TWI797514B - 具有共享微透鏡及極化像素之影像感測器 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種影像感測器像素，其包含一子像素及一極化像素。該子像素包括設置在半導體材料中之一組光電二極體、在該光電二極體組上光學對準之一共享微透鏡，以及設置在該光電二極體組與該共享微透鏡之間的一子像素濾色器。該極化像素包括設置在該半導體材料中之一第一光電二極體、在該第一光電二極體上光學對準之一非共享微透鏡，以及設置在該第一光電二極體與該非共享微透鏡之間的一極化濾光器。該共享微透鏡具有一第一側向面積。該非共享微透鏡具有小於該共享微透鏡之該第一側向面積之一第二側向面積。

Description

具有共享微透鏡及極化像素之影像感測器
本發明總體上係關於影像感測器，並且具體但非排他地係關於CMOS影像感測器及其應用。
影像感測器已變得無處不在，並且現在數位相機、蜂巢式電話、監控攝像機以及醫療、汽車及其他應用中廣泛使用。由於影像感測器被整合至更寬範圍之電子裝置中，期望經由裝置架構設計以及影像獲取處理兩者來以儘可能多的方式增強它們的功能性、效能量度等(例如，解析度、功耗、動態範圍等)。
典型的影像感測器回應於自外部場景反射之影像光入射至影像感測器上而操作。影像感測器包括具有光敏元件(例如，光電二極體)之像素陣列，該等光敏元件吸收入射影像光之一部分並且在吸收影像光時產生影像電荷。像素中之每一者的影像電荷可被量測為每一光敏元件的根據入射影像光變化的輸出電壓。換言之，所產生之影像電荷量與影像光之強度成比例，該影像光用於產生表示外部場景之數位影像(亦即，影像資料)。
100:影像感測器
100-A:俯視圖
100-AA':橫截面視圖
100-BB':橫截面視圖
101:半導體材料
101-1:部分
101-2:部分
101-3:部分
101-4:部分
102:影像像素
103:子像素
103-B:藍色子像素
103-G:綠色子像素
103-R:紅色子像素
104:極化像素
104-P1:第一極化像素
104-P3:極化像素
105:光電二極體
105-1:光電二極體
105-2:光電二極體
107:極化濾光器
107-1:極化濾光器
109:深溝槽隔離結構
110:子像素濾色器
110-1:子像素濾色器
110-B:子像素濾色器
110-G:子像素濾色器
110-R:子像素濾色器
115:共享微透鏡
117:非共享微透鏡
117-1:非共享微透鏡
202-A:最小重複單元
203-B:藍色子像素
203-B1:藍色子像素
203-B2:藍色子像素
203-G:綠色子像素
203-G1:綠色子像素
203-G2:綠色子像素
203-G3:綠色子像素
203-G4:綠色子像素
203-R:紅色子像素
203-R1:紅色子像素
203-R2:紅色子像素
203-9PD:子像素
203-16PD:子像素
204:極化像素組
204-9PD:極化像素組
204-16PD:極化像素組
207:非共享微透鏡
215:共享微透鏡
215-9PD:共享微透鏡
215-16PD:共享微透鏡
300:影像感測器
301:半導體材料
305:光電二極體
310:子像素濾色器
315:共享微透鏡
370:成像系統
375:物鏡
380:控制器
382:處理器
384:記憶體
386:控制電路
388:讀出電路
390:功能邏輯
392:入射光
395:外部場景
400:方法
405~460:區塊
B1~B16:光電二極體
C1~CX:行
G1~G4:光電二極體
P1~P16:極化像素
R1~RY:列
參考以下圖式描述本發明之非限制且非詳盡實施例，其中除非另有說明，否則相同的附圖標記在各個視圖中指代相同部件。並非元件之所有實例都必須被標記，以免在適當的情況下干擾附圖。附圖不一定按比例繪製，而是強調說明所描述之原理。
圖1A說明根據本發明之教示的具有包括共享微透鏡及極化像素之影像像素之影像感測器的俯視圖。
圖1B至圖1C說明根據本發明之教示的具有共享微透鏡及極化像素之影像感測器的不同橫截面圖。
圖1D說明根據本發明之教示的包括在影像感測器之影像像素中的子像素濾色器、極化濾光器、共享微透鏡及非共享微透鏡之間的相對大小比較。
圖2A說明根據本發明之教示的具有共享微透鏡及極化像素之影像感測器之最小重複單元的俯視圖。
圖2B至圖2E說明根據本發明之教示的成像系統之例示性子像素及成組的極化像素。
圖3係根據本發明之教示的包括具有共享微透鏡及極化像素之影像感測器之成像系統的功能方塊圖。
圖4說明根據本發明之教示的用於使用包括具有共享微透鏡及極化像素之影像感測器之成像系統來捕獲影像的實例方法。
本文描述了各自包括具有共享微透鏡及極化像素之影像感 測器或以其他方式與該影像感測器相關之設備、系統及方法的實施例。在以下描述中，闡述了許多具體細節以提供對實施例之透徹理解。然而，熟習相關技術者將認識到，可在不使用具體細節中之一或多者或者使用其他方法、組件、材料等實踐本文中描述之技術。在其他實例中，未展示或詳細描述眾所周知的結構、材料或操作以免模糊某些態樣。
貫穿本說明書對「一個實施例」或「實施例」之參考意謂結合實施例描述之特定特徵、結構或特性包括在本發明之至少一個實施例中。因此，在貫穿本說明書之各種地方出現片語「在一個實施例中」或「在實施例中」不一定都指代同一實施例。此外，特定特徵、結構或特性可在一或複數個實施例中以任何合適方式組合。
貫穿本說明書，使用若干技術術語。此等術語具有其所來源於之領域中之一般含義，除非本文中具體定義或其使用背景清楚地以其他方式指示。應當注意，貫穿本文檔，元件名稱及符號可互換使用(例如，Si與矽相對)；然而，這兩者均具有相同意義。
本文描述之實施例利用具有如下架構之影像感測器，該架構可以包括複數個子像素，每一子像素構造有共享微透鏡以提供外部場景之相位資訊(例如，用於相位偵測自動聚焦、深度映射等)以及顏色資訊以產生外部場景之影像或視訊。此外，影像感測器之架構亦可包括複數個極化像素，該複數個極化像素被構造以提供外部場景之表面法線角度資訊。有利地，由複數個子像素提供之相位資訊可以與表面法線角度資訊組合以提供深度映射，該深度映射對於多種場景係相容的。例如，來自具有共享微透鏡之複數個子像素之相位資訊可提供彼此對比之外部場景之邊緣的相位資訊或相對深度資訊(例如，當過渡至外部場景之不同對象時)。可以將 相對深度資訊與由極化像素提供之表面角度資訊組合，以在即使外部場景之部分在沒有顯著對比差異之情況下改變深度時(例如，當個別對象本身具有變化之寬度並且因此與影像感測器之距離不均勻時，諸如球體之情況)精確地產生深度圖影像。增強之深度映射至少部分地基於本發明之實施例中描述之影像像素或影像感測器之特定架構來實現。
另外，在一些實施例中，個別子像素可以係多功能的，以提供彩色影像資料(例如，表示部分外部場景之顏色資訊)及用於目標聚焦之相位資訊(亦即，相位偵測自動聚焦)。在一個實施例中，複數個子像素具有包括在各別光電二極體組上光學對準之共享微透鏡之架構，以實現用於多方向相位偵測自動聚焦(PDAF)之單個感測器解決方案。換言之，除了提供顏色資訊之外，每一子像素亦可以用作相位偵測像素，以提供用於判定影像圖框內之興趣點(POI)是否聚焦的相位資訊。該相位資訊隨後可作為回應用於在該POI失焦時關於應如何調整成像系統之物鏡而產生多方向引導。有利地，本文描述之實施例提供了用於針對基本上即時自動聚焦之密集及全向相位差計算之單個感測器解決方案。
圖1A至圖1D說明影像感測器100之典型視圖。應當理解，圖1A至圖1D中呈現之視圖可省略影像感測器100之某些元件以免模糊本發明之細節。換言之，並非影像感測器100之所有元件均可在圖1A至圖1D中之個別一者內標記、說明或以其他方式展示。亦應當理解，在一些實施例中，影像感測器100可以不必包括圖1A至圖1D所示之所有元件。
圖1A說明根據本發明之教示的具有共享微透鏡115及極化像素104之影像感測器100的俯視圖100-A。影像感測器100包括影像像素102，其可以代表包括在共同形成影像感測器100之複數個影像像素中之 任何影像像素。影像像素102可以係影像感測器100之最小重複單元並且包括複數個子像素103(例如，藍色子像素103-B、綠色子像素103-G及紅色子像素103-R)及複數個極化像素104(例如，P1、P2、P3及P4)。影像感測器100尤其包括作為光電二極體陣列配置成列(例如，R1、R2、R3、…、RY)及行(例如，C1、C2、C3、…、CX)的複數個光電二極體105(例如，B1、B2、B3、B4、G1、G2、G3、G4、R1、R2、R3、R4、P1、P2、P3、P4等)、複數個子像素濾色器110(例如，110-G、110-B、110-R)、複數個極化濾光器107、複數個共享微透鏡115以及複數個非共享微透鏡117。影像感測器100之組件被光學對準以形成影像感測器100之複數個子像素103及複數個極化像素104，用於捕獲影像(例如彩色影像、深度圖影像、視訊等)，同時亦提供相位偵測自動聚焦。
在一些實施例中，複數個光電二極體105以規則的重複方式配置，使得複數個光電二極體105以規則的間隔定位或以其他方式設置在半導體材料內以形成正方形或矩形光電二極體陣列。包括在複數個光電二極體105中之個別光電二極體可以對應於半導體材料的回應於入射光之各別部分內之摻雜區(例如，摻雜區可以形成PN接面，該PN接面產生與入射光之幅度或強度成比例的影像電荷)。應當理解，複數個光電二極體105設置在半導體材料內(例如參見圖1B及圖1C)，並且可以與各別的子像素濾色器(例如110-B、110-G或110-R)、極化濾光器107、共享微透鏡115、非共享微透鏡117等光學對準，以形成包括在複數個子像素103中之個別子像素或者包括在複數個極化像素104中之個別極化像素，用於影像感測器100之每一影像像素。因此，為了清楚起見，圖1A所示之視圖100-A通常藉由標記的光電二極體參考指代包括在複數個子像素103中之給定子像 素或包括在複數個極化像素104中之給定極化像素，而不必展示給定光電二極體之例示性大小、形狀或位置。另外，包括在影像感測器100中之每一元件可能不一定被標記或展示。然而，應注意，圖1B至圖1C中展示影像感測器100之例示性橫截面視圖，且圖1D中提供某些元件之例示性相對大小比較。
返回參考圖1A，影像像素102表示包括在共同形成影像感測器100之複數個影像像素中之任何個別影像像素。影像像素102包括複數個極化像素104(例如P1、P2、P3、P4)及複數個子像素103(例如，綠色子像素103-G、藍色子像素103-B及紅色子像素103-R)。複數個極化像素104中之每一者包括在包括在光電二極體陣列(亦即，複數個光電二極體105)中之各別光電二極體(例如，與P1、P2、P3或P4相關聯之對應光電二極體)上光學對準的非共享微透鏡117及極化濾光器107。換言之，非共享微透鏡117可以不在光電二極體陣列之多於一行及一列上延伸。複數個子像素103中之每一者包括在一組光電二極體(例如B1、B2、B3及B4)上光學對準的共享微透鏡115及子像素濾色器110。在所示實施例中，與複數個子像素103中之給定子像素相關聯之光電二極體組包括共同以二乘二圖案配置之四個光電二極體。因此，在所示實施例中，每一共享微透鏡115在包括光電二極體陣列中之兩列及兩行上延伸以覆蓋四個光電二極體。
在一些實施例中，複數個極化像素104被組合在一起以覆蓋與複數個子像素103中之單獨子像素類似的區域。在所示實施例中，包括在複數個極化像素104中之四個極化像素以二乘二圖案彼此相鄰配置，以形成至少部分地被複數個子像素103包圍之各別極化像素組(例如，P1、P2、P3及P4)。更具體地，每一影像像素102可以包括三個子像素(例如， 綠色子像素103-G、藍色子像素103-B及紅色子像素103-R)，這三個子像素被共同配置以形成「L」形，該「L」形至少部分地設置在複數個極化像素104(例如，包括P1、P2、P3及P4之極化像素組)周圍，以形成影像感測器100之最小重複單元(例如，影像像素102)。在一個實施例中，影像像素之一組極化像素包括四個極化像素(例如，位於圖1A之行7-8及列5-6中之一組極化像素)，該等極化像素共同被複數個子像素103之第一組(例如，位於行5-10及列3-8中之子像素)包圍。複數個子像素之第一組包括四個綠色子像素103-G、兩個藍色子像素103-B及兩個紅色子像素103-R。如圖1A所示，四個綠色子像素103-G與四個極化像素對角相鄰地配置，而兩個藍色子像素103-B及兩個紅色子像素103-R與四個極化像素側向相鄰地配置(例如，當自如圖1A所示之自頂向下之視角觀察時，與四個極化像素豎直或水平地定位)。
如圖1A所示，影像像素102係全色影像像素(例如，能夠回應於入射光產生影像信號，該入射光可以共同表示電磁光譜之至少可見部分)並且包括複數個子像素(例如，紅色子像素103-R、綠色子像素103-G及藍色子像素103-B)。每一子像素103包括對應的共享微透鏡115，以引導光通過子像素濾色器110朝向包括在光電二極體陣列中之各別光電二極體組。相比之下，每一非共享微透鏡117相對於複數個光電二極體105係非共享的，且因此分別引導光通過極化濾光器107朝向複數個光電二極體105中之單個光電二極體，以形成對應的極化像素104。在一些實施例中，極化像素104被組合在一起(例如，二乘二之組)，其各自被複數個子像素103側向包圍。然而，應當理解，術語「側向包圍」不一定意謂完全密封。相反，如圖1A所示，根據本發明之實施例，在各個光電二極體、 微透鏡及子像素濾色器之間可以存在間隔及/或分隔距離。此外，在一些實施例中，其他組件(例如，通孔、佈線、電路、隔離溝槽等)可設置在該間隔內。
微透鏡(例如，共享微透鏡115及/或非共享微透鏡117)中之每一者可由聚合物(例如，聚甲基丙烯酸甲酯、聚二甲基矽氧烷等)或其他材料形成，並被成形為具有光功率以用於會聚、發散或以其他方式引導入射至微透鏡上之光通過複數個子像素濾色器110及/或極化濾光器107中之對應光學對準的一者到達包括在複數個光電二極體105中之各別一或多個光電二極體。
為了促進成為全色影像像素，影像像素102包括具有各別的光譜光回應之複數個子像素濾色器110。術語「光譜光回應」描述了濾色器(例如，子像素濾色器110-G、110-B、110-R等)透射之電磁光譜部分。例如，對應於綠色(G)之光譜光回應指示濾色器將透射對應於綠光之電磁光譜之一部分，同時基本上吸收或反射不對應於綠光之電磁光譜之其他部分。類似地，對應於全色或清晰之光譜光回應指示濾色器基本上透射對應於光之可見光譜的電磁光譜之一部分，同時基本上吸收或反射可見範圍之外的電磁光譜之區域(例如，若光電二極體具有可見範圍之外的光譜回應，則吸收或反射UV、IR等)。在一些實施例中，藍色、綠色、紅色及透明子像素濾色器之光譜光回應分別對應於大約450nm至490nm、520nm至560nm、635nm至700nm及400nm至700nm之電磁光譜內之頻率範圍。在一些實施例中，包括在複數個子像素103中之複數個子像素濾色器110可具有光譜光回應，單獨或組合地對應於紅色、綠色、藍色、全色(亦即，透明或白色)、黃色、青色、品紅色或其他顏色中之任何一種。
應當理解，影像感測器100可藉由一般熟習此項技術者已知之半導體裝置處理及微製造技術來製造。在一個實施例中，影像感測器100之製造可包括：提供半導體材料(例如，具有前側及背側之矽晶圓)；藉由光微影在半導體材料之前側上形成遮罩或模板(例如，由固化之光致抗蝕劑形成)，以提供半導體材料之前側之複數個曝光區域；(例如，藉由離子注入、化學氣相沈積、物理氣相沈積等)對半導體材料之曝光部分進行摻雜以形成自半導體材料之前側延伸至半導體材料中之複數個光電二極體105；(例如，藉由用溶劑溶解固化之光致抗蝕劑)移除遮罩或模板；以及(例如，藉由化學機械平坦化或拋光)對半導體材料之前側進行平坦化。在相同或另一實施例中，光微影可類似地用於形成複數個子像素濾色器110(例如，藉由具有所需光譜光回應之固化著色聚合物)、複數個共享微透鏡115、複數個非共享微透鏡117(例如，由主模或模板形成之具有目標形狀及大小的聚合物基微透鏡)及複數個極化濾光器(例如，金屬柵格或線，其被構造或以其他方式配置成線性地將光極化至預定程度)。應當理解，所描述之技術僅僅係說明性的而非詳盡性的，並且可利用其他技術來製造影像感測器100之一或多個組件。
圖1B說明根據本發明之教示的沿著圖1A所示之影像感測器100之線A-A'的橫截面視圖100-AA'。具體地，橫截面視圖100-AA'沿著影像感測器100之一行，其包括複數個子像素(例如，綠色子像素103-G及藍色子像素103-B)，但不包括如圖1A所示之任何極化像素104。
再參考圖1B，影像感測器100包括複數個共享微透鏡115、複數個子像素濾色器110及複數個光電二極體105，該等光電二極體105設置在半導體材料101(例如，矽)之各別部分中。複數個子像素濾色器110 中之每一者(例如，B用於藍色光譜光回應、G用於綠色光譜光回應等)在一組光電二極體(例如，B2及B4)與複數個共享微透鏡115中之一者之間光學對準，以形成包括在複數個子像素(例如，103-G、103-B等)中之對應子像素。因此，複數個子像素濾色器110中之每一者延伸穿過對應的一組光電二極體。類似地，複數個共享微透鏡115中之每一者與對應光電二極體組光學對準或以其他方式延伸穿過對應光電二極體組。
在所示實施例中，半導體材料101之各別部分中之每一者(例如101-2、101-4等)包括複數個光電二極體105中之各別一個光電二極體。應當理解，包括在複數個光電二極體105中之個別光電二極體不必側向延伸跨過半導體材料101之各別部分之整個橫截面。相反，半導體材料101的被設置在相鄰光電二極體之間的各部分(例如，半導體材料101的在光電二極體B2與B4之間的區域)可用於在半導體材料101內形成附加結構(例如，隔離溝槽、浮動擴散區等)。
圖1C說明根據本發明之教示的沿著圖1A所示之影像感測器100之線B-B'的橫截面視圖100-BB'。具體地，截面視圖100-BB'沿著影像感測器100之一行，其包括如圖1A所示之複數個子像素103(例如，紅色子像素103-R等)及複數個極化像素104(例如，104-P1、104-P3等)。
返回參考圖1C，影像感測器100包括複數個共享微透鏡115、複數個非共享微透鏡117、複數個子像素濾色器110(例如，R用於紅色光譜光回應等)、複數個極化濾光器107、設置在半導體材料101之各別部分(例如，101-1、101-3等)中之複數個光電二極體105，以及視情況存在之深溝槽隔離結構109。
在所示實施例中，影像感測器100之影像像素之給定極化 像素(例如，第一極化像素104-P1)包括設置在半導體材料101之各別部分(例如，101-1)中之第一光電二極體(例如，P1)、在第一光電二極體上光學對準之非共享微透鏡(例如，117-1)，以及設置在第一光電二極體與非共享微透鏡之間的極化濾光器(例如，107-1)。極化濾光器107經組態以提供入射至極化濾光器上之光之線性極化。在一個實施例中，極化濾光器107可以係線柵極化器，其包括沿著共同平面(例如，在半導體材料101之第一側之頂部上或以其他方式接近該第一側，位於複數個光電二極體105與複數個子像素濾色器110及/或複數個非共享微透鏡117之間)定位的細金屬線或導線之陣列。給定極化濾光器107之金屬線之分離距離及定向角可以經組態以獲得入射光之期望程度之線性極化。在一些實施例中，由極化濾光器107提供之極化度可以係0、45-90、135或其他極化度。在一個實施例中，對於給定之影像像素，將複數個極化像素104以二乘二圖案(例如，如圖1A所示)組合在一起(例如，104-P1及104-P3)。每組極化像素隨後可以被一組子像素側向包圍。在相同或其他實施例中，每組極化像素104可對入射光提供不同程度之線性極化。在一個實施例中，以二乘二圖案配置之一組四個極化像素(例如，圖1A所示且圖1C中部分所示之P1、P2、P3及P4)可分別提供0度、45度、90度及135度之線性極化度。
如圖1C所示，複數個極化濾光器107設置在複數個子像素濾色器110與複數個光電二極體105之間。在一些實施例中，與複數個極化像素104光學對準之子像素濾色器110(例如，110-1)可以具有對應於綠色或透明之光譜光回應。在其他實施例中，在與複數個極化像素104相關聯之光電二極體上方可能沒有光學對準之子像素濾色器。在一些實施例中，複數個極化濾光器107具有可忽略的厚度，使得設置在極化像素104 及複數個子像素103上之子像素濾色器110之厚度基本上相等。在相同或其他實施例中，可平坦化複數個子像素濾色器110使得微透鏡(例如，複數個共享微透鏡115及複數個非共享微透鏡117)大體上沿著影像感測器100之共同平面對準。
在所示實施例中，影像感測器100包括深溝槽隔離結構109(例如，由半導體材料101內之氧化物(諸如氧化矽)形成)，其設置在複數個光電二極體105中所包括之鄰近光電二極體(例如，P1與P3)之間，可減少光電二極體之間的電串擾。如圖所示，深溝槽隔離結構109延伸至半導體材料101中超過複數個光電二極體105之深度。然而，在其他實施例中，可能存在不在半導體材料101內延伸超過複數個光電二極體105之深度的淺溝槽隔離結構。在其他實施例中，在複數個光電二極體105之間可以不設置隔離結構。
圖1D說明根據本發明之教示的包括在圖1A至圖1C所示之影像感測器100之影像像素中之第一子像素濾色器110、極化濾光器107、共享微透鏡115及非共享微透鏡117之間的相對大小比較。子像素103包括一組光電二極體105-1，其以與子像素濾色器110光學對準之二乘二光電二極體圖案配置。極化像素104包括光電二極體105-2，其與極化濾光器107光學對準。如圖所示，共享微透鏡115具有第一側向面積，並且非共享微透鏡117具有小於共享微透鏡115之第一側向面積之第二側向面積。子像素濾色器110具有大於共享微透鏡115之第一側向面積之第三側向面積。極化濾光器107具有大於非共享微透鏡117之第二側向面積之第四側向面積。子像素濾色器110之第三側向面積大於非共享微透鏡117之第四側向面積。在一些實施例中，給定子像素103及極化像素104之子像素濾色器 110、極化濾光器107、共享微透鏡115及非共享微透鏡117之間的相對大小比較可以表示圖1A至圖1C所示之影像感測器100中所包括之每一子像素及/或極化像素以及本發明之其他實施例。
圖2A說明根據本發明之教示的具有共享微透鏡215及極化像素(例如，P1、P2、P3或P4)之影像感測器之最小重複單元202-A的俯視圖。最小重複單元202-A係圖1A至圖1D所示之影像感測器100之一種可能實施。更具體地，最小重複單元202-A表示包括在影像感測器100中之子像素及極化像素之替代配置。如圖2A所示，最小重複單元202-A包括複數個子像素(例如，綠色子像素203-G、藍色子像素203-B及紅色子像素203-R)及包括在複數個極化像素中之極化像素組204。類似於圖1A，該極化像素組204被包括在影像像素中，並且包括以二乘二圖案配置之四個極化像素，該圖案被一組複數個子像素共同包圍，該組複數個子像素包括四個綠色子像素(例如，203-G1、203-G2、203-G3及203-G4)、兩個紅色子像素(例如，203-R1及203-R2)，以及兩個藍色子像素(例如，203-B1及203-B2)。然而，子像素組之具體配置與圖1A所示之實施例不同。相反，圖2A展示四個綠色子像素(例如，203-G1、203-G2、203-G3及203-G4)與極化像素組204中所包括之四個極化像素側向相鄰配置。兩個藍色子像素(例如，203-B1及203-B2)及兩個紅色子像素(例如，203-R1及203-R2)與包括在極化像素組204中之四個極化像素對角相鄰地配置。
圖2B至圖2E說明根據本發明之教示的成像系統之例示性子像素(例如，圖2B中說明之203-9PD及圖2D中說明之203-16PD)及分組的極化像素(例如，圖2C中說明之204-9PD及圖2E中說明之204-16PD)。圖2B至圖2E所示之子像素及極化像素代表圖1A至圖1D所示之子像素及極化 像素組之可能實現。
圖2B說明包括在影像感測器中之影像像素之子像素203-9PD。子像素203-9PD包括共享微透鏡215-9D，其在以三乘三圖案配置之一組九個光電二極體(例如，B1、B2、B3、B4、B5、B6、B7、B8及B9)上延伸。子像素203-9PD可以包括設置在共享微透鏡215-9PD與該組九個光電二極體之間的子像素濾色器，該子像素濾色器可以具有藍色的光譜光回應，如圖所示，或者紅色、綠色、黃色、品紅色、全色中之任何一者，或者其他光譜光回應。
圖2C說明一組極化像素204-9PD，其可以與圖2B之子像素203-9PD配對以創建與圖1A及圖2A所示之最小重複單元類似的最小重複單元或子像素及極化像素之配置。再次參考圖2C，極化像素組204-9PD包括以三乘三圖案配置之九個極化像素(例如，P1、P2、P3、P4、P5、P6、P7、P8及P9)，其中每一極化像素光耦合至各別的非共享微透鏡207。每一單獨的極化像素可包括使入射光線性極化之極化濾光器。線性極化度可以係0、45、90、135或其他線性極化度。
圖2D說明包括在影像感測器中之影像像素之子像素203-16PD。子像素203-16PD包括共享微透鏡215-16D，其在以四乘四圖案配置之一組十六個光電二極體(例如，B1、B2、B3、B4、B5、B6、B7、B8、B9、B10、B11、B12、B13、B14、B15及B16)上延伸。子像素203-16PD可以包括設置在共享微透鏡215-16PD與該組十六個光電二極體之間的子像素濾色器，該子像素濾色器可以具有藍色的光譜光回應，如圖所示，或者紅色、綠色、黃色、品紅色、全色中之任何一者，或者其他光譜光回應。
圖2E說明一組極化像素204-16PD，其可以與圖2D之子像素203-16PD配對以創建與圖1A及圖2A所示之最小重複單元類似的最小重複單元或子像素及極化像素之配置。再參考圖2E，極化像素組204-16PD包括以四乘四圖案配置之十六個極化像素(例如，P1、P2、P3、P4、P5、P6、P7、P8、P9、P10、P11、P12、P13、P14、P15及P16)，其中每一極化像素光學耦合至各別的非共享微透鏡207。每一單獨的極化像素可包括使入射光線性極化之極化濾光器。線性極化度可以係0、45、90、135或其他線性極化度。
圖3係根據本發明之教示的包括具有共享微透鏡及極化像素之影像感測器300之成像系統370的功能方塊圖。成像系統370能夠回應於入射光392而聚焦在外部場景395內之興趣點(POI)上。成像系統370包括：影像感測器300，該影像感測器回應於入射光392而產生電信號或影像信號；物鏡375，該(等)物鏡具有可調光功率以聚焦在外部場景395內之一或多個興趣點上；以及控制器380，該控制器尤其控制影像感測器300及物鏡375之操作。影像感測器300係圖1A至圖1D所示之影像感測器100之一種可能實施，並且包括半導體材料301(其中複數個光電二極體305設置在半導體材料301之各別部分內)、複數個子像素濾色器310及複數個共享微透鏡315，其以與圖1A至圖2E中所描述之任何一個實施例相似的方式配置。圖3所示之控制器380包括一或多個處理器382、記憶體384、控制電路386、讀出電路388及功能邏輯390。
控制器380包括邏輯及/或電路以控制成像系統370之各個組件之操作(例如，在影像及/或視訊採集之前、後及原位階段期間)。控制器380可被實現為硬體邏輯(例如，專用積體電路、場可程式化閘陣列、系 統單晶片等)、在通用微控制器或微處理器上執行之軟體/韌體邏輯或硬體及軟體/韌體邏輯兩者的組合。在一個實施例中，控制器380包括耦接至記憶體384之處理器382，該記憶體儲存用於由控制器380或以其他方式由成像系統370之一或多個組件執行之指令。指令在由控制器380執行時可使成像系統370執行可與包括控制電路386、讀出電路388、功能邏輯390、影像感測器300、物鏡375及成像系統370之任何其他元件(所示的或其他的元件)中之任一者或組合的成像系統370之各種功能模組、邏輯區塊或電路相關聯之操作。記憶體係非揮發性電腦可讀媒體，其可包括但不限於控制器380可讀之揮發性(例如，RAM)或非揮發性(例如，ROM)儲存系統。亦應當理解，控制器380可為單片積體電路、一或多個離散互連電子組件或其組合。另外，在一些實施例中，一或多個電子組件可以彼此耦接，以共同地用作控制器380，用於協調或控制成像系統370之操作。
控制電路386可以控制成像系統370之操作特性(例如，曝光持續時間，何時捕獲數位影像或視訊等)。讀出電路388讀取或以其他方式採樣來自個別光電二極體之類比信號(例如，讀出由複數個光電二極體305中之每一者產生之電信號，該等電信號表示回應於入射光而產生之影像電荷以產生相位偵測自動聚焦信號，讀出影像信號以捕獲影像圖框或視訊，產生深度圖影像等)，且可包括放大電路、類比數位(ADC)電路、影像緩衝器或其他。在所示實施例中，讀出電路388包括在控制器380中，但是在其他實施例中，讀出電路388可獨立於控制器380。功能邏輯390耦接至讀出電路388以接收電信號來作為回應產生相位偵測自動聚焦(PDAF)信號，回應於接收到影像信號或資料產生影像，回應於接收到電信號產生外部場景之深度圖等。在一些實施例中，電信號或影像信號可分別儲存為 PDAF信號或影像資料，並且可由功能邏輯390操縱(例如，計算預期影像信號、合併影像信號、對影像資料去馬賽克、施加後期影像效果(諸如裁切、旋轉、移除紅眼、調整亮度、調整對比度或其他效果))。
圖4說明根據本發明之教示的用於使用包括具有共享微透鏡及極化像素之影像感測器之成像系統來捕獲影像的實例方法400。在一些實施例中，方法400可以由圖3所示之成像系統370及/或圖1A至圖1D所示之任何影像感測器100實現。可以理解，方法400之編號區塊(包括區塊405至460)可以以任何順序甚至並行發生。另外，根據本發明之教示，可將區塊添加至方法400或自該方法中移除。
區塊405說明在接收到信號(例如，成像系統之快門按鈕按下)以捕獲表示外部場景之影像或視訊圖框時方法400之初始化。在初始化期間，可提供(例如，成像系統之使用者選擇)、(例如，在隨後的步驟中利用相位偵測自動聚焦信號)自動偵測或以其他方式獲得要由影像感測器成像之外部場景之興趣點(POI)。POI可表示外部場景的期望被聚焦之一或多個區域。
區塊410至430展示用於使用具有共享微透鏡之影像感測器產生相位偵測自動聚焦(PDAF)信號，以及若必要的話，調整物鏡之光功率以將成像系統組態成聚焦在一或多個興趣點上的步驟，如本發明之各個實施例中所示。更具體地，所使用之影像感測器(例如，分別在圖1A至圖1D所示之影像感測器100)包括複數個影像像素。影像像素中之每一者包括複數個子像素，該等子像素可各自對應於相位偵測像素。每一子像素包括與共享微透鏡光學對準之一組光電二極體(例如，以二乘二圖案配置之四個光電二極體)。
區塊410說明將複數個光電二極體曝光於與外部場景相關聯之入射光。回應於入射光，複數個光電二極體產生與入射光之強度成比例的影像電荷。影像電荷隨後被儲存(例如，在浮動擴散區中)以用於複數個子像素中之每一者，並且隨後可以作為電信號被讀出。應當理解，術語「電」及「影像」信號可互換使用，並且都表示由複數個光電二極體回應於入射光而產生之影像電荷。在一些實施例中，在術語「信號」前面之修飾語「電」或「影像」可分別指示該信號正用於自動聚焦/深度映射或影像/視訊捕獲。
區塊415展示回應於入射光而(例如，藉由圖3所示之讀出電路388)讀出電信號。可自包括在複數個光電二極體中之各別光電二極體中單獨讀出電信號(例如，藉由將在光電二極體中之每一者中產生之影像電荷作為電信號一次一列地傳遞至行儲存電容器，然後使用耦接至多工器之行解碼器單獨讀出該等元素)。具體地，可以讀出由包括在每一子像素中之光電二極體組產生之電信號，用於產生相位偵測自動聚焦信號，該相位偵測自動聚焦信號對於包括在影像感測器中之每一影像像素具有對應的「相位偵測點」。
區塊420說明比較與複數個子像素相關聯之電信號，以為成像系統提供相位偵測自動聚焦。功能邏輯(例如，如圖3所示)可用於至少部分地基於與與共享微透鏡光學對準之光電二極體組相關聯之電信號之間的比較來產生PDAF信號。在一個實施例中，將與複數個子像素中之每一者之特定光電二極體(例如，每一子像素之共同象限中之所有光電二極體)相關聯的電信號組合在一起，並相互比較以產生相位差影像。在一個實施例中，功能邏輯藉由比較包括在給定子像素之光電二極體組中之相鄰 光電二極體之間的電信號以及進一步比較包括在光電二極體組中之對角光電二極體之間的電信號來產生PDAF信號。
區塊425展示至少部分地基於電信號之間的比較來判定興趣點是否聚焦。在一個實施例中，基於電信號產生一或多個相位影像。例如，每一子像素包括與一組光電二極體光學對準之共享微透鏡，來自包括在光電二極體組中之每一光電二極體之電信號可用於產生各別的相位影像(亦即，當該光電二極體組以二乘二圖案配置時，四個相位影像各自代表複數個子像素像素之象限)。可以比較每一相位影像以產生PDAF信號，該信號提供關於興趣點在整個影像感測器上是否聚焦之全向資訊。
若興趣點未聚焦，則區塊425前進至區塊430，並且基於電信號之比較來調整光功率(例如，由物鏡提供)。換言之，該比較允許判定物鏡之光功率是否導致外部場景聚焦、前聚焦或後聚焦，並且因此提供指令來調整光功率。一旦調整了物鏡之光功率，區塊430就前進至區塊410以再次開始判定興趣點是否聚焦的過程。若興趣點聚焦，則區塊425前進至區塊435以利用成像系統捕獲影像或視訊圖框。
區塊435說明將複數個光電二極體曝光於與外部場景相關聯之入射光，並且(例如，藉由包括在圖3所示之成像系統370中之讀出電路388)隨後讀出回應於利用成像系統捕獲影像或視訊圖框而產生之影像信號。應當理解，用於捕獲影像或視訊圖框之積分時間(亦即，曝光持續時間)可與產生自動聚焦信號時之積分時間不同。因此，當涉及影像或視訊圖框捕獲時，使用術語「影像信號」。對於包括在影像感測器之每一影像像素中之複數個子像素中之每一者，可自包括在複數個光電二極體中之光電二極體中讀出影像信號。另外，或者可替換地，可以自與極化像素相關 聯之複數個光電二極體讀出影像信號，以產生深度圖影像。給定的影像像素之子像素可共同地表示全色(亦即，表示電磁輻射之可見光譜)影像像素。然而，由於每一影像像素亦包括複數個極化像素，因此可以使用影像處理來恢復影像感測器之全解析度，合併影像信號以提高靈敏度等。
區塊440展示產生非深度圖影像，其中讀出由與影像信號之子像素相關聯之複數個光電二極體產生的影像信號，並且隨後執行影像處理以獲得表示外部場景之影像或視訊圖框。在一些實施例中，可以針對複數個子像素中之每一者對來自與共同子像素濾色器相關聯之一組光電二極體之影像信號進行平均化，以針對包括在影像感測器中之每一影像像素產生紅色、綠色及藍色影像信號。
區塊445展示至少部分地基於與複數個光電二極體相關聯之電信號來產生表示入射光之外部場景之深度圖影像。更具體地，與複數個子像素相關聯之電信號提供外部場景之邊緣之相位資訊，而與複數個極化像素相關聯之電信號提供外部場景之相對表面角度資訊。可以以適當的方式組合邊緣之相位資訊及相對表面資訊，以產生外部場景之深度圖，該深度圖可以揭示諸如球體之類的平滑表面之相對深度資訊。
區塊450展示判定是否應當拍攝另一影像。若信號、設置或其他組態參數指示應當拍攝另一影像(例如，連續按下成像系統之快門按鈕)，則區塊450前進至區塊455以判定是否選擇或以其他方式判定同一興趣點。若選擇了同一興趣點，則區塊455前進至區塊435以基於影像類型來捕獲影像。然而，若未選擇同一興趣點或期望確保興趣點之焦點，則區塊455前進至區塊405。若不需要另一影像，則區塊450前進至區塊460以結束影像獲取過程。
可使用軟體及/或硬體來實現上文解釋之過程。所描述之技術可構成體現在有形或非暫時性機器(例如，電腦)可讀存儲媒體中之機器可執行指令，該等機器可執行指令在由機器(例如，圖3之控制器380)執行時將使機器執行所描述之操作。另外，該等過程可在諸如專用積體電路(「ASIC」)、場可程式化閘陣列(FPGA)或其他硬體中體現。
有形機器可讀儲存媒體包括以非暫時性形式提供(亦即，儲存)資訊之任何機制，該資訊可由機器(例如，電腦、網路裝置、個人數位助理、製造工具、具有一組一或多個處理器之任何裝置等)存取。例如，機器可讀儲存媒體包括可記錄/不可記錄媒體(例如，唯讀記憶體(ROM)、隨機存取記憶體(RAM)、磁碟儲存媒體、光學儲存媒體、快閃記憶體裝置等)。
對本發明之所說明實例之以上描述(包括在說明書摘要中描述之內容)不意欲為詳盡的或將本發明限於所揭示之精確形式。如熟習相關技術者將認識到，雖然出於說明目的在本文中描述了本發明之特定實例，但各種修改在本發明之範疇內係可能的。
在以上詳細描述之背景下可對本發明做出此等修改。所附申請專利範圍中使用之術語不應被解釋為將本發明限於說明書中揭示之特定實例。相反，本發明之範疇將完全由所附申請專利範圍來判定，將根據所確立之技術方案詮釋教義來解釋所附申請專利範圍。
100:影像感測器
100-A:俯視圖
102:影像像素
103-B:藍色子像素
103-G:綠色子像素
103-R:紅色子像素
104:極化像素
105:光電二極體
107:極化濾光器
110-B:子像素濾色器
110-G:子像素濾色器
110-R:子像素濾色器
115:共享微透鏡
117:非共享微透鏡
B1~B4:光電二極體
C1~CX:行
G1~G4:光電二極體
P1~P4:極化像素
R1~RY:列

Claims (20)

  1. 一種影像感測器像素，其包含：一子像素，其包括：設置在一半導體材料中之一光電二極體組(a group of photodiodes)；一共享(shared)微透鏡，其在該光電二極體組上光學對準，該共享微透鏡具有一第一側向面積；以及一子像素濾色器(color filter)，其設置在該光電二極體組與該共享微透鏡之間；以及複數個極化像素，包含在該複數個極化像素中之每一極化像素包括：一極化光電二極體，其設置在該半導體材料中；一非共享微透鏡，其在該極化光電二極體上光學對準，該非共享微透鏡具有小於該共享微透鏡之該第一側向面積之一第二側向面積；以及一極化濾光器(filter)，其設置在該極化光電二極體與該非共享微透鏡之間；以及一共享濾色器，其中包括在該複數個極化像素中之至少兩個相鄰極化像素之該極化濾光器係設置在該共享濾色器與該至少兩個相鄰極化像素之該極化光電二極體之間。
  2. 如請求項1之影像感測器像素，其中該子像素濾色器具有大於該共享 微透鏡之該第一側向面積之一第三側向面積，其中該極化濾光器具有大於該非共享微透鏡之該第二側向面積之一第四側向面積，並且其中該第三側向面積大於該第四側向面積。
  3. 如請求項1之影像感測器像素，其中該光電二極體組包括共同以一二乘二圖案配置之四個光電二極體。
  4. 如請求項1之影像感測器像素，其中該極化濾光器經組態以提供入射在該複數個極化像素中之一對應者上之光之線性極化。
  5. 如請求項4之影像感測器像素，其中該線性極化之一程度(degree)為0、45、90或135。
  6. 如請求項1之影像感測器像素，其中該複數個極化像素對入射光提供不同程度之線性極化。
  7. 如請求項6之影像感測器像素，其進一步包含：複數個子像素，其包括該子像素，並且其中該複數個子像素共同形成至少部分地設置在該複數個極化像素周圍之一「L」形。
  8. 如請求項7之影像感測器像素，其中該複數個極化像素包括四個極化像素，該四個極化像素共同配置成至少部分地被該複數個子像素包圍之一二乘二圖案。
  9. 如請求項1之影像感測器像素，其進一步包含深溝槽隔離結構(deep trench isolation structures)，其設置在包括於該複數個極化像素中之相鄰極化像素之該極化光電二極體之間之該半導體材料中。
  10. 如請求項1之影像感測器像素，其中該共享濾色器之一側向面積大於該至少兩個相鄰極化像素中之一或多者之該極化濾光器之一對應側向面積。
  11. 如請求項1之影像感測器像素，其中該子像素濾色器之一第一厚度大於該共享濾色器之一第二厚度。
  12. 如請求項1之影像感測器像素，其中該光電二極體組包括以三乘三圖案配置之至少九個光電二極體，使得該共享微透鏡與該至少九個光電二極體光學對準及該子像素濾色器設置該至少九個光電二極體與該共享微透鏡之間，其中該複數個極化像素包括以該三乘三圖案配置之至少九個光電二極體。
  13. 如請求項1之影像感測器像素，其中該共享濾色器具有對應於綠色之一光譜光回應(spectral photoresponse)。
  14. 一種成像系統，其包含：一影像感測器，其包括作為一光電二極體陣列配置之複數個光電二 極體，該光電二極體陣列設置在一半導體材料中以形成複數個影像像素，該複數個影像像素中之每一者包括：複數個子像素，包括在該複數個子像素中之每一子像素包括：包括在該光電二極體陣列中之一光電二極體組，該光電二極體組設置在該半導體材料中；一共享微透鏡，其在該光電二極體組上光學對準，該共享微透鏡具有一第一側向面積；以及一子像素濾色器，其設置在該光電二極體組與該共享微透鏡之間；以及複數個極化像素，包括在該複數個極化像素中之每一極化像素包括：一極化光電二極體，其包括在該複數個光電二極體中，該極化光電二極體設置在該半導體材料中；一非共享微透鏡，其在該極化光電二極體上光學對準，該非共享微透鏡具有小於該共享微透鏡之該第一側向面積之一第二側向面積；以及一極化濾光器，其設置在該極化光電二極體與該非共享微透鏡之間；以及一共享濾色器，其中包括在該複數個極化像素中之至少兩個相鄰極化像素之該極化濾光器係設置在該共享濾色器與該至少兩個相鄰極化像素之該極化光電二極體之間；以及其中包括在該複數個影像像素中之一第一影像像素包括一第一子像素，該第一子像素包括在該複數個子像素中，其中包括在該第一 子像素中之該光電二極體組包括以一三乘三圖案配置之至少九個光電二極體，其中該第一子像素之該共享微透鏡在該至少九個光電二極體上光學對準，及其中該第一影像像素之該複數個極化像素包括以該三乘三圖案配置之至少九個極化像素。
  15. 如請求項14之成像系統，其中對於該複數個子像素中之每一者，該子像素濾色器具有大於該共享微透鏡之該第一側向面積之一第三側向面積，其中對於該複數個極化像素中之每一者，該極化濾光器具有大於該非共享微透鏡之該第二側向面積之一第四側向面積，並且其中該第三側向面積大於該第四側向面積。
  16. 如請求項14之成像系統，其中包括在該等極化像素中之每一者中的該極化濾光器經組態以提供入射光之線性極化，並且其中該複數個極化像素提供不同程度之該線性極化。
  17. 如請求項16之成像系統，其中該等不同程度之線性極化包括0、45、90和135。
  18. 如請求項14之成像系統，其進一步包含：一控制器，其耦接至該影像感測器及邏輯，該邏輯在由該控制器執行時致使該成像系統執行操作，該等操作包括：讀出回應於入射光而產生之電信號，該等電信號中之每一者由包括在該複數個光電二極體中之一對應光電二極體產生。
  19. 如請求項18之成像系統，其進一步包含附加邏輯，該附加邏輯在由該控制器執行時致使該成像系統執行進一步的操作，該等操作包括：比較與該複數個子像素相關聯之該等電信號以為該成像系統提供相位偵測自動聚焦(PDAF)。
  20. 如請求項19之成像系統，其進一步包含附加邏輯(additional logic)，該附加邏輯在由該控制器執行時致使該成像系統執行進一步的操作，該等操作包括：至少部分地基於該等電信號產生表示該入射光之一外部場景之一深度圖，其中與該複數個子像素相關聯之該等電信號提供該外部場景之邊緣之相位資訊，其中與該複數個極化像素相關聯之該等電信號提供該外部場景之相對表面角度資訊。
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