TWI844608B - 固體攝像裝置及電子機器 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種可實現進一步提高畫質之固體攝像裝置。 本發明提供之固體攝像裝置具備：像素陣列部，其呈二維狀排列有至少具有進行光電轉換之光電轉換部之像素；肋，其形成於較該像素陣列部更外側之外周部，且朝該像素陣列部之上方延伸；遮光材，其至少配置於較該像素陣列部更外側之外周部，進而配置於該肋之下方；及低反射材，其形成為覆蓋該遮光材之至少一部分；且前述低反射材形成於前述肋之下方、前述肋之側方或前述肋之下方與前述肋之側方。

Description

固體攝像裝置及電子機器

本發明係關於一種固體攝像裝置及電子機器。

近年來，電子式相機越發普及，作為其中心零件之固體攝像裝置(影像感測器)之需要越發變高。又，在固體攝像裝置之性能方面，業界持續開發用於實現高畫質化及高功能化之技術。業界在研究固體攝像裝置之高畫質化方面，重要的是防止產生引起畫質之劣化之眩光(散射光)之技術。

例如，在專利文獻1中曾提案在不形成防眩光膜下抑制產生眩光(散射光)之技術。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2012-114197號公報

[發明所欲解決之問題]

然而，在專利文獻1所提案之技術中，有無法謀求固體攝像裝置之進一步高畫質化之虞。

因而，本發明係鑒於如上述之狀況而完成者，主要目的在於提供一種可實現謀求畫質之進一步提高之固體攝像裝置、及搭載有該固體攝像裝置之電子機器。 [解決問題之技術手段]

本發明人等為了達成上述之目的而進行深入研究之結果為，成功實現畫質之進一步提高，而完成本發明。

亦即，在本發明中提供一種固體攝像裝置，該固體攝像裝置具備： 像素陣列部，其呈二維狀排列有至少具有進行光電轉換之光電轉換部之像素； 肋，其形成於較該像素陣列部更外側之外周部，且朝該像素陣列部之上方延伸； 遮光材，其至少配置於較該像素陣列部更外側之外周部，進而配置於該肋之下方；及 低反射材，其形成為覆蓋該遮光材之至少一部分。

在本發明之固體攝像裝置中，前述低反射材可形成於前述肋之下方。 在本發明之固體攝像裝置中，前述低反射材可形成於前述肋之側方。 在本發明之固體攝像裝置中，前述低反射材可形成於前述肋之下方與前述肋之側方。

在本發明之固體攝像裝置中，前述遮光材可配置於較前述像素陣列部更外側之外周部與前述像素陣列部之至少一部分，進而可配置於前述肋之下方；且 前述低反射材可以覆蓋該遮光材之至少一部分之方式形成於前述肋之下方與前述像素陣列部之至少一部分。 在本發明之固體攝像裝置中，前述遮光材可配置於較前述像素陣列部更外側之外周部與前述像素陣列部之至少一部分，進而可配置於前述肋之下方；且 前述低反射材可以覆蓋該遮光材之至少一部分之方式，形成於前述肋之側方與前述像素陣列部之至少一部分。 在本發明之固體攝像裝置中，前述遮光材可配置於較前述像素陣列部更外側之外周部與前述像素陣列部之至少一部分，進而可配置於前述肋之下方；且 前述低反射材可以覆蓋該遮光材之至少一部分之方式，形成於前述肋之下方、前述肋之側方、及前述像素陣列部之至少一部分。

在本發明之固體攝像裝置中，前述低反射材可介隔至少1種氧化膜而與前述遮光材積層，且形成於前述肋之下方。 在本發明之固體攝像裝置中，前述低反射材可介隔至少1種氧化膜而與前述遮光材積層，且形成於前述肋之側方。 在本發明之固體攝像裝置中，前述低反射材可介隔至少1種氧化膜而與前述遮光材積層，且形成於前述肋之下方與前述肋之側方。

在本發明之固體攝像裝置中，前述低反射材可為藍色濾光器。 在本發明之固體攝像裝置中，前述低反射材可為黑色濾光器。

再者，在本發明中提供一種搭載有本發明之固體攝像裝置之電子機器。

根據本發明，可實現畫質之進一步提高。此外，不一定限定於此處所記載之效果，只要係在本發明中所記載之任一效果皆可為本發明之效果。

以下，針對用於實施本發明之較佳之形態進行說明。以下所說明之實施形態係顯示本發明之代表性實施形態之一例者，並非藉此狹義地解釋本發明之範圍。此外，如無特別異議，在圖式中，所謂“上”係意指圖中之上方向或上側，所謂“下”係意指圖中之下方向或下側，所謂“左”係意指圖中之左方向或左側，所謂“右”係意指圖中之右方向或右側。又，在圖式中對於同一或同等之要素或構件賦予同一符號，且省略重複之說明。

說明係按照以下述順序進行。 1.本發明之概要 2.第1實施形態(固體攝像裝置之例1) 3.第2實施形態(固體攝像裝置之例2) 4.第3實施形態(固體攝像裝置之例3) 5.第4實施形態(固體攝像裝置之例4) 6.第5實施形態(固體攝像裝置之例5) 7.第6實施形態(電子機器之例) 8.應用本發明之固體攝像裝置之使用例 9.對於內視鏡手術系統之應用例 10.對於移動體之應用例

＜1.本發明之概要＞ 首先，針對本發明之概要進行說明。

若殘留遮光材(例如鎢)之上方之有機材，則肋之下方在膜性質上變得不穩定，例如有在彩色濾光器(有機材)與透鏡材(有機材)之界面產生剝落之情形。因而，有採取去除肋之下方之彩色濾光器及透鏡材之對策之情形。

然而，如圖17所示，為在肋1之下方之遮光材6上成膜有第1氧化膜5及第2氧化膜6之狀態，由於第1氧化膜5及第2氧化膜6為透過光之膜，故有在光朝肋1邊緣入射時，在遮光材6與肋1反射之光進入像素陣列部200之受光面，而產生眩光之情形。

本發明係鑒於上述狀況而完成者。本發明之固體攝像裝置具備：像素陣列部，其呈二維狀排列有至少具有進行光電轉換之光電轉換部之像素；肋，其形成於較像素陣列部更外側之外周部，且朝該像素陣列部之上方延伸；遮光材，其至少配置於較該像素陣列部更外側之外周部，進而配置於該肋之下方；及低反射材，其形成為覆蓋該遮光材之至少一部分。

根據本發明，可減少肋邊緣之入射光之反射，防止產生眩光，進而防止肋之下方之膜剝落。

以下，針對本發明之固體攝像裝置之整體之構成例(單層基板)，利用圖18進行說明。

圖18係顯示本發明之固體攝像裝置之整體之構成例之剖視圖。

在本發明之固體攝像裝置中，PD(光電二極體)20019接收自半導體基板20018之背面(在圖18中為上表面)側入射之入射光20001。在PD 20019之上方設置有平坦化膜20013、CF(彩色濾光器)20012、微透鏡20011，在受光面20017接收依序經由各部入射之入射光20001並進行光電轉換。

例如，PD 20019之n型半導體區域20020形成為蓄積電荷(電子)之電荷蓄積區域。在PD 20019中，n型半導體區域20020設置於半導體基板20018之p型半導體區域20016、20041之內部。在n型半導體區域20020之半導體基板20018之表面(在圖18中為下表面)側設置有與背面(在圖18中為上表面)側相比雜質濃度更高之p型半導體區域20041。即，PD 20019形成HAD(Hole-Accumulation Diode，空穴蓄積二極體)構造，在n型半導體區域20020之上表面側與下表面側之各界面形成有p型半導體區域20016、20041，以抑制產生暗電流。

在半導體基板20018之內部設置有將複數個像素20010之間電性分離之像素分離部20030，在由該像素分離部20030區劃出之區域設置有PD 20019。圖中，當自上表面側觀察固體攝像裝置時，像素分離部20030例如以介置於複數個像素20010之間之方式形成為格子狀，PD 20019形成於由該像素分離部20030區劃出之區域內。

在各PD 20019中，陽極被接地，在固體攝像裝置中，PD 20019蓄積之信號電荷(例如電子)經由未圖示之傳送Tr(MOS FET)等讀出，並作為電信號朝未圖示之VSL(垂直信號線)輸出。

配線層20050設置於半導體基板20018中之與設置有遮光膜20014、CF 20012、微透鏡20011等之各部之背面(上表面)為相反側之表面(下表面)。

配線層20050包含配線20051及絕緣層20052，在絕緣層20052內，配線20051形成為電性連接於各元件。配線層20050形成所謂之多層配線之層，構成絕緣層20052之層間絕緣膜與配線20051交替地積層複數次而形成。此處，作為配線20051，朝傳送Tr等之用於自PD 20019讀出電荷之Tr之配線、及VSL等之各配線介隔絕緣層20052而積層。

在配線層20050之相對於設置有PD 20019之側為相反側之面設置有支持基板20061。例如，包含厚度為數百μm之矽半導體之基板作為支持基板20061而設置。

遮光膜20014設置於半導體基板20018之背面(在圖18中為上表面)之側。

遮光膜20014構成為對自半導體基板20018之上方朝向半導體基板20018之背面之入射光20001之一部分予以遮光。

遮光膜20014設置於在半導體基板20018之內部設置之像素分離部20030之上方。此處，遮光膜20014在半導體基板20018之背面(上表面)上介隔矽氧化膜等之絕緣膜20015以呈凸形狀突出之方式設置。相對於此，在設置於半導體基板20018之內部之PD 20019之上方以入射光20001朝PD 20019入射之方式開口，而未設置遮光膜20014。

即，圖中，當自上表面側觀察固體攝像裝置時，遮光膜20014之平面形狀形成為格子狀，形成有供入射光20001朝受光面20017通過之開口。

遮光膜20014係由對光予以遮光之遮光材料形成。例如，藉由依序積層鈦(Ti)膜與鎢(W)膜，而形成遮光膜20014。此外，遮光膜20014例如可藉由依序積層氮化鈦(TiN)膜與鎢(W)膜而形成。

遮光膜20014由平坦化膜20013被覆。平坦化膜20013利用透過光之絕緣材料形成。

像素分離部20030具有槽部20031、固定電荷膜20032、及絕緣膜20033。

固定電荷膜20032在半導體基板20018之背面(上表面)之側形成為覆蓋將複數個像素20010之間予以區劃之槽部20031。

具體而言，固定電荷膜20032設置為以一定之厚度被覆在半導體基板20018中形成於背面(上表面)側之槽部20031之內側之面。而且，以埋入由該固定電荷膜20032被覆之槽部20031之內部之方式設置(填充)絕緣膜20033。

此處，固定電荷膜20032利用具有負的固定電荷之高介電體而形成，以在與半導體基板20018之界面部分形成正電荷(電洞)蓄積區域而抑制產生暗電流。藉由固定電荷膜20032形成為具有負的固定電荷，而藉由該負的固定電荷在與半導體基板20018之界面施加電場，形成正電荷(電洞)蓄積區域。

固定電荷膜20032例如可由鉿氧化膜(HfO₂ 膜)形成。且，固定電荷膜20032除此以外，例如可形成為包含鉿、鋯、鋁、鉭、鈦、鎂、釔、鑭系元素等之氧化物之至少一者。

其次，針對本發明之固體攝像裝置之整體構成例(積層基板)，利用圖19～20進行說明。

圖19係顯示可應用本發明之技術之積層型固體攝像裝置之構成例之概要的圖。

圖19之A顯示非積層型固體攝像裝置之概略構成例。固體攝像裝置23010如圖19之A所示般，具有1個晶粒(半導體基板)23011。在該晶粒23011搭載有：像素區域23012，其呈陣列狀配置有像素；控制電路23013，其進行像素之驅動及其他之各種控制；及邏輯電路23014，其用於信號處理。

圖19之B及C顯示積層型固體攝像裝置之概略構成例。固體攝像裝置23020如圖19之B及C所示般，積層有感測器晶粒23021與邏輯晶粒23024此2粒晶粒，且被電性連接，而構成為1個半導體晶片。

在圖19之B中，於感測器晶粒23021，搭載有像素區域23012與控制電路23013，於邏輯晶粒23024，搭載有包含進行信號處理之信號處理電路之邏輯電路23014。

在圖19之C中，於感測器晶粒23021，搭載有像素區域23012，於邏輯晶粒23024，搭載有控制電路23013及邏輯電路23014。

圖20係顯示積層型固體攝像裝置23020之第1構成例之剖視圖。

在感測器晶粒23021，形成有成為像素區域23012之構成像素之PD(光電二極體)、FD(浮動擴散部)、Tr(MOS FET)、及成為控制電路23013之Tr等。進而，在感測器晶粒23021，形成具有複數層、在本例中為3層配線23110之配線層23101。此外，控制電路23013(成為其之Tr)可構成於邏輯晶粒23024，而非構成於感測器晶粒23021。

在邏輯晶粒23024，形成有構成邏輯電路23014之Tr。進而，在邏輯晶粒23024形成具有複數層、在本例中為3層配線23170之配線層23161。又，在邏輯晶粒23024形成有在內壁面形成有絕緣膜23172之連接孔23171，於連接孔23171內，埋入有與配線23170等連接之連接導體23173。

感測器晶粒23021與邏輯晶粒23024以彼此之配線層23101及23161對向之方式被貼合，藉此，構成積層有感測器晶粒23021與邏輯晶粒23024之積層型固體攝像裝置23020。在感測器晶粒23021與邏輯晶粒23024貼合之面，形成保護膜等膜23191。

在感測器晶粒23021形成連接孔23111，該連接孔23111自感測器晶粒23021之背面側(光朝PD入射之側)(上側)貫通感測器晶粒23021而到達邏輯晶粒23024之最上層之配線23170。進而，在感測器晶粒23021，與連接孔23111接近而形成自感測器晶粒23021之背面側到達第1層配線23110之連接孔23121。在連接孔23111之內壁面形成絕緣膜23112，在連接孔23121之內壁面形成絕緣膜23122。而且，在連接孔23111及23121內，分別埋入有連接導體23113及23123。連接導體23113與連接導體23123，在感測器晶粒23021之背面側被電性連接，藉此，感測器晶粒23021與邏輯晶粒23024經由配線層23101、連接孔23121、連接孔23111、及配線層23161被電性連接。

圖21係顯示積層型固體攝像裝置23020之第2構成例之剖視圖。

在固體攝像裝置23020之第2構成例中，藉由形成於感測器晶粒23021之1個連接孔23211，而將感測器晶粒23021(之配線層23101(之配線23110))與邏輯晶粒23024(之配線層23161(之配線23170))電性連接。

亦即，在圖21中，連接孔23211形成為自感測器晶粒23021之背面側貫通感測器晶粒23021而到達邏輯晶粒23024之最上層之配線23170，且到達感測器晶粒23021之最上層之配線23110。在連接孔23211之內壁面形成絕緣膜23212，在連接孔23211內埋入連接導體23213。在上述之圖20中，藉由2個連接孔23111及23121，而感測器晶粒23021與邏輯晶粒23024電性連接，但在圖21中，藉由1個連接孔23211，而感測器晶粒23021與邏輯晶粒23024電性連接。

圖22係顯示積層型固體攝像裝置23020之第3構成例之剖視圖。

圖22之固體攝像裝置23020於在感測器晶粒23021與邏輯晶粒23024貼合之面未形成保護膜等之膜23191之方面，與在感測器晶粒23021與邏輯晶粒23024貼合之面形成保護膜等之膜23191之圖20之情形不同。

圖22之固體攝像裝置23020藉由以配線23110及23170直接接觸之方式，使感測器晶粒23021與邏輯晶粒23024重合且一面施加所需之加重一面加熱，將配線23110及23170直接接合而構成。

圖23係顯示可應用本發明之技術之積層型固體攝像裝置之另一構成例之剖視圖。

在圖23中，固體攝像裝置23401為積層有感測器晶粒23411、邏輯晶粒23412、記憶體晶粒23413之3粒晶粒之3層之積層構造。

記憶體晶粒23413例如具有記憶體電路，該記憶體電路進行在由邏輯晶粒23412進行之信號處理中暫時所需之資料之記憶。

在圖23中，可在感測器晶粒23411之下依序積層邏輯晶粒23412及記憶體晶粒23413，邏輯晶粒23412及記憶體晶粒23413以相反之順序、亦即以記憶體晶粒23413及邏輯晶粒23412之順序積層於感測器晶粒23411之下。

此外，在圖23中，於感測器晶粒23411形成有成為像素之光電轉換部之PD、或像素Tr之源極/汲極區域。

在PD之周圍介隔閘極絕緣膜而形成閘極電極，藉由與閘極電極成對之源極/汲極區域而形成像素Tr 23421、像素Tr 23422。

與PD相鄰之像素Tr 23421係傳送Tr，構成該像素Tr 23421之一對源極/汲極區域之一者成為FD。

又，在感測器晶粒23411形成有層間絕緣膜，在層間絕緣膜形成連接孔。在連接孔形成有連接於像素Tr 23421、及像素Tr 23422之連接導體23431。

進而，在感測器晶粒23411，形成與各連接導體23431連接之具有複數層配線23432之配線層23433。

又，在感測器晶粒23411之配線層23433之最下層，形成有成為外部連接用之電極之鋁墊23434。亦即，在感測器晶粒23411中，於較配線23432更靠近與邏輯晶粒23412之接著面23440之位置形成有鋁墊23434。鋁墊23434被用作與外部之信號之輸入輸出之配線之一端。

進而，在感測器晶粒23411，形成有用於與邏輯晶粒23412之電性連接之接點23441。接點23441連接於邏輯晶粒23412之接點23451，且亦連接於感測器晶粒23411之鋁墊23442。

而且，在感測器晶粒23411，以自感測器晶粒23411之背面側(上側)到達鋁墊23442之方式形成有墊孔23443。

再者，針對可應用本發明之積層型固體攝像裝置之構成例(積層基板之電路構成)，利用圖24～圖25進行說明。

圖24所示之電子器件(積層型固體攝像裝置)10Ad具備：第1半導體晶片20d，其具有複數個感測器40d配置而成之感測器部21d；及第2半導體晶片30d，其具有處理由感測器40d取得之信號之信號處理部31d；且第1半導體晶片20d與第2半導體晶片30d積層，信號處理部31d之至少一部分由空乏型場效電晶體構成。此外，複數個感測器40d呈二維矩陣狀(行列狀)配置。在以下之說明中亦同樣。又，在圖1中，在說明之關係上，以將第1半導體晶片20d與第2半導體晶片30d分離之狀態進行圖示。

又，電子器件10Ad具備：第1半導體晶片20d，其具有複數個感測器40d配置而成之感測器部21d；及第2半導體晶片30d，其具有處理由感測器40d取得之信號之信號處理部31d；且第1半導體晶片20d與第2半導體晶片30d積層，信號處理部31d由高耐壓電晶體系電路及低耐壓電晶體系電路構成，低耐壓電晶體系電路之至少一部分由空乏型場效電晶體構成。

空乏型場效電晶體具有完全空乏型SOI構造，或又具有部分空乏型SOI構造，或是又具有鰭式構造(也稱為雙閘極構造或三閘極構造)，抑或又具有深空乏化通道構造。針對該等空乏型場效電晶體之構成、構造於後文敘述。

具體而言，如圖25所示，在第1半導體晶片20d配置有感測器部21d及列選擇部25d。另一方面，在第2半導體晶片30d配置有信號處理部31d。信號處理部31d由下述部分構成，即：具備比較器(comparator)51d及計數器部52d之類比-數位轉換器(以下簡稱為『AD轉換器』)50d、斜波電壓產生器(以下存在稱為『參考電壓產生部』之情形)54d、資料鎖存部55d、並串轉換部56、記憶體部32d、資料處理部33d、控制部34d(包含連接於AD轉換器50d之時脈供給部)、電流源35d、解碼器36d、列解碼器37d、及介面(IF)部38b。

而且，在電子器件中，第2半導體晶片30d之高耐壓電晶體系電路(具體的構成電路於後文敘述)與第1半導體晶片20d之感測器部21d在平面上重合，在第2半導體晶片30d中，於與第1半導體晶片20d之感測器部21d對向之高耐壓電晶體系電路之上方形成有遮光區域。在第2半導體晶片30d中，配置於感測器部21d之下方之遮光區域可藉由適宜地配置形成於第2半導體晶片30d之配線(未圖示)而獲得。又，在第2半導體晶片30d中，AD轉換器50d配置於感測器部21d之下方。此處，信號處理部31d或低耐壓電晶體系電路(具體的構成電路於後文敘述)包含AD轉換器50d之一部分，AD轉換器50d之至少一部分由空乏型場效電晶體構成。AD轉換器50d具體而言由圖2中顯示電路圖之單斜型AD轉換器構成。或，又在電子器件中，作為另一佈局，可採用第2半導體晶片30d之高耐壓電晶體系電路與第1半導體晶片20d之感測器部21d部在平面上不重合之構成。亦即，在第2半導體晶片30d中，類比-數位轉換器50d之一部分等配置於第2半導體晶片30d之外周部。而且，藉此，可無須形成遮光區域，而謀求工序或構造、構成之簡單化、設計上之自由度之提高、及佈局設計之制約之減少。

AD轉換器50d相對於複數個感測器40d(屬1個感測器行之感測器40d)設置有1個，包含單斜型類比-數位轉換器之AD轉換器50d具有：斜波電壓產生器(參考電壓產生部)54d、被輸入由感測器40d取得之類比信號及來自斜波電壓產生器(參考電壓產生部)54d之斜波電壓之比較器(comparator)51d、及自設置於控制部34d之時脈供給部(未圖示)供給時脈CK且基於比較器51d之輸出信號而動作之計數器部52d。此外，連接於AD轉換器50d之時脈供給部包含於信號處理部31d或低耐壓電晶體系電路(更具體而言，包含於控制部34d)，且由周知之PLL電路構成。而且，至少計數器部52d之一部分及時脈供給部由空乏型場效電晶體構成。

亦即，設置於第1半導體晶片20d之感測器部21d(感測器40d)及列選擇部25d、進而後述之行選擇部27相當於高耐壓電晶體系電路。又，設置於第2半導體晶片30d之構成信號處理部31d之AD轉換器50d之比較器51d、斜波電壓產生器(參考電壓產生部)54d、電流源35d、解碼器36d、及介面(IF)部38b相當於高耐壓電晶體系電路。另一方面，設置於第2半導體晶片30d之構成信號處理部31d之AD轉換器50d之計數器部52d、資料鎖存部55d、並串轉換部56、記憶體部32d、資料處理部33d(包含圖像信號處理部)、控制部34d(包含連接於AD轉換器50d之時脈供給部及時序控制電路)、及列解碼器37d、進而後述之多工器(MUX)57及資料壓縮部58相當於低耐壓電晶體系電路。而且，全部計數器部52d、及控制部34d中所含之時脈供給部由空乏型場效電晶體構成。

為了獲得第1半導體晶片20d與第2半導體晶片30d之積層構造，首先，基於周知之方法，在構成第1半導體晶片20d之第1矽半導體基板及構成第2半導體晶片30d之第2矽半導體基板形成上述之特定之各種電路。而且，基於周知之方法將第1矽半導體基板及第2矽半導體基板貼合。其次，藉由形成自形成於第1矽半導體基板側之配線至形成於第2矽半導體基板之配線之貫通孔，且以導電材料掩埋貫通孔，而形成TC(S)V。之後，藉由在根據期望在感測器40d形成有彩色濾光器及微透鏡後，切割第1矽半導體基板與第2矽半導體基板之貼合構造，而可獲得積層有第1半導體晶片20d與第2半導體晶片30d之電子器件10Ad。

感測器40d具體而言包含影像感測器，更具體而言包含具有周知之構成、構造之CMOS影像感測器，電子器件10Ad包含固體攝像裝置。言及固體攝像裝置，係可就每一感測器群讀出來自感測器40d之信號(類比信號)之XY位址型固體攝像裝置，該感測器群以1個感測器為單位、或又以複數個感測器為單位、或者又以1列或複數列(line)為單位。而且，在感測器部21d中，相對於行列狀之感測器排列就每一感測器列配線控制線(列控制線)，就每一感測器行配線信號線(行信號線/垂直信號線)26。可採用在信號線26d各者連接有電流源35d之構成。而且，經由該信號線26d自感測器部21d之感測器40d讀出信號(類比信號)。針對該讀出，例如可採用在以1個感測器或1列(1 line)之感測器群為單位進行曝光之滾動快門之下進行之構成。有將在該滾動快門下之讀出稱為“滾動讀出”之情形。

在第1半導體晶片20d之周緣部，設置有用於與外部進行電性連接之墊部22₁ 、22₂ 、及用於在與第2半導體晶片30d之間進行電性連接之具有TC(S)V構造之導通部23₁ 、23₂ 。此外，在圖式中，有時將導通部記述為“VIA”。此處，雖然採用隔著感測器部21d在左右兩側設置墊部22₁ 及墊部22₂ 之構成，但也可採用在左右之一側設置之構成。又，雖然採用隔著感測器部21d在上下兩側設置導通部23₁ 及導通部23₂ 之構成，但也可採用在上下之一側設置之構成。又，也可採用在下側之第2半導體晶片30d設置接合墊部且在第1半導體晶片20d設置開口部，經由設置於第1半導體晶片20d之開口部而對設置於第2半導體晶片30d之接合墊部打線接合之構成、或自第2半導體晶片30d利用TC(S)V構造進行基板安裝之構成。又或者，也可基於層疊式晶片堆疊方式經由凸塊進行第1半導體晶片20d之電路與第2半導體晶片30d之電路之間之電性連接。自感測器部21d之各感測器40d獲得之類比信號經由導通部23₁ 、23₂ 自第1半導體晶片20d朝第2半導體晶片30d傳送。此外，在本說明書中，“左側”、“右側”、“上側”、“下側”“上下”“上下方向”、“左右”、及“左右方向”之概念係表示觀察圖式時之相對位置關係之概念。以下亦同。

針對第1半導體晶片20d側之電路構成，利用圖2進行說明。在第1半導體晶片20d側，除設置感測器40d呈行列狀配置而成之感測器部21d以外，還設置基於自第2半導體晶片30d側賦予之位址信號、以列單位選擇感測器部21d之各感測器40d之列選擇部25d。此外，此處，雖然將列選擇部25d設置於第1半導體晶片20d側，但亦可設置於第2半導體晶片30d側。

如圖25所示，感測器40d具有例如光電二極體41d作為光電轉換元件。感測器40d除具有光電二極體41d以外，例如還具有傳送電晶體(傳送閘極)42、重置電晶體43d、放大電晶體44d、及選擇電晶體45d之4個電晶體。可利用例如N通道型電晶體作為4個電晶體42d、43d、44d、45d。惟，此處例示之傳送電晶體42d、重置電晶體43d、放大電晶體44d、及選擇電晶體45d之導電型之組合僅為一例，並不現定於該等組合。亦即，可根據需要，採用利用P通道型電晶體之組合。又，該等電晶體42d、43d、44d、45d由高耐壓MOS電晶體構成。亦即，感測器部21d如前述般整體上為高耐壓電晶體系電路。

對於感測器40d，自列選擇部25d適宜地賦予驅動感測器40d之驅動信號即傳送信號TRG、重置信號RST、及選擇信號SEL。亦即，傳送信號TRG施加至傳送電晶體42d之閘極電極，重置信號RST施加至重置電晶體43d之閘極電極，選擇信號SEL施加至選擇電晶體45d之閘極電極。

光電二極體41d之陽極電極連接於低電位側電源(例如大地)，將接收之光(入射光)光電轉換為與該光量相應之電荷量之光電荷(此處為光電子)，並蓄積光電荷。光電二極體41d之陰極電極經由傳送電晶體42與放大電晶體44d之閘極電極電性連接。將與放大電晶體44d之閘極電極電性相連之節點46稱為FD部(浮動擴散部/浮動擴散區域部)。

傳送電晶體42d連接於光電二極體41d之陰極電極與FD部46d之間。對傳送電晶體42d之閘極電極，自列選擇部25d賦予高位準(例如V_DD 位準)有效(以下記述為『高有效』)之傳送信號TRG。應答於該傳送信號TRG，傳送電晶體42d成為導通狀態，將由光電二極體41d予以光電轉換之光電荷傳送至FD部46d。重置電晶體43d之汲極區域連接於感測器電源V_DD ，源極區域連接於FD部46d。對重置電晶體43d之閘極電極自列選擇部25d賦予高有效之重置信號RST。應答於該重置信號RST，重置電晶體43d成為導通狀態，藉由朝感測器電源V_DD 捨棄FD部46d之電荷而將FD部46d重置。放大電晶體44d之閘極電極連接於FD部46d。汲極區域連接於感測器電源V_DD 。而且，放大電晶體44將由重置電晶體43d予以重置後之FD部46d之電位作為重置信號(重置位準：V_Reset )而輸出。放大電晶體44d進而將由傳送電晶體42d傳送信號電荷後之FD部46d之電位作為光蓄積信號(信號位準)V_Sig 輸出。選擇電晶體45d之例如汲極區域連接於放大電晶體44d之源極區域，源極區域連接於信號線26d。對選擇電晶體45d之閘極電極自列選擇部25d賦予高有效之選擇信號SEL。應答於該選擇信號SEL，選擇電晶體45d成為導通狀態，感測器40d成為選擇狀態，自放大電晶體44d輸出之信號位準V_Sig 之信號(類比信號)送出至信號線26d。

如此，自感測器40d，重置後之FD部46d之電位作為重置位準V_Reset ，其次信號電荷之傳送後之FD部46d之電位作為信號位準V_Sig ，依序被朝信號線26d讀出。在信號位準V_Sig 中也包含重置位準V_Reset 之成分。此外，針對選擇電晶體45d，雖然採用連接於放大電晶體44d之源極區域與信號線26d之間之電路構成，但也可採用連接於感測器電源V_DD 與放大電晶體44d之汲極區域之間之電路構成。

又，作為感測器40d，並不限定於此包含4個電晶體之構成。例如，也可採用由使放大電晶體44d具有選擇電晶體45d之功能之3個電晶體構成之構成、或在複數個光電轉換元件間(感測器間)共有FD部46d以後之電晶體之構成等，電路之構成無限制。

如圖24及圖25所示，如前述般，在電子器件10Ad中，於第2半導體晶片30d設置有記憶體部32d、資料處理部33d、控制部34d、電流源35d、解碼器36d、列解碼器37d、及介面(IF)部38b等，且設置有驅動感測器部21d之各感測器40d之感測器驅動部(未圖示)。在信號處理部31d中，可採用對於自感測器部21d之各感測器40d就每一感測器列讀出之類比信號以感測器行單位並列(行並列)地進行包含數位化(AD轉換)之特定之信號處理的構成。而且，信號處理部31d具有將自感測器部21d之各感測器40d朝信號線26d讀出之類比信號予以數位化之AD轉換器50d，並將經AD轉換之圖像資料(數位資料)傳送至記憶體部32d。記憶體部32d儲存在信號處理部31d中被施以特定之信號處理之圖像資料。記憶體部32d既可由非揮發性記憶體構成，也可由揮發性記憶體構成。資料處理部33d以特定之順序讀出儲存於記憶體部32d之圖像資料，且進行各種處理，並朝晶片外輸出。控制部34d基於例如自晶片外賦予之水平同步信號XHS、垂直同步信號XVS、及主時脈MCK等之基準信號進行感測器驅動部、記憶體部32d、及資料處理部33d等之信號處理部31d之各動作之控制。此時，控制部34d取得第1半導體晶片20d側之電路(列選擇部25d及感測器部21d)與第2半導體晶片30d側之信號處理部31d(記憶體部32d、資料處理部33d等)之同步且進行控制。

在電流源35d連接有例如自感測器部21d之各感測器40d就每一感測器行讀出類比信號之信號線26d各者。電流源35d例如具有包含以對信號線26d供給某一一定之電流之方式將閘極電位偏壓為一定電位之MOS電晶體的所謂之負載MOS電路構成。包含該負載MOS電路之電流源35d藉由對所選擇之列所含之感測器40d之放大電晶體44d供給定電流，而使放大電晶體44d作為源極隨耦器動作。解碼器36d當在控制部34d之控制下以列單位選擇感測器部21d之各感測器40d時，對列選擇部25d賦予指定該選擇列之位址之位址信號。列解碼器37d指定在控制部34d之控制下將圖像資料寫入記憶體部32d、或自記憶體部32d讀出圖像資料時之列位址。

信號處理部31d如前述般至少具有對自感測器部21d之各感測器40d經由信號線26d讀出之類比信號予以數位化(AD轉換)之AD轉換器50d，對於類比信號以感測器行之單位並列進行信號處理(行並列AD)。信號處理部31d更具有產生在利用AD轉換器50d之AD轉換時利用之參考電壓Vref之斜波電壓產生器(參考電壓產生部)54d。參考電壓產生部54d產生隨著時間經過而電壓值呈階段狀變化之所謂之斜波(RAMP)波形(傾斜狀之波形)之參考電壓Vref。參考電壓產生部54d例如可利用DA轉換器(數位-類比轉換器)構成，但不限定於此。

AD轉換器50d例如就感測器部21d之每一感測器行、亦即就每一信號線26d設置。亦即，AD轉換器50d係以感測器部21d之感測器行之數目配置而成之所謂之行並列AD轉換器。而且，AD轉換器50d例如產生在時間軸方向具有與類比信號之位準之大小對應之大小(脈寬)之脈衝信號，藉由計測該脈衝信號之脈寬之期間之長度而進行AD轉換處理。更具體而言，如圖2所示，AD轉換器50d至少具有比較器(COMP)51d及計數器部52d。比較器51d將自感測器部21d之各感測器40d經由信號線26d讀出之類比信號(前述之信號位準V_Sig 及重置位準V_Reset )設為比較輸入，將自參考電壓產生部54d供給之斜波波形之參考電壓Vref設為基準輸入，且對兩輸入進行比較。斜波波形係隨著時間經過而電壓呈傾斜狀(階段狀)變化之波形。而且，比較器51d之輸出例如在參考電壓Vref變得較類比信號更大時成為第1狀態(例如高位準)。另一方面，在參考電壓Vref為類比信號以下時，輸出成為第2狀態(例如低位準)。比較器51d之輸出信號成為具有與類比信號之位準之大小對應之脈寬之脈衝信號。

作為計數器部52d，例如利用向上/向下計數器。對計數器部52d以與參考電壓Vref對於比較器51d之供給開始時序相同之時序供給時脈CK。向上/向下計數器即計數器部52d藉由與時脈CK同步地進行向下(DOWN)計數或向上(UP)計數，而計測比較器51d之輸出脈衝之脈寬之期間、亦即自比較動作之開始起直至比較動作之結束為止之比較期間。在該計測動作時，計數器部52d對於自感測器40d依序讀出之重置位準V_Reset 及信號位準V_Sig ，對於重置位準V_Reset 進行向下計數，對於信號位準V_Sig 進行向上計數。而且，藉由該向下計數/向上計數之動作，而可獲得信號位準V_Sig 與重置位準V_Reset 之差分。其結果為，在AD轉換器50d中，除AD轉換處理以外，還進行CDS(Correlated Double Sampling：相關雙取樣)處理。此處，所謂“CDS處理”係藉由獲得信號位準V_Sig 與重置位準V_Reset 之差分而去除感測器40d之重置雜訊及放大電晶體44d之臨限值偏差等之感測器固有之固定模式雜訊的處理。而後，計數器部52d之計數結果(計數值)成為將類比信號予以數位化之數位值(圖像資料)。

如此，第1半導體晶片20d與第2半導體晶片30d積層而成之固體攝像裝置即電子器件10Ad由於作為第1半導體晶片20d可為僅能夠形成感測器部21d之大小(面積)者，故可減小第1半導體晶片20d之尺寸(面積)、甚至晶片整體之尺寸。再者，由於分別而言可將適於感測器40d之製造之製程應用於第1半導體晶片20d，將適於各種電路之製造之製程應用於第2半導體晶片30d，故在電子器件10Ad之製造時，可謀求製程之最佳化。又，藉由採用下述構成，即：自第1半導體晶片20d側朝第2半導體晶片30d側傳送類比信號，而另一方面，將進行類比、數位處理之電路部分設置於同一基板(第2半導體晶片30d)內，取得第1半導體晶片20d側之電路與第2半導體晶片30d側之電路之同步且進行控制，而可實現高速處理。

以下，針對本發明之實施形態(第1實施形態～第4實施形態)之固體攝像裝置，具體且詳細地說明。

＜2.第1實施形態(固體攝像裝置之例1)＞ 本發明之第1實施形態(固體攝像裝置之例1)之固體攝像裝置具備：像素陣列部，其呈二維狀排列有至少具有進行光電轉換之光電轉換部之像素；肋，其形成於較像素陣列部更外側之外周部，且朝像素陣列部之上方延伸；遮光材，其至少配置於較像素陣列部更外側之外周部，進而配置於肋之下方；及低反射材，其形成為覆蓋遮光材之至少一部分。在本發明之第1實施形態之固體攝像裝置中，低反射材只要為可抑制光之反射之材料即可。例如，可舉出吸收光之材料、防反射材，具體而言可舉出透過藍色光之藍色濾光器、透過綠色光之綠色濾光器、透過紅色光之紅色濾光器等之彩色濾光器、黑色濾光器等之有機膜。在將彩色濾光器用於低反射材時，由於可以形成像素陣列部之晶載彩色濾光器之工序同時形成，故可在不增加製程工序下形成本實施形態。尤其是，由於若為藍色濾光器，則透過之波長為短波長，故可進一步抑制透過藍色濾光器之光在遮光材反射。又，由於若為黑色濾光器，則可吸收寬波長頻帶之光，故透過之光較少，可抑制在遮光材之反射，故而較佳。低反射材既可形成於肋之下方，也可形成於側方，還可形成於肋之下方與側方。

以下，利用圖1～圖2、圖10及圖12，針對本發明之第1實施形態之固體攝像裝置進行說明。

圖1係顯示本發明之第1實施形態之固體攝像裝置100之構成例的剖視圖。圖1(a)係顯示固體攝像裝置100經由肋1與玻璃基板13接合之狀態之剖視圖。圖1(b)係將圖1(a)所示之P部分放大而顯示之放大剖視圖。圖2係顯示本發明之第1實施形態之固體攝像裝置100-1之構成例的剖視圖。圖10係用於說明為了進一步提高防止反射眩光之效果而可自由地變更低反射材7之寬度之圖。圖12係顯示本發明之第1實施形態之固體攝像裝置100-1之構成例的圖，圖12(a)係第1實施形態之固體攝像裝置之平面佈局圖，圖12(b)係將圖12(a)所示之Q1部分放大之放大平面圖，圖12(c)係用於說明低反射材7與肋1之配置關係之剖視圖。

如圖1(a)所示，固體攝像裝置100經由肋1與玻璃基板13接合。構成肋1之材料例如為環氧樹脂。

如圖1(b)所示，低反射材7覆蓋遮光材6(例如鎢)之一部分，減輕朝肋1邊緣入射之光在遮光材6反射，而謀求防止反射眩光。肋1在像素陣列部200之外側，且朝像素陣列部200之上方延伸而形成。

低反射材7以使像素陣列部具備之藍色濾光器11朝左方向(圖1(b)中之左方向)朝像素陣列部之區域外延長，且延伸至肋1之下方(圖1(中)下側)之肋邊緣之方式形成。在遮光材6之上側(圖1(b)中之上側)配置有第1氧化膜5，在第1氧化膜5之上側(圖1(b)中之上側)之左部分(圖1(b)中為左側之部分且朝向肋1之方向)配置有第2氧化膜12。在圖1(b)中，在低反射材7之上側(圖1(b)中之上側)形成有第1有機材2，在第1有機材2之上側(圖1(b)中之上側)配置有第2氧化膜12。又，在低反射材7之下側(圖1(b)中之下側)形成有第2有機材3，在第2有機材3之下方(圖1(b)中之下側)配置有形成有光電二極體(未圖示)之半導體基板4。

而且，如無特別技術性矛盾，則針對圖1中所說明之固體攝像裝置100，可利用後述之低反射8、9及10以及500，而取代低反射材7。

利用圖2進行說明。固體攝像裝置100-1具備：朝像素陣列部(像素陣列部區域外之第1有機材2)之上方(為圖2之上側、光入射側)延伸之肋1、配置於肋1之下方(圖2之下側)之遮光材6(例如鎢)、及以覆蓋遮光材6之至少一部分之方式形成之低反射材7。低反射材7例如為藍色濾光器，形成於肋之下方(圖2之下側)與左側方(圖2之左側)。

如圖2所示，即便光朝肋1邊緣入射，亦可利用低反射材7防止光之反射。

圖10係如上述般用於說明為了防止光之反射，進一步提高防止反射眩光之效果，而可自由地變更低反射材7之寬度之圖。如圖10所示，低反射材7藉由朝箭頭d1方向變更低反射材7之寬度，而低反射材7既可形成於肋1之左側方，也可形成於肋1之下方，還可形成於肋1之左側方及下方之兩方。

藉由自由地變更低反射材7之寬度(d1)，而低反射材7可進一步提高防止反射眩光之效果。

利用圖12進行說明。圖12(a)所示之區域1-1係形成於較像素陣列部200更外側之外周部之區域，至少由肋1及遮光材6構成。而且，在區域1-1之外側之外周部僅形成有肋1。因而，圖13(a)所示之固體攝像裝置100-1構成為至少具備：像素陣列部200、形成於較像素陣列部200更外側之外周部之肋1及遮光材6。

如圖12(b)及圖12(c)所示，低反射材(藍色濾光器)7形成為延長至箭頭R2。而且，低反射材7之形成之區域(箭頭R2)之一部分與形成有肋1之區域(箭頭R1)之一部分重合，該重合之部分相當於低反射材7藏入肋1之下方而形成。藉由形成該低反射材7，而有效地發揮防止反射眩光之效果。

本發明之第1實施形態之固體攝像裝置除上文中所述之內容以外，如無特別技術性矛盾，則可就此應用後述之本發明之第2～第5實施形態之固體攝像裝置之欄中所述之內容。

＜3.第2實施形態(固體攝像裝置之例2)＞ 本發明之第2實施形態(固體攝像裝置之例2)之固體攝像裝置具備：像素陣列部，其呈二維狀排列有至少具有進行光電轉換之光電轉換部之像素；肋，其形成於較像素陣列部更外側之外周部，且朝像素陣列部之上方延伸；遮光材，其配置於較前述像素陣列部更外側之外周部與前述像素陣列部之至少一部分，進而配置於肋之下方；及低反射材，其形成為覆蓋遮光材之至少一部分。在本發明之第2實施形態之固體攝像裝置中，低反射材只要為可抑制光之反射之材料即可。例如，可舉出吸收光之材料、防反射材，具體而言可舉出透過藍色光之藍色濾光器、透過綠色光之綠色濾光器、透過紅色光之紅色濾光器等之彩色濾光器、黑色濾光器等之有機膜。本發明之第2實施形態之固體攝像裝置具備之低反射材在有機材(例如透鏡材)上成膜而形成。由於若為藍色濾光器，則透過之波長為短波長，故可進一步抑制透過藍色濾光器之光在遮光材反射。又，由於若為黑色濾光器，則可吸收寬波長頻帶之光，故透過之光較少，可抑制在遮光材之反射，故而較佳。低反射材既可形成於肋之下方，也可形成於側方，還可形成於肋之下方與側方。

以下，利用圖3、圖7及圖13，針對本發明之第2實施形態之固體攝像裝置進行說明。

圖3係顯示本發明之第2實施形態之固體攝像裝置100-2之構成例的剖視圖。圖7係用於說明為了進一步提高防止反射眩光之效果而可自由地變更低反射材8之寬度及高度之圖。圖13係顯示本發明之第2實施形態之固體攝像裝置100-2之構成例的圖，圖13(a)係第2實施形態之固體攝像裝置之平面佈局圖，圖13(b)係將圖13(a)所示之Q2部分放大之放大平面圖，圖13(c)係用於說明低反射材8、肋1、及像素陣列部200(透鏡區域)之配置關係之剖視圖。

利用圖3進行說明。固體攝像裝置100-2具備：朝像素陣列部(像素陣列部區域外之第1有機材2)之上方(為圖3之上側、光入射側)延伸之肋1、配置於肋1之下方(圖3之下側)之遮光材6(例如鎢)、及以覆蓋遮光材6之至少一部分之方式形成之低反射材8。低反射材8例如為黑色濾光器，形成於肋之下方(圖3之下側)與左側方(圖3之左側)，以積層於第1有機材2(像素陣列部內之第1有機材2也稱為透鏡材)之方式形成。

如圖3所示，即便光朝肋邊緣1入射，亦可利用低反射材8防止光之反射。

圖7係如上述般用於說明為了防止光之反射，進一步提高防止反射眩光之效果，而可自由地變更低反射材8之寬度及高度之圖。如圖7所示，低反射材8藉由朝箭頭d2方向變更低反射材8之寬度，而低反射材8既可形成於肋1之左側方，也可形成於肋1之左側方及下方之兩方(圖7(b)(低反射材8-1)→圖7(e)(低反射材8-4)→圖7(h)(低反射材8-7)、圖7(c)(低反射材8-2)→圖7(f)(低反射材8-5)→圖7(i)(低反射材8-8)或圖7(d)(低反射材8-3)→圖7(g)(低反射材8-6)→圖7(j)(低反射材8-9))。

又，低反射材8可朝箭頭h2方向、亦即如圖7(b)(低反射材8-1)→圖7(c)(低反射材8-2)→圖7(d)(低反射材8-3)、圖7(e)(低反射材8-4)→圖7(f)(低反射材8-5)→圖7(g)(低反射材8-6)或圖7(h)(低反射材8-7)→圖7(i)(低反射材8-8)→圖7(j)(低反射材8-9)所示般，變更低反射材8之高度。

藉由自由地變更低反射材8之寬度(d2)及/或高度(h2)，而低反射材8可進一步提高防止反射眩光之效果。

利用圖13進行說明。圖13(a)所示之區域1-1係形成於較像素陣列部200更外側之外周部之區域，至少由肋1及遮光材6構成。而且，在區域1-1之外側之外周部僅形成有肋1。因而，圖13(a)所示之固體攝像裝置100-2構成為至少具備：像素陣列部200、形成於較像素陣列部200更外側之外周部之肋1及遮光材6。

如圖13(b)及圖13(c)所示，低反射材(黑色濾光器)8形成至箭頭S2。而且，形成有低反射材8之區域(箭頭S2)之一部分與形成有肋1之區域(箭頭S1)之一部分重合，該重合之部分相當於低反射材8藏入肋1之下方而形成。又，形成有低反射材8之區域(箭頭S2)之一部分與像素陣列部(透鏡區域)200之一部分重合(被覆區域S3)，低反射材8也形成於像素陣列部(透鏡區域)200之一部分。藉由形成該低反射材8，而有效地發揮防止反射眩光之效果。

本發明之第2實施形態之固體攝像裝置除上文中所述之內容以外，如無特別技術性矛盾，則可就此應用上文中所述之本發明之第1實施形態之固體攝像裝置之欄中所述之內容及下文所述之本發明之第3～第5實施形態之固體攝像裝置之欄中所述之內容。

＜4.第3實施形態(固體攝像裝置之例3)＞ 本發明之第3實施形態(固體攝像裝置之例3)之固體攝像裝置具備：像素陣列部，其呈二維狀排列有至少具有進行光電轉換之光電轉換部之像素；肋，其形成於較像素陣列部更外側之外周部，且朝像素陣列部之上方延伸；遮光材，其至少配置於較像素陣列部更外側之外周部，進而配置於肋之下方；及低反射材，其形成為覆蓋遮光材之至少一部分。在本發明之第3實施形態之固體攝像裝置中，低反射材只要為可抑制光之反射之材料即可。例如，可舉出吸收光之材料、防反射材，具體而言可舉出透過藍色光之藍色濾光器、透過綠色光之綠色濾光器、透過紅色光之紅色濾光器等之彩色濾光器、黑色濾光器等之有機膜。在將彩色濾光器用於低反射材時，由於可以形成像素陣列部之晶載彩色濾光器之工序同時形成，故可在不增加製程工序下形成本實施形態。尤其是，由於若為藍色濾光器，則透過之波長為短波長，故可進一步抑制透過藍色濾光器之光在遮光材反射。又，由於若為黑色濾光器，則可吸收寬波長頻帶之光，故透過之光較少，可抑制在遮光材之反射，故而較佳。低反射材既可形成於肋之下方，也可形成於側方，還可形成於肋之下方與側方。

以下，利用圖4、圖11及圖14，針對本發明之第3實施形態之固體攝像裝置進行說明。

圖4係顯示本發明之第3實施形態之固體攝像裝置100-3之構成例的剖視圖。圖11係用於說明為了進一步提高防止反射眩光之效果而可自由地變更低反射材9之寬度之圖。圖14係顯示本發明之第3實施形態之固體攝像裝置100-3之構成例的圖，圖14(a)係第3實施形態之固體攝像裝置之平面佈局圖，圖14(b)係將圖14(a)所示之Q3部分放大之放大平面圖，圖14(c)係用於說明低反射材9與肋1之配置關係之剖視圖。

利用圖4進行說明。固體攝像裝置100-3具備：朝像素陣列部(像素陣列部區域外之第1有機材2)之上方(為圖4之上側、光入射側)延伸之肋1、配置於肋1之下方(圖4之下側)之遮光材6(例如鎢)、及以覆蓋遮光材6之至少一部分之方式形成之低反射材9。低反射材9例如為黑色濾光器，形成於肋之下方(圖4之下側)與左側方(圖4之左側)。

如圖4所示，即便光朝肋1邊緣入射，亦可利用低反射材9防止光之反射。

圖11係如上述般用於說明為了防止光之反射，進一步提高防止反射眩光之效果，而可自由地變更低反射材9之寬度之圖。如圖11所示，低反射材9藉由朝箭頭d3方向變更低反射材9之寬度，而低反射材9既可形成於肋1之左側方，也可形成於肋1之下方，還可形成於肋1之左側方及下方之兩方。

藉由自由地變更低反射材9之寬度(d3)，而低反射材9可進一步提高防止反射眩光之效果。

利用圖14進行說明。圖14(a)所示之區域1-1係形成於較像素陣列部200更外側之外周部之區域，至少由肋1及遮光材6構成。而且，在區域1-1之外側之外周部僅形成有肋1。因而，圖14(a)所示之固體攝像裝置100-3構成為至少具備：像素陣列部200、形成於較像素陣列部200更外側之外周部之肋1及遮光材6。

如圖13(b)及圖13(c)所示，低反射材(黑色濾光器)9形成為延長至箭頭T2。而且，低反射材9之形成之區域(箭頭T2)之一部分與形成有肋1之區域(箭頭T1)之一部分重合，該重合之部分相當於低反射材9藏入肋1之下方而形成。藉由形成該低反射材9，而有效地發揮防止反射眩光之效果。

本發明之第3實施形態之固體攝像裝置除上文所述之內容以外，如無特別技術性矛盾，則可就此應用上文所述之本發明之第1～第2實施形態之固體攝像裝置之欄中所述之內容及下文所述之本發明之第4～第5實施形態之固體攝像裝置之欄中所述之內容。

＜5.第4實施形態(固體攝像裝置之例4)＞ 本發明之第4實施形態(固體攝像裝置之例4)之固體攝像裝置具備：像素陣列部，其呈二維狀排列有至少具有進行光電轉換之光電轉換部之像素；肋，其形成於較像素陣列部更外側之外周部，且朝像素陣列部之上方延伸；遮光材，其至少配置於較像素陣列部更外側之外周部，進而配置於肋之下方；及低反射材，其形成為覆蓋遮光材之至少一部分。在本發明之第4實施形態之固體攝像裝置中，低反射材只要為可抑制光之反射之材料即可。例如，可舉出吸收光之材料、防反射材，具體而言可舉出透過藍色光之藍色濾光器、透過綠色光之綠色濾光器、透過紅色光之紅色濾光器等之彩色濾光器、黑色濾光器等之有機膜。在將彩色濾光器用於低反射材時，由於可以形成像素陣列部之晶載彩色濾光器之工序同時形成，故可在不增加製程工序下形成本實施形態。尤其是，由於若為藍色濾光器，則透過之波長為短波長，故可進一步抑制透過藍色濾光器之光在遮光材反射。又，由於若為黑色濾光器，則可吸收寬波長頻帶之光，故透過之光較少，可抑制在遮光材之反射，故而較佳。低反射材既可形成於肋之下方，也可形成於側方，還可形成於肋之下方與側方。

以下，利用圖5、圖8及圖15，針對本發明之第4實施形態之固體攝像裝置進行說明。

圖5係顯示本發明之第4實施形態之固體攝像裝置100-4之構成例的剖視圖。圖8係用於說明為了進一步提高防止反射眩光之效果而可自由地變更低反射材10之寬度及高度之圖。圖15係顯示本發明之第3實施形態之固體攝像裝置100-4之構成例的圖，圖15(a)係第4實施形態之固體攝像裝置之平面佈局圖，圖15(b)係將圖15(a)所示之Q4部分放大之放大平面圖，圖15(c)係用於說明低反射材10與肋1之配置關係之剖視圖。

利用圖5進行說明。固體攝像裝置100-4具備：朝像素陣列部(像素陣列部區域外之第1有機材2)之上方(為圖5之上側、光入射側)延伸之肋1、配置於肋1之下方(圖5之下側)之遮光材6(例如鎢)、及以覆蓋遮光材6之至少一部分之方式形成之低反射材10。低反射材10例如為黑色濾光器，形成於肋之下方(圖3之下側)與左側方(圖3之左側)，且介隔第1氧化膜5而積層於遮光材6。

如圖5所示，即便光朝肋邊緣1入射，亦可利用低反射材10防止光之反射。

圖8係如上述般用於說明為了防止光之反射，進一步提高防止反射眩光之效果，而可自由地變更低反射材10之寬度及高度之圖。如圖8所示，低反射材10藉由朝箭頭d4方向變更低反射材10之寬度，而低反射材10既可形成於肋1之左側方，也可形成於肋1之左側方及下方之兩方(圖8(b)(低反射材10-1)→圖8(e)(低反射材10-4)→圖8(h)(低反射材10-7)、圖8(c)(低反射材10-2)→圖8(f)(低反射材10-5)→圖8(i)(低反射材10-8)或圖8(d)(低反射材10-3)→圖8(g)(低反射材10-6)→圖8(j)(低反射材10-9))。

又，低反射材10朝箭頭h4方向、亦即如圖8(b)(低反射材10-1)→圖8(c)(低反射材10-2)→圖8(d)(低反射材10-3)、圖8(e)(低反射材10-4)→圖8(f)(低反射材10-5)→圖8(g)(低反射材10-6)或圖8(h)(低反射材10-7)→圖8(i)(低反射材10-8)→圖8(j)(低反射材10-9)所示般，可變更低反射材10之高度。

藉由自由地變更低反射材10之寬度(d4)及/或高度(h4)，而低反射材10可進一步提高防止反射眩光之效果。

利用圖15進行說明。圖15(a)所示之區域1-1係形成於較像素陣列部200更外側之外周部之區域，至少由肋1及遮光材6構成。而且，在區域1-1之外側之外周部僅形成有肋1。因而，圖15(a)所示之固體攝像裝置100-4構成為至少具備：像素陣列部200、形成於較像素陣列部200更外側之外周部之肋1及遮光材6。

如圖15(b)及圖15(c)所示，在箭頭W2之區域形成有低反射材(黑色濾光器)10。而且，形成有低反射材10之區域(箭頭W2)之一部分與形成有肋1之區域(箭頭W1)之一部分重合，該重合之部分相當於低反射材10藏入肋1之下方而形成。藉由形成該低反射材10，而有效地發揮防止反射眩光之效果。

本發明之第4實施形態之固體攝像裝置除上文中所述之內容以外，如無特別技術性矛盾，則可就此應用上文所述之本發明之第1～第3實施形態之固體攝像裝置之欄中所述之內容及下文所述之本發明之第5實施形態之固體攝像裝置之欄中所述之內容。

＜6.第5實施形態(固體攝像裝置之例5)＞ 本發明之第5實施形態(固體攝像裝置之例5)之固體攝像裝置具備：像素陣列部，其呈二維狀排列有至少具有進行光電轉換之光電轉換部之像素；肋，其形成於較像素陣列部更外側之外周部，且朝像素陣列部之上方延伸；遮光材，其配置於較前述像素陣列部更外側之外周部與前述像素陣列部之至少一部分，進而配置於肋之下方；及低反射材，其形成為覆蓋遮光材之至少一部分。在本發明之第5實施形態之固體攝像裝置中，低反射材只要為可抑制光反射之材料即可。例如，可舉出吸收光之材料、防反射材，具體而言可舉出透過藍色光之藍色濾光器、透過綠色光之綠色濾光器、透過紅色光之紅色濾光器等之彩色濾光器、黑色濾光器等之有機膜。本發明之第5實施形態之固體攝像裝置所具備之低反射材係在經平坦化之有機材(例如透鏡材)上均一地成膜而形成。本發明之第5實施形態之固體攝像裝置所具備之低反射材可確保膜厚之均一性。在將彩色濾光器用於低反射材時，由於可以形成像素陣列部之晶載彩色濾光器之工序同時形成，故可在不增加製程工序下形成本實施形態。尤其，若為藍色濾光器，由於透過之波長為短波長，故可進而抑制透過藍色濾光器之光因遮光材而反射。再者，若為黑色濾光器，由於可吸收廣波長頻帶之光，能夠抑制透過之光至少因遮光材而反射，故而較佳。低反射材可形成於肋之下方，或可形成於肋之側方，亦可形成於肋之下方與側方。

以下，利用圖6、圖9及圖16，針對本發明之第5實施形態之固體攝像裝置進行說明。

圖6係顯示本發明之第5實施形態之固體攝像裝置500之構成例的剖視圖。圖9係用於說明為了進一步提高防止眩光反射之效果而可自由地變更低反射材500之寬度及高度之圖。圖16係顯示本發明之第5實施形態之固體攝像裝置100-5之構成例的圖，圖16(a)係第5實施形態之固體攝像裝置之平面佈局圖，圖16(b)係將圖16(a)所示之Q5部分放大之放大平面圖，圖16(c)係用於說明低反射材500、肋1、及像素陣列部200(透鏡區域)之配置關係之剖視圖。

利用圖6進行說明。固體攝像裝置100-5具備：朝像素陣列部(像素陣列部區域外之第1有機材2)之上方(為圖6之上側、光入射側)延伸之肋1、配置於肋1之下方(圖6之下側)之遮光材6(例如鎢)、及以覆蓋遮光材6之至少一部分之方式形成之低反射材500。低反射材500例如為黑色濾光器，形成於肋之下方(圖6之下側)與左側方(圖6之左側)，在經平坦化之第1有機材2以一面確保低反射材500之膜厚之均一性一面積層之方式形成。

如圖6所示，即便光朝肋邊緣1入射，亦可利用低反射材500防止光之反射。

圖9係如上述般用於說明為了防止光之反射，進一步提高防止反射眩光之效果，而可自由地變更低反射材500之寬度及高度之圖。如圖9所示，低反射材500藉由朝箭頭d5方向變更低反射材500之寬度，而低反射材500既可形成於肋1之左側方，也可形成於肋1之左側方及下方之兩方(圖9(b)(低反射材500-1)→圖9(e)(低反射材500-4)→圖9(h)(低反射材500-7)、圖9(c)(低反射材500-2)→圖9(f)(低反射材500-5)→圖9(i)(低反射材500-8)或圖9(d)(低反射材500-2)→圖9(g)(低反射材500-6)→圖9(j)(低反射材500-9))。

又，低反射材500朝箭頭h5方向、亦即如圖9(b)(低反射材500-1)→圖9(c)(低反射材500-2)→圖9(d)(低反射材500-3)、圖9(e)(低反射材500-4)→圖9(f)(低反射材500-5)→圖9(g)(低反射材500-6)或圖9(h)(低反射材500-7)→圖9(i)(低反射材500-8)→圖9(j)(低反射材500-9)所示般，可變更低反射材500之高度(膜厚)。

藉由自由地變更低反射材500之寬度(d5)及/或高度(h5)，而低反射材500可進一步提高防止反射眩光之效果。

利用圖16進行說明。圖16(a)所示之區域1-1係形成於較像素陣列部200更外側之外周部之區域，至少由肋1及遮光材6構成。而且，在區域1-1之外側之外周部僅形成有肋1。因而，圖16(a)所示之固體攝像裝置100-5構成為至少具備：像素陣列部200、形成於較像素陣列部200更外側之外周部之肋1及遮光材6。

如圖16(b)及圖16(c)所示，低反射材(黑色濾光器)500具有大致均一之膜厚而形成直至箭頭V2為止。而且，形成有低反射材500之區域(箭頭V2)之一部分與形成有肋1之區域(箭頭V1)之一部分重合，該重合之部分相當於低反射材500藏入肋1之下方而形成。又，形成有低反射材500之區域(箭頭V2)與形成有透鏡材(第1有機材2)之區域(箭頭V5)大致一致。形成有低反射材500之區域(箭頭V2)與像素陣列部(透鏡區域)200(箭頭V4)不重合。在像素陣列部(透鏡區域)200(箭頭V4)與形成有肋1之區域(箭頭V1)之間存在被覆區域(箭頭V3)，被覆區域(箭頭V3)與形成有低反射材500之區域(箭頭V2)之一部分或形成有透鏡材(第1有機材2)之區域(箭頭V5)之一部分重合。藉由形成該低反射材500，而有效地發揮防止反射眩光之效果。

本發明之第5實施形態之固體攝像裝置除上文所述之內容以外，如無特別技術性矛盾，可就此應用上文所述之本發明之第1～第4實施形態之固體攝像裝置之欄中所述之內容。

＜7.第6實施形態(電子機器之例)＞ 本發明之第6實施形態之電子機器係搭載有本發明之第1實施形態～第5實施形態之固體攝像裝置之任一實施形態之固體攝像裝置的電子機器。以下，針對本發明之第6實施形態之電子機器，詳細地敘述。

＜8.應用本發明之固體攝像裝置之使用例＞ 圖26係顯示作為影像感測器之本發明之第1～第5實施形態之固體攝像裝置之使用例的圖。

上述之第1～第5實施形態之固體攝像裝置例如可使用於下述之感測可見光或紅外光、紫外光、X射線等光之各種情形。亦即，如圖26所示，例如，在拍攝供鑒賞用之圖像之鑒賞領域、交通領域、家電領域、醫療、健康照護領域、保全領域、美容領域、體育運動領域、農業領域中所使用之裝置(例如上述之第6實施形態之電子機器)中，可使用第1～第5實施形態之任一實施形態之固體攝像裝置。

具體而言，在鑒賞領域內，於在例如數位相機或智慧型手機、附帶相機功能之行動電話等之拍攝供鑒賞用之圖像的裝置中，可使用第1～第5實施形態之任一實施形態之固體攝像裝置。

在交通領域內，於例如為了自動停止等之安全駕駛、或駕駛者狀態之識別等而拍攝汽車之前方或後方、周圍、車內等之車載用感測器、監視行駛車輛或道路之監視相機、進行車輛之間等之測距之測距感測器等之供交通用之裝置中，可使用第1～第5實施形態之任一實施形態之固體攝像裝置。

在家電領域內，於例如為了拍攝使用者之手勢且進行依照該手勢之機器操作而供電視接收機或冰箱、空氣調節機等之家電用之裝置中，可使用第1～第5實施形態之任一實施形態之固體攝像裝置。

在醫療或健康照護領域內，於例如內視鏡或利用紅外光之受光進行血管攝影之裝置等之供醫療或健康照護用之裝置中，可使用第1～第5實施形態之任一實施形態之固體攝像裝置。

在保全領域內，於例如防止犯罪用之監視相機或人物認證用之相機等之供保全用之裝置中，可使用第1～第5實施形態之任一實施形態之固體攝像裝置。

在美容領域內，於例如拍攝肌膚之肌膚測定器或拍攝頭皮之顯微鏡等之供美容用之裝置中，可使用第1～第5實施形態之任一實施形態之固體攝像裝置。

在體育運動領域內，於例如面向體育運動用途等之運動相機或可佩戴相機等之供體育用之裝置中，可使用第1～第5實施形態之任一實施形態之固體攝像裝置。

在農業領域內，於例如用於監視田地或作物之狀態之相機等之供農業用之裝置中，可使用第1～第5實施形態之任一實施形態之固體攝像裝置。

第1～第5實施形態之任一實施形態之固體攝像裝置可應用於例如數位靜態相機及數位視訊攝影機等之攝像裝置、具備攝像功能之行動電話、或具備攝像功能之其他機器等之各種電子機器。

圖27係顯示作為應用本發明之電子機器之攝像裝置之構成例的方塊圖。

圖27所示之攝像裝置201c構成為具備：光學系統202c、快門裝置203c、固體攝像裝置204c、驅動電路205c、信號處理電路206c、監視器207c、及記憶體208c，可拍攝靜畫圖像及動畫圖像。

光學系統202c構成為具有1片或複數片透鏡，將來自被攝體之光(入射光)導引至固體攝像裝置204c，且在固體攝像裝置204c之受光面成像。

快門裝置203c配置於光學系統202c及固體攝像裝置204c之間，依照控制電路1005c之控制而控制朝固體攝像裝置204c之光照射期間及遮光期間。

固體攝像裝置204c與經由光學系統202c及快門裝置203c在受光面成像之光相應地在一定期間內蓄積信號電荷。蓄積於固體攝像裝置204c之信號電荷依照自驅動電路205c供給之驅動信號(時序信號)傳送。

驅動電路205c輸出控制固體攝像裝置204c之傳送動作、及快門裝置203c之快門動作之驅動信號，而驅動固體攝像裝置204c及快門裝置203c。

信號處理電路206c對自固體攝像裝置204c輸出之信號電荷施以各種信號處理。藉由信號處理電路206c施以信號處理而獲得之圖像(圖像資料)被供給至監視器207c而被顯示，或被供給至記憶體208c而被記憶(記錄)。

＜9.對於內視鏡手術系統之應用例＞ 本發明可應用於各種產品。例如，本發明之技術(本發明)可應用於內視鏡手術系統。

圖28係顯示可應用本揭示之技術(本發明)之內視鏡手術系統之概略構成之一例的圖。

在圖28中，圖示手術者(醫生)11131使用內視鏡手術系統11000對病床11133上之患者11132進行手術之狀況。如圖示般，內視鏡手術系統11000係由下述部分構成，即：內視鏡11100、氣腹管11111或能量處置具11112等之其他手術器具11110、支持內視鏡11100之支持臂裝置11120、及搭載有用於內視鏡下手術之各種裝置之手推車11200。

內視鏡11100係由將距前端特定之長度之區域***患者11132之體腔內之鏡筒11101、及連接於鏡筒11101之基端之相機頭11102構成。在圖示之例中，圖示構成為具有剛性鏡筒11101之所謂之剛性鏡之內視鏡11100，但內視鏡11100可構成為具有撓性鏡筒之所謂之撓性鏡。

在鏡筒11101之前端，設置有供物鏡嵌入之開口部。在內視鏡11100連接有光源裝置11203，由該光源裝置11203產生之光由在鏡筒11101之內部延伸設置之光導導光至該鏡筒之前端，並經由物鏡朝向患者11132之體腔內之觀察對象照射。此外，內視鏡11100既可為直視鏡，也可為斜視鏡或側視鏡。

在相機頭11102之內部設置有光學系統及攝像元件，來自觀察對象之反射光(觀察光)藉由該光學系統而集光至該攝像元件。藉由該攝像元件對觀察光進行光電轉換，產生與觀察光對應之電信號、亦即與觀察像對應之圖像信號。該圖像信號作為RAW資料朝相機控制單元(CCU：Camera Control Unit)11201發送。

CCU 11201係由CPU(Central Processing Unit，中央處理單元)或GPU(Graphics Processing Unit，圖形處理單元)等構成，統括地控制內視鏡11100及顯示裝置11202之動作。再者，CCU 11201自相機頭11102接收圖像信號，對該圖像信號施以例如顯影處理(解馬賽克處理)等用於顯示基於該圖像信號之圖像之各種圖像處理。

顯示裝置11202藉由來自CCU 11201之控制而顯示基於由該CCU 11201施以圖像處理之圖像信號之圖像。

光源裝置11203係由例如LED(Light Emitting Diode，發光二極體)等之光源構成，對內視鏡11100供給拍攝手術部位等時之照射光。

輸入裝置11204係對於內視鏡手術系統11000之輸入介面。使用者可經由輸入裝置11204對於內視鏡手術系統11000進行各種資訊之輸入或指示輸入。例如，使用者輸入變更內視鏡11100之攝像條件(照射光之種類、倍率及焦距等)之意旨之指示等。

處置具控制裝置11205控制用於灼燒組織、切開或封閉血管等之能量處置具11112之驅動。氣腹裝置11206出於確保內視鏡11100之視野及確保手術者之作業空間之目的，為了使患者11132之體腔膨脹，而經由氣腹管11111將氣體送入該體腔內。記錄器11207係可記錄與手術相關之各種資訊之裝置。印表機11208係可以文字、圖像或圖等各種形式印刷與手術相關之各種資訊之裝置。

此外，對內視鏡11100供給拍攝手術部位時之照射光之光源裝置11203可由包含例如LED、雷射光源或由其等之組合構成之白色光源構成。在由RGB雷射光源之組合構成白色光源時，由於能夠高精度地控制各色(各波長)之輸出強度及輸出時序，故在光源裝置11203中可進行攝像圖像之白平衡之調整。又，該情形下，藉由分時對觀察對象照射來自RGB雷射光源各者之雷射光，與該照射時序同步地控制相機頭11102之攝像元件之驅動，而也可分時拍攝與RGB各者對應之圖像。根據該方法，即便在該攝像元件不設置彩色濾光器，亦可獲得彩色圖像。

又，光源裝置11203可以每隔特定之時間變更所輸出之光之強度之方式控制該驅動。藉由與該光之強度之變更之時序同步地控制相機頭11102之攝像元件之驅動而分時取得圖像，且合成該圖像，而可產生無所謂欠曝及過曝之高動態範圍之圖像。

又，光源裝置11203可構成為可供給與特殊光觀察對應之特定之波長頻帶下之光。在特殊光觀察中，例如，藉由利用生物體組織之光之吸收之波長依賴性，與一般之觀察時之照射光(亦即白色光)相比照射窄頻之光，而進行以高對比度拍攝黏膜表層之血管等之特定之組織之所謂之窄頻光觀察(Narrow Band Imaging，窄頻影像)。或，在特殊光觀察中，可進行利用藉由照射激發光而產生之螢光獲得圖像之螢光觀察。在螢光觀察中，可進行對生物體組織照射激發光而觀察來自該生物體組織之螢光(本身螢光觀察)、或對生物體組織局部注射靛氰綠(ICG)等之試劑且對該生物體組織照射與該試劑之螢光波長對應之激發光而獲得螢光像等。光源裝置11203可構成為可供給與此特殊光觀察對應之窄頻光及/或激發光。

圖29係顯示圖28所示之相機頭11102及CCU 11201之功能構成之一例的方塊圖。

相機頭11102具有：透鏡單元11401、攝像部11402、驅動部11403、通訊部11404、及相機頭控制部11405。CCU 11201具有：通訊部11411、圖像處理部11412、及控制部11413。相機頭11102與CCU 11201藉由傳送纜線11400可相互通訊地連接。

透鏡單元11401係設置於與鏡筒11101之連接部之光學系統。自鏡筒11101之前端擷取入之觀察光被導光至相機頭11102，而朝該透鏡單元11401入射。透鏡單元11401係組合有包含變焦透鏡及對焦透鏡之複數個透鏡而構成。

攝像部11402係由攝像裝置(攝像元件)構成。構成攝像部11402之攝像元件既可為1個(所謂之單板式)，也可為複數個(所謂之多板式)。在攝像部11402由多板式構成之情形下，例如由各攝像元件產生與RGB各者對應之圖像信號，藉由將其等合成而可獲得彩色圖像。或，攝像部11402可構成為具有用於分別取得與3D(Dimensional，維度)顯示對應之右眼用及左眼用之圖像信號的1對攝像元件。藉由進行3D顯示，而手術者11131可更正確地掌握手術部位之生物體組織之深度。此外，在攝像部11402由多板式構成之情形下，與各攝像元件對應地，透鏡單元11401也可設置複數個系統。

又，攝像部11402可不一定設置於相機頭11102。例如，攝像部11402可在鏡筒11101之內部設置於物鏡之正後方。

驅動部11403係由致動器構成，藉由來自相機頭控制部11405之控制，而使透鏡單元11401之變焦透鏡及對焦透鏡沿光軸移動特定之距離。藉此，可適宜地調整由攝像部11402拍攝之攝像圖像之倍率及焦點。

通訊部11404係由用於在與CCU 11201之間發送接收各種資訊之通訊裝置構成。通訊部11404將自攝像部11402獲得之圖像信號作為RAW資料經由傳送纜線11400朝CCU 11201發送。

又，通訊部11404自CCU 11201接收用於控制相機頭11102之驅動之控制信號，並對相機頭控制部11405供給。在該控制信號中例如包含指定攝像圖像之圖框率之意旨之資訊、指定攝像時之曝光值之意旨之資訊、及/或指定攝像圖像之倍率及焦點之意旨之資訊等與攝像條件相關之資訊。

此外，上述之圖框率或曝光值、倍率、焦點等攝像條件既可由使用者適宜地指定，也可基於所取得之圖像信號由CCU 11201之控制部11413自動地設定。在後者之情形下，在內視鏡11100搭載有所謂之AE(Auto Exposure，自動曝光)功能、AF(Auto Focus，自動對焦)功能及AWB(Auto White Balance，自動白平衡)功能。

相機頭控制部11405基於經由通訊部11404接收之來自CCU 11201之控制信號控制相機頭11102之驅動。

通訊部11411係由用於在與相機頭11102之間發送接收各種資訊之通訊裝置構成。通訊部11411接收自相機頭11102經由傳送纜線11400發送之圖像信號。

又，通訊部11411對相機頭11102發送用於控制相機頭11102之驅動之控制信號。圖像信號或控制信號可藉由電氣通訊或光通訊等發送。

圖像處理部11412對自相機頭11102發送之作為RAW資料之圖像信號施以各種圖像處理。

控制部11413進行與內視鏡11100對手術部位等之攝像、及由手術部位等之攝像獲得之攝像圖像之顯示相關之各種控制。例如，控制部11413產生用於控制相機頭11102之驅動之控制信號。

又，控制部11413基於由圖像處理部11412施以圖像處理之圖像信號使顯示裝置11202顯示拍攝到手術部位等之攝像圖像。此時，控制部11413可利用各種圖像辨識技術辨識攝像圖像內之各種物體。例如，控制部11413藉由檢測攝像圖像中所含之物體之邊緣之形狀或顏色等，而可辨識鑷子等手術器具、特定之生物體部位、出血、能量處置具11112之使用時之霧氣等。控制部11413可在使顯示裝置11202顯示攝像圖像時，利用該辨識結果使各種手術支援資訊重疊顯示於該手術部位之圖像。藉由重疊顯示手術支援資訊，對手術者11131予以提示，而可減輕手術者11131之負擔，而手術者11131準確地進行手術。

連接相機頭11102及CCU 11201之傳送纜線11400可為與電信號之通訊對應之電信號纜線、與光通訊對應之光纖、或其等之複合纜線。

此處，在圖示之例中，可利用傳送纜線11400以有線進行通訊，但相機頭11102與CCU 11201之間之通訊可以無線進行。

以上，針對可應用本發明之技術之內視鏡手術系統之一例進行了說明。本發明之技術可應用於以上所說明之構成中之內視鏡11100、或相機頭11102(之攝像部11402)等。具體而言，本發明之固體攝像裝置111可應用於攝像部11402。藉由將本發明之技術應用於內視鏡11100、或相機頭11102(之攝像部11402)等，而可提高成品率，減少製造之成本。

此處，作為一例針對內視鏡手術系統進行了說明，但本發明之技術除此以外亦可應用於例如顯微鏡手術系統等。

＜10.對於移動體之應用例＞ 本發明之技術(本發明)可對於各種產品應用。例如，本發明之技術可實現為搭載於汽車、電動汽車、油電混合汽車、機車、自行車、個人移動裝置、飛機、無人機、船舶、機器人等任一種類之移動體之裝置。

圖30係顯示作為可應用本發明之技術之移動體控制系統之一例之車輛控制系統之概略構成例的方塊圖。

車輛控制系統12000具備經由通訊網路12001連接之複數個電子控制單元。在圖30所示之例中，車輛控制系統12000具備：驅動系統控制單元12010、車體系統控制單元12020、車外資訊檢測單元12030、車內資訊檢測單元12040、及綜合控制單元12050。又，作為綜合控制單元12050之功能構成，圖示有微電腦12051、聲音圖像輸出部12052、及車載網路I/F(interface，介面)12053。

驅動系統控制單元12010依照各種程式控制與車輛之驅動系統相關聯之裝置之動作。例如，驅動系統控制單元12010作為內燃機或驅動用馬達等之用於產生車輛之驅動力之驅動力產生裝置、用於將驅動力朝車輪傳遞之驅動力傳遞機構、調節車輛之舵角之轉向機構、及產生車輛之制動力之制動裝置等的控制裝置而發揮功能。

車體系統控制單元12020依照各種程式控制裝備於車體之各種裝置之動作。例如，車體系統控制單元12020作為無鑰匙進入系統、智慧型鑰匙系統、電動車窗裝置、或前照燈、尾燈、煞車燈、方向燈或霧燈等之各種燈之控制裝置而發揮功能。該情形下，對於車體系統控制單元12020，可輸入有自代替鑰匙之可攜式裝置發出之電波或各種開關之信號。車體系統控制單元12020受理該等電波或信號之輸入，而控制車輛之車門鎖閉裝置、電動車窗裝置、燈等。

車外資訊檢測單元12030檢測搭載車輛控制系統12000之車輛之外部之資訊。例如，在車外資訊檢測單元12030連接有攝像部12031。車外資訊檢測單元12030使攝像部12031拍攝車外之圖像，且接收所拍攝之圖像。車外資訊檢測單元12030可基於所接收之圖像，進行人、車、障礙物、標識或路面上之文字等之物體檢測處理或距離檢測處理。

攝像部12031係接收光且輸出與該光之受光量相應之電信號之光感測器。攝像部12031既可將電信號作為圖像輸出，亦可作為測距之資訊輸出。又，攝像部12031所接收之光既可為可見光，也可為紅外線等之非可見光。

車內資訊檢測單元12040檢測車內之資訊。於車內資訊檢測單元12040連接有例如檢測駕駛者之狀態之駕駛者狀態檢測部12041。駕駛者狀態檢測部12041包含例如拍攝駕駛者之相機，車內資訊檢測單元12040基於自駕駛者狀態檢測部12041輸入之檢測資訊，既可算出駕駛者之疲勞度或注意力集中度，亦可判別駕駛者是否打瞌睡。

微電腦12051可基於由車外資訊檢測單元12030或車內資訊檢測單元12040取得之車內外之資訊，運算驅動力產生裝置、轉向機構或制動裝置之控制目標值，且對驅動系統控制單元12010輸出控制指令。例如，微電腦12051可進行以實現包含車輛之避免碰撞或緩和衝擊、基於車距之追隨行駛、車速維持行駛、車輛之碰撞警告、或車輛之車道脫離警告等的ADAS(Advanced Driver Assistance System，先進駕駛輔助系統)之功能為目的之協調控制。

又，微電腦12051藉由基於由車外資訊檢測單元12030或車內資訊檢測單元12040取得之車輛之周圍之資訊控制驅動力產生裝置、轉向機構或制動裝置等，而可進行以不受限於駕駛者之操作而自律行駛之自動駕駛等為目的之協調控制。

又，微電腦12051可基於由車外資訊檢測單元12030取得之車外之資訊，對車體系統控制單元12020輸出控制指令。例如，微電腦12051與由車外資訊檢測單元12030檢測出之前方車或對向車之位置相應地控制前照燈，而可進行將遠光切換為近光等之以謀求防眩為目的之協調控制。

聲音圖像輸出部12052朝可針對車輛之乘客或車外視覺性或聽覺性通知資訊之輸出裝置發送聲音及圖像中之至少一者之輸出信號。在圖30之例中，作為輸出裝置例示有音訊揚聲器12061、顯示部12062及儀表板12063。顯示部12062例如可包含機上顯示器及抬頭顯示器之至少一者。

圖31係顯示攝像部12031之設置位置之例之圖。

在圖31中，車輛12100具有攝像部12101、12102、12103、12104、12105作為攝像部12031。

攝像部12101、12102、12103、12104、12105設置於例如車輛12100之前車鼻、後照鏡、後保險桿、尾門及車廂內之擋風玻璃之上部等之位置。前車鼻所具備之攝像部12101及車廂內之擋風玻璃之上部所具備之攝像部12105主要取得車輛12100之前方之圖像。後照鏡所具備之攝像部12102、12103主要取得車輛12100之側方之圖像。後保險桿或尾門所具備之攝像部12104主要取得車輛12100之後方之圖像。由攝像部12101及12105取得之前方之圖像主要用於前方車輛或行人、障礙物、號誌燈、交通標誌或車道線等之檢測。

此外，在圖31中，顯示攝像部12101至12104之攝影範圍之一例。攝像範圍12111表示設置於前車鼻之攝像部12101之攝像範圍，攝像範圍12112、12113表示分別設置於後照鏡之攝像部12102、12103之攝像範圍，攝像範圍12114表示設置於後保險桿或尾門之攝像部12104之攝像範圍。例如，藉由重疊由攝像部12101至12104拍攝之圖像資料，而可獲得自上方觀察車輛12100之俯瞰圖像。

攝像部12101至12104之至少一者可具有取得距離資訊之功能。例如，攝像部12101至12104之至少一者既可為包含複數個攝像元件之立體攝影機，也可為具有相位差檢測用之像素之攝像元件。

例如，微電腦12051藉由基於根據攝像部12101至12104取得之距離資訊，求得與攝像範圍12111至12114內之各立體物相隔之距離、及該距離之時間性變化(對於車輛12100之相對速度)，而在尤其將位於車輛12100之行進路上最近之立體物、且為在與車輛12100大致相同之方向以特定之速度(例如，0 km/h以上)行駛之立體物擷取作為前方車。進而，微電腦12051可設定針對前方車於近前應預先確保之車距，進行自動煞車控制(亦包含停止追隨控制)、自動加速控制(亦包含追隨起步控制)等。如此般可進行以不受限於駕駛者之操作而自律行駛之自動駕駛等為目的之協調控制。

例如，微電腦12051可基於自攝像部12101至12104取得之距離資訊，將與立體物相關之立體物資料分類為機車、普通車輛、大型車輛、行人、電線桿等其他之立體物而加以擷取，用於自動迴避障礙物。例如，微電腦12051可將車輛12100之周邊之障礙物辨識為車輛12100之駕駛員可視認之障礙物及難以視認之障礙物。而且，微電腦12051判斷顯示與各障礙物碰撞之危險度之碰撞風險，當遇到碰撞風險為設定值以上而有可能發生碰撞之狀況時，藉由經由音訊揚聲器12061或顯示部12062對駕駛員輸出警報，或經由驅動系統控制單元12010進行強制減速或迴避操舵，而可進行用於避免碰撞之駕駛支援。

攝像部12101至12104之至少一者可為檢測紅外線之紅外線相機。例如，微電腦12051可藉由判定在攝像部12101至12104之攝像圖像中是否有行人而辨識行人。如此之行人之辨識藉由例如提取作為紅外線相機之攝像部12101至12104之攝像圖像之特徵點之程序、針對表示物體之輪廓之一系列特徵點進行圖案匹配處理而判別是否為行人之程序而進行。微電腦12051當判定出在攝像部12101至12104之攝像圖像中存在行人，且辨識為行人時，聲音圖像輸出部12052以針對該被辨識出之行人重疊顯示用於強調之方形輪廓線之方式控制顯示部12062。又，聲音圖像輸出部12052亦可以將顯示行人之圖標等顯示於所期望之位置之方式控制顯示部12062。

以上，針對可應用本發明之技術之車輛控制系統之一例進行了說明。本發明之技術可應用於以上所說明之構成中之例如攝像部12031等。具體而言，本發明之固體攝像裝置111可應用於攝像部12031。藉由將本發明之技術應用於攝像部12031，而可提高成品率，減少製造之成本。

此外，本發明並非係限定於上述之實施形態及應用例者，在不脫離本發明之要旨之範圍內可進行各種變更。

又，本說明書所記載之效果終極而言僅為例示而並非被限定者，亦可具有其他之效果。

又，本發明也可採用如以下之構成。 [1] 一種固體攝像裝置，其具備： 像素陣列部，其呈二維狀排列有至少具有進行光電轉換之光電轉換部之像素； 肋，其形成於較該像素陣列部更外側之外周部，且朝該像素陣列部之上方延伸； 遮光材，其至少配置於較該像素陣列部更外側之外周部，進而配置於該肋之下方；及 低反射材，其形成為覆蓋該遮光材之至少一部分。 [2] 如[1]之固體攝像裝置，其中前述低反射材形成於前述肋之下方。 [3] 如[1]之固體攝像裝置，其中前述低反射材形成於前述肋之側方。 [4] 如[1]之固體攝像裝置，其中前述低反射材形成於前述肋之下方與前述肋之側方。 [5] 如[1]之固體攝像裝置，其中前述遮光材配置於較前述像素陣列部更外側之外周部與前述像素陣列部之至少一部分，進而配置於前述肋之下方；且 前述低反射材以覆蓋該遮光材之至少一部分之方式，形成於前述肋之下方與前述像素陣列部之至少一部分。 [6] 如[1]之固體攝像裝置，其中前述遮光材配置於較前述像素陣列部更外側之外周部與前述像素陣列部之至少一部分，進而配置於前述肋之下方；且 前述低反射材以覆蓋該遮光材之至少一部分之方式，形成於前述肋之側方與前述像素陣列部之至少一部分。 [7] 如[1]之固體攝像裝置，其中前述遮光材配置於較前述像素陣列部更外側之外周部與前述像素陣列部之至少一部分，進而配置於前述肋之下方；且 前述低反射材以覆蓋該遮光材之至少一部分之方式，形成於前述肋之下方、前述肋之側方、及前述像素陣列部之至少一部分。 [8] 如[1]之固體攝像裝置，其中前述低反射材介隔至少1種氧化膜而與前述遮光材積層，且形成於前述肋之下方。 [9] 如[1]之固體攝像裝置，其中前述低反射材介隔至少1種氧化膜而與前述遮光材積層，且形成於前述肋之側方。 [10] 如[1]之固體攝像裝置，其中前述低反射材介隔至少1種氧化膜而與前述遮光材積層，且形成於前述肋之下方與前述肋之側方。 [11] 如[1]至[10]中任一項之固體攝像裝置，其中前述低反射材為藍色濾光器。 [12] 如[1]至[10]中任一項之固體攝像裝置，其中前述低反射材為黑色濾光器。 [13] 一種電子機器，其搭載有如[1]至[12]中任一項之固體攝像裝置。

1:肋/肋邊緣 1-1:區域 2:第1有機材 3:第2有機材 4:半導體基板 5:第1氧化膜 6:覆蓋遮光材/第2氧化膜 7:反射材 8:低反射材8 8-1~8-9:低反射材 9:低反射材(黑色濾光器) 10:低反射材(黑色濾光器) 10Ad:電子器件 10-1~10-9:低反射材 11:藍色濾光器 12:第2氧化膜 13:玻璃基板 20d:第1半導體晶片 21d:感測器部 25d:列選擇部 26d:信號線 30d:第2半導體晶片 31d:信號處理部 32d:記憶體部 33d:資料處理部 34d:控制部 35d:電流源 36d:解碼器 37d:列解碼器 40d:感測器 41d:光電二極體 42d:電晶體/傳送電晶體 43d:電晶體/重置電晶體 44d:電晶體/放大電晶體 45d:電晶體/選擇電晶體 46d:FD部 50d:類比-數位轉換器/AD轉換器 51d:比較器(COMP) 52d:計數器部 54d:斜波電壓產生器(參考電壓產生部) 55d:資料鎖存部 100:固體攝像裝置 100-1:固體攝像裝置 100-2:固體攝像裝置 100-3:固體攝像裝置 100-4:固體攝像裝置 100-5:固體攝像裝置 200:像素陣列部(透鏡區域) 201c:攝像裝置 202c:光學系統 203c:快門裝置 204c:固體攝像裝置 205c:驅動電路 206c:信號處理電路 207c:監視器 208c:記憶體 500:低反射材(黑色濾光器)/固體攝像裝置 500-1~500-9:低反射材 11000:內視鏡手術系統 11100:內視鏡 11101:鏡筒 11102:相機頭 11110:手術器具 11111:氣腹管 11112:能量處置具 11120:支持臂裝置 11131:手術者(醫生) 11132:患者 11133:病床 11200:手推車 11201:相機控制單元(CCU) 11202:顯示裝置 11203:光源裝置 11204:輸入裝置 11205:處置具控制裝置 11206:氣腹裝置 11207:記錄器 11208:印表機 11400:傳送纜線 11401:透鏡單元 11402:攝像部 11403:驅動部 11404:通訊部 11405:相機頭控制部 11411:通訊部 11412:圖像處理部 11413:控制部 12000:車輛控制系統 12001:通訊網路 12010:驅動系統控制單元 12020:車體系統控制單元 12030:車外資訊檢測單元 12031:攝像部 12040:車內資訊檢測單元 12041:駕駛者狀態檢測部 12050:綜合控制單元 12051:微電腦 12052:聲音圖像輸出部 12053:車載網路I/F 12061:音訊揚聲器 12062:顯示部 12063:儀表板 12100:車輛 12101:攝像部 12102:攝像部 12103:攝像部 12104:攝像部 12105:攝像部 12111:攝像範圍 12112:攝像範圍 12113:攝像範圍 12114:攝像範圍 20001:入射光 20010:像素 20011:微透鏡 20012:CF(彩色濾光器) 20013:平坦化膜 20014:遮光膜 20015:絕緣膜 20016:p型半導體區域 20017:受光面 20018:半導體基板 20019:PD(光電二極體) 20020:n型半導體區域 20030:像素分離部 20031:槽部 20032:固定電荷膜 20033:絕緣膜 20041:p型半導體區域 20050:配線層 20051:配線 20052:絕緣層 20061:支持基板 23010:固體攝像裝置 23011:晶粒(半導體基板) 23012:像素區域 23013:控制電路 23014:邏輯電路 23020:積層型固體攝像裝置/固體攝像裝置 23021:感測器晶粒 23024:邏輯晶粒 23101:配線層 23110:配線 23111:連接孔 23112:絕緣膜 23113:連接導體 23121:連接孔 23122:絕緣膜 23123:連接導體 23161:配線層 23170:配線 23171:連接孔 23172:絕緣膜 23173:連接導體 23191:膜 23211:連接孔 23212:絕緣膜 23213:連接導體 23401:固體攝像裝置 23411:感測器晶粒 23412:邏輯晶粒 23413:記憶體晶粒 23421:像素Tr 23422:像素Tr 23431:連接導體 23432:配線 23433:配線層 23434:鋁墊 23440:接著面 23441:接點 23442:鋁墊 23443:墊孔 23451:接點 CK:時脈 d1:箭頭/寬度 d2:箭頭/寬度 d3:箭頭/寬度 d4:箭頭/寬度 d5:箭頭/寬度 h2:箭頭/高度 h4:箭頭/高度 h5:箭頭/高度 MCK:主時脈 P:部分 Q1:部分 Q2:部分 Q3:部分 Q4:部分 Q5:部分 RST:重置信號 R1:箭頭 R2:箭頭 SEL:選擇信號 S1:箭頭 S2:箭頭 S3:被覆區域 TRG:傳送信號 T1:箭頭 T2:箭頭 VDD:感測器電源 Vref:參考電壓 V1:箭頭 V2:箭頭 V3:箭頭 V4:箭頭 V5:箭頭 W1:箭頭 W2:箭頭 XHS:水平同步信號 XVS:垂直同步信號

圖1(a)、圖1(b)係顯示應用本發明之固體攝像裝置之構成例之剖視圖。 圖2係顯示應用本發明之第1實施形態之固體攝像裝置之構成例的剖視圖。 圖3係顯示應用本發明之第2實施形態之固體攝像裝置之構成例的剖視圖。 圖4係顯示應用本發明之第3實施形態之固體攝像裝置之構成例的剖視圖。 圖5係顯示應用本發明之第4實施形態之固體攝像裝置之構成例的剖視圖。 圖6係顯示應用本發明之第5實施形態之固體攝像裝置之構成例的剖視圖。 圖7(a)～圖7(j)係顯示應用本發明之第2實施形態之固體攝像裝置之構成例的剖視圖。 圖8(a)～圖8(j)係顯示應用本發明之第4實施形態之固體攝像裝置之構成例的剖視圖。 圖9(a)～圖9(j)係顯示應用本發明之第5實施形態之固體攝像裝置之構成例的剖視圖。 圖10係顯示應用本發明之第1實施形態之固體攝像裝置之構成例的剖視圖。 圖11係顯示應用本發明之第3實施形態之固體攝像裝置之構成例的剖視圖。 圖12(a)～圖12(c)係顯示應用本發明之第1實施形態之固體攝像裝置之構成例的圖。 圖13(a)～圖13(c)係顯示應用本發明之第2實施形態之固體攝像裝置之構成例的剖視圖。 圖14(a)～圖14(c)係顯示應用本發明之第3實施形態之固體攝像裝置之構成例的剖視圖。 圖15(a)～圖15(c)係顯示應用本發明之第4實施形態之固體攝像裝置之構成例的剖視圖。 圖16(a)～圖16(c)係顯示應用本發明之第5實施形態之固體攝像裝置之構成例的剖視圖。 圖17(a)、圖17(b)係顯示固體攝像裝置之構成例之剖視圖。 圖18係顯示可應用本發明之固體攝像裝置之構成例之剖視圖。 圖19A～圖19C係顯示可應用本發明之積層型固體攝像裝置之構成例之概要的圖。 圖20係顯示積層型固體攝像裝置23020之第1構成例之剖視圖。 圖21係顯示積層型固體攝像裝置23020之第2構成例之剖視圖。 圖22係顯示積層型固體攝像裝置23020之第3構成例之剖視圖。 圖23係顯示可應用本發明之積層型固體攝像裝置之另一構成例之剖視圖。 圖24係可應用本發明之固體攝像裝置之概念圖。 圖25係顯示圖24所示之固體攝像裝置之第1半導體晶片側之電路及第2半導體晶片側之電路之具體的構成的電路圖。 圖26係顯示應用本發明之第1～第5實施形態之固體攝像裝置之使用例的圖。 圖27係說明利用應用本發明之固體攝像裝置之攝像裝置及電子機器之構成之圖。 圖28係顯示內視鏡手術系統之概略構成之一例之圖。 圖29係顯示相機頭及CCU之功能構成之一例之方塊圖。 圖30係顯示車輛控制系統之概略構成之一例之方塊圖。 圖31係顯示車外資訊檢測部及攝像部之設置位置之一例之說明圖。

1:肋/肋邊緣

2:第1有機材

3:第2有機材

4:半導體基板

5:第1氧化膜

6:覆蓋遮光材/第2氧化膜

7:反射材

11:藍色濾光器

12:第2氧化膜

13:玻璃基板

100:固體攝像裝置

200:像素陣列部(透鏡區域)

P:部分

Claims (13)

1. 一種固體攝像裝置，其具備：像素陣列部，其呈二維狀排列有至少具有進行光電轉換之光電轉換部之像素；肋，其形成於較該像素陣列部更外側之外周部，且朝該像素陣列部之上方延伸；遮光材，其至少配置於較該像素陣列部更外側之外周部，進而配置於該肋之下方；低反射材，其形成為覆蓋該遮光材之至少一部分，進而配置於該肋之一上表面之下方。
2. 如請求項1之固體攝像裝置，其中前述低反射材形成於前述肋之下方。
3. 如請求項1之固體攝像裝置，其中前述低反射材形成於前述肋之側方。
4. 如請求項1之固體攝像裝置，其中前述低反射材形成於前述肋之下方與前述肋之側方。
5. 如請求項1之固體攝像裝置，其中前述遮光材配置於較前述像素陣列部更外側之外周部與前述像素陣列部之至少一部分，且配置於前述肋之下 方；並且前述低反射材以覆蓋該遮光材之至少一部分之方式，形成於前述肋之下方與前述像素陣列部之至少一部分。
6. 如請求項1之固體攝像裝置，其中前述遮光材配置於較前述像素陣列部更外側之外周部與前述像素陣列部之至少一部分，且配置於前述肋之下方；並且前述低反射材以覆蓋該遮光材之至少一部分之方式，形成於前述肋之側方與前述像素陣列部之至少一部分。
7. 如請求項1之固體攝像裝置，其中前述遮光材配置於較前述像素陣列部更外側之外周部與前述像素陣列部之至少一部分，且配置於前述肋之下方；並且前述低反射材以覆蓋該遮光材之至少一部分之方式，形成於前述肋之下方、前述肋之側方、及前述像素陣列部之至少一部分。
8. 如請求項1之固體攝像裝置，其中前述低反射材介隔至少1種氧化膜而與前述遮光材積層，且形成於前述肋之下方。
9. 如請求項1之固體攝像裝置，其中前述低反射材介隔至少1種氧化膜而與前述遮光材積層，且形成於前述肋之側方。
10. 如請求項1之固體攝像裝置，其中前述低反射材介隔至少1種氧化膜 而與前述遮光材積層，且形成於前述肋之下方與前述肋之側方。
11. 如請求項1之固體攝像裝置，其中前述低反射材為藍色濾光器。
12. 如請求項1之固體攝像裝置，其中前述低反射材為黑色濾光器。
13. 一種電子機器，其搭載有如請求項1之固體攝像裝置。