TWI815827B - 基板處理裝置 - Google Patents

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TWI815827B
TWI815827B TW107137698A TW107137698A TWI815827B TW I815827 B TWI815827 B TW I815827B TW 107137698 A TW107137698 A TW 107137698A TW 107137698 A TW107137698 A TW 107137698A TW I815827 B TWI815827 B TW I815827B
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金子翔太
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日商東京威力科創股份有限公司
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Abstract

提供一種對於基板處理中之氧濃度的管理有用之基板處理裝置。

基板處理裝置(1)，係具備有：載體區塊(3)，可設置收容有複數個晶圓(W)之載體(11)；液處理單元(U1)及熱處理單元(U2)，進行對晶圓(W)之處理；搬送臂(A2)，在載體(11)與液處理單元(U1)及熱處理單元(U2)之間搬送晶圓(W)；殼體(10)，收容液處理單元(U1)及熱處理單元(U2)及搬送臂(A2)；包體(20)，以高於殼體(10)之氣密性收容殼體(10)；第一壓力調節部(40)，調節殼體(10)內之氣壓；第二壓力調節部(50)，調節包體(20)內之氣壓；及控制部(100)，執行如下述者：以使包體(20)內之氣壓保持比包體(20)外之氣壓及殼體(10)內之氣壓低之狀態的方式，控制第一壓力調節部(40)及第二壓力調節部(50)。

Description

基板處理裝置
本揭示，係關於基板處理裝置。
在半導體之製造工程中，係有塗佈膜之氧化的疑慮。在專利文獻1，係揭示有例如一種基板之熱處理裝置，其在使用對氧敏感之材料的塗佈膜之硬化處理中，在被維持為低氧氣氛圍的處理室內，進行塗佈了該材料之基板的加熱及降溫。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1] 日本特開2002-93799號公報
[本發明所欲解決之課題]
在上述之熱處理裝置這樣的基板處理裝置中，存在使用對氧更敏感之材料作為塗佈膜的情形。在像這樣的情況下，被要求更適切地管理基板處理中之氧濃度。
本揭示，係以提供一種對於基板處理中之氧濃度的管理有用之基板處理裝置為目的。 [用以解決課題之手段]
本揭示之一態樣之基板處理裝置，係具備有：載體支撐部，可設置收容有複數個基板之載體；處理單元，進行對基板之處理；搬送臂，在載體與處理單元之間搬送基板；殼體，收容處理單元及搬送臂；包體，以高於殼體之氣密性收容殼體；第一壓力調節部，調節殼體內之氣壓；第二壓力調節部，調節包體內之氣壓；及控制部，以使包體內之氣壓保持低於包體外之氣壓及殼體內之氣壓的任一者之狀態的方式，控制第一壓力調節部及第二壓力調節部。
根據該基板處理裝置，以氣密性高於殼體之包體收容殼體，並將包體內之氣壓保持為低於包體外之氣壓及殼體內之氣壓的狀態，藉此，可抑制從殼體內漏出至殼體外之氣體向包體外漏出的情形。因此，可將搬送區域、處理單元內等､殼體內的各部中之氧濃度調節成所期望的狀態。因此，本基板處理裝置，係對於基板處理中之氧濃度的管理有用。
亦可更具備有：第一空調部，調節包體內之氧濃度，控制部，係亦可進一步執行如下述者：以將包體內之氧濃度維持低於包體外之氧濃度的方式，控制第一空調部。在該情況下，將收容殼體之包體內的氧濃度進行調節，藉此，可有效率地調節殼體內的各部中之氧濃度。
第一空調部，係亦可具有：氣體供給部，將氣體供給至包體內；濃度調節部，調整從氣體供給部被傳送至包體內之氣體的氧濃度；及回流部，使氣體從包體內回流至氣體供給部，控制部，係亦可執行如下述者：在將包體內之氧濃度維持低於包體外的氧濃度之際，以使從氣體供給部被傳送至包體內之氣體的氧濃度比包體外之氧濃度更低的方式，控制濃度調節部。在該情況下，由於從氣體供給部被傳送至包體內之氣體的氧濃度得到調整，因此，可更確實地維持包體內之氧濃度。又，由於藉由回流部使包體內之氣體回流至氣體供給部，因此，氧濃度經調節之氣體可被循環利用並效率良好地維持氧濃度。
第一壓力調節部，係亦可具有：送風部，將氣體從包體內傳送至殼體內，第二壓力調節部，係亦可具有：第一排氣部，將包體內之氣體的一部分導引至排氣路徑。在該情況下，能以簡單的構成來調節氣壓。
該基板處理裝置，係亦可更具備有：第一門，用於進出包體內；第一鎖固，對容許第一門之開放的狀態與禁止第一門之開放的狀態進行切換；及第一氧濃度感測器，計測包體內之氧濃度，控制部，係亦可進一步執行如下述者：以使從氣體供給部被傳送至包體內之氣體的氧濃度比包體內之氧濃度更高的方式，控制濃度調節部；及在第一氧濃度感測器所致之氧濃度的計測結果低於預定值的情況下，以禁止第一門之開放的方式，控制第一鎖固。在該情況下，由於直至包體內之氧濃度被調節成預定值以上之前，係藉由第一鎖固禁止第一門的開放，因此，例如可在作業員進入包體內之前，使包體內的氧濃度確實地上升。
而且，該基板處理裝置，係亦可更具備有：第二氧濃度感測器，計測殼體內可向外部開放之空間的氧濃度，控制部，係即便在第二氧濃度感測器所致之氧濃度的計測結果低於預定值的情況下，亦可以禁止第一門之開放的方式，控制第一鎖固。在該情況下，在作業員開放殼體中可向外部開放的空間之際，可使氧濃度確實地上升。
又，該基板處理裝置，係亦可更具備有：第三氧濃度感測器，計測回流部內的氧濃度，控制部，係即便在第三氧濃度感測器所致之氧濃度的檢測結果低於預定值的情況下，亦可以禁止第一門之開放的方式，控制第一鎖固。在該情況下，由於直至回流部內之氧濃度成為預定值以上之前，係藉由第一鎖固禁止第一門的開放，因此，可使包體內的氧濃度更確實地上升。
亦可更具備有：第四氧濃度感測器，計測氣體供給部內的氧濃度，控制部，係即便在第四氧濃度感測器所致之氧濃度的檢測結果低於預定值的情況下，亦可以禁止第一門之開放的方式，控制第一鎖固。在該情況下，由於直至氣體供給部內之氧濃度成為預定值以上之前，係藉由第一鎖固禁止第一門的開放，因此，可使包體內的氧濃度更確實地上升。
而且，該基板處理裝置，係亦可更具備有：揮發物濃度感測器，用以計測從處理單元內流出至包體內之揮發物的濃度，控制部，係即便在揮發物濃度感測器所致之計測結果高於預定值的情況下，亦可以禁止第一門之開放的方式，控制第一鎖固。在該情況下，由於直至包體內之揮發物濃度成為預定值以下之前，係藉由第一鎖固禁止第一門的開放，因此，可在作業員進入包體內之前，確實地削減包體內的揮發物。
揮發物濃度感測器，係亦可被設置於第一排氣部。藉由該構成，可利用第一排氣部，輕易地檢測揮發物濃度。
氣體供給部，係亦可含有：第一氣體管路，將氣體導引至包體內；及第二氣體管路，將氣體導引至處理單元內。在該情況下，由於一面以第一氣體管路將氣體導引至包體內，一面以作為其他路徑之第二氣體管路將氣體導引至處理單元內，因此，可更嚴格地調節處理單元內的氧濃度。
亦可更具備有：第二排氣部，將處理單元內之氣體導引至排氣路徑。在該情況下，由於對揮發物濃度高之處理單元內的氣體進行排氣，因此，可抑制揮發物濃度變得過大之情形。
第二排氣部，係亦可具有：第三氣體管路，將氣體導引至殼體之側方。根據該構成，容易在包體內彙整來自處理單元內之排氣用的管路。
該基板處理裝置，係亦可更具備有：載體收容部，收容載體；第二門，使載體收容部內向包體外開關；第三門，使載體收容部內向包體內開關；收授部，在載體收容部內與載體支撐部之間進行載體的收授；及第二空調部，調節載體收容部內的氧濃度，控制部，係亦可進一步執行如下述者：在第二門的開放之前，以使載體收容部內之氧濃度接近包體外之氧濃度的方式，控制第二空調部；及在第三門的開放之前，以使載體收容部內之氧濃度接近包體內之氧濃度的方式，控制第二空調部。在該情況下，在開放第二門且搬出及搬入載體之際，可抑制氧濃度低之氣體從載體收容部內朝包體外的漏出。在開放第三門且搬送載體之際，可抑制氧濃度高之氣體從載體收容部內朝包體內的漏出。
該基板處理裝置，係亦可更具備有：第二鎖固，對容許第二門之開放的狀態與禁止第二門之開放的狀態進行切換；第三鎖固，對容許第三門之開放的狀態與禁止第三門之開放的狀態進行切換；及第五氧濃度感測器，計測載體收容部內之氧濃度，控制部，係亦可進一步執行如下述者：在第五氧濃度感測器所致之計測結果低於預定值的情況下，以禁止第二門之開放的方式，控制第二鎖固；及在第五氧濃度感測器所致之測定結果高於預定值的情況下，以禁止第三門之開放的方式，控制第三鎖固。在該情況下，由於直至載體收容部內的氧濃度被適切調節之前，係禁止第二門及第三門的開放，因此，可在第二門及第三門的開放之前，更確實地調節載體收容部內的氧濃度。 [發明之效果]
根據本揭示，可提供一種對於基板處理中之氧濃度的管理有用的基板處理裝置。
以下，參照圖面，詳細地說明關於實施形態。在說明中，對同一要素或具有同一功能的要素標記同一符號，並省略重複的說明。
[基板處理裝置] 基板處理裝置1，係進行對於基板之處理的裝置。基板處理裝置1，係例如在常壓的環境下，進行對於基板之處理。另外，常壓，係指以標準大氣壓101325Pa為中心上下20%之壓力的範圍。處理對象之基板，係例如半導體之晶圓W。在以下中，係作為一例，說明關於對晶圓W形成感光性被膜之基板處理裝置1。
如圖1及圖2所示般，基板處理裝置1，係具備有：感光性被膜之形成用的塗佈裝置2；包體20；第一空調部30；第一壓力調節部40；第二壓力調節部50；排氣部51；複數個負載鎖室60；收授部67；複數個第二空調部70；及控制部100。塗佈裝置2，係具有：載體區塊3(載體支撐部)；處理區塊4；及殼體10。
載體區塊3，係可設置晶圓W用之載體11。載體11，係例如以密封狀態收容圓形之複數片晶圓W。載體區塊3，係內建有收授臂A1。收授臂A1，係從載體11取出晶圓W而傳遞至處理區塊4，並從處理區塊4接收晶圓W而返回到載體11內。
處理區塊4，係具有：複數個液處理單元U1(處理單元)及複數個熱處理單元U2(處理單元)，進行對於晶圓W之處理；及搬送臂A2，將晶圓W搬送至該些單元。液處理單元U1，係進行將處理液塗佈於晶圓W之表面的處理(以下，稱為「塗佈處理」。)。液處理單元U1，係具有：罩杯C，收容塗佈處理中之晶圓W且回收處理液。熱處理單元U2，係進行藉由上述塗佈處理所形成之被膜之加熱等的熱處理。熱處理單元U2，係具有：腔室，收容被膜之加熱中的晶圓W。在處理區塊4內之載體區塊3側，係設置有棚架單元U10。棚架單元U10，係被區劃成沿上下方向排列的複數個格室。
殼體10，係收容複數個液處理單元U1、複數個熱處理單元U2、棚架單元U10、收授臂A1及搬送臂A2。殼體10，係亦可不必被構成為一體，例如亦可按每個處理區塊分離。
包體20，係以高於殼體10之氣密性收容殼體10。包體20，係含有：門21(第一門)；鎖固(第一鎖固)22；及操作面板23。門21，係用於作業員從包體20外進出包體20內等。鎖固22，係對容許門21之開放的狀態(以下，稱為「解除狀態」。)與禁止門21之開放的狀態(以下，稱為「鎖固狀態」。)進行切換。操作面板23，係在包體20之外部空間側，被配置於門21的附近。操作面板23，係具有輸入部23a(參閱圖4(a))。操作面板23，係用於藉由對輸入部23a之輸入來要求門21的鎖固解除。
第一空調部30，係調節包體20內之氧濃度。第一空調部30，係具有：氣體供給部31；濃度調節部32；及回流部33。第一空調部30，係被構成為藉由氣體供給部31、濃度調節部32及回流部33，使包體20內之氣體循環。循環之氣體，係例如含有惰性氣體(例如氮)及空氣。
氣體供給部31，係含有：送風機31a，將氣體壓送至包體20內；管路L1，L2；及過濾器31b，31c。送風機31a，係具有：溫調單元31d，調節壓送之氣體的溫度。作為溫調單元31d之具體例，係可列舉出加熱器及冷卻線圈等。管路L1(第一氣體管路)，係將氣體從送風機31a導引至包體20內。管路L2(第二氣體管路)，係將氣體從送風機31a導引至各液處理單元U1內。例如管路L2，係將氣體導引至各液處理單元U1內之罩杯C。過濾器31b，係被設置於管路L1，去除流動於管路L1之氣體中的微粒等。過濾器31c，係被設置於管路L2，去除流動於管路L1之氣體中的微粒等。作為過濾器31b、31c之具體例，係可列舉出HEPA過濾器等。
回流部33，係使氣體從包體20內回流至氣體供給部31。例如回流部33，係含有：管路L5，L6；及過濾器單元33a，33b，33c，33d。管路L5，係將氣體從包體20內及熱處理單元U2導引至氣體供給部31。管路L6，係將氣體從液處理單元U1導引至氣體供給部31。
過濾器單元33a，33b，係被設置於管路L5。過濾器單元33a，係含有：冷卻部C1；及過濾器F1。冷卻部C1，係例如藉由冷卻線圈冷卻氣體。過濾器F1，係例如HEPA過濾器，去除氣體中的微粒等。過濾器單元33b，係被配置於過濾器單元33a與氣體供給部31之間，含有過濾器F2。過濾器F2，係例如藉由活性碳去除氣體中的有機物。
過濾器單元33c，33d，係被設置於管路L6。過濾器單元33c，係含有：冷卻部C3；及過濾器F3。冷卻部C3，係例如藉由冷卻線圈冷卻氣體。過濾器F3，係例如HEPA過濾器，去除氣體中的微粒等。過濾器單元33d，係被配置於過濾器單元33c與氣體供給部31之間，含有過濾器F4。過濾器F4，係例如藉由活性碳去除氣體中的有機物。
另外，亦可在過濾器單元33a，33b，33c，33d的任一者設置氣體壓送用之送風機f。例如，在圖示之構成中，係在過濾器單元33a，33b，33d設置有送風機f。
濃度調節部32，係對氣體供給部31供給之氣體的氧濃度進行調節。濃度調節部32，係例如含有：管路L3，L4；及閥32a，32b。管路L3，係將空氣從送風機31a導入至朝包體20內之氣體的流路內。例如，管路L1，係從過濾器單元33a，33b，33c，33d之任一者(例如過濾器單元33a)延伸，經由過濾器單元33a導入空氣。
閥32b，係被設置於管路L4，調節管路L4內之流路的開合度。管路L4，係從氣體供給部31將惰性氣體導入至朝包體20內之氣體的流路內。例如管路L4，係將氮氣之供給源N與送風機31a連接，並從供給源N將氮氣導入至送風機31a內。閥32b，係被設置於管路L4，調節管路L4內之流路的開合度。另外，調節流路之開合度，係亦含有遮斷流路的情形。
第一壓力調節部40，係調節殼體10內之氣壓。第一壓力調節部40，係具有送風部41，42。送風部41，係將氣體從包體20內傳送至殼體10內。送風部41，係例如內建有過濾器(未圖示)之風扇，將去除了微粒等之氣體傳送至殼體10內。送風部42，係將氣體從殼體10內傳送至包體20內。在藉由送風部41所傳送之氣體的量多於藉由送風部42所傳送之氣體的量之情況下，殼體10內之氣壓，係上升，在少於的情況下，殼體10內之氣壓，係下降。
第二壓力調節部50，係調節包體20內之氣壓。第二壓力調節部50，係具有送風部43及排氣部52(第一排氣部)。送風部43，係使氣體在包體20內循環。排氣部52，係含有：管路L9；及擋板52a。管路L9，係將氣體從包體20內導引至排氣用之動力設備X。擋板52a，係被設置於管路L9，調節管路L9內之流路的開合度。當擋板52a之開合度上升時，則來自包體20內之排氣量增加而包體20內之氣壓下降，當擋板52a之開合度下降時，則來自包體20內之排氣量下降而包體20內之氣壓上升。
排氣部51(第二排氣部)，係具有管路L7，L8。管路L7(第三氣體管路)，係將氣體從各液處理單元U1內之罩杯C導引至動力設備X。管路L8(第三氣體管路)，係將氣體從各熱處理單元U2內之腔室導引至動力設備X。管路L7，L8，係將氣體導引至殼體10之側方(參閱圖3)。
複數個(例如2個)負載鎖室60，係被設置於包體20的周壁與載體區塊3之間。負載鎖室60，係含有：收容部61(載體收容部)；門62，63；鎖固64(第二鎖固)；開關驅動部65；及操作面板66。收容部61，係收容載體11。門62(第二門)，係使負載鎖室60內向包體外開關。鎖固64，係例如電磁鎖固，對容許門62之開放的狀態(以下，稱為「解除狀態」。)與禁止門62之開放的狀態(以下，稱為「鎖固狀態」。)進行切換。
門63(第三門)，係使收容部61內向包體20內開關。開關驅動部65(第三鎖固)，係對容許門63之開放的狀態與禁止門63之開放的狀態進行切換。開關驅動部65，係含有門63之開關用的動力源(例如電動馬達)，且亦進行門63之開關驅動。
操作面板66，係在包體20之外部空間側，被配置於門62的附近。操作面板66，係具有輸入部66a及顯示部66b(參閱圖4(b))。輸入部66a，係用於輸入門62的鎖固要求、門62的鎖固解除要求及載體11從收容部61朝載體區塊3的搬送要求等。顯示部66b，係用於顯示收容部61內有無載體11。
收授部67，係在載體區塊3與各負載鎖室60之間，進行載體11的收授。例如，收授部67，係具有搬送機械臂A3。搬送機械臂A3，係從收容部61內取出載體11而搬送至載體區塊3，並從載體區塊3接收載體11而搬送至收容部61內。
複數個(例如2個)第二空調部70，係分別調節複數個負載鎖室60內之氧濃度。各第二空調部70，係含有：管路L11，L12，L13，L14；閥71，72，73；及泵P。管路L11，係將氣體從包體20外導引至收容部61內。管路L12，係將氣體從包體20內導引至收容部61內。管路L13，係將氣體從收容部61內導引至管路L5。管路L14，係將氣體從收容部61內導引至動力設備X。
閥71，係被設置於管路L11，調節管路L11內之流路的開合度。閥72，係被設置於管路L12，調節管路L12內之流路的開合度。閥73，係被設置於管路L14，調節管路L14內之流路的開合度。泵P，係被設置於管路L13，將氣體從收容部61內壓送至管路L5。當在關閉閥71，73並開啟閥72的狀態下驅動泵P時，包體20內之氣體會流入收容部61內。當在關閉閥72而泵P停止的狀態下開啟閥71，73時，包體20外之氣體會流入收容部61內。如此一來，使包體20內外之氣體選擇性地流入收容部61內，藉此，調節收容部61內的氧濃度。
基板處理裝置1，係更具備有：氧濃度感測器D1~D6；揮發物濃度感測器D7；壓力感測器D8，D9；載體感測器D10；及門開關感測器D11。
氧濃度感測器D1(第一氧濃度感測器)，係被設置於包體20內，計測包體20內的氧濃度。基板處理裝置1，係亦可在包體20內之複數個位置具備有氧濃度感測器D1。氧濃度感測器D2(第二氧濃度感測器)，係被設置於殼體10內可向外部開放之空間。例如氧濃度感測器D2，係被設置於收授臂A1及搬送臂A2所致之晶圓W的搬送區域內。氧濃度感測器D3(第三氧濃度感測器)，係被設置於回流部33內。例如，氧濃度感測器D3，係分別被設置於過濾器單元33a，33b，33c，33d的內部。基板處理裝置1，係亦可分別在過濾器單元33a，33b，33c，33d具備有複數個氧濃度感測器D3。氧濃度感測器D4(第四氧濃度感測器)，係被設置於氣體供給部31內。例如氧濃度感測器D4，係亦可被配置於送風機31a內。基板處理裝置1，係亦可在送風機31a內具備有複數個氧濃度感測器D4。氧濃度感測器D5，係被設置於液處理單元U1之罩杯C內。氧濃度感測器D6(第五氧濃度感測器)，係被設置於負載鎖室60之收容部61內。
揮發物濃度感測器D7，係計測從液處理單元U1或熱處理單元U2流出至包體20內之揮發物的濃度(以下，稱為「包體20內之揮發物濃度」。)。揮發物濃度感測器D7，係被設置於排氣部52。
壓力感測器D8，係被設置於殼體10內。計測殼體10內之壓力。壓力感測器D9，係被設置於包體20內，計測包體20內的壓力。
載體感測器D10，係被設置於負載鎖室60之收容部61內，檢測收容部61內有無載體11。門開關感測器D11，係檢測門21之開關狀態。門開關感測器D11，係在包體20內，被配置於門21的附近。門開關感測器D12，係檢測門62之開關狀態。門開關感測器D12，係在負載鎖室60之收容部61內，被配置於門62的附近。
控制部100，係以使包體20內之氣壓保持低於包體20外之氣壓及殼體10內之氣壓的任一者之狀態的方式，控制第一壓力調節部40及第二壓力調節部50。控制部100，係亦可進一步執行如下述者：以將包體20內之氧濃度維持低於包體20外之氧濃度的方式，控制第一空調部30。例如，控制部100，係在將包體20內之氧濃度維持低於包體20外的氧濃度之際，以使從氣體供給部31被傳送至包體20內之氣體的氧濃度比包體20外之氧濃度更低的方式，控制濃度調節部32。
又，控制部100，係亦可進一步執行如下述者：以使從氣體供給部31被傳送至包體20內之氣體的氧濃度比包體20內之氧濃度更高的方式，控制濃度調節部32；及在氧濃度感測器D1所致之氧濃度的計測結果低於預定值的情況下，以禁止門21之開放的方式，控制鎖固22。 控制部100，係即便在氧濃度感測器D2所致之氧濃度的計測結果低於預定值的情況下、在氧濃度感測器D3所致之氧濃度的檢測結果低於預定值的情況下、在氧濃度感測器D4所致之氧濃度的檢測結果低於預定值的情況下或在揮發物濃度感測器D7所致之計測結果高於預定值的情況下，亦可以禁止門21之開放的方式，控制鎖固22。
而且，控制部100，係亦可執行如下述者：在門62的開放之前，以使收容部61內之氧濃度接近包體20外之氧濃度的方式，控制第二空調部70；在門63的開放之前，以使負載鎖室60內之氧濃度接近包體20內之氧濃度的方式，控制第二空調部70；在氧濃度感測器D6所致之計測結果低於預定值的情況下，以禁止門62之開放的方式，控制鎖固64；及在氧濃度感測器D6所致之測定結果高於預定值的情況下，以禁止門63之開放的方式，控制開關驅動部65。
例如如圖5所示般，控制部100，係具有氣壓調節部101、第一氧濃度調節部102、第一鎖固控制部103、第二氧濃度調節部104、第二鎖固控制部105、搬送控制部106及第三鎖固控制部107作為功能上的構成(以下，稱「功能模組」。)。
氣壓調節部101，係從壓力感測器D8取得殼體10內之氣壓資料，在殼體10內之氣壓低於目標氣壓的情況下，係以使從包體20內傳送至殼體10內之氣體之量增加的方式，控制送風部41。另外，在殼體10內之氣壓低於目標氣壓的情況下，氣壓調節部101，係亦可以使從殼體10內傳送至包體20內之氣體之量下降的方式，控制送風部42。殼體10內之氣壓的目標氣壓，係例如高於包體20內之氣壓數Pa左右的值。
又，氣壓調節部101，係從壓力感測器D9取得殼體20內之氣壓資料，在包體20內之氣壓高於目標氣壓的情況下，係以使從包體20內被導引至動力設備X(排氣路徑)之氣體之量上升的方式，控制排氣部52。例如氣壓調節部101，係使擋板52a之開合度上升。包體20內之氣壓的目標氣壓，係低於包體20外之氣壓及殼體10內之氣壓的任一者之值。
第一氧濃度調節部102，係以將包體20內之氧濃度維持低於包體20外之氧濃度的方式，控制第一空調部30。第一氧濃度調節部102，係基於從氧濃度感測器D1取得之包體20內之氧濃度的計測結果，以使從氣體供給部31被傳送至包體20內之氣體的氧濃度比包體20外之氧濃度更低的方式，控制濃度調節部32。又，第一氧濃度調節部102，係基於從第一鎖固控制部103取得之資訊，以使從氣體供給部31被傳送至包體20內之氣體的氧濃度比包體20內之氧濃度更高的方式，控制濃度調節部32。
在降低從氣體供給部31被傳送至包體20內之氣體的氧濃度之情況下，第一氧濃度調節部102，係以使閥32a之開合度下降並使閥32b之開合度上升的方式，控制濃度調節部32。另一方面，在提高從氣體供給部31被傳送至包體20內之氣體的氧濃度之情況下，第一氧濃度調節部102，係以使閥32a之開合度上升並使閥32b之開合度下降的方式，控制濃度調節部32。
第一鎖固控制部103，係基於有無對輸入部23a之鎖固解除的要求與氧濃度感測器D1~D4所致之計測結果與揮發物濃度感測器D7所致之計測結果，控制鎖固22。具體而言，第一鎖固控制部103，係在鎖固解除之要求被輸入至輸入部23a後，在氧濃度感測器D1所致之氧濃度的計測結果低於預定值的情況下，以禁止門21之開放的方式，控制鎖固22。第一鎖固控制部103，係即便在氧濃度感測器D2~D4所致之氧濃度的計測結果低於預定值的情況下，亦可以禁止門21之開放的方式，控制鎖固22。而且，第一鎖固控制部103，係即便在從揮發物濃度感測器D7取得之計測結果高於預定值的情況下，亦可以禁止門21之開放的方式，控制鎖固22。
第一鎖固控制部103，係在氧濃度感測器D1~D4所致之氧濃度的計測結果為預定值以上之狀態被保持預定時間以上，並且揮發物濃度感測器D7所致之揮發物濃度的計測結果為預定值以下之狀態被保持預定時間以上的情況下，以容許門21之開放的方式，控制鎖固22。氧濃度之上述預定值，係被設定為接近空氣中之氧濃度的值(例如19.5%)。揮發物濃度之上述預定值，係藉由揮發物的種類等而適當地設定。揮發物濃度之上述預定值，係例如5ppm。上述預定時間，係考慮計測結果的偏差等而適當地設定。上述預定時間，係例如1分鐘。
第二氧濃度調節部104，係在門62的開放之前，以使收容部61內之氧濃度接近包體20外之氧濃度的方式，控制第二空調部70。具體而言，第二氧濃度調節部104，係基於有無對輸入部66a之鎖固解除的要求，控制第二空調部70。
又，第二氧濃度調節部104，係在門63的開放之前，以使收容部61內之氧濃度接近殼體10內之氧濃度的方式，控制第二空調部70。具體而言，第二氧濃度調節部104，係基於有無對輸入部66a之載體11的搬送(從收容部61朝載體區塊3之搬送)要求，控制第二空調部70。
第二鎖固控制部105，係基於有無對輸入部66a之鎖固解除的要求與氧濃度感測器D6所致之計測結果，控制鎖固64。具體而言，第二鎖固控制部105，係在鎖固解除之要求被輸入至輸入部66a後，在氧濃度感測器D6所致之計測結果低於預定值的情況下，以禁止門62之開放的方式，控制鎖固64。第二鎖固控制部105，係在氧濃度感測器D6所致之氧濃度的計測結果為預定值以上之狀態被保持預定時間以上的情況下，以禁止門62之開放的方式，控制鎖固64。氧濃度之上述預定值，係被設定為接近空氣中之氧濃度的值(例如19.5%)。上述預定時間，係考慮計測結果的偏差等而適當地設定。上述預定時間，係例如1分鐘。
搬送控制部106，係基於有無對輸入部66a之載體的搬送要求與載體感測器D10所致之檢測結果與載體區塊3中有無搬出對象的載體11，以在收容部61內與載體區塊3之間搬送載體11的方式，控制開關驅動部65及搬送機械臂A3。具體而言，搬送控制部106，係在載體11之搬送要求被輸入至輸入部66a的情況下，以將收容部61內之載體11搬送至載體區塊3的方式，控制搬送機械臂A3，並配合於此，以使門63開關的方式，控制開關驅動部65。又，搬送控制部106，係當在載體區塊3存在搬出對象之載體11的情況下，以將搬出對象之載體11從載體區塊3搬送至收容部61內的方式，控制搬送機械臂A3，並配合於此，以使門63開關的方式，控制開關驅動部65。此時，搬送控制部106，係藉由載體感測器D10，將未檢測到載體11之收容部61選擇作為載體11的搬送終點。
又，搬送控制部106，係基於從載體感測器D10取得之負載鎖室60內有無載體11的檢測結果，以顯示該檢測結果的方式，控制顯示部66b。例如，搬送控制部106，係在載體感測器D10檢測到收容部61內之載體11的情況下，使對應於該收容部61的顯示部66b點亮，在載體感測器D10未檢測到收容部61內之載體11的情況下，使對應於該收容部61的顯示部66b熄滅。
第三鎖固控制部107，係在氧濃度感測器D6所致之測定結果高於預定值的情況下，以禁止門63之開放的方式，經由搬送控制部106控制開關驅動部65。第三鎖固控制部107，係在氧濃度感測器D6所致之氧濃度的計測結果為預定值以下之狀態被保持預定時間以上的情況下，以容許門63之開放的方式，經由搬送控制部106控制開關驅動部65。氧濃度之上述預定值，係被設定為與包體20內之氧濃度的目標值相同。上述預定時間，係考慮計測結果的偏差等而適當地設定。上述預定時間，係例如1分鐘。
控制部100，係藉由一個或複數個控制用電腦所構成。例如，如圖6所示般，控制部100，係具有電路91。電路91，係具有一個或複數個處理器92、記憶體93、儲存器94、輸出入埠95及計時器96。輸出入埠95，係在閥32a，32b、送風部41、送風部42、排氣部52、鎖固22、閥71，72，73、泵P、鎖固64、開關驅動部65、搬送機械臂A3，氧濃度感測器D1~D4、揮發物濃度感測器D7、壓力感測器D8，D9、輸入部23a、氧濃度感測器D6、載體感測器D10、門開關感測器D11、輸入部66a及顯示部66b等之間進行電信號之輸出入。計時器96，係例如以計數固定週期之基準脈衝的方式，計測經過時間。
儲存器94，係例如具有硬碟等、可藉由電腦讀取之記錄媒體。記憶媒體，係記錄用以構成各功能模組之程式。記憶媒體，係亦可為非揮發性之半導體記憶體、磁碟及光碟等的可取出之媒體。記憶體93，係暫時記錄從儲存器94之記憶媒體載入的程式及處理器92所致之演算結果。處理器92，係藉由與記憶體93協作執行上述程式的方式，構成各功能模組。
此外，控制器100之硬體構成，係不一定被限定於藉由程式構成各功能模組者。例如，控制器100之各功能模組，係亦可藉由專用之邏輯電路或整合了此邏輯電路之ASIC(Application Specific Integrated Circuit)所構成。
[基板處理方法] 接著，說明基板處理裝置1執行之基板處理的內容作為基板處理方法之一例。該基板處理，係含有塗佈裝置2中之基板處理、附隨於該基板處理而執行之空調處理、載體朝包體20之搬入處理及載體11從包體20的搬出處理。以下，說明各處理之程序。
(基板處理程序) 塗佈裝置2，係以接下來之程序執行基板處理。首先，收授臂A1將載體11內之晶圓W搬送至棚架單元U10。其次，搬送臂A2將棚架單元U10之晶圓W搬送至液處理單元U1，液處理單元U1對該晶圓W施予塗佈處理。其次，搬送臂A2將晶圓W從液處理單元U1搬送至熱處理單元U2，熱處理單元U2對該晶圓W施予熱處理。其次，搬送臂A2將晶圓W從熱處理單元U2搬送至棚架單元U10，收授臂A1使該晶圓W從棚架單元U10返回到載體11內。藉由以上，完成對於一片晶圓W之塗佈處理及熱處理。
(空調處理) 圖7，係表示空調處理程序的流程圖。首先，控制器100，係執行步驟S01。在步驟S01中，係由第一氧濃度調節部102確認門21為鎖固狀態(門21被關閉，並藉由鎖固22禁止門21之開放的狀態)的情形。在門21並非鎖固狀態的情況下，第一氧濃度調節部102，係待機至門21成為鎖固狀態。
在門21成為鎖固狀態後，控制部100，係執行步驟S02。在步驟S02中，係第一氧濃度調節部102以開始將包體20內的氧濃度維持低於包體20外的氧濃度之循環處理的方式，控制第一空調部30(例如濃度調節部32)。具體而言，第一氧濃度調節部102，係以使閥32a之開合度下降(例如關閉閥32a)並使閥32b之開合度上升的方式，控制濃度調節部32，且以開始各送風機f所致之氣體之壓送的方式，控制第一空調部30。
接著，控制器100，係依序執行步驟S03，S04。在步驟S03中，氣壓調節部101從壓力感測器D8取得殼體10內的氣壓資料，並且從壓力感測器D9取得包體20內的氣壓資料。在步驟S04中，氣壓調節部101基於在步驟S03所取得之氣壓資料，判定包體20內的氣壓是否為目標氣壓以下。
在步驟S04中，在包體20內之氣壓被判定為非目標氣壓以下的情況下，控制部100，係執行步驟S05。在步驟S05中，氣壓調節部101以使擋板52a之開合度上升的方式，控制排氣部52。
其次，控制部100，係執行步驟S06。在步驟S04中，在包體20內之氣壓被判定為目標氣壓以下的情況下，控制部100，係執行步驟S06而不執行步驟S05。在步驟S06中，氣壓調節部101判定殼體10內之氣壓是否為目標氣壓以上。
在步驟S06中，在殼體10內之氣壓被判定為非目標氣壓以上的情況下，控制部100，係依序執行步驟S07，S08。在步驟S07中，氣壓調節部101以使從包體20內傳送至殼體10內之氣體之量增加的方式，控制送風部41。在步驟S08中，氣壓調節部101以使從殼體10內傳送至包體20內之氣體之量下降的方式，控制送風部42。另外，控制部100，係亦可更換步驟S07，S08的順序來執行，且亦可並行S07，S08的順序來執行。抑或，控制部100，係亦可僅執行步驟S07，S08中之任一方。
其次，控制部100，係依序執行步驟S09，S10。在步驟S06中，在殼體10內之氣壓被判定為目標氣壓以上的情況下，控制部100，係執行步驟S09，S10而不執行步驟S07，S08。在步驟S09中，第一氧濃度調節部102從氧濃度感測器D1取得包體20內之氧濃度的計測結果。在步驟S10中，第一氧濃度調節部102基於在步驟S09所取得之計測結果，判定包體20內的氧濃度是否低於預定值。
在步驟S10中，在包體20內之氧濃度被判定為高於預定值的情況下，控制部100，係執行步驟S11。在步驟S11中，第一氧濃度調節部102以使閥32b之開合度上升的方式，控制第一空調部30。另外，第一氧濃度調節部102，係亦可以使閥32a之開合度下降的方式，控制第一空調部30。
其次，控制部100，係執行步驟S12。在步驟S12中，第一氧濃度調節部102判定從輸入部23a是否存在門21之鎖固解除的要求。
在步驟S12中，在被判定為從輸入部23a不存在門21之鎖固解除的要求之情況下，控制部100，係使處理返回到步驟S02。以後，在步驟S12中，直至被判定為存在門21之鎖固解除的要求之前，控制部100，係繼續殼體10內及包體20內之壓力調節與包體20內之氧濃度的調節。
在步驟S12中，在被判定為從輸入部23a不存在門21之鎖固解除的要求之情況下，控制部100，係執行步驟S13。在步驟S13中，控制部100，係執行第一鎖固解除處理。第一鎖固解除處理之具體內容，係如後述。藉由以上，完成空調處理程序。
圖8，係表示第一鎖固解除處理程序的流程圖。如圖8所示般，控制器100，係首先執行步驟S101。在步驟S101中，第一氧濃度調節部102以開始使包體20內的氧濃度上升之處理的方式，控制濃度調節部32及排氣部52。例如第一氧濃度調節部102，係以使閥32a之開合度上升並使閥32b之開合度下降(例如關閉閥32b)的方式，控制濃度調節部32，且以使擋板52a之開合度上升的方式，控制排氣部52。
其次，控制部100，係依序執行步驟S102，S103。在步驟S102中，第一氧濃度調節部102從氧濃度感測器D1~D4取得包體20內之氧濃度的計測結果。在步驟S103中，第一氧濃度調節部102基於在步驟S102所取得之計測結果，判定氧濃度感測器D1~D4之計測結果中是否存在預定值以下的值。
在步驟S103中，在被判定為氧濃度感測器D1~D4之計測結果中存在預定值以下的值之情況下，控制部100，係使處理返回到步驟S102。以後，直至氧濃度感測器D1~D4之計測結果中變得不存在預定值以下的值之前，重複確認氧濃度感測器D1~D4的計測結果。
在步驟S103中，在被判定為氧濃度感測器D1~D4之計測結果中不存在預定值以下的值之情況下，控制部100，係依序執行步驟S104，S105。在步驟S104中，第一氧濃度調節部102從揮發物濃度感測器D7取得包體20內之揮發物濃度的計測結果。在步驟S105中，第一氧濃度調節部102判定揮發物濃度感測器D7之計測結果是否為預定值以下。
在步驟S105中，在揮發物濃度感測器D7之計測結果被判定為高於預定值的情況下，控制部100，係使處理返回到步驟S104。以後，直至揮發物濃度感測器D7的計測結果成為預定值以下之前，重複確認揮發物濃度感測器D7的計測結果。
在步驟S105中，在揮發物濃度感測器D7之計測結果被判定為預定值以下的情況下，控制部100，係執行步驟S106。在步驟S106中，第一鎖固控制部103以容許門21之開放的方式，控制鎖固22。藉由以上，可完成第一鎖固解除處理，並開放門21。藉此，作業員等可進入包體20內而進行維護工作。
(載體之搬入處理程序) 圖9及圖10，係表示載體搬入處理程序的流程圖。首先，控制器100，係執行步驟S21。在步驟S21中，第二鎖固控制部105待機至門62之鎖固解除的要求被輸入於輸入部66a。
在步驟S21中，在從輸入部66a存在了門62之鎖固解除的要求後，控制部100，係依序執行步驟S22，S23。在步驟S22中，第二氧濃度調節部104以開始使負載鎖室60內的氧濃度接近包體20外的氧濃度之處理的方式，控制第二空調部70。第二氧濃度調節部104，係以使閥71之開合度上升並使閥72之開合度下降(例如關閉閥72)且使閥73之開合度上升的方式，控制第二空調部70。在步驟S23中，第二鎖固控制部105判定從氧濃度感測器D6取得之負載鎖室60內之氧濃度的計測結果是否為預定值以上。
在步驟S23中，在氧濃度感測器D6之計測結果被判定為低於預定值的情況下，控制部100，係使處理返回到步驟S22。以後，直至氧濃度感測器D6的計測結果成為預定值以上之前，重複確認氧濃度感測器D6的計測結果。
在步驟S23中，在氧濃度感測器D6之計測結果被判定為預定值以上的情況下，控制部100，係執行步驟S24。在步驟S24中，第二氧濃度調節部104以停止使負載鎖室60內的氧濃度上升之處理的方式，控制第二空調部70。例如，第二氧濃度調節部104，係以關閉閥71、閥72及閥73的方式，控制第二空調部70。
其次，控制部100，係執行步驟S25。在步驟S25中，第二鎖固控制部105以將鎖固狀態(門62被關閉，並藉由鎖固64禁止門62之開放的狀態)切換成解除狀態(門62被關閉，並未藉由鎖固64禁止門62之開放的狀態)並容許門62之開放的方式，控制鎖固64。
其次，控制部100，係執行步驟S26。在步驟S26中，搬送控制部106待機至載體11搬入收容部61內。具體而言，搬送控制部106，係待機至收容部61內之載體感測器D10檢測到載體11。
當收容部61內之載體感測器D10檢測到載體11時，控制部100，係執行步驟S27。在步驟S27中，搬送控制部106以顯示負載鎖室60內存在載體11之要旨的方式，控制顯示部65b。
如圖10所示般，控制器100，係接著執行步驟S28。在步驟S28中，搬送控制部106待機至載體11之搬送的要求被輸入於輸入部65a。
當載體11之搬送的要求被輸入時，控制部100，係依序執行步驟S29，S30。在步驟S29中，第二鎖固控制部105確認門62被關閉。具體而言，第二鎖固控制部105，係確認門開關感測器D11檢測到門62被關閉。在門62未被關閉的情況下，第二鎖固控制部105，係待機至門62被關閉。
其次，控制部100，係執行步驟S30。在步驟S30中，第二鎖固控制部105以將解除狀態切換成鎖固狀態並禁止門62之開放的方式，控制鎖固64。
其次，控制部100，係依序執行步驟S31，S32。在步驟S31中，第二氧濃度調節部104以開始使負載鎖室60內的氧濃度下降之處理的方式，控制第二空調部70。第二氧濃度調節部104，係以使閥71之開合度下降(例如關閉閥71)並使閥72之開合度上升，且以使閥73之開合度下降(例如關閉閥73)並開始泵P所致之氣體之壓送的方式，控制第二空調部70。在步驟S32中，第三鎖固控制部107判定從氧濃度感測器D6取得之負載鎖室60內之氧濃度的計測結果是否為預定值以下。
在步驟S32中，在氧濃度感測器D6之計測結果被判定為高於預定值的情況下，控制部100，係使處理返回到步驟S31。以後，直至氧濃度感測器D6的計測結果成為預定值以上之前，重複確認氧濃度感測器D6的計測結果。
在步驟S32中，在氧濃度感測器D6之計測結果被判定為預定值以下的情況下，控制部100，係執行步驟S33。在步驟S33中，第二氧濃度調節部104以停止負載鎖室60內之氧濃度的下降處理之方式，控制第二空調部70。例如第二氧濃度調節部104，係以將開合度設成為0的方式，關閉閥71、閥72及閥73，並以使泵P所致之氣體之壓送停止的方式，控制第二空調部70。
其次，控制部100，係依序執行步驟S34，S35，S36。在步驟S34中，第三鎖固控制部107將鎖固狀態切換成解除狀態，搬送控制部106以開啟門63的方式，控制開關驅動部65。在步驟S35中，搬送控制部106以將負載鎖室60內之載體11搬送至載體區塊3的方式，控制搬送機械臂A3。在步驟S36中，搬送控制部106以顯示負載鎖室60內不存在載體11的方式，控制顯示部65b。例如搬送控制部106，係以從點亮狀態切換成熄滅狀態的方式，控制顯示部65b。
其次，控制部100，係執行步驟S37。在步驟S37中，搬送控制部106以關閉門63的方式，控制開關驅動部65，第三鎖固控制部107將解除狀態切換成鎖固狀態。藉由以上，完成載體搬入處理。
(載體之搬出處理程序) 圖11及圖12，係表示載體搬出處理程序的流程圖。如圖11所示般，控制器100，係首先執行步驟S41。在步驟S41中，第二氧濃度調節部104待機直至被設置於載體區塊3之載體11成為取出對象。取出對象之載體11，係指例如完成所收容之所有晶圓W的塗佈處理之載體11。
其次，控制部100，係依序執行步驟S42，S43。在步驟S42中，第二氧濃度調節部104以開始使複數個負載鎖室60中之空的負載鎖室60內之氧濃度下降之處理的方式，控制第二空調部70。第二氧濃度調節部104，係以使閥71之開合度下降(例如關閉閥71)並使閥72之開合度上升，且以使閥73之開合度下降(例如關閉閥73)並開始泵P所致之氣體之壓送的方式，控制第二空調部70。在步驟S43中，第三鎖固控制部107判定從氧濃度感測器D6取得之負載鎖室60內之氧濃度的計測結果是否為預定值以下。
在步驟S43中，在氧濃度感測器D6之計測結果被判定為高於預定值的情況下，控制部100，係使處理返回到步驟S42。以後，直至氧濃度感測器D6的計測結果成為預定值以上之前，重複確認氧濃度感測器D6的計測結果。
在步驟S43中，在氧濃度感測器D6之計測結果被判定為預定值以下的情況下，控制部100，係執行步驟S44。在步驟S44中，第二氧濃度調節部104以停止負載鎖室60內之氧濃度的下降處理之方式，控制第二空調部70。例如第二氧濃度調節部104，係以將開合度設成為0的方式，關閉閥71、閥72及閥73，並以使泵P所致之氣體之壓送停止的方式，控制第二空調部70。
其次，控制部100，係依序執行步驟S45，S46，S47。在步驟S45中，第三鎖固控制部107將鎖固狀態切換成解除狀態，搬送控制部106以開啟門63的方式，控制開關驅動部65。在步驟S46中，搬送控制部106以將載體區塊3之載體11搬送至負載鎖室60內的方式，控制搬送機械臂A3。在步驟S47中，搬送控制部106以顯示負載鎖室60內存在載體11的方式，控制顯示部65b。例如搬送控制部106，係以從熄滅狀態切換成點亮狀態的方式，控制顯示部65b。
其次，控制部100，係執行步驟S48。在步驟S48中，搬送控制部106以關閉門63的方式，控制開關驅動部65，第三鎖固控制部107將解除狀態切換成鎖固狀態。
如圖12所示般，控制器100，係接著執行步驟S49。在步驟S49中，第二氧濃度調節部104待機至門62之鎖固解除的要求被輸入於輸入部65a。
當門62之鎖固解除的要求被輸入時，控制部100，係依序執行步驟S50，S51。在步驟S50中，第二氧濃度調節部104以開始使負載鎖室60內的氧濃度上升之處理的方式，控制第二空調部70。第二氧濃度調節部104，係以使閥71之開合度上升並使閥72之開合度下降(例如關閉閥72)且使閥73之開合度上升的方式，控制第二空調部70。在步驟S51中，第二氧濃度調節部104判定從氧濃度感測器D6取得之負載鎖室60內之氧濃度的計測結果是否為預定值以上。
在步驟S51中，在氧濃度感測器D6之計測結果被判定為低於預定值的情況下，控制部100，係使處理返回到步驟S50。以後，直至氧濃度感測器D6的計測結果成為預定值以上之前，重複確認氧濃度感測器D6的計測結果。
在步驟S51中，在氧濃度感測器D6之計測結果被判定為預定值以上的情況下，控制部100，係執行步驟S52。在步驟S52中，第二氧濃度調節部104以停止負載鎖室60內之氧濃度的上升處理之方式，控制第二空調部70。第二氧濃度調節部104，係以將開合度設成為0的方式，控制閥71、閥72及閥73。
其次，控制部100，係依序執行步驟S53，S54。在步驟S53中，第二鎖固控制部105以將鎖固狀態切換成解除狀態的方式，控制鎖固64。在步驟S54中，搬送控制部106待機至載體感測器D10未檢測出載體11。
當載體感測器D10未檢測出載體11時，控制部100，係執行步驟S55。在步驟S55中，搬送控制部106以顯示負載鎖室60內不存在載體11的方式，控制顯示部65b。例如搬送控制部106，係以從點亮狀態切換成熄滅狀態的方式，控制顯示部65b。
其次，控制部100，係執行步驟S56。在步驟S56中，搬送控制部106待機至門62之鎖固的要求被輸入於輸入部65a。在步驟S56中，當門62之鎖固的要求被輸入時，控制部100，係執行步驟S56。在步驟S26中，第二鎖固控制部105確認門62被關閉。具體而言，第二鎖固控制部105，係確認門開關感測器D11檢測到門62被關閉。在門62未被關閉的情況下，第二鎖固控制部105，係待機至門62被關閉。
其次，控制部100，係執行步驟S58。在步驟S58中，第二鎖固控制部105以將解除狀態切換成鎖固狀態並容許門62之開放的方式，控制鎖固64。藉由以上，完成載體搬出處理。
[本實施形態之效果]
基板處理裝置1，係具備有：載體區塊3，可設置收容有複數個晶圓W之載體11；液處理單元U1及熱處理單元U2，進行對晶圓W之處理；搬送臂A2，在載體11與液處理單元U1及熱處理單元U2之間搬送晶圓W；殼體10，收容液處理單元U1、熱處理單元U2及搬送臂A2；包體20，以高於殼體10之氣密性收容殼體10；第一壓力調節部40，調節殼體10內之氣壓；第二壓力調節部50，調節包體20內之氣壓；及控制部100，以使包體20內之氣壓保持低於包體20外之氣壓及殼體10內之氣壓的任一者之狀態的方式，控制第一壓力調節部40及第二壓力調節部50。
根據該基板處理裝置1，以氣密性高於殼體10之包體20收容殼體10，並將包體20內之氣壓保持為比包體20外之氣壓及殼體10內之氣壓低的狀態，藉此，可抑制從殼體10內漏出至殼體10外之氣體向包體20外漏出的情形。因此，可將搬送區域、液處理單元U1內等、殼體10內的各部中之氧濃度維持為所期望的狀態。因此，基板處理裝置1，係對於基板處理中之氧濃度的管理有用。
該基板處理裝置1，係亦可更具備有：第一空調部30，調節包體20內之氧濃度，控制部100，係亦可進一步執行如下述者：以將包體20內之氧濃度維持低於包體20外之氧濃度的方式，控制第一空調部30。在該情況下，將收容殼體10之包體20內的氧濃度進行調節，藉此， 可有效率地調節殼體10內的各部中之氧濃度。
第一空調部30，係亦可具有：氣體供給部31，將氣體供給至包體20內；濃度調節部32，調整從氣體供給部31被傳送至包體20內之氣體的氧濃度；及回流部33，使氣體從包體20內回流至氣體供給部31，控制部100，係亦可執行如下述者：在將包體20內之氧濃度維持低於包體20外的氧濃度之際，以使從氣體供給部31被傳送至包體20內之氣體的氧濃度比包體20外之氧濃度更低的方式，控制濃度調節部32。在該情況下，由於經濃度調節之氣體從氣體供給部31被傳送至包體20內，因此，可更確實地維持包體20內之氧濃度。又，由於藉由回流部33使包體20內之氣體回流至氣體供給部31，因此，氧濃度經調節之氣體可被循環利用並效率良好地維持氧濃度。
第一壓力調節部40，係亦可具有：送風部41，將氣體從包體20內傳送至殼體10內，第二壓力調節部50，係亦可具有：排氣部52，將包體20內之氣體的一部分導引至排氣路徑。根據該構成，能以簡單的構成來調節氣壓。
該基板處理裝置1，係亦可更具備有：門21，用於進出包體20內；鎖固22，對容許門21之開放的狀態與禁止門21之開放的狀態進行切換；及氧濃度感測器D1，計測包體20內之氧濃度，控制部100，係亦可進一步執行如下述者：以使從氣體供給部31被傳送至包體20內之氣體的氧濃度比包體20內之氧濃度更高的方式，控制濃度調節部32；及在氧濃度感測器D1所致之氧濃度的計測結果低於預定值的情況下，以禁止門21之開放的方式，控制鎖固22。在該情況下，由於直至包體20內之氧濃度被調節成預定值以上之前，係藉由鎖固22禁止門21的開放，因此，例如可在人員進入包體20內的情況下等，在門21的開放之前，使包體20內的氧濃度確實地上升。
而且，該基板處理裝置1，係亦可更具備有：氧濃度感測器D2，計測殼體10內可向外部開放之空間的氧濃度，控制部100，係即便在氧濃度感測器D2所致之氧濃度的計測結果低於預定值的情況下，亦可以禁止門21之開放的方式，控制鎖固22。在該情況下，在開放殼體10中可向外部開放的空間之際，可使氧濃度確實地上升。
又，該基板處理裝置1，係亦可更具備有：氧濃度感測器D3，計測回流部33內的氧濃度，控制部100，係即便在氧濃度感測器D3所致之氧濃度的檢測結果低於預定值的情況下，亦可以禁止門21之開放的方式，控制鎖固22。在該情況下，由於直至回流部33內之氧濃度成為預定值以上之前，係藉由鎖固22禁止門21的開放，因此，可使包體20內的氧濃度更確實地上升。
又，亦可更具備有：氧濃度感測器D4，計測氣體供給部31內的氧濃度，控制部100，係即便在氧濃度感測器D4所致之氧濃度的檢測結果低於預定值的情況下，亦可以禁止門21之開放的方式，控制鎖固22。在該情況下，由於直至氣體供給部31內之氧濃度成為預定值以上之前，係藉由鎖固22禁止門21的開放，因此，可使包體20內的氧濃度更確實地上升。
而且，該基板處理裝置1，係亦可更具備有：揮發物濃度感測器D7，用以計測從液處理單元U1及熱處理單元U2內流出至包體20內之揮發物的濃度，控制部100，係即便在揮發物濃度感測器D7所致之計測結果高於預定值的情況下，亦可以禁止門21之開放的方式，控制鎖固22。在該情況下，由於直至包體20內之揮發物濃度成為預定值以下之前，係藉由鎖固22禁止門21的開放，因此，可使包體20內的揮發物確實地下降。
揮發物濃度感測器D7，係亦可被設置於排氣部52。藉由該構成，可利用排氣部52，輕易地檢測揮發物。又，在擋板52a之開合度為最大的情況下，係由於被導引至排氣部52之氣體的量增加，因此，可更輕易地檢測揮發物。
氣體供給部31，係亦可含有：管路L1，將氣體導引至包體20內；及管路L2，將氣體導引至液處理單元U1及熱處理單元U2內。在該情況下，由於一面以管路L1將氣體導引至包體20內，一面以作為其他路徑之管路L2將氣體導引至液處理單元U1及熱處理單元U2內，因此，可更嚴格地調節液處理單元U1及熱處理單元U2內的氧濃度。
亦可更具備有：排氣部51，將液處理單元U1及熱處理單元U2內之氣體導引至排氣路徑。在該情況下，由於對揮發物濃度高之液處理單元U1及熱處理單元U2內的氣體進行排氣，因此，可抑制揮發物濃度變得過大之情形。又，相較於使揮發物濃度高之液處理單元U1及熱處理單元U2內的氣體回流至回流部33的情況，回流部33之過濾器單元33b，33d所去除之揮發物的量會被降低，因此，可抑制過濾器單元33b，33d之維護頻率的增加。
排氣部51，係亦可具有：管路L7，L8，將氣體導引至殼體10之側方。根據該構成，容易在包體20內彙整來自液處理單元U1內及熱處理單元U2內之排氣用的管路。
該基板處理裝置1，係亦可更具備有：負載鎖室60，收容載體11；門62，使負載鎖室60內向包體20外開關；門63，使負載鎖室60內向包體20內開關；收授部67，在負載鎖室60與載體區塊3之間進行載體11的收授；及第二空調部70，調節負載鎖室60內的氧濃度，控制部100，係亦可進一步執行如下述者：在門62的開放之前，以使負載鎖室60內之氧濃度接近包體20外之氧濃度的方式，控制第二空調部70；及在門63的開放之前，以使負載鎖室60內之氧濃度接近包體20內之氧濃度的方式，控制第二空調部70。根據該構成，可開放門62而從負載鎖室60內搬出載體11，並可開放門63而進行載體11朝負載鎖室60內之儲存。又，在載體11的搬出及儲存之際，可同時抑制氧濃度高之氣體從負載鎖室60內朝包體20外的漏出與氧濃度低之氣體從負載鎖室60內朝包體20內的漏出。
該基板處理裝置1，係亦可更具備有：鎖固64，對容許門62之開放的狀態與禁止門62之開放的狀態進行切換；開關驅動部65，對容許門63之開放的狀態與禁止門63之開放的狀態進行切換；及氧濃度感測器D6，計測負載鎖室60內之氧濃度，控制部100，係亦可進一步執行如下述者：在氧濃度感測器D6所致之計測結果低於預定值的情況下，以禁止門62之開放的方式，控制鎖固64；及在氧濃度感測器D6所致之測定結果高於預定值的情況下，以禁止門63之開放的方式，控制開關驅動部65。在該情況下，由於直至負載鎖室60內的氧濃度被適切調節之前，係禁止門62及門63的開放，因此，可在門62或門63的開放之前，更確實地調節負載鎖室60內的氧濃度。
以上，雖說明了實施形態，但本發明並不一定限定於上述之實施形態，在不脫離其要旨的範圍下可進行各種變更。例如，基板處理裝置1，係除了感光性被膜的形成以外，亦可被構成為進一步施加該感光性被膜的曝光及該感光性被膜的顯像。上述之構成，係只要是在被維持為預定氛圍之空間內所進行的處理，則亦可應用於在低氧以外的氛圍下對基板所進行的處理。作為處理對象之基板，係不限於半導體晶圓，亦可為例如玻璃基板、光罩基板、FPD(Flat Panel Display)等。
1‧‧‧基板處理裝置 11‧‧‧載體 3‧‧‧載體區塊(載體支撐部) 4‧‧‧處理區塊 10‧‧‧殼體 20‧‧‧包體 21‧‧‧門(第一門) 22‧‧‧鎖固(第一鎖固) 30‧‧‧第一空調部 31‧‧‧氣體供給部 32‧‧‧濃度調節部 33‧‧‧回流部 40‧‧‧第一壓力調節部 41‧‧‧送風部 50‧‧‧第二壓力調節部 51‧‧‧排氣部(第二排氣部) 52‧‧‧排氣部(第一排氣部) 61‧‧‧收容部(載體收容部) 62‧‧‧門(第二門) 63‧‧‧門(第三門) 64‧‧‧鎖固(第二鎖固) 65‧‧‧開關驅動部(第三鎖固) 67‧‧‧收授部 70‧‧‧第二空調部 100‧‧‧控制部 A2‧‧‧搬送臂 D1‧‧‧氧濃度感測器(第一氧濃度感測器) D2‧‧‧氧濃度感測器(第二氧濃度感測器) D3‧‧‧氧濃度感測器(第三氧濃度感測器) D4‧‧‧氧濃度感測器(第四氧濃度感測器) D6‧‧‧氧濃度感測器(第五氧濃度感測器) D7‧‧‧揮發物濃度感測器 L1‧‧‧管路(第一氣體管路) L2‧‧‧管路(第二氣體管路) L7、L8‧‧‧管路(第三氣體管路) U1‧‧‧液處理單元(處理單元) U2‧‧‧熱處理單元(處理單元) W‧‧‧晶圓(基板) X‧‧‧動力設備(排氣路徑)
[圖1] 圖1，係表示基板處理裝置之概略構成的示意圖。 [圖2] 圖2，係沿著圖1之II-II線的剖面圖。 [圖3] 圖3，係表示氣體管路的側視圖。 [圖4] 圖4(a)及圖4(b)，係表示操作面板的示意圖。 [圖5] 圖5，係表示控制部之功能上之構成的方塊圖。 [圖6] 圖6，係表示控制部之硬體構成的方塊圖。 [圖7] 圖7，係表示空調處理程序的流程圖。 [圖8] 圖8，係表示第一鎖固解除處理程序的流程圖。 [圖9] 圖9，係表示載體搬入處理程序的流程圖。 [圖10] 圖10，係表示載體搬入處理程序的流程圖。 [圖11] 圖11，係表示載體搬出處理程序的流程圖。 [圖12] 圖12，係表示載體搬出處理程序的流程圖。
1:基板處理裝置
2:塗佈裝置
10:殼體
20:包體
21:門
22:鎖固
30:第一空調部
31:氣體供給部
31a:送風機
31b:過濾器
31c:過濾器
31d:溫調單元
32:濃度調節部
32a:閥
32b:閥
33:回流部
33a:過濾器單元
33b:過濾器單元
33c:過濾器單元
33d:過濾器單元
50:第二壓力調節部
51:排氣部
52:排氣部
52a:擋板
60:負載鎖室
61:收容部
62:門
63:門
64:鎖固
70:第二空調部
71:閥
72:閥
73:閥
100:控制部
C1:冷卻部
C3:冷卻部
D1:氧濃度感測器
D2:氧濃度感測器
D3:氧濃度感測器
D4:氧濃度感測器
D5:氧濃度感測器
D6:氧濃度感測器
D7:揮發物濃度感測器
D8:壓力感測器
D9:壓力感測器
F1:過濾器
F2:過濾器
F3:過濾器
F4:過濾器
L1:管路
L2:管路
L4:管路
L5:管路
L6:管路
L7:管路
L8:管路
L9:管路
L11:管路
L12:管路
L13:管路
L14:管路
U1:液處理單元
U2:熱處理單元
f:送風機
C:罩杯
N:供給源
P:泵
W:晶圓
X:動力設備

Claims (15)

  1. 一種基板處理裝置，係具備有：載體支撐部，可設置收容有複數個基板之載體；處理單元，進行對前述基板之處理；搬送臂，在前述載體與前述處理單元之間搬送前述基板；殼體，收容前述處理單元及前述搬送臂；包體，以高於前述殼體之氣密性收容前述殼體；第一壓力調節部，調節前述殼體內之氣壓；第二壓力調節部，調節前述包體內之氣壓；及控制部，執行如下述者：以使前述包體內之氣壓保持比前述包體外之氣壓及前述殼體內之氣壓低之狀態的方式，控制前述第一壓力調節部及前述第二壓力調節部。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，更具備有：第一空調部，調節前述包體內之氧濃度，前述控制部，係進一步執行如下述者：以將前述包體內之氧濃度維持低於前述包體外之氧濃度的方式，控制前述第一空調部。
  3. 如申請專利範圍第2項之基板處理裝置，其中，前述第一空調部，係具有： 氣體供給部，將氣體供給至前述包體內；濃度調節部，調整從前述氣體供給部被傳送至前述包體內之氣體的氧濃度；及回流部，使氣體從前述包體內回流至前述氣體供給部，前述控制部，係執行如下述者：在將前述包體內之氧濃度維持低於前述包體外的氧濃度之際，以使從前述氣體供給部被傳送至前述包體內之氣體的氧濃度比前述包體外之氧濃度更低的方式，控制前述濃度調節部。
  4. 如申請專利範圍第3項之基板處理裝置，其中，前述第一壓力調節部，係具有：送風部，將氣體從前述包體內傳送至前述殼體內，前述第二壓力調節部，係具有：第一排氣部，將前述包體內之氣體的一部分導引至排氣路徑。
  5. 如申請專利範圍第4項之基板處理裝置，其中，更具備有：第一門，用於進出前述包體內；第一鎖固，對容許前述第一門之開放的狀態與禁止前述第一門之開放的狀態進行切換；及第一氧濃度感測器，計測前述包體內之氧濃度，控制部，係進一步執行如下述者：以使從前述氣體供給部被傳送至前述包體內之氣體的 氧濃度比前述包體內之氧濃度更高的方式，控制前述濃度調節部；及在前述第一氧濃度感測器所致之氧濃度的計測結果低於預定值的情況下，以禁止前述第一門之開放的方式，控制前述第一鎖固。
  6. 如申請專利範圍第5項之基板處理裝置，其中，更具備有：第二氧濃度感測器，計測前述殼體內可向外部開放之空間的氧濃度，前述控制部，係即便在前述第二氧濃度感測器所致之氧濃度的計測結果低於預定值的情況下，亦以禁止前述第一門之開放的方式，控制前述第一鎖固。
  7. 如申請專利範圍第5或6項之基板處理裝置，其中，更具備有：第三氧濃度感測器，計測前述回流部內的氧濃度，前述控制部，係即便在前述第三氧濃度感測器所致之氧濃度的檢測結果低於預定值的情況下，亦以禁止前述第一門之開放的方式，控制前述第一鎖固。
  8. 如申請專利範圍第5或6項之基板處理裝置，其中，更具備有：第四氧濃度感測器，計測前述氣體供給部內的氧濃 度，前述控制部，係即便在前述第四氧濃度感測器所致之氧濃度的檢測結果低於預定值的情況下，亦以禁止前述第一門之開放的方式，控制前述第一鎖固。
  9. 如申請專利範圍第5或6項之基板處理裝置，其中，更具備有：揮發物濃度感測器，用以計測從前述處理單元內流出至前述包體內之揮發物的濃度，前述控制部，係即便在前述揮發物濃度感測器所致之計測結果高於預定值的情況下，亦以禁止前述第一門之開放的方式，控制第一鎖固。
  10. 如申請專利範圍第9項之基板處理裝置，其中，前述揮發物濃度感測器，係被設置於前述第一排氣部。
  11. 如申請專利範圍第5或6項之基板處理裝置，其中，前述氣體供給部，係含有：第一氣體管路，將氣體導引至前述包體內；及第二氣體管路，將氣體導引至前述處理單元內。
  12. 如申請專利範圍第5或6項之基板處理裝置，其中，更具備有： 第二排氣部，將前述處理單元內之氣體導引至前述排氣路徑。
  13. 如申請專利範圍第12項之基板處理裝置，其中，前述第二排氣部，係具有：第三氣體管路，將氣體導出至前述殼體之側方。
  14. 如申請專利範圍第1~6項中任一項之基板處理裝置，其中，更具備有：載體收容部，收容前述載體；第二門，使前述載體收容部內向前述包體外開關；第三門，使前述載體收容部內向前述包體內開關；收授部，在前述載體收容部內與載體支撐部之間進行前述載體的收授；及第二空調部，調節前述載體收容部內的氧濃度，前述控制部，係進一步執行如下述者：在前述第二門的開放之前，以使前述載體收容部內之氧濃度接近前述包體外之氧濃度的方式，控制前述第二空調部；及在前述第三門的開放之前，以使前述載體收容部內之氧濃度接近前述殼體內之氧濃度的方式，控制第二空調部。
  15. 如申請專利範圍第14項之基板處理裝置，其中，更具 備有：第二鎖固，對容許前述第二門之開放的狀態與禁止前述第二門之開放的狀態進行切換；第三鎖固，對容許前述第三門之開放的狀態與禁止前述第三門之開放的狀態進行切換；及第五氧濃度感測器，計測前述載體收容部內之氧濃度，前述控制部，係進一步執行如下述者：在前述第五氧濃度感測器所致之計測結果低於預定值的情況下，以禁止前述第二門之開放的方式，控制前述第二鎖固；及在前述第五氧濃度感測器所致之測定結果高於預定值的情況下，以禁止前述第三門之開放的方式，控制前述第三鎖固。
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