TWI845701B

TWI845701B - 黏著薄片

Info

Publication number: TWI845701B
Application number: TW109119426A
Authority: TW
Inventors: 高野健
Original assignee: 日商琳得科股份有限公司
Priority date: 2019-10-04
Filing date: 2020-06-10
Publication date: 2024-06-21

Abstract

一種黏著薄片(10)，其具有基材(11)與黏著劑層(12)，黏著劑層(12)，含有能量線硬化性樹脂，前述能量線硬化性樹脂，具有1個以上的下述通式(11)表示之乙二醇單位。

Description

黏著薄片

本發明係關於黏著薄片。

近年來，電子機器之小型化、輕量化，及高機能化係有進展。對搭載於電子機器之半導體裝置，亦要求小型化、薄型化，及高密度化。半導體晶片，係可能有構裝為接近其尺寸之封裝的情形。如此的封裝，亦有稱為晶片尺寸封裝(Chip Scale Package；CSP)者。作為CSP之一者，可列舉晶圓等級封裝(Wafer Level Package；WLP)。於WLP中，藉由切割而進行單片化之前，係於晶圓形成外部電極等，最終係切割晶圓而進行單片化。WLP可列舉扇入(Fan-In)型與扇出(Fan-Out)型。扇出型之WLP(以下有略稱為「FO-WLP」者)中，係將半導體晶片以密封構件被覆，使成為較晶片尺寸更大的區域，而形成半導體晶片密封體，不僅於半導體晶片之電路面，於密封構件之表面區域亦形成再配線層或外部電極。例如，文獻1(國際公開第2010/058646號)中，記載就由半導體晶圓單片化而得的複數個半導體晶片而言，殘留其電路形成面，使用鑄模構件將周圍圍繞而形成擴張晶圓，於半導體晶片外之區域延伸存在而形成再配線圖型的半導體封裝之製造方法。文獻1記載之製造方法中，係在以鑄模構件圍繞經單片化之複數個半導體晶片之前，改貼擴展薄片，使擴展薄片延展而擴大複數個半導體晶片之間之距離。文獻2(國際公開第2018/003312號)中，記載為了擴增複數個半導體晶片之間隔所使用的半導體加工用薄片。如上述之FO-WLP之製造方法中，為了於半導體晶片外之區域形成上述再配線圖型等，有必要使擴展薄片擴張而使半導體晶片彼此充分分離，且於擴張後抑制複數個半導體晶片之間隔的偏差(提高排列性)。又，擴展步驟所用的薄片，通常具有用以固定薄片上之半導體晶片的黏著劑層，與用以支持黏著劑層之基材。如文獻1及文獻2記載般將擴展用之薄片拉伸時，不僅薄片之基材，黏著劑層亦會被拉伸。擴展步驟後，由黏著劑層剝離半導體晶片時，於與黏著劑層接觸的半導體晶片之表面可能有產生殘留黏著劑層的不良狀況之情況。如此的不良狀況在本說明書中有稱為黏著劑殘留者。

本發明之目的為提供提高於擴展步驟之擴張後的排列性，且可抑制黏著劑殘留的黏著薄片。依照本發明之一態樣，提供一種黏著薄片，其具有基材與黏著劑層，前述黏著劑層，含有能量線硬化性樹脂，前述能量線硬化性樹脂，具有1個以上的下述通式(11)表示之乙二醇單位。 (前述通式(11)中，m為1以上)。本發明之一態樣之黏著薄片中，前述能量線硬化性樹脂，較佳進一步具有3個以上的能量線硬化性之官能基。本發明之一態樣之黏著薄片中，前述能量線硬化性樹脂所具有的乙二醇單位之總數M_EG ，與前述能量線硬化性樹脂所具有的前述能量線硬化性之官能基之總數M_UV 的比M_EG /M_UV ，較佳為1以上、15以下。本發明之一態樣之黏著薄片中，前述能量線硬化性樹脂，較佳進一步具有1個以上的甘油骨架。本發明之一態樣之黏著薄片中，前述能量線硬化性樹脂較佳以下述通式(12)表示。 (前述通式(12)中， n為1以上， R₁ 、R₂ 及R₃ 係分別獨立地為前述能量線硬化性樹脂之分子中的原子或基， R₁ 、R₂ 及R₃ 當中至少1者具有1個以上的前述通式(11)表示之乙二醇單位)。本發明之一態樣之黏著薄片中，前述能量線硬化性樹脂，較佳以下述通式(13)表示。 (前述通式(13)中， n為1以上， R₁₁ 、R₁₂ 及R₁₃ 係分別獨立地為前述能量線硬化性樹脂之分子中的其他原子或基， m1、m2及m3係分別獨立地為1以上)。本發明之一態樣之黏著薄片中，前述能量線硬化性樹脂，較佳以下述通式(14)表示。 (前述通式(14)中， R₂₁ 、R₂₂ 、R₂₃ 及R₂₄ 係分別獨立地為前述能量線硬化性樹脂之分子中的其他原子或基， R₂₁ 、R₂₂ 、R₂₃ 及R₂₄ 當中至少1者具有1個以上的前述通式(11)表示之乙二醇單位)。本發明之一態樣之黏著薄片中，前述能量線硬化性樹脂，較佳以下述通式(15)表示。 (前述通式(15)中， R₂₅ 、R₂₆ 、R₂₇ 及R₂₈ 係分別獨立地為前述能量線硬化性樹脂之分子中的其他原子或基， m21、m22、m23及m24係分別獨立地為1以上)。本發明之一態樣之黏著薄片中，前述黏著劑層，相對於該黏著劑層之固體成分總量而言，較佳含有15質量%以上、55質量%以下之前述能量線硬化性樹脂。本發明之一態樣之黏著薄片中，使前述黏著薄片於第一方向、與前述第一方向相反方向的第二方向、相對於前述第一方向為鉛直方向之第三方向，及與前述第三方向相反方向的第四方向伸長，伸長前之前述黏著薄片的面積S1，與伸長後之前述黏著薄片的面積S2之面積比(S2/S1)×100為300%時，前述基材及前述黏著劑層較佳為不會斷裂。依照本發明之一態樣，可提供提高於擴展步驟之擴張後的排列性，且可抑制黏著劑殘留的黏著薄片。

以下，說明本發明之一實施形態。 [黏著薄片] 本實施形態之黏著薄片，具有基材與黏著劑層。黏著薄片之形狀，可採取例如膠帶狀(長條之形態)，及標籤狀(片狀之形態)等任何形狀。 (黏著劑層) 本實施形態之黏著薄片中，黏著劑層，含有能量線硬化性樹脂(a1)。・能量線硬化性樹脂(a1) 能量線硬化性樹脂(a1)，為受到能量線照射時會聚合硬化的樹脂。能量線例如可列舉紫外線及電子束等。能量線硬化性樹脂(a1)，較佳為紫外線硬化性樹脂。能量線硬化性樹脂(a1)，於分子內具有至少1個的能量線硬化性之官能基。能量線硬化性之官能基，較佳為包含碳-碳雙鍵之官能基、更佳為丙烯醯基或甲基丙烯醯基。含有能量線硬化性樹脂(a1)之黏著劑層，藉由能量線照射而硬化，黏著力會降低。欲分離被黏著體與黏著薄片時，可藉由對黏著劑層照射能量線而容易地分離。能量線硬化性樹脂(a1)之例子，可列舉具有能量線硬化性基之低分子量化合物(單官能之單體、多官能之單體、單官能之寡聚物，及多官能之寡聚物)。能量線硬化性樹脂(a1)，具有1個以上的下述通式(11)表示之乙二醇單位。 (前述通式(11)中，m為1以上)。能量線硬化性樹脂(a1)具有2個以上的下述通式(11)表示之乙二醇單位時，2個以上的m，係彼此相同或相異。前述通式(11)中之m較佳為2以上。能量線硬化性樹脂(a1)藉由具有柔軟的聚乙二醇鏈，硬化前之黏著劑層容易變形，硬化後之黏著劑層的交聯密度適度地降低，黏著劑層不易斷裂。能量線硬化性樹脂(a1)每一分子所具有的乙二醇單位之數目，較佳為3以上、更佳為5以上。又，一實施形態中，能量線硬化性樹脂(a1)每一分子所具有的乙二醇單位之數目，亦佳為10以上、亦更佳為30以上、亦再更佳為50以上。能量線硬化性樹脂(a1)每一分子所具有的乙二醇單位之數目，較佳為100以下、更佳為90以下、又更佳為80以下。能量線硬化性樹脂(a1)，進一步地，較佳具有3個以上的能量線硬化性之官能基、更佳具有4個以上。能量線硬化性樹脂(a1)所具有的能量線硬化性之官能基數目若為3以上，則更容易抑制黏著劑殘留。能量線硬化性樹脂(a1)，較佳具有通式(11)表示之乙二醇單位與能量線硬化性之官能基直接鍵結而得之基。能量線硬化性樹脂(a1)，較佳具有1個以上的含有下述通式(11A)表示之乙二醇單位之基。 (前述通式(11A)中，m為1以上，R為氫原子或甲基)。能量線硬化性樹脂(a1)具有前述通式(11A)表示之基時，一分子中之前述通式(11A)表示之基的數目，較佳為3以上、更佳為4以上。能量線硬化性樹脂(a1)於一分子中所具有的前述通式(11A)表示之基的數目若為3以上，則更容易抑制黏著劑殘留。能量線硬化性樹脂(a1)具有前述通式(11A)表示之基時，一分子中之前述通式(11A)表示之基的數目，較佳為10以下、更佳為9以下、又更佳為8以下。能量線硬化性樹脂(a1)，較佳進一步具有1個以上的甘油骨架。能量線硬化性樹脂(a1)亦佳具有聚甘油骨架。能量線硬化性樹脂(a1)藉由具有較如飽和烴骨架之碳-碳鍵系具有更多數的醚鍵，且可多官能化之甘油骨架，黏著劑層更容易變形，同時可實現良好的硬化性。能量線硬化性樹脂(a1)較佳以下述通式(12)表示。 (前述通式(12)中， n為1以上， R₁ 、R₂ 及R₃ 係分別獨立地為前述能量線硬化性樹脂之分子中的原子或基， R₁ 、R₂ 及R₃ 當中至少1者具有1個以上的前述通式(11)表示之乙二醇單位。) n為1時，前述通式(12)係以下述通式(12-1)表示。 (前述通式(12-1)中，R₁ 、R₂ 及R₃ 係與前述通式(12)中之R₁ 、R₂ 及R₃ 同義)。 n為4時，前述通式(12)係以下述通式(12-4)表示。 (前述通式(12-4)中， R_1A 、R_1B 、R_1C 及R_1D ，係分別獨立地與前述通式(12)中之R₁ 同義， R₂ 及R₃ 係與前述通式(12)中之R₂ 及R₃ 同義)。 R₁ 、R₂ 及R₃ ，較佳分別獨立地，具有1個以上的前述通式(11)表示之乙二醇單位。此時，R₁ 、R₂ 及R₃ 中之乙二醇單位的數目係彼此相同或相異。 R₁ 、R₂ 及R₃ 較佳當中至少1者為包含能量線硬化性的官能基之基，R₁ 、R₂ 及R₃ ，更佳分別獨立地為包含能量線硬化性的官能基之基。 R₁ 、R₂ 及R₃ 較佳分別獨立地為具有1個以上的前述通式(11)表示之乙二醇單位，且包含能量線硬化性之官能基之基。 R₁ 、R₂ 及R₃ 更佳分別獨立地為前述通式(11A)表示之基。例如，前述通式(12-4)表示之能量線硬化性樹脂(a1)中，R_1A 、R_1B 、R_1C 、R_1D 、R₂ 及R₃ 各具有1個能量線硬化性之官能基時，該能量線硬化性樹脂(a1)，相當具有6個能量線硬化性之官能基。能量線硬化性樹脂(a1)，較佳以下述通式(13)表示。 (前述通式(13)中， n為1以上， R₁₁ 、R₁₂ 及R₁₃ 係分別獨立地為前述能量線硬化性樹脂之分子中的其他原子或基， m1、m2及m3係分別獨立地為1以上。) 前述通式(13)中，n為2以上時，2個以上的m1，係彼此相同或相異，2個以上的R₁₁ ，係彼此相同或相異。 R₁₁ 、R₁₂ 及R₁₃ 較佳當中至少1者為包含能量線硬化性的官能基之基，R₁₁ 、R₁₂ 及R₁₃ ，更佳分別獨立地為包含能量線硬化性的官能基之基。能量線硬化性樹脂(a1)，亦佳以下述通式(14)表示。 (前述通式(14)中， R₂₁ 、R₂₂ 、R₂₃ 及R₂₄ 係分別獨立地為前述能量線硬化性樹脂之分子中的其他原子或基， R₂₁ 、R₂₂ 、R₂₃ 及R₂₄ 當中至少1者具有1個以上的前述通式(11)表示之乙二醇單位。) R₂₁ 、R₂₂ 、R₂₃ 及R₂₄ ，較佳分別獨立地，具有1個以上的前述通式(11)表示之乙二醇單位。此時，R₂₁ 、R₂₂ 、R₂₃ 及R₂₄ 中之乙二醇單位的數目係彼此相同或相異。 R₂₁ 、R₂₂ 、R₂₃ 及R₂₄ 較佳當中至少1者為包含能量線硬化性的官能基之基，R₂₁ 、R₂₂ 、R₂₃ 及R₂₄ ，更佳分別獨立地為包含能量線硬化性的官能基之基。 R₂₁ 、R₂₂ 、R₂₃ 及R₂₄ 較佳分別獨立地為具有1個以上的前述通式(11)表示之乙二醇單位，且包含能量線硬化性之官能基之基。 R₂₁ 、R₂₂ 、R₂₃ 及R₂₄ 更佳分別獨立地為前述通式(11A)表示之基。能量線硬化性樹脂(a1)，較佳以下述通式(15)表示。 (前述通式(15)中， R₂₅ 、R₂₆ 、R₂₇ 及R₂₈ 係分別獨立地為前述能量線硬化性樹脂之分子中的其他原子或基， m21、m22、m23及m24係分別獨立地為1以上。) R₂₅ 、R₂₆ 、R₂₇ 及R₂₈ 較佳當中至少1者為包含能量線硬化性的官能基之基，R₂₅ 、R₂₆ 、R₂₇ 及R₂₈ ，更佳分別獨立地為包含能量線硬化性的官能基之基。黏著劑層，相對於該黏著劑層之固體成分總量而言，較佳含有15質量%以上、55質量%以下；更佳含有20質量%以上、48質量%以下；又更佳含有24質量%以上、48質量%以下之能量線硬化性樹脂(a1)。黏著劑層藉由含有15質量%以上、55質量%以下的能量線硬化性樹脂(a1)，更容易提高排列性、亦更容易抑制黏著劑殘留。黏著劑層藉由含有20質量%以上之能量線硬化性樹脂(a1)，容易提高排列性。黏著劑層藉由含有48質量%以下之能量線硬化性樹脂(a1)，將黏著薄片捲繞為滾筒狀時，黏著劑不易由滾筒端部滲出。能量線硬化性樹脂(a1)所具有的乙二醇單位之總數M_EG ，與能量線硬化性樹脂(a1)所具有的能量線硬化性之官能基之總數M_UV 之比M_EG /M_UV ，較佳為1以上、15以下。黏著劑層含有24質量%以上之能量線硬化性樹脂(a1)，且M_EG /M_UV 為9以上時，即使於擴展步驟之擴張量大，亦顯示優良的排列性。能量線硬化性樹脂(a1)之分子量，較佳為100以上、更佳為300以上。能量線硬化性樹脂(a1)之分子量，較佳為30000以下、更佳為15000以下。能量線硬化性樹脂(a1)之分子量若為100以上，則可防止由黏著劑中進行相分離，維持膠帶之保管安定性。能量線硬化性樹脂(a1)之分子量若為30000以下，則可維持與其他材料之相溶性。又，能量線硬化性樹脂(a1)之重量平均分子量亦佳為10000以下。能量線硬化性樹脂(a1)之重量平均分子量若為10000以下，則容易兼備黏著劑之伸張性與硬化性。重量平均分子量，可藉由凝膠滲透層析(GPC)法，由標準聚苯乙烯換算值得到。・(甲基)丙烯酸系共聚物(b1) 本實施形態之黏著劑層，較佳進一步含有(甲基)丙烯酸系共聚物(b1)。(甲基)丙烯酸系共聚物，係與前述能量線硬化性樹脂(a1)不同。 (甲基)丙烯酸系共聚物(b1)，較佳具有能量線硬化性之碳-碳雙鍵。亦即，本實施形態中，黏著劑層較佳含有能量線硬化性樹脂(a1)，與能量線硬化性之(甲基)丙烯酸系共聚物(b1)。本實施形態之黏著劑層，相對於(甲基)丙烯酸系共聚物(b1)100質量份而言，較佳以5質量份以上之比例含有能量線硬化性樹脂(a1)、更佳以10質量份以上之比例含有、又更佳以15質量份以上之比例含有。本實施形態之黏著劑層，相對於(甲基)丙烯酸系共聚物(b1)100質量份而言，較佳以80質量份以下之比例含有能量線硬化性樹脂(a1)、更佳以70質量份以下之比例含有、又更佳以60質量份以下之比例含有。 (甲基)丙烯酸系共聚物(b1)之重量平均分子量(Mw)，較佳為1萬以上、更佳為15萬以上、又更佳為20萬以上。又，(甲基)丙烯酸系共聚物(b1)之重量平均分子量(Mw)，較佳為150萬以下、更佳為100萬以下。再者，本說明書中之重量平均分子量(Mw)，為藉由凝膠滲透層析法(GPC法)所測定的以標準聚苯乙烯換算之值。 (甲基)丙烯酸系共聚物(b1)，較佳為於側鏈導入有具有能量線硬化性之官能基(能量線硬化性基)的(甲基)丙烯酸酯聚合物(b2)(以下有稱為「能量線硬化性聚合物(b2)」的情況)。能量線硬化性聚合物(b2)，較佳為使具有含官能基之單體單位的丙烯酸系共聚物(b21)，與具有鍵結於該官能基之官能基的含不飽和基之化合物(b22)反應而得的共聚物。再者，本說明書中，(甲基)丙烯酸酯，意指丙烯酸酯及甲基丙烯酸酯雙方。其他類似用語亦相同。丙烯酸系共聚物(b21)，較佳包含由含官能基之單體所衍生的構成單位，與由(甲基)丙烯酸酯單體或(甲基)丙烯酸酯單體之衍生物所衍生的構成單位。作為丙烯酸系共聚物(b21)之構成單位的含官能基之單體，較佳為分子內具有聚合性之雙鍵與官能基之單體。官能基較佳為選自由羥基、羧基、胺基、取代胺基，及環氧基等所成之群的至少任一種官能基。含羥基之單體，例如可列舉(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丁酯，及(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯等。含羥基之單體，可1種單獨使用或組合2種以上使用。含羧基之單體，例如可列舉丙烯酸、甲基丙烯酸、巴豆酸、馬來酸、依康酸，及檸康酸等之乙烯性不飽和羧酸。含羧基之單體，可1種單獨使用或組合2種以上使用。含胺基之單體或含取代胺基之單體，例如可列舉(甲基)丙烯酸胺基乙酯，及(甲基)丙烯酸n-丁基胺基乙酯等。含胺基之單體或含取代胺基之單體，可1種單獨使用或組合2種以上使用。構成丙烯酸系共聚物(b21)之(甲基)丙烯酸酯單體，除了烷基之碳數1以上、20以下的(甲基)丙烯酸烷酯以外，例如較佳也可使用分子內具有脂環式構造之單體(含脂環式構造之單體)。 (甲基)丙烯酸烷酯，較佳為烷基之碳數1以上、18以下的(甲基)丙烯酸烷酯。(甲基)丙烯酸烷酯例如更佳為(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸n-丁酯，及(甲基)丙烯酸2-乙基己酯等。(甲基)丙烯酸烷酯，可1種單獨使用或組合2種以上使用。含脂環式構造之單體，例如較佳可使用(甲基)丙烯酸環己酯、(甲基)丙烯酸二環戊酯、(甲基)丙烯酸金剛烷酯、(甲基)丙烯酸異莰酯、(甲基)丙烯酸二環戊烯酯，及(甲基)丙烯酸二環戊烯氧基乙酯等。含脂環式構造之單體，可1種單獨使用或組合2種以上使用。丙烯酸系共聚物(b21)，較佳以1質量%以上之比例含有由上述含官能基之單體所衍生的構成單位、更佳以5質量%以上之比例含有、又更佳以10質量%以上之比例含有。又，丙烯酸系共聚物(b21)，較佳以35質量%以下之比例含有由上述含官能基之單體所衍生的構成單位、更佳以30質量%以下之比例含有、又更佳以25質量%以下之比例含有。進一步地，丙烯酸系共聚物(b21)，較佳以50質量%以上之比例含有由(甲基)丙烯酸酯單體或其衍生物所衍生的構成單位、更佳以60質量%以上之比例含有、又更佳以70質量%以上之比例含有。又，丙烯酸系共聚物(b21)，較佳以99質量%以下之比例含有由(甲基)丙烯酸酯單體或其衍生物所衍生的構成單位、更佳以95質量%以下之比例含有、又更佳以90質量%以下之比例含有。丙烯酸系共聚物(b21)，可藉由使如上述之含官能基之單體，與(甲基)丙烯酸酯單體或其衍生物以常規方法共聚合而得到。丙烯酸系共聚物(b21)，於上述單體以外，亦可含有選自由二甲基丙烯醯胺、甲酸乙烯酯、乙酸乙烯酯，及苯乙烯等所成之群的至少任一種構成單位。藉由使具有上述含官能基之單體單位的丙烯酸系共聚物(b21)，與具有鍵結於該官能基之官能基的含不飽和基之化合物(b22)反應，可得到能量線硬化性聚合物(b2)。含不飽和基之化合物(b22)所具有的官能基，可依丙烯酸系共聚物(b21)所具有的含官能基之單體單位的官能基種類而適當選擇。例如，丙烯酸系共聚物(b21)所具有的官能基為羥基、胺基或取代胺基時，含不飽和基之化合物(b22)所具有的官能基較佳為異氰酸酯基或環氧基，丙烯酸系共聚物(b21)所具有的官能基為環氧基時，含不飽和基之化合物(b22)所具有的官能基較佳為胺基、羧基或氮丙啶基。含不飽和基之化合物(b22)，1分子中至少包含1個能量線硬化性之碳-碳雙鍵；較佳包含1個以上、6個以下；更佳包含1個以上、4個以下。含不飽和基之化合物(b22)，例如可列舉異氰酸2-甲基丙烯醯氧基乙酯(甲基丙烯酸2-異氰酸基乙酯)、異氰酸間-異丙烯基-α,α-二甲基苄酯、異氰酸甲基丙烯醯酯、異氰酸烯丙酯、異氰酸1,1-(雙丙烯醯氧基甲基)乙酯；藉由二異氰酸酯化合物或聚異氰酸酯化合物與(甲基)丙烯酸羥基乙酯的反應而得到的丙烯醯基單異氰酸酯化合物；藉由二異氰酸酯化合物或聚異氰酸酯化合物、多元醇化合物與(甲基)丙烯酸羥基乙酯的反應而得到的丙烯醯基單異氰酸酯化合物；(甲基)丙烯酸環氧丙酯；(甲基)丙烯酸、(甲基)丙烯酸2-(1-氮丙啶基)乙酯、2-乙烯基-2-噁唑啉、2-異丙烯基-2-噁唑啉等。含不飽和基之化合物(b22)，相對於丙烯酸系共聚物(b21)的含官能基之單體的莫耳數而言，較佳以50莫耳%以上之比例(加成率)使用、更佳以60莫耳%以上之比例使用、又更佳以70莫耳%以上之比例使用。又，含不飽和基之化合物(b22)，相對於丙烯酸系共聚物(b21)的含官能基之單體莫耳數而言，較佳以95莫耳%以下之比例使用、更佳以93莫耳%以下之比例使用、又更佳以90莫耳%以下之比例使用。丙烯酸系共聚物(b21)與含不飽和基之化合物(b22)的反應中，可依丙烯酸系共聚物(b21)所具有的官能基與含不飽和基之化合物(b22)所具有的官能基之組合，來適當選擇反應之溫度、壓力、溶劑、時間、觸媒之有無，及觸媒之種類。藉此，丙烯酸系共聚物(b21)所具有的官能基，與含不飽和基之化合物(b22)所具有的官能基進行反應，於丙烯酸系共聚物(b21)之側鏈導入不飽和基，而得到能量線硬化性聚合物(b2)。能量線硬化性聚合物(b2)之重量平均分子量(Mw)，較佳為1萬以上、更佳為15萬以上、又更佳為20萬以上。又，能量線硬化性聚合物(b2)之重量平均分子量(Mw)，較佳為150萬以下、更佳為100萬以下。・光聚合起始劑(C) 黏著劑層含有紫外線硬化性之化合物(例如紫外線硬化性樹脂)時，黏著劑層較佳含有光聚合起始劑(C)。黏著劑層藉由含有光聚合起始劑(C)，可使聚合硬化時間及光線照射量為少。光聚合起始劑(C)，具體而言，可列舉二苯甲酮、苯乙酮、苯偶姻、苯偶姻甲基醚、苯偶姻乙基醚、苯偶姻異丙基醚、苯偶姻異丁基醚、苯偶姻安息香酸、苯偶姻安息香酸甲酯、苯偶姻二甲基縮酮、2,4-二乙基噻噸酮、1-羥基環己基苯基酮、苄基二苯基硫醚、四甲基秋蘭姆單硫醚、偶氮二異丁腈、二苯乙二酮、聯苄、聯乙醯、β-氯蒽醌、(2,4,6-三甲基苄基二苯基)膦氧化物、2-苯并噻唑-N,N-二乙基二硫代胺基甲酸酯、寡{2-羥基-2-甲基-1-[4-(1-丙烯基)苯基]丙酮}，及2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙烷-1-酮等。此等光聚合起始劑(C)可1種單獨使用、亦可合併使用2種以上。光聚合起始劑(C)，當於黏著劑層中摻合能量線硬化性樹脂(a1)及(甲基)丙烯酸系共聚物(b1)的情況時，相對於能量線硬化性樹脂(a1)及(甲基)丙烯酸系共聚物(b1)之合計量100質量份而言，較佳以0.1質量份以上之量使用、更佳以0.5質量份以上之量使用。又，光聚合起始劑(C)，當於黏著劑層中摻合能量線硬化性樹脂(a1)及(甲基)丙烯酸系共聚物(b1)的情況時，相對於能量線硬化性樹脂(a1)及(甲基)丙烯酸系共聚物(b1)之合計量100質量份而言，較佳以10質量份以下之量使用、更佳以6質量份以下之量使用。黏著劑層，於上述成分以外亦可適當含有其他成分。其他成分例如可列舉交聯劑(E)、抗靜電劑、抗氧化劑，及著色劑等。・交聯劑(E) 交聯劑(E)可使用具有與(甲基)丙烯酸系共聚物(b1)等所具有的官能基之反應性的多官能性化合物。如此的多官能性化合物之例子，可列舉異氰酸酯化合物、環氧化合物、胺化合物、三聚氰胺化合物、氮丙啶化合物、肼化合物、醛化合物、噁唑啉化合物、金屬烷氧化物化合物、金屬螯合化合物、金屬鹽、銨鹽，及反應性酚樹脂等。交聯劑(E)之摻合量，相對於(甲基)丙烯酸系共聚物(b1)100質量份而言，較佳為0.01質量份以上、更佳為0.03質量份以上、又更佳為0.04質量份以上。又，交聯劑(E)之摻合量，相對於(甲基)丙烯酸系共聚物(b1)100質量份而言，較佳為8質量份以下、更佳為5質量份以下、又更佳為3.5質量份以下、又再更佳為2.1質量份以下。黏著劑層之厚度並無特殊限定。黏著劑層之厚度，例如較佳為10μm以上、更佳為20μm以上。又，黏著劑層之厚度，較佳為150μm以下、更佳為100μm以下。 (基材) 基材較佳具有第一基材面，及與第一基材面相反側之第二基材面。本實施形態之黏著薄片中，本實施形態之黏著劑層，較佳設置於第一基材面及第二基材面之一面，且較佳於另一面未設置黏著劑層。就容易大幅延伸的觀點，基材之材料較佳為熱可塑性彈性體或橡膠系材料、更佳為熱可塑性彈性體。又，基材之材料，就容易大幅延伸的觀點，較佳使用玻璃轉移溫度(Tg)比較低的樹脂。如此的樹脂之玻璃轉移溫度(Tg)，較佳為90℃以下、更佳為80℃以下、又更佳為70℃以下。熱可塑性彈性體，可列舉胺基甲酸酯系彈性體、烯烴系彈性體、氯乙烯系彈性體、聚酯系彈性體、苯乙烯系彈性體、丙烯酸系彈性體，及醯胺系彈性體等。熱可塑性彈性體，可1種單獨或組合2種以上使用。熱可塑性彈性體，就容易大幅延伸之觀點，較佳使用胺基甲酸酯系彈性體。胺基甲酸酯系彈性體，一般而言係使長鏈多元醇、鏈延長劑，及二異氰酸酯反應而得。胺基甲酸酯系彈性體，包含具有由長鏈多元醇所衍生的構成單位之軟質段，與具有由鏈延長劑與二異氰酸酯之反應而得的聚胺基甲酸酯構造之硬質段。將胺基甲酸酯系彈性體依長鏈多元醇之種類來分類時，係分為聚酯系聚胺基甲酸酯彈性體、聚醚系聚胺基甲酸酯彈性體，及聚碳酸酯系聚胺基甲酸酯彈性體等。胺基甲酸酯系彈性體，可1種單獨或組合2種以上使用。本實施形態中，胺基甲酸酯系彈性體，就容易大幅延伸之觀點，較佳為聚酯系聚胺基甲酸酯彈性體或聚醚系聚胺基甲酸酯彈性體。長鏈多元醇之例子，可列舉內酯系聚酯多元醇，及己二酸酯系聚酯多元醇等之聚酯多元醇；聚丙烯(乙烯)多元醇，及聚四亞甲基醚二醇等之聚醚多元醇；聚碳酸酯多元醇等。本實施形態中，長鏈多元醇，就容易大幅延伸之觀點，較佳為己二酸酯系聚酯多元醇。二異氰酸酯之例子，可列舉2,4-甲苯二異氰酸酯、2,6-甲苯二異氰酸酯、4,4’-二苯基甲烷二異氰酸酯，及六亞甲基二異氰酸酯等。本實施形態中，就容易大幅延伸之觀點，二異氰酸酯較佳為六亞甲基二異氰酸酯。鏈延長劑，可列舉低分子多元醇(例如1,4-丁二醇及1,6-己二醇等)，及芳香族二胺等。此等之中，就容易大幅延伸之觀點，較佳使用1,6-己二醇。烯烴系彈性體，可列舉包含選自由乙烯・α-烯烴共聚物、丙烯・α-烯烴共聚物、丁烯・α-烯烴共聚物、乙烯・丙烯・α-烯烴共聚物、乙烯・丁烯・α-烯烴共聚物、丙烯・丁烯-α烯烴共聚物、乙烯・丙烯・丁烯-α・烯烴共聚物、苯乙烯・異戊二烯共聚物，及苯乙烯・乙烯・丁烯共聚物所成之群的至少1種樹脂之彈性體。烯烴系彈性體，可1種單獨或組合2種以上使用。烯烴系彈性體之密度並無特殊限定。例如，烯烴系彈性體之密度，較佳為0.860g/cm³ 以上、未達0.905g/cm³ ；更佳為0.862g/cm³ 以上、未達0.900g/cm³ ；特佳為0.864g/cm³ 以上、未達0.895g/cm³ 。烯烴系彈性體之密度藉由滿足上述範圍，基材當將作為被黏著體之半導體晶圓貼附於黏著薄片時之凹凸追隨性等優良。烯烴系彈性體，在用以形成該彈性體的全部單體當中，包含烯烴系化合物之單體的質量比率(本說明書中亦稱為「烯烴含有率」)較佳為50質量%以上、100質量%以下。烯烴含有率過低時，作為包含來自烯烴之構造單位的彈性體之性質不易出現，基材不易顯示柔軟性及橡膠彈性。就安定地得到柔軟性及橡膠彈性之觀點，烯烴含有率較佳為50質量%以上、更佳為60質量%以上。苯乙烯系彈性體，可列舉苯乙烯-共軛二烯共聚物，及苯乙烯-烯烴共聚物等。苯乙烯-共軛二烯共聚物之具體例，可列舉苯乙烯-丁二烯共聚物、苯乙烯-丁二烯-苯乙烯共聚物(SBS)、苯乙烯-丁二烯-丁烯-苯乙烯共聚物、苯乙烯-異戊二烯共聚物、苯乙烯-異戊二烯-苯乙烯共聚物(SIS)、苯乙烯-乙烯-異戊二烯-苯乙烯共聚物等之未氫化苯乙烯-共軛二烯共聚物、苯乙烯-乙烯/丙烯-苯乙烯共聚物(SEPS、苯乙烯-異戊二烯-苯乙烯共聚物之氫化物)，及苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯共聚物(SEBS、苯乙烯-丁二烯共聚物之氫化物)等之氫化苯乙烯-共軛二烯共聚物等。又，工業上而言，苯乙烯系彈性體，可列舉Tufprene(旭化成股份有限公司製)、Kraton(Kraton Polymer Japan股份有限公司製)、住友TPE-SB(住友化學股份有限公司製)、Epofriend (Daicel股份有限公司製)、Rabalon(三菱化學股份有限公司製)、Septon(Kuraray股份有限公司製)，及Tuftec(旭化成股份有限公司製)等之商品名。苯乙烯系彈性體，可為氫化物亦可為未氫化物。苯乙烯系彈性體，可1種單獨或組合2種以上使用。橡膠系材料，例如可列舉天然橡膠、合成異戊二烯橡膠(IR)、丁二烯橡膠(BR)、苯乙烯-丁二烯橡膠(SBR)、氯丁二烯橡膠(CR)、丙烯腈-丁二烯共聚合橡膠(NBR)、丁基橡膠(IIR)、鹵化丁基橡膠、丙烯酸橡膠、胺基甲酸酯橡膠，及多硫化橡膠等。橡膠系材料，可此等之1種單獨使用或組合2種以上使用。基材亦可為將含有如上述之材料(例如熱可塑性彈性體或橡膠系材料)的薄膜層合複數層而得的層合薄膜。又，基材亦可為將含有如上述之材料(例如熱可塑性彈性體或橡膠系材料)的薄膜與其他薄膜層合而得的層合薄膜。基材在以上述樹脂系材料為主材料之薄膜內，亦可含有添加劑。添加劑例如可列舉顏料、染料、難燃劑、可塑劑、抗靜電劑、潤滑劑，及填料等。顏料例如可列舉二氧化鈦，及碳黑等。又，填料例示有如三聚氰胺樹脂之有機系材料、如發煙二氧化矽之無機系材料，及如鎳粒子之金屬系材料。如此的添加劑之含量並無特殊限定，較佳為在基材可發揮所期望之機能的範圍內。以提高與層合於第一基材面及第二基材面之至少任一者的黏著劑層之密合性為目的，基材亦可依期望於單面或兩面實施表面處理，或底塗劑處理。表面處理可列舉氧化法，及凹凸化法等。底塗劑處理可列舉於基材表面形成底塗劑層之方法。氧化法例如可列舉電暈放電處理、電漿放電處理、鉻氧化處理(濕式)、火焰處理、熱風處理、臭氧處理，及紫外線照射處理等。凹凸化法例如可列舉噴砂法，及噴塗處理法等。黏著劑層含有能量線硬化性黏著劑時，基材較佳具有對能量線之透過性。使用紫外線作為能量線時，基材較佳對紫外線具有透過性。使用電子束作為能量線時，基材較佳具有電子束之透過性。基材之厚度，只要黏著薄片於所期望之步驟中可適切地發揮機能，則不限定。基材之厚度較佳為20μm以上、更佳為40μm以上。又，基材之厚度較佳為250μm以下、更佳為200μm以下。又，於基材之第一基材面或第二基材面的面內方向，以2cm間隔測定複數部位之厚度時，基材厚度之標準偏差較佳為2μm以下、更佳為1.5μm以下、又更佳為1μm以下。該標準偏差藉由成為2μm以下，黏著薄片具有精度高的厚度，可將黏著薄片均勻延伸。於23℃下，基材之MD方向及CD方向的拉伸彈性率分別為10MPa以上、350MPa以下，於23℃下，基材之MD方向及CD方向的100%應力，分別為3MPa以上、20MPa以下為佳。拉伸彈性率及100%應力藉由為上述範圍，可將黏著薄片大幅延伸。基材之100%應力為如下所得之值。由基材切出100mm(長度方向)×15mm(寬度方向)之大小的試驗片。將所切出之試驗片之長度方向的兩端，以夾具夾住，使夾具間之長度成為50mm。以夾具將試驗片夾住後，以速度200mm/min於長度方向拉伸，讀取夾具間之長度成為100mm時之拉伸力之測定值。基材之100%應力，係藉由將所讀取之拉伸力的測定值除以基材之截面積而得之值。基材之截面積，係以寬度方向長度15mm×基材(試驗片)之厚度而算出。該切出，係以基材製造時之流動方向(MD方向)或直交於MD方向之方向(CD方向)與試驗片之長度方向一致的方式進行。再者，該拉伸試驗中，試驗片之厚度並無特別限制，可與作為試驗對象之基材厚度相同。於23℃下，基材之MD方向及CD方向之斷裂伸度，較佳分別為100%以上。基材之MD方向及CD方向之斷裂伸度，藉由分別為100%以上，可將黏著薄片大幅延伸，而不產生斷裂。基材之拉伸彈性率(MPa)及基材之斷裂伸度(%)，可如下述般測定。將基材切斷為15mm×140mm而得到試驗片。對於該試驗片，根據JIS K7161：2014及JIS K7127：1999，測定於23℃之斷裂伸度及拉伸彈性率。具體而言，將上述試驗片，以拉伸試驗機(島津製作所股份有限公司製，製品名「Autograph AG-IS 500N」)，設定為夾頭間距離100mm後，以200mm/min之速度進行拉伸試驗，測定斷裂伸度(%)及拉伸彈性率(MPa)。再者，測定係於基材製造時之流動方向(MD)及與其直交之方向(CD)雙方進行。 (黏著薄片之物性) 使本實施形態之黏著薄片，於第一方向、與第一方向相反方向之第二方向、相對於第一方向為鉛直方向之第三方向，及與第三方向相反方向之第四方向伸長，當伸長前之黏著薄片之面積S1，與伸長後之黏著薄片之面積S2之面積比(S2/S1)×100為300%時，基材及黏著劑層較佳為不會斷裂。第一方向、第二方向、第三方向及第四方向，較佳各自例如與後述2軸延伸之+X軸方向、-X軸方向、+Y軸方向，及-Y軸方向之4個方向對應。用以於4個方向伸長之裝置，例如可列舉後述擴展裝置。 (剝離薄片) 本實施形態之黏著薄片，在直到將黏著劑層之黏著面貼附於被黏著體(例如半導體晶片等)為止之間，亦能夠以保護黏著面為目的，於黏著面層合剝離薄片。剝離薄片之構成為任意。剝離薄片之例子，例示有經剝離劑等剝離處理之塑膠薄膜。塑膠薄膜之具體例，可列舉聚酯薄膜，及聚烯烴薄膜。聚酯薄膜，例如可列舉聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯，或聚萘二甲酸乙二酯等之薄膜。聚烯烴薄膜，例如可列舉聚丙烯，或聚乙烯等之薄膜。剝離劑可使用聚矽氧系、氟系，及長鏈烷基系等。此等剝離劑之中，較佳為價格便宜且可得到安定之性能的聚矽氧系。剝離薄片之厚度並無特殊限定。剝離薄片之厚度，通常為20μm以上、250μm以下。 (黏著薄片之製造方法) 本實施形態之黏著薄片，可與以往的黏著薄片同樣地製造。黏著薄片之製造方法，若可將前述黏著劑層層合於基材之一面，則不特別詳細限定。黏著薄片之製造方法的一例，可列舉如下之方法。首先，調製含有構成黏著劑層之黏著性組成物，及依期望進一步含有溶劑或分散媒的塗覆液。接著將塗覆液於基材之一面上藉由塗佈手段塗佈而形成塗膜。塗佈手段例如可列舉模塗佈器、淋幕式塗佈器、噴霧塗佈器、狹縫塗佈器，及刀式塗佈器等。接著，可藉由將該塗膜乾燥而形成黏著劑層。塗覆液只要係可進行塗佈，其性狀並無特殊限定。塗覆液係有含有用以形成黏著劑層之成分作為溶質的情況、亦有含有用以形成黏著劑層之成分作為分散質的情況。又，黏著薄片之製造方法之別的一例，可列舉如下之方法。首先，於前述剝離薄片之剝離面上塗佈塗覆液而形成塗膜。接著，使塗膜乾燥，形成包含黏著劑層與剝離薄片之層合體。接著，可於該層合體之黏著劑層中與剝離薄片側之面相反側之面上貼附基材，得到黏著薄片與剝離薄片之層合體。該層合體中之剝離薄片，可作為工程材料剝離，亦可保護黏著劑層直到於黏著劑層貼附被黏著體(例如半導體晶片及半導體晶圓等)為止。塗覆液含有交聯劑時，可藉由改變塗膜之乾燥條件(例如溫度及時間等)，或藉由另外進行加熱處理，進行塗膜內之(甲基)丙烯酸系共聚物(b1)與交聯劑之交聯反應，於黏著劑層內以所期望之存在密度形成交聯構造。為了充分進行該交聯反應，亦可在藉由上述方法等於基材層合黏著劑層之後，將所得之黏著薄片例如在23℃、相對濕度50%之環境下進行數日靜置之硬化。本實施形態之黏著薄片之厚度，較佳為30μm以上、更佳為50μm以上。又，黏著薄片之厚度，較佳為400μm以下、更佳為300μm以下。 [黏著薄片之使用方法] 本實施形態之黏著薄片，可貼合於各種被黏著體，因此可應用本實施形態之黏著薄片之被黏著體並無特殊限定。例如，被黏著體較佳為半導體晶片及半導體晶圓。本實施形態之黏著薄片，例如可使用於半導體加工用。進一步，本實施形態之黏著薄片，可使用於擴大貼合於單面之複數個半導體晶片之間隔。複數個半導體晶片之擴張間隔，係依賴於半導體晶片之尺寸，因此無特殊限制。本實施形態之黏著薄片，較佳為使用於將貼合於黏著薄片之單面的複數個半導體晶片中之相鄰的半導體晶片相互之間隔擴大200μm以上。再者，該半導體晶片相互之間隔的上限並無特殊限制。該半導體晶片相互之間隔的上限例如可為6000μm。又，本實施形態之黏著薄片，亦可使用於至少藉由2軸延伸，擴大層合於黏著薄片單面之複數個半導體晶片之間隔的情況。此時，黏著薄片例如係於彼此直交之X軸及Y軸中的+X軸方向、-X軸方向、+Y軸方向及-Y軸方向之4個方向賦予張力而被延伸，更具體而言，係於基材中之MD方向及CD方向各自被延伸。如上述之2軸延伸，例如可使用於X軸方向及Y軸方向賦予張力的分離裝置來進行。此處，X軸及Y軸係為直交者，平行於X軸之方向中之1者設為+X軸方向、與該+X軸方向相反方向設為-X軸方向、平行於Y軸之方向中之1者設為+Y軸方向、與該+Y軸方向相反方向設為-Y軸方向。上述分離裝置，較佳對黏著薄片於+X軸方向、-X軸方向、+Y軸方向及-Y軸方向之4個方向賦予張力，且針對該4個方向分別具備複數個保持手段，與該等所對應的複數個張力賦予手段。各方向中，保持手段及張力賦予手段之數目，雖亦依黏著薄片之大小而異，但例如可為3個以上、10個以下左右。此處，例如在為了於+X軸方向賦予張力所具備的包含複數個保持手段與複數個張力賦予手段之群中，較佳為各自的保持手段，具備保持黏著薄片之保持構件，各自的張力賦予手段，使對應於該張力賦予手段之保持構件於+X軸方向移動，而對黏著薄片賦予張力。而複數個張力賦予手段，較佳分別獨立地設置為使保持手段於+X軸方向移動。又，在為了於-X軸方向、+Y軸方向及-Y軸方向分別賦予張力所具備的包含複數個保持手段與複數個張力賦予手段之3個群中，亦較佳具有同樣的構成。藉此，上述分離裝置，可於每個直交於各方向之方向的區域，對黏著薄片賦予不同大小之張力。一般而言，使用4個保持構件將黏著薄片由+X軸方向、-X軸方向、+Y軸方向及-Y軸方向之4個方向分別保持，並於該4個方向延伸時，對於黏著薄片，除了此等4個方向以外，於此等之合成方向(例如+X軸方向與+Y軸方向之合成方向、+Y軸方向與-X軸方向之合成方向、-X軸方向與-Y軸方向之合成方向及-Y軸方向與+X軸方向之合成方向)亦會賦予張力。其結果，於黏著薄片之內側區域中的半導體晶片之間隔與外側區域中的半導體晶片之間隔可能產生差異。但是，上述分離裝置，於+X軸方向、-X軸方向、+Y軸方向及-Y軸方向各自的方向中，複數個張力賦予手段可分別獨立地對黏著薄片賦予張力，因此可使黏著薄片以消除如上述之黏著薄片的內側與外側之間隔的差異的方式進行延伸。其結果，可正確地調整半導體晶片之間隔。上述分離裝置，較佳進一步具備測定半導體晶片之相互間隔的測定手段。此處，上述張力賦予手段，較佳設置為可基於測定手段之測定結果，使複數個保持構件個別地移動。上述分離裝置藉由具備測定手段，可基於以上述測定手段所得之半導體晶片之間隔的測定結果，進一步調整該間隔，結果可更正確地調整半導體晶片之間隔。再者，上述分離裝置中，保持手段可列舉夾頭手段及減壓手段。夾頭手段例如可列舉機械夾頭及夾頭汽缸等。減壓手段例如可列舉減壓泵及真空抽氣器等。又，上述分離裝置中，保持手段，亦可為以接著劑或磁力等而支持黏著薄片之構成。又，夾頭手段中之保持構件，例如可使用具有如下構成的保持構件：具備將黏著薄片自下方支持的下支持構件、被下支持構件所支持的驅動機器，與被驅動機器之輸出軸支持，藉由驅動驅動機器可將黏著薄片自上方按壓的上支持構件之構成。該驅動機器，例如可列舉電動機器及致動器等。電動機器例如可列舉旋動馬達、直動馬達、線性馬達、單軸機器人及多關節機器人等。致動器例如可列舉空氣汽缸、油壓汽缸、無桿汽缸及旋轉汽缸等。又，上述分離裝置中，張力賦予手段亦可具備驅動機器，並藉由該驅動機器使保持構件移動。張力賦予手段所具備的驅動機器，可使用與上述保持構件所具備的驅動機器相同之驅動機器。例如，張力賦予手段，可為具備作為驅動機器之直動馬達，與存在於直動馬達與保持構件之間的輸出軸，且經驅動之直動馬達透過輸出軸使保持構件移動之構成。使用本實施形態之黏著薄片來擴大半導體晶片之間隔時，可由半導體晶片彼此接觸的狀態，或半導體晶片之間隔幾乎未被擴大的狀態下擴大其間隔，或亦可由半導體晶片彼此之間隔已擴大到特定間隔的狀態下，進一步擴大其間隔。由半導體晶片彼此接觸的狀態，或半導體晶片之間隔幾乎未被擴大的狀態下擴大其間隔的情況，例如可藉由於切割薄片上分割半導體晶圓得到複數個半導體晶片後，由該切割薄片將複數個半導體晶片轉印於本實施形態之黏著薄片，接著擴大該半導體晶片之間隔。或亦可於本實施形態之黏著薄片上分割半導體晶圓得到複數個半導體晶片後，擴大該半導體晶片之間隔。由半導體晶片彼此之間隔已擴大到特定間隔的狀態下，進一步擴大其間隔的情況，可使用其他黏著薄片、較佳為本實施形態之黏著薄片(第一延伸用黏著薄片)來將半導體晶片彼此的間隔擴大到特定間隔後，由該薄片(第一延伸用黏著薄片)將半導體晶片轉印於本實施形態之黏著薄片(第二延伸用黏著薄片)，接著，藉由延伸本實施形態之黏著薄片(第二延伸用黏著薄片)，可進一步擴大半導體晶片之間隔。再者，如此的半導體晶片之轉印與黏著薄片之延伸，亦可重複複數次，至半導體晶片之間隔成為所期望之距離為止。 [半導體晶圓等級封裝(FO-WLP)之製造方法] 本實施形態之黏著薄片，較佳使用於要求將半導體晶片之間隔較大幅地分離的用途，如此的用途之例子較佳可列舉扇出型之半導體晶圓等級封裝(FO-WLP)之製造方法。如此的FO-WLP之製造方法之例子，可列舉以下所說明之第一態樣。 (第一態樣) 以下說明使用本實施形態之黏著薄片的FO-WLP之製造方法之第一態樣。再者，該第一態樣中，本實施形態之黏著薄片，係作為後述第一黏著薄片10使用。圖1A中，顯示第一黏著薄片10，與貼合於第一黏著薄片10之複數個半導體晶片CP。第一黏著薄片10，具有第一基材11與第一黏著劑層12。第一基材11係對應於本實施形態之黏著薄片之基材。第一黏著劑層12係對應於本實施形態之黏著薄片之黏著劑層。第一基材11，具有第一基材面11A，及與第一基材面11A相反側之第二基材面11B。第一黏著劑層12係設置於第一基材面11A。於第二基材面11B並未設置黏著劑層。本實施形態中，第一黏著薄片10係作為擴展薄片使用。半導體晶片CP，具有電路面W1，及與電路面W1相反側之背面W3。於電路面W1，係形成有電路W2。複數個半導體晶片CP，例如，較佳藉由以切割將半導體晶圓單片化而形成。切割較佳對貼合於切割薄片等之半導體晶圓實施。切割可使用切割機(dicing saw)等之切斷手段。切割亦可對半導體晶圓照射雷射光來進行，以取代使用上述切斷手段。例如，可藉由雷射光照射，將半導體晶圓完全分割，單片化為複數個半導體晶片。或者，亦可藉由雷射光照射於半導體晶圓內部形成改質層後，於後述擴展步驟中拉伸黏著薄片，使半導體晶圓於改質層的位置斷裂，而單片化為半導體晶片CP。如此地單片化為半導體晶片之方法有稱為隱形切割(stealth dicing)者。隱形切割的情況，雷射光之照射，例如係照射紅外區域之雷射光，使聚焦於半導體晶圓之內部所設定的焦點。又，此等之方法中，雷射光之照射，可由半導體晶圓之任意側進行。切割後，較佳將複數個半導體晶片CP一次轉印於擴展薄片。本實施形態中，經單片化之複數個半導體晶片CP，係由切割薄片轉印於第一黏著薄片10。複數個半導體晶片CP，係將其電路面W1朝向第一黏著劑層12而被貼合。圖1B中，顯示說明將保持複數個半導體晶片CP之第一黏著薄片10予以拉伸之步驟(以下有稱為「擴展步驟」者)的圖。將第一黏著薄片10拉伸，擴大複數個半導體晶片CP間之間隔。又，進行隱形切割時，可藉由拉伸第一黏著薄片10，使半導體晶圓於改質層的位置斷裂，單片化為複數個半導體晶片CP，並且擴大複數個半導體晶片CP間之間隔。於擴展步驟拉伸第一黏著薄片10之方法並無特殊限定。將第一黏著薄片10拉伸之方法，例如可列舉壓抵環狀或圓狀之擴展器(expander)而拉伸第一黏著薄片10之方法，及使用把持構件等夾住第一黏著薄片10之外周部而拉伸之方法等。後者的方法，例如可列舉使用前述之分離裝置等進行2軸延伸之方法。此等之方法中就可更大幅地擴大半導體晶片CP間之間隔的觀點，尤佳為2軸延伸之方法。如圖1B所示，擴展後之半導體晶片CP間之距離係為D1。距離D1係依賴於半導體晶片CP之尺寸故無特殊限制。距離D1例如以分別獨立地為200μm以上、6000μm以下為佳。擴展步驟之後，係實施對第一黏著薄片10照射能量線，使第一黏著劑層12硬化之步驟(以下有稱為「能量線照射步驟」者)。第一黏著劑層12為紫外線硬化性時，能量線照射步驟中，係對第一黏著薄片10照射紫外線。藉由於擴展步驟之後使第一黏著劑層12硬化，延伸後之第一黏著薄片10的形狀保持性會提高。其結果，容易維持貼合於第一黏著劑層12之複數個半導體晶片CP的排列性。圖2A中，顯示說明於擴展步驟之後，將複數個半導體晶片CP轉印於第二黏著薄片20之步驟(以下有稱為「轉印步驟」者)的圖。第一擴展步驟之後，係使第一黏著劑層12硬化，因此第一黏著劑層12之黏著力降低，容易將第一黏著薄片10由半導體晶片CP剝離。進一步地，由於第一黏著薄片10為本實施形態之黏著薄片，故可抑制半導體晶片CP之黏著劑殘留。將第一黏著薄片10拉伸，擴大複數個半導體晶片CP之間隔，成為距離D1之後，於半導體晶片CP之背面W3貼合第二黏著薄片20。此處，該第二黏著薄片20，只要可保持複數個半導體晶片CP則無特殊限定。欲進一步擴張複數個半導體晶片CP間之距離D1時，第二黏著薄片20較佳使用擴展薄片、更佳使用本實施形態之黏著薄片。第二黏著薄片20，具有第二基材21與第三黏著劑層22。使用本實施形態之黏著薄片作為第二黏著薄片20時，第二基材21，係對應於本實施形態之黏著薄片之基材，第三黏著劑層22，係對應於本實施形態之黏著薄片之黏著劑層。第二黏著薄片20，亦可與複數個半導體晶片CP一起貼合於第二環狀框架。此時，於第二黏著薄片20之第三黏著劑層22上，係載置第二環狀框架，並將之輕輕地按壓而固定。之後，將於第二環狀框架之環形狀內側所露出的第三黏著劑層22壓抵於半導體晶片CP之背面W3，於第二黏著薄片20固定複數個半導體晶片CP。圖2B中顯示說明於第二黏著薄片20之貼合後，剝離第一黏著薄片10之步驟的圖。將第二黏著薄片20貼合後，剝離第一黏著薄片10時，複數個半導體晶片CP之電路面W1會露出。剝離第一黏著薄片10之後亦以維持於擴展步驟中擴張的複數個半導體晶片CP間之距離D1為佳。第二黏著薄片20為擴展薄片時，亦可實施於剝離第一黏著薄片10後，拉伸第二黏著薄片20之步驟(以下有稱為「第二擴展步驟」者)。此時，亦有將拉伸第一黏著薄片10之擴展步驟稱為第一擴展步驟者。第二擴展步驟中，進一步擴大複數個半導體晶片CP間之間隔。第二黏著薄片20為本實施形態之黏著薄片時，於擴張後之複數個半導體晶片CP的排列性會提高。第二擴展步驟中拉伸第二黏著薄片20之方法並無特殊限定。例如，第二擴展步驟亦可與第一擴展步驟同樣地實施。再者，第二擴展步驟後之半導體晶片CP間之間隔係稱為D2。距離D2係依賴於半導體晶片CP之尺寸故無特殊限制，但距離D2大於距離D1。距離D2例如較佳分別獨立地為200μm以上、6000μm以下。圖2C中，顯示說明將貼合於第二黏著薄片20之複數個半導體晶片CP，轉印於第三黏著薄片30之步驟(以下有稱為「轉印步驟」者)的圖。第二黏著薄片20為本實施形態之黏著薄片時，可抑制半導體晶片CP之黏著劑殘留。圖2C中，顯示不實施第二擴展步驟，即由第二黏著薄片20轉印於第三黏著薄片30之狀態。第三黏著薄片30，只要可保持複數個半導體晶片CP則無特殊限定。由第二黏著薄片20轉印於第三黏著薄片30之複數個半導體晶片CP，較佳為維持半導體晶片CP間之距離D1。實施第二擴展步驟後，較佳為維持半導體晶片CP間之距離D2。第一擴展步驟之後，可藉由重複轉印步驟及擴展步驟任意次數，使半導體晶片CP間之距離成為所期望之距離，使密封半導體晶片CP時之電路面的方向成為所期望之方向。欲密封第三黏著薄片30上之複數個半導體晶片CP時，第三黏著薄片30，較佳使用密封步驟用之黏著薄片、更佳使用具有耐熱性之黏著薄片。第三黏著薄片30，具有第三基材31與第四黏著劑層32。又，使用具有耐熱性之黏著薄片作為第三黏著薄片30時，第三基材31及第四黏著劑層32，較佳分別以具有可耐密封步驟中所施加的溫度之耐熱性的材料所形成。第三黏著薄片30之別的態樣，可列舉具備第三基材、第三黏著劑層及第四黏著劑層之黏著薄片。該黏著薄片，於第三黏著劑層與第四黏著劑層之間包含第三基材，且於第三基材之兩面具有黏著劑層。由第二黏著薄片20轉印於第三黏著薄片30之複數個半導體晶片CP，係使電路面W1朝向第四黏著劑層32而被貼合。圖2D中，顯示說明使用密封構件60來密封複數個半導體晶片CP之步驟(以下有稱為「密封步驟」者)的圖。本實施形態中，密封步驟，係於複數個半導體晶片CP被轉印於第三黏著薄片30之後實施。密封步驟中，係以電路面W1被第三黏著薄片30保護的狀態，藉由將複數個半導體晶片CP以密封構件60被覆而形成密封體3。於複數個半導體晶片CP之間亦填充有密封構件60。由於藉由第三黏著薄片30被覆電路面W1及電路W2，因此可防止電路面W1被密封構件60被覆。藉由密封步驟，得到各以特定距離分離之複數個半導體晶片CP被埋入於密封構件60之密封體3。密封步驟中，複數個半導體晶片CP，較佳在維持實施擴展步驟之後之距離的狀態下，藉由密封構件60被覆。密封步驟之後，剝離第三黏著薄片30。半導體晶片CP之電路面W1及密封體3之與第三黏著薄片30接觸之面3A會露出。由密封體3剝離黏著薄片之後，對該密封體3，依序進行形成與半導體晶片CP電性連接的再配線層之再配線層形成步驟，與將再配線層與外部端子電極予以電性連接之連接步驟。藉由再配線層形成步驟及與外部端子電極之連接步驟，半導體晶片CP之電路與外部端子電極係進行電性連接。將連接有外部端子電極的密封體3以半導體晶片CP單位進行單片化。將密封體3單片化之方法並無特殊限定。藉由將密封體3單片化，製造半導體晶片CP單位之半導體封裝。連接扇出於半導體晶片CP之區域外的外部電極的半導體封裝，係作為扇出型之晶圓等級封裝(FO-WLP)而被製造。依照本實施形態之黏著薄片，提高於擴展步驟之擴張後的排列性，且可抑制黏著劑殘留。因此，可適合使用於如以上說明之將複數個半導體晶片之間隔大幅地擴大，且有必要抑制擴張後之複數個半導體晶片的位置偏移之用途。 [實施形態之變化] 本發明不受上述實施形態任何限定。本發明在可達成本發明之目的之範圍，包含上述實施形態經變化的態樣等。例如，半導體晶圓或半導體晶片中之電路等，不限定於圖示之排列或形狀等。半導體封裝中之與外部端子電極之連接構造等，也不限定於前述實施形態所說明的態樣。前述實施形態中，係舉製造FO-WLP型之半導體封裝的態樣為例來說明，但本發明亦可應用於製造扇入型之WLP等之其他半導體封裝的態樣。上述第一態樣之FO-WLP之製造方法，亦可將一部分步驟變更或將一部分步驟省略。前述實施形態中，係舉前述實施形態之黏著劑層設置於第一基材面及第二基材面之一面上，且另一面上未設置黏著劑層的態樣之黏著薄片為例來進行說明，但本發明不限定於如此的態樣。例如，可列舉於基材之兩面上設置有黏著劑層的黏著薄片，至少一方之黏著劑層為前述實施形態之黏著劑層。例如，圖4中顯示黏著薄片10A。黏著薄片10A，具有基材110、第一黏著劑層12與第二黏著劑層13。黏著薄片10A，於第一黏著劑層12與第二黏著劑層13之間包含基材110。於基材110之第一基材面11A上，設置有第一黏著劑層12，於第二基材面11B上，設置有第二黏著劑層13。基材110係與前述實施形態中之第一基材11相同。第一黏著劑層12，係對應於前述實施形態之黏著薄片的黏著劑層。第二黏著劑層13並無特殊限定。第一黏著劑層12及第二黏著劑層13之組成，可相同亦可相異。第一黏著劑層12及第二黏著劑層13之厚度，可相同亦可相異。 [實施例] 以下列舉實施例以更詳細說明本發明。本發明不受此等實施例的任何限定。 [黏著薄片之製作] (實施例1) 使丙烯酸丁酯(BA)52質量份、甲基丙烯酸甲酯(MMA)20質量份，及丙烯酸2-羥基乙酯(2HEA)28質量份共聚合而得到丙烯酸系共聚物。調製對該丙烯酸系共聚物，加成甲基丙烯酸2-異氰酸基乙酯(昭和電工股份有限公司製、製品名「Karenz MOI」(註冊商標))之樹脂(壓克力A)之溶液(黏著劑主劑)。就加成率而言，相對於丙烯酸系共聚物之2HEA 100莫耳%而言，甲基丙烯酸2-異氰酸基乙酯係90莫耳%。所得之樹脂(壓克力A)之重量平均分子量(Mw)為60萬、Mw/Mn為4.5。藉由凝膠滲透層析(GPC)法，測定以標準聚苯乙烯換算之重量平均分子量Mw及數平均分子量Mn，由各自之測定值求得分子量分布(Mw/Mn)。對該黏著劑主劑，以如下所示比率添加能量線硬化性樹脂A(阪本藥品工業股份有限公司製、製品名「SA-TE60」)、光聚合起始劑(IGM Resins B.V.製、製品名「Omnirad 127D」)及交聯劑(TOYOCHEM股份有限公司製、TMP-TDI(甲苯二異氰酸酯之三羥甲基丙烷加成體)，進一步添加乙酸乙酯後，攪拌30分鐘，調製固體成分35.0質量%之黏著劑組成物A1。黏著劑主劑：固體成分100質量份能量線硬化性樹脂A：固體成分51.4質量份光聚合起始劑：固體成分3.7質量份交聯劑：固體成分0.2質量份接著，將所調製之黏著劑組成物A1之溶液塗佈於聚對苯二甲酸乙二酯(PET)系剝離薄膜(琳得科股份有限公司製、製品名「PET752150」)，將塗膜於90℃乾燥90秒，進一步於100℃乾燥90秒，於剝離薄膜上形成厚度30μm之黏著劑層。於該黏著劑層貼合胺基甲酸酯基材(倉敷紡績股份有限公司製，製品名「U-1490」，厚度100μm，硬度90度(A型))後，將於寬度方向之端部的不要部分予以切斷去除而製作黏著薄片SA1。能量線硬化性樹脂之性質等示於表1。 (實施例2) 於實施例1之黏著薄片SA1之製作中，使用能量線硬化性樹脂B(阪本藥品工業股份有限公司製、製品名「SA-TE6」)，以取代能量線硬化性樹脂A(「SA-TE60」)，除此以外係與實施例1同樣方式地製作實施例2之黏著薄片SA2。 (實施例3) 於實施例1之黏著薄片SA1之製作中，使用能量線硬化性樹脂C(新中村化學工業股份有限公司製、製品名「ATM-35E」)，以取代能量線硬化性樹脂A(「SA-TE60」)，除此以外係與實施例1同樣方式地製作實施例3之黏著薄片SA3。 (實施例4) 於實施例1之黏著薄片SA1之製作中，使用能量線硬化性樹脂D(新中村化學工業股份有限公司製、製品名「A-GLY-9E」)，以取代能量線硬化性樹脂A(「SA-TE60」)，除此以外係與實施例1同樣方式地製作實施例4之黏著薄片SA4。 (實施例5) 於實施例1之黏著薄片SA1之製作中，藉由將能量線硬化性樹脂A變更為固體成分26質量份，而製作能量線硬化性樹脂之含有率20質量%之黏著劑層，除此以外係與實施例1同樣方式地製作實施例5之黏著薄片SA5。 (實施例6) 於實施例1之黏著薄片SA1之製作中，藉由將能量線硬化性樹脂A變更為固體成分85.14質量份，而製作能量線硬化性樹脂之含有率45質量%之黏著劑層，除此以外係與實施例1同樣方式地製作實施例6之黏著薄片SA6。 (實施例7) 於實施例1之黏著薄片SA1之製作中，藉由將能量線硬化性樹脂A變更為固體成分22.9質量份，而製作能量線硬化性樹脂之含有率18質量%之黏著劑層，除此以外係與實施例1同樣方式地製作實施例7之黏著薄片SA7。 (實施例8) 於實施例1之黏著薄片SA1之製作中，藉由將能量線硬化性樹脂A變更為固體成分104.3質量份，而製作能量線硬化性樹脂之含有率50質量%之黏著劑層，除此以外係與實施例1同樣方式地製作實施例8之黏著薄片SA8。 (比較例1) 於實施例1之黏著薄片SA1之製作中，使用能量線硬化性樹脂E(新中村化學工業股份有限公司製、製品名「A-DOD-N」) 以取代能量線硬化性樹脂A(「SA-TE60」)，除此以外係與實施例1同樣方式地製作比較例1之黏著薄片R-SA1。 (比較例2) 於實施例1之黏著薄片SA1之製作中，使用能量線硬化性樹脂F(三菱化學股份有限公司製、製品名「UV-5806」)，以取代能量線硬化性樹脂A(「SA-TE60」)，除此以外係與實施例1同樣方式地製作比較例2之黏著薄片R-SA2。 [黏著薄片之評價] 針對所製作之黏著薄片，進行以下之評價。評價結果示於表1。 (排列性之評價方法) 將實施例1~8以及比較例1~2所製作之黏著薄片切斷為210mm×210mm，得到試驗用黏著薄片。此時，係以切斷後之薄片的各邊，與黏著薄片中之基材的MD方向成為平行或垂直的方式切斷。切割矽晶圓，以3mm×3mm尺寸之晶片於X軸方向成為7列，及於Y軸方向成為7列的方式，共切出49個晶片。剝離試驗用黏著薄片之剝離薄膜，於所露出之黏著劑層的中心部，貼附如上述般切出之計49個晶片。此時，晶片於X軸方向排有7列，及於Y軸方向排有7列，晶片間之距離，X軸方向及Y軸方向均為35μm。接著，將貼附有晶片之試驗用黏著薄片，設置於可2軸延伸之擴展裝置(分離裝置)。圖3中，顯示說明該擴展裝置100之平面圖。圖3中，X軸及Y軸係彼此直交的關係，該X軸之正方向稱+X軸方向、該X軸之負方向稱-X軸方向、該Y軸之正方向稱+Y軸方向、該Y軸之負方向稱-Y軸方向。試驗用黏著薄片200，係以各邊與X軸或Y軸成為平行的方式，設置於擴展裝置100。其結果，試驗用黏著薄片200中之基材之MD方向，係與X軸或Y軸成為平行。再者，圖3中，晶片係經省略。如圖3所示，擴展裝置100，於+X軸方向、-X軸方向、+Y軸方向及-Y軸方向各自具備5個保持手段101(共20個保持手段101)。各方向中之5個保持手段101當中，保持手段101A位於兩端、保持手段101C位於中央、保持手段101B位於保持手段101A與保持手段101C之間。將試驗用黏著薄片200之各邊，以此等之保持手段101把持。此處，如圖3所示，試驗用黏著薄片200之一邊為210mm。又，各邊之保持手段101彼此之間隔為40mm。又，試驗用黏著薄片200之一邊之端部(薄片之頂點)，與存在於該邊，且離該端部最近的保持手段101A之間隔為25mm。・第1擴展試驗接著，驅動保持手段101各自所對應的未圖示之複數個張力賦予手段，使保持手段101各自獨立地移動。將試驗用黏著薄片之四邊以夾具固定，於X軸方向及Y軸方向各自以5mm/s之速度，以200mm之擴張量將試驗用黏著薄片擴展。第1擴展試驗之結果，試驗用黏著薄片之面積，相對於擴展前，擴張為381%。本實施例中，有將該擴張量200mm之擴展試驗稱為第1擴展試驗的情況。第1擴展試驗後，實施例1~8之黏著薄片之基材及黏著劑層並未斷裂。・第2擴展試驗除了將前述第1擴展試驗中之X軸方向及Y軸方向之擴張量變更為350mm以外，係與第1擴展試驗同樣地擴展試驗用黏著薄片。第2擴展試驗之結果，試驗用黏著薄片之面積，相對於擴展前擴張為711%。本實施例中，有將該擴張量350mm之擴展試驗稱為第2擴展試驗者。再者，第2擴展試驗，係針對第1擴展試驗之結果，排列性評價為後述評價A之黏著薄片來實施。第2擴展試驗後，實施例1、2、3、5、6及8之黏著薄片之基材及黏著劑層並未斷裂。藉由第1擴展試驗或第2擴展試驗擴張試驗用黏著薄片後，藉由環狀框架保持試驗用黏著薄片200之擴張狀態。於保持擴張狀態的狀態下，基於晶片彼此之位置關係，算出晶片間距離之標準偏差，藉以評價排列性。具體而言，由各晶片之角落，求出晶片之中心，測定鄰接之晶片的中心間距離。由該中心間距離，減去晶片之邊之長度3mm，作為晶片間距離。試驗用黏著薄片上之晶片之位置，係使用CNC影像測定機(Mitutoyo股份有限公司製、製品名「Vision ACCEL」)測定。標準偏差係使用JMP公司製之數據分析軟體JMP13算出。排列性之評價基準係如下般設定。本實施例中，係將評價A或評價B判定為合格。・排列性之評價基準評價A：標準偏差100μm以下評價B：標準偏差200μm以下評價C：標準偏差201μm以上 (黏著劑殘留之評價方法) 於前述排列性之評價中之第1擴展試驗將試驗用黏著薄片擴張後，以如下之照射條件照射紫外線。・紫外線照射條件：220mW/cm² ,160mJ/cm² 紫外線照射後，使用琳得科股份有限公司製UV硬化型膠帶D-218將晶片由試驗用黏著薄片剝離。使用數位顯微鏡(KEYENCE股份有限公司製、製品名「VHX-1000」)以光學100倍來確認與黏著劑層鄰接的晶片表面。作為黏著劑殘留有無之判定基準，係於1晶片內，若有1個以上黏著劑殘留，則計數為黏著劑殘留晶片。黏著劑殘留之評價基準係如下般設定。本實施例中，係將評價A或評價B判定為合格。・黏著劑殘留之評價基準評價A：全部晶片無黏著劑殘留評價B：黏著劑殘留晶片之產生比例為40%以下評價C：黏著劑殘留晶片之產生比例為41%以上 (黏著劑之滲出評價方法) 使用前述實施例或比較例中製作的黏著劑組成物、長條狀之剝離薄膜及胺基甲酸酯基材，製作長條狀之黏著薄片之滾筒樣品。接著，將由該滾筒樣品捲出的黏著薄片切斷為35mm寬度，將所切斷之黏著薄片25m的分量，捲繞於3吋之ABS芯，得到試驗用滾筒樣品。將該試驗用滾筒樣品於40℃恆溫槽靜置48小時，將切斷面之狀態進行觸診試驗。黏著劑之滲出之評價基準係如下般設定。本實施例中，將評價A判定為合格。・滲出之評價基準評價A：切斷面無黏性感評價B：切斷面有黏性感表1中之記號之說明，係如以下所示。 EG：乙二醇 EG單元數M_EG ：能量線硬化性樹脂每一分子所具有的乙二醇單位之總數 UV硬化性官能基之數目M_UV ：能量線硬化性樹脂每一分子所具有的能量線硬化性(本實施例中為紫外線硬化性)之官能基之總數 M_EG /M_UV ：每個能量線(UV)硬化性官能基之乙二醇(EG)單位數如表1所示，實施例1~8之黏著薄片之黏著劑層，含有具有1個以上的通式(11)表示之乙二醇單位的能量線硬化性樹脂，因此實施例1~8之黏著薄片，排列性優良，為黏著劑殘留少的黏著薄片。

3:密封體 10:第一黏著薄片 10A:黏著薄片 11:第一基材 11A:第一基材面 11B:第二基材面 12:第一黏著劑層 13:第二黏著劑層 20:第二黏著薄片 21:第二基材 22:第三黏著劑層 30:第三黏著薄片 31:第三基材 32:第四黏著劑層 60:密封構件 100:擴展裝置 101:保持手段 101A:保持手段 101B:保持手段 101C:保持手段 110:基材 200:試驗用黏著薄片 CP:半導體晶片 W1:電路面 W2:電路 W3:背面

[圖1A]，為說明本發明之一實施形態的黏著薄片之使用方法之第一態樣的截面圖。 [圖1B]，為說明本發明之一實施形態的黏著薄片之使用方法之第一態樣的截面圖。 [圖2A]，為說明本發明之一實施形態的黏著薄片之使用方法之第一態樣的截面圖。 [圖2B]，為說明本發明之一實施形態的黏著薄片之使用方法之第一態樣的截面圖。 [圖2C]，為說明本發明之一實施形態的黏著薄片之使用方法之第一態樣的截面圖。 [圖2D]，為說明本發明之一實施形態的黏著薄片之使用方法之第一態樣的截面圖。 [圖3]為說明實施例所使用的2軸延伸擴展裝置之平面圖。 [圖4]，為本發明之另一實施形態的黏著薄片之截面圖。

10:第一黏著薄片

11:第一基材

11A:第一基材面

11B:第二基材面

12:第一黏著劑層

CP:半導體晶片

W1:電路面

W2:電路

W3:背面

Claims

一種擴展薄片，其具有基材與黏著劑層，前述基材之材料，為熱可塑性彈性體或橡膠系材料，前述黏著劑層，含有能量線硬化性樹脂，前述能量線硬化性樹脂，具有至少一個丙烯醯基或甲基丙烯醯基，前述能量線硬化性樹脂，具有1個以上且100個以下的下述通式(11)表示之乙二醇單位，前述黏著劑層，相對於該黏著劑層之固體成分的總量而言，含有15質量%以上、55質量%以下之前述能量線硬化性樹脂；
(前述通式(11)中，m為1以上)。
如請求項1之擴展薄片，其中前述能量線硬化性樹脂，進一步具有3個以上的能量線硬化性之官能基。
如請求項2之擴展薄片，其中前述能量線硬化性樹脂所具有的乙二醇單位之總數M_EG，與前述能量線硬化性樹脂所具有的前述能量線硬化性之官能基之總數M_UV之比M_EG/M_UV，為1以上、15以下。
如請求項1至請求項3中任一項之擴展薄片，其中前述能量線硬化性樹脂，進一步具有1個以上的甘油骨架。
如請求項1至請求項3中任一項之擴展薄片，其中前述能量線硬化性樹脂係以下述通式(12)表示；
(前述通式(12)中，n為1以上，R₁、R₂及R₃係分別獨立地為前述能量線硬化性樹脂之分子中的原子，或丙烯醯基或甲基丙烯醯基，R₁、R₂及R₃當中至少1者具有1個以上的前述通式(11)表示之乙二醇單位)。
如請求項1至請求項3中任一項之擴展薄片，其中前述能量線硬化性樹脂係以下述通式(13)表示；
(前述通式(13)中，n為1以上，R₁₁、R₁₂及R₁₃係分別獨立地為前述能量線硬化性樹脂之分子中的其他原子，或丙烯醯基或甲基丙烯醯基，m1、m2及m3係分別獨立地為1以上)。
如請求項1至請求項3中任一項之擴展薄片，其中前述能量線硬化性樹脂係以下述通式(14)表示；
(前述通式(14)中，R₂₁、R₂₂、R₂₃及R₂₄係分別獨立地為前述能量線硬化性樹脂之分子中的其他原子，或丙烯醯基或甲基丙烯醯基，R₂₁、R₂₂、R₂₃及R₂₄當中至少1者具有1個以上的前述通式(11)表示之乙二醇單位)。
如請求項1至請求項3中任一項之擴展薄片，其中前述能量線硬化性樹脂係以下述通式(15)表示；
(前述通式(15)中，R₂₅、R₂₆、R₂₇及R₂₈係分別獨立地為前述能量線硬化性樹脂之分子中的其他原子，或丙烯醯基或甲基丙烯醯基，m21、m22、m23及m24係分別獨立地為1以上)。
如請求項1至請求項3中任一項之擴展薄片，其中使前述擴展薄片於第一方向、與前述第一方向相反方向的第二方向、相對於前述第一方向為鉛直方向之第三方向，及與前述第三方向相反方向的第四方向伸長，伸長前之前述擴展薄片的面積S1，與伸長後之前述擴展薄片的面積S2之面積比(S2/S1)×100為300%時，前述基材及前述黏著劑層不會斷裂。