TWM412450U - Ceramic Glass composite electrode and Fluorescent - Google Patents

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TWM412450U
TWM412450U TW100203063U TW100203063U TWM412450U TW M412450 U TWM412450 U TW M412450U TW 100203063 U TW100203063 U TW 100203063U TW 100203063 U TW100203063 U TW 100203063U TW M412450 U TWM412450 U TW M412450U
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glass composite
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ceramic glass
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Wen-Fei Lin
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Santoma Ltd
Wen-Fei Lin
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Description

M412450 100年07月15日按正替换頁 五、 [0001] [0002] 新型說明: 【新型所屬之技術領域】 本創作係有關於一種電極與螢光燈,尤其是指一種 陶瓷玻璃合成電極及其螢光燈,其可防止接著劑進入螢 光燈之玻璃管中,以延長螢光燈之使用壽命。 【先前技術】 請參閱第一圖,其係TFT-LCD之背光模組的傳統冷 陰極螢光燈的剖視圖。該螢光燈100包含一玻璃管120, 其含有一對***於玻璃管120之兩末端的杯狀金屬電極 110,兩導入接線130分別連接於兩金屬電極110之末端 。當製造該螢光燈100時,即使將該螢光燈100淨空至一 真空水準,其内仍會出現因宇宙射線而自然出現的主要 電子。在該螢光燈100之製造程序中,在淨空之後,接續 按一50 torr以上之壓力對該螢光燈100填充一氖氬氣體 (Ne-Ar) 150。當高電壓之交流電施加於位在該螢光燈 100之兩末端的金屬電極110時,該主要電子會被電場所 加速,從而將該氖氬氣體150離子化。當此一離子化繼續 進行時,就會構成火花電漿,而其中陽離子160及負性電 子140共同存在。陽離子160及電子140碰撞於兩金屬電 極110,並因此中性化。在此情況下,會因碰撞而自兩金 屬電極110產生次級電子,從而能夠連續放電。如此,產 生次級電子為實現連續光發射方面之重要因素。若有助 於次級電子發射,則即可維持高亮度。 當電子140碰撞於中性的汞原子170時,可將汞原子 170激發。當激發之汞原子170回返至接地狀態時,可發 表單編號A0101 第3頁/共34頁 1100¾ Q7月 15 日接正 射出UV光180 » UV光180會入射至塗佈於玻璃管120之内 部邊壁上的磷質190,並因此轉換成可見光181。據此, 電子140或陽離子丨6〇撞擊於金屬電極11〇,而在金屬電 極110處產生濺射。經由濺射而散射之金屬電極元件會被 接附於汞原子170,如此構成一複合物。當此複合物被沉 積在金屬電極11〇附近時就會出現暗化現象,而這會造成 榮光燈100壽命縮短情況。所以,壽命縮短對於螢光燈 100而言是一項重大問題。 為克服此一問題,現今已提出幾種方式解決。(1)一 種根據填载至該螢光燈1〇〇内之氖氬氣體150的激發及離 子化’利用彭寧效應以降低放電初始電壓的方法,如此 可減少撞擊該等金屬電極11〇之電子14〇或陽離子丨6〇的 脈衝,藉以消弱濺射的產生;以及(2)一種藉由將氣體壓 力降至儘可能地低微,以減少放電初始電壓的方法。然 而,當放電初始電壓低微時,撞擊於金屬電極11()之陽離 子160或電子14〇的動能會減少,而降低次級電子自金屬 電極110的發射,如此導致螢光燈議之亮度減弱。 為克服此項問題,現有進-步提出另-種方式,其 選擇性採用低作錄的㈣製作為該金屬 電極110,如 此以有助於金屬電極110供應電子。然而,此方式會提高 製造成本’因為此種材料的價格昂貴0此外此方式還 必須使用昂貴的卿玻璃作為該朗管12Q的材料,藉此 調整該玻射12Q及該導人接線鮮彡脹係數。而勞 光燈m具有低電阻,因此其電阻成分會明顯性地高,使 得-個變壓器僅可驅動-個勞光燈刚,而造成總製造成 本的增加。此外’由於玻璃管12G的直徑增大如此亮度 表單編號A0101 第4頁/共34頁 M412450 100年07月15日修正替換頁 大幅地減低,且該螢光燈100之機械強固性較弱。因此, 上述螢光燈100並不易於運用於需要具大型直徑之螢光燈 (管直徑:4 mm以上)作為一背光的大尺寸電視。 為解決該項問題,現已開發出具一外部電極之螢光 燈,如第二圖所示,玻璃管210之兩末端的外部表面分別 設置有一導體層221,或分別套入於一金屬覆帽220並接 觸金屬覆帽220。第二圖的具有外部電極的螢光燈200裡 ,磷質係塗佈於玻璃管210的内部表面上,而其兩者末端 則經嵌封。玻璃管210之内部空間被填入含有帶電氣體之 混合物,其包含像是氬(Ar)或氖(Ne)的惰性氣體以及汞 (Hg)氣體。導體層221具有各式形狀,且設置於該玻璃管 210之兩者末端的外部表面處,其可為銀質或碳質,此外 玻璃管210的兩末端並分別設置有金屬覆帽220。 當高電壓交流電(AC)施加於該導體層221時,接觸 於金屬覆帽220的玻璃管210之兩末端即扮演一介電材料 的角色,以產生一強烈的感應電場。更詳細地說,當施 加於金屬覆帽220之電壓的極性為正時,電子累積於接觸 該導體層221的玻璃管210内。另一方面,當電壓的極性 為負時,即累積陽離子於接觸該導體層221的玻璃管210 内。由於該交流電之電場連續極性轉換,所以累積於玻 璃管210之兩末端的邊壁電荷會在玻璃管210之相對兩末 端間互換。從而,當邊壁電荷撞擊到連同於惰性氣體一 起供應之汞氣體時,即會激發汞原子。然後,在此激發 過程中所產生的UV光可激發塗佈於該玻璃管210之内部邊 壁上的磷質,藉此發射可見光。 傳統具外部電極之螢光燈200,由於該玻璃管210之 表單編號A0101 第5頁/共34頁 100年07月15曰 兩末端處的區域是作為介電材料並設置該導體層221 ’所 以末端區域會被放大,因此會增加邊壁電荷的規模’從 而提高螢光燈200的亮度。不過’該導體層221在縱方向 上延伸會有所限制,如此在該導體層221縱方向上延伸處 ,輻射出之光線會減少,因而減低發光效率。 基於上述缺點,中華民國專利申請案公開第 200842928號“具有陶瓷玻璃合成電極之螢光燈”,其 揭露一種陶瓷玻璃合成電極,此陶瓷玻璃合成電極為陶 瓷與玻璃之合成物,其具有較高的介電常數、較高的次 級電子發射效率,並且在相同的電場下具有較高的極性 ,因此可移動更多的電子及陽離子而提高螢光燈之亮度 。如第三圖所示,該陶瓷玻璃合成電極300呈中空圓·柱形 ,以設置於玻璃管的兩末端,該陶瓷玻璃合成電極300具 有兩個内徑310與313,此兩内徑310與313並不相同,内 徑310小於内徑313,所以陶瓷玻璃合成電極300之内部 呈步階狀,内徑313略大於玻璃管之外徑,以讓陶瓷玻璃 合成電極300可套設於玻璃管之末端,而内徑310則小於 玻璃管之外徑。 陶瓷玻璃合成電極300套設於玻璃管之前,玻璃管之 末端的外表面必須先塗佈接著劑,接著再將陶瓷玻璃合 成電極300套設於玻璃管之末端,以固定陶瓷玻璃合成電 極300於玻璃管之末端。但,塗佈接著劑於玻璃管之外表 面的劑量不易控制,所以容易塗佈過多或過少之接著劑 於玻璃管之外表面,若接著劑過少則無法確實固定陶瓷 玻璃合成電極300於玻璃管之末端;若接著劑過多則會溢 入玻璃管中,如此即會汙染玻璃管内之混合氣體,而影 表單編號A0101 第6頁/共34頁 100年07月15日梭正替換頁 M412.450 響到螢光燈之發光效率與使用壽命。此外,由於陶瓷玻 璃合成電極300之内徑並不相同,所以於製作上具有一定 難度’如此即提高製程之複雜度與成本》因此,如何不 讓接著劑於陶瓷玻璃合成電極300套設於玻璃管之末端時 流入玻鴇管中為現今的一大重要課題。 因此,本創作即在針對上述問題而提出一種陶瓷玻 璃合成電極及其螢光燈,不僅可改善上述習用缺點,又 可增加螢光燈之使用壽命,以解決上述問題。 【新型内容】 [0003] 本創作之目的之一’在於提供一種陶瓷玻璃合成電 極’其為中空圓枉且内徑相同,所以其結構簡單以達便 於製作與降低成本之目的。 本創作之目的之一,在於提供一種具陶瓷玻璃合成 電極之螢光燈,其玻璃管之末端具有阻擋件,以在陶究 玻璃合成電極套設於玻璃管之末端時,抵住陶究玻璃合 成電極而限制陶瓷玻璃合成電極位於玻璃管之位置,且 防止接著劑黏接玻璃管與陶瓷玻璃合成電極時流入玻璃 管中’而影響螢光燈之使用壽命。 本創作之具陶瓷玻璃合成電極之螢光燈包含一玻璃 管、至少一阻擋件與複數陶瓷玻璃合成電極,阻擋件設 置於玻璃管之至少一末端,該些陶瓷破璃合成電極分別 設置於玻璃管之兩末端,且抵於玻璃管之阻擋件,以限 制陶資玻璃合成電極位於玻璃管之位置,且避免接著劑 流入玻璃管中,如此即可提高螢光燈之使用壽命。本發 明之陶瓷玻璃合成電極為一圓柱並為一陶瓷玻璃合成物 ,該圓柱僅具有一内徑,所以其結構簡單而便於製作生 表單编號Α0101 第7頁/共34頁 100年07月15.日修正替&amp;頁 產,且可降低製作成本。 【實施方式】 [0004] 兹為使貴審查委員對本創作之技術特徵及所達成 之功效更有進一步之瞭解與認識,謹佐以較佳之實施例 圖及配合詳細之說明,說明如後: 請參閱第四A圖與第四b圖,其係本創作具陶瓷玻璃 合成電極之螢光燈之第一實施例的剖視圖》如圊所示, 本創作之螢光燈400包含一玻璃管412 '複數嵌封組件 420、複數電極430。該玻璃管412具有一内部空間用以 填入一惰性氣體及一金屬蒸氣的混合物(圖未示)。此 外,該玻璃管412之内部表面塗佈有一磷質。該玻璃管 412的形狀可為管形、U形或一長方形。於第四a圖與第四 B圖中,該玻璃管412為管形。該玻璃管412可由硼矽質、 無船玻璃或石英玻璃所構成。此外,本創作之該玻璃管 412的兩末端分別具有一阻擋件414。於本創作之一實施 例中,該些阻擋件414為凸出物且呈環狀。 該些電極430皆為陶瓷玻璃合成電極,其包含陶瓷玻 璃合成物’而具有高介電常數與高次級電子發射效率等 特性。該些電極430分別套設於該玻璃管412之兩末端, 該些電極430之一末端分別會抵於位在該玻璃管4丨2之兩 末端的兩該阻擋件414。因此,該些阻擋件414是用於限 制該些電極430位於該玻璃管412之位置,即限定該玻璃 營412伸入於該些電極43〇之長度。該些嵌封組件42〇分 別設置於該些電極43〇之另一末端,該些嵌封組件42〇之 末端分別具有一阻擋件423,以用於抵住該些電極430 之末端 表單編號A0101 以限制該些電極430位於該些嵌封組件420之位 第8頁/共34頁 100年07月15日修正替換頁 置’即限定該些嵌封組件420伸入於該些電極430之長度 。於本創作之一實施例中,該些阻擋件423為凸出物且呈 %狀。如第四B圖所示,當完成充入混合物於該玻璃管 412之後,即熱處理該些嵌封組件42〇 ,以封住該些嵌封 組件420原先之開口,而藉由該些嵌封組件420嵌封該些 電極430之開口,以封住該玻璃管412的兩末端。 為了進一步牢固該些電極430於該玻璃管412之兩末 端,在該些電極430分別套設於該玻璃管412之兩末端後 ,塗佈接著劑440於該玻璃管412和該些電極430的接合 處’以固定該些電極430於該玻璃管412之兩末端,且可 避免之後填充於該玻璃管412之氣體外洩,該接著劑440 塗佈於該玻璃管412和該些電極430之外表面。此外,更 塗佈該接著劑440於該些電極430與該些嵌封組件420的 接合處’以牢固該些嵌封組件420於該些電極430,該接 著劑440塗佈於該些電極430與該些嵌封組件42〇之外表 面。該接著劑440的熱膨脹係數介於該玻璃管412及該些 電極430之熱膨脹係數。塗佈該接著劑44〇於該玻璃管 412、該些電極430與該些嵌封組件420時需進行熱處理 ’其溫度不南於該玻璃管412的軟化點》熱處理是在淨空 該玻璃管412與充載混合物至該玻璃管412之前進行。 由於,該電極430之兩末端會分別抵住於該玻璃管 412之該阻播件414與該欲封組件420之該阻擒件423,所 以該接著劑440並不會流入於該電極430與該玻璃管412 内’而不會污染該玻璃管412内部之混合物,因此不會影 響該螢光燈400之使用壽命。此外,本創作之該營光燈 400更包含複數導體層450,其分別設置於該些電極43〇 表單編號Α0101 第9頁/共34頁 100年07月15日接正替為頁 之外部表面。於本創作之一實施例中,該些導體層450之 材料可為銀質或碳質。 請參閱第五A圖及第五B圖,其係本創作之陶瓷玻璃 合成電極之一較佳實施例的上視圖與剖視圖。如圖所示 ’該電極430具有一電極本體435 ’其為陶瓷玻璃合成物 ,且為一圓柱。此外,其為中空而具有容置空間,以設 置於該螢光燈400之該玻璃管412的末端(如第四a圖所示 )。此外,該電極430僅有一内徑,所以該電極43〇之内 部呈一直筒狀,且該電極430之内徑略大於該玻璃管412 之外徑以套設於該玻璃管412之末端。因此,本創作之該 電極430的結構簡單,而便於製作生產進而提高生產效率 與降低生產成本。該電極本體435套設於該玻璃管412之 末端與該嵌封組件420時,該電極本體435之兩末端會抵 於該玻璃管412之該阻擋件414與該嵌封組件420之該阻 擋件423 (如第四A圖所示)。第四a圖所示之該導體層 450即設置於該電極本體435之外表面。本創作之該電極 430的材料可為一磷質陶瓷玻璃合成物,此者的介電常數 具有較優的溫度穩定性,或者可為一在_3(rc或以上處並 無相態轉變點的陶瓷玻璃合成物。該電極43〇係利用陶瓷 玻璃合成物而透過一粉末射出模鑄製程或是一乾性沖壓 製程所構成。 該螢光燈400之該玻璃管412及該些嵌封組件42〇的 所有内部邊壁上,除該些電極430以外,皆塗佈有磷質。 載入至該螢光燈400内的氣體包含氖(Ne)、氬(Ar)以及 汞氣體。若不以汞氣體,則可代換為使用氙氣(Xe)。載 入氣體至該玻璃管412之前,必須先淨空該破璃管412, 表單编號A0101 第10頁/共34頁 M412450 1100年07月15日 淨空方式係將一真空幫浦連接於如第四A圖所示之該玻璃 修正雜5 管412的兩末端’以抽取該玻璃管412内之空氣&lt;»在此之 後,將包含氖、氬及汞的氣體充填入該玻璃管412内。接 著’對該些嵌封組件420進行熱處理,而將該些嵌封組件 420之原先開口封住,以封住該玻璃管412之兩末端。 該些電極430的陶瓷破璃合成物之一較佳實施例包含 一具有高度濺射阻抗性的炫鑄玻璃,例如:一玻璃炫料 。濺射為該螢光燈400之該些電極430的内部局部受損之 現象,這是由於像是氬陽離子之惰性元素、汞離子或電 子對該些電極430的内部邊壁撞擊所造成。於本創作之— 實施例中,該玻璃管412是由具有類似於該陶瓷玻璃合成 物之熱膨脹係數的無鉛玻璃所構成。 請參閱第六圖,其係本創作具陶瓷玻璃合成電極之 螢光燈之第二較佳實施例的的剖視圖。如圖所示,此實 施例之該螢光燈400的一電極460係呈杯狀,該電極46〇 亦為陶瓷玻璃合成電極,其如同該電極430為圓柱,並且 僅具有一内徑而内部呈直筒狀》該電極460係套設於該破 璃管412的一末端,並抵住於該玻璃管412的該阻擋件 414,該電極460與該玻璃管412之接合處塗佈有該接著 劑440,以固定該電極460於該玻璃管412之末端,並防 止該玻璃管412内之氣體洩漏出,而影響螢光燈400的使 用壽命。此實施例之該電極460呈杯狀,所以即可直接封 住該玻璃管412之一末端,而不需要使用該嵌封組件42〇 根據本創作之一具體實施例,該電極430與460之材 料具有下列組成成分。 表單編號A0101 第11頁/共34頁 M412450
ΙϋΟ年07月15日修正替备頁I 配方1
aa〇-Mgo-sr〇-zr〇rTiG2) +玻璃溶料 A 該配方1之材料具有如下列表i所顯示的組成成分比( 樣本EC1至EC6) ’並且於室溫剛量其介電常數及介電損失 。其結果可如下表1所顯示。 樣本 成分^ 介電 常數 乔電 損失 (%) CaO MgO Sr〇 Ti〇2 EC1 0.65 0.05 6.3 0 97 0.03 323 0.19 EC2 0.65 0.05 0.3 〇〇 0.1 38.2 0.1 EC3 0.65 0.05 0.3 &gt;_0.8 0.2 5L1 0.12 EC4 0.65 0.05 or _2·7 0.3 66.2 0.15 EC5 0.65 0.05 0.3 0.4 84.8 0.12 EC6 0.65 0.05 03~~ 0.5 105.1 0.25 的無鉛玻璃SF-44。由於其熱膨脹係數為95χ1〇_7/κ,因 此實施例之玻魏料添Μ所使㈣是用於玻璃管 此可藉由將0.6 mol BaO及0.4 m〇1 Ca〇增入至i m〇i
Si〇2以調整該熱膨脹係數;或另者,基於該樣本之總量 值而增入0.3~10 wt%的玻璃熔料,此者具有與無鉛玻璃 相同的組成成分,然後再按1,O〇〇°c將該等成分加以合成 。據此,進一步增入有3 wt%的如0及“ 〇。 2 3 可自表1清楚得知,當Ti〇2的量提高時,介電常數就 會增加◊在製造該螢光燈時,將具1〇〇〇 'μ以上的交流 電施加於如該電極所使用之組成成分的陶瓷玻璃合成物 時’熱產生會與該介電損失減少成正比地降低。在此情 況下’該介電損失可藉由增入MnO及Al90q而減少至約 u Ο 0. 1%。此外’為提高該螢光燈根據溫度變化而定的穩定 表單编號A0101 第12頁/共34頁 M412450 100年07月15日修正替换頁 性,該陶瓷玻璃合成物之介電常數應具有高溫穩定性。 個別組成成分的介電常數高溫穩定性可如第七圖所示。 依據第七圖可見到所有的電極組成成分從-30°C到250°C 之溫度範圍裡具有穩定的介電常數變化。從而,可觀察 到當介電常數為低時,溫度穩定性即獲提高。藉此,可 確認本創作之第一實施例的電極組成成分具有高於一般 玻璃的介電常數,且其介電常數展現出較優的溫度穩定 性。 本創作具有陶瓷玻璃合成電極之螢光燈的效能優於 傳統具外部電極之螢光燈。其比較結果如下列表2所示。 此比較結果為比較相同直徑及相同長度的本創作之螢光 燈與傳統螢光燈。利用一Tektronix之高電壓探針及電 流感測器,測量經施加於該螢光燈之兩者末端的電流及 電壓,在此之後利用一BM-7A亮度計以測量亮度。結果可 如下列表2所示。 表2 mm 尺τ! 螢搬 難 輸入功率 (S特) 麵 (cd/m2) 外臟徑*總長度 (mm) nmm (mm) 外部電 歐蛮鑛 8*360 15 2 9 5200 相作之銳 傲利用EC1電 極) 8*360 15 2 16 22000 如表2可知,本創作之螢光燈係利用該EC1電極,此 EC1電極為該第一實施例中具有最低的介電常數的電極, 本創作之螢光燈之長度相同於傳統螢光燈的長度。該傳 統螢光燈的輸入功率為9瓦特,而本創作之螢光燈的輸入 表單編號A0101 第13頁/共34頁 M412450 100年07月15日#正替4頁 功率為16瓦特,因此,提高約1. 7倍。此外,本創作之螢 光燈的亮度較高於該傳統螢光燈的4. 2倍。此外,由於是 利用一個反相器以驅動兩個螢光燈,因此可實現平行驅 動螢光燈。 利用不同個別的陶瓷玻璃合成電極,可決定根據該 介電常數而變的亮度。結果可如下列表3所示。 表3 螢嫌 尺寸 mm WM. 輸入 功率 (MM) 亮度 (cd/m2) 外臟徑*顧度 (mm) (mm) 之螢碰 8*360 15 2 9 5200 棚作之 營遞 EC1 8*360 15 2 16 22000 EC2 22500 EC3 23200 EC4 26000 EC5 27500 EC6 31000 如表3可知,當輸入功率為相同時,亮度會與介電常 數成正比。為更簡易地描述此關係,第八圖顯示亮度與 介電常數之間的關係。 此外,為比較具有第一實施例之電極的螢光燈與傳 統具外部電極之螢光燈的效果,可比較一 32 g4TFT-L C D T V之背光模組的具外部電極的螢光燈的性質與本創 作之螢光燈的性質。結果可如下列表4所示。 表4 表單編號A0101 第14頁/共34頁 M412450 100年07月15日修正替换頁 螢舰 尺寸 狀、1/讲 輸入 功率 (MM) mm (cd/m2) 外徑*總長度 (mm) (mm) 懸 讎具外部驅 之蜜规 4*720 25 2 15 9000 本腑之 mm EC1 4*720 15 2 28 32000 EC2 33200 EC3 36000 EC4 42000 EC5 45200 EC6 52000 如表4可知,本創作之螢光燈之亮度比傳統具外部電 極之螢光燈的亮度高。 如上述,相較於傳統具外部電極之螢光燈,本創作 之具陶瓷玻璃合成電極的螢光燈能夠在平行驅動時達到3 倍或以上的高亮度。 依據本創作之第二實施例,該陶瓷玻璃合成電極具 有下列材料組成成分。 配方2
(Ca0-Mg0-Sr0-Zr09-Ti09) + 玻璃熔料 B
Li u 該配方2之材料具有如下列表5所顯示的組成成分比 ,並且按室溫以測量其介電常數及介電損失。其結果可 如下表5所示。 表5 [0005] 樣本 (mol) 介電常數 傾· (%) CaO MgO SiO Zr〇2 m ECB1 0.65 0.05 0.3 0.97 0.03 25.0 0.12 ECB2 0.65 0.05 0.3 0.9 0.1 28.0 0.1 ECB3 0.65 0.05 0.3 0.8 0.2 41.0 0.12 ECB4 0.65 0.05 0.3 0.7 0.3 54.0 0.15 ECB5 0.65 0.05 0.3 0.6 0.4 65.4 0.12 ECB6 0.65 0.05 0.3 0.5 0.5 88.5 0.13 第15頁/共34頁 表單編號A0101 M412450 100年07.月15日核正替择百 此實施例之玻璃熔料添加物所使用的是用於玻璃管 的硼矽質物。由於其熱膨脹係數為33xlO_7/K,因此增入 於該陶瓷玻璃合成物内以調整熱膨脹係數之玻璃熔料的^ 成分包含75 wt%的Si09、18 ^1;%的390(}、4 wt%的Na90 L L o L· 、2 «^%的1(90以及1 wt%的Al90q。按1100°C將此玻璃 熔料加以合成,然後再依據表5組成成分之總量值依據 0.3~10 wt%的量值加入。此外,可利用MnO及Aljq作為 添加物。該添加物的量值可設定為3 wt%。 · 該陶瓷玻璃合成電極的熱膨脹係數為36~60x10_7/K ,此者可正比於該玻璃添加物量值的增加而漸次地減少 。同時,根據該玻璃熔料成分之類型,此實施例之該介 電常數與配方1者相異。表5顯示當增加5 wt%的玻璃熔料 B時,各個電極組成成分的介電常數及介電損失。如表5 可知,1^〇2的量愈高,介電常數即愈高。在製造該螢光 燈時,將具1 0 0 0 V rm s以上的交流電施加於如本創作之 第二實施例之電極所使用之成分的陶瓷玻璃合成物時, 熱產生可正比於介電損失的減少而降低。如此,可藉由 增加MnO及A190Q而將介電損失減少至約0. 1%'。 L 〇 利用上述組成成分之陶瓷玻璃合成電極而透過如該 第一實施例中之方法所製造出的螢光燈,其效能與傳統 具外部電極之螢光燈加以比較。其結果可如下列表6所示 〇 表6 表單編號A0101 第16頁/共34頁 M412450 100年07月15日按正替換頁 蛋紐 尺 螢耀 賴 輸入 功率 醜 -m. (cd/m2) 外麻徑*總驗 (mm) wmm (mm) 外部電極 之螢舰 3*720 15 2 12 12000 本倉Wte 營舰 ECB1 3*720 15 2 22 41000 ECB2 43200 ECB3 ECB4 46000 51500 ECB5 54300 ECB6 59000 如表6可知,第二實施例之陶瓷玻璃合成電極所構成 的營光燈的亮度為傳統具外部電極之螢光燈之亮度的至 少3倍’並且可實現平行驅動處理。利用硼矽質作為該登 光燈之玻璃管的情況下,可控制該陶瓷玻璃合成物的玻 璃成分以調整熱膨脹係數。如此,利用該玻璃嵌封材料 透過熱處理以嵌封該玻璃管及該螢光燈時,可防止因熱 膨服係數差異而造成失效’並可進一步提高亮度。 為更詳細地了解本創作之螢光燈之亮度提高的原因 ,係對表1之各個組成成分之電極的極性進行測量,極性 會依據施加於電極之電場而定。結果如第九圖所示,第 九圖顯不施加於電極之電場與電極之極性間之關係的磁 滞曲線。藉由第九圖顯示的磁滞曲線可以來決定該磁;帶% 。當磁滯損失增加時,在交流電電場下的熱損失就會揭^ 高。所以可在磁滯損失較低時實現穩定的駆動處理。本 創作利用下列等式決定該磁滯損失》 即如第十圖所示,在10 kV/mm處的最大極性表示為 Pmax,並且將在0 kV/mra處的極性差表示為Δρ,即可將 磁滯損失表示如下。 表單編號A0101 第17頁/共34頁 M412450 ΙΟϋ年07月15日梭正替無百 磁滯損失(90 = ΔΡ/Ρ X 100 max 依據上述等式,利用第十圖資料以決定該磁滯損失 。其結果可如下列表7所示。 表7 麵 EC1 EC2 EC3 EC4 EC5 EC6 磁麵失(%) 16 13 9 12 14 5.5 5.2 從這些結果可得知,相較於傳統玻璃電極,在10 kV/mm的高電場下本創作之螢光燈展現出相對穩定的磁滯 損失。 因此,相較於只有玻璃所組成之傳統具外部電極之 螢光燈,本創作具陶瓷玻璃合成電極之螢光燈的特徵在 於,當施加相同電場時,出現在該螢光燈内之離子或電 子以至少兩倍的量進行帶電或放電。此外,相較於單獨 地由玻璃所組成之傳統具外部電極之螢光燈,具有低磁 滯損失的本創作螢光燈可在高電壓下於一穩定溫度提供 / 光線。本創作之該陶瓷玻璃合成物具有極性值,該極性 值高於玻璃之極性值,該玻璃之極性值在10 kV的電場下 之最大極性值為0.031uC/cm2,並且極性曲線與電場變 化具線性相依。 在上述實施例中,可將該MgO-SrO成分替換為在離 子半徑上具有15%或以下之差異的氧化物。可替換氧化物 的範例可如下列表8所示。 表8 表單編號A0101 第18頁/共34頁 M412450 赠 〇7月 離子 酐雑 (A) 可雜範例 軒雑 (A) △離子雜 Ca2+ 1.0 Y3*、Yb3+ 0.89、0.86 11、14 Sm2t 0.96 4 La3* 1.06 6 Ncf 1.00 0 Mg2t 0.72 Bi2+ 0.74 2.7 U1+ 0.74 2.7 Ni24 0.69 3 Sr^ 1.16 Eu3+ 0.59 15 ΊχΜ 0.72 Nb5+ 0.64 11 Mo4+ 0.65 Fe2+' Fe2+ 0.77、0.65 Zn2+' Sc3&quot; 「0.75、0.73 Mn2+ 0.67 τ广 0.61 Cr + 0.62 Sb5* 0.61 Sb4t 0.69 Nb5+ 0.64 Mn4+ 0.54 综上所述,本創作為一種陶瓷玻璃合成電極及其螢 光燈,陶瓷玻璃合成電極為一陶瓷玻鴻合成物,其設置 於螢光燈之玻璃管的末端,玻璃管的末端設有阻擋件用 於抵住陶瓷玻璃合成電極,以限制陶瓷玻璃合成電極套 設於玻璃管之位置,且防止接著劑黏接玻璃管與陶瓷玻 璃合成電極時流人玻璃管中,如此可提高營光燈之使用 壽命。本創作之陶瓷玻璃合成電極包含電極本體,其設 於螢光燈之玻璃管之末端,且為圓柱而圓枉僅具有—内 徑。 故本創作實為-具有_性、進步性及可供產業上 利用者’應符合《專利法專财請要件錢,表依法 提出祈鈞局早日賜准專利,至感為禱。 表單蝙號A0101 第19頁/共34頁 M412450 100年07月15日修正替喊π 惟以上所述者,僅為本創作一較佳實施例而已,並 非用來限定本創作實施之範圍,故舉凡依本創作申請專 利範圍所述之形狀、構造、特徵及精神所為之均等變化 與修飾,均應包括於本創作之申請專利範圍内。 【圖式簡單說明】 [0006] 第一圖係TFT-LCD之背光模組的傳統冷陰極螢光燈的剖視 圖; 第二圖係傳統具外部電極之螢光燈的剖視圖; 第三圖係習用陶瓷玻璃合成電極的剖視圖; 第四Α圖與第四Β圖係本創作具陶瓷玻璃合成電極之螢光 燈之一較佳實施例的的剖視圖; 第五A圖係本創作之陶瓷玻璃合成電極之一較佳實施例的 上視圖, 第五B圖係本創作之陶瓷玻璃合成電極之一較佳實施例的 剖視圖; 第六圖係本創作具陶瓷玻璃合成電極之螢光燈之第二較 佳實施例的的剖視圖; 第七圖係本創作之一較佳實施例的介電常數-溫度曲線圖 t 第八圖係本創作之一較佳實施例的亮度-介電常數曲線圖 &gt; 第九圖係本創作之一較佳實施例的極性-電場曲線圖;以 及 第十圖係本創作之一較佳實施例的極性-電場曲線圖。 表單編號A0101 第20頁/共34頁 M412.450 【主要元件符號說明】 [0007] 100 冷陰極螢光燈 110 金屬電極 120 玻璃管 130 導入接線 140 電子 150 Ne_Ar氣體 160 陽離子 170 汞原子 180 UV光 181 可見光 190 磷質 200 外部電極螢光燈 210 玻璃管 220 金屬覆帽 221 導體層 300 合成電極 310 内徑 313 内徑 400 螢光燈 412 玻璃管 414 阻檔件 420 嵌封組件 423 阻擋件 430 電極 435 電極本體 第21頁/共34頁 表單編號A0101 100年07月15日修正替换頁 M412450 440 450 460 接著劑 導體層 電極 100年Ο 7月15日修正替接;頁 表單编號Α0101 第22頁/共34頁

Claims (1)

100年07月15日修正替換頁 M412450 六、申請專利範圍: 1 . 一種具陶瓷玻璃合成電極之螢光燈,其包含有: 一玻璃管; 至少一阻擋件,其設置於該玻璃管之至少一末端;以及 複數陶瓷玻璃合成電極,分別設置於該玻璃管之兩末端, 且抵於該玻璃管之該阻擋件,該些陶瓷玻璃合成電極為一 陶瓷玻璃合成物。 2 .如申請專利範圍第1項所述之具陶瓷玻璃合成電極之螢光 燈,其中該些陶瓷玻璃合成電極為一圓柱,並僅具有一内 徑,且該些陶瓷玻璃合成電極之内部呈直筒狀。 3 .如申請專利範圍第1項所述之具陶瓷玻璃合成電極之螢光 燈,更包含有: 複數導體層,分別設於該些陶瓷玻璃合成電極之外部表面 〇 4 .如申請專利範圍第1項所述之具陶瓷玻璃合成電極之螢光 燈,更包含有: 複數嵌封組件,其分別設置於該些陶瓷玻璃合成電極的末 端。 5 .如申請專利範圍第4項所述之具陶瓷玻璃合成電極之螢光 燈,其中該些嵌封組件分別具有一阻擋件以抵住該陶瓷玻 璃合成電極的末端。 6 .如申請專利範圍第1項所述之具陶瓷玻璃合成電極之螢光 燈,其中該阻擋件為凸出物且呈環狀。 7 . —種陶瓷玻璃合成電極,其包含有: 一電極本體,其設於一螢光燈之一玻璃管之一末端,且為 一圓柱並為一陶究玻璃合成物,該圓柱僅具有一内徑。 100203063 表單編號 A0101 第 23 頁/共 34 頁 1003254968-0 M412450 100年07月15日梭正替無百 8 .如申請專利範圍第7項所述之陶瓷玻璃合成電極 有: 一導體層,設於該電極本體之一外部表面。 9 .如申請專利範圍第7項所述之陶瓷玻璃合成電極 電極本體之内部呈直筒狀。 10 .如申請專利範圍第7項所述之陶瓷玻璃合成電極 電極本體抵於位在該玻璃管之末端的一阻擋件。 更包含 其中該 其中該 100203063 表單編號A0101 第24頁/共34頁 1003254968-0
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US9793148B2 (en) 2011-06-22 2017-10-17 Asm Japan K.K. Method for positioning wafers in multiple wafer transport
US10364496B2 (en) 2011-06-27 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Dual section module having shared and unshared mass flow controllers
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US8946830B2 (en) 2012-04-04 2015-02-03 Asm Ip Holdings B.V. Metal oxide protective layer for a semiconductor device
US9558931B2 (en) 2012-07-27 2017-01-31 Asm Ip Holding B.V. System and method for gas-phase sulfur passivation of a semiconductor surface
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
US9021985B2 (en) 2012-09-12 2015-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor
US9324811B2 (en) 2012-09-26 2016-04-26 Asm Ip Holding B.V. Structures and devices including a tensile-stressed silicon arsenic layer and methods of forming same
US20140099798A1 (en) * 2012-10-05 2014-04-10 Asm Ip Holding B.V. UV-Curing Apparatus Provided With Wavelength-Tuned Excimer Lamp and Method of Processing Semiconductor Substrate Using Same
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US9640416B2 (en) 2012-12-26 2017-05-02 Asm Ip Holding B.V. Single-and dual-chamber module-attachable wafer-handling chamber
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US9484191B2 (en) 2013-03-08 2016-11-01 Asm Ip Holding B.V. Pulsed remote plasma method and system
US9589770B2 (en) 2013-03-08 2017-03-07 Asm Ip Holding B.V. Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species
US8993054B2 (en) 2013-07-12 2015-03-31 Asm Ip Holding B.V. Method and system to reduce outgassing in a reaction chamber
US9018111B2 (en) 2013-07-22 2015-04-28 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor reaction chamber with plasma capabilities
US9793115B2 (en) 2013-08-14 2017-10-17 Asm Ip Holding B.V. Structures and devices including germanium-tin films and methods of forming same
US9240412B2 (en) 2013-09-27 2016-01-19 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process
US9556516B2 (en) 2013-10-09 2017-01-31 ASM IP Holding B.V Method for forming Ti-containing film by PEALD using TDMAT or TDEAT
US10179947B2 (en) 2013-11-26 2019-01-15 Asm Ip Holding B.V. Method for forming conformal nitrided, oxidized, or carbonized dielectric film by atomic layer deposition
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US9447498B2 (en) 2014-03-18 2016-09-20 Asm Ip Holding B.V. Method for performing uniform processing in gas system-sharing multiple reaction chambers
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US9404587B2 (en) 2014-04-24 2016-08-02 ASM IP Holding B.V Lockout tagout for semiconductor vacuum valve
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9543180B2 (en) 2014-08-01 2017-01-10 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for transporting wafers between wafer carrier and process tool under vacuum
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
KR102300403B1 (ko) 2014-11-19 2021-09-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
US9478415B2 (en) 2015-02-13 2016-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for forming film having low resistance and shallow junction depth
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
WO2017000086A1 (zh) * 2015-07-02 2017-01-05 林文飞 具有陶瓷玻璃合成电极的灯具
TWM515751U (zh) * 2015-07-02 2016-01-11 Wen-Fei Lin 具有陶瓷玻璃合成電極之燈具
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US10043661B2 (en) 2015-07-13 2018-08-07 Asm Ip Holding B.V. Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film
US9899291B2 (en) 2015-07-13 2018-02-20 Asm Ip Holding B.V. Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film
US10083836B2 (en) 2015-07-24 2018-09-25 Asm Ip Holding B.V. Formation of boron-doped titanium metal films with high work function
US10087525B2 (en) 2015-08-04 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. Variable gap hard stop design
US9647114B2 (en) 2015-08-14 2017-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming highly p-type doped germanium tin films and structures and devices including the films
US9711345B2 (en) 2015-08-25 2017-07-18 Asm Ip Holding B.V. Method for forming aluminum nitride-based film by PEALD
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
US9909214B2 (en) 2015-10-15 2018-03-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing dielectric film in trenches by PEALD
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US10322384B2 (en) 2015-11-09 2019-06-18 Asm Ip Holding B.V. Counter flow mixer for process chamber
US9455138B1 (en) 2015-11-10 2016-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming dielectric film in trenches by PEALD using H-containing gas
US9905420B2 (en) 2015-12-01 2018-02-27 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming silicon germanium tin films and structures and devices including the films
US9607837B1 (en) 2015-12-21 2017-03-28 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon oxide cap layer for solid state diffusion process
US9627221B1 (en) 2015-12-28 2017-04-18 Asm Ip Holding B.V. Continuous process incorporating atomic layer etching
US9735024B2 (en) 2015-12-28 2017-08-15 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using functional group-containing fluorocarbon
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US9754779B1 (en) 2016-02-19 2017-09-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10501866B2 (en) 2016-03-09 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US9892913B2 (en) 2016-03-24 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Radial and thickness control via biased multi-port injection settings
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10087522B2 (en) 2016-04-21 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
KR102592471B1 (ko) 2016-05-17 2023-10-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US9793135B1 (en) 2016-07-14 2017-10-17 ASM IP Holding B.V Method of cyclic dry etching using etchant film
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
KR102354490B1 (ko) 2016-07-27 2022-01-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10177025B2 (en) 2016-07-28 2019-01-08 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10090316B2 (en) 2016-09-01 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. 3D stacked multilayer semiconductor memory using doped select transistor channel
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US9916980B1 (en) 2016-12-15 2018-03-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
KR20180070971A (ko) 2016-12-19 2018-06-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10283353B2 (en) 2017-03-29 2019-05-07 Asm Ip Holding B.V. Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10103040B1 (en) 2017-03-31 2018-10-16 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for manufacturing a semiconductor device
USD830981S1 (en) 2017-04-07 2018-10-16 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate processing apparatus
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
US10312055B2 (en) 2017-07-26 2019-06-04 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing film by PEALD using negative bias
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10236177B1 (en) 2017-08-22 2019-03-19 ASM IP Holding B.V.. Methods for depositing a doped germanium tin semiconductor and related semiconductor device structures
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
KR102633318B1 (ko) 2017-11-27 2024-02-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 청정 소형 구역을 포함한 장치
WO2019103613A1 (en) 2017-11-27 2019-05-31 Asm Ip Holding B.V. A storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace
US10290508B1 (en) 2017-12-05 2019-05-14 Asm Ip Holding B.V. Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 沈積方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
WO2019158960A1 (en) 2018-02-14 2019-08-22 Asm Ip Holding B.V. A method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
KR20190128558A (ko) 2018-05-08 2019-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조
TW202349473A (zh) 2018-05-11 2023-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
TW202409324A (zh) 2018-06-27 2024-03-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於形成含金屬材料之循環沉積製程
TW202405221A (zh) 2018-06-27 2024-02-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法
TWI751420B (zh) 2018-06-29 2022-01-01 荷蘭商Asm知識產權私人控股有限公司 薄膜沉積方法
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的***及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
JP7509548B2 (ja) 2019-02-20 2024-07-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
JP2020133004A (ja) 2019-02-22 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材を処理するための基材処理装置および方法
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
TW202113936A (zh) 2019-07-29 2021-04-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN112323048B (zh) 2019-08-05 2024-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
CN112635282A (zh) 2019-10-08 2021-04-09 Asm Ip私人控股有限公司 具有连接板的基板处理装置、基板处理方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210078405A (ko) 2019-12-17 2021-06-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 바나듐 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
KR20210089079A (ko) 2020-01-06 2021-07-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 채널형 리프트 핀
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Asm Ip控股公司 專用於零件清潔的系統
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
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TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
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US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
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USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
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USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2847605A (en) * 1954-11-18 1958-08-12 Byer Abner Albert Electrode for fluorescent lamps
KR100853808B1 (ko) 2007-04-20 2008-08-22 주식회사 아이노바 세라믹-유리질 복합체 전극을 구비한 형광램프

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