TWI810814B - 光學組件、使用遮罩薄膜系統的方法及形成光學組件的方法 - Google Patents

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Abstract

在EUV光微影系統中，將塗層奈米管及奈米管束形成為光學組件中有用的膜。光學組件可用於圖案化半導體基板上的材料的方法中。此方法包括在UV微影系統中產生UV輻射的步驟。UV輻射穿過光學組件(例如，薄膜組件)的塗層。穿過塗層的UV輻射可穿過多個單獨的奈米管的基材或多個奈米管束的基材。穿過多個單獨的奈米管的基材或多個奈米管束的基材的UV輻射從遮罩反射並在半導體基板處被接收。

Description

光學組件、使用遮罩薄膜系統的方法及形成光學組件的方法
本揭示案是關於一種光學組件、一種使用遮罩薄膜系統的方法及一種形成光學組件的方法。
本揭示案係關於紫外及極紫外光微影技術領域以及用於紫外及極紫外光微影技術的光學組件。
在半導體積體電路(integrated circuit；IC)行業中，IC材料及設計的技術進步產生了一代又一代的IC，其中每一代都比上一代更小、更複雜。在IC發展過程中，功能密度(即單位晶片面積的互連元件數量)大致增加，而幾何尺寸(即可使用製造製程產生的最小組件(或線))減少。這種縮小規模的製程大致藉由提高生產效率及降低相關成本來提供好處。此種縮小也增加了IC加工及製造的複雜性。
微影製程形成用於各種圖案化製程(諸如蝕刻或離子注入)的圖案化光阻劑層。可藉由此種微影製程對最小 特徵尺寸進行圖案化，此最小特徵尺寸受投影輻射源的波長限制。微影機已經從使用波長為365奈米的紫外光到使用深紫外(deep ultraviolet；DUV)光，包括248奈米的氟化氪雷射(KrF雷射)及193奈米的氟化氬雷射(ArF雷射)，再到使用波長為13.5奈米的極紫外光(extreme ultraviolet；EUV)，從而提高每一步的解析度。
在微影製程中，使用光遮罩(或遮罩)。遮罩包括基板及圖案化層，圖案化層限定了在微影製程期間要轉移到半導體基板的積體電路。遮罩通常包括有薄膜組件，統稱為遮罩系統。薄膜組件包括透明薄膜及薄膜框架，其中膜安裝在薄膜框架上。薄膜保護遮罩不受掉落顆粒的影響，並使顆粒遠離焦點，使其不會產生圖案化圖像，這可能會在使用遮罩時在圖案化的半導體基板中造成缺陷。膜通常被拉伸並安裝在薄膜框架上，並藉由膠水或其他黏合劑附接到薄膜框架上。內部空間可由遮罩、膜及薄膜框架形成。
在一些實施例中，一種光學組件包括複數個奈米管束的基材及塗層。塗層於這些奈米管束上，塗層圍繞這些奈米管束的各者中的各個奈米管。
在一些實施例中，一種使用遮罩薄膜系統的方法包括以下操作。在極紫外光微影系統中產生極紫外輻射。將極紫外輻射穿過薄膜的塗層。將已穿過塗層的極紫外輻射穿過薄膜的透明層。反射從遮罩穿過透明層的極紫外輻射。 在半導體基板上接收由遮罩反射的極紫外輻射。
在一些實施例中，一種形成光學組件的方法包括以下操作。形成奈米管基材。藉由第一製程在奈米管基材的這些奈米管上形成保護層。藉由第二製程在保護層上形成塗層。
100:微影系統
102:輻射源
104:照明器
106:遮罩臺
108:遮罩
110:投影光學件
112:光瞳相位調變器
114:投影光瞳平面
116:半導體基板
118:基板臺
202:基板
203:背面塗層
204:多層結構
206:覆蓋層
208:吸收體
210:防反射塗層
300:遮罩薄膜系統
302:遮罩
304:薄膜框架
306:膜
308:黏附材料層
310:黏附材料層
312:內部空間
314:圖案化表面
316:內表面
318:外表面
320:通風孔
322:外表面
324:內表面
402:透明層
404:塗層
406:塗層
408a:第一塗層
408b:第二塗層
500:奈米碳管
502:塗層
504:外表面
506:內表面
508:層
600a:奈米管
600b:奈米管
600c:奈米管
600d:奈米管
600e:奈米管
600f:奈米管
600g:奈米管
602:奈米管束
604:塗層
800:方法
820:步驟
830:步驟
840:步驟
850:步驟
860:步驟
900:方法
920:步驟
930:步驟
940:步驟
942:腔室
950:膜/步驟
952:框架
960:步驟
1000:方法
1020:步驟
1030:步驟
1040:步驟
A-A’:線
D1:高度
W:寬度
第1圖為根據本揭示案的一些實施例的微影系統的示意圖。
第2圖為用於本揭示案實施例中的遮罩的示意性橫截面視圖。
第3A圖~第3C圖分別為根據本揭示案一些實施例的遮罩薄膜系統的俯視圖、透視圖及沿線A-A’的橫截面視圖。
第4A圖~第4D圖為根據本文描述實施例的若干薄膜的示意性橫截面視圖。
第5A圖為根據本揭示案實施例的包括部分移除的覆蓋層的奈米管的示意性透視圖。
第5B圖為根據本揭示案實施例的奈米管外表面及內表面上的覆蓋層的圖示。
第5C圖為根據本揭示案實施例的包括部分移除的覆蓋層及黏附層的奈米管的示意性透視圖。
第6A圖為根據本揭示案實施例的奈米管束的示意圖。
第6B圖為根據本揭示案實施例的包括覆蓋層的奈米管束 的橫截面視圖。
第7A圖~第7D圖分別圖示根據本揭示案實施例的未塗覆奈米管、沉積塗層後的奈米管、塗覆奈米管的分解圖及奈米碳管的進一步分解圖。
第8圖為圖示根據本揭示案實施例的方法的流程圖。
第9圖為圖示根據本揭示案實施例的方法的流程圖。
第10圖為根據本揭示案實施例的用於向奈米管施加保護層或塗層的系統的示意圖。
第11圖為圖示根據本揭示案實施例的方法的流程圖。
在以下描述中，可以描述積體電路晶粒內的各種層及結構的厚度及材料。對於各種實施例，藉由實例給出了具體尺寸及材料。根據本揭示案，熟習此項技術者將認識到，在許多情況下可以使用其他尺寸及材料，而不脫離本揭示案的範圍。
以下揭示提供了許多不同的實施例或實例，用於實現所主張標的的不同特徵。下文描述部件及佈置的具體實例以簡化本描述。當然，這些僅為實例，並非旨在限制。例如，在下文的描述中，在第二特徵上方或之上形成第一特徵可以包括第一特徵及第二特徵直接接觸形成的實施例，並且還可以包括在第一特徵及第二特徵之間形成附加特徵的實施例，使得第一及第二特徵可能不直接接觸。此外，本揭示案可以在各種實例中重複元件符號及/或字母。重複 是為了簡單及清楚的目的，其本身並不規定所論述的各種實施例及/或配置之間的關係。
另外，空間相對用語，諸如「之下」、「下方」、「下部」、「上方」、「上部」及類似者，在此為便於描述可用於描述諸圖中所圖示一個元件或特徵與另一(些)元件或(多個)特徵之關係。除圖形中描繪的取向外，空間相對術語意欲包含元件在使用或操作中的不同取向。設備可為不同取向(旋轉90度或在其他的取向)及可因此同樣地解釋在此使用的空間相對描述詞。
「垂直方向」及「水平方向」應理解為指示相對方向。因此，水平方向應理解為基本上垂直於垂直方向，反之亦然。然而，在本揭示案的範圍內，所描述的實施例及態樣可以整體旋轉，使得被稱為垂直方向的尺寸水平定向，同時，被稱為水平方向的尺寸垂直定向。
在以下描述中，闡述某些特定細節以提供對本揭示案的各種實施例的透徹理解。然而，熟習此項技術者將理解，可以在沒有這些具體細節的情況下實施本揭示案。在其他情況中，並未具體描述與電子組件及製造技術關聯之已知結構，以避免不必要地模糊本揭示案之實施例的描述。
除非上下文另有要求，在整個說明書及隨後的專利申請範圍中，「包括」一詞及其變體，例如「包括(comprises)」及「包括(comprising)」，應以開放、包容的意義解釋，即「包括但不限於」。
使用諸如第一、第二及第三等序數並不一定意味著順序性，而是可能僅區分一個行為或結構的多個實例。
在本說明書中對「單一個實施例」或「一個實施例」的引用意味著結合實施例描述的特定特徵、結構或特性包括在至少一個實施例中。因此，在本說明書的各個地方出現的短語「在單一個實施例中」或「在一個實施例中」不一定都指同一實施例。此外，在一或多個實施例中，可以以任何合適的方式組合特定特徵、結構或特徵。
如在本說明書及所附專利申請範圍書中所使用的，除非內容另有明確規定，否則單數形式「一」、「一」及「該」包括複數代表。還應注意，術語「或」的含義大致包括「及/或」，除非內容另有明確規定。
根據本揭示案的實施例提供了適於傳輸UV或EUV輻射並保護微影系統的UV或EUV反射組件的光學組件。光學組件表現出理想的UV/EUV傳輸位準，並促進來自光學組件的熱傳遞。光學組件也能抵抗暴露在氫氣、氧氣及H+氣體中造成的損壞。
根據本揭示案的各個態樣，藉由提供包括複數個奈米管束的基材或多個單獨的奈米管的基材的光學組件，實現上述及下文的根據本揭示案實施例的各種優點及目的。根據一些實施例，用塗層塗覆單個奈米管以保護奈米管。在其他實施例中，用塗層塗覆奈米管束；然而，奈米管束中的單個奈米管未單獨塗覆塗層。在其他實施例中，奈米管束的單個奈米管塗覆有塗層，並且奈米管束由此類塗覆 的單個奈米管形成。這些光學組件可用於圖案化在半導體基板上的材料的方法。這些方法涉及在UV微影系統中產生UV輻射。UV輻射穿過光學組件的塗層，例如薄膜組件。已穿過塗層的UV輻射穿過多個單獨的奈米管的基材或多個奈米管束的基材。穿過多個單獨的奈米管基材或多個奈米管束基材的UV輻射從遮罩反射並在半導體基板上被接收。根據其他實施例，將塗層塗覆到薄膜組件的透明層上。
第1圖為根據一些實施例的微影系統100的示意圖。微影系統100一般也可稱為掃描器，其可操作以執行微影製程，包括使用各自的輻射源及在特定曝光模式下進行曝光。在本實施例中的至少一些實施例中，微影系統100包括紫外光(ultraviolet；UV)微影系統，其經設計成用UV輻射(即UV光)暴露光阻劑層。因此，在各種實施例中，光阻劑層包括對UV光敏感的材料(例如，UV光阻劑)。第1圖的微影系統100包括複數個子系統，諸如輻射源102、照明器104、用以接收遮罩108的遮罩臺106、投影光學件110及用以接收半導體基板116的基板臺118。以下根據本揭示案實施例的UV微影系統的描述係關於極紫外輻射作為紫外輻射的實例。根據本揭示案的實施例不限於極紫外輻射微影系統。換言之，參考極紫外光微影系統描述的實施例包括利用紫外輻射的實施例。對微影系統100的操作的一般描述如下：來自輻射源102的EUV光被引導到照明器104(其包括一組反射鏡)並投影到反射遮罩108上。將反射的遮罩圖像導向投影光學件 110，投影光學件110聚焦EUV光並將EUV光投影到半導體基板116上以曝光沉積在其上的EUV光阻劑層。此外，在各種實例中，微影系統100的每個子系統可容納在高真空環境中，並因此在高真空環境中操作，例如，以減少EUV光的大氣吸收。
在本文描述的實施例中，輻射源102可用於產生EUV光。在一些實施例中，輻射源102包括電漿源，諸如放電產生電漿(discharge produced plasma；DPP)或雷射產生電漿(laser produced plasma；LPP)。在一些實例中，EUV光可包括波長範圍在約1nm至約100nm的光。在一個特定實例中，輻射源102產生波長以約13.5nm為中心的EUV光。因此，輻射源102也可稱為EUV輻射源102。在一些實施例中，輻射源102還包括收集器，其可用於收集從電漿源產生的EUV光，並將收集的EUV光引導至成像光學件，諸如照明器104。
如上所述，將來自輻射源102的EUV光導向照明器104。在一些實施例中，照明器104可包括反射光學件(例如，對於EUV微影系統100)，諸如單個鏡或具有多個鏡的鏡系統，以便將來自輻射源102的光引導到遮罩臺106上，尤其引導至固定在遮罩臺106上的遮罩108上。在一些實例中，照明器104可包括波帶板(未示出)，例如，用於提高EUV光的聚焦。在一些實施例中，照明器104可經配置成根據特定光瞳形狀(pupil shape)來塑形穿過其的EUV光，並且包括例如偶極形狀(dipole shape)、四極形狀(quadrapole shape)、環形形狀(annular shape)、單光束形狀(single beam shape)、多光束形狀(multiple beam shape)及/或其組合。在一些實施例中，照明器104可用於配置鏡(即，照明器104的鏡)以向遮罩108提供所需照明。在一個實例中，照明器104的鏡可配置為將EUV光反射到不同的照明位置。在一些實施例中，照明器104之前的臺(未示出)可另外包括可用於將EUV光引導到照明器104的鏡內的不同照明位置的其他可配置鏡。在一些實施例中，照明器104用以向遮罩108提供軸上照明(on-axis illumination；ONI)。在一些實施例中，照明器104用以向遮罩108提供離軸照明(off-axis illumination；OAI)。應當注意，EUV微影系統100中使用的光學件，尤其為用於照明器104及投影光學件110的光學元件，可以包括具有稱為布拉格(Bragg)反射器的多層薄膜塗層的鏡。舉例而言，此類多層薄膜塗層可包括鉬及矽的交替層，其在EUV波長(例如，約13nm)處提供高反射率。
如上所述，微影系統100還包括被配置為將遮罩108固定在微影系統內的遮罩臺106。由於微影系統100可以容納在高真空環境中，並因此在高真空環境中操作，因此遮罩臺106可以包括用於固定遮罩108的靜電卡盤(electrostatic chuck；e-chuck)。與EUV微影系統100的光學件一樣，遮罩108也為反射性的。下文參考第2圖的實例更詳細地論述遮罩108的細節。如第1圖所示， 光從遮罩108反射並被導向投影光學件110，投影光學件110收集從遮罩108反射的EUV光。舉例而言，由投影光學件110收集(從遮罩108反射)的EUV光攜帶由遮罩108定義的圖案的圖像。在各種實施例中，投影光學件110用於將遮罩108的圖案成像到固定在微影系統100的基板臺118上的半導體基板116上。具體而言，在各種實施例中，投影光學件110聚焦收集的EUV光並將EUV光投影到半導體基板116上，以暴露沉積在半導體基板116上的EUV光阻劑層。如上所述，投影光學件110可以包括反射光學件，如在諸如微影系統100的EUV微影系統中使用的。在一些實施例中，將照明器104及投影光學件110統稱為微影系統100的光學模組。
如上所述，微影系統100還包括基板臺118，用於固定待圖案化的半導體基板116。在各種實施例中，半導體基板116包括半導體晶圓，諸如矽晶圓、鍺晶圓、矽鍺晶圓、III-V族晶圓或其他類型的晶圓。半導體基板116可塗覆有對EUV光敏感的光阻劑層(例如，EUV光阻劑層)。EUV光阻劑可能具有嚴格的效能標準。為便於說明，EUV光阻劑可經設計為提供至少約22nm的解析度、至少約2nm的線寬粗糙度(line-width roughness；LWR)以及至少約15mJ/cm2的靈敏度。在本文描述的實施例中，微影系統100的各種子系統(包括上述子系統)為整合式的，並且可操作以執行包括EUV微影製程的微影曝光製程。可以肯定，微影系統100可以進一步包括其他 模組或子系統，此些模組或子系統可以與本文描述的一或多個子系統或組件整合(或相互耦合)。
微影系統可以包括其他組件，並且可以具有其他替代方案。在一些實施例中，微影系統100可包括光瞳相位調變器112，以調變從遮罩108定向的EUV光的光學相位，使得光具有沿投影光瞳平面114的相位分佈。在一些實施例中，光瞳相位調變器112包括用於調諧投影光學件110的鏡以進行相位調變的機構。例如，在一些實施例中，投影光學件110的鏡可配置為透過光瞳相位調變器112反射EUV光，從而透過投影光學件110調變光的相位。在一些實施例中，光瞳相位調變器112利用放置在投影光瞳平面114上的光瞳濾波器。舉例而言，光瞳濾波器可用於濾除從遮罩108反射的EUV光的特定空間頻率分量。在一些實施例中，光瞳濾波器可用作相位光瞳濾波器，其調變導向透過投影光學件110的光的相位分佈。
參考第2圖，遮罩108包括圖案化圖像，圖案化圖像包括具有防反射塗層(anti-reflective coating；ARC)210的一或多個吸收體208。一或多個吸收體208及抗反射塗層位於多層結構204上，例如，位於基板202上的Mo-Si多層。吸收體208的材料實例包括氮化鉭層或TaxByOzNu。抗反射塗層材料的實例包括TaxByOzNu、HfxOy層或SixOyNz層。基板202的實例包括低熱膨脹材料基板，諸如摻雜TiO2的SiO2。在第2圖所示的實施例中，多層結構204由覆蓋層206覆蓋，並且基板202 的背面由背面塗層203覆蓋。用於覆蓋層206的材料的實例包括釕。背面塗層203的材料實例包括氮化鉻。
如上所述，遮罩108用於藉由微影系統100將電路及/或元件圖案轉移到半導體晶圓(例如，半導體基板116)上。為了實現從圖案化遮罩108到半導體基板116的高保真圖案轉移，微影製程應為無缺陷的。用於在輻射源102中產生EUV光的不需要的顆粒(例如，Sn的顆粒)可能意外地沉積在覆蓋層206的表面上，並且若不移除，則可導致微影轉移圖案的退化。除了作為EUV光產生的一部分之外，還可以藉由各種方法中的任何一種引入顆粒，諸如在蝕刻製程、清潔製程及/或在搬運EUV遮罩108期間。因此，遮罩108與薄膜整合並由薄膜組件保護。遮罩及薄膜組件統稱為遮罩-薄膜系統。例如，在由微影系統100進行的微影圖案化處理期間，將遮罩薄膜系統固定到遮罩臺106上。
參考第3A圖、第3B圖及第3C圖，分別為遮罩薄膜系統300的俯視圖、透視圖及沿線A-A’截取的橫截面視圖。參考第3A圖、第3B圖及第3C圖，描述了遮罩薄膜系統300及其使用方法。儘管參考微影系統的遮罩來描述本揭示案的實施例，但應理解，本揭示案的實施例對於反射UV或EUV輻射的微影系統的其他UV或EUV反射組件為有用的。
遮罩薄膜系統300包括遮罩302、薄膜框架304及光學組件，例如透過黏附材料層308及310整合在一起 的膜(或薄膜)306。如上所述，遮罩302還包括用於藉由微影製程對半導體基板進行圖案化的圖案化表面314。在一些實施例中，遮罩302可以與上文論述的遮罩108基本相同。在本實施例中，遮罩302被整合在遮罩薄膜系統300中，並且在微影圖案化製程中與膜306及薄膜框架304一起固定在遮罩臺106上。
膜306經配置為接近遮罩302，並透過黏附材料層308附接到薄膜框架304。特別地，膜306透過黏附材料層308附接到薄膜框架304。遮罩302進一步透過黏附材料層310附接到薄膜框架304。因此，遮罩302、薄膜框架304及膜306經配置及整合以封閉內部空間312。遮罩302的圖案化表面314被封閉在內部空間312中，因此在微影圖案化製程、遮罩運輸及遮罩搬運期間受到保護以防止污染。在第3C圖的圖示實施例中，薄膜框架304配備有兩個通風孔320。根據本揭示案的實施例可以僅包括一個通風孔320或包括兩個以上的通風孔320。通風孔用於平衡由薄膜框架304及薄膜306限定的開放空間與薄膜框架304及薄膜306外部環境之間的氣壓。通風孔320可配備濾波器(未示出)，其用於防止顆粒進入通風孔320。如第3C圖所示，黏附材料層310、薄膜框架304、黏附材料層308及膜306具有高度D1，薄膜框架304具有寬度W。
膜306由對微影圖案化製程中使用的輻射束透明的薄膜製成，並且還具有導熱表面。如第3C圖所示，膜 306也經配置為接近遮罩302上的圖案化表面314。在各種實施例中，膜306包括在一個表面(或兩個表面)上具有導熱膜的透明材料層。
第4圖為根據一些實施例構造的膜306的橫截面圖。膜306包括一或多種材料的透明層402或芯材料層，此些材料包括矽，諸如多晶矽(poly-Si)、非晶矽(a-Si)、摻雜矽(諸如磷摻雜矽SiP或SiC)或矽基化合物，諸如SiN或MoSixNy或組合(SiN/MoSiN)。或者，透明層402包括聚合物、石墨烯、碳網路膜、奈米碳管、矽碳奈米管、氮化硼奈米管、奈米碳管束或其他合適材料，包括奈米管束。在一些實施例中，膜306的特徵在於不存在含氧材料，例如SiO2。不含含氧材料的膜306不易受到在微影製程期間或在微影系統維護期間膜306暴露於的H+自由基引起的降解的影響。當含有含氧材料(諸如SiO2)的膜306暴露於H+自由基時，觀察到SiO2上提供的塗層剝落。透明層402的厚度具有足夠的機械強度，但在一些實施例中，其厚度不會使膜對來自輻射源的極紫外輻射的透明度降低15%以上，在一些實施例中降低10%以上，或在一些實施例中降低5%以上。在一些實例中，透明層402的厚度在30nm與50nm之間。
在一些實施例中，膜306包括形成在透明層402的外表面322上的第一塗層404及形成在透明層402的內表面324上的第二塗層406。在第4A圖中，透明層402的外表面322為其頂表面，透明層402的內表面324為 其底表面。根據第4A圖所示的實施例，塗層404的材料與塗層406的材料相同。在根據第4A圖的其他實施例中，塗層404的材料不同於塗層406的材料。在根據第4A圖的又一實施例中，塗層404包括多層材料。類似地，在其他實施例中，塗層406包括多層材料。此種多層可以包括相同的材料或不同的材料。此外，構成塗層404及/或塗層406的多層材料可為相同的厚度，也可為不同的厚度。在第4B圖中，僅在內表面324而非外表面322上提供塗層406。在根據第4B圖的其他實施例中，塗層406包括多層材料。此外，構成第4B圖中的塗層406的多層材料可以為相同的厚度，也可以為不同的厚度。在第4C圖中，僅在外表面322而非內表面324上提供塗層404。在根據第4C圖的其他實施例中，塗層404包括多層材料。此外，構成第4B圖中的塗層404的多層材料可以為相同的厚度，也可以為不同的厚度。塗層(404或406)保護透明層402免受諸如化學品及/或顆粒的侵蝕。在一些實施例中，塗層404及406促進來自透明層402的熱傳遞。根據本揭示案的另一實施例，第4D圖示出了第一塗層408a位於透明層402上且第二塗層408b位於第一塗層408a上的實例。根據第4D圖的實施例，第一塗層408a的材料與第二塗層408b的材料可以相同，也可以不同。(例如：第一塗層408a：MoSiN及第二塗層408b：SiN2)。
根據本揭示案的一些實施例，選擇用作第一塗層404及/或第二塗層406的特定材料應考慮許多不同因素， 包括提供保形塗層所需的材料層厚度，材料對UV或EUV的散射效應、UV或EUV的透射及反射、UV或EUV的吸收、氧的抗脫附性以及與塗層接觸的電離氣體(例如，H+氣體)的侵蝕性。
例如，在提供保形塗層的同時易於作為較薄塗層塗覆的材料優於需要塗覆較厚塗層以提供保形塗層的材料。在一些實施例中，塗層404或406具有約1至10奈米的厚度。
與散射更多相同EUV輻射的材料相比，優選散射較少指向遮罩的EUV輻射的材料。此類材料的實例包括氮化硼(BN)及氮化矽(Si3N4)。根據本揭示案的實施例，對於塗有氮化硼或氮化矽的透明材料，釕為不適合塗層的材料，因為釕在零度及360度下呈現出EUV輻射的差分散射截面(differential scattering cross-section)，其大約為在零度及360度處EUV輻射的差分散射截面的6倍。大致上，與折射率較高的材質相比，折射率較低的材質會產生更多散射。因此，當僅基於折射率選擇用於塗層404及406的材料時，具有較高折射率的材料將優於具有較低折射率的材料。
大致上，消光係數k較高的材料(表明輻射吸收率較高)不如消光係數k較低的材料理想，因為消光係數較高的材料將透射較少的UV或EUV。因此，當僅基於消光係數k選擇用於塗層404及406的材料時，具有較低消光係數的材料將優於具有較高消光係數的材料。
與傳輸較少相同UV或EUV輻射的材料相比，優選傳輸更多指向遮罩的UV或EUV輻射的材料。例如，在一些實施例中，傳輸指向遮罩的輻射的80%或更多的材料為合適的。在其他實施例中，傳輸指向遮罩的輻射的85%或更多的材料為合適的。在又一實施例中，傳輸指向遮罩的90%或更多輻射的材料為合適的。在其他實施例中，傳輸95%或更多指向遮罩的輻射的材料為合適的。
與反射更多相同EUV輻射的材料相比，優選反射較少指向遮罩的輻射的材料。
與吸收更多相同EUV輻射的材料相比，優選吸收較少指向遮罩的EUV輻射的材料。
與不耐氧脫附的材料相比，優選更耐氧脫附的材料。
包含高價氧化物的材料不太適合用作塗層404或406的材料，因為它們容易受到輻射刺激的氧解吸的影響，氧解吸由在淺芯層中形成孔洞而引起。與不包括更高價氧化物的塗層的反應性相比，這些產生的孔使得塗層在光微影製程或維護製程期間與塗層暴露的氣體分子更具反應性。根據本揭示案的實施例，不包括高價氧化物的材料優於包括高價氧化物的材料。
來自EUV輻射源的顆粒，例如，錫顆粒，可能落在薄膜表面上。藉由使用電離氣體(如H+)蝕刻薄膜表面來去除此類顆粒。電離氣體從薄膜表面蝕刻顆粒(例如錫顆粒)的能力部分取決於錫與薄膜表面材料之間電負性的 差異。因此，選擇適合於塗層404及/或406的材料時，應考慮待蝕刻顆粒(例如，電負性為1.96的Sn顆粒)與塗層材料之間電負性的差異。與電負性大於從塗層表面待蝕刻的顆粒電負性的材料相比，電負性小於待蝕刻顆粒電負性的材料優選作為塗層材料。根據一些實施例，適於塗層404及/或406的材料包括電負性小於1.96至約-0.2的材料。
考慮到上述標準，可用於塗層404及/或406的材料實例如下所示。
在一些實施例中，塗層404包括硼(B)、氮化硼(BN)、氮化硼矽(BNSi)、碳化硼(B4C)、碳化硼矽(BCSi)、單氮化矽(SiN)、氮化矽(Si3N4)、二氮化矽(SiN2)、碳化矽(SiC)、矽碳氮化物(SiCxNy)、鈮(Nb)、氮化鈮(NbN)、單矽化鈮(NbSi)、矽化鈮(NbSi2)、氮化鈮矽(NbSiN)、氮化鈮鈦(NbTixNy)、氮化鋯(ZrN)、氟化鋯(ZrF4)、氮化釔(YN)、氟化釔(YF)、鉬(Mo)、氮化鉬(MoN2)、碳化鉬(Mo4C及碳化二鉬(Mo2C))、矽化鉬(MoSi2)，矽鉬氮化物(MoSixNy)、釕鈮合金(RuNb)、氮化矽釕(RuSiN)、氮化鈦(TiN)、鈦碳氮化物(TiCxNy)、氮化鉿(HfNx)、氟化鉿(HfF4)或氮化釩(VN)。用於塗層404的材料不包括包括更高價氧化物的材料，諸如TiO2、V2O5、ZrO2、Ta2O5、MoO3、WO3、CeO2、Er2O3、SiO2、Y2O3、Nb2O5、V2O3及HfO2。
在一些實施例中，用於塗層404的材料選自不包 括高價氧化物的材料，諸如硼(B)、硼矽氮化物(BNSi)、氮化矽(Si3N4)、二氮化矽(SiN2)、鈮(Nb)、氮化鈮(NbN)、單矽化鈮(NbSi)、矽化鈮(NbSi2)、鈮矽氮化物(NbSiN)、鈮鈦氮化物(NbTixNy)、氮化鋯(ZrN)、氟化鋯(ZrF4)、氮化釔(YN)、氟化釔(YF)、鉬(Mo)、氮化鉬(MoN2)、矽化鉬(MoSi2)、氮化鉬矽(MoSixNy)、釕鈮合金(RuNb)、釕矽氮化物(RuSiN)、氮化鈦(TiN)、鈦碳氮化物(TiCxNy)、氮化鉿(HfNx)、氟化鉿(HfF4)或氮化釩(VN)。
在一些實施例中，用於塗層404的材料選自不包括釕或鉬的材料，諸如硼(B)、硼矽氮化物(BNSi)、氮化矽(Si3N4)、二氮化矽(SiN2)、鈮(Nb)、氮化鈮(NbN)、單矽化鈮(NbSi)、矽化鈮(NbSi2)、鈮矽氮化物(NbSiN)，鈮鈦氮化物(NbTixNy)、氮化鋯(ZrN)、氟化鋯(ZrF4)、氮化釔(YN)、氟化釔(YF)、氮化鈦(TiN)、鈦碳氮化物(TiCxNy)、氮化鉿(HfNx)、氟化鉿(HfF4)或氮化釩(VN)。
在一些實施例中，塗層404包括氮化硼矽(BNSi)、碳化硼矽(BCSi)、碳化鉬(Mo4C)或碳化二鉬(Mo2C)。
塗層404很薄並且不會降低膜30對UV或EUV光的透明度。在一些實例中，塗層的厚度(塗層404及塗層406，若存在)在1nm與10nm之間。塗層的一個實例的厚度為5nm，變化為10%或更小。塗層可以藉由合適的沉積技術形成，諸如化學氣相沉積(chemical vapor deposition；CVD)、原子層沉積(atomic layer deposition；ALD)、電漿增強ALD(plasma enhanced ALD；PEALD)、物理氣相沉積(physical vapor deposition；PVD)、電子束沉積、電沉積、化學沉積或其他合適的技術。
根據本揭示案的一些實施例，塗層404還用作導熱層，其促進熱能從透明層402轉移到塗層404周圍的環境。
根據本揭示案的一些實施例，在塗覆塗層404或塗層406之前對透明層402(芯膜)進行處理，以在透明層402的表面中產生微小缺陷及/或去除不需要的二氧化矽。在透明層402的表面中產生微小缺陷及/或去除不需要的二氧化矽提高了塗層404或塗層406到透明層402表面的附著力。在塗覆塗層404或406之前處理透明層402表面的合適製程的實例包括氮、氧、氟化碳或氬氣電漿處理。使用足以在透明層402的表面中產生微小缺陷的頻率、功率、壓力及時間段的組合用氣體電漿處理透明層402，這將提高塗層的附著力及/或去除不需要的二氧化矽。
遮罩薄膜系統300還包括薄膜框架304，其用於使得膜306可以被附接並固定到薄膜框架304。薄膜框架304可以設計成各種尺寸、形狀及構造。在這些及其他備選方案中，薄膜框架304可具有一或多個組件。薄膜框架304包括具有機械強度的材料，並且設計成一種形狀、尺寸及構造，以便將膜306正確地固定在薄膜框架304上。 在一些實施例中，薄膜框架304可完全由多孔材料形成。
薄膜框架304包括設計用於通風及壓力平衡的多孔材料，因為當在微影圖案化製程中固定在遮罩臺106上時，遮罩薄膜系統300處於真空環境中。如第3C圖所示，薄膜框架304的多孔材料具有從薄膜框架304的內表面316延伸到外表面318的用於通風的連通孔通道。或者，如上所述，薄膜框架304包括用於通風及壓力平衡的一或多個通風孔320。
根據本揭示案的另一實施例，透明層包括形成奈米管基材的複數個奈米管，例如奈米碳管、氮化硼奈米管、碳化矽奈米管或其組合。在一些實施例中，包括奈米管的透明層為多孔的。已知用於形成複數個奈米管片的技術。當根據本揭示案實施例進行處理時，此類奈米管片形成透明層及塗層的組合，其在根據本揭示案實施例的光學組件(例如薄膜)中有用。
根據本揭示案的實施例，奈米碳管為單壁奈米管或多壁奈米管。在一些實施例中，奈米管為奈米碳管。奈米管可為定向奈米管，也可為非定向奈米管。奈米管可為單獨的、未成束的奈米管，或者奈米管可為成束的多個單獨的奈米管。奈米碳管容易因暴露於氫氣或氧氣而劣化，諸如在微影系統的操作或維護期間使用的類型。
參考第5A圖，本揭示案的一個實施例包括未成束的單壁奈米碳管500，其包括由一或多種上述用於塗層404及/或406的材料在外表面504上形成的塗層502。 與先前描述的實施例一樣，塗層502可包括相同材料的單層，或可包括相同材料的多層或不同材料的多層。塗層502具有厚度t。在一些實施例中，t為1至10奈米。第5B圖為根據本揭示案實施例的塗覆奈米碳管的橫截面的圖。第5B圖示出了根據本揭示案的一些實施例，奈米碳管500的外表面504及奈米碳管500的內表面506兩者皆用塗層502塗覆。
根據本揭示案的一些實施例，在外表面504及內表面506上塗覆塗層502的材料之前，對奈米碳管500的表面進行處理，以改性奈米碳管500的表面(即在奈米碳管500中產生小缺陷)及/或對奈米碳管的表面引入官能團，例如親水基團。對奈米碳管500的表面進行改性可提高塗層502在奈米碳管500的外表面504或內表面506上的附著力。在塗覆塗層502之前處理奈米碳管500表面的合適製程的實例包括氮、氧、氟化碳或氬氣電漿處理。根據一些實施例，使用氣體電漿處理奈米碳管500的表面，使用頻率、功率、壓力及時間的組合，足以實現所需的表面改性以提高塗層502對奈米管表面的附著力。根據一個實施例，用氧電漿以約13.6MHz的頻率、約100-200W的功率及約1-200mTorr的壓力處理奈米碳管。如此處理奈米碳管的時間長度足以在不損壞奈米碳管的情況下提供所需的表面改性。
參考第5C圖，在其他實施例中，奈米管(例如，奈米碳管500)的表面塗覆有一層508，層508促進奈米 碳管500的表面與塗層502之間的黏附。藉由諸如ALD及PEALD的沉積製程將此類黏附促進材料塗覆到奈米碳管500的表面上。層508的材料的實例包括可藉由ALD或PEALD製程沉積並促進奈米碳管500的表面與塗層502之間的黏附的非晶碳或其他材料。根據本揭示案的另一個實施例，層508為保護層，用於保護奈米管不被用於沉積塗層502的PEALD製程的電漿劣化。當在奈米管上形成保護層時，其藉由第一沉積製程形成，例如，在沒有任何電漿的情況下藉由熱原子層沉積製程形成。為了在奈米管上形成多個保護層，可採用第一沉積製程的多個循環。在奈米管上已經形成一或多個保護層之後，可以使用第二沉積製程(例如，電漿增強原子層沉積(PEALD)技術)沉積塗層502。由於保護層的存在，PEALD製程的電漿不會損壞膜的奈米管。用作保護層的材料實例包括上文用於形成塗層502的相同材料。
參考第6A圖，在光學組件(例如，薄膜306)中利用奈米管的另一實施例包括捆綁多個奈米管。在第6A圖中，七個奈米管600a-600g被捆綁以形成奈米管束602。已知用於捆綁奈米管以形成在根據本揭示案的實施例中有用的奈米管束602的技術。在其他實施例中，構成奈米管束602的奈米管數量小於7或大於7。減少形成奈米管束602的單個奈米碳管的數量可降低奈米管束602的折射率。如上所述，降低折射率具有降低入射EUV輻射散射的效果，其具有增加入射EUV輻射透射的效果。因此， 在一些實施例中，與包含大量單個奈米管的奈米管束相比，將優選包含較少單個奈米管的奈米管束。
參考第6B圖，根據本揭示案的實施例，奈米管束602塗覆有塗層604或被塗層604包圍。上文用於塗層404及406的材料的描述適用於用於塗層604的材料。在第6B圖所示的實施例中，塗層604顯示為圍繞奈米管束602，但未覆蓋單個奈米管600a~600g的所有表面。根據其他實施例，塗層604塗覆的單個奈米管600a~600b的表面比第6B圖所示的多。例如，塗層604可塗覆暴露在奈米管束602外部的奈米管600a~600e及600g的表面。在此種實施例中，奈米管600f的外表面未塗覆塗層604。在其他實施例中，七個奈米管600a~600g中的每一個的外表面塗覆有構成塗層604的材料。在其他實施例中，透明層包括部分或完全塗覆有塗層604的單個奈米管，捆綁形成奈米管束602，隨後用塗層604的附加層塗覆/包圍奈米管束。在一些實施例中，塗層604覆蓋其所在的奈米管的整個表面；然而，在其他實施例中，塗層覆蓋的面積小於其所在奈米管的整個表面。
在第6A圖及第6B圖的實施例中，將單個奈米管顯示為緊密地組裝在一起。在其他實施例中，單個奈米管可不像第6A圖及第6B圖中所示那樣緊密地包裝。例如，在其他實施例中，奈米管的外表面的部分可以彼此不接觸。
在另一實施例中，薄膜306包括複數個奈米管束 602及複數個單獨的未成束的奈米碳管500。在實施例中，根據上文描述塗覆複數個奈米管束602及複數個單獨的未成束的奈米碳管500。
上文關於選擇用於塗層404的特定材料的描述同樣適用於選擇用於塗層604的特定材料。上文關於層508作為黏附層或保護層的描述同樣適用於層508與第6A圖及第6B圖的奈米管束以及塗層604的結合使用。
根據第5A圖、第5B圖、第6A圖及第6B圖的奈米管實施例提供了一種薄膜306，此薄膜可透射入射到透明層上的85%或更多的UV或EUV輻射。在其他實施例中，包含塗覆的奈米管或塗覆的奈米管束的薄膜306透射入射到透明層上的90%或更多的UV或EUV輻射。在一些實施例中，包含塗覆的奈米管或塗覆的奈米管束的薄膜306透射入射到透明層上的95%或更多的UV或EUV輻射。
第7A圖為沉積塗層之前奈米管基材的表面的圖像。第7B圖為塗覆塗層後第7A圖的奈米管基材的圖像。第7C圖為第7B圖的一部分的放大圖。第7D圖為第7B圖的一部分的放大圖。
參考第8圖，參考第1圖及第4A圖~第4D圖說明及描述根據本揭示案實施例的用於在EUV微影系統中在半導體基板上圖案化材料的方法800。方法包括在步驟820中產生EUV輻射。例如，如上所述，可以利用第1圖的輻射源102產生EUV輻射。在步驟830中，產生的 EUV輻射穿過薄膜的塗層。塗層的實例包括塗層404、406、502或604。根據上述相同的操作，將產生的EUV輻射穿過塗層。薄膜的一個實例為薄膜306。在步驟840，EUV輻射穿過薄膜的透明層。薄膜透明層的實例包括上文參考第4A圖~第4C圖描述的透明層402。可根據上述描述，使EUV輻射穿過薄膜的透明層。在步驟850，已穿過薄膜透明層的EUV輻射從遮罩反射。適於反射EUV輻射的遮罩的實例為上述遮罩108。遮罩108反射如上所述的EUV輻射。在步驟860，在半導體基板處接收EUV輻射。半導體基板的實例為上述半導體基板116。
參考第9圖，下文參考第1圖及第4A圖~第4D圖說明及描述根據本揭示案實施例的用於在EUV微影系統中在半導體基板上圖案化材料的方法900。方法包括在步驟920中產生EUV輻射。例如，如上所述，可以利用第1圖的輻射源102產生EUV輻射。在步驟930中，產生的EUV輻射穿過薄膜的塗層。塗層的實例包括塗層404、406、502或604。根據上述相同的操作，將產生的EUV輻射穿過塗層。薄膜的一個實例為薄膜306。在步驟940，EUV輻射穿過膜的奈米管基材。薄膜的奈米管實例包括上文參考第5A圖、第5B圖、第6A圖及第6B圖所述的奈米管及奈米管束。可根據上述描述使EUV輻射穿過薄膜的奈米管基材。在步驟950，已穿過薄膜的奈米管基材的EUV輻射從遮罩反射。適於反射EUV輻射的遮罩的實例為上述遮罩108。遮罩108反射如上所述的EUV輻射。 在步驟960，在半導體基板處接收EUV輻射。半導體基板的實例為上述半導體基板116。
第11圖為圖示根據本揭示案的用於在透明層402或形成膜950中的奈米管基材上形成保護層、黏附層或塗層的方法的流程圖。在第11圖的方法1000中，作為膜950提供的透明層402或奈米管基材(例如，在框架或邊界952上)例如垂直地支撐在腔室942中，此腔室能夠執行熱ALD或CVD製程及電漿增強ALD或CVD製程。透明層402或框架952被支撐在腔室942內，使得它們具有多個移動自由度。例如，在第10圖所示的實施例中，框架952可以繞垂直軸旋轉，或者可以繞水平軸傾斜。根據本揭示案的實施例不限於圍繞垂直通道旋轉框架或圍繞水平軸傾斜框架。在其他實施例中，除了繞垂直軸旋轉或繞水平軸傾斜之外，框架還具有移動自由。此種旋轉及傾斜可在熱處理及/或電漿增強製程期間實現，以促進膜950的奈米管均勻地塗覆塗層、黏附層或保護層。保持腔室內的條件以促進塗層、黏附層或保護層的均勻沉積，例如，溫度在攝氏500度到攝氏1200度之間。藉由提供來自腔室壁或與腔室壁相關聯的加熱器的熱能來提供這種溫度。根據本揭示案的用於在奈米管基材或透明層402上形成保護層、黏附層或塗層的實施例不限於利用熱PVD或CVD以及電漿增強PVD或CVD。例如，可以使用離子束沉積技術形成此類層。上述關於利用熱PVD或CVD及電漿增強PVD或CVD的描述也適用於離子束沉積的使用。在步 驟1030，藉由熱原子層沉積製程在膜的透明層或奈米管上形成保護層。在步驟1040，藉由電漿增強原子層沉積在保護層上形成塗層。第10圖所示的腔室942為可以進行熱原子層沉積及電漿增強原子層沉積的腔室的實例。方法1000不限於使用單個腔室，在此單個腔室中進行熱及電漿增強原子層沉積。例如，在其他實施例中，熱沉積製程可以在一個腔室中進行，而電漿增強沉積可以在另一個不同的腔室中進行。
在一個實施例中，本揭示案描述了一種光學組件，例如薄膜組件，包括複數個奈米管束的基材。在此種實施例中，在複數個奈米管束的基材上提供塗層。塗層圍繞這些奈米管束的各者中的各個奈米管。
在一些實施例中，塗層包括硼(B)、硼矽氮化物(BNSi)、氮化矽(Si3N4)、二氮化矽(SiN2)、鈮(Nb)、氮化鈮(NbN)、單矽化鈮(NbSi)、矽化鈮(NbSi2)、鈮矽氮化物(NbSiN)、鈮鈦氮化物、鉬(Mo)、氮化鉬(MoN2)、碳化二鉬(Mo2C)、Mo4C、矽化鉬(MoSi2)、矽鉬氮化物、氮化鋯(ZrN)、氟化鋯(ZrF4)、氮化釔(YN)、氟化釔(YF)、氮化鈦(TiN)、鈦碳氮化物、氮化鉿、氟化鉿(HfF4)及氮化釩(VN)中的一種或多種。
在一些實施例中，塗層包括硼(B)、硼矽氮化物(BNSi)、氮化矽(Si3N4)、二氮化矽(SiN2)、鈮(Nb)、氮化鈮(NbN)、單矽化鈮(NbSi)、矽化鈮(NbSi2)、鈮矽氮化物(NbSiN)、鈮鈦氮化物、氮化鋯(ZrN)、氟化鋯 (ZrF4)、氮化釔(YN)、氟化釔(YF)、氮化鈦(TiN)、鈦碳氮化物、氮化鉿、氟化鉿(HfF4)及氮化釩(VN)中的一種或多種。
在一些實施例中，光學組件進一步包括複數個單獨的未成束的奈米管。
在一些實施例中，一塗層位於這些單獨的未成束的奈米管上。
在一些實施例中，這些奈米管束上的塗層包括在奈米管束上的塗層及在奈米管束的複數個單獨的奈米碳管上的塗層。
在一些實施例中，這些奈米管束包括複數個奈米碳管。
根據本文揭示的實施例的第二態樣，提供了一種使用遮罩薄膜系統的方法，包括在EUV微影系統中產生EUV輻射。EUV輻射穿過薄膜的塗層。已穿過薄膜塗層的EUV輻射可穿過薄膜的透明層。已穿過薄膜透明層的EUV輻射從遮罩反射並在半導體基板處被接收。
在一些實施例中，薄膜的透明層包括多晶矽(poly-Si)、非晶矽(a-Si)、摻雜矽或摻雜矽基化合物、奈米碳管、矽碳奈米管或氮化硼奈米管。
在一些實施例中，薄膜的透明層包括多晶矽(poly-Si)、氮化矽、碳化矽(SiC)或鉬矽氮化物。
在一些實施例中，塗層包括硼(B)、氮化硼(BN)、氮化硼矽(BNSi)、碳化硼(B4C)、碳化硼矽(BCSi)、一 氮化矽(SiN)、氮化矽(Si3N4)、二氮化矽(SiN2)、碳化矽(SiC)、氮碳化矽、鈮(Nb)、氮化鈮(NbN)、單矽化鈮(NbSi)、矽化鈮(NbSi2)、氮化鈮矽(NbSiN)、氮化鈮鈦、氮化鋯(ZrN)、氟化鋯(ZrF4)、氮化釔(YN)、氟化釔(YF)、鉬(Mo)、氮化鉬(MoN2)、碳化二鉬(Mo2C)、Mo4C、釕鈮合金(RuNb)、釕矽氮化物(RuSiN)、氮化鈦(TiN)、鈦碳氮化物、氮化鉿、氟化鉿(HfF4)及氮化釩(VN)中的一種或多種。
在一些實施例中，塗層包括硼(B)、硼矽氮化物(BNSi)、氮化矽(Si3N4)、二氮化矽(SiN2)、鈮(Nb)、氮化鈮(NbN)、單矽化鈮(NbSi)、矽化鈮(NbSi2)、鈮矽氮化物(NbSiN)、鈮鈦氮化物、氮化鋯(ZrN)、氟化鋯(ZrF4)、氮化釔(YN)、氟化釔(YF)、氮化鈦(TiN)、鈦碳氮化物、氮化鉿、氟化鉿(HfF4)及氮化釩(VN)中的一種或多種。
在一些實施例中，方法進一步包含將已穿過薄膜之透明層的極紫外輻射傳遞至薄膜之第二塗層的步驟。
在一些實施例中，使極紫外輻射穿過薄膜的塗層的步驟包括使極紫外輻射穿過第一塗層，隨後使已穿過第一塗層的極紫外輻射穿過第二塗層，然後使極紫外輻射穿過透明層。
根據本文揭示的實施例的第三態樣，提供了一種方法，包括在EUV微影系統中產生EUV輻射。EUV輻射穿過薄膜的塗層。已穿過薄膜塗層的EUV輻射可穿過薄膜 的奈米管基材。已穿過薄膜的奈米管基材的EUV輻射從遮罩反射並在半導體基板處被接收。
在一些實施例中，一種形成光學組件的方法包括以下操作，形成奈米管基材。藉由第一製程在奈米管基材的這些奈米管上形成保護層。藉由第二製程在保護層上形成塗層。
在一些實施例中，奈米管基材的這些奈米管包括複數個單獨的未成束的奈米管。
在一些實施例中，奈米管基材的這些奈米管包括複數個成束的奈米管。
在一些實施例中，這些成束奈米管包括七個或更多個單獨的奈米管。
在一些實施例中，這些奈米管為奈米碳管。
在一些實施例中，藉由第一製程進行的形成包括使用兩個或更多個熱原子層沉積循環來成形兩個或更多個保護層。
可以組合上述各種實施例以提供進一步的實施例。如有必要，可以修改實施例的態樣，以採用各種專利、申請及公開案的概念來提供進一步的實施例。
根據上述詳細描述，可以對實施例進行這些及其他改變。一般而言，在以下專利申請範圍中，所使用的術語不應被解釋為將請求項局限於說明書及專利申請範圍中揭示的特定實施例，而應被解釋為包括所有可能的實施例以及專利申請範圍所享有的全部等同物範圍。因此，專利申 請範圍不受本揭示案的限制。
108:遮罩
202:基板
203:背面塗層
204:多層結構
206:覆蓋層
208:吸收體
210:防反射塗層

Claims (10)

  1. 一種光學組件，包括：複數個奈米管束的一基材；一第一塗層，位於該基材的一外表面上；一第二塗層，位於該基材的一內表面上；以及一第三塗層，於該些奈米管束上，該第三塗層圍繞該些奈米管束的各者中的各個奈米管。
  2. 如請求項1所述的光學組件，其中該第一塗層包括硼(B)、硼矽氮化物(BNSi)、氮化矽(Si3N4)、二氮化矽(SiN2)、鈮(Nb)、氮化鈮(NbN)、單矽化鈮(NbSi)、矽化鈮(NbSi2)、鈮矽氮化物(NbSiN)、鈮鈦氮化物、鉬(Mo)、氮化鉬(MoN2)、碳化二鉬(Mo2C)、Mo4C、矽化鉬(MoSi2)、矽鉬氮化物、氮化鋯(ZrN)、氟化鋯(ZrF4)、氮化釔(YN)、氟化釔(YF)、氮化鈦(TiN)、鈦碳氮化物、氮化鉿、氟化鉿(HfF4)及氮化釩(VN)中的一種或多種。
  3. 如請求項1所述的光學組件，進一步包括複數個單獨的未成束的奈米管。
  4. 一種使用遮罩薄膜系統的方法，包括：在一極紫外光微影系統中產生極紫外輻射；將該極紫外輻射穿過一薄膜的一第一塗層； 將已穿過該第一塗層的該極紫外輻射穿過該薄膜的一透明層，其中該透明層包括複數個奈米管以及圍繞該些奈米管的一第二塗層；從一遮罩反射已穿過該透明層的該極紫外輻射；以及在一半導體基板上接收由該遮罩反射的該極紫外輻射。
  5. 如請求項4所述的方法，其中該薄膜的該透明層包括多晶矽(poly-Si)、非晶矽(a-Si)、摻雜矽或摻雜矽基化合物、奈米碳管、矽碳奈米管或氮化硼奈米管。
  6. 如請求項4所述的方法，其中該薄膜的該透明層包括多晶矽(poly-Si)、氮化矽、碳化矽(SiC)或鉬矽氮化物。
  7. 如請求項6所述的方法，其中該第一塗層包括硼(B)、氮化硼(BN)、氮化硼矽(BNSi)、碳化硼(B4C)、碳化硼矽(BCSi)、一氮化矽(SiN)、氮化矽(Si3N4)、二氮化矽(SiN2)、碳化矽(SiC)、氮碳化矽、鈮(Nb)、氮化鈮(NbN)、單矽化鈮(NbSi)、矽化鈮(NbSi2)、氮化鈮矽(NbSiN)、氮化鈮鈦、氮化鋯(ZrN)、氟化鋯(ZrF4)、氮化釔(YN)、氟化釔(YF)、鉬(Mo)、氮化鉬(MoN2)、碳化二鉬(Mo2C)、Mo4C、釕鈮合金(RuNb)、釕矽氮化物(RuSiN)、氮化鈦(TiN)、鈦碳氮化物、氮化鉿、氟化鉿(HfF4)及氮化釩(VN)中的一種或多種。
  8. 一種形成光學組件的方法，包括：形成一奈米管基材，其中該奈米管基材包括配置成面向一遮罩的一內表面和相對於該內表面的一外表面；藉由一第一製程在該奈米管基材的複數個奈米管上形成一保護層；以及藉由一第二製程在該保護層上形成一塗層，其中該塗層位於該奈米管基材的該外表面上。
  9. 如請求項8所述的方法，其中該奈米管基材的該些奈米管包括複數個單獨的未成束的奈米管。
  10. 如請求項8所述的方法，其中該奈米管基材的該些奈米管包括複數個成束的奈米管。
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