TWI791484B - 隱形切割用黏著片及半導體裝置的製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明係一種隱形切割用黏著片1，其係至少使用在將在內部形成改質層的半導體晶圓，以-20℃以上，10℃以下的環境切斷分離成各個晶片的隱形切割用黏著片1，其具備：基材11；及黏著劑層12，其係積層在上述基材11的一方的面，使上述隱形切割用黏著片1經由上述黏著劑層12黏貼在矽晶圓時，上述黏著劑層12與上述矽晶圓的界面的在0℃的剪力為30N/(3mm×20mm)以上，190N/(3mm×20mm)以下。該隱形切割用黏著片1，可藉由冷擴展充分擴大晶片間隔，而可抑制從擴展狀態釋放所造成的晶片碰撞。

Description

隱形切割用黏著片及半導體裝置的製造方法
本發明係關於用於隱形切割(註冊商標)加工的隱形切割用黏著片、及使用該隱形切割用黏著片的半導體裝置的製造方法。
從半導體晶圓製造晶片狀的半導體裝置時，先前，一般為邊噴付用於清洗半導體晶圓的液體，以旋轉刀將半導體晶圓切斷得到晶片的刀片切割加工。但是，近幾年，開始採用能夠以乾式分割成晶片的隱形切割加工。作為隱形切割加工的一例為對黏貼在切割片的半導體晶圓照射大開口徑(NA)的雷射，邊使半導體晶圓表面附近所受到的損壞最小，邊在半導體晶圓內部預先形成改質層。之後，藉由將切割片擴展，對半導體晶圓施力而切斷分離成各個晶片。
近幾年，要求將如上所述製造出的晶片，與別的晶片積層，或將晶片接著在薄膜基板上。然後，在一部分的領域中，有從將晶片的電路與別的晶片或基板上的電路，以打線連接的面朝上型(face up)的構裝，轉為以設有突起狀電極的晶片的電極形成面，與別的晶片或基板上的電路相對，以該電極直接連接的覆晶構裝、或矽穿孔(Through Silicon Via；TSV)。在對應如此的覆晶構裝等的晶片的積層‧接著的要求，有對別 的晶片或薄膜基板，使用接著劑固定帶電極的晶片的方法的提案。
然後，為容易使用於如此的用途，有提案在上述製造方法的過程裡，對於在與電極形成面的相反面黏貼有切割片的帶電極的半導體晶圓或帶電極的改質半導體晶圓，在其電極形成面積層薄膜狀的接著劑，使藉由擴展步驟分割的帶電極的晶片，在該電極形成面具備接著劑層。該接著劑層，使用稱為晶圓黏結薄膜(Die Attach Film,DAF)、或非導電性接著薄膜(Nonconductive film,NCF)的接著用薄膜。
在專利文獻1，揭示將DAF黏貼在基板，進行隱形切割加工，之後藉由擴展將晶圓個片化成晶片的同時，可將DAF分割。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2005-19962號公報
上述DAF、NCF等，由於在低溫區域具有脆化的特性，故為提升DAF、NCF等的分割性，上述擴展大多為以-20℃~10℃左右的低溫環境實施的冷擴展步驟的方式進行。
但是，將先前的切割片如上所述地以冷擴展步驟擴展時，即使可將晶圓個片化成晶片，晶片相互之間的間隔(晶片間隔)有無法充分擴大的情形。當晶片間隔無法充分擴大， 則在將切割片從擴展的狀態釋放之後馬上或在那之後，有發生晶片的碰撞、端部的缺損、破損、脫落等的問題。
本發明係有鑑於如上所述的實際情況所完成，以提供能夠藉由冷擴展充分地擴大晶片間隔，而能夠抑制從擴展狀態釋放所造成的晶片碰撞的隱形切割用黏著片及半導體裝置的製造方法為目標。
為達成上述目標，第1，本發明提供一種隱形切割用黏著片，其特徵在於：其係至少使用於將在內部形成改質層的半導體晶圓，以-20℃以上，10℃以下的環境切斷分離成各個晶片的隱形切割用黏著片，其具備：基材；及黏著劑層，其為積層在上述基材的一方的面，使上述隱形切割用黏著片經由上述黏著劑層黏貼在矽晶圓時，上述黏著劑層與上述矽晶圓的界面的在0℃的剪力為30N/(3mm×20mm)以上，190N/(3mm×20mm)以下(發明1)。
在關於上述發明(發明1)的隱形切割用黏著片，藉由使0℃的剪力在上述範圍，即使在-10℃以上，10℃以下的低溫環境，亦可充分擴大晶片間隔，結果即使在釋放擴展狀態之後，亦可將晶片間隔維持在適當的距離。因此，可抑制在釋放之後馬上及在那之後晶片間相互衝撞。
在上述發明(發明1)，其中上述黏著劑層，以能量線硬化性黏著劑構成為佳(發明2)。
在上述發明(發明1、2)，其中上述基材的在0℃的儲存彈性模數以100MPa以上，1500MPa以下為佳(發明3)。
第2，本發明提供一種半導體裝置的製造方法，其特徵在於：具備：使上述隱形切割用黏著片(發明1~3)的上述黏著劑層與半導體晶圓黏合的黏合步驟；在上述半導體晶圓的內部形成改質層的改質層形成步驟；在-20℃以上，10℃以下的環境，將上述隱形切割用黏著片擴展，將內部形成改質層的上述半導體晶圓切斷分離成各個晶片的冷擴展步驟(發明4)。
在上述發明(發明4)，進一步具備：在黏合在上述隱形切割用黏著片的上述半導體晶圓的與黏合上述隱形切割用黏著片的面的相反側的面，積層接著用薄膜的層壓步驟為佳(發明5)。
根據本發明，可提供能夠藉由冷擴展充分地擴大晶片間隔，可抑制從擴展狀態釋放所造成的晶片碰撞的隱形切割用黏著片及半導體裝置的製造方法。
1‧‧‧具有背襯材的隱形切割用黏著片
11‧‧‧基材
12‧‧‧黏著劑層
13‧‧‧背襯材
2‧‧‧矽鏡面晶圓
圖1係說明關於試驗例1之剪力測定方法的俯視圖。
圖2係說明關於試驗例1之剪力測定方法的剖面圖。
以下，說明關於本發明的實施形態。
[隱形切割用黏著片]
關於本發明之一實施形態的隱形切割用黏著片，係至少用於將內部形成有改質層的半導體晶圓，以低溫環境切斷分離成各個晶片。在此，所謂低溫環境，係指DAF、NCF等會充分脆 化的溫度環境，例如指10℃以下的環境的意思，以6℃以下的環境特別佳，進一步以4℃以下的環境為佳。此外，在此所述低溫環境的溫度的下限值並無特別限制，例如，所謂低溫環境，係指-20℃以上的環境，以-15℃以上的環境特別佳，進一步以-10℃以上的環境為佳。在超過10℃的環境，DAF、NCF等的脆化會變得不充分，而有無法良好地分割之虞。此外，在未滿-20℃的環境，由於DAF、NCF或黏著片係在該等的玻璃轉移溫度(Tg)以下的環境，故有降低該等與半導體晶圓的密著性之虞，此外在擴展時有黏著片發生破斷之虞。在半導體晶圓內部形成改質層的步驟(改質層形成步驟)，能夠以半導體晶圓黏合在該隱形切割用黏著片的狀態進行，亦能夠在半導體晶圓黏合在該隱形切割用黏著片之前進行。再者，在本說明書的「片」亦包含「帶(type)」的概念。
關於本實施形態的隱形切割用黏著片，具備：基材；及積層於該基材的一方的面的黏著劑層。基材與黏著劑層以直接積層為佳，惟並不限定於此。
經由關於本實施形態的隱形切割用黏著片所具有的黏著劑層，將該隱形切割用黏著片黏貼在矽晶圓時，黏著劑層與矽晶圓的界面的0℃剪力為30N/(3mm×20mm)以上，190N/(3mm×20mm)以下。
關於本實施形態的隱形切割用黏著片，藉由具有如上所述的剪力，可將黏合在該隱形切割用黏著片的內部形成改質層的半導體晶圓，以低溫環境的擴展(以下，有時亦稱為「冷擴展」。)，切斷分離成各個晶片，可將晶片間隔充分擴 大。具體而言，將晶片間隔(鄰接的晶片的側面與側面的距離)擴大70~250μm左右，以80~240μm左右為佳，以90~230μm左右特別佳。藉此，即使是在釋放擴展的狀態之後，亦可將晶片間隔維持在適當的距離。具體而言，釋放之後的晶片間隔可維持在10~70μm左右，以15~65μm左右為佳，以20~60μm左右特別佳。藉由將晶片間隔維持在如此的距離，可抑制在釋放之後的晶片的碰撞。再者，在半導體晶圓積層DAF、NCF等時，亦可良好地分割該等DAF與NCF，此外，亦可充分地進行分割晶片側面的清洗。再者，上述剪力的測定方法，係如後述的試驗例所示。
上述剪力未滿30N/(3mm×20mm)，則在冷擴展時在隱形切割用黏著片與環形框密著的部分施加剪力時，隱形切割用黏著片從環形框脫落的可能性較大，無法穩定地使用。另一方面，上述剪力超過190N/(3mm×20mm)，則無法藉由冷擴展充分擴大晶片間隔。
由以上的觀點，上述剪力的下限值，以40N/(3mm×20mm)以上為佳，以45N/(3mm×20mm)以上特別佳。此外，上述剪力的上限值，以170N/(3mm×20mm)以下為佳，以165N/(3mm×20mm)以下特別佳。
1.黏著劑層
關於本實施形態的隱形切割用黏著片的黏著劑層，只要滿足上述剪力，並無特別限定。該黏著劑層，能夠由非能量線硬化性黏著劑構成，亦可由能量線硬化性黏著劑構成。非能量線硬化性黏著劑，以具有所期望的黏著力及再剝離性之物為佳， 可使用例如，丙烯酸系黏著劑、橡膠系黏著劑、矽酮系黏著劑、尿烷系黏著劑、聚酯系黏著劑、聚乙烯基醚系黏著劑等。該等之中，以能夠在改質層形成步驟、冷擴展步驟等有效地抑制半導體晶圓、晶片等的脫落的丙烯酸系黏著劑為佳。
另一方面，能量線硬化性黏著劑，由於可藉由能量線照射而硬化、降低黏著力，故欲使分割半導體晶圓所得的晶片與隱形切割用黏著片分離時，可藉由能量線照射，容易地分離。
構成黏著劑層的能量線硬化性黏著劑，能夠以具有能量線硬化性的聚合物作為主要成分，亦能夠以非能量線硬化性聚合物(不具有能量線硬化性的聚合物)與至少具有一個以上的能量線硬化性基的單體及/或寡聚物的混合物作為主要成分的。此外，亦可為具有能量線硬化性的聚合物與非能量線硬化性聚合物的混合物，亦可為具有能量線硬化性的聚合物與至少具有一個以上的能量線硬化性基的單體及/或寡聚物的混合物，亦可為該等3種的混合物。
首先，將關於能量線硬化性黏著劑，以具有能量線硬化性的聚合物作為主要成分之情形，說明如下。
具有能量線硬化性的聚合物，以對側鏈導入具有能量線硬化性的官能基(能量線硬化性基)的(甲基)丙烯酸酯(共)聚合物(A)(以下，有時亦稱為「能量線硬化型聚合物(A)」)為佳。該能量線硬化型聚合物(A)，以具有官能基含有單體單位的丙烯酸系共聚物(a1)，與具有與該官能基鍵結的具有官能基的不飽和基含有化合物(a2)反應而得的為佳。再者，在本說 明書，所謂(甲基)丙烯酸酯，係指丙烯酸酯及甲基丙烯酸酯的雙方的意思。別的類似用語亦相同。
丙烯酸系共聚物(a1)，包含：由官能基含有單體衍生的構成單位；及由(甲基)丙烯酸酯單體或其衍生物所衍生的構成單位為佳。
作為丙烯酸系共聚物(a1)的構成單位的官能基含有單體，以在分子內具有聚合性的雙鍵鍵結，與羥基、羧基、胺基、取代胺基、環氧基等的官能基的單體為佳。
羥基含有單體，可舉例如(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丁酯、丙烯酸3-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯等，該等可以單獨或組合2種以上使用。
羧基含有單體，可舉例如，丙烯酸、甲基丙烯酸、巴豆酸、馬來酸、依康酸、檸康酸等的乙烯性不飽和羧酸。該等可以單獨使用，亦可組合2種以上使用。
胺基含有單體或取代胺基含有單體，可舉例如，(甲基)丙烯酸胺基乙酯、(甲基)丙烯酸正丁基胺基乙酯等。該等可以單獨使用，亦可組合2種以上使用。
構成丙烯酸系共聚物(a1)的(甲基)丙烯酸酯單體，在烷基的碳數為1~20的(甲基)丙烯酸烷基酯之外，例如，可良好地使用在分子內具有脂環式結構的單體(脂環式結構含有單體)。
(甲基)丙烯酸烷基酯，特別是烷基的碳數為1~18的(甲基)丙烯酸烷基酯，可良好地使用例如，(甲基)丙烯酸甲 酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯等。該等可以單獨使用，亦可組合2種以上使用。
脂環式結構含有單體，例如，(甲基)丙烯酸環己酯、(甲基)丙烯酸二環戊酯、(甲基)丙烯酸金剛烷酯、(甲基)丙烯酸異冰片酯、(甲基)丙烯酸二環戊烯酯、(甲基)丙烯酸雙環戊烯氧基乙酯等。該等可以單獨使用，亦可組合2種以上使用。
丙烯酸系共聚物(a1)，係將由上述官能基含有單體所衍生的構成單位，以1~35質量%的比例含有為佳，以5~30質量%特別佳，進一步以10~25質量%為佳。此外，丙烯酸系共聚物(a1)，係將(甲基)丙烯酸酯單體或其衍生物所衍生的構成單位，以50~99質量%的比例含有為佳，以60~95質量%特別佳，進一步以70~90質量%特別佳。
丙烯酸系共聚物(a1)，係由如上所述的官能基含有單體，與(甲基)丙烯酸酯單體或其衍生物，以常規的方法共聚合而得，惟在該等單體之外，亦可將二甲基丙烯醯胺、蟻酸乙烯酯、醋酸乙烯酯、苯乙烯等共聚合。
藉由使具有上述官能基含有單體單位的丙烯酸系共聚物(a1)，與具有與該官能基鍵結的具有官能基的不飽和基含有化合物(a2)反應，得到能量線硬化型聚合物(A)。
不飽和基含有化合物(a2)所具有的官能基，可按照丙烯酸系共聚物(a1)所具有的官能基含有單體單位的官能基的種類適宜選擇。例如，丙烯酸系共聚合物(a1)所具有的官能基 為羥基、胺基或取代胺基時，不飽和基含有化合物(a2)所具有的官能基，以異氰酸酯基或環氧基為佳，丙烯酸系共聚物(a1)所具有的官能基為環氧基時，不飽和基含有化合物(a2)所具有的官能基，以胺基、羧基或氮丙啶基為佳。
此外，在上述不飽和基含有化合物(a2)，能量線聚合性的碳-碳雙鍵鍵結，在1分子中至少包含1個，以1~6個為佳，進一步以1~4個為佳。如此的不飽和基含有化合物(a2)的具體例，可舉例如，2-甲基丙烯醯氧乙基異氰酸酯、間-異丙烯基-α,α-二甲基苄基異氰酸酯、甲基丙烯醯基異氰酸酯、烯丙基異氰酸酯、1,1-(雙丙烯醯氧甲基)乙基異氰酸酯；二異氰酸酯化合物或聚異氰酸酯化合物，與(甲基)丙烯酸羥基乙酯的反應而得的丙烯醯基單異氰酸酯化合物；二異氰酸酯化合物或聚異氰酸酯化合物，與多元醇化合物，及(甲基)丙烯酸羥基乙酯反應而得的丙烯醯基單異氰酸酯化合物；(甲基)丙烯酸縮水甘油酯；(甲基)丙烯酸、(甲基)丙烯酸2-(1-氮丙啶)乙酯、2-乙烯基-2-噁唑啉、2-異丙烯基-2-噁唑啉等。
上述不飽和基含有化合物(a2)，對上述丙烯酸系共聚合物(a1)的官能基含有單體莫耳數，以50~95莫耳%的比例使用為佳，以60~93莫耳%特別佳，進一步以70~90莫耳%為佳。
在丙烯酸系共聚合物(a1)與不飽和基含有化合物(a2)的反應，可按照丙烯酸系共聚合物(a1)所具有的官能基與不飽和基含有化合物(a2)所具有的官能基的組合，適宜選擇反應的溫度、壓力、溶劑、時間、有無觸媒、觸媒的種類。藉此， 使存在於丙烯酸系共聚合物(a1)中的官能基與不飽和基含有化合物(a2)中的官能基反應，在丙烯酸系共聚物(a1)中的側鏈導入不飽和基，得到能量線硬化型聚合物(A)。
如此所得的能量線硬化型聚合物(A)的重量平均分子量(Mw)，以1萬以上為佳，以15萬~150萬特別佳，進一步以20萬~100萬為佳。再者，在本說明書的重量平均分子量(Mw)，係以凝膠滲透層析法(GPC法)所測定的標準聚苯乙烯換算值。
能量線硬化性黏著劑，即使是以能量線硬化型聚合物(A)等的具有能量線硬化性的聚合物為主要成分時，能量線硬化性黏著劑，亦可進一步含有能量線硬化性的單體及/或寡聚物(B)。
能量線硬化性的單體及/或寡聚物(B)，可使用例如，多元醇與(甲基)丙烯酸的酯等。
該能量線硬化性的單體及/或寡聚物(B)，可舉例如(甲基)丙烯酸環己酯、(甲基)丙烯酸異冰片酯等的單官能性丙烯酸酯類、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、二羥甲基三環癸烷二(甲基)丙烯酸酯等的多官能性丙烯酸酯類、聚酯寡聚(甲基)丙烯酸酯、聚氨酯寡聚(甲基)丙烯酸酯等。
對能量線硬化型聚合物(A)，調配能量線硬化性的單體及/或寡聚物(B)時，能量線硬化性的單體及/或寡聚物(B) 在能量線硬化性黏著劑中的含量，對能量線硬化性聚合物(A)100質量份，以0.1~180質量份為佳，以60~150質量份特別佳。
在此，使用紫外線作為用於使能量線硬化性黏著劑硬化的能量線時，以添加光聚合起始劑(C)為佳，藉由使用該光聚合起始劑(C)，可減少聚合硬化時間及光線照射量。
光聚合起始劑(C)，具體可舉，二苯甲酮、苯乙酮、安息香，安息香甲醚、安息香***、安息香異丙醚、安息香異丁醚、安息香苯甲酸、安息香苯甲酸甲酯、安息香二甲基縮酮、2,4-二乙基噻噸酮、1-羥基環己基苯酮、苄基二苯基硫醚、一硫化四甲基秋蘭姆、偶氮雙異丁腈、苯偶醯(benzil)、聯苄、雙乙醯、β-氯蒽醌、(2,4,6-三甲基苯甲醯基二苯基)氧化膦、2-苯並噻唑-N,N-二乙基二硫代胺基甲酸酯、寡聚{2-羥基-2-甲基-1-[4-(1-丙烯基)苯基]丙酮、2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙烷-1-酮。該等可以單獨使用，亦可並用2種以上。
光聚合起始劑(C)，對能量線硬化型聚合物(A)調配能量線硬化性的單體及/或寡聚物(B)時，能量線硬化型共聚物(A)及能量線硬化性的單體及/或寡聚物(B)的合計量100質量份)100質量份，以0.1~10質量份的範圍的量使用為佳，以0.5~6質量份特別佳。
在能量線硬化性黏著劑，在上述成分以外，亦可適宜調配其他的成分。其他的成分，可舉例如，非能量線硬化性高分子成分或寡聚物成分(D)、架橋劑(E)、聚合性分枝聚合物(F)等。
非能量線硬化性高分子成分或寡聚物成分(D)，可舉例如，聚丙烯酸酯、聚酯、聚氨酯、聚碳酸酯、聚烯烴、高分枝聚合物等，重量平均分子量(Mw)為3000~250萬的高分子或寡聚物為佳。藉由將該成分(D)調配在能量線硬化性黏著劑，可改善硬化前的黏著性及剝離性、硬化後的強度、由被著體的易剝離性、與其他層的接著性、儲存穩定性等。該成分(D)的調配量，並無特別限定，對能量線硬化型共聚物(A)100質量份，能夠以0.01~50質量份的範圍適宜決定。
架橋劑(E)，可使用具有能夠與能量線硬化型聚合物(A)等所具有的官能基的反應性的多官能性化合物。如此的多官能性化合物之例，可舉異氰酸酯化合物、環氧化合物、胺化合物、三聚氰胺化合物、氮丙啶化合物、聯胺化合物、醛化合物、噁唑啉化合物、金屬烷氧化合物、金屬螯合物化合物、金屬鹽、銨鹽、反應性酚樹脂等。藉由對能量線硬化性黏著劑調配架橋劑(E)，可調整上述剪力。
架橋劑(E)的調配量，相對於能量線硬化型聚合物(A)100質量份，以0.01~8質量份為佳，以0.04~5質量份特別佳，進一步以0.05~3.5質量份為佳。
所謂聚合性分枝聚合物(F)，係指具有能量線聚合性基及分枝結構的聚合物。藉由使能量線硬化性黏著劑含有聚合性分枝聚合物，抑制有機物質由黏著劑層轉移到積層在隱形切割黏著片上的半導體晶圓或半導體晶片的同時，可減低在將半導體晶片由隱形切割用黏著片個別拾取的步驟中、半導體晶片所受的機械性負荷。對於如此的效果，雖然聚合性分枝聚合 物(F)如何貢獻並不明確，可認為是聚合性分枝聚合物(F)，在黏著劑層具有容易存在於半導體晶圓或半導體晶片的界面附近的傾向，或可能是聚合性分枝聚合物(F)藉由照射能量線，而與能量線硬化型聚合物(A)或能量線硬化性的單體及/或寡聚物(B)聚合等的影響。
聚合性分枝聚合物(F)的分子量、分枝結構的程度、一分子中所具有的能量線聚合性基的數量等的具體結構並無特別限定。得到如此的聚合性分枝聚合物(F)的方法之例，首先，藉由使分子內具有2個以上的自由基聚合性雙鍵鍵結的單體，與在分子內具有活性氫基及1個自由基聚合性雙鍵鍵結的單體，及在分子內具有1個自由基聚合性雙鍵鍵結的單體聚合，得到具有分枝結構的聚合物。接著，藉由使所得聚合物，與分子內具有可與該聚合物所具有的活性氫基反應形成鍵結的官能基及至少1個自由基聚合性雙鍵鍵結的化合物反應，可得聚合性分枝聚合物(F)。聚合性分枝聚合物(F)的市售品，可使用例如，日產化學工業公司製「OD-007」。
聚合性分枝聚合物(F)的重量平均分子量(Mw)，由容易適度地抑制能量線硬化型聚合物(A)或能量線硬化性的單體及/或寡聚物(B)的相互作用的觀點，以1000以上為佳，以3000以上特別佳。此外，該重量平均分子量(Mw)，以100,000以下為佳，以30,000以下特別佳。
黏著劑層中的聚合性分枝聚合物(F)含量，並無特別限定，由良好的得到藉由含有聚合性分枝聚合物(F)的上述效果的觀點，通常，相對於能量線硬化型聚合物(A)100質量 份，以0.01質量份以上為佳，以0.1質量份以上為佳。聚合性分枝聚合物(F)由於具有分枝結構，即使在黏著劑層中的含量相對較少量，亦可良好地得到上述效果。
再者，依聚合性分枝聚合物(F)的種類，有聚合性分枝聚合物(F)，以粒子殘留在半導體晶圓或半導體晶片與黏著劑層的接觸面之情形。該粒子，由於有降低具有半導體晶片的產品的可靠度之虞，故殘留的粒子數較少較佳。具體而言，殘留在作為半導體晶圓的矽晶圓的粒徑0.20μm以上的粒子數以未滿100為佳，以50以下特別佳。由容易滿足如此的對粒子的要求的觀點，聚合性分枝聚合物(F)的含量，相對於能量線硬化型聚合物(A)100質量份，以未滿3.0質量份為佳，以2.5質量份以下特別佳，進一步以2.0質量份以下為佳。
接著，能量線硬化性黏著劑，以非能量線硬化性聚合物成分與至少具有1個以上的能量線硬化性基的單體及/或寡聚物的混合物作為主要成分之情形，說明如下。
非能量線硬化性聚合物成分，可使用例如與上述丙烯酸系共聚物(a1)同樣的成分。
至少具有1個以上的能量線硬化性基的單體及/或寡聚物，可選擇與上述成分(B)同樣的。非能量線硬化性聚合物成分，與至少具有一個以上的能量線硬化性基的單體及/或寡聚物的調配比，至少具有一個以上的能量線硬化性基的單體及/或寡聚物，相對於非能量線硬化性聚合物成分100質量份，以1~200質量份為佳，以60~160質量份特別佳。
在此情形，亦可與上述同樣，適宜調配光聚合起 始劑(C)、架橋劑(E)等。
黏著劑層的厚度，只要在使用關於本實施形態的隱形切割用黏著片的各步驟，可適當地作用，並無特別限定。具體以1~50μm為佳，以3~40μm特別佳，進一步以5~30μm為佳。
在關於本實施形態的隱形切割用黏著片的黏著劑層，在0℃的儲存彈性模數，以0.02~40.0MPa為佳，以0.10~30.0MPa特別佳，進一步以0.50~20.0MPa為佳。藉由使黏著劑層在0℃的儲存彈性模數在上述範圍，隱形切割用黏著片成為容易冷擴展之物，而容易有效地擴大晶片間隔，容易適度維持在釋放擴展後晶片的間隔。結果可有效地抑制起因於釋放擴展的晶片碰撞。再者，上述儲存彈性模數的測定方法，係如後述試驗例所示。
2.基材
關於本實施形態的隱形切割用黏著片的基材，在0℃的儲存彈性模數，以100MPa以上，1500MPa以下為佳。在黏著劑層的剪力在上述範圍時，基材的儲存彈性模數在上述範圍，則藉由該等的相乘效果，可將黏合在該隱形切割用黏著片的內部形成改質層的半導體晶圓，藉由冷擴展，切斷分離成各個晶片，可將該晶片間隔充分擴張。再者，上述儲存彈性模數的測定方法，係如後述試驗例所示。
此外，上述儲存彈性模數為100MPa以上，則由於基材會顯示既定的剛性，可藉由轉印將形成在剝離片等的黏著劑層，積層在該基材，可有效地製造隱形切割用黏著片。再者，隱形切割用黏著片的操作性亦變得良好。另一方面，上述儲存 彈性模數，在1500MPa以下，則隱形切割用黏著片可藉由冷擴展良好地伸長。此外，可藉由構裝在環形框的隱形切割用黏著片，良好地支持半導體晶圓。
由以上的觀點，上述儲存彈性模數的下限值，以120MPa以上為佳，以150MPa特別佳。此外，上述儲存彈性模數的上限值，以1200MPa以下為佳，以1000MPa以下特別佳。
對黏合在隱形切割用黏著片的半導體晶圓，隔著該隱形切割用黏著片進行照射雷射光的改質層形成步驟時，在關於本實施形態的隱形切割用黏著片的基材，以對該雷射光的波長的光發揮優良的光穿透性的為佳。
此外，使用能量線使黏著劑層硬化時，基材對該能量線具有光線穿透性為佳。關於能量線，將於後述。
在關於本實施形態的隱形切割用黏著片的基材，以包含樹脂系的材料作為主材的薄膜(樹脂薄膜)為佳，以僅由樹脂薄膜形成特別佳。樹脂薄膜的具體例，可舉乙烯-醋酸乙烯酯共聚物薄膜；乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物薄膜、乙烯-(甲基)丙烯酸甲酯共聚物薄膜、其他的乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物薄膜等的乙烯系共聚物薄膜；聚乙烯薄膜、聚丙烯薄膜、聚丁烯薄膜、聚丁二烯薄膜、聚甲基戊烯薄膜、乙烯降冰片烯共聚物薄膜、降冰片烯樹脂薄膜等的聚烯烴系薄膜；聚氯乙烯薄膜、氯乙烯共聚物薄膜等的聚氯乙烯系薄膜；聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜、聚對苯二甲酸丁二醇酯薄膜、聚萘二甲酸乙二醇酯等的聚酯系薄膜；(甲基)丙烯酸酯共聚物薄膜；聚氨酯薄膜；聚醯亞胺薄膜；聚苯乙烯薄膜；聚碳酸酯薄膜；氟樹脂薄膜等。 聚乙烯薄膜之例，可舉低密度聚乙烯(LDPE)薄膜、直鏈低密度聚乙烯(LLDPE)薄膜、高密度聚乙烯(HDPE)薄膜等。此外，亦可使用該等的架橋薄膜、離子聚合物薄膜等的改質薄膜。基材，可為該等的1種所形成的薄膜，亦可係將該等組合2種以上的材料所形成的薄膜。此外，亦可為將上述的1種以上的材料所形成的層以複數積層的多層結構的積層薄膜。在該積層薄膜，構成各層的材料可為同種，亦可為不同種。
考慮在冷擴展步驟的使用，基材，在上述薄膜之中，使用乙烯-甲基丙烯酸共聚物薄膜、聚乙烯薄膜、聚丙烯薄膜等的聚烯烴系薄膜、如此的聚烯烴的離子聚合物薄膜、聚氯乙烯系薄膜、聚氨酯薄膜或(甲基)丙烯酸酯共聚物薄膜為佳。
在基材，亦可在上述薄膜內，包含填充劑、難燃劑、塑化劑、抗靜電劑、滑劑、抗氧化劑、著色劑、紅外線吸收劑、紫外線吸收劑、離子捕捉劑等的各種添加劑。該等添加劑的含量，並無特別限定，維持在基材可發揮所期望的功能的範圍為佳。
在關於本實施形態的隱形切割用黏著片，基材與黏著劑層直接積層時，在基材的黏著劑層側的面，為提升與黏著劑層的密著性，亦可施以底漆處理(priming)、電暈處理、電漿處理等的表面處理。
基材的厚度，只要在使用隱形切割用黏著片的步驟，可適當地作用並無限定。該厚度通常以20~450μm為佳，以25~250μm特別佳，進一步以50~150μm為佳。
3.剝離片
在關於本實施形態的隱形切割用黏著片的與黏著劑層的基材側的相反側的面，亦可積層剝離片，用於保護黏著劑層到使用該隱形切割用黏著片時。
剝離片，並無特別限定，可使用例如，聚乙烯薄膜、聚丙烯薄膜、聚丁烯薄膜、聚丁二烯薄膜、聚甲基戊烯薄膜、聚氯乙烯薄膜、氯乙烯共聚物薄膜、聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜、聚萘二甲酸乙二醇酯薄膜、聚對苯二甲酸丁二醇酯薄膜、聚氨酯薄膜、乙烯醋酸乙烯酯薄膜、離子聚合物樹脂薄膜、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物薄膜、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物薄膜、聚苯乙烯薄膜、聚碳酸酯薄膜、聚醯亞胺薄膜、氟樹脂薄膜等。此外，亦可使用該等的架橋薄膜。再者，亦可係積層複數該等薄膜的積層薄膜。
上述剝離片的剝離面(具有剝離性的面；特別是與黏著劑層相接的面)，施以剝離處理為佳。使用於剝離處理的剝離劑，可舉例如醇酸系、矽酮系、氟系、不飽和聚酯系、聚烯烴系、蠟系的剝離劑。
再者，關於剝離片的厚度，並無特別限定，通常係由20μm至100μm左右。
4.黏著力
關於本實施形態的隱形切割用黏著片，在0℃對矽鏡面晶圓的黏著力，以0.5N/25mm以上為佳，以1.0N/25mm以上特別佳。此外，該黏著力，以30N/25mm以下為佳，以25N/25mm以下特別佳。藉由使0℃的黏著力在上述範圍，在冷擴展步驟將黏著片擴展時，變得容易維持半導體晶圓、所得半導體晶片 等的既定位置，可順利進行在半導體晶圓的改質層部分的分斷。再者，黏著劑層由能量線硬化性黏著劑形成時，上述黏著力是指能量線照射前的黏著力。此外，黏著力，是指以後述的方法所測定的。
在關於本實施形態的隱形切割用黏著片，黏著劑層以能量線硬化性黏著劑形成時，在23℃照射能量線後對矽鏡面晶圓的黏著力，以10mN/25mm以上為佳，以20mN/25mm以上特別佳。此外，該黏著力，以1000mN/25mm以下為佳，以900mN/25mm以下特別佳。在完成半導體晶圓的個片化之後，藉由對隱形切割用黏著片照射能量線，使黏著力下降至上述範圍，可容易地拾取所得半導體晶片。再者，黏著力係指以後述的方法所測定的。
上述在0℃的黏著力及在23℃照射能量線後的黏著力，可藉由如下方法測定。首先，將半導體加工用片裁成25mm的寬度，將其黏著劑層側的面，黏貼在矽鏡面晶圓。該黏貼使用層壓機(LINTEC公司製，產品名「RAD-3510F/12」)，以黏貼速度10mm/s，基板突出量20μm及輥輪壓力0.1MPa的條件進行。接著，將所得的半導體加工片與矽鏡面晶圓的積層體，在23℃、50%RH的氣氛下放置20分鐘。在此，測定在23℃照射能量線後的黏著力時，在放置20分鐘之後，對該積層體，使用紫外線照射裝置(LINTEC公司製，產品名「RAD-2000m/12」)，在氮氣氛下，從片的基材側進行紫外線(UV)(照度230mW/cm2、光量190mJ/cm2)的照射。放置20分鐘或接著UV照射，遵照JIS Z0237，使用萬能型拉伸試驗機(AMD公司製，產品名「RTG-1225」)，以剝離角度180°，剝離速度300mm/min，將片從矽鏡面晶圓剝離，將測定之值作為黏著力(mN/25mm)。在此，測定在0℃的黏著力時，將使用上述萬能型拉伸試驗機的測定在0℃的環境進行，測定在23℃的黏著力時，將使用上述萬能型拉伸試驗機的測定在23℃的環境進行。
5.隱形切割用黏著片的製造方法
本實施形態的隱形切割用黏著片的製造方法，並無特別限定，可使用常規的方法。該製造方法的第1例，首先，調製包含黏著劑層的材料的黏著劑組合物，及根據所期望進一步含有溶劑或分散劑的塗層用組合物。接著，將該塗層用組合物，在剝離片的剝離面上，藉由模具塗佈機、淋幕塗佈機、噴霧塗佈機、狹縫塗佈機、刮刀塗佈機等進行塗佈形成塗膜。進一步，藉由使該塗膜乾燥，形成黏著劑層。之後，藉由將剝離片上的黏著劑層與基材黏合，得到隱形切割用黏著片。塗層用組合物，只要可以進行塗佈，其性質並無特別限定。用於形成黏著劑層的成分，在塗層用組合物中能夠以溶質含有，亦能夠以分散質含有。
塗層用組合物含有架橋劑(E)時，為了以所期望的存在密度形成架橋結構，可改變上述乾燥條件(溫度、時間等)，此外，亦可另外設置加熱處理。為使架橋反應充分進行，通常藉由上述方法等將黏著劑層積層在基材之後，將所得隱形切割用黏著片，進行例如在23℃、相對濕度50%的環境中靜置數日的熟成。
關於本實施形態的隱形切割用黏著片的製造方法的第2例，首先，在基材的一方的面塗佈上述塗層用組合物，形成塗膜。接著，使該塗膜乾燥，形成由基材及黏著劑層所形 成的積層體。進一步，將該積層體的露出黏著劑層的面，與剝離片的剝離面黏合。藉此，可得剝離片積層在黏著劑層的隱形切割用黏著片。
[半導體裝置的製造方法]
關於本發明的一實施形態的半導體裝置的製造方法，具備：將上述隱形切割用黏著片(關於本實施形態的隱形切割用黏著片)的黏著劑層與半導體晶圓黏合的黏合步驟；在半導體晶圓內部形成改質層的改質層形成步驟；在低溫環境，將隱形切割用黏著片擴展，使內部形成改質層的半導體晶圓切斷分離成各個晶片的冷擴展步驟。
在上述製造方法，可在改質層形成步驟之前，先進行黏合步驟，亦可相反地在黏合步驟之前，先進行改質層形成步驟。按照前者順序所進行的改質層形成步驟上，對黏合在關於本實施形態的隱形切割用黏著片的半導體晶圓照射雷射光。按照後者順序所進行的改質層形成步驟上，則例如，對黏合在別的黏著片(例如後研磨片)的半導體晶圓照射雷射光。
根據關於本實施形態的半導體裝置的製造方法，由於至少在冷擴展步驟中使用上述隱形切割用黏著片，可藉由該隱形切割用黏著片的冷擴展，充分擴大分割半導體晶圓所得的各個的晶片的相互之間的間隔。因此，即使在將擴展狀態釋放之後，可使晶片間隔維持在適當的距離，而可抑制在釋放之後的晶片碰撞。此外，由於可充分擴大晶片間隔，亦可充分進行各晶片側面的清洗。
此外，關於本實施形態的半導體裝置的製造方 法，可進一步具備：在黏合在隱形切割用黏著片的半導體晶圓的與黏合隱形切割用黏著片的面為相反側的面，積層接著用薄膜(DAF、NCF等)的層壓步驟。根據關於本實施形態的半導體裝置的製造方法，由於進行冷擴展步驟，故能夠將接著用薄膜在低溫環境良好地進行分割。
以下，說明關於本發明的一實施形態的半導體裝置的製造方法的較佳的具體例。
(1)黏合步驟
首先，進行將關於本實施形態的隱形切割用黏著片的黏著劑層與半導體晶圓黏合的黏合步驟。通常，將隱形切割用黏著片的黏著劑層側的面，黏在半導體晶圓的一方的面，惟並非限定於此。在該黏合步驟，通常，在隱形切割用黏著片的黏著劑層側的面，在黏貼半導體晶圓的區域的外周側的區域，黏貼環形框。此時，以俯視的角度觀看，在環形框與半導體晶圓之間，存在黏著劑層露出的區域，作為周緣區域。
(2)層壓步驟
接著，亦可對黏合在隱形切割用黏著片的半導體晶圓的與黏合上述隱形切割用黏著片的面的相反側的面，進行積層接著用薄膜的層壓步驟。該積層，通常，以加熱積層(熱層壓)進行。半導體晶圓表面具有電極時，通常，由於電極存在於半導體晶圓的與隱形切割用黏著片的面為相反側的面，故接著用薄膜積層在半導體晶圓的電極側。
接著用薄膜，以DAF、NCF等均可，通常具有感熱接著性。材料並無特別限定，具體例可舉，由聚醯亞胺樹脂、 環氧樹脂、酚樹脂等的耐熱性的樹脂材料，與含有硬化促進劑的接著劑組合物所形成的薄膜狀構件。
(3)改質層形成步驟
在半導體晶圓內部形成改質層的改質層形成步驟，較佳的是在上述黏合步驟之後或層壓步驟之後進行，惟亦可在該等步驟之前進行改質層形成步驟。改質層形成步驟，通常以紅外線區域的雷射光，對設定在半導體晶圓內部的焦點進行聚焦照射(隱形切割加工)。雷射光的照射，可由半導體晶圓的任一面進行。將改質層形成步驟，在層壓步驟之後進行，則以隔著隱形切割用黏著片照射雷射光為佳。此外，將改質層形成步驟，在上述黏合步驟與上述層壓步驟之間進行時，或不進行上述層壓步驟時，以不經由隱形切割用黏著片，直接對半導體晶圓照射雷射光為佳。
(4)冷擴展步驟
在改質層形成步驟之後，藉由在低溫環境，將隱形切割用黏著片擴展，進行切斷分離半導體晶圓的冷擴展步驟。藉此，分割半導體晶圓而得的半導體晶片，成為黏貼在隱形切割用黏著片的黏著劑層上的狀態。此外，在半導體晶圓積層接著用薄膜時，該接著用薄膜亦藉由擴展步驟與半導體晶圓被分割的同時被分割，得到具有接著劑層的晶片。
在冷擴展步驟的具體條件，並無限定。例如，擴展隱形切割用黏著片時的溫度，可為一般的冷擴展的溫度，如上所述，通常為10℃以下，以6℃以下特別佳，進一步以4℃以下為佳。此外，關於冷擴展的溫度的下限值，亦並無特別限 制，通常為-20℃以上，以-15℃以上特別佳，進一步以-10℃以上為佳。如上所述，藉由使用關於本實施形態的隱形切割用黏著片進行冷擴展步驟，可充分擴大所得晶片間隔，有積層接著用薄膜時，亦可良好地分割該接著用薄膜。
(5)再擴展步驟
進行冷擴展步驟之後，亦可使隱形切割用黏著片及積層在其上的半導體晶片或具有接著劑層的晶片恢復到室溫環境，在室溫環境，再次進行擴展步驟(再擴展步驟)。在再擴展步驟的具體條件，除了在室溫(例如23℃)進行擴展之外，並無特別限制。
再者，藉由該再擴展步驟，通常，在隱形切割用黏著片的周緣區域(以俯視的角度觀看在環形框與晶片群之間的區域)會發生鬆弛。
(6)收縮步驟
因再擴展步驟、使隱形切割用黏著片的周緣區域發生鬆弛時，進行加熱該周緣區域的收縮步驟為佳。藉由將隱形切割用黏著片的周邊區域加熱，位於該周緣區域的基材收縮，可減低隱形切割用黏著片因再擴展步驟所產生的鬆弛量。在收縮步驟的加熱方法，並無限定。可吹熱風，亦可照射紅外線，亦可照射微波。
(7)拾取步驟
進行再擴展步驟時，在緊接其的收縮步驟之後，在不進行再擴展步驟時，則在冷擴展步驟之後，進行將黏貼在隱形切割用黏著片的晶片個別從隱形切割用黏著片拾取，得到作為半導體裝置的晶片的拾取步驟。
在此，隱形切割用黏著片的黏著劑層係由能量線硬化性黏著劑形成時，黏合步驟以後，在拾取步驟之前的任一階段，對黏著劑層照射能量線，使黏著劑層硬化，使黏著力下降為佳。藉此，可更容易進行上述晶片的拾取。
能量線，可舉游離輻射線，即X射線、紫外線、電子射線等。該等之中，以照射設備相對較容易導入的紫外線為佳。
游離輻射線使用紫外線時，由容易操作，使用包含波長在200~380nm左右的紫外線的近紫外線即可。紫外線的光量，只要按照包含在黏著劑層的能量線硬化性黏著劑的種類及黏著劑層的厚度適宜選擇即可，通常為50~500mJ/cm2左右，以100~450mJ/cm2為佳，以150~400mJ/cm2更佳。此外，紫外線照度，通常為50~500mW/cm2左右，以100~450mW/cm2為佳，以150~400mW/cm2更佳。紫外線源，並無特別限制，可使用例如，高壓水銀燈、鹵素燈、發光二極體(LED)。
游離輻射線使用電子射線時，關於其加速電壓，可按照包含在黏著劑層的能量線聚合性基、能量線聚合性化合物的種類及黏著劑層的厚度適宜選定即可，通常加速電壓以10~1000kV左右為佳。此外，照射線量，只要按照包含在在黏著劑層的能量線硬化性黏著劑的種類及黏著劑層的厚度適宜選擇即可，通常以10~1000krad的範圍選定。電子射線源，並無特別限制，可使用例如，考克饒夫-瓦耳頓(Cockcroft-Walton)型、凡得格拉夫(van de graaff)型、共振變壓器型、絕緣芯變壓器型，或直線型、地那米(Dynamitron)型、高頻波型等的各種電子射線加速器。
藉由實施以上的製造方法，可使用關於本實施形態的隱形切割用黏著片，製造半導體裝置。
以上說明的實施形態，係為容易理解本發明所記載，並非用於限定本發明的記載。因此，揭示於上述實施形態的各要素，包含屬於本發明的技術上範圍的所有設計變更或均等物。
[實施例]
以下，以實施例等更加具體地說明本發明，惟本發明的範圍並不應該限定於該等實施例等。
[實施例1]
(1)黏著劑組合物的調製
使丙烯酸丁酯/甲基丙烯酸甲酯/丙烯酸2-羥基乙酯=80/5/15(質量比)反應所得的丙烯酸系共聚物，與對該丙烯酸2-羥基乙酯為80莫耳%的甲基丙烯醯氧乙基異氰酸酯(MOI)反應，得到能量線硬化型聚合物。該能量線硬化型聚合物的重量平均分子量(Mw)為40萬。
將100質量份(固體份換算值；以下同樣地記述)所得能量線硬化型聚合物、3質量份作為光聚合起始劑的1-羥基環己基苯基酮(BASF公司製，產品名「Irgacure184」)、及0.49質量份作為架橋劑的甲苯二異氰酸酯系架橋劑(日本聚氨酯工業公司製，產品名「CORONATE L」)在溶劑中混合，得到黏著劑組合物。
(2)隱形切割用黏著片的製造
在剝離片(LINTEC公司製，產品名「SP-PET3811」)的剝 離面上，塗佈上述黏著劑組合物。接著，藉由加熱進行乾燥，將黏著劑組合物的塗膜作為黏著劑層。此黏著劑層的厚度為10μm。之後，藉由將所得剝離片上的黏著劑層，與作為基材在一方的面經電暈處理的乙烯-甲基丙烯酸共聚物(EMAA)薄膜(厚度：80μm，電暈處理面的表面張力：54mN/m)的電暈處理面黏合，得到隱形切割用黏著片。
[實施例2]
將100質量份使丙烯酸丁酯/丙烯酸=91/9(質量比)反應所得的丙烯酸系共聚物(Mw：40萬)、120質量份作為具有能量線硬化性基的寡聚物的聚氨酯寡聚丙烯酸酯(大日精化公司製，產品名「SEIKABEAM PU-5(NS)」)、3質量份作為光聚合起始劑的1-羥基環己基苯基酮(BASF公司製，產品名「Irgacure184」)、及2.23質量份作為架橋劑的甲苯二異氰酸酯系架橋劑(日本聚氨酯工業公司製，產品名「CORONATE L」)在溶劑中混合，得到黏著劑組合物。除了使用所得黏著劑組合物以外，以與實施例1同樣地製造隱形切割用黏著片。
[實施例3]
除了使架橋劑的調配量為2.44質量份以外，以與實施例1同樣地進行得到黏著劑組合物。使用所得黏著劑組合物，以與實施例1同樣地製造隱形切割用黏著片。
[實施例4]
使丙烯酸2-乙基己酯/醋酸乙烯酯/丙烯酸2-羥基乙酯=60/20/20(質量比)反應所得的丙烯酸系共聚物，與對該丙烯酸2-羥基乙酯為80莫耳%的甲基丙烯醯氧乙基異氰酸酯(MOI)反 應，得到能量線硬化型聚合物(Mw：40萬)。
將100質量份所得的能量線硬化型聚合物、3質量份作為光聚合起始劑的1-羥基環己基苯基酮(BASF公司製，產品名「Irgacure184」)、及0.31質量份作為架橋劑的甲苯二異氰酸酯系架橋劑(日本聚氨酯工業公司製，產品名「CORONATE L」)在溶劑中混合，得到黏著劑組合物。除了使用所得黏著劑組合物以外，以與實施例1同樣地製造隱形切割用黏著片。
[實施例5]
丙烯酸丁酯/甲基丙烯酸甲酯/丙烯酸2-羥基乙酯=62/10/28(質量比)反應所得的丙烯酸系共聚物，與對該丙烯酸2-羥基乙酯為80莫耳%的甲基丙烯醯氧乙基異氰酸酯(MOI)反應，得到能量線硬化型聚合物(Mw：40萬)。
將100質量份所得能量線硬化型聚合物、3質量份作為光聚合起始劑的1-羥基環己基苯基酮(BASF公司製，產品名「Irgacure184」)、及1.61質量份作為架橋劑的甲苯二異氰酸酯系架橋劑(日本聚氨酯工業公司製，產品名「CORONATE L」)在溶劑中混合，得到黏著劑組合物。除了使用所得黏著劑組合物以外，以與實施例1同樣地製造隱形切割用黏著片。
[實施例6]
使丙烯酸2-乙基己酯/甲基丙烯酸甲酯/丙烯酸2-羥基乙酯=42/30/28(質量比)反應所得的丙烯酸系共聚物，與對該丙烯酸2-羥基乙酯為70莫耳%甲基丙烯醯氧乙基異氰酸酯(MOI)反應，得到能量線硬化型聚合物(Mw：40萬)。
將100質量份所得能量線硬化型聚合物、3質量份 作為光聚合起始劑的1-羥基環己基苯基酮(BASF公司製，產品名「Irgacure184」)、及1.13質量份作為架橋劑的甲苯二異氰酸酯系架橋劑(日本聚氨酯工業公司製，產品名「CORONATE L」)在溶劑中混合，得到黏著劑組合物。除了使用所得黏著劑組合物以外，以與實施例1同樣地製造隱形切割用黏著片。
[實施例7]
使丙烯酸丁酯/甲基丙烯酸甲酯/丙烯酸2-羥基乙酯=55/30/15(質量比)反應所得的丙烯酸系共聚物，與對該丙烯酸2-羥基乙酯為80莫耳%的甲基丙烯醯氧乙基異氰酸酯(MOI)反應，得到能量線硬化型聚合物(Mw：40萬)。
將100質量份所得能量線硬化型聚合物、3質量份作為光聚合起始劑的1-羥基環己基苯基酮(BASF公司製，產品名「Irgacure184」)、及0.59質量份作為架橋劑的甲苯二異氰酸酯系架橋劑(日本聚氨酯工業公司製，產品名「CORONATE L」)在溶劑中混合，得到黏著劑組合物。除了使用所得黏著劑組合物以外，以與實施例1同樣地製造隱形切割用黏著片。
[實施例8]
使丙烯酸2-乙基己酯/丙烯酸異冰片酯/丙烯酸2-羥基乙酯=42/30/28(質量比)反應所得的丙烯酸系共聚物，與對該丙烯酸2-羥基乙酯為80莫耳%的甲基丙烯醯氧乙基異氰酸酯(MOI)反應，得到能量線硬化型聚合物(Mw：40萬)。
將100質量份所得能量線硬化型聚合物、3質量份作為光聚合起始劑的1-羥基環己基苯基酮(BASF公司製，產品名「Irgacure184」)、及1.07質量份作為架橋劑的甲苯二異氰 酸酯系架橋劑(日本聚氨酯工業公司製，產品名「CORONATE L」)在溶劑中混合，得到黏著劑組合物。除了使用所得黏著劑組合物以外，以與實施例1同樣地製造隱形切割用黏著片。
[實施例9]
使丙烯酸丁酯/甲基丙烯酸甲酯/丙烯酸2-羥基乙酯=52/20/28(質量比)反應所得的丙烯酸系共聚物，與對該丙烯酸2-羥基乙酯為80莫耳%的甲基丙烯醯氧乙基異氰酸酯(MOI)反應，得到能量線硬化型聚合物(Mw：40萬)。
將100質量份所得能量線硬化型聚合物、3質量份作為光聚合起始劑的1-羥基環己基苯基酮(BASF公司製，產品名「Irgacure184」)、及1.07質量份作為架橋劑的甲苯二異氰酸酯系架橋劑(日本聚氨酯工業公司製，產品名「CORONATE L」)在溶劑中混合，得到黏著劑組合物。除了使用所得黏著劑組合物以外，以與實施例1同樣地製造隱形切割用黏著片。
[實施例10]
將100質量份使丙烯酸2-乙基己酯/甲基丙烯酸酯/丙烯酸=50/40/10(質量比)反應所得的丙烯酸系共聚物(Mw：60萬)，120質量份作為具有能量線硬化性基的單體的5~6官能尿烷丙烯酸酯(大日精化公司製，產品名「SEIKABEAM 14-29B」)，3質量份作為光聚合起始劑的1-羥基環己基苯酮(BASF公司製，產品名「Irgacure184」)、及0.286質量份作為架橋劑的1,3-雙(N,N-二縮水甘油基胺基甲基)環己烷(三菱氣體化學公司製，產品名「TETRAD C」)在溶劑中混合，得到黏著劑組合物。使用所得黏著劑組合物以外，以與實施例1同樣地製造隱 形切割用黏著片。
[實施例11]
除了使架橋劑的調配量為3.21質量份以外，以與實施例5同樣地進行得到黏著劑組合物。使用所得黏著劑組合物，以與實施例1同樣地製造隱形切割用黏著片。
[實施例12]
除了基材使用直鏈型低密度聚乙烯樹脂(宇部丸善聚乙烯公司製，產品名「UMERIT 3540F」)與聚丙烯樹脂(出光石油化學公司製，產品名「F-724NP」)的混合基材(厚度：80μm)以外，以與實施例6同樣地製造隱形切割用黏著片。
[比較例1]
丙烯酸丁酯/甲基丙烯酸甲酯/丙烯酸2-羥基乙酯=42/30/28(質量比)反應所得的丙烯酸系共聚物，與對該丙烯酸2-羥基乙酯為70莫耳%的甲基丙烯醯氧乙基異氰酸酯(MOI)反應，得到能量線硬化型聚合物(Mw：40萬)。
將100質量份所得能量線硬化型聚合物、3質量份作為光聚合起始劑的1-羥基環己基苯基酮(BASF公司製，產品名「Irgacure184」)、及0.43質量份作為架橋劑的甲苯二異氰酸酯系架橋劑(日本聚氨酯工業公司製，產品名「CORONATE L」)在溶劑中混合，得到黏著劑組合物。除了使用所得黏著劑組合物以外，以與實施例1同樣地製造隱形切割用黏著片。
[比較例2]
使丙烯酸2-乙基己酯/甲基丙烯酸甲酯/丙烯酸2-羥基乙酯=42/30/28(質量比)反應所得的丙烯酸系共聚物，與對該丙烯酸 2-羥基乙酯為80莫耳%的甲基丙烯醯氧乙基異氰酸酯(MOI)反應，得到能量線硬化型聚合物(Mw：40萬)。
將100質量份所得能量線硬化型聚合物、3質量份作為光聚合起始劑的1-羥基環己基苯基酮(BASF公司製，產品名「Irgacure184」)、及1.07質量份作為架橋劑的甲苯二異氰酸酯系架橋劑(日本聚氨酯工業公司製，產品名「CORONATE L」)在溶劑中混合，得到黏著劑組合物。除了使用所得黏著劑組合物以外，以與實施例1同樣地製造隱形切割用黏著片。
[比較例3]
丙烯酸丁酯/甲基丙烯酸甲酯/丙烯酸2-羥基乙酯=42/30/28(質量比)反應所得的丙烯酸系共聚物，與對該丙烯酸2-羥基乙酯為80莫耳%的甲基丙烯醯氧乙基異氰酸酯(MOI)反應，得到能量線硬化型聚合物(Mw：40萬)。
將100質量份所得能量線硬化型聚合物、3質量份作為光聚合起始劑的1-羥基環己基苯基酮(BASF公司製，產品名「Irgacure184」)、及1.07質量份作為架橋劑的甲苯二異氰酸酯系架橋劑(日本聚氨酯工業公司製，產品名「CORONATE L」)在溶劑中混合，得到黏著劑組合物。除了使用所得黏著劑組合物以外，以與實施例1同樣地製造隱形切割用黏著片。
[比較例4]
丙烯酸月桂酯/甲基丙烯酸甲酯/丙烯酸2-羥基乙酯=42/30/28(質量比)反應所得的丙烯酸系共聚物，與對該丙烯酸2-羥基乙酯為80莫耳%的甲基丙烯醯氧乙基異氰酸酯(MOI)反應，得到能量線硬化型聚合物(Mw：40萬)。
將100質量份所得能量線硬化型聚合物、3質量份作為光聚合起始劑的1-羥基環己基苯基酮(BASF公司製，產品名「Irgacure184」)、及1.07質量份作為架橋劑的甲苯二異氰酸酯系架橋劑(日本聚氨酯工業公司製，產品名「CORONATE L」)在溶劑中混合，得到黏著劑組合物。除了使用所得黏著劑組合物以外，以與實施例1同樣地製造隱形切割用黏著片。
[試驗例1](剪力的測定)
在實施例及比較例所得的隱形切割用黏著片的基材的與黏著劑層為相反側的面，使用瞬間接著劑(東亞合成公司製，產品名「Aron Alpha」)，將作為背襯材的聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜(厚度：100μm)接著，得到積層體。
將所得積層體，在溫度23℃、相對濕度50%的環境，裁成長度50mm、寬度30mm之後，從黏著劑層剝離剝離片，以此作為樣品。將該樣品，在溫度23℃、相對濕度50%的環境，經由黏著劑層黏貼在矽鏡面晶圓(厚度：350μm)的鏡面面。此時，對樣品以2kg的輥輪來回施加1趟負荷，使樣品的長度方向的3mm的部分與矽晶圓密著地黏貼。接著，在矽鏡面晶圓上，以切割機僅將樣品切斷成樣品寬度為20mm，將不需要的樣品切斷片從基板剝離。藉此，得到圖1及圖2所示，樣品與矽鏡面晶圓，以20mm×3mm(60mm2)的區域黏貼而成的試驗對象物。再者，在圖1及圖2，符號1表示具有背襯材的隱形切割用黏著片，符號2是矽鏡面晶圓，符號11是基材，符號12是黏著劑層，符號13是背襯材。
在上述黏貼之後馬上將所得試驗對象物移到0℃的環境，從黏貼20分鐘之後，在0℃環境，以拉伸速度1mm/min的條件，使用拉伸壓縮試驗機(今田製造所公司製，產品名「SDT-203NB-50R3」)進行拉伸試驗，測定剪力(N/(3mm×20mm))。將結果示於表1。
[試驗例2](基材的儲存彈性模數的測定)
對實施例及比較例所使用的基材，以下述裝置及條件，測定基材在0℃的儲存彈性模數(MPa)測定。將結果示於表1。
測定裝置：TA Instruments公司製，動態彈性模數測定儀「DMA Q800」
試驗開始溫度：0℃
試驗結束溫度：200℃
升溫速度：3℃/分
頻率：11Hz
振幅：20μm
[試驗例3](黏著劑層的儲存彈性模數的測定)
將實施例及比較例所使用的黏著劑組合物，塗佈在剝離片的剝離面形成黏著劑層，將另外準備的剝離片的剝離面，對露出的黏著劑層壓接，製作由剝離片/黏著劑層/剝離片所形成的黏著片。從該黏著片剝下剝離片，積層複數層使黏著劑層的厚度成200μm。從所得黏著劑層的積層體，以30mm×4mm的矩形(厚度：200μm)沖壓，以此作為測定試料。對該測定試料，以下述裝置及條件測定在0℃的黏著劑層的儲存彈性模數(MPa)。將結果示於表1。
測定裝置：TA Instruments公司製，彈性模數測定裝置 「ARES」
測定間距離：20mm
試驗開始溫度：-30℃
試驗結束溫度：120℃
升溫速度：3℃/分
頻率：11Hz
振幅：20μm
[試驗例4](擴展性的評估)
對實施例及比較例所得隱形切割用黏著片的黏著劑層上，黏貼6英寸環形框及6英寸矽鏡面晶圓(厚度：100μm)的鏡面。接著，使用隱形切割裝置(DISCO公司製，產品名「DFL7360」)，以如下條件，從6英寸矽鏡面晶圓面的與隱形切割用黏著片的相反側的面，照射雷射，在6英寸矽鏡面晶圓內形成改質層。此時的雷射照射方式，以使所得晶片的尺寸呈8mm四方的方式進行。
<照射條件>
照射高度：從膠帶面68μm
頻率：90Hz
輸出：0.3W
加工速度：360mm/sec
之後，使用擴展裝置(JCM公司製，產品名「ME-300B」)，在0℃的環境，對上述工件，以拉降速度100mm/sec，拉降量10mm進行擴展。此後馬上以數位顯微鏡(KEYENCE公司製，產品名「VHX-1000」)，測定晶片間隔(μm)， 測定任意5點算出平均值。將該平均值作為擴張後立即的晶片間隔(μm)。此外，由擴張後立即的晶片間隔之值，以如下基準評估擴展性。將結果分別示於表1。
○：晶片間隔為70μm以上
×：晶片間隔未滿70μm
再者，在0℃的環境，將擴展裝置恢復到拉降前的狀態，將隱形切割用黏著片從擴展狀態釋放。從該釋放在0℃的環境放置30分鐘之後，使用上述數位顯微鏡，測定晶片間隔(μm)，測定任意5點算出平均值。將該平均值作為釋放後的晶片間隔(μm)。由該值，以如下基準評估釋放後的晶片間隔評估。將結果示於表1。
○：晶片間隔為10μm以上
×：晶片間隔10μm未滿
Figure 107104713-A0202-12-0037-1
由表1可知，實施例所得的隱形切割用黏著片，藉由冷擴展能夠充分擴大晶片間隔，顯示優良的擴展性。
【產業上的可利性】
關於本發明的隱形切割用黏著片，可適用於進行冷擴展的半導體裝置的製造方法。
1‧‧‧具有背襯材的隱形切割用黏著片
2‧‧‧矽鏡面晶圓

Claims (5)

  1. 一種隱形切割用黏著片，其特徵在於：其係至少使用於將在內部形成改質層的半導體晶圓，以-20℃以上，10℃以下的環境切斷分離成各個晶片的隱形切割用黏著片，其具備：基材；及黏著劑層，其係積層在上述基材的一方的面，其中，上述基材為單層，使上述隱形切割用黏著片經由上述黏著劑層黏貼在矽晶圓時，上述黏著劑層與上述矽晶圓的界面的在0℃的剪力為30N/(3mm×20mm)以上，190N/(3mm×20mm)以下，上述黏著劑層的與上述基材為相反側的面直接黏貼在半導體晶圓。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的隱形切割用黏著片，其中上述黏著劑層，係以能量線硬化性黏著劑所構成。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的隱形切割用黏著片，其中上述基材的在0℃的儲存彈性模數為100MPa以上，1500MPa以下。
  4. 一種半導體裝置的製造方法，其特徵在於：具備：使如申請專利範圍第1至3項中任何一項所述的隱形切割用黏著片的上述黏著劑層與半導體晶圓黏合的黏合步驟；在上述半導體晶圓的內部形成改質層的改質層形成步驟；在-20℃以上，10℃以下的環境，將上述隱形切割用黏著片擴展，將內部形成改質層的上述半導體晶圓切斷分離成各個晶片的冷擴展步驟。
  5. 如申請專利範圍第4項所述的半導體裝置的製造方法，進一步具備：在黏合在上述隱形切割用黏著片的上述半導體晶圓的與黏合上述隱形切割用黏著片的面為相反側的面，積層接著用薄膜的層壓步驟。
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