TWI825873B - 光源裝置以及光源裝置的製作方法 - Google Patents

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Abstract

一種光源裝置以及光源裝置的製作方法。光源裝置包括一微型發光元件層、一透光基板以及一波長轉換模組。波長轉換模組包括一第一波長轉換層、一第二波長轉換層、一透光層、多個隔離結構、多個反射層以及一光截止層。第一波長轉換層、第二波長轉換層以及透光層在透光基板的一排列方向上間隔地排列。第一波長轉換層、第二波長轉換層以及透光層的任兩者藉由隔離結構而彼此分隔。反射層在排列方向上位於第一波長轉換層的側壁、第二波長轉換層的側壁以及透光層的側壁的任一者與隔離結構之間。

Description

光源裝置以及光源裝置的製作方法
本發明是有關於一種光學裝置及光學裝置的製造方法，且特別是有關於一種光源裝置以及光源裝置的製作方法。
近年來，在有機發光二極體(Organic light-emitting diode，OLED)顯示面板的製造成本偏高及其使用壽命無法與現行的主流顯示器相抗衡的情況下，微型發光二極體顯示器(Micro LED Display)逐漸吸引各科技大廠的投資目光。微型發光二極體顯示器具有與有機發光二極體顯示技術相當的光學表現，例如高色彩飽和度、應答速度快及高對比，且具有低耗能及材料使用壽命長的優勢。一般來說，微型發光二極體顯示器的製造技術係採用晶粒轉置的方式將預先製作好的微型發光二極體晶粒直接轉移到驅動電路背板上，即所謂的巨量轉移技術。
為了滿足上述的產品需求，一種利用單一色光(例如藍光)的微型發光二極體元件陣列來激發波長轉換材料(例如奈米級螢光粉或量子點材料)以形成所需的各種色光的技術方案被提 出。然而，此類的技術方案存在著光轉換效率低以及激發光束無法被完全吸收而伴隨著轉換光束出射(例如漏藍光)的問題，導致出光顏色的色純度不足。
“先前技術”段落只是用來幫助了解本發明內容，因此在“先前技術”段落所揭露的內容可能包含一些沒有構成所屬技術領域中具有通常知識者所知道的習知技術。在“先前技術”段落所揭露的內容，不代表該內容或者本發明一個或多個實施例所要解決的問題，在本發明申請前已被所屬技術領域中具有通常知識者所知曉或認知。
本發明提供一種光源裝置以及光源裝置的製作方法，具有良好的光學效率。
本發明提供一種光源裝置的製作方法，能製作出具有良好光學效率的光源裝置。
為達上述的一或部分或全部目的或是其他目的，本發明的一實施例提出光源裝置。光源裝置包括一微型發光元件層、一透光基板以及一波長轉換模組。透光基板具有彼此相對的一第一表面與一第二表面。波長轉換模組位於微型發光元件層與透光基板的第一表面之間。波長轉換模組包括一第一波長轉換層、一第二波長轉換層與一透光層、多個隔離結構、多個反射層以及一光截止層。第一波長轉換層、第二波長轉換層以及透光層在透光基 板的一排列方向上間隔地排列。第一波長轉換層、第二波長轉換層以及透光層的任兩者藉由隔離結構而彼此分隔。多個反射層在排列方向上位於第一波長轉換層的側壁、第二波長轉換層的側壁以及透光層的側壁的任一者與隔離結構之間。光截止層與透光基板的第一表面接觸，其中光截止層接觸並重疊於第一波長轉換層與第二波長轉換層。
為達上述的一或部分或全部目的或是其他目的，本發明的一實施例提出一種光源裝置的製作方法。光源裝置的製作方法包括下述步驟。提供一透光基板，其中透光基板具有彼此相對的一第一表面與一第二表面；於透光基板的第一表面上形成一波長轉換模組；以及於波長轉換模組遠離透光基板的一側上形成一微型發光元件層。形成波長轉換模組的方法包括下述步驟。於透光基板的第一表面上形成一光截止層以及未設有光截止層的多個間隔區域；於光截止層上分別形成一第一波長轉換層與一第二波長轉換層以及於這些間隔區域上形成一透光層，其中第一波長轉換層、第二波長轉換層以及透光層在透光基板的一排列方向上間隔地排列；於第一波長轉換層的側壁、第二波長轉換層的側壁以及透光層的側壁的部分區域上分別皆形成一反射層；以及於第一波長轉換層的側壁、第二波長轉換層的側壁、透光層的側壁以及相鄰的兩反射層之間的區域中形成多個隔離結構。
在本發明的一實施例中，上述的微型發光元件層具有多個微型發光元件，且這些微型發光元件在透光基板的正投影的面 積與第一波長轉換層、第二波長轉換層以及透光層的任一者在透光基板的正投影的面積重疊。
在本發明的一實施例中，上述的微型發光元件層具有多個微型發光元件，且這些微型發光元件在透光基板的正投影的面積與這些隔離結構在透光基板的正投影的面積不重疊。
在本發明的一實施例中，上述的各隔離結構具有一第一端部、一第二端部以及連接第一端部與第二端部的一本體部，第一端部與微型發光元件層接觸，第二端部與透光基板與光截止層的至少任一者接觸，且各隔離結構的第一端部與第二端部在透光基板的正投影的面積大於各隔離結構的本體部在透光基板的正投影的面積。
在本發明的一實施例中，上述的第一波長轉換層的側壁、第二波長轉換層的側壁以及透光層的側壁的任一者對應於各隔離結構的本體部具有一本體區域，且各反射層在排列方向上位於本體部與第一波長轉換層的側壁、第二波長轉換層的側壁以及透光層的側壁的任一者的本體區域之間。
在本發明的一實施例中，上述的各隔離結構的第一端部與第二端部在排列方向上自本體部的兩側突出而分別形成多個突出部，且各反射層在排列方向上的厚度小於各突出部在排列方向上的長度。
在本發明的一實施例中，其中光截止層在透光基板的正投影的面積與透光層在透光基板的正投影的面積不重疊。
在本發明的一實施例中，上述的光源裝置，還包括一抗反射層，位於透光基板的第二表面上。
在本發明的一實施例中，上述的於波長轉換模組遠離透光基板的一側上形成微型發光元件層的方法包括將微型發光元件層對位貼合於波長轉換模組遠離透光基板的一側上。
在本發明的一實施例中，在上述的排列方向上，第一波長轉換層的側壁、第二波長轉換層的側壁以及透光層的側壁的任兩者隔著一第一間隙彼此相向，且在各第一間隙中，相鄰的兩反射層之間隔著一第二間隙彼此相向，且第一波長轉換層的側壁、第二波長轉換層的側壁以及透光層的側壁上未設有各反射層的另一部分區域分別隔著一第三間隙與一第四間隙彼此相向，其中第二間隙位於第三間隙與第四間隙之間，且形成各隔離結構的方法包括：填充遮光材料至第三間隙、第二間隙與第四間隙中，以對應地分別形成各隔離結構的一第一端部、一第二端部以及連接第一端部與第二端部的一本體部。
在本發明的一實施例中，上述光源裝置的製作方法，還包括：於透光基板的第二表面上形成一抗反射層。
基於上述，在本發明的實施例中的光源裝置，藉由反射層的配置，被傳遞至側向的轉換光束或是激發光束皆可藉由被反射層反射而在第一波長轉換層、第二波長轉換層或是透光層中反覆傳遞直至從透光基板的第一表面出光。並且，藉由光截止層的配置，激發光束中未被第一波長轉換層、第二波長轉換層轉換的 部分則可經由光截止層與反射層的反射而反覆在第一波長轉換層與第二波長轉換層中傳遞而再次進行轉換。如此，波長轉換模組的光學效率與轉換效率都可得到有效提升。
在本發明的實施例中的光源裝置與光源裝置的製作方法，讓具有反射層的光源裝置，可以產生具有側邊方向的光束回收功能，並且增加激發光束的使用率以及轉換光束的產生率。
此外，藉由本實施例的光源裝置的製作方法而形成的光源裝置，由於僅需進行一次貼合對位的製程，因此製作簡易，並可在結構上具有良好的精準度。並且，由於光源裝置的微型發光元件層直接貼合於波長轉換模組上，因此也可減少光束的耗損，而具有良好的光學效率，並且同時可減少結構的厚度，而具有小型化的優點。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
100:光源裝置
110:微型發光元件層
120:透光基板
130:波長轉換模組
131:第一波長轉換層
132:第二波長轉換層
133:透光層
134:隔離結構
134A:第一端部
134B:本體部
134C:第二端部
135:反射層
136:光截止層
140:抗反射層
BL:激發光束
DE:排列方向
E:照明光束的出射方向
G1:第一間隙
G2:第二間隙
G3:第三間隙
G4:第四間隙
IR:間隔區域
MD:微型發光元件
P:突出部
S1:第一表面
S2:第二表面
TL1、TL2:轉換光束
圖1是本發明的一實施例的光源裝置的架構示意圖。
圖2A至圖2G是圖1的光源裝置的製作方法的流程示意圖。
有關本發明的前述及其他技術內容、特點與功效，在以 下配合參考圖式的一較佳實施例的詳細說明中，將可清楚的呈現。以下實施例中所提到的方向用語，例如：上、下、左、右、前或後等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語是用來說明並非用來限制本發明。
圖1是本發明的一實施例的光源裝置的架構示意圖。圖2A至圖2G是圖1的光源裝置的製作方法的流程示意圖。請參照圖1，在本實施例中，光源裝置100包括一微型發光元件層110、一透光基板120、一波長轉換模組130以及一抗反射層140。具體而言，如圖1所示，在本實施例中，透光基板120具有彼此相對的一第一表面S1與一第二表面S2，波長轉換模組130位於微型發光元件層110與透光基板120的第一表面S1之間，而抗反射層140位於透光基板120的第二表面S2上。
具體而言，如圖1所示，在本實施例中，微型發光元件層110具有多個微型發光元件MD，分別用於提供多個激發光束BL。舉例而言，微型發光元件MD為藍光微型發光二極體(Blue micro light emitting diode)，激發光束BL的發光波長例如介於430奈米至480奈米之間的範圍。
更具體而言，波長轉換模組130包括一第一波長轉換層131、一第二波長轉換層132與一透光層133、多個隔離結構134、多個反射層135以及一光截止層136。第一波長轉換層131、第二波長轉換層132以及透光層133在透光基板120的一排列方向DE上互成間隔地排列。進一步說明，多個隔離結構134分別設置於 第一波長轉換層131、第二波長轉換層132以及透光層133之間。此外，在本實施例中，在朝著照明光束的出射方向E的反方向上觀看光源裝置100，第一波長轉換層131、第二波長轉換層132以及透光層133在透光基板120的第一表面S1上呈矩陣排列。照明光束的出射方向E垂直於排列方向DE。
舉例而言，在本實施例中，第一波長轉換層131、第二波長轉換層132的材料例如是量子點(quantum dot)材料或奈米級的螢光粉(phosphor)。第一波長轉換層131、第二波長轉換層132適於將激發光束BL分別轉換為多道轉換光束TL1、TL2，其中轉換光束TL1、TL2的發光波長與激發光束BL的發光波長不相同。舉例而言，在本實施例中，微型發光元件MD為藍光微型發光二極體，轉換光束TL1、TL2的發光波長例如約為介於590奈米(nm)至700奈米之間的範圍以及約為介於500奈米至570_奈米之間的範圍，而可分別形成光源裝置100所提供的照明光束的紅光與綠光。值得一提的是，照明光束包括激發光束BL、紅光以及綠光的至少其中之一。照明光束朝著照明光束的出射方向E從抗反射層140離開光源裝置100。在本實施例中，透光層133的材料例如是可讓激發光束BL直接通過的光學膠材，但不以此為限。在本實施例中，激發光束BL可直接作為光源裝置100的藍光，但在其他實施例中，為了提高藍光的色純度(即，縮小藍光波長的分布範圍)，在透光基板120的第一表面S1與透光層133之間設置濾光元件，濾光元件用於讓特定波長的藍光穿透。或者在使用其他光源的情 況下為了轉換出藍光，其他實施例的波長轉換模組130也可在透光層133中選擇設置藍光波長轉換材料以獲得符合需求的藍光。
如圖1所示，在本實施例中，第一波長轉換層131、第二波長轉換層132以及透光層133的任兩者藉由一隔離結構134而彼此分隔，並且，多個反射層135在排列方向DE上位於第一波長轉換層131的側壁、第二波長轉換層132的側壁以及透光層133的側壁的任一者與各隔離結構134之間。舉例而言，在本實施例中，反射層135為金屬薄膜，可用以反射所有波長範圍的光束，而隔離結構134的材質可包括黑色樹脂或吸光材料，用於吸收或遮擋激發光束BL。
並且，如圖1所示，在本實施例中，微型發光元件MD與波長轉換模組130的第一波長轉換層131、第二波長轉換層132以及透光層133僅需經過一次對位，即可使微型發光元件MD在透光基板120的正投影的面積與第一波長轉換層131、第二波長轉換層132以及透光層133的任一者在透光基板120的正投影的面積重疊，且第一波長轉換層131、第二波長轉換層132以及透光層133的任一者在透光基板120的正投影的面積大於微型發光元件MD在透光基板120的正投影的面積。
微型發光元件MD在透光基板120的正投影的面積與隔離結構134在透光基板120的正投影的面積不重疊。如此，多個微型發光元件MD提供的多個激發光束BL可對應地進入第一波長轉換層131、第二波長轉換層132以及透光層133之中。
進一步而言，如圖1所示，在本實施例中，在第一波長轉換層131、第二波長轉換層132以及透光層133的任一者的側壁垂直於透光基板120的第一表面S1，且反射層135覆蓋了第一波長轉換層131的側壁、第二波長轉換層132的側壁以及透光層133的側壁的至少部分面積。如此，在波長轉換模組130的第一波長轉換層131與第二波長轉換層132中，被傳遞至側向的轉換光束TL1、TL2皆可藉由反射層135的反射而改變轉換光束TL1、TL2的出射方向，而傳遞至透光基板120，轉換光束TL1、TL2從透光基板120的第一表面S1出光。如此，可提高波長轉換模組130的光學效率。另一方面，在波長轉換模組130的第一波長轉換層131與第二波長轉換層132中，被傳遞至側向的激發光束BL可藉由反射層135的反射而於第一波長轉換層131與第二波長轉換層132中轉換成轉換光束TL1、TL2。如此，可提高波長轉換模組130的第一波長轉換層131與第二波長轉換層132的光學轉換效率。此外，在波長轉換模組130的透光層133中，被傳遞至側向的激發光束BL藉由反射層135反射而在透光層133中傳遞至從透光基板120的第一表面S1出光。如此，可提高波長轉換模組130的光學效率。
更進一步而言，如圖1所示，在本實施例中，光截止層136與透光基板120的第一表面S1接觸，其中光截止層136接觸並重疊於第一波長轉換層131與第二波長轉換層132。光截止層136設置於透光基板120與第一波長轉換層131之間。另一光截止 層136設置於透光基板120與第二波長轉換層132之間。舉例而言，在本實施例中，光截止層136對於發光波長小於500奈米的光束具有明顯的反射效果，並可使發光波長大於500奈米的光束穿透。舉例而言，光截止層136不讓激發光束BL通過，光截止層136可用以反射激發光束BL，並用以使轉換光束TL1、TL2穿透。
並且，如圖1所示，在本實施例中，光截止層136在透光基板120的正投影的面積與透光層133在透光基板120的正投影的面積不重疊。如此，激發光束BL可在通過透光層133後離開波長轉換模組130，而形成光源裝置100所提供的照明光束的藍光部分。另一方面在第一波長轉換層131與第二波長轉換層132中，激發光束BL中未被第一波長轉換層131、第二波長轉換層132轉換的另一部分則可經由光截止層136與反射層135的反射而反覆在第一波長轉換層131與第二波長轉換層132中傳遞而再次進行轉換，只有轉換光束TL1、TL2能夠經由光截止層136離開波長轉換模組130，進而形成光源裝置100所提供的照明光束的紅光或綠光。如此，可提升波長轉換模組130的轉換效率。
如此一來，藉由反射層135與光截止層136的配置，波長轉換模組130的光學效率與轉換效率都可得到有效提升。
另一方面，如圖1所示，在本實施例中，各隔離結構134具有一第一端部134A、一第二端部134C以及連接第一端部134A與第二端部134C的一本體部134B，其中第一端部134A與微型發光元件層110接觸，透光基板120與光截止層136的至少任一者 與第二端部134C接觸。並且，各隔離結構134的第一端部134A與第二端部134C在透光基板120的正投影的面積大於各隔離結構134的本體部134B在透光基板120的正投影的面積。也就是說，在本實施例中，各隔離結構134的輪廓例如為類似I形。
進一步而言，如圖1所示，在本實施例中，各隔離結構134的第一端部134A與第二端部134C在排列方向DE上自本體部134B的兩側突出而分別形成多個突出部P，第一波長轉換層131的側壁、第二波長轉換層132的側壁以及透光層133的側壁的任一者對應於各隔離結構134的本體部134B具有一本體區域。在排列方向DE上，各反射層135位於本體部134B與第一波長轉換層131的側壁、第二波長轉換層132的側壁以及透光層133的側壁的任一者的本體區域之間，且各反射層135在排列方向DE上的厚度小於各突出部P在排列方向DE上的長度。也就是說，如圖1所示，各反射層135被各隔離結構134的各兩端部的突出部P、本體部134B以及與第一波長轉換層131的側壁、第二波長轉換層132的側壁以及透光層133的側壁的任一者的本體區域包圍。
如此一來，藉由各隔離結構134的突出部P的配置，可用以阻擋激發光束BL以大角度入射波長轉換模組130或是阻擋被反射層135反射的光束以大角度離開波長轉換模組130。如此，可限制微型發光元件MD提供的激發光束BL的入光角度範圍，或是，限制離開波長轉換模組130的轉換光束TL1、TL2以及通過透光層133的激發光束BL的出光角度範圍，而可減少雜散光的產 生。
以下將搭配圖2A至圖2G，針對光源裝置100的製作方法的步驟進行進一步地解說。
首先，如圖2A所示，提供透光基板120以及於透光基板120的第二表面S2上形成抗反射層140，舉例而言，利用塗佈或者鍍膜的方式於透光基板120的第二表面S2上形成抗反射層140，並且，如圖2A至圖2F所示，於透光基板120的第一表面S1上形成波長轉換模組130。
進一步而言，如圖2A至圖2F所示，形成波長轉換模組130的方法包括下述步驟。
首先，如圖2A所示，於透光基板120的第一表面S1上形成光截止層136以及多個間隔區域IR。多個間隔區域IR不具有光截止層136。
接著，如圖2B至圖2D所示，藉由黃光製程於光截止層136上分別形成第一波長轉換層131與第二波長轉換層132。以及於間隔區域IR形成透光層133。在本實施例中，透光層133直接接觸透光基板120。此外，第一波長轉換層131與第二波長轉換層132沉積光截止層136上。舉例而言，使用物理沉積或化學沉積的半導體製程方式。進一步而言，如圖2D所示，在本實施例中，第一波長轉換層131、第二波長轉換層132以及透光層133在透光基板120的排列方向DE上互成間隔地排列，且在排列方向DE上，第一波長轉換層131的側壁、第二波長轉換層132的側壁以及透光 層133的側壁的任兩者隔著第一間隙G1彼此相向。
接著，如圖2E所示，於第一波長轉換層131的側壁、第二波長轉換層132的側壁以及透光層133的側壁的部分區域上分別形成反射層135。舉例而言，以鍍膜的方式將反射層135鍍於第一波長轉換層131的側壁、第二波長轉換層132的側壁以及透光層133的側壁上。
接著，如圖2F所示，於第一波長轉換層131的側壁、第二波長轉換層132的側壁、透光層133的相鄰的兩反射層135之間形成多個隔離結構134。進一步說明，隔離結構134填入兩反射層135之間。
更具體而言，如圖2E與圖2F所示，在各第一間隙G1中，相鄰的兩反射層135之間隔著一第二間隙G2彼此相向，且第一波長轉換層131的側壁、第二波長轉換層132的側壁以及透光層133的側壁上未設有各反射層135的另一部分區域分別隔著一第三間隙G3與一第四間隙G4彼此相向，其中第二間隙G2位於第三間隙G3與第四間隙G4之間。
如此，如圖2F所示，在形成各隔離結構134時，用於形成的隔離結構134的遮光材料將會被填充至第三間隙G3、第二間隙G2與第四間隙G4中，以對應地分別形成各隔離結構134的第一端部134A、第二端部134C以及連接第一端部134A與第二端部134C的本體部134B。
如此，即可形成波長轉換模組130於透光基板120上。
接下來，於波長轉換模組130遠離透光基板120的一側上形成一微型發光元件層110，即可形成光源裝置100。具體而言，在本實施例中，於波長轉換模組130遠離透光基板120的一側上形成微型發光元件層110的方法包括將微型發光元件層110對位貼合於波長轉換模組130遠離透光基板120的一側上。
如此一來，在本實施例的光源裝置100的結構與光源裝置100的製作方法，讓具有反射層135的光源裝置100，可以產生具有側邊方向的光束回收功能，並且增加激發光束的使用率以及轉換光束的產生率。此外，在本實施例的光源裝置100的製作方法中，僅有一道貼合對位的製程，製作簡易，並可減少在貼合時產生誤差的風險，而使得微型發光元件層110的微型發光元件MD與波長轉換模組130的第一波長轉換層131、第二波長轉換層132以及透光層133之間的對位具有良好的精準度。並且，在本實施例中，由於微型發光元件層110直接貼合於波長轉換模組130上，因此可減少光束的耗損，而具有良好的光學效率，並且同時可減少結構的厚度，而具有小型化的優點。
綜上所述，在本發明的實施例中的光源裝置，藉由反射層的配置，被傳遞至側向的轉換光束或是激發光束皆可藉由被反射層反射而在第一波長轉換層、第二波長轉換層或是透光層中反覆傳遞直至從透光基板的第一表面出光。並且，藉由光截止層的配置，激發光束中未被第一波長轉換層、第二波長轉換層轉換的 部分則可經由光截止層與反射層的反射而反覆在第一波長轉換層與第二波長轉換層中傳遞而再次進行轉換。如此，波長轉換模組的光學效率與轉換效率都可得到有效提升。此外，藉由本實施例的光源裝置的製作方法而形成的光源裝置，由於僅需進行一次貼合對位的製程，因此製作簡易，並可在結構上具有良好的精準度。並且，由於光源裝置的微型發光元件層直接貼合於波長轉換模組上，因此也可減少光束的耗損，而具有良好的光學效率，並且同時可減少結構的厚度，而具有小型化的優點。
惟以上所述者，僅為本發明的較佳實施例而已，當不能以此限定本發明實施的範圍，即大凡依本發明申請專利範圍及發明說明內容所作的簡單的等效變化與修飾，皆仍屬本發明專利涵蓋的範圍內。另外本發明的任一實施例或申請專利範圍不須達成本發明所揭露的全部目的或優點或特點。此外，摘要部分和標題僅是用來輔助專利文件搜尋之用，並非用來限制本發明的權利範圍。此外，本說明書或申請專利範圍中提及的“第一”、“第二”等用語僅用以命名元件(element)的名稱或區別不同實施例或範圍，而並非用來限制元件數量上的上限或下限。
100：光源裝置 110：微型發光元件層 120：透光基板 130：波長轉換模組 131：第一波長轉換層 132：第二波長轉換層 133：透光層 134：隔離結構 134A：第一端部 134B：本體部 134C：第二端部 135：反射層 136：光截止層 140：抗反射層 BL：激發光束 DE：排列方向 E：照明光束的出射方向 MD：微型發光元件 P：突出部 S1：第一表面 S2：第二表面 TL1、TL2：轉換光束

Claims (14)

  1. 一種光源裝置，其特徵在於，該光源裝置包括：一微型發光元件層；一透光基板，具有彼此相對的一第一表面與一第二表面；以及一波長轉換模組，位於該微型發光元件層與該透光基板的該第一表面之間，其中該波長轉換模組包括：一第一波長轉換層、一第二波長轉換層與一透光層，其中該第一波長轉換層、該第二波長轉換層以及該透光層在該透光基板的一排列方向上間隔地排列；多個隔離結構，其中該第一波長轉換層、該第二波長轉換層以及該透光層的任兩者藉由該多個隔離結構的其中一個而彼此分隔；多個反射層，在該排列方向上位於該第一波長轉換層的側壁、該第二波長轉換層的側壁以及該透光層的側壁的任一者與該多個隔離結構之間；以及一光截止層，與該透光基板的該第一表面接觸，其中該光截止層接觸並重疊於該第一波長轉換層與該第二波長轉換層，其中各該隔離結構具有一第一端部、一第二端部以及連接該第一端部與該第二端部的一本體部，該第一端部與該微型發光元件層接觸，該第二端部與該透光基板與該光截止層的至 少任一者接觸，且各該隔離結構的該第一端部與該第二端部在該透光基板的正投影的面積大於各該隔離結構的該本體部在該透光基板的正投影的面積，且該反射層設置於該第一端部與該第二端部之間。
  2. 如請求項1所述的光源裝置，其中該微型發光元件層具有多個微型發光元件，且該些微型發光元件在該透光基板的正投影的面積與該第一波長轉換層、該第二波長轉換層以及該透光層的任一者在該透光基板的正投影的面積重疊。
  3. 如請求項1所述的光源裝置，其中該微型發光元件層具有多個微型發光元件，且該些微型發光元件在該透光基板的正投影的面積與該些隔離結構在該透光基板的正投影的面積不重疊。
  4. 如請求項1所述的光源裝置，其中該第一波長轉換層的側壁、該第二波長轉換層的側壁以及該透光層的側壁的任一者對應於各該隔離結構的該本體部具有一本體區域，且各該反射層在該排列方向上位於該本體部與該第一波長轉換層的側壁、該第二波長轉換層的側壁以及該透光層的側壁的任一者的該本體區域之間。
  5. 如請求項1所述的光源裝置，其中各該隔離結構的該第一端部與該第二端部在該排列方向上自該本體部的兩側突出而分別形成多個突出部，且各該反射層在該排列方向上的厚度小於各該突出部在該排列方向上的長度。
  6. 如請求項1所述的光源裝置，其中該光截止層在該透光基板的正投影的面積與該透光層在該透光基板的正投影的面積不重疊。
  7. 如請求項1所述的光源裝置，還包括：一抗反射層，位於該透光基板的該第二表面上。
  8. 一種光源裝置的製作方法，其特徵在於，該製作方法包括：提供一透光基板，其中該透光基板具有彼此相對的一第一表面與一第二表面；於該透光基板的該第一表面上形成一波長轉換模組，其中形成該波長轉換模組的方法包括：於該透光基板的該第一表面上形成一光截止層以及未設有該光截止層的多個間隔區域；於該光截止層上分別形成一第一波長轉換層與一第二波長轉換層以及於該些間隔區域上形成一透光層，其中該第一波長轉換層、該第二波長轉換層以及該透光層在該透光基板的一排列方向上間隔地排列；於該第一波長轉換層的側壁、該第二波長轉換層的側壁以及該透光層的側壁的部分區域上分別形成一反射層；以及於該第一波長轉換層的側壁、該第二波長轉換層的側壁、該透光層的側壁以及相鄰的兩該反射層之間的區域中形成多個隔離結構； 於該波長轉換模組遠離該透光基板的一側上形成一微型發光元件層；其中在該排列方向上，該第一波長轉換層的側壁、該第二波長轉換層的側壁以及該透光層的側壁的任兩者隔著一第一間隙彼此相向，且在各該第一間隙中，相鄰的兩該反射層之間隔著一第二間隙彼此相向，且該第一波長轉換層的側壁、該第二波長轉換層的側壁以及該透光層的側壁上未設有各該反射層的另一部分區域分別隔著一第三間隙與一第四間隙彼此相向，其中該第二間隙位於該第三間隙與該第四間隙之間，且形成各該隔離結構的方法包括：填充遮光材料至該第三間隙、該第四間隙與該第二間隙中，以對應地分別形成各該隔離結構的一第一端部、一第二端部以及連接該第一端部與該第二端部的一本體部，其中該第一端部與該微型發光元件層接觸，該第二端部與該透光基板與該光截止層的至少任一者接觸，各該隔離結構的該第一端部與該第二端部在該透光基板的正投影的面積大於各該隔離結構的該本體部在該透光基板的正投影的面積，且該反射層設置於該第一端部與該第二端部之間。
  9. 如請求項8所述的光源裝置的製作方法，其中於該波長轉換模組遠離該透光基板的一側上形成該微型發光元件層的方法包括將該微型發光元件層對位貼合於該波長轉換模組遠離該透光基板的一側上。
  10. 如請求項9所述的光源裝置的製作方法，其中該微型發光元件層具有多個微型發光元件，且該些微型發光元件在該透光基板的正投影的面積與該第一波長轉換層、該第二波長轉換層以及該透光層的任一者在該透光基板的正投影的面積重疊。
  11. 如請求項9所述的光源裝置的製作方法，其中該微型發光元件層具有多個微型發光元件，且該些微型發光元件在該透光基板的正投影的面積與該些隔離結構在該透光基板的正投影的面積不重疊。
  12. 如請求項8所述的光源裝置的製作方法，其中該第一波長轉換層的側壁、該第二波長轉換層的側壁以及該透光層的側壁的任一者對應於各該隔離結構的該本體部具有一本體區域，且各該反射層在該排列方向上位於該本體部與該第一波長轉換層的側壁、該第二波長轉換層的側壁以及該透光層的側壁的任一者的該本體區域之間。
  13. 如請求項8所述的光源裝置的製作方法，其中各該隔離結構的該第一端部與該第二端部在該排列方向上自該本體部的兩側突出而分別形成多個突出部，且各該反射層在該排列方向上的厚度小於該些突出部在該排列方向上的長度。
  14. 如請求項8所述的光源裝置的製作方法，還包括：於該透光基板的該第二表面上形成一抗反射層。
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