TWI821707B - 蒸鍍遮罩中間體、蒸鍍遮罩及蒸鍍遮罩的製造方法 - Google Patents
蒸鍍遮罩中間體、蒸鍍遮罩及蒸鍍遮罩的製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI821707B TWI821707B TW110125816A TW110125816A TWI821707B TW I821707 B TWI821707 B TW I821707B TW 110125816 A TW110125816 A TW 110125816A TW 110125816 A TW110125816 A TW 110125816A TW I821707 B TWI821707 B TW I821707B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- line
- short side
- hole
- mask
- aforementioned
- Prior art date
Links
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 title claims abstract description 37
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 title claims abstract description 37
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 32
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 32
- 238000002271 resection Methods 0.000 claims abstract description 21
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 94
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 44
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims 1
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 12
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 12
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- KGWWEXORQXHJJQ-UHFFFAOYSA-N [Fe].[Co].[Ni] Chemical compound [Fe].[Co].[Ni] KGWWEXORQXHJJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 6
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 6
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 4
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 2
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 2
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B26—HAND CUTTING TOOLS; CUTTING; SEVERING
- B26D—CUTTING; DETAILS COMMON TO MACHINES FOR PERFORATING, PUNCHING, CUTTING-OUT, STAMPING-OUT OR SEVERING
- B26D7/00—Details of apparatus for cutting, cutting-out, stamping-out, punching, perforating, or severing by means other than cutting
- B26D7/18—Means for removing cut-out material or waste
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
- H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Forests & Forestry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
一種蒸鍍遮罩中間體,係由金屬製片材形成,其具備:帶狀部,其包含具有第一、第二長邊及第一、第二短邊之邊緣、及具有複數個遮罩孔之遮罩部;框狀部,其圍繞帶狀部;及連結部,其位於帶狀部與框狀部之間,且將帶狀部中的至少第一短邊連結於框狀部。帶狀部具備脆弱線、線段及切除區域。脆弱線之兩端連接於第一短邊,脆弱線為具有具自第一短邊朝向第二短邊的突狀之線狀。線段係被夾持於第一短邊中之脆弱線兩端的部分。切除區域,係藉由脆弱線包圍,且包含線段及脆弱線。蒸鍍遮罩中間體,係於切除區域內具有貫通孔,該貫通孔連接於圍繞切除區域之邊緣的一部分。
Description
本發明係關於一種蒸鍍遮罩中間體、蒸鍍遮罩及蒸鍍遮罩的製造方法。
為了形成有機EL裝置具有之顯示元件,採用真空蒸鍍。於真空蒸鍍中,為了形成具有顯示元件所需之既定形狀的層而使用蒸鍍遮罩。蒸鍍遮罩具有藉由金屬製片材形成的帶狀。蒸鍍遮罩具有一對短邊,於使用蒸鍍遮罩之前,各短邊具有缺口,該缺口具有朝另一短邊凹陷之形狀。於使用蒸鍍遮罩時,蒸鍍遮罩係於將各短邊朝遠離與該短邊不同之短邊的方向拉伸的狀態下被安裝於遮罩框架(例如,參照專利文獻1)。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]國際公開第2020/050398號
[發明欲解決之課題]
然而,蒸鍍遮罩係藉由對金屬製片材進行濕式蝕刻而形成。此時,於用以製造蒸鍍遮罩之金屬製的片材中,在與蒸鍍遮罩之缺口對應的部分形成有貫通孔。與缺口對應之貫通孔係較形成於蒸鍍遮罩上之其他貫通孔的面積大。因此,由於金屬製片材中與缺口對應的部分接觸更多的蝕刻液,因此蝕刻液容易於金屬製片材與形成於片材上之阻劑遮罩之間產生環繞、或者蝕刻處理容易受蝕刻液之流速左右。其結果,在與蒸鍍遮罩之缺口對應的部分中,圖案化之形狀的精度容易降低。
本發明之目的,在於提供一種可提高圖案加工之形狀的精度之蒸鍍遮罩中間體、蒸鍍遮罩、及蒸鍍遮罩的製造方法。
[用以解決課題之手段]
於本發明之一態樣中,提供一種蒸鍍遮罩中間體。蒸鍍遮罩中間體係由金屬製片材形成。其具備:帶狀部,其包含具有第一、第二長邊及第一、第二短邊之邊緣、及具有複數個遮罩孔之遮罩部;框狀部,其圍繞前述帶狀部;及連結部,其位於前述帶狀部與前述框狀部之間,且將前述帶狀部中的至少前述短邊連結於前述框狀部。前述帶狀部具備脆弱線、線段及切除區域。前述脆弱線之兩端連接於前述第一短邊,前述脆弱線具有自前述第一短邊朝向前述第二短邊的突狀。前述線段係被夾持於前述第一短邊中之前述脆弱線兩端的部分。前述切除區域係藉由前述線段及前述脆弱線包圍,且包含前述線段及前述脆弱線。前述蒸鍍遮罩中間體係於前述切除區域內具有貫通孔,該貫通孔連接於圍繞前述切除區域之邊緣的一部分。
於本發明之另一態樣中,提供一種蒸鍍遮罩。蒸鍍遮罩具有帶狀。蒸鍍遮罩具備:邊緣,其具有一對長邊及一對短邊;及遮罩部,其具有複數個遮罩孔。各短邊包含缺口,該缺口具有朝另一前述短邊凹陷的U字形。前述缺口係於前述U字之彎曲部即底部的至少一部分具有切斷痕。
於本發明之另一態樣中,提供一種蒸鍍遮罩的製造方法。蒸鍍遮罩的製造方法係具備:自金屬製片材形成蒸鍍遮罩中間體,其中,該蒸鍍遮罩中間體具有帶狀部、框狀部及連結部,該帶狀部包含具有第一、第二長邊及第一、第二短邊之邊緣、及具有複數個遮罩孔之遮罩部,該框狀部係圍繞前述帶狀部,該連結部係位於前述帶狀部與前述框狀部之間,且將前述帶狀部中的至少前述短邊連結於前述框狀部;及自前述帶狀部形成蒸鍍遮罩。前述帶狀部具備脆弱線、線段及切除區域。前述脆弱部之兩端連接於前述第一短邊,且具有自前述第一短邊朝向前述第二短邊的突狀。前述線段係被夾持於前述第一短邊中之前述脆弱線兩端的部分。前述切除區域係藉由前述線段及前述脆弱線包圍,且包含前述線段及前述脆弱線。前述蒸鍍遮罩中間體係於前述切除區域內具有貫通孔,該貫通孔連接於圍繞前述切除區域之邊緣的一部分。
[用以實施發明的形態]
參照圖1至圖6,對蒸鍍遮罩中間體、蒸鍍遮罩及蒸鍍遮罩的製造方法之一實施形態進行說明。以下,依序對蒸鍍遮罩中間體、遮罩裝置及蒸鍍遮罩的製造方法進行說明。
[蒸鍍遮罩中間體]
參照圖1至圖3,對蒸鍍遮罩中間體進行說明。
圖1所示之蒸鍍遮罩中間體10係由金屬製的片材形成。金屬片,例如由鐵鎳系合金或鐵鎳鈷系合金形成。鐵鎳系合金,例如為含有30質量%以上之鎳的鐵鎳系合金。於鐵鎳合金中,又以36質量%之鎳與剩餘量之鐵的合金為主成分的合金,即恆範鋼為較佳。於36質量%之鎳與剩餘量之鐵的合金為金屬板的主成分之情況下,金屬板之剩餘部分可能包含例如鉻、錳、碳、及鈷等的添加物。
此外,鐵鎳鈷系合金之熱膨脹係數小於鐵鎳系合金之熱膨脹係數。鐵鎳鈷系合金,例如為含有30質量%以上之鎳及3質量%以上的鈷之鐵鎳鈷系合金。於鐵鎳鈷系合金中,又以32質量%之鎳、4質量%以上且5質量%以下的鈷及剩餘量之鐵的合金為主成分之合金即超級恆範鋼為較佳。於32質量%之鎳、4質量%以上且5質量%以下的鈷及剩餘量之鐵的合金為金屬板之主成分之情況下,金屬板之剩餘部分可能包含例如鉻、錳、及碳等之添加物。
蒸鍍遮罩中間體10,具備帶狀部11、框狀部12及連結部13。帶狀部11包含邊緣11e及遮罩部11a。邊緣11e具有一對長邊11e1及一對短邊11e2。即,邊緣11e具有第一、第二長邊11e1及第一、第二短邊11e2。長邊11e1延伸的方向係長度方向DL,短邊11e2延伸的方向係寬度方向DW。長度方向DL及寬度方向DW係相互正交的方向。遮罩部11a具備複數個遮罩孔11h。各遮罩孔11h係用以藉由使蒸鍍材料通過各遮罩孔11h而對成膜對象形成既定圖案的孔。框狀部12係圍繞帶狀部11。連結部13位於帶狀部11與框狀部12之間,且將帶狀部11之至少短邊11e2連結於框狀部12。連結部13除了短邊11e2外,還將長邊11e1的一部分連結於框狀部12。蒸鍍遮罩中間體10具有表面10F及背面10R,背面10R係與表面10F為相反側的面。
帶狀部11具備複數個遮罩部11a及周邊部11b。複數個遮罩部11a沿長度方向DL隔著間隔排列。各遮罩部11a例如具有長方形形狀。各遮罩部11a具有複數個遮罩孔11h。於各遮罩部11a中,複數個遮罩孔11h係依照既定規則排列。周邊部11b具有圍繞各遮罩部11a的形狀。由於本實施形態之帶狀部11具有沿長度方向DL排列的複數個遮罩部11a,因此周邊部11b具有階梯狀。周邊部11b不具有遮罩孔11h。
於蒸鍍遮罩中間體10中,帶狀部11的周邊部11b及框狀部12具有第一板厚。第一板厚例如為15μm以上且30μm以下。再者,帶狀部11的遮罩部11a可具有第一板厚,也可具有較第一板厚薄的第二板厚。再者,於遮罩部11a具有第二板厚之情況下,於形成在遮罩部11a之複數個遮罩孔11h中,相互鄰接的遮罩孔11h相連。藉此,遮罩部11a具有第二板厚。
於圖1所示之例子中,於寬度方向DW上隔開間隔地排列2個帶狀部11。再者,於蒸鍍遮罩中間體10中,也可於寬度方向DW上僅配置一個帶狀部11,或者也可排列3個以上。於長度方向DL上,排列於寬度方向DW的2個帶狀部11係隔開間隔配置。
自與蒸鍍遮罩中間體10之表面10F對向的視點觀察,框狀部12具有圍繞帶狀部11的形狀。框狀部12具有個別地圍繞各帶狀部11的形狀。
連結部13及縫隙10S係位於帶狀部11與框狀部12的邊界上。縫隙10S係於蒸鍍遮罩中間體10的厚度方向上貫通蒸鍍遮罩中間體10。縫隙10S係於帶狀部11與框狀部12之邊界中相對於遮罩部11a位於寬度方向DW上。複數個遮罩部11a係於寬度方向DW上被一對縫隙10S夾持。
連結部13係於帶狀部11與框狀部12之邊界中位於除了縫隙10S所在的部分以外之部分的整體上。連結部13可為例如半蝕刻線。連結部13也可藉由沿帶狀部11與框狀部12之邊界隔開間隔排列的複數個貫通孔、及位於鄰接之貫通孔之間的金屬製片材中的一部分而形成。或者,連結部13也可藉由沿帶狀部11與框狀部12之邊界隔開間隔排列的複數個半蝕刻部、及位於鄰接之半蝕刻部之間的金屬製片材中的一部分而形成。
於連結部13具備複數個半蝕刻部或複數個貫通孔之情況下,例如,半蝕刻部或貫通孔的長度,可為90μm以上且180μm以下,寬度可為60μm以上且90μm以下,且配置其等的間距可為180μm以上且270μm以下。再者,半蝕刻部或貫通孔的長度係沿連結部13延伸之方向的大小,寬度係沿與連結部13延伸之方向正交的方向的大小。再者,半蝕刻部之深度,例如可為第一板厚的50%以上且80%以下。
或者,連結部13也可藉由半蝕刻線、及於半蝕刻線上隔開間隔地排列的複數個貫通孔而形成。於此情況下,半蝕刻線之寬度,例如可為100μm以上且150μm以下。半蝕刻線之深度,例如可為第一板厚的50%以上且80%以下。位於半蝕刻線上之貫通孔的直徑,例如可為相對於半蝕刻線之寬度的50%以上且80%以下。於半蝕刻線上配置貫通孔的間距,例如可為100μm以上且500μm以下。
再者,半蝕刻線及半蝕刻部係於厚度方向上蝕刻金屬製片材中的一部分的部分。連結部13係機械強度低於帶狀部11及框狀部12的部分。
圖2顯示與表面10F正交且沿朝寬度方向DW延伸之平面的遮罩部11a之剖面構造。
如圖2所示,形成於遮罩部11a之各遮罩孔11h,具有大孔11hL及小孔11hS。大孔11hL開口於蒸鍍遮罩中間體10的表面10F。另一方面,小孔11hS開口於蒸鍍遮罩中間體10的背面10R。自與表面10F對向的視點觀察,位於表面10F之大孔11hL的開口大於位於背面10R之小孔11hS的開口。於蒸鍍遮罩中間體10之厚度方向上的中間,一個大孔11hL連接於一個小孔11hS。
遮罩部11a具有之複數個遮罩孔11h係藉由前述片材的濕式蝕刻而形成。於片材之濕式蝕刻中,首先,藉由自片材的背面朝向表面之片材的蝕刻,形成複數個小孔11hS。用以形成小孔11hS的蝕刻步驟係第一蝕刻步驟。接著,藉由自片材之表面朝向背面之片材的蝕刻,形成一個一個地連接於各小孔11hS的大孔11hL。用以形成大孔11hL的蝕刻步驟係第二蝕刻步驟。
自與蒸鍍遮罩中間體10之表面10F對向的視點觀察,於各遮罩部11a上以可製造例如具有300ppi以上且1000ppi以下之解像度的顯示裝置之方式形成有具有既定大小及排列的複數個遮罩孔11h。
圖3一併顯示帶狀部11中之包含一個短邊11e2的部分、及位於該短邊11e2周圍之框狀部12的一部分。再者,於帶狀部11中,包含一短邊11e2之部分與包含另一短邊11e2的部分係在長度方向DL上的位置彼此不同,另一方面,自與帶狀部11展開之平面對向的俯視視點下的構造相同。
如圖3所示,帶狀部11具備線狀之脆弱線11RC1及切除區域11RC。脆弱線11RC1的兩端連接於短邊11e2,脆弱線11RC1具有自該短邊11e2朝向另一短邊11e2的突狀。即,脆弱線11RC1具有自第一短邊11e2朝向第二短邊11e2的突狀。切除區域11RC係藉由短邊11e2中之被夾持於脆弱線11RC1兩端之線段11e21及脆弱線11RC1包圍,且包含線段11e21及脆弱線11RC1。蒸鍍遮罩中間體10具備貫通孔11RC2。貫通孔11RC2係於切除區域11RC內連接於包圍切除區域11RC之邊緣的一部分。於本實施形態中,由於線段11e21與脆弱線11RC1兩者係藉由貫通孔11RC2隔斷,因此切除區域11RC係藉由以線段11e21及脆弱線11RC1形成的開環之邊緣包圍。
於藉由濕式蝕刻對金屬製的片材進行圖案化而製造蒸鍍遮罩中間體10時,由於僅在切除區域11RC的一部分形成貫通孔11RC2,因此與藉由濕式蝕刻將所有切除區域11RC貫通之情況比較,金屬製的片材中露出於蝕刻液的面積小。因此,蝕刻液難以於阻劑遮罩與片材之間產生環繞,並且藉由濕式蝕刻所形成之蒸鍍遮罩中間體10的形狀,難以受到用於濕式蝕刻之蝕刻液的流速左右。因此,可抑制如藉由濕式蝕刻去除整個切除區域11RC般的情況那樣因濕式蝕刻所致的齒痕。其結果,可提高圖案化之形狀的精度。
再者,如上述,由於切除區域11RC係藉由連結部13之一部分及脆弱線11RC1包圍,因此藉由將連結部13及脆弱線11RC1切斷,可相對於各短邊11e2形成自該短邊11e2朝另一短邊11e2凹陷的缺口。
也可於蒸鍍遮罩中間體10設定第一虛擬線L1及第二虛擬線L2。第一虛擬線L1係沿各短邊11e2之中央部延伸的線。各短邊11e2之中央部係於寬度方向DW上包含短邊11e2之中央的線段11e21。短邊11e2之中央部,例如為於寬度方向DW上將短邊11e2一分為三後之中央。第二虛擬線L2係連接於第一虛擬線L1的兩端,且具有自該第一虛擬線L1朝向另一第一虛擬線L1的突狀之線。於本實施形態中,第二虛擬線L2具有自一短邊11e2朝向另一短邊11e2的U字形。再者,第二虛擬線L2例如也可具有大致V字形。
連結部13包含短邊脆弱線13a。帶狀部11具備切除區域11RC及前述的脆弱線11RC1。脆弱線11RC1係位於沿第二虛擬線L2的至少一部分之位置。切除區域11RC係藉由第一虛擬線L1及第二虛擬線L2包圍的區域。蒸鍍遮罩中間體10具備貫通孔11RC2。貫通孔11RC2係於切除區域11RC內連接於圍繞切除區域11RC之邊緣的一部分。於使用第一虛擬線L1及第二虛擬線L2定義切除區域11RC之情況下,第一虛擬線L1與第二虛擬線L2形成具有包圍切除區域11RC之閉環狀的邊緣。
貫通孔11RC2具有自第一端部RC21朝第二端部RC22延伸的形狀。第一端部RC21連接於線段11e21。第二端部RC22連接於脆弱線11RC1。
由於貫通孔11RC2連接於線段11e21及脆弱線11RC1,因此可以貫通孔11RC2作為起首,於連結部13中將沿線段11e21的短邊脆弱線13a及脆弱線11RC1兩者切斷。因此,與貫通孔11RC2不連接於線段11e21及脆弱線11RC1之任一者的情況比較,容易將連結部13及脆弱線11RC1切斷。
再者,短邊脆弱線13a係位於第一虛擬線L1中之除了連接有第一端部RC21的部分以外的部分上。即,短邊脆弱線13a係藉由貫通孔11RC2的第一端部RC21隔斷。脆弱線11RC1係位於第二虛擬線L2中之除了連接有第二端部RC22的部分以外的部分上。即,脆弱線11RC1係藉由貫通孔11RC2的第二端部RC22隔斷。
脆弱線11RC1具有大致U字形。於本實施形態中,脆弱線11RC1係藉由貫通孔11RC2隔斷,具有缺少U字之彎曲部的一部分之形狀。貫通孔11RC2具有沿長邊11e1延伸的帶狀。換言之,貫通孔11RC2係沿長度方向DL延伸。因此,貫通孔11RC2之第二端部RC22連接於脆弱線11RC1中的彎曲之部分、換言之、第二虛擬線L2中的彎曲之部分。如此,由於貫通孔11RC2沿長邊11e1延伸,因此可藉由貫通孔11RC2將脆弱線11RC1中彎曲的部分隔斷。因此,與貫通孔11RC2沿短邊11e2延伸的情況比較,更容易進行脆弱線11RC1的切斷。
第一端部RC21係於寬度方向DW上將線段11e21二等分。並且,第二端部RC22將脆弱線11RC1之長度二等分。即,第一端部RC21係於短邊11e2延伸之寬度方向DW上連接於第一虛擬線L1的中央。第二端部RC22連接於第二虛擬線L2中的U字之底部。底部係U字的彎曲部。藉此,由於切除區域11RC藉由貫通孔11RC2而被二等分,因此與以具有偏差的方式藉由貫通孔11RC2將切除區域11RC二分割之情況比較,不易於為了去除藉由切除區域11RC之二分割所形成的各部分而需要的負載上產生偏差。因此,容易去除切除區域11RC。
換言之,貫通孔11RC2具有連結切除區域11RC中之最靠近另一短邊11e2的位置、與框狀部12中之與短邊11e2對向的位置之帶狀。即,貫通孔11RC2具有帶狀,該帶狀包含切除區域11RC中的最靠近第二短邊11e2之位置、及框狀部12中之與第一短邊11e2對向的位置。由於貫通孔11RC2連通脆弱線11RC1與連結部13,因此可以貫通孔11RC2作為起首,將脆弱線11RC1及連結部13兩者切斷。因此,與貫通孔11RC2不連通脆弱線11RC1及連結部13的情況比較,更容易將脆弱線11RC1及連結部13切斷。
於寬度方向DW上,第一端部RC21之長度與第二端部RC22的長度的總和係第一長度。線段11e21之長度與脆弱線11RC1的長度的總和係第二長度。第二長度大於第一長度。
再者,沿寬度方向DW之貫通孔11RC2的寬度,例如可為1mm以上且5mm以下,沿長度方向DL之貫通孔11RC2的長度,例如可為20mm以上且4050mm以下。此外,線段11e21的長度,例如可為15mm以上且40mm以下。
蒸鍍遮罩中間體10係形成於藉由輥對輥裝置搬送之金屬製片材上。於蒸鍍遮罩中間體10中,由於第二長度較第一長度長,因此與第二長度較第一長度短的情況比較,形成貫通孔11RC2之後的切除區域11RC可藉由框狀部12穩定地支撐。因此,於蒸鍍遮罩中間體10之搬送時,可抑制自框狀部12將切除區域11RC切斷。
由於短邊脆弱線13a係連結部13的一部分,因此如上述,短邊脆弱線13a係機械強度較帶狀部11及框狀部12低的部分。如上述,短邊脆弱線13a例如也可為半蝕刻線。短邊脆弱線13a可藉由沿帶狀部11與框狀部12之邊界隔開間隔排列的複數個貫通孔、及位於鄰接之貫通孔之間的金屬製片材中的一部分形成。或者,短邊脆弱線13a也可藉由具有沿帶狀部11與框狀部12之邊界隔開間隔排列的複數個半蝕刻部、及位於鄰接之半蝕刻部之間的金屬製片材中的一部分而形成。或者,短邊脆弱線13a也可藉由半蝕刻線、及於半蝕刻線上隔開間隔地排列的複數個貫通孔而形成。即,短邊脆弱線13a也可藉由交互排列的半蝕刻部及貫通孔而形成。
脆弱線11RC1亦為機械強度低於帶狀部11及框狀部12的部分。脆弱線11RC1與短邊脆弱線13a同樣,例如也可為半蝕刻線。脆弱線11RC1也可藉由沿帶狀部11與框狀部12之邊界隔開間隔排列的複數個貫通孔、及位於鄰接之貫通孔之間的金屬製片材中的一部分而形成。或者,脆弱線11RC1也可藉由沿帶狀部11與框狀部12之邊界隔開間隔排列的複數個半蝕刻部、及位於鄰接之半蝕刻部之間的金屬製片材中的一部分而形成。或者,脆弱線11RC1也可藉由半蝕刻線、及於半蝕刻線上隔開間隔排列的複數個貫通孔而形成。即,脆弱線11RC1,也可藉由交互排列的半蝕刻部及貫通孔而形成。
於脆弱線11RC1具有複數個半蝕刻部或複數個貫通孔的情況下,例如,半蝕刻部或貫通孔的長度可為90μm以上且180μm以下,寬度可為60μm以上且90μm以下,且配置其等之間距可為180μm以上且270μm以下。再者,半蝕刻部或貫通孔之長度係沿脆弱線11RC1延伸之方向的大小,寬度係沿與脆弱線11RC1延伸之方向正交的方向的大小。再者,半蝕刻部的深度例如可為第一板厚的50%以上且80%以下。
或者,脆弱線11RC1也可藉由半蝕刻線、及於半蝕刻線上隔開間隔排列之複數個貫通孔而形成。即,脆弱線11RC1也可藉由交互排列的半蝕刻部及貫通孔而形成。於此情況下,半蝕刻線的寬度,例如可為100μm以上且150μm以下。半蝕刻線的深度,例如可為第一板厚的50%以上且80%以下。位於半蝕刻線上之貫通孔的直徑,例如可為相對於半蝕刻線之寬度的50%以上且80%以下。於半蝕刻線上配置貫通孔的間距,例如可為100μm以上且500μm以下。
再者,短邊脆弱線13a之構造與脆弱線11RC1的構造,可彼此相同或不同。例如,短邊脆弱線13a,可藉由半蝕刻線、及於半蝕刻線上隔開間隔排列的複數個貫通孔形成。脆弱線11RC1,例如可藉由複數個貫通孔、及位於鄰接之貫通孔之間的金屬製片材中的一部分形成。或者,脆弱線11RC1,可藉由複數個半蝕刻部、及位於鄰接之半蝕刻部之間的金屬製片材中的一部分形成。
貫通孔11RC2係藉由第一蝕刻步驟及第二蝕刻步驟形成。此外,貫通孔11RC2,也可藉由第一蝕刻步驟及第二蝕刻步驟之任一者形成。
於包含短邊脆弱線13a之連結部13具有半蝕刻部或半蝕刻線的情況下,連結部13可藉由第一蝕刻步驟形成。再者,具備半蝕刻部或半蝕刻線的連結部13,也可藉由第二蝕刻步驟形成。於連結部13具有貫通孔之情況下,連結部13可藉由第一蝕刻步驟及第二蝕刻步驟形成。再者,具備貫通孔的連結部13,也可藉由第一蝕刻步驟及第二蝕刻步驟中之任一者形成。
於脆弱線11RC1具備半蝕刻部或半蝕刻線之情況下,脆弱線11RC1,可藉由第一蝕刻步驟形成。再者,具備半蝕刻部或半蝕刻線的脆弱線11RC1,也可藉由第二蝕刻步驟形成。於脆弱線11RC1具備貫通孔之情況下,脆弱線11RC1可藉由第一蝕刻步驟及第二蝕刻步驟形成。再者,具有貫通孔的脆弱線11RC1也可藉由第一蝕刻步驟及第二蝕刻步驟之任一者而形成。
當自蒸鍍遮罩中間體10獲取蒸鍍遮罩時,首先,將連結部13切斷,使帶狀部11整體自框狀部12切離。此時,連結部13之一部分即短邊脆弱線13a也被切斷。接著,將脆弱線11RC1切斷,使切除區域11RC整體自帶狀部11切離。此時,由於將脆弱線11RC1自連接於第二端部RC22的部分朝位於短邊11e2上的端部切斷,因此容易將脆弱線11RC1切斷。再者,也可將脆弱線11RC1自位於短邊11e2上的端部朝連接於第二端部RC22的部分切斷。
[遮罩裝置]
參照圖4至圖6,對遮罩裝置進行說明。
如圖4所示,遮罩裝置20具備遮罩框架21及複數個蒸鍍遮罩11M。於圖4所示之例子中,遮罩裝置20具備2個蒸鍍遮罩11M,但遮罩裝置20可具備一個以上之任意數量的蒸鍍遮罩11M。
蒸鍍遮罩11M具有帶狀。蒸鍍遮罩11M具有邊緣11e,該邊緣11e具有一對長邊11e1及一對短邊11e2。蒸鍍遮罩11M具備複數個遮罩部11a。蒸鍍遮罩11M的長邊11e1對應於帶狀部11的長邊11e1,蒸鍍遮罩11M的短邊11e2對應於帶狀部11的短邊11e2。蒸鍍遮罩11M的各短邊11e2包含缺口11e22,缺口11e22具有朝另一短邊11e2凹陷的U字形。缺口11e22於U字之底部之至少一部分具有切斷痕。底部為U字之彎曲部。蒸鍍遮罩11M具有彼此對向的表面11F及背面11R。蒸鍍遮罩11M之表面11F係蒸鍍遮罩中間體10之表面10F的一部分,蒸鍍遮罩11M的背面11R係蒸鍍遮罩中間體10之背面10R的一部分。
遮罩框架21具有矩形框狀。遮罩框架21係金屬製。較佳為,遮罩框架21係藉由與形成蒸鍍遮罩11M之金屬相同的金屬形成。
各蒸鍍遮罩11M之表面11F的一部分接合於遮罩框架21。各蒸鍍遮罩11M係以該蒸鍍遮罩11M具備之複數個遮罩部11a位於遮罩框架21劃分的開口之方式接合於遮罩框架21。各蒸鍍遮罩11M係於長度方向DL,且在位於一個缺口11e22與最靠近該缺口11e22的遮罩部11a之間的部分上接合於遮罩框架21。此外,各蒸鍍遮罩11M係於長度方向DL,且在位於另一缺口11e22與最靠近該缺口11e22的遮罩部11a之間的部分上接合於遮罩框架21。
圖5放大顯示圖4中的區域A。區域A包含缺口11e22中的彎曲部。再者,圖5顯示脆弱線11RC1具備半蝕刻線及位於半蝕刻線上之複數個貫通孔之情況的區域A的構造。
如圖5所示,切斷痕11em位於劃分缺口11e22的邊上。切斷痕11em係藉由脆弱線11RC1之切斷而形成的部分。切斷痕11em具備複數個捲曲11em1及複數個凹陷11em2。於切斷痕11em延伸的方向上,捲曲11em1與凹陷11em2交互排列。於切斷痕11em上,複數個捲曲11em1係藉由切斷半蝕刻線而形成的部分。於切斷痕11em上,各凹陷11em2係對應於各貫通孔的部分。
再者,於脆弱線11RC1僅具備半蝕刻線之情況下,切斷痕11em係在幾乎整個缺口11e22上具有捲曲。此外,於脆弱線11RC1係由複數個貫通孔及位於貫通孔之間的片材的一部分形成之情況下,切斷痕具有沿缺口11e22交互地排列之捲曲及凹陷。
如圖6所示,於各蒸鍍遮罩11M接合於遮罩框架21之後,於各蒸鍍遮罩11M中,自包含遮罩部11a的部分上將包含缺口11e22之部分切除。然後,將具備切除了包含缺口11e22之部分的蒸鍍遮罩11M之遮罩裝置20安裝於蒸鍍裝置。
[蒸鍍遮罩的製造方法]
蒸鍍遮罩的製造方法,包含自金屬製片材形成蒸鍍遮罩中間體10之過程、及自蒸鍍遮罩中間體10的帶狀部11形成蒸鍍遮罩11M之過程。
如上述,於形成蒸鍍遮罩中間體10中形成的蒸鍍遮罩中間體10,具備帶狀部11、框狀部12及連結部13。帶狀部11具有:線狀之脆弱線11RC1,其連接於短邊11e2,且具有自該短邊11e2朝向另一短邊11e2之突狀;線段11e21,其被夾持於短邊11e2中之兩端;及切除區域11RC,其藉由脆弱線11RC1包圍,且包含線段11e21及脆弱線11RC1。蒸鍍遮罩中間體10係於切除區域11RC內具備貫通孔11RC2,該貫通孔11RC2連接於圍繞切除區域11RC之邊緣的一部分。
根據此種之蒸鍍遮罩11M的製造方法,當形成蒸鍍遮罩中間體10時,與於整個切除區域11RC形成貫通孔11RC2的情況比較,於用於片材之蝕刻的阻劑遮罩中,可減小用以形成貫通孔11RC2之貫通孔的大小。藉此,於片材中,可減小自阻劑遮罩之貫通孔露出的區域,因此可減小片材中與蝕刻液接觸的區域。
藉此,於片材的蝕刻中,可抑制蝕刻液在片材及阻劑遮罩之間環繞。此外,藉由減小與蝕刻液接觸的區域,片材的蝕刻量難以受蝕刻液的流速左右。因此,可提高對片材之圖案化之形狀的精度。
如以上說明,根據蒸鍍遮罩中間體、蒸鍍遮罩及蒸鍍遮罩的製造方法的一實施形態,可獲得以下記載的功效。
(1)蝕刻液難以於阻劑遮罩與片材之間產生環繞,並且,藉由濕式蝕刻形成之蒸鍍遮罩中間體10的形狀難以受使用於濕式蝕刻之蝕刻液的流速左右。因此,可提高圖案加工之形狀的精度。
(2)可以貫通孔11RC2作為起首,將短邊脆弱線13a與脆弱線11RC1兩者切斷。因此,與貫通孔11RC2不連接於線段11e21及脆弱線11RC1的情況比較,更容易將短邊脆弱線13a及脆弱線11RC1切斷。
(3)可藉由貫通孔11RC2將脆弱線11RC1中彎曲的部分隔斷。因此,與貫通孔11RC2沿短邊11e2延伸的情況比較,更容易將脆弱線11RC1切斷。
(4)由於切除區域11RC係藉由貫通孔11RC2二等分,因此與以具有偏差之方式藉由貫通孔11RC2將切除區域11RC二分割的情況比較,不易於為了去除藉由切除區域11RC之二分割所形成的各部分而需要的負載上產生偏差。因此,容易去除切除區域11RC。
(5)形成貫通孔11RC2之後的切除區域11RC係藉由框狀部12穩定地支撐。因此,於蒸鍍遮罩中間體10之搬送時,可抑制切除區域11RC被自框狀部12上切斷。
(6)由於貫通孔11RC2通過脆弱線11RC1與連結部13,因此可以貫通孔11RC2作為起首,將脆弱線11RC1與連結部13兩者切斷。因此,與貫通孔11RC2不通過脆弱線11RC1及連結部13的情況比較,更容易將脆弱線11RC1及連結部13切斷。
[變形例]
再者,前述實施形態可依如下方式變更且實施。
[貫通孔]
・也可於切除區域11RC內形成複數個貫通孔。即,帶狀部11也可具有複數個貫通孔11RC2。
例如,如圖7所示,貫通孔11RC2也可具有2個貫通孔11RC2。於圖7所示之例子中,於第二虛擬線L2上連接有2個貫通孔11RC2,且藉由2個貫通孔11RC2形成V字。於此情況下也可獲得與前述(2)同樣的功效。再者,帶狀部11也可具有3個以上之貫通孔11RC2。
・如圖8所示,帶狀部11也可具有沿寬度方向DW延伸且僅與脆弱線11RC1連接的貫通孔11RC2。即,帶狀部11也可具有僅連接於第二虛擬線L2的貫通孔11RC2。於此情況下,由於帶狀部11具有位於切除區域11RC之一部分的貫通孔11RC2,因此也可獲得與前述(1)同樣的功效。
再者,於沿寬度方向DW延伸的貫通孔11RC2中,也可僅由任一之端部連接於脆弱線11RC1即第二虛擬線L2,也可兩者之端部不連接於脆弱線11RC1即第二虛擬線L2。於任一之情況下,由於帶狀部11具有位於切除區域11RC之一部分的貫通孔11RC2,因此也可獲得與前述(1)同樣的功效。
・如圖9所示,貫通孔11RC2除了具備沿長度方向DL延伸的部分外,還可具備沿寬度方向DW延伸的部分。即,貫通孔11RC2也可具有十字形。於此情況下,貫通孔11RC2係於3個部位連接於脆弱線11RC1。換言之,貫通孔11RC2係於第二虛擬線L2上的3個部位連接於第二虛擬線L2。因此,與貫通孔11RC2僅於第二虛擬線L2上的一個部位連接於第二虛擬線L2的情況比較,更容易將脆弱線11RC1切斷。
再者,於具有十字形的貫通孔11RC2中,4個端部中的一個以上,也可不與圍繞切除區域11RC的邊緣連接。於此情況下,由於帶狀部11具有位於切除區域11RC之一部分的貫通孔11RC2,因此也可獲得與前述(1)同樣的功效。
・圖9所示之貫通孔11RC2,也可變更為具有T字形的貫通孔。即,貫通孔11RC2也可具有連接於線段11e21上之一個部位及連接於脆弱線11RC1上的2個部位之T字形。換言之,貫通孔也可具有連接於第一虛擬線L1上之一個部位及連接於第二虛擬線L2上的2個部位之T字形。或者,貫通孔也可具有連接於脆弱線11RC1上之3個部位之T字形。換言之,貫通孔也可具有連接於第二虛擬線L2上之3個部位之T字形。於此情況下,由於帶狀部11具有位於切除區域11RC之一部分的貫通孔11RC2,因此也可獲得與前述(1)同樣的功效。
・如圖10所示,貫通孔11RC2也可具有菱形形狀。貫通孔11RC2連接於線段11e21上的一個部位及脆弱線11RC1上的3個部位。換言之,貫通孔11RC2連接於第一虛擬線L1上的一個部位及第二虛擬線L2上的3個部位。於此情況下,由於帶狀部11具有位於切除區域11RC之一部分的貫通孔11RC2,因此也可獲得與前述(1)同樣的功效。再者,於具有菱形之貫通孔11RC2中,4個角部中的一個以上也可不與圍繞切除區域11RC的邊緣連接。於此情況下,也可獲得與前述(1)同樣的功效。
・貫通孔11RC2也可位於切除區域11RC內,且不與切除區域11RC的邊緣連接。於此情況下,由於帶狀部11於切除區域11RC內具有貫通孔11RC2,因此可獲得與前述(1)同樣的功效。惟,藉由將貫通孔11RC2連接於切除區域11RC的邊緣,容易將圍繞切除區域11RC的短邊脆弱線13a及脆弱線11RC1切斷。再者,貫通孔11RC2可具有任意之形狀,例如,可具有三角形及四邊形等多邊形形狀、及圓形等。
[連結部]
如圖11所示,連結部13也可具備短邊脆弱線13a及橋接部13b。於蒸鍍遮罩中間體10中,周邊部11b及框狀部12具有第一板厚。複數個橋接部13b位於沿帶狀部11的邊緣11e隔開間隔之位置,各橋接部13b具有第一板厚。沿帶狀部11之邊緣11e中之連結部13連接的部分以外的部分配置有縫隙10S。由於沿帶狀部11之邊緣11e中之連結部13連接的部分以外的部分配置縫隙10S,因此容易進行將橋接部13b切斷的作業。
10:蒸鍍遮罩中間體
10F:表面
10R:背面
10S:縫隙
11:帶狀部
11a:遮罩部
11b:周邊部
11e:邊緣
11e1:長邊
11e2:短邊
11e21:線段
11h:遮罩孔
11hL:大孔
11hS:小孔
11RC:切除區域
11RC1:脆弱線
11RC2:貫通孔
11M:蒸鍍遮罩
11F:表面
11R:背面
11e22:缺口
11em:切斷痕
11em1:捲曲
11em2:凹陷
12:框狀部
13:連結部
13a:短邊脆弱線
DL:長度方向
DW:寬度方向
L1:第一虛擬線
L2:第二虛擬線
RC21:第一端部
RC22:第二端部
20:遮罩裝置
21:遮罩框架
圖1為顯示一實施形態之蒸鍍遮罩中間體的構造的俯視圖。
圖2為顯示圖1所示之帶狀部的遮罩部中之構造的剖視圖。
圖3為顯示圖1所示之蒸鍍遮罩中間體中的一切除區域及切除區域之周邊構造的俯視圖。
圖4為顯示將自圖1所示之蒸鍍遮罩中間體獲得的蒸鍍遮罩接合於遮罩框架上之狀態的俯視圖。
圖5為放大顯示圖4所示之區域A的俯視圖。
圖6為顯示將圖4所示之蒸鍍遮罩的一部分切斷之狀態的俯視圖。
圖7為顯示第一變形例之蒸鍍遮罩中間體中的一切除區域及切除區域之周邊構造的俯視圖。
圖8為顯示第二變形例之蒸鍍遮罩中間體中的一切除區域及切除區域之周邊構造的俯視圖。
圖9為顯示第三變形例之蒸鍍遮罩中間體中的一切除區域及切除區域之周邊構造的俯視圖。
圖10為顯示第四變形例之蒸鍍遮罩中間體中的一切除區域及切除區域之周邊構造的俯視圖。
圖11為顯示第五變形例之蒸鍍遮罩中間體的構造之俯視圖。
11:帶狀部
11e2:短邊
11e21:線段
11RC:切除區域
11RC1:脆弱線
11RC2:貫通孔
12:框狀部
13:連結部
13a:短邊脆弱線
DL:長度方向
DW:寬度方向
L1:第一虛擬線
L2:第二虛擬線
RC21:第一端部
RC22:第二端部
Claims (8)
- 一種蒸鍍遮罩中間體,係由金屬製片材形成,其具備:帶狀部,其包含具有一對長邊及一對短邊之邊緣、及具有複數個遮罩孔之遮罩部;框狀部,其圍繞前述帶狀部;及連結部,其位於前述帶狀部中的至少前述短邊與前述框狀部之間,且將前述帶狀部連結於前述框狀部,前述帶狀部具備:線狀之脆弱線,其兩端連接在前述短邊,具有自該短邊朝向另一短邊的突狀;線段,被夾持於前述短邊中之前述兩端;及切除區域,藉由前述脆弱線包圍,且包含前述線段及前述脆弱線,前述蒸鍍遮罩中間體,係於前述切除區域內具有貫通孔,該貫通孔連接於圍繞前述切除區域之邊緣的一部分。
- 如請求項1之蒸鍍遮罩中間體,其中前述貫通孔具有自第一端部朝第二端部延伸的形狀,前述第一端部連接於前述線段,前述第二端部連接於前述脆弱線。
- 如請求項2之蒸鍍遮罩中間體,其中前述脆弱線具有大致U字形,前述貫通孔具有沿前述長邊延伸的帶狀。
- 如請求項3之蒸鍍遮罩中間體,其中前述第一端部係於前述短邊延伸之方向上將前述線段二等 分,前述第二端部係將前述脆弱線的長度二等分。
- 如請求項4之蒸鍍遮罩中間體,其中於前述短邊延伸的方向上,前述第一端部之長度與前述第二端部的長度的總和係第一長度,前述線段之長度與前述脆弱線的長度的總和係第二長度,前述第二長度係較前述第一長度長。
- 如請求項1之蒸鍍遮罩中間體,其中前述貫通孔具有連結前述切除區域中之最靠近前述另一短邊的位置與前述框狀部中之與前述短邊對向的位置之帶狀。
- 一種蒸鍍遮罩,係具有帶狀的蒸鍍遮罩,其具備:邊緣,其具有一對長邊及一對短邊;及遮罩部,其具有複數個遮罩孔,各短邊包含缺口,該缺口係具有朝另一前述短邊凹陷的U字形,且具備2個直線部及繫接各直線部的端部之彎曲部;前述缺口中的前述彎曲部係具有蝕刻痕及切斷痕,該蝕刻痕係於前述彎曲部中被配置在最靠近前述另一短邊的位置,且為涵蓋前述蒸鍍遮罩的厚度方向的整體而被蝕刻者;前述切斷痕係藉由前述蝕刻痕隔斷之複數個半蝕刻線的切斷痕。
- 一種蒸鍍遮罩的製造方法,其具備以下過 程:自金屬製片材形成蒸鍍遮罩中間體,該蒸鍍遮罩中間體具有帶狀部、框狀部及連結部,該帶狀部包含具有一對長邊及一對短邊之邊緣、及具有複數個遮罩孔之遮罩部,該框狀部係圍繞前述帶狀部,該連結部係位於前述帶狀部的至少前述短邊與前述框狀部之間,且將前述帶狀部連結於前述框狀部;及自前述帶狀部形成蒸鍍遮罩,前述帶狀部具備:線狀之脆弱線,其兩端連接在前述短邊,具有自該短邊朝向另一短邊的突狀;線段,被夾持於前述短邊中之前述兩端;及切除區域,藉由前述脆弱線包圍,且包含前述線段及前述脆弱線,前述蒸鍍遮罩中間體,係於前述切除區域內具有貫通孔,該貫通孔連接於圍繞前述切除區域之邊緣的一部分。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020-122414 | 2020-07-16 | ||
JP2020122414A JP7151745B2 (ja) | 2020-07-16 | 2020-07-16 | 蒸着マスク中間体、蒸着マスク、および、蒸着マスクの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW202210645A TW202210645A (zh) | 2022-03-16 |
TWI821707B true TWI821707B (zh) | 2023-11-11 |
Family
ID=79555655
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW110125816A TWI821707B (zh) | 2020-07-16 | 2021-07-14 | 蒸鍍遮罩中間體、蒸鍍遮罩及蒸鍍遮罩的製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7151745B2 (zh) |
KR (1) | KR102604344B1 (zh) |
CN (2) | CN216107159U (zh) |
TW (1) | TWI821707B (zh) |
WO (1) | WO2022014662A1 (zh) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002001694A (ja) * | 2000-06-19 | 2002-01-08 | Dainippon Printing Co Ltd | トリミング方法およびトリミング装置 |
CN102703857A (zh) * | 2012-03-30 | 2012-10-03 | 友达光电股份有限公司 | 遮罩条 |
TW201832392A (zh) * | 2016-12-14 | 2018-09-01 | 日商大日本印刷股份有限公司 | 蒸鍍遮罩裝置及蒸鍍遮罩裝置的製造方法 |
WO2020050398A1 (ja) * | 2018-09-07 | 2020-03-12 | 凸版印刷株式会社 | 蒸着マスク中間体、蒸着マスク、および、蒸着マスクの製造方法 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102010217B1 (ko) * | 2016-08-05 | 2019-08-12 | 도판 인사츠 가부시키가이샤 | 증착용 메탈 마스크, 증착용 메탈 마스크의 제조 방법, 및 표시 장치의 제조 방법 |
CN213266672U (zh) * | 2019-09-06 | 2021-05-25 | 凸版印刷株式会社 | 蒸镀掩模中间体以及蒸镀掩模 |
-
2020
- 2020-07-16 JP JP2020122414A patent/JP7151745B2/ja active Active
-
2021
- 2021-07-14 TW TW110125816A patent/TWI821707B/zh active
- 2021-07-15 WO PCT/JP2021/026563 patent/WO2022014662A1/ja active Application Filing
- 2021-07-15 CN CN202121607184.XU patent/CN216107159U/zh active Active
- 2021-07-15 CN CN202180049368.5A patent/CN115803471B/zh active Active
- 2021-07-15 KR KR1020237001061A patent/KR102604344B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002001694A (ja) * | 2000-06-19 | 2002-01-08 | Dainippon Printing Co Ltd | トリミング方法およびトリミング装置 |
CN102703857A (zh) * | 2012-03-30 | 2012-10-03 | 友达光电股份有限公司 | 遮罩条 |
TW201832392A (zh) * | 2016-12-14 | 2018-09-01 | 日商大日本印刷股份有限公司 | 蒸鍍遮罩裝置及蒸鍍遮罩裝置的製造方法 |
WO2020050398A1 (ja) * | 2018-09-07 | 2020-03-12 | 凸版印刷株式会社 | 蒸着マスク中間体、蒸着マスク、および、蒸着マスクの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP7151745B2 (ja) | 2022-10-12 |
CN115803471B (zh) | 2023-11-14 |
CN216107159U (zh) | 2022-03-22 |
TW202210645A (zh) | 2022-03-16 |
WO2022014662A1 (ja) | 2022-01-20 |
CN115803471A (zh) | 2023-03-14 |
KR102604344B1 (ko) | 2023-11-20 |
JP2022018951A (ja) | 2022-01-27 |
KR20230011501A (ko) | 2023-01-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP3524710B1 (en) | Method of manufacturing deposition mask, intermediate product tom which deposition mask is allocated, and deposition mask | |
TWI784196B (zh) | 蒸鍍遮罩中間體、蒸鍍遮罩、及蒸鍍遮罩的製造方法 | |
JP2004014513A (ja) | 有機電子発光素子の薄膜蒸着用マスクフレーム組立体 | |
TWI661062B (zh) | 蒸鍍用金屬遮罩 | |
TWI821707B (zh) | 蒸鍍遮罩中間體、蒸鍍遮罩及蒸鍍遮罩的製造方法 | |
TWI819236B (zh) | 蒸鍍遮罩中間體、蒸鍍遮罩及蒸鍍遮罩的製造方法 | |
CN213708465U (zh) | 蒸镀掩模 | |
JP2022121540A (ja) | 蒸着マスク中間体、蒸着マスク、マスク装置、および、蒸着マスクの製造方法 | |
JP2024043397A (ja) | 蒸着マスク中間体、蒸着マスク、および、蒸着マスクの製造方法 | |
KR20230141556A (ko) | 메탈 마스크 및 그 제조 방법 |