TWI843409B - 顯示裝置 - Google Patents
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- TWI843409B TWI843409B TW112102275A TW112102275A TWI843409B TW I843409 B TWI843409 B TW I843409B TW 112102275 A TW112102275 A TW 112102275A TW 112102275 A TW112102275 A TW 112102275A TW I843409 B TWI843409 B TW I843409B
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- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 137
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 105
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 283
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims description 43
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 36
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims description 28
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 24
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 19
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 claims description 18
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 21
- 239000010408 film Substances 0.000 description 21
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 12
- 101001121408 Homo sapiens L-amino-acid oxidase Proteins 0.000 description 10
- 102100026388 L-amino-acid oxidase Human genes 0.000 description 10
- -1 poly(3,4-ethylenedioxy thiophene) Polymers 0.000 description 10
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dizinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Zn+2].[Zn+2] JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 101100012902 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) FIG2 gene Proteins 0.000 description 4
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 101000827703 Homo sapiens Polyphosphoinositide phosphatase Proteins 0.000 description 2
- 102100023591 Polyphosphoinositide phosphatase Human genes 0.000 description 2
- 101100233916 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) KAR5 gene Proteins 0.000 description 2
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000003094 microcapsule Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Abstract
一種顯示裝置,包括一驅動基板、一顯示介質層以及一材料層。顯示介質層配置於驅動基板上。材料層配置於顯示介質層的一側邊,並延伸至驅動基板上。材料層為具有導電特性的材料層。
Description
本發明是有關於一種光電裝置,且特別是有關於一種顯示裝置。
目前顯示裝置包括墨水層、導電銀柱、導電膠、導電膜、阻水膜以及阻水膠,其中導電膜和阻水膜皆為有基材的材料層,因而無法彎折而貼合於自由曲面(如球體的表面)上。此外,阻水膠的外側至導電銀柱的內側之間的距離至少須5毫米以上,而阻水膠的外側至顯示介質層的周圍須1毫米以上,上述的寬度無法有效地縮減且會增加顯示裝置的邊框寬度,因而無法符合現今對顯示裝置具有窄邊框的設計需求。
本發明提供一種顯示裝置,可縮減的邊框寬度,以符合窄邊框的設計需求。
本發明的顯示裝置,其包括一驅動基板、一顯示介質層以及一材料層。顯示介質層配置於驅動基板上。材料層配置於顯
示介質層的一側邊,並延伸至驅動基板上。材料層為具有導電特性的材料層。
在本發明的一實施例中,上述的材料層配置於顯示介質層相對遠離驅動基板的一側,並延伸至顯示介質層的周圍。
在本發明的一實施例中,上述的顯示裝置還包括一導電膠,配置於顯示介質層上。材料層為一導電材料層,透過導電膠固定於顯示介質層上,且與驅動基板上的一導電端子電性連接。導電材料層的厚度大於0且小於等於20微米。
在本發明的一實施例中,上述的顯示裝置還包括一導電膠,配置於顯示介質層上。材料層包括一導電材料層以及一阻水材料層。導電材料層透過導電膠固定於顯示介質層上且與驅動基板上的一導電端子電性連接。阻水材料層配置於導電材料層上且與導電材料層呈共型設置。
在本發明的一實施例中,上述的導電材料層的厚度與阻水材料層的厚度皆分別大於0且小於等於20微米。
在本發明的一實施例中,上述的材料層包括一導電材料層以及一阻水材料層。導電材料層直接覆蓋顯示介質層且與驅動基板上的一導電端子電性連接。阻水材料層配置於導電材料層上且完全覆蓋導電材料層。
在本發明的一實施例中,上述的阻水材料層的厚度大於0且小於等於20微米。
在本發明的一實施例中,上述的顯示介質層為一微杯式
(microcup)電子墨水層,且顯示裝置還包括一導電膜以及一導電膠。導電膜配置於顯示介質層上。導電膠配置於顯示介質層上,且導電膜透過導電膠固定於顯示介質層上。材料層包括一導電柱與一阻水材料層。材料層配置於導電膠與驅動基板之間,且電性連接導電膠與驅動基板上的一導電端子。該阻水材料層配置於導電膜上且沿著導電膜的周圍、導電膠的周圍、導電柱的周圍以及顯示介質層的周圍延伸至驅動基板上。
在本發明的一實施例中,上述的顯示介質層為一電泳顯示層的塑膠基板,而材料層為一導電材料層。
在本發明的一實施例中,上述的顯示裝置還包括一保護蓋板,包括一蓋板以及一透明導電層。蓋板配置於顯示介質層上,而透明導電層配置於蓋板上。部分透明導電層位於蓋板與顯示介質層之間。
在本發明的一實施例中,上述的材料層配置於透明導電層與顯示介質層的一非顯示區之間,且沿著顯示介質層的側邊延伸配置於驅動基板的一導電端子上。透明導電層透過材料層與導電端子電性連接。
在本發明的一實施例中,上述的顯示裝置還包括一封裝膠體以及一保護層。封裝膠體覆蓋部分保護蓋板的側邊以及部分材料層。導電端子於驅動基板上的正投影重疊於封裝膠體於驅動基板上的正投影。保護層覆蓋封裝膠體、保護蓋板的側邊、部分材料層以及驅動基板。
在本發明的一實施例中,上述的顯示裝置還包括一封裝膠體以及一保護層。封裝膠體覆蓋部分保護蓋板的側邊以及部分材料層。保護層覆蓋封裝膠體、保護蓋板的側邊、部分材料層以及驅動基板。導電端子於驅動基板上的正投影重疊於保護層於驅動基板上的正投影。
在本發明的一實施例中,上述以俯視觀之,導電端子的形狀包括圓形、橢圓形或矩形。
在本發明的一實施例中,上述的保護蓋板的側邊相對於顯示介質層的側邊突出一間距。材料層配置於位於顯示介質層的側邊外的透明導電層上,且沿著顯示介質層的側邊延伸配置於驅動基板的一導電端子上。透明導電層透過材料層與驅動基板的導電端子電性連接。
基於上述,在本發明的顯示裝置中,具有導電特性的材料層是從顯示介質層板的一側邊延伸配置至驅動基板上。藉此,可減少材料層在顯示裝置邊框所佔的空間,以使本發明的顯示裝置具有窄邊框或超窄邊框的優勢,可符合窄邊框的設計需求。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂,下文特舉實施例,並配合所附圖式作詳細說明如下。
100a、100b、100c、100d、100e、200a、200b、200c、200d:顯示裝置
110a、110c、210a、210b:驅動基板
112a、212a、212b、214、216:導電端子
120a、120b、220:顯示介質層
130a、130b、130d、240a、240b、240c、240d:材料層
130e:阻水材料層
132b、132d:導電材料層
134b、134d:阻水材料層
140a、140e:導電膠
150:導電膜
160:導電柱
230:保護層
232:蓋板
234:透明導電層
250a、250b:封裝膠體
260a、260b:保護層
A:顯示區
B:非顯示區
D:間距
E:區域
L1、L2、T1、T2、T3:厚度
P1、P2、P3、P4、P5:周圍
P6、P7:側邊
X:方向
圖1是依照本發明的一實施例的一種顯示裝置的剖面示意
圖。
圖2是依照本發明的另一實施例的一種顯示裝置的剖面示意圖。
圖3是依照本發明的另一實施例的一種顯示裝置的剖面示意圖。
圖4是依照本發明的另一實施例的一種顯示裝置的剖面示意圖。
圖5是依照本發明的另一實施例的一種顯示裝置的剖面示意圖。
圖6A是依照本發明的另一實施例的一種顯示裝置的剖面示意圖。
圖6B是圖6A的顯示裝置的局部俯視透視示意圖。
圖6C及圖6D為本發明多個實施例的驅動基板的導電端子的俯視透視示意圖。
圖7是依照本發明的另一實施例的一種顯示裝置的剖面示意圖。
圖8是依照本發明的另一實施例的一種顯示裝置的剖面示意圖。
圖9是依照本發明的另一實施例的一種顯示裝置的剖面示意圖。
本發明實施例可配合圖式一併理解,本發明的圖式亦被視為揭露說明之一部分。應理解的是,本發明的圖式並未按照比例繪製,事實上,可能任意的放大或縮小元件的尺寸以便清楚表現出本發明的特徵。
圖1是依照本發明的一實施例的一種顯示裝置的剖面示意圖。請參考圖1,在本實施例中,顯示裝置100a包括一驅動基板110a、一顯示介質層120a以及一材料層130a。顯示介質層120a配置於驅動基板110a上。材料層130a配置於顯示介質層120a相對遠離驅動基板110a的一側上,並沿著顯示介質層120a的周圍P1延伸至驅動基板110a上。特別是,本實施例的材料層130a為具有導電特性的無基材材料層。
詳細來說,在本實施例中,顯示裝置100a具體化為一反射式顯示裝置,例如為電泳式顯示裝置,但不以此為限。驅動基板110a例如是例如為主動元件陣列基板,可例如是薄膜電晶體(Thin Film Transistor,TFT)陣列基板或薄膜二極體(Thin Film Diode,TFD)陣列基板,但不以此為限。顯示介質層120a例如為一微膠囊式電子墨水層。
請再參考圖1,本實施例的顯示裝置100a還包括一導電膠140a,其中導電膠140a配置於顯示介質層120a上。材料層130a具體化為一導電材料層,透過導電膠140a固定於顯示介質層120a上,且與驅動基板110a上的一導電端子112a電性連接。也就是說,本實施例的材料層130a具有導電的特性,可取代現有技術中的導
電膜與導電銀柱的功能。在本實施例中,材料層130a的材質可例如是聚(3,4-伸乙基二氧基噻吩)(poly(3,4-ethylenedioxy thiophene),PEDOT)或氧化鋁鋅(AZO),可直接接觸驅動基板110a上的導電端子112a而達成電性導通。因此,本實施例可有效地縮減邊框的寬度,而使得本實施例的顯示裝置100a可具有窄邊框或超窄邊框的設計。
值得一提的是,本實施例是採用濕式製程(如噴塗的方式)來形成厚度L1大於0且小於等於20微米的導電材料層(即材料層130a),以對顯示介質層120a進行導電封裝,藉此來達成窄邊框或超窄邊框的設計。由於採用濕式製程,因此材料層130a具體化為無基材的材料層,可有效縮減顯示裝置100a的邊框寬度,且因無設置導電銀柱因而可達到無銀(Ag free)的設計。於一實施例中,材料層130a可直接接觸顯示介質層120a的周圍P1,而與驅動基板110a將導電膠140a以及顯示介質層120a封裝於其內。
簡言之,由於具有導電特性且無基材的材料層130a是從顯示介質層120a相對遠離驅動基板110a的一側上沿著顯示介質層120a的周圍P1延伸配置至驅動基板110a上,藉此可減少材料層130a在顯示裝置100a邊框所佔的空間,以使本實施例的顯示裝置100a具有窄邊框或超窄邊框的優勢,可符合窄邊框的設計需求。
在此必須說明的是,下述實施例沿用前述實施例的元件
標號與部分內容,其中採用相同的標號來表示相同或近似的元件,並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例,下述實施例不再重複贅述。
圖2是依照本發明的另一實施例的一種顯示裝置的剖面示意圖。請同時參考圖1以及圖2,本實施例的顯示裝置100b與圖1的顯示裝置100a相似,兩者的差異在於:在本實施例中,材料層130b包括一導電材料層132b以及一阻水材料層134b。導電材料層132b透過導電膠140a固定於顯示介質層120a上且與驅動基板110a上的導電端子112a電性連接,其中導電材料層132b具有導電特性,可取代現有技術中的導電膜與導電銀柱的功能。阻水材料層134b配置於導電材料層132b上,且與導電材料層132b呈共型設置,其中阻水材料層134b具有防水特性,可取代現有技術中的阻水膜與阻水膠的功能。也就是說,本實施例的材料層130b可同時具有導電及防水的特性。
在本實施例中,材料層130b是採用濕式製程(如噴塗的方式)來形成,其中導電材料層132b的厚度L2例如是大於0且小於等於20微米,而阻水材料層134b的厚度T1例如是大於0且小於等於20微米。導電材料層132b的材質可例如是聚(3,4-伸乙基二氧基噻吩)(poly(3,4-ethylenedioxy thiophene),PEDOT)或氧化鋁鋅(AZO),可直接接觸驅動基板110a上的導電端子112a而達成電性導通。因此,可有效地縮減邊框的寬度,而使顯示裝置100b達到窄邊框或超窄邊框的設計。阻水材料層134b的材質例如
是氧化矽(SiOX)或氮化矽(SiNX),可達成阻水的目的,且同時因厚度T1小於等於20微米,因而可使顯示裝置100b達到窄邊框或超窄邊框的設計。
簡言之,本實施例是透過材料層130b的導電材料層132b來對顯示介質層120a進行導電封裝,而透過材料層130b的阻水材料層134b來對顯示介質層120a進行防水封裝。由於具有導電及防水特性且無基材的材料層130b是從顯示介質層120a相對遠離驅動基板110a的一側上沿著顯示介質層120a的周圍P1延伸配置至驅動基板110a上,藉此可減少材料層130b在顯示裝置100b邊框所佔的空間,以使本實施例的顯示裝置100b具有窄邊框或超窄邊框的優勢,可符合窄邊框的設計需求。此外,由於採用濕式製程,因此材料層130b具體化為無基材的材料層,可有效縮減顯示裝置100b的邊框寬度,藉此來達成窄邊框或超窄邊框,且因無須設置導電銀柱因而無須銀(Ag free),可形成平面的顯示裝置100b。
圖3是依照本發明的另一實施例的一種顯示裝置的剖面示意圖。請同時參考圖2以及圖3,本實施例的顯示裝置100c與圖2的顯示裝置100b相似,兩者的差異在於:在本實施例中,本實施例的驅動基板110c具體化為可撓性的驅動基板。由於本實施例是採用濕式製程來形成材料層130b,因此無基材的材料層130b與具有可撓性的驅動基板110c皆可彎折/彎曲,可形成非平面(即自由曲面)的顯示裝置100c。
簡言之,本實施例的材料層130b可使用在平面和非平面(即自由曲面)封裝上,可有效縮減顯示裝置100b、100c的邊框寬度,藉此來達成窄邊框或超窄邊框的設計。
圖4是依照本發明的另一實施例的一種顯示裝置的剖面示意圖。請同時參考圖1以及圖4,本實施例的顯示裝置100d與圖1的顯示裝置100a相似,兩者的差異在於:本實施例沒有設置圖1中的導電膠140a。詳細來說,在本實施例中,材料層130d包括一導電材料層132d以及一阻水材料層134d。導電材料層132d直接覆蓋顯示介質層120a且與驅動基板110a上的導電端子112a電性連接,其中導電材料層132d可取代現有技術中的導電膜、導電膠以及導電銀膠的功能。阻水材料層134d配置於導電材料層132d上且完全覆蓋導電材料層132d,其中阻水材料層134d可取代現有技術中的阻水膜與阻水膠的功能。也就是說,本實施例的材料層130d可同時具有導電及防水的特性。
在本實施例中,材料層130d是採用濕式製程(如噴塗的方式)來形成,其中阻水材料層134d的厚度T2例如是大於0且小於等於20微米。導電材料層132d的材質可例如是聚(3,4-伸乙基二氧基噻吩)(poly(3,4-ethylenedioxy thiophene),PEDOT)或氧化鋁鋅(AZO),可直接接觸驅動基板110a上的導電端子112a而達成電性導通。因此,可有效地縮減邊框的寬度,而使顯示裝置100d達到窄邊框或超窄邊框的設計。阻水材料層134d的材質例如是氧化矽(SiOX)或氮化矽(SiNX),可達成阻水的目的,且同時
因厚度T2小於等於20微米,因而可使顯示裝置100d達到窄邊框或超窄邊框的設計。
簡言之,本實施例是透過材料層130d的導電材料層132d來對顯示介質層120a進行導電封裝,而透過材料層130d的阻水材料層134d來對顯示介質層120a進行防水封裝。由於具有導電及防水特性且無基材的材料層130d是從顯示介質層120a相對遠離驅動基板110a的一側上沿著顯示介質層120a的周圍P1延伸配置至驅動基板110a上,藉此可減少材料層130d在顯示裝置100d邊框所佔的空間,以使本實施例的顯示裝置100d具有窄邊框或超窄邊框的優勢,可符合窄邊框的設計需求。此外,由於採用濕式製程,因此材料層130d具體化為無基材的材料層,可有效縮減顯示裝置100d的邊框寬度,藉此來達成窄邊框或超窄邊框,且因無須設置導電銀柱及導電膠因而無須銀(Ag free),可形成平面的顯示裝置100d。
圖5是依照本發明的另一實施例的一種顯示裝置的剖面示意圖。請同時參考圖1以及圖5,本實施例的顯示裝置100e與圖1的顯示裝置100a相似,兩者的差異在於:本實施例的顯示介質層120b具體化為一微杯式電子墨水層。
詳細來說,在本實施例中,顯示裝置100e還包括一導電膜150,而材料層包括一導電柱160以及一阻水材料層130e。導電膜150配置於顯示介質層120b上,其中導電膜150透過導電膠140e固定於顯示介質層120b上。材料層配置於導電膠140e與驅
動基板110a之間,且電性連接導電膠140e與驅動基板110a上的導電端子112a。阻水材料層130e配置於導電膜150上且沿著導電膜150的周圍P3、導電膠140e的周圍P4、導電柱160的周圍P5以及顯示介質層120b的周圍P2延伸至驅動基板110a上。在本實施例中,阻水材料層130e具有防水特性,可取代現有技術中的阻水膜與阻水膠的功能。也就是說,本實施例的阻水材料層130e具有防水的特性。
在本實施例中,阻水材料層130e是採用濕式製程(如噴塗的方式)來形成,其中阻水材料層130e的厚度T3例如是大於0且小於等於20微米。阻水材料層130e的材質例如是氧化矽(SiOX)或氮化矽(SiNX),可達成阻水的目的,且同時因厚度T3小於等於20微米,因而可使顯示裝置100e達到窄邊框或超窄邊框的設計。
圖6A是依照本發明的另一實施例的一種顯示裝置的剖面示意圖。圖6B是圖6A的顯示裝置的局部俯視透視示意圖。圖6C及圖6D為本發明多個實施例的驅動基板的導電端子的俯視透視示意圖。須說明的是,圖6B為圖6A中的區域E的俯視透視示意圖。
請先同時參考圖1以及圖6A,本實施例的顯示裝置200a與圖1的顯示裝置100a相似,兩者的差異在於:本實施例的顯示介質層220具體化為一電泳顯示層的塑膠基板,而材料層240a具體化為一導電材料層。此處,顯示介質層220可為液晶顯示層。
材料層240a的材質可例如是聚(3,4-伸乙基二氧基噻吩)(poly(3,4-ethylenedioxy thiophene),PEDOT),為具流動性及揮發性的導電性材料。
詳細來說,在本實施例中,顯示裝置200a還包括一保護蓋板230,包括一蓋板232以及一透明導電層234。蓋板232配置於顯示介質層220上,而透明導電層234配置於蓋板232上。部分透明導電層234位於蓋板232與顯示介質層220之間。顯示介質層220具有一顯示區A以及圍繞顯示區A的一非顯示區B。材料層240a配置於透明導電層234與顯示介質層220的非顯示區B之間,且沿著顯示介質層220的側邊P6延伸配置於驅動基板210a的導電端子212a上。透明導電層234透過材料層240a與驅動基板210a的導電端子212a電性連接。此處,如圖6B所示,以俯視觀之,導電端子212a的形狀例如是圓形,但不以此為限。於其他實施例中,請參考圖6C,以俯視觀之,驅動基板210的導電端子214的形狀例如是橢圓形;或者是,請參考圖6D,以俯視觀之,驅動基板210的導電端子216的形狀例如是矩形,上述皆屬本發明所欲保護的範圍。如圖6B所示,以俯視觀之,材料層240a的塗佈區域由導電端子212a延續到與保護蓋板230重疊,並與保護蓋板230的透明導電層234電性連接。於本實施例中,材料層240a於方向X的寬度,與驅動基板210的寬度一樣寬,但本發明不以上述為限,材料層240a的塗佈區域,以覆蓋到導電端子212a與保護蓋板230的透明導電層234即可,進而達到導電端子212a與
透明導電層234電性連接的目的。
須說明的是,導電端子212a、214、216例如是金屬導通圖案(metal pad),可將驅動基板210a、210輸出的電壓信號提供給保護蓋板230的透明導電層234。也就是說,位於驅動基板210a、210上的積體電路(Integrated Circuit,IC)輸出電壓信號,經由導電端子212a、214、216與材料層240a(即導電材料層)提供給位於保護蓋板230的透明導電層234。藉此,讓導電端子212a、214、216與透明導電層234連接導通,以便於顯示裝置200a驅動時電場壓差的控制,進而使顯示裝置200a呈現影像。
此外,請再參考圖6A,在本實施例中,顯示裝置200a還包括一封裝膠體250a以及一保護層260a。封裝膠體250a覆蓋部分保護蓋板230的側邊P7以及部分材料層240a。保護層260a覆蓋封裝膠體250a、保護蓋板230的側邊P7、部分材料層240a以及驅動基板210a。此處,導電端子212a於驅動基板210a上的正投影重疊於保護層260a於驅動基板210a上的正投影。
在製程上,可將聚(3,4-伸乙基二氧基噻吩)滴定於顯示介質層220上方及驅動基板210a的導電區域(包括導電端子212a)上,經由保護蓋板230貼附於顯示介質層220後,經由烘烤輝發後在該區域形成材料層240a,達到驅動顯示裝置200a的功能。接著,塗佈封裝膠體250a以及在彎折區進行點膠製程而形成保護層260a。最後,進行彎折區域彎折,而完成顯示裝置200a的製作。由於本實施例是以材料層240a來取代現有技術中的無法彎折的銀
膠,因此可克服銀膠無法彎折的限制,進而可達到使顯示裝置200a具有窄邊框的設計。本發明另一實施例,可先製作保護層260a後再進行塗佈封裝膠體250a,如此,本發明另一結構為封裝膠體250a覆蓋於保護層260a上方。
圖7是依照本發明的另一實施例的一種顯示裝置的剖面示意圖。請先同時參考圖6A以及圖7,本實施例的顯示裝置200b與圖6A的顯示裝置200a相似,兩者的差異在於:本實施例的導電端子212b於驅動基板210b上的正投影重疊於封裝膠體250b於驅動基板210b上的正投影。保護層260b覆蓋封裝膠體250b、保護蓋板230的側邊P7、部分材料層240b以及驅動基板210b。
圖8是依照本發明的另一實施例的一種顯示裝置的剖面示意圖。請先同時參考圖6A以及圖8,本實施例的顯示裝置200c與圖6A的顯示裝置200a相似,兩者的差異在於:在本實施例中,保護蓋板230的側邊P7相對於顯示介質層220的側邊P6突出一間距D。材料層240c配置於位於顯示介質層220的側邊P6外的透明導電層234上,且沿著顯示介質層220的側邊P6延伸配置於驅動基板210a的導電端子212a上。也就是說,材料層240沒有設置在透明導電層234與顯示介質層220之間。透明導電層234透過材料層240c與驅動基板210a的導電端子212a電性連接。此處,導電端子212a於驅動基板210a上的正投影重疊於保護層260a於驅動基板210a上的正投影。
圖9是依照本發明的另一實施例的一種顯示裝置的剖面
示意圖。請先同時參考圖8以及圖9,本實施例的顯示裝置200d與圖8的顯示裝置200c相似,兩者的差異在於:本實施例的導電端子212b於驅動基板210b上的正投影重疊於封裝膠體250b於驅動基板210b上的正投影。保護層260b覆蓋封裝膠體250b、保護蓋板230的側邊P7、部分材料層240b以及驅動基板210b。
綜上所述,在本發明的顯示裝置中,具有導電特性的材料層是從顯示介質層的一側邊延伸配置至驅動基板上。藉此,可減少材料層在顯示裝置邊框所佔的空間,以使本發明的顯示裝置具有窄邊框或超窄邊框的優勢,可符合窄邊框的設計需求。
雖然本發明已以實施例揭露如上,然其並非用以限定本發明,任何所屬技術領域中具有通常知識者,在不脫離本發明的精神和範圍內,當可作些許的更動與潤飾,故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
100a:顯示裝置
110a:驅動基板
112a:導電端子
120a:顯示介質層
130a:材料層
140a:導電膠
L:厚度
P1:周圍
Claims (8)
- 一種顯示裝置,包括:一驅動基板;一顯示介質層,配置於該驅動基板上;以及一材料層,配置於該顯示介質層的一側邊,並延伸至該驅動基板上,其中該材料層為具有導電特性的材料層,其中該顯示介質層為一電泳顯示層的塑膠基板,而該材料層為一導電材料層,該顯示裝置更包括:一保護蓋板,包括一蓋板以及一透明導電層,其中該蓋板配置於該顯示介質層上,而該透明導電層配置於該蓋板上,且部分該透明導電層位於該蓋板與該顯示介質層之間。
- 如請求項1所述的顯示裝置,其中該材料層配置於該透明導電層與該顯示介質層的一非顯示區之間,且沿著該顯示介質層的側邊延伸配置於該驅動基板的一導電端子上,該透明導電層透過該材料層與該導電端子電性連接。
- 如請求項2所述的顯示裝置,其中以俯視觀之,該導電端子的形狀包括圓形、橢圓形或矩形。
- 如請求項2所述的顯示裝置,更包括:一封裝膠體,覆蓋部分該保護蓋板的側邊以及部分該材料層,其中該導電端子於該驅動基板上的正投影重疊於該封裝膠體於該驅動基板上的正投影;以及 一保護層,覆蓋該封裝膠體、該保護蓋板的側邊、部分該材料層以及該驅動基板。
- 如請求項2所述的顯示裝置,更包括:一封裝膠體,覆蓋部分該保護蓋板的側邊以及部分該材料層;以及一保護層,覆蓋該封裝膠體、該保護蓋板的側邊、部分該材料層以及該驅動基板,其中該導電端子於該驅動基板上的正投影重疊於該保護層於該驅動基板上的正投影。
- 如請求項1所述的顯示裝置,其中該保護蓋板的側邊相對於該顯示介質層的側邊突出一間距,該材料層配置於位於該顯示介質層的側邊外的該透明導電層上,且沿著該顯示介質層的側邊延伸配置於該驅動基板的一導電端子上,該透明導電層透過該材料層與該驅動基板的該導電端子電性連接。
- 如請求項1所述的顯示裝置,其中該導電材料層的厚度大於0且小於等於20微米。
- 一種顯示裝置,包括:一驅動基板;一顯示介質層,配置於該驅動基板上;以及一材料層,配置於該顯示介質層的一側邊,並延伸至該驅動基板上,其中該材料層為具有導電特性的材料層,其中該顯示介質層為一微杯式電子墨水層,且所述的顯示裝置更包括: 一導電膜,配置於該顯示介質層上;以及一導電膠,配置於該顯示介質層上,且該導電膜透過該導電膠固定於該顯示介質層上;其中,該材料層包括一導電柱與一阻水材料層,該材料層配置於該導電膠與該驅動基板之間,且電性連接該導電膠與該驅動基板上的一導電端子,該阻水材料層配置於該導電膜上且沿著該導電膜的周圍、該導電膠的周圍、該導電柱的周圍以及該顯示介質層的周圍延伸至該驅動基板上。
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TWI843409B true TWI843409B (zh) | 2024-05-21 |
Family
ID=
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8441711B2 (en) | 2008-09-23 | 2013-05-14 | Lg Display Co., Ltd. | Electrophoretic display device and method of fabricating the same |
Patent Citations (1)
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---|---|---|---|---|
US8441711B2 (en) | 2008-09-23 | 2013-05-14 | Lg Display Co., Ltd. | Electrophoretic display device and method of fabricating the same |
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