TWI818488B - 馬達控制器 - Google Patents

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Abstract

一種馬達控制器具有一開關電路、一驅動電路、以及一脈寬調變電路。該開關電路耦合至一三相馬達以驅動該三相馬達。該驅動電路產生複數個控制信號以控制該開關電路。當該馬達控制器開啟一浮接相以偵測一換相點時,該馬達控制器使得該開關電路內至少一電晶體操作於一線性區。該馬達控制器用以減少該三相馬達之切換雜訊並提高切換相位之一成功率。

Description

馬達控制器
本發明係關於一種馬達控制器,特別是關於一種可應用於無感測器三相馬達之馬達控制器。
傳統上三相馬達之驅動方式可分為兩種。一種是藉由霍爾感測器以切換相位進而驅動三相馬達運轉。另一種則是無需霍爾感測器而驅動三相馬達運轉。由於霍爾感測器容易受外界環境之影響而造成感測準確度下降,且設置霍爾感測器會增加系統之體積與成本,因而無感測器之驅動方法便被提出以解決上述之問題。
在無感測器之驅動方法下,馬達控制器會藉由偵測浮接相之反電動勢以切換相位,並進而驅動三相馬達。然而,當馬達控制器於一浮接相時間區間偵測反電動勢時,於其他兩相需持續開關一電晶體,因而造成三相馬達產生切換雜訊。此切換雜訊會影響偵測準確性且降低切換相位之成功率。
此外,當馬達控制器利用一脈寬調變信號之導通時間區間以偵測一換相點時,如果導通時間區間太小,會使得浮接相腳位電壓沒有足夠時間穩定下來,這樣會難以偵測反電動勢。因此,設計者可採用一導通時間偵測模式與一關斷時間偵測模式以偵測反電動勢。然而,當馬達控制器於此兩種偵測模式切換時,可能會造成偵測反電動勢之零點有所差異。再者,此偵測方法會使得 馬達控制器無法應用於一高頻組態。
有鑑於前述問題,本發明之目的在於提供一種可減少一三相馬達之切換雜訊並提高切換相位之一成功率之馬達控制器。
依據本發明提供該馬達控制器。該馬達控制器係用以驅動該三相馬達。該馬達控制器具有一開關電路、一驅動電路、以及一脈寬調變電路。該開關電路耦合至該三相馬達,其中該開關電路包含一第一電晶體、一第二電晶體、一第三電晶體、一第四電晶體、一第五電晶體、一第六電晶體、一第一端點、一第二端點、以及一第三端點。該第一電晶體與該第二電晶體耦合至該第一端點。該第三電晶體與該第四電晶體耦合至該第二端點。該第五電晶體與該第六電晶體耦合至該第三端點。該驅動電路用以產生複數個控制信號以控制該開關電路。該脈寬調變電路用以產生一脈寬調變信號至該驅動電路,其中該脈寬調變信號具有一工作週期。當該馬達控制器開啟一浮接相以偵測一換相點時,該馬達控制器使得該第一電晶體為部分導通。該馬達控制器使得該第二電晶體為部分導通。該馬達控制器使得該第三電晶體為不導通或部分導通。該馬達控制器使得該第四電晶體為部分導通或完全導通。該馬達控制器使得該第五電晶體與該第六電晶體為不導通。該馬達控制器調變該第一電晶體之一導通電阻與該第二電晶體之一導通電阻。該馬達控制器不需開啟一導通時間偵測模式或一關斷時間偵測模式以偵測一反電動勢。該開關電路更包含一第四端點與一第五端點。該第一電晶體、該第三電晶體、以及該第五電晶體耦合至該第四端點。該第二電晶體、該第四電晶體、以及該第六電晶體耦合至該第五端點。該馬達控制器於一浮接相時間區間內藉由比較該第三端點之一電壓與一第六端點之一電壓以偵測一反電動勢之一零點。
根據本發明之一實施例,當該馬達控制器開啟一浮接相以偵測一換相點時,該馬達控制器可使得該開關電路內至少一電晶體操作於一線性區。
根據本發明之一實施例,當該馬達控制器開啟一浮接相以偵測一換相點時,該馬達控制器可使得該開關電路之一輸出端之電壓大於一地面電壓且使得該輸出端之電壓小於一輸入電壓。該輸入電壓可為一電源電壓。
根據本發明之一實施例,當該馬達控制器開啟一浮接相以偵測一換相點時,該馬達控制器可操作於一鎖電壓模式或一鎖電流模式。當該馬達控制器操作於該鎖電壓模式時,該馬達控制器可使得該開關電路之一輸出端之電壓鎖定於一特定電壓值。該特定電壓值係相關於該工作週期。該工作週期越大時,該特定電壓值越大。當該馬達控制器操作於該鎖電流模式時,該馬達控制器可使得流經該開關電路之一輸出端之電流鎖定於一特定電流值。該特定電流值係相關於該工作週期。該工作週期越大時,該特定電流值越大。
10:馬達控制器
100:開關電路
110:驅動電路
120:脈寬調變電路
Vp:脈寬調變信號
101:第一電晶體
102:第二電晶體
103:第三電晶體
104:第四電晶體
105:第五電晶體
106:第六電晶體
V:第一端點
U:第二端點
W:第三端點
VCC:第四端點
GND:第五端點
COM:第六端點
C1:第一控制信號
C2:第二控制信號
C3:第三控制信號
C4:第四控制信號
C5:第五控制信號
C6:第六控制信號
L1:第一線圈
L2:第二線圈
L3:第三線圈
M:三相馬達
WO:第三電壓信號
ILW:流經第三線圈L3之電流
第1圖係本發明一實施例之馬達控制器之示意圖。
第2圖係本發明一實施例之一時序圖。
下文中之說明將使本發明之目的、特徵、與優點更明顯。茲將參考圖式詳細說明依據本發明之較佳實施例。
第1圖係本發明一實施例之馬達控制器10之示意圖。馬達控制器10係用以驅動一三相馬達M,其中三相馬達M具有一第一線圈L1、一第二線圈L2、以及一第三線圈L3。馬達控制器10具有一開關電路100、一驅動電路110、以及一脈 寬調變電路120。開關電路100具有一第一電晶體101、一第二電晶體102、一第三電晶體103、一第四電晶體104、一第五電晶體105、一第六電晶體106、一第一端點V、一第二端點U、一第三端點W、一第四端點VCC、以及一第五端點GND,其中開關電路100耦合至三相馬達M以驅動三相馬達M。第一端點V具有一第一電壓信號VO。第二端點U具有一第二電壓信號UO。第三端點W具有一第三電壓信號WO。第一電晶體101耦合至第四端點VCC與第一端點V而第二電晶體102耦合至第一端點V與第五端點GND。第三電晶體103耦合至第四端點VCC與第二端點U而第四電晶體104耦合至第二端點U與第五端點GND。第五電晶體105耦合至第四端點VCC與第三端點W而第六電晶體106耦合至第三端點W與第五端點GND。第一電晶體101、第三電晶體103、以及第五電晶體105可分別為一P型金氧半電晶體。第二電晶體102、第四電晶體104、以及第六電晶體106可分別為一N型金氧半電晶體。此外,第四端點VCC具有一輸入電壓,其中輸入電壓可為一電源電壓。第五端點GND具有一地面電壓。系統可經由第四端點VCC提供輸入電壓至馬達控制器10,使得馬達控制器10能正常地運作。舉例來說,輸入電壓可為12伏特而地面電壓可為0伏特。因此,馬達控制器10可應用於一高壓組態。
第一線圈L1耦合至第一端點V與一第六端點COM。第二線圈L2耦合至第二端點U與第六端點COM。第三線圈L3耦合至第三端點W與第六端點COM。也就是說,第一線圈L1、第二線圈L2、以及第三線圈L3係以一Y字型之方式配置。驅動電路110產生一第一控制信號C1、一第二控制信號C2、一第三控制信號C3、一第四控制信號C4、一第五控制信號C5、以及一第六控制信號C6,用以分別控制第一電晶體101、第二電晶體102、第三電晶體103、第四電晶體104、第五電晶體105、以及第六電晶體106之導通情形。脈寬調變電路120產生一脈寬調變信號Vp至驅動電路110,其中脈寬調變信號Vp具有一工作週期(Duty Cycle)。馬達控制器10可藉由調整工作週期以控制三相馬達M之轉速。
第2圖係本發明一實施例之一時序圖,其中電流ILW係指流經第三線圈L3之電流。請同時參照第1圖與第2圖。根據本發明之一實施例,當馬達控制器10開啟一浮接相以偵測一換相點時,馬達控制器10可使得開關電路100內至少一電晶體操作於一線性區,其中浮接相形成於第三線圈L3。此時馬達控制器10使得第五電晶體105與第六電晶體106為不導通以形成浮接相。為了避免產生切換雜訊,當馬達控制器10開啟浮接相以偵測換相點時,馬達控制器10可使得第一端點V之電壓大於地面電壓且使得第一端點V之電壓小於輸入電壓。具體而言,當馬達控制器10開啟浮接相以偵測換相點時,馬達控制器10可根據脈寬調變信號Vp之工作週期使得第一端點V之電壓鎖定於一特定電壓值或使得流經第一端點V之電流鎖定於一特定電流值。特定電壓值可相關於工作週期且特定電流值可相關於工作週期。舉例來說,當工作週期為50%、輸入電壓為12伏特、以及地面電壓為0伏特時,馬達控制器10可使得第一端點V之電壓鎖定於6伏特。也就是說,當馬達控制器10採用一鎖電壓模式時,工作週期越大,特定電壓值可越大。同樣地,當馬達控制器10採用一鎖電流模式時,工作週期越大,特定電流值可越大。因此,當馬達控制器10開啟浮接相以偵測換相點時,馬達控制器10可藉由鎖電壓模式或鎖電流模式以減少三相馬達M之切換雜訊並提高切換相位之成功率。此外,當馬達控制器10開啟浮接相以偵測換相點時,馬達控制器10可不需開啟一導通時間偵測模式或一關斷時間偵測模式以偵測一反電動勢,因而馬達控制器10可應用於一高頻組態。當馬達控制器10開啟浮接相以偵測換相點時,馬達控制器10可藉由以下實施方法以避免產生切換雜訊且增加偵測準確性:
一、當馬達控制器10使得第五電晶體105與第六電晶體106為不導通以形成浮接相時,此時浮接相形成於第三線圈L3。當馬達控制器10使得浮接相形成於第三線圈L3時,馬達控制器10可使得第一電晶體101與第二電晶體102皆為部分導通。也就是說,第一電晶體101與第二電晶體102皆操作於線性區。此時馬達 控制器10可使得第三電晶體103為不導通且第四電晶體104為部分導通或完全導通。馬達控制器10可藉由調變第一電晶體101之導通電阻與第二電晶體102之導通電阻,使得馬達控制器10進入鎖電壓模式或鎖電流模式以避免產生切換雜訊。如第2圖所示,馬達控制器10可於浮接相時間區間內藉由比較第三端點W之電壓與第六端點COM之電壓以偵測反電動勢之零點。因此,當馬達控制器10開啟浮接相以偵測換相點時,馬達控制器10可不需開啟導通時間偵測模式或關斷時間偵測模式以偵測反電動勢。
二、當馬達控制器10使得第五電晶體105與第六電晶體106為不導通以形成浮接相時,此時浮接相形成於第三線圈L3。當馬達控制器10使得浮接相形成於第三線圈L3時,馬達控制器10可使得第一電晶體101與第二電晶體102皆為部分導通。也就是說,第一電晶體101與第二電晶體102皆操作於線性區。此時馬達控制器10可使得第三電晶體103為部分導通且第四電晶體104為部分導通或完全導通。馬達控制器10可藉由調變第一電晶體101之導通電阻與第二電晶體102之導通電阻,使得馬達控制器10進入鎖電壓模式或鎖電流模式以避免產生切換雜訊。如第2圖所示,馬達控制器10可於浮接相時間區間內藉由比較第三端點W之電壓與第六端點COM之電壓以偵測反電動勢之零點。因此,當馬達控制器10開啟浮接相以偵測換相點時,馬達控制器10可不需開啟導通時間偵測模式或關斷時間偵測模式以偵測反電動勢。
三、當馬達控制器10使得第五電晶體105與第六電晶體106為不導通以形成浮接相時,此時浮接相形成於第三線圈L3。假使馬達控制器10以全速(Full Speed)運轉時,馬達控制器10可使得第一電晶體101為完全導通且使得第二電晶體102為不導通。也就是說,第一電晶體101係操作於一飽和區。此時馬達控制器10可使得第三電晶體103為不導通且第四電晶體104為部分導通。如第2圖所示,馬達控制器10可於浮接相時間區間內藉由比較第三端點W之電壓與第六端點 COM之電壓以偵測反電動勢之零點。因此,當馬達控制器10開啟浮接相以偵測換相點時,馬達控制器10可不需開啟導通時間偵測模式或關斷時間偵測模式以偵測反電動勢。
根據本發明之一實施例,馬達控制器10可應用於一直流無刷馬達系統。此外,馬達控制器10可應用於高壓組態及高頻組態。當馬達控制器10開啟浮接相以偵測換相點時,馬達控制器10可操作於鎖電壓模式或鎖電流模式,使得開關電路100之一輸出端之電壓大於地面電壓且使得該輸出端之電壓小於輸入電壓。根據上述之揭露技術,馬達控制器10可減少三相馬達M之切換雜訊並提高切換相位之成功率。
雖然本發明業已藉由較佳實施例作為例示加以說明,應瞭解者為:本發明不限於此被揭露的實施例。相反地,本發明意欲涵蓋對於熟習此項技藝之人士而言係明顯的各種修改與相似配置。因此,申請專利範圍應根據最廣的詮釋,以包含所有此類修改與相似配置。
以上所述僅為本發明之較佳實施例,凡依本發明申請專利範圍所做之均等變化與修飾,皆應屬本發明之涵蓋範圍。
10:馬達控制器
100:開關電路
110:驅動電路
120:脈寬調變電路
Vp:脈寬調變信號
101:第一電晶體
102:第二電晶體
103:第三電晶體
104:第四電晶體
105:第五電晶體
106:第六電晶體
V:第一端點
U:第二端點
W:第三端點
VCC:第四端點
GND:第五端點
COM:第六端點
C1:第一控制信號
C2:第二控制信號
C3:第三控制信號
C4:第四控制信號
C5:第五控制信號
C6:第六控制信號
L1:第一線圈
L2:第二線圈
L3:第三線圈
M:三相馬達
ILW:流經第三線圈L3之電流

Claims (40)

  1. 一種馬達控制器,該馬達控制器用以驅動一三相馬達,該馬達控制器包含:一開關電路,耦合至該三相馬達,其中該開關電路包含一第一電晶體、一第二電晶體、一第三電晶體、一第四電晶體、一第五電晶體、一第六電晶體、一第一端點、一第二端點、以及一第三端點,該第一電晶體與該第二電晶體耦合至該第一端點,該第三電晶體與該第四電晶體耦合至該第二端點,該第五電晶體與該第六電晶體耦合至該第三端點;一驅動電路,用以產生複數個控制信號以控制該開關電路;以及一脈寬調變電路,用以產生一脈寬調變信號至該驅動電路,其中該脈寬調變信號具有一工作週期,當該馬達控制器開啟一浮接相以偵測一換相點時,該馬達控制器使得該第一電晶體為部分導通。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之馬達控制器,其中該馬達控制器使得該第二電晶體為部分導通。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之馬達控制器,其中該馬達控制器使得該第三電晶體為不導通。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之馬達控制器,其中該馬達控制器使得該第三電晶體為部分導通。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之馬達控制器,其中該馬達控制器使得該第四電晶體為部分導通。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之馬達控制器,其中該馬達控制器使得該第四電晶體為完全導通。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之馬達控制器,其中該馬達控制器使得該第五電晶體與該第六電晶體為不導通。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之馬達控制器,其中該馬達控制器調變該第一電晶體之一導通電阻與該第二電晶體之一導通電阻。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之馬達控制器,其中該馬達控制器不需開啟一導通時間偵測模式或一關斷時間偵測模式以偵測一反電動勢。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之馬達控制器,其中該馬達控制器係應用於一直流無刷馬達系統。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之馬達控制器,其中該馬達控制器係應用於一高壓組態。
  12. 如申請專利範圍第1項所述之馬達控制器,其中該馬達控制器係應用於一高頻組態。
  13. 如申請專利範圍第1項所述之馬達控制器,其中該馬達控制器用以減少該三相馬達之切換雜訊。
  14. 如申請專利範圍第1項所述之馬達控制器,其中該馬達控制器用以提高切換相位之一成功率。
  15. 如申請專利範圍第1項所述之馬達控制器,其中該開關電路更包含一第四端點與一第五端點,該第一電晶體、該第三電晶體、以及該第五電晶體耦合至該第四端點,該第二電晶體、該第四電晶體、以及該第六電晶體耦合至該第五端點,該馬達控制器於一浮接相時間區間內藉由比較該第三端點之一電壓與一第六端點之一電壓以偵測一反電動勢之一零點。
  16. 一種馬達控制器,該馬達控制器用以驅動一三相馬達,該馬達控制器包含:一開關電路,耦合至該三相馬達以驅動該三相馬達;一驅動電路,用以產生複數個控制信號以控制該開關電路;以及一脈寬調變電路,用以產生一脈寬調變信號至該驅動電路,其中該脈寬調變信號具有一工作週期,當該馬達控制器開啟一浮接相以偵測一換相點時,該馬達控制器使得該開關電路內至少一電晶體操作於一線性區。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之馬達控制器,其中該馬達控制器係應用於一高壓組態。
  18. 如申請專利範圍第16項所述之馬達控制器,其中該馬達控制器係應用於一高頻組態。
  19. 如申請專利範圍第16項所述之馬達控制器,其中該馬達控制器用以減少該三相馬達之切換雜訊。
  20. 如申請專利範圍第16項所述之馬達控制器,其中該馬達控制器用以提高切換相位之一成功率。
  21. 如申請專利範圍第16項所述之馬達控制器,其中該馬達控制器不需開啟一導通時間偵測模式或一關斷時間偵測模式以偵測一反電動勢。
  22. 一種馬達控制器,該馬達控制器用以驅動一三相馬達,該馬達控制器包含:一開關電路,耦合至該三相馬達以驅動該三相馬達;一驅動電路,用以產生複數個控制信號以控制該開關電路;以及一脈寬調變電路,用以產生一脈寬調變信號至該驅動電路,其中該脈寬調變信號具有一工作週期,當該馬達控制器開啟一浮接相以偵測一換相點時,該馬達控制器使得該開關電路之一輸出端之電壓大於一地面電壓且使得該輸出端之電壓小於一輸入電壓。
  23. 如申請專利範圍第22項所述之馬達控制器,其中該輸入電壓為一電源電壓。
  24. 如申請專利範圍第22項所述之馬達控制器,其中該馬達控制器使得該開關電路內至少一電晶體操作於一線性區。
  25. 如申請專利範圍第22項所述之馬達控制器,其中該馬達控制器係應用於一高壓組態。
  26. 如申請專利範圍第22項所述之馬達控制器,其中該馬達控制器係應用於一高頻組態。
  27. 如申請專利範圍第22項所述之馬達控制器,其中該馬達控制器用以減少該三相馬達之切換雜訊。
  28. 如申請專利範圍第22項所述之馬達控制器,其中該馬達控制器用以提高切換相位之一成功率。
  29. 如申請專利範圍第22項所述之馬達控制器,其中該馬達控制器不需開啟一導通時間偵測模式或一關斷時間偵測模式以偵測一反電動勢。
  30. 一種馬達控制器,該馬達控制器用以驅動一三相馬達,該馬達控制器包含:一開關電路,耦合至該三相馬達以驅動該三相馬達;一驅動電路,用以產生複數個控制信號以控制該開關電路;以及一脈寬調變電路,用以產生一脈寬調變信號至該驅動電路,其中該脈寬調變信號具有一工作週期,當該馬達控制器開啟一浮接相以偵測一換相點時,該馬達控制器操作於一鎖電壓模式或一鎖電流模式,該馬達控制器使得該開關電路內至少一電晶體為部分導通。
  31. 如申請專利範圍第30項所述之馬達控制器,其中當該馬達控制器操作於該鎖電壓模式時,該馬達控制器使得該開關電路之一輸出端之電壓鎖定於一特定電壓值,該特定電壓值係相關於該工作週期。
  32. 如申請專利範圍第31項所述之馬達控制器,其中該工作週期越大時,該特定電壓值越大。
  33. 如申請專利範圍第30項所述之馬達控制器,其中當該馬達控制器操作於該鎖電流模式時,該馬達控制器使得流經該開關電路之一輸出端之電流鎖定於一特定電流值,該特定電流值係相關於該工作週期。
  34. 如申請專利範圍第33項所述之馬達控制器,其中該工作週期越大時,該特定電流值越大。
  35. 如申請專利範圍第30項所述之馬達控制器,其中該馬達控制器使得該開關電路內至少一電晶體操作於一線性區。
  36. 如申請專利範圍第30項所述之馬達控制器,其中該馬達控制器係應用於一高壓組態。
  37. 如申請專利範圍第30項所述之馬達控制器,其中該馬達控制器係應用於一高頻組態。
  38. 如申請專利範圍第30項所述之馬達控制器,其中該馬達控制器用 以減少該三相馬達之切換雜訊。
  39. 如申請專利範圍第30項所述之馬達控制器,其中該馬達控制器用以提高切換相位之一成功率。
  40. 如申請專利範圍第30項所述之馬達控制器,其中該馬達控制器不需開啟一導通時間偵測模式或一關斷時間偵測模式以偵測一反電動勢。
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