TWI844995B

TWI844995B - 具有修復結構的電致發光顯示器

Info

Publication number: TWI844995B
Application number: TW111140100A
Authority: TW
Inventors: 沈成斌; 朴相泌; 李晙碩; 琴都映
Original assignee: 南韓商樂金顯示科技股份有限公司
Priority date: 2021-12-23
Filing date: 2022-10-21
Publication date: 2024-06-11

Abstract

揭露一種具有修復結構的電致發光顯示器。電致發光顯示器包含：基板、在基板上的緩衝層、修復元件及包含薄膜電晶體和發光元件的像素。薄膜電晶體包含源極電極、汲極電極、半導體層、閘極電極及在閘極電極和半導體層之間的閘極絕緣層。發光元件連接於汲極電極。修復元件包含修復線及修復電極。修復線設置於基板和緩衝層之間，且包含在基板上的第一金屬層和在第一金屬層上的第二金屬層。修復電極在緩衝層和閘極絕緣層上，閘極絕緣層覆蓋修復線，且修復電極重疊於修復線。

Description

具有修復結構的電致發光顯示器

本發明係關於一種具有修復結構的電致發光顯示器。特別地，本發明係關於一種具有修復結構的電致發光顯示器，其中有缺陷的像素不被處理為暗(或黑色)像素(dark or black pixel)，而是與正常運作的相鄰像素連接(或繞行)。

近年來，已開發了各種類型的顯示器，諸如陰極射線管(CRT)、液晶顯示器(LCD)、等離子體顯示面板(PDP)和電致發光(Electroluminescent)顯示器。這些各類型的顯示器根據其獨特的特性和用途，用於顯示各種產品的影像資料，例如電腦、行動電話、銀行存款和提款裝置(ATM)和車輛導航系統。

特別地，作為自發光顯示器的電致發光顯示器，具有優異的視角、色彩實現度等光學性能，從而其應用領域逐漸廣泛並以影像顯示裝置受到關注。由於這些優點，電致發光顯示器作為實現4K超高解析度顯示器至8K解析度顯示器的最合適顯示器而受到關注。隨著解析度的提高，像素的尺寸變小且像素所佔的發射光區域的尺寸也變小。當電致發光顯示器的像素尺寸變小時，需要盡可能確保發射區域的大小。為此，採用了頂部發射型結構。

此外，隨著解析度的提高，由於像素中元件之間的電連接性或一或多個元件本身的缺陷，像素缺陷的發生頻率也會增加。當像素出現缺陷時，可以考慮進行暗點處理，或者可以考慮連接相鄰正常像素的修復方法。修復元件包括用於斷開發光元件和有缺陷的驅動元件之間的連接的切割部分，以及用於繞過有缺陷的驅動元件並連接到相鄰的正常驅動元件的焊接部分。對於頂發射型的超高解析度電致發光顯示器，為了保證修復元件的放置面積，可以減小發射區域。這是因為雷射照射區域被配置為不與發射區域重疊，以便在用於修復的雷射照射處理期間不損壞設置在發射區域中的發光元件。

換言之，當修復元件設置為不與發射區域重疊時，在像素區域內必需有設置修復元件的額外區域，因此可能減少像素區域內的發射區域。如此，解析度的提升受到了限制。因此，對於具有頂部發射型和超高解析度結構的電致發光顯示器，需要開發一種能夠解決由於需要修復元件引起的解析度限制問題的新穎修復結構。

為解決上述問題，本發明的目的在於提供一種修復元件與發射區域重疊以實現超高解析度的電致發光顯示器。本發明的另一目的在於提供一種具有修復元件的電致發光顯示器，其中修復元件與發射區域重疊並且不會損壞設置在發射區域內的發光元件。本發明的另一目的在於提供一種具有修復結構的電致發光顯示器，其中修復結構能夠透過照射適合應用於半導體層的低能量雷射來同時進行切割處理和焊接處理。

為了實現本發明的上述目的，根據本發明的電致發光顯示器包含：一基板；在基板上的一緩衝層；包含一薄膜電晶體和連接於薄膜電晶體的一發光元件的一像素，薄膜電晶體包含一源極電極、一汲極電極、一半導體層以及重疊於半導體層的一閘極電極；在閘極電極和半導體層之間的一閘極絕緣層；以及重疊於發光元件的一修復元件，修復元件包含：電性連接於薄膜電晶體的汲極電極且設置於基板和緩衝層之間的一修復線，修復線包含在基板上的一第一金屬層以及在第一金屬層上的一第二金屬層；以及將修復線電性連接至薄膜電晶體的汲極電極的一修復電極，修復電極在緩衝層和閘極絕緣層上，其中修復電極和閘極絕緣層重疊於修復線。

在一實施例中，一種電致發光顯示器包含：在一基板上的一第一像素，第一像素包含一第一開關薄膜電晶體、連接於第一開關薄膜電晶體的一第一驅動薄膜電晶體，以及連接於第一驅動薄膜電晶體的一第一發光元件；在基板上的一第二像素，第二像素包含一第二開關薄膜電晶體、連接於第二開關薄膜電晶體的一第二驅動薄膜電晶體，以及連接於第二驅動薄膜電晶體的一第二發光元件；以及重疊於第一發光元件和第二發光元件的一修復元件，修復元件包含：從第一像素延伸至第二像素的一修復線，修復線具有倒錐形狀；連接於第一驅動薄膜電晶體的一驅動汲極電極的一第一修復電極，第一修復電極與第一開關薄膜電晶體的一閘極電極設置於同一層且具有相同材料，且第一修復電極重疊於修復線的一第一端部；以及連接於第二驅動薄膜電晶體的一驅動汲極電極的一第二修復電極，第二修復電極與第二開關薄膜電晶體的一閘極電極設置於同一層且具有相同材料，且第二修復電極重疊於修復線的一第二端部，以及設置於修復線和第一修復電極之間和設置於修復線和第二修復電極之間的一緩衝層和一閘極絕緣層。

在一實施例中，一種電致發光顯示器包含：用以發射光的一第一像素，第一像素包含一第一開關薄膜電晶體、連接於第一開關薄膜電晶體的一第一驅動薄膜電晶體，以及連接於第一驅動薄膜電晶體的一第一發光元件；有缺陷的且不能發光的一第二像素，第二像素包含一第二開關薄膜電晶體、連接於第二開關薄膜電晶體的一第二驅動薄膜電晶體，以及連接於第二驅動薄膜電晶體的一第二發光元件；延伸至第一像素而不至第二像素的一第一修復線，第一修復線不電性連接於第一像素；連接於第一像素的第一驅動薄膜電晶體且重疊於第一修復線的一第一修復電極，且第一修復電極不電性連接於第一修復線；延伸至第二像素而不至第一像素且電性連接於第二像素的一第二修復線；連接於第二驅動薄膜電晶體和第二修復線的一第二修復電極，第二修復電極重疊於第二修復線；以及一緩衝層以及一閘極絕緣層包含設置於第一修復線和第一修復電極之間並具有一第一接合區域的一第一部分，第一接合區域的厚度比緩衝層的第一部分的其他區域和重疊於第一修復線的閘極絕緣層更薄，以及設置於第二修復線和第二修復電極之間並具有一第二接合區域的一第二部分，第二接合區域的厚度比緩衝層的第二部分的其他區域和重疊於第二修復線的閘極絕緣層更薄，其中第一修復電極的一部分在第一接合區域中以使緩衝層的第一部分和閘極絕緣層在第一修復線和第一修復電極之間，從而防止第一修復電極連接至第一修復線，且其中第二修復電極的一部分在第二接合區域中且第二修復電極的所述部分和第二修復線之間的一實體連接(Physical Connection)穿過第二接合區域以將第二修復線和在第二接合區域中的第二修復電極的所述部分連接在一起。

根據本發明的電致發光顯示器包含與發光元件的發射區域重疊的修復元件。因此，不存在修復元件帶來的解析度約束問題，從而易於實現超高解析度。此外，用於修復有缺陷的像素的切割處理和焊接處理是使用266奈米(nm)波段雷射以低能量進行的。即使修復元件與發光元件重疊設置，切割處理和焊接處理也可以用具有低能量的雷射同時進行。因此，與修復元件重疊的發光元件不會被修復處理過程中產生的熱能損壞。本發明可提供一種具有修復結構的超高解析度電致發光顯示器。

110:基板

200:閘極驅動器

300:資料墊部

410:源極驅動積體電路

430:可撓性薄膜

450:電路板

500:時序控制器

AA:顯示區域

NDA:非顯示區域

P:像素

P1:第一像素

P2:第二像素

SL:掃描線

DL:資料線

VDD:驅動電流線

ST:開關薄膜電晶體，薄膜電晶體

DT:驅動薄膜電晶體，薄膜電晶體

OLE:發光二極體

Cst:儲存電容

SG:開關閘極電極，閘極電極

SS:開關源極電極，源極電極

SD:開關汲極電極，汲極電極

DG:驅動閘極電極，閘極電極

DS:驅動源極電極，源極電極

DD:驅動汲極電極，汲極電極

GI:閘極絕緣層

DH:汲極接觸孔

VSS:低電源線

ANO:陽極電極

ANO1:第一陽極電極

ANO2:第二陽極電極

SA:開關半導體層，半導體層

DA:驅動半導體層，半導體層

ILD:中間絕緣層

EL:發射層

CAT:陰極電極

PAS:鈍化層

PL:平坦化層

PH:像素接觸孔

BA:堤部

RP:修復元件

RL:修復線

RT:修復電極

LS1:第一金屬層

LS2:第二金屬層

BUF:緩衝層

RH:修復接觸孔

SHL:修復遮蔽層

WD:焊接部

CU:切割部

RT1:第一修復電極

RT2:第二修復電極

DD1:第一驅動汲極電極

DD2:第二驅動汲極電極

RH1:第一修復接觸孔

WD1:第一焊接部

WD2:第二焊接部

OH:開孔

所附圖式是為了提供對本發明的進一步理解而包括在本發明中並構成本發明的一部分，這些圖式說明了本發明的實施例並且與說明書一起用於解釋本發明的原理。在圖式中：圖1為根據本發明一實施例所述之電致發光顯示器的結構示意平面圖。

圖2為根據本發明一實施例所述之像素的結構的電路圖。

圖3為根據本發明一實施例所述之設置於具有修復元件的電致發光顯示器的像素的結構的平面圖。

圖4為沿圖3中剖面線I-I’示出根據本發明一實施例所述之具有修復元件的電致發光顯示器的結構的剖面圖。

圖5為根據本發明一實施例所述之具有修復結構的電致發光顯示器中在進行焊接和切割處理之後的結構平面圖。

圖6A為沿圖5中剖面線II-II’示出根據本發明一實施例所述之電致發光顯示器中的焊接部和切割部在進行修復處理之前的結構的剖面圖。

圖6B為沿圖5中剖面線III-III’示出根據本發明一實施例所述之電致發光顯示器中的焊接部和切割部在進行修復處理之後的結構的剖面圖。

圖7為沿圖5中剖面線II-II’示出根據本發明一實施例所述之電致發光顯示器中的結構在進行焊接和切割處理之後的剖面圖。

圖8為根據本發明另一實施例所述之設置於具有修復元件的電致發光顯示器中的像素的結構的平面圖。

圖9為沿圖8中剖面線IV-IV’示出根據本發明其他實施例所述之具有修復元件的電致發光顯示器的結構的剖面圖。

圖10為根據本發明其他實施例所述之電致發光顯示器中的焊接部和切割部在進行修復處理之後的剖面圖。

圖11A至圖11E為根據本發明另一實施例所述之開孔的各種形狀的平面圖。

圖12為沿圖8中剖面線IV-IV’示出根據本發明其他實施例所述之具有修復元件的電致發光顯示器的結構的剖面圖。

本發明的優點和特徵及其實施方法將透過以下結合所附圖式描述的實施例而更加清楚。然而，本發明能以不同的形式實施並且不應被解釋為限於在此闡述的實施例。相反地，提供這些示例性實施例使得本發明可足夠徹底和完整以幫助所屬技術領域中具有通常知識者充分理解本發明的範圍。此外，本發明的保護範圍由申請專利範圍及其等同物限定。

為了描述本發明的各種示例性實施例而在所附圖式中示出的形狀、尺寸、比例、角度、數量等僅以示例的方式給出。因此，本發明不限於所示出的細節。除非另有說明，否則相同的元件符號在整個說明書中指代相同的元件。在以下描述中，在相關已知功能或配置的詳細描述可能不必要地模糊本發明的重點的情況下，可以省略對這種已知配置功能的詳細描述。

現在將詳細參考本發明的示例性實施例，其示例在所附圖式中示出。在可能的情況下，將在整個圖式中使用相同的元件符號來指代相同或相似的部分。在本說明書中，應當注意的是，在其他圖式中已經用於表示相似元件的相似元件符號盡可能用於元件。在以下描述中，當所屬技術領域中具有通常知識者已知的功能和配置與本發明的基本配置無關時，將省略其詳細描述。說明書中描述的術語應理解如下。

在使用本說明書中描述的「包含」、「具有」和「包括」的情況下，除非使用「僅」，否則還可以存在另一部分。除非有相反說明，否則單數形式的術語可以包括複數形式。

在解釋元件時，儘管沒有明確的描述，所述元件被解釋為包括誤差範圍。

在描述位置關係時，例如，當位置順序被描述為「上」、「之上」、「下」和「之下」時，可以包括其間沒有接觸的情況，除非使用「只」或「直接」。如果提到第一元件位於第二元件「上」，這並不意味著第一元件在圖中基本上位於第二元件之上。相關物件的上部和下部可以根據物件的方向而改變。因此，第一元件位於第二元件「上」的情況包括圖中或實際配置中的第一元件位於第二元件「下方」的情況以及第一元件位於第二元件「上方」的情況。

在描述時間關係時，舉例來說，當時間順序被描述為「之後」、「以後」、「接下來」和「之前」時，可以包括不連續的情況，除非使用了「即」或「直接」。

應當理解，儘管術語「第一」、「第二」等可以在本文中用於描述各種元件，但這些元件不應受這些術語的限制。這些術語僅用於區分一個元件與另一個元件。舉例來說，可以將第一元件稱為第二元件，並且類似地，可以將第二元件稱為第一元件，而不脫離本發明的範圍。

在描述本發明的元件時，可以使用諸如第一、第二、A、B、(a)和(b)的術語。這些術語只是為了將元件與其他元件區分開來，這些術語並不限制元件的性質、順序、次序或數量。當一個元件被描述為「連結」、「耦合」或「連接」到另一個元件時，該元件可以直接連接或連接到該另一個元件，但除非另有說明，否則是間接的。應當理解地，其他元件可以「***」在可以連接到或耦合到的每個元件之間。

應當理解地，術語「至少一」包括與任何一項目相關的所有組合。舉例來說，「第一元件、第二元件和第三元件中的至少一個」可以包括選自第一、第二和第三元件的兩個或更多個元件的所有組合以及第一、第二和第三元件中的每個元件。

如所屬技術領域中具有通常知識者能夠充分理解的，本發明的各種實施例的特徵可以部分地或整體地彼此耦合或組合，並且能以各種方式彼此相互運作並在技術上驅動。本發明實施例可以相互獨立實施，也可以相互依存的關係共同實施。

在下文中，將參照圖式詳細描述根據本發明的顯示裝置的示例。在為每個圖式的元件指定元件符號時，相同的元件可以盡可能地具有相同的元件符號，即使它們在不同的圖中示出。圖式中所示的元件的尺寸與實際的尺寸為便於描述，並不限於圖式中所示的尺寸。

在下文中，將參照所附圖式詳細解釋本發明。圖1為根據本發明一實施例所述之電致發光顯示器的結構示意平面圖。在圖1中，X軸可平行於掃描線的延伸方向，Y軸可平行於資料線的延伸方向，且Z軸可代表顯示器的厚度方向。

參照圖1，電致發光顯示器包含基板110、閘極(或掃描)驅動器200、資料墊部300、源極驅動積體電路410、可撓性薄膜430、電路板450以及時序控制器500。

基板110可包含電絕緣材料或可撓性材料。基板110可由玻璃、金屬或塑膠製成，但不以此為限。當電致發光顯示器為可撓性顯示器時，基板110可由例如為塑膠的可撓性材料製成。舉例來說，基板110可包含透明聚醯亞胺材料。

基板110可包含顯示區域AA和非顯示區域NDA。顯示區域AA是用於呈現靜態或動態影像的區域，其可定義為基板110的大部分中間區域，但不以此為限。在顯示區域AA中，可形成或設置多條掃描線(或閘極線)、多條資料線和多個像素。每個像素可包含多個子像素。每個子像素分別包括掃描線和資料線。

作為不呈現影片影像的區域的非顯示區域NDA可與顯示區域AA相鄰設置，或至少部分地圍繞顯示區域AA。舉例來說，非顯示區域NDA可被定義在基板110中圍繞全部或部分顯示區域AA的周邊區域處。在非顯示區域NDA中，可形成或設置閘極驅動器200和資料墊部300。

閘極驅動器200可以根據從時序控制器500接收的閘極控制訊號向掃描線提供掃描(或閘極)訊號。閘極驅動器200可形成在基板110上的顯示區域AA之任一外側的非顯示區域NDA，以作為板中閘極驅動器(Gate driver in panel，GIP)型。GIP型意味著閘極驅動器200直接形成在基板110上。

資料墊部300可以根據從時序控制器500接收的資料控制訊號將資料訊號提供給資料線。資料墊部300可以製成驅動晶片並安裝在可撓性薄膜430上。此外，可撓性薄膜430可附接在基板110上的顯示區域AA之任一外側的非顯示區域NDA，以作為捲帶式自動接合(Tape automated bonding，TAB)型。

源極驅動積體電路410可從時序控制器500接收數位影片資料和源極控制訊號。源極驅動積體電路410可根據源極控制訊號將數位影片資料轉換為類比資料電壓，然後將其提供給資料線。當源極驅動積體電路410被製造為晶片類型時，其可安裝在可撓性薄膜430上以作為薄膜上晶片(Chip on film，COF)或塑膠上晶片(Chip on plastic，COP)型。

可撓性薄膜430可包含將資料墊部300連接到源極驅動積體電路410的多條第一連接線以及將資料墊部300連接到電路板450的多條第二連接線。可撓性薄膜430可以使用各向異性導電膜附接在資料墊部300上，使得資料墊部300可連接於可撓性薄膜430的第一連接線。

電路板450可附接於可撓性薄膜430。電路板450可包含實現為驅動晶片的多個電路。舉例來說，電路板450可為印刷電路板或可撓性印刷電路板。

時序控制器500可透過電路板450的線纜從外部系統板接收數位影片資料和時序訊號。時序控制器500可基於時序訊號產生用於控制閘極驅動器200的運作時序的閘極控制訊號和用於控制源極驅動積體電路410的源極控制訊號。時序控制器500可將閘極控制訊號提供給閘極驅動器200並將源極控制訊號提供給源極驅動積體電路410。根據產品類型，時序控制器500可與源極驅動積體電路410形成為一個晶片並安裝在基板110上。

圖2為根據本發明一實施例所述之像素的結構的電路圖。圖3為根據本發明一實施例所述之設置於具有修復元件的電致發光顯示器的像素的結構的平面圖。圖4為沿圖3中剖面線I-I’示出根據本發明一實施例所述之具有修復元件的電致發光顯示器的結構的剖面圖。

參照圖2至圖4，發光顯示器的一個像素P可由掃描線SL、資料線DL和驅動電流線VDD定義。發光顯示器的一個像素可包含開關薄膜電晶體ST、驅動薄膜電晶體DT、發光二極體OLE和儲存電容Cst。驅動電流線VDD可被提供有用於驅動發光二極體OLE的高準位電壓。

舉例來說，開關薄膜電晶體ST可設置於掃描線SL和資料線DL交叉的部分。開關薄膜電晶體ST可包含開關閘極電極SG、開關源極電極SS和開關汲極電極SD。開關閘極電極SG可連接於掃描線SL，或如圖3所示可為掃描線SL的一部分。開關源極電極SS可連接於資料線DL，開關汲極電極SD可連接於驅動薄膜電晶體DT。透過將資料訊號提供給驅動薄膜電晶體DT，開關薄膜電晶體ST可以起到選擇將被驅動的像素的作用。

驅動薄膜電晶體DT可以起到透過開關薄膜電晶體ST驅動所選像素的發光二極體OLE的作用。驅動薄膜電晶體DT可包含驅動閘極電極DG、驅動源極電極DS和驅動汲極電極DD。驅動閘極電極DG可連接於開關薄膜電晶體ST的開關汲極電極SD。舉例來說，開關汲極電極SD可經由穿過覆蓋驅動閘極電極DG的閘極絕緣層GI的汲極接觸孔DH連接到驅動閘極電極DG。驅動源極電極DS可連接於驅動電流線VDD，且驅動汲極電極DD可連接於發光二極體OLE的陽極電極ANO。儲存電容Cst可設置於驅動薄膜電晶體DT的驅動閘極電極DG和發光二極體OLE的陽極電極ANO之間。在圖3和圖4中，為了避免圖式的複雜性，沒有繪示出儲存電容Cst。

驅動薄膜電晶體DT可以設置在驅動電流線VDD和發光二極體OLE之間。驅動薄膜電晶體DT可根據連接於開關薄膜電晶體ST的開關汲極電極SD的驅動閘極電極DG的電壓準位來控制從驅動電流線VDD流向發光二極體OLE的電流量。

圖4呈現薄膜電晶體ST和DT以頂閘極(Top-gate)結構形成。頂閘極電極是指閘極電極SG和DG形成在半導體層SA和DA上或上方。舉例來說，頂閘極結構是先在基板110上形成半導體層SA和DA，然後在覆蓋半導體層SA和DA的閘極絕緣層GI上形成閘極電極SG和DG。然而，本發明不以此為限。另舉例來說，根據本發明的電致發光顯示器可具有底部閘極結構。底部閘極結構是先在基板上形成閘極電極，然後在覆蓋閘極電極的閘極絕緣層上形成半導體層。

此外，對於圖4所示的頂閘極結構，可在閘極電極 SG和DG上沉積中間絕緣層ILD。資料線DL、源極電極SS和DS、汲極電極SD和DD以及驅動電流線VDD設置在中間絕緣層ILD上。

發光二極體OLE可包含陽極電極ANO、發射層EL和陰極電極CAT。發光二極體OLE可以根據由驅動薄膜電晶體DT控制的電流量來發光。在發光二極體OLE中，發光量由驅動薄膜電晶體DT控制的電流控制，從而可以調節電致發光顯示器的亮度。發光二極體OLE的陽極電極ANO與驅動薄膜電晶體DT的驅動汲極電極DD連接，且陰極電極CAT與被供給低電位電壓的低電源線VSS連接。換言之，發光二極體OLE可由驅動薄膜電晶體DT所控制的低準位電壓與高準位電壓之間的電壓差來驅動。

鈍化層PAS沉積在具有薄膜電晶體ST和DT的基板110的表面上。在一實施例中，鈍化層PAS由無機材料製成，諸如氧化矽或氮化矽。平坦化層PL沉積在鈍化層PAS上。平坦化層PL可以是用於平坦化其上形成有薄膜電晶體ST和DT的基板110的不均勻(或不平坦)表面的膜層。為了使不平坦的表面狀況均勻，平坦化層PL可由有機材料製成。鈍化層PAS和平坦化層PL具有暴露驅動薄膜電晶體DT的部分驅動汲極電極DD的像素接觸孔PH。

在平坦化層PL上形成陽極電極ANO。陽極電極ANO 經由像素接觸孔PH與驅動薄膜電晶體DT的驅動汲極電極DD連接。根據發光二極體OLE的發射類型，陽極電極ANO可具有不同的結構。舉例來說，在光發射到設置基板110的方向的底部發射型中，陽極電極ANO可由透明導電材料製成。舉例來說，在光朝向與基板110相反的方向發射的頂部發射型中，陽極電極ANO可由具有優異光反射率的金屬材料製成。

在本發明中，頂發射型適用於實現超高解析度。根據一個實施例，在頂部發射型中，陽極電極ANO在由資料線DL、驅動電流線VDD和掃描線SL定義的像素區域中具有最大面積。在這種情況下，薄膜電晶體ST和DT可以設置為在陽極電極ANO下方與陽極電極ANO重疊。此外，資料線DL、驅動電流線VDD和掃描線SL也可部分地與陽極電極ANO重疊。在圖3中，為了避免圖式的複雜性，陽極電極ANO被繪示為不與所述線重疊。

在陽極電極ANO上形成堤部BA。堤部BA可覆蓋陽極電極ANO的周邊區域，並暴露陽極電極ANO的大部分中間部分。由堤部BA暴露的陽極電極ANO的區域可定義為像素的發射區域。

在頂部發射型中，薄膜電晶體ST和DT可設置為與發射區域重疊。此外，資料線DL、驅動電流線VDD和掃描線SL的一些部分可與發射區域重疊。

發射層EL沉積在陽極電極ANO和堤部BA上。發射層EL可沉積在整個顯示區域AA上以覆蓋陽極電極ANO和堤部BA。在一實施例中，發射層EL可包含兩個或更多垂直堆疊的發射層以組合和發射白光。舉例來說，發射層EL可包含用於組合第一色光和第二色光以發出白光的第一發射層和第二發射層。

在另一實施例中，發射層EL可包含藍色發射層、綠色發射層和紅色發射層中的任何一個，以提供分配在像素的彩色光。在這種情況下，發射層EL可以被設置為在由堤部BA定義的各發射區域內被隔離。此外，發光二極體OLE更可包含用於提高發射層EL的發光效率及/或發光時間的功能層。

陰極電極CAT以與發射層EL表面接觸的方式沉積在發射層EL上。陰極電極CAT沉積為覆蓋基板110的整個表面，以與設置在所有像素的發射層EL連接。對於頂部發射型，在一實施例中，陰極電極CAT可由諸如氧化銦錫(Indium-tin-oxide，ITO)或氧化銦鋅(Indium-zinc-oxide，IZO)的透明導電材料製成。

根據本發明一實施例所述之電致發光顯示器更可包含修復元件RP。修復元件RP可為使任何有缺陷的像素像正常像素一樣運作而不使有缺陷的像素變暗的配置。

修復元件RP可包含修復線RL和修復電極RT。修復線RL可具有設置在兩相鄰像素P1和P2之間的線段形狀。修復線RL的一端可設置在任一像素，並且修復線RL的另一端可設置在另一相鄰像素。

修復線RL可先形成在基板110上。特別是，修復線RL可具有雙層結構。舉例來說，修復線RL可包含依序彼此堆疊的第一金屬層LS1和第二金屬層LS2。在一實施例中，修復線RL在剖面圖中可具有倒錐形狀。舉例來說，第一金屬層LS1可具有第一寬度，且第二金屬層LS2可具有比第一寬度更寬的第二寬度。因此，修復線RL可具有倒錐形結構，例如剖面圖中所示的“T”形。然而，本發明不以此為限。在其他實施例中，第一金屬層LS1的寬度可具有與第二金屬層LS2相同的寬度。

修復線RL被堆疊在基板110的整個表面上的緩衝層BUF覆蓋。在這種情況下，可在因倒錐形結構而具有階差的修復線RL的兩側形成接合區域。可透過將緩衝層BUF沉積得比其他部分更薄來形成接合區域。

半導體層SA和DA形成在緩衝層BUF上。半導體層SA和DA被堆疊在基板110的整個表面上的閘極絕緣層GI覆蓋。緩衝層BUF的接合區域可在閘極絕緣層GI處被反射(或再生)，因為閘極絕緣層GI被沉積得比其他部分更薄。閘極電極SG和DG形成在閘極絕緣層GI上，以分別與半導體層SA和DA重疊。修復電極RT由與閘極電極SG和DG相同的材料形成並且與閘極電極SG和DG設置在同一層。即使當第一金屬層LS1與第二金屬層LS2具有相同的寬度時，因為緩衝層BUF和閘極絕緣層GI沉積在第二金屬層LS2的兩側而比其他部分更薄，所以可形成接合區域。

修復電極RT可具有從第一端部延伸到第二端部的短段形狀，其中第一端部連接到連接至陽極電極ANO的驅動汲極電極DD，並且第二端部與修復線RL的一端重疊。與修復線RL重疊的修復電極RT的第二端部堆疊在接合區域的端部上，使得接合區域的端部被修復電極RT的第二端部覆蓋。由於修復電極RT在填充接合區域的同時被堆疊，所以在接合區域的修復線RL與修復電極RT之間的分隔距離明顯比其他部分更短(或更近)。

閘極電極SG和DG以及修復電極RT被堆疊在基板110的整個表面上的中間絕緣層ILD覆蓋。源極電極SS和DS、汲極電極SD和DD、資料線DL和驅動電流線VDD形成在中間絕緣層ILD上。中間絕緣層ILD可具有暴露修復電極RT的第一端部的修復接觸孔RH。驅動汲極電極DD延伸到修復電極RT的第一端部，然後透過修復接觸孔RH連接到修復電極RT。

在修復電極RT上，修復遮蔽層SHL可進一步由與驅動汲極電極DD相同的材料形成並且與設置在中間絕緣層ILD上的驅動汲極電極DD形成在同一層。修復遮蔽層SHL可為島狀，其完全覆蓋與修復線RL的一端重疊的修復電極RT的第二端部。修復遮蔽層SHL可為金屬層以防止或至少減少在修復線RL的一端和修復電極RT的第二端部焊接時產生的熱量傳遞到設置在其上的發光二極體OLE。

鈍化層PAS沉積在具有源極電極SS和DS、汲極電極SD和DD、資料線DL、驅動電流線VDD和修復遮蔽層SHL的基板110上。平坦化層PL沉積在鈍化層PAS上。

修復線RL的一端和修復電極RT的第二端部重疊或設置修復遮蔽層SHL的區域可以定義為焊接部WD。焊接部WD可設置為與開關薄膜電晶體ST的開關半導體層SA相鄰。與焊接部WD相鄰的開關半導體層SA可被定義為切割部CU。然而，本發明不以此為限。切割部CU可以被定義或設置在驅動薄膜電晶體DT的一部分。

根據本發明的修復元件可以切斷有缺陷的像素的陽極電極和連接到陽極電極的薄膜電晶體之間的連接，並且可連接於正常運作的相鄰像素的驅動薄膜電晶體。參照圖5至圖7，將說明當出現有缺陷的像素時，透過繞行或連接到正常像素來恢復或修復缺陷的結構。

圖5為根據本發明一實施例所述之具有修復結構的電致發光顯示器中在進行焊接和切割處理之後的結構平面圖。圖6A為沿圖5中剖面線II-II’示出根據本發明一實施例所述之電致發光顯示器中的焊接部和切割部在進行修復處理之前的結構的剖面圖。圖6B為沿圖5中剖面線III-III’示出根據本發明一實施例所述之電致發光顯示器中的焊接部和切割部在進行修復處理之後的結構的剖面圖。圖7為沿圖5中剖面線II-II’示出根據本發明一實施例所述之電致發光顯示器中的結構在進行焊接和切割處理之後的剖面圖。

根據本發明的電致發光顯示器可包含以矩陣方式排列在基板110上的多個像素P。舉例來說，如圖5所示，可以將第一像素P1和第二像素P2設置為彼此相鄰。第一像素P1可具有第一陽極電極ANO1，第二像素P2可具有第二陽極電極ANO2。由於包括在每個像素P1和P2中的線與薄膜電晶體之間的關係與上述相同，因此將不重複詳細描述。

修復元件RP可包含修復線RL、第一修復電極RT1和第二修復電極RT2。修復線RL可設置為從第一像素P1橫跨至第二像素P2。第一修復電極RT1可設置在第一像素P1，且第二修復電極RT2可設置在第二像素P2。

第一修復電極RT1可連接於第一驅動汲極電極DD1，其中第一驅動汲極電極DD1連接到設置在第一像素P1的第一陽極電極ANO1。特別是，第一修復電極RT1的第一端部可經由形成在覆蓋第一修復電極RT1的中間絕緣層ILD的第一修復接觸孔RH1連接到第一驅動汲極電極DD1。在剖面圖中，第一修復電極RT1的第二端部可與在其間具有緩衝層BUF和閘極絕緣層GI的修復線RL重疊。

第二修復電極RT2可連接到第二驅動汲極電極DD2，其中第二驅動汲極電極DD2連接到設置在第二像素P2的第二陽極電極ANO2。特別是，第二修復電極RT2的第一端部可經由形成在覆蓋第二修復電極RT2的中間絕緣層ILD的第二修復接觸孔RH2連接到第二驅動汲極電極DD2。在剖面圖中，第二修復電極RT2的第二端部可與在其間具有緩衝層BUF和閘極絕緣層GI的修復線RL重疊。

修復線RL的一端可與第一修復電極RT1的第二端部重疊，且修復線RL的另一端可與第二修復電極RT2的第二端部重疊。如上所述，第一修復電極RT1和第二修復電極RT2在形成於緩衝層BUF及/或閘極絕緣層GI中的接合區域處比其他區域更靠近修復線RL。因此，即使當使用具有例如為266奈米(nm)波長帶的低能量的雷射時，修復線RL亦可熔化並實體地和電性地連接到第一修復電極RT1和第二修復電極RT2。

另外，當使用在例如為266nm的波長帶中具有低能量的雷射時，半導體層SA和DA可以被切斷。透過對焊接部WD和切割部CU照射相同的低能量雷射，可以同時進行焊接和切割處理。

舉例來說，第一像素P1可為正常像素，且第二像素P2可為缺陷像素。由於開關薄膜電晶體ST或驅動薄膜電晶體DT中出現缺陷，有缺陷的像素可能處於不能正常驅動陽極電極ANO的狀態。其中已經發生缺陷的第二像素P2可能變暗。此為用於禁能開關薄膜電晶體ST或驅動薄膜電晶體DT的方法，開關薄膜電晶體ST或驅動薄膜電晶體DT為用於驅動設置在第二像素P2中的第二陽極電極ANO2的元件。於此，薄膜電晶體ST或DT可透過切割位於最靠近基板110的開關半導體層SA或驅動半導體層DA的一部分而被禁能。

本發明提供了一種將有缺陷的像素的陽極電極連接到相鄰正常像素的驅動薄膜電晶體而不是使有缺陷的像素變暗的方法和/或結構。為此，如圖5所示，可將雷射照射到設置在其中發生缺陷的第二像素P2中的開關薄膜電晶體ST的開關半導體層SA的一部分，使得開關半導體層SA被切割。於此，在一實施例中，可使用在266nm波長帶中具有低能量的雷射。當使用在1064nm波長帶具有高能量的雷射時，熱能太高且可能導致設置在開關半導體層SA上的發光二極體OLE損壞。

此外，可以將在266nm波長帶中具有低能量的雷射照射到第一焊接部WD1，在第一焊接部WD1中，第一修復電極RT1的第二端部和修復線RL的一端在第一像素P1中彼此重疊。如此一來，修復線RL的一端熔化並穿過厚度比其他區域更薄的接合區域，從而實體和電性連接於設置在修復線RL上的第一修復電極RT1的第二端部。

此外，可將在266nm的波長帶中具有低能量的雷射照射到第二焊接部WD2，在第二焊接部WD2中，第二修復電極RT2的第二端部和修復線RL的另一端彼此重疊。如此一來，修復線RL的另一端熔化並穿過厚度比其他區域薄的接合區域，從而實體並電性連接於設置在修復線RL上的第二修復電極RT2的第二端部。

因此，在其中發生缺陷的第二像素P2中，被配置為操控用於驅動第二陽極電極ANO2的驅動薄膜電晶體DT的開關薄膜電晶體ST被禁能。同時，第二陽極電極ANO2透過修復元件RP連接到設置在第一像素P1中的第一驅動汲極電極DD1。因此，第二像素P2處於與第一像素P1相同的運作狀態且從而可顯示與第一像素P1相同的顏色，因此避免了缺陷像素變暗。

由於根據本發明的修復元件RP可用以透過連接到相鄰正常像素而不是使有缺陷的像素變暗來修復待驅動的有缺陷的像素，因此可防止或至少減少由於有缺陷的像素引起的影像品質劣化。特別是，由於有缺陷的像素與相鄰正常像素的相同運作，因此觀看者不會意識到顯示器有任何缺陷問題。因此，透過提供修復高解析度顯示裝置的可能性，可在製造過程中實現更高的良率。進一步避免了具有缺陷的顯示裝置僅因極少的缺陷而不合格或被淘汰。

在根據本發明的電致發光顯示器中，使用在例如為266nm的波長帶中具有低能量的雷射以修復有缺陷的像素。由於根據本發明的電致發光顯示器具有頂部發射型，因此焊接部WD和切割部CU皆設置為與陽極電極ANO重疊，特別是與發射區域重疊。利用此結構，舉例來說，如果從基板110的下表面照射現有技術中主要用於焊接的波長為1064nm的雷射，則高能量可能對發光二極體OLE產生不利影響。也就是說，即使可以進行修復過程，發光二極體OLE也可能損毀而壞掉。

然而，在根據本發明的電致發光顯示器中，其特徵在於，適合於切割半導體層SA和DA的波長帶為266nm的雷射使用於焊接處理。即，用於切割切割部CU中的半導體層的具有低能量的雷射也用於連接焊接部WD中的修復線RL和金屬修復電極RT。

由於修復線RL具有倒錐形結構，因此在修復線RL的側緣形成接合區域，其中覆蓋修復線RL的閘極絕緣層GI和緩衝層BUF沉積的厚度比其他區域薄。在接合區域，閘極絕緣層GI上的修復電極RT1和RT2與修復線RL的距離比其他區域短。因此，即使使用266nm的低能量雷射，修復線RL也可能熔化，並且修復線RL可以透過接合區域實體並電性連接到修復電極RT1和RT2。即，切割處理和焊接處理可以使用相同的雷射在單一處理過程中進行，而不是這些處理使用不同的雷射在不同的處理過程中進行。

在沒有接合區域的情況下，在焊接部WD用266nm波長帶的低能量雷射進行焊接處理時，修復線RL可能會熔化，但熔化的部分無法穿過覆蓋修復線RL的閘極絕緣層GI和緩衝層 BUF。因此，修復線RL可能不與修復電極RT1和RT2連接。

參照圖6A，可將具有266nm波長的低能量的雷射照射到焊接部WD和切割部CU。於此，雷射光束可以照射在設置在基板110上的開關半導體層SA和修復線RL上。特別是，在修復線RL上，包括接合區域的區域被雷射照射。從而，如圖6B所示，開關半導體層SA被切割部CU處的熱能熔化和切割。由於在開關半導體層SA上沒有直接重疊金屬材料，因此雷射能量不會影響其他層體。在一些情況下，開關閘極電極和開關源極電極可與開關半導體層SA部分重疊。然而，即使當開關閘極電極和開關源極電極熔化並相互連接時，半導體層也被切割且其連接性被破壞，從而開關薄膜電晶體被禁能。

同時，在圖6B的焊接部WD，隨著修復線RL熔化，修復線RL的熔化部分通過厚度比其他區域更薄的接合區域，然後將修復線RL連接到設置在其上的修復電極RT1和RT2。由於緩衝層BUF和閘極絕緣層GI在接合區域非常薄，因此即使在低熱能的情況下，修復線RL也可能熔化並穿過接合區域。

參考圖7，開關半導體層SA在切割部CU處被切斷，並且設置在具有缺陷的第二像素P2中的發光二極體OLE可與開關薄膜電晶體ST和驅動薄膜電晶體DT斷開。然而，在焊接部WD，修復線RL可以連接於第一修復電極RT1。此外，即使圖7中未繪示，修復線RL也可如圖5所示地連接到第二修復電極 RT2。因此，第二陽極電極ANO2透過第一修復電極RT1、修復線RL和第二修復電極RT2連接以經由第一驅動汲極電極DD1驅動。

在下文中，將參照圖8至圖10描述本發明的另一實施例。圖8為根據本發明另一實施例所述之設置於具有修復元件的電致發光顯示器中的像素的結構的平面圖。圖9為沿圖8中剖面線IV-IV’示出根據本發明其他實施例所述之具有修復元件的電致發光顯示器的結構的剖面圖。圖10為根據本發明其他實施例所述之電致發光顯示器中的焊接部和切割部在進行修復處理之後的剖面圖。

參照圖8，本發明的其他實施例可與圖3所說明的實施例相同，也有一些不同之處。不同點在於，可在修復線RL的兩端與修復電極RT1和RT2重疊的部分形成開孔OH。開孔OH可為用於防止或至少減少緩衝層BUF和閘極絕緣層GI膨脹從而防止或至少減少對陽極電極ANO和堆疊在其上的發射層EL的損壞的元件。膨脹可能是由於在焊接處理中施加的熱能集中在修復線RL與修復電極RT1和RT2重疊的部分所造成。

在下文中，將參考圖式對其進行簡要描述。由於使用與圖3和圖4相同的圖式符號標記的相同元件的描述不再重複，故如果需要，相關描述可以參考圖3至圖7。

參照圖8，根據本發明其他實施例所述之電致發光顯示器包括修復元件RP。修復元件RP可包含修復線RL和修復電極RT。修復線RL可具有設置在兩個相鄰像素P1和P2之間的線段形狀。修復線RL可具有設置在一像素的一端和設置在另一像素的另一端。

修復線RL可先形成在基板110上。特別是，修復線RL可具有雙層結構。舉例來說，修復線RL可包含依序堆疊的第一金屬層LS1和第二金屬層LS2。在一實施例中，修復線RL在剖面圖中可具有倒錐形結構。舉例來說，第一金屬層LS1可具有第一寬度，且第二金屬層LS2可具有比第一寬度更寬的第二寬度。因此，修復線RL在剖面圖中可具有例如“T”形的倒錐形形狀。然而，本發明不以此為限。第一金屬層LS1的寬度可與第二金屬層LS2的寬度相同。

修復線RL可被堆疊在基板110的整個表面上的緩衝層BUF覆蓋。在這種情況下，在由於倒錐形結構而具有階差的修復線RL的兩側，可形成其中緩衝層BUF被堆疊的厚度比其他區域更薄的接合區域。在第一金屬層LS1的寬度與第二金屬層LS2的寬度相同的情況下，也可形成其中緩衝層BUF和閘極絕緣層GI形成為比第二金屬層LS2的兩側緣中的其他區域更薄的接合區域。

半導體層SA和DA形成在緩衝層BUF上。半導體層SA和DA可被堆疊在基板110的整個表面上的閘極絕緣層GI 覆蓋。在緩衝層BUF的接合區域，閘極絕緣層GI能以比其他區域更薄的厚度堆疊，使得接合區域可再形成於閘極絕緣層GI上。閘極電極SG和DG形成在閘極絕緣層GI上，以與半導體層SA和DA重疊。此外，修復電極RT形成在與閘極電極SG和DG相同的層體上並且由相同的材料形成。

修復電極RT可具有短線段形狀，其包括連接到與分配有一個像素P的陽極電極ANO連接的驅動汲極電極DD的第一端部以及從第一端部延伸以與修復線RL的一端重疊的第二端部。與修復線RL重疊的修復電極RT的第二端部可形成為完全覆蓋接合區域。由於修復電極RT可以被形成為填充接合區域，所以在接合區域之修復電極RT和修復線RL之間的距離可以明顯短於其他區域的距離。

閘極電極SG和DG以及修復電極RT可被堆疊在基板110的整個表面上的中間絕緣層ILD覆蓋。源極電極SS和DS、汲極電極SD和DD、資料線DL和驅動電流線VDD形成在中間絕緣層ILD上。中間絕緣層ILD可具有暴露修復電極RT的第一端部的一部分的修復接觸孔RH。驅動汲極電極DD可以延伸到修復電極RT的第一端部，從而其可透過修復接觸孔RH連接於修復電極RT。

同時，修復遮蔽層SHL更可與設置在修復電極RT上的中間絕緣層ILD上的驅動汲極電極DD形成在同一層且由相同材料形成。修復遮蔽層SHL可具有完全覆蓋修復電極RT的與修復線RL的另一端重疊的第二端部的島狀。修復遮蔽層SHL可為金屬層，以防止修復線RL的一端和修復電極RT的第二端部焊接時產生的熱量(或熱能)傳遞到設置在其上的發光二極體OLE。

修復線RL的一端和修復電極RT的第二端部彼此重疊或者設置修復遮蔽層SHL的部分可以定義為焊接部WD。焊接部WD可設置為與開關薄膜電晶體ST的開關半導體層SA相鄰。與焊接部WD相鄰的開關半導體層SA可以被定義為切割部CU。然而，本發明不以此為限。切割部CU可定義在驅動薄膜電晶體DT的一部分。

特別是，在焊接部WD，開孔OH分別形成在修復線RL的兩端。當用雷射將熱量(或熱能)施加到焊接部WD時，熱能可以透過金屬更快地集中。因此，熱能可以集中在開孔OH周圍的修復線RL的邊緣(例如，周邊)，使得相對低的熱能可以集中到開孔OH。

因此，即使使用少量的熱能，修復線RL也可以熔化然後焊接到設置在其上的修復電極RT。此外，由於熱能沒有集中到開孔OH，所以可減少熱能傳遞到位於開孔OH上方的元件中。也就是說，根據本發明的電致發光顯示器的特徵在於發光二極體OLE和修復電極RT彼此重疊，使得施加到修復電極RT的熱量不會損壞發光二極體OLE。

根據本發明，修復線RL的一端可與第一修復電極RT1的第二端部重疊，並且修復線RL的另一端可與第二修復電極RT2的第二端部重疊。在緩衝層BUF及/或閘極絕緣層GI的接合區域，第一修復電極RT1和第二修復電極RT2可以形成為如上所述具有比其他區域更薄的厚度。因此，即使當使用在266nm波長帶中具有低能量的雷射時，修復線RL也可以熔化然後實體並電性地連接到第一修復電極和第二修復電極RT2。

此外，透過使用在266nm的波長帶中具有低能量的雷射，可以將半導體層SA和DA切斷。因此，可透過將具有低能量的相同雷射照射到焊接部WD和切割部CU來進行焊接處理和切割處理。

可在焊接部WD和切割部CU處照射具有266nm波長的低能量的雷射。於此，雷射可以照射到設置在基板110上的開關半導體層SA和修復線RL。特別是，雷射照射到鄰近接合區域設置的開孔OH的外圍。從而，如圖10所示，開關半導體層SA可能被切割部CU處的熱能熔化和切割。由於沒有直接與開關半導體層SA重疊的金屬材料，因此雷射能量不會影響其上的其他層體。在一些情況下，開關閘極電極和開關源極電極可與開關半導體層SA部分重疊。然而，即使當開關閘極電極和開關源極電極熔化並相互連接時，半導體層被切割且其連通性被破壞，從而使開關薄膜電晶體被禁能。

同時，在焊接部WD，隨著修復線RL被熔化，修復線RL的熔化部分通過厚度比其他區域更薄的接合區域，然後修復線RL連接到設置於其上的修復電極RT1和RT2。由於緩衝層BUF和閘極絕緣層GI在接合區域非常薄，因此即使在低熱能的情況下，修復線RL也可能熔化並穿過接合區域。

在下文中，參照圖11A至圖11E，將描述根據本發明其他實施例的形成在修復線RL的兩端的開孔OH的各種形狀。圖11為根據本發明另一實施例所述之開孔的各種形狀的平面圖。根據本發明另一實施例的開孔OH可具有各種形狀中的任何一種。舉例來說，開孔OH可具有圓形、矩形、六邊形或其他多邊形。此外，開孔OH可具有在修復線RL的端部與修復電極RT的一些端部重疊的形狀。

舉例來說，如圖11A至圖11E所示，開孔OH可具有如圖11A所示的圓形、如圖11B所示的橢圓形、如圖11C所示的矩形形狀、圖11D所示的星形形狀、圖11E所示的十字形狀等多邊形形狀，以及其他各種形狀。圖11中的陰影部分是修復電極RT與除了形成在修復線RL末端的開孔OH之外的部分重疊的部分。陰影部分是修復線RL和修復電極RT被熔化然後透過使用雷射的修復處理接合的區域。

在下文中，將參照圖12說明本發明的又一實施例。圖12為沿圖8中剖面線IV-IV’示出根據本發明其他實施例所述之具有修復元件的電致發光顯示器的結構的剖面圖。

根據圖12所示的另一實施例的電致發光顯示器可實質上與圖9所示的電致發光顯示器相同。差異的特徵可以在於形成在焊接部WD中的開孔OH形成在修復線RL的兩端，以及在與修復線RL重疊的修復電極RT處。

透過這種結構，即使使用較低能量的雷射，修復線RL也可以在焊接部WD處熔化，從而可以非常容易地與修復電極RT連接。使用與圖9相同的圖式符號標記的圖12的元件基本相同。因此，相同的描述將不重複，並且參考圖9的描述可以容易地理解。

在本發明的上述實施例中所描述的特徵、結構、功效等包括在本發明的至少一個實施例中，並且不僅限於一個實施例。此外，本發明所屬技術領域中具有通常知識者可以針對其他示例組合或修改在至少一個示例中說明的特徵、結構、功效等。因此，與這些組合和變化相關的內容應被解釋為包含在本發明的範圍內。

對於所屬技術領域中具有通常知識者來說顯而易見的是，在不背離本發明的精神或範圍的情況下，可以對本發明進行各種修改和變化。因此，本發明旨在覆蓋本發明的修改和變化，只要它們落入申請專利範圍及其等效物的範圍內。可以根據以上詳細描述對實施例進行這些和其他改變。一般而言，在以下申請專利範圍中，所使用的術語不應被解釋為將申請專利範圍限制為在說明書和申請專利範圍中揭露的具體實施例，而應被解釋為包括所有可能的實施例以及申請專利範圍所享有的等效物的全部範圍。因此，申請專利範圍不以本揭露為限。