TWI822056B - 電子裝置 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種電子裝置。電子裝置包括驅動電晶體、半導體單元以及靜電保護電路。半導體單元具有第一端耦接驅動電晶體的第一端。靜電保護電路耦接驅動電晶體的第一端與半導體單元的第一端之間的節點。

Description

電子裝置

本揭露涉及一種電子裝置，且特別涉及一種包括靜電保護電路的電子裝置。

一般具有顯示功能的電子裝置包括半導體電子元件，例如是發光二極體(light-emitting diode，LED)。然而，半導體電子元件的閾值電壓會發生偏移現象，導致流經半導體電子元件的電流或增或減，而使電子裝置在顯示時造成色差(chromatic aberration)。有鑑於此，為了避免電子裝置因半導體電子元件的閾值電壓發生偏移而造成的色差問題，以下將提出幾個實施例的解決方案。

本揭露是針對一種電子裝置，能夠將靜電排除以避免半導體電子元件的閾值電壓發生偏移。

根據本揭露的實施例，本揭露的電子裝置包括驅動電晶體、半導體單元以及靜電保護電路。半導體單元具有第一端耦接驅 動電晶體的第一端。靜電保護電路耦接驅動電晶體的第一端與半導體單元的第一端之間的節點。

基於上述，本揭露的電子裝置通過耦接在驅動電晶體與半導體單元之間的靜電保護電路能夠當電子裝置產生靜電時將靜電排除，以使驅動電晶體的閾值電壓不受影響。

通過參考以下的詳細描述並同時結合附圖可以理解本揭露，須注意的是，為了使讀者能容易瞭解及為了附圖的簡潔，本揭露中的多張附圖只繪出顯示裝置的一部分，且附圖中的特定組件並非依照實際比例繪圖。此外，圖中各元件的數量及尺寸僅作為示意，並非用來限制本揭露的範圍。

100、200、400、500、600、700:電子裝置

110、210:驅動電晶體

111:驅動電晶體的第一端

120、220、420、520、620、720:半導體單元

121:半導體單元的第一端

130、230、430、530、630、730:靜電保護電路

231~232、431~432:二極體

240:重置電路

250:寫入與補償電路

260:穩壓電路

531~532、631~632、731~732:電晶體

ARVDD:第一電壓

ARVSS:第二電壓

C1:電容器

CST:電容器

SD:資料信號

Em:開關信號

In、In_1~In_2:負電荷靜電電流

Ip、Ip_1~Ip_2:正電荷靜電電流

N1、N2、N3、N4、N5:節點

SN0:第一控制電壓

SN1:第二控制電壓

T1:驅動電晶體

T2~T3:開關電晶體

T4~T7:電晶體

VGH:第三電壓

VGL:第四電壓

Vref:參考電壓

Vrst:重置電壓

圖1是本揭露的一實施例的一種電子裝置的電路方塊示意圖。

圖2是本揭露的一實施例的一種電子裝置的電路示意圖。

圖3是本揭露的圖2實施例的電子裝置的動作示意圖。

圖4是本揭露的另一實施例的一種電子裝置的動作示意圖。

圖5是本揭露的另一實施例的一種電子裝置的動作示意圖。

圖6是本揭露的另一實施例的一種電子裝置的動作示意圖。

圖7是本揭露的另一實施例的一種電子裝置的動作示意圖。

本揭露通篇說明書與所附的權利要求中會使用某些詞彙來指稱特定元件。本領域技術人員應理解，顯示裝置製造商可能會以不同的名稱來指稱相同的組件。本文並不意在區分那些功能相同但名稱不同的組件。在下文說明書與權利要求書中，「含有」與「包括」等詞為開放式詞語，因此其應被解釋為「含有但不限定為…」之意。

在本揭露一些實施例中，關於接合、連接之用語例如「耦接」、「互連」等，除非特別定義，否則可指兩個結構系直接接觸，或者亦可指兩個結構並非直接接觸，其中有其它結構設於此兩個結構之間。且此關於接合、連接之用語亦可包括兩個結構都可移動，或者兩個結構都固定之情況。此外，用語「耦接」包括任何直接及間接的電性連接手段、直接及間接的結構連接手段，或直接及間接的訊號連接手段。

說明書與權利要求書中所使用的序數例如「第一」、「第二」等之用詞用以修飾元件，其本身並不意含及代表所述組件有任何之前的序數，也不代表某一元件與另一元件的順序、或是製造方法上的順序，所述多個序數的使用僅用來使具有某命名的元件得以和另一具有相同命名的元件能作出清楚區分。權利要求書與說明書中可不使用相同用詞，據此，說明書中的第一構件在權利要求中可能為第二構件。須知悉的是，以下所舉實施例可以在不脫離本揭露的精神下，將數個不同實施例中的技術特徵進行替換、重組、混合以完成其他實施例。

圖1是本揭露的一實施例的一種電子裝置的電路方塊示意圖。參考圖1，電子裝置100例如是顯示面板。在一些實施例中，電子裝置100可包括顯示裝置、天線裝置、感測裝置或拼接裝置，但不以此為限。電子裝置100可為可彎折或可撓式電子裝置。電子裝置100可例如包括液晶(liquid crystal)、發光二極體。發光二極體可例如包括有機發光二極體(organic light emitting diode，OLED)、次毫米發光二極體(mini LED)、微發光二極體(micro LED)或量子點發光二極體(quantum dot,QD，可例如為QLED、QDLED)，螢光(fluorescence)、磷光(phosphor)或其他適合之材且其材料可任意排列組合，但不以此為限。天線裝置可例如是液晶天線，但不以此為限。拼接裝置可例如是顯示器拼接裝置或天線拼接裝置，但不以此為限。需注意的是，電子裝置100可為前述之任意排列組合，但不以此為限。下文將以顯示裝置做為電子裝置100或拼接裝置以說明本揭露內容，但本揭露不以此為限。

在本實施例中，電子裝置100包括驅動電晶體110、半導體單元120以及靜電保護電路(Electrostatic Discharge Protection，EDP)130。在本實施例中，驅動電晶體110、半導體單元120以及靜電保護電路130皆設置在顯示面板的畫素顯示區域中。在一些實施例中，驅動電晶體110以及半導體單元120設置在顯示面板的畫素顯示區域中，靜電保護電路130設置在畫素顯示區域以外的周邊區域中。在本實施例中，電子裝置100還可以包括驅動電路(未繪示)。驅動電路可以控制驅動電晶體110以驅動半導體單 元120。

依照設計需求，在一些實施例中，半導體單元120為複數設置，且其數量及排列方式可以依照實際需求來決定。依照實際應用，半導體單元120可以包括二極體、光電二極體、發光二極體(Light Emitting Diode，LED)、微發光二極體(micro-LED)、有機發光二極體(Organic Light Emitting Diode，OLED)、無機發光二極體(Inorganic Light Emitting Diode，ILED)、次毫米發光二極體(Mini-LED)、微型發光二極體(Micro-LED)、電致發光(Electroluminescence，EL)組件、雷射二極體(Laser Diode)、其他種類的半導體電子元件或者發光元件，本實施例並不設限。

在本實施例中，驅動電晶體110的第一端111耦接半導體單元120的第一端121。驅動電晶體110的第一端111可以輸出驅動電流至半導體單元120的第一端121(例如是陽極端)以驅動半導體單元120。在本實施例中，驅動電晶體110例如是P型金氧半場效電晶體(p-type Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，PMOSFET)。驅動電晶體110的第一端111例如是汲極端。依照設計需求，在一些實施例中，驅動電晶體110例如是N型金氧半場效電晶體(n-type Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，NMOSFET)。驅動電晶體110的第一端111例如是源極端。

在本實施例中，靜電保護電路130耦接驅動電晶體110的第一端111與半導體單元120的第一端121之間的節點。換句話 說，節點是指在驅動電晶體110與半導體單元120之間，驅動電流的電流路徑上的任一節點，可例如是節點N1或節點N2，但不以此為限。

在此值得一提的是，在電子裝置100的製造過程中，當電子裝置100的驅動電路或驅動電晶體110產生靜電時，靜電保護電路130被致能以將靜電排除。如此一來，即使靜電形成於驅動電晶體110的任一端子上，靜電能夠通過靜電保護電路130而被排除，以避免驅動電晶體110的閾值電壓發生偏移現象。換句話說，驅動電晶體110的閾值電壓不受影響，因此當電子裝置中的半導體單元為發光單元時，電子裝置能夠避免發生色差。

圖2是本揭露的一實施例的一種電子裝置的電路示意圖。參考圖2，電子裝置200包括驅動電晶體210、半導體單元220、靜電保護電路230、重置電路240、寫入與補償電路250、穩壓電路260、電容器CST以及開關電晶體T2~T3。圖2的電子裝置200所包括的驅動電晶體210、半導體單元220以及靜電保護電路230可以參照電子裝置100的相關說明並且加以類推，故在此不另重述。

在本實施例中，驅動電晶體210、半導體單元220、重置電路240、寫入與補償電路250、穩壓電路260、電容器CST以及開關電晶體T2~T3設置在電子裝置200(例如是顯示面板)的畫素顯示區域中。靜電保護電路230設置的位置不限。舉例來說，在本實施例中，靜電保護電路230可設置在畫素顯示區域中。在一 些實施例中，靜電保護電路230可設置在畫素顯示區域以外的周邊區域中。

在本實施例中，驅動電晶體210是以P型電晶體來被實現，並且在以下實施例中以驅動電晶體T1為說明。依照設計需求，在一些實施例中，驅動電晶體T1為複數設置，且其數量及排列方式可以依照實際需求來決定。在本實施例中，驅動電晶體T1的第一端(即，汲極端)在節點N1上耦接寫入與補償電路250。驅動電晶體T1的第二端(即，源極端)在節點N3上耦接(接收)第一電壓ARVDD。在本實施例中，第一電壓ARVDD例如是參考高電壓。驅動電晶體T1的控制端(即，閘極端)通過電容器CST以及寫入與補償電路250耦接(接收)資料信號SD。

在本實施例中，半導體單元220以單顆發光元件來示例性說明。半導體單元元220的第一端(即，陽極端)在節點N2上接收驅動電流。半導體單元220的第二端(即，陰極端)耦接(接收)第二電壓ARVSS。在本實施例中，第二電壓ARVSS例如是參考低電壓。在一些實施例中，第二電壓ARVSS例如是接地。在本實施例中，第一電壓ARVDD的電壓準位高於第二電壓ARVSS的電壓準位。

在本實施例中，開關電晶體T2是以P型電晶體來被實現。在一些實施例中，開關電晶體T2例如是N型電晶體。在圖2實施例中，開關電晶體T2的第一端(即，汲極端)在節點N2上耦接半導體單元220的第一端(即，陽極端)。開關電晶體T2的 第二端(即，源極端)在節點N1上耦接驅動電晶體T1的第一端(即，汲極端)。開關電晶體T2的控制端(即，閘極端)耦接(接收)開關信號Em以進行開關操作。

在本實施例中，開關電晶體T3是以P型電晶體來被實現。在一些實施例中，開關電晶體T3例如是N型電晶體。在圖2實施例中，開關電晶體T3的第一端(即，汲極端)在節點N5上耦接寫入與補償電路250，並且通過電容器CST在節點N4上耦接驅動電晶體T1的控制端(即，閘極端)。開關電晶體T3的第二端(即，源極端)耦接(接收)參考電壓Vref。開關電晶體T3的控制端(即，閘極端)耦接(接收)開關信號Em以進行開關操作。

在本實施例中，驅動電晶體210、開關電晶體T2以及開關電晶體T3可以作為驅動電路，以在開關信號Em的被致能期間將驅動電流輸出至半導體單元220。

在本實施例中，靜電保護電路230的第一端耦接驅動電晶體T1的第一端(即，汲極端)與半導體單元220的第一端(即，陽極端)之間的節點N2，靜電保護電路230的第二端耦接(接收)第二電壓ARVSS，靜電保護電路230的第三端耦接驅動電晶體T1的第二端(即，源極端)。在本實施例中，靜電保護電路230包括至少一個電子元件。電子元件例如是二極體或其他半導體電子元件，但不以此為限。在一些實施例中，靜電保護電路230的可因應電子元件的數量而有不同的端點數量，端點數量可例如為兩端、三端或大於三端，但不以此為限。

具體來說，在本實施例中，靜電保護電路230的電子元件包括多個二極體231~232。本實施例中的二極體231或232的數量僅為範例。在一些實施例中，靜電保護電路230的電子元件可例如為僅有二極體231或二極體232，但不以此為限。二極體231的第一端(即，陰極端)可例如作為靜電保護電路230的第一端，並且耦接節點N2。二極體231的第二端(即，陽極端)可例如作為靜電保護電路230的第二端，並且耦接(接收)第二電壓ARVSS。二極體232的第一端(即，陰極端)可例如作為靜電保護電路230的第三端，並且耦接驅動電晶體T1的第二端(即，源極端)以及第一電壓ARVDD之間。二極體232的第二端(即，陽極端)可例如作為靜電保護電路230的第二端，並且耦接二極體231的陽極端以及耦接(接收)第二電壓ARVSS。

在本實施例中，重置電路240受控於第一控制電壓SN0。重置電路240的多個第一端分別耦接電容器CST的兩端，以在第一控制電壓SN0的被致能期間對電容器CST的兩端(包括驅動電晶體T1的控制端)進行重置。重置電路240的多個第二端分別耦接(接收)參考電壓Vref或重置電壓Vrst。

具體來說，在本實施例中，重置電路240包括電晶體T4~T5。本實施例的電晶體T4~T5是以P型電晶體來被實現。在一些實施例中，電晶體T4~T5可例如是N型電晶體，但不以此為限。在圖2實施例中，電晶體T4的第一端(即，汲極端)耦接電容器CST的第一端，並且在節點N5上耦接寫入與補償電路250。 電晶體T4的第二端(即，源極端)耦接(接收)參考電壓Vref。電晶體T5的第一端(即，汲極端)耦接電容器CST的第二端，並且在節點N4上耦接驅動電晶體T1的控制端(即，閘極端)。電晶體T5的的第二端(即，源極端)耦接(接收)重置電壓Vrst。電晶體T4的控制端(即，閘極端)以及電晶體T5的控制端(即，閘極端)耦接在一起，並且耦接(接收)第一控制電壓SN0。

在本實施例中，寫入與補償電路250受控於第二控制電壓SN1。寫入與補償電路250的第一端在節點N5上耦接耦接電容器CST的第一端。寫入與補償電路250的其他多個端點分別耦接節點N1以及N4，並且耦接(接收)資料信號SD。寫入與補償電路250可以在第二控制電壓SN1的被致能期間對節點N4以及N5分別進行補償以及寫入資料信號SD。

具體來說，在本實施例中，寫入與補償電路250包括電晶體T6~T7。本實施例的電晶體T6~T7是以P型電晶體來被實現。在一些實施例中，電晶體T6~T7可例如是N型電晶體，但不以此為限。在圖2實施例中，電晶體T6的第一端(即，汲極端)在節點N5上耦接電容器CST的第一端。電晶體T6的第二端(即，源極端)耦接(接收)資料信號SD。電晶體T7的第一端(即，汲極端)在節點N1上耦接驅動電晶體T1的第一端(即，汲極端)。電晶體T7的第二端(即，源極端)在節點N4上耦接電容器CST的第二端以及驅動電晶體T1的控制端(即，閘極端)。電晶體T7的控制端(即，閘極端)以及電晶體T6的控制端(即，閘極端)耦接在 一起，並且耦接(接收)第二控制電壓SN1。

在本實施例中，穩壓電路260包括電容器C1，但不以此為限。電容器C1的第一端在節點N4上耦接驅動電晶體T1的控制端(即，閘極端)。電容器C1的第二端在節點N3上耦接驅動電晶體T1的第二端(即，源極端)以及第一電壓ARVDD。在本實施例中，穩壓電路260可以依據第一電壓ARVDD來穩定驅動電晶體T1的第二端(即，源極端)與控制端(即，閘極端)的電壓差。

在本實施例中，電子裝置200可以執行重置操作、補償以及寫入資料操作以及驅動操作，以實現顯示功能。

具體來說，在本實施例中，在重置操作中，第一控制電壓SN0具有致能電壓準位而使重置電路240被致能。第二控制電壓SN1具有禁能電壓準位而使寫入與補償電路250被禁能。開關信號Em可具有禁能電壓準位而使開關電晶體T2以及T3被關斷。

在本實施例中，在補償以及寫入資料操作中，第二控制電壓SN1具有致能電壓準位而使寫入與補償電路250被致能。第一控制電壓SN0具有禁能電壓準位而使重置電路240被禁能。開關信號Em可具有禁能電壓準位而使開關電晶體T2以及T3被關斷。

在本實施例中，在驅動操作中，開關信號Em具有致能電壓準位而使開關電晶體T2以及T3被導通。第一控制電壓SN0具有禁能電壓準位而使重置電路240被禁能。第二控制電壓SN1具有禁能電壓準位而使寫入與補償電路250被禁能。

圖3是本揭露的圖2實施例的電子裝置的動作示意圖。 為了方便說明本案內容，圖3僅標示部分元件的標記。參考圖3，在電子裝置200中，N3及N2節點分別耦接靜電保護電路230的兩端點，因此，在N3及/或N2產生靜電時，靜電保護電路230的二極體231及/或二極體232被致能以將靜電排除，而不影響電子裝置200的顯示的品質。在一些實施例中，靜電保護電路230可因應電子元件的數量而有不同的端點數量，端點數量可例如為兩端、三端或大於三端，但不以此為限。此外，靜電保護電路230各個端點耦接的位置可視需求決定。舉例來說，電子裝置200的重置電路240、寫入與補償電路250、穩壓電路260、電容器CST、開關電晶體T2~T3、驅動電晶體T1、或其耦接處的任一節點皆可選擇性的耦接於靜電保護電路230的端點。當前述的電路240~260或電子元件CST、T1~T3與靜電防護電路230之間所耦接的節點產生靜電時，靜電保護電路230被致能以將靜電排除。

在本實施例中，在電子裝置200的製造過程中，當第一電壓ARVDD以及第二電壓ARVSS尚未連接至各自的直流電電源時，沒有靜電形成在電子裝置200中的任一節點處。此時，靜電保護電路230被禁能。

在本實施例中，當第一電壓ARVDD以及第二電壓ARVSS連接至各自的直流電電源時，假設有正電荷或負電荷的靜電形成在節點N3或N2時，靜電保護電路230被致能而提供放電回路。

舉例來說，若正電荷的靜電形成在節點N2，二極體231被逆嚮導通。正電荷的靜電可以自節點N2，經過二極體231，至 二極體231的陽極端而形成正電荷靜電電流Ip_1。正電荷靜電電流Ip_1通過二極體231被拉至第二電壓ARVSS以將靜電排除。在另一方面，若正電荷的靜電形成在節點N3，二極體232被逆嚮導通。正電荷的靜電可以自節點N3，經過二極體232，至二極體232的陽極端而形成正電荷靜電電流Ip_2。正電荷靜電電流Ip_2通過二極體232被拉至第二電壓ARVSS以將靜電排除。

舉例來說，若負電荷的靜電形成在節點N2，二極體231被正嚮導通。負電荷的靜電可以自二極體231的陽極端，經過二極體231，至節點N2而形成負電荷靜電電流In_1。負電荷靜電電流In_1通過二極體231被拉至第二電壓ARVSS以將靜電排除。在另一方面，若負電荷的靜電形成在節點N3，二極體232被正嚮導通。負電荷的靜電可以自二極體232的陽極端，經過二極體232，至節點N3而形成負電荷靜電電流In_2。負電荷靜電電流In_2通過二極體232被拉至第二電壓ARVSS以將靜電排除。

在本揭露中，通過耦接在驅動電晶體T1與半導體單元220的陽極端之間的靜電保護電路230能夠在靜電產生時提供放電回路以排除靜電。因此，在本實施例中，驅動電晶體T1及/或開關電晶體T2能夠避免因靜電而導致其閾值電壓發生偏移，以輸出穩定的驅動電流而使電子裝置。在一些實施例中，當半導體單元為發光單元時，更可以避免電子裝置產生色差。

圖4是本揭露的另一實施例的一種電子裝置的動作示意圖。為了方便說明本案內容，圖4僅標示部分元件的標記。圖4的 電子裝置400所包括的驅動電晶體T1、半導體單元420、重置電路、寫入與補償電路、穩壓電路、電容器CST以及開關電晶體可以參照圖2的電子裝置200的相關說明並且加以類推，故在此不另重述。在本實施例中，驅動電晶體T1、半導體單元420、重置電路、寫入與補償電路、穩壓電路、電容器CST以及開關電晶體皆設置在電子裝置400(例如是顯示面板)的畫素顯示區域中，靜電保護電路430設置在畫素顯示區域以外的周邊區域中，但不以此為限。在一些實施例中，靜電保護電路430可設置在畫素顯示區域中。

參考圖4，靜電保護電路430的第一端耦接驅動電晶體T1的第一端(即，汲極端)與半導體單元420的第一端(即，陽極端)之間的節點N1。在本實施例中，靜電保護電路430包括至少一個電子元件。電子元件例如是二極體或其他半導體電子元件。在本實施例中，電子元件的第一端耦接節點N1。電子元件的第二端耦接(接收)第三電壓VGH或第四電壓VGL。在本實施例中，第三電壓VGH的電壓準位高於第四電壓VGL的電壓準位。第三電壓VGH例如是參考高電壓。第四電壓VGL例如是參考低電壓。在一些實施例中，第三電壓VGH的電壓準位等於第一電壓ARVDD的電壓準位。第四電壓VGL的電壓準位等於第二電壓ARVSS的電壓準位。

具體來說，在本實施例中，靜電保護電路430的電子元件包括多個二極體431~432。本實施例中的二極體431或432的 數量僅為範例。二極體431的第一端(即，陰極端)耦接節點N1，可例如作為靜電保護電路430的第一端。二極體431的第二端(即，陽極端)耦接第四電壓VGL，可例如作為靜電保護電路430的第二端。二極體432的第一端(即，陰極端)耦接第三電壓VGH，可例如作為靜電保護電路430的第二端或第三端，並且二極體432的第二端(即，陽極端)可例如作為靜電保護電路430的第一端，且耦接二極體431的陰極端。在一些實施例中，第四電壓可例如為接地，但不以此為限。

在本實施例中，在電子裝置400中，N1節點耦接靜電保護電路430的端點，因此，在N1產生靜電時，靜電保護電路430被致能以將靜電排除，而不影響電子裝置400的顯示的品質。在一些實施例中，靜電保護電路430的可因應電子元件的數量而有不同的端點數量，端點數量可例如為兩端、三端或大於三端，但不以此為限。此外，靜電保護電路430各個端點耦接的位置可視需求決定。舉例來說，電子裝置400的重置電路、寫入與補償電路、穩壓電路、電容器CST、開關電晶體、驅動電晶體、或其耦接處的任一節點皆可選擇性的耦接於靜電保護電路430的端點。當前述的電路或電子元件與靜電防護電路430之間所耦接的節點產生靜電時，靜電保護電路430被致能以將靜電排除。

在本實施例中，在電子裝置400的製造過程中，當第一電壓ARVDD以及第二電壓ARVSS尚未連接至各自的直流電電源時，沒有靜電形成在電子裝置400中的任一節點處。此時，靜電保 護電路430被禁能。

在本實施例中，當第一電壓ARVDD以及第二電壓ARVSS連接至各自的直流電電源時，假設有正電荷或負電荷的靜電形成在節點N1時，靜電保護電路430被致能而提供放電回路。在一些實施例中，節點(例如是如N2、N3、N4或N5)可選擇性地另外耦接靜電保護電路430，使得當節點N2、N3、N4或N5產生靜電時，靜電保護電路430被致能以將靜電排除。

舉例來說，若正電荷的靜電形成在節點N1，且節點N1電壓大於第三電壓VGH，二極體431被逆嚮導通，並且二極體432被正嚮導通。正電荷靜電電流Ip_1自節點N1經過二極體431以及二極體431的陽極端而形成，並通過二極體431被拉至第四電壓VGL以將靜電排除。在另一方面，正電荷靜電電流Ip_2自節點N1經過二極體432、二極體432的陰極端以及第三電壓VGH而形成，並通過二極體432被拉至第三電壓VGH以將靜電排除。二極體432正嚮導通的正電荷靜電電流Ip_2可遠大於二極體431逆嚮導通的正電荷靜電電流Ip_1，前述兩者的靜電電流可例如為相差1000倍以上。在一些實施例中，若正電荷的靜電形成在節點N1，二極體431及二極體432可例如為皆被逆嚮導通，但不以此為限。

舉例來說，若負電荷的靜電形成在節點N1，且節點N1電壓小於第四電壓VGL，二極體431被正嚮導通，並且二極體432被逆嚮導通。負電荷靜電電流In_1自二極體431的陽極端經過二極體431、節點N1而形成，並通過二極體431被拉至第四電壓 VGL以將靜電排除。在另一方面，負電荷靜電電流In_2自二極體432的陰極端經過二極體432、節點N1以及第三電壓VGH而形成，並通過二極體432被拉至第三電壓VGH以將靜電排除。二極體431正嚮導通的負電荷靜電電流In_1可遠大於二極體432逆嚮導通的負電荷靜電電流In_2，前述兩者的靜電電流可例如為相差1000倍以上。在一些實施例中，若負電荷的靜電形成在節點N1，二極體431及二極體432可例如為皆被逆嚮導通，但不以此為限。

在本揭露中，通過耦接在驅動電晶體T1與半導體單元420的陽極端之間的靜電保護電路430能夠在靜電產生時提供額外的放電回路以排除靜電。因此，在本實施例中，驅動電晶體T1及/或開關電晶體T2能夠避免因靜電而導致其閾值電壓發生偏移，以輸出穩定的驅動電流。在一些實施例中，當半導體單元為發光單元時，更可以避免電子裝置產生色差。

圖5是本揭露的另一實施例的一種電子裝置的動作示意圖。為了方便說明本案內容，圖5僅標示部分元件的標記。圖5的電子裝置400所包括的半導體單元、重置電路、寫入與補償電路、穩壓電路、電容器CST以及開關電晶體可以參照圖2的電子裝置200的相關說明並且加以類推，故在此不另重述。在本實施例中，圖5的靜電保護電路530可以參照圖4的靜電保護電路430的相關說明並且加以類推，故在此不另重述。

參考圖5，靜電保護電路530的電子元件包括多個電晶體531~532，其中電晶體531~532可為P型電晶體。本實施例中的電 晶體531或532的數量僅為範例。電晶體531~532分別可以作為二極體。具體來說，電晶體531的閘極端以及源極端耦接在一起，並且耦接節點N1。電晶體531的汲極端耦接(接收)第四電壓VGL。電晶體532的閘極端以及源極端耦接在一起，並且耦接(接收)第三電壓VGH。電晶體532的汲極端耦接節點N1。

在本實施例中，在電子裝置500中，N1節點耦接靜電保護電路530的端點，因此，在N1產生靜電時，靜電保護電路530被致能以將靜電排除，而不影響電子裝置500的顯示的品質。在一些實施例中，靜電保護電路530的可因應電子元件的數量而有不同的端點數量，端點數量可例如為兩端、三端或大於三端，但不以此為限。此外，靜電保護電路530各個端點耦接的位置可視需求決定。舉例來說，電子裝置500的重置電路、寫入與補償電路、穩壓電路、電容器CST、開關電晶體、驅動電晶體、或其耦接處的任一節點皆可選擇性的耦接於靜電保護電路530的端點。當前述的電路或電子元件與靜電防護電路530之間所耦接的節點產生靜電時，靜電保護電路530被致能以將靜電排除。

在本實施例中，在電子裝置500的製造過程中，當第一電壓ARVDD以及第二電壓ARVSS尚未連接至各自的直流電電源時，沒有靜電形成在電子裝置500中的任一節點處。此時，靜電保護電路530被禁能。

在本實施例中，當第一電壓ARVDD以及第二電壓ARVSS連接至各自的直流電電源時，假設有正電荷或負電荷的靜電形成 在節點N1時，靜電保護電路530被致能而提供放電回路。在一些實施例中，節點(例如是如N2、N3、N4或N5)可選擇性地另外耦接靜電保護電路530，使得當節點N2、N3、N4或N5產生靜電時，靜電保護電路530被致能以將靜電排除。

舉例來說，若正電荷的靜電形成在節點N1，且節點N1電壓大於第三電壓VGH，電晶體532被正嚮導通。正電荷靜電電流Ip自節點N1經過電晶體532、電晶體532的閘極端以及源極端以至第三電壓VGH而形成，並通過電晶體532被拉至第三電壓VGH以將靜電排除。

舉例來說，若負電荷的靜電形成在節點N1，且節點N1電壓小於第四電壓VGL，電晶體531被正嚮導通。負電荷靜電電流In自電晶體531的汲極端經過電晶體531、節點N1而形成，並通過電晶體531被拉至第四電壓VGL以將靜電排除。

圖6是本揭露的另一實施例的一種電子裝置的動作示意圖。為了方便說明本案內容，圖6僅標示部分元件的標記。在本實施例中，圖6的靜電保護電路630可以參照圖5的靜電保護電路530的相關說明並且加以類推，故在此不另重述。

參考圖6，靜電保護電路630的電子元件包括多個電晶體631~632，其中電晶體631~632可為N型電晶體。本實施例中的電晶體631或632的數量僅為範例。電晶體631~632分別可以作為二極體。具體來說，電晶體631的汲極端耦接節點N1。電晶體631的閘極端以及源極端耦接在一起，並且耦接(接收)第四電壓VGL。 電晶體632的汲極端耦接(接收)第三電壓VGH。電晶體632的閘極端以及源極端耦接在一起，並且耦接節點N1。

在本實施例中，當第一電壓ARVDD以及第二電壓ARVSS連接至各自的直流電電源時，若正電荷的靜電形成在節點N1，且節點N1電壓大於第三電壓VGH，電晶體632被正嚮導通，以使正電荷靜電電流Ip通過電晶體632被拉至第三電壓VGH以將靜電排除。若負電荷的靜電形成在節點N1，且節點N1電壓小於第四電壓VGL，電晶體631被正嚮導通，以使負電荷靜電電流In通過電晶體631被拉至第四電壓VGL以將靜電排除。

圖7是本揭露的另一實施例的一種電子裝置的動作示意圖。為了方便說明本案內容，圖7僅標示部分元件的標記。在本實施例中，圖7的靜電保護電路730可以參照圖5的靜電保護電路530的相關說明並且加以類推，故在此不另重述。

參考圖7，靜電保護電路730的電子元件包括電晶體731以及電晶體732，其中電晶體731可為N型電晶體並且電晶體732可為P型電晶體。本實施例中的電晶體731或732的數量僅為範例。電晶體731以及電晶體732分別可以作為二極體。具體來說，電晶體731的汲極端耦接節點N1。電晶體731的閘極端以及源極端耦接在一起，並且耦接(接收)第四電壓VGL。電晶體732的閘極端以及源極端耦接在一起，並且耦接(接收)第三電壓VGH。電晶體732的汲極端耦接節點N1。

在本實施例中，當第三電壓VGH以及第四電壓VGL連 接至各自的直流電電源時，若正電荷的靜電形成在節點N1，且節點N1電壓大於第三電壓VGH，電晶體732被正嚮導通，以使正電荷靜電電流Ip通過電晶體732被拉至第三電壓VGH以將靜電排除。若負電荷的靜電形成在節點N1，且節點N1電壓小於第四電壓VGL，電晶體731被正嚮導通，以使負電荷靜電電流In通過電晶體731被拉至第四電壓VGL以將靜電排除。

綜上所述，本揭露的電子裝置能夠通過靜電保護電路所形成的放電回路來將靜電排除，以避免驅動電晶體因靜電而導致具有偏移的閾值電壓。此外，若電子裝置中的半導體單元為發光單元時，更可以避免電子裝置產生色差。應注意的是，通過選擇性的將電子裝置的任一節點耦接於靜電保護電路的端點，能夠將電子裝置與靜電防護電路之間所耦接的節點通過靜電保護電路來釋放靜電，而能夠達到良好的靜電保護效果。

最後應說明的是：以上各實施例僅用以說明本揭露的技術方案，而非對其限制；儘管參照前述各實施例對本揭露進行了詳細的說明，本領域的普通技術人員應當理解：其依然可以對前述各實施例所記載的技術方案進行修改，或者對其中部分或者全部技術特徵進行等同替換；而這些修改或者替換，並不使相應技術方案的本質脫離本揭露各實施例技術方案的範圍。

100:電子裝置

110:驅動電晶體

111:驅動電晶體的第一端

120:半導體單元

121:半導體單元的第一端

130:靜電保護電路

N1:節點

Claims (9)

1. 一種電子裝置，包括：驅動電晶體；半導體單元，具有第一端耦接所述驅動電晶體的第一端；靜電保護電路，耦接所述驅動電晶體的所述第一端與所述半導體單元的所述第一端之間的節點；以及開關電晶體，具有第一端耦接所述半導體單元的所述第一端，所述開關電晶體的第二端耦接所述驅動電晶體的所述第一端。
2. 如請求項1所述的電子裝置，其中所述驅動電晶體的所述第一端輸出驅動電流至所述半導體單元以驅動所述半導體單元。
3. 如請求項1所述的電子裝置，其中所述驅動電晶體的控制端耦接資料信號，並且所述開關電晶體的控制端耦接開關信號。
4. 如請求項1所述的電子裝置，其中所述驅動電晶體的第二端耦接第一電壓，並且所述半導體單元的第二端耦接第二電壓，其中所述第一電壓的電壓準位高於所述第二電壓的電壓準位。
5. 如請求項4所述的電子裝置，其中所述靜電保護電路包括：至少一電子元件，具有第一端耦接所述節點。
6. 如請求項5所述的電子裝置，其中所述至少一電子元件的第二端耦接所述第二電壓。
7. 如請求項4所述的電子裝置，其中所述靜電保護電路包括：第一二極體，具有第一端耦接所述節點，所述第一二極體的第二端耦接所述第二電壓；以及第二二極體，具有第一端耦接所述驅動電晶體的所述第二端，所述第二二極體的第二端耦接所述第二電壓。
8. 如請求項4所述的電子裝置，其中所述靜電保護電路包括：第一電子元件，具有第一端耦接第三電壓，所述第一電子元件的第二端耦接所述節點；以及第二電子元件，具有第一端耦接所述節點，所述第二電子元件的第二端耦接第四電壓，其中所述第三電壓的電壓準位高於所述第四電壓的電壓準位。
9. 如請求項8所述的電子裝置，其中所述第三電壓的電壓準位等於所述第一電壓的電壓準位，並且所述第四電壓的電壓準位等於所述第二電壓的電壓準位。

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