TWM549879U - 電子組件之臨界測試條件控制裝置 - Google Patents

Description

電子組件之臨界測試條件控制裝置

本創作係有關於一種臨界測試條件控制裝置，尤其是指一種藉由利用基板與組件罩體所圍構出之控溫空間來容置電子組件，並調整電子組件之溫度與電壓之電子組件之臨界測試條件控制裝置。

自八零年代資訊革命以來，資訊傳遞的速度大幅地增加，且資訊傳遞的成本越來越低。由於電腦產業的蓬勃發展，人們只需要藉由個人電腦，經由網際網路即可與世界上任何一個角落的使用者交流。因此，個人電腦的發明顯著地改變人們的生活型態。

其中，個人電腦除了可透過網際網路傳遞資訊以外，還可以進行文書處理、遊戲娛樂與運行程式。為了達到上述功能，必須在電腦主機板裝設記憶體，藉此暫存電腦在運行過程中所產生的資料。由於記憶體對於電腦來說是不可或缺的電子組件，因此記憶體的相關產業也相應而生。

為了使記憶體能在各種惡劣環境下正常運作，人們會在生產或研發出記憶體時，對記憶體進行四角測試(Four Corner Test)。也就是說，人們會在記憶體每個臨界角下進行測試，藉以得知記憶體在這四種狀 態的運行狀況。

這四種狀態分別為極高溫並施加極高電壓、極高溫並施加極低電壓、極低溫並施加極高電壓與極低溫並施加極低電壓。藉此，在上述四種狀態測試記憶體的運行狀況，藉以得知記憶體的性能，並檢測是否符合法規標準。

為了進行四角測試，人們必須將記憶體不停地變換測試環境。舉例而言，在進行四角測試時，會先將記憶體換至極高溫之環境，且施以極高電壓，藉以測量出記憶體在高溫高電壓的測試參數。接著，再將記憶體換至極高溫之環境，且施以極低電壓，藉以測量出記憶體在高溫低電壓的測試參數。

然後，再將記憶體換至極低溫之環境，且施以極高電壓，藉以測量出記憶體在低溫高電壓的測試參數。最後，再將記憶體換至極低溫之環境，且施以極低電壓，藉以測量出記憶體在低溫低電壓的測試參數。藉此，逐一記錄四個測試參數，使記憶體完成四角測試。

然而，由於在進行四角測試時，人們需要不斷地變換記憶體置放的環境，因此進行四角測試極為費時。此外，測試人員需逐一記錄測試參數，因此對於測試人員來說，進行四角測試較為麻煩。

有鑒於在先前技術中，人們需要不斷地變換記憶體置放的環境，因而使四角測試較為費時之問 題。此外，測試人員需逐一記錄測試參數，因而增加測試時的複雜度之問題。

本創作為解決先前技術之問題，所採用之必要技術手段為提供一種電子組件之臨界測試條件控制裝置。電子組件之臨界測試條件控制裝置用以偵測出至少一電子組件在一臨界測試規則下運作時所產生之複數個測試參數。臨界測試規則包含至少一臨界測試條件，各臨界測試條件包含一臨界溫度與一臨界電壓。電子組件之臨界測試條件控制裝置包含一電子組件設置模組、一溫度調控模組、一電壓調控模組與一電子組件測試模組。

電子組件設置模組包含一基板、至少一電子組件設置單元與至少一組件罩體。基板劃分出至少一測試區域。電子組件設置單元分別設置於測試區域，用以電性連接電子組件。組件罩體分別覆蓋於測試區域，並與基板圍構出至少一封閉之控溫空間，每一控溫空間具有一即時溫度。

溫度調控模組包含至少一溫度感測單元、一溫度處理單元、一冷卻單元與一加熱單元。溫度感測單元分別設置於控溫空間，用以感測出各控溫空間之即時溫度，並產生至少一對應於控溫空間之溫度信號。溫度處理單元電性連接於溫度感測單元，用以依據臨界測試條件與各控溫空間所對應之各溫度信號產生對應各控溫空間之一降溫信號或一加熱信號。

冷卻單元電性連接於溫度處理單元，且連 結於控溫空間，用以在接收到各控溫空間所對應之降溫信號時，使各控溫空間之即時溫度降低至各臨界測試條件之臨界溫度。加熱單元電性連接於溫度處理單元，並熱連結於控溫空間，用以在接收到各控溫空間所對應之加熱信號時，使控溫空間之即時溫度提升至各臨界測試條件之臨界溫度。

電壓調控模組電性連接於電子組件設置單元，並以各臨界測試條件之臨界電壓對各電子組件供電。電子組件測試模組電性連接於溫度處理單元與電壓調控模組，用以依據臨界測試條件產生一溫度控制信號與一電壓控制信號，藉以控制溫度調控模組與電壓調控模組，並接收測試參數而產生一電子組件臨界條件測試資料。

在上述必要技術手段的基礎下，上述電子組件之臨界測試條件控制裝置所衍生之一附屬技術手段為加熱單元包含至少一陶瓷加熱器。陶瓷加熱器用以個別地加熱控溫空間而提升控溫空間之即時溫度。其中，加熱單元連結於組件罩體。

在上述必要技術手段的基礎下，上述電子組件之臨界測試條件控制裝置所衍生之一附屬技術手段為冷卻單元包含至少一冷卻氣體連通管、一冷卻氣體產生器與至少一連通管控制閥。冷卻氣體連通管連通控溫空間。冷卻氣體產生器連通冷卻氣體連通管，用以產生一冷卻氣體。連通管控制閥電性連接於溫度處理單元，且分別設置於冷卻氣體連通管，用以在接收到降溫信號 時，選擇性地導通連通管控制閥而使冷卻氣體自冷卻氣體產生器經由冷卻氣體連通管流至控溫空間，使控溫空間之即時溫度降低至各臨界測試條件之臨界溫度。其中，冷卻氣體產生器為冷媒式冷卻氣體產生器。

在上述必要技術手段的基礎下，上述電子組件之臨界測試條件控制裝置所衍生之一附屬技術手段為組件罩體內各設有一風扇，藉以在組件罩體覆蓋於測試區域時產生一在各控溫空間流動之罩內氣流。

在上述必要技術手段的基礎下，上述電子組件之臨界測試條件控制裝置所衍生之一附屬技術手段為電子組件設置模組更包含一連接單元。連接單元電性連接於電子組件設置單元，且設置於基板，用以電性連接於電壓調控模組。其中，連接單元係一積體電路匯流排(Inter-Integrated Circuit；I²C)連接單元或串列埠電壓識別(Serial Voltage Identification；SVID)連接單元。

在上述必要技術手段的基礎下，上述電子組件之臨界測試條件控制裝置所衍生之一附屬技術手段為電壓調控模組設置於基板，且電壓調控模組為電壓控制電路。

承上所述，本創作所提供電子組件之臨界測試條件控制裝置係藉由將電子組件設置於位於電子組件設置模組之電子組件設置單元，並使電子組件位於控溫空間內。接著，藉由溫度調控模組將控溫空間調整至各臨界測試條件之臨界溫度，藉由電壓調控模組對電子組件施以各臨界測試條件之臨界電壓，藉此使電子組件 處在臨界測試條件。最後透過電子組件測試模組接收測試參數，並形成電子組件臨界條件測試資料。

相較於先前技術，在本創作所提供電子組件之臨界測試條件控制裝置中，由於電子組件設置於位於電子組件設置模組之電子組件設置單元而逐一進行不同臨界測試條件之四角測試，因此無須不斷地變換記憶體置放的環境，因而解決了先前技術中，進行四角測試較為費時之問題。此外，由於測試人員可藉由電子組件臨界條件測試資料判斷電子組件在臨界測試條件下之運行狀態與性能，因此不需要再逐一記錄測試參數，藉此解決了降低了測試時的複雜度。

100、100a‧‧‧電子組件之臨界測試條件控制裝置

1、1a‧‧‧電子組件設置模組

11‧‧‧基板

111‧‧‧測試區域

12‧‧‧電子組件設置單元

13‧‧‧組件罩體

131‧‧‧罩體通氣口

132‧‧‧風扇

14‧‧‧連接單元

2‧‧‧溫度調控模組

21‧‧‧溫度感測單元

22‧‧‧溫度處理單元

23‧‧‧冷卻單元

231‧‧‧冷卻氣體連通管

232‧‧‧冷卻氣體產生器

233‧‧‧閥門組件

2331‧‧‧連通管控制閥

24‧‧‧加熱單元

241‧‧‧陶瓷加熱器

3、3a‧‧‧電壓調控模組

4‧‧‧電子組件測試模組

200‧‧‧電子組件

C1‧‧‧溫度控制信號

C2‧‧‧電壓控制信號

C3‧‧‧溫度信號

C4‧‧‧降溫信號

C5‧‧‧加熱信號

F1‧‧‧冷卻氣體

F2‧‧‧罩內氣流

S‧‧‧控溫空間

T‧‧‧測試參數

第一圖係顯示本創作第一較佳實施例所提供之電子組件之臨界測試條件控制裝置之示意圖；第二圖係顯示第一圖之A-A剖面示意圖；第三圖係顯示本創作第一較佳實施例所提供之電子組件之臨界測試條件控制裝置之方塊圖；第四圖係顯示本創作第一較佳實施例所提供之電子組件之臨界測試條件控制裝置之控制流程圖；以及第五圖係顯示本創作第二較佳實施例所提供之電子組件之臨界測試條件控制裝置之示意圖。

請一併參閱第一圖至第三圖，第一圖係顯示本創作第一較佳實施例所提供之電子組件之臨界測試條件控制裝置之示意圖；第二圖係顯示第一圖之A-A剖面示意圖；第三圖係顯示本創作第一較佳實施例所提供之電子組件之臨界測試條件裝置之方塊圖。如圖所示，本創作第一較佳實施例提供了一種電子組件之臨界測試條件控制裝置100。

電子組件之臨界測試條件控制裝置100用以偵測出四個電子組件200(在第二圖僅標示其中一者，在第三圖僅顯示其中一者)在一臨界測試規則下運作時所產生之複數個測試參數T。順帶一提，在其他實施例當中，可僅對一個電子組件200進行測試。臨界測試規則包含複數個臨界測試條件。各臨界測試條件包含一臨界溫度與一臨界電壓。電子組件之臨界測試條件控制裝置100包含一電子組件設置模組1、一溫度調控模組2、一電壓調控模組3與一電子組件測試模組4。

在本實施例當中，電子組件200為電腦記憶體，較佳者，電子組件200為動態隨機存取記憶體(Dynamic Random Access Memory；DRAM)，但不以此為限。測試參數T可為首指令延遲(Command Rate；CMD Rate)、列位址選通脈衝(Column Address Strobe；CAS)、行位址選通脈衝(RAS)、RAS至CAS延遲(RAS to CAS Delay；tRCD)或指行預充電時間(RAS Precharge Time；tRP)，但不以此為限。

電子組件設置模組1包含一基板11、四個 電子組件設置單元12(在此僅標示其中一者)與四個組件罩體13(在此僅標示其中一者)。基板11被劃分出四個測試區域111。在本實施例當中，基板11為一電路板，但在其他實施例當中並不以此為限。各電子組件設置單元12分別設置於各測試區域111。在本實施例當中，各電子組件設置單元12為記憶體插槽，但在其他實施例當中並不以此為限。

各組件罩體13分別覆蓋於各測試區域111，並與基板11圍構出四個封閉之控溫空間S(在此僅標示其中一者)，且每一控溫空間S具有一即時溫度。此外，組件罩體13開設有一罩體通氣口131，且在控溫空間S內設有一風扇132。

溫度調控模組2包含四個溫度感測單元21(在第二圖僅標示其中一者，在第三圖僅顯示其中一者)、一溫度處理單元22、一冷卻單元23與一加熱單元24。各溫度感測單元21分別設置於各測試區域111而位於各控溫空間S。在其他實施例當中，溫度感測單元21可設置於組件罩體13，但不以此為限。溫度處理單元22電性連接溫度感測單元21。其中，溫度處理單元22可為一溫度控制裝置或一溫度控制晶片，但不以此為限。

冷卻單元23包含四個冷卻氣體連通管231(在此僅標示其中一者)、一冷卻氣體產生器232與一閥門組件233。冷卻氣體連通管231連結於罩體通氣口131而連通於控溫空間S。冷卻氣體產生器232連通冷卻氣體連通管231。在本實施例當中，冷卻氣體產生器232為冷 媒式冷卻氣體產生器，但在其他實施例當中並不以此為限。

閥門組件233包含四個連通管控制閥2331(在此僅標示其中一者)。連通管控制閥2331電性連接於溫度處理單元22，且分別設置於各冷卻氣體連通管231。簡而言之，在本實施例當中，冷卻單元23為冷媒式氣體冷卻裝置，但在其他實施例當中，冷卻單元23可為致冷晶片組件，但不以此為限。在本實施例當中，連通管控制閥2331為電控閥，但不以此為限。

加熱單元24電性連接於溫度處理單元22，並熱連結於控溫空間S，且包含四個陶瓷加熱器241(在此僅標示其中一者)。其中，陶瓷加熱器241連結於組件罩體13。順帶一提，在其他實施例當中可將陶瓷加熱器241置換為致熱晶片，但不以此為限。

電壓調控模組3設置於基板11，且電性連接於電子組件設置單元12。在本實施例當中，電壓調控模組3為電壓控制電路。較佳者，電壓調控模組3為脈衝寬度調變(Pulse Width Modulation；PWM)電壓控制電路。電子組件測試模組4電性連接於溫度處理單元22與電壓調控模組3。在本實施例當中，電子組件測試模組4可為一電腦或一測試主機，但在其他實施例當中並不以此為限。

請一併參閱第三圖與第四圖，第四圖係顯示本創作第一較佳實施例所提供之電子組件之臨界測試條件裝置之控制流程圖。如圖所示，在電子組件200設置 於電子組件設置單元12，且使電子組件200位於控溫空間S，藉以使電子組件200電性連接於電子組件設置單元12之狀況下，首先，藉由電子組件測試模組4設定臨界測試條件，並依據各臨界測試條件產生一溫度控制信號C1與一電壓控制信號C2，並傳輸溫度控制信號C1至溫度處理單元22，且傳輸電壓控制信號C2至電壓調控模組3(即步驟S1)。

之後，溫度感測單元21會感測出各控溫空間S之即時溫度，並產生複數個溫度信號C3(即步驟S21)。接著，溫度處理單元22接收溫度信號C3與溫度控制信號C1，並依據溫度信號C3與該溫度控制信號C1產生一降溫信號C4或一加熱信號C5(即步驟S22)。

然後，在溫度處理單元22傳輸降溫信號C4至冷卻單元23時，冷卻單元23將各控溫空間S之即時溫度降低至各臨界測試條件之臨界溫度。詳而述之，冷卻氣體產生器232會產生一冷卻氣體F1。連通管控制閥2331在接收到降溫信號C4時，會選擇性地導通連通管控制閥2331而使冷卻氣體F1自冷卻氣體產生器232經由冷卻氣體連通管231流至控溫空間S，藉以將各控溫空間S之即時溫度降低至各臨界測試條件之臨界溫度。順帶一提，由於組件罩體13在覆蓋住測試區域111時，會使控溫空間S與外界隔絕。藉此，防止組件罩體13外的水氣凝結於低溫的電子組件200，避免電子組件200受潮而故障。

在溫度處理單元22傳輸加熱信號C5至加熱單元24時，加熱單元24將各控溫空間S之即時溫度加 熱至各臨界測試條件之臨界溫度。加熱單元24在接收到控溫空間S所對應之加熱信號C5時，使各控溫空間S之即時溫度提升至各臨界測試條件之臨界溫度(即步驟S23)。其中，陶瓷加熱器241會均勻地對控溫空間S加熱。此外，風扇132在組件罩體13覆蓋於測試區域111時產生一在控溫空間S流動之罩內氣流F2，藉以在冷卻單元23在對控溫空間S或在加熱單元24對控溫空間S加熱時，使控溫空間S內之溫度分布均勻。

同時，在電壓調控模組3接收到電壓控制信號C2時，電壓調控模組3依據臨界電壓對電子組件200供電(即步驟S24)，藉以使電子組件200達到臨界測試條件，並產生測試參數T(即步驟S25)。也就是說，電壓調控模組3與溫度調控模組2會依據臨界測試條件使四個控溫空間S內之電子組件200分別處在四種不同或相同狀態。這四種不同之狀態分別為高溫並導通高電壓、低溫並導通高電壓、高溫並導通低電壓與低溫並導通低電壓。藉此，使電子組件200可同時在四種不同或相同狀態下產生個別的測試參數T。

最後，在重複進行若干次測試而使電子組件測試模組4接收到複數個測試參數T後，電子組件測試模組4依據測試參數T建立一電子組件臨界條件測試資料(即步驟S3)。測試人員可藉由電子組件臨界條件測試資料判斷電子組件200在高溫並導通高電壓、低溫並導通高電壓、高溫並導通低電壓與低溫並導通低電壓等四種狀態下的性能與運行狀態。藉此，完成對電子組件的 四角測試。

請參閱第五圖，第五圖係顯示本創作第二較佳實施例所提供之電子組件之臨界測試條件控制裝置之示意圖。如圖所示，本創作第二較佳實施例提供了一種電子組件之臨界測試條件控制裝置100a。電子組件之臨界測試條件控制裝置100a之架構約略與本創作第一較佳實施例之電子組件之臨界測試條件控制裝置100架構相同。

其中，相異之處在於電子組件設置模組1a更包含一連接單元14。連接單元14電性連接於電子組件設置單元12，且設置於基板11。在本實施例當中，連接單元14為積體電路匯流排(Inter-Integrated Circuit；I²C)連接單元或串列埠電壓識別(Serial Voltage Identification；SVID)連接單元，但不以此為限。電壓調控模組3a為外接式的電壓控制電路。電壓調控模組3a藉由連接於連接單元14，而使電壓調控模組3a電性連接於連接單元14。藉此，使電壓調控模組3a得以供電至電子組件200(標示於第二圖與第三圖)。

綜上所述，在本創作第一較佳實施例與第二較佳實施例所提供之臨界測試條件控制裝置中，係同時將四個電子組件裝設至電子組件設置單元，並使電子組件位於控溫空間。接著，對電子組件處於臨界溫度與臨界電壓，藉此使電子組件在臨界測試條件下產生測試參數。電子組件測試模組會接收測試參數，並依據形成電子組件臨界條件測試資料。

相較於先前技術，在本創作第一較佳實施例與第二較佳實施例所提供之臨界測試條件控制裝置中，可在不移動電子組件之情況下逐一得知電子組件在高溫並導通高電壓、低溫並導通高電壓、高溫並導通低電壓與低溫並導通低電壓等四種狀態下的性能與運行狀態，因而解決了在先前技術中，人們需要不斷地變換記憶體置放的環境，而使四角測試較為費時之問題。

此外，本創作第一較佳實施例與第二較佳實施例所提供之臨界測試條件控制裝置具有電子組件臨界條件測試資料，因此測試人員無需逐一記錄測試參數，進而降低了測試時的複雜度之問題。

藉由以上較佳具體實施例之詳述，係希望能更加清楚描述本創作之特徵與精神，而並非以上述所揭露的較佳具體實施例來對本創作之範疇加以限制。相反地，其目的是希望能涵蓋各種改變及具相等性的安排於本創作所欲申請之專利範圍的範疇內。

100‧‧‧電子組件之臨界測試條件控制裝置

1‧‧‧電子組件設置模組

11‧‧‧基板

111‧‧‧測試區域

13‧‧‧組件罩體

22‧‧‧溫度處理單元

23‧‧‧冷卻單元

231‧‧‧冷卻氣體連通管

232‧‧‧冷卻氣體產生器

233‧‧‧閥門組件

2331‧‧‧連通管控制閥

241‧‧‧陶瓷加熱器

3‧‧‧電壓調控模組

4‧‧‧電子組件測試模組

Claims (10)

1. 一種電子組件之臨界測試條件控制裝置，係用以偵測出至少一電子組件在一臨界測試規則下運作時所產生之複數個測試參數，該臨界測試規則包含至少一臨界測試條件，各該至少一臨界測試條件包含一臨界溫度與一臨界電壓，該電子組件之臨界測試條件控制裝置包含：一電子組件設置模組，包含：一基板，係劃分出至少一測試區域；至少一電子組件設置單元，係分別設置於該至少一測試區域，用以電性連接該至少一電子組件；以及至少一組件罩體，係分別覆蓋於該至少一測試區域，並與該基板圍構出至少一封閉之控溫空間，每一該至少一控溫空間具有一即時溫度；一溫度調控模組，包含：至少一溫度感測單元，係分別設置於該至少一控溫空間，用以感測出各該至少一控溫空間之該即時溫度，並產生至少一對應於該至少一控溫空間之溫度信號；一溫度處理單元，係電性連接於該至少一溫度感測單元，用以依據該至少一臨界測試條件與各該至少一控溫空間所對應之各該至少一溫度信號產生對應各該至少一控溫空間之一降溫信號與一加熱信號中之一者；一冷卻單元，係電性連接於該溫度處理單元，且連結 於該至少一控溫空間，用以在接收到各該至少一控溫空間所對應之該降溫信號時，使各該至少一控溫空間之該即時溫度降低至各該至少一臨界測試條件之該臨界溫度；以及一加熱單元，係電性連接於該溫度處理單元，並熱連結於該至少一控溫空間，用以在接收到各該至少一控溫空間所對應之該加熱信號時，使該至少一控溫空間之該即時溫度提升至各該至少一臨界測試條件之該臨界溫度；一電壓調控模組，係電性連接於該些電子組件設置單元，並以各該至少一臨界測試條件之該臨界電壓對各該至少一電子組件供電；以及一電子組件測試模組，係電性連接於該溫度處理單元與該電壓調控模組，用以依據該至少一臨界測試條件產生一溫度控制信號與一電壓控制信號，藉以控制該溫度調控模組與該電壓調控模組，並接收該些測試參數而產生一電子組件臨界條件測試資料。
2. 如申請專利範圍第1項所述之電子組件之臨界測試條件控制裝置，其中，該加熱單元係包含至少一陶瓷加熱器，該至少一陶瓷加熱器用以各別地加熱該至少一控溫空間而提升該至少一控溫空間之該即時溫度。
3. 如申請專利範圍第1項所述之電子組件之臨界測試條件控制裝置，其中，該加熱單元係連結於該至 少一組件罩體。
4. 如申請專利範圍第1項所述之電子組件之臨界測試條件控制裝置，其中，該冷卻單元係包含：至少一冷卻氣體連通管，係連通該至少一控溫空間；一冷卻氣體產生器，係連通該至少一冷卻氣體連通管，用以產生一冷卻氣體；以及至少一連通管控制閥，係電性連接於該溫度處理單元，且分別設置於該至少一冷卻氣體連通管，用以在接收到該降溫信號時，選擇性地導通該至少一連通管控制閥而使該冷卻氣體自該冷卻氣體產生器經由該至少一冷卻氣體連通管流至該至少一控溫空間，使該至少一控溫空間之該即時溫度降低至各該至少一臨界測試條件之該臨界溫度。
5. 如申請專利範圍第4項所述之電子組件之臨界測試條件控制裝置，其中，該冷卻氣體產生器係一冷媒式冷卻氣體產生器。
6. 如申請專利範圍第1項所述之電子組件之臨界測試條件控制裝置，其中，該至少一組件罩體內各設有一風扇，藉以在該至少一組件罩體覆蓋於該至少一測試區域時產生一在各該至少一控溫空間流動之罩內氣流。
7. 如申請專利範圍第1項所述之電子組件之臨界測試條件控制裝置，其中，該電子組件設置模組更包含一連接單元，該連接單元係電性連接於該些電子組件設置單元，且設置於該基板，用以電性連接於該電壓調控模組。
8. 如申請專利範圍第7項所述之電子組件之臨界測試條件控制裝置，其中，該連接單元係一積體電路匯流排(Inter-Integrated Circuit；I²C)連接單元與串列埠電壓識別(Serial Voltage Identification；SVID)連接單元中之一者。
9. 如申請專利範圍第1項所述之電子組件之臨界測試條件控制裝置，其中，該電壓調控模組係設置於該基板。
10. 如申請專利範圍第1項所述之電子組件之臨界測試條件控制裝置，其中，該電壓調控模組係一電壓控制電路。