TWM451660U - 整合訊號隔離變壓器與保護元件的封裝晶片 - Google Patents
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- 238000002955 isolation Methods 0.000 title claims abstract description 65
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 43
- 230000001629 suppression Effects 0.000 claims description 11
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 claims description 10
- 238000009434 installation Methods 0.000 claims description 4
- 238000005476 soldering Methods 0.000 claims 2
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 abstract description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 6
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 5
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 238000009530 blood pressure measurement Methods 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000007405 data analysis Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000004880 explosion Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012536 packaging technology Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000036632 reaction speed Effects 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
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- H01L27/0203—Particular design considerations for integrated circuits
- H01L27/0248—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
- H01L23/62—Protection against overvoltage, e.g. fuses, shunts
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
- H01L23/64—Impedance arrangements
- H01L23/645—Inductive arrangements
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F19/00—Fixed transformers or mutual inductances of the signal type
- H01F19/04—Transformers or mutual inductances suitable for handling frequencies considerably beyond the audio range
- H01F19/08—Transformers having magnetic bias, e.g. for handling pulses
- H01F2019/085—Transformer for galvanic isolation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
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Description
本創作係有關一種晶片封裝結構,尤指一種整合訊號隔離變壓器與保護元件的封裝晶片。
隨著電子科技的發展,具備高效能運算技術的電腦已普及於一般大眾所使用,且隨著網路建構的普及化,不僅拉近了世界各地網路使用者的距離,並於網際網路上充斥著各式各樣的資訊,而儼然已成為資訊***的時代。目前有關於網際網路連線的技術,除4G網路及WIFI網路等無線網路的建構,主流型的技術仍停留在於可靠性及穩定性較佳、並且具備實體連結介面的電纜型網路傳輸架構,藉由實體型的電纜作為多部電腦資料傳輸的介面。然而,為便於網路拉線的考量,上述之電纜經常裸設於建築物外側,如遭遇雷擊時,將致使雷擊突波所產生的高壓電流瞬間傳遞至接收網路電纜的數據機或電腦上,進而造成數據機或電腦主機板因高壓電流燒毀。
為避免上述之問題,中華民國第M396531號專利係揭露一種具保護元件的連接器結構改良,該連結器結構係具有一絕緣本體、一設置於絕緣本體內的訊號傳輸模組、以及電性連接於訊號傳輸模組上的一第一保護元件組及一第二保護元件組。該訊號傳輸模組包括一佈設線路的電路板及與該電路板電性連接的一輸入端子組及一輸出端子組。第一保護元件電性連接於
輸入端子組及輸出端子組之間,提供線路對線路之間的保護作用。第二保護元件電性連接於第一保護元件組及地線之間,提供線路對地線之間的保護作用。然而,上述之連接器之第一保護元件的位置系設置於二次側(低壓測)的位置,如高壓突波進入時將會導致一次側線圈因未能由該保護元件妥善將突波能量送至接地端,而導致線圈(即一次側、二次側)因高功率電流產生的高溫燒毀。
本創作之主要目的,在於提供一種將過電壓保護元件整合於訊號隔離變壓器上,組成一同時具備突波保護功能及雜訊處理效果的晶片,以解決習知保護電路佔去過多空間所產生的問題。另一方面,則解決習知技術將過電壓保護元件設置於二次側,而導致一次側電路無法得到有效保護的問題。
為達上述目的,本創作係提供一種整合訊號隔離變壓器與保護元件的封裝晶片,設置於一網路交換器上。該網路交換器包含有一訊號輸入插槽,以及一內部訊號處理單元。該整合訊號隔離變壓器與保護元件的封裝晶片包含有一封裝部,以及一設置於該封裝部之一側藉以乘載內部元件的基板。該封裝部包含有一容置空間,以及至少二設置於該容置空間內的上述隔離變壓器。該隔離變壓器包含有一一次側,以及一二次側。該一次側係包含有一電性連接至該訊號輸入插槽的輸入埠以及一一次側中央抽頭埠。該二次側包含有一電性連接至該內部訊號
處理單元的輸出埠以及一二次側中央抽頭埠。該基板係組設於該封裝部上之容置空間開口的一側,並具有一對應該隔離變壓器設置的承載面,該承載面上包含有至少一分別並接於該輸出埠並於該輸出埠之電壓高於第一電壓額定值時由高阻抗降低為低阻抗的第一過電壓保護元件,至少一分別串接於該一次側中央抽頭埠並於該一次側中央抽頭埠電壓高於第二電壓額定值時由高阻抗降低為低阻抗的第二過電壓保護元件,以及一設置於該基板上並供該第二過電壓保護元件一端電性連接的接地線路。
進一步地,該一次側包含有二分別串聯於該輸入埠及該一次側中央抽頭埠並相互對應的雜訊抑制線圈。
進一步地,該二次側包含有二分別串聯於該輸出埠及該二次側中央抽頭埠並相互對應的雜訊抑制線圈。
進一步地,該整合訊號隔離變壓器與保護元件的封裝晶片包含有一電性連接於二該一次側中央抽頭埠以擷取該輸入埠直流電源供網路交換器使用的橋式整流器。
進一步地,該一次側及該二次側係相互成對分設於該容置空間內的兩側。
進一步地,該接地線路包含有一沿該承載面兩端方向延伸的第一導引線路,以及至少一電性連接該第一導引線路並沿該基板上朝一次側方向延伸的第二導引線路。
進一步地,該封裝部包含有至少二分別電性連接該接地線
路的接地腳位。
進一步地,該封裝部包含有複數個分別電性連接至該輸入埠、該輸出埠、該一次側中央抽頭埠以及該二次側中央抽頭埠的連接腳位。
進一步地,該封裝部包含有複數個分別由該連接腳位延伸並與該連接腳位電性相連的電性接點,該基板包含有複數個分別可供該電性接點插設以供電焊連接的電性接設部。
進一步地,該第一過電壓保護元件係為暫態電壓抑制器。
進一步地,該第二過電壓保護元件係為氣體放電管。
本創作之另一目的在於提供一種整合訊號隔離變壓器與保護元件的封裝晶片,設置於一網路交換器上。該網路交換器包含有一訊號輸入插槽,以及一內部訊號處理單元。該整合訊號隔離變壓器與保護元件的封裝晶片包含有一封裝部,以及一設置於該封裝部之內部藉以乘載內部元件的基板。該封裝部包含有一容置空間,以及至少二設置於該容置空間內的上述隔離變壓器。該隔離變壓器包含有一一次側,以及一二次側。該一次側係包含有一電性連接至該訊號輸入插槽的輸入埠以及一一次側中央抽頭埠。該二次側包含有一電性連接至該內部訊號處理單元的輸出埠以及一二次側中央抽頭埠。該基板係組設於該封裝部上之容置空間內,並具有一設置於該基板上相對該隔離變壓器一側的承載面,該承載面上包含有至少一分別並接於該輸出埠並於該輸出埠之電壓高於第一電壓額定值時由高阻
抗降低為低阻抗的第一過電壓保護元件,至少一分別串接於該一次側中央抽頭埠並於該一次側中央抽頭埠之電壓高於第二電壓額定值時由高阻抗降低為低阻抗的第二過電壓保護元件,以及一設置於該基板上並供該第二過電壓保護元件一端電性連接的接地線路。
進一步地,該一次側包含有二分別串聯於該輸入埠及該一次側中央抽頭埠並相互對應的雜訊抑制線圈。
進一步地,該二次側包含有二分別串聯於該輸出埠及該二次側中央抽頭埠並相互對應的雜訊抑制線圈。
進一步地,該封裝部係包含有一下封裝件,以及一組設於該下封裝件上的上封裝件,該基板係設置於該上封裝件及該下封裝件之間以將該容置空間區隔為一第一設置區域及一第二設置區域。
進一步地,該第一設置區域係供該隔離變壓器設置,該第二設置區域係供該第一過電壓保護元件及該第二過電壓保護元件設置。
進一步地,該下封裝件包含有複數個分別電性連接至該輸入埠、該輸出埠、該一次側中央抽頭埠以及該二次側中央抽頭埠的連接腳位。
進一步地,該下封裝件包含有複數個分別由該連接腳位延伸並與該連接腳位電性相連的電性接點,該基板包含有複數個分別可供該電性接點插設以供電焊連接的電性接設部。
進一步地,該封裝晶片更進一步結合有一電性連接於二該一次側中央抽頭埠以擷取該輸入埠直流電源供網路交換器使用的橋式整流器。
進一步地,該一次側及該二次側係相互成對分設於該容置空間內的兩側。
進一步地,該接地線路包含有一沿該基板兩端方向延伸的第一導引線路,以及至少一電性連接該第一導引線路並沿該基板上朝一次側方向延伸的第二導引線路。
進一步地,該封裝部包含有至少二分別電性連接該接地線路的接地腳位。
進一步地,該第一過電壓保護元件係為暫態電壓抑制器。
進一步地,該第二過電壓保護元件係為氣體放電管。
因此,本創作係可藉由整合隔離變壓器與過電壓保護元件於一單晶片上,縮小產品所需佔去之空間,且藉由模組化的方式將保護元件整合於隔離變壓器,使氣體放電管及暫態電壓抑制器得以分裝於一次側(高壓測)及二次側(低壓測),以避免一次側及二次側受到突波電壓的破壞。此外,藉由設置於基板上的接地線路,使本創作的單晶片係具備可供線路裝配員使用的接地腳位,藉以減少裝配員尚需額外尋找可用接地線路的麻煩。
有關本創作之詳細說明及技術內容,現就配合圖式說明如
下:請參閱『圖1』,係本創作之使用狀態示意圖,如圖所示:本創作係為一種整合訊號隔離變壓器與保護元件的封裝晶片10,該封裝晶片10係裝設於一網路交換器100上。其中該網路交換器100係至少包含有一訊號輸入插槽20,以及一內部訊號處理單元30,其中該訊號輸入插槽20係可配合主流型的RJ-45的訊號傳輸線作搭配。本創作之封裝晶片10則係設置於該訊號輸入插槽20之後端,用以藉由該訊號輸入插槽20收發數位訊號,並藉以達到消除雜訊、防治突波燒毀內部線路的效果,並將經雜訊處理過後的訊號輸送至內部訊號處理單元30,藉以提供內部訊號處理單元30為後續數據分析的處理。
有關於本創作封裝晶片第一實施態樣的詳細結構及封裝技術,請合併參閱『圖2』及『圖3』,係本創作封裝晶片之部分結構分解示意圖,如圖所示:本創作之封裝晶片10係包含有一封裝部11,以及一設置於該封裝部11一側藉以乘載內部元件的基板12。該封裝部11包含有一容置空間14,於該容置空間14內係設置有四隔離變壓器13,該隔離變壓器13係以膠合的方式組合於該封裝部11上。有關於隔離變壓器13數量的設置係可依照訊號傳輸架構的不同而有不同數量之配置,如100Based-T的架構僅需設置二隔離變壓器13即可,於本實施中係針對1000Based-T及10G Based-T的架構作設置,並可向下相容10/100Based-T的傳輸架構,然而有關於傳輸架構僅為
本創作可供選擇的一種實施態樣,並不因此侷限本創作所欲請求之技術構思。其中,以1000based-T型態的隔離變壓器13為例,該四組隔離變壓器13係可搭配兩組訊號收發部(未圖示)使用,其中每一組訊號收發部包含有一數據傳送線路及數據接收線路所構成,該數據傳送線路及該數據接收線路係分別與一隔離變壓器13作搭配。以數據接收線路為例,該隔離變壓器13各分別包含有一一次側131以及一耦接於該一次側131的二次側132。該一次側131包含有一電性連接至該訊號輸入插槽20的輸入埠133,以及一擷取輸入埠133直流訊號的一次側中央抽頭埠134。該二次側132則包含有一接收經雜訊處理過後的輸入埠133訊號以將該輸入埠133訊號傳遞至該訊號處理單元的輸出埠135,以及一二次側132中央抽頭埠136。為消除訊號雜訊,於本實施態樣中該一次側131係包含有二分別串聯於該輸入埠133及該一次側中央抽頭埠134並相互對應的雜訊抑制線圈137(如圖4所示),藉以抑制其共模雜訊。其中,該二雜訊抑制線圈137亦可設置於該二次側132的位置,並分別串聯於該輸出埠135及該二次側中央抽頭埠136。
該基板12係組設於該封裝部11上容置空間14開口的一側,並於對應該容置空間14的方向設有一承載面15。為便於本創作之封裝晶片10與電路板(未圖示)之整合,該封裝部11係包含有二十四個分別電性連接至該輸入埠133、該輸出埠135、該一次側中央抽頭埠134以及該二次側中央抽頭埠136
的連接腳位19,並於該基板12上對應該容置空間14開口的周側係設置有複數個分別由該連接腳位19延伸並與該連接腳位19電性相連的電性接點191,以對應於複數個設置於基板12上的電性接設部122,使該電性接點191得插設於該電性接設部122上,藉以令該基板12與該封裝部11得以緊密的結合。
該基板12上係設置有至少一分別藉由該電性接設部122及該電性接點191並接於該輸出埠135的第一過電壓保護元件16,至少一分別藉由該電性接設部122及該電性接點191串接於該一次側中央抽頭埠134的第二過電壓保護元件17。該第一過電壓保護元件16由於係設置於一次側131(高壓側),係可設置對於突波電壓耐受程度較高之氣體放電管(GDT),該第二過電壓保護元件17由於係設置於該二次側132,可設置反應速度較快的暫態電壓抑制器(Transient Voltage Suppressor,TVS)以便於保護該網路交換器100之內部元件。其中該第一過電壓保護元件16及該第二過電壓保護元件17係同齊納二極體具備相類似之特性,於電壓高過一電壓額定值時形成崩潰電流。當突波電壓進入時,該氣體放電管及該暫態電壓抑制器即能旋即感應到突波電壓,並藉由其特性由高阻抗轉變為低阻抗,藉以形成短路以釋放能量。
為避免線路配置員於組裝本創作封裝晶片10時需另外組設接地線路121的麻煩,並藉由整合接地線路121的方式減少未來於裝配電路板上尚需配置接地線佔去電路板空間的問
題,本創作係於該基板12之承載面15上係設置有一接地線路121,該一次側131及該二次側132係相互成對分設於該容置空間14內的兩側,該接地線路121則包含有一沿該承載面15兩端方向延伸的第一導引線路123,以及至少一電性連接該第一導引線路123並沿該基板上朝一次側131方向延伸的第二導引線路124,藉以隔離一次側131(高壓側)以及二次側132(低壓側)。該兩第二導引線路124係與二分別設於該封裝部11上靠近該一次側131方向一側的接地腳位18電性相連,該接地線路121並供該第二過電壓保護元件17之一端電性連接,線路配置員係可藉由該接地腳位18將該接地線路121電性連接至外側機殼(未圖示)。當突波電壓由訊號輸入插槽20進來時,該第二過電壓保護元件17係呈短路的狀態,此時能量係可經由該第二過電壓保護元件17引導至該接地線路121,並經由該接地線路121引導至外側機殼(未圖示)以獲得能量的釋放。在此須提起的是,此接地線路121延伸之方向,係為本創作之一較佳實施例,並不限制本創作之範圍。換言之,有關於腳位配設之位置,亦可配合製程之需求而有不同之配置,並非用以限制本創作,在此先予以敘明。
為搭配POE(Power over ethernet)的網路架構設置,本創作之封裝晶片10係於該基板12上包含有二分別並接於二該一次側中央抽頭埠134及該第二過電壓保護元件17保護元件間的電源輸出埠135。該網路交換器100則包含有一可供應該
網路交換器100其內部所有單元電力之橋式整流器(未圖示),可藉由一次側中央抽頭埠134擷取二輸入埠133之直流訊號,並藉由該橋式整流器減少雜訊並適當調配該直流訊號之正、負端以供該網路交換器100內部單元配置。
有關於本創作之電路運作方式,請參閱『圖4』,係本創作之電路示意圖,如圖所示:當雷擊突波落至外部電纜(未圖示)傳輸至該訊號輸入插槽20,並於該一次側中央抽頭埠134之電壓高於第二電壓額定值時,並接於該一次側131的氣體放電管(第二過電壓保護元件17)即會因該突波的高壓產生擊穿電弧,而使得該氣體放電管的阻抗遠小於一次側131的阻抗,此時大部分的突波能量將會經由該氣體放電管引導至接地線路121而將能量向外釋放。同時,為避免該氣體放電管未能即時釋放雷擊所進來的高壓突波,而致使該二次側132後端的電路燒毀,當該二次側132輸出埠135之電壓高於第一電壓額定值時,並接於該輸出埠135之暫態電壓抑制器(第一過電壓保護元件16)係因該突波高壓擊穿形成逆向崩潰電流,此時該暫態電壓抑制器之阻抗係遠小於網路交換器100內部電路之阻抗,使該暫態電壓抑制器與該二次側132間形成一封閉迴路,藉以避免雷擊突波流進網路交換器100之內部電路。有關本創作之第一電壓額定值及第二電壓額定值之範圍,係配合業界所制定之安規標準而設置,在此並不用以限制本案之範圍。
請參閱本創作『圖5』及『圖6』所示,係本創作第二實
施態樣之結構分解示意圖,如圖所示:本實施態樣與第一實施態樣之差別在於基板12位置的設置及承載面15設置的方向,為區隔該隔離變壓器13與該第一過電壓保護元件16及第二過電壓保護元件17,該封裝部係可分為一下封裝件111a以及一組設於該下封裝件111a上的上封裝件111b,該基板12係設置於該封裝部之容置空間內,該承載面15則相對該隔離變壓器13設置,藉以將該容置空間分隔為第一設置區域141a以及一第二設置區域141b。該第一設置區域141a係設置該隔離變壓器13,該第二設置區域141b係設置該第一過電壓保護元件16以及該第二過電壓保護元件17。此外由於線路係蝕刻於該基板12a上相應於該第一過電壓保護元件16及第二過電壓保護元件17的一側,可避免該隔離變壓器13接觸該第一過電壓保護元件16及第二過電壓保護元件17或其線路,藉以穩定訊號、降低電磁干擾EMI,並增加電路的安全性。其中複數個連接腳位19a係設置於該下封裝件111a上,並於該複數個連接腳位19a分別延伸有電性接點191a,供該基板12上之電性接設部122a插設並形成電連結。
綜上所述,本創作係可藉由整合隔離變壓器與過電壓保護元件於一單晶片上,縮小產品所需佔去之空間,且藉由模組化的方式將保護元件整合於隔離變壓器,使氣體放電管及暫態電壓抑制器得以分裝於一次側(高壓測)及二次側(低壓測),以避免一次側及二次側受到破壞。此外,藉由設置於基板上的接地
線路,使本創作的單晶片係具備可供線路裝配員使用的接地腳位,藉以減少裝配員尚需額外尋找可用接地線路的麻煩。
以上已將本創作做一詳細說明,惟以上所述者,僅為本創作之一較佳實施例而已,當不能以此限定本創作實施之範圍,即凡依本創作申請專利範圍所作之均等變化與修飾,皆應仍屬本創作之專利涵蓋範圍內。
100‧‧‧網路交換器
10、10a‧‧‧封裝晶片
11‧‧‧封裝部
111a‧‧‧下封裝件
111b‧‧‧上封裝件
12、12a‧‧‧基板
121‧‧‧接地線路
122、122a‧‧‧電性接設部
123‧‧‧第一導引線路
124‧‧‧第二導引線路
13‧‧‧隔離變壓器
131‧‧‧一次側
132‧‧‧二次側
133‧‧‧輸入埠
134‧‧‧一次側中央抽頭埠
135‧‧‧輸出埠
136‧‧‧二次側中央抽頭埠
137‧‧‧雜訊抑制線圈
14‧‧‧容置空間
141a‧‧‧第一設置區域
141b‧‧‧第二設置區域
15‧‧‧承載面
16‧‧‧第一過電壓保護元件
17‧‧‧第二過電壓保護元件
18‧‧‧接地腳位
19、19a‧‧‧連接腳位
191、191a‧‧‧電性接點
20‧‧‧訊號輸入插槽
30‧‧‧內部訊號處理單元
圖1,係本創作第一實施態樣之使用狀態示意圖。
圖2及圖3,係本創作第一實施態樣之部分結構分解示意圖。
圖4,係本創作第一實施態樣之電路示意圖。
圖5,係本創作第二實施態樣之結構分解示意圖。
圖6,係本創作第二實施態樣之剖面示意圖。
10‧‧‧封裝晶片
11‧‧‧封裝部
12‧‧‧基板
121‧‧‧接地線路
122‧‧‧電性接設部
123‧‧‧第一導引線路
124‧‧‧第二導引線路
15‧‧‧承載面
16‧‧‧第一過電壓保護元件
17‧‧‧第二過電壓保護元件
18‧‧‧接地腳位
19‧‧‧連接腳位
Claims (24)
- 一種整合訊號隔離變壓器與保護元件的封裝晶片,係設置於一網路交換器上,該網路交換器包含有一訊號輸入插槽,以及一內部訊號處理單元,該整合訊號隔離變壓器與保護元件的封裝晶片包含有:一封裝部,包含有一容置空間,以及至少二設置於該容置空間內的上述隔離變壓器,該隔離變壓器包含有一一次側,以及一二次側,該一次側係包含有一電性連接至該訊號輸入插槽的輸入埠以及一一次側中央抽頭埠,該二次側包含有一電性連接至該內部訊號處理單元的輸出埠以及一二次側中央抽頭埠;以及一基板,係組設於該封裝部上之容置空間開口的一側,該基板係具有一對應該隔離變壓器設置的承載面,該承載面上包含有至少一分別並接於該輸出埠並於該輸出埠之電壓高於第一電壓額定值時由高阻抗降低為低阻抗的第一過電壓保護元件及/或至少一分別串接於該一次側中央抽頭埠並於該一次側中央抽頭埠之電壓高於第二電壓額定值時由高阻抗降低為低阻抗的第二過電壓保護元件,以及一設置於該基板上並供該第二過電壓保護元件一端電性連接的接地線路。
- 如申請專利範圍第1項所述之整合訊號隔離變壓器與保護元件的封裝晶片,其中該一次側包含有二分別串聯於該輸入埠及該一次側中央抽頭埠並相互對應的雜訊抑制線圈。
- 如申請專利範圍第1項所述之整合訊號隔離變壓器與保護元件的封裝晶片,其中該二次側包含有二分別串聯於該輸 出埠及該二次側中央抽頭埠並相互對應的雜訊抑制線圈。
- 如申請專利範圍第1項所述之整合訊號隔離變壓器與保護元件的封裝晶片,更進一步包含有一電性連接於二該一次側中央抽頭埠以擷取該輸入埠直流電源供網路交換器使用的橋式整流器。
- 如申請專利範圍第1項所述之整合訊號隔離變壓器與保護元件的封裝晶片,其中該一次側及該二次側係相互成對分設於該容置空間內的兩側。
- 如申請專利範圍第5項所述之整合訊號隔離變壓器與保護元件的封裝晶片,其中該接地線路包含有一沿該承載面兩端方向延伸的第一導引線路,以及至少一電性連接該第一導引線路並沿該基板上朝一次側方向延伸的第二導引線路。
- 如申請專利範圍第1項所述之整合訊號隔離變壓器與保護元件的封裝晶片,其中該封裝部包含有至少二分別電性連接該接地線路的接地腳位。
- 如申請專利範圍第1項所述之整合訊號隔離變壓器與保護元件的封裝晶片,其中該封裝部包含有複數個分別電性連接至該輸入埠、該輸出埠、該一次側中央抽頭埠以及該二次側中央抽頭埠的連接腳位。
- 如申請專利範圍第8項所述之整合訊號隔離變壓器與保護元件的封裝晶片,其中該封裝部包含有複數個分別由該連接腳位延伸並與該連接腳位電性相連的電性接點,該基板包含有複數個分別可供該電性接點插設以供電焊連接的電性接設部。
- 如申請專利範圍第1項所述之整合訊號隔離變壓器與保 護元件的封裝晶片,其中該第一過電壓保護元件係為暫態電壓抑制器。
- 如申請專利範圍第1項所述之整合訊號隔離變壓器與保護元件的封裝晶片,其中該第二過電壓保護元件係為氣體放電管。
- 一種整合訊號隔離變壓器與保護元件的封裝晶片,係設置於一網路交換器上,該網路交換器包含有一訊號輸入插槽,以及一內部訊號處理單元,該整合訊號隔離變壓器與保護元件的封裝晶片包含有:一封裝部,包含有一容置空間,以及至少二設置於該容置空間內的上述隔離變壓器,該隔離變壓器包含有一一次側,以及一二次側,該一次側係包含有一電性連接至該訊號輸入插槽的輸入埠以及一一次側中央抽頭埠,該二次側包含有一電性連接至該內部訊號處理單元的輸出埠以及一二次側中央抽頭埠;以及一基板,係組設於該封裝部上之容置空間內,該基板具有一設置於該基板上相對該隔離變壓器一側的承載面,該承載面上包含有至少一分別並接於該輸出埠並於該輸出埠之電壓高於第一電壓額定值時由高阻抗降低為低阻抗的第一過電壓保護元件及/或至少一分別串接於該一次側中央抽頭埠並於該一次側中央抽頭埠之電壓高於第二電壓額定值時由高阻抗降低為低阻抗的第二過電壓保護元件,以及一設置於該基板上並供該第二過電壓保護元件一端電性連接的接地線路。
- 如申請專利範圍第12項所述之整合訊號隔離變壓器與 保護元件的封裝晶片,其中該一次側包含有二分別串聯於該輸入埠及該一次側中央抽頭埠並相互對應的雜訊抑制線圈。
- 如申請專利範圍第12項所述之整合訊號隔離變壓器與保護元件的封裝晶片,其中該二次側包含有二分別串聯於該輸出埠及該二次側中央抽頭埠並相互對應的雜訊抑制線圈。
- 如申請專利範圍第12項所述之整合訊號隔離變壓器與保護元件的封裝晶片,其中該封裝部係包含有一下封裝件,以及一組設於該下封裝件上的上封裝件,該基板係設置於該上封裝件及該下封裝件之間以將該容置空間區隔為一第一設置區域及一第二設置區域。
- 如申請專利範圍第15項所述之整合訊號隔離變壓器與保護元件的封裝晶片,其中該第一設置區域係供該隔離變壓器設置,該第二設置區域係供該第一過電壓保護元件及該第二過電壓保護元件設置。
- 如申請專利範圍第15項所述之整合訊號隔離變壓器與保護元件的封裝晶片,其中該下封裝件包含有複數個分別電性連接至該輸入埠、該輸出埠、該一次側中央抽頭埠以及該二次側中央抽頭埠的連接腳位。
- 如申請專利範圍第17項所述之整合訊號隔離變壓器與保護元件的封裝晶片,其中該下封裝件包含有複數個分別由該連接腳位延伸並與該連接腳位電性相連的電性接點,該基板包含有複數個分別可供該電性接點插設以供電焊連接的電性接設部。
- 如申請專利範圍第12項所述之整合訊號隔離變壓器與保護元件的封裝晶片,更進一步結合有一電性連接於二該一次側中央抽頭埠以擷取該輸入埠直流電源供網路交換器使用的橋式整流器。
- 如申請專利範圍第12項所述之整合訊號隔離變壓器與保護元件的封裝晶片,其中該一次側及該二次側係相互成對分設於該容置空間內的兩側。
- 如申請專利範圍第20項所述之整合訊號隔離變壓器與保護元件的封裝晶片,其中該接地線路包含有一沿該基板兩端方向延伸的第一導引線路,以及至少一電性連接該第一導引線路並沿該基板上朝一次側方向延伸的第二導引線路。
- 如申請專利範圍第21項所述之整合訊號隔離變壓器與保護元件的封裝晶片,其中該封裝部包含有至少二分別電性連接該接地線路的接地腳位。
- 如申請專利範圍第12項所述之整合訊號隔離變壓器與保護元件的封裝晶片,其中該第一過電壓保護元件係為暫態電壓抑制器。
- 如申請專利範圍第12項所述之整合訊號隔離變壓器與保護元件的封裝晶片,其中該第二過電壓保護元件係為氣體放電管。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW101214193U TWM451660U (zh) | 2012-07-23 | 2012-07-23 | 整合訊號隔離變壓器與保護元件的封裝晶片 |
US13/943,267 US20140022682A1 (en) | 2012-07-23 | 2013-07-16 | Packaged chip integrated with a signal isolation transformer and a protective component |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW101214193U TWM451660U (zh) | 2012-07-23 | 2012-07-23 | 整合訊號隔離變壓器與保護元件的封裝晶片 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TWM451660U true TWM451660U (zh) | 2013-04-21 |
Family
ID=48801958
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW101214193U TWM451660U (zh) | 2012-07-23 | 2012-07-23 | 整合訊號隔離變壓器與保護元件的封裝晶片 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20140022682A1 (zh) |
TW (1) | TWM451660U (zh) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109473259A (zh) * | 2018-11-26 | 2019-03-15 | 深圳顺络电子股份有限公司 | 一种贴片式网络变压器及其制造方法 |
TWI835150B (zh) * | 2022-05-30 | 2024-03-11 | 潘聯芳 | 電感式網路變壓器之製作設備及方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6646546B1 (en) * | 2002-03-05 | 2003-11-11 | Omninet Capital, Llc | Multiple-port gigabit ethernet distribution switch |
US20070263332A1 (en) * | 2006-05-11 | 2007-11-15 | Silicon Laboratories, Inc. | System and method for high voltage protection of powered devices |
JP4159593B2 (ja) * | 2006-06-28 | 2008-10-01 | 原田工業株式会社 | 回路基板内蔵コネクタ及びキャッチャ |
TWM396531U (en) * | 2010-08-16 | 2011-01-11 | Tuton Technology Co Ltd | Improved connector structure with protection device |
-
2012
- 2012-07-23 TW TW101214193U patent/TWM451660U/zh not_active IP Right Cessation
-
2013
- 2013-07-16 US US13/943,267 patent/US20140022682A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20140022682A1 (en) | 2014-01-23 |
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