TWI838026B - 揚聲器模組 - Google Patents

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Abstract

一種揚聲器模組，包括一殼體、一揚聲器單體以及一第一振動吸收器。揚聲器單體具有一音腔。揚聲器單體設置於殼體的一第一壁上。揚聲器單體包括一振膜、一線圈以及一磁鐵，並且線圈配置以帶動振膜相對於磁鐵振動。第一振動吸收器設置於音腔中，並且第一振動吸收器具有一第一自然頻率。當振膜的頻率與第一自然頻率的比值大於0.781且小於1.28時，第一振動吸收器配置以吸收振膜對殼體產生的振動。

Description

揚聲器模組
本揭露係關於一種揚聲器模組，特別係關於一種可降低振動位移的揚聲器模組。
隨著科技的發展，現今許多電子裝置（例如筆記型電腦）已是相當普及且受歡迎的產品。其中，筆記型電腦在現今消費性產品中是最受歡迎且普及的，使用者可於筆記型電腦上執行各種應用程式以達到各種所需之目的，例如觀看影片、玩遊戲、瀏覽網頁或看電子書等功能。
一般來說，筆記型電腦等電子裝置都配置有至少一揚聲器模組，配置以發出音樂等聲音。然而，現有的揚聲器模組在發出聲音時會產生不必要的振動，導致筆記型電腦因此發出雜音。特別是在發出低頻的音效時，揚聲器模組所產生的振動會特別明顯，嚴重影響使用者的使用體驗。
因此，如何設計出可降低低頻時所產生的振動的揚聲器模組，便是現今值得探討與解決之課題。
有鑑於此，本揭露提出一種揚聲器模組，以解決上述之問題。
本揭露提供一種揚聲器模組，包括一殼體、一揚聲器單體以及一第一振動吸收器。揚聲器單體具有一音腔。揚聲器單體設置於殼體的一第一壁上。揚聲器單體包括一振膜、一線圈以及一磁鐵，並且線圈配置以帶動振膜相對於磁鐵振動。第一振動吸收器設置於音腔中，並且第一振動吸收器具有一第一自然頻率。當振膜的頻率與第一自然頻率的比值大於0.781且小於1.28時，第一振動吸收器配置以吸收振膜對殼體產生的振動。
根據本揭露一些實施例，第一振動吸收器連接於磁鐵的底部的中心，第一振動吸收器具有一第一塊體以及一第一彈簧，並且第一彈簧連接於第一塊體以及磁鐵之間。
根據本揭露一些實施例，第一振動吸收器更包括一第一阻尼元件，連接於第一塊體以及磁鐵之間，並且第一阻尼元件與第一彈簧為一體成形。
根據本揭露一些實施例，殼體形成有一保護壁，由殼體的一第二壁朝向第一壁延伸，並且保護壁配置以包圍並保護第一振動吸收器。
根據本揭露一些實施例，保護壁具有一筒狀結構，並且保護壁的一內側面上設置有一緩衝元件，環繞第一振動吸收器。
根據本揭露一些實施例，保護壁在一第一方向上具有一高度，第一塊體在第一方向上與第二壁之間具有一最大距離，並且高度大於最大距離，其中第一方向垂直於第二壁。
根據本揭露一些實施例，第一塊體由鐵或銅製成，第一塊體的一第一質量小於2克，並且符合下列關係式： 。f為振膜振動時的頻率，k a為第一彈簧的一第一彈力係數，m a為第一質量。
根據本揭露一些實施例，第一振動吸收器連接於第一壁的一內側面，第一振動吸收器具有一第一塊體以及一第一彈簧，並且第一彈簧連接於第一塊體以及內側面之間，其中第一振動吸收器鄰近振膜。
根據本揭露一些實施例，揚聲器模組更包括一第二振動吸收器，第一振動吸收器與第二振動吸收器連接於磁鐵的底部，第二振動吸收器具有一第二自然頻率，並且當振膜的頻率與第二自然頻率的比值大於0.781且小於1.28時，第二振動吸收器配置以吸收振膜對殼體產生的振動，其中第一自然頻率不同於第二自然頻率。
根據本揭露一些實施例，線圈係接收一控制電訊號以帶動振膜產生振動，控制電訊號係經由一高通濾波器處理後再傳送至線圈，並且高通濾波器的截止頻率(Cutoff frequency) 小於或等於210Hz。
本揭露提供一種揚聲器模組，包括一殼體、一揚聲器單體以及一第一振動吸收器。揚聲器單體設置在殼體上並且具有一振膜。當振膜的頻率與第一振動吸收器的第一自然頻率的比值大於0.781且小於1.28時，第一振動吸收器可以有效地吸收振膜對殼體產生的振動。
在一些實施例中，揚聲器模組可更包括一第二振動吸收器，並且第一振動吸收器與第二振動吸收器是連接於揚聲器單體的磁鐵的底部。當振膜的頻率與第二自然頻率的比值大於0.781且小於1.28時，第二振動吸收器也可以有效地吸收振膜對殼體產生的振動。基於兩個振動吸收器的配置，可以增加吸收振動的頻率範圍。
以下公開許多不同的實施方法或是範例來實行所提供之標的之不同特徵，以下描述具體的元件及其排列的實施例以闡述本揭露。當然這些實施例僅用以例示，且不該以此限定本揭露的範圍。舉例來說，在說明書中提到第一特徵部件形成於第二特徵部件之上，其可包括第一特徵部件與第二特徵部件是直接接觸的實施例，另外也可包括於第一特徵部件與第二特徵部件之間另外有其他特徵的實施例，換句話說，第一特徵部件與第二特徵部件並非直接接觸。
此外，在不同實施例中可能使用重複的標號或標示，這些重複僅為了簡單清楚地敘述本揭露，不代表所討論的不同實施例及/或結構之間有特定的關係。此外，在本揭露中的在另一特徵部件之上形成、連接到及/或耦接到另一特徵部件可包括其中特徵部件形成為直接接觸的實施例，並且還可包括其中可形成***上述特徵部件的附加特徵部件的實施例，使得上述特徵部件可能不直接接觸。此外，其中可能用到與空間相關用詞，例如“垂直的”、“上方”、＂上＂、＂下＂、＂底＂及類似的用詞(如＂向下地＂、＂向上地＂等)，這些空間相關用詞係為了便於描述圖示中一個(些)元件或特徵與另一個(些)元件或特徵之間的關係，這些空間相關用詞旨在涵蓋包括特徵的裝置的不同方向。
除非另外定義，在此使用的全部用語(包括技術及科學用語)具有與此篇揭露所屬之一般技藝者所通常理解的相同涵義。能理解的是這些用語，例如在通常使用的字典中定義的用語，應被解讀成具有一與相關技術及本揭露的背景或上下文一致的意思，而不應以一理想化或過度正式的方式解讀，除非在此有特別定義。
再者，說明書與請求項中所使用的序數例如”第一”、”第二”等之用詞，以修飾請求項之元件，其本身並不意含及代表該請求元件有任何之前的序數，也不代表某一請求元件與另一請求元件的順序、或是製造方法上的順序，該等序數的使用僅用來使具有某命名的一請求元件得以和另一具有相同命名的請求元件能作出清楚區分。
此外，在本揭露一些實施例中，關於接合、連接之用語例如「連接」、「互連」等，除非特別定義，否則可指兩個結構係直接接觸，或者亦可指兩個結構並非直接接觸，其中有其它結構設於此兩個結構之間。且此關於接合、連接之用語亦可包括兩個結構都可移動，或者兩個結構都固定之情況。
請參考第1圖，第1圖為根據本揭露一實施例之一電子裝置10之示意圖。電子裝置10例如為一筆記型電腦，具有一顯示模組11以及一主機模組12。主機模組12連接於顯示模組11，並且主機模組12可包括一鍵盤13、一外殼20、一音訊處理電路30以及二揚聲器模組100。
於此實施例中，如第1圖所示，二揚聲器模組100是分別設置於外殼20內的左側以及右側，但不限於此。音訊處理電路30是配置以將一控制電訊號CS發送給兩個揚聲器模組100。再者，每一揚聲器模組100中包括一揚聲器單體104，配置以將控制電訊號CS轉換為聲音訊號。
接著，請參考第2圖與第3圖，第2圖為根據本揭露一實施例之揚聲器模組100之立體示意圖，並且第3圖為根據本揭露一實施例之揚聲器模組100沿著第2圖中線段A-A之剖面示意圖。於此實施例中，揚聲器模組100中包括一殼體102、前述揚聲器單體104以及一第一振動吸收器150。
殼體102可具有一音腔1021、一出音口1022、一第一壁1023以及一第二壁1024。出音口1022是形成於第一壁1023，揚聲器單體104是設置於殼體102的第一壁1023上並且連通於音腔1021。揚聲器單體104包括一振膜1041，並且振膜1041是連通於出音口1022。
如第3圖所示，揚聲器單體104可更包括一框架1040、一線圈1043以及一磁鐵1044。框架1040固定於殼體102，並且磁鐵1044固定地設置於框架1040上。再者，線圈1043是固定地連接於振膜1041的底部，並且振膜1041是可活動地連接於框架1040並且懸吊在磁鐵1044上方。
當線圈1043接收到控制電訊號CS時，可以與磁鐵1044產生電磁驅動力而帶動振膜1041相對於磁鐵1044振動，以使控制電訊號CS轉換為聲音訊號。
當振膜1041振動發出聲音時，會使得揚聲器模組100整體產生不必要的振動。為了減少振動的程度，於此實施例中，揚聲器模組100中採用了前述之第一振動吸收器150，設置於音腔1021中，以吸收不必要的振動。
具體而言，於此實施例中，第一振動吸收器150是連接於磁鐵1044的底部的中心，但不限於此。第一振動吸收器150具有一第一塊體152以及一第一彈簧154，並且第一彈簧154是連接於第一塊體152以及磁鐵1044之間。
再者，殼體102可形成有一保護壁103，由殼體102的第二壁1024朝向第一壁1023延伸，並且保護壁103是配置以包圍並保護第一振動吸收器150。於此實施例中，殼體102可為塑膠材質製成，並且保護壁103與第二壁1024可為一體成形。
如第3圖所示，保護壁103可具有一筒狀結構，並且保護壁103的內側面1031上設置有一緩衝元件1033，環繞第一振動吸收器150。緩衝元件1033例如可由橡膠材質製成，但不限於此。
於此實施例中，保護壁103在一第一方向D1（Z軸）上具有一高度H1，第一塊體152在第一方向D1上與第二壁1024之間具有一最大距離DS1，並且高度H1大於最大距離DS1。其中，第一方向D1垂直於第二壁1024。
基於保護壁103的結構設計，可以確保當使用者以不同角度握持電子裝置10時，第一塊體152與第一彈簧154不會與磁鐵1044碰撞，進而造成損壞的問題。
請參考第4圖，第4圖為根據本揭露一實施例之揚聲器模組100之等效模型示意圖。其中，塊體104M為揚聲器單體104的等效質量塊，二個彈簧104S為揚聲器單體104的等效彈簧，塊體152M等效於第一塊體152，並且彈簧154S等效於第一彈簧154。
下列公式(1)為對應於此等效模型的運動方程式： ……(1)
其中，F 0為施加於塊體104M的力（純量），m為塊體104M的質量，m a為塊體152M的質量（第一質量），k為彈簧104S的兩倍的彈力係數，k a為彈簧154S的彈力係數（第一彈力係數），x為塊體104M運動時的位移，x a為塊體152M運動時的位移，ω為塊體104M運動時的角頻率，並且t為時間。
接著，請參考下列公式(2)、(3)。
…………………..(2)
…………………(3)
其中，X為塊體104M的移動距離，並且X a為塊體152M的移動距離。
將上列公式(2)、公式(3)代入公式(1)後可導出公式(4)：
……(4)
接著， 定義公式(5)與公式(6)如下：
……(5)
……(6)
其中，ω p為不包含塊體152M與彈簧154S時的自然角頻率。亦即揚聲器模組100移除第一振動吸收器150後的自然角頻率。再者，ω a為第一振動吸收器150還未連接到揚聲器單體104時的自然角頻率（2π倍的第一自然頻率）。
將公式(5)與公式(6)代入公式(4)後可得到下列公式(7)：
…… (7)
其中， ， ，並且r （頻率比例）。
於是，可根據公式(7)繪製第5圖。請參考第5圖與第6圖，第5圖為根據本揭露一實施例之位移比例與頻率比例的關係圖，並且第6圖為根據本揭露一實施例之揚聲器模組100的振動位移與頻率的關係圖。
在第5圖中，當頻率比例r在0.781與1.28之間時，位移比例可以有效地減少。亦即，當振膜1041振動時的頻率（也就是前述公式中的ω/2π）與第一自然頻率（ω a/2π）的比值大於0.781且小於1.118時，第一振動吸收器150配置以吸收振膜1041對殼體102產生的振動。
較佳的來說，如第5圖所示，當振膜1041的頻率與第一自然頻率的比值大於0.908且小於1.118時，位移比例可以小於1，亦即在這個範圍內，振膜1041產生的振動可以更有效地被抑制。
在第6圖中，曲線CV0代表揚聲器模組100未加上第一振動吸收器150時的頻率與振動位移的關係曲線，並且曲線CV1代表揚聲器模組100加上第一振動吸收器150後的頻率與振動位移的關係曲線。
如第6圖所示，在210Hz～300Hz之間，揚聲器模組100（第3圖）在Z軸上產生的振動位移可以有效地被降低。於此實施例中，當頻率為236Hz時，揚聲器模組100在Z軸上產生的振動位移可以被降到最低，但不限於此。
值得注意的是，在本揭露中，第1圖中的音訊處理電路30可更包括一高通濾波器31，並且控制電訊號CS係經由此高通濾波器31處理後再傳送至線圈1043。其中，高通濾波器31的截止頻率(Cutoff frequency)小於或等於210Hz，例如為200Hz，但不限於此。
基於這樣的設計，可以有效地去除第6圖中210Hz以下所產生的振動位移。由於200Hz以下的聲音人耳聽不到，因此揚聲器模組100所輸出的聲音品質也不會受到影響。
另外要說明的是，於此實施例中，第一塊體152可為鐵、銅等材質製成，並且第一塊體152的第一質量小於2克。舉例來說，第一質量可為1克，但不限於此。再者，第一彈簧154的第一彈力係數例如可為3243.8（牛頓/米），但不限於此。
再者，第一振動吸收器150是符合下列關係式(8)：
……(8)
其中，f為振膜1041振動時的頻率。
亦即，可根據上述關係式(8)來選擇第6圖中最小的振動位移所對應的頻率（例如210Hz），以決定第一質量與第一彈力係數。也就是說，可以根據不同實施例的揚聲器模組來決定，以達到最好的降低振動的效果。
接下來請參考第7圖與第8圖。第7圖為根據本揭露另一實施例之揚聲器模組100A的立體剖面圖，並且第8圖為根據本揭露另一實施例之揚聲器模組100A的振動位移與頻率的關係圖。於此實施例中，揚聲器模組100A可更包括一第二振動吸收器160，並且第一振動吸收器150與第二振動吸收器160是連接於磁鐵1044的底部。
於此實施例中，第一振動吸收器150與第二振動吸收器160是對稱於磁鐵1044的中心，但不限於此。第二振動吸收器160包括一第二塊體162以及一第二彈簧164，並且第二彈簧164連接於第二塊體162與磁鐵1044之間。
於此實施例中，第二塊體162與第一塊體152的質量可不同，並且第二彈簧164與第一彈簧154的彈力係數可不同，但不限於此。
另外，相似於前述實施例，於此實施例中，第二壁1024上可形成二個保護壁103，分別包圍並保護第一振動吸收器150與第二振動吸收器160。
再者，相似地於第一振動吸收器150，第二振動吸收器160具有一第二自然頻率，並且當振膜1041振動時的頻率與第二自然頻率的比值大於0.781且小於1.28時，第二振動吸收器160配置以吸收振膜1041對殼體102產生的振動。較佳地，當振膜1041振動時的頻率與第二自然頻率的比值大於0.908且小於1.118時，振膜1041產生的振動可以更有效地被抑制。
要說明的是，第一自然頻率不同於第二自然頻率。於此實施例中，第一自然頻率為250Hz，第二自然頻率為200Hz，但不限於此。
在第8圖中，曲線CV2代表揚聲器模組100A的頻率與振動位移的關係曲線。相較於曲線CV1，曲線CV2在70Hz至210Hz之間的振動位移可以有效地被降低。亦即，此實施例的配置可以增加吸收振動的頻率範圍。其中，在第8圖中，區域RA對應於第一振動吸收器150，並且區域RB對應於第二振動吸收器160。
請參考第9圖與第10圖。第9圖為根據本揭露另一實施例之揚聲器模組100B的立體剖面圖，並且第10圖為根據本揭露另一實施例之揚聲器模組100B的振動位移與頻率的關係圖。於此實施例中，第一振動吸收器150是連接於第一壁1023的一內側面1025。
亦即，第一彈簧154是連接於第一塊體152以及內側面1025之間。要注意的是，第一振動吸收器150是鄰近振膜1041設置。舉例來說，第一振動吸收器150與振膜1041之間在X軸上的距離可小於0.1mm且大於0，但不限於此。
相似地，如第9圖所示，第一壁1023上可形成有一保護壁105，由內側面1025朝向第二壁1024延伸。保護壁105在一第二方向D2（Z軸）上具有一高度H2，第一塊體152在第二方向D2上與第一壁1023之間具有一最小距離DS2，並且高度H2大於最小距離DS2。其中，第二方向D2垂直於第一壁1023，並且第二方向D2平行於第一方向D1。
在第10圖中，曲線CV3代表揚聲器模組100B的頻率與振動位移的關係曲線。如第10圖所示，相似於揚聲器模組100，在210Hz～300Hz之間，揚聲器模組100B在Z軸上產生的振動位移也可以有效地被降低。
請參考第11圖與第12圖。第11圖為根據本揭露另一實施例之揚聲器模組100C的立體剖面圖，並且第12圖為根據本揭露另一實施例之揚聲器模組100C的振動位移與頻率的關係圖。於此實施例中，第一振動吸收器150可更具有一第一阻尼元件156，連接於第一塊體152以及磁鐵1044之間。
於此實施例中，第一阻尼元件156的阻尼係數例如為0.1，但不限於此。舉例來說，第一阻尼元件156的阻尼係數也可為0.5。另外，值得說明的是，在一些實施例中，第一阻尼元件156可與第一彈簧154為一體成形。
在第12圖中，曲線CV4代表揚聲器模組100C在阻尼係數為0.1時的振動位移與頻率的關係曲線，並且曲線CV5代表揚聲器模組100C在阻尼係數為0.5時的振動位移與頻率的關係曲線。基於第一阻尼元件156的設置，如第12圖所示，在200Hz～400Hz的頻率範圍，揚聲器模組100C可以進一步降低在Z軸上產生的振動位移。
綜上所述，本揭露提供一種揚聲器模組，包括一殼體102、一揚聲器單體104以及一第一振動吸收器150。揚聲器單體104設置在殼體102上並且具有一振膜1041。當振膜1041的頻率與第一振動吸收器150的第一自然頻率的比值大於0.781且小於1.28時，第一振動吸收器150可以有效地吸收振膜1041對殼體102產生的振動。
在一些實施例中，揚聲器模組可更包括一第二振動吸收器160，並且第一振動吸收器150與第二振動吸收器160是連接於揚聲器單體104的磁鐵1044的底部。當振膜1041的頻率與第二自然頻率的比值大於0.781且小於1.28時，第二振動吸收器160也可以有效地吸收振膜1041對殼體102產生的振動。基於兩個振動吸收器的配置，可以增加吸收振動的頻率範圍。
雖然本揭露的實施例及其優點已揭露如上，但應該瞭解的是，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本揭露之精神和範圍內，當可作更動、替代與潤飾。此外，本揭露之保護範圍並未侷限於說明書內所述特定實施例中的製程、機器、製造、物質組成、裝置、方法及步驟，任何所屬技術領域中具有通常知識者可從本揭露揭示內容中理解現行或未來所發展出的製程、機器、製造、物質組成、裝置、方法及步驟，只要可以在此處所述實施例中實施大抵相同功能或獲得大抵相同結果皆可根據本揭露使用。因此，本揭露之保護範圍包括上述製程、機器、製造、物質組成、裝置、方法及步驟。另外，每一申請專利範圍構成個別的實施例，且本揭露之保護範圍也包括各個申請專利範圍及實施例的組合。
10:電子裝置 11:顯示模組 12:主機模組 13:鍵盤 20:外殼 30:音訊處理電路 31:高通濾波器 100、100A、100B:揚聲器模組 102:殼體 1021:音腔 1022:出音口 1023:第一壁 1024:第二壁 1025:內側面 103:保護壁 1031:內側面 1033:緩衝元件 104:揚聲器單體 1040:框架 1041:振膜 1043:線圈 1044:磁鐵 104M:塊體 104S:彈簧 105:保護壁 150:第一振動吸收器 152:第一塊體 152M:塊體 154:第一彈簧 154S:彈簧 156:第一阻尼元件 160:第二振動吸收器 162:第二塊體 164:第二彈簧 CS:控制電訊號 CV0:曲線 CV1:曲線 CV2:曲線 CV3:曲線 CV4:曲線 CV5:曲線 D1:第一方向 D2:第二方向 DS1:最大距離 DS2:最小距離 H1:高度 H2:高度 RA:區域 RB:區域 X:X軸 Y:Y軸 Z:Z軸
本揭露可藉由之後的詳細說明並配合圖示而得到清楚的了解。要強調的是，按照業界的標準做法，各種特徵並沒有按比例繪製，並且僅用於說明之目的。事實上，為了能夠清楚的說明，因此各種特徵的尺寸可能會任意地放大或者縮小。 第1圖為根據本揭露一實施例之一電子裝置10之示意圖。 第2圖為根據本揭露一實施例之揚聲器模組100之立體示意圖。 第3圖為根據本揭露一實施例之揚聲器模組100沿著第2圖中線段A-A之剖面示意圖。 第4圖為根據本揭露一實施例之揚聲器模組100之等效模型示意圖。 第5圖為根據本揭露一實施例之位移比例與頻率比例的關係圖。 第6圖為根據本揭露一實施例之揚聲器模組100的振動位移與頻率的關係圖。 第7圖為根據本揭露另一實施例之揚聲器模組100A的立體剖面圖。 第8圖為根據本揭露另一實施例之揚聲器模組100A的振動位移與頻率的關係圖。 第9圖為根據本揭露另一實施例之揚聲器模組100B的立體剖面圖。 第10圖為根據本揭露另一實施例之揚聲器模組100B的振動位移與頻率的關係圖。 第11圖為根據本揭露另一實施例之揚聲器模組100C的立體剖面圖。 第12圖為根據本揭露另一實施例之揚聲器模組100C的振動位移與頻率的關係圖。
102:殼體
1021:音腔
1022:出音口
1023:第一壁
1024:第二壁
103:保護壁
1031:內側面
1033:緩衝元件
104:揚聲器單體
1040:框架
1041:振膜
1043:線圈
1044:磁鐵
150:第一振動吸收器
152:第一塊體
154:第一彈簧
D1:第一方向
DS1:最大距離
H1:高度
X:X軸
Y:Y軸
Z:Z軸

Claims (10)

  1. 一種揚聲器模組，包括： 一殼體，具有一音腔； 一揚聲器單體，設置於該殼體的一第一壁上，其中該揚聲器單體包括一振膜、一線圈以及一磁鐵，並且該線圈配置以帶動該振膜相對於該磁鐵振動；以及 一第一振動吸收器，設置於該音腔中，並且該第一振動吸收器具有一第一自然頻率； 其中，當該振膜的頻率與該第一自然頻率的比值大於0.781且小於1.28時，該第一振動吸收器配置以吸收該振膜對該殼體產生的振動。
  2. 如請求項1之揚聲器模組，其中該第一振動吸收器連接於該磁鐵的底部的中心，該第一振動吸收器具有一第一塊體以及一第一彈簧，並且該第一彈簧連接於該第一塊體以及該磁鐵之間。
  3. 如請求項2之揚聲器模組，其中該第一振動吸收器更包括一第一阻尼元件，連接於該第一塊體以及該磁鐵之間，並且該第一阻尼元件與該第一彈簧為一體成形。
  4. 如請求項2之揚聲器模組，其中該殼體形成有一保護壁，由該殼體的一第二壁朝向該第一壁延伸，並且該保護壁配置以包圍並保護該第一振動吸收器。
  5. 如請求項4之揚聲器模組，其中該保護壁具有一筒狀結構，並且該保護壁的一內側面上設置有一緩衝元件，環繞該第一振動吸收器。
  6. 如請求項4之揚聲器模組，其中該保護壁在一第一方向上具有一高度，該第一塊體在該第一方向上與該第二壁之間具有一最大距離，並且該高度大於該最大距離，其中該第一方向垂直於該第二壁。
  7. 如請求項2之揚聲器模組，其中該第一塊體由鐵或銅製成，該第一塊體的一第一質量小於2克，並且符合下列關係式： 其中f為該振膜振動時的頻率，k a為該第一彈簧的一第一彈力係數，m a為該第一質量。
  8. 如請求項1之揚聲器模組，其中該第一振動吸收器連接於該第一壁的一內側面，該第一振動吸收器具有一第一塊體以及一第一彈簧，並且該第一彈簧連接於該第一塊體以及該內側面之間，其中該第一振動吸收器鄰近該振膜。
  9. 如請求項1之揚聲器模組，其中該揚聲器模組更包括一第二振動吸收器，該第一振動吸收器與該第二振動吸收器連接於該磁鐵的底部，該第二振動吸收器具有一第二自然頻率，並且當該振膜的頻率與該第二自然頻率的比值大於0.781且小於1.28時，該第二振動吸收器配置以吸收該振膜對該殼體產生的振動，其中該第一自然頻率不同於該第二自然頻率。
  10. 如請求項1之揚聲器模組，其中該線圈係接收一控制電訊號以帶動該振膜產生振動，該控制電訊號係經由一高通濾波器處理後再傳送至該線圈，並且該高通濾波器的截止頻率(Cutoff frequency) 小於或等於210Hz。
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