TWI826330B - 半導體製程系統及其半導體製程方法 - Google Patents
半導體製程系統及其半導體製程方法 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI826330B TWI826330B TW112120722A TW112120722A TWI826330B TW I826330 B TWI826330 B TW I826330B TW 112120722 A TW112120722 A TW 112120722A TW 112120722 A TW112120722 A TW 112120722A TW I826330 B TWI826330 B TW I826330B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- metal layer
- wafer
- substrate
- graphite
- semiconductor manufacturing
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 50
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title abstract 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 133
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 133
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 131
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 131
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims abstract description 131
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 79
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 48
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 40
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 34
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 13
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims description 10
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 8
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 7
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 7
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 6
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011135 tin Substances 0.000 claims description 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 6
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 4
- FTWRSWRBSVXQPI-UHFFFAOYSA-N alumanylidynearsane;gallanylidynearsane Chemical compound [As]#[Al].[As]#[Ga] FTWRSWRBSVXQPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N aluminum gallium Chemical compound [Al].[Ga] RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 2
- 238000005086 pumping Methods 0.000 claims description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 abstract description 4
- 230000006835 compression Effects 0.000 abstract 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 70
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 20
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910000743 fusible alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Pressure Welding/Diffusion-Bonding (AREA)
Abstract
本發明係關於一種半導體製程系統及其半導體製程方法。半導體製程方法透過熱壓接合模組之上加熱裝置及下加熱裝置夾持預接合製程狀態下之下石墨製具、下石墨墊片、晶圓片、第一金屬層、基板、第二金屬層、上石墨墊片及上石墨製具，並對上石墨製具、上石墨墊片、晶圓片、第一金屬層、下石墨製具、下石墨墊片、基板及第二金屬層加壓，以使第一金屬層及第二金屬層平坦，以及對晶圓片、第一金屬層、基板及第二金屬層加溫並持續加壓，以接合第一金屬層及第二金屬層。
Description
本發明係關於半導體製程系統及半導體製程方法，特別是關於先對晶圓片及基板加壓後，再使晶圓片及基板升溫並持續加壓之半導體製程方法。
關於三五族化合物半導體，業界進行長晶時，需選用適合的基板上長出所需的薄膜，以符合其產品的應用性（例如：LED發光元件、高功率元件、氣體偵測元件及不可見光檢知元件等）。針對紅光或紅外光波段LED，目前業界慣用的載板為砷化鎵（GaAs）基板，於其上成長晶圓片之後成為晶圓片，再於其上鍍上金屬，與另一矽（Si）晶圓片。此外，陶瓷基板（AlN）或藍寶石（Al
2O
3）等基板，於其上亦鍍上另一金屬，經熱壓接合製程後，用藥液去除砷化鎵基板後，以進行後續製程，可製成垂直式和水平式的LED。
熱壓接合製程若是以先升溫熔合晶圓片上的金屬與基板上的金屬後，再施加壓力壓平晶圓片，再以藥液去除載板後，晶圓片會出現破洞及連續性的裂痕，甚至是出現晶圓片上材料剝離或脫落的情況發生。
有鑑於此，本發明提出可控制晶圓片良率，避免晶圓片破洞及材料剝離脫落或產生連續性裂痕的方法。
本發明之目的在於提供一種半導體製程機制，其透過先加壓再升溫的順序，將晶圓片先壓平後再升溫，使晶圓片上的金屬層及基板上的金屬層在熔合形成合金狀態後，晶圓片及基板之接合面不會因為後續外加的壓力而造成連續性裂痕或破洞的情況。
為達上述目的，本發明揭露一種半導體製程方法，適用於一半導體製程系統。該半導體製程系統包含一熱壓接合模組、一下石墨製具、一下石墨墊片、一晶圓片、一上石墨製具、上石墨墊片以及一基板。該熱壓接合模組包含一腔體、一上加熱裝置以及一下加熱裝置。該上加熱裝置及該下加熱裝置設置於該腔體中，該半導體製程方法之步驟包含：將該下石墨墊片設置於該下石墨製具；將該晶圓片設置於該下石墨墊片上，該晶圓片鍍有一第一金屬層；將一基板與該晶圓片對位，並進行一預接合製程，該基板鍍有一第二金屬層；於該基板上蓋上該上石墨墊片；於該上石墨墊片上蓋上該上石墨製具，以完成該預接合製程；透過該上加熱裝置及該下加熱裝置夾持該預接合製程狀態下之該下石墨製具、該下石墨墊片、該晶圓片、該第一金屬層、該基板、該第二金屬層、該上石墨墊片及該上石墨製具；對該上石墨製具、該上石墨墊片、該晶圓片、該第一金屬層、該下石墨製具、該下石墨墊片、該基板及該第二金屬層加壓，以使該第一金屬層及該第二金屬層平坦；以及對該晶圓片、該第一金屬層、該基板及該第二金屬層加溫並持續加壓，以接合該第一金屬層及該第二金屬層。
於一實施例中，半導體製程方法更包含：透過該下加熱裝置加熱該下石墨製具、該下石墨墊片、該晶圓片晶圓片及該第一金屬層，以使該第一金屬層升溫；透過該上加熱裝置加熱該上石墨製具、該上石墨墊片、該基板及該第二金屬層，以使該第二金屬層升溫；以及接合該第一金屬層及該第二金屬層，使該第一金屬層及該第二金屬層形成一合金層。
於一實施例中，該熱壓接合模組包含一加壓氣缸及一加壓機構。該半導體製程方法之步驟更包含：透過該加壓氣缸帶動該加壓機構，對該上石墨製具、該上石墨墊片、該晶圓片、該第一金屬層、該下石墨製具、該下石墨墊片、該基板及該第二金屬層加壓。
於一實施例中，該熱壓接合模組更包含一幫浦。該半導體製程方法之步驟更包含：透過該幫浦對該腔體抽氣，使該腔體形成一真空狀態；以及於該真空狀態下接合該第一金屬層及該第二金屬層。
於一實施例中，該熱壓接合模組更包含一排風通道。該半導體製程方法之步驟更包含：透過一氮氣冷卻該腔體；以及透過該排風通道排出該腔體中之該氮氣。
於一實施例中，該晶圓片由一磊晶層及一載板構成，該磊晶層成長於該載板。該半導體製程方法之步驟更包含：移除該載板；以及根據該磊晶層之一狀態判斷該磊晶層之一良率。
於一實施例中，半導體製程方法中之該基板係一矽晶基板、一陶瓷基板及一藍寶石基板其中之一。
於一實施例中，半導體製程方法中之該第一金屬層係由金、鉑、鈀、鈦、錫、銦及鉻至少其中之一所製成。
於一實施例中，半導體製程方法中之該第二金屬層係由金、鉑、鈀、鈦、錫、銦及鉻至少其中之一所製成。
於一實施例中，半導體製程方法中之該晶圓片之一材料係一磷化鋁鎵銦、一砷化鋁鎵、一砷化鎵、一磷砷化鎵及一磷化銦其中之一。
此外，本發明更揭露一種半導體製程系統，其包含一下石墨製具、一下石墨墊片、一晶圓片、一基板、一上石墨墊片、一上石墨製具以及一熱壓接合模組。該下石墨墊片設置於該下石墨製具。該晶圓片設置於該下石墨墊片。該晶圓片鍍有一第一金屬層。該基板與該晶圓片對位，以進行一預接合製程。該基板鍍有一第二金屬層。該上石墨墊片覆蓋於該基板上。該上石墨製具覆蓋於該上石墨墊片上，以完成該預接合製程。該熱壓接合模組包含一腔體、一上加熱裝置以及一下加熱裝置。該上加熱裝置設置於該腔體中。該下加熱裝置設置於該腔體中，與該上加熱裝置共同夾持該預接合製程狀態下之該下石墨製具、該下石墨墊片、該晶圓片、該第一金屬層、該基板、該第二金屬層、該上石墨墊片及該上石墨製具。該熱壓接合模組對該上石墨製具、該上石墨墊片、該晶圓片、該第一金屬層、該下石墨製具、該下石墨墊片、該基板及該第二金屬層加壓，以使該第一金屬層及該第二金屬層平坦。該熱壓接合模組對該晶圓片、該第一金屬層、該基板及該第二金屬層加溫並持續加壓，以接合該第一金屬層及該第二金屬層。
在參閱圖式及隨後描述之實施方式後，此技術領域具有通常知識者便可瞭解本發明之其他目的，以及本發明之技術手段及實施態樣。
以下將透過實施例來解釋本發明內容，本發明的實施例並非用以限制本發明須在如實施例所述之任何特定的環境、應用或特殊方式方能實施。因此，關於實施例之說明僅為闡釋本發明之目的，而非用以限制本發明。需說明者，以下實施例及圖式中，與本發明非直接相關之元件已省略而未繪示，且圖式中各元件間之尺寸關係僅為求容易瞭解，並非用以限制實際比例。
請參考圖1至圖5。圖1為本發明半導體製程系統1000之示意圖。圖2為本發明預接合製程之示意圖。半導體製程系統1000包含一下石墨製具100、一下石墨墊片200、一晶圓片300、一基板400、一上石墨墊片500、一上石墨製具600以及一熱壓接合模組700。
晶圓片300之材料為一磷化鋁鎵銦、一砷化鋁鎵、一砷化鎵、一磷砷化鎵及一磷化銦其中之一，但不限於此，且晶圓片300鍍有一第一金屬層310。第一金屬層310的材質為金、鉑、鈀、鈦、錫、銦及鉻至少其中之一，但不限於此。
基板400可為一矽晶基板、一陶瓷基板（AlN）及一藍寶石基板（Al2O3）其中之一，但不限於此，且基板400鍍有一第二金屬層410。第二金屬層410的材質為金、鉑、鈀、鈦、錫、銦及鉻至少其中之一，但不限於此。
熱壓接合模組700包含一腔體710、一上加熱裝置720、一下加熱裝置730、一加壓氣缸740、一加壓機構750、一幫浦760及一排風通道770。上加熱裝置720與下加熱裝置730皆設置於腔體710中。於進行熱壓接合前，熱壓接合模組700需準備前置作業。詳言之，熱壓接合過程係於腔體710為真空狀態下操作。幫浦760可抽出腔體190內的氣體直至腔體190的真空值達到所需的真空值，例如，真空值約為10
-2托（Torr），但不於此，並在真空狀態下接合第一金屬層310及第二金屬層410。
類似地，所需接合的物件集合800與下石墨製具100、下石墨墊片200、上石墨墊片500以及上石墨製具600在進行熱壓接合前，亦需進行一預接合製程。詳言之，所需接合的物件集合800包含晶圓片300、第一金屬層310、基板400、第二金屬層410。放置順序為先將下石墨墊片200設置於下石墨製具100上，晶圓片300設置於下石墨墊片200上，基板400與晶圓片300對位，以進行一預接合製程。接著，將上石墨墊片500覆蓋於基板上400，以及將上石墨製具600覆蓋於上石墨墊片500上，即完成預接合製程。
接著，開始進行熱壓接合製程。於本發明中，熱壓接合指的是對晶圓片300及基板400加壓後再升溫，其溫度與壓力關係示意圖如圖3所示，其中C1為壓力曲線，以及C2為溫度曲線。在升溫階段持續加壓（例如：增加壓力或維持壓力），達到所需溫度後，持溫一段時間，同時持續加壓，使晶圓片300之第一金屬層310及基板400之第二金屬層410熔合，以形成共金狀態。
具體而言，在熱壓接合製程中，首先是將完成預接合製程的下石墨製具100、下石墨墊片200、晶圓片300、第一金屬層310、基板400、第二金屬層410、上石墨墊片500以及上石墨製具600放置在處於真空狀態下的腔體710中，並使下加熱裝置730與上加熱裝置720共同夾持預接合製程狀態下的下石墨製具100、下石墨墊片200、晶圓片300、第一金屬層310、基板400、第二金屬層410、上石墨墊片500及上石墨製具600。
接著，請參考圖4及圖5。圖4為加壓前晶圓片300及基板400之示意圖。圖5為加壓後晶圓片300及基板400之示意圖。由於晶圓片300存在翹曲值，為了避免第一金屬層310及第二金屬層410熔合後形成之合金層340被破壞，需先對晶圓片300加壓，使其平坦。詳言之，半導體製程系統1000透過熱壓接合模組700之加壓氣缸740帶動加壓機構750，對上石墨製具600、上石墨墊片500、基板400、第二金屬層410、晶圓片300、第一金屬層310、下石墨墊片200及下石墨製具100加壓一段時間，使第一金屬層310及第二金屬層410平坦。
在加壓一段時間後，半導體製程系統1000透過熱壓接合模組700之下加熱裝置730加熱下石墨製具100、下石墨墊片200、晶圓片300及第一金屬層310，以使第一金屬層310升溫，並同時透過熱壓接合模組700之上加熱裝置720加熱上石墨製具600、上石墨墊片500、基板400及第二金屬層410，以使第二金屬層410升溫。
當第一金屬層310及第二金屬層410達到可彼此熔合的狀態，上加熱裝置720及下加熱裝置730不再繼續升溫，且同時將溫度維持在第一金屬層310及第二金屬層410可熔合共金的狀態。熱壓接合模組700經持溫段作業完成時，透過一氮氣冷卻腔體710，並經由排風通道770將腔體710中之氮氣排出。
此外，在持溫階段，熱壓接合模組700施加於上石墨製具600、上石墨墊片500、基板400、第二金屬層410、晶圓片300、第一金屬層310、下石墨墊片200及下石墨製具100的壓力可持續增加或維持。在第一金屬層310及第二金屬層410熔合後，熱壓接合模組700仍會維持壓力一段時間，使第一金屬層310及第二金屬層410形成一合金層340，如圖6所示，即完成熱壓接合製程。
請參考圖7及圖8，其分別為晶圓片300去除載板330前及去除載板330後之示意圖。晶圓片300由一磊晶層320及一載板330構成，磊晶層320係成長於載板330上，如圖7所示。熱壓接合製程完成後，以適當藥液移除載板330，即可得到包含基板400、合金層340及磊晶層320，如圖8所示，並根據磊晶層320之一狀態判斷磊晶層320之一良率。此外，在未使用藥液去除載板330前，若以超音波檢驗，如圖9中所示，可觀察到第一金屬層310及第二金屬層410熔合形成之合金層340狀態良好，以藥液去除載板330，亦可觀察到如圖10良好的晶圓片狀態。
另外，請參考圖11至圖13，在進行前述所提及的熱壓接合製程時，因為晶圓片300存在翹曲值，若以圖11之溫度與壓力關係示意圖之升溫曲線進行熱壓接合製程，在持溫段時才施加外加壓力，即先升溫再加壓的狀況，會造成第一金屬層310及第二金屬層410在晶圓片300及基板400尚未彼此被壓平之前即熔合共金完成，此時再外加壓力，會破壞接合後的合金層340。
在未使用藥液去除載板330狀態時，使用超音波檢驗其接合面，如圖12所示，很明顯的可觀察到整個接合後的合金狀態是相當混雜的狀態，此熱壓接合的過程是使用圖11所示先升溫再加壓的時序造成。當以藥液去除載板330時，能得到如圖13所示之晶圓片300的狀態，明顯的能看到許多連續性的裂痕。
綜上所述，本發明之半導體製程方法係透過先加壓再升溫的順序，將晶圓片先壓平後再升溫，使晶圓片上的金屬層及基板上的金屬層在熔合形成合金狀態後，晶圓片及基板之接合面不因後續外加的壓力而被破壞。
上述之實施例僅用來例舉本發明之實施態樣，以及闡釋本發明之技術特徵，並非用來限制本發明之保護範疇。任何熟悉此技術者可輕易完成之改變或均等性之安排均屬於本發明所主張之範圍，本發明之權利保護範圍應以申請專利範圍為準。
1000:半導體製程系統
100:下石墨製具
200:下石墨墊片
300:晶圓片
310:第一金屬層
320:磊晶層
330:載板
340:合金層
400:基板
410:第二金屬層
500:上石墨墊片
600:上石墨製具
700:熱壓接合模組
710:腔體
720:上加熱裝置
730:下加熱裝置
740:加壓氣缸
750:加壓機構
760:幫浦
770:排風通道
800:所需接合的物件集合
C1:壓力曲線
C2:溫度曲線
圖1為本發明半導體製程系統之示意圖；
圖2為本發明預接合製程之示意圖；
圖3為本發明溫度與壓力關係示意圖；
圖4為本發明加壓前晶圓片及基板之示意圖；
圖5為本發明加壓後晶圓片及基板之示意圖；
圖6為本發明熱壓接合製程後形成合金層之示意圖；
圖7為本發明晶圓片去除載板前之示意圖；
圖8為本發明晶圓片去除載板後之示意圖；
圖9為本發明以超音波檢驗晶圓片之示意圖；
圖10為本發明先加壓再升溫之晶圓片之示意圖；
圖11為本發明溫度與壓力關係示意圖；
圖12為以超音波檢驗晶圓片之示意圖；以及
圖13為先升溫再加壓之晶圓片之示意圖。
1000:半導體製程系統
100:下石墨製具
200:下石墨墊片
340:合金層
500:上石墨墊片
600:上石墨製具
700:熱壓接合模組
710:腔體
720:上加熱裝置
730:下加熱裝置
740:加壓氣缸
750:加壓機構
760:幫浦
770:排風通道
Claims (11)
- 一種半導體製程方法，適用於一半導體製程系統，該半導體製程系統包含一熱壓接合模組、一下石墨製具、一下石墨墊片、一晶圓片、一上石墨製具、上石墨墊片以及一基板，該熱壓接合模組包含一腔體、一上加熱裝置以及一下加熱裝置，該上加熱裝置及該下加熱裝置設置於該腔體中，該半導體製程方法之步驟包含： 將該下石墨墊片設置於該下石墨製具； 將該晶圓片設置於該下石墨墊片上，該晶圓片鍍有一第一金屬層； 將一基板與該晶圓片對位，並進行一預接合製程，該基板鍍有一第二金屬層； 於該基板上蓋上該上石墨墊片； 於該上石墨墊片上蓋上該上石墨製具，以完成該預接合製程； 透過該上加熱裝置及該下加熱裝置夾持該預接合製程狀態下之該下石墨製具、該下石墨墊片、該晶圓片、該第一金屬層、該基板、該第二金屬層、該上石墨墊片及該上石墨製具； 對該上石墨製具、該上石墨墊片、該晶圓片、該第一金屬層、該下石墨製具、該下石墨墊片、該基板及該第二金屬層加壓，以使該第一金屬層及該第二金屬層平坦；以及 對該晶圓片、該第一金屬層、該基板及該第二金屬層加溫並持續加壓，以接合該第一金屬層及該第二金屬層。
- 如請求項1所述之半導體製程方法，更包含： 透過該下加熱裝置加熱該下石墨製具、該下石墨墊片、該晶圓片晶圓片及該第一金屬層，以使該第一金屬層升溫； 透過該上加熱裝置加熱該上石墨製具、該上石墨墊片、該基板及該第二金屬層，以使該第二金屬層升溫；以及 接合該第一金屬層及該第二金屬層，使該第一金屬層及該第二金屬層形成一合金層。
- 如請求項1所述之半導體製程方法，其中該熱壓接合模組包含一加壓氣缸及一加壓機構，該半導體製程方法之步驟更包含： 透過該加壓氣缸帶動該加壓機構，對該上石墨製具、該上石墨墊片、該晶圓片、該第一金屬層、該下石墨製具、該下石墨墊片、該基板及該第二金屬層加壓。
- 如請求項3所述之半導體製程方法，其中該熱壓接合模組更包含一幫浦，該半導體製程方法之步驟更包含： 透過該幫浦對該腔體抽氣，使該腔體形成一真空狀態；以及 於該真空狀態下接合該第一金屬層及該第二金屬層。
- 如請求項3所述之半導體製程方法，其中該熱壓接合模組更包含一排風通道，該半導體製程方法之步驟更包含： 透過一氮氣冷卻該腔體；以及 透過該排風通道排出該腔體中之該氮氣。
- 如請求項1所述之半導體製程方法，其中該晶圓片由一磊晶層及一載板構成，該磊晶層成長於該載板，該半導體製程方法之步驟更包含： 移除該載板；以及 根據該磊晶層之一狀態判斷該磊晶層之一良率。
- 如請求項1所述之半導體製程方法，該基板係一矽晶基板、一陶瓷基板及一藍寶石基板其中之一。
- 如請求項1所述之半導體製程方法，其中該第一金屬層係由金、鉑、鈀、鈦、錫、銦及鉻至少其中之一所製成。
- 如請求項1所述之半導體製程方法，其中該第二金屬層係由金、鉑、鈀、鈦、錫、銦及鉻至少其中之一所製成。
- 如請求項1所述之半導體製程方法，其中該晶圓片之一材料係一磷化鋁鎵銦、一砷化鋁鎵、一砷化鎵、一磷砷化鎵及一磷化銦其中之一。
- 一種半導體製程系統，包含： 一下石墨製具； 一下石墨墊片，設置於該下石墨製具； 一晶圓片，設置於該下石墨墊片，該晶圓片鍍有一第一金屬層； 一基板，與該晶圓片對位，以進行一預接合製程，該基板鍍有一第二金屬層； 一上石墨墊片，覆蓋於該基板上； 一上石墨製具，覆蓋於該上石墨墊片上，以完成該預接合製程； 一熱壓接合模組，包含： 一腔體； 一上加熱裝置，設置於該腔體中；以及 一下加熱裝置，設置於該腔體中，與該上加熱裝置共同夾持該預接合製程狀態下之該下石墨製具、該下石墨墊片、該晶圓片、該第一金屬層、該基板、該第二金屬層、該上石墨墊片及該上石墨製具； 其中該熱壓接合模組對該上石墨製具、該上石墨墊片、該晶圓片、該第一金屬層、該下石墨製具、該下石墨墊片、該基板及該第二金屬層加壓，以使該第一金屬層及該第二金屬層平坦；以及對該晶圓片、該第一金屬層、該基板及該第二金屬層加溫並持續加壓，以接合該第一金屬層及該第二金屬層。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW112120722A TWI826330B (zh) | 2023-06-02 | 2023-06-02 | 半導體製程系統及其半導體製程方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW112120722A TWI826330B (zh) | 2023-06-02 | 2023-06-02 | 半導體製程系統及其半導體製程方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TWI826330B true TWI826330B (zh) | 2023-12-11 |
Family
ID=90053450
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW112120722A TWI826330B (zh) | 2023-06-02 | 2023-06-02 | 半導體製程系統及其半導體製程方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| TW (1) | TWI826330B (zh) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW201929093A (zh) * | 2013-02-20 | 2019-07-16 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 剝離方法、半導體裝置及剝離裝置 |
| TW202013631A (zh) * | 2018-09-19 | 2020-04-01 | 台灣積體電路製造股份有限公司 | 半導體封裝體 |
-
2023
- 2023-06-02 TW TW112120722A patent/TWI826330B/zh active
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW201929093A (zh) * | 2013-02-20 | 2019-07-16 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 剝離方法、半導體裝置及剝離裝置 |
| TW202013631A (zh) * | 2018-09-19 | 2020-04-01 | 台灣積體電路製造股份有限公司 | 半導體封裝體 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101138306B1 (ko) | Ｌｅｄ 칩의 다이-본딩 방법과 이에 의해 제조된 ｌｅｄ | |
| TWI490933B (zh) | Jointing device | |
| CA2221127A1 (en) | Semiconductor device and method for making same | |
| TWI289943B (en) | Manufacturing method for semiconductor light emitting device | |
| US4257156A (en) | Method for thermo-compression diffusion bonding each side of a substrateless semiconductor device wafer to respective structured copper strain buffers | |
| US8999758B2 (en) | Fixing semiconductor die in dry and pressure supported assembly processes | |
| US7067200B2 (en) | Joined bodies and a method of producing the same | |
| CN103887218A (zh) | 一种GaN基白光倒装芯片的制备方法 | |
| US20200101549A1 (en) | Soldering device and a method for producing a solder connection of components using adhesive material for temporary connection of the components | |
| TWI826330B (zh) | 半導體製程系統及其半導體製程方法 | |
| JP6761743B2 (ja) | 結晶成長用基板、窒化物結晶基板および窒化物結晶基板の製造方法 | |
| JP2011077182A (ja) | 発光装置の製造方法 | |
| US10607962B2 (en) | Method for manufacturing semiconductor chips | |
| CN110335845B (zh) | 一种MicroLED芯片的转移方法 | |
| JP2001345355A (ja) | サポートフレーム貼付装置 | |
| TWI826983B (zh) | 轉印裝置及轉印方法 | |
| US9630269B2 (en) | Mechanism to attach a die to a substrate | |
| TW202002256A (zh) | 半導體元件形成藍寶石基板、半導體元件形成藍寶石基板的製造方法以及半導體元件的轉印方法 | |
| TW201301413A (zh) | 晶片結合設備 | |
| CN109148680B (zh) | 环氧树脂封装陶瓷基板翘曲度辅修工艺方法及辅修夹具 | |
| US11158541B2 (en) | Method of processing wafer | |
| JPWO2022230184A5 (zh) | ||
| JP2023521271A (ja) | 構成部材を移送する方法および装置 | |
| JP2001261459A (ja) | 炭化ケイ素セラミックス接合体およびその製造方法 | |
| JP2015051452A (ja) | 接合方法及び前記方法により接合された接合部を有する構造体 |