圍內。
在上述實施例中,彩色濾光圖案(包括第一濾光圖案486R、第二濾光圖案486G以及第三濾光圖案486B)不具有開口。然而,在其他實施例中,彩色濾光圖案亦可具有開口。圖6為本新型創作之又一實施例的半穿反式顯示模組700的一個畫素780的上視示意圖。圖7A至圖7C分別為沿圖6中的剖線II-II’、III-III’、IV-IV’的剖面示意圖。
請參照圖6至圖7C,半穿反式顯示模組700與圖3及圖4的半穿反式顯示模組200的主要差異如下所述。在半穿反式顯示模組700中,多個子畫素的多個濾光圖案具有多個開口。此處,開口定義為濾光圖案中無濾光材料(如樹脂)覆蓋的區域,且此區域可填充或不填充透光的保護層。此外,多個子畫素的多個濾光圖案具有多個開口不限定每一個子畫素的濾光圖案皆具有開口,而是指至少部分的子畫素的濾光圖案具有開口。也就是說,有一部分的子畫素的濾光圖案可不具有開口,或者每一個子畫素的濾光圖案皆具有開口。此外,多個子畫素的多個濾光圖案可分別具有單一開口或多個開口。更具體來說,不同濾光圖案可具有不同數量的開口。或者,不同濾光圖案可具有相同數量的開口。例如,不同濾光圖案可分別具有單一開口或分別具有多個開口。
在本實施例中,第一色子畫素780R包括第一穿透區482R、第一反射區484R以及第一濾光圖案786R,且第一濾光圖案786R具有開口788R。第二色子畫素780G包括第二穿透區482G、第二反射區484G以及第二濾光圖案786G,且第二濾光圖案786G具有開口788G。第三色子畫素780B包括第三穿透區482B、第三反射區482B以及第三濾光圖案786B,且第三濾光圖案786B具有開口788B。開口788R與開口788B具有相同的面積,且開口788G的面積不同於(例如大於)開口788R以及開口788B的面積。然而,每一個濾光圖案的開口的面積、形狀及其於濾光圖案中的位置可依需求改變,而不以圖6所顯示的為限。舉例來說,開口788R、開口788G及開口788B可具有不同面積。
為提高色彩飽和度及優化色域,不同顏色子畫素的濾光圖案的開口、反射區與穿透區的面積比例可依據不同的設計需求而調整。透過對濾光圖案之開口以及反射區(或穿透區)的面積比例(即不同顏色子畫素中的反射層的面積)進行設計,可有效提升設計之靈活度。
在一實施例中,不同顏色子畫素可滿足(C1+C2+C3)<2000平方微米,(B1-C1)/(B3-C3)以及(B2-C2)/(B3-C3)分別落在0.2至5的範圍內,且A1/A3以及A2/A3分別落在0.1至10的範圍內,其中C1為第一濾光圖案786R的開口788R的開口面積,C2為第二濾光圖案786G的開口788G的開口面積,且C3為第三濾光圖案786B的開口788B的開口面積。(B1-C1)表示的是第一色子畫素780R之第一反射區484R的面積扣除第一濾光圖案786R的開口788R的開口面積,也就是第一反射區484R中濾光材料所佔據的面積。同理,(B2-C2)表示第二反射區484G中濾光材料所佔據的面積。(B3-C3)表示第三反射區484B中濾光材料所佔據的面積。
詳細而言,可依A1/A3以及A2/A3設計三個不同顏色子畫素的穿透區的面積比例,並依(B1-C1)/(B3-C3)以及(B2-C2)/(B3-C3)設計三個不同顏色子畫素的反射區的面積比例。當三個子畫素的開口面積的總和小於2000平方微米時,濾光圖案之開口面積可能逼近甚至超出製程極限。如圖6所示,當開口788B及開口788R設計的線寬(如開口在第一方向D1上的寬度)小於製程所能達到的線寬時,實際製作出來的開口788B的線寬LWB及實際製作出來的開口788R的線寬LWR約為製程所能達到的線寬,因而產生設計值與實際值的落差。此時,白色色座標的實際偏移量(最小微調距離)會超出設計的偏移量。在此情況下,可藉由調整穿透區及/或反射區的面積(反射層的面積),來達成顏色之平衡,並補償濾光圖案之開口的製程極限及製程誤差對於白色色座標的實際偏移量的影響,使調整後的白色色座標的實際偏移量(最小微調距離,如圖8的白色色座標的實際偏移量DB)可小於圖1中白色色座標的實際偏移量D(最小微調距離)。也就是說,藉由此方式能夠對白色色座標進行微調,使白色色座標的調整空間較先前技術大,且不會進一步犧牲色彩飽和度。
在一實施例中,也可在調整穿透區及/或反射區的面積(反射層的面積)之後,進一步藉由調整三個不同顏色子畫素的開口面積來提升反射率或穿透率。
圖8為一色域圖,顯示本新型創作之半穿反式顯示模組700操作於反射模式時於CIE 1931色度座標圖上的色域分布。在圖6中,開口788B及開口788R的面積大小受限於製程極限而無法進一步縮小以符合設計值,造成圖8中白色色座標(點P5)偏綠。此時,可藉由加大第一反射區784R以及第三反射區784B的面積(即縮減第一穿透區782R以及第三穿透區782B的面積),來優化白色色座標,使白色色座標由點P5位移至點P6,從而具有良好的色彩表現。在本實施例中,(B1-C1):(B2-C2):(B3-C3)=0.9:0.8:1,但本新型創作不以此為限。
綜上所述,本新型創作之半穿反式顯示模組透過調整反射區或穿透區之面積比例,可使反射率或穿透率進一步提升,且可對白色色座標進行微調,以補償濾光圖案之開口的製程極限及製程誤差對於白色色座標的實際偏移量的影響,並維持色彩飽和度。並且,相較於濾光圖案之圖案化,反射層之圖案化的光罩成本較低且製程精度較高。此外,本新型創作之顯示模組各子畫素間面積可相等;倘不相等時其最大子畫素面積與最小子畫素面積比例約為2。因此,能夠對白色色座標進行更細微的調整,且白色色座標的調整空間較大。是以,本新型創作實施例的半穿反式顯示模組具有設計彈性及良好的色彩表現。
雖然本新型創作已以實施例揭露如上,然其並非用以限定本新型創作,任何所屬技術領域中具有通常知識者,在不脫離本新型創作的精神和範圍內,當可作些許的更動與潤飾,故本新型創作的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
200、700‧‧‧半穿反式顯示模組
410‧‧‧主動元件陣列基板
412、452‧‧‧基板
414‧‧‧反射層
416、456‧‧‧配向層
430‧‧‧顯示介質層
450‧‧‧彩色濾光基板
480、780‧‧‧畫素
480R、780R‧‧‧第一色子畫素
480G、780G‧‧‧第二色子畫素
480B、780B‧‧‧第三色子畫素
482R‧‧‧第一穿透區
482G‧‧‧第二穿透區
482B‧‧‧第三穿透區
484R‧‧‧第一反射區
484G‧‧‧第二反射區
484B‧‧‧第三反射區
486R、786R‧‧‧第一濾光圖案
486G、786G‧‧‧第二濾光圖案
486B、786B‧‧‧第三濾光圖案
788R、788G、788B‧‧‧開口
D、DA、DB‧‧‧白色色座標的實際偏移量
D1‧‧‧第一方向
D2‧‧‧第二方向
DL‧‧‧資料線
LWR、LWB‧‧‧線寬
P1、P2、P3、P4、P5、P6‧‧‧點
SL‧‧‧掃描線
T1、T2‧‧‧三角形
I-I’、II-II’、III-III’、IV-IV’‧‧‧剖線
圖1為一色域圖,顯示習知半穿反式顯示模組操作於反射模式時於CIE 1931色度座標圖上的色域分布。
圖2為本新型創作之一實施例的半穿反式顯示模組的上視示意圖。
圖3為圖2中的一個畫素的上視示意圖。
圖4為沿圖3中的剖線I-I’的剖面示意圖。
圖5為一色域圖,顯示本新型創作之半穿反式顯示模組操作於反射模式時於CIE 1931色度座標圖上的色域分布。
圖6為本新型創作之又一實施例的半穿反式顯示模組的一個畫素的上視示意圖。
圖7A至圖7C分別為沿圖6中的剖線II-II’、III-III’、IV-IV’的剖面示意圖。
圖8為一色域圖,顯示本新型創作之半穿反式顯示模組操作於反射模式時於CIE 1931色度座標圖上的色域分布。

Claims (10)

  1. 一種半穿反式顯示模組,包括多個畫素,每一個畫素包括多個子畫素,所述多個子畫素排列成陣列且分別適於輸出不同顏色的光束,每一個子畫素包括穿透區、反射區以及濾光圖案,其中至少一個子畫素的所述穿透區的面積不同於另一個子畫素的所述穿透區的面積,所述多個子畫素的多個濾光圖案具有多個開口,且至少一個開口的面積不同於另一個開口的面積。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的半穿反式顯示模組,其中所述多個子畫素具有相同的面積。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的半穿反式顯示模組,其中所述多個子畫素具有不同的面積。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的半穿反式顯示模組,其中所述多個子畫素的多個濾光圖案分別具有多個開口或分別具有單一開口。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的半穿反式顯示模組,更包括第一基板及第二基板,其中每一個子畫素之所述穿透區及所述反射區設置於所述第一基板,且每一個子畫素之所述濾光圖案設置於所述第一基板或所述第二基板。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的半穿反式顯示模組,其中所述多個子畫素分別包括不同顏色的濾光圖案,且每一個子畫素的所述濾光圖案的面積小於或等於所述子畫素的正投影的面積。
  7. 如申請專利範圍第6項所述的半穿反式顯示模組,其中所述多個子畫素包括:第一色子畫素,包括第一穿透區以及第一反射區;第二色子畫素,包括第二穿透區以及第二反射區;以及第三色子畫素,包括第三穿透區以及第三反射區,其中所述第一穿透區的面積為A1,所述第二穿透區的面積為A2,所述第三穿透區的面積為A3,且A1/A3以及A2/A3分別落在0.1至10的範圍內。
  8. 如申請專利範圍第7項所述的半穿反式顯示模組,其中所述第一反射區的面積為B1,所述第二反射區的面積為B2,所述第三反射區的面積為B3,且B1/B3以及B2/B3分別落在0.1至10的範圍內。
  9. 如申請專利範圍第1項所述的半穿反式顯示模組,其中所述多個子畫素分別包括不同顏色的濾光圖案,每一個濾光圖案具有開口,且不同顏色的濾光圖案的開口具有不同面積。
  10. 如申請專利範圍第9項所述的半穿反式顯示模組,其中所述多個子畫素包括:第一色子畫素,包括第一穿透區、第一反射區以及第一濾光圖案;第二色子畫素,包括第二穿透區、第二反射區以及第二濾光圖案;以及第三色子畫素,包括第三穿透區、第三反射區以及第三濾光圖案,其中所述第一穿透區的面積為A1,所述第二穿透區的面積為A2,所述第三穿透區的面積為A3,所述第一反射區的面積為B1,所述第二反射區的面積為B2,所述第三反射區的面積為B3,所述第一濾光圖案的開口面積為C1,所述第二濾光圖案的開口面積為C2,所述第三濾光圖案的開口面積為C3,其中(C1+C2+C3)<2000平方微米,(B1-C1)/(B3-C3)以及(B2-C2)/(B3-C3)分別落在0.2至5的範圍內,且A1/A3以及A2/A3分別落在0.1至10的範圍內。
TW108204312U 2019-04-09 2019-04-09 半穿反式顯示模組 TWM583555U (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW108204312U TWM583555U (zh) 2019-04-09 2019-04-09 半穿反式顯示模組

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW108204312U TWM583555U (zh) 2019-04-09 2019-04-09 半穿反式顯示模組

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TWM583555U true TWM583555U (zh) 2019-09-11

Family

ID=68620569

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW108204312U TWM583555U (zh) 2019-04-09 2019-04-09 半穿反式顯示模組

Country Status (1)

Country Link
TW (1) TWM583555U (zh)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11825720B2 (en) Display panel and display device
JP3941481B2 (ja) 液晶表示装置および電子機器
US7916265B2 (en) Method of manufacturing a color liquid crystal panel
JP3918765B2 (ja) 液晶表示装置および電子機器
WO2017067248A1 (zh) 彩膜基板、显示面板及其制备方法以及显示装置
JP2006276831A (ja) カラーフィルタ基板、液晶装置、及び電子機器
JP5032157B2 (ja) 液晶表示装置
JP2006343615A (ja) 液晶装置および電子機器
JP4123194B2 (ja) 液晶表示装置および電子機器
TWM583555U (zh) 半穿反式顯示模組
JP4244977B2 (ja) 液晶表示装置および電子機器
JP2007127879A (ja) カラーフィルタ基板
JP3674582B2 (ja) 液晶表示装置および電子機器
JP3693055B2 (ja) 液晶表示装置及び電子機器
WO2011104943A1 (ja) 液晶表示パネル及び液晶表示装置
JP4259502B2 (ja) 液晶表示装置および電子機器
JP4142075B2 (ja) 液晶表示装置および電子機器
JP4142074B2 (ja) 液晶表示装置および電子機器
CN117672078A (zh) 反射式显示装置
JP2004086222A (ja) 液晶表示装置および電子機器
JP2006251635A (ja) 半導体装置
JP2007065693A (ja) 液晶表示装置および電子機器
JP2007047835A (ja) 液晶表示装置および電子機器
JP2007114801A (ja) 液晶表示装置および電子機器
JP2007047840A (ja) 液晶表示装置および電子機器