TWM574692U - 探針座及測試介面裝置 - Google Patents
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Abstract
一種探針座,用於電性連接待測晶片,其中待測晶片具有複數個測試點。探針座包括基座和探針。基座在其厚度方向上設置有貫通孔,基座之介於每一個貫通孔之間的部分至少具有一金屬材料。探針分別設置於貫通孔內且一一對應電性接觸待測晶片的測試點。本揭示亦提供一種包含探針座的測試介面裝置。
Description
本揭示關於一種測試介面裝置,特別是關於晶片測試的探針座及包含探針座的測試介面裝置。
在半導體的後段製程中,封裝後測試(Final Test)會對封裝後的晶片進行電性功能測試,藉以找出不合格的晶片並將其淘汰。通常,在進行晶片測試時,測試機需透過探針卡這類的測試介面裝置來電性接觸待測晶片(Device Under Test,DUT)。也就是說,將探針卡作為測試機與待測晶片之間的傳輸介面,用以傳輸測試信號與電源信號,並配合探針卡與測試機的控制與分析程序,達到量測待測晶片之電性特徵的目的。
然而,傳統的探針卡由於其探針座係由工程塑膠製成,並無法阻隔訊號產生的電場與磁場,因此相鄰的探針容易因電磁場耦合而產生串音(Crosstalk)效應。當探針之間的距離愈短,串音的耦合能量便愈大,會造成各訊號的彼此干擾與失真。如此,將影響到測試機的測試結果,嚴重者會導致測試失敗。
因此,有必要提出一種探針座及測試介面裝置來克服上述習知技術的問題。
本揭示提供一種探針座及測試介面裝置,其能解決習知技術中的問題。
本揭示之一種探針座,用於電性連接一待測晶片,其中該待
測晶片具有複數個測試點。該探針座包括:一基座,在其厚度方向上設置有複數個貫通孔,其中該基座之介於該每一個貫通孔之間的部分至少具有一金屬材料;以及複數個探針,分別設置於該複數個貫通孔內且一一對應電性接觸該待測晶片的該複數個測試點。
在一實施例中,該基座係由一金屬材料一體成型。
在一實施例中,該複數個測試點包括複數個訊號測試點和複數個接地測試點。
在一實施例中,該複數個探針包括複數個第一探針和複數個第二探針,該複數個第一探針分別電性接觸該複數個訊號測試點,該複數個第二探針分別電性接觸該複數個接地測試點。
在一實施例中,該每一個第一探針表面塗佈有一絕緣層。
在一實施例中,該複數個第一探針所在的貫通孔的內壁各具有一絕緣層。
在一實施例中,該探針座進一步包括:複數個絕緣元件,分別設置於該每一個第一探針及該每一個第一探針所在的貫通孔的內壁之間。
本揭示之一種測試介面裝置,包括:一探針座,用於電性連接一待測晶片,其中該待測晶片具有複數個測試點,該探針座包括:一基座,在其厚度方向上設置有複數個貫通孔,其中該基座之介於該每一個貫通孔之間的部分至少具有一金屬材料;以及複數個探針,分別設置於該複數個貫通孔內且一一對應電性接觸該待測晶片的該複數個測試點。以及一電路板,用於電性連接一測量裝置,其中該電路板具有一金屬線路,該金屬線路電性接觸該複數個探針。
1‧‧‧測試介面裝置
2‧‧‧待測晶片
3‧‧‧測量裝置
10‧‧‧探針座
11‧‧‧電路板
20‧‧‧訊號測試點
21‧‧‧接地測試點
100‧‧‧基座
101‧‧‧貫通孔
102‧‧‧第一探針
103‧‧‧第二探針
104‧‧‧絕緣層
106‧‧‧金屬層
110‧‧‧金屬線路
第1圖顯示根據本揭示實施例之測試介面裝置的晶片測試架構示意圖。
第2圖顯示根據本揭示另一實施例之探針座的剖視圖。
第1圖顯示根據本揭示實施例之測試介面裝置的晶片測試架構示意圖。如第1圖所示,晶片測試架構主要包括測試介面裝置1、待測晶片2和測量裝置3。待測晶片2具有複數個測試點20、21。測試點20、21包括複數個訊號測試點20和複數個接地測試點21。
本揭示之測試介面裝置1包括:探針座10和電路板11。探針座10用於電性連接待測晶片2,其包括:基座100和複數個探針102、103。基座100在其厚度方向上設置有複數個貫通孔101,其中基座100之介於每一個貫通孔101之間的部分至少具有一金屬材料。在本實施例中,基座100係由一金屬材料一體成型。再者,複數個探針102、103分別設置於複數個貫通孔101內且一一對應電性接觸待測晶片2的複數個測試點20、21。如第1圖所示,探針102、103包括複數個第一探針102和複數個第二探針103,其中複數個第一探針102分別電性接觸複數個訊號測試點20,且複數個第二探針103分別電性接觸複數個接地測試點21。此外,電路板11用於電性連接測量裝置3,其中電路板11具有金屬線路110,金屬線路110電性接觸複數個探針102、103。在一實施例中,金屬線路110可為微帶線(trace)形式。
繼續參考第1圖,由於基座100係由金屬材料製成,為避免與用以傳遞訊號的第一探針102接觸造成短路,故可在每一個第一探針102的表面塗佈絕緣層104,或者在第一探針102所在的貫通孔101的內壁設置絕緣層104,也可以設置複數個獨立的絕緣元件(圖中未示出),該絕緣元件可以分別設置於每一個第一探針102及每一個第一探針102所在的貫通孔101的內壁之間。
當進行晶片測試時,待測晶片2透過訊號測試點20發出測試
訊號,然後測試訊號依序經過探針座10的第一探針102及電路板11的金屬線路110,最後傳送至測量裝置3。藉由測量裝置3進行各種訊號的分析,以確認待測晶片2的功能是否正常。
第2圖顯示根據本揭示另一實施例之探針座10的剖視圖。第2圖與第1圖的差異在於,第1圖中基座100全部由金屬材料製成,但第2圖的基座100大部分由絕緣材料(如工程塑膠)製成,而且基座100之介於每一個貫通孔101之間的部分具有一金屬層106。金屬層106的設置,同樣可以達到電磁屏蔽的效果。
綜上所述,本揭示之特點在於使用金屬材料來製成探針座的基座,提高探針的電磁屏蔽(Shielding)能力,降低訊號之間的串音(Crosstalk)與訊號失真,從而達到準確傳輸測試訊號的目的。
雖然本揭示已用較佳實施例揭露如上,然其並非用以限定本揭示,本揭示所屬技術領域中具有通常知識者在不脫離本揭示之精神和範圍內,當可作各種之更動與潤飾,因此本揭示之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
Claims (8)
- 一種探針座,用於電性連接一待測晶片,其中該待測晶片具有複數個測試點,該探針座包括:一基座,在其厚度方向上設置有複數個貫通孔,其中該基座之介於該每一個貫通孔之間的部分至少具有一金屬材料;以及複數個探針,分別設置於該複數個貫通孔內且一一對應電性接觸該待測晶片的該複數個測試點。
- 如請求項1所述的探針座,其中該基座係由一金屬材料一體成型。
- 如請求項1所述的探針座,其中該複數個測試點包括複數個訊號測試點和複數個接地測試點。
- 如請求項3所述的探針座,其中該複數個探針包括複數個第一探針和複數個第二探針,該複數個第一探針分別電性接觸該複數個訊號測試點,該複數個第二探針分別電性接觸該複數個接地測試點。
- 如請求項4所述的探針座,其中該每一個第一探針表面塗佈有一絕緣層。
- 如請求項4所述的探針座,其中該複數個第一探針所在的貫通孔的內壁各具有一絕緣層。
- 如請求項4所述的探針座,進一步包括:複數個絕緣元件,分別設置於該每一個第一探針及該每一個第一探針所在的貫通孔的內壁之間。
- 一種測試介面裝置,包括:一探針座,用於電性連接一待測晶片,其中該待測晶片具有複數個測試點,該探針座包括: 一基座,在其厚度方向上設置有複數個貫通孔,其中該基座之介於該每一個貫通孔之間的部分至少具有一金屬材料;以及複數個探針,分別設置於該複數個貫通孔內且一一對應電性接觸該待測晶片的該複數個測試點;以及一電路板,用於電性連接一測量裝置,其中該電路板具有一金屬線路,該金屬線路電性接觸該複數個探針。
Priority Applications (1)
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TW107216419U TWM574692U (zh) | 2018-12-03 | 2018-12-03 | 探針座及測試介面裝置 |
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TWM574692U true TWM574692U (zh) | 2019-02-21 |
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ID=66215209
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TW107216419U TWM574692U (zh) | 2018-12-03 | 2018-12-03 | 探針座及測試介面裝置 |
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TW (1) | TWM574692U (zh) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI679424B (zh) * | 2019-03-29 | 2019-12-11 | 矽品精密工業股份有限公司 | 檢測裝置及其製法 |
TWI798069B (zh) * | 2022-04-26 | 2023-04-01 | 寶虹科技股份有限公司 | 探針卡 |
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2018
- 2018-12-03 TW TW107216419U patent/TWM574692U/zh unknown
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TWI679424B (zh) * | 2019-03-29 | 2019-12-11 | 矽品精密工業股份有限公司 | 檢測裝置及其製法 |
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