TWI793852B - 清洗方法 - Google Patents

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林志銘
賴政松
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南亞科技股份有限公司
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一種清洗方法用以清洗測試電路板。測試電路板用以測試半導體元件。清洗方法包含:將測試電路板浸入錫鉛剝離劑中;將測試電路板浸入除碳劑中;以及以清水沖洗已浸泡過錫鉛剝離劑與除碳劑中之至少一者之測試電路板。

Description

清洗方法
本揭露係有關於一種清洗方法,尤其是一種半導體設備的清洗方法。
在IC元件的測試流程中,測試電路板(例如,預燒電路板(burn-in board))架設於半導體測試機台之平台上,用以測試已完成封裝製程的IC元件之電路,具體來說,此測試之目的在於在通以超越極限的電流之情況下,IC元件之電路是否能夠耐受而不損壞。
預燒電路板因為長時間進行高溫或低溫測試,容易造成設置於預燒電路板上的探針(socket pin)氧化與沾附錫渣。在對預燒電路板執行定期保養清洗時,通常會使用錫鉛剝離劑以清除探針上的錫渣。
然而,當預燒電路板的使用年份愈高,預燒電路板於DUT(Device Under Test)測試中的關閉率也隨之愈高。經過多次錫鉛剝離劑的清洗後,清洗成效已逐漸衰退不復以往。
因此,如何提出一種比先前技術更為有效的清洗方法,是目前業界亟欲投入研發資源解決的問題之一。
有鑑於此,本揭露之一目的在於提出一種可有解決上述問題之清洗方法。
為了達到上述目的,依據本揭露之一實施方式,一種清洗方法用以清洗測試電路板。測試電路板用以測試半導體元件。清洗方法包含:將測試電路板浸入錫鉛剝離劑中;將測試電路板浸入除碳劑中;以及以清水沖洗已浸泡過錫鉛剝離劑與除碳劑中之至少一者之測試電路板。
於本揭露的一或多個實施方式中,以清水沖洗已浸泡過錫鉛剝離劑與除碳劑中之至少一者之測試電路板係執行於將測試電路板浸入錫鉛剝離劑中之後以及將測試電路板浸入除碳劑中之前。
於本揭露的一或多個實施方式中,清洗方法進一步包含將測試電路板浸入清水以去除殘留之錫鉛剝離劑,且將測試電路板浸入清水以去除殘留之錫鉛剝離劑係執行於以清水沖洗已浸泡過錫鉛剝離劑與除碳劑中之至少一者之測試電路板之後以及將測試電路板浸入除碳劑中之前。
於本揭露的一或多個實施方式中,清洗方法進一步包含將已浸泡過錫鉛剝離劑之測試電路板脫水。
於本揭露的一或多個實施方式中,將已浸泡過錫鉛剝離劑之測試電路板脫水係執行於以清水沖洗已浸泡過錫鉛剝離劑與除碳劑中之至少一者之測試電路板之後以及將測試電路板浸入清水以去除殘留之錫鉛剝離劑之前。
於本揭露的一或多個實施方式中,以清水沖洗已浸泡過除碳劑與除碳劑中之至少一者之測試電路板係執行於將測試電路板浸入錫鉛剝離劑中以及將測試電路板浸入除碳劑中之後。
於本揭露的一或多個實施方式中,清洗方法進一步包含將測試電路板浸入清水以去除殘留之除碳劑,且將測試電路板浸入清水以去除殘留之除碳劑係執行於以清水沖洗已浸泡過錫鉛剝離劑與除碳劑中之至少一者之測試電路板之後。
於本揭露的一或多個實施方式中,清洗方法進一步包含將測試電路板置入一烤箱烘乾,且將測試電路板置入烤箱烘乾係執行於將測試電路板浸入清水以去除殘留之除碳劑之後。
於本揭露的一或多個實施方式中,清洗方法進一步包含將已浸泡過除碳劑之測試電路板脫水。
於本揭露的一或多個實施方式中,將已浸泡過除碳劑之測試電路板脫水係執行於以清水沖洗已浸泡過錫鉛剝離劑與除碳劑中之至少一者之測試電路板之後以及將測試電路板浸入清水以去除殘留之除碳劑之後。
綜上所述,於本揭露的清洗方法中,透過加入除碳劑的清洗,使測試電路板的使用壽命得以延長,以提升IC元件之電路測試的效率並減少測試電路板之消耗成本。
以上所述僅係用以闡述本揭露所欲解決的問題、解決問題的技術手段、及其產生的功效等等,本揭露之具體細節將在下文的實施方式及相關圖式中詳細介紹。
以下將以圖式揭露本揭露之複數個實施方式,為明確說明起見,許多實務上的細節將在以下敘述中一併說明。然而,應瞭解到,這些實務上的細節不應用以限制本揭露。也就是說,於本揭露部分實施方式中,這些實務上的細節是非必要的。此外,為簡化圖式起見,一些習知慣用的結構與元件在圖式中將以簡單示意的方式繪示之。在所有圖式中相同的標號將用於表示相同或相似的元件。
本揭露係有關於一種用以清洗測試電路板的清洗方法。在一些實施方式中,測試電路板係預燒電路板(burn-in board)。測試電路板通常為在IC元件之電路測試中重複使用的零件,因此需要藉由重複執行清洗方法以使操作者可以重複使用測試電路板。接著,以下將敘述本揭露所提供之一種用以清洗前述測試電路板的清洗方法。
請參考第1圖,其為根據本揭露之一實施方式繪示之清洗方法100的示意圖。如第1圖所示,本實施方式之清洗方法100包含步驟S101、S102、S103、S104。以下將詳述清洗方法100的步驟S101、S102、S103、S104的操作。
首先,執行步驟S101:將測試電路板浸入錫鉛剝離劑中。具體來說,操作者將測試電路板自半導體測試機台上卸下之後,將測試電路板浸泡於錫鉛剝離劑中。執行步驟S101的目的,在於使測試電路板上用以焊接固定IC元件之沾附有錫渣的複數個探針與錫鉛剝離劑產生化學反應,以使沾附於探針上的錫渣自探針剝離。
在一些實施方式中,錫鉛剝離劑實質上為含有可以使例如錫以及鉛等金屬自物體上剝離之化學分子的水溶液。
在一些實施方式中,錫鉛剝離劑以水溶液之型態容置於液體槽中。
在一些實施方式中,在步驟S101中,操作者將測試電路板浸泡於容置有錫鉛剝離劑的液體槽中,但本揭露不以此為限。在一些實施方式中,操作者可以用錫鉛剝離劑對測試電路板沖洗。換言之,只要是可以使測試電路板上的探針與錫鉛剝離劑接觸的手段都在本揭露的精神與範圍內。
接著,執行步驟S102:以清水沖洗已浸泡過錫鉛剝離劑之測試電路板。具體來說,操作者把在步驟S101中已浸泡過錫鉛剝離劑的測試電路板以清水沖洗。執行步驟S102的目的,在於用清水把測試電路板的探針上所殘留的錫鉛剝離劑以及未完全自探針剝離的錫渣沖洗乾淨。
在一些實施方式中,在步驟S102中所述的清水係自來水,但本揭露不以此為限。在一些實施方式中,操作者可以使用例如去離子水沖洗已浸泡過錫鉛剝離劑的測試電路板。以上僅為舉例,本揭露不意欲對此進行限制。
接著,執行步驟S103:將測試電路板浸入除碳劑中。具體來說,操作者把在步驟S102中已藉由清水沖洗乾淨的測試電路板浸泡於除碳劑中。執行步驟S103的目的,在於使測試電路板上的探針與除碳劑產生化學反應,以使沾附於探針上的含碳物自探針剝離。
在一些實施方式中,除碳劑實質上為含有可以使例如碳元素以及碳化物等元素或化合物自物體上清除之化學分子的水溶液。
在一些實施方式中,在步驟S103中,操作者將測試電路板浸泡於容置有除碳劑的液體槽中,但本揭露不以此為限。在一些實施方式中,操作者可以用除碳劑對測試電路板沖洗。換言之,只要是可以使測試電路板上的探針與除碳劑接觸的手段都在本揭露的精神與範圍內。
接著,執行步驟S104:以清水沖洗已浸泡過除碳劑之測試電路板。具體來說,操作者把在步驟S103中已浸泡過除碳劑的測試電路板以清水沖洗。執行步驟S104的目的,在於用清水把測試電路板的探針上所殘留的除碳劑以及未完全自探針清除的含碳物沖洗乾淨。
在一些實施方式中,在步驟S104中所述的清水係自來水,但本揭露不以此為限。在一些實施方式中,操作者可以使用例如去離子水沖洗已浸泡過錫鉛剝離劑的測試電路板。以上僅為舉例,本揭露不意欲對此進行限制。
藉由執行前述清洗方法100的步驟S101、S102、S103、S104,操作者即可以完成清洗測試電路板的基本操作。
請參考第2圖。在本揭露的一或多個實施方式中,還提供一種清洗方法200。清洗方法200包含步驟S201、S202、S203、S204、S205、S206、S207、S208、S209。以下將詳述清洗方法200的步驟S201、S202、S203、S204、S205、S206、S207、S208、S209的操作。
首先,執行步驟S201:將測試電路板浸入錫鉛剝離劑中。事實上,由於步驟201的操作係與步驟S101的操作相同,故於此不再贅述。
接著,執行步驟S202:以清水沖洗已浸泡過錫鉛剝離劑之測試電路板。事實上,由於步驟202的操作與步驟S102的操作相同,故於此不再贅述。
接著,執行步驟S203:將已浸泡過錫鉛剝離劑之測試電路板脫水。具體來說,操作者將已藉由清水沖洗乾淨的已浸泡過錫鉛剝離劑之測試電路板上的水脫除。執行步驟S203的目的,在於使沾附於探針上的殘留的錫鉛剝離劑徹底自探針脫除。
在一些實施方式中,在步驟S203中,舉例來說,操作者可以將已藉由清水沖洗過的已浸泡過錫鉛剝離劑之測試電路板置入離心機中,以將測試電路板脫水。此處僅為簡單說明而舉例,本揭露不意欲針對將測試電路板脫水的方法與手段進行限制。
接著,執行步驟S204:將測試電路板浸入清水以去除殘留之錫鉛剝離劑。具體來說,操作者將測試電路板自離心機上卸下之後,將測試電路板浸泡於清水中。執行步驟S204的目的,在於使沾附於探針上的殘留的錫鉛剝離劑徹底自探針洗去。
在一些實施方式中,在步驟S204中,操作者將測試電路板浸泡於容置有清水的液體槽中。然而,如同在針對步驟S102的詳細描述中,此處所提到的清水可以是自來水,也可以是去離子水,本揭露不意欲對此進行限制。
接著,執行步驟S205:將測試電路板浸入除碳劑中。具體來說,操作者將在步驟S204中已浸泡過清水的測試電路板浸入除碳劑中。事實上,由於步驟205的操作與步驟S103的操作相同,故於此不再贅述。
接著,執行步驟S206:以清水沖洗已浸泡過除碳劑之測試電路板。事實上,由於步驟206的操作與步驟S104的操作相同,故於此不再贅述。
接著,執行步驟S207:將測試電路板浸入清水以去除殘留之除碳劑。具體來說,操作者利用與步驟S204相似的原理,將已藉由清水沖洗乾淨的已浸泡過除碳劑之測試電路板再浸入清水以去除殘留的除碳劑。執行步驟S207的目的,在於使沾附於探針上的殘留的除碳劑徹底自探針脫除。
在一些實施方式中,在步驟S207中,如同步驟S204的詳細描述中,此處所提到的清水可以是自來水,也可以是去離子水,本揭露不意欲對此進行限制。
接著,執行步驟S208:將已浸泡過清水以去除殘留之除碳劑之測試電路板脫水。具體來說,操作者將已浸泡過清水以去除殘留之除碳劑之測試電路板上的水脫除。執行步驟S208的目的,在於使沾附於探針上的殘留的除碳劑徹底自探針洗去。
在一些實施方式中,在步驟S208中,類似於步驟S203所述,舉例來說,操作者可以將已藉由清水沖洗過的已浸泡過除碳劑之測試電路板置入離心機中,以將測試電路板脫水。此處僅為簡單說明而舉例,本揭露不意欲針對將測試電路板脫水的方法與手段進行限制。
接著,執行步驟S209:將測試電路板置入烤箱烘乾。具體來說,操作者把在步驟S208中已脫水過的測試電路板置入烤箱中。執行步驟S209的目的,在於使測試電路板上所殘留的水徹底自測試電路板脫除。
在一些實施方式中,在步驟S209中,操作者可以將測試電路板置入烘箱或烤爐烘乾,或是將測試電路板靜置於陰涼處等待自然風乾。換言之,只要是能夠使測試電路板恢復為在執行清洗方法200之前的乾燥狀態之方法與手段都在本揭露的精神與範圍內。
藉由執行前述清洗方法200的步驟S201、S202、S203、S204、S205、S206、S207、S208、S209,操作者即可以完成清洗測試電路板的基本操作。
在一些實施方式中,操作者在執行完步驟S202欲執行步驟S205之前,執行步驟S203、S204各一次為較佳實施方式。或者,在一些實施方式中,操作者可以在執行完步驟S202欲執行步驟S205之前,重複執行步驟S203、S204。換言之,本揭露不意欲針對重複執行步驟S203、S204的次數進行限制。
在一些實施方式中,操作者在執行完步驟S206欲執行步驟S209之前,執行步驟S207、S208各一次為較佳實施方式。或者,在一些實施方式中,操作者可以在執行完步驟S206欲執行步驟S209之前,重複執行步驟S207、S208。換言之,本揭露不意欲針對重複執行步驟S207、S208的次數進行限制。
最後,當操作者利用清洗方法100或清洗方法200完成清洗測試電路板的操作之後,測試電路板即可再度用於測試IC元件之電路,而能被重複使用。
由以上對於本揭露之具體實施方式之詳述,可以明顯地看出,於本揭露的清洗方法中,透過加入除碳劑的清洗,使測試電路板的使用壽命得以延長,以提升IC元件之電路測試的效率並減少測試電路板之消耗成本。
上述內容概述若干實施方式之特徵,使得熟習此項技術者可更好地理解本案之態樣。熟習此項技術者應瞭解,在不脫離本案的精神和範圍的情況下,可輕易使用上述內容作為設計或修改為其他變化的基礎,以便實施本文所介紹之實施方式的相同目的及/或實現相同優勢。上述內容應當被理解為本揭露的舉例,其保護範圍應以申請專利範圍為準。
100,200:清洗方法 S101,S102,S103,S104,S201,S202,S203,S204,S205,S206,S207,S208,S209:步驟
為讓本揭露之上述和其他目的、特徵、優點與實施例能更明顯易懂,所附圖式之說明如下: 第1圖為繪示根據本揭露之一實施方式之清洗方法的流程圖。 第2圖為繪示根據本揭露之一實施方式之清洗方法的流程圖。
國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無 國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
100:清洗方法
S101,S102,S103,S104:步驟

Claims (10)

  1. 一種清洗方法,用以清洗一測試電路板,該測試電路板用以測試一半導體元件,該清洗方法包含: 將一測試電路板浸入一錫鉛剝離劑中; 將該測試電路板浸入一除碳劑中;以及 以清水沖洗已浸泡過該錫鉛剝離劑與該除碳劑中之至少一者之該測試電路板。
  2. 如請求項1所述之清洗方法,其中該以清水沖洗已浸泡過該錫鉛剝離劑與該除碳劑中之至少一者之該測試電路板係執行於該將該測試電路板浸入該錫鉛剝離劑中之後以及該將該測試電路板浸入該除碳劑中之前。
  3. 如請求項2所述之清洗方法,進一步包含將該測試電路板浸入清水以去除殘留之該錫鉛剝離劑,且該將該測試電路板浸入清水以去除殘留之該錫鉛剝離劑係執行於該以清水沖洗已浸泡過該錫鉛剝離劑與該除碳劑中之至少一者之該測試電路板之後以及該將該測試電路板浸入該除碳劑中之前。
  4. 如請求項3所述之清洗方法,進一步包含將已浸泡過該錫鉛剝離劑之該測試電路板脫水。
  5. 如請求項4所述之清洗方法,其中該將已浸泡過該錫鉛剝離劑之該測試電路板脫水係執行於該以清水沖洗已浸泡過該錫鉛剝離劑與該除碳劑中之至少一者之該測試電路板之後以及該將該測試電路板浸入清水以去除殘留之該錫鉛剝離劑之前。
  6. 如請求項1所述之清洗方法,其中該以清水沖洗已浸泡過該除碳劑與該除碳劑中之至少一者之該測試電路板係執行於該將該測試電路板浸入該錫鉛剝離劑中以及該將該測試電路板浸入該除碳劑中之後。
  7. 如請求項6所述之清洗方法,進一步包含將該測試電路板浸入清水以去除殘留之該除碳劑,且該將該測試電路板浸入清水以去除殘留之該除碳劑係執行於該以清水沖洗已浸泡過該錫鉛剝離劑與該除碳劑中之至少一者之該測試電路板之後。
  8. 如請求項7所述之清洗方法,進一步包含將該測試電路板置入一烤箱烘乾,且該將該測試電路板置入該烤箱烘乾係執行於該將該測試電路板浸入清水以去除殘留之該除碳劑之後。
  9. 如請求項7所述之清洗方法,進一步包含將已浸泡過該除碳劑之該測試電路板脫水。
  10. 如請求項9所述之清洗方法,其中該將已浸泡過該除碳劑之該測試電路板脫水係執行於該以清水沖洗已浸泡過該錫鉛剝離劑與該除碳劑中之至少一者之該測試電路板之後以及該將該測試電路板浸入清水以去除殘留之該除碳劑之後。
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TWI619153B (zh) * 2008-02-11 2018-03-21 恩特葛瑞斯股份有限公司 在半導體處理系統中離子源之清洗

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