TWM578875U - 基於模製技術的半導體裝置、影像處理元件、攝像裝置及電子設備 - Google Patents

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TWM578875U
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趙波杰
田中武彥
陳振宇
蔣恒
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Abstract

本新型提供一基於模製技術的半導體裝置，其中，所述半導體裝置包括：至少一補償部；至少一半導體元件，其中所述半導體元件具有至少一第一結合面；以及一封裝部件，其中所述封裝部件具有至少一第二結合面，其中所述封裝部件通過模製技術在所述半導體元件的所述第一結合面對應的位置一體地結合於所述半導體元件，並且所述補償部的至少一部分被保持在所述半導體元件的所述第一結合面和所述封裝部件的所述第二結合面形成的結合區域的至少一部分區域。

Description

基於模製技術的半導體裝置、影像處理元件、攝像裝置及電 子設備
本新型涉及半導體封裝領域，特別涉及一基於模製技術的半導體裝置，以及一種攝像裝置及其影像處理元件及帶有攝像裝置的電子設備。
模塑封裝技術在半導體領域是一項熟知技術，其中模塑封裝技術能夠通過在一半導體元件10P的至少一部分表面和一被結合部件20P的至少一部分表面同時形成一封裝部件30P的方式，藉由所述封裝部件30P將所述半導體元件10P一體地結合於所述被結合部件20P，如圖1所示。另外，模塑封裝技術還能夠通過在所述半導體元件10P的至少一部分表面形成所述封裝部件30P的方式，使所述封裝部件30P包埋所述半導體元件10P的至少一部分表面，以藉由所述封裝部件30P保護所述半導體元件10P，如圖2所示。
以圖2示出的示例為例，通過模塑封裝技術封裝所述半導體元件10P的具體過程為：首先，將所述半導體元件10P放置在一成型模具40P中，並且使所述半導體元件10P的需要被封裝的表面暴露在所述成型模具40P的一成型空間41P內，如圖3所示；接著，將流體狀的一成型材料50P加入到所述成型模具40P的所述成型空間41P內，並且使所述成型材料50P填充滿所述成型模具40P的所述成型 空間41P，從而所述成型材料50P會包埋暴露在所述成型模具40P的所述成型空間41P內的所述半導體元件10P的表面，如圖4所示；在所述成型材料50P在所述成型模具40P的所述成型空間41P內固化和對所述成型模具40P施以脫模步驟後，所述成型材料50P能夠形成結合於所述半導體元件10P的至少一部分表面的所述封裝部件30P，其中所述封裝部件30P的一第一結合面31P和所述半導體元件10P的一第二結合面11P相互對應，如圖5所示。
為了使所述半導體元件10P和所述封裝部件30P更牢靠地結合在一起，以防止所述封裝部件30P從所述半導體元件10P上脫落，在脫模後，需要對結合有所述封裝部件30P的所述半導體元件10P進行烘烤技術，以使所述封裝部件30P和所述半導體元件10P的結合方式更加可靠。然而，由於所述半導體元件10P和所述封裝部件30P是由不同的材料形成的，從而所述半導體元件10P和所述封裝部件30P的熱膨脹係數不同，而且所述封裝部件30P的材料在烘烤過程中繼續聚合收縮，以至於在烘烤技術中，會導致所述半導體元件10P和所述封裝部件30P在被進行烘烤技術時因受熱而產生不同程度的變形。具體參考圖5，所述封裝部件30P由被加入到所述成型模具40P的所述成型空間41P內的所述成型材料50P固化的方式形成，在烘烤技術中，所述封裝部件30P受熱時，其四周會出現較大幅度的向內收縮變形現象，在烘烤後冷卻時也會進一步收縮，這導致所述封裝部件30P的所述第一結合面31P會出現較大幅度的變形，而所述半導體元件10P在受熱後冷卻時，因所述半導體元件 10P的熱膨脹係數較小，而導致所述半導體元件10P的所述第二結合面11P的變形幅度在理論上比較小。
由於所述封裝部件30P的所述第一結合面31P一體地結合於所述半導體元件10P的所述第二結合面11P，導致所述封裝部件30P的所述第一結合面31P在產生較大幅度的變形時會產生一個拉扯力並作用於所述半導體元件10P的所述第二結合面11P，該拉扯力進一步導致所述半導體元件10P的所述第二結合面11P的變形幅度大於所述半導體元件10P的所述第二結合面11P在理論上的變形幅度，其中在附圖5中，實線100P表示所述封裝部件30P因收縮變形而拉扯所述半導體元件10P出現的實際變形幅度，虛線200P表示所述半導體元件10P理論上出現變形的幅度，這種現象帶來的後果是導致所述半導體元件10P的至少一部分表面會出現裂痕、變形、疲勞等不良現象。一旦所述半導體元件10P的表面出現裂痕、變形、疲勞等不良現象，則會嚴重地影響所述半導體元件10P的電性和其他性能。可以理解的是，所述封裝部件30P和所述被結合部件20P的結合面也是相互結合在一起的，這導致所述封裝部件30P的結合面在產生較大幅度的變形時也會產生一個拉扯力並作用於所述被結合部件20P的結合面，從而導致所述被結合部件20P的結合面的變形幅度大於所述被結合部件20P在理論上的變形幅度。
因在被進行烘烤技術時，所述封裝部件30P產生的較大幅度的收縮變形而導致所述半導體元件10P的表面出現裂痕、變形等不良現象，會嚴重地影響所述半導體元件10P的產品良率。尤其是對被用 於感光的所述半導體元件10P來說，其要求所述半導體元件10P的表面完整並盡可能地保持水準，而在被進行烘烤技術時，所述封裝部件30P因收縮變形而導致所述半導體元件10P的表面出現裂痕、變形等現象，會嚴重地影響所述半導體元件10P的產品良率，並可能會直接導致所述半導體元件10P報廢，這導致模塑封裝技術無法被應用於被用於感光的所述半導體元件10P的封裝領域。
根據本新型的半導體裝置和影像處理元件解決了現有技術中的至少一些問題。
依本新型的另一個方面，本新型進一步提供一基於模製技術的半導體裝置，其包括：至少一補償部；至少一半導體元件，其中所述半導體元件具有至少一第一結合面；以及一封裝部件，其中所述封裝部件具有至少一第二結合面，其中所述封裝部件通過模製技術在所述半導體元件的所述第一結合面對應的位置一體地結合於所述半導體元件，並且所述補償部的至少一部分被保持在所述半導體元件的所述第一結合面和所述封裝部件的所述第二結合面形成的結合區域的至少一部分區域。
根據本新型的一個實施例，所述半導體元件進一步具有一非結合面，所述補償部自所述半導體元件的所述第一結合面延伸至所述非結合面的至少一部分區域。
根據本新型的一個實施例，所述補償部具有至少一通孔，所述封裝部件具有至少一開窗，所述補償部的所述通孔對應於所述半導體元件的所述非結合區域的一部分區域，所述封裝部件的所述開窗對應於所述半導體元件的所述非結合區域的一部分區域。
根據本新型的一個實施例，所述封裝部件具有至少一開窗，其中所述開窗對應於所述半導體元件的所述非結合區域的至少一部分區域。
根據本新型的一個實施例，所述補償部具有彈性。
根據本新型的一個實施例，所述補償部由樹脂固化形成、油墨塗布後形成、帶有溶劑的溶液在塗布後失去溶劑固化後形成、金屬電鍍或者化鍍形成。
根據本新型的一個實施例，所述半導體裝置進一步包括一被結合部件，其中所述封裝部件包埋所述被結合部件的裸露區域。
根據本新型的一個實施例，所述補償部自所述半導體元件的所述第一結合面延伸至所述被結合部件的所述裸露區域的至少一部分區域。
根據本新型的一個實施例，所述被結合部件的裸露區域的全部區域被所述補償部的所述外側包埋部包埋。
根據本新型的一個實施例，在所述被結合部件和所述封裝部件之間設有或者形成所述補償部。
根據本新型的一個實施例，被保持在所述封裝部件和所述被結合部件之間的所述補償部和被保持在所述封裝部件和所述半導體元件之間的所述補償部是一體式結構。
根據本新型的一個實施例，被保持在所述封裝部件和所述被結合部件之間的所述補償部和被保持在所述封裝部件和所述半導體元件之間的所述補償部是相互獨立的。
根據本新型的一個實施例，所述補償部是多層式結構。
本新型的目的是提供一種影像處理元件，包括：被結合部件；感光元件，支撐於所述被結合部件的頂表面的至少一部分；補償部，設置在所述被結合部件的頂表面中除了所述至少一部分的其它區域，並與所影像處理元件述感光元件的側部接觸；以及封裝部件，配置為包埋所述感光元件、所述被結合部件和所述補償部中的至少兩者。
根據本新型的一個實施方式，所述補償部圍繞所述感光元件的四周進行佈置以形成框形。
根據本新型的一個實施方式，所述封裝部件包埋所述感光元件、所述被結合部件和所述補償部三者，並與所述感光元件、所述被結合部件和所述補償部三者均接觸。
根據本新型的一個實施方式，所述封裝部件具有至少一開窗，所述至少一開窗對應於所述感光元件的一部分區域。
根據本新型的一個實施方式，所述封裝部件由流體狀介質在所述感光元件、所述被結合部件和所述補償部中的至少兩者上固化後形成。
根據本新型的一個實施方式，所述補償部位於所述被結合部件的頂表面中除了所述至少一部分的其它區域中的一部分區域上。
根據本新型的一個實施方式，所述補償部位於所述被結合部件的頂表面中除了所述至少一部分的整個其它區域上。
根據本新型的一個實施方式，所述補償部充滿所述被結合部件的頂表面中除了所述至少一部分的其它區域、所述感光元件的側表面與所述封裝部件共同形成的空間。
根據本新型的一個實施方式，所述補償部的高度小於所述感光元件的高度。
根據本新型的一個實施方式，所述補償部由樹脂固化形成。
根據本新型的一個實施方式，所述補償部由油墨塗布後形成。
根據本新型的一個實施方式，所述補償部由帶有溶劑的溶液在塗布後失去溶劑固化後形成。
根據本新型的一個實施方式，所述補償部由金屬電鍍或者化鍍形成。
根據本新型的一個實施方式，所述補償部是多層式結構。
本新型的一個目的是提供一種攝像裝置，包括：至少一光學鏡頭；至少一驅動器，其中所述光學鏡頭被可驅動地設置於所述驅動器，所述驅動器被貼裝於所述封裝部件的頂表面，以使所述光 學鏡頭被保持在所述感光元件的感光路徑；至少一濾光元件，其中所述濾光元件被貼裝於所述封裝部件的頂表面，以使所述濾光元件被保持在所述光學鏡頭和所述感光元件之間；一電路板，其中所述感光元件的晶片連接件被導通地連接於所述電路板的電路板連接件；被結合部件；感光元件，支撐於所述被結合部件的頂表面的至少一部分；補償部，設置在所述被結合部件的頂表面中除了所述至少一部分的其它區域，並與所述感光元件的側部接觸；以及封裝部件，配置為包埋所述感光元件、所述被結合部件和所述補償部中的至少兩者。
本新型的一個目的是提供一種電子設備，包括：一設備本體；至少一攝像裝置，其中所述攝像裝置被設置於所述設備本體，其中所述攝像裝置進一步包括至少一光學鏡頭；被結合部件；感光元件，支撐於所述被結合部件的頂表面的至少一部分；補償部，設置在所述被結合部件的頂表面中除了所述至少一部分的其它區域，並與所述感光元件的側部接觸；以及封裝部件，配置為包埋所述感光元件、所述被結合部件和所述補償部中的至少兩者。
10、10P‧‧‧半導體元件
100‧‧‧拼版單元
100P‧‧‧實線
101‧‧‧脫模側
102‧‧‧分割側
11、31P‧‧‧第一結合面
11P、32‧‧‧第二結合面
12‧‧‧非結合面
121‧‧‧受壓部
122‧‧‧裸露部
20‧‧‧補償部
20P、40‧‧‧被結合部分
200‧‧‧基底
200P‧‧‧虛線
21‧‧‧通孔
22‧‧‧外側包埋部
30、30P‧‧‧封裝部件
31‧‧‧開窗
300‧‧‧可塑性材料
301‧‧‧第一貼裝區域
302‧‧‧第二貼裝區域
303‧‧‧貼裝槽
400、40P‧‧‧成型模具
401‧‧‧上模具
4011‧‧‧成型引導部
4012‧‧‧開窗成型部
40121‧‧‧施壓面
4013‧‧‧成型引導槽
402‧‧‧下模具
403、41P‧‧‧成型空間
404‧‧‧連通通道
405‧‧‧膜層
41‧‧‧裸露區域
50P、500‧‧‧成型材料
60‧‧‧光學鏡頭
70‧‧‧驅動器
80‧‧‧濾光元件
1100‧‧‧攝像裝置
1200‧‧‧設備本體
圖1是現有的模塑封裝技術通過形成一封裝部件以將一半導體元件結合於一被結合部件後形成的一模塑半導體元件的剖視示意圖。
圖2是現有的模塑封裝技術通過形成所述封裝部件以包埋所述半導體元件的表面後形成的所述模塑半導體元件的剖視示意圖。
圖3和圖4分別是現有的模塑封裝技術用於形成所述模塑半導體元件的半成品的過程的剖視示意圖。
圖5是在烘烤所述模塑半導體元件半成品時，形成所述模塑半導體元件的所述封裝部件和所述半導體元件因熱膨脹係數不同而產生的變形的剖視示意圖。
圖6A是依本新型的一較佳實施例的一拼版單元的第一個實施方式的立體示意圖。
圖6B是依本新型的上述較佳實施例的所述拼版單元的第二個實施方式的立體示意圖。
圖7A和圖7B分別是示出了一補償部設置於所述拼版單元，以使所述補償部重疊地設置於用於形成所述拼版單元的一半導體元件的表面的至少一部分的狀態。
圖8示出了在所述拼版單元上施塗一可塑性材料，以使所述可塑性材料包埋用於形成所述拼版單元的一半導體元件的表面的至少一部分的狀態。
圖9A和9B分別示出了所述拼版單元放置在一成型模具中，以使每個所述半導體元件的一第一結合面分別對應於所述成型模具的每個成型空間的狀態。
圖10示出了流體狀的成型材料加入到所述成型模具的每個所述成型空間的狀態。
圖11示出了所述成型材料填充滿所述成型模具的每個所述成型空間的狀態。
圖12示出了所述成型模具脫模後的狀態。
圖13示出了在烘烤技術中形成的所述半導體裝置的一封裝部件、一補償部和所述半導體元件的變形幅度的狀態。
圖14示出了通過分割技術後形成的一半導體裝置的剖視示意圖。
圖15是依本新型的另一較佳實施例的一半導體裝置的剖視示意圖。
圖16是依本新型的另一較佳實施例的一半導體裝置的剖視示意圖。
圖17是依本新型的另一較佳實施例的一半導體裝置的剖視示意圖。
圖18是依本新型的另一較佳實施例的一半導體裝置的剖視示意圖。
圖19是依本新型的另一較佳實施例的一半導體裝置的剖視示意圖。
圖20是包含有根據本新型的較佳實施例的半導體裝置的攝像裝置的剖視示意圖。
圖21是包含有根據本新型的較佳實施例的電子設備。
以下描述用於揭露本新型以使本領域技術人員能夠實現本新型。以下描述中的優選實施例只作為舉例，本領域技術人員可以想到其他顯而易見的變型。在以下描述中界定的本新型的基本原理可 以應用於其他實施方案、變形方案、改進方案、等同方案以及沒有背離本新型的精神和範圍的其他技術方案。
本領域技術人員應理解的是，在本新型的揭露中，術語「縱向」、「橫向」、「上」、「下」、「前」、「後」、「左」、「右」、「豎直」、「水準」、「頂」、「底」、「內」、「外」等指示的方位或位置關係是基於附圖所示的方位或位置關係，其僅是為了便於描述本新型和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構造和操作，因此上述術語不能理解為對本新型的限制。
可以理解的是，術語「一」應理解為「至少一」或「一個或多個」，即在一個實施例中，一個元件的數量可以為一個，而在另外的實施例中，該元件的數量可以為多個，術語「一」不能理解為對數量的限制。
近年來，諸如智慧手機、平板電腦、筆記型電腦、個人電腦、個人數位助理、電子書等電子設備及其相關技術的突飛猛進式的發展，其在要求半導體元件不斷縮小尺寸的同時，對於半導體元件的性能提出了更為苛刻的要求。現在的模塑技術的弊端導致半導體元件在被模塑封裝後無法獲得更好的性能，尤其是對於一些能夠提供特殊功能的半導體元件，例如對於用於感光的半導體元件來說，現在的模塑技術會導致半導體元件的表面出現嚴重的變形、裂痕等不良現象，以至於導致被模塑封裝後的半導體元件無 法滿足電子設備對於高性能的半導體元件的需求，正如本新型在背景技術所描述和附圖1至圖5所示出的那樣。
附圖6A示出了一拼版單元100的一實施方式，其中每個半導體元件10在被同時製成後不對其進行分割，以使相鄰所述半導體元件10肩並肩地排列在一起而形成所述拼版單元100，從而在後續的模製技術中，能夠同時模製用於形成所述拼版單元100的全部的所述半導體元件10。值得一提的是，附圖6A中的虛線表示相鄰所述半導體元件10的連接位置，即，在後續模製技術完成後，相鄰所述半導體元件10被從虛線示出的位置分割。
附圖6B示出了所述拼版單元100的另一實施方式，其中每個所述半導體元件10在被同時製成後對其進行分割，以形成每個單獨的所述半導體元件10，然後，每個所述半導體元件10按照預定的方式排列在一基底200的表面而形成所述拼版單元100。例如，每個所述半導體元件10可以成排或者成列地被排列在所述基底200上。
通常，所述基底200的材質不受限制，其只要能夠提供良好的平整度即可，以保證被排列在所述基底200上的所述半導體元件10的平整性。
本領域的技術人員可以理解的是，同時形成的多個所述半導體元件10被分割後再排列在所述基底200的表面而形成所述拼版單元100的方式，能夠使相鄰所述半導體元件10的距離可以根據需要被調整，例如在通常情況下(並非全部情況)，附圖6B示出的所述拼版單元100的相鄰所述半導體元件10的距離可以大於附圖6A示出 的所述拼版單元100的相鄰所述半導體元件10，通過這樣的方式，便於後續的模製技術。
優選地，被排列在所述基底200上的相鄰所述半導體元件10的間距一致。可選地，可以僅使每列所述半導體元件10中的相鄰所述半導體元件10的間距一致，或者僅使得每排所述半導體元件10的相鄰所述半導體元件10的間距一致。
值得一提的是，也可僅一個所述半導體元件10設置在所述基底200上，以形成所述拼版單元100，從而在後續的模製技術中，每次僅對一個所述半導體元件10進行模製，本新型在這方面不受限制。
參考附圖7A和圖7B，在一個實施方式中，一具有彈性的補償部20可以放置在所述拼版單元100，以使所述補償部20的至少一部分被設置重疊於每個所述半導體元件10的一第一結合面11的至少一部分區域。優選地，所述補償部20還可以被重疊於每個所述半導體元件10的一非結合面12的至少一部分區域，即，所述補償部20能夠自所述半導體元件10的所述第一結合面11延伸至所述非結合面12的至少一部分區域。
也就是說，在本新型的所述半導體裝置的一個示例中，所述半導體元件10的表面僅具有所述第一結合面11，其中所述補償部20被重疊地設置於所述半導體元件10的所述第一結合面11的至少一部分區域。在本新型的所述半導體裝置的另一個示例中，所述半導體元件10的表面具有所述第一結合面11和所述非結合面12，其中所述補償部20可以被重疊地設置於所述半導體元件10的所述第一 結合面11的至少一部分區域，也可以被同時重疊地設置於所述第一結合面11的至少一部分區域和所述非結合面12的至少一部分區域。
優選地，所述補償部20包埋所述半導體元件10的所述第一結合面11的全部區域。
所述半導體元件10的所述第一結合面11位於所述半導體元件10的邊緣區域的至少一部分區域，所述半導體元件10的所述非結合面12位於所述半導體元件10的中心區域。優選地，所述半導體元件10的所述第一結合面11可以呈框形，其環繞在所述非結合面12的外部。在其他的示例中，所述半導體元件10的所述第一結合面11也可以呈「C」字形、「L」字形、「I」字形等。
另外，所述補償部20也可以具有至少一通孔21，其中所述補償部20的所述通孔21對應於所述半導體元件10的所述非結合面12的至少一部分區域。例如，當所述補償部20僅被重疊地設置於所述半導體元件10的所述第一結合面11的至少一部分區域時，所述半導體元件10的所述非結合面12的全部區域可以對應於所述補償部20的所述通孔21；相應地，當所述補償部20被同時重疊地設置於所述半導體元件10的所述第一結合面11的至少一部分區域和所述非結合面12的一部分區域時，所述半導體元件10的所述非結合面12的另一部分區域對應於所述補償部20的所述通孔21。
另外，在一個示例中，當所述補償部20僅受到重力作用時，所述補償部20可以保持原來的形狀，以使所述補償部20僅包埋所述半 導體元件10的所述第一結合面11的頂表面的至少一部分區域，即，所述補償部20僅被設置重疊於所述半導體元件10的所述第一結合面11的至少一部分區域。例如所述補償部20的硬度較高時，所述補償部20僅受到重力作用時不會產生變形。並且，所述補償部20的外側部可以延伸到所述半導體元件10的外部，以形成一外側包埋部22，其中在後續的模製技術中，當所述補償部20被施壓時，由於所述補償部20的所述外側包埋部22沒有被所述半導體元件10支撐而導致所述外側包埋部22受到壓力而產生變形，從而可以使所述補償部20的所述外側包埋部22包埋或者貼緊在所述半導體元件10的側表面。
在另一個示例中，所述補償部20在僅受到重力作用時，所述補償部20的所述外側包埋部22因沒有被所述半導體元件10支撐而導致所述外側包埋部22自動地產生變形而包埋所述半導體元件10的側表面。例如當所述補償部20的硬度較低時，所述補償部20在僅受到重力作用時，其沒有被所述半導體元件10支撐的所述外側包埋部22會自動地產生變形而包埋所述半導體元件10的側表面。
所述補償部20可以被提供，也可以被預製，例如可以使膠水、樹脂等材料固化後形成所述補償部20。在一些示例中，在所述補償部20形成的同時也可以同步地形成所述補償部20的所述通孔21，即，所述補償部20可以呈框形，以使被重疊於所述半導體元件10的頂表面的一部分區域的所述補償部20的所述通孔21能夠對應於所述半導體元件10的所述非結合面12的至少一部分區域。儘管如 此，本領域的技術人員可以理解的是，所述補償部20也可以在被製成後，再通過衝壓等技術形成所述通孔21，本新型在這方面不受限制。
參考附圖8，在其他示例中，也可以在所述拼版單元100上施塗一可塑性材料300，以在後續使所述可塑性材料300能夠形成所述補償部20。
在一個示例中，可以僅所述可塑性材料300施塗於所述半導體元件10的所述第一結合面11的至少一部分區域。優選地，所述可塑性材料300被施塗於所述半導體元件10的所述第一結合面11的全部區域，包括所述半導體元件10的頂表面用於形成所述第一結合面11的部分和所述半導體元件10的側表面。
在另一個示例中，所述可塑性材料300可以施塗於所述半導體元件10的全部區域。
在另外的示例中，所述可塑性材料300可以施塗於所述半導體元件10的所述第一結合面11的至少一部分區域和所述非結合面12的一部分區域。也就是說，所述半導體元件10的所述非結合面12的一部分區域可以不需要被施塗所述可塑性材料300，以在後續在所述可塑性材料300形成所述補償部20的同時，在所述半導體元件10的所述非結合面12的沒有被施塗所述可塑性材料300的部分形成所述補償部20的所述通孔21。優選地，所述半導體元件10的所述非結合面12的中部區域沒有被施塗所述可塑性材料300。
參考附圖9A和圖9B，帶有補償部20的所述拼版單元100放置在一成型模具400中，以藉由所述成型模具400進行模製技術。
具體地說，所述成型模具400包括一上模具401和一下模具402，其中所述上模具401和所述下模具402中的任何一個模具能夠***作，以使所述成型模具400被進行合模和拔模操作。當所述成型模具400被合模時，在所述成型模具400的所述上模具401和所述下模具402之間能夠形成至少一成型空間403，其中在所述拼版單元100被放置於所述成型模具400的所述上模具401和所述下模具402之間時，每個所述半導體元件10的所述第一結合面11分別位於每個所述成型空間403內。
當在所述上模具401和所述下模具402之間形成兩個或者兩個以上的所述成型空間403時，在所述上模具401和所述下模具402之間還可以形成至少一連通通道404，以用於連通相鄰所述成型空間403。
進一步地，所述上模具401包括一成型引導部4011和至少一開窗成型部4012，其中每個所述開窗成型部4012一體地延伸於所述成型引導部4011，以分別在每個所述開窗成型部4012和所述成型引導部4011之間形成一成型引導槽4013，或者在相鄰所述開窗成型部4012之間形成所述成型引導槽4013。當所述上模具401和所述下模具402被執行合模時，在每個所述成型引導槽4013對應的位置分別形成每個所述成型空間403和在所述上模具401和所述下模具402之間形成每個所述連通通道404，以供連通相鄰所述成型空間403。
在對所述成型模具400的所述上模具401和所述下模具402執行合模，且使所述拼版單元100保持在所述上模具401和所述下模具402之間時，所述補償部20的一部分位於所述上模具401的施壓面40121和所述半導體元件10的所述非結合面12之間，這樣，一方面，所述補償部20能夠通過產生變形的方式吸收所述成型模具400在合模時產生的衝擊力，從而避免該衝擊力直接作用於所述半導體元件10，另一方面，所述補償部20能夠通過產生變形的方式阻止在所述上模具401的所述施壓面40121和所述半導體元件10的所述非結合面12之間形成縫隙，以防止在模製技術完成後出現「飛邊」的不良現象，再一方面，由於所述補償部20突出於所述半導體元件10的所述非結合面12，從而當所述上模具401的所述施壓面4012朝向所述半導體元件10的方向施壓時，所述補償部20不僅能夠隔離所述上模具401的所述施壓面40121和所述半導體元件10的所述非結合面12被施塗有所述可塑性材料300的部分，也能夠在所述上模具401的所述施壓面40121和所述半導體元件10的所述非結合面12中沒有被施塗所述可塑性材料300的部分之間產生縫隙，從而防止所述上模具401的所述施壓面40121刮傷所述半導體元件10的所述非結合面12的不良現象。
具體地說，所述半導體元件10的所述非結合面12施塗有所述可塑性材料300的部分定義為一受壓部121，和所述半導體元件10的所述非結合面12沒有被施塗所述材料300的部分定義為一裸露部122，或者所述半導體元件10的所述非結合面12覆蓋有所述補償部 20的部分定義為所述受壓部121，和所述半導體元件10的所述非結合面12沒有被覆蓋所述補償部20的部分定義為所述裸露部122。在所述拼版單元100放置入被執行合模後的所述上模具401和所述下模具402之間時，所述補償部20能夠隔離所述半導體元件10的所述受壓部121和所述上模具401的所述施壓面40121，和能夠在所述半導體元件10的所述裸露部122和所述上模具401的所述施壓面40121之間產生縫隙，從而防止所述上模具401的所述施壓面40121刮傷所述半導體元件10的所述非結合面12的不良現象。
值得一提的是，通常情況下，所述上模具401的所述開窗成型部4012的壓合面形成所述施壓面40121。
另外，所述成型模具400還可以包括一膜層405，其中所述膜層405被重疊地設置於所述上模具401的所述施壓面40121，例如所述膜層405可以以貼附於所述上模具401的所述施壓面40121的方式使所述膜層405重疊地設置於所述上模具401的所述施壓面40121，這樣，在模製技術中，所述膜層405能夠位於所述上模具401的所述施壓面40121和所述半導體元件10的所述非結合面12之間，以藉由所述膜層405隔離所述上模具401的所述施壓面40121和所述半導體元件10的所述非結合面12，以防止所述上模具401的所述施壓面40121刮傷所述半導體元件10的所述非結合面12。另外，所述膜層405也可以具有彈性，從而在所述成型模具400的所述上模具401和所述下模具402被合模時，所述膜層405也可以吸收所述上模具401 和所述下模具402因合模產生的衝擊力，從而避免該衝擊力直接作用於所述半導體元件12。
參考附圖10和圖11，一流體狀的成型材料500加入到所述成型模具400的至少一個所述成型空間403內，所述成型材料500會通過所述連通通道404填充滿全部的所述成型空間403，此時，所述成型材料500會包埋所述半導體元件10的所述第一結合面11，並且所述補償部20能夠隔離所述半導體元件10的所述第一結合面11和所述成型材料500的結合區域的至少一部分。
在所述成型材料500填充滿所述成型模具400的所述成型空間403後，可以使所述成型材料500在所述成型模具400的所述成型空間403內固化成型，以形成一體地結合於所述半導體元件10的所述封裝部件30，並且，所述上模具401的所述開窗成型部4012對應的位置形成所述封裝部件30的一開窗31，其中所述封裝部件30的所述開窗31對應於所述半導體元件10的所述非結合面12的至少一部分區域。例如，在本新型的一個示例中，可以通過加熱的方式使填充滿所述成型模具400的所述成型空間403的所述成型材料500固化成型，以形成一體地結合於所述半導體元件10的所述封裝部件30。
所述封裝部件30的對應於所述半導體元件10的所述第一結合面11的表面被定義為一第二結合面32，即，所述半導體元件10的所述第一結合面11和所述封裝部件30的所述第二結合面32所在的區域為所述半導體元件10和所述封裝部件30的結合區域，其中所述補 償部20位於所述半導體元件10和所述封裝部件30的結合區域的至少一部分。
值得一提的是，所述成型材料500的類型在本新型中不受限制，例如所述成型材料500可以是液體、固體顆粒、或者液體和固體顆粒的混合物等任何能夠流動的材料，並且所述成型材料500在被加入到所述成型模具400的所述成型空間403後，能夠通過加熱、加壓、降溫、輻射等方式固化。優選地，所述成型材料500被實施為但不限於熱固性材料或者熱固性材料。
在所述成型材料500在所述成型模具400的所述成型空間403內固化成型而形成一體地結合於所述半導體元件10的所述封裝部件30後，對所述成型模具400執行拔模操作，以形成圖12示出的多個相互連接的所述半導體裝置的半成品。
接著，對所述半導體裝置的半成品進行烘烤技術，以使所述封裝部件30進一步地固化，從而避免出現所述封裝部件30從所述半導體元件10上脫落的不良現象。具體地說，參考附圖13，由於所述半導體元件10和所述封裝部件30由不同的材料製成，因此，所述半導體元件10和所述封裝部件30的熱膨脹係數不同，並且所述封裝部件30是通過所述成型模具400模製成型的，因此，當烘烤所述半導體裝置的半成品而使所述封裝部件30硬化時，所述半導體元件10和所述封裝部件30會產生不同程度的變形，並且所述封裝部件30的變形程度會遠遠地大於所述半導體元件10的變形程度。
通常情況下，所述半導體元件10在受熱時會因熱脹冷縮的物理現象而出現稍微的膨脹變形，具體表現為所述半導體元件10的所述第一結合面11出現朝向所述封裝部件30的所述第二結合面12的方向的上凸變形。所述封裝部件30在受熱時會出現四周向內收縮的變形，具體表現為所述封裝部件30的所述第二結合面12出現遠離所述半導體元件10的所述第一結合面11的內凹變形。當所述封裝部件30在所述第二結合面12的位置出現內凹變形時，所述封裝部件30會產生一個拉扯力而拉扯所述補償部20，當所述半導體元件10在所述第一結合面11的位置出現外凸變形時，所述半導體元件10會產生一個擠壓力而擠壓所述補償部20，所述補強部20是一個可變形的彈性件，並且所述補償部20能夠在不同的位置產生不同幅度的變形，因此，當所述封裝部件30拉扯所述補償部20和所述半導體元件10擠壓所述補償部20時，所述補償部20的不同位置通過產生不同幅度的變形的方式補償所述封裝部件30的變形幅度和所述半導體元件10的變形幅度的差異，從而避免所述封裝部件30因收縮變形而產生的拉扯力作用於所述半導體元件10，通過這樣的方式，能夠避免所述半導體元件10出現大幅度的變形，以防止所述半導體元件10出現變形、裂痕等，從而有利於保證所述半導體元件10的良好電性。尤其是對於用於感光的所述半導體元件10來說，所述半導體元件10的所述非結合面12的平整度和完整性能夠被更好地保證，以提高所述半導體元件10的光學性能。
接著，可以對烘烤後的多個相互連接的所述半導體裝置的半成品進行分割，以形成所述半導體裝置，如圖14所示。
值得一提的是，分割多個相互連接的所述半導體裝置的半成品的方式在本新型中不受限制，例如在一個示例中，可以通過切割刀片切割的方式分割多個相互連接的所述半導體裝置，在另外的一個示例中，也可以通過蝕刻的方式分割多個相互連接的所述半導體裝置。
另外，所述半導體裝置的半成品的分割方向也可以不受限制，例如可以自上而下地分割所述半導體裝置的半成品而形成所述半導體裝置，也可以自下而上地分割所述半導體裝置的半成品而形成所述半導體裝置。
本領域的技術人員可以理解的是，在本新型的其他示例中，也可以首先對多個相互連接的所述半導體裝置的半成品分割，然後對其單個的所述半導體裝置的半成品進行烘烤，以得到所述半導體裝置。
本領域的技術人員還可以理解的是，在本新型的所述半導體裝置的一些示例中，所述半導體裝置具有至少一脫模側101，其中在進行烘烤技術後，所述封裝部件30會在所述半導體裝置的所述脫模側101產生內凹變形，以使所述封裝部件30在所述半導體裝置的所述脫模側101呈弧形。在本新型的所述半導體裝置的另一些示例中，所述半導體裝置具有至少一分割側102，其中在進行烘烤技術後，對所述半導體裝置的半成品進行分割，並且在分割的位置形 成所述半導體裝置的所述分割側102，其中所述封裝部件30在所述半導體裝置的所述分割側102可以呈完整的平面，例如呈完整的斜面。
也就是說，依本新型的另一個方面，參考附圖14，本新型進一步提供了所述半導體裝置，其中所述半導體裝置包括至少一個所述半導體元件10、至少一個補償部20以及至少一個封裝部件30，其中所述半導體元件10具有一個所述第一結合面11，所述補償部20被重疊地設置於所述半導體元件10的所述第一結合面11的至少一部分區域，或者所述補償部20形成於所述半導體元件10的所述第一結合面11的至少一部分區域，所述封裝部件30通過模製技術一體地結合於所述半導體元件10，並且所述封裝部件30在對應所述半導體元件10的所述第一結合面11的位置形成所述第二結合面32。當所述封裝部件30通過模製技術一體地結合於所述半導體元件10時，形成所述半導體裝置的半成品。在對所述半導體裝置的半成品進行烘烤時，所述補償部20通過使不同位置產生不同幅度的變形的方式補償所述封裝部件30的變形幅度和所述半導體元件10的變形幅度的差異，從而避免所述封裝部件30因收縮變形而產生的拉扯力作用於所述半導體元件10，以保證所述半導體元件10的可靠性。
優選地，所述補償部20具有至少一個所述通孔21，其中所述通孔21對應於所述半導體元件10的所述非結合面12的至少一部分區域，所述封裝部件30具有至少一個所述開窗31，所述封裝部件30 的所述開窗31通過所述補償部20的所述通孔21對應於所述半導體元件10的所述非結合面12的至少一部分區域。
值得一提的是，所述補償部20的所述通孔21的形狀和尺寸以及所述封裝部件30的所述開窗31的形狀和尺寸，在本新型的所述半導體裝置中不受限制。優選地，所述補償部20的所述通孔21的形狀和所述封裝部件30的所述開窗31的形狀被實施為方形，例如正方形或者長方形。
附圖15示出了所述半導體裝置的一個變形實施方式，其中所述半導體裝置進一步包括一被結合部件40，通過模製技術形成的所述封裝部件30能夠使所述半導體元件10封裝於所述被結合部件40，從而使所述半導體元件10、所述被結合部件40和所述封裝部件30一體地結合。
具體地說，在模製技術前，在所述半導體元件10放置於所述被結合部件40後，所述補償部20重疊地設置於所述半導體元件10的所述第一結合面11的至少一部分區域，或者使所述補償部20形成於所述半導體元件10的所述第一結合面11的至少一部分區域。
在模製技術中形成的所述封裝部件30能夠一體地結合於所述半導體元件10和所述被結合部件40，其中位於所述半導體元件10的所述第一結合面11的所述補償部20能夠隔離所述封裝部件30的所述第二結合面32和所述半導體元件10的所述第一結合面11。並且在後續的烘烤技術中，所述補償部20能夠通過使不同位置產生不同幅度的變形的方式補償所述封裝部件30的變形幅度和所述半導體 元件10的變形幅度的差異，從而避免所述封裝部件30因收縮變形而產生的拉扯力作用於所述半導體元件10，以保證所述半導體元件10的可靠性。
優選地，所述補償部20也可以被設置於所述被結合部件40的頂表面的一裸露區域41的至少一部分區域，或者所述補償部20形成於所述被結合部件40的頂表面的所述裸露區域41的至少一部分區域，從而所述補償部20能夠隔離所述封裝部件30的所述第二結合面32和所述被結合部件40的所述裸露區域41，從而在後續的烘烤技術中，所述補償部20能夠通過使不同位置產生不同幅度的變形的方式補償所述封裝部件30的變形幅度和所述被結合部件40的變形幅度的差異，從而避免所述封裝部件30因收縮變形而產生的拉扯力作用於所述被結合部件40，以通過保證所述被結合部件40的平整度的方式保證所述半導體元件10的平整度。例如，在本新型的一個較佳示例中，所述被結合部件40的所述裸露區域41的全部區域均被設有所述補償部20或者形成所述補償部20。
值得一提的是，本新型所涉及的所述被結合部件40的所述裸露區域41是指在所述半導體元件10設置於所述被結合部件40的頂表面後沒有被所述半導體元件10覆蓋的區域。
附圖16示出了所述半導體裝置的另一個變形實施方式，其中在所述封裝部件30和所述被結合部件40之間也可以被設有或者形成所述補償部20，從而在後續的烘烤技術中，藉由所述補償部20通過產生變形的方式補償所述封裝部件30的變形幅度和所述被結合部 件40的變形幅度的差異，從而避免所述封裝部件30因收縮變形而產生的拉扯力作用於所述被結合部件40，從而保證所述半導體裝置的可靠性和良率。
值得一提的是，在附圖16示出的所述半導體裝置的這個示例中，被保持在所述封裝部件30和所述被結合部件40之間的所述補償部20和被保持在所述封裝部件30和所述半導體元件10之間的所述補償部20可以是一體式結構，即，被保持在所述封裝部件30和所述被結合部件40之間的所述補償部20和被保持在所述封裝部件30和所述半導體元件10之間的所述補償部20可以是一體地形成的。而在附圖17示出的所述半導體裝置的另一個變形實施方式中，被保持在所述封裝部件30和所述被結合部件40之間的所述補償部20和被保持在所述封裝部件30和所述半導體元件10之間的所述補償部20可以是分體式結構，即，被保持在所述封裝部件30和所述被結合部件40之間的所述補償部20和被保持在所述封裝部件30和所述半導體元件10之間的所述補償部20可以是相互獨立的，通過這樣的方式，可以分別藉由各個所述補償部20補償所述封裝部件30的變形幅度和所述被結合部件40的變形幅度的差異和補償所述封裝部件30的變形幅度和所述半導體元件10的變形幅度。可選地，可僅在所述封裝部件30和所述被結合部件40之間設置所述補償部20，以補償由於封裝部件的技術加工過程中產生的對半導體元件側面擠壓導致的變形，減小像面彎曲，提高成像品質。僅在所述封裝部件30和所述被結合部件40之間設置所述補償部20還可以節 約產品用料、降低成本、提高生產效率及良率。本專利文獻能夠減小由於各元件材料收縮率不同而引起形變。為了成像，本專利文獻在封裝部件中設置有光窗，由於封裝部件的技術加工過程中各元件材料收縮率不同，與沒有設置光窗的封裝部件相比，設置光窗的封裝部件更易使半導體元件產生形變。根據本專利的僅在所述封裝部件30和所述被結合部件40之間設置所述補償部20能夠有效緩解這種形變。圖18示出了所述半導體裝置的另一個變形實施方式。如圖18所示，可在封裝部件30、被結合部件40和半導體元件10之間設置補償部20，通過這樣的方式，可以分別藉由補償部20補償封裝部件30的變形幅度和被結合部件40的變形幅度的差異和補償封裝部件30的變形幅度和半導體元件10的變形幅度。在如圖18所示的實施例中，補償部20的高度小於半導體元件10的高度，補償部20僅設置於被結合部件40上除了半導體元件10之外的區域中的一部分區域上。依據上述的補償部20的設置方式，封裝部件30可以包埋被結合部件40、半導體元件10和補償部20三者，並且與被結合部件40、半導體元件10和補償部20三者均直接接觸。根據圖18所示實施例的補償部的設置，能夠在節省產品用料、降低成本和提高生產效率的同時有效補償半導體元件10的變形幅度，保證半導體元件10的可靠性，進而能夠提高產品良率。
附圖19示出了所述半導體裝置的另一個變形實施方式，所述補償部20也可以是多層式的，例如，在一個實施例中，兩個膠水層可以相互重疊以形成多層式的所述補償部20，或者兩個油墨層可以 相互重疊以形成多層式的所述補償部20，即，同一種材料可以形成多層式的所述補償部20。再例如，膠水層和油墨層可以相互重疊以形成多層式的所述補償部20，即，不同的材料可以形成多層式的所述補償部20。當然，所述補償部20的不同層可以具有不同的厚度。本領域的技術人員可以理解的是，儘管本新型描述了通過膠水層和油墨層形成多層式的所述補償部20，在其他的示例中，通過其他材料形成多層式的所述補償部20，或者所述補償部20的層數超過兩個均是由可能的。
圖20是包含有根據本新型的較佳實施例的半導體裝置的攝像裝置1100的剖視示意圖。如圖20所示，攝像裝置1100包括光學鏡頭60和根據上文所沒描述的半導體裝置。攝像裝置1100還包括驅動器70，所述光學鏡頭60被可驅動地設置於所述驅動器70，所述驅動器70被貼裝於所述封裝部件30的頂表面，以使所述光學鏡頭60被保持在所述半導體元件10的感光路徑。所示攝像裝置1100包括濾光元件80，其中所述濾光元件80被貼裝於所述封裝部件30的頂表面，以使所述濾光元件80被保持在所述光學鏡頭60和所述半導體元件10之間。在替代實施方式中，所示攝像裝置1100包括框形的支架90，其中所述濾光元件80被貼裝於所述支架90，所述支架90被貼裝於所述封裝部件30的頂表面，以使所述濾光元件80被保持在所述光學鏡頭60和所述半導體元件10之間。所述封裝部件30的頂表面具有一第一貼裝區域301和一第二貼裝區域302，所述驅動器70被貼裝於所述封裝部件30的所述第一貼裝區域301，所述濾光 元件80或支架被貼裝於所述封裝部件30的所述第二貼裝區域302。所述封裝部件30的所述第一貼裝區域301和所述第二貼裝區域302具有高度差，以形成連通於所述開窗的一貼裝槽303，其中所述濾光元件80或支架被容納於所述貼裝槽303。所述封裝部件30的頂表面具有一第一貼裝區域301和一第二貼裝區域302，所述驅動部被貼裝於所述封裝部件30的所述第一貼裝區域301，所述支架被貼裝於所述封裝部件30的所述第二貼裝區域302。所示攝像裝置1100包括一電路板，其中所述半導體元件10的晶片連接件被導通地連接於所述電路板的電路板連接件。
圖21是包含有根據本新型的較佳實施例的電子設備。本新型進一步提供一電子設備，參考附圖21，其中所述電子設備包括一設備本體1200和至少一攝像裝置1100，其中所述攝像裝置1100被設置於所述設備本體1200，以說明所述設備本體1200獲取影像(例如影片或者影像)。
本領域技術人員應理解，上述描述及附圖中所示的本新型的實施例只作為舉例而並不限制本新型。
本新型的目的已經完整並有效地實現。本新型的功能及結構原理已在實施例中展示和說明，在沒有背離所述原理下，本新型的實施方式可以有任何變形或修改。

Claims (28)

  1. 一基於模製技術的半導體裝置，其特徵在於，包括：至少一補償部；至少一半導體元件，其中該半導體元件具有至少一第一結合面；以及一封裝部件，其中該封裝部件具有至少一第二結合面，其中該封裝部件通過模製技術在該半導體元件的該第一結合面對應的位置一體地結合於該半導體元件，並且該補償部的至少一部分被保持在該半導體元件的該第一結合面和該封裝部件的該第二結合面形成的結合區域的至少一部分區域。
  2. 根據請求項第1項所述的半導體裝置，其中該半導體元件進一步具有一非結合面，該補償部自該半導體元件的該第一結合面延伸至該非結合面的至少一部分區域。
  3. 根據請求項第2項所述的半導體裝置，其中該補償部具有至少一通孔，該封裝部件具有至少一開窗，該補償部的該通孔對應於該半導體元件的該非結合區域的一部分區域，該封裝部件的該開窗對應於該半導體元件的該非結合區域的一部分區域。
  4. 根據請求項第1項所述的半導體裝置，其中該封裝部件具有至少一開窗，其中該開窗對應於該半導體元件的該非結合區域的至少一部分區域。
  5. 根據請求項第1至2項中任一項所述的半導體裝置，其中該補償部由樹脂固化形成、油墨塗布後形成、帶有溶劑的溶液在塗布後失去溶劑固化後形成、金屬電鍍或者化鍍形成。
  6. 根據請求項第1至2項中任一項所述的半導體裝置，進一步包括一被結合部件，其中該封裝部件包埋該被結合部件的裸露區域。
  7. 根據請求項第6項所述的半導體裝置，其中該補償部自該半導體元件的該第一結合面延伸至該被結合部件的該裸露區域的至少一部分區域。
  8. 根據請求項第7項所述的半導體裝置，其中該被結合部件的裸露區域的全部區域被該補償部的該外側包埋部包埋。
  9. 根據請求項第6項所述的半導體裝置，其中在該被結合部件和該封裝部件之間設有或者形成該補償部。
  10. 根據請求項第9項所述的半導體裝置，其中被保持在該封裝部件和該被結合部件之間的該補償部和被保持在該封裝部件和該半導體元件之間的該補償部是一體式結構。
  11. 根據請求項第9項所述的半導體裝置，其中被保持在該封裝部件和該被結合部件之間的該補償部和被保持在該封裝部件和該半導體元件之間的該補償部是相互獨立的。
  12. 根據請求項第1項所述的半導體裝置，其中該補償部是多層式結構。
  13. 一種影像處理元件，包括：一被結合部件；一影像感測器，支撐於該被結合部件的頂表面的至少一部分；一補償部，設置在該被結合部件的頂表面中除了該至少一部分的其它區域，並與該影像感測器的側部接觸；以及一封裝部件，配置為包埋該等像感測器、被結合部件和該補償部中的至少兩者。
  14. 根據請求項第13項所述的影像處理元件，其特徵在於，該補償部圍繞該影像感測器的四周進行佈置以形成框形。
  15. 根據請求項第14項所述的影像處理元件，其特徵在於，該封裝部件包埋該影像感測器、該被結合部件和該補償部三者，並與該影像感測器、該被結合部件和該補償部三者均接觸。
  16. 根據請求項第13項所述的影像處理元件，其特徵在於，該封裝部件具有至少一開窗，該至少一開窗對應於該影像感測器的一部分區域。
  17. 根據請求項第13項所述的影像處理元件，其特徵在於，該封裝部件由流體狀介質在該影像感測器、該被結合部件和該補償部中的至少兩者上固化後形成。
  18. 根據請求項第15項所述的影像處理元件，其特徵在於，該補償部位於該被結合部件的頂表面中除了該至少一部分的其它區域中的一部分區域上。
  19. 根據請求項第15項所述的影像處理元件，其特徵在於，該補償部位於該被結合部件的頂表面中除了該至少一部分的整個其它區域上。
  20. 根據請求項第13項所述的影像處理元件，其特徵在於，該補償部充滿該被結合部件的頂表面中除了該至少一部分的其它區域、該影像感測器的側表面與該封裝部件共同形成的空間。
  21. 根據請求項第15項所述的影像處理元件，其特徵在於，該補償部的高度小於該影像感測器的高度。
  22. 根據請求項第13至21項中任一項所述的影像處理元件，其特徵在於，該補償部由樹脂固化形成。
  23. 根據請求項第13至21項中任一項所述的影像處理元件，其特徵在於，該補償部由油墨塗布後形成。
  24. 根據請求項第13至21項中任一項所述的影像處理元件，其特徵在於，該補償部由帶有溶劑的溶液在塗布後失去溶劑固化後形成。
  25. 根據請求項第13至21項中任一項所述的影像處理元件，其特徵在於，該補償部由金屬電鍍或者化鍍形成。
  26. 根據請求項第13至21項中任一項所述的影像處理元件，其特徵在於，該補償部是多層式結構。
  27. 一種攝像裝置，包括：至少一光學鏡頭；至少一驅動器，其中該光學鏡頭被可驅動地設置於該驅動器，該驅動器被貼裝於該封裝部件的頂表面，以使該光學鏡頭被保持在該影像感測器的感光路徑；至少一濾光元件，其中該濾光元件被貼裝於該封裝部件的頂表面，以使該濾光元件被保持在該光學鏡頭和該影像感測器之間；一電路板，其中該影像感測器的晶片連接件被導通地連接於該電路板的電路板連接件；根據請求項第13至26項中任一項該的影像處理元件。
  28. 一種電子設備，包括：一設備本體；以及根據請求項第27項所述的至少一個攝像裝置，其中該攝像裝置被設置於該設備本體。
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