TWI844274B - 天線結構及行動裝置 - Google Patents

天線結構及行動裝置 Download PDF

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TWI844274B
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radiation
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郭立凱
何文彬
蔣政緯
朱家樂
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啓碁科技股份有限公司
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一種天線結構,包括:一接地元件、一饋入輻射部、一第一輻射部、一第二輻射部、一短路輻射部、一第三輻射部、一濾波電路、一鄰近感測器,以及一調整電路。接地元件可提供一接地電位。饋入輻射部具有一饋入點。第一輻射部和第二輻射部係耦接至饋入輻射部或是鄰近於饋入輻射部。第一輻射部更可經由短路輻射部耦接至接地電位。第三輻射部係鄰近於第一輻射部。第三輻射部係經由濾波電路耦接至鄰近感測器。濾波電路更可經由調整電路耦接至接地電位。

Description

天線結構及行動裝置
本發明係關於一種天線結構,特別係關於一種寬頻帶(Wideband)之天線結構。
隨著行動通訊技術的發達,行動裝置在近年日益普遍,常見的例如:手提式電腦、行動電話、多媒體播放器以及其他混合功能的攜帶型電子裝置。為了滿足人們的需求,行動裝置通常具有無線通訊的功能。有些涵蓋長距離的無線通訊範圍,例如:行動電話使用2G、3G、LTE(Long Term Evolution)系統及其所使用700MHz、850 MHz、900MHz、1800MHz、1900MHz、2100MHz、2300MHz以及2500MHz的頻帶進行通訊,而有些則涵蓋短距離的無線通訊範圍,例如:Wi-Fi、Bluetooth系統使用2.4GHz、5.2GHz和5.8GHz的頻帶進行通訊。
天線(Antenna)為無線通訊領域中不可缺少之元件。倘若用於接收或發射信號之天線其頻寬(Bandwidth)不足,則很容易造成行動裝置之通訊品質下降。因此,如何設計出小尺寸、寬頻帶之天線元件,對天線設計者而言是一項重要課題。
在較佳實施例中,本發明提出一種天線結構,包括:一接地元件,提供一接地電位;一饋入輻射部,具有一饋入點;一第一輻射部;一第二輻射部,其中該第一輻射部和該第二輻射部係耦接至該饋入輻射部或是鄰近於該饋入輻射部;一短路輻射部,其中該第一輻射部更經由該短路輻射部耦接至該接地電位;一第三輻射部,鄰近於該第一輻射部;一濾波電路;一鄰近感測器,其中該第三輻射部係經由該濾波電路耦接至該鄰近感測器;以及一調整電路,其中該濾波電路更經由該調整電路耦接至該接地電位。
在一些實施例中,該饋入輻射部係呈現一直條形或一T字形。
在一些實施例中,該第一輻射部和該第二輻射部係大致朝相反且互相遠離之方向作延伸。
在一些實施例中,該短路輻射部係呈現一N字形。
在一些實施例中,該第三輻射部係呈現一不等寬直條形。
在一些實施例中,該第三輻射部包括一較寬部份和一較窄部份,而該較窄部份係經由該較寬部份耦接至該濾波電路。
在一些實施例中,該第一輻射部和該第三輻射部之該較寬部份之間形成一第一耦合間隙,而該第一耦合間隙之寬度係大於或等於3mm。
在一些實施例中,該第一輻射部和該第三輻射部之該較窄部份之間形成一第二耦合間隙,而該第二耦合間隙之寬度係小於或等於3mm。
在一些實施例中,該饋入輻射部與該第一輻射部或該第二輻射部之間形成一第三耦合間隙,而該第三耦合間隙之寬度係小於或等於3mm。
在一些實施例中,該濾波電路包括:一電容器,具有一第一端和一第二端,其中該電容器之該第一端係耦接至一第一節點,而該電容器之該第二端係耦接至一第二節點;其中該第一節點更耦接至該第三輻射部。
在一些實施例中,該濾波電路更包括:一第一電感器,具有一第一端和一第二端,其中該第一電感器之該第一端係耦接至該第二節點,而該第一電感器之該第二端係耦接至該接地電位。
在一些實施例中,該濾波電路更包括:一第二電感器,具有一第一端和一第二端,其中該第二電感器之該第一端係耦接至一第三節點,而該第二電感器之該第二端係耦接至該第一節點。
在一些實施例中,該濾波電路更包括:一電阻器,具有一第一端和一第二端,其中該電阻器之該第一端係耦接至該第三節點,而該電阻器之該第二端係耦接至該鄰近感測器。
在一些實施例中,該濾波電路更包括:一第三電感器,具有一第一端和一第二端,其中該第三電感器之該第一端係耦接至該第三節點,而該第三電感器之該第二端係耦接至該鄰近感測器。
在一些實施例中,該調整電路包括:一短路路徑,耦接至該接地電位;一電容路徑,耦接至該接地電位;一斷路路徑,耦接至該接地電位;一電感路徑,耦接至該接地電位;以及一切換器,其中該切換器之一端係耦接至該第二節點,而該切換器之另一端則能根據一控制信號於該短路路徑、該電容路徑、該斷路路徑,以及該電感路徑之間作切換。
在一些實施例中,該天線結構涵蓋一第一頻帶、一第二頻帶、一第三頻帶,以及一第四頻帶。
在一些實施例中,該第一頻帶係介於617MHz至960MHz之間,該第二頻帶係介於1452MHz至2000MHz之間,該第三頻帶係介於2000MHz至2690MHz之間,而該第四頻帶係介於3300MHz至5925MHz之間。
在一些實施例中,該饋入輻射部和該第一輻射部之總長度係小於該第一頻帶之0.25倍波長。
在一些實施例中,該饋入輻射部和該第二輻射部之總長度係大致等於該第三頻帶之0.25倍波長。
在另一較佳實施例中,本發明提出一種行動裝置,包括:一上蓋外殼;一顯示器邊框;一相機元件;以及如前所述之天線結構;其中該天線結構係鄰近於該相機元件;其中該相機元件和該天線結構皆設置於該上蓋外殼和該顯示器邊框之間。
為讓本發明之目的、特徵和優點能更明顯易懂,下文特舉出本發明之具體實施例,並配合所附圖式,作詳細說明如下。
在說明書及申請專利範圍當中使用了某些詞彙來指稱特定的元件。本領域技術人員應可理解,硬體製造商可能會用不同的名詞來稱呼同一個元件。本說明書及申請專利範圍並不以名稱的差異來作為區分元件的方式,而是以元件在功能上的差異來作為區分的準則。在通篇說明書及申請專利範圍當中所提及的「包含」及「包括」一詞為開放式的用語,故應解釋成「包含但不僅限定於」。「大致」一詞則是指在可接受的誤差範圍內,本領域技術人員能夠在一定誤差範圍內解決所述技術問題,達到所述基本之技術效果。此外,「耦接」一詞在本說明書中包含任何直接及間接的電性連接手段。因此,若文中描述一第一裝置耦接至一第二裝置,則代表該第一裝置可直接電性連接至該第二裝置,或經由其它裝置或連接手段而間接地電性連接至該第二裝置。
以下的揭露內容提供許多不同的實施例或範例以實施本案的不同特徵。以下的揭露內容敘述各個構件及其排列方式的特定範例,以簡化說明。當然,這些特定的範例並非用以限定。例如,若是本揭露書敘述了一第一特徵形成於一第二特徵之上或上方,即表示其可能包含上述第一特徵與上述第二特徵是直接接觸的實施例,亦可能包含了有附加特徵形成於上述第一特徵與上述第二特徵之間,而使上述第一特徵與第二特徵可能未直接接觸的實施例。另外,以下揭露書不同範例可能重複使用相同的參考符號或(且)標記。這些重複係為了簡化與清晰的目的,並非用以限定所討論的不同實施例或(且)結構之間有特定的關係。
此外,其與空間相關用詞。例如「在…下方」、「下方」、「較低的」、「上方」、「較高的」 及類似的用詞,係為了便於描述圖示中一個元件或特徵與另一個(些)元件或特徵之間的關係。除了在圖式中繪示的方位外,這些空間相關用詞意欲包含使用中或操作中的裝置之不同方位。裝置可能被轉向不同方位(旋轉90度或其他方位),則在此使用的空間相關詞也可依此相同解釋。
第1圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線結構100之示意圖。天線結構100可以套用於一行動裝置(Mobile Device)當中,例如:一智慧型手機(Smart Phone)、一平板電腦(Tablet Computer),或是一筆記型電腦(Notebook Computer)。如第1圖所示,天線結構100包括:一接地元件(Ground Element)110、一饋入輻射部(Feeding Radiation Element)120、一第一輻射部(Radiation Element)130、一第二輻射部140、一短路輻射部(Shorting Radiation Element)150、一第三輻射部160、一濾波電路(Filter Circuit)170、一鄰近感測器(Proximity Sensor)180,以及一調整電路(Tuning Circuit)190,其中接地元件110、饋入輻射部120、第一輻射部130、第二輻射部140、短路輻射部150,以及第三輻射部160皆可用金屬材質製成,例如:銅、銀、鋁、鐵,或是其合金。
接地元件110可用於提供一接地電位(Ground Voltage)VSS。例如,接地元件110可以大致呈現一矩形,但亦不僅限於此。在一些實施例中,接地元件110可由一接地銅箔(Ground Copper Foil)來實施,其更可耦接至天線結構100之一系統接地面(System Ground Plane)(未顯示)。
饋入輻射部120可以大致呈現一直條形。詳細而言,饋入輻射部120具有一第一端121和一第二端122,其中一饋入點(Feeding Point)FP可位於饋入輻射部120之第一端121處。饋入點FP更可耦接至一信號源(Signal Source)199。例如,此信號源199可為一射頻(Radio Frequency)模組,其可用於激發天線結構100。
第一輻射部130可以大致呈現一較長直條形,其可與饋入輻射部120大致互相垂直。詳細而言,第一輻射部130具有一第一端131和一第二端132,其中第一輻射部130之第一端131係耦接至饋入輻射部120之第二端122,而第一輻射部130之第二端132為一開路端(Open End)。
第二輻射部140可以大致呈現一較短直條形(相較於第一輻射部130而言),其亦可與饋入輻射部120大致互相垂直。詳細而言,第二輻射部140具有一第一端141和一第二端142,其中第二輻射部140之第一端141係耦接至饋入輻射部120之第二端122和第一輻射部130之第一端131,而第二輻射部140之第二端142為一開路端。例如,第一輻射部130之第二端132和第二輻射部140之第二端142兩者可大致朝相反且互相遠離之方向作延伸。在一些實施例中,饋入輻射部120、第一輻射部130,以及第二輻射部140之組合可大致呈現一T字形。
短路輻射部150可以大致呈現一N字形。詳細而言,短路輻射部150具有一第一端151和一第二端152,其中短路輻射部150之第一端151係耦接至接地電位VSS,而短路輻射部150之第二端152係耦接至第一輻射部130上之一連接點(Connection Point)CP。換言之,第一輻射部130可經由短路輻射部150耦接至接地電位VSS。
第三輻射部160可以大致呈現一不等寬直條形,其可鄰近於第一輻射部130。詳細而言,第三輻射部160具有一第一端161和一第二端162,其中第三輻射部160之第一端161係耦接至濾波電路170,而第三輻射部160之第二端162為一開路端。例如,第二輻射部140之第二端142和第三輻射部160之第二端162兩者可大致朝相同方向作延伸。在一些實施例中,第三輻射部160包括鄰近於第一端161之一較寬部份(Wide Portion)164,以及鄰近於第二端162之一較窄部份(Narrow Portion)165,其中較窄部份165可經由較寬部份164耦接至濾波電路170。在一些實施例中,第一輻射部130和第三輻射部160之較寬部份164之間可形成一第一耦合間隙(Coupling Gap)GC1,而第一輻射部130和第三輻射部160之較窄部份165之間則可形成一第二耦合間隙GC2。必須注意的是,本說明書中所謂「鄰近」或「相鄰」一詞可指對應之二元件間距小於一既定距離(例如:10mm或更短),但通常不包括對應之二元件彼此直接接觸之情況(亦即,前述間距縮短至0)。
濾波電路170和調整電路190之內部結構於本發明中並不特別作限制,其可根據不同需求進行調整。舉例而言,濾波電路170和調整電路190之每一者可各自包括一或複數個電感器(Inductor)、一或複數個電容器(Capacitor),以及一或複數個電阻器(Resistor)。第三輻射部160可經由濾波電路170耦接至鄰近感測器180,其中濾波電路170更可經由調整電路190耦接至接地電位VSS。大致而言,第三輻射部160可作為鄰近感測器180之一相關感測板(Sensing Pad),而濾波電路170則可用於防止鄰近感測器180之存在對天線結構100之輻射性能造成負面影響。另外,調整電路190之加入則有助於提升天線結構100之操作頻寬(Operational Bandwidth)。
在一些實施例中,天線結構100可涵蓋一第一頻帶(Frequency Band)、一第二頻帶、一第三頻帶,以及一第四頻帶。例如,前述之第一頻帶可介於617MHz至960MHz之間,前述之第二頻帶可介於1452MHz至2000MHz之間,前述之第三頻帶可介於2000MHz至2690MHz之間,而前述之第四頻帶可介於3300MHz至5925MHz之間。因此,天線結構100將至少可支援新世代5G(5th Generation Mobile Networks)通訊之寬頻操作。
在一些實施例中,天線結構100之操作原理可如下列所述。饋入輻射部120和第一輻射部130可激發產生一基頻共振模態(Fundamental Resonant Mode),以形成前述之第一頻帶。饋入輻射部120和第一輻射部130更可激發產生一高階共振模態(Higher-Order Resonant Mode),以形成前述之第二頻帶。饋入輻射部120和第二輻射部140可激發產生另一基頻共振模態,以形成前述之第三頻帶。饋入輻射部120和第二輻射部140更可激發產生另一高階共振模態,以形成前述之第四頻帶。另外,第三輻射部160則可由第一輻射部130所耦合激發。根據實際量測結果,第三輻射部160、濾波電路170,以及調整電路190可用於微調前述之第一頻帶和第二頻帶之阻抗匹配(Impedance Matching),從而可有效增加其操作頻寬。
在一些實施例中,天線結構100之元件尺寸可如下列所述。饋入輻射部120和第一輻射部130之總長度LA可小於天線結構100之第一頻帶之0.25倍波長(λ/4)。饋入輻射部120和第二輻射部140之總長度LB可大致等於天線結構100之第三頻帶之0.25倍波長(λ/4)。在第三輻射部160當中,其較寬部份164之寬度W1可至少為其較窄部份165之寬度W2之2倍以上。第一耦合間隙GC1之寬度可大於或等於3mm。第二耦合間隙GC2之寬度則可小於或等於3mm。以上尺寸範圍係根據多次實驗結果而求出,其有助於最佳化天線結構100之操作頻寬和阻抗匹配,同時可降低鄰近感測器180與其餘輻射部之間之相互干擾(Interference)。
以下實施例將介紹天線結構100之不同組態及細部結構特徵。必須理解的是,這些圖式和敘述僅為舉例,而非用於限制本發明之專利範圍。
第2圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線結構200之示意圖。第2圖和第1圖相似。在第2圖之實施例中,天線結構200之一濾波電路270包括一第一電感器L1、一第二電感器L2、一電容器C1,以及一電阻器R1,而天線結構200之一調整電路290包括一短路路徑(Short-Circuited Path)291、一電容路徑(Capacitive Path)292、一斷路路徑(Open-Circuited Path)293、一電感路徑(Inductive Path)294,以及一切換器(Switch Element)295。
電容器C1具有一第一端和一第二端,其中電容器C1之第一端係耦接至一第一節點N1,而電容器C1之第二端係耦接至一第二節點N2。第一節點N1更可耦接至第三輻射部160之第一端161或較寬部份164。第一電感器L1具有一第一端和一第二端,其中第一電感器L1之第一端係耦接至第二節點N2,而第一電感器L1之第二端係耦接至接地電位VSS。第二電感器L2具有一第一端和一第二端,其中第二電感器L2之第一端係耦接至一第三節點N3,而第二電感器L2之第二端係耦接至第一節點N1。電阻器R1具有一第一端和一第二端,其中電阻器R1之第一端係耦接至第三節點N3,而電阻器R1之第二端係耦接至鄰近感測器180。
在濾波電路270當中,第一電容器C1可作為一高通濾波元件(High-Pass Filter Element),以避免鄰近感測器180之低頻雜訊(Low-Frequency Noise)進入調整電路290。根據實際量測結果,第一電感器L1之加入則可降低當調整電路290進行切換時鄰近感測器180發生誤動作之機率。第二電感器L2可作為一低通濾波元件(Low-Pass Filter Element),其可防止鄰近感測器180對天線結構200之輻射性能造成負面影響。另外,電阻器R1則可用於降低鄰近感測器180與其餘輻射部之間之相互干擾。
短路路徑291、電容路徑292、斷路路徑293,以及電感路徑294可分別耦接至接地元件110之接地電位VSS。切換器295之一端係耦接至第二節點N2,而切換器295之另一端則能根據一控制信號SC於短路路徑291、電容路徑292、斷路路徑293,以及電感路徑294之間作切換。因此,第二節點N2將可經由切換器295所選擇之路徑耦接至接地電位VSS。例如,控制信號SC可由一處理器(Processor)根據一使用者輸入而產生(未顯示),但亦不僅限於此。
當切換器295於短路路徑291、電容路徑292、斷路路徑293,以及電感路徑294之間作切換時,天線結構200之一接地阻抗值將可以對應地進行調整。根據實際量測結果,此種設計有助於大幅增加天線結構200之操作頻寬,特別是指前述之第一頻帶和第二頻帶。
在一些實施例中,天線結構200之元件參數可如下列所述。第一電感器L1之電感值(Inductance)可以大於或等於56nH。第二電感器L2之電感值可以大於或等於56nH。電容器C1之電容值(Capacitance)可以介於10pF至180pF之間。電阻器R1之電阻值(Resistance)可以介於0Ω至10KΩ之間。電容路徑292之電容值可以介於1pF至47pF之間。電感路徑294之電感值可以介於10nH至56nH之間。以上參數範圍係根據多次實驗結果而求出,其有助於最小化鄰近感測器180之影響,並最佳化天線結構200之輻射性能。第2圖之天線結構200之其餘特徵皆與第1圖之天線結構100類似,故此二實施例均可達成相似之操作效果。
第3圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線結構300之示意圖。第3圖和第2圖相似。在第3圖之實施例中,天線結構300之一濾波電路370不包括前述之電阻器R1,但更包括一第三電感器L3。詳細而言,第三電感器L3具有一第一端和一第二端,其中第三電感器L3之第一端係耦接至第三節點N3,而第三電感器L3之第二端係耦接至鄰近感測器180。例如,第三電感器L3之電感值可以介於10nH至330nH之間,但亦不僅限於此。根據實際量測結果,第三電感器L3亦可用於降低鄰近感測器180與其餘輻射部之間之相互干擾。第3圖之天線結構300之其餘特徵皆與第2圖之天線結構200類似,故此二實施例均可達成相似之操作效果。
第4圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線結構400之示意圖。第4圖和第1圖相似。在第4圖之實施例中,天線結構400之一饋入輻射部420可以大致呈現一T字形,其係與第一輻射部130和第二輻射部140皆相鄰近但彼此完全分離。詳細而言,饋入輻射部420具有一第一端421、一第二端422,以及一第三端423,其中饋入輻射部420之第一端421係耦接至饋入點FP和信號源199,而饋入輻射部420之第二端422和第三端423則各自為一開路端。饋入輻射部420與第一輻射部130或第二輻射部140之間可形成一第三耦合間隙GC3,其中第三耦合間隙GC3之寬度可小於或等於3mm。根據實際量測結果,第一輻射部130和第二輻射部140可由饋入輻射部420所耦合激發,使得天線結構400仍能支援前述之寬頻操作。第4圖之天線結構400之其餘特徵皆與第1圖之天線結構100類似,故此二實施例均可達成相似之操作效果。
第5圖係顯示根據本發明一實施例所述之行動裝置500之示意圖。在第5圖之實施例中,前述之天線結構100(或200或300或400)可應用於一行動裝置500當中,而行動裝置500可為一筆記型電腦,其可包括一上蓋外殼(Upper Cover Housing)510、一顯示器邊框(Display Frame)520、一鍵盤邊框(Keyboard Frame)530,以及一底座外殼(Base Housing)540。必須理解的是,上蓋外殼510、顯示器邊框520、鍵盤邊框530,以及底座外殼540即分別等同於行動裝置領域中俗稱之「A件」、「B件」、「C件」,以及「D件」。另外,行動裝置500還可包括一轉軸元件(Hinge Element)550、一顯示器(Display Device)560、一鍵盤(Keyboard)570、一觸控板(Touch Control Panel)580,以及一相機元件(Camera Element)595。前述之天線結構100可設置於行動裝置500之一第一位置591或(且)一第二位置592處,其中天線結構100和相機元件595皆可介於上蓋外殼510和顯示器邊框520之間。另外,前述之第一位置591和第二位置592皆可鄰近於行動裝置500之相機元件595處。在一些實施例中,第一位置591和顯示器邊框520之一第一邊緣521之間之一第一距離D1係大於或等於10mm,而第二位置592和顯示器邊框520之一第二邊緣522之間之一第二距離D2亦大於或等於10mm。根據實際量測結果,若第一距離D1和第二距離D2落入以上範圍內,其將可維持前述之天線結構100之良好通訊品質。
本發明提出一種新穎之天線結構。與傳統設計相比,本發明至少具有小尺寸、寬頻帶,以及低製造成本等優勢,故其很適合應用於各種各式之行動通訊裝置當中,特別是窄邊框(Narrow Border)之裝置。
值得注意的是,以上所述之元件尺寸、元件形狀、元件參數,以及頻率範圍皆非為本發明之限制條件。天線設計者可以根據不同需要調整這些設定值。本發明之天線結構和行動裝置並不僅限於第1-5圖所圖示之狀態。本發明可以僅包括第1-5圖之任何一或複數個實施例之任何一或複數項特徵。換言之,並非所有圖示之特徵均須同時實施於本發明之天線結構和行動裝置當中。
在本說明書以及申請專利範圍中的序數,例如「第一」、「第二」、「第三」等等,彼此之間並沒有順序上的先後關係,其僅用於標示區分兩個具有相同名字之不同元件。
本發明雖以較佳實施例揭露如上,然其並非用以限定本發明的範圍,任何熟習此項技藝者,在不脫離本發明之精神和範圍內,當可做些許的更動與潤飾,因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100,200,300,400:天線結構 110:接地元件 120,420:饋入輻射部 121,421:饋入輻射部之第一端 122,422:饋入輻射部之第二端 130:第一輻射部 131:第一輻射部之第一端 132:第一輻射部之第二端 140:第二輻射部 141:第二輻射部之第一端 142:第二輻射部之第二端 150:短路輻射部 151:短路輻射部之第一端 152:短路輻射部之第二端 160:第三輻射部 161:第三輻射部之第一端 162:第三輻射部之第二端 164:第三輻射部之較寬部份 165:第三輻射部之較窄部份 170,270,370:濾波電路 180:鄰近感測器 190,290:調整電路 199:信號源 291:短路路徑 292:電容路徑 293:斷路路徑 294:電感路徑 295:切換器 423:饋入輻射部之第三端 500:行動裝置 510:上蓋外殼 520:顯示器邊框 521:顯示器邊框之第一邊緣 522:顯示器邊框之第二邊緣 530:鍵盤邊框 540:底座外殼 550:轉軸元件 560:顯示器 570:鍵盤 580:觸控板 591:第一位置 592:第二位置 595:相機元件 C1:電容器 CP:連接點 D1:第一距離 D2:第二距離 FP:饋入點 GC1:第一耦合間隙 GC2:第二耦合間隙 GC3:第三耦合間隙 L1:第一電感器 L2:第二電感器 L3:第三電感器 LA,LB:長度 N1:第一節點 N2:第二節點 N3:第三節點 R1:電阻器 SC:控制信號 VSS:接地電位 W1,W2:寬度
第1圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線結構之示意圖。 第2圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線結構之示意圖。 第3圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線結構之示意圖。 第4圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線結構之示意圖。 第5圖係顯示根據本發明一實施例所述之行動裝置之示意圖。
100:天線結構
110:接地元件
120:饋入輻射部
121:饋入輻射部之第一端
122:饋入輻射部之第二端
130:第一輻射部
131:第一輻射部之第一端
132:第一輻射部之第二端
140:第二輻射部
141:第二輻射部之第一端
142:第二輻射部之第二端
150:短路輻射部
151:短路輻射部之第一端
152:短路輻射部之第二端
160:第三輻射部
161:第三輻射部之第一端
162:第三輻射部之第二端
164:第三輻射部之較寬部份
165:第三輻射部之較窄部份
170:濾波電路
180:鄰近感測器
190:調整電路
199:信號源
CP:連接點
FP:饋入點
GC1:第一耦合間隙
GC2:第二耦合間隙
LA,LB:長度
VSS:接地電位
W1,W2:寬度

Claims (19)

  1. 一種天線結構,包括:一接地元件,提供一接地電位;一饋入輻射部,具有一饋入點;一第一輻射部;一第二輻射部,其中該第一輻射部和該第二輻射部係耦接至該饋入輻射部或是鄰近於該饋入輻射部;一短路輻射部,其中該第一輻射部更經由該短路輻射部耦接至該接地電位;一第三輻射部,鄰近於該第一輻射部;一濾波電路;一鄰近感測器,其中該第三輻射部係經由該濾波電路耦接至該鄰近感測器;以及一調整電路,其中該濾波電路更經由該調整電路耦接至該接地電位;其中該天線結構涵蓋一第一頻帶;其中該饋入輻射部和該第一輻射部之總長度係小於該第一頻帶之0.25倍波長。
  2. 如請求項1所述之天線結構,其中該饋入輻射部係呈現一直條形或一T字形。
  3. 如請求項1所述之天線結構,其中該第一輻射部和該第二輻射部係大致朝相反且互相遠離之方向作延伸。
  4. 如請求項1所述之天線結構,其中該短路輻射部係呈現一N字形。
  5. 如請求項1所述之天線結構,其中該第三輻射部係呈現一不等寬直條形。
  6. 如請求項1所述之天線結構,其中該第三輻射部包括一較寬部份和一較窄部份,而該較窄部份係經由該較寬部份耦接至該濾波電路。
  7. 如請求項6所述之天線結構,其中該第一輻射部和該第三輻射部之該較寬部份之間形成一第一耦合間隙,而該第一耦合間隙之寬度係大於或等於3mm。
  8. 如請求項6所述之天線結構,其中該第一輻射部和該第三輻射部之該較窄部份之間形成一第二耦合間隙,而該第二耦合間隙之寬度係小於或等於3mm。
  9. 如請求項1所述之天線結構,其中該饋入輻射部與該第一輻射部或該第二輻射部之間形成一第三耦合間隙,而該第三耦合間隙之寬度係小於或等於3mm。
  10. 如請求項1所述之天線結構,其中該濾波電路包括:一電容器,具有一第一端和一第二端,其中該電容器之該第一端係耦接至一第一節點,而該電容器之該第二端係耦接至一第二節點;其中該第一節點更耦接至該第三輻射部。
  11. 如請求項10所述之天線結構,其中該濾波電路更包括:一第一電感器,具有一第一端和一第二端,其中該第一電感器之該第一端係耦接至該第二節點,而該第一電感器之該第二端係耦 接至該接地電位。
  12. 如請求項10所述之天線結構,其中該濾波電路更包括:一第二電感器,具有一第一端和一第二端,其中該第二電感器之該第一端係耦接至一第三節點,而該第二電感器之該第二端係耦接至該第一節點。
  13. 如請求項12所述之天線結構,其中該濾波電路更包括:一電阻器,具有一第一端和一第二端,其中該電阻器之該第一端係耦接至該第三節點,而該電阻器之該第二端係耦接至該鄰近感測器。
  14. 如請求項12所述之天線結構,其中該濾波電路更包括:一第三電感器,具有一第一端和一第二端,其中該第三電感器之該第一端係耦接至該第三節點,而該第三電感器之該第二端係耦接至該鄰近感測器。
  15. 如請求項10所述之天線結構,其中該調整電路包括:一短路路徑,耦接至該接地電位;一電容路徑,耦接至該接地電位;一斷路路徑,耦接至該接地電位;一電感路徑,耦接至該接地電位;以及一切換器,其中該切換器之一端係耦接至該第二節點,而該切換器之另一端則能根據一控制信號於該短路路徑、該電容路徑、該 斷路路徑,以及該電感路徑之間作切換。
  16. 如請求項1所述之天線結構,其中該天線結構更涵蓋一第二頻帶、一第三頻帶,以及一第四頻帶。
  17. 如請求項16所述之天線結構,其中該第一頻帶係介於617MHz至960MHz之間,該第二頻帶係介於1452MHz至2000MHz之間,該第三頻帶係介於2000MHz至2690MHz之間,而該第四頻帶係介於3300MHz至5925MHz之間。
  18. 如請求項16所述之天線結構,其中該饋入輻射部和該第二輻射部之總長度係大致等於該第三頻帶之0.25倍波長。
  19. 一種行動裝置,包括:一上蓋外殼;一顯示器邊框;一相機元件;以及如請求項1所述之天線結構;其中該天線結構係鄰近於該相機元件;其中該相機元件和該天線結構皆設置於該上蓋外殼和該顯示器邊框之間。
TW112105906A 2023-02-18 天線結構及行動裝置 TWI844274B (zh)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105529534A (zh) 2014-09-30 2016-04-27 宏碁股份有限公司 电子装置

Patent Citations (1)

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CN105529534A (zh) 2014-09-30 2016-04-27 宏碁股份有限公司 电子装置

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