TWM512591U - 薄膜沉積裝置 - Google Patents
薄膜沉積裝置 Download PDFInfo
- Publication number
- TWM512591U TWM512591U TW104210578U TW104210578U TWM512591U TW M512591 U TWM512591 U TW M512591U TW 104210578 U TW104210578 U TW 104210578U TW 104210578 U TW104210578 U TW 104210578U TW M512591 U TWM512591 U TW M512591U
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- gas
- disk
- gas supply
- recesses
- air
- Prior art date
Links
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
本新型是有關於一種薄膜沉積用的噴灑頭以及含有噴灑頭的薄膜沉積裝置，且特別是關於多模式的噴灑頭以及一種多模式的薄膜沉積裝置。
傳統製作薄膜發光二極體時，可利用分子束磊晶製程(Molecular Beam Epitaxy; MBE)、化學氣相沉積法製程(Chemical Vapor Deposition; CVD)、電漿輔助化學氣相沉積製程(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition; PECVD)、原子層磊晶製程(Atomic Layer Epitaxy; ALE)或原子層沉積製程(Atomic Layer Deposition; ALD)來生長構成發光二極體所需要的各種薄膜。其中，利用原子層沉積製程以及電漿輔助化學氣相沉積製程來生長構成發光二極體所需要的各種薄膜已經逐漸成為趨勢。
對於現今製程技術而言，原子層沉積製程與電漿輔助化學氣相沉積製程分屬兩個不同製程腔體，不僅設備成本高，在元件轉移(transfer)的過程中，未完成封裝的發光二極體元件會暴露於環境中，造成薄膜品質的降低。
一種薄膜沉積用的噴灑頭，包括一第一階氣盤；以及一第二階氣盤連結該第一階氣盤，其中，該第一階氣盤包括複數個具第一孔徑的第一凹穴，且每一該等第一凹穴包括一具第二孔徑的第一排氣孔貫穿該第一階氣盤；其中，該第二階氣盤包含一進氣口可供一第一製程氣體經由該進氣口輸送進入該第二階氣盤、以及一氣體供應管路連接該進氣口且埋設於該第二階氣盤內，使得該第一製程氣體可經由該氣體供應管路進入該等第一凹穴，並經由每一該等第一凹穴內的該第一排氣孔均勻噴灑出來。
一種薄膜沉積裝置，包括一腔體；一承載座位於該腔體中；以及一薄膜沉積用的噴灑頭，位於該腔體中且位於該承載座之上。
以下將詳細說明本新型實施例之製作與使用方式。然應注意的是，本新型提供許多可供應用的新型概念，其可以多種特定形式實施。文中所舉例討論之特定實施例僅為製造與使用本新型之特定方式，非用以限制本新型之範圍。 實施例：
首先，請參照第1圖，其顯示的是根據本新型的薄膜沉積裝置的剖面示意圖。如第1圖所示，根據本新型的薄膜沉積裝置包括一腔體900，其係由一下腔體120、一上腔體110位於上腔體110之上，及一固定裝置130位於下腔體120及上腔體110之間，將下腔體120及上腔體110連結固定，上腔體110包括一上腔體上部件110A及一上腔體下部件110B所組成。腔體900內包括一承載座140，設置於下腔體120內，用以承載一基板200、一設置於承載座140上方且位在上腔體上部件110A內的電漿產生系統，其包括一進氣室180及一電漿氣體分散盤170。此外，根據本新型的薄膜沉積裝置更包括一第一進氣系統300，適於提供一第一薄膜沉積模式時所需的第一製程氣體；及一第二進氣系統400，連接於電漿產生系統，適於提供一第二薄膜沉積模式時所需的第二製程氣體。腔體900內更包括一氣相沉積用的噴灑頭150，其包括一第一階氣盤150A以及一第二階氣盤150B，設置於承載座140與電漿產生系統之間的上腔體下部件110B內。
接著，請參照第2A圖，其所顯示的是如第1圖所示的氣相沉積用的噴灑頭150的第一階氣盤150A和第二階氣盤150B的俯視圖。如第2A圖所示，第一階氣盤150A具有相對的第一上表面150A1及第一下表面150A2，且包括複數個具第一孔徑r1(介於3mm以及9mm之間)的第一凹穴151，以第一距離d1彼此互相間隔排列形成於第一上表面150A1，且每一第一凹穴151包括一第一排氣孔153貫穿第一階氣盤150A至第一下表面150A2且具第二孔徑r2(介於0.5mm以及2.5mm之間)；以及複數個具第三孔徑r3(介於5mm以及15mm之間)的第二凹穴152，以第二距離d2彼此互相間隔排列形成於第一上表面150A1，且每一第二凹穴152包括一第二排氣孔154貫穿第一階氣盤150A至第一下表面150A2且具第四孔徑r4(介於0.5mm以及2.5mm之間)。其中，第一凹穴151與第二凹穴152彼此交錯排列。
同樣地，如第2A圖所示，第二階氣盤150B具有相對的一第二上表面150B1及一第二下表面150B2，且第二階氣盤150B包括一第一製程氣體進氣口165，連接於一第一進氣系統300(如第1圖所示)，以在第一薄膜沉積模式啟動時導入第一製程氣體。第二階氣盤150B更包括一主氣體供應管160，連接第一製程氣體進氣口165且設置於第二階氣盤150B上、複數個彼此相間隔的分支氣體供應管162，分別與主氣體供應管160連接且設置於第二階氣盤150B上、複數個歧管164形成於主氣體供應管160及分支氣體供應管162上，歧管164以第一距離d1彼此互相間隔排列且貫穿第二階氣盤150B至第二下表面150B2，且每一歧管164分別對應於第一階氣盤150A上的每一第一凹穴151。在第一薄模沉積模式啟動時，在本實施例為原子層沉積模式，第一製程氣體經第一製程氣體進氣口165進入主氣體供應管160以及分支氣體供應管162，然後再經由連接於主氣體供應管160以及分支氣體供應管162的歧管164被導入第一凹穴151內，然後再經由每一第一凹穴151內的第一排氣孔153均勻噴灑於基板200表面。
此外，第二階氣盤第二階氣盤150B更包括複數個第一開口166，形成於主氣體供應管160及分支氣體供應管162以外的區域，第一開口166以第二距離d2彼此互相間隔排列方式貫穿第二上表面150B1及第二下表面150B2，且每一第一開口166分別對應於第一階氣盤150A上的每一第二凹穴152，複數個第一開口166與對應的複數個第二凹穴152組成複數個矩陣排列的電漿反應室，第二薄膜沉積模式啟動時，電漿可在複數個電漿反應室中產生，並經由每一第二凹穴152內的第二排氣孔154將電漿均勻噴灑於基板200表面。
接著，請參照第2B圖，其顯示的是如第2A圖所示的第一階氣盤150A和第二階氣盤150B組合成一氣相沉積用的噴灑頭150，且沿剖面線B-B’所呈現的剖面示意圖。如第2B圖所示，連接於位在第二階氣盤150B上的主氣體供應管160或分支氣體供應管162的各個歧管164乃對準伸入位在第一階氣盤150A上的各個第一凹穴151內，在第一薄膜沉積模式啟動時，使第一製程氣體經由第一排氣孔153均勻噴灑於基板表面；位在第二階氣盤150B上的第一開口166乃對準於位在第一階氣盤150A上的第二凹穴152，且在第二薄膜沉積模式啟動時，使容納於進氣室180(如第1圖所示)內的第二製程氣體190(如第5圖所示)，通過如第1圖所示的電漿氣體分散盤170，進入複數個第一開口166與對應的複數個第二凹穴152形成複數個矩陣排列的電漿反應室，在複數個矩陣排列的電漿反應室內產生第二薄膜沉積模式所需的電漿，然後再經由每一第二凹穴152內的第二排氣孔154將電漿均勻噴灑於基板200表面。
如第2C圖所示，其顯示的是如第1圖所示的電漿氣體分散盤170剖面放大圖，其包括一第一電漿氣體分散盤170A、一第二電漿氣體分散盤170B以及一第三電漿氣體分散盤170C，且利用一石英固定環178夾持固定，其中第一電漿氣體分散盤170A及第三電漿氣體分散盤170C均由絕緣材質(例如石英)所構成。第一電漿氣體分散盤170A包括複數個以第二距離d2互相間隔排列且具第五孔徑r5(介於0.5mm以及2.5mm之間)並貫穿第一電漿氣體分散盤170A的第三排氣孔172；第二電漿氣體分散盤170B，設置於第一電漿氣體分散盤170A下方，且第二電漿氣體分散盤170B包括複數個以第二距離d2互相間隔排列且具第六孔徑r6(介於0.5mm以及5mm之間)並貫穿第二電漿氣體分散盤170B的第四排氣孔174，每一第四排氣孔174對應於每一第三排氣孔172；第三電漿氣體分散盤170C，設置於第二電漿氣體分散盤170B與氣相沉積用的噴灑頭150的第二階氣盤150B之間，第三電漿氣體分散盤170C包括複數個以第二距離d2互相間隔排列並貫穿電漿氣體分散盤的偏壓電極177，其內部設置有具第七孔徑r7的第五排氣孔176。此外，第三排氣孔172的孔徑小於第四排氣孔174的孔徑。
接著，請參照第2D圖及第2D’圖。其中，第2D圖顯示的是上述偏壓電極177及電漿反應室的詳細剖面圖，其中偏壓電極177包括一金屬電極177B以及上、下夾持金屬電極177B的電絕緣介電層177A、177C。如第2D圖所示，金屬電極177B外接一電壓源(未顯示)，第一階氣盤150A與第二階氣盤150B係由金屬材料製成且接地，且藉由電絕緣介電層177C與金屬電極177B電絕緣隔開，當第二製程氣體經第五排氣孔176進入第一開口166與對應第二凹穴152形成的電漿反應室，外接電壓源的金屬電極177B與接地的第一階氣盤150A與第二階氣盤150B提供的一偏壓將第二製程氣體形成電漿，然後再經由每一第二凹穴152內的第二排氣孔154將電漿均勻噴灑出來。第2D圖所顯示的是一種圓柱形電漿反應室，其電極177B是平面電極。在根據本新型的其他實施例中，可將平面電極之圓柱形電漿反應室修改為同心球形之上、下電極，如第2D’圖所示，形成碗狀之電漿反應室在同電位面上各點至電極177B的距離D相等，相較圓柱形電漿反應室有較均勻之電位分佈，電漿密度亦較均勻，電漿反應產生的熱可均勻分散，不易集中於特定點，且可消除圓柱形底部周圍之死角，減少製程應用時particle之產生。
如第1圖所示，本實施例所揭示的第一進氣系統300，其包括原子層沉積模式所需的第一前驅物氣體供應源310、第二前驅物氣體供應源320、潔淨氣體供應源330、第一製程氣體導管125，其一端連接第二階氣盤150B的第一製程氣體進氣口165，而另一相異端則連接一高壓控制閥350、一第一高壓管315，連接於第一前驅物氣體供應源310與高壓控制閥350之間、一第二高壓管325，連接於第二前驅物氣體供應源320與高壓控制閥350之間、以及一第三高壓管335，連接於潔淨氣體供應源330與高壓控制閥350之間。其中，第一進氣系統300藉由控制高壓控制閥350來切換第一前驅物氣體、第二前驅物氣體或潔淨氣體供應進入第一製程氣體進氣口165。潔淨氣體可選自不會與第一前驅物氣體和第二前區域氣體產生化學反應的惰性氣體，例如氮氣或鈍氣。
接著，請參照第3圖，其顯示的是根據本新型以進行第一薄膜沉積模式時，薄膜沉積裝置內的第一製程氣體流動示意圖。如上所述，本新型所揭示的第一薄膜沉積模式是原子層沉積製程，當第一薄膜沉積模式啟動時，第一進氣系統300中的第一前驅物氣體供應源310被開啟，使得第一前驅物氣體自第一高壓管315經高壓控制閥350進入第一製程氣體導管125，然後進入氣相沉積用的噴灑頭150中的第二階氣盤150B的進氣口165，接著再通過主氣體供應管160和分支氣體供應管162，並藉由連接於主氣體供應管160和分支氣體供應管162的歧管164將第一前驅物氣體導入第一凹穴151內，然後再經由每一第一凹穴151內的第一排氣孔153使第一前驅物氣體被均勻噴灑於基板200表面。之後，先關閉第一前驅物氣體供應源310，然後開啟潔淨氣體供應源330，以如上所述的方式將潔淨氣體沿第三高壓管335導入氣相沉積用的噴灑頭150內，藉由抽氣泵500使得殘留的第一前驅物氣體以及潔淨氣體經由抽氣管550被抽出腔體900。接著，先關閉潔淨氣體供應源330，然後開啟第二前驅物氣體供應源320，使第二前驅物氣體供應源320以如上所述的方式將第二前驅物氣體沿第二高壓管325導入氣相沉積用的噴灑頭150內，並噴灑於附著有第一前驅物的基板200表面，使第二前驅物與基板200表面的第一前驅物進行反應，形成所要的薄膜。最後，先關閉第二前驅物氣體供應源320，然後開啟潔淨氣體供應源330，以如上所述的方式將潔淨氣體沿第三高壓管335導入氣相沉積用的噴灑頭150內，並且藉由抽氣泵500使得殘留的第二前驅物氣體以及潔淨氣體經由抽氣管550被抽出腔體900，以上便可完成一個原子層沉積製程循環。上述的原子層沉積製程循環次數，可視所需要的薄膜厚度，多次重複進行。
如第1圖所示，本實施例所揭示的第二進氣系統400包括一第二製程氣體供應源410、一第四高壓管415以及一高壓控制閥450，藉由控制高壓控制閥450，在第二薄膜沉積模式啟動時將第二製程氣體經由第四高壓管415輸送至進氣室180的第二製程氣體導管115，然後進入進氣室180內。
接著，請參照第4圖，其顯示的是根據本新型以進行第二薄膜沉積模式時，薄膜沉積裝置內的製程氣體流動示意圖。如上所述，本新型所揭示的第二薄膜沉積模式是電漿輔助化學氣相沉積製程，當第二薄膜沉積模式被啟動時，第二進氣系統400的第二製程氣體供應源被開啟，且第二製程氣體在高壓控制閥450控制下，經由第四高壓管415進入第二製程氣體導管115，並輸入進氣室180內。進入進氣室180的第二製程氣體190先經第三排氣孔172通過第一電漿氣體分散盤170A，然後經過第四排氣孔174通過第二電漿氣體分散盤170B，接著通過第三電漿氣體分散盤170C的第五排氣孔176進入複數個第一開口166與對應的複數個第二凹穴152形成複數個矩陣排列的電漿反應室，在複數個矩陣排列的電漿反應室內產生第二薄膜沉積模式所需的電漿，然後再經由每一第二凹穴152內的第二排氣孔154將電漿均勻噴灑於基板200表面，形成一想要的電漿輔助的化學氣相沉積薄膜。本實施例的第二製程氣體例如包括矽甲烷(silane)、氬氣、氫氣、氧氣其中之一或其組合。
第5A以及5B圖顯示的是利用根據本新型的薄膜沉積裝置，在半導體上形成含石墨烯層及金屬層的複合電流擴散層的剖面製程。
請先參照第5A圖，提供一半導體基底10，在半導體基底10上具有一磊晶層1000，包磊晶層1000括一半導體基底10、一緩衝層20、一第一半導體層30、一主動層40、一第二半導體層600，其中緩衝層20、一第一半導體層30、一主動層40以及一第二半導體層600係依序形成在半導體基底10。在本實施例中，第一半導體層30包含n型氮化鎵層(n-GaN)，第二半導體層600包含p型氮化鎵層(p-GaN)。然後利用根據本新型的薄膜沉積裝置100的第一薄膜沉積模式(ALD)，在第二半導體層600表面沉積一厚度小於10nm的金屬層620，金屬層620與第二半導體層600為歐姆接觸。此金屬層620之材料可選自銅、箔或鎳。然後利用根據本新型的薄膜沉積裝置的第二薄膜沉積模式(PECVD)，於溫度小於攝氏350度C的條件下，在上述的金屬層620表面沉積一厚度小於5nm的石墨烯層640，形成一包含金屬層620與石墨烯層640的複合電流擴散層，其中金屬層620與石墨烯層640為歐姆接觸用以提高橫向電流散佈的能力。
其次，請參照第5B圖，薄膜沉積利用習知的微影及蝕刻製程，去除部分的金屬層620、石墨烯層640、第二半導體層600以及主動層40，露出第一半導體層30，接著分別在石墨烯層640與露出的第一半導體層30上分別形成第一電極61與第二電極62用以引入外部電流。
第6A~6C圖顯示的是利用根據本新型的薄膜沉積裝置，在半導體層上形成包含石墨烯的電流擴散層之剖面製程。
請先參照第6A圖，提供一半導體基底10，在半導體基底10上具有一磊晶層1000，一磊晶層1000包含一緩衝層20、一第一半導體層30、一主動層40以及一第二半導體層600，其中緩衝層20、一第一半導體層30、一主動層40以及一第二半導體層600係依序形成在半導體基底10。在本實施例中，第一半導體層30包含n型氮化鎵層(n-GaN)，第二半導體層600包含p型氮化鎵層(p-GaN)。然後利用根據本新型的薄膜沉積裝置100的第一薄膜沉積模式(ALD)，在第二半導體層600表面沉積一厚度小於10nm的金屬層620。此金屬層620之材料可選自銅、箔或鎳。
其次，請參照第6B圖，然後利用根據本新型的薄膜沉積裝置的第二薄膜沉積模式(PECVD)，於溫度約攝氏700~1000度C的條件下，使碳原子穿透金屬層620而到達第二半導體層600的表面，在第二半導體層600與金屬層620之間形成一厚度小於5nm的石墨烯層650，且石墨烯層650與第二半導體層600形成歐姆接觸。
最後，請參照第6C圖，利用蝕刻製程去除金屬層620，露出石墨烯層650以形成一透明的電流擴散層，用以提高橫向電流散佈的能力。接著，利用習知的微影及蝕刻製程，去除部分的石墨烯層650、第二半導體層600以及主動層40，露出第一半導體層30，接著分別在石墨烯層650與露出的第一半導體層30上分別形成第一電極61與第二電極62用以引入外部電流。
綜上所述，本新型已提供一種適用於原子層沉積及電漿輔助化學氣相沉積的噴灑頭以及一種含有噴灑頭的薄膜沉積裝置，可在同一腔體內視需要切換進行原子層沉積製程及電漿輔助化學氣相沉積製程，解決現有無法整合原子沉積製程以及電漿輔助化學氣相沉積製程於同一腔體的缺點。
雖然本新型已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本新型，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本新型之精神和範圍內，當可更動與組合上述各種實施例。
<TABLE border="1" borderColor="#000000" width="85%"><TBODY><tr><td> 10 </td><td> 半導體基底 </td></tr><tr><td> 20 </td><td> 緩衝層 </td></tr><tr><td> 30 </td><td> 第一半導體層 </td></tr><tr><td> 40 </td><td> 主動層 </td></tr><tr><td> 600 </td><td> 第二半導體層 </td></tr><tr><td> 61 </td><td> 第一電極 </td></tr><tr><td> 62 </td><td> 第二電極 </td></tr><tr><td> 620 </td><td> 金屬層 </td></tr><tr><td> 640 </td><td> 石墨烯層 </td></tr><tr><td> 650 </td><td> 石墨烯層 </td></tr><tr><td> 100 </td><td> 薄膜沉積裝置 </td></tr><tr><td> 900 </td><td> 腔體 </td></tr><tr><td> 110 </td><td> 上腔體 </td></tr><tr><td> 110A </td><td> 上腔體上部件 </td></tr><tr><td> 110B </td><td> 上腔體下部件 </td></tr><tr><td> 115 </td><td> 第二製程氣體導管 </td></tr><tr><td> 120 </td><td> 下腔體 </td></tr><tr><td> 125 </td><td> 第一製程氣體導管 </td></tr><tr><td> 130 </td><td> 固定裝置 </td></tr><tr><td> 140 </td><td> 承載座 </td></tr><tr><td> 150 </td><td> 氣相沉積用的噴灑頭 </td></tr><tr><td> 150A </td><td> 第一階氣盤 </td></tr><tr><td> 150B </td><td> 第二階氣盤 </td></tr><tr><td> 150A1 </td><td> 第一上表面 </td></tr><tr><td> 150A2 </td><td> 第一下表面 </td></tr><tr><td> 150B1 </td><td> 第二上表面 </td></tr><tr><td> 150B2 </td><td> 第二下表面 </td></tr><tr><td> 151 </td><td> 第一凹穴 </td></tr><tr><td> 152 </td><td> 第二凹穴 </td></tr><tr><td> 153 </td><td> 第一排氣孔 </td></tr><tr><td> 154 </td><td> 第二排氣孔 </td></tr><tr><td> 160 </td><td> 主氣體供應管 </td></tr><tr><td> 162 </td><td> 分支氣體供應管 </td></tr><tr><td> 164 </td><td> 歧管 </td></tr><tr><td> 165 </td><td> 第一製程氣體進氣口 </td></tr><tr><td> 166 </td><td> 第一開口 </td></tr><tr><td> 170 </td><td> 電漿氣體分散盤 </td></tr><tr><td> 170A </td><td> 第一電漿氣體分散盤 </td></tr><tr><td> 170B </td><td> 第二電漿氣體分散盤 </td></tr><tr><td> 170C </td><td> 第三電漿氣體分散盤 </td></tr><tr><td> 172 </td><td> 第三排氣孔 </td></tr><tr><td> 174 </td><td> 第四排氣孔 </td></tr><tr><td> 176 </td><td> 第五排氣孔 </td></tr><tr><td> 177 </td><td> 偏壓電極 </td></tr><tr><td> 177A </td><td> 介電層 </td></tr><tr><td> 177B </td><td> 金屬電極 </td></tr><tr><td> 177C </td><td> 介電層 </td></tr><tr><td> 178 </td><td> 石英固定環 </td></tr><tr><td> 180 </td><td> 進氣室 </td></tr><tr><td> 190 </td><td> 第二製程氣體 </td></tr><tr><td> 200 </td><td> 基板 </td></tr><tr><td> 300 </td><td> 第一供氣系統 </td></tr><tr><td> 310 </td><td> 第一前驅物氣體供應源 </td></tr><tr><td> 315 </td><td> 第一高壓管 </td></tr><tr><td> 320 </td><td> 第二前驅物氣體供應源 </td></tr><tr><td> 325 </td><td> 第二高壓管 </td></tr><tr><td> 330 </td><td> 潔淨氣體供應源 </td></tr><tr><td> 335 </td><td> 第三高壓管 </td></tr><tr><td> 350 </td><td> 高壓控制閥 </td></tr><tr><td> 400 </td><td> 第二供氣系統 </td></tr><tr><td> 410 </td><td> 第二製程氣體供應源 </td></tr><tr><td> 415 </td><td> 第四高壓管 </td></tr><tr><td> 450 </td><td> 高壓控制閥 </td></tr><tr><td> 500 </td><td> 抽氣泵 </td></tr><tr><td> 550 </td><td> 抽氣管 </td></tr><tr><td> </td><td> </td></tr><tr><td> </td><td> </td></tr></TBODY></TABLE>
第1圖顯示的是根據本新型的薄膜沉積裝置的剖面示意圖。
第2A圖顯示的是第1圖所示的氣相沉積用的噴灑頭150的第一階氣盤150A和第二階氣盤150B的俯視圖。
第2B圖顯示的是第2A圖所示的第一階氣盤150A和第二階氣盤150B組合成氣相沉積用的噴灑頭150且沿剖面線B-B’所呈現的剖面示意圖。
第2C圖顯示的是第1圖所示的電漿氣體分散盤170剖面放大圖。
第2D圖及第2D’圖顯示的是第2C圖之偏壓電極177及電漿反應室的詳細剖面圖示意圖。
第3圖顯示的是根據本新型以進行第一薄膜沉積模式時，薄膜沉積裝置內的製程氣體流動示意圖。
第4圖顯示的是根據本新型以進行第二薄膜沉積模式時，薄膜沉積裝置內的製程氣體流動示意圖。
第5A及5B圖是利用根據本新型的薄膜沉積裝置，在半導體上形成含石墨烯層及金屬層的複合電流擴散層的剖面製程。
第6A~6C圖是利用根據本新型的薄膜沉積裝置，在半導體層上形成包含石墨烯的電流擴散層之剖面製程。
100‧‧‧薄膜沉積裝置
900‧‧‧腔體
110‧‧‧上腔體
110A‧‧‧上腔體上部件
110B‧‧‧上腔體下部件
115‧‧‧第二製程氣體導管
120‧‧‧下腔體
125‧‧‧第一製程氣體導管
130‧‧‧固定裝置
140‧‧‧承載座
150‧‧‧氣相沉積用的噴灑頭
150A‧‧‧第一階氣盤
150B‧‧‧第二階氣盤
151‧‧‧第一凹穴
152‧‧‧第二凹穴
153‧‧‧第一排氣孔
154‧‧‧第二排氣孔
160‧‧‧主氣體供應管
162‧‧‧分支氣體供應管
164‧‧‧歧管
165‧‧‧第一製程氣體進氣口
166‧‧‧第一開口
170‧‧‧電漿氣體分散盤
170A‧‧‧第一電漿氣體分散盤
170B‧‧‧第二電漿氣體分散盤
170C‧‧‧第三電漿氣體分散盤
172‧‧‧第三排氣孔
174‧‧‧第四排氣孔
176‧‧‧第五排氣孔
177‧‧‧偏壓電極
178‧‧‧石英固定環
180‧‧‧進氣室
190‧‧‧第二製程氣體
200‧‧‧基板
300‧‧‧第一供氣系統
310‧‧‧第一前驅物氣體供應源
315‧‧‧第一高壓管
320‧‧‧第二前驅物氣體供應源
325‧‧‧第二高壓管
330‧‧‧潔淨氣體供應源
335‧‧‧第三高壓管
350‧‧‧高壓控制閥
400‧‧‧第二供氣系統
410‧‧‧第二製程氣體供應源
415‧‧‧第四高壓管
450‧‧‧高壓控制閥
500‧‧‧抽氣泵
550‧‧‧抽氣管
Claims (10)
- 一種薄膜沉積用的噴灑頭，包括：一第一階氣盤；以及一第二階氣盤連結該第一階氣盤，其中，該第一階氣盤包括複數個具第一孔徑的第一凹穴，且每一該等第一凹穴包括一具第二孔徑的第一排氣孔貫穿該第一階氣盤；其中，該第二階氣盤包括包含一進氣口可供一第一製程氣體經由該進氣口輸送進入該第二階氣盤、以及一氣體供應管路連接該進氣口且埋設於該第二階氣盤內，使得該第一製程氣體可經由該氣體供應管路進入該等第一凹穴，並經由每一該等第一凹穴內的該第一排氣孔均勻噴灑出來。
- 如申請專利範圍第1項所述的噴灑頭，其中該第一階氣盤更包括一第一上表面、一相對第一上表面的第一下表面、以及複數個具第三孔徑的第二凹穴，其中該複數個第一凹穴以第一距離彼此互相間隔排列形成於該第一上表面，該複數個第二凹穴以第二距離彼此互相間隔排列形成於該第一下表面，且每一該等第二凹穴包括一貫穿該第一下表面且具第四孔徑的第二排氣孔，其中，該等第一凹穴與該等第二凹穴彼此交錯排列。
- 如申請專利範圍第1項所述的噴灑頭，其中該第二階氣盤更包括複數個第一開口，形成於該氣體供應管路以外的 該第二階氣盤上，且該些第一開口以第二距離彼此互相間隔排列方式貫穿該第二上表面及該第二下表面，且每一該等第一開口分別對應於該第一氣盤上的每一該等第二凹穴，使得電漿可經該等第一開口進入該等第二凹穴，形成複數個矩陣排列的電漿源，並經由每一該等第二凹穴內的該第二排氣孔將電漿均勻噴灑出來。
- 如申請專利範圍第3項所述的噴灑頭，其中該氣體供應管路包括：一主氣體供應管，連接該進氣口且埋設於該第二階氣盤內；以及複數個彼此相間隔的分支氣體供應管，分別與該主氣體供應管連接且埋設於該第二階氣盤內，使得該第一製程氣體可經由該主氣體供應管流通到各該分支氣體供應管內。
- 如申請專利範圍第4項所述的噴灑頭，其中該氣體供應管路更包括複數個歧管，形成於該主氣體供應管及該些分支氣體供應管上，該些歧管以第一距離彼此互相間隔排列且貫穿該第二下表面，且每一該等歧管分別對應於該第一階氣盤上的每一該等第一凹穴，使得該第一製程氣體可進入該等第一凹穴，並經由每一該等第一凹穴內的該第一排氣孔均勻噴灑出來。
- 如申請專利範圍第1項所述的噴灑頭，該第二孔徑大於該等第一孔徑。
- 如申請專利範圍第5項所述的噴灑頭，每一該等第一開口的孔徑大於每一該等歧管的孔徑。
- 如申請專利範圍第1項所述的噴灑頭，其中該進氣口連接一第一進氣系統。
- 如申請專利範圍第1項所述的噴灑頭，其中該第一階氣盤及/或該第二階氣盤耦接一接地線。
- 一種薄膜沉積裝置，包括：一腔體；一承載座位於該腔體中；以及一選自申請專利範圍第1~8項所述之噴灑頭之任一，位於該承載座之上。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW104210578U TWM512591U (zh) | 2015-06-30 | 2015-06-30 | 薄膜沉積裝置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW104210578U TWM512591U (zh) | 2015-06-30 | 2015-06-30 | 薄膜沉積裝置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TWM512591U true TWM512591U (zh) | 2015-11-21 |
Family
ID=55219765
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW104210578U TWM512591U (zh) | 2015-06-30 | 2015-06-30 | 薄膜沉積裝置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| TW (1) | TWM512591U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI620830B (zh) * | 2016-12-30 | 2018-04-11 | Nat Chung Shan Inst Science & Tech | Batch coating process system |
-
2015
- 2015-06-30 TW TW104210578U patent/TWM512591U/zh unknown
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI620830B (zh) * | 2016-12-30 | 2018-04-11 | Nat Chung Shan Inst Science & Tech | Batch coating process system |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10340125B2 (en) | Pulsed remote plasma method and system | |
| US20170002463A1 (en) | Showerhead and a thin-film deposition apparatus containing the same | |
| JP6360849B2 (ja) | 多レベルシャワーヘッド設計 | |
| KR102323168B1 (ko) | 리모트 원자층 증착을 위한 시스템들 및 방법들 | |
| KR100782369B1 (ko) | 반도체 제조장치 | |
| US20120222616A1 (en) | Shower head assembly and thin film deposition apparatus comprising same | |
| US9920844B2 (en) | Valve manifold deadleg elimination via reentrant flow path | |
| KR20170082989A (ko) | 복수의 가스 주입 지점들 및 듀얼 주입기를 포함한 기판 프로세싱 챔버 | |
| CN102576667A (zh) | 中空阴极喷头 | |
| TW201520362A (zh) | 多模式薄膜沉積設備以及薄膜沉積方法 | |
| US20070221129A1 (en) | Apparatus for depositing atomic layer using gas separation type showerhead | |
| WO2010129292A4 (en) | Cluster tool for leds | |
| KR20040062833A (ko) | 박막증착용 반응용기 | |
| JP2009512221A (ja) | 大面積ｐｅｃｖｄ装置のためのリモートプラズマ源を使用したクリーニング手段 | |
| TW201700784A (zh) | 薄膜沉積用的噴灑頭及包含噴灑頭之薄膜沉積裝置 | |
| TWI671431B (zh) | 薄膜沉積用的噴灑頭以及含有此噴灑頭的薄膜沉積裝置 | |
| TWM512591U (zh) | 薄膜沉積裝置 | |
| TWM519316U (zh) | 薄膜沉積用的引流元件以及含有此引流元件的薄膜沉積裝置 | |
| TWI652372B (zh) | 半導體發光裝置及其形成方法 | |
| TWI709661B (zh) | 半導體發光裝置及其形成方法 | |
| TW202111763A (zh) | 用於雙通道噴淋頭的方法與設備 | |
| TW201700783A (zh) | 薄膜沉積用的噴灑頭及包含噴灑頭之薄膜沉積裝置 | |
| KR20040014760A (ko) | 멀티 홀 앵글드 가스분사 시스템을 갖는 반도체소자제조장치 및 이를 이용한 반도체소자 제조방법 | |
| JP2006514161A5 (zh) | ||
| TW201700181A (zh) | 薄膜沉積用的噴灑頭以及含有此噴灑頭的薄膜沉積裝置 |