TWI831899B - 成像系統及其操作方法 - Google Patents

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Abstract

本發明公開一種成像系統，其包括影像感測器，該影像感測器包括（a）頂部表面，（b）所述頂部表面上的M個主動區域，M是大於0的整數，以及（c）所述頂部表面上在所述M個主動區域之間的盲區，其使得所述M個主動區域中沒有任何一個主動區域與另一個主動區域是直接的物理接觸；包括有N個輻射源的輻射源系統，N是大於1的整數，其中，為響應於放置在所述影像感測器和所述輻射源系統之間的物體，所述成像系統被配置為依次開啟然後關閉所述N個輻射源從而在所述M個主動區域中產生M×N個影像，並且其中所述物體的每個點被捕獲在所述M×N個影像中的至少一個影像中。

Description

成像系統及其操作方法
本發明的公開關於一種成像技術，特別關於一種成像系統及其操作方法。
輻射檢測器是一種測量輻射的特性的裝置。所述特性的示例可包括輻射的強度、相位和偏振的空間分佈。輻射可以是與物體相互作用的輻射。例如，由輻射檢測器測量的輻射可以是已經從物體穿透或從物體反射的輻射。輻射可以是電磁輻射，比如紅外光、可見光、紫外光、X射線或γ射線。輻射可以是其他類型，比如α射線和β射線。一個成像系統可包括多個輻射檢測器。輻射檢測器很昂貴；因此，現有技術的典型成像系統也很昂貴。
一種成像系統，其包括：影像感測器，該影像感測器包括（a）頂部表面，（b）所述頂部表面上的M個主動區域，M是大於0的整數，以及（c）所述頂部表面上在所述M個主動區域之間的盲區，其使得所述M個主動區域中沒有任何一個主動區域與另一個主動區域是直接的物理接觸；和包括有N個輻射源的輻射源系統，N是大於1的整數，其中，為響應於放置在所述影像感測器和所述輻射源系統之間的物體，所述成像系統被配置為依次開啟然後關閉所述N個輻射源從而在所述M個主動區域中產生M×N個影像，並且其中所述物體的每個點被捕獲在所述M×N個影像中的至少一個影像中。
根據實施例，其中M是1，N是2。
根據實施例，所述M個主動區域被佈置為主動區域的矩形陣列，並且所述N個輻射源被佈置為輻射源的矩形陣列。
根據實施例，所述M個主動區域被佈置為主動區域的2×2矩形陣列，並且所述N個輻射源被佈置為輻射源的3×3矩形陣列。
根據實施例，所述N個輻射源中的每個輻射源均為X射線源。
根據實施例，所述N個輻射源在與所述頂部表面平行的平面上。
本發明公開一種操作成像系統的方法，所述成像系統包括（A）影像感測器，該影像感測器包括（a）頂部表面，（b）所述頂部表面上的M個主動區域，M是大於0的整數，以及（c）所述頂部表面上在所述M個主動區域之間的盲區，其使得所述M個主動區域中沒有任何一個主動區域與另一個主動區域是直接的物理接觸；和（B）輻射源系統，其包括N個輻射源，N是大於1的整數，所述方法包括將物體放置在所述影像感測器和所述輻射源系統之間；和對於i = 1，…，N，依次開啟然後關閉所述N個輻射源中的第i個輻射源，從而在所述M個主動區域中產生M×N個影像，其中所述物體的每個點被捕獲在所述M×N個影像中的至少一個影像中。
根據實施例，所述方法進一步包括拼接所述M×N個影像以形成所述物體的完整影像。
根據實施例，所述方法進一步包括，對於i = 1，...，N，在所述的開啟然後關閉所述N個輻射源中的第i個輻射源被執行，從而在所述M個主動區域中產生M個影像之後：從所述M個主動區域中讀出所述M個影像，以供以後處理；然後重置所述M個主動區域。
根據實施例，所述M個主動區域被佈置為主動區域的矩形陣列，並且所述N個輻射源被佈置為輻射源的矩形陣列。
根據實施例，所述N個輻射源中的每個輻射源均為X射線源。
根據實施例，所述N個輻射源在與所述頂部表面平行的平面上。
本發明公開一種操作成像系統的方法，所述成像系統包括影像感測器，該影像感測器包括（a）頂部表面，（b）所述頂部表面上的M個主動區域，M是大於0的整數，以及（c）所述頂部表面上在所述M個主動區域之間的盲區，其使得所述M個主動區域中沒有任何一個主動區域與另一個主動區域是直接的物理接觸，所述方法包括指定N個輻射位置，N是大於1的整數；將物體放置在所述影像感測器和所述N個輻射位置之間；以及，對於i = 1，…，N，僅從所述N個輻射位置中的第i個輻射位置依次發送輻射，從而在所述M個主動區域中產生M×N個影像，其中所述物體的每個點被捕獲在所述M×N個影像中的至少一個影像中。
根據實施例，所述方法進一步包括拼接所述M×N個影像以形成所述物體的完整影像。
根據實施例，所述方法進一步包括，對於i = 1，...，N，在所述的僅從所述N個輻射位置中的第i個輻射位置發送輻射被執行，從而在所述M個主動區域中產生M個影像之後：從所述M個主動區域中讀出所述M個影像，以供以後處理；然後重置所述M個主動區域。
根據實施例，上述對於i = 1，…，N，僅從所述N個輻射位置中的第i個輻射位置依次發送輻射，包括使用單個輻射源從所述N個輻射位置依次發送輻射。
根據實施例，所述M個主動區域被佈置為主動區域的矩形陣列，並且所述N個輻射位置被佈置為輻射位置的矩形陣列。
根據實施例，對於i = 1，…，N，從所述N個輻射源的所述第i個輻射位置發送的所述輻射包括X射線源。
根據實施例，所述N個輻射位置在與所述頂部表面平行的平面上。
圖1示意示出作為示例的輻射檢測器100。所述輻射檢測器100可具有所述像素150的陣列。所述像素陣列可以是矩形陣列（如圖1所示）、蜂窩陣列、六邊形陣列、或任何其他合適的陣列。在圖1的示例中，所述像素150的陣列具有7列和4行；然而，通常所述像素150的陣列可具有任意數目的行和任意數目的列。
每個所述像素150可被配置為檢測入射在其上的來自輻射源（圖中未顯示）的輻射，並且可被配置為測量所述輻射的特性（例如，輻射粒子的能量、波長、和頻率）。輻射可包括諸如光子（電磁波）和亞原子粒子。每個像素150可被配置為對一段時間內入射其上的，其能量落在多個能量倉中的輻射粒子的數目進行計數。所有所述像素150可被配置為對所述相同時間段內入射其上的，在多個能量倉中的輻射粒子的數目進行計數。當所述入射輻射粒子具有相似的能量時，所述像素150可被簡單地配置為在一段時間內計數入射在其上的輻射粒子的數量，而不測量所述單個輻射粒子的能量。
每個像素150可具有其自己的模擬數位轉換器（ADC），所述ADC被配置為將表示入射輻射粒子能量的模擬信號數位化為數位信號，或將表示多個入射輻射粒子總能量的模擬信號數位化為數位信號。所述像素150可被配置為並行操作。例如，當一個像素150測量一個入射的輻射粒子時，另一個像素150可能正在等待另一個輻射粒子到達。所述像素150可以不必是單獨可尋址的。
這裡所述的輻射檢測器100可具有諸如X射線望遠鏡、乳腺X射線照相、工業X射線缺陷檢測、X射線顯微鏡或X射線顯微照相、X射線鑄件檢驗、X射線無損檢測、X射線焊縫檢驗、X射線數位減影血管造影等應用。所述輻射檢測器100用於代替照相板、照相膠片、PSP板、X射線影像增強器、閃爍器、或其他半導體X射線檢測器可以是適合的。
圖2A示意示出根據實施例的圖1中沿2A-2A線的輻射檢測器100的簡化橫截面圖。更具體地講，所述檢測器100可包括輻射吸收層110和電子層120（例如，ASIC），其用於處理或分析在所述輻射吸收層110中產生的入射輻射的電信號。所述檢測器100可包括也可不包括閃爍體（圖中未顯示）。所述輻射吸收層110可包括半導體材料，諸如矽、鍺、GaAs、CdTe、CdZnTe或其組合。所述半導體材料對於感興趣的輻射可具有高的質量衰減係數。
圖2B示意示出作為示例的圖1中沿2A-2A線的輻射檢測器100的詳細橫截面圖。更具體地講，所述輻射吸收層110可包括由第一摻雜區111、第二摻雜區113的一個或多個離散區114組成的一個或多個二極體（例如，p-i-n或p-n）。所述第二摻雜區113可通過可選的本徵區112而與所述第一摻雜區111分離。所述離散區114通過所述第一摻雜區111或所述本徵區112而彼此分離。所述第一摻雜區111和所述第二摻雜區113具有相反類型的摻雜（例如，第一摻雜區111是p型並且第二摻雜區113是n型，或者第一摻雜區111是n型並且第二摻雜區113是p型）。在圖2B中的示例中，所述第二摻雜區113的每個離散區114與所述第一摻雜區111和所述可選的本徵區112一起組成一個二極體。即，在圖2B的示例中，所述輻射吸收層110包括多個二極體（更具體地講，7個二極體對應於圖1的所述陣列中的一行的7個像素150，為了簡化，在圖2B中僅標記了兩個像素150）。所述多個二極體具有電觸點119A作為共享（共用）電極。所述第一摻雜區111還可具有離散部分。
所述電子層120可包括電子系統121，其適用於處理或解釋由入射在所述輻射吸收層110上的輻射所產生的信號。所述電子系統121可包括模擬電路比如濾波器網絡、放大器、積分器、比較器，或數位電路比如微處理器和內存。所述電子系統121可包括一個或多個ADCs。所述電子系統121可包括由所述像素150共用的元件或專用於單個像素150的元件。例如，所述電子系統121可包括專用於每個像素150的放大器和在所有像素150間共用的微處理器。所述電子系統121可通過通孔131電連接到所述像素150。所述通孔131之間的空間可用填充材料130填充，其可增加所述電子層120到所述輻射吸收層110連接的機械穩定性。其他鍵合技術有可能在不使用所述通孔131的情況下將所述電子系統121連接到所述像素150。
當來自所述輻射源（圖中未顯示）的輻射撞擊包括二極體的所述輻射吸收層110時，所述輻射粒子可被吸收並通過若干機制產生一個或多個載流子（例如，電子和空穴）。所述載流子可在電場下向其中一個所述二極體的電極漂移。所述電場可以是外部電場。所述電觸點119B可包括離散部分，其中的每個離散部分與所述離散區114電接觸。術語“電接觸”可與詞語“電極”互換使用。在實施例中，所述載流子可向不同方向漂移，使得由單個輻射粒子產生的所述載流子大致未被兩個不同的離散區114共用（“大致未被共用”在這裡意指這些載流子中的不到2%、不到0.5%、不到0.1%、或不到0.01%流向與餘下載流子不同的一個所述離散區114）。由入射在所述離散區114之一的足跡周圍的輻射粒子所產生的載流子大致未被另一所述離散區114共用。與一個離散區114相關聯的一個像素150可以是所述離散區114周圍的區，由入射在其中的一個輻射粒子所產生的載流子大致全部（超過98％、超過99.5％、超過99.9％或超過99.99％）流向其中。即，所述載流子中的不到2％、不到1％、不到0.1％、或不到0.01％流到所述像素150之外。
圖2C示意示出根據實施例的圖1沿2A-2A線的所述輻射檢測器100的替代詳細橫截面圖。更具體地講，所述輻射吸收層110可包括半導體材料，比如矽、鍺、GaAs、CdTe、CdZnTe、或其組合，的電阻器，但不包括二極體。所述半導體材料對於感興趣的輻射可具有高的質量衰減係數。在實施例中，圖2C中的所述電子層120在結構和功能方面類似於圖2B中的所述電子層120。
當所述輻射撞擊包括所述電阻器但不包括二極體的所述輻射吸收層110時，該輻射可被吸收並通過若干機制產生一個或多個載流子。一個輻射粒子可產生10到100000個載流子。所述載流子可在電場下向電觸點119A和電觸點119B漂移。所述電場可以是外部電場。所述電觸點119B包括離散部分。在實施例中，所述載流子可向不同方向漂移，使得由單個輻射粒子產生的所述載流子大致未被所述電觸點119B兩個不同的離散部分共用（“大致未被共用”在這裡意指這些載流子中不到2%、不到0.5%、不到0.1%或不到0.01%流向與餘下載流子不同組的離散部分）。由入射在所述電觸點119B離散部分之一的足跡周圍的輻射粒子所產生的載流子大致未被另一所述電觸點119B離散部分共用。與所述電觸點119B離散部分之一相關聯的一個像素150可以是所述離散部分周圍的區，由入射在其中的輻射粒子所產生的載流子大致全部（超過98％、超過99.5％、超過99.9％或超過99.99％）流向其中。即，所述載流子中的不到2％、不到0.5％、不到0.1％、或不到0.01％流到與所述電觸點119B離散部分之一相關聯的所述像素之外。
圖3示意示出根據實施例的包括了輻射檢測器100和印刷電路板（PCB）400的封裝200的俯視圖。本發明中所用術語“PCB”不限於特定材料。例如，PCB可包括半導體。所述輻射檢測器100被安裝到所述PCB400。為了清楚起見，未示出所述輻射檢測器100和所述PCB400之間的連線。所述PCB400可以有一個或多個輻射檢測器100。所述PCB400可具有未被所述輻射檢測器100覆蓋的區405（例如，用於容納鍵合線410的區）。每個所述輻射檢測器100可具有主動區域190，該主動區域190是所述像素150（如圖1）所在的位置。所述輻射檢測器100可在其邊緣附近具有周邊區域195。所述周邊區域195沒有像素，並且所述輻射檢測器100未檢測到入射在周邊區域195的輻射粒子。
圖4示意示出根據實施例的影像感測器490的截面圖。所述影像感測器490可包括安裝到系統PCB450的圖3的多個封裝200。圖4僅示出了兩個封裝200作為示例。所述PCB400和所述系統PCB450之間的電連接可通過鍵合線410實現。為了將所述鍵合線410容納在所述PCB400上，所述PCB400具有未被輻射檢測器100覆蓋的區域405。為了在所述系統PCB450上容納所述鍵合線410，所述封裝件200之間具有間隙。所述間隙可以是大約1mm或更大。入射在所述周邊區域195上、所述區域405上或所述間隙上的輻射粒子無法通過所述系統PCB450上的所述封裝200進行檢測。輻射檢測器（例如，輻射檢測器100）的盲區是指入射的輻射粒子無法被所述輻射檢測器檢測到的所述輻射檢測器的輻射接收表面的區域。封裝（例如，封裝200）的盲區是指入射的輻射粒子無法被所述輻射檢測器或所述封裝中的輻射檢測器檢測到的所述封裝的所述輻射接收表面的區域。在圖3和圖4所示的示例中，所述封裝200的所述盲區包括所述周邊區域195和所述區域405。影像感測器（例如，影像感測器490）的盲區（例如，488）具有一組封裝（例如，安裝在相同PCB上的封裝，佈置在相同層中的封裝）包括該組中的所述封裝的所述盲區和所述封裝之間的間隙的組合。
包括所述輻射檢測器100的所述影像感測器490可具有不能檢測入射輻射的所述盲區488。然而，所述影像感測器490可捕獲物體（未示出）的所有點的影像，然後這些被捕獲的影像可被拼接以形成整個所述物體的完整影像。
圖5示意示出根據實施例的包括圖4中的影像感測器490和多個輻射源510的輻射源系統的成像系統500的透視圖。更具體地講，作為示例，所述影像感測器490可包括四個輻射檢測器100，為了簡單起見，它們以四個主動區域190A，190B，190C和190D（或者為簡單起見僅為190A-D）表示，其可以佈置為2×2矩形。在所述四個主動區域190A-D之間是所述盲區488，所述盲區488不能檢測入射輻射。在該示例中，所述成像系統500的所述輻射源系統可包括有九個輻射源510.1-9的3×3矩形陣列，其可以佈置在平行於所述影像感測器490的頂部表面492的平面512中。
根據實施例，所述成像系統500的操作可以簡要描述如下。首先，可以將物體520放置在所述影像感測器490和所述輻射源510.1-9之間。然後，可以執行輻射曝光過程，其中依次（即，一個接一個）開啟然後關閉所述九個輻射源510.1-9，從而在所述四個主動區域190A-D中產生三十六個影像（九個輻射源510.1-9中的每一個開啟然後關閉會在四個主動區域190A-D中產生四個影像，因此總共產生了三十六個影像）。在實施例中，所述主動區域190A-D、所述輻射源510.1-9和所述物體520是如此的佈置，使得所述物體520的每個點被捕獲在所述三十六個所得的影像中的至少一個影像中。換言之，所述物體520的每個點被捕獲在所述三十六個所得的影像中。換言之，所述物體520沒有某個點沒被捕獲在所述三十六個所得的影像中。第三，被所述成像系統500所捕獲的所述三十六個所得的影像可以被拼接以形成整個物體520的完整影像。
更具體地講，所述輻射曝光過程可以從第一次輻射曝光開始，在此期間所述九個輻射源510.1-9中只有所述輻射源510.1開啟並發出輻射（即，所述其他八個輻射源處於關閉狀態）。當所述輻射源510.1開啟時，所述四個主動區域190A-D捕獲入射輻射，從而在這四個主動區域中產生四個影像。
當所述輻射源510.1開啟時，入射在所述四個主動區域190A-D上的輻射可包括三種類型的入射輻射粒子：（a）直接來自所述輻射源510.1的輻射粒子（即，它們的路徑不會與所述物體520相交），（b）來自所述輻射源510.1並在不改變方向的情況下穿透所述物體520的輻射粒子，以及（c）同樣來自所述物體520的輻射粒子，其與類型（b）類似，但不是類型（b）。類型（c）的入射輻射粒子的示例包括散射輻射粒子和反射輻射粒子。
在實施例中，來自所述輻射源510.1的所述輻射是這樣的，使得與類型（a）和類型（b）的入射輻射粒子相比，類型（c）的入射輻射粒子是微不足道的。作為該實施例的示例，所述物體520可以是動物，並且來自所述輻射源510.1的所述輻射可以是X射線。在該示例中，所述物體520是動物，在實施例中，來自所述輻射源510.1的所述輻射可能不是可見光，因為這會使類型（c）（即反射的光子是特定的）的入射輻射粒子顯著，而類型（b）（即，穿過所述物體520的光子）的入射輻射粒子是微不足道的。
在第一次輻射曝光完成之後，所述輻射曝光過程可以繼續進行（i）從所述四個主動區域190A-D讀出所述四個所得的影像以進行後續處理，然後（ii）重置四個主動區域190A-D。
接下來，所述輻射曝光過程可以繼續進行第二次輻射曝光，在此期間，所述九個輻射源510.1-9中僅有所述輻射源510.2處於開啟狀態並發出輻射。當所述輻射源510.2開啟時，所述四個主動區域190A-D捕獲入射輻射，從而在這四個主動區域中產生四個影像。換言之，所述成像系統500在第二次輻射曝光期間的操作類似於在第一次輻射曝光期間的操作。在第二次輻射曝光完成之後，所述輻射曝光過程可以繼續進行（i）從所述主動區域190A-D中讀出所述四個所得的影像以進行後續處理，然後（ii）重置主動區域190A-D。
這之後，所述輻射曝光過程可以繼續進行第三次、第四次、第五次、第六次、第七次、第八次，最後是第九次輻射曝光（即，依次進行）。在這些輻射曝光中的每一次曝光之後，所述四個相應的所得的影像被讀出以用於以後的處理，然後在執行下一次輻射曝光之前，將所述四個主動區域190A-D複位。在第三次、第四次、第五次、第六次、第七次、第八次和第九次輻射曝光期間，所述成像系統500的操作類似於在第一次輻射曝光期間的操作。
簡言之，在輻射輻射曝光過程中，總共進行了九次輻射曝光，並且所述四個主動區域190A-D捕獲了總共三十六個影像。所述成像系統500捕獲的這三十六個影像可以被拼接以形成整個所述物體520的完整影像。
圖6A示出了圖5中的所述成像系統500沿平面5A的橫截面圖，所述平面5A與所述物體520、所述輻射源510.1、所述輻射源510.2、所述輻射源510.3、所述主動區域190A和所述主動區域190B相交。在僅有所述輻射源510.1處於開啟狀態的第一次輻射曝光期間，所述物體520的1A + 1A2A部分的所有點都被捕獲在所述主動區域190A中的一個影像中，而所述物體520的3A1B + 1B + 1B2B部分的所有點都被捕獲在所述主動區域190B中的一個影像中。
隨後，在僅有所述輻射源510.2開啟的第二次輻射曝光期間，所述物體520的1A2A + 2A + 2A3A部分的所有點都被捕獲在所述主動區域190A中的一個影像中，而所述物體的1B2B + 2B + 2B3B部分的所有點都被捕獲在所述主動區域190B中的一個影像中。隨後，在僅有輻射源510.3開啟的第三次輻射曝光期間，所述物體520的2A3A + 3A + 3A1B部分的所有點都被捕獲在所述主動區域190A的一個影像中，而所述物體的2B3B + 3B部分的所有點都被捕獲在所述主動區域190B中的一個影像中。
簡言之，作為第一次、第二次和第三次輻射曝光的結果，所述物體的1A部分、1A2A部分、2A部分、2A3A部分、3A部分、3A1B部分、1B部分、1B2B部分、2B部分、2B3B部分和3B部分的每個點都被捕獲到至少一個圖片。換言之，由於這3次輻射曝光，在所述平面5A中的所述物體520的每個點都被捕獲在所述成像系統500中產生的影像之中。
圖6B示出了圖5中的所述成像系統500沿平面5B的橫截面圖，該平面5B與所述物體520、所述輻射源510.2、所述輻射源510.5、所述輻射源510.8、所述主動區域190B和所述主動區域190C相交。與上述參考圖6A類似，作為第二次、第五次和第八次輻射曝光的結果，所述物體的2B5B部分、5B部分、5B8B部分、8B部分、8B2C部分、2C部分、2C5C部分和5C部分的每個點都被捕獲在至少一個圖片中。換言之，由於這三次輻射曝光，在所述平面5B中的所述物體520的每個點都被捕獲在所述成像系統500中產生的影像之中。
因此，在一般情況下，作為所述輻射曝光過程的結果，所述物體520的每個點都被捕獲在所述成像系統500中的至少一個影像中。換言之，作為所述輻射曝光過程的結果，所述物體520的每個點都被捕獲在所述成像系統500所產生的所得的影像中。因此，由所述輻射曝光過程所產生的所有影像可以被拼接成整個物體520的完整影像。
圖7示出了列出圖5中的成像系統500的操作步驟的流程圖600。更具體地講，在步驟610中，將所述物體520放置在所述成像系統500中。接下來，在步驟620中，所述輻射曝光過程被執行，在此過程中依次進行所述九次輻射曝光，從而生成三十六個影像。更具體地講，所述九次輻射曝光中的每一次曝光均包括開啟然後關閉相應的輻射源510，並在開啟相應的輻射源510時在所述四個主動區域190中捕獲四個影像。最後，在步驟630中，所述三十六個所得的影像可以被拼接以形成整個所述物體520的完整影像。
總之，參照圖5，作為所述輻射曝光過程的結果，所述物體520的每個點都被捕獲在所述三十六個所得的影像中。換言之，所述物體520沒有某個點沒被捕獲在所述三十六個所得的影像中。在所述輻射曝光過程之後，由所述成像系統500所生成的所述三十六個所得的影像可以被拼接以形成整個所述物體520的完整影像。
參考圖5應注意到，在現有技術的典型成像系統中，僅使用一個輻射源（例如510.5）（而不是如上所述的9），因此僅有一次輻射曝光被執行（而不是如上所述的九個影像）而產生了僅四個影像（而不是如上所述的三十六個影像）。因此，為了使現有技術的典型成像系統僅通過一次輻射曝光即可捕獲所述物體520的所有點，必須添加額外的主動區域（類似於主動區域190A）以完全替代在主動區域190A-D之間的所述盲區488。換言之，本發明使用了比現有技術更少的主動區域（因此節省了成本），但是仍然可以實現在所述所得的影像中捕獲所述物體520的每個點的相同目標。
在上述實施例中，參考圖5，所述九個輻射源510.1-9按照510.1、510.2、510.3、510.4、510.5、510.6、510.7、510.8和510.9的順序依次開啟然後關閉。通常，可以以任何順序依次開啟然後關閉所述九個輻射源510.1-9。例如，可以依次按照510.9、510.8、510.7、510.6、510.5、510.4、510.3、510.2，然後510.1的順序依次開啟然後關閉所述九個輻射源510.1-9。
在上述實施例中，參考圖5，所述成像系統500包括以2×2矩形陣列佈置的四個主動區域190A-D和以3×3矩形陣列佈置的九個輻射源510.1-9。通常，所述成像系統500可包括M個主動區域（M是大於0的整數）和N個輻射源（N是大於1的整數），並且只要所述物體520的每個點被捕獲在作為所述輻射曝光過程的結果而產生的所述所得的影像中，這M個主動區域和N個輻射源可以以任何方式佈置。
作為示例，參考圖5和圖6A，所述成像系統500可以僅包括一個主動區域190A及兩個輻射源520.1和520.2（即，M = 1和N = 2）。其結果是，所述輻射曝光過程將包括2次連續的輻射曝光，從而僅生成兩個所得的影像。在該示例中，所述物體520太大而不能被所述成像系統500捕獲其每個點。例如，所述物體520的3B部分（圖6A）將不會在所述兩個所得的影像中被捕獲。但是，一個較小的物體（例如，圖6A中所述物體520的1A + 1A2A + 2A部分）將被所述成像系統500捕獲其每個點。更具體地講，如圖6A所示，所述更小物體1A + 1A2A + 2A的每個點都被捕獲在所述兩個所得的影像中。
在上述實施例中，參考圖5，所述成像系統500包括九個輻射源510.1-9，所述九個輻射源510.1-9在所述輻射曝光過程期間被依次開啟然後關閉。在替代實施例中，所述成像系統500可以僅包括一個單個的輻射源，其（a）類似於上述輻射源510.1-9，並且（b）在所述輻射曝光過程期間，其通過在所述九個輻射源510.1-9的所述九個輻射位置（在下文中將其簡稱為輻射位置510.1-9）間連續移動，以起到所述九個輻射源510.1-9的作用。
更具體地講，在所述第一次輻射曝光期間，所述單個輻射源可以處於圖5中的所述輻射位置510.1中，並起到所述輻射源510.1的作用。之後，在所述第二次輻射曝光期間，所述單個輻射源可以處於圖5中的所述輻射位置510.2，並起到所述輻射源510.2的作用，依此類推，直到所述輻射曝光過程完成為止。之後，最終所得的三十六個影像可被拼接成整個所述物體520的完整影像。
從以上描述可以推斷，一般而言，只要（a）在第一次輻射曝光期間，僅在從所述輻射位置510.1朝向所述四個主動區域190A-D存在輻射，並且（b）在第二次輻射曝光期間，僅在從所述輻射位置510.2朝向所述四個主動區域190A-D存在輻射，並且，第三次、第四次、第五次、第六次、第七次、第八次和第九次輻射曝光以此類推。來自所述九個輻射位置510.1-9的所述九個輻射（a）可以來自如上面的一些實施例所述的九個不同的輻射源510.1-9，或者（b）可以僅來自在如上面的另外一些實施例所述的九個輻射位置510.1-9間連續移動的單個輻射源，或者（c）可以來自任何數量的輻射源，這些輻射源可以在所述輻射曝光過程中起到所述九個輻射源510.1-9的作用。
儘管本發明已經公開了各個方面和實施例，但是其他方面和實施例對於本領域技術人員而言將是顯而易見的。本發明公開的各個方面和實施例是為了說明的目的而不是限制性的，其真正的範圍和精神應該以本發明中的申請專利範圍為准。
100:輻射檢測器 110:輻射吸收層 111:第一摻雜區 112:本徵區 113:第二摻雜區 114:離散區 119A、119B:電觸點 120:電子層 121:電子系統 131:通孔 150:像素 190、190A、190B、190C、190D:主動區域 195:周邊區域 200:封裝 400、450:印刷電路板 405:區 410:鍵合線 488:盲區 490:影像感測器 492:頂部表面 500:成像系統 510、510.1-9:輻射源 512:平面 520:物體 600:流程圖 610、620、630:步驟 1A、1A2A、3A1B、2A、2A3A、1B、1B2B、2B、2B3B、2B5B、3B、5B、5B8B、8B、8B2C、2C、2C5C、5C:部分
圖1示意示出根據實施例的一種輻射檢測器。 圖2A示意示出根據實施例的所述輻射檢測器的簡化橫截面圖。 圖2B示意示出根據實施例的所述輻射檢測器的詳細橫截面圖。 圖2C示意示出根據實施例的所述輻射檢測器的替代詳細橫截面圖。 圖3示意示出根據實施例的包括了輻射檢測器和印刷電路板（PCB）的封裝的俯視圖。 圖4示意示出根據實施例的影像感測器的橫截面圖，其中圖3中的多個所述封裝被安裝到系統PCB。 圖5示意示出根據實施例的包括有影像感測器和多個輻射源的成像系統的透視圖。 圖6A示意示出根據實施例的圖5中沿平面5A的成像系統的橫截面圖。 圖6B示意示出根據實施例的圖5中沿平面5B的成像系統的橫截面圖。 圖7示意示出根據實施例的列出圖5中成像系統的操作步驟的流程圖。
190B、190C:主動區域
490:影像感測器
510.2、510.5、510.8:輻射源
520:物體
2B5B、5B、5B8B、8B、8B2C、2C、2C5C、5C:部分

Claims (21)

  1. 一種成像系統，包括： 影像感測器，所述影像感測器包括（a）頂部表面，（b）所述頂部表面上的M個主動區域，M是大於0的整數，以及（c）所述頂部表面上在所述M個主動區域之間的盲區，其使得所述M個主動區域中沒有任何一個所述主動區域與另一個所述主動區域是直接的物理接觸；和 包括有N個輻射源的輻射源系統，N是大於1的整數， 其中，為響應於放置在所述影像感測器和所述輻射源系統之間的物體，所述成像系統被配置為依次開啟然後關閉所述N個輻射源從而在所述M個主動區域中產生M×N個影像，並且 其中所述物體的每個點被捕獲在所述M×N個影像中的至少一個影像中。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的成像系統，其中所述M是1，所述N是2。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的成像系統，其中所述M個主動區域被佈置為主動區域的矩形陣列，並且所述N個輻射源被佈置為輻射源的矩形陣列。
  4. 如申請專利範圍第3項所述的成像系統，其中所述M個主動區域被佈置為主動區域的2×2矩形陣列，並且所述N個輻射源被佈置為輻射源的3×3矩形陣列。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的成像系統，其中所述N個輻射源中的每個輻射源均為X射線源。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的成像系統，其中所述N個輻射源在與所述頂部表面平行的平面上。
  7. 一種操作成像系統的方法，所述成像系統包括（A）影像感測器，所述影像感測器包括（a）頂部表面，（b）所述頂部表面上的M個主動區域，M是大於0的整數，以及（c）所述頂部表面上在所述M個主動區域之間的盲區，其使得所述M個主動區域中沒有任何一個主動區域與另一個主動區域是直接的物理接觸；和（B）輻射源系統，其包括N個輻射源，N是大於1的整數，所述方法包括 將物體放置在所述影像感測器和所述輻射源系統之間；和 對於i = 1，…，N，依次開啟然後關閉所述N個輻射源中的第i個輻射源，從而在所述M個主動區域中產生M×N個影像，其中所述物體的每個點被捕獲在所述M×N個影像中的至少一個影像中。
  8. 如申請專利範圍第7項所述的方法，更包括拼接所述M×N個影像以形成所述物體的完整影像。
  9. 如申請專利範圍第7項所述的方法，更包括，對於i = 1，...，N，在所述的開啟然後關閉所述N個輻射源中的第i個輻射源被執行，從而在所述M個主動區域中產生M個影像之後： 從所述M個主動區域中讀出所述M個影像，以供以後處理；然後 重置所述M個主動區域。
  10. 如申請專利範圍第7項所述的方法，其中所述M是1，所述N是2。
  11. 如申請專利範圍第7項所述的方法，其中所述M個主動區域被佈置為主動區域的矩形陣列，並且所述N個輻射源被佈置為輻射源的矩形陣列。
  12. 如申請專利範圍第7項所述的方法，其中所述N個輻射源中的每個輻射源均為X射線源。
  13. 如申請專利範圍第7項所述的方法，其中所述N個輻射源在與所述頂部表面平行的平面上。
  14. 一種操作成像系統的方法，所述成像系統包括影像感測器，所述影像感測器包括（a）頂部表面，（b）所述頂部表面上的M個主動區域，M是大於0的整數，以及（c）所述頂部表面上在所述M個主動區域之間的盲區，其使得所述M個主動區域中沒有任何一個主動區域與另一個主動區域是直接的物理接觸，所述方法包括 指定N個輻射位置，N是大於1的整數； 將物體放置在所述影像感測器和所述N個輻射位置之間；和 對於i = 1，…，N，僅從所述N個輻射位置中的第i個輻射位置依次發送輻射，從而在所述M個主動區域中產生M×N個影像，其中所述物體的每個點被捕獲在所述M×N個影像中的至少一個影像中。
  15. 如申請專利範圍第14項所述的方法，更包括拼接所述M×N個影像以形成所述物體的完整影像。
  16. 如申請專利範圍第14項所述的方法，更包括，對於i = 1，...，N，在所述的僅從所述N個輻射位置中的第i個輻射位置發送輻射被執行，從而在所述M個主動區域中產生M個影像之後： 從所述M個主動區域中讀出所述M個影像，以供以後處理；然後 重置所述M個主動區域。
  17. 如申請專利範圍第14項所述的方法，其中所述的，對於i = 1，…，N，僅從所述N個輻射位置中的第i個輻射位置依次發送輻射，包括使用單個輻射源從所述N個輻射位置依次發送輻射。
  18. 如申請專利範圍第14項所述的方法，其中所述M是1，所述N是2。
  19. 如申請專利範圍第14項所述的方法，其中所述M個主動區域被佈置為主動區域的矩形陣列，並且所述N個輻射位置被佈置為輻射位置的矩形陣列。
  20. 如申請專利範圍第14項所述的方法，其中，對於i = 1，…，N，從所述N個輻射源的所述第i個輻射位置發送的所述輻射包括X射線源。
  21. 如申請專利範圍第14項所述的方法，其中所述N個輻射位置在與所述頂部表面平行的平面上。
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