TWI826280B - 在拋光墊中使用溝槽的晶圓邊緣不對稱校正 - Google Patents
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- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 233
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 110
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims description 33
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 claims description 5
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 abstract 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 1
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 1
- 239000011231 conductive filler Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000007779 soft material Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/11—Lapping tools
- B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
- B24B37/26—Lapping pads for working plane surfaces characterised by the shape of the lapping pad surface, e.g. grooved
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/005—Control means for lapping machines or devices
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
- B24B37/042—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/27—Work carriers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B57/00—Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents
- B24B57/02—Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents for feeding of fluid, sprayed, pulverised, or liquefied grinding, polishing or lapping agents
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
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- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
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Abstract
化學機械拋光系統包括：壓板，用以保持拋光墊；載體頭，用以將基板保持抵住拋光墊的拋光表面；及控制器。拋光墊具有拋光控制溝槽。載體頭藉由第一致動器而可在拋光墊上橫向移動，並且藉由第二致動器而可旋轉。控制器使載體頭的橫向震動與載體頭的旋轉同步，使得在載體頭的複數個連續震動上，使得當基板的邊緣部分的第一角度幅面在圍繞載體頭的旋轉軸線的方位角位置處時，第一角度幅面覆蓋拋光表面，並且當基板的邊緣部分的第二角度幅面在方位角位置處時，第二角度幅面覆蓋拋光控制溝槽。
Description
本揭露書關於化學機械拋光。
通常藉由在矽晶圓上順序沉積導電、半導電或絕緣層而在基板上形成積體電路。一個製造步驟涉及在非平面表面上沉積填充劑層並使填充劑層平面化。對於某些應用而言，將填充劑層平面化，直到曝露出圖案化層的頂面。例如，可將導電填充劑層沉積在圖案化的絕緣層上以填充絕緣層中的凹槽或孔。在平面化之後，保留在絕緣層的凸起圖案之間的部分導電層形成通孔、插塞和線，這些通孔、插塞和線在基板上的薄膜電路之間提供導電路徑。對於其他應用（諸如氧化物拋光）而言，將填充層平面化，直到在非平面表面之上留下預定厚度為止。另外，光微影通常需要基板表面的平面化。
化學機械拋光（CMP）是一種可接受的平面化方法。這種平面化方法通常需要將基板安裝在載體頭或拋光頭上。基板的曝露表面通常抵靠旋轉拋光墊放置。載體頭在基板上提供可控制的負載，以將其推抵拋光墊。通常將研磨拋光漿料供應到拋光墊的表面。
拋光中的一個問題是整個基板上拋光速率的不均勻性。例如，基板的邊緣部分可能相對於基板的中心部分以更高的速度拋光。
在一個態樣中，一種化學機械拋光系統包括：可旋轉的壓板，用以保持拋光墊；可旋轉的載體頭，用以在拋光處理期間將基板保持抵住拋光墊的拋光表面；及控制器。壓板藉由馬達而可旋轉，且拋光墊具有與拋光墊的旋轉軸線同心的拋光控制溝槽。載體頭藉由第一致動器在拋光墊上而可橫向移動，並且藉由第二致動器而可旋轉。控制器配置成控制第一致動器和第二致動器，以使載體頭的橫向震動與載體頭的旋轉同步，使得在載體頭的複數個連續的震動上，使得當基板的邊緣部分的第一角度幅面在圍繞載體頭的旋轉軸線的方位角位置處時，第一角度幅面覆蓋拋光表面，並且當基板的邊緣部分的第二角度幅面在方位角位置處時，第二角度幅面覆蓋拋光控制溝槽。
實施方案可包括以下特徵的一個或多個。
拋光墊可具有包含漿料供應溝槽，且漿料供應溝槽可比拋光控制溝槽窄。拋光墊可具有圍繞漿料供應溝槽的單個拋光控制溝槽，被漿料供應溝槽圍繞的單個拋光控制溝槽，或者恰好兩個拋光控制溝槽，其中漿料供應溝槽位於兩個拋光控制溝槽之間。控制器可配置為控制第一致動器和第二致動器，使得載體頭的第一旋轉頻率等於載體頭的橫向震動的第二頻率的整數倍。
在另一態樣中，一種化學機械拋光系統包括：可旋轉的壓板，用以保持拋光墊；可旋轉的載體頭，用以在拋光處理期間將基板保持抵住拋光墊的拋光表面；及控制器。壓板藉由馬達而可旋轉，並且拋光墊具有與拋光墊的旋轉軸線同心的拋光控制溝槽，拋光溝槽具有複數個弓形段。載體頭藉由致動器而可旋轉。控制器配置為控制馬達和致動器，以使壓板的旋轉與載體頭的旋轉同步，使得在載體頭的複數個連續的旋轉上，當基板的邊緣部分的第一角度幅面在圍繞載體頭的旋轉軸線的方位角位置處時，第二角度幅面覆蓋在弓形段之間的拋光表面的區域上，並且當基板的邊緣部分的第二角度幅面在方位角位置處時，第二角度幅面覆蓋拋光控制溝槽的弓形段。
實施方案可包括以下特徵的一個或多個。
弓形段可圍繞壓板的旋轉軸線以相等的角度間隔隔開。弓形段可具有相等的長度。每個弓形段可對著10-45°的弧線。存在有四到二十個弓形段。拋光墊可進一步具有漿料供應溝槽，且漿料供應溝槽可比拋光控制溝槽窄。控制器配置為控制馬達和致動器，使得載體頭的第一旋轉頻率是壓板的第二旋轉頻率的整數倍。
改進可包括（但不限於）以下一項或多項。可減少基板邊緣附近的不均勻，且特別是角度不對稱的不均勻。
在附隨的圖式和以下描述中闡述了一種或多種實現的細節。根據說明書和圖式及根據申請專利範圍，其他態樣、特徵和優點將是顯而易見的。
在化學機械拋光中，在基板的邊緣部分處的移除速率可與在基板的中心部分處的移除速率不同。另外，基板邊緣附近的拋光速率不必沿圓周為均勻的。這種效應可稱為「邊緣不對稱」。為了解決所產生的基板厚度的不規則性，可將基板傳輸到專用的拋光「修整」工具，該工具可拋光基板上的局部區域。這樣的工具可用以校正基板邊緣不對稱性。例如，在拋光處理完成之後，可局部拋光基板邊緣處的較厚區域，以提供均勻厚度的基板。然而，這種修整工具的產量低，並且修整工具在製造設施中增加了額外的成本和占地面積。
可解決這個問題的技術是使載體頭的旋轉與載體頭的橫向運動或壓板的旋轉同步，以將基板的過度拋光區域優先定位在拋光控制溝槽上方。這種技術可減少拋光基板中的不均勻性，特別是邊緣不對稱性。此外，該技術可應用於化學機械拋光工具本身，從而避免了可觀的資本支出或新工具的安裝。
第1圖顯示了化學機械拋光系統20的拋光站的示例。拋光系統20包括可旋轉的盤形壓板24，在其上設置有拋光墊30。壓板24可操作以繞軸線25旋轉。例如，馬達26可轉動驅動軸28以使壓板24旋轉。拋光墊30可為具有外部拋光層32和較軟的背襯層34的兩層拋光墊。外部拋光層32具有拋光表面36。
拋光系統20可包括供應埠或組合的供應-沖洗臂92，以將拋光液體94（諸如研磨漿料）分配到拋光墊30。拋光系統20可包括具有調節盤42的墊調節器設備40，以保持拋光墊30的拋光表面36的表面粗糙度。調節盤42可定位在臂44的端部處，臂44可擺動，以便將盤42徑向掃過拋光墊30。
載體頭70可操作以將基板10保持抵靠拋光墊30。載體頭70從支撐結構50（如，轉盤或軌道）懸掛，並藉由驅動軸54連接至載體頭旋轉馬達56，使得載體頭可繞軸線55旋轉。載體頭70可藉由沿著軌道的移動，或藉由轉盤本身的旋轉震動而（如，在轉盤上的滑塊上）橫向震動。
載體頭70包括殼體72、基板背襯組件74、萬向架機構82（其可被視為組件74的一部分）、裝載腔室84和固定環組件79，基板背襯組件74包括基底76和撓性膜78，撓性膜78界定了複數個可加壓腔室80。
殼體72大體可為圓形的，並且可連接到驅動軸54以在拋光期間與其一起旋轉。可存在有穿過殼體72的通道（未顯示），用於對載體頭70進行氣動控制。基板背襯組件74是位於殼體72下方的可垂直移動的組件。萬向架機構82允許基底76相對於殼體72的萬向運動，同時防止基底76相對於殼體72的橫向運動。裝載腔室84位於殼體72和基底76之間，以向基底76施加負載（亦即，向下的壓力或重量），並因此施加到基板背襯組件。基板背襯組件74相對於拋光墊的垂直位置也由裝載腔室84控制。撓性膜78的下表面為基板10提供了安裝表面。
在一些實現中，基板背襯組件74不是相對於殼體72可移動的單獨部件。在這種情況下，腔室84和萬向架82是不必要的。
仍然參考第1圖，拋光墊30具有形成在拋光表面36中的至少一個拋光控制溝槽102。每個拋光控制溝槽102是拋光墊30的凹入區域。每個拋光控制溝槽102可為環形溝槽（如，圓形），且可與壓板24的旋轉軸線25同心。每個拋光控制溝槽102提供了拋光墊30的未對拋光產生貢獻的區域。
拋光控制溝槽102的壁垂直於拋光表面36。拋光控制溝槽102可具有矩形或U形橫截面。拋光控制溝槽102的深度可為10至80密耳，如，10至60密耳。
在一些實現中，墊30包括位於拋光墊30的外邊緣附近的拋光控制溝槽102a，在外邊緣的半徑的（如）15％以內，（如）10％內，（如）5％內。例如，溝槽102可位於距具有三十英寸直徑的壓板的中心十四英寸的徑向距離處。
在一些實現中，墊30包括位於拋光墊30的中心附近的拋光控制溝槽102b，在中心或旋轉軸線25的半徑的（如）15％以內，（如） 10％內。例如，溝槽102b可位於距具有三十英寸直徑的壓板的中心一英寸的徑向距離處。
在一些實現中，墊30僅包括位於拋光墊30的外邊緣附近的拋光控制溝槽102a（參見第3A和3B圖）。在這種情況下，在拋光墊30的外邊緣附近可能僅存在有單個控制拋光槽102a。在一些實現中，墊30僅包括位於拋光墊30的中心附近的拋光控制溝槽102b。在這種情況下，在拋光墊30的中心附近可僅存在有單個控制拋光槽102b。在一些實現中，墊30包括位於拋光墊30的邊緣附近的第一拋光控制溝槽102a和位於拋光墊30的中心附近的第一拋光控制溝槽102b（參見第1圖）。在這種情況下，在拋光表面上可恰好存在有兩個拋光溝槽102。
拋光控制溝槽102足夠寬，以至於藉由將基板10的一部分定位在溝槽上方，那個部分的拋光速率將大大降低。特別地，為了進行邊緣校正，溝槽102足夠寬，以使得在基板的邊緣處的環形帶（如至少3mm寬的帶、如3-15mm寬的帶、如3-10mm寬的帶3）將具有降低的拋光速率。拋光控制溝槽102可為五至五十毫米寬，如，十至二十mm寬。
當基板10位於拋光墊30的拋光表面36上時，拋光表面36接觸並拋光基板10，並且發生材料移除。另一方面，當基板10的邊緣位於拋光控制溝槽102上方時，基板10的邊緣沒有接觸或拋光以引起發生移除。視情況，溝槽102可提供用於拋光漿料通過的導管，而不會磨損基板10。
現在參考第2圖，拋光墊30還可包括一個或多個漿料供應溝槽112。漿料供應溝槽112可為環形溝槽（如，圓形溝槽），並且可與拋光控制溝槽102同心。替代地，漿料供應溝槽可具有另一種圖案，如，矩形剖面線、三角形剖面線等。漿料供應溝槽的寬度可在約0.015和0.04英寸之間（在0.381和1.016mm之間），諸如0.20英寸，並具有間距在約0.09和0.24英寸之間，諸如0.12英寸。
漿料供應溝槽112比拋光控制溝槽102窄。例如，漿料供應溝槽112可窄至少3倍，如，至少6倍，諸如6至100倍。漿料供應溝槽112可在拋光墊30上均勻地間隔開。拋光控制溝槽102可具有比漿料供應溝槽112更小的、相似的或更大的深度。在一些實現中，拋光控制溝槽102是在拋光墊上比漿料供應溝槽112寬的唯一溝槽。在一些實現中，拋光控制溝槽102a和102b是在拋光墊上比漿料供應溝槽112寬的唯一溝槽。
現在參考第3A圖，對於拋光操作的至少某些部分（如，第一持續時間）而言，可將基板10定位在第一位置或第一位置範圍中，使得基板10的中心部分12和基板10的邊緣部分14基板10均由拋光墊30的拋光表面36拋光。這樣，基板10均不與拋光控制溝槽102重疊。儘管基板10的一部分與漿料供應溝槽112重疊，但是漿料供應溝槽112相對緊密地間隔開，並且相對運動使對拋光速率的任何影響平均化。
參照第3B圖，對於拋光操作的至少某些部分（如，第二持續時間）而言，可定位基板10，使得基板10的中心部分12被拋光表面36拋光，且基板10的邊緣部分的區域14a在拋光控制溝槽102的上方。在第二持續時間期間，基板10可被橫向固定在第二位置。因此，在第二持續時間期間，拋光基板10的中心部分12，而未拋光基板10的邊緣部分14的位於拋光控制溝槽102上方的區域14a。由於邊緣部分14的一些部分（由14b表示）保留在拋光表面36上，所以邊緣部分14仍將被拋光到一定程度，但是由於區域14a中缺乏拋光而以比中心部分12低的速率進行拋光。儘管基板10的一部分與漿料供應溝槽112重疊，但是漿料供應溝槽112相對緊密地間隔開，並且相對運動平均化了對拋光速率的任何影響。
邊緣部分14的區域14a保留在拋光控制溝槽102上方的特定時間量取決於震動的頻率和幅度以及溝槽和基板的尺寸。控制器90（參見第1圖）可控制馬達26、56，以控制壓板24和載體頭70的旋轉速率，並且可控制耦接至支撐件的致動器122，以控制載體頭70的橫向震動的頻率和幅度。
參照第4圖，基板可以震動模式移動，其中基板在第一持續時間T
1（t
0至t
1）內進行單次掃描。在一些實現中，在第一持續時間結束時，將基板保持在基板10的中心部分12定位在拋光墊30的拋光區域上方且基板10的邊緣部分14定位並保持在拋光控制溝槽102上方的位置中第二持續時間T
2（t
1至t
2）。在這種情況下，震動頻率為1/（T
1+T
2）。
可選擇第一持續時間T
1與第二持續時間T
2的比率，以便將邊緣部分14的拋光速率與中心部分12相比降低所期望的量。例如，可選擇比率T
1/T
2，以在邊緣處獲得期望的平均拋光速率，（如）以實現與中心部分12相同的平均拋光速率。
參照第5A圖，如上所述，基板可能經受不對稱。例如，基板10的邊緣部分14可具有第一角度幅面16a和第二角度幅面16b，每個角度幅面具有不同的厚度。為了補償基板10中的邊緣不對稱性，控制器90可使載體頭70到基板10的邊緣部分14的不同幅面的運動在拋光控制溝槽102上或在拋光墊的拋光區域上。可藉由使載體頭70的震動與載體頭70的旋轉同步來實現這一點。例如，每個第二持續時間T
2對應於第二角度幅面16b在拋光控制溝槽102上方的時間。
例如，假設第一角度幅面16a比第二角度幅面16b厚，則可使載體頭的橫向位置和載體頭的旋轉同步，使得當基板10的第一角度幅面16a在繞載體頭70的旋轉軸線55的給定方位角位置18處時，載體頭70定位成使得第一角度幅面16a覆蓋在拋光墊30的拋光部分104上。方位角位置18可定位在載體頭70上遠離拋光墊的旋轉軸線25。類似地，方位角位置18可在穿過拋光墊30的旋轉軸線25和載體頭70的旋轉軸線55的線上。
參考第5B圖，當載體頭70旋轉時，第二角度幅面16b朝著給定的方位角位置18移動。載體頭70的橫向位置和載體頭70的旋轉可同步，使得在第二角度幅面16b是圍繞載體頭70的旋轉軸線55的給定方位角位置18之前，載體頭70已橫向移動，使得第二角度幅面16b覆蓋在拋光控制溝槽102上。結果，第一角度幅面16a比第二角度幅面16b以更高的速率拋光。這可提供更均勻的基板10，並且尤其可減少邊緣不對稱性。
為了提供同步，控制器90可配置為控制馬達26和致動器58，使得載體頭的第一旋轉頻率等於載體頭的橫向震動的第二頻率的整數倍。例如，第一旋轉頻率可等於第二頻率。應當指出，必須相當精確地保持這種同步；不匹配將導致角度幅面相對於給定的方位角位置18進動，並因此使邊緣不對稱校正無效。
雖然第4圖顯示了將基板保持在第二持續時間T
2中的位置，這不是必須的。即使載體頭70在拋光墊30上來回連續地掃掠，如，徑向位置是時間的三角函數或正弦函數，也會有當第二角度幅面16b覆蓋拋光控制溝槽102時的一段時間。
另外，儘管以上討論集中於在拋光墊的外周邊附近具有單個拋光控制溝槽102a的拋光墊，但是若拋光槽120b位於拋光墊的中心附近，仍可應用類似的原理，使得原本過度拋光的第二角度幅面16b放置在拋光控制溝槽102b上，以便降低那個幅面的拋光速率。
參照第6A和6B圖，在一些實現中，拋光控制溝槽102可包括複數個弓形段132（而不是連續的圓）。可存在有四個到二十個弓形段132。弓形段132可圍繞壓板的旋轉軸線25以相等的角度間隔隔開。弓形段132可具有相等的長度。每個弓形段可對著15-90°的弧線。
控制器90可使載體頭70的旋轉與壓板24和拋光墊30的旋轉（箭頭C所示）同步，以便降低在過度拋光的基板的區域上的拋光速率。在這種配置中，為了實現邊緣不對稱的補償，不需要載體頭70的橫向掃掠。
例如，若基板10的邊緣部分14的第一角度幅面16a比第二角度幅面16b厚，則拋光可開始於第一角度幅面16a覆蓋在溝槽的弓形段132之間的拋光表面36的部分130上。隨著拋光墊30和載體頭70兩者的旋轉，第二角度幅面16b朝著弓形段所定位的半徑向外移動。控制器90可使載體頭70的旋轉和拋光墊30的旋轉同步，使得當第二角度幅面16b到達溝槽102的徑向位置時，第二角度幅面16b覆蓋弓形段132之一。結果，可以比第二角度幅面16b更高的速率拋光第一角度幅面16a，並因此可減少邊緣不對稱性和提高均勻性。
為了提供同步，控制器90可配置為控制馬達26、56，使得載體頭的第一旋轉頻率等於壓板的第二旋轉頻率的整數倍。例如，第一旋轉頻率可等於N，其中N是弓形段132的數量的因數。在一些實現中，N等於1。應當指出，必須相當精確地保持這種同步；不匹配將導致角度幅面相對於給定的方位角位置18進動，並因此使邊緣不對稱校正無效。
如在本說明書中使用的，術語基板可包括（例如）產品基板（如，其包括多個記憶體或處理器晶粒）、測試基板、裸基板和閘控基板。基板可處於積體電路製造的各個階段，如，基板可為裸晶圓，或者它可包括一個或多個沉積及/或圖案化的層。術語基板可包括圓盤和矩形片。
控制器90可包括專用微處理器，如，ASIC，或執行儲存在非揮發性計算機可讀媒體中的計算機程式的常規計算機系統。控制器90可包括中央處理器單元（CPU）和含有相關聯的控制軟體的記憶體。
上述拋光系統和方法可應用於各種拋光系統中。拋光墊或載體頭任一者或兩者都可移動以在拋光表面和基板之間提供相對運動。拋光墊可為固定到壓板上的圓形（或一些其他形狀）的墊。拋光層可為標準（例如，具有或不具有填料的聚氨酯）拋光材料、軟材料或固定研磨材料。使用相對定位的術語；應該理解的是，拋光表面和基板可保持在垂直定向或其他定向上。
已經描述了本發明的特定實施例。其他實施例在以下的申請專利範圍的範圍內。例如，申請專利範圍中記載的動作可以不同的順序執行並且仍然實現期望的結果。
10:基板
12:中心部分
14:邊緣部分
14a:區域
14b:一些部分
16a:第一角度幅面
16b:第二角度幅面
18:方位角位置
20:拋光系統
24:壓板
25:軸線
26:馬達
30:拋光墊/墊
32:外部拋光層
34:背襯層
36:拋光表面
40:墊調節器設備
42:盤
44:臂
50:支撐結構
54:驅動軸
55:軸線/旋轉軸線
56:馬達
58:致動器
70:載體頭
72:殼體
74:基板背襯組件/組件
76:基底
78:撓性膜
79:固定環組件
80:可加壓腔室
82:萬向架機構/萬向架
84:腔室
90:控制器
92:供應-沖洗臂
94:拋光液體
102:拋光控制溝槽/溝槽
102a:拋光控制溝槽/溝槽
102b:拋光控制溝槽/溝槽
104:拋光部分
112:漿料供應溝槽/溝槽
130:部分
132:弧形段
第1圖是具有拋光墊的化學機械拋光系統的示意性橫截面圖，拋光墊具有拋光控制溝槽。
第2圖是具有漿料供應溝槽和拋光控制溝槽兩者的拋光墊的徑向截面的示意性橫截面圖。
第3A和3B圖是示例性化學機械拋光設備的示意性俯視圖，顯示了在不同橫向位置處的載體頭。
第4圖是壓板上的基板位置相對於時間的示例性曲線圖。
第5A和5B圖是化學機械拋光設備的示意性俯視圖，顯示了在不同橫向位置處的載體頭。
第6A和6B圖是化學機械拋光設備的另一種實現的示意性俯視圖，顯示了在不同橫向位置處的載體頭。
在各個圖式中，相同的元件符號和標記表示相同的元件。
國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記)
無
國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記)
無
10:基板
20:拋光系統
24:壓板
25:軸線
26:馬達
30:拋光墊/墊
32:外部拋光層
34:背襯層
36:拋光表面
40:墊調節器設備
42:盤
44:臂
50:支撐結構
54:驅動軸
55:軸線/旋轉軸線
56:馬達
58:致動器
70:載體頭
72:殼體
74:基板背襯組件/組件
76:基底
78:撓性膜
79:固定環組件
80:可加壓腔室
82:萬向架機構/萬向架
84:腔室
90:控制器
92:供應-沖洗臂
94:拋光液體
102:拋光控制溝槽/溝槽
102a:拋光控制溝槽/溝槽
102b:拋光控制溝槽/溝槽
Claims (19)
- 一種化學機械拋光系統，包含： 一壓板，該壓板可藉由一馬達而繞著一第一旋轉軸線旋轉，且該壓板配置成用以保持一拋光墊，該拋光墊具有一拋光表面和與該壓板的該旋轉軸線同心的一拋光控制溝槽； 一可旋轉的載體頭，用以在一拋光處理期間將一基板保持抵住該拋光墊的該拋光表面，該載體頭藉由一第一致動器而可在該拋光墊上橫向移動，且該載體頭藉由一第二致動器而可繞著一第二旋轉軸線旋轉；及 一控制器，配置成控制該第一致動器和該第二致動器，以使該載體頭的橫向震動與該載體頭的旋轉同步，使得在該載體頭的複數個連續的震動上，當該基板的一環形邊緣部分的一第一角度幅面在圍繞該載體頭的該第二旋轉軸線的一方位角位置處時，該第一角度幅面覆蓋該拋光表面，並且當該基板的該環形邊緣部分的一第二角度幅面在該方位角位置處，或者該第二角度幅面相對於該第一角度幅面為過度拋光時，該第二角度幅面覆蓋該拋光控制溝槽。
- 如請求項1所述之系統，其中該拋光墊進一步包含多個漿料供應溝槽。
- 如請求項2所述之系統，其中該等漿料供應溝槽比該拋光控制溝槽窄。
- 如請求項3所述之系統，其中該拋光墊具有圍繞該漿料供應溝槽的一單個拋光控制溝槽。
- 如請求項3所述之系統，其中該拋光墊具有被該等漿料供應溝槽圍繞的一單個拋光控制溝槽。
- 如請求項3所述之系統，其中該拋光墊具有恰好兩個拋光控制溝槽，且該等漿料供應溝槽位於該兩個拋光控制溝槽之間。
- 如請求項1所述之系統，其中該控制器配置為控制該第一致動器和該第二致動器，使得該載體頭的一第一旋轉頻率等於該載體頭的橫向震動的一第二頻率的一整數倍。
- 一種化學機械拋光系統，包含： 一壓板，該壓板可藉由一馬達而繞著一第一旋轉軸線旋轉，且該壓板配置成用以保持一拋光墊，該拋光墊具有一拋光表面及與該第一軸線同心的一拋光控制溝槽，該拋光控制溝槽具有複數個弓形段； 一可旋轉的載體頭，用以在一拋光處理期間將一基板保持抵住該拋光墊的該拋光表面，該載體頭藉由一致動器而可繞著一第二旋轉軸線旋轉；及 一控制器，配置為控制該馬達和該致動器，以使該壓板的旋轉與該載體頭的旋轉同步，使得在該載體頭的複數個連續的旋轉上，當該基板的一環形邊緣部分的一第一角度幅面在圍繞該載體頭的該第二旋轉軸線的一方位角位置處時，該第一角度幅面覆蓋在該等弓形段之間的該拋光表面的一區域，並且當該基板的該環形邊緣部分的一第二角度幅面在該方位角位置處，或者該第二角度幅面相對於該第一角度幅面為過度拋光時，該第二角度幅面覆蓋該拋光控制溝槽的一弓形段。
- 如請求項8所述之系統，其中該等弓形段圍繞該壓板的該旋轉軸線以相等的角度間隔隔開。
- 如請求項8所述之系統，其中該等弓形段具有相等的長度。
- 如請求項8所述之系統，其中每個弓形段對著5°-15°的一弧線。
- 如請求項8所述之系統，其中存在有四到二十個弓形段。
- 如請求項8所述之系統，其中該拋光墊進一步包含多個漿料供應溝槽。
- 如請求項13所述之系統，其中該等漿料供應溝槽比該拋光控制溝槽窄。
- 如請求項8所述之系統，其中該控制器配置為控制該馬達和該致動器，使得該載體頭的一第一旋轉頻率是該壓板的一第二旋轉頻率的一整數倍。
- 一種化學機械拋光的方法，包含以下步驟： 繞著一第一旋轉軸線旋轉一拋光墊； 將一基板放置抵住該拋光墊，該拋光墊具有一拋光表面和與該第一旋轉軸線同心的一拋光控制溝槽； 繞著一第二旋轉軸線旋轉該基板； 在該拋光墊上橫向震動該基板並旋轉該基板，使得在該基板的複數個連續的震動上，當該基板的一環形邊緣部分的一第一角度幅面在圍繞該第二旋轉軸線的一方位角位置處時，該第一角度幅面覆蓋該拋光表面，並且當該基板的該環形邊緣部分的一第二角度幅面在該方位角位置處，或者該第二角度幅面相對於該第一角度幅面為過度拋光時，該第二角度幅面覆蓋該拋光控制溝槽。
- 如請求項16所述之方法，其中該基板的一第一旋轉頻率等於該基板的橫向震動的一第二頻率的一整數倍。
- 一種化學機械拋光的方法，包含以下步驟： 繞著一第一旋轉軸線旋轉一拋光墊； 將一基板放置抵住該拋光墊，該拋光墊具有一拋光表面和與該第一旋轉軸線同心的一拋光控制溝槽，該拋光控制溝槽具有複數個弓形段；及 繞著一第二旋轉軸線旋轉該基板，使得在該基板的複數個連續的旋轉上，當該基板的一環形邊緣部分的一第一角度幅面在圍繞該載體頭的該第二旋轉軸線的一方位角位置處時，該第一角度幅面覆蓋在該等弓形段之間的該拋光表面的一區域，並且當該基板的該環形邊緣部分的一第二角度幅面在該方位角位置處，或者該第二角度幅面相對於該第一角度幅面為過度拋光時，該第二角度幅面覆蓋該拋光控制溝槽的一弓形段。
- 如請求項18所述之方法，其中該基板的一第一旋轉頻率等於該拋光墊的一第二旋轉頻率的一整數倍。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201962939538P | 2019-11-22 | 2019-11-22 | |
| US62/939,538 | 2019-11-22 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW202332535A TW202332535A (zh) | 2023-08-16 |
| TWI826280B true TWI826280B (zh) | 2023-12-11 |
Family
ID=75974657
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW109140217A TWI797501B (zh) | 2019-11-22 | 2020-11-18 | 在拋光墊中使用溝槽的晶圓邊緣不對稱校正 |
| TW112107727A TWI826280B (zh) | 2019-11-22 | 2020-11-18 | 在拋光墊中使用溝槽的晶圓邊緣不對稱校正 |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW109140217A TWI797501B (zh) | 2019-11-22 | 2020-11-18 | 在拋光墊中使用溝槽的晶圓邊緣不對稱校正 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US11951589B2 (zh) |
| JP (2) | JP7389253B2 (zh) |
| KR (1) | KR20220100043A (zh) |
| CN (1) | CN114901427A (zh) |
| TW (2) | TWI797501B (zh) |
| WO (1) | WO2021102168A1 (zh) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI834195B (zh) | 2019-04-18 | 2024-03-01 | 美商應用材料股份有限公司 | Ｃｍｐ期間基於溫度的原位邊緣不對稱校正的電腦可讀取儲存媒體 |
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| JP4902433B2 (ja) | 2007-06-13 | 2012-03-21 | 株式会社荏原製作所 | 研磨装置の研磨面加熱、冷却装置 |
| JP2009283538A (ja) * | 2008-05-20 | 2009-12-03 | Jsr Corp | 化学機械研磨パッドおよび化学機械研磨方法 |
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| JP6778176B2 (ja) | 2014-07-18 | 2020-10-28 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | 基板の厚さプロファイルの調節 |
| JP6585445B2 (ja) | 2015-09-28 | 2019-10-02 | 株式会社荏原製作所 | 研磨方法 |
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| US10875146B2 (en) * | 2016-03-24 | 2020-12-29 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings | Debris-removal groove for CMP polishing pad |
| JP2018134710A (ja) | 2017-02-22 | 2018-08-30 | 株式会社荏原製作所 | 基板の研磨装置および研磨方法 |
| WO2018164804A1 (en) * | 2017-03-06 | 2018-09-13 | Applied Materials, Inc. | Spiral and concentric movement designed for cmp location specific polish (lsp) |
| JP6923342B2 (ja) | 2017-04-11 | 2021-08-18 | 株式会社荏原製作所 | 研磨装置、及び、研磨方法 |
| TWI834195B (zh) | 2019-04-18 | 2024-03-01 | 美商應用材料股份有限公司 | Ｃｍｐ期間基於溫度的原位邊緣不對稱校正的電腦可讀取儲存媒體 |
-
2020
- 2020-11-18 TW TW109140217A patent/TWI797501B/zh active
- 2020-11-18 TW TW112107727A patent/TWI826280B/zh active
- 2020-11-19 CN CN202080087342.5A patent/CN114901427A/zh active Pending
- 2020-11-19 US US16/953,139 patent/US11951589B2/en active Active
- 2020-11-19 KR KR1020227020758A patent/KR20220100043A/ko not_active Application Discontinuation
- 2020-11-19 WO PCT/US2020/061334 patent/WO2021102168A1/en active Application Filing
- 2020-11-19 JP JP2022529774A patent/JP7389253B2/ja active Active
-
2023
- 2023-11-09 US US18/505,871 patent/US20240075583A1/en active Pending
- 2023-11-16 JP JP2023195286A patent/JP2024023321A/ja active Pending
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW202133997A (zh) | 2021-09-16 |
| TWI797501B (zh) | 2023-04-01 |
| JP7389253B2 (ja) | 2023-11-29 |
| US20210154796A1 (en) | 2021-05-27 |
| US20240075583A1 (en) | 2024-03-07 |
| US11951589B2 (en) | 2024-04-09 |
| CN114901427A (zh) | 2022-08-12 |
| JP2023502499A (ja) | 2023-01-24 |
| WO2021102168A1 (en) | 2021-05-27 |
| KR20220100043A (ko) | 2022-07-14 |
| TW202332535A (zh) | 2023-08-16 |
| JP2024023321A (ja) | 2024-02-21 |
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