TWI828764B - 放射線檢測器、放射線圖像攝影裝置及製造方法 - Google Patents

放射線檢測器、放射線圖像攝影裝置及製造方法 Download PDF

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Abstract

一種放射線檢測器，其具備：基板，在可撓性基材的像素區域上包括感測器部層，該感測器部層具有蓄積根據從放射線轉換之光產生之電荷之複數個像素；轉換層，設置於該基材的設置有該像素區域之面側，且將該放射線轉換為光；及固定構件，設置於比該轉換層更靠該基板側，且將該感測器部層固定於該基材。

Description

放射線檢測器、放射線圖像攝影裝置及製造方法
本揭示關於一種放射線檢測器、放射線圖像攝影裝置及製造方法。
存在一種以醫療診斷為目的而進行放射線攝影之放射線圖像攝影裝置。該等放射線圖像攝影裝置中使用用於檢測透射被攝體之放射線而生成放射線圖像之放射線檢測器。
作為該種放射線檢測器，存在如下者：其具備：閃爍器等轉換層，將放射線轉換為光；及基板，在基材的像素區域上設置有具有蓄積根據被轉換層轉換之光產生之電荷之複數個像素之感測器部層(例如，參閱日本特開2000-131444號公報、日本特開2007-192807號公報、日本特開2004-172375號公報。)。
作為該等放射線檢測器的基板的基材，已知使用可撓性基材者。藉由使用可撓性基材，例如能夠輕型化放射線圖像攝影裝置(放射線檢測器)，又，有時容易拍攝被攝體。
在使用在具有將光轉換為電訊號之光電轉換元件之可撓性基板上形成閃爍器等轉換層而製作之放射線檢測器之情況下，存在如下問題。亦即，與玻璃基板相比，聚醯亞胺(PI：PolyImide) 等可撓性基板的導熱率低且比熱高，因此在放射線檢測器的製程中，在熱施加於可撓性基板之情況下，存在難以散熱這一問題。又，在實際上使用放射線圖像攝影裝置之情況下，存在如下問題：熱容易滯留在可撓性基板上，溫度趨於容易上升。
若可撓性基板的溫度上升，則會產生熱膨脹，可撓性基板發生翹曲，其結果，有時會導致具有蓄積根據從放射線轉換之光產生之電荷之複數個像素之感測器部層從基材剝離。
本揭示的目的為，提供一種能夠抑制放射線檢測器中的感測器部層發生從基材上的剝離之放射線檢測器、放射線圖像攝影裝置及製造方法。
本揭示的第1態樣的放射線檢測器具備：基板，在可撓性基材的像素區域上包括感測器部層，該感測器部層具有蓄積根據從放射線轉換之光產生之電荷之複數個像素；轉換層，設置於基材的設置有像素區域之面側，且將放射線轉換為光；及固定構件，設置於比轉換層更靠基板側，且將感測器部層固定於基材。
本揭示的第2態樣的放射線檢測器在第1態樣的放射線檢測器中，固定構件構成為包含樹脂。
本揭示的第3態樣的放射線檢測器在第1態樣的放射線檢測器或第2態樣的放射線檢測器中，固定構件在感測器部層的端部處將感測器部層固定於基材。
本揭示的第4態樣的放射線檢測器在第3態樣的放射線 檢測器中，固定構件藉由覆蓋從感測器部層的轉換層側的面的至少一部分經由感測器部層的端面至基材的感測器部層側的面的至少一部分為止的區域而將感測器部層固定於基材。
本揭示的第5態樣的放射線檢測器在第4態樣的放射線檢測器中，固定構件藉由覆蓋從感測器部層的轉換層側的面的整個面經由感測器部層的端面至基材的感測器部層側的面的至少一部分為止的區域而將感測器部層固定於基材。
本揭示的第6態樣的放射線檢測器在第5態樣的放射線檢測器中，基材及固定構件包含相同的材料。
本揭示的第7態樣的放射線檢測器在第5態樣的放射線檢測器或第6態樣的放射線檢測器中，基材的熱膨脹係數CTEflex與固定構件的熱膨脹係數CTEsur之比為0.5
Figure 108134759-A0305-02-0005-2
CTEsur/CTEflex
Figure 108134759-A0305-02-0005-3
4。
本揭示的第8態樣的放射線檢測器在第1態樣至第7態樣中任一態樣的放射線檢測器中，基材包含聚醯亞胺。
本揭示的第9態樣的放射線檢測器在第8態樣的放射線檢測器中，基材藉由塗佈而形成。
本揭示的第10態樣的放射線檢測器在第8態樣的放射線檢測器或第9態樣的放射線檢測器中，固定構件包含聚醯亞胺或Parylene(註冊商標)。
本揭示的第11態樣的放射線檢測器在第1態樣至第10態樣中任一態樣的放射線檢測器中，還具備覆蓋轉換層之密封層，固定構件的材質不同於密封層的材質。
本揭示的第12態樣的放射線檢測器在第1態樣至第11態樣中任一態樣的放射線檢測器中，轉換層為藉由CsI柱狀結晶直接沉積而形成者，該放射線檢測器在柱狀結晶的前端部側還具備剛性高於基材之強化基板。
本揭示的第13態樣的放射線檢測器在第12態樣的放射線檢測器中，強化基板包含具有降伏點之材料。
本揭示的第14態樣的放射線檢測器在第12態樣的放射線檢測器或第13態樣的放射線檢測器中，強化基板設置於寬於設置有轉換層之區域之區域。
本揭示的第15態樣的放射線檢測器在第12態樣至第14態樣中任一態樣的放射線檢測器中，在基板的與設置有像素區域之面對向之面上還具備剛性高於基材之強化構件。
又，本揭示的第16態樣的放射線圖像攝影裝置具備：第1態樣至第15態樣中任一態樣的放射線檢測器；控制部，輸出用於讀取蓄積於複數個像素之電荷之控制訊號；及電路部，藉由可撓性配線與放射線檢測器電連接，且根據控制訊號從複數個像素讀取電荷。
又，本揭示的第17態樣的製造方法為放射線檢測器的製造方法，其經由剝離層在支撐體上設置可撓性基材，並在基材的像素區域上形成設置有感測器部層之基板，該感測器部層具有蓄積根據從放射線轉換之光產生之電荷之複數個像素，形成將感測器部層固定於基材之固定構件，在基材的設置有像素區域之面側形 成將放射線轉換為光之轉換層，在轉換層的與和基板側的面對向之一側的面相反之一側的面上貼合剛性高於基材之強化基板，從支撐體剝離設置有轉換層及強化基板之基板。
依本揭示，能夠抑制放射線檢測器中的感測器部層發生從基材上的剝離。
1:放射線圖像攝影裝置
10:放射線檢測器
11:基材
11L:微粒子層
11P:無機微粒子
12:TFT基板
12A、19A:第1面
12B:第2面
13:固定層
13B、13C、13D:固定構件
14:轉換層
19:積層體
22、117:保護層
30:像素
32:TFT
34:感測器部
35:像素區域
36:訊號配線
38:掃描配線
39:共用配線
40:強化基板
41:強化構件
42:保護膜
43、43A、43B、243、243A、243B:連接區域
44:防濕劑
45:黏著層
46:間隔物
48:黏著層
50:感測器部層
80:閘極電極
81:汲極電極
82:源極電極
90:由無機材料構成之層
103:驅動部
104:訊號處理部
108:電源部
110:控制基板
112:柔性電纜
116:薄片
120:框體
120A:攝影面
202:驅動基板
212:驅動電路部
250、250A~250I:驅動零件
304:訊號處理基板
314:訊號處理電路部
330:連接器
350、350A~350I:訊號處理零件
380:圖像記憶體
382:控制部
400:支撐體
D:箭頭
X:交叉方向
Y:撓曲方向
圖1係表示第1實施形態的放射線檢測器中的TFT(Thin Film Transistor，薄膜電晶體)基板的構成的一例之構成圖。
圖2係用於說明實施形態的基材的一例之剖面圖。
圖3係從設置有轉換層之一側觀察第1實施形態的放射線檢測器的一例之平面圖。
圖4係圖3所示之放射線檢測器的A-A線剖面圖。
圖5係表示圖3所示之放射線檢測器的要部構成之剖面圖。
圖6係從TFT基板的第1面側觀察第1實施形態的放射線檢測器的一例之平面圖。
圖7係說明第1實施形態的放射線檢測器的製造方法的一例之說明圖。
圖8係說明第1實施形態的放射線檢測器的製造方法的一例之說明圖。
圖9係第2實施形態的放射線檢測器的一例的剖面圖。
圖10係第3實施形態的放射線檢測器的一例的剖面圖。
圖11係第3實施形態的放射線檢測器的另一例的平面圖。
圖12係第3實施形態的放射線檢測器的另一例的平面圖。
圖13係實施形態的放射線檢測器的另一例的剖面圖。
圖14係針對實施形態的放射線檢測器的另一例的一像素部分之剖面圖。
圖15係表示適用實施形態的放射線檢測器之放射線圖像攝影裝置的一例的剖面之剖面圖。
圖16係表示適用實施形態的放射線檢測器之放射線圖像攝影裝置的另一例的剖面之剖面圖。
以下，參閱圖式對本發明的實施形態進行詳細說明。再者，本實施形態的意圖並不在於進行限定。
[第1實施形態]
本實施形態的放射線檢測器具有檢測透射被攝體之放射線而輸出表示被攝體的放射線圖像之圖像資訊之功能。本實施形態的放射線檢測器具備TFT(Thin Film Transistor)基板和將放射線轉換為光之轉換層(參閱圖4的放射線檢測器10的TFT基板12及轉換層14)。
參閱圖1對本實施形態的放射線檢測器中的TFT基板12的構成的一例進行說明。本實施形態的TFT基板12為在基材11的像素區域35上形成有包括複數個像素30之感測器部層50之基 板。本實施形態的TFT基板12為基板的一例。
基材11為樹脂製且具有可撓性。再者，在本實施形態中，作為一例，如下所示形成基材11。
首先，藉由棒塗機在厚度0.7mm的無鹼玻璃基板(Corning Incorporated製EAGLE2000)的表面上塗佈聚醯亞胺前驅體溶液以使熱硬化後的薄膜的厚度成為20μm，並在130℃下乾燥10分鐘而形成聚醯亞胺前驅體塗層。
接著，在氮氣流下，歷時2小時從100℃升溫至360℃之後，在360℃下進行2小時熱處理，使聚醯亞胺前驅體熱硬化而醯亞胺化。藉此，能夠獲得具有玻璃基板和聚醯亞胺薄膜層之積層體。所得之積層體的聚醯亞胺薄膜能夠容易用手從玻璃基板剝離。再者，該基材11的形成方法例如還記載於日本特開2014-218056號公報中，因此省略進一步說明。
基材11的形成方法並不限於該形態，作為基材11，可以藉由旋塗法、噴墨法、柔版印刷法等塗佈方法將包含聚醯亞胺等塑膠之樹脂塗佈於既定的支撐體上而形成。以下，將藉由塗佈塗佈型聚醯亞胺樹脂而得之基材稱為“塗佈型聚醯亞胺基材”。又，作為基材11，例如可以使用包含聚醯亞胺等塑膠之樹脂片等而代替塗佈上述樹脂而得者。
基材11的厚度只要為可根據材質的硬度及TFT基板12的大小等而獲得所期望的可撓性之厚度即可。例如，基材11只要為厚度為5μm~125μm者即可，厚度為20μm~50μm者為更佳。
再者，基材11具有能夠承受詳細內容將後述之像素30的製造之特性，在本實施形態中，具有能夠承受非晶矽TFT(a-Si TFT)的製造之特性。作為該等基材11所具有之特性，300℃~400℃下的熱膨脹係數為與矽(Si)晶圓相同程度(例如，±5ppm/K)為較佳，詳細而言，20ppm/K以下為較佳。又，作為基材11的熱收縮率，在厚度為25μm的狀態下400℃下的MD(Machine Direction，縱向)方向上的熱收縮率為0.5%以下為較佳。又，基材11的彈性係數在300℃~400℃之間的溫度區域內不具有通常的聚醯亞胺所具有之轉移點，500℃下的彈性係數為1GPa以上為較佳。
又，作為本實施形態的基材11，在使用樹脂片之情況下，如圖2所示，在與設置有轉換層14之一側相反之一側的面上具有包括平均粒徑為0.05μm以上且2.5μm以下的無機微粒子11P之微粒子層11L為較佳。作為具有該等特性之樹脂片的例子，可舉出XENOMAX(註冊商標)。
再者，在本實施形態中敘述之厚度、熱膨脹係數、彈性係數及平均粒徑等的測量方法中適用了日本特開2010-076438號公報中記載之評價方法。例如，熱膨脹係數的測量方法係在下述條件下對MD方向及TD(Transverse Direction，橫向)方向上的伸縮率進行測量，以90℃~100℃、100℃~110℃、......之10℃間隔測量伸縮率及溫度，將該測量進行至400℃，並將作為100℃至350℃的所有測量值的平均值而導出之熱膨脹係數(ppm/℃)換算為 (ppm/K)。關於熱膨脹係數的測量條件，使用了MAC Science公司製TMA4000S裝置，樣本長度設為10mm，樣本寬度設為2mm，初始荷重設為34.5g/mm2，升溫開始溫度設為25℃，升溫結束溫度設為400℃，升溫速度設為5℃/min，且環境設為氬氣。
各像素30包括根據由轉換層14轉換之光產生電荷並將其蓄積之感測器部34及讀取藉由感測器部34蓄積之電荷之開關元件32。本實施形態中，作為一例，將薄膜電晶體(TFT)用作開關元件32。因此，以下將開關元件32稱為“TFT32”。
複數個像素30係在TFT基板12的像素區域35沿一方向(與圖1的橫向對應之掃描配線方向，以下亦稱為“行方向”)及與行方向交叉之方向(與圖1的縱向對應之訊號配線方向，以下亦稱為“列方向”)二維狀配置。圖1中，簡化示出了像素30的排列，例如像素30在行方向和列方向上配置有1024個×1024個。
又，放射線檢測器10中彼此交叉設置有用於控制TFT32的開關狀態(導通及關斷)之複數個掃描配線38和針對像素30的每一列設置之讀取蓄積於感測器部34中之電荷之複數個訊號配線36。複數個掃描配線38之每一個分別經由設置於TFT基板12上之連接區域43(參閱圖4及圖6)與放射線檢測器10的外部的驅動部103(參閱圖6)連接，藉此從驅動部103輸出之控制TFT32的開關狀態之控制訊號流經複數個掃描配線38之每一個。又，複數個訊號配線36之每一個分別經由設置於TFT基板12上之連接區域43(參閱圖4及圖6)與放射線檢測器10的外部的訊號處理 部104(參閱圖6)連接，藉此從各像素30讀取之電荷輸出至訊號處理部104。
又，為了對各像素30施加偏壓，各像素30的感測器部34中，在訊號配線36的配線方向上設置有共用配線39。共用配線39經由設置於TFT基板12上之墊片與放射線檢測器10的外部的偏壓電源連接，藉此從偏壓電源對各像素30施加偏壓。
本實施形態的放射線檢測器10中，在TFT基板12上形成有轉換層14。圖3係從形成有轉換層14之一側觀察本實施形態的放射線檢測器10之平面圖。又，圖4係圖3中的放射線檢測器10的A-A線剖面圖。進而，圖5係表示圖3所示之放射線檢測器的要部構成之剖面圖。再者，以下，在放射線檢測器10的構造中稱為“上”之情況下，表示在以TFT基板12側為基準之位置關係中位於上方。例如，轉換層14設置於TFT基板12上。
如圖3及圖4所示，本實施形態的轉換層14設置於TFT基板12的第1面12A上的包括像素區域35之一部分區域上。如此，本實施形態的轉換層14未設置於TFT基板12的第1面12A的外周部的區域上。本實施形態的第1面12A為本揭示的設置有像素區域之面的一例。
本實施形態中，作為轉換層14的一例，使用了包含CsI(碘化銫)之閃爍器。作為該等閃爍器，例如包含照射X射線時之發光光譜為400nm~700nm之CsI：Tl(添加有鉈之碘化銫)或CsI：Na(添加有鈉之碘化銫)為較佳。再者，CsI：Tl之可見光區域 內之發光峰值波長為565nm。
在本實施形態的放射線檢測器10中，轉換層14藉由真空蒸鍍法、濺射法及CVD(Chemical Vapor Deposition，化學氣相沉積)法等氣相沉積法在TFT基板12上形成為長條狀的柱狀結晶。作為轉換層14的形成方法，例如可舉出真空蒸鍍法，其在作為轉換層14使用CsI：Tl之情況下，在真空度0.01Pa~10Pa的環境下藉由電阻加熱式坩堝等加熱機構對CsI：Tl進行加熱而使其氣化，並使TFT基板12的溫度成為室溫(20℃)~300℃而使CsI：Tl沉積於TFT基板12上。作為轉換層14的厚度，100μm~800μm為較佳。
在本實施形態之放射線檢測器10中，為了實現輕型化，基材11使用了包含聚醯亞胺等塑膠之樹脂，而並非玻璃。因此，在放射線檢測器10的溫度上升之情況下，與使用玻璃之情況相比，TFT基板12的熱膨脹增加，TFT基板12發生較大的翹曲，其結果，感測器部層50有可能從基材11剝離。該問題在基材11為塗佈型聚醯亞胺基材之情況下尤為顯著，此時，與使用玻璃之基材相比，熱膨脹係數成為10倍左右，其結果，感測器部層50從基材11剝離之可能性增加。
因此，在本實施形態中，作為一例，如圖4及圖5所示，在TFT基板12與轉換層14之間設置有將感測器部層50固定於基材11上之固定層13。固定層13還具有緩衝轉換層14的熱膨脹係數與基材11的熱膨脹係數之差之功能。轉換層14的熱膨脹係 數與基材11的熱膨脹係數之差越大，設置固定層13越具意義。例如，在將XENOMAX(註冊商標)用作基材11之情況下，與其他材質相比，與轉換層14的熱膨脹係數之差大，因此如圖4及圖5所示之放射線檢測器10般設置固定層13之意義大。
在本實施形態中，固定層13包含與基材11相同的材料。詳細而言，在將塗佈型聚醯亞胺基材用作基材11之情況下，作為固定層13，使用藉由塗佈塗佈型聚醯亞胺樹脂而得者。如此，在本實施形態中，作為固定層13，使用了包含與基材11相同的材料者，因此能夠減小固定層13與基材11各自的熱膨脹係數之差，其結果，能夠抑制TFT基板12發生翹曲。但是，並不限於該形態，作為固定層13，亦可以使用Parylene(註冊商標)膜。本實施形態的固定層13為固定構件的一例。
在本實施形態中，固定層13將感測器部層50在其端部處固定於基材11。更詳細而言，如圖4及圖5所示，在本實施形態中，固定層13藉由覆蓋從感測器部層50的轉換層14側的面的整個面經由感測器部層50的端面至基材11的感測器部層50側的面的一部分為止的區域而將感測器部層50固定於基材11。
再者，在圖4及圖5所示之例子中，設成了固定層13的基材11側的端部覆蓋至基材11的感測器部層50側的面的一部分為止者，但並不限於該形態，亦可以設成固定層13覆蓋基材11的上表面的除感測器部層50的區域以外的所有區域者。
在將聚醯亞胺用作固定層13之情況下，藉由在感測器部 層50上利用旋塗法、噴墨法、柔版印刷法等塗佈方法賦予聚醯亞胺而形成固定層13。此時，由於進行了著色，因此為了使藉由轉換層14產生之光透射並供光二極體吸收，聚醯亞胺不太厚為較佳，固定層13的厚度為0.05~0.2μm左右為較佳，0.1μm左右為更佳。
相對於此，在將Parylene(註冊商標)膜用作固定層13之情況下，藉由在感測器部層50上利用真空成膜法賦予Parylene(註冊商標)而形成固定層13。詳細而言，將形成至感測器部層50之TFT基板12放入真空腔室，在既定的真空度下對Parylene(註冊商標)原料進行加熱而使其蒸發，在TFT基板12上形成Parylene(註冊商標)膜。此時，固定層13的厚度為0.5~10μm左右為較佳。再者，關於不想形成Parylene(註冊商標)膜之區域，只要適當進行遮蓋而對應即可。
在本實施形態中，基材11的熱膨脹係數CTEflex(CTE：Coefficient of Thermal Expansion)與固定層13的熱膨脹係數CTEsur之比(以下，稱為“CTE比”。)設為由以下式(1)表示之範圍的值。
Figure 108134759-A0305-02-0015-1
在將塗佈型聚醯亞胺樹脂用作固定層13之情況下，聚醯亞胺的熱膨脹係數CTE大致成為18~38PPM/度的範圍，因此CTE比大致成為0.5以上且2以下的範圍。
相對於此，在將Parylene(註冊商標)用作固定層13之情況下，Parylene(註冊商標)的熱膨脹係數CTE大致成為35~69PPM/度的範圍，CTE比大致成為0.5以上且4以下的範圍。
如圖4所示，轉換層14被保護層22覆蓋。保護層22具有從濕氣等水分保護轉換層14之功能。作為保護層22的材料，例如可舉出有機膜，詳細而言，可舉出基於聚對酞酸乙二酯(PET：Polyethylene terephthalate)、聚苯硫醚(PPS：PolyPhenylene Sulfide)、二軸延伸聚丙烯薄膜(OPP：Oriented PolyPropylene)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN：PolyEthylene Naphthalate)等之單層膜或積層膜。又，作為保護層22，可以使用在PET等絕緣性薄片(薄膜)上黏接鋁箔等而積層有鋁之Alpet(註冊商標)薄片。在本實施形態中，將固定層13設為不同於保護層22的材質。
由TFT基板12、固定層13、轉換層14及保護層22積層而成之積層體19的轉換層14側的面亦即第1面19A上藉由黏著層48設置有強化基板40。
強化基板40的剛性高於基材11，且相對於沿垂直方向施加於與轉換層14對向之面之力之尺寸變化(變形)小於相對於沿垂直方向施加於TFT基板12的第1面12A之力之尺寸變化。又，本實施形態的強化基板40的厚度厚於基材11的厚度。再者，在此所說之剛性表示包括強化基板40及基材11的厚度在內之強化基板40及基材11的彎曲難度，剛性越高表示越難彎曲。
又，本實施形態的強化基板40為包含具有降伏點之材料 之基板。再者，在本實施形態中，“降伏點”係指，在拉伸材料之情況下，應力急劇地下降一段時間之現象，且係指在表示應力與應變之間的關係之曲線上表示降伏之點。作為具有降伏點之樹脂，通常可舉出硬且黏性強的樹脂及柔軟、黏性強且具有中等程度的強度之樹脂。作為硬且黏性強的樹脂，例如可舉出聚碳酸酯(PC：Polycarbonate)及聚醯胺。又，作為柔軟、黏性強且具有中等程度的強度之樹脂，例如可舉出高密度聚乙烯及聚丙烯。
又，本實施形態的強化基板40的彎曲彈性係數為1000MPa以上且2500MPa以下為較佳。彎曲彈性係數的測量方法例如基於JIS基準。若彎曲彈性係數較低，則為了剛性不得不增加強化基板40的厚度。因此，從抑制厚度之觀點考慮，強化基板40的彎曲彈性係數為2000MPa以上且2500MPa以下為更佳。
又，本實施形態的強化基板40的熱膨脹係數接近於轉換層14的材料的熱膨脹係數為較佳，更佳為強化基板40的熱膨脹係數與轉換層14的熱膨脹係數之比為0.5以上且2以下。例如，在轉換層14以CsI：Tl為材料之情況下，熱膨脹係數為50ppm/K。此時，作為強化基板40的材料可舉出熱膨脹係數為60ppm/K~80ppm/K之聚氯乙烯(PVC：Polyvinyl Chloride)、熱膨脹係數為70ppm/K~80ppm/K之壓克力、熱膨脹係數為65~70ppm/K之PET、熱膨脹係數為65ppm/K之PC及熱膨脹係數為45ppm/K~70ppm/K之鐵氟龍(註冊商標)等。進而，若考慮上述彎曲彈性係數，則作為強化基板40的材料，包含PET及PC中的至少一者之材料 為更佳。
再者，可以藉由利用追加強化基板覆蓋強化基板40而進一步加強強化基板40，追加強化基板例如可以為碳板等剛性板。在藉由追加強化基板覆蓋轉換層14的整個面之情況下，若追加強化基板的材質為X射線吸收量少的碳等，則亦能夠在表面讀取方式(ISS：Irradiation Side Sampling方式)及背面讀取方式(PSS：Penetration Side Sampling方式)中的任一方式中抑制X射線損失。在此，X射線損失係指，到達轉換層14之X射線因所照射之X射線被追加強化基板吸收而減少。追加強化基板具有大於強化基板40的彎曲彈性係數之彎曲彈性係數。
追加強化構件的彎曲彈性係數例如為8000MPa以上為較佳。又，作為追加強化構件的彎曲彈性係數的上限，60000MPa以下為較佳。再者，碳的彎曲彈性係數為8000MPa~50000MPa左右，從彎曲彈性係數的觀點考慮，碳亦適合作為追加強化構件。
如圖3及圖4所示，本實施形態的強化基板40設置於寬於TFT基板12的第1面12A上的設置有轉換層14之區域之區域。因此，如圖3及圖4所示，強化基板40的端部比轉換層14的外周部更向外側(TFT基板12的外周部側)突出。
如圖4所示，TFT基板12的外周部上設置有連接區域43。連接區域43上連接有詳細內容將在後面敘述之柔性電纜112。柔性電纜112與驅動部103及訊號處理部104(皆參閱圖6)中的任一者連接。本實施形態的驅動部103及訊號處理部104為本揭 示的電路部的一例。在圖6中，作為在本實施形態的放射線檢測器10上連接有驅動部103及訊號處理部104之狀態的一例，示出從TFT基板12的第1面12A的側觀察時之平面圖。
如圖6所示之一例，TFT基板12的連接區域43上電連接有柔性電纜112。再者，在本實施形態中，若無特別說明，則包括柔性電纜112在內，關於稱為“電纜”之零件之連接表示電連接。柔性電纜112包括作為導體之訊號線，藉由該訊號線與連接區域43連接而被電連接。本實施形態的柔性電纜112為可撓性配線的一例。
TFT基板12的連接區域43(43A)上熱壓接合有複數個(在圖6中，為4個)柔性電纜112的一端。柔性電纜112具有連接驅動部103與掃描配線38(參閱圖1)之功能。柔性電纜112中包含之複數個訊號線經由連接區域43與TFT基板12的掃描配線38(參閱圖1)連接。
另一方面，柔性電纜112的另一端與設置於驅動基板202的外周的區域之連接區域243(243A)熱壓接合。柔性電纜112中包含之複數個訊號線經由連接區域243與裝載於驅動基板202之電路及元件等亦即驅動零件250連接。
在圖6中，作為一例，示出了9個驅動零件250(250A~250I)裝載於驅動基板202之狀態。如圖6所示，本實施形態之驅動零件250沿與撓曲方向Y交叉之方向亦即交叉方向X配置，該撓曲方向Y為沿與TFT基板12的連接區域43(43A)對應之 邊之方向。
本實施形態之驅動基板202為可撓性PCB(Printed Circuit Board，印刷電路板)基板亦即柔性基板。裝載於驅動基板202之驅動零件250主要為用於數位訊號的處理之零件(以下，稱為“數位零件”)。作為驅動零件250的例子，可舉出數位緩衝器、旁路電容器、上拉/下拉電阻、阻尼電阻及EMC(Electro Magnetic Compatibility，電磁相容性)對策晶片零件等。再者，驅動基板202可以不一定為可撓性基板，亦可以為後述之非可撓性的剛性基板。
數位零件趨於面積(大小)相對小於後述之類比零件。又，與類比零件相比，數位零件趨於不太容易受電干擾(例如，雜訊)的影響。因此，在本實施形態中，在TFT基板12撓曲之情況下，將隨著TFT基板12之撓曲而撓曲之一側之基板設為裝載有驅動零件250之驅動基板202。
又，與驅動基板202連接之柔性電纜112上裝載有驅動電路部212。驅動電路部212與柔性電纜112中包含之複數個訊號線連接。
在本實施形態中，由裝載於驅動基板202之驅動零件250和驅動電路部212實現驅動部103。驅動電路部212為包括實現驅動部103之各種電路及元件中不同於裝載於驅動基板202之驅動零件250之電路之IC(Integrated Circuit，積體電路)。
如此，在本實施形態的放射線檢測器10中，藉由柔性電纜112，TFT基板12與驅動基板202電連接，由此驅動部103與 各掃描配線38連接。
另一方面，TFT基板12的連接區域43(43B)上熱壓接合有複數個(在圖6中，為4個)柔性電纜112的一端。柔性電纜112中包含之複數個訊號線經由連接區域43與訊號配線36(參閱圖1)連接。柔性電纜112具有連接訊號處理部104與訊號配線36(參閱圖1)之功能。
另一方面，柔性電纜112的另一端與設置於訊號處理基板304的連接區域243(243B)之連接器330電連接。柔性電纜112中包含之複數個訊號線經由連接器330與裝載於訊號處理基板304之電路及元件等亦即訊號處理零件350連接。作為連接器330，例如可舉出ZIF(Zero Insertion Force，零插力)構造的連接器或Non-ZIF構造的連接器。在圖6中，作為一例，示出了9個訊號處理零件350(350A~350I)裝載於訊號處理基板304之狀態。如圖6所示，本實施形態的訊號處理零件350沿交叉方向X而配置，該交叉方向X為沿TFT基板12的連接區域43(43B)之方向。
再者，本實施形態的訊號處理基板304為非可撓性PCB基板亦即剛性基板。因此，訊號處理基板304的厚度厚於驅動基板202的厚度。又，訊號處理基板304剛性高於驅動基板202。
裝載於訊號處理基板304之訊號處理零件350主要為用於類比訊號的處理之零件(以下，稱為“類比零件”)。作為訊號處理零件350的例子，可舉出運算放大器、類比數位轉換器(ADC)、 數位類比轉換器(DAC)、電源IC等。又，本實施形態之訊號處理零件350還包括零件尺寸較大的電源周邊的線圈及平滑用大容量電容器。
如上所述，類比零件趨於面積(大小)相對大於數位零件。又，與數位零件相比，類比零件趨於容易受電干擾(例如，雜訊)的影響。因此，在本實施形態中，在TFT基板12撓曲之情況下，將未撓曲之(不受撓曲的影響之)一側的基板設為裝載有訊號處理零件350之訊號處理基板304。
又，與訊號處理基板304連接之柔性電纜112上裝載有訊號處理電路部314。訊號處理電路部314與柔性電纜112中包含之複數個訊號線連接。
在本實施形態中，由裝載於訊號處理基板304之訊號處理零件350和訊號處理電路部314實現訊號處理部104。訊號處理電路部314為包括實現訊號處理部104之各種電路及元件中不同於裝載於訊號處理基板304之訊號處理零件350之電路之IC。
如此，在本實施形態的放射線檢測器10中，藉由柔性電纜112，TFT基板12與訊號處理基板304電連接，藉此訊號處理部104與各訊號配線36連接。
又，如圖4所示之一例，本實施形態的放射線檢測器10在強化基板40與TFT基板12的第1面12A之間隔著柔性電纜112、防濕劑44及黏著層45設置有密封轉換層14的側面之間隔物46。
設置間隔物46之方法並無特別限定，例如可以在強化基板40的端部的黏著層48上貼附間隔物46，並將設置有間隔物46之狀態的強化基板40貼附於設置有積層體19、柔性電纜112、防濕劑44及黏著層45之狀態的TFT基板12，藉此將間隔物46設置於TFT基板12與強化基板40之間。再者，間隔物46的寬度(與積層體19的積層方向交叉之方向的寬度)並不限定於圖4所示之例子。例如，可以將間隔物46的寬度擴展至比圖4所示之例子更靠近轉換層14之位置。又，間隔物46亦可以在TFT基板12的第1面12A上利用樹脂或陶瓷等填縫而形成。
又，本實施形態的TFT基板12的第2面12B上設置有具有防止濕氣等水分之功能之保護膜42。作為保護膜42的材料，例如可舉出與保護層22相同的材料。
作為本實施形態的放射線檢測器10的製造方法的一例，可舉出以下方法。參閱圖4、圖7及圖8對本實施形態的放射線檢測器10的製造方法的一例進行說明。再者，在圖8中，示出了與驅動基板202連接之柔性電纜112為6個之情況。
預先準備在製作成與放射線檢測器10的大小匹配之所期望的大小之強化基板40上塗佈黏著層48並在黏著層48上設置間隔物46之狀態者。
另一方面，如圖7所示，經由剝離層在厚度厚於基材11之玻璃基板等支撐體400上形成基材11。與基材11中的TFT基板12的第2面12B對應之面與剝離層接觸。
進而，如圖4所示，在基材11的像素區域35上形成包含複數個像素30之感測器部層50。再者，在本實施形態中，作為一例，經由使用SiN等之底塗層在基材11的像素區域35上形成感測器部層50。
進而，在感測器部層50上形成轉換層14。在本實施形態中，首先，在從TFT基板12的第1面12A上的感測器部層50的轉換層14側的面的整個面經由感測器部層50的端面至基材11的感測器部層50側的面的一部分為止的區域形成固定層13。之後，藉由真空沉積法、濺射法及CVD(Chemical Vapor Deposition，化學氣相沉積)法等氣相沉積法在TFT基板12上(更詳細而言，在固定層13上)直接形成CsI轉換層14作為柱狀結晶。此時，轉換層14的與像素30接觸之一側成為柱狀結晶的生長方向基點側。
再者，如此，在藉由氣相沉積法固定層13上直接設置CsI轉換層14之情況下，轉換層14的與和固定層13接觸之一側相反之一側的面上，例如可以設置有具有反射藉由轉換層14轉換之光之功能之反射層。反射層可以直接設置於轉換層14，亦可以經由黏合層等設置。作為反射層的材料，使用有機系材料者為較佳，例如，將白PET、TiO2、Al2O3、發泡白PET、聚酯系高反射薄片及鏡面反射鋁等中的至少一個用作材料者為較佳。尤其，從反射率的觀點考慮，將白PET用作材料者為較佳。再者，聚酯系高反射薄片係指，具有重疊複數個較薄之聚酯薄片而成之多層構造之薄片(薄膜)。
又，在將CsI閃爍器用作轉換層14之情況下，還能夠藉由不同於本實施形態之方法在TFT基板12(固定層13)上形成轉換層14。例如可以準備藉由氣相沉積法在鋁板等上沉積CsI而成者，並藉由黏著性薄片等貼合CsI的未與鋁板接觸之一側和TFT基板12(固定層13)，藉此在TFT基板12(固定層13)上形成轉換層14。此時，將藉由保護膜覆蓋還包括鋁板之狀態的轉換層14整體之狀態者與TFT基板12(固定層13)進行貼合為較佳。再者，此時，轉換層14的與固定層13接觸之一側成為柱狀結晶的生長方向的前端側。
又，亦可以與本實施形態之放射線檢測器10不同地，使用GOS(Gd2O2S：Tb)等作為轉換層14而代替CsI。此時，例如準備藉由黏著層等在由白PET等形成之支撐體上貼合使GOS分散於樹脂等黏合劑中而得之薄片而成者，藉由黏著性薄片等貼合GOS的未貼合支撐體之一側和TFT基板12(固定層13)，藉此能夠在TFT基板12上形成轉換層14。再者，與使用GOS之情況相比，在轉換層14中使用CsI之情況下，從放射線向可見光的轉換效率高。
進而，在TFT基板12的連接區域43(43A及43B)熱壓接合柔性電纜112，使柔性電纜112中包含之複數個訊號線與TFT基板12的連接區域43(43A及43B)電連接。
進而，在驅動基板202的連接區域243(243A)熱壓接合柔性電纜112，使柔性電纜112中包含之複數個訊號線與裝載於驅 動基板202之驅動零件250電連接。
然後，將預先準備之設置有間隔物46之強化基板40貼合於形成有轉換層14且與柔性電纜112連接之TFT基板12，藉此密封轉換層14。再者，在進行上述貼合之情況下，會在大氣壓下或減壓下(真空下)進行，但為了抑制空氣等進入所貼合之部位之間，在減壓下進行為較佳。
之後，如圖8所示，從支撐體400剝離放射線檢測器10。在藉由機械剝離進行剝離之情況下，在圖8所示之一例中，以TFT基板12的與連接有柔性電纜112之邊對向之邊為剝離的起點，從成為起點之邊朝向連接有柔性電纜112之邊向圖8所示之箭頭D方向逐漸從支撐體400剝離TFT基板12，藉此進行機械剝離，獲得連接有柔性電纜112之狀態的放射線檢測器10。
再者，作為剝離的起點之邊為俯視TFT基板12時的與最長邊交叉之邊為較佳。亦即，沿因剝離而產生撓曲之撓曲方向Y之邊為最長邊為較佳。在本實施形態中，驅動基板202藉由柔性電纜112連接之邊長於訊號處理基板304藉由柔性電纜112連接之邊。因此，以與設置有連接區域43(43B)之邊對向之邊為以剝離的起點。
在本實施形態中，在從支撐體400剝離TFT基板12之後，進一步電連接放射線檢測器10之柔性電纜112與訊號處理基板304之連接器330。如此，在本實施形態中，製造在圖3~圖5中示出一例之放射線檢測器10。
再者，放射線檢測器10的製造方法並不限定於本實施形態，亦可以在使放射線檢測器10的柔性電纜112與訊號處理基板304的連接器330電連接之後，進行上述機械剝離。
在進行機械剝離時，在本實施形態的放射線圖像攝影裝置1(參閱後述之圖15)中，如圖8所示，驅動基板202為可撓性基板，因此驅動基板202亦隨著TFT基板12的撓曲而撓曲。
在此，在從支撐體400剝離TFT基板12之情況下，基材11具有可撓性，因此TFT基板12容易撓曲。在TFT基板12較大地撓曲之情況下，轉換層14亦較大地撓曲，其結果，有轉換層14從TFT基板12剝離之慮。尤其，轉換層14的端部容易從TFT基板12剝離。
又，並不限於從支撐體400剝離TFT基板12之情況，在放射線圖像攝影裝置1的製程的中途等單獨處理放射線檢測器10之情況下，亦會因TFT基板12撓曲，有轉換層14從TFT基板12剝離之慮。相對於此，在本實施形態的放射線檢測器10中，包含具有降伏點的材料且剛性高於基材11之強化基板40設置於與TFT基板12的第1面12A對向之一側的面亦即第1面19A。因此，依本實施形態的放射線檢測器10，能夠抑制TFT基板12較大地撓曲，能夠抑制轉換層14從TFT基板12剝離。
又，如上所述，與玻璃基板相比，聚醯亞胺等可撓性基板的導熱率低且比熱高，因此在放射線檢測器10的製程中，在熱施加於可撓性基板之情況下，難以散熱。又，在使用內置有放射線檢 測器10之放射線圖像攝影裝置1之情況下，熱容易滯留在可撓性基板上，溫度趨於容易上升。若可撓性基板的溫度上升，則會產生熱膨脹，可撓性基板發生翹曲，其結果，有時感測器部層50會從基材11剝離。
相對於此，在本實施形態的放射線檢測器10中，藉由固定層13將感測器部層50固定於基材11。因此，在本實施形態的放射線檢測器10中，能夠抑制感測器部層50發生從基材11上的剝離。
又，在本實施形態的放射線檢測器10中，固定層13設為包含樹脂者，因此與由金屬等構成固定層13之情況相比，能夠輕型化放射線檢測器10。
尤其，在本實施形態的放射線檢測器10中，固定層13在感測器部層50的端部處將感測器部層50固定於基材11，因此與將感測器部層50的底面部直接固定於基材11之情況相比，能夠高效地進行固定。
進而，在本實施形態的放射線檢測器10中，固定層13藉由覆蓋從感測器部層50的轉換層14側的面的整個面經由感測器部層50的端面至基材11的感測器部層50側的面為止的區域而將感測器部層50固定於基材11。因此，與固定層13僅覆蓋感測器部層50的轉換層14側的面的一部分區域之情況相比，能夠將感測器部層50更牢固地固定於基材11。
[第2實施形態]
接著，對第2實施形態進行說明。在圖9中示出本實施形態的放射線檢測器10的一例的剖面圖。
如圖9所示，在本實施形態的放射線檢測器10中，TFT基板12側的第2面12B上設置有強化構件41。在本實施形態的放射線檢測器10中，如圖9所示，與上述實施形態相同地，在TFT基板12與強化構件41之間設置有保護膜42。
與強化基板40相同地，強化構件41的剛性高於基材11，相對於沿垂直方向施加於第1面12A之力之尺寸變化(變形)小於相對於沿垂直方向施加於基材11的第1面12B之力之尺寸變化。又，本實施形態的強化構件41的厚度厚於基材11的厚度，且薄於強化基板40的厚度。作為本實施形態的強化構件41的材料，熱可塑性的樹脂為較佳，能夠使用與強化基板40相同的材料。再者，在此所說之剛性亦表示包括強化構件41及基材11的厚度在內之強化構件41及基材11的彎曲難度，剛性越高表示越難彎曲。與強化基板40相同地，強化構件41的彎曲彈性係數亦為1000MPa以上且2500MPa以下為較佳。
再者，可以藉由追加強化構件進一步加強強化構件41，追加強化構件例如可以為碳板等剛性板。在藉由追加強化構件覆蓋轉換層14的整個面之情況下，只要追加強化構件的材質為X射線吸收量少的碳等，則亦能夠在表面讀取方式及背面讀取方式中的任一方式中抑制X射線損失。在此，X射線損失係指，到達轉換層14之X射線因所照射之X射線被追加強化構件吸收而減少。 追加強化構件具有大於強化構件41的彎曲彈性係數之彎曲彈性係數。追加強化構件的彎曲彈性係數例如為8000MPa以上為較佳。又，作為追加強化構件的彎曲彈性係數的上限，60000MPa以下為較佳。再者，碳的彎曲彈性係數為8000MPa~50000MPa左右，從彎曲彈性係數的觀點考慮，碳亦適合作為追加強化構件。
本實施形態的放射線檢測器10例如在藉由與在第1實施形態中既述之放射線檢測器10的製造方法相同的製造方法而在設置有積層體19之TFT基板12上貼合設置有間隔物46之強化基板40之後，從支撐體400剝離TFT基板12。之後，藉由塗佈等在TFT基板12的第2面12B上設置保護膜42及強化構件41，藉此能夠製造本實施形態的放射線檢測器10。
在本實施形態的放射線檢測器10中，TFT基板12的與形成有感測器部層50之第1面12A對向之第2面12B上設置有剛性高於基材11之強化構件41。因此，與第1實施形態的放射線檢測器10相比，能夠進一步抑制TFT基板12較大地撓曲，能夠抑制轉換層14及感測器部層50從TFT基板12剝離。
又，例如，在轉換層14的熱膨脹係數與強化基板40的熱膨脹係數之差相對大之情況下，TFT基板12容易翹曲。相對於此，在本實施形態的放射線檢測器10中，藉由強化基板40和強化構件41夾住TFT基板12，能夠抑制TFT基板12因熱膨脹係數之差等而翹曲。
[第3實施形態]
在上述各實施形態中，對作為本揭示的固定構件之固定層13覆蓋感測器部層50的轉換層14側的面的整個面之形態進行了例示，但本揭示的固定構件並不限於該形態。例如，作為固定構件，亦可以設為如下形態：藉由覆蓋從感測器部層50的轉換層14側的面的一部分經由感測器部層50的端面至基材11的感測器部層50側的面的一部分為止的區域而將感測器部層50固定於基材11。
在圖10中示出本實施形態的放射線檢測器10的一例的剖面圖。再者，圖10中的與圖4相同的構成要件上標註與圖4相同的符號並省略其說明。
如圖10所示，本實施形態之放射線檢測器10僅在代替第1實施形態的放射線檢測器10中的固定層13而設為關於感測器部層50的轉換層14側的面僅覆蓋感測器部層50的外周部附近之固定構件13B這一方面不同。
在本實施形態之放射線檢測器10中，如圖10所示，固定構件13B以比轉換層14的外周部更靠外側的位置為感測器部層50的轉換層14側的面的端部的位置。因此，本實施形態之轉換層14直接形成於感測器部層50的上表面。但是，並不限於該形態，固定構件13B亦可以設為以比轉換層14的外周部更靠內側的位置為感測器部層50的轉換層14側的面的端部的位置之形態。再者，該形態中的固定構件13的形成方法與上述各實施形態之固定層13相同，因此在此省略說明。
在圖11及圖12中示出了本第3實施形態之固定構件13B 的變形例。再者，圖11及圖12係從強化基板40側觀察放射線檢測器10時的平面圖。又，在圖11及圖12中，為了避免複雜，僅示出了放射線檢測器10的要部(基材11、固定構件13C(13D)、感測器部層50、轉換層14)。
圖11所示之例子為固定構件13C僅單獨地固定俯視下矩形的感測器部層50的4角點的每一個之形態。又，在圖12所示之例子中，固定構件13D以遍及俯視下矩形的感測器部層50的各對角間之方式設置成俯視下X狀。再者，固定構件13C及固定構件13D的基材11側的端部的位置與上述各實施形態之固定層13相同。該形態中的固定構件13的形成方法亦與上述各實施形態之固定層13相同，因此在此省略說明。
在第3實施形態、圖11、圖12所示之形態中，固定構件藉由覆蓋從感測器部層50的轉換層14側的面的一部分經由感測器部層50的端面至基材11的感測器部層50側的面為止的區域而將感測器部層50固定於基材11。因此，與固定層13覆蓋感測器部層50的轉換層14側的面的整個面之情況相比，能夠提高藉由放射線檢測器10而得之放射線圖像的畫質。
再者，強化基板40的大小並不限定於上述各實施形態。例如，如圖13所示之一例，強化基板40及黏著層48的端部(外周)與保護層22的端部(外周)亦可以為相同的位置。再者，藉由強化基板40覆蓋寬於轉換層14覆蓋TFT基板12的第1面12A之區域之區域為較佳，藉由強化基板40覆蓋寬於覆蓋轉換層14 的上表面整體之區域之區域為更佳。
又，如圖14所示之一例，基材11與像素30尤其像素30的TFT32的閘極電極80之間設置有由無機材料構成之層90為較佳。作為圖14所示之一例的情況的無機材料，可舉出SiNx或SiOx等。TFT32的汲極電極81和源極電極82形成於相同的層，形成有汲極電極81及源極電極82之層與基材11之間形成有閘極電極80。又，基材11與閘極電極80之間設置有由無機材料構成之層90。
又，如圖1所示，上述各實施形態中，對像素30二維排列成矩陣狀之態樣進行了說明，但並不限定於此，例如亦可以為一維排列，還可以為蜂窩排列。又，像素的形狀亦無限定，可以為矩形，亦可以為六邊形等多邊形。進而，感測器部層50的形狀亦無限定。
又，轉換層14的形狀等亦不限定於上述各實施形態。在上述各實施形態中，對轉換層14的形狀與感測器部層50的形狀相同地為矩形之態樣進行了說明，但轉換層14的形狀亦可以為不同於感測器部層50之形狀。又，感測器部層50的形狀例如可以為其他多邊形，亦可以為圓形，而非矩形。
又，在上述放射線檢測器10的製造方法中，對藉由機械剝離從支撐體400剝離TFT基板12之製程進行了說明，但剝離方法並不限定於所說明之形態。例如，亦可以設為如下形態：進行從支撐體400的形成有TFT基板12之相反側的面照射雷射而進行 TFT基板12的剝離之所謂雷射剝離。即使在該情況下，依放射線檢測器10，在從支撐體400剝離TFT基板12之後單獨處理放射線檢測器10之情況下，亦能夠抑制轉換層14及感測器部層50從TFT基板12剝離。
再者，上述各實施形態的放射線檢測器10可以適用於從TFT基板12側照射放射線之表面讀取方式的放射線圖像攝影裝置，亦可以適用於從轉換層14側照射放射線之背面讀取方式的放射線圖像攝影裝置。
在圖15中示出將第1實施形態的放射線檢測器10適用於表面讀取方式的放射線圖像攝影裝置1之狀態的一例的剖面圖。
如圖15所示，在框體120內沿與放射線的入射方向交叉之方向排列設置有放射線檢測器10、電源部108及控制基板110。放射線檢測器10設置成感測器部層50的未設置轉換層14之一側與透射被攝體之放射線所照射之框體120的攝影面120A側對向。
控制基板110為形成有存儲與從感測器部層50的像素30讀取之電荷對應之圖像資料之圖像記憶體380或控制從像素30的電荷讀取等之控制部382等之基板，其藉由包括複數個訊號配線之柔性電纜112與感測器部層50的像素30電連接。再者，在圖15所示之放射線圖像攝影裝置1中，設為藉由控制部382的控制而控制像素30的TFT32的開關狀態之驅動部103及生成並輸出與從像素30讀取之電荷對應之圖像資料之訊號處理部104設置在柔性電纜112上之所謂COF(Chip On Film，薄膜覆晶)，但亦可 以在控制基板110上形成有驅動部103及訊號處理部104中的至少一者。
又，控制基板110藉由電源線114與向形成於控制基板110之圖像記憶體380或控制部382等供電之電源部108連接。再者，控制部382包括硬體的處理器。處理器可以為藉由從ROM(Read Only Memory，唯讀記憶體)等記憶體下載並執行控制程式而發揮功能之CPU(Central Processing Unit，中央處理單元)等，亦可以為預先設定有功能之ASIC(Application Specific Integrated Circuit，特殊應用積體電路)等。
圖15所示之放射線圖像攝影裝置1的框體120內，在射出透射放射線檢測器10之放射線之一側還設置有薄片116。作為薄片116，例如可舉出銅製薄片。銅製薄片使所入射之放射線導致之二次放射線不易產生，因此具有防止向後方亦即轉換層14側散射之功能。再者，薄片116至少覆蓋轉換層14的射出放射線之一側的面整體為較佳，又，覆蓋轉換層14整體為更佳。
又，圖15所示之放射線圖像攝影裝置1的框體120內，在放射線所入射之一側(攝影面120A側)還設置有保護層117。作為保護層117，能夠適用在絕緣性薄片(薄膜)上黏接鋁箔等而積層有鋁之Alpet(註冊商標)薄片、Parylene(註冊商標)膜及聚對酞酸乙二酯等絕緣性薄片等防濕膜。保護層117對感測器部層50具有防濕功能及防靜電功能。因此，保護層117至少覆蓋感測器部層50的放射線所入射之一側的面整體為較佳，覆蓋放射線所 入射之一側的TFT基板12的面整體為更佳。
再者，在圖15中示出了將電源部108及控制基板110這兩者設置於放射線檢測器10之一側、詳細而言設置於矩形的感測器部層50之一個邊側之形態，但設置電源部108及控制基板110之位置並不限定於圖15所示之形態。例如，可以將電源部108及控制基板110分開設置於感測器部層50的2個對向之邊的各邊，亦可以分開設置於相鄰之2個邊的各邊。
又，在圖16中示出在表面讀取方式的放射線圖像攝影裝置1中適用第1實施形態的放射線檢測器10之狀態的另一例的剖面圖。
如圖16所示，在框體120內沿與放射線的入射方向交叉之方向排列設置有電源部108及控制基板110，沿放射線的入射方向排列設置有放射線檢測器10和電源部108及控制基板110。
又，在圖16所示之放射線圖像攝影裝置1中，在控制基板110及電源部108與薄片116之間設置有支撐放射線檢測器10及控制基板110之基座118。基座118例如使用碳等。
此外，上述各實施形態中說明之放射線檢測器10等的構成和製造方法等為一例，能夠在不脫離本發明的宗旨之範圍內根據狀況進行變更。
本申請主張2018年9月27日申請之日本專利申請第2018-182729號的優先權，並且藉由參閱將其全文援用於本說明書中。
10:放射線檢測器
11:基材
12:TFT基板
12A、19A:第1面
12B:第2面
13:固定層
14:轉換層
19:積層體
22:保護層
35:像素區域
40:強化基板
42:保護膜
43:連接區域
44:防濕劑
45:黏著層
46:間隔物
48:黏著層
50:感測器部層
112:柔性電纜

Claims (15)

  1. 一種放射線檢測器，其具備：基板，在可撓性基材的像素區域上包括感測器部層，該感測器部層具有蓄積根據從放射線轉換之光產生之電荷之複數個像素；轉換層，設置於該基材的設置有該像素區域之面側，且將該放射線轉換為光；及固定構件，設置於比該轉換層更靠該基板側，且藉由覆蓋從該感測器部層的該轉換層側的面的至少一部分經由該感測器部層的端面至該基材的該感測器部層側的面的至少一部分為止的區域而將該感測器部層固定於該基材。
  2. 如請求項1所述之放射線檢測器，其中該固定構件構成為包含樹脂。
  3. 如請求項1所述之放射線檢測器，其中該固定構件藉由覆蓋從該感測器部層的該轉換層側的面的整個面經由該感測器部層的端面至該基材的該感測器部層側的面的至少一部分為止的區域而將該感測器部層固定於該基材。
  4. 如請求項3所述之放射線檢測器，其中該基材及該固定構件包含相同的材料。
  5. 如請求項3所述之放射線檢測器，其中該基材的熱膨脹係數CTEflex與該固定構件的熱膨脹係數CTEsur之比為0.5
    Figure 108134759-A0305-02-0040-4
    CTEsur/CTEflex
    Figure 108134759-A0305-02-0040-5
    4。
  6. 如請求項1所述之放射線檢測器，其中 該基材包含聚醯亞胺。
  7. 如請求項6所述之放射線檢測器，其中該基材藉由塗佈而形成。
  8. 如請求項6所述之放射線檢測器，其中該固定構件包含聚醯亞胺或Parylene。
  9. 如請求項1所述之放射線檢測器，其還具備覆蓋該轉換層之密封層，該固定構件的材質不同於該密封層的材質。
  10. 如請求項1所述之放射線檢測器，其中該轉換層為藉由CsI柱狀結晶直接沉積而形成者，該放射線檢測器在該柱狀結晶的前端部側還具備剛性高於該基材之強化基板。
  11. 如請求項10所述之放射線檢測器，其中該強化基板包含具有降伏點之材料。
  12. 如請求項10所述之放射線檢測器，其中該強化基板設置於寬於設置有該轉換層之區域之區域。
  13. 如請求項10所述之放射線檢測器，其在該基板的與設置有該像素區域之面對向之面上還具備剛性高於該基材之強化構件。
  14. 一種放射線圖像攝影裝置，其具備：如請求項1或2所述之放射線檢測器；控制部，輸出用於讀取蓄積於該複數個像素之電荷之控制訊 號；及電路部，藉由可撓性配線與該放射線檢測器電連接，且根據該控制訊號從該複數個像素讀取電荷。
  15. 一種放射線檢測器的製造方法，其經由剝離層在支撐體上設置可撓性基材，並在該基材的像素區域上形成設置有感測器部層之基板，該感測器部層具有蓄積根據從放射線轉換之光產生之電荷之複數個像素，形成將該感測器部層固定於該基材之固定構件，在該基材的設置有該像素區域之面側形成將該放射線轉換為光之轉換層，在該轉換層的與和該基板側的面對向之一側的面相反之一側的面上貼合剛性高於該基材之強化基板，從該支撐體剝離設置有該轉換層及該強化基板之該基板，該固定構件藉由覆蓋從該感測器部層的該轉換層側的面的至少一部分經由該感測器部層的端面至該基材的該感測器部層側的面的至少一部分為止的區域而將該感測器部層固定於該基材。
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