TWI791302B - 觸控面板及其製造方法 - Google Patents

Abstract

一種觸控面板包含薄膜基材、第一導體層以及第二導體層。薄膜基材上定義顯示區以及周邊區，並具有相對的第一表面以及第二表面，以及厚度。第一導體層設置於第一表面，並包含複數個第一走線設置於周邊區。第二導體層設置於第二表面，並包含複數個第二走線設置於該周邊區。薄膜基材在第一走線中之一者與第二走線之間的交錯區具有至少一溝槽。溝槽於第一表面與第二表面中之一者上，並具有一深度。深度介於約2.5 µm與約厚度的二分之一之間。

Description

觸控面板及其製造方法

本揭露是有關於一種觸控面板及其製造方法。

隨著觸控模組的多元發展，其已成熟應用在工業電子以及消費電子產品上。結合各式應用於中大尺寸產品搭載的觸控產品將越來越普遍。

目前主流的電容式觸控技術之一為薄膜式（Film Type）。薄膜式觸控面板係將觸控層（例如氧化銦錫（ITO））製作於之兩片薄膜上，外層再添加例如玻璃之蓋板進行保護，所以又稱為GFF(Glass-Film-Film)結構。然而，採用前述GFF結構的觸控顯示裝置總共需要三張光學膠（Optical Clear Adhesive, OCA）層，因此會有光學差與成本高等問題；於因應下一世代超薄薄膜觸控快速生產需求，如何針對超薄薄膜觸控導入一快速圖案化製程更為重要。

因此，如何提出一種可解決上述問題的觸控面板及其製造方法，是目前業界亟欲投入研發資源解決的問題之一。

有鑑於此，本揭露之一目的在於提出一種可有解決上述問題的觸控面板與觸控面板及其製造方法。

為了達到上述目的，依據本揭露之一實施方式，一種觸控面板包含薄膜基材、第一導體層以及第二導體層。薄膜基材上定義顯示區以及周邊區，並具有相對的第一表面以及第二表面，以及厚度。第一導體層設置於第一表面，並包含複數個第一走線設置於周邊區。第二導體層設置於第二表面，並包含複數個第二走線設置於該周邊區。薄膜基材在第一走線中之一者與第二走線之間的交錯區具有溝槽。溝槽於第一表面與第二表面中之一者上，並具有一深度。深度介於約2.5 µm與約厚度的二分之一之間。

於本揭露的一或多個實施方式中，第一走線包含複數個接腳結構以及接地線。第一走線中之前述者為接地線。

於本揭露的一或多個實施方式中，溝槽位於第一表面上，並與接地線的邊緣在垂直於第一表面的方向上對齊。

於本揭露的一或多個實施方式中，溝槽與接地線在垂直於第一表面的方向上錯開。

於本揭露的一或多個實施方式中，第一導體層進一步包含第一金屬層以及第一電極層。第一電極層與第一金屬層係依序疊合於第一表面上，且於周邊區中共同形成第一走線。第二導體層進一步包含第二金屬層以及第二電極層。第二電極層與第二金屬層係依序疊合於第二表面上，且於周邊區中共同形成第二走線。

於本揭露的一或多個實施方式中，第一電極層於顯示區中包含複數個第一軸向電極。第二電極層於顯示區中包含複數個第二軸向電極。

於本揭露的一或多個實施方式中，第一電極層與第二電極層中之至少一者為奈米銀線電極層。

於本揭露的一或多個實施方式中，溝槽位於第一表面上。第一走線中之兩相鄰者之間具有間隙。溝槽與間隙在垂直於第一表面的方向上對齊。

於本揭露的一或多個實施方式中，溝槽位於第二表面上。第二走線中之兩相鄰者之間具有間隙。溝槽與間隙在垂直於第二表面的方向上對齊。

於本揭露的一或多個實施方式中，溝槽位於第二表面上，並與第二走線中之一者的邊緣在垂直於第二表面的方向上對齊。

於本揭露的一或多個實施方式中，薄膜基材的厚度介於約12.5 µm與約125 µm之間。

於本揭露的一或多個實施方式中，觸控面板進一步包含一保護層。保護層覆蓋第一走線。

於本揭露的一或多個實施方式中，保護層呈框型，並覆蓋第一走線遠離薄膜基材的一側以及第一走線的內緣。

為了達到上述目的，依據本揭露之一實施方式，一種觸控面板的製造方法包含：於薄膜基材的第一表面上形成第一導體層，其中薄膜基材具有厚度，且其上定義顯示區以及周邊區；以及對第一導體層進行雷射蝕刻製程，以於周邊區中形成複數個第一走線，並於第一表面上形成具有深度之至少一溝槽，其中深度介於約2.5 µm與約厚度的二分之一之間。

於本揭露的一或多個實施方式中，於薄膜基材的第一表面上形成第一導體層的步驟包含：於薄膜基材的第一表面上形成第一電極層於顯示區中；以及於第一電極層上形成第一金屬層。對第一導體層進行雷射蝕刻製程的步驟係蝕刻第一金屬層與第一電極層，致使第一金屬層與第一電極層於周邊區中共同形成第一走線。

於本揭露的一或多個實施方式中，觸控面板的製造方法進一步包含：於薄膜基材的第二表面上形成第二導體層，其中第一表面與第二表面分別位於薄膜基材的相反兩側；以及對第二導體層進行雷射蝕刻製程，以於周邊區中形成複數個第二走線。

於本揭露的一或多個實施方式中，對第二導體層進行雷射蝕刻製程的步驟係晚於對第一導體層進行雷射蝕刻製程的步驟，並使得第一走線的電阻值增加約5%以內。

於本揭露的一或多個實施方式中，對第一導體層進行雷射蝕刻製程的步驟係晚於對第二導體層進行雷射蝕刻製程的步驟，並使得第二走線的電阻值增加約5%以內。

於本揭露的一或多個實施方式中，於薄膜基材的第二表面上形成第二導體層的步驟包含：於薄膜基材的第二表面上形成第二電極層於顯示區中；以及於第二電極層上形成第二金屬層。對第二導體層進行雷射蝕刻製程的步驟係蝕刻第二金屬層與第二電極層，致使第二金屬層與第二電極層於周邊區中共同形成第二走線。

於本揭露的一或多個實施方式中，溝槽位於薄膜基材在第一走線中之一者與第二走線之間的交錯區。

綜上所述，於本揭露的觸控面板中，兩導體層分別設置於薄膜基材的相對兩表面上，並藉由雙面雷射蝕刻而在顯示區與周邊區中分別製作出電極與走線。因此，本揭露的觸控面板相較於習知之GFF結構少了一張光學膠（Optical Clear Adhesive, OCA）層以及一張基材，因此可以節省成本。另外，本揭露於薄膜基材有效利用雷射蝕刻乾淨周邊區走線圖案，以形成彼此間無短路的走線。同時，本揭露具有優異雷射控制技術使薄膜基材即使吸收能量形成淺層溝槽，藉由控制溝槽深度與薄膜基材厚度間關係以確保不影響薄膜基材的力學結構。本揭露的深度控制技術取決於本揭露雷射製程能有效控制溝槽深度及基材厚度之間的數學關係(即下文中的D＜1/2T)，以確保薄膜基材保有足夠力學結構。並且，本揭露教導了因應薄膜基材厚度去調控溝槽深度技術思想，提供超薄雙面快速雷射製程量產突破性。

以上所述僅係用以闡述本揭露所欲解決的問題、解決問題的技術手段、及其產生的功效等等，本揭露之具體細節將在下文的實施方式及相關圖式中詳細介紹。

以下將以圖式揭露本揭露之複數個實施方式，為明確說明起見，許多實務上的細節將在以下敘述中一併說明。然而，應瞭解到，這些實務上的細節不應用以限制本揭露。也就是說，在本揭露部分實施方式中，這些實務上的細節是非必要的。此外，為簡化圖式起見，一些習知慣用的結構與元件在圖式中將以簡單示意的方式繪示之。

請參照第1A圖，其為繪示根據本揭露一實施方式之電子裝置100的示意圖。如第1A圖所示，於本實施方式中，電子裝置100包含觸控面板200以及顯示器300。觸控面板200設置於顯示器300上。觸控面板200包含薄膜基材210、第一導體層220、第二導體層230、黏固層241、242、遮光層250以及蓋板260。薄膜基材210具有相對的第一表面211以及第二表面212。第一導體層220設置且接觸於第一表面211。第二導體層230設置且接觸於第二表面212。蓋板260經由黏固層241黏固於第二導體層230遠離薄膜基材210的一側。顯示器300經由黏固層242黏固於第一導體層220遠離薄膜基材210的一側。遮光層250設置於蓋板260與第二導體層230之間。

於一些實施方式中，薄膜基材210的材料包含聚對苯二甲酸乙二酯（PET），但本揭露並不以此為限。

於一些實施方式中，蓋板260的材料包含玻璃，但本揭露並不以此為限。

於一些實施方式中，黏固層241、242中之至少一者可為光學膠（Optical Clear Adhesive, OCA）層，但本揭露並不以此為限。

藉由前述結構配置，本實施方式的觸控面板200相較於習知之GFF結構可減少了一張OCA層以及一張基材，因此可以節省成本。此外，本揭露使用超薄型薄膜基材210以使整體厚度可以極薄化。

請參照第2圖以及第3圖。第2圖為繪示第1A圖中之觸控面板200的部分元件的正視圖。第3圖為繪示第2圖中之觸控面板200的局部放大圖。如第1A圖至第3圖所示，於本實施方式中，薄膜基材210上定義顯示區Z1以及周邊區Z2。第一導體層220包含第一電極層221以及第一金屬層222。第一電極層221設置於顯示區Z1中。第一電極層221與第一金屬層222係依序疊合於第一表面211上，且於周邊區Z2中共同形成複數個第一走線TR1。第二導體層230包含第二電極層231以及第二金屬層232。第二電極層231設置於顯示區Z1中。第二電極層231與第二金屬層232係依序疊合於第二表面212上，且於周邊區Z2中共同形成複數個第二走線TR2。遮光層250位於周邊區Z2，並配置以由上方對第一走線TR1與第二走線TR2進行遮光。

詳細來說，第一電極層221包含複數個第一軸向電極221a。第二電極層231包含複數個第二軸向電極231a。前述「第一軸向」與「第二軸向」例如分別為相互垂直的兩軸(例如Y軸與X軸)。換言之，第一軸向電極221a為沿著第一軸向延伸的導電線路，並間隔排列。第二軸向電極231a為沿著第二軸延伸的導電線路，並間隔排列。另外，第一走線TR1包含複數個接腳結構TR1a，且第二走線TR2包含複數個接腳結構TR2a。接腳結構TR1a、TR2a位於薄膜基材210的同一側邊，並配置以與軟性電路板（圖未示）連接。藉此，觸控面板200受觸控而產生的觸控訊號即可從第一電極層221與第二電極層231分別經由第一走線TR1與第二走線TR2傳遞至軟性電路板。

於一些實施方式中，第一電極層221與第二電極層231中之至少一者為可以是奈米銀線(silver nano wires, SNW；又稱AgNW)電極層，但本揭露並不以此為限。第一電極層221與第二電極層231中之前述至少一者為可包含基質和摻雜於其內之奈米銀線。奈米銀線於基質中相互搭接形成導電網路。基質是指含奈米銀線的溶液在經過塗佈與加熱烘乾等製程所形成的非奈米銀線物質。奈米銀線散佈或嵌入於基質中，且部分地從基質中突出。基質可以保護奈米銀線免受腐蝕、磨損等外界環境的影響。於一些實施方式中，基質係可壓縮的。

請參照第1B圖，其為繪示根據本揭露一實施方式之電子裝置100’的示意圖。相較於第1A圖所示之實施方式，本實施方式之電子裝置100’進一步包含保護層270。保護層270覆蓋第一走線TR1。具體來說，保護層270呈框型，並覆蓋第一走線TR1遠離薄膜基材210的一側以及第一走線TR1的內緣。第一走線TR1與黏固層242由保護層270隔開。當顯示器300的周邊區小於薄膜基材210上定義的周邊區Z2時，第一走線TR1會外露到顯示器300外面影響環測效果，例如水氣等。因此，靠近顯示器300之第一走線TR1需要藉由保護層270來避免上述問題。

請參照第4A圖以及第4B圖。第4A圖為繪示第3圖中之觸控面板200沿著線段4A-4A的局部剖面圖。第4B圖為繪示第3圖中之觸控面板200沿著線段4B-4B的局部剖面圖。如第4A圖與第4B圖所示，於本實施方式中，薄膜基材210具有複數個溝槽214。溝槽214分布於第一表面211與第二表面212上。需說明的是，薄膜基材210在第一走線TR1與第二走線TR2之間具有交錯區213。舉例來說，前述交錯區213係薄膜基材210被第一走線TR1及第二走線TR2在垂直於第一表面211或第二表面212的方向A（即垂直投影方向）上的投影的重疊區域及鄰近區域。溝槽214至少位於此交錯區213。

如第3圖與第4A圖所示，於本實施方式中，第一走線TR1進一步包含至少一接地線TR1’。溝槽214中之一者位於第一表面211上，並與接地線TR1’的邊緣E1在垂直於第一表面211的方向A上對齊。此溝槽214與接地線TR1’在垂直於第一表面211的方向A上錯開。此溝槽214具有深度D。深度D介於約2.5 µm與約厚度T的二分之一之間。如第3圖所示，前述交錯區213係薄膜基材210被接地線TR1’及第二走線TR2在垂直於第一表面211或第二表面212的方向A上的投影的重疊區域及鄰近區域。

如第4B圖所示，於本實施方式中，第一走線TR1中之兩相鄰者之間具有間隙G。溝槽214中之一者位於第一表面211上，並與第一走線TR1中之一者的邊緣E1在垂直於第一表面211的方向A上對齊。第一電極層221具有通槽221b連通於溝槽214與間隙G之間。這些溝槽214的深度D皆符合前述尺寸限制。

相同或相似地，第二走線TR2中之兩相鄰者之間具有間隙G。溝槽214中之一者位於第二表面212上，並與第二走線TR2中之一者的邊緣E2在垂直於第二表面212的方向A上對齊。第二電極層231具有通槽231b連通於溝槽214與間隙G之間。這些溝槽214的深度D皆符合前述尺寸限制。

於實際應用中，本實施方式的觸控面板200可藉由雙面雷射蝕刻而在顯示區Z1與周邊區Z2中分別製作出電極、走線。並且，為了蝕刻乾淨第一走線TR1及第二走線TR2(由於第一走線TR1實質上係由第一電極層221與第一金屬層222疊合而成，而第二走線TR2實質上係由第二電極層231與第二金屬層232疊合而成)，前述雷射蝕刻使用較強能量蝕刻乾淨亦同時於薄膜基材210上形成溝槽214(吸收雷射能量所致)，因此可有效減少製造時間。

需說明的是，深度D不超過厚度T的二分之一的限制是為了避免分別位於第一表面211與第二表面212上的溝槽214在方向A上對齊而造成薄膜基材210於力學結構支撐不足以產生破裂的問題。此深度D控制技術取決於本揭露雷射製程能有效控制溝槽214深度D及基材厚度T之間的數學關係(即D＜1/2T)，以確保薄膜基材210保有足夠力學結構。並且，本揭露教導了因應薄膜基材210厚度T去調控溝槽214深度D技術思想，提供超薄雙面快速雷射製程量產突破性。

藉由前述結構配置，本實施方式的觸控面板200可利用溝槽214有效地增加走線之間發生短路的困難度。不僅如此，溝槽214還可增加薄膜基材210的可撓性，進而增加使用壽命。

於一些實施方式中，薄膜基材210的厚度T介於約12.5 µm與約125 µm之間，但本揭露並不以此為限。

請參照第5圖，其為繪示根據本揭露一實施方式之觸控面板的製造方法的流程圖。本實施方式之製造方法至少包含步驟S101至步驟S104。以下配合第1A圖至第4B圖說明。

步驟S101：於薄膜基材210的第一表面211上形成第一導體層220，其中薄膜基材210具有厚度T，且其上定義顯示區Z1以及周邊區Z2。

步驟S102：於薄膜基材210的第二表面212上形成第二導體層230，其中第一表面211與第二表面212分別位於薄膜基材210的相反兩側。

步驟S103：對第一導體層220進行雷射蝕刻製程，以於周邊區Z2中形成複數個第一走線TR1，並於第一表面211上形成具有深度D之溝槽214，其中深度D介於約2.5 µm與約厚度T的二分之一之間。

於一些實施方式中，步驟S101包含：於薄膜基材210的第一表面211上形成第一電極層221於顯示區Z1中；以及於第一電極層221上形成第一金屬層222。並且，步驟S103係蝕刻第一金屬層222與第一電極層221，致使第一金屬層222與第一電極層221於周邊區Z2中共同形成第一走線TR1。

步驟S104：對第二導體層230進行雷射蝕刻製程，以於周邊區Z2中形成複數個第二走線TR2。

於一些實施方式中，步驟S102包含：於薄膜基材210的第二表面212上形成第二電極層231於顯示區Z1中；以及於第二電極層231上形成第二金屬層232。並且，步驟S104係蝕刻第二金屬層232與第二電極層231，致使第二金屬層232與第二電極層231於周邊區Z2中共同形成第二走線TR2。

於本實施方式中，步驟S104係晚於步驟S103，且步驟S104使得第一導體層220的電阻值增加約5%以內。

於其他實施方式中，步驟S103係晚於步驟S104，且步驟S103使得第二導體層230的電阻值增加約5%以內。

下表為採用不同種類之雷射製造觸控面板200的多個實施例的表格。

區域	雷射種類	溝槽深度	阻值變化率	結果
第一走線與第二走線重疊（周邊區）	IR奈秒	0	無窮大	不合格
IR皮秒	＞5 µm	＜5%	合格
紫外皮秒	＞10 µm	＜5%	合格
第一走線與第二走線不重疊（周邊區）	IR奈秒	0	N/A	合格
IR皮秒	＞5 µm	N/A	合格
紫外皮秒	＞10 µm	N/A	合格
顯示區	IR奈秒	0	＞5%	不合格
IR皮秒	＞5 µm	＞5%	不合格
紫外皮秒	0	＜5%	合格

由上表可知，針對觸控面板200的不同區域，可彈性地選用IR奈秒雷射、IR皮秒雷射與紫外皮秒雷射進行加工。其中，紫外皮秒雷射可使用於觸控面板200的所有區域，因此被使用來製造觸控面板200時不需換雷射頭，因此可減少製造時間。

由以上對於本揭露之具體實施方式之詳述，可以明顯地看出，於本揭露的觸控面板中，兩導體層分別設置於薄膜基材的相對兩表面上，並藉由雙面雷射蝕刻而在顯示區與周邊區中分別製作出電極與走線。因此，本揭露的觸控面板相較於習知之GFF結構少了一張OCA層以及一張基材，因此可以節省成本。另外，本揭露於薄膜基材有效利用雷射蝕刻乾淨周邊區走線圖案，以形成彼此間無短路的走線。同時，本揭露具有優異雷射控制技術使薄膜基材即使吸收能量形成淺層溝槽，藉由控制溝槽深度與薄膜基材厚度間關係以確保不影響薄膜基材的力學結構。本揭露的深度控制技術取決於本揭露雷射製程能有效控制溝槽深度及基材厚度之間的數學關係(即上文中的D＜1/2T)，以確保薄膜基材保有足夠力學結構。並且，本揭露教導了因應薄膜基材厚度去調控溝槽深度技術思想，提供超薄雙面快速雷射製程量產突破性。

雖然本揭露已以實施方式揭露如上，然其並不用以限定本揭露，任何熟習此技藝者，在不脫離本揭露的精神和範圍內，當可作各種的更動與潤飾，因此本揭露的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

100:電子裝置 200:觸控面板 210:薄膜基材 211:第一表面 212:第二表面 213:交錯區 214:溝槽 220:第一導體層 221:第一電極層 221a:第一軸向電極 222:第一金屬層 230:第二導體層 231:第二電極層 231a:第二軸向電極 232:第二金屬層241,242:黏固層 250:遮光層 260:蓋板 270:保護層 300:顯示器 A:方向 D:深度 E1,E2:邊緣 G:間隙 T:厚度 TR1:第一走線 TR1a,TR2a:接腳結構 TR1’:接地線 TR2:第二走線 Z1:顯示區 Z2:周邊區

為讓本揭露之上述和其他目的、特徵、優點與實施例能更明顯易懂，所附圖式之說明如下： 第1A圖為繪示根據本揭露一實施方式之電子裝置的示意圖。 第1B圖為繪示根據本揭露另一實施方式之電子裝置的示意圖。 第2圖為繪示第1A圖中之觸控面板的部分元件的正視圖。 第3圖為繪示第2圖中之觸控面板的局部放大圖。 第4A圖為繪示第3圖中之觸控面板沿著線段4A-4A的局部剖面圖。 第4B圖為繪示第3圖中之觸控面板沿著線段4B-4B的局部剖面圖。 第5圖為繪示根據本揭露一實施方式之觸控面板的製造方法的流程圖。

國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無 國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無

210:薄膜基材

211:第一表面

212:第二表面

213:交錯區

214:溝槽

221:第一電極層

222:第一金屬層

231:第二電極層

232:第二金屬層

A:方向

D:深度

E1:邊緣

T:厚度

TR1’:接地線

TR2:第二走線

Claims (20)

1. 一種觸控面板，包含： 一薄膜基材，其上定義一顯示區以及一周邊區，並具有相對的一第一表面以及一第二表面，以及一厚度； 一第一導體層，設置於該第一表面，並包含複數個第一走線設置於該周邊區；以及 一第二導體層，設置於該第二表面，並包含複數個第二走線設置於該周邊區； 其中該薄膜基材在該些第一走線中之一者與該些第二走線之間的一交錯區具有至少一溝槽，該溝槽於該第一表面與該第二表面中之一者上，並具有一深度，其中該深度介於約2.5 µm與約該厚度的二分之一之間。
2. 如請求項1所述之觸控面板，其中該些第一走線包含複數個接腳結構以及一接地線，且該些第一走線中之該者為該接地線。
3. 如請求項2所述之觸控面板，其中該溝槽位於該第一表面上，並與該接地線的一邊緣在垂直於該第一表面的一方向上對齊。
4. 如請求項3所述之觸控面板，其中該溝槽與該接地線在垂直於該第一表面的該方向上錯開。
5. 如請求項1所述之觸控面板，其中該第一導體層進一步包含一第一金屬層以及一第一電極層，其中該第一電極層與該第一金屬層係依序疊合於該第一表面上，且於該周邊區中共同形成該些第一走線，該第二導體層進一步包含一第二金屬層以及一第二電極層，其中該第二電極層與該第二金屬層係依序疊合於該第二表面上，且於該周邊區中共同形成該些第二走線。
6. 如請求項5所述之觸控面板，其中該第一電極層於該顯示區中包含複數個第一軸向電極，且該第二電極層於該顯示區中包含複數個第二軸向電極。
7. 如請求項5所述之觸控面板，其中該第一電極層與該第二電極層中之至少一者為奈米銀線電極層。
8. 如請求項1所述之觸控面板，其中該溝槽位於該第一表面上，該些第一走線中之兩相鄰者之間具有一間隙，且該溝槽與該間隙在垂直於該第一表面的一方向上對齊。
9. 如請求項1所述之觸控面板，其中該溝槽位於該第二表面上，該些第二走線中之兩相鄰者之間具有一間隙，且該溝槽與該間隙在垂直於該第二表面的一方向上對齊。
10. 如請求項1所述之觸控面板，其中該溝槽位於該第二表面上，並與該些第二走線中之一者的一邊緣在垂直於該第二表面的一方向上對齊。
11. 如請求項1所述之觸控面板，其中該薄膜基材的該厚度介於約12.5 µm與約125 µm之間。
12. 如請求項1所述之觸控面板，進一步包含一保護層，該保護層覆蓋該些第一走線。
13. 如請求項12所述之觸控面板，其中該保護層呈框型，並覆蓋該些第一走線遠離該薄膜基材的一側以及該些第一走線的一內緣。
14. 一種觸控面板的製造方法，包含： 於一薄膜基材的一第一表面上形成一第一導體層，其中該薄膜基材具有一厚度，且其上定義一顯示區以及一周邊區；以及 對該第一導體層進行一雷射蝕刻製程，以於該周邊區中形成複數個第一走線，並於該第一表面上形成具有一深度之至少一溝槽，其中該深度介於約2.5 µm與約該厚度的二分之一之間。
15. 如請求項14所述之觸控面板的製造方法，其中該於該薄膜基材的該第一表面上形成該第一導體層的步驟包含： 於該薄膜基材的該第一表面上形成一第一電極層於該顯示區中；以及 於該第一電極層上形成一第一金屬層， 其中該對該第一導體層進行該雷射蝕刻製程的步驟係蝕刻該第一金屬層與該第一電極層，致使該第一金屬層與該第一電極層於該周邊區中共同形成該些第一走線。
16. 如請求項14所述之觸控面板的製造方法，進一步包含： 於該薄膜基材的一第二表面上形成一第二導體層，其中該第一表面與該第二表面分別位於該薄膜基材的相反兩側；以及 對該第二導體層進行該雷射蝕刻製程，以於該周邊區中形成複數個第二走線。
17. 如請求項16所述之觸控面板的製造方法，其中該對該第二導體層進行該雷射蝕刻製程的步驟係晚於該對該第一導體層進行該雷射蝕刻製程的步驟，並使得該些第一走線的一電阻值增加約5%以內。
18. 如請求項16所述之觸控面板的製造方法，其中該對該第一導體層進行該雷射蝕刻製程的步驟係晚於該對該第二導體層進行該雷射蝕刻製程的步驟，並使得該些第二走線的一電阻值增加約5%以內。
19. 如請求項16所述之觸控面板的製造方法，其中該於該薄膜基材的該第二表面上形成該第二導體層的步驟包含： 於該薄膜基材的該第二表面上形成一第二電極層於該顯示區中；以及 於該第二電極層上形成一第二金屬層， 其中該對該第二導體層進行該雷射蝕刻製程的步驟係蝕刻該第二金屬層與該第二電極層，致使該第二金屬層與該第二電極層於該周邊區中共同形成該些第二走線。
20. 如請求項16所述之觸控面板的製造方法，其中該溝槽位於該薄膜基材在該些第一走線中之一者與該些第二走線之間的一交錯區。

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