TWM583131U - 一種積體電路結合發光二極體之封裝結構 - Google Patents
一種積體電路結合發光二極體之封裝結構 Download PDFInfo
- Publication number
- TWM583131U TWM583131U TW108202588U TW108202588U TWM583131U TW M583131 U TWM583131 U TW M583131U TW 108202588 U TW108202588 U TW 108202588U TW 108202588 U TW108202588 U TW 108202588U TW M583131 U TWM583131 U TW M583131U
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- light
- emitting diode
- integrated circuit
- chips
- package structure
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49171—Fan-out arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
一種積體電路結合發光二極體之封裝結構,包含有:一積體電路、一發光層及一封裝層。該積體電路係具有一封裝載體,該封裝載體的內部具有一控制電路晶片,該封裝載體的表面具有複數個電極層,該封裝載體的底部有複數個焊墊,該些電極層及該些焊墊與該控制電路晶片電性連結。該發光層係由複數個發光晶片組成,該些發光晶片上各具有一焊墊,該焊墊以電性連結於該些電極層上。該封裝層係設於該封裝載體的表面上,並將該些發光晶片封裝包覆。
Description
本創作係有關於一種積體電路結合發光二極體之封裝結構,尤指一種以覆晶發光晶片封裝於積體電路(Integrated Circuit,IC)之積體電路結合發光二極體之封裝結構。
已知,目前的發光二極體10a的封裝結構(如圖1所示),其上具有一燈杯1a,該燈杯1a上具有一杯口11a,該杯口11a讓封裝於燈杯1a上的金屬支架(導線架)12a或與燈杯1a結合的電路板(圖中未示)上的電極層外露。在封裝時,將控制電路晶片2a及複數個發光晶片3a電性固接於該金屬支架12a上,在透過打金線技術將金線4a電性固結於該控制電路晶片2a、該發光晶片3a及該金屬支架12a之間,即可使該控制電路晶片2a驅動該些發光晶片3a點亮。
上述的發光二極體10a的封裝結構常用於玻璃帷幕做透鏡顯示屏使用,可以有視覺之穿透效果,亦可以做廣告播放,以達行銷效果。由於此種的發光二極體的封裝結構在封裝後,整體發光二極體的體積尺寸為5mm×5mm或3.5mm×3.5mm,尺寸越大相對會使視覺穿透的程度越低,使顯示屏顯示效果就會大打折。
因此,本創作之主要目的,在於提供一種新的封裝結構,以積體電路做為發光二極體的封裝載體,同時採用覆晶式的發光晶片直接焊接於該積體電路表面的電極層上,使該發光晶片、該電極層與該積
體電路內部的控制電路晶片之間無需再透過金線電性連結及打金線的製程,除了使發光二極體的封裝製程更佳簡單及還可以大幅降低製作成本之外,更可以縮小發光二極體的封裝體積,大大的增加透明玻璃帷幕穿透的效果,或甚可大幅提升。
為了達到上述之目的,本創作提供一種積體電路結合發光二極體之封裝結構,包含有:一積體電路、一發光層及一封裝層。該積體電路係具有一封裝載體,該封裝載體的內部具有一控制電路晶片,該封裝載體的表面具有複數個電極層,該封裝載體的底部有複數個焊墊,該些電極層及該些焊墊與該控制電路晶片電性連結。該發光層係由複數個發光晶片組成,該些發光晶片上各具有二焊墊,該二焊墊以電性連結於該些電極層上。該封裝層係設於該封裝載體的表面上,並將該些發光晶片封裝包覆。
在本創作之一實施例中,該些發光晶片為覆晶式的發光二極體晶片。
在本創作之一實施例中,該些發光晶片為多種顏色。
在本創作之一實施例中,該些發光晶片為紅綠藍三晶片組成。
在本創作之一實施例中,該些發光晶片為紅綠藍白四晶片組成。
在本創作之一實施例中,該封裝層為透明、半透明或霧面膠材。
在本創作之一實施例中,該透明膠材為環氧樹脂或矽膠。
在本創作之一實施例中,該發二極體電性連結於具有一導通電極層的基板上,於該發光二極體的周圍及該基板上設有一擋牆。
在本創作之一實施例中,該擋牆為膠體。
在本創作之一實施例中,該擋牆為反射層。
10a‧‧‧發光二極體
1a‧‧‧燈杯
11a‧‧‧杯口
12a‧‧‧金屬支架
2a‧‧‧控制電路晶片
3a‧‧‧發光晶片
4a‧‧‧金線
5a‧‧‧封裝層
10‧‧‧發光二極體
1‧‧‧積體電路
11‧‧‧封裝載體
12‧‧‧電極層
13‧‧‧焊墊
2‧‧‧發光層
21‧‧‧發光晶片
22‧‧‧焊墊
3‧‧‧封裝層
20‧‧‧基板
30‧‧‧擋牆
圖1,傳統發光二極體的封裝結構示意圖;圖2,係本創作之第一實施例的積體電路結合發光二極體之封裝結構示意圖;
圖3,係圖2的積體電路封裝體的上視示意圖;圖4,係圖2的積體電路封裝體的底視示意圖;圖5,係本創作之第二實施例的積體電路結合發光二極體之封裝結構示意圖;圖6,係本創作之第三實施例的積體電路結合發光二極體之封裝結構示意圖。
茲有關本創作之技術內容及詳細說明,現配合圖式說明如下:
請參閱圖2-4,係本創作之第一實施例的的積體電路結合發光二極體之封裝結構及圖2的積體電路封裝體的上視與底視示意圖。如圖所示:本創作之一種積體電路結合發光二極體之封裝結構,該發光二極體10包含有:一積體電路1、一發光層2及一封裝層3。
該積體電路(Integrated Circuit,IC)1,係具有一封裝載體11,該封裝載體11的內部具有控制電路晶片(圖中未示),該封裝載體11的表面具有複數個電極層12,該封裝載體11的底部有複數個焊墊13,該些電極層12及該些焊墊13與該封裝載體11內部的控制電路晶片電性連結。該些焊墊13係以供該封裝載體11電性連結於搭配使用裝置的主機板(圖中未示)上。
該發光層2,係由複數個覆晶式的發光晶片21組成。該些發光晶片21上各具有二焊墊22,該二焊墊22係以提供該些發光晶片21電性連結於該封裝載體11表面上的電極層12。在本圖式中,該些發光晶片21為覆晶式的發光二極體晶片,該些發光晶片21為多種顏色,如紅綠藍(RGB)三晶片或紅綠藍白(RGBW)四晶片組成。
該封裝層3,係設於該封裝載體11的表面上,並將該些發光晶片21封裝包覆。在本圖式中,該封裝層3為透明、半透明或霧面膠材,該透明膠材為環氧樹脂(Epoxy)或矽膠。
在由上述的發光二極體10的該發光層2在製作時,將該些覆晶式的發光晶片21係以覆晶封裝技術,使該些發光晶片21的焊墊22電性連結於該封裝載體11的該些電極層12上,在該發光二極體10封裝過程中,該些發光晶片21、該些電極層12與該控制電路晶片之間無需再透過金線電性連結及打金線的製程,除了使發光二極體10的封裝製程更佳簡單及還可以大幅降低製作成本之外,更可以縮小發光二極體的封裝體積,大大的增加透明玻璃帷幕穿透的效果,或甚可大幅提升。
請參閱圖5,係本創作之第二實施例的積體電路結合發光二極體之封裝結構示意圖。如圖所示:本創作之第二實施例與第一實施例大致相同,所不同處係在於該封裝載體11表面上的該些電極層12電性連結有紅綠藍白(RGBW)四晶片組成的該些發光晶片21,使得該發光二極體10具有產多種顏色變化的組合,使顯示屏的色彩更佳鮮豔。
請參閱圖6,係本創作之第三實施例的積體電路結合發光二極體之封裝結構示意圖。如圖所示:本創作之第三實施例與第一實施例大致相同,所不同處係在於係將封裝完成的發二極體10電性連結於具有導通電極層(圖中未示)的基板20上,同時於該發光二極體10的周圍及基板20上封裝有一擋牆30,該擋牆30為膠體,使該發光二極體10的封裝結構更佳穩固,或者該擋牆30為反射層,使該發光層2的該些發光晶片21所產生的光源能有效的反射,以提升顯示屏的亮度。
惟以上所述僅為本創作之較佳實施例,非意欲侷限本創作的專利保護範圍,故舉凡運用本創作說明書或圖式內容所為的等效變化,均同理皆包含於本創作的權利保護範圍內,合予陳明。
Claims (10)
- 一種積體電路結合發光二極體之封裝結構,包括:一積體電路,係具有一封裝載體,該封裝載體的內部具有一控制電路晶片,該封裝載體的表面具有複數個電極層,該封裝載體的底部有複數個焊墊,該些電極層及該些焊墊與該控制電路晶片電性連結;一發光層,係由複數個發光晶片組成,該些發光晶片上各具有二焊墊,該二焊墊以電性連結於該些電極層上;一封裝層,係設於該封裝載體的表面上,並將該些發光晶片封裝包覆。
- 如申請專利範圍第1項所述之積體電路結合發光二極體之封裝結構,其中,該些發光晶片為覆晶式的發光二極體晶片。
- 如申請專利範圍第1項所述之積體電路結合發光二極體之封裝結構,其中,該些發光晶片為多種顏色。
- 如申請專利範圍第3項所述之積體電路結合發光二極體之封裝結構,其中,該些發光晶片為紅綠藍三晶片組成。
- 如申請專利範圍第3項所述之積體電路結合發光二極體之封裝結構,其中,該些發光晶片為紅綠藍白四晶片組成。
- 如申請專利範圍第3項所述之積體電路結合發光二極體之封裝結構,其中,該封裝層為透明、半透明或霧面膠材。
- 如申請專利範圍第6項所述之積體電路結合發光二極體之封裝結構,其中,該透明膠材為環氧樹脂或矽膠。
- 如申請專利範圍第1項所述之積體電路結合發光二極體之封裝結構,其中,該發光二極體電性連結於具有一導通電極層的基板上,於該發光二極體的周圍及該基板上設有一擋牆。
- 如申請專利範圍第8項所述之積體電路結合發光二極體之封裝結構,其中,該擋牆為膠體。
- 如申請專利範圍第8項所述之積體電路結合發光二極體之封裝結構,其中,該擋牆為反射層。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW108202588U TWM583131U (zh) | 2019-03-04 | 2019-03-04 | 一種積體電路結合發光二極體之封裝結構 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW108202588U TWM583131U (zh) | 2019-03-04 | 2019-03-04 | 一種積體電路結合發光二極體之封裝結構 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TWM583131U true TWM583131U (zh) | 2019-09-01 |
Family
ID=68620107
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW108202588U TWM583131U (zh) | 2019-03-04 | 2019-03-04 | 一種積體電路結合發光二極體之封裝結構 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
TW (1) | TWM583131U (zh) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI818199B (zh) * | 2020-10-06 | 2023-10-11 | 友達光電股份有限公司 | 發光裝置及其製造方法 |
TWI835452B (zh) * | 2022-12-07 | 2024-03-11 | 友達光電股份有限公司 | 發光裝置及其製造方法 |
-
2019
- 2019-03-04 TW TW108202588U patent/TWM583131U/zh unknown
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI818199B (zh) * | 2020-10-06 | 2023-10-11 | 友達光電股份有限公司 | 發光裝置及其製造方法 |
TWI835452B (zh) * | 2022-12-07 | 2024-03-11 | 友達光電股份有限公司 | 發光裝置及其製造方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US20180190627A1 (en) | Light emitting device | |
US8154033B2 (en) | LED device and method of packaging the same | |
KR101825473B1 (ko) | 발광소자 패키지 및 그 제조방법 | |
TWI499097B (zh) | 發光二極體的封裝結構與封裝製程 | |
US6858870B2 (en) | Multi-chip light emitting diode package | |
US20140191260A1 (en) | Light emitting semiconductor structure | |
US10566511B2 (en) | Light-emitting device and method of manufacturing the same | |
US20130015479A1 (en) | Light emitting diode package and method of manufacturing the same | |
TWI616670B (zh) | 遠距離感測器的封裝結構 | |
US20070194691A1 (en) | Light emitting diode package structure having high light extraction efficiency and method of manufacturing the same | |
TWM583131U (zh) | 一種積體電路結合發光二極體之封裝結構 | |
US20140134766A1 (en) | Method of manufacturing light emitting device package | |
TWM581770U (zh) | Light-emitting diode package structure | |
TW201532316A (zh) | 封裝結構及其製法 | |
KR100954858B1 (ko) | 고휘도 엘이디 패키지 및 그 제조 방법 | |
TW202034492A (zh) | 一種積體電路結合發光二極體之封裝結構 | |
KR101933317B1 (ko) | Led 패키지 및 그의 제조방법 | |
CN217035664U (zh) | 一种全角度发光的led封装结构及发光组件 | |
CN217507384U (zh) | Rgb-led的封装结构 | |
KR102511747B1 (ko) | Led 패키지, 상기 led 패키지에 실장되는 반도체 칩 및 그의 제조 방법 | |
KR100801193B1 (ko) | 적층형 발광다이오드 및 그 제조 방법 | |
KR200402110Y1 (ko) | 발광 다이오드 구조 | |
CN212570245U (zh) | 一种显示面板及显示装置 | |
KR101616474B1 (ko) | 발광 소자 패키지 및 그의 제조 방법 | |
TW201824590A (zh) | 遠距離感測器的封裝方法 |