TWI831368B - 顯示裝置及其製備方法 - Google Patents

顯示裝置及其製備方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI831368B
TWI831368B TW111134322A TW111134322A TWI831368B TW I831368 B TWI831368 B TW I831368B TW 111134322 A TW111134322 A TW 111134322A TW 111134322 A TW111134322 A TW 111134322A TW I831368 B TWI831368 B TW I831368B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
opening
insulating layer
spacer
electrodes
Prior art date
Application number
TW111134322A
Other languages
English (en)
Other versions
TW202403416A (zh
Inventor
蔡明志
郭凡煒
Original Assignee
群創光電股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 群創光電股份有限公司 filed Critical 群創光電股份有限公司
Publication of TW202403416A publication Critical patent/TW202403416A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI831368B publication Critical patent/TWI831368B/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H01L33/382—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape the electrode extending partially in or entirely through the semiconductor body
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1339—Gaskets; Spacers; Sealing of cells
    • G02F1/13394—Gaskets; Spacers; Sealing of cells spacers regularly patterned on the cell subtrate, e.g. walls, pillars
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133345—Insulating layers
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1339—Gaskets; Spacers; Sealing of cells
    • G02F1/13396—Spacers having different sizes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0016—Processes relating to electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0058—Processes relating to semiconductor body packages relating to optical field-shaping elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Pressure Sensors (AREA)

Abstract

本公開提供一種電子裝置，包含：一第一基板；一第二基板，與該第 一基板相對設置；多個第一電極，設置於該第一基板上；一絕緣層，設置於該第一基板與該多個第一電極之間；以及一第一間隔件，設置於該第一基板與該第二基板之間，其中，該絕緣層具有一第一開口，該第一開口包含一第一擴大部，於該第一基板的法線方向上，該第一擴大部與該第一間隔件重疊。本公開還提供一種製備該電子裝置的方法。

Description

顯示裝置及其製備方法
實施例係關於一種電子裝置及其製備方法，尤指一種絕緣層具有特殊設計的電子裝置。
當電子產品中的電極的電阻過高可能影響導電性，一般可透過增加導電層的厚度來降低電阻。然而，當導電層厚度增加時，易產生蝕刻殘留問題，進而導致短路等缺點。
因此，目前仍須提供一種電子裝置，以期改善習知缺陷。
本公開提供一種電子裝置，包含：一第一基板；一第二基板，與該第一基板相對設置；多個第一電極，設置於該第一基板上；一絕緣層，設置於該第一基板與該多個第一電極之間；以及一第一間隔件，設置於該第一基板與該第二基板之間，其中，該絕緣層具有一第一開口，該第一開口包含一第一擴大部，於該第一基板的法線方向上，該第一擴大部與該第一間隔件重疊。
本公開還提供一種電子裝置之製備方法，包含以下步驟：提供一第一基板；形成一絕緣層於該第一基板上；形成一導電層於該絕緣層上；圖案化該絕緣層以使該絕緣層具有一第一開口；以及圖案化該導電層以形成多個第一電極；其中，該多個第一電極中的相鄰兩者之間間隔一第一間隔區，於該第一基板的法線方向上，該第一間隔區與該第一開口重疊。
10:第一基板
101:上表面
11:絕緣層
111:第一開口
112:第二開口
113:底表面
114:側表面
114-1:側表面
12:導電層
121:第一電極
20:第二基板
21:平坦層
221:第二電極
BM:遮光層
E1:第一擴大部
E2:第二擴大部
L1:高度
L2:高度
M:介質層
P1:第一間隔區
P2:第二間隔區
PS1:第一間隔件
PS2:第二間隔件
W1、W2、W3、W4:寬度
θ:夾角
X:第二方向
Y:第一方向
Z:法線方向
圖1為本公開之一實施例之電子裝置之製備方法之示意圖。
圖2為本公開之一實施例之電子裝置之製備方法之示意圖。
圖3A為本公開之一實施例之部分電子裝置之立體示意圖。
圖3B為本公開之一實施例之部分第一基板之俯視圖。
圖3C為本公開之一實施例之部分第二基板之底視圖。
圖4為本公開之一實施例之部分電子裝置之剖面圖。
圖5A至圖5C分別為本公開之不同實施例之部分電子裝置之剖面圖。
圖6為本公開之一實施例之色座標圖。
以下將詳細地參考本發明的示範性實施例，示範性實施例的實例說明於附圖中。只要有可能，相同元件符號在圖式和描述中用來表示相同或相似部分。
本公開通篇說明書與所附的申請專利範圍中會使用某些詞匯來指稱特定組件。本領域技術人員應理解，電子裝置製造商可能會以不同的名稱來指稱相同的組件。本文並不意在區分那些功能相同但名稱不同的組件。在下文說明書與申請專利範圍中，「含有」與「包含」等詞為開放式詞語，因此其應被解釋為「含有但不限定為...」之意。
本文中所提到的方向用語，例如：“上”、“下”、“前”、“後”、“左”、“右”等，僅是參考附圖的方向。因此，使用的方向用語是用來說明，而並非用來限制本公開。在附圖中，各圖式繪示的是特定實施例中所使用的方法、結構及/或材料的通常性特徵。然而，這些圖式不應被解釋為界定或限制由這些實施例所涵蓋的範圍或性質。舉例來說，為了清楚起見，各膜層、區域及/或結構的相對尺寸、厚度及位置可能縮小或放大。
本公開中所叙述之一結構(或層別、組件、基材)位於另一結構(或層別、組件、基材)之上/上方，可以指二結構相鄰且直接連接，或是可以指二結構相鄰而非直接連接。非直接連接是指二結構之間具有至少一中介結構(或中介層別、中介組件、中介基材、中介間隔)，一結構的下側表面相鄰或直接連接於中介結構的上側表面，另一結構的上側表面相鄰或直接連接於中介結構的下側表面。而中介結構可以是單層或多層的實體結構或非實體結構所組成，並無限制。在本公開中，當某結構設置在其它結構「上」時，有可能是指某結構「直接」在其它結構上，或指某結構「間接」在其它結構上，即某結構和其它結構間還夾設有至少一結構。
術語「大約」、「等於」、「相等」或「相同」、「實質上」或「大致上」一般解釋為在所給定的值或範圍的20%以內，或解釋為在所給定的值或範圍的10%、5%、3%、2%、1%或0.5%以內。
再者，任兩個用來比較的數值或方向，可存在著一定的誤差。若第一數值等於第二數值，其隱含著第一數值與第二數值之間可存在著約10%的誤差；若第一方向垂直於或「大致」垂直於第二方向，則第一方向與第二方向之間的角度可介於80度至100度之間；若第一方向平行於或「大致」平行於第二方向，則第一方向與第二方向之間的角度可介於0度至10度之間。
說明書與申請專利範圍中所使用的序數例如「第一」、「第二」等之用詞用以修飾元件，其本身並不意含及代表該(或該些)元件有任何之前的序數，也不代表某一元件與另一元件的順序、或是製造方法上的順序，該些序數的使用僅用來使具有某命名的元件得以和另一具有相同命名的元件能作出清楚區分。申請專利範圍與說明書中可不使用相同用詞，據此，說明書中的第一構件在申請專利範圍中可能為第二構件。
在本公開中，楊氏模量可以透過楊氏模量測試儀或拉伸試驗機或其他合適的儀器或方法量測，但不以此為限。此外，用語“給定範圍為第一數值至第二數值”、“給定範圍落在第一數值至第二數值的範圍內”表示所述給定範圍包括第一數值、第二數值以及它們之間的其它數值。
此外，本揭露所揭示的電子裝置可包含顯示裝置、背光裝置、天線裝置、感測裝置、拼接裝置、觸控電子裝置(touch display)、曲面電子裝置(cuived display)或非矩形電子裝置(free shape display)，但不以此為限。電子裝置可例如包含液晶(liquid crystal)、發光二極體(light emitting diode)、螢光(luorescence)、磷 光(phosphor)、其它合適的顯示介質、或前述之組合，但不以此為限。顯示裝置可為非自發光型顯示裝置或自發光型顯示裝置。天線裝置可為液晶型態的天線裝置或非液晶型態的天線裝置，感測裝置可為感測電容、光線、熱能或超聲波的感測裝置，但不以此為限。電子裝置所包含的電子元件可包括被動元件與主動元件，例如電容、電阻、電感、二極體、電晶體等。二極體可包括發光二極體(light emitting diode，LED)或光電二極體(photodiode)。發光二極體可例如包括有機發光二極體(organic light emitting diode，OLED)、次毫米發光二極體(mini LED)、微發光二極體(micro LED)或量子點發光二極體(quantum dot LED)，但不以此為限。拼接裝置可例如是顯示器拼接裝置或天線拼接裝置，但不以此為限。需注意的是，電子裝置可為前述之任意排列組合，但不以此為限。此外，電子裝置可為可彎折或可撓式電子裝置。需注意的是，電子裝置可為前述之任意排列組合，但不以此為限。此外，電子裝置的外型可為矩形、圓形、多邊形、具有彎曲邊緣的形狀或其他適合的形狀。電子裝置可以具有驅動系統、控制系統、光源系統、層架系統...等周邊系統以支援顯示裝置、天線裝置或拼接裝置。為方便說明，下文將以電子裝置為背光裝置的態樣進行說明，但本揭露不以此為限。
應理解的是，根據本揭露實施例，可使用光學顯微鏡(optical microscope，OM)、掃描式電子顯微鏡(scanning electron microscope，SEM)、薄膜厚度輪廓測量儀(α-step)、橢圓測厚儀、或其他合適的方式量測各元件的深度、厚度、寬度或高度、或元件之間的間距或距離。根據一些實施例，可使用掃描式電子顯微鏡取得包含欲量測的元件的剖面結構影像，並量測各元件的深度、厚度、寬度或高度、或元件之間的間距或距離。
須知悉的是，以下所舉實施例可以在不脫離本公開的精神下，可將數個不同實施例中的特徵進行替換、重組、混合以完成其他實施例。各實施例間特徵只要不違背發明精神或相衝突，均可任意混合搭配使用。
除非另外定義，在此使用的全部用語(包含技術及科學用語)具有與本公開所屬技術領域的技術人員通常理解的相同涵義。能理解的是，這些用語例如在通常使用的字典中定義用語，應被解讀成具有與相關技術及本公開的背景或上下文一致的意思，而不應以一理想化或過度正式的方式解讀，除非在本公開實施例有特別定義。
圖1為本公開之一實施例之電子裝置之製備方法之示意圖。
如圖1所示，首先，提供一第一基板10。於本公開中，第一基板10的材料可包括石英、玻璃、矽晶圓、藍寶石、聚碳酸酯(polycarbonate,PC)、聚醯亞胺(polyimide,PI)、聚丙烯(polypropylene,PP)、聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate,PET)或其他塑膠或高分子材料，或前述之組合，但不限於此。
接著，形成一絕緣層11於第一基板10上，而後圖案化絕緣層11，以使絕緣層11具有第一開口111。於一些實施例中，絕緣層11的材料可包含氧化矽(silicon oxide)、氮化矽(silicon nitride)、氮氧化矽(silicon oxynitride)、或其組合，但不限於此。於本公開中，可使用任何合適的方法來圖案化絕緣層11，包含黃光製程和蝕刻，蝕刻可包含乾蝕刻、或濕蝕刻，但不限於此。於本公開中，絕緣層11的厚度可至少為500埃(Å)，但不限於此。於一些實施例中，於第一基板10的法線方向Z上，絕緣層11的第一開口111可暴露出部分第一基板10，但不限於 此，當絕緣層11與第一基板10之間包含其他材料層時，第一開口111可不暴露出第一基板10，而是暴露出下方的其他材料層。
然後，形成一導電層12於絕緣層11上，且圖案化導電層12，使導電層12形成多個第一電極121。其中，多個第一電極121中的相鄰兩者之間間隔一第一間隔區P1，於第一基板10的法線方向Z上，第一間隔區P1可與第一開口111重疊。換句話說，於第一基板10的法線方向Z上，第一間隔區P1於第一基板10上的投影可與第一開口111於第一基板10上的投影重疊。於實施例中，導電層12的材料可包含氧化銦錫(indium tin oxide,ITO)、氧化鋁鋅(aluminum zinc oxide,AZO)、氧化銦鎵鋅(indium gallium zinc oxide,IGZO)、氧化錫銻(antimony tin oxide,ATO)、氟摻雜氧化錫(fluorine-doped tin oxide,FTO)、其它合適材料或其組合，但不限於此。於一些實施例中，可使用任何合適的方法來圖案化導電層12，包含黃光製程和蝕刻，其中，蝕刻可包含乾蝕刻、或濕蝕刻，但實施例並不限於此。於一些實施例中，導電層12的厚度可大於300埃(Å)且小於或等於2000埃(Å)，例如可大於或等於420埃(Å)、大於或等於850埃(Å)、大於或等於1100埃(Å)、或大於或等於1500埃(Å)，但不限於此。透過增加導電層12的厚度，可使所形成的第一電極121具有較低的電阻值。
之後，雖然圖未示，提供一第二基板與第一基板10對組可形成本公開之電子裝置。其中，第一基板10與第二基板之間可包含一介質層(如圖4的介質層M)，介質層M例如包括顯示介質層，用以顯示各種圖像，但不限於此。於一些實施例中，介質層的材料可包含一主客效應型液晶(guest host type liquid crystal，GHLC)、染料液晶、扭曲向列型液晶(twisted nematic liquid crystal，TN LC)、超級扭曲向列液晶(super twisted nematic liquid crystal，STN LC)、聚合物分 散液晶(polymer dispersed liquid crystal，PDLC)、高分子網目狀液晶(polymer network liquid crystal，PNLC)、膽固醇液晶(cholesteric texture liquid crystal)、聚合物穩定膽固醇液晶結構薄膜液晶(polymer-stabilized cholesteric texture liquid crystal，PSCT LC)、懸浮粒子材料(suspended particle material,SPD)、電致變色材料(electrochromic materials)等，其它合適材料或其組合，但不限於此。
圖2為本公開之一實施例之電子裝置之製備方法之示意圖。
如圖2所示，首先，提供一第一基板10。接著，形成一絕緣層11於第一基板10上，而後形成一導電層12於絕緣層11上。之後，圖案化導電層12以使導電層12形成多個第一電極121。接著，圖案化絕緣層11以使絕緣層11具有一第一開口111。其中，多個第一電極121中的相鄰兩者之間間隔一第一間隔區P1，於第一基板10的法線方向Z上，第一間隔區P1可與第一開口111重疊。換句話說，於第一基板10的法線方向Z上，第一間隔區P1於第一基板10上的投影可與第一開口111於第一基板10上的投影重疊。之後，雖然圖未示，提供一第二基板與第一基板10對組可形成本公開之電子裝置。其中，第一基板10與第二基板之間可包含一介質層(如圖4的介質層M)，介質層M的材料如前所述，在此不再贅述。
於本實施例中，第一基板10、絕緣層11、導電層12及介質層M的材料如前所述，在此不再贅述。此外，可使用任何合適的方法來圖案化絕緣層11及導電層12，合適的方法如前所述，在此不再贅述。
因此，本公開之電子裝置之製備方法，可包含以下步驟：提供一第一基板10；形成一絕緣層11於第一基板10上；形成一導電層12於絕緣層11上；分別圖案化絕緣層11及導電層12，以使絕緣層11具有一第一開口111，並使導電 層12形成多個第一電極121；其中，多個第一電極121中的相鄰兩者之間間隔一第一間隔區P1，於第一基板10的法線方向Z上，第一間隔區P1與第一開口111重疊。透過本公開之方法，可改善導電層12蝕刻殘留之情形，降低相鄰的第一電極121之間發生短路風險。
圖3A為本公開之一實施例之部分電子裝置之立體示意圖。圖3B為本公開之一實施例之部分第一基板之俯視圖。圖3C為本公開之一實施例之部分第二基板之底視圖。圖4為本公開之一實施例之部分電子裝置之剖面圖。其中，圖4為圖3B之A-A’線段與圖3C之B-B’線段組合而成的剖面圖。此外，為了方便說明，圖式中省略了部分元件，例如圖3A中省略了遮光層、絕緣層、第一間隔件和第二間隔件等元件。
如圖3A和圖4所示，本公開之電子裝置可包含一第一基板10；一第二基板20，與第一基板10相對設置；多個第一電極121，設置於第一基板10上；多個第二電極221，設置於第二基板20上；以及一第一間隔件PS1，設置於第一基板10與第二基板20之間。於本公開中，多個第一電極121可沿第一方向Y依序排列，多個第一電極121可沿第二方向X延伸。於本公開中，多個第二電極221可沿第二方向X依序排列，且多個第二電極221可沿第一方向Y延伸。第一方向Y不同於第二方向X。在一些實施例中，第一方向Y大致垂直於第二方向X。在一些實施例中，於第一基板10的法線方向Z上，多個第一電極121與多個第二電極221可交錯設置，且第一電極121可部份重疊於第二電極221。詳細來說，電子裝置包括多個像素，像素的範圍可由第一電極121與第二電極221重疊的區域來定義，透過對第一電極121和第二電極221分別施加電壓，可控制設置於第一基板10與第二基板20之間的介質層M調變。當電子裝置為顯示裝置時，透過對第一電 極121和第二電極221分別施加電壓，可控制設置於第一基板10與第二基板20之間的顯示介質層M的排列調變，以顯示各種圖像。於一些實施例中，第二基板20的材料與第一基板10的材料相似，第二電極221的材料與第一電極121的材料相似，在此不再贅述。於一些實施例中，第一間隔件PS1的形狀並無特別限制，例如可為圓柱體、矩形柱體、梯形柱體、三角柱體、圓錐體、三角椎體或其他不規則形柱體，但不限於此。此外，於本公開之一實施例中，如圖4所示，第一間隔件PS1可與第一基板10接觸。
如圖3B、圖3C和圖4所示，於本公開中，電子裝置還包含一絕緣層11，設置於第一基板10與多個第一電極121之間。其中，絕緣層11具有一第一開口111，第一開口111沿第二方向X延伸且包含一第一擴大部E1，於第一基板10的法線方向Z上，第一擴大部E1可與第一間隔件PS1重疊。透過設計第一開口111，當第一電極121厚度增加時，可改善第一電極121的材料蝕刻殘留之情形，進而降低第一電極121之間短路的風險、或提升電子裝置良率之功效。
如圖3B所示，多個第一電極121沿第一方向Y排列，多個第一電極121中的相鄰兩者之間間隔一第一間隔區P1，第一間隔區P1可沿第二方向X延伸，其中，於第一基板10的法線方向Z上，第一間隔區P1與第一開口111重疊。換句話說，第一間隔區P1於第一基板10上的投影可與第一開口111於第一基板10上的投影重疊。於一實施例中，於第一方向Y上，第一間隔區P1的寬度W2可大於第一開口111的寬度W1，因此，於第一基板10的法線方向Z上看，可同時顯露第一電極121與絕緣層11。於一些實施例中，第一開口111的寬度W1可介於1.5微米(μm)至120微米(μm)之間，但不限於此。於一些實施例中，第一開口111的寬度W1可介於2微米(μm)至50微米(μm)之間。所述「第一間隔區的寬度」是指 於第一方向Y上，兩相鄰的第一電極121之間的最小寬度。所述「第一開口的寬度」是指於第一方向Y上，絕緣層11暴露出下方的材料層處的開口寬度，例如絕緣層11暴露出下方第一基板10處的第一開口111的寬度W1。於本公開之一實施例中，於第一基板10的法線方向Z上看，第一開口111可暴露出絕緣層11下方的材料層，例如可暴露出部分第一基板10，但不限於此。
此外，於本公開中，第一擴大部E1的形狀並無特別限制，第一擴大部E1的形狀可選擇性配合第一間隔件PS1設計，如圖3B所示，於第一基板10的法線方向Z上，第一擴大部E1可具有六邊形的形狀，但不局限於此，例如第一擴大部E1也可具有矩形、梯形、稜形、弧形、或不規則形的形狀。於一些實施例中，第一擴大部E1於第一基板10上的投影可大於第一間隔件PS1於第一基板10上的投影。換句話說，第一間隔件PS1於第一基板10上的投影可位於第一擴大部E1於第一基板10上的投影之內。
如圖3B所示，多個第一電極121中的相鄰兩者之間可間隔一第二間隔區P2，絕緣層11可具有一第二開口112，其中，第二間隔區P2與第二開口112可分別沿第二方向X延伸，於第一基板10的法線方向Z上，第二間隔區P2與第二開口112重疊。換句話說，第二間隔區P2於第一基板10上的投影可與第二開口112於第一基板10上的投影重疊。於一些實施例中，第二間隔區P2的寬度W4可大於第二開口112的寬度W3。於一些實施例中，第二間隔區P2的寬度W4可與第一間隔區P1的寬度W2相似，在此不再贅述。於一些實施例中，第二開口112的寬度W2可與第一開口111的寬度W1相似，在此不再贅述。因此，於本公開之一實施例中，於第一基板10的法線方向Z上，第二開口112可暴露出絕緣層11下方的材料層，例如可暴露出部分第一基板10。
如圖3B、圖3C及圖4所示，本公開之電子裝置可更包含一第二間隔件PS2，設置於第一基板10與第二基板20之間，其中，絕緣層11的第二開口112包含一第二擴大部E2，於第一基板10的法線方向Z上，第二擴大部E2與第二間隔件PS2重疊，且第一擴大部E1的尺寸與第二擴大部E2的尺寸不同。於實施例中，所述「擴大部的尺寸不同」是指擴大部的形狀或尺寸大小不相同，更具體地，是指擴大部於第一基板10的投影的形狀或面積大小不相同。於一些實施例中，如圖3B所示，第二擴大部E2具有矩形的形狀，但不限於此，例如第二擴大部E2也可具有矩形、梯形、稜形、弧形、或不規則形的形狀。本公開中，第一間隔件PS1的尺寸可與第二間隔件PS2的尺寸不同或相同。所述「間隔件的尺寸不同」是指間隔件的形狀或大小不相同，更具體地，是指間隔件於第一基板10的投影的形狀或面積大小不相同。於一些實施例中，第二間隔件PS2的形狀並無特別限制，例如可為矩形柱體、圓柱體、梯形柱體、三角柱體、圓錐體、三角椎體、或其他不規則形柱體，但不限於此。於一些實施例中，如圖4所示，第一間隔件PS1的高度L1大於第二間隔件PS2的高度L2，且第二間隔件PS2可不與第一基板10接觸。
於本公開之一實施例中，如圖3B和圖3C所示，多個第二間隔件PS2可分別設置於第一間隔件PS1的周邊，但不限於此。換句話說，多個第二擴大部E2可分別設置於第一擴大部E1的周邊，但不限於此。於其他實施例中(未繪示)，第一間隔件PS1與第二間隔件PS2可為交錯設置，相似的，第一擴大部E1與第二擴大部E2也可為交錯設置。
於本公開中，如圖4所示，電子裝置可更包含一遮光單元BM，設置於第一基板10與第二基板20之間，其中，於第一基板10的法線方向Z上，第一 開口111(或第一間隔區P1)與遮光單元BM重疊。由於重疊於第一開口111(或第一間隔區P1)上的介質層M(例如液晶層)並無法根據第一電極121或第二電極221驅動而調整排列，故透過於第一基板10的法線方向Z上，第一開口111(或第一間隔區P1)與遮光單元BM重疊，可以降低漏光，影響顯示品質。相似的，於第一基板10的法線方向Z上，第二開口112(或第二間隔區P2)與遮光單元BM重疊，其優點如上述說明。於一些實施例中，第一電極121或第二電極221可與遮光單元BM重疊，可減少漏光，提升顯示品質。需注意的是，上述兩元件重疊意旨兩元件之間可完全重疊或至少部分重疊。在一些實施例中，第一開口111(或第一間隔區P1)投影至第一基板10的投影區例如位於遮光單元BM投影至第一基板10的投影區之內。在一些實施例中，第二開口112(或第二間隔區P2)投影至第一基板10的投影區例如位於遮光單元BM投影至第一基板10的投影區之內。於本公開中，如圖4所示，電子裝置可更包含一平坦層21，設置於第二基板20與第二電極221之間，但不限於此。在其它實施例(未繪示)，第二基板20與第二電極221之間可選擇性***其它絕緣層(未繪示)或是濾光層(未繪示)。於一些實施例中，第一間隔件PS1和第二間隔件PS2可分別與平坦層21接觸。於實施例中，平坦層21的材料可包含氧化矽(silicon oxide)、氮化矽(silicon nitride)、氮氧化矽(silicon oxynitride)、氧化鋁(aluminum oxide)、樹脂(resin)、聚合物(polymer)、光阻(photoresist)或其組合，但不限於此。
圖5A至圖5C分別為本公開之不同實施例之部分電子裝置之剖面圖。其中，圖5A至圖5C分別為圖3B之線段C-C’的剖面。
於本公開之一實施例中，如圖5A所示，於一剖面圖中，第一間隔區P1的寬度W2可大於第一開口111的寬度W1。其中，於一剖面圖中，絕緣層11 具有一底表面113及一側表面114，側表面114鄰近第一開口111，且底表面113與側表面114之間的夾角θ可為一銳角，更具體地，絕緣層11的底表面113與側表面114之間的夾角θ可介於35度(°)至65度(°)之間，但不限於此。於一些實施例中，夾角θ可介於40度(°)至60度(°)之間。於一些實施例中，夾角θ可介於45度(°)至55度(°)之間。
於本公開之一實施例中，如圖5B所示，於一剖面圖中，第一間隔區P1的寬度W2可大致等於第一開口111的寬度W1。其中，對應第一開口111的絕緣層11的底表面113與側表面114之間的夾角θ可大致為一直角，更具體地，對應第一開口111的絕緣層11的底表面113與側表面114之間的夾角θ可大約等於90度(°)。於其它實施例中(未繪示)，對應第一開口111的絕緣層11的側表面114與第一電極121的側表面114-1可未切齊或切齊。
於本公開之一實施例中，如圖5C所示，第一電極121可延伸設置於部份的第一開口111中，例如第一電極121可覆蓋至少部份絕緣層11的側表面114及/或至少部分第一基板10的上表面101，或第一電極121可與至少部份絕緣層11的側表面114及/或至少部分第一基板10的上表面101接觸。於一些實施例中，於一剖面圖中，第一間隔區P1的寬度W2可小於第一開口111的寬度W1。
圖6為本公開之一實施例之色座標圖。
使用如圖3B至圖4所示之電子裝置進行色座標量測。舉例固定第一電極的厚度為1500埃(Å)時，將絕緣層的厚度由50埃(Å)逐漸增加，觀察電子裝置的色偏情形。其中，a*軸表示紅/綠軸，a值為正表示紅色偏移，a值為負表示綠色偏移；b*軸表示藍/黃軸，b值為正表示黃色偏移，b值為負表示藍色偏移。如圖6所示，在未設置絕緣層的情況下，顯示綠色和黃色偏移，而當絕緣層的厚 度為3100埃(Å)時，可使色座標接近原點，即此時的色度接近0。而當絕緣層的厚度由3100埃(Å)再提高時，色座標則由原點偏移。需注意的是，圖6僅為示意一些設計下之第一電極的厚度(例如為1500埃下)與絕緣層的厚度為3100埃(Å)時，可使色座標接近原點，即此時的色度接近0。而當絕緣層厚度搭設計的色度座標結果，但不限於此，其色度座標可能受第一電極的材料或絕緣層的材料不同而有所變化。圖6僅為說明可透過調整絕緣層的厚度來調整色偏之情形。
以上的具體實施例應被解釋為僅僅是說明性的，而不以任何方式限制本公開的其餘部分，且不同實施例間的特徵，只要不互相衝突均可混合搭配使用。
10:第一基板
11:絕緣層
111:第一開口
112:第二開口
12:導電層
121:第一電極
20:第二基板
21:平坦層
221:第二電極
BM:遮光層
E1:第一擴大部
E2:第二擴大部
L1、L2:高度
PS1:第一間隔件
PS2:第二間隔件
X:第二方向
Y:第一方向
Z:法線方向

Claims (8)

  1. 一種顯示裝置，包含：一第一基板；一第二基板，與該第一基板相對設置；多個第一電極，設置於該第一基板上且沿一第一方向排列，該多個第一電極中的相鄰兩者之間間隔一第一間隔區；一絕緣層，設置於該第一基板與該多個第一電極之間；以及一第一間隔件，設置於該第一基板與該第二基板之間，其中，該絕緣層具有一第一開口，該第一開口包含一第一擴大部，於該第一基板的一法線方向上，該第一間隔區與該第一開口重疊，該第一開口的該第一擴大部與該第一間隔件重疊。
  2. 如請求項1所述之顯示裝置，其中，於該第一方向上，該第一間隔區的寬度大於該第一開口的寬度。
  3. 如請求項1所述之顯示裝置，其中，於該第一方向上，該第一開口的寬度介於1.5微米(μm)至120微米(μm)之間。
  4. 如請求項1所述之顯示裝置，其中，更包含一第二間隔件，設置於該第一基板與該第二基板之間，其中，該多個第一電極中的另相鄰兩者之間間隔一第二間隔區，該絕緣層具有一第二開口鄰近於該第一開口，且該第二開口包含一第二擴大部，於該第一基板的該法線方向上，該第二間隔區與該第二開口重疊，該第二開口的該第二擴大部與該第二間隔件重疊，且該第一擴大部的尺寸與該第二擴大部的尺寸不同。
  5. 如請求項1所述之顯示裝置，其中，於該第一基板的該法線方向上，該第一開口暴露出部分該第一基板。
  6. 如請求項1所述之顯示裝置，其中，於一剖面圖中，該絕緣層具有一底表面及一側表面，該側表面鄰近該第一開口，且該底表面與該側表面之間的夾角介於35度(°)至65度(°)之間。
  7. 如請求項1所述之顯示裝置，其中，更包含一遮光單元，設置於該第一基板與該第二基板之間，其中，於該第一基板的該法線方向上，該第一開口與該遮光單元重疊。
  8. 一種顯示裝置之製備方法，包含以下步驟：提供一第一基板；形成一絕緣層於該第一基板上；形成一導電層於該絕緣層上；圖案化該絕緣層以使該絕緣層具有一第一開口；以及圖案化該導電層以形成多個第一電極；其中，該多個第一電極中的相鄰兩者之間間隔一第一間隔區，於該第一基板的法線方向上，該第一間隔區與該第一開口重疊，其中，圖案化該絕緣層以使該絕緣層具有該第一開口之後，形成該導電層於該絕緣層上。
TW111134322A 2022-06-30 2022-09-12 顯示裝置及其製備方法 TWI831368B (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202210776063 2022-06-30
CN202210776063.0 2022-06-30
CN202210941325.4 2022-08-03
CN202210941325.4A CN117374205A (zh) 2022-06-30 2022-08-03 电子装置及其制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202403416A TW202403416A (zh) 2024-01-16
TWI831368B true TWI831368B (zh) 2024-02-01

Family

ID=89398968

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW111134322A TWI831368B (zh) 2022-06-30 2022-09-12 顯示裝置及其製備方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20240006560A1 (zh)
CN (1) CN117374205A (zh)
TW (1) TWI831368B (zh)

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI230818B (en) * 2003-02-03 2005-04-11 Chi Mei Optoelectronics Corp Image display device
CN108427229A (zh) * 2018-05-08 2018-08-21 深圳市华星光电技术有限公司 液晶显示面板
TWI638209B (zh) * 2015-05-05 2018-10-11 友達光電股份有限公司 顯示面板
TWI658607B (zh) * 2018-03-28 2019-05-01 友達光電股份有限公司 液晶顯示面板
CN109791335A (zh) * 2016-10-04 2019-05-21 Jsr株式会社 液晶装置及其制造方法
TWI690758B (zh) * 2018-05-31 2020-04-11 友達光電股份有限公司 具有電極堆疊的液晶顯示裝置
TW202036127A (zh) * 2018-09-10 2020-10-01 南韓商三星顯示器有限公司 顯示裝置及其製造方法
TWI744383B (zh) * 2016-10-19 2021-11-01 日商索尼股份有限公司 液晶顯示裝置及投射型顯示裝置
TWI749989B (zh) * 2012-07-20 2021-12-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置
CN114077108A (zh) * 2021-11-19 2022-02-22 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及显示装置
TW202215550A (zh) * 2016-02-18 2022-04-16 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法、顯示裝置、及電子裝置

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI230818B (en) * 2003-02-03 2005-04-11 Chi Mei Optoelectronics Corp Image display device
TWI749989B (zh) * 2012-07-20 2021-12-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置
TWI638209B (zh) * 2015-05-05 2018-10-11 友達光電股份有限公司 顯示面板
TW202215550A (zh) * 2016-02-18 2022-04-16 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法、顯示裝置、及電子裝置
CN109791335A (zh) * 2016-10-04 2019-05-21 Jsr株式会社 液晶装置及其制造方法
TWI744383B (zh) * 2016-10-19 2021-11-01 日商索尼股份有限公司 液晶顯示裝置及投射型顯示裝置
TWI658607B (zh) * 2018-03-28 2019-05-01 友達光電股份有限公司 液晶顯示面板
CN108427229A (zh) * 2018-05-08 2018-08-21 深圳市华星光电技术有限公司 液晶显示面板
TWI690758B (zh) * 2018-05-31 2020-04-11 友達光電股份有限公司 具有電極堆疊的液晶顯示裝置
TW202036127A (zh) * 2018-09-10 2020-10-01 南韓商三星顯示器有限公司 顯示裝置及其製造方法
CN114077108A (zh) * 2021-11-19 2022-02-22 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20240006560A1 (en) 2024-01-04
TW202403416A (zh) 2024-01-16
CN117374205A (zh) 2024-01-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI686645B (zh) 液晶顯示面板
US9281320B2 (en) Array substrate and liquid crystal display apparatus having the same
KR101984896B1 (ko) 액정표시장치 및 이의 제조 방법
CN102033360B (zh) 液晶显示面板
US20110115739A1 (en) Liquid crystal display device
TWI499851B (zh) 畫素結構及具有此畫素結構之液晶顯示面板
TW201409679A (zh) 有機發光顯示器及其製造方法
CN102096224A (zh) 液晶显示设备及其制造方法
KR102446872B1 (ko) 표시 패널
JP4776915B2 (ja) 表示パネル及びその製造方法、並びにこれを有する液晶表示装置
KR20060116878A (ko) 표시장치용 기판, 그 제조방법 및 이를 갖는 액정표시장치
TW201629589A (zh) 帶有電極之彩色濾光片基板、含有該基板之顯示裝置、以及該基板之製造方法
KR20090103931A (ko) 향상된 절환 속도를 갖는 액정 표시 장치
TWI831368B (zh) 顯示裝置及其製備方法
KR102178887B1 (ko) 어레이 기판 및 이를 포함하는 액정 표시 장치
TWI819534B (zh) 顯示裝置
KR20150136339A (ko) 어레이 기판 및 이를 포함하는 액정 표시 장치
KR102420997B1 (ko) 표시 장치
KR101807879B1 (ko) 전기습윤 표시장치
TWI391715B (zh) 彩片濾光片基板及液晶顯示器
JP2011252990A (ja) カラーフィルタ基板および液晶表示パネル
KR20080078993A (ko) 액정표시장치 및 그의 제조방법
US11415830B2 (en) Electronic device
KR20050092851A (ko) 액정표시장치 및 그 제조방법
KR20180092850A (ko) 편광판, 편광판의 제작 방법 및 표시 장치