TWI824680B - 自對準堆積方法 - Google Patents

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布倫南 彼得森
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美商杰米納帝歐股份有限公司
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Abstract

本發明係關於一種微製造之方法，其包括提供具有一現有圖案之一基體，其中該現有圖案包含形成於一基層內之形貌體，使得該基體之一頂表面具有未經覆蓋之形貌體且該基層未經覆蓋；在該基體上沈積一選擇性附著劑，其中該選擇性附著劑包括一溶解度轉變劑；在該基體上沈積一第一阻劑；活化該溶解度轉變劑，使得該第一阻劑之一部分變得不溶於一第一顯影劑；使用該第一顯影劑對該第一阻劑進行顯影，使得形成包含開口之一浮雕圖案，其中該等開口暴露現有層之該等形貌體；以及執行一選擇性生長方法，其在該等形貌體上及該浮雕圖案之該等開口內生長一選擇性沈積材料以提供自對準選擇性沈積形貌體。

Description

自對準堆積方法
本發明係有關於自對準堆積方法。
發明背景
半導體裝置之微製造包括各種步驟，諸如膜沈積、圖案形成及圖案轉印。材料及膜藉由旋轉塗佈、氣相沈積及其他沈積方法沈積於基體上。圖案形成通常藉由使被稱為光阻劑之感光性膜暴露於光化輻射之圖案且隨後對該光阻劑進行顯影以形成浮雕圖案來進行。浮雕圖案接著充當蝕刻遮罩，當一或多種蝕刻方法施加至基體時，該蝕刻遮罩覆蓋基體將不被蝕刻的部分。在第一蝕刻之後，方法可接著繼續材料沈積、蝕刻、退火、光微影等之額外步驟，其中各種步驟重複直至製造出電晶體或積體電路。
在半導體方法中存在多個步驟，其中關鍵形貌體必須與底層精確對準。習知地，可藉由對準不同遮罩層、校正其定位且接著將層蝕刻至適當位置來對準不同方法。
發明概要
此發明內容係為了引入一系列概念而提供，該等概念進一步描述於下述實施方式中。此發明內容不意欲標識所主張主題之關鍵特徵或基本特徵，其亦不意欲用於輔助限制所主張主題之範疇。
在一個態樣中，本文所揭露之實施例係關於一種微製造之方法，其包括提供具有一現有圖案之一基體，其中該現有圖案包含形成於一基層內之形貌體，使得該基體之一頂表面具有未經覆蓋之形貌體且該基層未經覆蓋；在該基體上沈積一選擇性附著劑，其中該選擇性附著劑包含一溶解度轉變劑；在該基體上沈積一第一阻劑；活化該溶解度轉變劑，使得該第一阻劑之一部分變得不溶於一第一顯影劑；使用該第一顯影劑對該第一阻劑進行顯影，使得形成包含開口之一浮雕圖案，其中該等開口暴露現有層之該等形貌體；以及執行一選擇性生長方法，其在該等形貌體上及該浮雕圖案之該等開口內生長一選擇性沈積材料以提供自對準選擇性沈積形貌體。
將由以下描述及所附申請專利範圍顯而易知所主張主題之其他態樣及優點。
較佳實施例之詳細說明
在裝置及節點之微製造中，需要使用選擇性方法來使一些形貌體完全對準。一典型實例為金屬頂部上之通孔。亦即，通孔理想地經精確定位而不延伸至氧化物。通孔為裝置中金屬層之間的電連接件。在選擇性沈積方法中，需要在預定義位置處在預定義方向上無缺陷地生長預選材料。然而，諸如選擇性原子層沈積之當前定向生長技術遭受缺陷度大之問題。另外，此類技術通常不足以用於更複雜的情況，諸如延伸至間隔件之側壁的所選生長區域。當前自對準生長一般趨向於在所有方向上生長。隨著材料在所有(可用)方向上生長，生長特定形貌體為困難的。通常僅可按需要生長極薄形貌體。此外，自對準生長通常具有高缺陷率。即使少量無意沈積亦可給裝置帶來問題。
本揭露內容大體上係關於一種在半導體基體上選擇性生長之方法。在本文中，術語「半導體基體(semiconductor substrate)」與「基體(substrate)」可互換使用，且可為任何半導體材料，包括但不限於半導體晶圓、半導體材料層及其組合。本文所揭露之方法提供用於產生完全自對準形貌體或部分自對準形貌體之核心自對準形貌體。在一或多個實施例中，該方法組合選擇性形貌體置放及選擇性生長。該方法可能能夠填充各種形貌體及開口填充且促進淺溝槽隔離沈積。
本文所揭露之方法提供本質上保護將不接收沈積物之區的自對準沈積方法。此類方法可使得選擇性沈積之選擇性要求較低。在一或多個實施例中，部分對準形貌體或不具有明顯開口之形貌體仍將可接觸，例如作為金屬接觸。此外，使用本發明方法，低空間密度形貌體可經塗佈及填充，此可經由許多微製造方法產生更簡單的整合。
一或多個實施例之方法，依賴於化學方法及擴散特性二者，提供將控制形貌體添加至輸入化學物質自身及量測此類化學物質之過程的獨特能力。
如一般熟習此項技術者應瞭解，本文所揭露之方法可用於提供各種自對準形貌體，諸如通用自對準、選擇自對準及形貌體自對準。因此，本文所描述之特定實施例並不意欲限制本揭露內容之範疇。在一或多個特定實施例中，提供一種用於通用自對準通孔之方法。
根據本揭露內容之通用自對準之方法100展示於圖1中，且參考該圖進行論述。最初，在方塊102處，在基體上提供包括基層內之形貌體的現有圖案。在方塊104處，基體或其一部分經選擇性附著劑塗佈。選擇性附著劑可包括溶解度轉變劑。接著，在方塊106處，基體經第一阻劑塗佈。在方塊108處，溶解度轉變劑可經活化以提供第一阻劑可溶於第一顯影劑之區。接著，在方塊110處第一阻劑經顯影以在第一阻劑中提供暴露基體之現有圖案之形貌體的間隙。最後，在方塊112處，執行形貌體上之選擇性生長。在一些實施例中，在選擇性生長之後，基體經蝕刻以移除任何殘餘塗層，諸如選擇性附著劑及第一阻劑。
上文所描述之方法期間的各個時間點處之經塗佈基體的示意圖展示於圖2A-E中。在本文中，「經塗佈基體」係指經一或多個層，諸如第一阻劑層及第二阻劑層塗佈之基體。圖2A展示包括現有圖案之基體。圖2B展示包括外塗層之基體，該外塗層包括選擇性附著劑。圖2C展示包括選擇性附著劑外塗層之基體，該外塗層層疊有第一阻劑。圖2D展示第一阻劑已經顯影，使得基體之形貌體經暴露之後的經塗佈基體。最後，圖2E展示基體，其包括第一阻劑及在基體之形貌體之頂部上的選擇性生長層。圖1之方法及圖2A-E中所示的經塗佈基體詳細論述於下文中。
在圖1中，在方塊102處，在基體上提供現有圖案。圖2A展示包括現有圖案之基體。在圖2A中，現有圖案包括形成於基層201中之形貌體202。基層可為此項技術中已知的適合基體。在一或多個實施例中，形成於基層中之形貌體呈大陣列。舉例而言，在正方形基層上，形貌體可以4×4陣列、5×5陣列、6×6陣列等均勻地間隔。陣列之形狀及大小不受特別限制，且可為適用於光微影軌道之任何形狀及大小。
形貌體可由此項技術中常用之任何材料製成。在一或多個實施例中，形貌體包括金屬、類金屬或其他導電結構。如本文所用，術語金屬包括合金、堆疊及多種金屬之其他組合。舉例而言，金屬互連線可包括障壁層、不同金屬或合金之堆疊等。可構成形貌體之適合的金屬及類金屬包括但不限於矽、多晶矽、銅、鈷及鎢。在一或多個實施例中，基層為層間介電質。適合的層間介電質可包括矽之氧化物(例如二氧化矽(SiO 2))、矽之摻雜氧化物、矽之氟化氧化物、矽之經碳摻雜之氧化物、此項技術中已知的各種低k介電材料及其組合。現有圖案可為圖案化方法中之最終形貌體或中間形貌體。基體可經平坦化，使得基層內之形貌體的現有圖案經暴露且可接近。在一或多個實施例中，基體包括金屬線上方之蝕刻停止層，或石墨烯塗層。
接著，在方塊104處，將選擇性附著劑塗佈於基體或其一部分上。圖2B展示包括塗佈有選擇性附著劑203之現有圖案的基體。選擇性附著劑可藉由此項技術中已知的任何塗佈方法塗佈於基體上。適合的塗佈方法包括但不限於氣相沈積(vapor phase deposition)、液相沈積、氣相沈積(gas phase deposition)、旋轉塗佈及朗謬-布洛傑(Langmuir-Blodgett)單層塗佈。
選擇性附著劑可優先黏附於現有圖案之一種材料。在一或多個實施例中，選擇性附著劑黏附於基體之現有圖案之形貌體。在此類實施例中，選擇性附著劑可以大於1:1之形貌體與第一層之比黏附於圖案之形貌體。作為實例而非限制，選擇性附著劑可以約2:1至約10:1或更高範圍內之形貌體與第一層之比黏附於圖案之形貌體。
在一或多個實施例中，選擇性附著劑為可藉由進一步官能化之化學官能基。例示性選擇性附著劑包括但不限於醇、矽烷醇、胺、膦、膦酸及羧酸。塗佈於現有圖案上之特定選擇性附著劑可視方法100之其他組分中所用的特定化學物質而定。舉例而言，各種膦酸及酯能夠選擇性地或至少優先與原生或經氧化之金屬表面反應，以相對於介電材料(例如矽之氧化物)之表面優先或甚至選擇性地形成強結合金屬膦酸鹽，且因此可用作針對形貌體而非基層之選擇性附著劑。適合的膦酸之一特定實例為十八烷基膦酸(ODPA)。此類表面塗層一般傾向於在許多有機溶劑中穩定，但可使用弱酸及鹼水溶液移除。膦(例如有機膦)亦可任擇地使用。其他常見酸，諸如磺酸、亞磺酸及羧酸亦可任擇地使用。
與介電材料或有機聚合材料或其他材料相比，對金屬材料具選擇性或至少優先性之反應的另一實例為各種金屬腐蝕抑制劑，諸如在化學機械拋光期間用於保護互連結構之彼等。特定實例包括苯并***、其他***官能基、其他適合之雜環基(例如以雜環為主之腐蝕抑制劑)及此項技術中已知的其他金屬腐蝕抑制劑。除***基以外，其他官能基可用於提供針對金屬之所需吸引力或反應性。各種金屬螯合劑亦可能為適合的。各種胺(例如有機胺)亦可能為適合的。
與介電材料或有機聚合材料或其他材料相比，對金屬材料具選擇性或至少優先性之反應的又一實例為各種硫醇。作為另一實例，與介電質及某些其他材料相比，1,2,4-***或類似芳族雜環化合物可用於選擇性地與金屬反應。選擇性附著劑亦可含有能夠與聚合物之官能基反應以將聚合物鍵結至表面的官能基。亦可潛在地使用此項技術中已知的各種其他金屬中毒化合物。應瞭解，此等僅為幾個說明性實例，且另外其他實例對熟習此項技術且受益於本揭露內容者而言將為顯而易見的。選擇性附著劑亦可包括含有能夠選擇性附著之前述官能基中任一者的聚合物，其中聚合物具有沿主鏈或作為端基之官能基且形成附著於目標材料之聚合物鏈層。
在一或多個實施例中，選擇性附著劑可包括溶解度轉變劑。溶解度轉變劑之組成可視選擇性附著劑而定。如一般熟習此項技術者應瞭解，任何適合的溶解度轉變劑可包括於選擇性附著劑中，其限制條件為二種材料不彼此反應。一般而言，溶解度轉變劑可為在光或熱之情況下活化的任何化學物質。舉例而言，在一些實施例中，溶解度轉變劑包括酸或酸產生劑。酸或在TAG之情況下產生之酸應足以加熱引起第一阻劑圖案之表面區域中聚合物之酸可分解基團的鍵斷裂，以使第一阻劑聚合物在待施加之特定顯影劑中的溶解度增加。基於修整組成物之總固體計，酸或TAG通常以約0.01至20 wt%之量存在於組成物中。
較佳酸為有機酸，包括非芳族酸及芳族酸，其各自可任擇地具有氟取代。適合的有機酸包括例如：羧酸，諸如烷酸，包括甲酸、乙酸、丙酸、丁酸、二氯乙酸、三氯乙酸、全氟乙酸、全氟辛酸、乙二酸、丙二酸及丁二酸；羥烷酸，諸如檸檬酸；芳族羧酸，諸如苯甲酸、氟苯甲酸、羥基苯甲酸及萘甲酸；有機磷酸，諸如二甲基磷酸、二甲基次膦酸；及磺酸，諸如任擇地氟化烷基磺酸，包括甲磺酸、三氟甲磺酸、乙磺酸、1-丁磺酸、1-全氟丁磺酸、1,1,2,2-四氟丁烷-1-磺酸、1,1,2,2-四氟-4-羥基丁烷-1-磺酸、1-戊磺酸、1-己磺酸及1-庚磺酸。
不含氟之例示性芳族酸包括其中通式(I)之芳族酸：
其中：R1獨立地表示經取代或未經取代之C1-C20烷基、經取代或未經取代之C5-C20芳基或其組合，其任擇地含有一或多個選自羰基、羰基氧基、磺醯胺基、醚、硫醚、經取代或未經取代之伸烷基或其組合的基團；Z1獨立地表示選自羧基、羥基、硝基、氰基、C1至C5烷氧基、甲醯基及磺酸之基團；a及b獨立地為0至5之整數；且a+b為5或更小。
例示性芳族酸可具有通式(II)：
其中：R2及R3各自獨立地表示經取代或未經取代之C1-C20烷基、經取代或未經取代之C5-C16芳基或其組合，其任擇地含有一或多個選自羰基、羰基氧基、磺醯胺基、醚、硫醚、經取代或未經取代之伸烷基或其組合的基團；Z2及Z3各自獨立地表示選自羧基、羥基、硝基、氰基、C1至C5烷氧基、甲醯基及磺酸之基團；c及d獨立地為0至4之整數；c+d為4或更小；e及f獨立地為0至3之整數；且e+f為3或更小。
可包括於溶解度轉變劑中之額外芳族酸包括彼等通式(III)或(IV)：
其中：R4、R5及R6各自獨立地表示經取代或未經取代之C1-C20烷基、經取代或未經取代之C5-C12芳基或其組合，其任擇地含有一或多個選自羰基、羰基氧基、磺醯胺基、醚、硫醚、經取代或未經取代之伸烷基或其組合的基團；Z4、Z5及Z6各自獨立地表示選自羧基、羥基、硝基、氰基、C1至C5烷氧基、甲醯基及磺酸之基團；g及h獨立地為0至4之整數；g+h為4或更小；i及j獨立地為0至2之整數；i+j為2或更小；k及l獨立地為0至3之整數；且k+l為3或更小；
其中：R4、R5及R6各自獨立地表示經取代或未經取代之C1-C20烷基、經取代或未經取代之C5-C12芳基或其組合，其任擇地含有一或多個選自羰基、羰基氧基、磺醯胺基、醚、硫醚、經取代或未經取代之伸烷基或其組合的基團；Z4、Z5及Z6各自獨立地表示選自羧基、羥基、硝基、氰基、C1至C5烷氧基、甲醯基及磺酸之基團；g及h獨立地為0至4之整數；g+h為4或更小；i及j獨立地為0至1之整數；i+j為1或更小；k及l獨立地為0至4之整數；且k+l為4或更小。
適合的芳族酸可替代地具有通式(V)：
其中：R7及R8各自獨立地表示經取代或未經取代之C1-C20烷基、經取代或未經取代之C5-C14芳基或其組合，其任擇地含有一或多個選自羧基、羰基、羰基氧基、磺醯胺基、醚、硫醚、經取代或未經取代之伸烷基或其組合的基團；Z7及Z8各自獨立地表示選自羥基、硝基、氰基、C1至C5烷氧基、甲醯基及磺酸之基團；m及n獨立地為0至5之整數；m+n為5或更小；o及p獨立地為0至4之整數；且o+p為4或更小。
另外，例示性芳族酸可具有通式(VI)：
其中：X為O或S；R9獨立地表示經取代或未經取代之C1-C20烷基、經取代或未經取代之C5-C20芳基或其組合，其任擇地含有一或多個選自羰基、羰基氧基、磺醯胺基、醚、硫醚、經取代或未經取代之伸烷基或其組合的基團；Z9獨立地表示選自羧基、羥基、硝基、氰基、C1至C5烷氧基、甲醯基及磺酸之基團；q及r獨立地為0至3之整數；且q+r為3或更小。
在一或多個實施例中，酸為具有氟取代之自由酸。適合的具有氟取代之自由酸可為芳族或非芳族的。舉例而言，可用作溶解度轉變劑的具有氟取代之自由酸包括但不限於以下：
適合的TAG包括能夠產生如上文所描述之非聚合酸的彼等。TAG可為非離子或離子型。適合的非離子熱酸產生劑包括例如三氟甲基磺酸環己酯、三氟甲基磺酸甲酯、對甲苯磺酸環己酯、對甲苯磺酸甲酯、2,4,6-三異丙基苯磺酸環己酯、硝基苯甲酯、安息香甲苯磺酸酯、甲苯磺酸2-硝基苯甲酯、參(2,3-二溴丙基)-1,3,5-三𠯤-2,4,6-三酮、有機磺酸之烷基酯、對甲苯磺酸、十二烷基苯磺酸、乙二酸、鄰苯二甲酸、磷酸、樟腦磺酸、2,4,6-三甲苯磺酸、三異丙基萘磺酸、5-硝基-鄰甲苯磺酸、5-磺柳酸、2,5-二甲苯磺酸、2-硝基苯磺酸、3-氯苯磺酸、3-溴苯磺酸、2-氟癸醯基磺酸、十二烷基苯磺酸、1-萘酚-5-磺酸、2-甲氧基-4-羥基-5-苯甲醯基-苯磺酸及其鹽，以及其組合。適合的離子熱酸產生劑包括例如十二烷基苯磺酸三乙胺鹽、十二烷基苯二磺酸三乙胺鹽、對甲苯磺酸-銨鹽、對甲苯磺酸-吡錠鹽、磺酸鹽，諸如碳環芳基及雜芳基磺酸鹽、脂族磺酸鹽以及苯磺酸鹽。在活化時產生磺酸之化合物一般為適合的。較佳熱酸產生劑包括對甲苯磺酸銨鹽及雜芳基磺酸鹽。
較佳地，TAG為離子型，其中用於產生磺酸之反應流程如下所示：
其中RSO 3 −為TAG陰離子且X +為TAG陽離子，較佳有機陽離子。陽離子可為通式(I)之含氮陽離子：
(BH) +(I)
其為含氮鹼B之單質子化形式。適合的含氮鹼B包括例如：任擇地經取代之胺，諸如氨、二氟甲基氨、C1-20烷基胺及C3-30芳基胺，例如含氮雜芳族鹼，諸如吡啶或經取代之吡啶(例如3-氟吡啶)、嘧啶及吡𠯤；含氮雜環基，例如㗁唑、㗁唑啉或噻唑啉。前述含氮鹼B可任擇地經例如一或多個選自烷基、芳基、鹵素原子(較佳氟)、氰基、硝基及烷氧基之基團取代。其中，鹼B較佳為雜芳族鹼。
鹼B通常具有0至5.0，或0與4.0之間，或0與3.0之間，或1.0與3.0之間的pKa。如本文所用，術語「pKa」根據其在此項技術中公認的含義使用，亦即，pKa為約室溫下水溶液中鹼性部分(B)之共軛酸(BH) +之解離常數的負對數(以10為底)。在某些實施例中，鹼B之沸點小於約170℃，或小於約160℃、150℃、140℃、130℃、120℃、110℃、100℃或90℃。
例示性適合的含氮陽離子(BH) +包括NH 4 +、CF 2HNH 2 +、CF 3CH 2NH 3 +、(CH 3) 3NH +、(C 2H 5) 3NH +、(CH 3) 2(C 2H 5)NH +及以下：
其中Y為烷基，較佳地，甲基或乙基。
在特定實施例中，溶解度轉變劑可為酸，諸如三氟甲磺酸、全氟-1-丁磺酸、對甲苯磺酸、4-十二烷基苯磺酸、2,4-二硝基苯磺酸及2-三氟甲基苯磺酸；酸產生劑，諸如三苯基鋶銻酸鹽、吡錠全氟丁磺酸鹽、3-氟吡錠全氟丁磺酸鹽、4-三級丁基苯基四亞甲基鋶全氟-1-丁磺酸鹽、4-三級丁基苯基四亞甲基鋶2-三氟甲基苯磺酸鹽及4-三級丁基苯基四亞甲基鋶4,4,5,5,6,6-六氟二氫-4H-1,3,2-二噻𠯤1,1,3,3-四氧化物；或其組合。
替代地，溶解度轉變劑可包括鹼或鹼產生劑。在此類實施例中，適合的溶解度轉變劑包括但不限於氫氧化物、羧酸鹽、胺、亞胺、醯胺及其混合物。鹼之特定實例包括碳酸銨、氫氧化銨、磷酸氫銨、磷酸銨、碳酸四甲銨、氫氧化四甲銨、磷酸氫四甲銨、磷酸四甲銨、碳酸四乙銨、氫氧化四乙銨、磷酸氫四乙銨、磷酸四乙銨及其組合。胺包括脂族胺、環脂族胺、芳族胺及雜環胺。胺可為一級、二級或三級胺。胺可為單胺、二胺或多元胺。適合的胺可包括C1-30有機胺、亞胺或醯胺，或可為強鹼(例如氫氧化物或醇鹽)或弱鹼(例如羧酸鹽)之C1-30四級銨鹽。例示性鹼包括胺，諸如三丙胺、十二胺、參(2-羥丙基)胺、肆(2-羥丙基)乙二胺；芳基胺，諸如二苯胺、三苯胺、胺苯酚及2-(4-胺基苯基)-2-(4-羥苯基)丙烷、特羅格鹼(Troger's base)，受阻胺，諸如二氮雜雙環十一烯(DBU)或二氮雜雙環壬烯(DBN)，醯胺，如1,3-二羥基-2-(羥甲基)丙-2-基胺基甲酸三級丁酯及4-羥基哌啶-1-甲酸三級丁酯；或離子淬滅劑，包括四級烷基銨鹽，諸如氫氧化四丁銨(TBAH)或乳酸四丁銨。在另一實施例中，胺為羥胺。羥胺之實例包括具有一或多個各自具有1至約8個碳原子，且較佳1至約5個碳原子之羥烷基，諸如羥甲基、羥乙基及羥丁基的羥胺。羥胺之特定實例包括單乙醇胺、二乙醇胺及三乙醇胺、3-胺基-1-丙醇、2-胺基-2-甲基-1-丙醇、2-胺基-2-乙基-1,3-丙二醇、參(羥甲基)胺基甲烷、N-甲基乙醇胺、2-二乙胺基-2-甲基-1-丙醇及三乙醇胺。
適合的鹼產生劑可為熱鹼產生劑。熱鹼產生劑在加熱超過通常約140℃或更高之第一溫度時形成鹼。熱鹼產生劑可包括官能基，諸如醯胺、磺醯胺、醯亞胺、亞胺、O-醯基肟、苯甲醯氧基羰基衍生物、四級銨鹽、硝苯地平(nifedipine)、胺基甲酸酯及其組合。例示性熱鹼產生劑包括鄰{(β-(二甲胺基)乙基)胺基羰基}苯甲酸、鄰{(γ-(二甲胺基)丙基)胺基羰基}苯甲酸、2,5-雙{(β-(二甲胺基)乙基)胺基羰基}對苯二甲酸、2,5-雙{(γ-(二甲胺基)丙基)胺基羰基}對苯二甲酸、2,4-雙{(β-(二甲胺基)乙基)胺基羰基}間苯二甲酸、2,4-雙{(γ-(二甲胺基)丙基)胺基羰基}間苯二甲酸及其組合。
替代地，在一或多個實施例中，溶解度轉變劑包括交聯劑。可用作溶解度轉變劑之適合的交聯劑包括但不限於用於固化雙環氧化物之交聯劑，諸如雙酚A二縮水甘油醚、2,5-雙[(2-環氧乙烷基甲氧基)-甲基]-呋喃、2,5-雙[(2-環氧乙烷基甲氧基)甲基]-苯、三聚氰胺、甘脲，諸如四甲氧基甲基甘脲及四丁氧基甲基甘脲，以苯并胍胺為主之材料，諸如苯并胍胺、羥甲基苯并胍胺、甲基化羥甲基苯并胍胺、乙基化羥甲基苯并胍胺，以及以脲為主之材料。
在一或多個實施例中，選擇性附著劑包括溶劑。溶劑通常選自水、有機溶劑及其混合物。在一些實施例中，溶劑可包括包含一或多種有機溶劑之以有機物為主的溶劑系統。術語「以有機物為主(organic-based)」意謂溶劑系統包括基於溶解度轉變劑組成物之總溶劑計大於50 wt%有機溶劑，更通常基於溶解度轉變劑組成物之總溶劑計大於90 wt%、大於95 wt%、大於99 wt%或100 wt%有機溶劑。基於溶解度轉變劑組成物計，溶劑組分通常以90至99 wt%之量存在。
適用於選擇性附著劑組成物之有機溶劑包括例如：烷基酯，諸如丙酸烷基酯，諸如丙酸正丁酯、丙酸正戊酯、丙酸正己酯及丙酸正庚酯，以及丁酸烷基酯，諸如丁酸正丁酯、丁酸異丁酯及異丁酸異丁酯；酮，諸如2,5-二甲基-4-己酮及2,6-二甲基-4-庚酮；脂族烴，諸如正庚烷、正壬烷、正辛烷、正癸烷、2-甲基庚烷、3-甲基庚烷、3,3-二甲基己烷及2,3,4-三甲基戊烷，以及氟化脂族烴，諸如全氟庚烷；醇，諸如直鏈、分支鏈或環狀C 4-C 9一元醇，諸如1-丁醇、2-丁醇、異丁醇、三級丁醇、3-甲基-1-丁醇、1-戊醇、2-戊醇、4-甲基-2-戊醇、1-己醇、1-庚醇、1-辛醇、2-己醇、2-庚醇、2-辛醇、3-己醇、3-庚醇、3-辛醇及4-辛醇；2,2,3,3,4,4-六氟-1-丁醇、2,2,3,3,4,4,5,5-八氟-1-戊醇及2,2,3,3,4,4,5,5,6,6-十氟-1-己醇，以及C 5-C 9氟化二醇，諸如2,2,3,3,4,4-六氟-1,5-戊二醇、2,2,3,3,4,4,5,5-八氟-1,6-己二醇及2,2,3,3,4,4,5,5,6,6,7,7-十二氟-1,8-辛二醇；醚，諸如異戊醚及丙二醇單甲醚；酯，諸如總碳數為4至10之烷基酯，例如丙二醇單甲醚乙酸酯、丙酸烷基酯，諸如丙酸正丁酯、丙酸正戊酯、丙酸正己酯及丙酸正庚酯，以及丁酸烷基酯，諸如丁酸正丁酯、丁酸異丁酯及異丁酸異丁酯；酮，諸如2,5-二甲基-4-己酮及2,6-二甲基-4-庚酮；及聚醚，諸如二丙二醇單甲醚及三丙二醇單甲醚；以及含有此等溶劑中之一或多者的混合物。
在一些實施例中，在用選擇性附著劑塗佈基體之後，對基體進行預處理。基體可經預處理以確保選擇性附著劑附著於形貌體之表面。預處理可為在50至150℃範圍內之溫度下進行約30秒至90秒之軟烘烤。
在選擇性附著材料附著於形貌體之後，可移除任何過量材料。因此，在一或多個實施例中，在將選擇性附著劑施加至基體且任擇地對其進行預處理之後，沖洗基體以移除未使用的材料。
接著，在方法100之方塊106處，第一阻劑沈積於基體上。圖2C展示塗佈有選擇性附著劑203及第一阻劑204之基體201。一般而言，阻劑為包含聚合物、光酸產生劑及溶劑之化學增幅型感光性組成物。在一或多個實施例中，第一阻劑包括聚合物。聚合物可為阻劑材料中通常使用的任何標準聚合物，且可尤其為具有酸不穩定基團之聚合物。聚合物可為由包括諸如苯乙烯及對羥基苯乙烯之乙烯基芳族單體、丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯、降莰烯及其組合之單體製成的聚合物。舉例而言，聚合物可為由包括苯乙烯、對羥基苯乙烯、丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯、降莰烯及其組合之單體製成的聚合物。包括反應性官能基之單體可以受保護形式存在於聚合物中。舉例而言，對羥基苯乙烯之-OH基團可用三級丁氧基羰基保護基保護。此類保護基可改變包括於第一阻劑中之聚合物的反應性及溶解度。如一般熟習此項技術者應瞭解，出於此原因可使用各種保護基。酸不穩定基團包括例如：三級烷基酯基、二級或三級芳基酯基、具有烷基及芳基之組合的二級或三級酯基、三級烷氧基、縮醛基或縮酮基。酸不穩定基團在此項技術中亦通常稱為「酸可分解基團」、「酸可裂解基團」、「酸可裂解保護基」、「酸不穩定保護基」、「酸脫離基」及「酸敏感基團」。
分解時在聚合物上形成羧酸之酸不穩定基團較佳為式-C(O)OC(R 1) 3之三級酯基或式-C(O)OC(R 2) 2OR 3之縮醛基，其中：R 1各自獨立地為直鏈C 1 -20烷基、分支鏈C 3 -20烷基、單環或多環C 3 -20環烷基、直鏈C 2 -20烯基、分支鏈C 3 -20烯基、單環或多環C 3 -20環烯基、單環或多環C 6 -20芳基或單環或多環C 2 -20雜芳基，較佳直鏈C 1 -6烷基、分支鏈C 3 -6烷基或單環或多環C 3 -10環烷基，其各自經取代或未經取代，各R 1任擇地包括一或多個選自-O-、-C(O)-、-C(O)-O-或-S-之基團作為其結構的一部分，且任何二個R 1基團一起任擇地形成環；R 2獨立地為氫、氟、直鏈C 1 -20烷基、分支鏈C 3 -20烷基、單環或多環C 3 -20環烷基、直鏈C 2 -20烯基、分支鏈C 3 -20烯基、單環或多環C 3 -20環烯基、單環或多環C 6 -20芳基或單環或多環C 2 -20雜芳基，較佳氫、直鏈C 1 -6烷基、分支鏈C 3 -6烷基或單環或多環C 3 -10環烷基，其各自經取代或未經取代，各R 2任擇地包括一或多個選自-O-、-C(O)-、-C(O)-O-或-S-之基團作為其結構的一部分，且R 2基團一起任擇地形成環；且R 3為直鏈C 1 -20烷基、分支鏈C 3 -20烷基、單環或多環C 3 -20環烷基、直鏈C 2 -20烯基、分支鏈C 3 -20烯基、單環或多環C 3 -20環烯基、單環或多環C 6 -20芳基或單環或多環C 2 -20雜芳基，較佳直鏈C 1 -6烷基、分支鏈C 3 -6烷基或單環或多環C 3 -10環烷基，其各自經取代或未經取代，R 3任擇地包括一或多個選自-O-、-C(O)-、-C(O)-O-或-S-之基團作為其結構的一部分，且一個R 2與R 3一起任擇地形成環。此類單體通常為乙烯基芳族、(甲基)丙烯酸酯或降莰基單體。基於聚合物之總聚合單元計，包含在聚合物上形成羧酸基之酸可分解基團之聚合單元的總含量通常為10至100莫耳%，更通常10至90莫耳%或30至70莫耳%。
聚合物可進一步包括包含酸不穩定基團之單體作為聚合，該基團之分解在聚合物上形成醇基或氟醇基。適合的此類基團包括例如式-COC(R 2) 2OR 3-之縮醛基或式-OC(O)O-之碳酸酯基，其中R如上文所定義。此類單體通常為乙烯基芳族、(甲基)丙烯酸酯或降莰基單體。若存在於聚合物中，則包含基團分解在聚合物上形成醇基或氟醇基之酸可分解基團之聚合單元的總含量基於聚合物之總聚合單元計通常為10至90莫耳%，更通常30至70莫耳%。
在一些實施例中，第一阻劑之組成類似於正型顯影(PTD)阻劑之組成。在此類實施例中，第一阻劑可包括由上述單體製成之聚合物，其中一或多種包括反應性官能基之單體受保護。因此，類PTD第一阻劑可為有機可溶的。
在溶解度轉變劑為交聯劑之其他實施例中，第一阻劑為負性阻劑。在此類實施例中，第一阻劑可包括由上述單體製成之聚合物，其中包括反應性官能基之任何單體不受保護。適合的反應性官能基包括但不限於醇、羧酸、胺及環氧化物。暴露於交聯劑引起聚合物交聯，使得聚合物不溶於顯影劑。非交聯區域接著可使用適當顯影劑移除。
在其他實施例中，第一阻劑為負型顯影(NTD)阻劑。類似於PTD阻劑，NTD阻劑可包括由上述單體製成之聚合物，其中一或多種包括反應性官能基之單體受保護。因此，NTD第一阻劑可為有機可溶的，但代替用呈鹼性之第一阻劑顯影劑對溶解度轉變區進行顯影，溶解度轉變區保留，而含有受保護官能基之區使用包含有機溶劑之第一阻劑顯影劑移除。可用作第一阻劑顯影劑之適合的有機溶劑包括乙酸正丁酯(NBA)及2-庚酮。阻劑之類型(亦即，PTD對負性對NTD)可影響最終圖案置放。
在一或多個實施例中，第一阻劑層疊於基體上，使得其具有約300 Å至約3000 Å之厚度。
在方法100之方塊108處，溶解度轉變劑經活化。在溶解度轉變劑為酸、酸產生劑、鹼或鹼產生劑之實施例中，溶解度轉變劑之活化包括使溶解度轉變劑擴散至第一阻劑中以提供第一阻劑之溶解度轉變區。第一阻劑之溶解度轉變區可由選擇性附著劑之優先黏附決定。舉例而言，優先黏附於現有圖案之形貌體的選擇性附著劑可提供在形貌體上方的第一阻劑之溶解度轉變區。在一或多個實施例中，第一阻劑之溶解度轉變區自塗佈於形貌體上之選擇性附著劑的表面豎直延伸至第一阻劑之表面。在一或多個實施例中，溶解度轉變區在傾斜方向上延伸。當溶解度轉變區在傾斜方向上延伸時，可能需要防止形貌體合併在一起。為了實現此目的，可將形貌體厚度控制為足夠薄。
在一或多個實施例中，溶解度轉變劑擴散至第一阻劑中係藉由進行烘烤來達成。烘烤可用加熱板或烘箱進行。烘烤之溫度及時間可視第二阻劑之屬性及溶解度轉變劑擴散至第二阻劑中之所需量而定。烘烤之適合條件可包括約50℃至約160℃範圍內之溫度及約30秒至約90秒範圍內之時間。
在溶解度轉變劑為交聯劑之實施例中，溶解度轉變劑之活化包括起始交聯劑聚合至第一阻劑中。交聯劑之活化可提供第一阻劑之交聯區。第一阻劑之交聯區可由選擇性附著劑之優先黏附決定。舉例而言，當選擇性附著劑優先黏附於現有圖案之形貌體時，如在選擇性圖案化自對準中，第一阻劑之交聯區可在該等形貌體上方。
接著，在方法100之方塊110處，第一阻劑使用特定顯影劑進行顯影。特定顯影劑可為此項技術中常用之任何顯影劑。特定顯影劑之組成可視第一阻劑之類型及溶解度特性而定。舉例而言，若第一阻劑為正型顯影阻劑，則特定顯影劑可為鹼，諸如氫氧化四甲銨。另一方面，若第一阻劑為負型顯影阻劑，則特定顯影劑可為非極性有機溶劑，諸如乙酸正丁酯或2-庚酮。
在一或多個實施例中，溶解度轉變區或交聯區不溶於第一顯影劑。因此，在對第一阻劑進行顯影之後，第一阻劑之溶解度轉變區或交聯區可保留在基體上。替代地，在一或多個實施例中，溶解度轉變區變得可溶於第一顯影劑。在此類實施例中，在對第一阻劑進行顯影之後，自基體移除第一阻劑之溶解度轉變區。此類圖案可稱為反選擇性圖案，因為阻劑之形貌體保留在基層上方，該圖案未經選擇性附著劑塗佈。
在一或多個實施例中，第一阻劑之溶解度轉變區可溶於第一顯影劑中。在此類實施例中，第一阻劑之顯影產生第一阻劑之圖案，其包括暴露現有圖案之形貌體的間隙。因此，選擇性附著劑經暴露且可接近以供進一步塗佈。圖2D展示經塗佈基體，其中第一阻劑204中之間隙205暴露現有圖案之形貌體202。在一或多個實施例中，在金屬化之前沖洗移除剩餘的選擇性附著劑。
最後，在方法100之方塊112處，執行現有圖案之形貌體上的選擇性生長。此項技術中已知之任何適合的選擇性生長技術可用於直接在現有圖案之形貌體上提供第二組形貌體。在圖2E中，展示基體，其包括形貌體201、偏移形成形貌體之第一阻劑204及形貌體之頂部上的選擇性生長材料206。
在一或多個實施例中，第二組形貌體包括選擇性生長材料。此項技術中已知的許多不同類型之選擇性生長沈積材料適合於本文所揭露之各種實施例。在一些實施例中，選擇性金屬對金屬反應性沈積可使用諸如無電鍍金屬沈積及/或電化學原子層沈積之技術在溶液中實現。適用於此類金屬對金屬反應性沈積之金屬的實例包括但不限於銅(Cu)、鎳(Ni)、鈷(Co)、鐵(Fe)、錳(Mn)、鉻(Cr)、鈦(Ti)、鉭(Ta)、釕(Ru)、鈀(Pd)及其各種合金、堆疊或其他組合。可藉由使用無電鍍金屬沈積及/或電化學原子層沈積之選擇性反應而沈積的其他金屬一般亦應為適合的。
在一些實施例中，選擇性金屬對金屬反應性沈積可用全同配位體金屬二氮雜丁二烯錯合物[M{N(R)C(H)C(H)N(R')}2]進行。在此式中，M可表示選自鎳(Ni)、鈷(Co)、鐵(Fe)、錳(Mn)或鉻(Cr)之金屬原子。有機官能基R及R'可表示各種經取代或未經取代之烷基或芳基官能基中之任一者。R及R'之實例包括但不限於經取代或未經取代之二至八碳烷基、苯基及其類似基團。亦可任擇地使用不同錯合物(例如具有不同金屬原子)之組合。金屬(例如純金屬或多種金屬之合金或堆疊)可藉由使用化學氣相沈積(CVD)在具有或不具有共反應物(例如氫氣(H 2)、氨(NH 3)、肼等)之情況下沈積於起始金屬上及/或自此等錯合物沈積之金屬上。可替代地使用原子層沈積(ALD)。與介電材料、半導體材料及有機聚合材料相比，此類沈積一般將為選擇性的。
在一些實施例中，施加電壓及/或光電效應可用於促進金屬沈積及/或與另一材料(例如介電質)相比提高金屬沈積在金屬上之選擇性。在一些實施例中，偏壓可施加於晶圓或其他基體與金屬沈積設備中之導電硬體之間，例如晶圓夾盤與晶圓夾盤上之晶圓上方的線圈之間。此偏壓可為直流(DC)或交流(AC)，例如射頻AC。施加偏壓可傾向於與另一材料(例如介電質)相比自金屬(例如互連線或形成於互連線上方之金屬材料)相對較多地產生電子、減少釋放電子所需的能量或以其他方式提供電子(例如二次電子)，例如部分歸因於光電效應。在一些實施例中，可施加正向偏壓以便幫助在遠離金屬之方向上加速電子。當使用DC偏壓時，有可能在一些電子自金屬發射且金屬開始具有淨正電荷之後電子釋放可能減緩，除非存在至該金屬之導電路徑。然而，施加AC偏壓一般可藉由在循環之間將電子裝載回金屬來幫助避免此情況。電子可用於促進金屬沈積及/或與另一材料(例如介電質)相比提高金屬沈積在金屬上之選擇性。電子可幫助提供能量以驅動或促進選擇性金屬沈積反應，諸如金屬之ALD或CVD沈積或可藉由此類所產生電子促進之其他金屬沈積方法。在一些實施例中，紫外光源可與偏壓一起使用以幫助進一步在金屬附近產生光電子。此可進一步有助於促進金屬沈積及金屬沈積選擇性。
在一些實施例中，選擇性介電質對介電質反應性沈積可藉由諸如溶膠-凝膠方法之溶液相技術實現。選擇性介電質對介電質反應性沈積亦可藉由CVD、ALD、MLD或其他氣相技術實現。適用於此類介電質對介電質反應性沈積之材料的實例包括但不限於矽之氧化物(例如二氧化矽(SiO 2))、矽之經碳摻雜之氧化物、矽之氮化物(例如氮化矽(SiN))、矽之碳化物(例如碳化矽(SiC))、矽之碳氮化物(例如SiCN)、鋁之氧化物(例如氧化鋁(Al 2O 3))、鈦之氧化物(例如氧化鈦(TiO 2))、鋯之氧化物(例如氧化鋯(ZrO 2))、鉿之氧化物(例如氧化鉿(HfO 2))及其組合，僅舉幾個說明性實例。此項技術中已知之其他介電質及低k介電材料亦為可能適合的。亦可任擇地使用碳矽氧烷材料。使用諸如溶膠-凝膠、ALD、CVD及MLD之技術，與金屬相比選擇性地或至少優先沈積此類材料之反應的各種實例為此項技術中已知的。
在一些實施例中，碳奈米管、石墨烯及石墨中之一或多者可在金屬表面材料上生長或形成。金屬表面材料可代表對碳奈米管、石墨烯或石墨之生長具催化性之催化金屬表面材料。可使用此項技術中已知之技術將催化金屬表面材料加熱且暴露於適合的烴及任何其他共反應物。適合的催化表面及反應物集合之一實例為暴露於一氧化碳及氫氣之鈷表面。上文所描述之偏壓方法亦可潛在地用於幫助促進此類反應。
在一些實施例中，鈍化材料或層可任擇地施加或形成於不同表面材料中之一者上以便幫助提高對表面材料中之另一者之反應的選擇性或優先性。使用此種鈍化材料一般有助於擴大可用於形成層之可能選擇性/優先反應之數目。對表面材料中之一者相比於另一者不一定具選擇性/優先性之反應仍可相比於鈍化材料，對表面材料中之一者具選擇性。舉例而言，鈍化材料可施加至第一表面材料而非第二表面材料上，以便與鈍化材料相比提高給定沈積反應對第二表面材料之選擇性/優先性。大部分可經操作以在一種材料上選擇性地形成及可經操作以提高反應之選擇性/優先性之鈍化材料一般應為適合的。此類鈍化劑可在氣相或溶液相中施加。此類鈍化劑可在選擇性沈積方法期間施加一次或多次。在已經由選擇性/優先反應形成層之後，鈍化材料可經移除。舉例而言，鈍化材料可經由熱、光分解、化學或電化學處理移除。在一些實施例中，另一鈍化材料可任擇地施加至其他表面材料，但此並非必需的。同樣，使用任擇的此類鈍化材料可有助於擴大可用於形成本文中提及之各種層的可能選擇性或至少優先的化學反應之數目。
在一或多個實施例中，在現有圖案之形貌體上執行選擇性生長之後，基體可經蝕刻以移除任何殘餘有機材料，包括選擇性附著劑、溶解度轉變劑及阻劑。接著，可沈積介電隔離材料以填充藉由選擇性生長方法形成之新形貌體。適用於此類介電質沈積之材料的實例包括但不限於矽之氧化物(例如二氧化矽(SiO2))、矽之經碳摻雜之氧化物、矽之氮化物(例如氮化矽(SiN))、矽之碳化物(例如碳化矽(SiC))、矽之碳氮化物(例如SiCN)、鋁之氧化物(例如氧化鋁(Al2O3))、鈦之氧化物(例如氧化鈦(TiO2))、鋯之氧化物(例如氧化鋯(ZrO2))、鉿之氧化物(例如氧化鉿(HfO2))及其組合，僅舉幾個說明性實例。隨後，化學機械拋光方法可用以平坦化表面。舉例而言，若沈積二氧化矽，且此類沈積提供覆蓋層，則可藉由化學機械拋光移除覆蓋層。
因此，歸因於由周圍第一阻劑施加之約束，方法100可提供生長方向一般豎直之自對準通孔或金屬接觸。阻劑。
在一替代實施例中，形貌體塗佈有含有第一溶解度轉變劑之第一選擇性附著劑，且基層塗佈有含有第二溶解度轉變劑之第二選擇性附著劑。在一些實施例中，第一溶解度轉變劑包含酸或酸產生劑且第二溶解度轉變劑包含鹼或鹼產生劑。接著將阻劑沈積於基體上且同時活化溶解度轉變劑。第一溶解度轉變劑自形貌體之頂部擴散且第二溶解度轉變劑自基層之頂部擴散。在擴散前沿之界面處，溶解度轉變劑可彼此相互作用以防止阻劑在垂直於基體之豎直平面外且位於形貌體與暴露基層之界面處的側面區域中的溶解度切換。此有助於限制對形貌體上方之阻劑區域進行溶解度切換，藉此限制開口之側向生長且產生大致直邊而非傾斜輪廓。
在一或多個實施例中，一種方法包括光微影步驟。光微影步驟可用於選擇特定形貌體、形貌體之部分或其他區。舉例而言，選擇性置放及生長可使用如上文所描述之方法100中之定向生長方法來達成。接著，第一阻劑可經暴露以形成圖案化陣列，其暴露目標區域且活化該區域中之溶解度轉變劑。熱處理接著引起溶解度轉變劑經由阻劑層擴散且促進溶解度轉變反應。溶解度轉變劑(例如酸)使得阻劑可溶，且該部分經移除。接著，可在金屬/基體上執行選擇性生長。選擇性生長前可存在蝕刻步驟以自未經覆蓋之形貌體頂部移除選擇性附著劑及/或溶解度轉變劑之任何殘餘塗層。
儘管上文僅詳細描述了幾個實例實施例，但熟習此項技術者將容易瞭解，在不實質上脫離本發明之情況下，實例實施例中之諸多修改係可能的。因此，所有該等修改意欲包括於如以下申請專利範圍中所界定之本揭露內容之範疇內。
100:方法
102,104,106,108,110,112:方塊
201:基層,基體
202:形貌體
203:選擇性附著劑
204:第一阻劑
205:間隙
206:選擇性生長材料
圖1為根據本揭露內容之一或多個實施例之方法的程序方塊圖。
圖2A-E為根據本揭露內容之一或多個實施例之方法的各別時間點處之經塗佈基體的示意圖。
201:基層，基體
202:形貌體
203:選擇性附著劑
204:第一阻劑
206:選擇性生長材料

Claims (14)

  1. 一種微製造之方法，其包含：提供具有一現有圖案之一基體，其中該現有圖案包含形成於一第一層內之形貌體，使得該基體之一頂表面具有未經覆蓋之形貌體且該第一層未經覆蓋；在該基體上沈積一選擇性附著劑，其中該選擇性附著劑包含一溶解度轉變劑；在該基體上沈積一第一阻劑；活化該溶解度轉變劑，使得該第一阻劑之一部分變得不溶於一第一顯影劑；以及使用該第一顯影劑對該第一阻劑進行顯影，使得形成包含開口之一浮雕圖案，其中該等開口暴露該第一層之該等形貌體；以及執行一選擇性生長方法，其在該等形貌體上及該浮雕圖案之該等開口內生長一選擇性沈積材料以提供自對準選擇性沈積形貌體。
  2. 如請求項1之方法，其中該選擇性附著劑與該等形貌體之表面的黏附超過與該第一層之表面的黏附。
  3. 如請求項1或2之方法，其中形成於該第一層內之該等形貌體形成一大陣列。
  4. 如請求項1或2之方法，其中該選擇性附著劑包含一膦酸、膦酸酯、一膦、一磺酸、一亞磺酸、一羧酸、一***、一硫醇或其一組合。
  5. 如請求項1或2之方法，其中該溶解度轉變劑包含一酸產生劑。
  6. 如請求項5之方法，其中該酸產生劑不含氟。
  7. 如請求項5之方法，其中該酸產生劑係選自由以下組成之群：三苯基鋶銻酸鹽、吡錠全氟丁磺酸鹽、3-氟吡錠全氟丁磺酸鹽、4-三級丁基苯基 四亞甲基鋶全氟-1-丁磺酸鹽、4-三級丁基苯基四亞甲基鋶2-三氟甲基苯磺酸鹽、4-三級丁基苯基四亞甲基鋶4,4,5,5,6,6-六氟二氫-4H-1,3,2-二噻
    Figure 111132138-A0305-02-0029-1
    1,1,3,3-四氧化物及其組合。
  8. 如請求項1或2之方法，其中該溶解度轉變劑包含一酸。
  9. 如請求項8之方法，其中該酸不含氟。
  10. 如請求項8之方法，其中該酸係選自由以下組成之群：三氟甲磺酸、全氟-1-丁磺酸、對甲苯磺酸、4-十二烷基苯磺酸、2,4-二硝基苯磺酸、2-三氟甲基苯磺酸及其組合。
  11. 如請求項1或2之方法，其進一步包含在該基體上沈積該第一阻劑之前，對該基體進行預處理。
  12. 如請求項1或2之方法，其中該等形貌體包含選自由以下組成之群之一金屬或類金屬：矽、多晶矽、銅、鈷、鎢及其組合。
  13. 如請求項1或2之方法，其中該第一層包含一介電質。
  14. 一種微製造之方法，該方法包含：接收具有形成於一第一層內之形貌體之一基體，使得該基體之一頂表面具有未經覆蓋之形貌體及未經覆蓋之該第一層；在該基體上沈積一第一溶解度轉變劑，該第一溶解度轉變劑經選擇以使得該第一溶解度轉變劑黏附於該等形貌體之未經覆蓋之表面而不黏附於該第一層之未經覆蓋之表面；在該基體上沈積一第二溶解度轉變劑，該第二溶解度轉變劑經選擇以使得該第二溶解度轉變劑黏附於該第一層之該等未經覆蓋之表面而不黏附於該等形貌體之未經覆蓋之表面；在該基體上沈積一第一光阻劑；活化該第一溶解度轉變劑，足以使該等形貌體上方之該第一光阻劑之區變 得可溶於一特定顯影劑；活化該第二溶解度轉變劑，使得該第二溶解度轉變劑增加該第一層上方之該第一光阻劑之不溶性；對該第一光阻劑進行顯影，產生界定露出該等形貌體之開口之一浮雕圖案；以及執行一選擇性生長方法，其在該等形貌體上及該浮雕圖案之所界定開口內生長一選擇性沈積材料，從而產生自對準選擇性沈積形貌體。
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