TWM453945U - 排線結構 - Google Patents

Description

排線結構

本創作是有關於一種排線結構，特別是有關於一種局部區域具有較佳撓曲性，同時具備良好防電磁干擾特性之排線結構。

電子產品內使用軟性排線(Flexible Flat Cable，簡稱FFC)做為訊號傳輸方式已行之有年，由於其具備薄型化、撓曲性佳、成本低廉及訊號傳輸能力強等優點，不但不易被其他傳輸方式取代，且近年來軟性排線的應用範圍及數量更是不斷成長。

軟性排線的結構非常簡單，主要包括複數條平行排列之金屬導線以及絕緣層，而為了維持軟性排線不受到外部電磁干擾，通常還會在軟性排線周圍形成金屬層，例如鋁箔或銀漿層，以構成良好的電磁遮蔽性。

除此之外，為了使軟性排線能在電子產品內延伸通過特定區域，更可將軟性排線施以分線集合處理，經分線集合後部位具極小寬度，能適應各種狹小彎曲條件，雖降低部分撓曲性，但能讓軟性排線通過遠小於其原寬度的空間。但是，若該特定區域同時具有需反覆動作特性時，例如筆記型電腦的樞軸部位，則該分線集合後部位可能出現撓曲性不足的問題。

習知軟性排線在分線集合後，該部位具有較小寬度可適應狹小彎曲空間，但相反的可能出現撓曲性較差的狀況，特別是需要被反覆彎折的機構狀況下。

本創作提出一種排線結構：包括一軟性排線，該軟性排線係由複數金屬導線及上下包覆該些金屬導線之絕緣層所構成，其具有相對之一前插接端及一後插接端；一遮蔽層，蓋覆於該軟性排線周圍，該遮蔽層具有一空缺部；其中，於該前插接端及該後插接端之間形成複數條分線，該空缺部係對應於至少一該分線，以於至少一該分線上形成一單面遮蔽區。

本創作提出一種排線結構：其中該遮蔽層包括一上遮蔽層係貼合於該軟性排線之上表面及一下遮蔽層貼合於該軟性排線之下表面，該前插接端及該後插接端係外露於該遮蔽層之外。

本創作提出一種排線結構：其中該空缺部只形成於該上遮蔽層或該下遮蔽層。

本創作提出一種排線結構：其中該空缺部為複數，並可同時形成於該上遮蔽層及該下遮蔽層。

本創作提出一種排線結構：其中該些分線係相互重疊而構成一集合部，該集合部更包括一彎折區域，該彎折區域係對應於至少一該分線之該單面遮蔽區，從而使該彎折區域具備較佳的撓曲性。

參照說明書第一圖至第三圖所示，軟性排線10(Flexible Flat Cable)由相互平行排列之複數條金屬導線11，以及上下包覆該些金屬導線11之絕緣層12所構成。軟性排線10呈長條狀，具有相對之上表面13及下表面14，於相對兩末端分別設置一前插接端20及一後插接端30，前述金屬導線11可外露於前插接端20或後插接端30。

遮蔽層40為金屬材質構成，例如鋁箔、銅箔或任意金屬複合層，其主要分成上遮蔽層41及下遮蔽層42二部份，分別貼覆於前述上表面13及下表面14，使軟性排線10具備良好的遮蔽效果，以維持高頻電氣特性，其覆蓋範圍大約由鄰近前插接端20處延伸至鄰近後插接端30的位置，但不與前述金屬導線11直接接觸。另外，於上遮蔽層41的適當位置形成一空缺部43。

軟性排線10為了能縮小寬度以符合使用環境需求，可沿著長度方向對軟性排線10中間部份進行切開動作，以形成複數條分線15。分線15位在前插接端20及後插接端30之間，其數量及長度可根據需求任意變換，如第一圖所示之最佳實施例，分線15的數量為六條，其長度由鄰近前插接端20處朝向後插接端30方向延伸，而鄰近後插接端30處未形成分線15而構成一非分線區16。

由於前述遮蔽層40是在分線15切開前就已貼覆在軟性排線10上，故分線15切開時會連同遮蔽層40一起切開，同時前述空缺部43會對應於該些分線15。因此，每一條 分線15的特定位置上會形成只有單面具有遮蔽層40的單面遮蔽區151。如第三圖所示，為第一圖A-A線段的剖面圖，於分線15的單面遮蔽區151範圍內，只具有下遮蔽層42，而另一側對應的是上遮蔽層41的空缺部43。因此，相較於分線15的其他部分，在單面遮蔽區151範圍內具有較薄的厚度，因此具有較佳的撓曲性。

接著請參照第四圖，前述軟性排線10的複數條分線15在施以堆疊及折角後，原先的複數條分線15會相互堆疊形成一寬度較小的集合部17，而此集合部17中更包含一彎折區域171被使用在通過電子產品內的狹小空間，特別是需要反覆開關或轉動的位置，例如筆記型電腦的樞軸部位。在本較佳實施例中，彎折區域171即對應於前述每一條分線15的單面遮蔽區151，因此，在集合部17的彎折區域171上會具有最佳的可撓曲性，同時能夠保持一定的高頻電氣特性。

在最佳實施例中，係將彎折區域171對應的所有分線15均形成單面遮蔽區151，但在其他實施例中，可以只有部分分線15上形成單面遮蔽區151，同樣可達到增加彎折區域171撓曲性的效果，其撓曲性優劣與遮蔽效果的調整，使用者可依照實際使用環境參數進行變更。

空缺部43並不限於形成於上遮蔽層41，也可形成於下遮蔽層42上。更甚者，空缺部43的數量可以是複數，同時形成於上遮蔽層41及下遮蔽層42，例如在上遮蔽層41 及下遮蔽層42各形成一個空缺部43，而共同構成一定範圍的單面遮蔽區151。

再如第五圖所示，集合部17在摺疊完成後，其外部會再包裹一層導電布50，導電布50並與遮蔽層40形成電性導通。集合部17會與前插接端20呈相互垂直排列，於前插接端20上可兩面加裝金屬殼體60而構成完整連接器接頭，該金屬殼體60並可與該遮蔽層40形成電性導通。集合部17同樣會與非分線區16形成相互垂直排列。通常來說，彎折區域171的長度約為集合部17的1/3到1/2之間，位置形成在較靠近於非分線區16的一側，然設計者可依據實際機構環境來更動彎折區域171的長度及位置。

本創作藉由在每一條分線15的特定位置上只保留單面的遮蔽層40，以形成單面遮蔽區151，而該些分線15在堆疊構成集合部17後，使該些單面遮蔽區151對應在彎折區域171，因此在彎折區域171具有較其他位置更佳的撓曲性，亦能保持一定的高頻電氣特性。

上述詳細說明為針對本創作一種較佳之可行實施例說明而已，惟該實施例並非用以限定本創作之申請專利範圍，凡其它未脫離本創作所揭示之技藝精神下所完成之均等變化與修飾變更，均應包含於本創作所涵蓋之專利範圍中。

10‧‧‧軟性排線

11‧‧‧金屬導線

12‧‧‧絕緣層

13‧‧‧上表面

14‧‧‧下表面

15‧‧‧分線

151‧‧‧單面遮蔽區

16‧‧‧非分線區

17‧‧‧集合部

171‧‧‧彎折區域

20‧‧‧前插接端

30‧‧‧後插接端

40‧‧‧遮蔽層

41‧‧‧上遮蔽層

42‧‧‧下遮蔽層

43‧‧‧空缺部

50‧‧‧導電布

60‧‧‧金屬殼體

第一圖為本創作之排線結構，於分線後之立體示意圖。

第二圖為本創作之排線結構，於分線後之立體分解圖。

第三圖為第一圖A-A線段之剖面圖。

第四圖為本創作之排線結構，各分線折疊集合後之示意圖。

第五圖為本創作之排線結構，各分線折疊集合後之示意圖。

12‧‧‧絕緣層

15‧‧‧分線

151‧‧‧單面遮蔽區

16‧‧‧非分線區

20‧‧‧前插接端

30‧‧‧後插接端

40‧‧‧遮蔽層

41‧‧‧上遮蔽層

43‧‧‧空缺部

Claims (10)

1. 一種排線結構，包括：一軟性排線，該軟性排線係由複數金屬導線及上下包覆該些金屬導線之絕緣層所構成，其具有相對之一前插接端及一後插接端；一遮蔽層，蓋覆於該軟性排線周圍，該遮蔽層具有一空缺部；其中，於該前插接端及該後插接端之間形成複數條分線，該空缺部係對應於至少一該分線，以於至少一該分線上形成一單面遮蔽區。
2. 如請求項1所述之排線結構，其中該遮蔽層包括一上遮蔽層係貼合於該軟性排線之上表面及一下遮蔽層貼合於該軟性排線之下表面，該前插接端及該後插接端係外露於該遮蔽層之外。
3. 如請求項2所述之排線結構，其中該空缺部只形成於該上遮蔽層或該下遮蔽層。
4. 如請求項2所述之排線結構，其中該空缺部為複數，並同時形成於該上遮蔽層及該下遮蔽層。
5. 如請求項3及請求項4中任一項所述之排線結構，其中該些分線係相互重疊而構成一集合部，該集合部更包括一彎折區域，該彎折區域係對應於至少一該分線之該單面遮蔽區，從而使該彎折區域具備較佳的撓曲性。
6. 如請求項5所述之排線結構，其中更包含一導電布包覆於該集合部的周圍，並與該遮蔽層形成相互電性導通。
7. 如請求項5所述之排線結構，其中該集合部與該前插接端呈相互垂直排列。
8. 如請求項5所述之排線結構，其中更包含一非分線部，該非分線部位於該集合部與該前插接端之間，且該非分線部與該集合部呈相互垂直排列。
9. 如請求項8所述之排線結構，其中該彎折區域位於該集合部較靠近該非分線部的一側。
10. 如請求項8所述之排線結構，其中更包含一金屬殼體裝設於該前插接端，並與該遮蔽層形成相互電性導通。