TWI820900B - 晶片封裝結構及晶片封裝方法 - Google Patents

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李建成
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Abstract

本案提出一種晶片封裝結構及晶片封裝方法，所述晶片封裝結構包含一第一基板、一影像感測晶片、一支撐件、一第二基板以及一膠體。該影像感測晶片設置於該第一基板之上表面，該影像感測晶片具有一影像感測區。該支撐件設置於該影像感測晶片之上表面且環繞該影像感測區，該支撐件由複數微結構單元相互堆疊而成而具有孔隙。該第二基板設置於該支撐件之上表面，該第二基板、該支撐件與該影像感測晶片定義一氣腔。該膠體附著於該第一基板之上表面及該第二基板之側表面，且填充於該支撐件之孔隙。

Description

晶片封裝結構及晶片封裝方法
本發明是有關於一種晶片封裝結構及其製造方法。
隨著車輛自動駕駛輔助系統與智慧型手機領域不斷地研發創新，市場對於CMOS影像感測晶片的性能要求亦隨之提升。一般來說，較高的晶片性能伴隨著較大的封裝尺寸、封裝結構內較大的氣腔尺寸，以及製程過程中較嚴重的熱效應等結果。
一種傳統的CMOS影像感測晶片的封裝結構係利用黏膠將俗稱壩體(DAM)的一框形元件設置在CMOS影像感測晶片上表面並環繞位於CMOS影像感測晶片中央的影像感測區，同時壩體上還設置有一玻璃蓋，因而可以將CMOS影像感測晶片的影像感測區密封在玻璃蓋與壩體所界定的一密閉空間中。然而，由於玻璃蓋與壩體本身皆非透氣元件，後續在經受其他熱處理製程時，那麼前述密閉空間的內部氣壓會升高而與外界形成一壓力差，此壓力差可能導致壩體與CMOS影像感測晶片的粘著面失效，從而影響封裝產品的良率。
有鑑於此，發明人提出一種晶片封裝結構。晶片封裝結構包含一第一基板、一影像感測晶片、一支撐件、一第二基板以及一膠體。該 影像感測晶片設置於該第一基板之上表面，該影像感測晶片具有一影像感測區。該支撐件設置於該影像感測晶片之上表面且環繞該影像感測區，該支撐件由複數微結構單元相互堆疊而成而具有孔隙。該第二基板設置於該支撐件之上表面，該第二基板、該支撐件與該影像感測晶片定義一氣腔。該膠體附著於該第一基板之上表面及該第二基板之側表面，且填充於該支撐件之孔隙。
發明人還提出一種晶片封裝方法，包含設置一影像感測晶片於一第一基板之上表面，該影像感測晶片具有一影像感測區；設置一支撐件於一第二基板之下表面，該支撐件由複數微結構單元相互堆疊而成而具有孔隙；將該第二基板與該支撐件設置於該影像感測晶片上，其中該第二基板之下表面朝向該影像感測晶片，該支撐件附著於該影像感測晶片之上表面且環繞該影像感測區，該第二基板、該支撐件與該影響感測晶片定義一氣腔；以及填充一膠體，使該膠體貼附於該第一基板之上表面及該第二基板之側表面，並填入該支撐件之孔隙。
10:晶片封裝結構
101:第一基板
102:影像感測晶片
102A:影像感測區
102B:非影像感測區
103:支撐件
1031:孔隙
1032:纖維
1033:顆粒
1034:高分子聚合物
104:第二基板
105:膠體
106:導線
107:接點
108:錫球
109:氣腔
901:切割器
902:電壓源
903:注射器
9031:容置腔
9032:金屬針頭
904:遮罩
905:噴塗器
906:熱風槍
[圖1A]係第一實施例之晶片封裝結構之示意圖。
[圖1B]係第一實施例之複數微結構單元之示意圖。
[圖1C]係第一實施例之交錯纖維之照片。
[圖2A]係第二實施例之晶片封裝結構之示意圖。
[圖2B]係第二實施例之複數微結構單元之示意圖。
[圖2C]係第二實施例之堆積顆粒之照片。
[圖3A至圖3G]係一些實施例之晶片封裝結構之製造過程示意圖。
[圖4A至圖4C]係第一實施例之支撐件之製造過程示意圖。
[圖5]係第二實施例之支撐件之製造過程示意圖。
圖1A係第一實施例之晶片封裝結構之示意圖，請參照圖1A。晶片封裝結構10包含第一基板101、影像感測晶片102、支撐件103、第二基板104以及膠體105。影像感測晶片102設置於第一基板101之上表面，影像感測晶片具有影像感測區102A。支撐件103設置於影像感測晶片102之上表面且環繞影像感測區102A。第二基板104設置於支撐件103之上表面，第二基板104、支撐件103與該影像感測晶片102定義氣腔109。膠體105附著於第一基板101之上表面及第二基板104之側表面。
第一基板101可以是樹脂(或與玻璃纖維的混合物)、陶瓷、或玻璃所組成。在一些實施例，第一基板101為氮化矽(Si3N4)、氧化鋁(Al2O3)、氮化鋁(AlN)、氧化鋯(ZrO2)、氧化鋯增韌氧化鋁(ZTA)或氧化鈹(BeO)等陶瓷材質製作，而具有結構強度高、高導熱、低翹曲度、熱膨脹係數低(例如採用熱膨脹係數為8×10-6/℃之氧化鋁，或採用熱膨脹係數為5.0×10-6/℃之氮化鋁)、電性絕緣等優點。在一些實施例，第一基板101為雙面電路基板，於第一基板101之上表面與下表面設置線路以分別與位於上表面或下表面之電子元件電性連接。
影像感測晶片102為積體電路晶片，其可以是可見光或非可見光之影像感測晶片102。為利於光線穿透，在一些實施例，第二基板104為透光材料，其材料可以是選自玻璃、聚甲基丙烯酸甲酯(Poly(methyl methacrylate)，PMMA)、聚苯乙烯(Polystyrene，PS)、聚碳酸酯(Polycarbonate，PC)、聚雙烯丙基二甘醇碳酸酯(Dially glycol carbonates，CR-39)、苯乙烯丙烯腈共聚物(Acrylonitrile-styrene copolymer，SAN)、聚4-甲基戊烯-1(Poly(4-methyl-1-pentene)，TPX)及透明聚醯胺(Polyamide，PA)所構成之群組中之一種或多種材料之混合物。第二基板104可以形成平面透鏡、凸透鏡或凹透鏡。
膠體105可以採用環氧樹脂(Epoxy)、聚亞醯胺(Polyimide，PI)或矽膠(Silicone)，覆蓋並保護導線106以及阻絕濕氣進入封裝結構內的氣腔109，或形成不透光層以阻擋外界光線透過封裝外殼而造成感光雜訊。形成膠體105之方法可以採用灌膠製程，以使尚未固化的高流動性膠體105覆蓋待封裝之結構。膠體105覆蓋於第二基板104之側表面，在一些實施例中，膠體105覆蓋側表面高度的1/2至2/3。
支撐件103之材料可以是選自聚胺甲酸酯(Polyurethane，PU)、聚丙烯腈(Polyacrylonitrile，PAN)、聚乙烯醇(Polyvinyl Alcohol，PVA)、聚乳酸(Polylactide，PLA)、聚環氧乙烷(Polyethylene oxide，PEO)、聚對苯二甲酸乙二酯(Polyethylene terephthalate，PET)、聚乙烯吡咯烷酮(Polyvinyl pyrrolidone，PVP)、聚氯乙烯樹脂(Polyvinyl Chloride，PV)、醋酸纖維素(Cellulose acetate，CA)、聚乳酸-羥基乙酸共聚物(Poly(lactic-co-glycolic acid)，PLGA)、聚己內酯(Polycaprolactone，PCL)、聚乙二醇(Polyethylene glycol，PEG)、聚二甲基矽氧烷(Polydimethylsiloxane，PDMS)、玻璃纖維、PS、PMMA、PA及PA 6.6所構成之群組中之一種或多種材料之混合物。
支撐件103由複數微結構單元相互堆疊而成而具有孔隙1031。當支撐件103黏合於影像感測晶片102及第二基板104而形成封閉之氣腔109，支撐件103之孔隙1031允許空氣流通，使熱處理過程氣體膨脹產生的壓力與氣腔109內的壓力平衡。舉例而言，當影像感測晶片102透過黏合膠而黏附於第一基板101之上表面，或當第二基板104透過黏合膠而黏附於支撐件103之上表面，黏合膠需經過熱處理而固化，支撐件103之孔隙1031即有利於熱處理過程的壓力平衡。前述黏合膠可以採用環氧樹脂、聚亞醯胺或矽膠。於此實施例，支撐件103材料之選擇應考量所選用黏合膠的固化溫度與時間以及材料本身的性質。詳細而言，黏合膠的固化溫度應低於支撐件103材料之熔點，較佳者低於支撐件103材料之玻璃轉化溫度(glass transition temperature,Tg)以防止孔隙1031於熱處理過程中塌陷。對此，可以考慮採用高熔點或高Tg之支撐件103材料，或將多種支撐件103材料混合；亦可以考慮降低黏合膠的固化溫度並延長固化時間。
圖1B係第一實施例之複數微結構單元之示意圖，請參照圖1B。在第一實施例，複數微結構單元是由單一纖維1032交錯纏繞或由多個纖維1032交錯堆積而成，微結構單元可以指交錯的纖維1032之間形成的間隙，該些間隙相互連通而形成孔隙1031。應說明的是，雖圖1B之示意圖所示之各個微結構單元為規律排列，且具有相同外觀及尺寸，然並非必然為此。圖1C係第一實施例之交錯纖維之照片，請參照圖1C。於此實施例，纖維1032交錯而形成多個間隙，該些間隙的外觀及尺寸並不相同，但各間隙相互連通形成孔隙1031而構成複數微結構單元。圖2A係 第二實施例之晶片封裝結構之示意圖；圖2B係第二實施例之複數微結構單元之示意圖，請一併參照圖2A及圖2B。第二實施例與第一實施例之主要差別在於支撐件103之結構。在第二實施例，複數微結構單元是由多個顆粒1033堆積而成，微結構單元可以指各個顆粒1033。顆粒1033之間會形成多個間隙，該些間隙相互連通而形成孔隙1031。應說明的是，雖圖2B之示意圖所示之各個微結構單元為規律排列，且具有相同外觀及尺寸，然並非必然為此。圖2C係第二實施例之堆積顆粒之照片，請參照圖2C。於此實施例，多個顆粒1033之堆積方式並非形成完全規律的排列，使得顆粒1033之間的間隙的外觀及尺寸並不相同。但各間隙仍相互連通形成孔隙1031。另外，顆粒1033之外觀亦不必為完整的圓形，或具有相同的尺寸，僅要足以使顆粒1033之間形成相互連通的孔隙1031即可。
支撐件103之複數微結構單元除了允許氣流流通外，亦允許膠體105填充於其之間。當孔隙1031被膠體105密封後，晶片封裝結構10內的氣腔109與外界環境隔絕，避免濕氣進入氣腔109而造成影像感測晶片102損壞；此外，增加支撐件103的結構強度。綜上所述，支撐件103的設計解決了影像感測晶片102封裝的熱處理製程中氣腔109內的氣體膨脹而導致的晶片封裝結構10毀損問題，於前述熱處理製程後，支撐件103亦允許膠體105灌注其中而達成晶片封裝結構10的氣腔109的密封。
以下透過不同實施例說明晶片封裝結構10的製造方式。圖3A至圖3G係一些實施例之晶片封裝結構之製造過程示意圖，請依下文說明依序參照圖3A至圖3G。在一些實施例，如圖3A所示，晶片封裝結 構製造方法提供第一基板101後(步驟一)，設置影像感測晶片102於第一基板101之上表面，影像感測晶片102具有影像感測區102A(步驟二)。影像感測晶片102之設置位置可根據第一基板101預設的定位點進行擺放。影像感測晶片102與第一基板101間透過導線106電性連接。在一些實施例中，影像感測晶片102與第一基板101之上表面之間透過黏合膠接合。
如圖3B所示，在一些實施例中，影像感測晶片102透過打線(Wire bonding)方式與第一基板101之接點107電性連接(步驟三)。在其他實施例，該影像感測晶片102也可以採用其他線路連接方式與第一基板101電性連接。所述導線106可以是金、銅、銀、銅鈀合金，或是其他金屬導線。
如圖3C所示，支撐件103設置於第二基板104之表面(步驟四)。在此需特別說明，支撐件103可以預先成形後再設置於第二基板104之表面，亦可以直接成形於第二基板104之表面。此外，支撐件103也可以是預先成形後再設置於影像感測晶片102之上表面，亦可以是直接成形於影像感測晶片102之上表面。影像感測晶片102包含影像感測區102A及非影像感測區102B，支撐件103係設置於環繞影像感測區102A周圍的非影像感測區102B上。在一些實施例中，支撐件103與第二基板104之表面之間係透過熱固性黏合膠接合。
如圖3D所示，第二基板104與支撐件103設置於影像感測晶片102之上表面(步驟五)。在一些實施例中，支撐件103與影像感測晶片102之上表面之間同樣係透過熱固性黏合膠接合。於此，第二基板104、 支撐件103及影像感測晶片102共同形成封閉氣腔109，但氣腔109內與氣腔109外的空氣相互流通。因此，允許對前述結構進行熱處理製程(步驟六)。例如透過熱處理固化影像感測晶片102與第一基板101之間的黏合膠，及/或支撐件103與影像感測晶片102之間的黏合膠，及/或支撐件103與第二基板104之間的黏合膠，使整體結構穩固成形。
如圖3E所示，將完成熱處理之結構配置於模具後，填入膠體105進行封膠作業(步驟七)。膠體105附著於第一基板101之上表面及第二基板104之側表面，並填充於支撐件103之孔隙1031。在一些實施例中，第二基板104為透光材料，因此觀察者或檢測設備可以透過第二基板104確認氣腔109周圍的支撐件103內壁面狀態。在填入膠體105的過程，膠體105透過支撐件103之孔隙1031逐漸朝氣腔109方向滲入。於此實施例，當觀察者或檢測設備判斷該膠體105甫滲出該支撐件103之內側表面(氣腔109的內壁面)，封膠設備停止填充膠體105。在另一些實施例中，膠體105的灌注亦可以透過灌注時間及流量來管控。
如圖3F所示，為利於功能檢測，於第一基板101之下表面設置引腳(pin)，例如錫球108(步驟八)。檢測電流訊號透過部分引腳及導線106輸入影像感測晶片102，影像感測晶片102處理後產生之回饋訊號透過另一部分之引腳輸出，以供測試設備進行晶片封裝結構10功能正常與否之判讀。
如圖3G所示，完成前述製程之封裝結構經切割器901分割為獨立的封裝單元(步驟九)，即完成晶片封裝結構10之製程。
圖3A至圖3G所示之晶片封裝結構10之製造過程僅是晶片 封裝結構10的其中一種製造實施方式，前述步驟一至步驟九並非必須採前述或圖式所示之實施方式，且其執行步驟亦非必然如前述順序。舉例而言，於步驟四及步驟五之中，支撐件103亦可以預先成形後再設置於影像感測晶片102之上表面，亦可以直接成形於影像感測晶片102之上表面。因此，在一些實施例，支撐件103可以形成於一目標表面。目標表面可以是第二基板104之下表面(朝向影像感測晶片102之表面)或影像感測晶片102之上表面(朝向第二基板104之表面)。以下透過不同實施例說明支撐件103形成於目標表面之方式。
如圖1B所示，第一實施例所述之微結構單元由一或多個交錯之纖維1032所構成。圖4A至圖4C係第一實施例之支撐件之製造過程示意圖，其應用了靜電紡絲技術在目標表面上形成支撐件，請依下文說明依序參照圖4A至圖4C。在一些實施例，為形成交錯之纖維1032，如圖4A所示，目標表面之上方配置注射器903，注射器903包含容置腔9031及金屬針頭9032。容置腔9031用以盛裝高分子聚合物1034，其材質可以為金屬、玻璃或陶瓷。電壓源902串聯於注射器903之金屬針頭9032及目標表面，使金屬針頭9032及目標表面之間產生電位差。所述高分子聚合物1034可以選自前述支撐件103材料之一或多種。當注射器903釋放該高分子聚合物1034時，高分子聚合物1034受電場導引而於目標表面固化產生交錯之纖維1032，而形成複數微結構單元。在一些實施例，為使高分子聚合物1034處於無定形狀態或調整纖維1032尺寸，容置腔9031被加熱維持在高分子聚合物1034之Tg或熔點以上之溫度(例如將容置腔9031設置於加熱循環矽油之槽體內，圖未示出)。在一些實施例，高 分子聚合物1034被溶於溶劑中以維持流動態。舉例而言，將10%的PVA之去離子水溶液恆溫在80至85攝氏度，設置21kV的電位差並使金屬針頭9032與目標表面保持200mm。舉例而言，將6%的PAN之二甲基甲醯胺(Dimethylformamide，DMF)溶液恆溫在32.2攝氏度，設置8.9kV的電位差並使金屬針頭9032與目標表面保持70mm。
於前述步驟四之前，可以設置遮罩904於影像感測晶片102表面。如圖4B及圖4C所示，遮罩904包含孔洞且孔洞對應於支撐件103預定於影像感測晶片102上之形成位置。在一些實施例，當複數微結構單元覆蓋於遮罩904，亦覆蓋於孔洞所對應之影像感測晶片102表面。遮罩904移除後即形成支撐件103。在另一些實施例，複數微結構單元直接覆蓋於影像感測晶片102表面。透過雷射切割後即形成支撐件103。在一些實施例，遮罩904設置於第二基板104之表面，以於第二基板104之下表面形成支撐件103；或者，直接於第二基板104之下表面覆蓋複數微結構單元，再以雷射切割形成支撐件103。
如圖2B所示，第二實施例所述之微結構單元由多個堆積之顆粒1033所構成。圖5係第二實施例之支撐件103之製造過程示意圖，請參照圖5。在一些實施例，為形成堆積之顆粒1033，將高分子聚合物1034配置於溶液後，利用噴塗器905將溶液噴塗於目標表面(覆蓋或未覆蓋遮罩904之影像感測晶片102表面或第二基板104表面)。其後，將目標表面上形成之顆粒1033並以熱風槍906加熱固化，即形成第一層之顆粒1033結構。其後，重複前述噴塗及加熱固化之流程，即可形成複數微結構單元。舉例而言，將6.27%的PDMS之乙酸乙酯(Ethyl acetate)溶液 混合3g澱粉助溶並持續攪拌至少5分鐘後，以噴塗器905施予0.2MPa之壓力並與目標表面保持150至200mm之距離。熱風槍906之加熱固化時間為13分鐘以上。
在另一些實施例，前述噴塗製程亦可替換為點膠製程。點膠機將PDMS乙酸乙酯溶液點膠分布於目標表面(覆蓋或未覆蓋遮罩904之影像感測晶片102表面或第二基板104表面)。其後，將目標表面上形成之顆粒1033以熱風槍906加熱固化，即形成第一層之顆粒1033結構。其後，重複前述噴塗及加熱固化之流程，即可形成複數微結構單元。
應了解，本揭露所記載之內容，當採用用語「上」、「下」、「內」、「外」，僅為了說明本揭露的實施例之技術內容或元件之相對關係而引用，並非用於限制實施本揭露各元件在空間上之絕對位置關係。舉例而言，將第二基板設置於支撐件之上的實施方式，可以直接將第二基板擺置於支撐件之上，亦可以將第二基板倒置後將支撐件擺置其上。雖然本揭露已以實施例揭露如上，然說明書及圖式所載之實施例並非用以限定本揭露，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本揭露之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾。本揭露之保護範圍當視後附之專利申請範圍所界定者為準。
10:晶片封裝結構
101:第一基板
102:影像感測晶片
102A:影像感測區
102B:非影像感測區
103:支撐件
104:第二基板
105:膠體
106:導線
107:接點
109:氣腔

Claims (10)

  1. 一種晶片封裝結構，包含： 一第一基板； 一影像感測晶片，設置於該第一基板之上表面，該影像感測晶片具有一影像感測區； 一支撐件，設置於該影像感測晶片之上表面且環繞該影像感測區，該支撐件由複數微結構單元相互堆疊而成而具有孔隙； 一第二基板，設置於該支撐件之上表面，該第二基板、該支撐件與該影像感測晶片定義一氣腔；以及 一膠體，附著於該第一基板之上表面及該第二基板之側表面，且填充於該支撐件之孔隙。
  2. 如請求項1所述之晶片封裝結構，其中，該複數微結構單元係為複數纖維。
  3. 如請求項1所述之晶片封裝結構，其中，該複數微結構單元係為複數顆粒。
  4. 一種晶片封裝方法，包含： 設置一影像感測晶片於一第一基板之上表面，該影像感測晶片具有一影像感測區； 設置一支撐件於一第二基板之下表面，該支撐件由複數微結構單元相互堆疊而成而具有孔隙； 將該第二基板與該支撐件設置於該影像感測晶片上，其中該第二基板之下表面朝向該影像感測晶片，該支撐件附著於該影像感測晶片之上表面且環繞該影像感測區，該第二基板、該支撐件與該影像感測晶片定義一氣腔；以及 填充一膠體，使該膠體貼附於該第一基板之上表面及該第二基板之側表面，並填入該支撐件之孔隙。
  5. 如請求項4所述之晶片封裝方法，於設置該支撐件於該第二基板之下表面之步驟中，包含： 設置一遮罩於該第二基板之下表面，該遮罩包含一孔洞，該遮罩之設置位置使該孔洞對應於該支撐件預定於該第二基板之下表面之形成位置； 形成該複數微結構單元於該第二基板之下表面；以及 移除該遮罩，以形成該支撐件。
  6. 如請求項4所述之晶片封裝方法，於設置該支撐件於該第二基板之下表面之步驟中，包含： 形成該複數微結構單元於該第二基板之下表面； 雷射切割該複數微結構單元，以切割出該支撐件之圖案；及 移除該支撐件之圖案以外的部分。
  7. 如請求項5或6所述之晶片封裝方法，於形成該複數微結構單元於該第二基板之下表面之步驟中，包含： 設置一注射器，該注射器包含一容置腔及一金屬針頭，該容置腔用以容置一高分子聚合物； 於該金屬針頭施加一第一電位； 於該第二基板之下表面施加一第二電位；以及 釋放該高分子聚合物，使該高分子聚合物於該第二基板之下表面固化產生交錯之複數纖維，而形成該複數微結構單元。
  8. 如請求項5或6所述之晶片封裝方法，於形成該複數微結構單元於該目標表面之步驟中，包含： 將一高分子聚合物點膠分布於該第二基板之下表面，以產生單層之複數顆粒； 固化該單層之複數顆粒； 將該高分子聚合物點膠分布於固化之該複數顆粒之上層，以產生多層之複數顆粒；以及 固化該多層之複數顆粒，而形成該複數微結構單元。
  9. 如請求項5或6所述之晶片封裝方法，於形成該複數微結構單元於該第二基板之下表面之步驟中，包含： 將一高分子聚合物噴塗於該第二基板之下表面，以產生單層之複數顆粒； 固化該單層之複數顆粒； 將該高分子聚合物噴塗於固化之該複數顆粒之上層，以產生多層之複數顆粒；以及 固化該多層之複數顆粒，而形成該複數微結構單元。
  10. 如請求項4所述之晶片封裝方法，其中，該第二基板為一透鏡，該晶片封裝方法於填充該膠體之步驟中，包含透過該透鏡確認該支撐件之內側表面，當判斷該膠體甫滲出該支撐件之內側表面時，停止填充該膠體。
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TW201806140A (zh) * 2016-05-31 2018-02-16 半導體組件工業公司 影像感測器半導體封裝及相關方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201426985A (zh) * 2012-12-28 2014-07-01 Aptos Technology Inc 光電封裝體及其製造方法
TW201806140A (zh) * 2016-05-31 2018-02-16 半導體組件工業公司 影像感測器半導體封裝及相關方法

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