TWM524561U - 發光裝置 - Google Patents

Description

發光裝置

本新型係關於一種發光裝置，特別是有關於一種光場型趨於對稱之發光裝置。

照明的手段隨著時代的演進，從以燃燒物品的方式做為光源的火把、油燈及蠟燭等光源，演進成以通電方式發光的白熾燈泡、日光燈管、省電燈泡及發光二極體等光源。其中，發光二極體形之發光裝置由於體積小且耗電量低，故現在有許多相關業者投入相關領域的發展。

發光二極體之發光裝置中，可藉由對發光晶片之不同類型的半導體層通電，而令不同類型的半導體層之間的發光半導體層發出光線。現有的發光裝置之結構中，第一類型之半導體層設置於基板上，第二類型之半導體層偏移設置於第一類型之半導體層之一側，介於二者之間之發光半導體層隨著第二類型之半導體層而偏於第一類型之半導體層之一側。二個電極分別覆蓋於發光晶片之兩側以分別電性連接於第一類型之半導體層及第二類型之半導體層。

然而，如此之發光裝置由於發光晶片之結構兩側不對稱，故所發出之光線之光場型亦不對稱。

有鑑於以上的問題，本新型提出一種發光裝置，其發出之光線之光場型可趨於對稱。

本新型提出一種發光裝置，其包括基板、第一半導體層、第二半導體層、第一電極及第二電極。第一半導體層設置於基板上。第一半導體層包括相連之本體部及周圍部，本體部凸出周圍部。周圍部以鏡像對稱的方式環繞本體部。第二半導體層設置於本體部上，且第二半導體層圖案與本體部實質相同。第一電極至少部分設置於周圍部上且電性連接於第一半導體層。第二電極至少部分設置於第二半導體層上且電性連接於第二半導體層。

根據本新型之發光裝置，藉由第一半導體層及第二半導體層之形狀為對稱配置，而使得形成於第一半導體層及第二半導體層之間之發光接面所所產生之光線亦可趨於對稱。此外，藉由本體部凸出周圍部，沿發光接面之側向發散之光線中至少部分光線可經由位於周圍部之第一電極之反射而遠離基板，以利此光線之應用，藉此還可提升發光裝置之光取出率。

以上之關於本新型內容之說明及以下之實施方式之說明係用以示範與解釋本新型之精神與原理，並且提供本新型之專利申請範圍更進一步之解釋。

以下在實施方式中詳細敘述本新型之詳細特徵以及優點，其內容足以使任何本領域中具通常知識者了解本新型之技術內容並據以實施，且根據本說明書所揭露之內容、申請專利範圍及圖式，任何本領域中具通常知識者可輕易地理解本新型相關之目的及優點。以下之實施例係進一步詳細說明本新型之觀點，但非以任何觀點限制本新型之範疇。此外，本案之圖式中之元件比例關係僅為示意以便於說明，而非用以限制本新型之範疇。

請參照圖1A、圖1B及圖1C，圖1A繪示依照本新型之一實施例之發光裝置100之俯視示意圖，圖1B繪示圖1A之發光裝置100沿B-B剖面之側視剖面示意圖，圖1C繪示圖1A之發光裝置100沿C-C剖面之側視剖面示意圖。

於本實施例中，發光裝置100包括基板110、第一半導體層121、第二半導體層122、絕緣層130、第一電極141及第二電極142。基板110具有第一表面S1，且可為導體或非導體。第一半導體層121設置於基板110之第一表面S1上，以令第一表面S1鄰接第一半導體層121。

其中，第一半導體層121包括相連之本體部1211及周圍部1212。第一半導體層121之周圍部1212形成於第一半導體層121之本體部1211周圍，且本體部1211凸出周圍部1212。亦即本體部1211相對於基板110之高度大於周圍部1212相對於基板110之高度。第一半導體層121之本體部1211於俯視時可為方形，但並非限定於此，亦可為矩形或其他邊長數量之多邊形。第一半導體層121之周圍部1212具有背向基板110之一周圍部上表面1212a以及位於第一半導體層121之周圍部1212外圍之一周圍部側表面1212b。

第一半導體層121之周圍部1212以鏡像對稱的方式環繞第一半導體層121之本體部1211。以圖1A為例，第一半導體層121之本體部1211具有對應於俯視時之形狀中心P0。第一軸線L1平行於X軸方向且穿越形狀中心P0。第一軸線L1與周圍部側表面1212b相交於第一點P1及第二點P2。形狀中心P0到第一點P1的距離為D1，形狀中心P0到第二點P2的距離為D2，其中D1=D2。

於另一方向上，第二軸線L2不平行於第一軸線L1。第二軸線例如平行於Y軸方向且穿越形狀中心P0。第二軸線L2與周圍部側表面1212b相交於第三點P3及第四點P4。形狀中心P0到第三點P3的距離為D3，形狀中心P0到第四點P4的距離為D4，其中D3=D4。因此，周圍部1212相對於穿過形狀中心P0且平行於XZ平面之對稱面可為鏡像對稱。周圍部1212相對於穿過形狀中心P0且平行於YZ平面之對稱面亦可為鏡像對稱。

第一半導體層121之周圍部上表面1212a傾斜於基板110之第一表面S1。周圍部上表面1212a接近本體部1211之位置至基板110之第一表面S1之距離D5小於周圍部上表面1212a之外圍至基板110之第一表面S1之距離D6。

第二半導體層122設置於本體部1211上，且第二半導體層122之圖案與本體部1211之圖案實質相同。第二半導體層122具有第二表面S2，第二表面S2鄰接第一半導體層121之本體部1211。詳細而言，第二半導體層122之第二表面S2位於第一半導體層121及第二半導體層122之間之交接面。第一半導體層121可為n型半導體及p型半導體之其中一者，第二半導體層122可為其中另一者。第一半導體層121之本體部1211以及第二半導體層122之間之第二表面S2可形成p-n接面（p-n junction），以做為發光接面。周圍部上表面1212a 與第二表面S2 具有一夾角θ，且夾角θ之範圍可為45°≦θ≦70°。第二表面S2可實質上平行於基板110之第一表面S1。

絕緣層130覆蓋部分第一半導體層121。詳言之，於本實施例中，絕緣層130可覆蓋本體部1211未形成第二半導體層122之表面，以及覆蓋部分周圍部1212之周圍部上表面1212a及周圍部側表面1212b。絕緣層130還覆蓋第二半導體層122，且絕緣層130具有開口131以露出部分第二半導體層122，也就是露出部分第二半導體層122的上表面S2’，其中第二半導體層122的上表面S2’和第二半導體122的第二表面S2相對應。換句話說，第二表面S2在上表面S2’之對側。絕緣層130之材質可為光穿透絕緣材質。

第一電極141之一部分設置於未被絕緣層130所覆蓋的周圍部1212上，且電性連接至周圍部1212。第一電極141之此部分可設置於周圍部上表面1212a及周圍部側表面1212b。絕緣層130中斷第一電極141而使第一電極141並未圍繞第一半導體層121完整一周。也就是說，第一電極141部分覆蓋第一半導體層121。第一電極141之其他部分可延伸至基板110上，本新型不以此為限。第一電極141於周圍部上表面1212a之部分具有第三表面S3及第四表面S4。第三表面S3鄰接第一半導體層121。第四表面S4位於第三表面S3之對側。第一電極141之第四表面S4至基板110之第一表面S1的最大距離D7小於第二半導體層122之第二表面S2至基板110之第一表面S1的距離D8。第一電極141之材質可為光反射導電材質。

第二電極142之一部分設置於第二半導體層122上，且經由開口131電性連接至第二半導體層122。第二電極142之其他部分可設置於絕緣層130上，且可延伸至基板110上。第一半導體層121及第二電極142可藉由絕緣層130電性絕緣。第二電極142之材質可為光穿透導電材質。

利用第一電極141及第二電極142分別對於第一半導體層121及第二半導體層122施加偏壓時，第一半導體層121及第二半導體層122之間的發光接面可發出光線。由於第一半導體層121及第二半導體層122本身形狀為對稱，故發光接面所發出之光線亦趨於對稱。此外，發光接面所發出之光線中，除了沿遠離基板110之方向發散之光線可直接供使用者使用以外，沿發光接面之側向發散之光線中至少部分光線可經由位於周圍部上表面1212a之第一電極141之反射而遠離基板110，以供使用者使用。藉此可提升發光裝置100之光取出率。

請參照圖2A至圖8A、圖2B至圖8B及圖2C至圖8C，圖2A至圖8A繪示製造圖1A之發光裝置100之俯視流程示意圖，圖2B至圖8B繪示圖2A至圖8A沿B-B剖面之製造發光裝置100之側視流程示意圖，圖2C至圖8C繪示圖2A至圖8A沿C-C剖面之製造發光裝置100之側視流程示意圖。

如圖2A、圖2B及圖2C所示，於基板110上設置半導體元件1200。此半導體元件1200可由依序堆疊有第一半導體層1210及第二半導體層1220之半導體晶圓經過晶圓切割（dicing）而獲得。故半導體元件1200亦可包括依序堆疊之第一半導體層1210及第二半導體層1220。其中，第一半導體層1210較第二半導體層1220接近基板110。

如圖3A、圖3B及圖3C所示或者如圖4A、圖4B及圖4C所示，於第二半導體層1220上設置用以形成抗蝕層150之光阻材料（photoresist）。使用者可利用掩膜161或掩膜162及特定波長之光線圖案化此光阻材料而形成具有指定圖案之抗蝕層150。掩膜161及掩膜162之圖案可為鏡像對稱。於圖3A、圖3B及圖3C之場合中，可將正性光阻材料均勻設置於第二半導體層1220上。掩膜161於中央部分R1即預計形成圖1B之第一半導體層121之本體部1211之位置為配置成遮避光線，於周圍部分R2即預計形成圖1B之第一半導體層121之周圍部1212之位置為配置成可供部分光線通過。掩膜161於周圍部分R2為漸層配置，其中於周圍部分R2之掩膜161愈接近中央部分R1則可供愈多光線通過，於周圍部分R2之掩膜161愈遠離中央部分R1則可供愈少光線通過。

因此，將掩膜161放置於光阻材料上方且照射特定波長之光線後，受遮光之光阻材料可被保留於第二半導體層1220上，受到愈多光線照射之光阻材料其保留於第二半導體層1220上之厚度愈薄，受到愈少光線照射之光阻材料其保留於第二半導體層1220上之厚度愈厚。因此由光阻材料形成之抗蝕層150中，相應於中央部分R1之厚度最厚，相應於周圍部分R2愈接近中央部分R1之厚度最薄，相應於周圍部分R2愈遠離中央部分R1之厚度則逐漸增厚。而抗蝕層150之抗蝕能力隨著厚度愈厚則愈強，厚度愈薄則愈弱。

另外，於圖4A、圖4B及圖4C之場合中，可將負性光阻材料均勻設置於第二半導體層1220上。掩膜162於中央部分R1即預計形成圖1B之第一半導體層121之本體部1211之位置為配置成不遮避光線而可令最多光線通過，於周圍部分R2即預計形成圖1B之第一半導體層121之周圍部1212之位置為配置成可供部分光線通過。掩膜161於周圍部分R2為漸層配置，其中於周圍部分R2之掩膜161愈接近中央部分R1則可供愈少光線通過，於周圍部分R2之掩膜161愈遠離中央部分R1則可供愈多光線通過。

因此，將掩膜162放置於光阻材料上方且照射特定波長之光線後，受到充足光線照射之光阻材料可被保留於第二半導體層1220上，受到愈少光線照射之光阻材料其保留於第二半導體層1220上之厚度愈薄，受到愈多光線照射之光阻材料其保留於第二半導體層1220上之厚度愈厚。因此與圖3B及圖3C相似地，由光阻材料形成之抗蝕層150中，相應於中央部分R1之厚度最厚，相應於周圍部分R2愈接近中央部分R1之厚度最薄，相應於周圍部分R2愈遠離中央部分R1之厚度則逐漸增厚。而抗蝕層150之抗蝕能力隨著厚度愈厚則愈強，厚度愈薄則愈弱。

如圖5A、圖5B及圖5C所示，藉由抗蝕層150之抗蝕能力差異對圖2A、圖2B及圖2C中之半導體元件1200進行蝕刻，以將其加工為具有本實施例之形狀之第一半導體層121及第二半導體層122，且移除剩餘之圖3B及圖3C或圖4B及圖4C中所示之抗蝕層150。所蝕刻而成之第一半導體層121及第二半導體層122中，相應於中央部分R1之半導體材料厚度最厚，相應於周圍部分R2愈接近中央部分R1之半導體材料厚度最薄，相應於周圍部分R2愈遠離中央部分R1之半導體材料厚度則逐漸增厚。

因此，所形成之第一半導體層121可包括相連之本體部1211及周圍部1212。周圍部1212可以鏡像對稱的方式形成於本體部1211周圍，且本體部1211凸出周圍部1212。周圍部上表面1212a為斜面。周圍部上表面1212a之外圍至基板110之距離大於周圍部上表面1212a接近本體部1211之位置至基板110之距離。第二半導體層122設置於本體部1211上，且其圖案與本體部1211實質相同。本體部1211以及第二半導體層122之間可形成發光接面。

如圖6A、圖6B及圖6C所示，形成絕緣層130覆蓋第一半導體層121及第二半導體層122。其中，絕緣層130可藉由沉積絕緣材料而形成，亦可對於第一半導體層121及第二半導體層122本身之半導體材料進行鈍化而形成。

如圖7A、圖7B及圖7C所示，去除部分絕緣層130以露出部分周圍部1212，且於絕緣層130上形成開口131。開口131可露出部分第二半導體層122。詳細而言，開口131可露出部分第二半導體層122之上表面S2’。至少一部分的絕緣層130自第二半導體層122延伸至基板110。

如圖8A、圖8B及圖8C所示，形成第一電極141及第二電極142。第一電極141之一部分設置於周圍部1212上，且電性連接至周圍部1212。第一電極141之其他部分可延伸至基板110上。第二電極142之一部分設置於第二半導體層122上，且經由開口131電性連接至第二半導體層122。第二電極142之其他部分可設置於絕緣層130上，且可延伸至基板110上。第一半導體層121及第二電極142可藉由絕緣層130電性絕緣。

另外，請參照圖9A、9B及圖9C，圖9A繪示依照本新型之另一實施例之發光裝置200之俯視示意圖，圖9B繪示圖9A之發光裝置200沿B-B剖面之側視剖面示意圖，圖9C繪示圖9A之發光裝置200沿C-C剖面之側視剖面示意圖。

本實施例之發光裝置200與圖1A、圖1B及圖1C所示之發光裝置100相似，因此針對相異處加以說明，且相同的符號代表相似的元件。

本實施例之發光裝置200與圖1A、圖1B及圖1C所示之發光裝置100之差異，在於本實施例中，第一電極241設置於周圍部1212上之部分可圍繞第一半導體層121完整一周，而非發光裝置100中，第一電極141並未圍繞第一半導體層121完整一周。絕緣層230覆蓋第一半導體層121、第二半導體層122及第一電極241。絕緣層230之一部分位於第一電極241及第二電極242之間。第一電極241及第二電極242可藉由絕緣層230電性絕緣。於本實施例中，絕緣層230雖可覆蓋第一半導體層121及第一電極241及部分覆蓋第二半導體層122，但並非限定於此。於其他實施例中，絕緣層230亦可在第二電極242能夠電性絕緣第一半導體層121及第一電極241的前提下，僅覆蓋部分第一半導體層121及部分第一電極241。

請參照圖10A至圖15A、圖10B至圖15B及圖10C至圖15C，圖10A至圖15A繪示製造圖9A之發光裝置200之俯視流程示意圖，圖10B至圖15B繪示圖10A至圖15A沿B-B剖面之製造發光裝置200之側視流程示意圖，圖10C至圖15C繪示圖10A至圖15A沿C-C剖面之製造發光裝置200之側視流程示意圖。

其中，圖10A至圖11A、圖10B至圖11B及圖10C至圖11C之流程與圖2A至圖5A、圖2B至圖5B及圖2C至圖5C相似。如圖10A、圖10B及圖10C所示，於基板110上設置半導體元件1200。此半導體元件1200可包括依序堆疊之第一半導體層1210及第二半導體層1220。其中，第一半導體層1210較第二半導體層1220接近基板110。

如圖11A、圖11B及圖11C所示，對圖10A、圖10B及圖10C中之半導體元件1200進行蝕刻，以將具有本實施例之形狀之第一半導體層121及第二半導體層122。所蝕刻而成之第一半導體層121及第二半導體層122中，相應於中央部分R1之半導體材料厚度最厚，相應於周圍部分R2愈接近中央部分R1之半導體材料厚度最薄，相應於周圍部分R2愈遠離中央部分R1之半導體材料厚度則逐漸增厚。

如圖12A、圖12B及圖12C所示，形成第一電極241。第一電極241之一部分設置於周圍部上表面1212a上及周圍部側表面1212b上，且電性連接至周圍部1212。此部分之第一電極241可圍繞第一半導體層121之周圍部1212完整一周。第一電極241之其他部分可延伸至基板110上。

如圖13A、圖13B及圖13C所示，形成絕緣層230覆蓋第一半導體層121、第二半導體層122及第一電極241。其中，絕緣層230可藉由沉積絕緣材料而形成。於此實施例中，絕緣層230雖覆蓋第一半導體層121、第二半導體層122及第一電極241，但並非限定於此。於其他實施例中，絕緣層230亦可覆蓋部分第一半導體層121及部分第一電極241相應於後續將形成第二電極241之位置。

如圖14A、圖14B及圖14C所示，於絕緣層230設置開口231，開口231可露出部分第二半導體層122，也就是露出部分第二半導體層122之上表面S2’。

如圖15A、圖15B及圖15C所示，形成第二電極242。第二電極242之一部分設置於第二半導體層122上，且經由開口231電性連接至第二半導體層122。第二電極242之其他部分可設置於絕緣層230上，且可延伸至基板110上。第一半導體層121及第二電極242可藉由絕緣層230電性絕緣。絕緣層230之一部分位於第一電極241及第二電極242之間，故第一電極241及第二電極242亦可藉由絕緣層230電性絕緣。

另外，請參照圖16A、16B及圖16C，圖16A繪示依照本新型之另一實施例之發光裝置300之俯視示意圖，圖16B繪示圖16A之發光裝置300沿B-B剖面之側視剖面示意圖，圖16C繪示圖16A之發光裝置300沿C-C剖面之側視剖面示意圖。

本實施例之發光裝置300與圖1A、圖1B及圖1C所示之發光裝置100相似，二者差異在於本實施例之發光裝置300之周圍部上表面3212a實質上平行於基板110之第一表面S1。因此使得位於周圍部上表面3212a之絕緣層330之一部分、位於周圍部上表面3212a之第一電極341之一部分及位於周圍部上表面3212a之第二電極342之一部分亦皆實質上平行於基板110之第一表面S1。

另外，請參照圖17A、17B及圖17C，圖17A繪示依照本新型之另一實施例之發光裝置400之俯視示意圖，圖17B繪示圖17A之發光裝置400沿B-B剖面之側視剖面示意圖，圖17C繪示圖17A之發光裝置400沿C-C剖面之側視剖面示意圖。

本實施例之發光裝置400與圖9A、圖9B及圖9C所示之發光裝置200相似，二者差異在於本實施例之發光裝置400之周圍部上表面4212a實質上平行於基板110。因此使得位於周圍部上表面4212a之絕緣層430之一部分、位於周圍部上表面4212a之第一電極441之一部分及位於周圍部上表面4212a之第二電極442之一部分亦實質上平行於基板110。

另外，請參照圖18A、18B及圖18C，圖18A繪示依照本新型之另一實施例之發光裝置500之俯視示意圖，圖18B繪示圖18A之發光裝置500沿B-B剖面之側視剖面示意圖，圖18C繪示圖18A之發光裝置500沿C-C剖面之側視剖面示意圖。

本實施例之發光裝置500與圖1A、圖1B及圖1C所示之發光裝置100相似，二者差異在於本實施例之發光裝置500之周圍部上表面5212a為弧面。其中此弧面可為拋物面，且此拋物面上之各拋物線之焦點可位於本體部1211及第二半導體層122之間之發光接面。因此使得位於周圍部上表面5212a之絕緣層530之一部分、位於周圍部上表面5212a之第一電極541之一部分及位於周圍部上表面5212a之第二電極542之一部分亦為弧面。且由於通常絕緣層530、第一電極541及第二電極542之厚度極薄，故三者之弧面為拋物面時，此些拋物面上之各拋物線之焦點亦可位於本體部1211及第二半導體層122之間之發光接面。

另外，請參照圖19A、19B及圖19C，圖19A繪示依照本新型之另一實施例之發光裝置600之俯視示意圖，圖19B繪示圖19A之發光裝置600沿B-B剖面之側視剖面示意圖，圖19C繪示圖19A之發光裝置600沿C-C剖面之側視剖面示意圖。

本實施例之發光裝置600與圖9A、圖9B及圖9C所示之發光裝置200相似，二者差異在於本實施例之發光裝置600之周圍部上表面6212a為弧面。其中此弧面可為拋物面，且此拋物面上之各拋物線之焦點可位於本體部1211及第二半導體層122之間之發光接面。因此使得位於周圍部上表面6212a之絕緣層630之一部分、位於周圍部上表面6212a之第一電極641之一部分及位於周圍部上表面6212a之第二電極642之一部分亦為弧面。且由於通常絕緣層630、第一電極641及第二電極642之厚度極薄，故三者之弧面為拋物面時，此些拋物面上之各拋物線之焦點亦可位於本體部1211及第二半導體層122之間之發光接面。

另外，請參照圖20，繪示依照本新型之另一實施例之發光裝置700之俯視示意圖。本實施例之發光裝置700與圖1A、圖1B及圖1C所示之發光裝置100相似，二者之主要相異處，在於本實施例之發光裝置700之本體部7211於俯視時可為圓形，但並非限定於此，亦可為橢圓形、花形、星形或其他對稱圖形。

綜上所述，本新型之發光裝置，藉由第一半導體層及第二半導體層之形狀為對稱配置，而使得形成於第一半導體層及第二半導體層之間之發光接面所所產生之光線亦可趨於對稱。此外，藉由本體部凸出周圍部，沿發光接面之側向發散之光線中至少部分光線可經由位於周圍部之第一電極之反射而遠離基板，以利此光線之應用，藉此還可提升發光裝置之光取出率。

雖然本新型以前述之實施例揭露如上，然其並非用以限定本新型。在不脫離本新型之精神和範圍內，所為之更動與潤飾，均屬本新型之專利保護範圍。關於本新型所界定之保護範圍請參考所附之申請專利範圍。

100、200、300、400、500、600、700‧‧‧發光裝置
110‧‧‧基板
1200‧‧‧半導體元件
121、1210‧‧‧第一半導體層
1211、7211‧‧‧本體部
1212‧‧‧周圍部
1212a、3212a、4212a、5212a、6212a‧‧‧周圍部上表面
1212b‧‧‧周圍部側表面
122、1220‧‧‧第二半導體層
130、230、330、430、530、630‧‧‧絕緣層
131‧‧‧開口
141、241、341、441、541、641‧‧‧第一電極
142、242、342、442、542、642‧‧‧第二電極
150‧‧‧抗蝕層
161、162‧‧‧掩膜
231‧‧‧開口
D1、D2、D3、D4、D5、D6、D7、D8‧‧‧距離
L1‧‧‧第一軸線
L2‧‧‧第二軸線
P0‧‧‧形狀中心
P1‧‧‧第一點
P2‧‧‧第二點
P3‧‧‧第三點
P4‧‧‧第四點
R1‧‧‧中央部分
R2‧‧‧周圍部分
S1‧‧‧第一表面
S2‧‧‧第二表面
S2’‧‧‧上表面
S3‧‧‧第三表面
S4‧‧‧第四表面
θ‧‧‧夾角

圖1A繪示依照本新型之一實施例之發光裝置之俯視示意圖。 圖1B繪示圖1A之發光裝置沿B-B剖面之側視剖面示意圖。 圖1C繪示圖1A之發光裝置沿C-C剖面之側視剖面示意圖。 圖2A至圖8A繪示製造圖1A之發光裝置之俯視流程示意圖。 圖2B至圖8B繪示圖2A至圖8A沿B-B剖面之製造發光裝置之側視流程示意圖。 圖2C至圖8C繪示圖2A至圖8A沿C-C剖面之製造發光裝置之側視流程示意圖。 圖9A繪示依照本新型之另一實施例之發光裝置之俯視示意圖。 圖9B繪示圖9A之發光裝置沿B-B剖面之側視剖面示意圖。 圖9C繪示圖9A之發光裝置沿C-C剖面之側視剖面示意圖。 圖10A至圖15A繪示製造圖9A之發光裝置之俯視流程示意圖。 圖10B至圖15B繪示圖10A至圖15A沿B-B剖面之製造發光裝置之側視流程示意圖。 圖10C至圖15C繪示圖10A至圖15A沿C-C剖面之製造發光裝置之側視流程示意圖。 圖16A繪示依照本新型之另一實施例之發光裝置之俯視示意圖。 圖16B繪示圖16A之發光裝置沿B-B剖面之側視剖面示意圖。 圖16C繪示圖16A之發光裝置沿C-C剖面之側視剖面示意圖。 圖17A繪示依照本新型之另一實施例之發光裝置之俯視示意圖。 圖17B繪示圖17A之發光裝置沿B-B剖面之側視剖面示意圖。 圖17C繪示圖17A之發光裝置沿C-C剖面之側視剖面示意圖。 圖18A繪示依照本新型之另一實施例之發光裝置之俯視示意圖。 圖18B繪示圖18A之發光裝置沿B-B剖面之側視剖面示意圖。 圖18C繪示圖18A之發光裝置沿C-C剖面之側視剖面示意圖。 圖19A繪示依照本新型之另一實施例之發光裝置之俯視示意圖。 圖19B繪示圖19A之發光裝置沿B-B剖面之側視剖面示意圖。 圖19C繪示圖19A之發光裝置沿C-C剖面之側視剖面示意圖。 圖20繪示依照本新型之另一實施例之發光裝置之俯視示意圖。

100‧‧‧發光裝置

110‧‧‧基板

121‧‧‧第一半導體層

1211‧‧‧本體部

1212‧‧‧周圍部

1212a‧‧‧周圍部上表面

1212b‧‧‧周圍部側表面

122‧‧‧第二半導體層

130‧‧‧絕緣層

131‧‧‧開口

141‧‧‧第一電極

142‧‧‧第二電極

D5、D6、D7、D8‧‧‧距離

S1‧‧‧第一表面

S2‧‧‧第二表面

S2’‧‧‧上表面

S3‧‧‧第三表面

S4‧‧‧第四表面

θ‧‧‧夾角

Claims (11)

1. 一種發光裝置，包括：一基板；一第一半導體層，設置於該基板上，該第一半導體層包括相連之一本體部及一周圍部，該本體部凸出該周圍部，其中該周圍部係以鏡像對稱的方式環繞該本體部；一第二半導體層，設置於該本體部上，且該第二半導體層圖案與該本體部實質相同；一第一電極，至少部分設置於該周圍部上且電性連接於該第一半導體層；以及一第二電極，至少部分設置於該第二半導體層上且電性連接於該第二半導體層。
2. 如請求項1所述之發光裝置，其中該第一電極之材質為光反射導電材質。
3. 如請求項1所述之發光裝置，其中該第二電極之材質為光穿透導電材質。
4. 如請求項1所述之發光裝置，更包括一絕緣層，覆蓋部分該第一半導體層，該第二電極經由該絕緣層與該第一半導體層電性絕緣。
5. 如請求項1所述之發光裝置，更包括一絕緣層，覆蓋該第一半導體層、該第二半導體層及該第一電極，該絕緣層具有一開口，該開口露出至少部分該第二半導體層，該第二電極經由該開口電性連接至該第二半導體層。
6. 如請求項5所述之發光裝置，其中該絕緣層之一部分位於該第一電極及該第二電極之間。
7. 如請求項1所述之發光裝置，其中該周圍部具有背向該基板之一周圍部上表面，該周圍部上表面實質上平行於該基板。
8. 如請求項1所述之發光裝置，其中該周圍部具有背向該基板之一周圍部上表面，且該第一半導體層及該第二半導體層之間具有一交接面，該周圍部上表面與該交接面具有一夾角θ，其中45°≦θ≦70°。
9. 如請求項1所述之發光裝置，其中該基板具有一第一表面，該第一表面鄰接該第一半導體層，該第二半導體層具有一第二表面，該第二表面鄰接該第一半導體層，該周圍部上之該第一電極具有一第三表面及一第四表面，該第三表面鄰接該第一半導體層，該第四表面位於該第三表面對側，其中該第一電極之該第四表面至該基板之該第一表面的距離小於該第二半導體層之該第二表面至該基板之該第一表面的距離。
10. 如請求項1所述之發光裝置，其中該周圍部具有背向該基板之一周圍部上表面，該周圍部上表面為一拋物面。
11. 如請求項1所述之發光裝置，其中該本體部為多邊形或圓形。