TWI798814B - 一種毫米波天線模組用低溫共燒陶瓷材料及其製備方法 - Google Patents

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Abstract

本發明揭露一種電子陶瓷材料及其製造技術領域，具體涉及毫米波天線模組用低溫共燒陶瓷材料，並進一步公開其製備方法。本發明所述毫米波天線模組用低溫共燒陶瓷材料以Mg 2SiO 4為基體材料，並添加低K值低熔點玻璃粉形成，經成型燒結後的膜片，使用SPDR測試方法，在室溫以及20 GHz測試頻率下，介電常數為7±0.2，介電損耗＜4×10 -3；在-40℃~110℃溫度範圍內以及測試頻率20GHz下，溫漂為±10 ppm/℃以內；此外，低溫共燒陶瓷材料的抗彎強度＞150 MPa，可作為5G通訊中毫米波天線模組的應用。

Description

一種毫米波天線模組用低溫共燒陶瓷材料及其製備方法
本發明係關於一種電子陶瓷材料及其製造方法，尤指一種毫米波天線模組用低溫共燒陶瓷材料，以及其製備方法。
近年來，在半導體技術飛速發展的帶動下，電子元器件不斷向小型化、集成化和高頻化方向發展。選擇適當的能與銀等導電材料在不超過900℃的溫度下低溫共燒的陶瓷，從而製作多層元件或把無源器件埋入多層電路基板中，成為上述趨勢的必然要求，作為無源集成元件主要介質材料的低溫共燒陶瓷也因此成為一種重要的發展趨勢。低溫共燒陶瓷LTCC（Low Temperature Co-fired Ceramic）材料主要是將適量燒結助劑引入介質陶瓷系統後，利用液相燒結機制促進材料的緻密化。低溫共燒陶瓷技術具有阻抗可控、傳輸損耗低、組裝密度高、功能模組豐富等優點，是微波/毫米波電路元件實現小型化、多功能化、高可靠性化、低成本化不可或缺的關鍵技術。
如中國專利CN105347781A公開的以主晶相Mg 2SiO 4和摻雜相矽酸鹽玻璃、Al 2O 3、ZnO、La 2O 3材料，經球磨混合、預燒、幹壓成型等工藝，在1300℃燒結製成了成磁密度為2.8g/cm 3、介電常數在6.9左右的陶瓷材料，雖然其介電常數符合一般情況下的應用要求；但是，整個工藝的燒結溫度過高，且無法實現與銀漿共燒，限制了實際的生產和應用。又如中國專利CN11170741A中合成的高頻低損耗LTCC材料，其由La 2O 3-B 2O 3-CaO微晶玻璃和LaBO 3組成，經950℃燒結2h後製得，所得材料的介電常數在9左右，介電損耗為2.91×10 -3，品質因數在6000左右；雖然產品性能得到優化，但其工藝燒結溫度較高，且無法與銀漿共燒，介電損耗仍然較大。
因此，開發一種適用於毫米波天線模組等5G通訊領域的低介電常數低損耗低溫漂的低溫共燒陶瓷材料具有積極的意義。
為此，本發明所要解決的技術問題在於提供一種毫米波天線模組用低溫共燒陶瓷材料，該材料具有低介電、低損耗、低溫漂的性能優勢；
本發明所要解決的第二個技術問題在於提供所述毫米波天線模組用低溫共燒陶瓷材料的製備方法。
為解決上述技術問題，本發明所述的一種毫米波天線模組用低溫共燒陶瓷材料，以所述材料的總量計，包括如下品質含量的組分：
Mg 2SiO 470-90wt%；
低K值低熔點玻璃粉     10-30wt%。
具體的，所述低K值低熔點玻璃粉的玻璃K值為6.7-8.3，軟化點為520-640℃。
具體的，所述低K值低熔點玻璃粉包括ZnO-SiO 2-Al 2O 3、BaO-ZnO-Al 2O 3-CaO、CaO-Al 2O 3-SiO 2、ZnO-Al 2O 3-Bi 2O 3玻璃。
本發明所述低K值低熔點玻璃粉中，各組分的具體含量沒有特別的限定要求，其成分體系形成的玻璃粉可滿足“低K值低熔點”的參數性能即可。
具體的，本發明所述低溫共燒陶瓷材料的製備方法，包括按照選定的含量比例取所述Mg 2SiO 4和低K值低熔點玻璃粉混合的步驟，進一步經球磨、烘乾及過篩處理，得到配方粉。
具體的，本發明所述毫米波天線模組用低溫共燒陶瓷材料在室溫以及20GHz測試頻率下，介電常數為7±0.2。
具體的，本發明所述毫米波天線模組用低溫共燒陶瓷材料在室溫以及20GHz測試頻率下，介電損耗＜4×10 -3。
具體的，所述毫米波天線模組用低溫共燒陶瓷材料在-40℃~110℃溫度範圍內以及測試頻率20GHz下，溫漂為±10ppm/℃以內。
具體的，所述毫米波天線模組用低溫共燒陶瓷材料的抗彎強度＞150MPa。
本發明還公開了一種毫米波天線模組用低溫共燒陶瓷漿料，包括所述低溫共燒陶瓷材料以及有機載體，其中，所述低溫共燒陶瓷材料占所述漿料的品質含量為35-53wt%。
具體的，所述有機載體包括粘結劑、增塑劑及溶解劑。
具體的，所述毫米波天線模組用低溫共燒陶瓷漿料：
所述粘結劑包括PVA、PVB、聚丙烯酸甲脂、乙基纖維素、丙烯酸乳劑、聚丙烯酸胺鹽中的一種；
所述增塑劑包括聚乙二醇、鄰苯二甲酸脂、乙二醇中的一種；
所述溶解劑包括水、乙醇、甲乙酮、三氯乙烯、甲苯、二甲苯中的一種。
具體的，所述有機載體還包括分散劑和消泡劑。
具體的，所述毫米波天線模組用低溫共燒陶瓷漿料：
所述分散劑包括聚丙烯酸銨、磷酸脂、乙氧基化合物、鮮魚油中的一種；
所述消泡劑包括乳化矽油、高碳醇脂肪酸酯複合物、聚氧乙烯聚氧丙烯季戊四醇醚、聚氧乙烯聚氧丙醇胺醚、聚氧丙烯甘油醚、聚氧丙烯中的一種。
具體的，本發明所述毫米波天線模組用低溫共燒陶瓷漿料的製備方法，則包括將所述低溫共燒陶瓷材料與所述有機載體進行充分混合的步驟。
本發明還公開了一種毫米波天線模組用低溫共燒陶瓷生瓷帶，由所述低溫共燒陶瓷漿料製備形成。
具體的，本發明所述毫米波天線模組用低溫共燒陶瓷生瓷帶的製備方法，則包括將所述的低溫共燒陶瓷材料基於流延法製備所需生瓷帶的步驟。
本發明還公開了一種毫米波天線模組用低溫共燒陶瓷基板，由所述低溫共燒陶瓷生瓷帶經燒結製得。
本發明還公開了一種毫米波天線模組用低溫共燒陶瓷基板，由所述低溫共燒陶瓷材料製成。
本發明還公開了一種製備所述毫米波天線模組用低溫共燒陶瓷基板的方法，其特徵在於，包括如下步驟：
（1）按照選定的含量比例取所述Mg 2SiO 4和低K值低熔點玻璃粉混合，經球磨、烘乾及過篩處理，得到配方粉，備用；
（2）將所得配方粉製成生瓷帶，經燒結處理，即得所需低介低損耗近零溫漂低溫共燒陶瓷基板。
具體的，所述步驟（1）中，所述球磨步驟中，控制所述原料、水和氧化鋯球的品質比為1：1.2-1.5：2.4-3；
控制氧化鋯球直徑為1.5mm，控制球磨轉速為300-350r/min，球磨時間為2-5h。
控制烘乾步驟的溫度為80-180℃，烘乾時間為3-12h。
控制過篩步驟的篩網為80目。
具體的，所述步驟（2）中，所述燒結步驟包括：控制所述生瓷帶在含氧氣氛下，自室溫升至230-270℃，再自230-270℃升溫至300-370℃，最後自300-370℃升溫至840-890℃；
控制各梯度溫度階段的升溫速率彼此獨立的為1-5℃/min。
優選的，控制所述燒結步驟保溫燒結的時間為2-4h。
具體的，本發明所述毫米波天線模組用低溫共燒陶瓷材料、漿料、生瓷帶和基板的製備方法中，還包括製備低K值低熔點玻璃粉的步驟，即按照選定類型比例的原料組成，將玻璃的原材料按品質百分比依次混合，經高溫熔製成玻璃熔漿，經冷卻對輥成片狀玻璃，經陶瓷對輥成粗玻璃，然後經過幹式粉碎和氣流粉碎將粗玻璃製成玻璃粉。
本發明還公開了所述低溫共燒陶瓷材料或者所述低溫共燒陶瓷漿料或者所述低溫共燒陶瓷生瓷帶或者所述低溫共燒陶瓷基板用於製備毫米波天線模組器件的用途。
本發明所述毫米波天線模組用低溫共燒陶瓷材料以Mg 2SiO 4為基體材料，並添加低K值低熔點玻璃粉形成；由於Mg 2SiO 4是由Si-O四面體和Mg-O四面體通過共頂、共棱的構架而連結，其中Si-O鍵由55%的共價鍵和45%的離子鍵組成，高含量的共價鍵使得Mg 2SiO 4具有低的介電常數（6.8）和高的Qf值（270000），保證了所述低溫共燒陶瓷材料的性能優勢，而低K值低熔點玻璃粉的添加則進一步解決了Mg 2SiO 4的燒結溫度過高以及緻密性略差的缺陷，不僅可滿足產品的性能要求，且確保了整個燒結工藝的低溫性和可操作性。
本發明所述毫米波天線模組用低溫共燒陶瓷材料結合Mg 2SiO 4基體材料和低K值低熔點玻璃粉的性能優勢，經成型燒結後的膜片，使用SPDR測試方法，在室溫以及20GHz測試頻率下，介電常數為7±0.2，介電損耗＜4×10 -3，溫漂為±10以內，強度＞150MPa，可作為5G通訊中毫米波天線模組的應用。
製備例 本發明下述實施例中，涉及的低K值低熔點玻璃粉的類別及所述玻璃粉中各原料成分的含量範圍值、實際添加量如下表1所示。分別按照下表1中記載的品質百分比進行選定成分的配料，將選定原材料共混，經高溫熔製成玻璃熔漿，並經冷卻對輥成片狀玻璃，再經陶瓷對輥成粗玻璃，然後經過幹式粉碎和氣流粉碎將粗玻璃製成所需組分的低K值低熔點玻璃粉，備用。 表1 、所述玻璃粉的組分、品質百分比及性能
組分/性能 ZnO-SiO 2-Al 2O 3（A） BaO-ZnO-Al 2O 3-CaO（B） CaO-Al 2O 3-SiO 2（C）
理論含量占比/% 實際添加量/% 理論含量占比/% 實際添加量/% 理論含量占比/% 實際添加量/%
Al 2O 3 18-20 18.8 18-20 19.1 30-32 31.1
ZnO 59-61 59.9 22-24 22.9 0.1-0.3 0.17
CaO - - 8-10 9.5 34-36 35.2
SiO 2 19-21 20.5 6-7 6.5 23-25 23.6
BaO 0.09-0.2 0.091 40-42 40.9 0.2-0.6 0.4
TiO 2 0.04-0.12 0.06 - - 2-4 3.13
Sb 2O 3 0-0.18 0.13 - - - -
Na 2O - - 0.8-1 0.9 2-3 2.3
MgO - - 0.1-0.2 0.12 0.5-1 0.6
SrO - - 0.05-0.15 0.08 - -
ZrO 2 0.13-0.5 0.46 - - 3-4 3.5
CuO 0-0.07 0.059 - - - -
K值 7.53-8.13 6.72-7.34 7.25-7.64
軟化點/℃ 555-570 525-540 620-630
實施例1 本實施例所述毫米波天線模組用低溫共燒陶瓷基板的製備方法，包括如下步驟： （1）按照Mg 2SiO 480wt%、低K值低熔點玻璃粉20wt%的含量比，取所述Mg 2SiO 4和ZnO-SiO 2-Al 2O 3玻璃粉（A）混合，並按照製備原料物料：水：氧化鋯球品質比為1：1.5：3的比例加入水和氧化鋯球，控制氧化鋯球直徑為1.5mm，控制球磨轉速為300r/min，進行球磨5h，隨後經180℃烘乾3h至完全烘乾後，使用80目篩網過篩，得到配方粉，備用； （2）將所得配方粉製成漿料，經流延將漿料製成生瓷帶，隨後所述生瓷帶在空氣氣氛下，控制升溫速率為3℃/min，自室溫升至250℃，再控制升溫速率為1℃/min，自250℃升溫至350℃，最後控制升溫速率為4℃/min，自350℃升溫至840℃，並進行保溫燒結4h，經燒結處理後製成基板，即得所需低溫共燒陶瓷基板。
實施例2 本實施例所述毫米波天線模組用低溫共燒陶瓷基板的製備方法，包括如下步驟： （1）按照Mg 2SiO 480wt%、低K值低熔點玻璃粉20wt%的含量比，取所述Mg 2SiO 4和BaO-ZnO-Al 2O 3-CaO（B）混合，並按照製備原料物料：水：氧化鋯球品質比為1：1.5：3的比例加入水和氧化鋯球，控制氧化鋯球直徑為1.5mm，控制球磨轉速為320r/min，進行球磨4h，隨後經150℃烘乾6h至完全烘乾後，使用80目篩網過篩，得到配方粉，備用； （2）將所得配方粉製成漿料，經流延將漿料製成生瓷帶，隨後所述生瓷帶在空氣氣氛下，控制升溫速率為3℃/min，自室溫升至250℃，再控制升溫速率為1℃/min，自250℃升溫至350℃，最後控制升溫速率為4℃/min，自350℃升溫至850℃，並進行保溫燒結3h，經燒結處理後製成基板，即得所需低溫共燒陶瓷基板。
實施例3 本實施例所述毫米波天線模組用低溫共燒陶瓷基板的製備方法，包括如下步驟： （1）按照Mg 2SiO 480wt%、低K值低熔點玻璃粉20wt%的含量比，取所述Mg 2SiO 4和CaO-Al 2O 3-SiO 2（C）混合，並按照製備原料物料：水：氧化鋯球品質比為1：1.5：3的比例加入水和氧化鋯球，控制氧化鋯球直徑為1.5mm，控制球磨轉速為340r/min，進行球磨4h，隨後經120℃烘乾10h至完全烘乾後，使用80目篩網過篩，得到配方粉，備用； （2）將所得配方粉製成漿料，經流延將漿料製成生瓷帶，隨後所述生瓷帶在空氣氣氛下，控制升溫速率為3℃/min，自室溫升至250℃，再控制升溫速率為1℃/min，自250℃升溫至350℃，最後控制升溫速率為4℃/min，自350℃升溫至870℃，並進行保溫燒結3h，經燒結處理後製成基板，即得所需低溫共燒陶瓷基板。
實施例4 本實施例所述毫米波天線模組用低溫共燒陶瓷基板的製備方法，包括如下步驟： （1）按照Mg 2SiO 470wt%、低K值低熔點玻璃粉30wt%的含量比，取所述Mg 2SiO 4和ZnO-SiO 2-Al 2O 3玻璃粉（A）混合，並按照製備原料物料：水：氧化鋯球品質比為1：1.5：3的比例加入水和氧化鋯球，控制氧化鋯球直徑為1.5mm，控制球磨轉速為350r/min，進行球磨2.5h，隨後經80℃烘乾12h至完全烘乾後，使用80目篩網過篩，得到配方粉，備用； （2）將所得配方粉製成漿料，經流延將漿料製成生瓷帶，隨後所述生瓷帶在空氣氣氛下，控制升溫速率為3℃/min，自室溫升至250℃，再控制升溫速率為1℃/min，自250℃升溫至350℃，最後控制升溫速率為4℃/min，自350℃升溫至890℃，並進行保溫燒結2.5h，經燒結處理後製成基板，即得所需低溫共燒陶瓷基板。
實施例5 本實施例所述毫米波天線模組用低溫共燒陶瓷基板的製備方法，包括如下步驟： （1）按照Mg 2SiO 475wt%、低K值低熔點玻璃粉25wt%的含量比，取所述Mg 2SiO 4和ZnO-SiO 2-Al 2O 3玻璃粉（A）混合，並按照製備原料物料：水：氧化鋯球品質比為1：1.5：3的比例加入水和氧化鋯球，控制氧化鋯球直徑為1.5mm，控制球磨轉速為350r/min，進行球磨2.5h，隨後經80℃烘乾12h至完全烘乾後，使用80目篩網過篩，得到配方粉，備用； （2）將所得配方粉製成漿料，經流延將漿料製成生瓷帶，隨後所述生瓷帶在空氣氣氛下，控制升溫速率為3℃/min，自室溫升至250℃，再控制升溫速率為1℃/min，自250℃升溫至350℃，最後控制升溫速率為4℃/min，自350℃升溫至890℃，並進行保溫燒結2.5h，經燒結處理後製成基板，即得所需低溫共燒陶瓷基板。
實施例6 本實施例所述毫米波天線模組用低溫共燒陶瓷基板的製備方法，包括如下步驟： （1）按照Mg 2SiO 485wt%、低K值低熔點玻璃粉15wt%的含量比，取所述Mg 2SiO 4和ZnO-SiO 2-Al 2O 3玻璃粉（A）混合，並按照製備原料物料：水：氧化鋯球品質比為1：1.5：3的比例加入水和氧化鋯球，控制氧化鋯球直徑為1.5mm，控制球磨轉速為350r/min，進行球磨2.5h，隨後經80℃烘乾12h至完全烘乾後，使用80目篩網過篩，得到配方粉，備用； （2）將所得配方粉製成漿料，經流延將漿料製成生瓷帶，隨後所述生瓷帶在空氣氣氛下，控制升溫速率為3℃/min，自室溫升至250℃，再控制升溫速率為1℃/min，自250℃升溫至350℃，最後控制升溫速率為4℃/min，自350℃升溫至890℃，並進行保溫燒結2.5h，經燒結處理後製成基板，即得所需低溫共燒陶瓷基板。
實施例7 本實施例所述毫米波天線模組用低溫共燒陶瓷基板的製備方法，包括如下步驟： （1）按照Mg 2SiO 490wt%、低K值低熔點玻璃粉10wt%的含量比，取所述Mg 2SiO 4和ZnO-SiO 2-Al 2O 3玻璃粉（A）混合，並按照製備原料物料：水：氧化鋯球品質比為1：1.5：3的比例加入水和氧化鋯球，控制氧化鋯球直徑為1.5mm，控制球磨轉速為350r/min，進行球磨2.5h，隨後經80℃烘乾12h至完全烘乾後，使用80目篩網過篩，得到配方粉，備用； （2）將所得配方粉製成漿料，經流延將漿料製成生瓷帶，隨後所述生瓷帶在空氣氣氛下，控制升溫速率為3℃/min，自室溫升至250℃，再控制升溫速率為1℃/min，自250℃升溫至350℃，最後控制升溫速率為4℃/min，自350℃升溫至890℃，並進行保溫燒結2.5h，經燒結處理後製成基板，即得所需低溫共燒陶瓷基板。
對比例1 本實施例所述低溫共燒陶瓷基板的製備方法的製備方法同實施例4，其區別僅在於，所述基體材料選用Al 2O 3。
對比例2 本實施例所述低溫共燒陶瓷基板的製備方法的製備方法同實施例4，其區別僅在於，所述基體材料選用BaTi 4O 9。
對比例3 本實施例所述低溫共燒陶瓷基板的製備方法的製備方法同實施例4，其區別僅在於，所述玻璃粉材料選用硼矽酸鹽玻璃（CaO-B 2O 3-SiO 2）。
本發明上述實施例1-7中，所述低K值低熔點玻璃粉的各原料成分在整個所述低溫共燒陶瓷配方粉中的比例如下表2所示。 表2玻璃粉的各原料成分在整個所述低溫共燒陶瓷配方粉中的比例/%
實施例 1 2 3 4 5 6 7
玻璃粉 A B C A A A A
Al 2O 3 3.76 3.82 6.22 5.64 4.7 2.82 1.88
ZnO 11.98 4.58 0.034 17.97 14.975 8.985 5.99
CaO - 1.9 7.04 - - - -
SiO 2 4.1 1.3 4.72 6.15 5.125 3.075 2.05
BaO 0.0182 8.18 0.08 0.0273 0.02275 0.01365 0.0091
TiO 2 0.012 - 0.626 0.018 0.015 0.009 0.006
Sb 2O 3 0.026 - - 0.039 0.0325 0.0195 0.013
Na 2O - 0.18 0.46 - - - -
MgO - 0.024 0.12 - - - -
SrO - 0.016 - - - - -
ZrO 2 0.092 - 0.7 0.138 0.115 0.069 0.046
CuO 0.0118 - - 0.0177 0.01475 0.00885 0.0059
實驗例 分別對上述實施例1-7中製備的低溫共燒陶瓷基板的性能進行測試，測試結果見下表3所示，對比例1-3中製備的低溫共燒陶瓷基板的性能如表4所示。在室溫以及測試頻率20GHz下，使用SPDR測試方法，以測試所述低溫共燒陶瓷材料的介電常數、介電損耗、溫漂及強度等參數。 表3各實施例材料的性能測試結果
實施例 玻璃粉 Mg 2SiO 4（%） 玻璃粉（%） 介電常數 損耗角正切 溫漂（ppm/℃） 抗彎強度（MPa）
1 A 80 20 7.09 1.3×10 -3 2 160
2 B 80 20 6.87 2.6×10 -3 9 154
3 C 80 20 6.93 1.4×10 -3 6 171
4 A 70 30 7.17 1.7×10 -3 5 168
5 A 75 25 7.11 3.6×10 -3 -7 161
6 A 85 15 6.92 2.2×10 -3 -3 157
7 A 90 10 6.83 1.1×10 -4 8 152
表4 各對比例的測試結果
對比例 基體材料 玻璃粉 介電常數 損耗角正切 溫漂 （ppm/℃） 抗彎強度 （MPa）
1 Al 2O 3 A 8.6 6.4×10 -3 9 113
2 BaTi 4O 9 A 19.7 5.6×10 -3 16 138
3 Mg 2SiO 4 CaO-B 2O 3-SiO 2 6.5 4.3×10 -3 -6 146
可見，本發明所述低溫共燒陶瓷材料經成型燒結後的膜片，使用SPDR測試方法，在室溫以及20GHz測試頻率下，介電常數為7±0.2，介電損耗＜4×10 -3，溫漂為±10以內，強度＞150 MPa，可作為5G通訊中毫米波天線模組的應用。
以上實施方式本質上僅為輔助說明，且並不欲用以限制申請標的之實施例或該等實施例的應用或用途。此外，儘管已於前述實施方式中提出至少一例示性實施例，但應瞭解本創作仍可存在大量的變化。同樣應瞭解的是，本文所述之實施例並不欲用以透過任何方式限制所請求之申請標的之範圍、用途或組態。相反的，前述實施方式將可提供本領域具有通常知識者一種簡便的指引以實施所述之一或多種實施例。再者，可對元件之功能與排列進行各種變化而不脫離申請專利範圍所界定的範疇，且申請專利範圍包含已知的均等物及在本專利申請案提出申請時的所有可預見均等物。
無

Claims (14)

  1. 一種毫米波天線模組用低溫共燒陶瓷材料，其中，以該材料的總量計，包括如下質量含量的組分：Mg2SiO4 70-90wt%；及低K值低熔點玻璃粉 10-30wt%；其中，該低K值低熔點玻璃粉的玻璃K值為6.7-8.3，軟化點為520-640℃。
  2. 如請求項1所述之毫米波天線模組用低溫共燒陶瓷材料，其中，該低K值低熔點玻璃粉包括ZnO-SiO2-Al2O3、BaO-ZnO-Al2O3-CaO、CaO-Al2O3-SiO2、ZnO-Al2O3-Bi2O3玻璃。
  3. 如請求項1或2所述之毫米波天線模組用低溫共燒陶瓷材料，其中，該陶瓷材料在室溫以及20GHz測試頻率下，介電常數為7±0.2。
  4. 如請求項1或2所述之毫米波天線模組用低溫共燒陶瓷材料，其中，該陶瓷材料在室溫以及20GHz測試頻率下，其介電損耗<4×10-3。
  5. 如請求項1或2所述之毫米波天線模組用低溫共燒陶瓷材料，其中，該陶瓷材料在-40℃~110℃溫度範圍內以及測試頻率20GHz下，溫漂為±10ppm/℃以內。
  6. 如請求項1或2所述之毫米波天線模組用低溫共燒陶瓷材料，其中，該陶瓷材料的抗彎強度>150MPa。
  7. 一種毫米波天線模組用低溫共燒陶瓷漿料，包括如請求項1-6任一項所述之低溫共燒陶瓷材料以及有機載體，其中，該低溫共燒陶瓷材料占所述漿料的質量含量為35-53wt%。
  8. 如請求項7所述之毫米波天線模組用低溫共燒陶瓷漿料，其中，該有機載體包括粘結劑、增塑劑及溶解劑。
  9. 如請求項8所述之毫米波天線模組用低溫共燒陶瓷漿料，其中：該粘結劑包括PVA、PVB、聚丙烯酸甲脂、乙基纖維素、丙烯酸乳劑、聚丙烯酸胺鹽中的一種；該增塑劑包括聚乙二醇、鄰苯二甲酸脂、乙二醇中的一種；該溶解劑包括水、乙醇、甲乙酮、三氯乙烯、甲苯、二甲苯中的一種。
  10. 如請求項7-9任一項所述之毫米波天線模組用低溫共燒陶瓷漿料，其中，該有機載體還包括分散劑和消泡劑。
  11. 如請求項10所述之毫米波天線模組用低溫共燒陶瓷漿料，其中：該分散劑包括聚丙烯酸銨、磷酸脂、乙氧基化合物、鮮魚油中的一種；該消泡劑包括乳化矽油、高碳醇脂肪酸酯複合物、聚氧乙烯聚氧丙烯季戊四醇醚、聚氧乙烯聚氧丙醇胺醚、聚氧丙烯甘油醚、聚氧丙烯中的一種。
  12. 一種毫米波天線模組用低溫共燒陶瓷生瓷帶，由請求項7-11任一項所述之低溫共燒陶瓷漿料製備形成。
  13. 一種毫米波天線模組用低溫共燒陶瓷基板，由請求項12所述之低溫共燒陶瓷生瓷帶經燒結製得。
  14. 一種毫米波天線模組用低溫共燒陶瓷基板，由請求項1-6任一項所述之低溫共燒陶瓷材料製成。
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