TWI834300B - 電子裝置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 63
- 239000012788 optical film Substances 0.000 claims description 12
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 51
- 239000000463 material Substances 0.000 description 49
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 9
- 239000010408 film Substances 0.000 description 9
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 8
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 7
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 7
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 7
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 7
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 7
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 5
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 3
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 3
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- OFIYHXOOOISSDN-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegallium Chemical compound [Te]=[Ga] OFIYHXOOOISSDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 2
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001029 thermal curing Methods 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000013013 elastic material Substances 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- KYKLWYKWCAYAJY-UHFFFAOYSA-N oxotin;zinc Chemical compound [Zn].[Sn]=O KYKLWYKWCAYAJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
- H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K59/878—Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
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- Led Device Packages (AREA)
Abstract
本揭露提供一種電子裝置，包含驅動基板、複數個發光單元以及反射結構，複數個發光單元與驅動基板電性連接，反射結構鄰近設置於複數個發光單元，反射結構包含第一反射元件，且第一反射元件具有第一表面，第一表面鄰近於複數個發光單元的至少一者，第一表面的底部的邊緣與驅動基板的邊緣之間具有第一距離，且第一距離的範圍大於0毫米且小於10毫米。
Description
本揭露係有關於電子裝置，且特別係有關於具有反射結構的電子裝置。
包含顯示面板在內的電子裝置，例如平板電腦、筆記型電腦、智慧型手機、顯示器及電視，已成為現代社會不可或缺的必需品。隨著這種便攜式電子產品的蓬勃發展，消費者對這些產品的質量、功能或價格抱有很高的期望。
於一些電子裝置中，背光模組的驅動基板與載具之間存在縫隙，然而，此種縫隙可能會降低背光模組的邊緣亮度，進而影響電子裝置的顯示品質，例如，降低亮度均勻性。
承前述，現存的電子裝置仍未在各個方面均符合期待，發展出可進一步提升電子裝置的效能的結構設計仍為目前業界致力研究的課題之一。
根據本揭露一些實施例，提供一種電子裝置，包含驅動基板、複數個發光單元以及反射結構，複數個發光單元與驅動基板電性連接，反射結構鄰近設置於複數個發光單元，反射結構包含第一反射元件，且第一反射元件具有第一表面，第一表面鄰近於複數個發光單元的至少一者，第一表面的底部的邊緣與驅動基板的邊緣之間具有第一距離，且第一距離的範圍大於0毫米且小於10毫米。
為了讓本揭露之特徵或優點能更明顯易懂，下文特舉出一些實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下。
以下針對本揭露實施例的電子裝置作詳細說明。應了解的是，以下之敘述提供許多不同的實施例，用以實施本揭露一些實施例之不同態樣。以下所述特定的元件及排列方式僅為簡單清楚描述本揭露一些實施例。當然，這些僅用以舉例而非本揭露之限定。此外，在不同實施例中可能使用類似及/或對應的標號標示類似及/或對應的元件，以清楚描述本揭露。然而，這些類似及/或對應的標號的使用僅為了簡單清楚地敘述本揭露一些實施例，不代表所討論之不同實施例及/或結構之間具有任何關連性。
應理解的是，實施例中可能使用相對性用語，例如「較低」或「底部」或「較高」或「頂部」，以描述圖式的一個元件對於另一元件的相對關係。可理解的是，如果將圖式的裝置翻轉使其上下顛倒，則所敘述在「較低」側的元件將會成為在「較高」側的元件。本揭露實施例可配合圖式一併理解，本揭露之圖式亦被視為揭露說明之一部分。應理解的是，本揭露之圖式並未按照比例繪製，事實上，可能任意的放大或縮小元件的尺寸以便清楚表現出本揭露的特徵。
再者，當述及一第一材料層位於一第二材料層上或之上時，可能包含第一材料層與第二材料層直接接觸之情形或第一材料層與第二材料層之間可能不直接接觸，亦即第一材料層與第二材料層之間可能間隔有一或更多其它材料層之情形。但若第一材料層直接位於第二材料層上時，即表示第一材料層與第二材料層直接接觸之情形。
此外，應理解的是，說明書與申請專利範圍中所使用的序數例如「第一」、「第二」等之用詞用以修飾元件，其本身並不意涵及代表該(或該些)元件有任何之前的序數，也不代表某一元件與另一元件的順序、或是製造方法上的順序，該些序數的使用僅用來使具有某命名的元件得以和另一具有相同命名的元件能作出清楚區分。申請專利範圍與說明書中可不使用相同用詞，例如，說明書中的第一元件在申請專利範圍中可能為第二元件。
在本揭露一些實施例中，關於接合、連接之用語例如「連接」、「互連」等，除非特別定義，否則可指兩個結構係直接接觸，或者亦可指兩個結構並非直接接觸，其中有其它結構設於此兩個結構之間。且此關於接合、連接之用語亦可包含兩個結構都可移動，或者兩個結構都固定之情況。此外，用語「電性連接」或「電性耦接」包含任何直接及間接的電性連接手段。
於文中，「約」、「實質上」之用語通常表示在一給定值的10%內、或5%內、或3%之內、或2%之內、或1%之內、或0.5%之內的範圍。用語「範圍大於等於第一數值且小於等於第二數值」或「範圍介於第一數值及第二數值之間」表示所述範圍包含第一數值、第二數值以及它們之間的其它數值。
應理解的是，以下所舉實施例可以在不脫離本揭露的精神下，可將數個不同實施例中的特徵進行替換、重組、結合以完成其它實施例。各實施例間特徵只要不違背發明精神或相衝突，均可任意結合搭配使用。
除非另外定義，在此使用的全部用語(包含技術及科學用語)具有與本揭露所屬技術領域具有通常知識者通常理解的相同涵義。能理解的是，這些用語例如在通常使用的字典中定義用語，應被解讀成具有與相關技術及本揭露的背景或上下文一致的意思，而不應以一理想化或過度正式的方式解讀，除非在本揭露實施例有特別定義。
根據本揭露的一些實施例，提供的電子裝置包含以特定方式設置的反射結構，可以提升反射結構的反射效率或改善周邊區域亮度較低的問題，藉此可改善電子裝置的亮度均勻性。
根據本揭露的實施例，電子裝置可包含顯示裝置、背光裝置、天線裝置、觸控裝置、感測裝置、車用裝置或拼接裝置，但不以此為限。電子裝置可為可彎折或可撓式電子裝置。顯示裝置可為非自發光型顯示裝置或自發光型顯示裝置。天線裝置可為液晶型態的天線裝置或非液晶型態的天線裝置。感測裝置可為感測電容、光線、熱能或超聲波的感測裝置，但不以此為限。再者，電子裝置可例如包含液晶、量子點(quantum dot，QD)、螢光(fluorescence)、磷光(phosphor)、其他適合之材料或前述之組合。電子裝置可包含電子元件，電子元件可包含被動元件與主動元件，例如電容、電阻、電感、二極體、電晶體等。二極體可包含發光二極體或光電二極體。發光二極體可例如包含有機發光二極體(organic light emitting diode，OLED)、次毫米發光二極體(mini LED)、微發光二極體(micro LED)或量子點發光二極體(quantum dot LED)，但不以此為限。根據一些實施例，電子裝置可包含面板及/或背光模組，面板例如可包含液晶面板或其他自發光面板，但不以此為限。拼接裝置例如可為顯示器拼接裝置或天線拼接裝置，但不以此為限。應理解的是，電子裝置可為前述之任意排列組合，但不以此為限。下文將以顯示裝置為例闡述電子裝置，但本揭露不以此為限。
請參照第1圖以及第2圖，第1圖顯示根據本揭露一些實施例中，電子裝置10的上視結構示意圖，第2圖顯示根據本揭露一些實施例中，電子裝置10的局部剖面結構示意圖。第2圖為第1圖中的截線X-X’所對應的電子裝置10的剖面結構示意圖。應理解的是，為了清楚說明，圖式中省略電子裝置10的部分元件，僅示意地繪示部分元件。例如，第1圖中省略了顯示面板300以及光學膜層302。此外，根據一些實施例，可添加額外特徵於以下所述之電子裝置10。
電子裝置10可包含驅動基板102、複數個發光單元200以及反射結構RS，複數個發光單元200以及反射結構RS可設置於驅動基板102上，反射結構RS鄰近設置於複數個發光單元200，且複數個發光單元200可與驅動基板102電性連接，驅動基板102可用於控制發光單元200。再者，電子裝置10可包含黏著層104以及載具106，黏著層104可設置於驅動基板102與載具106之間，可將驅動基板102固定於載具106上。
根據一些實施例，驅動基板102可包含基板以及設置於基板上的驅動電路。基板可包含剛性基板或可撓式基板。根據一些實施例，基板的材料可包含玻璃、石英、藍寶石(sapphire)、聚醯亞胺(polyimide，PI)、聚碳酸酯(polycarbonate，PC)、聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，PET)、聚丙烯(polypropylene，PP)、聚二甲基矽氧烷(polydimethylsiloxane，PDMS)、其它合適的材料或前述之組合，但不限於此。根據一些實施例，基板可包含軟性印刷電路板(flexible printed circuit，FPC)。再者，驅動電路可包含主動式驅動電路及/或被動式驅動電路。根據一些實施例，驅動電路可包含薄膜電晶體(thin-film transistor，TFT) (例如，開關電晶體、驅動電晶體、重置電晶體、或其它薄膜電晶體)、資料線、掃描線、觸控訊號線、導電墊、介電層、電容或其它線路等，但不限於此。此外，薄膜電晶體可為上閘極(top gate)薄膜電晶體、下閘極(bottom gate)薄膜電晶體、或雙閘極(dual gate或double gate)薄膜電晶體。薄膜電晶體包含至少一個半導體層，半導體層包含但不限於非晶矽(amorphous silicon)、低溫多晶矽(low-temp polysilicon，LTPS)、金屬氧化物、其它合適的材料或前述之組合，但不限於此。金屬氧化物可包含銦鎵鋅氧化物(indium gallium zinc oxide，IGZO)、氧化銦鋅(indium zinc oxide，IZO)、銦鎵鋅錫氧化物(indium gallium zinc tin oxide，IGZTO)、其它合適的材料或前述之組合，但不限於此。
根據一些實施例，發光單元200可包含無機發光二極體(inorganic light emitting diode，LED)，例如微型發光二極體(micro LED、mini LED)、有機發光二極體(organic light emitting diode，OLED)、電致發光元件(electroluminescence)、其它合適的發光元件、或前述之組合，但本揭露不限於此。
如第2圖所示。根據一些實施例，反射結構RS可包含反射元件210’，反射元件210’可為反射層210的一部分，反射層210可設置於驅動基板102上且環繞複數個發光單元200，而反射元件210’可鄰近設置於複數個發光單元200的至少一者。根據一些實施例，反射元件210’可設置於驅動基板102的邊緣102e與發光單元200之間。再者，根據一些實施例，載具106的側壁106s與驅動基板102之間可具有間隙G，反射元件210’可鄰近於間隙G。
此外，反射元件210’具有表面210s，表面210s鄰近於複數個發光單元200的至少一者，表面210s的底部的邊緣210e與驅動基板102的邊緣102e之間具有第一距離D1，第一距離D1的範圍可大於0毫米且小於10毫米(即，0 mm ＜ 第一距離D1 ＜ 10 mm)，且第一距離D1的範圍更可大於0毫米且小於等於9毫米(即，0 mm ＜ 第一距離D1 ≤ 9 mm)，例如，1毫米、2毫米、3毫米、4毫米、5毫米、6毫米、7毫米、8毫米或9毫米。
根據一些實施例，反射元件210’的表面210s指的是，反射元件210’較遠離驅動基板102的邊緣102e的表面，且若反射元件210’在較遠離發光單元200或是較靠近載具106的一側具有多個表面(如第2圖所示)，則表面210s指的是相對較遠離於載具106的一表面。根據一些實施例，驅動基板102的邊緣102e指的是驅動基板102的短邊方向(例如，圖示中的Z方向)上的一邊緣。再者，第一距離D1指的是於與驅動基板102的法線方向垂直的方向(例如，圖式中的X方向)上，表面210s的邊緣210e與驅動基板102的邊緣102e之間的距離。
值得注意的是，當表面210s的底部的邊緣210e與驅動基板102的邊緣102e之間的第一距離D1大於0毫米且小於10毫米時，反射元件210’可以更加靠近發光單元200(或主動區)，提升反射結構RS的反射面積或反射效率，藉此可以改善載具106與驅動基板102之間的間隙G區域亮度較低的問題。
應理解的是，根據本揭露實施例，可以使用掃描式電子顯微鏡(scanning electron microscope，SEM)、光學顯微鏡(optical microscope，OM)、薄膜厚度輪廓測量儀(α-step)、橢圓測厚儀、或其它合適的方式量測元件之間的間距或距離、各元件的寬度、厚度或高度。詳細而言，根據一些實施例，可使用掃描式電子顯微鏡取得包含欲量測的元件的剖面結構影像，並量測元件之間的間距或距離、各元件的寬度、厚度或高度。
此外，根據一些實施例，於驅動基板102的法線方向(例如，圖式中的Z方向)上，反射元件210’的頂表面TA(或是頂端)可高於發光單元200的頂表面200t。藉由此種配置，可提升反射結構RS(反射元件210’)的反射效率，增加顯示影像的亮度。
根據一些實施例，反射層210可具有凹形以及凸形的輪廓或是不規則形的輪廓，但不限於此。根據一些實施例，反射層210可包含高反射率材料，例如，於光學波長550nm下，反射層210可包含反射率大於85%的材料，但不限於此。根據一些實施例，反射層210的材料可包含白色膠材、白色墨水、其它合適的反射材料或前述之組合，但不限於此。根據一些實施例，可藉由塗佈製程將液態或半固態的反射層210的材料塗佈於驅動基板102上，並且可藉由固化製程將反射層210的材料固化以形成反射層210。
黏著層104可為任意合適的黏著劑。例如，根據一些實施例，黏著層104可包含光固化型膠材、熱固化型膠材、光熱固化型膠材、其它合適的材料或前述之組合，但不限於此。例如，黏著層104可包含光學透明膠(optical clear adhesive，OCA)、光學透明樹脂(optical clear resin，OCR)、感壓膠(pressure sensitive adhesive，PSA)、其它合適的黏著材料或前述之組合，但不限於此。
載具106可作為電子裝置10的框架。根據一些實施例，最靠近載具106的側壁106s的發光單元200與載具106的側壁106s之間具有第二距離D2，且第二距離D2的範圍可大於等於3毫米且小於等於10毫米(即，3 mm ≤ 第二距離D2 ≤ 10 mm)，例如，4毫米、5毫米、6毫米、7毫米、8毫米或9毫米。前述側壁106s指的是載具106的內側側壁。再者，第二距離D2指的是於與驅動基板102的法線方向垂直的方向(例如，圖式中的X方向)上，側壁106s與發光單元200的邊緣200e之間的最小距離。
根據一些實施例，載具106的材料可包含金屬、塑膠、陶瓷、其它合適的材料或前述之組合，但不限於此。
再者，如第2圖所示，根據一些實施例，電子裝置10可進一步包含輔助元件220，輔助元件220可使得反射結構RS的反射面更加靠近發光單元200，提升反射效率。輔助元件220可設置於載具106與反射元件210’之間，輔助元件220可設置於間隙G中，輔助元件220可與反射元件210’接觸。根據一些實施例，於驅動基板102的法線方向(例如，圖式中的Z方向)上，輔助元件220可與驅動基板102至少部分地重疊。根據一些實施例，於驅動基板102的法線方向(例如，圖式中的Z方向)上，輔助元件220可與反射元件210’至少部分地重疊。根據一些實施例，輔助元件220的頂表面(未標示)可與反射元件210’的頂表面TA齊平。
根據一些實施例，輔助元件220的材料可包含塑膠、橡膠、矽膠、其它合適的彈性材料或前述之組合，但不限於此。根據一些實施例，可先將輔助元件220設置於載具106上，接著再形成反射層210(反射元件210’)於驅動基板102上，但本揭露不以此為限。
請參照第2圖，根據一些實施例，電子裝置10可進一步包含光學膜層302，光學膜層302可設置於發光單元200以及反射層210上方，光學膜層302可與載具106相鄰設置。根據一些實施例，發光單元200的頂表面200t與光學膜層302之間具有第三距離D3，且第三距離D3的範圍可大於等於0毫米且小於等於6毫米(即，0 mm ≤第三距離D3 ≤ 6 mm)，例如，1毫米、2毫米、3毫米、4毫米或5毫米。第三距離D3指的是於驅動基板102的法線方向(例如，圖式中的Z方向)上，光學膜層302與發光單元200的頂表面200t之間的最小距離。
根據一些實施例，光學膜層302可包含反射膜、擴散膜、增亮膜(light intensity enhancement film)、逆稜鏡(inverted prism)膜、反射式偏光增亮膜(dual light intensity enhancement film)、其它合適的光學膜或前述之組合，但不限於此。
此外，根據一些實施例，電子裝置10可進一步包含顯示面板300，顯示面板300可設置於光學膜層302上方，顯示面板300可與載具106相鄰設置。根據一些實施例，前述形成於驅動基板102上的元件可作為顯示面板300的背光模組，顯示面板300可設置於背光模組上。根據一些實施例，顯示面板300可包含液晶顯示面板。舉例而言，顯示面板300可包含相對設置的兩基板以及設置於兩基板之間的顯示介質層。此外，顯示面板300可進一步包含偏振片、配向層、遮光層、彩色濾光層、間隔組件、驅動元件、其它合適的元件或前述之組合，但不限於此。
接著，請參照第3圖，第3圖顯示根據本揭露另一些實施例中，電子裝置10的局部剖面結構示意圖。應理解的是，後文中與前文相同或相似的組件(或元件)將以相同或相似之標號表示，其材料、製造方法與功能皆與前文所述相同或相似，故此部份於後文中將不再贅述。
如第3圖所示，於此實施例中，反射結構RS可包含反射元件212，反射元件212可為獨立於反射層210的結構。反射元件212可鄰近設置於複數個發光單元200的至少一者，反射元件212可設置於反射層210上且與輔助元件220相鄰。詳細而言，反射元件212可設置於驅動基板102的邊緣102e與發光單元200之間，且反射元件212可順應地(conformally)設置於輔助元件220的側表面上與輔助元件220接觸。舉例而言，輔助元件220可具有傾斜的側表面。再者，反射元件212的頂表面TA可與輔助元件220的頂表面(未標示)齊平，且反射元件212的頂表面TA以及輔助元件220的頂表面可與光學膜層302接觸。於驅動基板102的法線方向(例如，圖式中的Z方向)上，反射元件212的頂表面TA(或是頂端)亦高於發光單元200的頂表面200t。
相似地，於此實施例中，反射元件212具有表面212s，表面212s鄰近於複數個發光單元200的至少一者，表面212s的底部的邊緣212e與驅動基板102的邊緣102e之間具有第一距離D1，且第一距離D1的範圍可大於0毫米且小於10毫米(即，0 mm ＜ 第一距離D1 ＜ 10 mm)，例如，1毫米、2毫米、3毫米、4毫米、5毫米、6毫米、7毫米、8毫米或9毫米。
並且，於此實施例中，反射結構RS(反射元件212)的表面212s與反射元件210的頂表面210t之間具有角度θ1，且角度θ1的範圍可大於等於25度且小於等於90度(即，25度 ≤角度θ1 ≤ 90度)，例如，30度、40度、50度、60度、70度或80度。值得注意的是，當表面212s與與反射元件210的頂表面210t之間的角度θ1介於25度及90度之間時，反射元件212的反射面可以更加靠近發光單元200，進一步提升反射結構RS的反射效率。
於此實施例中，反射元件212可包含反射片，反射片可為具有高反射率的膜片，例如，反射片的反射率可大於85%，但不限於此。反射片可包含基底層以及形成於基底層上的高反射率塗層。根據一些實施例，反射片的基底層的材料可包含聚碳酸酯(polycarbonate，PC)、聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，PET)、聚丙烯(polypropylene，PP)、其它合適的材料或前述之組合，但不限於此。根據一些實施例，反射片的高反射率塗層的材料可包含白色塗層、金屬鍍層、其它合適的材料或前述之組合，但不限於此。根據一些實施例，可藉由黏著材料將反射片固定於輔助元件220上。
接著，請參照第4圖，第4圖顯示根據本揭露另一些實施例中，電子裝置10的局部剖面結構示意圖。如第4圖所示，於此實施例中，反射結構RS包含反射元件210’，反射元件210’為反射層210的一部分，除此之外，反射結構RS進一步包含反射元件214，反射元件214可設置於間隙G中，反射元件214的一部分可設置於載具106的側壁106s上，而另一部分可設置於載具106的底表面上。於此實施例中，電子裝置10可不具有輔助元件220，且反射元件210’可具有弧形或彎曲的輪廓，例如，可具有圓弧狀的頂部輪廓。
再者，於此實施例中，於驅動基板102的法線方向(例如，圖式中的Z方向)上，反射元件214的頂表面TB高於反射元件210’的頂表面TA。藉由反射元件214的設置，可以補強反射元件210’的反射效果，減少漏光的發生，藉此提升反射結構RS的反射效率，或改善載具106與驅動基板102之間的間隙G區域亮度較低的問題。
於此實施例中，反射元件214可包含反射片，反射片可為具有高反射率的膜片，例如，於光學波長550nm下，反射片的反射率可大於85%，但不限於此。反射元件214的材料可與反射元件212的材料相同或相似，於此便不再重複。
接著，請參照第5圖，第5圖顯示根據本揭露另一些實施例中，電子裝置10的局部剖面結構示意圖。如第5圖所示，於此實施例中，反射結構RS包含反射元件210’以及反射元件214，反射結構RS可包含高反射墊圈作為反射元件210’，高反射墊圈可藉由黏著層104’固定於反射層210上，而反射元件214可設置於間隙G中，反射元件214的一部分可設置於載具106的側壁106s上。
高反射墊圈可為獨立於反射層210的結構，於製程上可以簡易地調整其高度及輪廓等。高反射墊圈可具有弧形或彎曲的輪廓，例如，可具有圓弧狀的頂部輪廓。相似地，於驅動基板102的法線方向(例如，圖式中的Z方向)上，反射元件214的頂表面TB可高於高反射墊圈(反射元件210’)的頂表面TA。高反射墊圈的材料可與反射層210的材料相同或相似，於此便不再重複。
接著，請參照第6圖，第6圖顯示根據本揭露另一些實施例中，電子裝置10的局部剖面結構示意圖。如第6圖所示，於此實施例中，電子裝置10可進一步包含邊框108以及蓋板110，邊框108以及蓋板110可設置於顯示面板300上，邊框108可鄰近於載具106。於驅動基板102的法線方向(例如，圖式中的Z方向)上，邊框108可與間隙G以及反射結構RS至少部分地重疊。
於此實施例中，邊框108的內側邊緣與載具106的側壁106s之間具有第四距離D4，且第四距離D4的範圍可大於等於2毫米且小於等於40毫米(即，2 mm ≤ 第四距離D4 ≤ 40 mm)，或可大於等於5毫米且小於等於35毫米，例如，10毫米、15毫米、20毫米、25毫米或30毫米。第四距離D4指的是於與驅動基板102的法線方向垂直的方向(例如，圖式中的X方向)上，邊框108的內側邊緣與載具106的側壁106s之間的最小距離。
根據一些實施例，邊框108可包含遮光材料，例如可包含黑色光阻、黑色印刷油墨、黑色樹脂、金屬、碳黑材料、樹脂材料、感光材料、其它合適的材料、或前述之組合，但不限於此。
再者，蓋板110可包含可撓式基板、剛性基板或前述之組合，但不限於此。根據一些實施例，蓋板110的材料可包含玻璃、石英、藍寶石(sapphire)、陶瓷、聚醯亞胺(polyimide，PI)、聚碳酸酯(polycarbonate，PC)、聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，PET)、聚丙烯(polypropylene，PP)、其它合適的材料或前述之組合，但不限於此。
綜上所述，根據本揭露的實施例，電子裝置包含以特定方式設置的反射結構，可以提升反射結構的反射效率或改善周邊區域亮度較低的問題，藉此可改善電子裝置的亮度均勻性。
雖然本揭露的實施例及其優點已揭露如上，但應該瞭解的是，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本揭露之精神和範圍內，當可作組合、更動、替代與潤飾。本揭露實施例之間的特徵只要不違背發明精神或相衝突，均可任意混合搭配使用。此外，本揭露之保護範圍並未侷限於說明書內所述特定實施例中的製程、機器、製造、物質組成、裝置、方法及步驟，任何所屬技術領域中具有通常知識者可從本揭露揭示內容中理解現行或未來所發展出的製程、機器、製造、物質組成、裝置、方法及步驟，只要可以在此處所述實施例中實施大抵相同功能或獲得大抵相同結果皆可根據本揭露使用。因此，本揭露之保護範圍包含上述製程、機器、製造、物質組成、裝置、方法及步驟。本揭露之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。本揭露的任一實施例或請求項不須達成本揭露所公開的全部目的、優點、特點。
10:電子裝置
102:驅動基板
102e:邊緣
102t:頂表面
104:黏著層
104’:黏著層
106:載具
106s:側壁
108:邊框
110:蓋板
200:發光單元
200e:邊緣
200t:頂表面
210:反射層
210’:反射元件
210e:邊緣
210s:表面
210t:頂表面
212:反射元件
212e:邊緣
212s:表面
214:反射元件
220:輔助元件
300:顯示面板
302:光學膜層
D1:第一距離
D2:第二距離
D3:第三距離
D4:第四距離
G:間隙
TA:頂表面
TB:頂表面
RS:反射結構
X-X’:截線
θ1:角度
第1圖顯示根據本揭露一些實施例中，電子裝置的上視結構示意圖；
第2圖顯示根據本揭露一些實施例中，電子裝置的局部剖面結構示意圖；
第3圖顯示根據本揭露一些實施例中，電子裝置的局部剖面結構示意圖；
第4圖顯示根據本揭露一些實施例中，電子裝置的局部剖面結構示意圖；
第5圖顯示根據本揭露一些實施例中，電子裝置的局部剖面結構示意圖；
第6圖顯示根據本揭露一些實施例中，電子裝置的局部剖面結構示意圖。
10:電子裝置
102:驅動基板
102e:邊緣
102t:頂表面
104:黏著層
106:載具
106s:側壁
200:發光單元
200e:邊緣
200t:頂表面
210:反射層
210’:反射元件
210e:邊緣
210s:表面
220:輔助元件
300:顯示面板
302:光學膜層
D1:第一距離
D2:第二距離
D3:第三距離
G:間隙
TA:頂表面
RS:反射結構
Claims (9)
- 一種電子裝置，包括：一驅動基板；複數個發光單元，該複數個發光單元與該驅動基板電性連接；一反射結構，鄰近設置於該複數個發光單元，該反射結構包括一第一反射元件，且該第一反射元件具有一第一表面鄰近於該複數個發光單元的至少一者；以及一載具，其中該載具的一側壁與該驅動基板之間具有一間隙，其中，該第一表面的底部的邊緣與該驅動基板的邊緣之間具有一第一距離，且該第一距離的範圍大於0毫米且小於10毫米，該複數個發光單元中最靠近該載具的該側壁的一者與該載具的該側壁之間具有一第二距離，且該第二距離的範圍大於等於3毫米且小於等於10毫米。
- 如請求項1所述之電子裝置，其中該第一表面與該反射結構的一頂表面之間具有一角度，且該角度的範圍大於等於25度且小於等於90度。
- 如請求項1所述之電子裝置，其中該第一反射元件設置於該驅動基板的邊緣與該複數個發光單元之間。
- 如請求項3所述之電子裝置，其中該第一反射元件包括一高反射墊圈。
- 如請求項1所述之電子裝置，其中該反射結構更包括一第二反射元件，該第二反射元件設置於該間隙中，且該第二反射元件的頂表面高於該第一反射元件的頂表面。
- 如請求項5所述之電子裝置，其中該第二反射元件包括一反射片。
- 如請求項1所述之電子裝置，其中於該驅動基板的法線方向上，該第一反射元件的頂表面高於該複數個發光單元的該至少一者的頂表面。
- 如請求項1所述之電子裝置，更包括一光學膜層，其中該複數個發光單元的該至少一者的頂表面與該光學膜層之間具有一第三距離，且該第三距離的範圍大於等於0毫米且小於等於6毫米。
- 如請求項1所述之電子裝置，更包括一輔助元件，其中於該驅動基板的法線方向上，該輔助元件與該驅動基板至少部分地重疊。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210842763.5 | 2022-07-18 | ||
| CN202210842763.5A CN117476849A (zh) | 2022-07-18 | 2022-07-18 | 电子装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW202405532A TW202405532A (zh) | 2024-02-01 |
| TWI834300B true TWI834300B (zh) | 2024-03-01 |
Family
ID=89509216
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW111135694A TWI834300B (zh) | 2022-07-18 | 2022-09-21 | 電子裝置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20240021763A1 (zh) |
| CN (1) | CN117476849A (zh) |
| TW (1) | TWI834300B (zh) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103439833A (zh) * | 2013-08-21 | 2013-12-11 | 深圳Tcl新技术有限公司 | 背光模组及包括该背光模组的显示装置 |
| JP2018106970A (ja) * | 2016-12-27 | 2018-07-05 | 大日本印刷株式会社 | Ｌｅｄバックライト装置およびｌｅｄ画像表示装置 |
| TWM613857U (zh) * | 2020-11-04 | 2021-07-01 | 中強光電股份有限公司 | 光源模組及顯示裝置 |
| CN113161332A (zh) * | 2021-05-19 | 2021-07-23 | 京东方晶芯科技有限公司 | 发光基板及其制备方法、显示装置 |
-
2022
- 2022-07-18 CN CN202210842763.5A patent/CN117476849A/zh active Pending
- 2022-09-21 TW TW111135694A patent/TWI834300B/zh active
-
2023
- 2023-06-12 US US18/333,086 patent/US20240021763A1/en active Pending
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW202405532A (zh) | 2024-02-01 |
| CN117476849A (zh) | 2024-01-30 |
| US20240021763A1 (en) | 2024-01-18 |
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