TWI801580B - 感光性元件、抗蝕劑圖案的形成方法及印刷配線板的製造方法 - Google Patents
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Abstract
一種感光性元件,其依序包括支撐膜、阻障層及感光層,且所述感光性元件中,所述阻障層含有水溶性樹脂與紫外線吸收劑。
Description
本揭示是有關於一種感光性元件、阻障層形成用樹脂組成物、抗蝕劑圖案的形成方法及印刷配線板的製造方法。
先前,於印刷配線板的製造領域中,作為蝕刻處理或鍍敷處理等中所使用的抗蝕劑材料,廣泛地使用感光性樹脂組成物及於支撐膜上具備使用感光性樹脂組成物所形成的層(以下,亦稱為「感光層」)的感光性元件。
印刷配線板是使用所述感光性元件,並藉由例如以下的程序來製造。即,首先將感光性元件的感光層層壓於覆銅積層板等電路形成用基板上。此時,以感光層的與接觸支撐膜的面為相反側的面密接於電路形成用基板的形成電路的面的方式進行層壓。另外,層壓例如藉由將感光層加熱壓接於電路形成用基板上來進行(常壓層壓法)。
其次,使用遮罩膜等,介隔支撐膜對感光層的所期望的區域進行曝光,藉此產生自由基。所產生的自由基經過幾個反應路徑,而有助於光聚合性化合物的交聯反應(光硬化反應)。繼而,將支撐膜剝離後,利用顯影液將感光層的未硬化部溶解或分散去除,而形成抗蝕劑圖案。其次,將抗蝕劑圖案作為抗蝕劑,實施蝕刻處理或鍍敷處理而形成導體圖案,最後將感光層的光硬化部(抗蝕劑圖案)剝離(去除)。
且說,近年來,正在研究於曝光前將支撐膜剝離後對感光層進行曝光,藉此形成優異的抗蝕劑圖案的方法。但是,當於剝離支撐膜後對感光層進行曝光時,因所產生的自由基與空氣中的氧接觸,而使自由基迅速地穩定化(失活),從而導致光聚合性化合物的光硬化反應難以進行。因此,於該方法中,出於減輕將支撐膜剝離後進行曝光時的伴隨氧混入的影響的目的,正在研究使用在支撐膜與感光層之間具備具有阻氣性的阻障層(中間層)的感光性元件(例如,參照專利文獻1~專利文獻3)。
[現有技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本專利第5483734號公報
[專利文獻2]日本專利特開2013-24913號公報
[專利文獻3]日本專利第5551255號公報
[發明所欲解決之課題]
作為對感光層進行曝光的方法,為了達成高解析度,而利用使用投影曝光機的曝光方式。該曝光方式為使用投影有光罩的圖像的光化射線並介隔透鏡呈圖像狀地照射的方法。使用投影曝光機的曝光方式亦可適用於如所述專利文獻1~專利文獻3中所記載般的包括含有水溶性樹脂的阻障層的感光性元件。然而,投影曝光機通常使用高照度燈,因此存在如下問題:若不使進行曝光的感光層的感度降低,則難以獲得高解析度。認為其原因在於:若感光層的感度過高,則藉由曝光而產生過剩的自由基,硬化物的分子鏈長容易變短,此種硬化物容易分散於顯影液中。
迄今為止,作為使感光層的感度降低的方法,報告有增加聚合抑制劑等反應抑制劑於感光層中的添加量;或減少感光層的光聚合起始劑或光增感劑的添加量等方法。
然而,通常而言,提昇解析度的能力高的聚合抑制劑的低分子成分多且於製造感光性元件的乾燥過程中容易揮發,因此於增量聚合抑制劑等的方法中,難以獲得穩定的感度。另外,於減少光聚合起始劑成分等的方法中,於圖案化後產生所形成的抗蝕劑形狀的惡化及抗蝕劑底部的殘渣量的變化,因此存在難以調整的問題。
本揭示是鑒於所述先前技術所具有的課題而成者,其目的在於提供一種即便不進行聚合抑制劑的增量或光聚合起始劑的減量亦可使感度適度降低並提昇解析度的感光性元件、阻障層形成用樹脂組成物、抗蝕劑圖案的形成方法及印刷配線板的製造方法。
[解決課題之手段]
為了達成所述目的,本揭示提供一種感光性元件,其依序包括支撐膜、阻障層及感光層,且所述感光性元件中,所述阻障層含有水溶性樹脂與紫外線吸收劑。
本揭示的感光性元件藉由阻障層含有紫外線吸收劑,即便不進行聚合抑制劑的增量或光聚合起始劑的減量,亦可使感度適度降低並提昇解析度。根據所述感光性元件,即便使用高照度的投影曝光機,亦可以最佳的感度進行曝光,因此可抑制解析度降低。另外,由於即便不增加聚合抑制劑的使用量,亦可提昇解析度,因此可抑制感光性元件的感度不穩定性。因此,亦可以說藉由使用本揭示的感光性元件,可形成解析度優異的抗蝕劑圖案。
於所述本揭示的感光性元件中,所述紫外線吸收劑對於20℃的水的溶解度可為0.1 g/100 mL-H2
O以上。根據所述感光性元件,可進一步抑制阻障層內的凝聚物或析出物的產生,從而可提供於實際應用上優異的感光性元件。
於所述本揭示的感光性元件中,以所述阻障層的總量為基準,所述阻障層中的所述紫外線吸收劑的含量可為超過0質量%且10.0質量%以下。
於所述本揭示的感光性元件中,所述阻障層的紫外線吸收率可為5%~95%。
於所述本揭示的感光性元件中,所述水溶性樹脂可包含聚乙烯醇。根據所述感光性元件,可進一步提昇阻障層的阻氣性,且可進一步抑制藉由曝光中所使用的光化射線所產生的自由基的失活。
於所述本揭示的感光性元件中,所述支撐膜可為聚酯膜。根據所述感光性元件,可提昇支撐膜的機械強度及耐熱性,並且可抑制於支撐膜上形成阻障層時所產生的阻障層的皺褶等不良,從而可提昇作業性。
另外,本揭示提供一種阻障層形成用樹脂組成物,其含有水溶性樹脂、紫外線吸收劑及水。
於本揭示的阻障層形成用樹脂組成物中,所述紫外線吸收劑對於20℃的水的溶解度可為0.1 g/100 mL-H2
O以上。根據所述阻障層形成用樹脂組成物,可進一步抑制所獲得的阻障層內的凝聚物或析出物的產生,從而可提供於實際應用上優異的阻障層。
於本揭示的阻障層形成用樹脂組成物中,相對於所述水500質量份,所述紫外線吸收劑的含量可為0.1質量份~10.0質量份。
關於本揭示的阻障層形成用樹脂組成物,製成厚度5 μm的乾燥膜時的紫外線吸收率可為5%~95%。
於本揭示的阻障層形成用樹脂組成物中,所述水溶性樹脂可包含聚乙烯醇。根據所述阻障層形成用樹脂組成物,可形成阻氣性更優異的阻障層。
另外,本揭示提供一種抗蝕劑圖案的形成方法,其包括:使用所述本揭示的感光性元件,於基板上自該基板側起依序配置感光層、阻障層及支撐膜的步驟;將所述支撐膜去除,利用光化射線介隔所述阻障層對所述感光層進行曝光的步驟;以及將所述感光層的未硬化部及所述阻障層自所述基板上去除的步驟。根據所述抗蝕劑圖案的形成方法,使用所述本揭示的感光性元件來形成抗蝕劑圖案,因此可形成解析度優異的抗蝕劑圖案。
進而,本揭示提供一種印刷配線板的製造方法,其包括:對藉由所述本揭示的抗蝕劑圖案的形成方法而形成有抗蝕劑圖案的基板進行蝕刻處理或鍍敷處理,從而形成導體圖案的步驟。根據所述印刷配線板的製造方法,藉由所述本揭示的抗蝕劑圖案的形成方法來形成抗蝕劑圖案,因此可提供一種可形成解析度優異的抗蝕劑圖案,且適於印刷配線板的高密度化的印刷配線板的製造方法。
[發明的效果]
根據本揭示,可提供一種即便不進行聚合抑制劑的增量或光聚合起始劑的減量亦可使感度適度降低並提昇解析度的感光性元件、阻障層形成用樹脂組成物、抗蝕劑圖案的形成方法及印刷配線板的製造方法。
以下,視需要一面參照圖式,一面對本揭示的適宜的實施形態進行詳細說明。於以下的實施形態中,當然除特別明示的情況及認為原理上明顯需要的情況等以外,其構成要素(亦包含要素步驟等)未必是必需。數值及其範圍亦同樣如此,應解釋成並非不當地限制本揭示者。
再者,於本說明書中,所謂(甲基)丙烯酸,是指丙烯酸及與其對應的甲基丙烯酸的至少一者。另外,(甲基)丙烯酸酯等其他類似表達亦同樣如此。只要無特別說明,則以下例示的材料可單獨使用一種,亦可將兩種以上組合使用。關於組成物中的各成分的含量,於在組成物中存在多種與各成分相符的物質的情況下,只要無特別說明,則是指存在於組成物中的該多種物質的合計量。
另外,於本說明書中,「步驟」這一用語不僅是指獨立的步驟,即便於無法與其他步驟明確地加以區分的情況下,只要達成該步驟的預期的作用,則亦包含於本用語中。
進而,於本說明書中,使用「~」來表示的數值範圍表示包含「~」的前後所記載的數值分別作為最小值及最大值的範圍。另外,於本說明書中階段性地記載的數值範圍內,某一階段的數值範圍的上限值或下限值可替換成其他階段的數值範圍的上限值或下限值。另外,於本說明書中所記載的數值範圍內,該數值範圍的上限值或下限值可替換成實施例中所示的值。另外,於本說明書中,「層」這一用語於作為平面圖進行觀察時,除整面地形成的形狀結構以外,亦包含部分地形成的形狀結構。
[感光性元件]
如圖1所示,本實施形態的感光性元件1依序包括支撐膜2、阻障層3及感光層4,亦可進而包括保護層5等其他層。另外,所述阻障層含有水溶性樹脂與紫外線吸收劑。藉由使用本實施形態的感光性元件,可利用阻障層吸收曝光光線,使感度最佳化並提昇解析度,因此於實際應用上優異。以下,對本實施形態的感光性元件中的各層進行詳述。
<支撐膜>
作為本實施形態的支撐膜,可無特別限制地使用。例如可列舉:聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate,PET)、聚對苯二甲酸丁二酯(polybutylene terephthalate,PBT)及聚2,6-萘二甲酸乙二酯(polyethylene-2,6-naphthalate,PEN)等的聚酯膜,以及聚丙烯及聚乙烯等的聚烯烴膜。其中,可使用聚酯膜。藉由使用聚酯膜作為支撐膜,而存在可提昇支撐膜的機械強度及對熱的耐性的傾向。另外,藉由使用聚酯膜,而存在可抑制於支撐膜上形成阻障層時所產生的阻障層的皺褶等不良,從而可提昇作業性的傾向。另外,就可抑制抗蝕劑圖案的微小的脫落的產生的觀點而言,可使用含有粒子(潤滑劑等)的聚酯膜。於使用含有粒子(潤滑劑等)的聚酯膜的情況下,可於具有粒子(潤滑劑等)一側的面上形成阻障層。作為此種聚酯膜,例如可使用揉入有粒子(潤滑劑等)的聚酯膜、於兩面形成有含有粒子(潤滑劑等)的層的聚酯膜或於單面形成有含有粒子(潤滑劑等)的層的聚酯膜。再者,支撐膜可為單層亦可為多層。
作為對支撐膜附加潤滑劑等粒子的方法,例如可列舉:將粒子(潤滑劑等)揉入支撐膜中的方法;使用輥塗、流塗、噴塗、簾式流塗、浸塗、縫模塗佈等公知的方法於支撐膜上形成含有粒子(潤滑劑等)的層的方法。
支撐膜的霧值(Haze)可為0.01%~5.0%、0.01%~1.5%、0.01%~1.0%或0.01%~0.5%。藉由該霧值為0.01%以上,而存在容易製造支撐膜本身的傾向,若為5.0%以下,則於形成感光性元件的感光層時,存在容易檢測出感光層中的異物的傾向。此處,所謂「霧值」,是指霧度。本揭示中的霧值是指依據日本工業標準(Japanese Industrial Standard,JIS)K 7105中所規定的方法,使用市售的霧度計(濁度計)所測定的值。霧值例如能夠利用NDH-5000(日本電色工業股份有限公司製造,商品名)等市售的濁度計來測定。
另外,支撐膜可自市售的一般工業用膜中獲得能夠作為感光性元件的支撐膜而使用者,並進行適當加工來使用。具體而言,例如可列舉:作為PET膜的「FB-40」(東麗(Toray)股份有限公司製造,製品名),「A4100」、「A1517」(東洋紡織(Toyobo)股份有限公司製造,製品名),「G2H」(帝人杜邦薄膜(Teijin DuPont Films)股份有限公司製造,製品名)等。
支撐膜的厚度可為1 μm~200 μm、1 μm~100 μm、1 μm~60 μm、5 μm~60 μm、10 μm~60 μm、10 μm~50 μm、10 μm~40 μm、10 μm~30 μm或10 μm~25 μm。藉由支撐膜的膜厚為1 μm以上,而存在於剝離支撐膜時可抑制支撐膜破損的傾向。另外,藉由支撐膜的厚度為200 μm以下,而存在容易獲得經濟上的益處的傾向。
<阻障層>
本實施形態的感光性元件在支撐膜與感光層之間具備阻障層。另外,阻障層含有水溶性樹脂與紫外線吸收劑。根據本實施形態的感光性元件,即便於不增量聚合抑制劑於感光層中的添加量,亦可利用阻障層吸收曝光光線而成為最佳的感度,因此當在剝離支撐膜後介隔阻障層對感光層進行曝光時,可抑制所形成的抗蝕劑圖案的解析度的惡化。阻障層可為使用後述的本實施形態的阻障層形成用樹脂組成物所形成的層。本實施形態的阻障層形成用樹脂組成物含有水溶性樹脂、紫外線吸收劑及水。另外,阻障層可具有水溶性,亦可具有對於顯影液的溶解性。再者,就可進一步提昇阻障層的阻氣性的觀點而言,支撐膜與阻障層的黏著力可小於阻障層與感光層的黏著力。即,亦可以說當自感光性元件剝離支撐膜時,阻障層與感光層的無意的剝離得到抑制。
(水溶性樹脂)
此處,所謂「水溶性樹脂」,是指對於25℃的己烷100 mL的溶解度為5 g/100 mL-C6
H14
以下的樹脂。該溶解度可藉由將25℃的己烷與經乾燥的水溶性樹脂混合,並調查有無白濁來算出。具體而言,分別準備試料1及試料2,所述試料1是於帶有磨砂玻璃塞且無色透明的玻璃容器中,放入乾燥後的水溶性樹脂A(g)與己烷100 mL的混合液所得,所述試料2是於帶有磨砂玻璃塞且無色透明的玻璃容器中,僅放入己烷100 mL所得。繼而,將玻璃容器內的試料充分振盪混合後,確認泡消失。於剛確認後在擴散晝光或與其同等程度的光下,使兩容器並排,對試料1的液的狀態與試料2的液的狀態進行比較。對試料1與試料2進行比較,將開始觀察到試料1更混濁或開始觀察到固體成分的懸浮時的添加量A(g)設為該水溶性樹脂對於25℃的己烷100 mL的溶解度。
作為水溶性樹脂,例如可列舉:聚乙烯醇、聚乙烯吡咯啶酮、水溶性聚醯亞胺等。就進一步提昇阻障層的阻氣性、進一步抑制藉由曝光中所使用的光化射線所產生的自由基的失活的觀點而言,水溶性樹脂可含有聚乙烯醇。聚乙烯醇例如可對使乙酸乙烯酯進行聚合所獲得的聚乙酸乙烯酯進行皂化而獲得。本實施形態中所使用的聚乙烯醇的皂化度可為50莫耳%以上、70莫耳%以上或80莫耳%以上。再者,所述皂化度的上限為100莫耳%。藉由含有皂化度為50莫耳%以上的聚乙烯醇,而存在可進一步提昇阻障層的阻氣性,從而進一步提昇所形成的抗蝕劑圖案的解析度的傾向。再者,本說明書中的「皂化度」是指依據日本工業規格中所規定的JIS K 6726(1994)(聚乙烯醇的試驗方法)所測定的值。
所述聚乙烯醇亦可併用皂化度、黏度、聚合度、改質種等不同的兩種以上的聚乙烯醇。聚乙烯醇的平均聚合度可為300~5000、300~3500或300~2000。另外,所述水溶性樹脂可單獨使用一種或將兩種以上組合使用。水溶性樹脂例如可含有聚乙烯醇及聚乙烯吡咯啶酮。於該情況下,聚乙烯醇與聚乙烯吡咯啶酮的質量比(PVA(polyvinyl alcohol):PVP(polyvinyl pyrrolidone))可為40:60~90:10、50:50~90:10或60:40~90:10。
就提昇阻氣性的觀點而言,相對於水500質量份,本實施形態的阻障層形成用樹脂組成物中的水溶性樹脂的含量可為50質量份~300質量份、60質量份~250質量份、70質量份~200質量份、80質量份~150質量份或80質量份~125質量份。
(紫外線吸收劑)
紫外線吸收劑(UV吸收劑)為於300 nm~400 nm的波長範圍內具有光吸收帶的化合物。紫外線吸收劑可為水溶性。就進一步提昇解析度的觀點而言,紫外線吸收劑可於250 nm~500 nm的波長範圍內具有最大吸收波長。藉由含有該些紫外線吸收劑,可提昇解析度。
紫外線吸收劑的i射線吸收率可為5%~95%、10%~90%或15%~75%。i射線吸收率可利用紫外可見分光光度計來測定。
所述紫外線吸收劑可單獨使用一種或將兩種以上組合使用。另外,就可抑制阻障層中的紫外線吸收劑的凝聚及析出的觀點而言,對於20℃的水的溶解度可為0.01 g/100 mL-H2
O以上、0.1 g/100 mL-H2
O以上或1 g/100 mL-H2
O以上。
作為紫外線吸收劑,可列舉:氧二苯甲酮化合物、***化合物、苯并***化合物、水楊酸酯化合物、二苯甲酮化合物、二苯基丙烯酸酯化合物、氰基丙烯酸酯化合物、二苯基氰基丙烯酸酯化合物、鐵或鎳錯鹽化合物等。該些中,就進一步提昇解析度的觀點而言,較佳為氧二苯甲酮化合物、二苯甲酮化合物,更佳為二苯甲酮磺酸化合物,進而佳為氧二苯甲酮磺酸化合物。再者,所謂「二苯甲酮磺酸化合物」為於二苯甲酮化合物中具有磺基的化合物,且二苯甲酮磺酸化合物可為水合物。該些化合物藉由在二苯甲酮骨架中具有親水性的磺基,二苯甲酮骨架與抗蝕劑的親和性變高,另一方面,磺基與阻障層的親和性變高,藉此推測可使解析度與阻障層的去除性併存。另外,氧二苯甲酮化合物中,較佳為下述式(1)所表示的2-羥基-4-甲氧基二苯甲酮-5-磺酸水合物。
[化3]
就進一步提昇解析度的觀點而言,相對於所述水500質量份,本實施形態的阻障層形成用樹脂組成物中的紫外線吸收劑的含量可為0.1質量份~10.0質量份、0.3質量份~7.0質量份或0.5質量份~4.0質量份。另外,紫外線吸收劑的含量越少,所獲得的抗蝕劑圖案的抗蝕劑圖案形狀越良好。特別是,若相對於水500質量份,紫外線吸收劑的含量為4.0質量份以下,則可形成抗蝕劑圖案形狀更優異的抗蝕劑圖案。
就使抗蝕劑圖案形狀良好並且進一步提昇解析度的觀點而言,以阻障層的總量(形成阻障層的阻障層形成用樹脂組成物的固體成分總量)為基準,本實施形態的阻障層中的紫外線吸收劑的含量可為超過0質量%且10.0質量%以下、0.01質量%~6.5質量%、0.01質量%~5.0質量%、0.01質量%~4.0質量%、0.01質量%~2.0質量%或0.05質量%~1.5質量%。另外,紫外線吸收劑的含量越少,所獲得的抗蝕劑圖案的抗蝕劑圖案形狀越良好。特別是,若以阻障層的總量為基準,紫外線吸收劑的含量為0.5質量%以下,則可形成抗蝕劑圖案形狀更優異的抗蝕劑圖案。另一方面,就獲得更優異的解析度的觀點而言,以阻障層的總量為基準,紫外線吸收劑的含量可為1.5質量%以上,亦可為1.8質量%以上。
本實施形態的阻障層對於波長365 nm的光的吸光度可為0.01~2.0,亦可為0.1~1.0。若吸光度為0.01以上,則存在可獲得更優異的解析度的傾向,若為2.0以下,則存在所獲得的抗蝕劑圖案的抗蝕劑圖案形狀更良好的傾向。阻障層的吸光度例如可使用UV分光光度計(日立製作所股份有限公司製造,分光光度計U-3310)來測定。測定是藉由如下方式進行:將於支撐膜上形成有任意厚度的阻障層的積層膜置於測定側,將支撐膜置於參照側,藉由吸光度模式來連續測定波長300 nm~700 nm,並讀取波長365 nm下的值。
(其他成分)
本實施形態的阻障層形成用樹脂組成物可包含碳數3以上的醇類。碳數3以上的醇類可為一元醇類,亦可為多元醇類(後述多元醇化合物的塑化劑除外)。碳數3以上的醇類可含有選自由下述化學式(2)~化學式(4)所表示的化合物及下述通式(5)所表示的化合物所組成的群組中的至少一種。藉由含有該些碳數3以上的醇類,可提昇阻障層與支撐膜的剝離性。因此,當自感光性元件剝離支撐膜時,可抑制阻障層與感光層的無意的剝離,且可抑制由所述無意的剝離所引起的阻氣性的降低及解析度的降低。
[化4]
[化5]
[化6]
[化7]
通式(5)中,R11
表示烷基,R12
表示伸烷基。另外,R11
的基與R12
的基的碳數之和為3以上。另外,就進一步提昇與水的親和性的觀點而言,R11
的基與R12
的基的碳數之和可為10以下、8以下、7以下或5以下。R11
所表示的烷基可為碳數1~4的烷基,R12
所表示的伸烷基可為碳數1~3的伸烷基。另外,通式(5)所表示的碳數3以上的醇類可為2-丁氧基-乙醇或1-甲氧基-2-丙醇。
所述碳數3以上的醇類可單獨使用一種或將兩種以上組合使用。另外,就可進一步抑制阻障層的層分離的觀點而言,碳數3以上的醇類對於20℃的水的溶解度可為300 mL/100 mL-H2
O以上、500 mL/100 mL-H2
O以上或1000 mL/100 mL-H2
O以上。
本說明書中的所謂「碳數3以上的醇類對於20℃的水的溶解度」可藉由將該醇類與20℃的水混合,並調查有無白濁來算出。具體而言,分別準備試料3及試料4,所述試料3是於帶有磨砂玻璃塞且無色透明的玻璃容器中,放入該醇類A mL與水100 mL的混合液所得,所述試料4是於帶有磨砂玻璃塞且無色透明的玻璃容器中,僅放入水(100 mL)所得。繼而,將玻璃容器內的試料3及試料4分別充分振盪混合後,確認泡消失。於剛確認後在擴散晝光或與其同等程度的光下,使兩容器並排,對試料3內的液的狀態與試料4內的液的狀態進行比較。對試料3與試料4進行比較,將觀察到試料3更混濁時的該醇類的添加量A mL設為該醇類對於20℃的水的溶解度。
相對於水500質量份,本實施形態的阻障層形成用樹脂組成物中的碳數3以上的醇類的含量可為100質量份~500質量份或125質量份~450質量份。若該含量為100質量份以上,則存在所形成的阻障層與支撐膜的剝離性提昇的傾向,若為500質量份以下,則存在水溶性樹脂的溶解性提昇,而阻障層容易形成的傾向。
以阻障層的總量(形成阻障層的阻障層形成用樹脂組成物的固體成分總量)為基準,本實施形態的阻障層中的碳數3以上的醇類的含量可為超過0質量%且2.0質量%以下、0.001質量%~2.0質量%或0.005質量%~1.0質量%。藉由該含量為2.0質量%以下,而存在可抑制之後步驟中的醇類的擴散的傾向,藉由為0.001質量%以上,而存在阻障層與支撐膜的剝離性提昇的傾向。
本實施形態的阻障層形成用樹脂組成物亦可含有碳數小於3的醇類。於含有碳數小於3的醇類的情況下,相對於水500質量份,其含量可為125質量份~375質量份或150質量份~325質量份。藉由該含量為125質量份以上,而存在水溶性樹脂的溶解性提昇,而阻障層容易形成的傾向,藉由為375質量份以下,而存在所形成的阻障層與支撐膜的剝離性提昇的傾向。另外,就阻障層與支撐膜的剝離性提昇的觀點而言,以阻障層中的碳數3以上的醇類的總量為基準,本實施形態的阻障層中的碳數小於3的醇類的含量可為0.1質量%~10質量%。
另外,本實施形態的阻障層形成用樹脂組成物於不妨礙本揭示的效果的範圍內,亦可含有塑化劑、界面活性劑等公知的添加劑。另外,於不妨礙本揭示的效果的範圍內,亦可含有剝離促進劑。
作為塑化劑,例如就提昇延伸性的觀點而言,可含有多元醇化合物。例如可列舉:甘油、二甘油、三甘油等甘油類,乙二醇、二乙二醇、三乙二醇、四乙二醇、聚乙二醇、丙二醇、二丙二醇、聚丙二醇等烷二醇類、聚烷二醇類,三羥甲基丙烷等。該些塑化劑可單獨使用一種或將兩種以上組合使用。
關於本實施形態的阻障層形成用樹脂組成物,就使進行曝光的感光層的感度適度降低並提昇解析度的觀點而言,製成厚度5 μm的乾燥膜時的紫外線吸收率可為5%~95%、10%~90%或15%~75%。乾燥膜的紫外線吸收率可利用紫外可見分光光度計來測定。
本實施形態的感光性元件中的阻障層例如可藉由將本實施形態的阻障層形成用樹脂組成物塗佈於支撐膜上並加以乾燥來形成。
阻障層的厚度並無特別限定。就阻障層的去除容易性的觀點而言,阻障層的厚度可為12 μm以下、10 μm以下、8 μm以下、7 μm以下或6 μm以下。另外,就阻障層的形成容易性及解析度的觀點而言,阻障層的厚度可為1.0 μm以上、1.5 μm以上、2 μm以上、3 μm以上或4 μm以上。另外,就抑制阻障層的遷移的觀點而言,阻障層的厚度可為2 μm以上、3 μm以上或4 μm以上。
就使進行曝光的感光層的感度適度降低並提昇解析度的觀點而言,阻障層的紫外線吸收率(UV吸收率)可為5%~95%、10%~90%或15%~75%。阻障層的紫外線吸收率可利用紫外可見分光光度計來測定。
<感光層>
本實施形態的感光層是使用後述的感光性樹脂組成物所形成的層。感光性樹脂組成物只要是性質因光照射而變化(例如進行光硬化)的樹脂組成物,則可結合所期望的目的來使用,可為負型,亦可為正型。感光性樹脂組成物可含有(A)黏合劑聚合物、(B)光聚合性化合物及(C)光聚合起始劑。另外,視需要亦可含有(D)光增感劑、(E)聚合抑制劑或其他成分。以下,對本實施形態的感光性樹脂組成物中所使用的各成分進行更詳細的說明。
((A)黏合劑聚合物)
(A)黏合劑聚合物(以下,亦稱為「(A)成分」)例如可藉由使聚合性單量體進行自由基聚合來製造。作為所述聚合性單量體,例如可列舉:苯乙烯、乙烯基甲苯及α-甲基苯乙烯等在α-位或芳香族環中經取代的能夠進行聚合的苯乙烯衍生物,二丙酮丙烯醯胺等丙烯醯胺,丙烯腈、乙烯基-正丁基醚等乙烯基醇的醚類,(甲基)丙烯酸烷基酯,甲基丙烯酸苄酯等(甲基)丙烯酸苄酯,(甲基)丙烯酸四氫糠酯,(甲基)丙烯酸二甲基胺基乙酯,(甲基)丙烯酸二乙基胺基乙酯,(甲基)丙烯酸縮水甘油酯,(甲基)丙烯酸2,2,2-三氟乙酯,(甲基)丙烯酸2,2,3,3-四氟丙酯,(甲基)丙烯酸,α-溴丙烯酸,α-氯丙烯酸,β-呋喃基(甲基)丙烯酸,β-苯乙烯基(甲基)丙烯酸,順丁烯二酸,順丁烯二酸酐,順丁烯二酸單甲酯、順丁烯二酸單乙酯、順丁烯二酸單異丙酯等順丁烯二酸單酯,反丁烯二酸,桂皮酸,α-氰基桂皮酸,衣康酸,巴豆酸及丙炔酸。該些可單獨使用一種或將兩種以上組合使用。
該些中,就可塑性提昇的觀點而言,可含有(甲基)丙烯酸烷基酯。作為(甲基)丙烯酸烷基酯,例如可列舉:下述通式(II)所表示的化合物,及該些化合物的烷基經羥基、環氧基、鹵基等取代而成的化合物。
H2
C=C(R6
)-COOR7
(II)
通式(II)中,R6
表示氫原子或甲基,R7
表示碳數1~12的烷基。作為R7
所表示的碳數1~12的烷基,例如可列舉:甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基、十一基、十二基及該些基的結構異構體。
作為所述通式(II)所表示的(甲基)丙烯酸烷基酯,例如可列舉:(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸十一酯、(甲基)丙烯酸十二酯等。該些可單獨使用一種或將兩種以上組合使用。
另外,就鹼顯影性的觀點而言,(A)成分可含有羧基。含有羧基的(A)成分例如可藉由使具有羧基的聚合性單量體與其他聚合性單量體進行自由基聚合來製造。作為所述具有羧基的聚合性單量體,可為(甲基)丙烯酸,亦可為甲基丙烯酸。另外,含有羧基的(A)成分的酸值可為50 mgKOH/g~250 mgKOH/g、50 mgKOH/g~200 mgKOH/g或100 mgKOH/g~200 mgKOH/g。
就平衡性良好地提昇鹼顯影性與耐鹼性的觀點而言,(A)成分的羧基含量(相對於用於黏合劑聚合物的聚合性單量體總量的具有羧基的聚合性單量體的調配率)可為12質量%~50質量%、12質量%~40質量%、15質量%~35質量%、15質量%~30質量%或20質量%~30質量%。若該羧基含量為12質量%以上,則存在鹼顯影性提昇的傾向,若為50質量%以下,則存在耐鹼性優異的傾向。
再者,(A)成分中的源自具有羧基的聚合性單量體的結構單元的含量與所述具有羧基的聚合性單量體的調配率有關,故可為12質量%~50質量%、12質量%~40質量%、15質量%~35質量%、15質量%~30質量%或20質量%~30質量%。
另外,就密接性及耐化學品性的觀點而言,(A)成分可將苯乙烯或苯乙烯衍生物用作聚合性單量體。當將所述苯乙烯或苯乙烯衍生物作為聚合性單量體時,就使密接性及耐化學品性更良好的觀點而言,其含量(相對於用於(A)成分的聚合性單量體總量的苯乙烯或苯乙烯衍生物的調配率)可為10質量%~60質量%、15質量%~50質量%、30質量%~50質量%、35質量%~50質量%或40質量%~50質量%。若該含量為10質量%以上,則存在密接性提昇的傾向,若為60質量%以下,則存在於顯影時可抑制剝離片變大,並可抑制剝離所需的時間的長時間化的傾向。
再者,(A)成分中的源自苯乙烯或苯乙烯衍生物的結構單元的含量與所述苯乙烯或苯乙烯衍生物的調配率有關,故可為10質量%~60質量%、15質量%~50質量%、30質量%~50質量%、35質量%~50質量%或40質量%~50質量%。
另外,就解析度及縱橫比的觀點而言,(A)成分亦可將(甲基)丙烯酸苄酯用作聚合性單量體。就進一步提昇解析度及縱橫比的觀點而言,(A)成分中的源自(甲基)丙烯酸苄酯的結構單元的含量可為15質量%~50質量%、15質量%~45質量%、15質量%~40質量%、15質量%~35質量%或20質量%~30質量%。
該些黏合劑聚合物可單獨使用一種或將兩種以上組合使用。作為將兩種以上組合使用時的(A)成分,例如可列舉:包含不同的聚合性單量體的兩種以上的黏合劑聚合物、重量平均分子量不同的兩種以上的黏合劑聚合物及分散度不同的兩種以上的黏合劑聚合物。
(A)成分可藉由通常的方法來製造。具體而言,例如可藉由使(甲基)丙烯酸烷基酯與(甲基)丙烯酸及苯乙烯等進行自由基聚合來製造。
就平衡性良好地提昇機械強度與鹼顯影性的觀點而言,(A)成分的重量平均分子量可為20,000~300,000、40,000~150,000、40,000~120,000或50,000~80,000。若(A)成分的重量平均分子量為20,000以上,則存在耐顯影液性優異的傾向,若為300,000以下,則存在可抑制顯影時間變長的傾向。再者,本說明書中的重量平均分子量是利用凝膠滲透層析法(Gel Permeation Chromatography,GPC)進行測定,並藉由使用標準聚苯乙烯所製作的校準曲線進行換算所得的值。
相對於(A)成分及後述的(B)成分的固體成分總量100質量份,所述(A)成分的含量可為30質量份~80質量份、40質量份~75質量份、50質量份~70質量份或50質量份~60質量份。若(A)成分的含量為該範圍內,則感光性樹脂組成物的塗膜性及光硬化部的強度更良好。
((B)光聚合性化合物)
本實施形態的感光性樹脂組成物可含有(B)光聚合性化合物(以下,亦稱為「(B)成分」)。(B)成分只要是能夠進行光聚合的化合物、能夠進行光交聯的化合物,則可無特別限制地使用,例如可使用分子內具有至少一個乙烯性不飽和鍵的化合物。
作為(B)成分,例如可列舉:使α,β-不飽和羧酸與多元醇反應所得的化合物、雙酚A型(甲基)丙烯酸酯化合物等雙酚型(甲基)丙烯酸酯化合物、具有胺基甲酸酯鍵的(甲基)丙烯酸酯化合物等胺基甲酸酯單體、壬基苯氧基乙烯氧基(甲基)丙烯酸酯、壬基苯氧基八乙烯氧基(甲基)丙烯酸酯、γ-氯-β-羥基丙基-β'-(甲基)丙烯醯基氧基乙基-鄰苯二甲酸酯、β-羥基乙基-β'-(甲基)丙烯醯基氧基乙基-鄰苯二甲酸酯、β-羥基丙基-β'-(甲基)丙烯醯基氧基乙基-鄰苯二甲酸酯及(甲基)丙烯酸烷基酯。該些可單獨使用一種或將兩種以上組合使用。
所述中,就平衡性良好地提昇解析度、密接性及抗蝕劑端部產生的抑制性的觀點而言,(B)成分可含有雙酚型(甲基)丙烯酸酯化合物。作為所述雙酚型(甲基)丙烯酸酯化合物,可為下述通式(III)所表示的化合物。
[化8]
通式(III)中,R1
、R2
、R3
及R4
分別獨立地表示氫原子或甲基。X及Y分別獨立地表示伸乙基或伸丙基,XO及YO分別獨立地表示氧基伸乙基(以下,有時稱為「EO基」)或氧基伸丙基(以下,有時稱為「PO基」)。p1
、p2
、q1
及q2
分別獨立地表示0~40的數值。其中,p1
+q1
及p2
+q2
均為1以上。當X為伸乙基,Y為伸丙基時,p1
+p2
為1~40,q1
+q2
為0~20。當X為伸丙基,Y為伸乙基時,p1
+p2
為0~20,q1
+q2
為1~40。p1
、p2
、q1
及q2
表示EO基或PO基的結構單元的數量,因此於單一的分子中表示整數值,於多種的分子的集合體中表示作為平均值的有理數。再者,EO基及PO基分別可連續地以嵌段方式存在,亦可無規地存在。
通式(III)中,於X及Y均為伸乙基的情況下,就解析度及密接性更優異的觀點而言,p1
+p2
+q1
+q2
可為1~20、1~10或1~7。
作為通式(III)所表示的化合物,例如可列舉:2,2-雙(4-(甲基)丙烯醯氧基聚乙氧基)苯基)丙烷、2,2-雙(4-((甲基)丙烯醯氧基聚丙氧基)苯基)丙烷、2,2-雙(4-((甲基)丙烯醯氧基聚乙氧基聚丙氧基)苯基)丙烷等。該些可單獨使用一種或將兩種以上組合使用。
作為能夠以商業方式獲得的雙酚型(甲基)丙烯酸酯化合物,例如可列舉:2,2-雙(4-(甲基丙烯醯氧基二乙氧基)苯基)丙烷(新中村化學工業股份有限公司製造的「BPE-200」)、2,2-雙(4-(甲基丙烯醯氧基五乙氧基)苯基)丙烷(新中村化學工業股份有限公司製造的「BPE-500」或日立化成股份有限公司製造的「FA-321M」)、2,2-雙(4-(甲基丙烯醯氧基十五乙氧基)苯基)丙烷(新中村化學工業股份有限公司製造的「BPE-1300」)、2,2-雙(4-(甲基丙烯醯氧基聚乙氧基)苯基)丙烷(共榮社化學股份有限公司製造的「BP-2EM」(EO基:2.6(平均值)))等。
就耐化學品性進一步提昇的觀點而言,相對於(A)成分及(B)成分的固體成分總量,雙酚型(甲基)丙烯酸酯化合物的含量可為1質量%~50質量%、3質量%~40質量%、10質量%~40質量%、20質量%~40質量%或30質量%~40質量%。
另外,就耐化學品性進一步提昇的觀點而言,相對於(B)成分的固體成分總量,雙酚型(甲基)丙烯酸酯化合物的含量可為30質量%~99質量%、50質量%~97質量%、60質量%~95質量%、70質量%~95質量%或80質量%~90質量%。
另外,就使解析度更良好的觀點而言,相對於(A)成分及(B)成分的固體成分總量,EO基及PO基的總數為1~7的通式(III)所表示的化合物的含量可為1質量%~50質量%,2質量%~48質量%、3質量%~45質量%、5質量%~40質量%、10質量%~30質量%或10質量%~25質量%。
另外,就進一步提昇對於基板的凹凸的追隨性的觀點而言,亦可含有使多元醇與α,β-不飽和羧酸進行反應所獲得的化合物。作為此種化合物,可使用分子內具有EO基及PO基這兩者的聚烷二醇二(甲基)丙烯酸酯、具有EO基的二季戊四醇(甲基)丙烯酸酯等。作為能夠以商業方式獲得的作為具有EO基的二季戊四醇(甲基)丙烯酸酯的化合物,例如可列舉:日本化藥股份有限公司製造的「DPEA-12」等。就解析度提昇的觀點而言,相對於(B)成分的固體成分總量,具有EO基的二季戊四醇(甲基)丙烯酸酯的含量可為1質量%~10質量%、1.5質量%~8質量%、2質量%~8質量%、2.5質量%~8質量%或3質量%~8質量%。
再者,於具有EO基及PO基這兩者的聚烷二醇二(甲基)丙烯酸酯的分子內,EO基及PO基分別可連續地以嵌段方式存在,亦可無規地存在。另外,PO基可為氧基-正伸丙基或氧基異伸丙基的任一者。再者,於(聚)氧基異伸丙基中,伸丙基的二級碳可鍵結於氧原子上,一級碳亦可鍵結於氧原子上。
作為能夠以商業方式獲得的作為具有EO基及PO基這兩者的聚烷二醇二(甲基)丙烯酸酯的化合物,例如可列舉具有EO基:6(平均值)及PO基:12(平均值)的聚烷二醇二(甲基)丙烯酸酯(日立化成股份有限公司製造的「FA-023M」、「FA-024M」)等。另外,就對於基板的凹凸的追隨性及解析度提昇的觀點而言,相對於(B)成分的固體成分總量,具有EO基及PO基這兩者的聚烷二醇二(甲基)丙烯酸酯的含量可為1質量%~15質量%、1.5質量%~15質量%、2質量%~13質量%或3質量%~13質量%。
相對於(A)成分及(B)成分的固體成分總量100質量份,(B)成分的含量可設為20質量份~70質量份、25質量份~60質量份或30質量份~50質量份。若(B)成分的含量為該範圍內,則除感光性樹脂組成物的解析度、密接性及抗蝕劑端部產生的抑制性更良好以外,光感度及塗膜性亦更良好。
((C)光聚合起始劑)
本實施形態的感光性樹脂組成物可含有至少一種(C)光聚合起始劑(以下,亦稱為「(C)成分」)。(C)成分只要可使(B)成分進行聚合,則並無特別限制,可自通常所使用的光聚合起始劑中適宜選擇。
作為(C)成分,例如可列舉:2-苄基-2-二甲基胺基-1-(4-嗎啉基苯基)-丁酮-1、2-甲基-1-[4-(甲硫基)苯基]-2-嗎啉基-丙酮-1等芳香族酮,烷基蒽醌等醌類,安息香烷基醚等安息香醚化合物,安息香、烷基安息香等安息香化合物,苄基二甲基縮酮等苄基衍生物,2-(鄰氯苯基)-4,5-二苯基咪唑二聚體、2-(鄰氟苯基)-4,5-二苯基咪唑二聚體等2,4,5-三芳基咪唑二聚體,9-苯基吖啶、1,7-(9,9'-吖啶基)庚烷等吖啶衍生物等。該些可單獨使用一種或將兩種以上組合使用。
該些中,就解析度提昇的觀點而言,可含有2,4,5-三芳基咪唑二聚體。作為所述2,4,5-三芳基咪唑二聚體,例如可列舉:2-(鄰氯苯基)-4,5-二苯基咪唑二聚體、2-(鄰氯苯基)-4,5-雙-(間甲氧基苯基)咪唑二聚體及2-(對甲氧基苯基)-4,5-二苯基咪唑二聚體。該些中,就光感度穩定性提昇的觀點而言,可含有2-(鄰氯苯基)-4,5-二苯基咪唑二聚體。
作為2,4,5-三芳基咪唑二聚體,例如2,2'-雙(2-氯苯基)-4,4',5,5'-四苯基聯咪唑能夠作為B-CIM(保土谷化學工業股份有限公司製造,製品名)而以商業方式獲得。
就進一步提昇光感度及密接性,進而進一步抑制(C)成分的光吸收性的觀點而言,(C)成分可含有2,4,5-三芳基咪唑二聚體的至少一種,亦可含有2-(2-氯苯基)-4,5-二苯基咪唑二聚體。再者,2,4,5-三芳基咪唑二聚體的結構可為對稱,亦可為非對稱。
相對於(A)成分及(B)成分的固體成分總量100質量份,(C)成分的含量可為0.01質量份~30質量份、0.1質量份~10質量份、1質量份~7質量份、1質量份~6質量份、1質量份~5質量份或2質量份~5質量份。若(C)成分的含量為0.01質量份以上,則存在光感度、解析度及密接性提昇的傾向,若為30質量份以下,則存在抗蝕劑圖案形狀優異的傾向。
((D)光增感劑)
本實施形態的感光性樹脂組成物可含有(D)光增感劑(以下,亦稱為「(D)成分」)。藉由含有(D)成分,而存在可有效地利用曝光中所使用的光化射線的吸收波長的傾向。
作為(D)成分,例如可列舉:吡唑啉類、二烷基胺基二苯甲酮類、蒽類、香豆素類、氧雜蒽酮類、噁唑類、苯并噁唑類、噻唑類、苯并噻唑類、***類、二苯乙烯類、三嗪類、噻吩類、萘二甲醯亞胺類及三芳基胺類。該些可單獨使用一種或將兩種以上組合使用。就可更有效地利用曝光中所使用的光化射線的吸收波長的觀點而言,(D)成分可含有吡唑啉類、蒽類或二烷基胺基二苯甲酮類,其中,亦可含有二烷基胺基二苯甲酮類。作為能夠以商業方式獲得的作為二烷基胺基二苯甲酮類的化合物,例如可列舉:保土谷化學工業股份有限公司製造的「EAB」等。
當含有(D)成分時,相對於(A)成分及(B)成分的固體成分總量100質量份,其含量可為1.0質量份以下、0.5質量份以下、0.15質量份以下、0.12質量份以下或0.10質量份以下。若相對於(A)成分及(B)成分的固體成分總量100質量份,(D)成分的含量為1.0質量份以下,則存在可抑制抗蝕劑圖案形狀及抗蝕劑端部產生性的惡化,並可使解析度更良好的傾向。另外,就容易獲得高光感度及良好的解析度的觀點而言,相對於(A)成分及(B)成分的固體成分總量100質量份,(D)成分的含量可為0.01質量份以上。
((E)聚合抑制劑)
本實施形態的感光性樹脂組成物可含有(E)聚合抑制劑(以下,亦稱為「(E)成分」)。藉由含有(E)成分,而存在可將用於使感光性樹脂組成物進行光硬化所需的曝光量調整成最適合利用投影曝光機進行曝光的曝光量的傾向。
通式(I)中,R5
表示鹵素原子、氫原子、碳數1~20的烷基、碳數3~10的環烷基、胺基、芳基、巰基、碳數1~10的烷基巰基、烷基的碳數為1~10的羧基烷基、碳數1~20的烷氧基或雜環基,m及n是以m為2以上的整數、n為0以上的整數、且m+n=6的方式選擇的整數,當n為2以上的整數時,R5
分別可相同,亦可不同。再者,芳基可由碳數1~20的烷基取代。
就進一步提昇與(A)成分的相容性的觀點而言,R5
可為氫原子或碳數1~20的烷基。作為R5
所表示的碳數1~20的烷基,可為碳數1~4的烷基。就進一步提昇解析度的觀點而言,m可為2或3,亦可為2。
作為所述通式(I)所表示的化合物,例如可列舉:鄰苯二酚,間苯二酚(resorcinol)(間苯二酚(resorcin)),1,4-對苯二酚,2-甲基鄰苯二酚、3-甲基鄰苯二酚、4-甲基鄰苯二酚、2-乙基鄰苯二酚、3-乙基鄰苯二酚、4-乙基鄰苯二酚、2-丙基鄰苯二酚、3-丙基鄰苯二酚、4-丙基鄰苯二酚、2-正丁基鄰苯二酚、3-正丁基鄰苯二酚、4-正丁基鄰苯二酚、2-第三丁基鄰苯二酚、3-第三丁基鄰苯二酚、4-第三丁基鄰苯二酚、3,5-二-第三丁基鄰苯二酚等烷基鄰苯二酚,2-甲基間苯二酚、4-甲基間苯二酚、5-甲基間苯二酚(苔黑酚(orcin))、2-乙基間苯二酚、4-乙基間苯二酚、2-丙基間苯二酚、4-丙基間苯二酚、2-正丁基間苯二酚、4-正丁基間苯二酚、2-第三丁基間苯二酚、4-第三丁基間苯二酚等烷基間苯二酚,甲基對苯二酚、乙基對苯二酚、丙基對苯二酚、第三丁基對苯二酚、2,5-二-第三丁基對苯二酚等烷基對苯二酚,鄰苯三酚,均苯三酚(phloroglucin)等。該些可單獨使用一種或將兩種以上組合使用。
所述通式(I)所表示的化合物中,就進一步提昇解析度的觀點而言,可為烷基鄰苯二酚。
相對於(A)成分及(B)成分的固體成分總量100質量份,(E)成分的含量可為0.001質量份~0.3質量份、0.005質量份~0.2質量份、0.01質量份~0.15質量份或0.015質量份~0.1質量份。藉由將(E)成分的含量設為0.3質量份以下,而存在可縮短曝光時間,並可對量產的效率提昇作出貢獻的傾向。另外,藉由將(E)成分的含量設為0.001質量份以上,而存在可使光硬化部的光反應充分地進行,且因反應率提昇,而可抑制抗蝕劑膨潤性,並可使解析度更良好的傾向。另外,根據本實施形態的感光性元件,即便不進行聚合抑制劑的增量,亦可使感度適度降低並提昇解析度,因此即便於將(E)成分的含量設為0.1質量份以下的情況下,亦可獲得優異的解析度。另外,於將(E)成分的含量設為0.1質量份以下的情況下,感光層可穩定地獲得適度的感度。
另外,相對於(A)成分的固體成分100質量份,(E)成分的含量可為0.001質量份~0.3質量份、0.005質量份~0.2質量份、0.01質量份~0.15質量份或0.015質量份~0.1質量份。當相對於(A)成分,(E)成分的含量為0.001質量份以上時,存在可提昇感光性樹脂組成物的熱穩定性的傾向;當相對於(A)成分,(E)成分的含量為0.3質量份以下時,存在可抑制感光性樹脂組成物的黃色化的傾向。
(其他成分)
於本實施形態的感光性樹脂組成物中,相對於(A)成分及(B)成分的固體成分總量100質量份,視需要可分別含有0.01質量份~20質量份的孔雀綠(malachite green)、維多利亞豔藍(Victoria Pure Blue)、亮綠(brilliant green)及甲基紫(methyl violet)等染料,三溴苯基碸、隱色結晶紫(leuco crystal violet)、二苯基胺、苄基胺、三苯基胺、二乙基苯胺、鄰氯苯胺及第三丁基鄰苯二酚等光成色劑,熱成色抑制劑、對甲苯磺醯胺等塑化劑、顏料、填充劑、消泡劑、阻燃劑、密接性賦予劑、調平劑、剝離促進劑、抗氧化劑、香料、顯像劑、熱交聯劑等添加劑。該些添加劑可單獨使用一種或將兩種以上組合使用。
另外,為了提昇感光性組成物的處理性或調節黏度及保存穩定性,本實施形態的感光性樹脂組成物視需要可包含有機溶劑的至少一種。作為所述有機溶劑,可無特別限制地使用通常所使用的有機溶劑。具體而言,例如可列舉:甲醇、乙醇、丙酮、甲基乙基酮、甲基溶纖劑、乙基溶纖劑、甲苯、N,N-二甲基甲醯胺、丙二醇單甲醚等有機溶劑或該些的混合溶劑。該些可單獨使用一種或將兩種以上組合使用。
<保護層>
本實施形態的感光性元件可在感光層的與接觸阻障層的面為相反側的面上積層保護層。作為保護層,例如可使用聚乙烯、聚丙烯等的聚合體膜等。另外,可使用與所述支撐膜相同的聚合體膜,亦可使用不同的聚合體膜。
以下,對製造依序積層有支撐膜、阻障層、感光層及保護層的感光性元件的方法進行說明。
<感光性元件的製造方法>
首先,例如以固體成分含量變成10質量%~20質量%的方式,向加溫至70℃~90℃的水與視需要所使用的有機溶媒的混合溶劑中緩慢地添加包含聚乙烯醇的水溶性樹脂,並攪拌1小時左右,其後,混合紫外線吸收劑而均勻地溶解,從而獲得含有聚乙烯醇及紫外線吸收劑的阻障層形成用樹脂組成物。再者,於本說明書中,所謂「固體成分」,是指樹脂組成物的除水、有機溶劑等進行揮發的物質以外的不揮發成分。即,是指於乾燥步驟中不揮發而殘留的除水、有機溶劑等溶劑以外的成分,亦包括於25℃左右的室溫下為液狀、糖稀狀及蠟狀的成分。
其次,將阻障層形成用樹脂組成物塗佈於支撐膜上,並進行乾燥而形成阻障層。所述阻障層形成用樹脂組成物於支撐膜上的塗佈例如可藉由輥塗、缺角輪塗佈、凹版塗佈、氣刀塗佈、模塗、棒塗、噴塗等公知的方法來進行。
另外,只要可去除水等溶劑的至少一部分,則所塗佈的阻障層形成用樹脂組成物的乾燥並無特別限制,但可於70℃~150℃下乾燥5分鐘~30分鐘。乾燥後,就防止之後步驟中溶劑的擴散的觀點而言,阻障層中的殘存溶劑量可設為2質量%以下。
其次,亦可於形成有阻障層的支撐膜的阻障層上,與阻障層形成用樹脂組成物的塗佈同樣地塗佈感光性樹脂組成物並進行乾燥,而於阻障層上形成感光層。其次,藉由將保護層層壓於以所述方式形成的感光層上,可製作依序包括支撐膜、阻障層、感光層及保護層的感光性元件。另外,藉由將在支撐膜上形成有阻障層者與在保護層上形成有感光層者貼合,亦可獲得依序包括支撐膜、阻障層、感光層及保護層的感光性元件。
感光性元件中的感光層的厚度可根據用途而適宜選擇,但以乾燥後的厚度計,可為1 μm以上、5 μm以上或10 μm以上,可為200 μm以下、100 μm以下、50 μm以下或小於20 μm。藉由感光層的厚度為1 μm以上、5 μm以上或10 μm以上,而存在工業式的塗敷變得容易,且生產性提昇的傾向。另外,當感光層的厚度為200 μm以下、100 μm以下、50 μm以下或小於20 μm時,光感度高、抗蝕劑底部的光硬化性優異,因此存在可形成解析度及縱橫比優異的抗蝕劑圖案的傾向。
感光性元件中的感光層於110℃下的熔融黏度可根據與感光層接觸的基材的種類而適宜選擇,但乾燥後,於110℃下可為50 Pa·s~10000 Pa·s、100 Pa·s~5000 Pa·s或200 Pa·s~1000 Pa·s。若110℃下的熔融黏度為50 Pa·s以上,則存在於積層步驟中不會產生皺褶及空隙,且生產性提昇的傾向。另外,若110℃下的熔融黏度為10000 Pa·s以下,則存在於積層步驟中與基底的黏著性提昇,且減低黏著不良的傾向。
本實施形態的感光性元件的形態並無特別限制。例如,可為片狀,亦可為圍繞卷芯而捲取為輥狀的形狀。於捲取為輥狀的情況下,可以支撐膜成為外側的方式捲取。作為卷芯,例如可列舉聚乙烯樹脂、聚丙烯樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚氯化乙烯樹脂或ABS樹脂(Acrylonitrile Butadiene Styrene,丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物)等塑膠等。
就端面保護的觀點而言,可於以所述方式獲得的輥狀的感光性元件輥的端面設置端面分隔物,另外,就耐邊緣融合的觀點而言,亦可設置防濕端面分隔物。作為捆包方法,可包入透濕性小的黑鋼板(black sheet)中來進行包裝。
本實施形態的感光性元件例如可適宜地用於後述的抗蝕劑圖案的形成方法及印刷配線板的製造方法。
[抗蝕劑圖案的形成方法]
本實施形態的抗蝕劑圖案的形成方法包括:(i)使用所述感光性元件,自該基板側起將感光層、阻障層及支撐膜依序配置於基板上的步驟(以下,亦稱為「(i)感光層及阻障層形成步驟」);(ii)將所述支撐膜去除,利用光化射線介隔所述阻障層對所述感光層進行曝光的步驟(以下,亦稱為「(ii)曝光步驟」);以及(iii)自所述基板上去除所述阻障層及所述感光層的未硬化部的步驟(以下,亦稱為「(iii)顯影步驟」);視需要亦可包括其他步驟。再者,所謂抗蝕劑圖案,可稱為感光性樹脂組成物的光硬化物圖案,亦可稱為凹凸圖案。另外,對應於目的,本實施形態中的抗蝕劑圖案可用作抗蝕劑,亦可用於保護膜等其他用途。
((i)感光層及阻障層形成步驟)
於感光層及阻障層形成步驟中,使用所述感光性元件於基板上形成感光層及阻障層。作為所述基板,並無特別限制,通常可使用包括絕緣層與形成於絕緣層上的導體層的電路形成用基板或合金基材等壓料墊(導線架用基材)等。
作為於基板上形成感光層及阻障層的方法,例如當使用具有保護層的感光性元件時,可於去除保護層後,一面進行加熱一面將感光性元件的感光層壓接於基板上,藉此於基板上形成感光層及阻障層。藉此,可獲得依序包括基板、感光層、阻障層及支撐膜的積層體。
當使用感光性元件來進行感光層及阻障層形成步驟時,就密接性及追隨性的觀點而言,亦可於減壓下進行。壓接時的加熱可於70℃~130℃的溫度下進行,壓接可於0.1 MPa~1.0 MPa(1 kgf/cm2
~10 kgf/cm2
)的壓力下進行,但該些條件可視需要而適宜選擇。再者,若將感光性元件的感光層加熱至70℃~130℃,則無需事先對基板進行預熱處理,但為了進一步提昇密接性及追隨性,亦可進行基板的預熱處理。
((ii)曝光步驟)
於曝光步驟中,將支撐膜去除,利用光化射線介隔阻障層對感光層進行曝光。藉此,照射有光化射線的曝光部可進行光硬化而形成光硬化部(潛像),另外,未照射有光化射線的未曝光部亦可進行光硬化而形成光硬化部。當使用所述感光性元件來形成感光層及阻障層時,將感光層上所存在的支撐膜剝離後,進行曝光。藉由介隔阻障層對感光層進行曝光,可形成解析度及抗蝕劑圖案形狀優異的抗蝕劑圖案。
作為曝光方法,可應用公知的曝光方式,例如可列舉:介隔被稱為原圖(artwork)的負型遮罩圖案或正型遮罩圖案,呈圖像狀地照射光化射線的方法(遮罩曝光方式);雷射直接成像(Laser Direct Imaging,LDI)曝光方式;或使用投影有光罩的圖像的光化射線並介隔透鏡呈圖像狀地照射的方法(投影曝光方式)等。其中,就解析度優異的觀點而言,可使用投影曝光方式。即,本實施形態的感光性元件等適用於投影曝光方式。再者,所謂投影曝光方式,亦可稱為使用能量衰減的光化射線的曝光方式。
作為光化射線的光源,只要是通常所使用的公知的光源,則並無特別限制,例如可使用:碳弧燈,水銀蒸氣弧燈,超高壓水銀燈,高壓水銀燈,氙燈,氬氣雷射等氣體雷射、釔鋁石榴石(Yttrium Aluminum Garnet,YAG)雷射等固態雷射、氮化鎵系藍紫色雷射等半導體雷射等有效地放射紫外線的光源等。另外,亦可使用照相用泛光燈泡、太陽燈等有效地放射可見光的光源等。該些中,就平衡性良好地提昇解析度及對準性的觀點而言,可使用可放射曝光波長365 nm的i射線單色光的光源、可放射曝光波長405 nm的h射線單色光的光源或可放射ihg混合射線的曝光波長的光化射線的光源,其中,亦可使用可放射曝光波長365 nm的i射線單色光的光源。作為可放射曝光波長365 nm的i射線單色光的光源,例如可列舉:超高壓水銀燈等。
((iii)顯影步驟)
於顯影步驟中,自基板上去除所述阻障層及所述感光層的未硬化部。藉由顯影步驟,於基板上形成包含所述感光層進行光硬化而成的光硬化部的抗蝕劑圖案。當阻障層為水溶性時,可進行水洗來去除阻障層後,利用顯影液去除所述光硬化部以外的未硬化部,當阻障層對於顯影液具有溶解性時,可利用顯影液將所述光硬化部以外的未硬化部與阻障層一同去除。顯影方法可列舉濕式顯影。
於濕式顯影的情況下,可使用對應於感光性樹脂組成物的顯影液,藉由公知的濕式顯影方法來進行顯影。作為濕式顯影方法,例如可列舉:浸漬方式,覆液方式,高壓噴霧方式,利用刷洗、拍擊、刮削、搖動浸漬等的方法等,就解析度提昇的觀點而言,最合適的是高壓噴霧方式。該些濕式顯影方法可單獨使用一種來進行顯影或將兩種以上的方法組合來進行顯影。
顯影液對應於所述感光性樹脂組成物的構成而適宜選擇。例如可列舉:鹼性水溶液及有機溶劑顯影液。
就安全且穩定、操作性良好的觀點而言,作為顯影液,可使用鹼性水溶液。作為鹼性水溶液的鹼,例如可使用:鋰、鈉或鉀的氫氧化物等氫氧化鹼,鋰、鈉、鉀或銨的碳酸鹽或碳酸氫鹽等碳酸鹼,磷酸鉀、磷酸鈉等鹼金屬磷酸鹽,焦磷酸鈉、焦磷酸鉀等鹼金屬焦磷酸鹽,硼酸鈉,偏矽酸鈉,氫氧化四甲基銨,乙醇胺,乙二胺,二乙三胺,2-胺基-2-羥基甲基-1,3-丙二醇,1,3-二胺基-2-丙醇及嗎啉。
作為用於顯影的鹼性水溶液,例如可使用:0.1質量%~5質量%碳酸鈉的稀薄溶液、0.1質量%~5質量%碳酸鉀的稀薄溶液、0.1質量%~5質量%氫氧化鈉的稀薄溶液、0.1質量%~5質量%四硼酸鈉的稀薄溶液等。另外,用於顯影的鹼性水溶液的pH可設為9~11的範圍,鹼性水溶液的溫度可結合感光層的顯影性來調節。另外,於鹼性水溶液中,例如可混入表面活性劑、消泡劑、用以促進顯影的少量的有機溶劑等。再者,作為鹼性水溶液中所使用的有機溶劑,例如可列舉:3-丙酮醇、丙酮、乙酸乙酯、具有碳數1~4的烷氧基的烷氧基乙醇、乙醇、異丙醇、丁醇、二乙二醇單甲基醚、二乙二醇單乙基醚及二乙二醇單丁基醚。
作為有機溶劑顯影液中所使用的有機溶劑,例如可列舉:1,1,1-三氯乙烷、N-甲基吡咯啶酮、N,N-二甲基甲醯胺、環己酮、甲基異丁基酮及γ-丁內酯。就防止著火的觀點而言,該些有機溶劑能夠以成為1質量%~20質量%的範圍的方式添加水來作為有機溶劑顯影液。
(其他步驟)
於本實施形態的抗蝕劑圖案的形成方法中,在顯影步驟中將未硬化部去除後,視需要亦可包含進行60℃~250℃下的加熱或0.2 J/cm2
~10 J/cm2
的曝光量下的曝光,藉此使抗蝕劑圖案進一步硬化的步驟。
[印刷配線板的製造方法]
本實施形態的印刷配線板的製造方法包括對藉由所述抗蝕劑圖案的形成方法而形成有抗蝕劑圖案的基板進行蝕刻處理或鍍敷處理,而形成導體圖案的步驟,視需要亦可包括抗蝕劑圖案去除步驟等其他步驟。本實施形態的印刷配線板的製造方法藉由使用利用所述感光性元件的抗蝕劑圖案的形成方法,而可適宜地用於導體圖案的形成,其中,更適合應用於藉由鍍敷處理來形成導體圖案的方法。再者,導體圖案亦可稱為電路。
於蝕刻處理中,將形成於包括導體層的基板上的抗蝕劑圖案作為遮罩,將未由抗蝕劑包覆的基板的導體層蝕刻去除,而形成導體圖案。
蝕刻處理的方法對應於應去除的導體層而適宜選擇。作為蝕刻液,例如可列舉氯化銅溶液、氯化鐵溶液、鹼蝕刻溶液、過氧化氫系蝕刻液等,就蝕刻因子良好的觀點而言,可使用氯化鐵溶液。
另一方面,於鍍敷處理中,將形成於包括導體層的基板上的抗蝕劑圖案作為遮罩,於未由抗蝕劑包覆的基板的導體層上鍍敷銅或焊料等。鍍敷處理後,藉由後述的抗蝕劑圖案的去除來去除抗蝕劑,進而對由該抗蝕劑包覆的導體層進行蝕刻,而形成導體圖案。
作為鍍敷處理的方法,可為電解鍍敷處理,亦可為無電解鍍敷處理,其中,亦可為無電解鍍敷處理。作為無電解鍍敷處理,例如可列舉:硫酸銅鍍敷、焦磷酸銅鍍敷等銅鍍敷,高均一性(high throw)焊料鍍敷等焊料鍍敷,瓦特浴(watts bath)(硫酸鎳-氯化鎳)鍍敷、胺磺酸鎳鍍敷等鎳鍍敷,硬金鍍敷、軟金鍍敷等金鍍敷。
於所述蝕刻處理或鍍敷處理後,將基板上的抗蝕劑圖案去除。抗蝕劑圖案的去除例如可藉由鹼性比用於所述顯影步驟的鹼性水溶液更強的水溶液來進行剝離。作為該強鹼性的水溶液,例如可使用1質量%~10質量%氫氧化鈉水溶液、1質量%~10質量%氫氧化鉀水溶液等。該些中,亦可使用1質量%~5質量%氫氧化鈉水溶液或氫氧化鉀水溶液。
作為抗蝕劑圖案的去除方式,例如可列舉浸漬方式及噴霧方式,該些可單獨使用,亦可併用。
當實施鍍敷處理後將抗蝕劑圖案去除時,進而藉由蝕刻處理來對由抗蝕劑包覆的導體層進行蝕刻,而形成導體圖案,藉此可製造所期望的印刷配線板。此時的蝕刻處理的方法對應於應去除的導體層而適宜選擇。例如可應用所述蝕刻液。
本實施形態的印刷配線板的製造方法不僅能夠應用於單層印刷配線板的製造,亦能夠應用於多層印刷配線板的製造,另外,亦能夠應用於具有小徑通孔的印刷配線板等的製造。
本實施形態的印刷配線板的製造方法可適宜地用於高密度封裝基板的製造、特別是利用半加成法的配線板的製造。再者,將利用半加成法的配線板的製造步驟的一例示於圖2的(a)~圖2的(f)中。
圖2的(a)中,準備於絕緣層50上形成有導體層40的基板(電路形成用基板)。導體層40例如為銅層。圖2的(b)中,藉由所述感光層及阻障層形成步驟,而於基板的導體層40上形成感光層30及阻障層20。圖2的(c)中,藉由所述曝光步驟,介隔阻障層20朝感光層30上照射投影有光罩的圖像的光化射線80,而於感光層30上形成光硬化部。圖2的(d)中,藉由顯影步驟,自基板上去除藉由所述曝光步驟所形成的光硬化部以外的區域(包含阻障層),藉此於基板上形成作為光硬化部的抗蝕劑圖案32。圖2的(e)中,藉由將作為光硬化部的抗蝕劑圖案32作為遮罩的鍍敷處理,於未由抗蝕劑包覆的基板的導體層40上形成鍍敷層60。圖2的(f)中,利用強鹼的水溶液將作為光硬化部的抗蝕劑圖案32剝離後,藉由閃蝕(flash etching)處理,將由抗蝕劑圖案32遮蓋的導體層40去除,而形成包含蝕刻處理後的鍍敷層62及蝕刻處理後的導體層42的導體圖案70。導體層40與鍍敷層60的材質可相同,亦可不同。當導體層40與鍍敷層60為相同的材質時,導體層40與鍍敷層60可進行一體化。再者,圖2的(a)~圖2的(f)中對投影曝光方式進行了說明,但亦可併用遮罩曝光方式、LDI曝光方式來形成抗蝕劑圖案32。
以上,對本揭示的適宜的實施形態進行了說明,但本揭示並不受所述實施形態任何限定。
[實施例]
以下,根據實施例來更具體地說明本揭示,但本揭示並不限定於以下的實施例。再者,只要事先無特別說明,則「份」及「%」為質量基準。
首先,依據合成例1來合成黏合劑聚合物(A-1)。
<合成例1>
將作為聚合性單量體的甲基丙烯酸125 g、甲基丙烯酸甲酯25 g、甲基丙烯酸苄酯125 g及苯乙烯225 g與偶氮雙異丁腈1.5 g混合,而製備溶液a。
另外,使偶氮雙異丁腈1.2 g溶解於甲基溶纖劑60 g及甲苯40 g的混合液(質量比3:2)100 g中,而製備溶液b。
另一方面,向具備攪拌機、回流冷卻器、溫度計、滴加漏斗及氮氣導入管的燒瓶中添加質量比為3:2的甲基溶纖劑及甲苯的混合液(以下,亦稱為「混合液x」)400 g,一面吹入氮氣一面進行攪拌,並加熱至80℃為止。
歷時4小時並將滴加速度設為固定,來將所述溶液a滴加至燒瓶內的混合液x中後,於80℃下攪拌2小時。繼而,歷時10分鐘並將滴加速度設為固定,來將所述溶液b滴加至該燒瓶內的溶液中後,於80℃下對燒瓶內的溶液進行3小時攪拌。進而,歷時30分鐘將燒瓶內的溶液昇溫至90℃為止,於90℃下保溫2小時後,冷卻至室溫而獲得黏合劑聚合物(A-1)的溶液。該黏合劑聚合物(A-1)的溶液是以添加混合液x後不揮發成分(固體成分)變成50質量%的方式製備。
黏合劑聚合物(A-1)的重量平均分子量為50,000,酸值為163 mgKOH/g。再者,酸值藉由中和滴定法來測定。具體而言,藉由如下方式來測定:向黏合劑聚合物的溶液1 g中添加丙酮30 g,進而使其均勻地溶解後,向所述黏合劑聚合物的溶液中添加適量的作為指示劑的酚酞,並使用0.1 N的KOH水溶液進行滴定。重量平均分子量藉由利用凝膠滲透層析法(GPC)進行測定,並使用標準聚苯乙烯的校準曲線進行換算來導出。以下表示GPC的條件。
-GPC條件-
泵:日立 L-6000型(日立製作所股份有限公司製造)
管柱:以下共計3根(管柱規格:10.7 mmϕ×300 mm,均為日立化成股份有限公司製造)
Gelpack GL-R420
Gelpack GL-R430
Gelpack GL-R440
溶離液:四氫呋喃
試樣濃度:選取固體成分為50質量%的黏合劑聚合物120 mg,並溶解於5 mL的四氫呋喃中來製備試樣。
測定溫度:25℃
流量:2.05 mL/min
檢測器:日立L-3300型RI(日立製作所股份有限公司製造,製品名)
<阻障層形成用樹脂組成物的製備>
其次,將下述表1中所示的各成分以該表中所示的量(單位:質量份)混合,藉此獲得阻障層形成用樹脂組成物。具體而言,將水溶性樹脂緩慢地添加至室溫的水及醇類中,並於添加全部的量後加熱至90℃。於到達90℃後,攪拌1小時,冷卻至室溫,從而獲得阻障層形成用樹脂組成物。再者,表1中的溶劑以外的調配量均為以固體成分計的調配量。
<感光性樹脂組成物的製備>
其次,將下述表1中所示的各成分以該表中所示的量(單位:質量份)混合,藉此獲得感光性樹脂組成物。
表1中的各成分的詳細情況如下所示。
(水溶性樹脂)
*1:聚乙烯醇 PVA-205(可樂麗(Kuraray)股份有限公司製造,製品名,皂化度=87莫耳%)
*2:聚乙烯吡咯啶酮 K-30(日本觸媒股份有限公司製造,製品名)
(紫外線吸收劑)
*3:2-羥基-4-甲氧基二苯甲酮-5-磺酸水合物(東京化成工業股份有限公司,式(1)所表示的化合物)
(A)成分:黏合劑聚合物
*4:(A-1)(合成例1中所獲得的黏合劑聚合物(A-1))
甲基丙烯酸/甲基丙烯酸甲酯/甲基丙烯酸苄酯/苯乙烯=25/5/25/45(質量比),重量平均分子量=50,000,固體成分=50質量%,甲基溶纖劑/甲苯=3/2(質量比)溶液
(B)成分:具有乙烯性不飽和鍵的光聚合性化合物
*5:FA-321M(日立化成股份有限公司製造,製品名)
2,2-雙(4-(甲基丙烯醯氧基五乙氧基)苯基)丙烷
*6:FA-024M(日立化成股份有限公司製造,製品名)
EOPO改質二甲基丙烯酸酯
*7:BPE-200(新中村化學工業股份有限公司製造,製品名)
2,2-雙(4-(甲基丙烯醯氧基二乙氧基)苯基)丙烷
(C)成分:光聚合起始劑
*8:B-CIM(保土谷化學工業股份有限公司製造,製品名)
2,2'-雙(2-氯苯基)-4,4',5,5'-四苯基聯咪唑
(D)成分:光增感劑
*9:EAB(保土谷化學工業股份有限公司製造,製品名)
4,4'-雙(二乙基胺基)二苯甲酮
(E)成分:聚合抑制劑
*10:TBC(迪愛生(DIC)股份有限公司製造)
4-第三丁基鄰苯二酚
[實施例1~實施例7及比較例1]
<感光性元件的製作>
作為感光性元件的支撐膜,準備表1中所示的PET膜。
表1中所示的PET膜的詳細情況如下所述。
FB-40:於表背具有潤滑劑層的三層結構的雙軸配向PET膜(東麗股份有限公司製造,製品名,厚度:16 μm)
(阻障層的製作)
繼而,以厚度變得均勻的方式將阻障層形成用樹脂組成物塗佈於PET膜(支撐膜)上,利用95℃的熱風對流式乾燥機乾燥10分鐘,而形成乾燥後的厚度為5 μm的阻障層。再者,於PET膜的兩面潤滑劑的密度不同的情況下,於PET膜的潤滑劑少的一面形成阻障層。
(感光層的製作)
其次,以厚度變得均勻的方式將感光性樹脂組成物塗佈於支撐膜的阻障層上,利用100℃的熱風對流式乾燥機乾燥10分鐘,而形成乾燥後的厚度為15 μm的感光層。
其次,將聚乙烯製保護膜(保護層)(塔瑪波利(Tamapoly)股份有限公司製造,製品名「NF-15」)貼合於該感光層上,從而獲得依序積層有PET膜(支撐膜)、阻障層、感光層及保護層的感光性元件。
<積層體的製作>
對作為於兩面上積層有厚度為12 μm的銅箔的環氧玻璃材的覆銅積層板(基板,日立化成股份有限公司製造,製品名「MCL-E-67」)的銅表面進行酸處理並進行水洗後,利用空氣流進行乾燥。將覆銅積層板增溫至80℃,一面剝離保護層,一面以感光層接觸銅表面的方式將所述感光性元件分別壓接於覆銅積層板上。壓接是使用110℃的熱輥,於0.40 MPa的壓力下以1.0 m/min的輥速來進行。如此,獲得依序積層有基板、感光層、阻障層及支撐膜的積層體。將該些積層體用作以下所示的試驗中的試驗片。作為層壓機,使用HLM-3000(大成層壓機(Taisei-laminator)股份有限公司製造)。
<光感度的評價>
於試驗片的支撐膜上,載置日立41段梯形板(step tablet),使用具有波長365 nm的高壓水銀燈的投影曝光機(牛尾(Ushio)電機股份有限公司製造,製品名UX-2240SM-XJ01),以日立41段梯形板的顯影後的殘存階段數變成11段的曝光量(照射能量),介隔支撐膜及阻障層對感光層進行曝光。根據此時的曝光量來評價光感度。曝光量越少,表示光感度越高。
<解析度的評價>
為了調查解析度,於試驗片的支撐膜上,載置日立41段梯形板,並投影具有作為解析度評價用圖案的線寬度/空間寬度為z/z(z=2~20(以1 μm間隔來變化))(單位:μm)的配線圖案的玻璃遮罩圖案,使用具有波長365 nm的高壓水銀燈的投影曝光機(牛尾(Ushio)電機股份有限公司製造,製品名UX-2240SM-XJ01),以日立41段梯形板的顯影後的殘存階段數變成11段的照射能量,介隔支撐膜及阻障層對感光層進行曝光。曝光後,於室溫下對試驗片進行水洗,並將支撐膜及阻障層去除。其次,使用30℃的1質量%的碳酸鈉水溶液,以最短顯影時間的2倍的時間對感光層進行噴霧顯影,並將未曝光部去除。此處,最短顯影時間藉由測定未曝光部經由所述顯影處理完全地去除的時間來求出。將藉由顯影處理而完全地去除未曝光部的線部分(曝光部)間的空間寬度中的最小值(單位:μm)設為解析度評價的指標。再者,該數值越小,表示解析度越良好。將結果示於下述表2中。
<抗蝕劑圖案形狀的評價>
對於所述解析度的評價中進行了評價的基板,利用掃描式電子顯微鏡(Scanning Electron Microscope,SEM)來觀察線寬/空間寬度為10/10(單位:μm)的抗蝕劑圖案的剖面形狀。將抗蝕劑圖案的剖面形狀作為抗蝕劑圖案形狀的評價而示於下述2中。抗蝕劑圖案的剖面形狀較佳為矩形。
當使用高解析度的投影曝光機,於殘存階段數變成11段的能量少的條件下進行曝光時,實施例1~實施例7中,相對於比較例1而言,解析度提昇。另外,確認到:實施例6~實施例7中,紫外線吸收劑的添加量多於其他實施例,抗蝕劑圖案形狀稍微惡化。但是,實施例6~實施例7的解析度良好。
[實施例8]
於表1中所示的實施例1的阻障層形成用樹脂組成物的組成中,將紫外線吸收劑的調配量變更為4倍(2.0質量份)且將阻障層的乾燥後的厚度變更為1 μm,除此以外,與實施例1同樣地獲得依序積層有PET膜(支撐膜)、阻障層、感光層及保護層的感光性元件以及依序積層有基板、感光層、阻障層及支撐膜的積層體。
針對所獲得的積層體,利用與實施例1相同的方法來進行光感度、解析度及抗蝕劑圖案形狀的評價,結果獲得與實施例1同等的光感度及解析度,抗蝕劑圖案形狀為矩形。然而,所形成的抗蝕劑圖案中產生阻障層的遷移。更具體而言,於抗蝕劑圖案的表面形成由阻障層的遷移(阻障層的溶解殘留)所引起的凹凸。因此,就越減薄阻障層,獲得越良好的解析度的觀點而言,較佳為提高紫外線吸收劑的濃度,但得知:於減薄阻障層並提高紫外線吸收劑的濃度的情況下,存在於圖2的(d)所示的顯影步驟中容易產生阻障層的遷移(阻障層的溶解殘留)的傾向。
[產業上的可利用性]
如以上所說明般,根據本揭示,可提供一種即便不增量聚合抑制劑亦可使感度降低並可提昇解析度的感光性元件、阻障層形成用樹脂組成物、抗蝕劑圖案的形成方法及印刷配線板的製造方法。
1‧‧‧感光性元件
2‧‧‧支撐膜
3、20‧‧‧阻障層
4、30‧‧‧感光層
5‧‧‧保護層
32‧‧‧抗蝕劑圖案
40‧‧‧導體層
42‧‧‧蝕刻處理後的導體層
50‧‧‧絕緣層
60‧‧‧鍍敷層
62‧‧‧蝕刻處理後的鍍敷層
70‧‧‧導體圖案
80‧‧‧光化射線
圖1是表示本揭示的感光性元件的一實施形態的示意剖面圖。
圖2的(a)~圖2的(f)是示意性地表示利用半加成法的印刷配線板的製造步驟的一例的圖。
1:感光性元件
2:支撐膜
3:阻障層
4:感光層
5:保護層
Claims (8)
- 如申請專利範圍第1項所述的感光性元件,其中所述紫外線吸收劑對於20℃的水的溶解度為0.1g/100mL-H2O以上。
- 如申請專利範圍第1項或第2項所述的感光性元件,其中所述阻障層的紫外線吸收率為5%~95%。
- 如申請專利範圍第1項或第2項所述的感光性元件,其中所述水溶性樹脂包含聚乙烯醇。
- 如申請專利範圍第1項或第2項所述的感光性元件,其中所述支撐膜為聚酯膜。
- 如申請專利範圍第1項或第2項所述的感光性元件,其中所述阻障層的厚度為2μm~12μm。
- 一種抗蝕劑圖案的形成方法,其包括: 使用如申請專利範圍第1項至第6項中任一項所述的感光性元件,於基板上自所述基板側起依序配置感光層、阻障層及支撐膜的步驟;將所述支撐膜去除,利用光化射線介隔所述阻障層對所述感光層進行曝光的步驟;以及將所述感光層的未硬化部及所述阻障層自所述基板上去除的步驟。
- 一種印刷配線板的製造方法,其包括:對藉由如申請專利範圍第7項所述的抗蝕劑圖案的形成方法而形成有抗蝕劑圖案的基板進行蝕刻處理或鍍敷處理,從而形成導體圖案的步驟。
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Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW377366B (en) * | 1995-12-27 | 1999-12-21 | Mitsubishi Chem Corp | Anti-reflective composition and method for forming resist pattern |
JP2006085116A (ja) * | 2004-08-17 | 2006-03-30 | Fuji Photo Film Co Ltd | 感光性転写材料並びにパターン形成方法及びパターン |
TWI297809B (zh) * | 2001-10-24 | 2008-06-11 | Toyo Boseki |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2143001C3 (de) * | 1971-08-27 | 1974-08-15 | Ibm Deutschland Gmbh, 7000 Stuttgart | Bistabile Axialführung für Stößel und dergl. in Sprungwerken |
JPS5551255Y2 (zh) | 1976-04-12 | 1980-11-28 | ||
JPS5483734U (zh) | 1977-11-26 | 1979-06-13 | ||
JP3220282B2 (ja) * | 1993-06-01 | 2001-10-22 | 日本カーバイド工業株式会社 | 車両保護用剥離性被覆組成物 |
JPH09236915A (ja) * | 1995-12-27 | 1997-09-09 | Mitsubishi Chem Corp | 反射防止組成物及びレジストパターン形成方法 |
US6367381B1 (en) | 2000-02-22 | 2002-04-09 | Polyfibron Technologies, Inc. | Laser imaged printing plates comprising a multi-layer slip film |
US6921620B2 (en) * | 2001-08-21 | 2005-07-26 | Kodak Polychrome Graphics Llc | Imageable composition containing colorant having a counter anion derived from a non-volatile acid |
JP3781188B2 (ja) * | 2002-09-06 | 2006-05-31 | 東洋紡績株式会社 | 感光性樹脂積層体 |
JP2004325513A (ja) * | 2003-04-21 | 2004-11-18 | Toyobo Co Ltd | 感光性樹脂積層体 |
US8105759B2 (en) * | 2005-07-05 | 2012-01-31 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Photosensitive resin composition, and, photosensitive element, method for forming resist pattern, method for manufacturing printed wiring board and method for manufacturing partition wall for plasma display panel using the composition |
US20100025642A1 (en) * | 2007-02-20 | 2010-02-04 | Naoyuki Hanaki | Ultraviolet absorbent composition |
JP2009014779A (ja) * | 2007-06-29 | 2009-01-22 | Fujifilm Corp | 平版印刷版原版 |
CN101836162B (zh) | 2007-10-25 | 2012-11-14 | 可隆工业株式会社 | 薄膜型转印材料 |
JP5551255B2 (ja) | 2009-09-28 | 2014-07-16 | コーロン インダストリーズ インク | ドライフィルムフォトレジスト |
TW201242795A (en) * | 2011-01-20 | 2012-11-01 | Taica Corp | A water pressure transfer method, a transfer film for water pressure transfer, an ink for a transfer film and a water pressure transfer article |
JP5814667B2 (ja) | 2011-07-15 | 2015-11-17 | 旭化成イーマテリアルズ株式会社 | 感光性エレメント |
JP6167018B2 (ja) * | 2013-10-31 | 2017-07-19 | 富士フイルム株式会社 | 積層体、有機半導体製造用キットおよび有機半導体製造用レジスト組成物 |
KR102572426B1 (ko) * | 2015-07-30 | 2023-08-30 | 가부시끼가이샤 레조낙 | 감광성 엘리먼트, 배리어층 형성용 수지 조성물, 레지스터 패턴의 형성 방법 및 프린트 배선판의 제조 방법 |
JP7155472B2 (ja) | 2016-10-14 | 2022-10-19 | 大日本印刷株式会社 | 光学フィルムおよび画像表示装置 |
JP6718174B2 (ja) * | 2017-07-03 | 2020-07-08 | 日化精工株式会社 | レーザー加工用保護膜剤 |
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW377366B (en) * | 1995-12-27 | 1999-12-21 | Mitsubishi Chem Corp | Anti-reflective composition and method for forming resist pattern |
TWI297809B (zh) * | 2001-10-24 | 2008-06-11 | Toyo Boseki | |
JP2006085116A (ja) * | 2004-08-17 | 2006-03-30 | Fuji Photo Film Co Ltd | 感光性転写材料並びにパターン形成方法及びパターン |
Also Published As
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