TWI786910B - 一種電路板及背鑽加工方法 - Google Patents
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Abstract
本發明公開了電路板及背鑽加工方法。本發明的背鑽加
工方法，通過獲取到待背鑽板，包括目標信號層以及至少兩個導電參考層；在待背鑽板的設定位置鑽通孔，基於通孔獲取兩個導電參考層的實測間距；響應於待背鑽的背鑽孔為第一類型，基於實測間距，確定目標背鑽深度；控制背鑽鑽頭向目標信號層鑽目標背鑽深度的背鑽孔；回應於待背鑽的背鑽孔為第二類型，基於實測間距，確定背鑽終點相對於機台的目標相對高度；控制背鑽鑽頭向目標信號層鑽至目標相對高度的背鑽孔，減小了因電路板不同位置處板厚不均勻導致的鑽孔誤差，對不同類型的待背鑽孔進行對應背鑽方式，提高了不同類型待鑽孔的背鑽精度，實現背鑽殘樁長度(Stub)的高精度控制。
Description
本發明涉及電路板技術領域，特別涉及一種電路板及背鑽加工方法。
本發明的申請專利範圍要求如下申請的優先權：2021年6月11日遞交的申請號為202110655494.7的中國專利申請。在此合併參考該申請案的申請標的。
隨著資訊化產業的不斷推動，數位信號傳輸的速度越來越快，頻率越來越高，保證信號的完整性也越來越關鍵。電路板中的金屬化孔中一段不用於信號傳輸的、無用的孔銅部分會增加電路板中信號傳輸的損耗。且當電路信號的頻率增加到一定高度後，無用的孔銅部分多餘的鍍銅就相當於天線一樣，產生信號輻射對周圍的其他信號造成干擾，嚴重時將破壞信號傳輸的完整性。因此通常使用背鑽的加工方式盡可能將多餘的鍍銅用背鑽的方式鑽掉，從而減輕其對金屬化孔板信號傳輸的影響。
而目前通常採用的是預先設置一個預設背鑽深度，然後根據預設背鑽深度對金屬化孔進行背鑽加工，以將金屬化孔中多於的鍍銅去除。但實際生產中由於板厚介厚不均勻、內層圖形設計等多種因素，會導致根據預設背鑽深度進行背鑽去殘樁的背鑽精度不足，導致信號孔的信號損失較大，難以滿足產品高頻、高速的性能需求。
因此，如何提高背鑽精度是電路板加工的一大難題。
本發明提供一種電路板及背鑽加工方法，以解決背鑽去殘樁的背鑽精度不高的問題。
為解決上述技術問題，本發明採用的一個技術方案是：提供一種電路板的背鑽加工方法，包括：獲取到待背鑽板；其中，所述待背鑽板包括目標信號層以及至少兩個導電參考層；所述目標信號層為對應當前背鑽任務的信號層；在所述待背鑽板的設定位置鑽通孔，並基於所述通孔獲取所述待背鑽板的兩個所述導電參考層的實測間距；響應於待背鑽的背鑽孔為第一類型，基於所述實測間距，確定目標背鑽深度；控制背鑽鑽頭向所述目標信號層鑽所述目標背鑽深度的背鑽孔，且背鑽不鑽穿所述目標信號層；回應於待背鑽的背鑽孔為第二類型，基於所述實測間距，確定背鑽終點相對於機台的目標相對高度；控制背鑽鑽頭向所述目標信號層鑽至所述目標相對高度的背鑽孔，且背鑽不鑽穿所述目標信號層。
可選地，所述背鑽加工方法還包括：獲取到所述待背鑽板上所述背鑽孔的預設背鑽深度；回應於所述預設背鑽深度大於等於信號探測安全值，確定所述背鑽孔為第一類型；回應於所述預設背鑽深度小於信號探測安全值，確定所述背鑽孔為第二類型。
可選地，所述待背鑽板包括第一導電參層、第二導電參考層和第三導電參考層，其中，所述第一導電參層為所述待背鑽板背鑽入鑽一側的第一表面導電層，所述第二導電參考層於所述第一表面導電層與所述目標信號層之間，所述第三導電參考層為所述待背鑽板的第二表面導電層；所述在所述待背鑽板的設定位置鑽通孔，並基於所述通孔獲取所述待背鑽板的兩個所述導電參考層的實測間距的步驟，包括：在所述待背鑽板的設定位置，由所述第二表面導電層進行入鑽鑽通孔，獲取所述第二表面導電層與所述第二導電參考層之間的所述實
測間距；所述回應於待背鑽的背鑽孔為第二類型，基於所述實測間距，確定背鑽終點相對於機台的目標相對高度；控制背鑽鑽頭向所述目標信號層鑽至所述目標相對高度的背鑽孔，且背鑽不鑽穿所述目標信號層的步驟，包括：回應於待背鑽的背鑽孔為第二類型，基於所述第二表面導電層與所述第二導電參考層之間的所述實測間距，確定背鑽終點相對於機台的目標相對高度；控制背鑽鑽頭由所述待背鑽板的所述第一表面導電層一側入鑽，向所述目標信號層進行背鑽，鑽至所述目標相對高度，得到所述背鑽孔，且背鑽不鑽穿所述目標信號層。
可選地，所述回應於待背鑽的背鑽孔為第二類型，基於所述第二表面導電層與所述第二導電參考層之間的所述實測間距，確定背鑽終點相對於機台的目標相對高度，包括：回應於待背鑽的背鑽孔為第二類型，基於所述第二表面導電層與所述第二導電參考層之間的所述實測間距以及由所述第二導電參考層向所述目標信號層的預設分階控深，確定背鑽終點相對於機台的目標相對高度。
可選地，所述待背鑽板的所述第二表面導電層一側設有墊板；所述回應於待背鑽的背鑽孔為第二類型，基於所述第二表面導電層與所述第二導電參考層之間的所述實測間距，確定背鑽終點相對於機台的目標相對高度，包括：基於所述第二表面導電層與所述第二導電參考層之間的所述實測間距、由所述第二導電參考層向所述目標信號層的預設分階控深、所述墊板相對機台高度，確定背鑽終點相對於機台的目標相對高度。
可選地，所述待背鑽板包括第一導電參層、第二導電參考層，其中，所述第一導電參層為所述待背鑽板背鑽入鑽一側的第一表面導電層，所述第二導電參考層於所述第一表面導電層與所述目標信號層之間；所述在所述待背鑽板的設定位置鑽通孔，並基於所述通孔獲取所述待背鑽板的兩個所述導
電參考層的實測間距的步驟，包括：在所述待背鑽板的設定位置鑽通孔，並基於所述通孔獲取所述待背鑽板的所述第一表面導電層與所述第二導電參考層的實測間距；所述回應於待背鑽的背鑽孔為第一類型，基於所述實測間距，確定目標背鑽深度；控制背鑽鑽頭向所述目標信號層鑽所述目標背鑽深度的背鑽孔，且背鑽不鑽穿所述目標信號層的步驟，包括：回應於待背鑽的背鑽孔為第一類型，基於所述待背鑽板的所述第一表面導電層與所述第二導電參考層的所述實測間距，確定目標背鑽深度；控制所述背鑽鑽頭由所述第一表面導電層，向所述目標信號層鑽所述目標背鑽深度的背鑽孔，且背鑽不鑽穿所述目標信號層。
可選地，所述回應於待背鑽的背鑽孔為第一類型，基於所述待背鑽板的所述第一表面導電層與所述第二導電參考層的所述實測間距，確定目標背鑽深度的步驟，包括：回應於待背鑽的背鑽孔為第一類型，基於所述第一表面導電層與所述第二導電參考層的所述實測間距、由所述第二導電參考層向所述目標信號層的預設分階控深，確定所述目標背鑽深度。
可選地，所述待背鑽板還包括第二表面導電層；所述在所述待背鑽板的設定位置鑽通孔，並基於所述通孔獲取所述待背鑽板的兩個所述導電參考層的實測間距的步驟，包括：在所述待背鑽板的設定位置鑽通孔，並基於所述通孔獲取所述待背鑽板的所述第一表面導電層與所述第二導電參考層的實測間距，以及所述第一表面導電層與所述第二表面導電層的實測間距；所述回應於待背鑽的背鑽孔為第一類型，基於所述待背鑽板的所述第一表面導電層與所述第二導電參考層的所述實測間距，確定目標背鑽深度的步驟，包括：基於所述第一表面導電層與所述第二表面導電層的實測間距與所述待背鑽板的理論板厚，獲取板厚比例值；回應於待背鑽的背鑽孔為第一類型，由所述第二導電參考層向所述目標信號層的預設分
階控深與板厚比例值的乘積，與所述第一表面導電層與所述第二導電參考層的所述實測間距之和，確定所述目標背鑽深度。
可選地，所述待背鑽板還包括第三導電參考層和第二表面導電層；其中，所述第三導電參考層於所述第二表面導電層與所述目標信號層之間；所述在所述待背鑽板的設定位置鑽通孔，並基於所述通孔獲取所述待背鑽板的兩個所述導電參考層的實測間距的步驟，包括：在所述待背鑽板的設定位置鑽通孔，並基於所述通孔，獲取所述第一表面導電層與所述第二導電參考層的實測間距、所述第二導電參考層與所述第三導電參考層的實測間距，以及所述第二表面導電層與所述第三導電參考層的實測間距；回應於待背鑽的背鑽孔為第一類型，基於所述第一表面導電層與所述第二導電參考層的所述實測間距、由所述第二導電參考層向所述目標信號層的預設分階控深，確定所述目標背鑽深度的步驟，包括：回應於待背鑽的背鑽孔為第一類型，基於所述第二導電參考層與所述第三導電參考層的實測間距與理論間距，獲取層間比例值；由所述第二導電參考層向所述目標信號層的預設分階控深與所述層間比例值的乘積，與所述第一表面導電層與所述第二導電參考層的所述實測間距之和，確定第一目標背鑽深度；所述控制背鑽鑽頭向所述目標信號層鑽所述目標背鑽深度的背鑽孔，且背鑽不鑽穿所述目標信號層的步驟，包括：所述控制背鑽鑽頭由所述第一表面導電層向所述目標信號層鑽所述第一目標背鑽深度的背鑽孔，且背鑽不鑽穿所述目標信號層。
可選地，所述回應於待背鑽的背鑽孔為第一類型，基於所述第一表面導電層與所述第二導電參考層的所述實測間距、由所述第二導電參考層向所述目標信號層的預設分階控深，確定所述目標背鑽深度的步驟，還包括：由所述第三導電參考層向所述目標信號層的預設分階控深與所述層間比例值的乘積，與所述第二表面導電層與所述第三導電參考層的實
測間距之和，確定第二目標背鑽深度；所述控制背鑽鑽頭向所述目標信號層鑽所述目標背鑽深度的背鑽孔，且背鑽不鑽穿所述目標信號層的步驟，包括：所述控制背鑽鑽頭由所述第二表面導電層向所述目標信號層鑽所述第二目標背鑽深度的背鑽孔，且背鑽不鑽穿所述目標信號層。
可選地，所述信號探測安全值大於等於0.5毫米。
為解決上述技術問題，本發明採用的另一個技術方案是：提供一種電路板，通過上述任一項所述的背鑽加工方法製造而成。
本發明的有益效果是：區別於現有技術的情況，本發明提供一種電路板的背鑽加工方法，該加工方法通過獲取到待背鑽板；其中，待背鑽板包括目標信號層以及至少兩個導電參考層；目標信號層為對應當前背鑽任務的信號層；在待背鑽板的設定位置鑽通孔，並基於通孔獲取待背鑽板的兩個導電參考層的實測間距；響應於待背鑽的背鑽孔為第一類型，基於實測間距，確定目標背鑽深度；控制背鑽鑽頭向目標信號層鑽目標背鑽深度的背鑽孔，且背鑽不鑽穿目標信號層；回應於待背鑽的背鑽孔為第二類型，基於實測間距，確定背鑽終點相對於機台的目標相對高度；控制背鑽鑽頭向目標信號層鑽至目標相對高度的背鑽孔，且背鑽不鑽穿所述目標信號層。通過在鑽通孔時獲取到對應待背鑽孔的兩個導電參考層的實測間距，基於實測間距對不同類型的待背鑽孔的確定目標背鑽深度或者目標相對高度，提高了目標背鑽深度或目標相對高度的準確度，基於目標背鑽深度或目標相對高度進行背鑽，減小了因電路板不同位置處板厚不均勻導致的鑽孔誤差，提高了電路板的背鑽精度，且對不同類型的待背鑽孔進行對應背鑽方式，提高了不同類型待鑽孔的背鑽精度，實現背鑽殘樁長度Stub的高精度控制。
31,51,71:目標信號層
32,52,72:第一表面導電層
33,53,73:第二導電參考層
34,54,74:第二表面導電層
35:通孔
36:背鑽孔
75:第三導電參考層
h1,h2,h3,h4:預設分階控深
H:目標背鑽深度
H1:第一目標背鑽深度
H2:第二目標背鑽深度
K:信號探測安全值
S101,S102,S103,S201,S202,S203,S204,S401,S402,S403,S404,S601,S602,S603,S604,S605:步驟
W,W2,W3:背鑽安全距離
x:板厚比例值
y:層間比例值
Z1,Z2,Z3,Z4,Z5:實測間距
為了更清楚地說明本發明實施例技術方案，下面將對實施例和現有技術描述中所需要使用的圖式作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的圖式僅僅是本發明的一些實施例，對於本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些圖式獲得其它的圖式。
第1圖是本發明提供的電路板的背鑽加工方法的第一實施例的流程示意圖；
第2圖是本發明提供的電路板的背鑽加工方法的第二實施例的流程示意圖；
第3圖是本發明提供的電路板第一實施例的結構示意圖；
第4圖是本發明提供的電路板的背鑽加工方法的第二實施例的流程示意圖；
第5圖是本發明提供的電路板第二實施例的結構示意圖；
第6圖是本發明提供的電路板的背鑽加工方法的第三實施例的流程示意圖；
第7圖是本發明提供的電路板第三實施例的結構示意圖。
為使本發明實施例的目的、技術方案和優點更加清楚，下面將結合本發明實施例中的圖式，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基於本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有作出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬於本發明保護的範圍。
本發明中的術語“第一”、“第二”、“第三”僅用於描述目的，而不能理解為指示或暗示相對重要性或者隱含指明所指示的技術特徵的數量。由此，限定有“第一”、“第二”、“第三”的特徵可以明示或者隱含地包括至少一個該特
徵。本發明的描述中，“多個”的含義是至少兩個，例如兩個，三個等，除非另有明確具體的限定。本發明實施例中所有方向性指示(諸如上、下、左、右、前、後……)僅用於解釋在某一特定姿態(如圖式所示)下各部件之間的相對位置關係、運動情況等，如果該特定姿態發生改變時，則該方向性指示也相應地隨之改變。此外，術語“包括”和“具有”以及它們任何變形，意圖在於覆蓋不排他的包含。例如包含了一系列步驟或單元的過程、方法、系統、產品或設備沒有限定於已列出的步驟或單元，而是可選地還包括沒有列出的步驟或單元，或可選地還包括對於這些過程、方法、產品或設備固有的其它步驟或單元。
在本文中提及“實施例”意味著，結合實施例描述的特定特徵、結構或特性可以包含在本發明的至少一個實施例中。在說明書中的各個位置出現該短語並不一定均是指相同的實施例，也不是與其它實施例互斥的獨立的或備選的實施例。本領域技術人員顯式地和隱式地理解的是，在不衝突的情況下，本文所描述的實施例可以與其它實施例相結合。下面通過具體實施例，分別進行詳細的說明。
本發明中的電路板包括印刷線路板、印刷電路板(Printed circuit board，PCB)、軟性印刷電路板(Flexible Printed Circuit，FPC)等，可以為多層板。在電路板為多層板時，由於多層板中每一層板的厚度可能存在不均勻的情況，且在多層板製作過程中，內層圖形設計與加工以及多層板壓合等都會導致電路板的厚度不均勻，也會導致用於背鑽一側的表面導電層與對應當前背鑽任務的目標信號層與之間的距離不均勻。在這種情況下，常規按照一個預設深度進行一次背鑽操作，可能會使得背鑽孔的背鑽殘樁長度Stub過長、或者過短甚至可能目標信號層被鑽穿，導致背鑽精度不佳，信號孔的信號損失大甚至可能無法正常作為信號孔。基於此，本發明提供
了一種電路板及背鑽加工方法，針對電路板上不同的背鑽孔，以及其背鑽深度等，確定相應的目標背鑽深度或目標相對高度，並基於目標背鑽深度或目標相對高度進行背鑽，以提高背鑽去殘樁的背鑽精度。
參閱第1圖，第1圖是本發明提供的電路板的背鑽加工方法的第一實施例的流程示意圖，具體包括：
S101：獲取到待背鑽板；其中，待背鑽板包括目標信號層以及至少兩個導電參考層；目標信號層為對應當前背鑽任務的信號層。
本實施例中的導電參考層可以是額外設置的，也可以使用電路板中現有的金屬導電層，比如電路板的表面導電層、電路板中的地層、電源層或者其他信號層。
可以理解的，電路板可能有多個信號層，而此目標信號層為對應當前背鑽任務的信號層。同樣的，至少兩個導電參考層也是對應當前背鑽任務而言，並不是對應待背鑽的電路板而言。或者可以說，對於一個待背鑽板，本步驟中的導電參考層並不是唯一固定的，本步驟中的導電參考層是相對於當前背鑽任務的背鑽孔而言。對於不同的背鑽任務的背鑽孔來說，至少兩個導電參考層可以是不同的導電層，當然也可以相同導電層。
另外，電路板上可以有多個信號層，也對應有多個不同的背鑽孔，不同的背鑽孔可以是不同類型的背鑽孔，比如單面背鑽孔或雙面背鑽孔，或者基於預設背鑽深度可以分為的淺背鑽孔或深背鑽孔等。
S102：在待背鑽板的設定位置鑽通孔，並基於通孔獲取待背鑽板的兩個導電參考層的實測間距。
在此步驟中，在待背鑽板上待背鑽孔對應的設定位置鑽通孔，並基於通孔獲取待背鑽板的兩個導電參考層的實測間距。而實測間距可以是在鑽通孔時獲取到的實測間距，也
可以是基於鑽通孔時獲取到相關的信號或資料，從而獲取到的實測間距。
進一步地，一塊待背鑽板上可能包括多個待背鑽孔，需要對每個待背鑽孔的設定位置鑽通孔，且基於通孔獲取每個待背鑽孔對應的兩個導電參考層的實測間距。由於每個待背鑽孔對應的至少兩個導電參考層可以相同，也可以不相同。由於待背鑽孔在待背鑽板上的位置不同以及加工中導電圖形等操作導致的板厚介厚不同，即使不同待背鑽孔對應的至少兩個導電參考層相同，獲取到的兩個導電參考層的實測間距仍然可能不同。對每個待背鑽孔，均獲取兩個導電參考層的實測間距，可以減小甚至消除板厚介厚的影響。
一般而言，在電路板上需要進行背鑽的位置處，需要先進行鑽通孔，然後對通孔進行金屬化操作得到金屬化孔，並在金屬化孔的位置處進行背鑽操作，得到背鑽孔。在對待背鑽板上所有待背鑽孔的設定位置進行相應的鑽通孔，並基於通孔獲取待背鑽孔對應的兩個導電參考層的實測間距之後，對通孔進行金屬化操作得到金屬化孔，並在金屬化孔的位置處進行S103的操作。
S103：響應於待背鑽的背鑽孔為第一類型，基於實測間距，確定目標背鑽深度；控制背鑽鑽頭向目標信號層鑽目標背鑽深度的背鑽孔，且背鑽不鑽穿目標信號層；回應於待背鑽的背鑽孔為第二類型，基於實測間距，確定背鑽終點相對於機台的目標相對高度；控制背鑽鑽頭向目標信號層鑽至目標相對高度的背鑽孔，且背鑽不鑽穿目標信號層。
本步驟中，需要根據不同類型的背鑽孔，分別進行深度控深或相對高度控深，以進行控深背鑽得到背鑽孔，且使背鑽孔的金屬背鑽殘樁長度Stub控制在較小的範圍但又不至於鑽穿目標信號層導致無法實現信號層功能。
本實施例中，通過在鑽通孔時獲取到對應待背鑽孔的兩個導電參考層的實測間距，基於實測間距對不同類型的待背鑽孔的確定目標背鑽深度或者目標相對高度，提高了目標背鑽深度或目標相對高度的準確度，基於目標背鑽深度或目標相對高度進行背鑽，減小了因電路板不同位置處板厚不均勻導致的鑽孔誤差，提高了電路板的背鑽精度，且對不同類型的待背鑽孔進行對應背鑽方式，提高了不同類型待鑽孔的背鑽精度，實現背鑽殘樁長度Stub的高精度控制。
具體地，確定待背鑽的背鑽孔為第一類型還是第二類型，可以根據背鑽孔的預設背鑽深度來進行確定，也可以根據目標信號層與電路板待背鑽一側表面的距離來確定。在待背鑽板中，目標信號層與待背鑽一側表面的理論間距是已知的，可以根據待背鑽板中各層子板以及介質層厚度計算出。為了使背鑽不鑽穿目標信號層，預設背鑽深度需要小於目標信號層與待背鑽一側表面的理論間距，且兩者之差對應於理論背鑽殘樁長度Stub。
在一個具體實施例中，背鑽加工方法還包括獲取到待背鑽板上背鑽孔的預設背鑽深度。回應於預設背鑽深度大於等於信號探測安全值，確定背鑽孔為第一類型。回應於預設背鑽深度小於信號探測安全值，確定背鑽孔為第二類型。
其中，信號探測安全值與鑽孔設備相關。在使用鑽孔設備鑽孔時，若待獲取信號的兩層間距小於信號探測安全值，那麼鑽孔設備只能獲取先鑽頭或鑽針先接觸的一層對應的信號，後接觸的一層的信號易產生異常，或者被前一層的信號影響或干擾，導致無法獲取到兩層的實測間距。在本實施例中，信號探測安全值大於等於0.5毫米。具體地，根據不同的電路板鑽孔設備，信號探測安全值可以為0.8mm、1.0mm、1.2mm、1.4mm等。
回應於預設背鑽深度大於等於信號探測安全值，確定背鑽孔為第一類型，也可以稱為深背鑽孔。而回應於預設背鑽深度小於信號探測安全值，確定背鑽孔為第二類型，則可以稱為淺背鑽孔。
在回應於預設背鑽深度小於信號探測安全值，確定背鑽孔為第二類型時，背鑽加工方法具體可以參閱第2圖和第3圖，第2圖是本發明提供的電路板的背鑽加工方法的第二實施例的流程示意圖，第3圖是本發明提供的電路板第一實施例的結構示意圖。
S201：獲取到待背鑽板；其中，待背鑽板包括目標信號層31以及第一導電參層、第二導電參考層和第三導電參考層；目標信號層31為對應當前背鑽任務的信號層，第一導電參層為待背鑽板背鑽入鑽一側的第一表面導電層32，第二導電參考層33於第一表面導電層32與目標信號層31之間，第三導電參考層為待背鑽板的第二表面導電層34。
此步驟可以參閱S101的相關描述，此處不進行贅述。
S202：在待背鑽板的設定位置，由第二表面導電層34進行入鑽鑽通孔35，獲取第二表面導電層34與第二導電參考層33之間的實測間距Z1。
此步驟可以參考S102的相關描述，此處不進行贅述。
S203：回應於待背鑽的背鑽孔為第二類型，基於第二表面導電層34與第二導電參考層33之間的實測間距Z1，確定背鑽終點相對於機台的目標相對高度。
具體地，基於第二表面導電層34與第二導電參考層33之間的實測間距Z1，以及由第二導電參考層33向目標信號層31的預設分階控深h1，確定背鑽終點相對於機台的目標相對高度。
進一步地，待背鑽板還可以擱置在墊板上進行鑽孔操作。此時，墊板設於背鑽板的第二表面導電層34一側。而墊板相對機台高度可以由鑽孔設備獲取得到。基於第二表面導電層34與第二導電參考層33之間的實測間距Z1、由第二導電參考層33向目標信號層31的預設分階控深h1和墊板相對機台高度，確定背鑽終點相對於機台的目標相對高度。
具體地，墊板相對機台高度、第二表面導電層34與第二導電參考層33之間的實測間距Z1與補償值之和，減去由第二導電參考層33向目標信號層31的預設分階控深h1得到背鑽終點相對於機台的目標相對高度。其中，補償值包含電鍍銅厚、通孔及背鑽鑽尖機台相對高度差值等。
本實施例中，相對於機台的相對高度可以為相對於機台坐標系而言的縱坐標。
S204：控制背鑽鑽頭由待背鑽板的第一表面導電層32一側入鑽，向目標信號層31進行背鑽，鑽至目標相對高度，得到背鑽孔36，且背鑽不鑽穿所述目標信號層。
在此步驟之前，還包括對通孔35進行孔金屬化操作，得到金屬化通孔。本步驟中，基於金屬化通孔的的開口處，控制背鑽鑽頭由待背鑽板的第一表面導電層32一側入鑽，進行背鑽，鑽至目標相對高度，即為背鑽終點。
本實施例中，第二導電參考層33設置於用於背鑽一側的第一表面導電層32與目標信號層31之間，第二導電參考層33與用於背鑽一側的第一表面導電層32之間的距離以及第二導電參考層33與目標信號層31之間的距離，可以根據具體情況進行相應的設置。比如，可以將第二導電參考層33設置在更加靠近目標信號層31的位置處，也就是說，第二導電參考層33與用於背鑽一側的第一表面導電層32之間的距離大於第一表面導電層32與目標信號層31之間的距離。而在這種情況下，由於實際在鑽通孔，通過通孔獲取到了第二表面導電
層34與第二導電參考層33之間的實測間距Z1，更加準確。而由第二導電參考層33向目標信號層31的預設分階控深h1越小，背鑽受板厚誤差的影響也越小，背鑽的控深也就更加精確。
本實施例中，背鑽孔為第二類型，即預設背鑽深度小於信號探測安全值。而預設背鑽深度與由第二導電參考層33向目標信號層31的預設分階控深h1之和為所述用於背鑽一側的第一表面導電層32與目標信號層31之間的間距。其中，預設分階控深h1一般會很小，那麼用於背鑽一側的第一表面導電層32與第二導電參考層33之間的間距也是小於信號探測安全值的，因此，無論從第一表面導電層32一側入鑽還是從第二表面導電層34一側入鑽進行鑽通孔，均無法獲取到第一表面導電層32與第二導電參考層33之間的實測間距。進而也就無法通過第一表面導電層32與第二導電參考層33之間的實測間距與由由第二導電參考層33向目標信號層31的預設分階控深h1作為深度控深進行背鑽。而是在本實施例由第二表面導電層34一側表面入鑽鑽通孔，獲取第二表面導電層34與第二導電參考層33之間的實測間距，然後基於背鑽終點相對於機台的目標相對高度進行控深背鑽，實現更加精准的背鑽控深，使得背鑽殘樁長度Stub更小卻又不鑽穿目標信號層。
在其他實施例中，待背鑽板上不僅存在本實施待背鑽孔，還存在與本實施例中背鑽孔方向相反的待背鑽孔。而方向相反的待背鑽孔同樣可以按照本實施例中背鑽加工方法的相關步驟，通過由背鑽入鑽方向相反的方向進行鑽通孔，獲取鑽通孔入鑽一側表面導電層與中間導電參考層之間的實測間距，其中，中間導電參考層介於背鑽入鑽一側表面導電層與目標信號層之間。並基於實測間距獲取背鑽終點相對於機台的目標相對高度，並根據目標相對高度進行控深背鑽，同樣實現更加精准的控深背鑽。
在回應於預設背鑽深度大於等於信號探測安全值，確定背鑽孔為第一類型時，背鑽加工方法具體可以參閱第4圖和第5圖，第4圖是本發明提供的電路板的背鑽加工方法的第二實施例的流程示意圖，第5圖是本發明提供的電路板第二實施例的結構示意圖。
S401：獲取到待背鑽板；其中，待背鑽板包括目標信號層51以及第一導電參層和第二導電參考層53；目標信號層51為對應當前背鑽任務的信號層，第一導電參層為待背鑽板背鑽入鑽一側的第一表面導電層52，第二導電參考層53於第一表面導電層52與目標信號層51之間。
此步驟可以參閱S101的相關描述，此處不進行贅述。
S402：在待背鑽板的設定位置鑽通孔，並基於通孔獲取待背鑽板的第一表面導電層52與第二導電參考層53的實測間距Z2。
S403：回應於待背鑽的背鑽孔為第一類型，基於待背鑽板的第一表面導電層52與第二導電參考層53的實測間距Z2，確定目標背鑽深度H。
具體地，回應於待背鑽的背鑽孔為第一類型，基於待背鑽板的第一表面導電層52與第二導電參考層53的實測間距Z2、由第二導電參考層53向目標信號層51的預設分階控深h2，確定目標背鑽深度H。進一步地，目標背鑽深度H為實測間距Z2與預設分階控深h2之和，即滿足公式：目標背鑽深度H=實測間距Z2+預設分階控深h2。
在一個具體實施例中，待背鑽板還包括第二表面導電層54，在S402中，還基於通孔獲取到第一表面導電層52與第二表面導電層54的實測間距。並基於第一表面導電層52與第二表面導電層54的實測間距與待背鑽板的理論板厚，獲取板厚比例值x。具體地，板厚比例值x為第一表面導電層52
與第二表面導電層54的實測間距與待背鑽板的理論板厚之比。在此S403中，基於待背鑽板的第一表面導電層52與第二導電參考層53的實測間距Z2、由第二導電參考層53向目標信號層51的預設分階控深h2以及板厚比例值x，確定目標背鑽深度H。具體地，目標背鑽深度H為由第二導電參考層53向目標信號層51的預設分階控深h2與板厚比例值x，與第一表面導電層52與第二導電參考層53的實測間距Z2之和。
本具體實施例中，通過板厚比例值x，減小甚至消除了預設分階控深h2部分的介厚與板厚的誤差，從而使目標背鑽深度H更加準確，實現更加精准的深度控深背鑽。
S404：控制背鑽鑽頭由第一表面導電層52，向目標信號層51鑽目標背鑽深度的背鑽孔，且背鑽不鑽穿目標信號層。
本實施例中，背鑽孔為第一類型，即預設背鑽深度大於等於信號探測安全值。且第一表面導電層52與第二導電參考層53的理論間距需要大於信號探測安全值，否則按照上一實施例的背鑽方法，背鑽孔也可歸於第二類型。
本實施例，基於通孔獲取到第一表面導電層52與第二導電參考層53的實測間距Z2，並與由第二導電參考層53向目標信號層51的預設分階控深h2一起，確定目標背鑽深度H，提高了目標背鑽深度H的準確度和精確度，減少了因板厚導致的鑽孔誤差，使得背鑽的精度提高，達到本次背鑽任務的背鑽精度，使得背鑽殘樁長度能夠更好的控制在合適的範圍，同時又不鑽穿目標信號層。且進一步通過獲取板厚比例值x，減小甚至消除了預設分階控深h2部分的介厚與板厚的誤差，從而使目標背鑽深度H更加準確，實現更加精准的深度控深背鑽。
參閱第6圖和第7圖，第6圖是本發明提供的電路板的背鑽加工方法的第三實施例的流程示意圖，第7圖是本
發明提供的電路板第三實施例的結構示意圖。本實施例的背鑽加工方法包括：
S601：獲取到待背鑽板；其中，待背鑽板包括目標信號層71、第一表面導電層72、第二導電參考層73以及第二表面導電層74、第三導電參考層75；目標信號層71為對應當前背鑽任務的信號層，第一表面導電層72為待背鑽板背鑽入鑽一側的第一表面導電層72，第二導電參考層73於第一表面導電層72與目標信號層71之間，第三導電參考層75於第二表面導電層74與目標信號層71之間。
S602：在待背鑽板的設定位置鑽通孔，並基於通孔，獲取第一表面導電層72與第二導電參考層73的實測間距Z3、第二導電參考層73與第三導電參考層75的實測間距Z4，以及第二表面導電層74與第三導電參考層75的實測間距Z5。
S603：回應於待背鑽的背鑽孔為第一類型，基於第二導電參考層73與第三導電參考層75的實測間距Z4與理論間距，獲取層間比例值y。
具體地，第二導電參考層73與第三導電參考層75的實測間距Z4與第二導電參考層73與第三導電參考層75的理論間距之比，獲取層間比例值y。其中，第二導電參考層73與第三導電參考層75的理論間距可以根據理論板厚和介質層厚度確定。
S604：由第二導電參考層73向目標信號層71的預設分階控深h3與層間比例值的乘積，與第一表面導電層72與第二導電參考層73的實測間距Z3之和，確定第一目標背鑽深度H1。
進一步地，還可以由第二導電參考層73向目標信號層71的預設分階控深h3與層間比例值的乘積，與第一表面導電層72與第二導電參考層73的實測間距Z3、以及補償值
之和，確定第一目標背鑽深度H1。具體的，補償值可以包含電鍍銅厚、通孔及背鑽鑽尖機台相對高度差值等。
S605：控制背鑽鑽頭由第一表面導電層72向目標信號層71鑽第一目標背鑽深度H1的背鑽孔，且背鑽不鑽穿目標信號層。
進一步地，本實施例的背鑽加工方法還包括：由第三導電參考層75向目標信號層71的預設分階控深h4與層間比例值y的乘積，與第二表面導電層74與第三導電參考層75的實測間距Z5之和，確定第二目標背鑽深度H2。控制背鑽鑽頭由第二表面導電層74向目標信號層71鑽第二目標背鑽深度H2的背鑽孔，且背鑽不鑽穿所述目標信號層。此處的層間比例值y為S603中獲取的層間比例值y。
通過分別由第一表面導電層72和第二表面導電層74向目標信號層71進行背鑽，得到雙面背鑽孔。
本實施例中，兩面的背鑽孔均為第一類型，即兩面進行背鑽的預設背鑽深度大於等於信號探測安全值，且第一表面導電層72與第二導電參考層73的理論間距需要大於信號探測安全值，第二表面導電層74與第三導電參考層75的理論間距需要大於信號探測安全值。若任意一面進行背鑽不滿足，則對應一面的背鑽按照第二類型的相關背鑽方法進行背鑽。
本實施例的背鑽加工方法，通過在待背鑽板第一表面導電層72與目標信號層71之間，以及第二表面導電層74與目標信號層71之間，分別設置第二表面導電層74和第三導電參考層75，通過鑽通孔，基於通孔獲取到第一表面導電層72與第二導電參考層73的實測間距Z3、第二導電參考層73與第三導電參考層75的實測間距Z4，以及第二表面導電層74與第三導電參考層75的實測間距Z5，並由第二導電參考層73與第三導電參考層75的實測間距Z4與理論間距之比獲取層間比例值y，並分別基於上述資料更加精確的獲取到第一目標背
鑽深度H1和第二目標背鑽深度H2。並分別由第一表面導電層72和第二表面導電層74向目標信號層71開始背鑽，分別按照第一目標背鑽深度H1和第二目標背鑽深度H2進行控深背鑽，得到雙面背鑽孔。且通過實際測量獲取的實測間距Z3和的實測間距Z5，以及基於層間比例值y，減小甚至消除了預設分階控深h3和預設分階控深h4部分的介厚與板厚的誤差，從而使目標背鑽深度H更加準確，實現更加精准的深度控深背鑽。
在上述實施例中，目標信號層與其內層的導電參考層之間的間距，可以稱為背鑽安全距離W，其值需要大於等於背鑽殘樁長度Stub與電壓安全設計值之和，比如大於等於0.45mm。其中，電壓設計安全值，也可稱為電壓安全距離，與電路板產品使用時的電壓和溫度濕度等條件相關。電壓安全設計值的設定，是為了防止電路板產品在特定電壓、溫度、濕度條件下，目標信號層與內層的導電參考層間隔距離過短，或者說目標信號層的背鑽孔殘樁與內層的導電參考層的距離過短，易產生電壓擊穿，電子在目標信號層與內層的導電參考層之間遷移，形成通道，而造成短路。電壓設計安全值可以為0.1mm，0.3mm，0.5mm等，可以根據實際電路板產品進行設定，此處不進行限定。
而對於雙面背鑽孔，目標信號層與兩側的內層導電參考層的間距，分別為安全背鑽距離W2和安全背鑽距離W3，均需要滿足背鑽安全距離。且對於雙面背鑽孔，為了能獲取到兩個內層的導電參考層之間的實測間距，兩個內層的導電參考層之間的間距需要大於等於信號探測安全值K，或者也可以說，雙面背鑽需要滿足背鑽安全距離W2
K/2且背鑽安全距離W3
K/2，其中K為信號探測安全值，背鑽安全距離W2與背鑽安全距離W3之和約為兩個內層的導電參考層之間的間
距。目標信號層與內層的導電參考層之間的間距以及安全距離W在滿足限定條件下，值越小，越能增加背鑽的控制精度。
可以理解的是，在待背鑽的電路板包括上述多種待背鑽孔時，可以分別按照對應的背鑽加工方法，進行相應的背鑽操作，以根據每個待背鑽孔以及不同類型待背鑽孔，計算控深深度或者相對高度，實現精准背鑽。
本發明還提供一種電路板，此電路板通過本發明提供的背鑽加工方法製造而成。通過本發明提供的背鑽加工方法通過在鑽通孔時獲取到對應待背鑽孔的兩個導電參考層的實測間距，基於實測間距對不同類型的待背鑽孔的確定目標背鑽深度或者目標相對高度，提高了目標背鑽深度或目標相對高度的準確度，基於目標背鑽深度或目標相對高度進行背鑽，減小了因電路板不同位置處板厚不均勻導致的鑽孔誤差，提高了電路板的背鑽精度，且對不同類型的待背鑽孔進行對應背鑽方式，提高了不同類型待鑽孔的背鑽精度，實現背鑽殘樁長度Stub的高精度控制，同時得到包括高精度背鑽殘樁長度Stub的電路板。
以上所述僅為本發明的實施例，並非因此限制本發明的專利範圍，凡是利用本發明說明書及圖式內容所作的等效結構或等效流程變換，或直接或間接運用在其他相關的技術領域，均同理包括在本發明的專利保護範圍內。
S101,S102,S103:步驟
Claims (12)
- 一種電路板的背鑽加工方法，其特徵在於，所述背鑽加工方法包括：獲取到待背鑽板；其中，所述待背鑽板包括目標信號層以及至少兩個導電參考層；所述目標信號層為對應當前背鑽任務的信號層；在所述待背鑽板的設定位置鑽通孔，並基於所述通孔獲取所述待背鑽板的兩個所述導電參考層的實測間距；響應於待背鑽的背鑽孔為第一類型，基於所述實測間距，確定目標背鑽深度；控制背鑽鑽頭向所述目標信號層鑽所述目標背鑽深度的背鑽孔，且背鑽不鑽穿所述目標信號層；回應於待背鑽的背鑽孔為第二類型，基於所述實測間距，確定背鑽終點相對於機台的目標相對高度；控制背鑽鑽頭向所述目標信號層鑽至所述目標相對高度的背鑽孔，且背鑽不鑽穿所述目標信號層。
- 根據請求項1所述的背鑽加工方法，其中，所述背鑽加工方法還包括：獲取到所述待背鑽板上所述背鑽孔的預設背鑽深度；回應於所述預設背鑽深度大於等於信號探測安全值，確定所述背鑽孔為第一類型；回應於所述預設背鑽深度小於信號探測安全值，確定所述背鑽孔為第二類型。
- 根據請求項2所述的背鑽加工方法，其中，所述待背鑽板包括第一導電參考層、第二導電參考層和第三導電參考層，其中，所述第一導電參考層為所述待背鑽板背鑽入鑽一側的第一表面導電層，所述第二導電參考層於所述第一表面導電層與所述目標信號層之間，所述第三導電參考層為所述待背鑽板的第二表面導電層；所述在所述待背鑽板的設定位置鑽通孔，並基於所述通孔 獲取所述待背鑽板的兩個所述導電參考層的實測間距的步驟，包括：在所述待背鑽板的設定位置，由所述第二表面導電層進行入鑽鑽通孔，獲取所述第二表面導電層與所述第二導電參考層之間的所述實測間距；所述回應於待背鑽的背鑽孔為第二類型，基於所述實測間距，確定背鑽終點相對於機台的目標相對高度；控制背鑽鑽頭向所述目標信號層鑽至所述目標相對高度的背鑽孔，且背鑽不鑽穿所述目標信號層的步驟，包括：回應於待背鑽的背鑽孔為第二類型，基於所述第二表面導電層與所述第二導電參考層之間的所述實測間距，確定背鑽終點相對於機台的目標相對高度；控制背鑽鑽頭由所述待背鑽板的所述第一表面導電層一側入鑽，向所述目標信號層進行背鑽，鑽至所述目標相對高度，得到所述背鑽孔，且背鑽不鑽穿所述目標信號層。
- 根據請求項3所述的背鑽加工方法，其中，所述回應於待背鑽的背鑽孔為第二類型，基於所述第二表面導電層與所述第二導電參考層之間的所述實測間距，確定背鑽終點相對於機台的目標相對高度，包括：回應於待背鑽的背鑽孔為第二類型，基於所述第二表面導電層與所述第二導電參考層之間的所述實測間距以及由所述第二導電參考層向所述目標信號層的預設分階控深，確定背鑽終點相對於機台的目標相對高度。
- 根據請求項4所述的背鑽加工方法，其中，所述待背鑽板的所述第二表面導電層一側設有墊板；所述回應於待背鑽的背鑽孔為第二類型，基於所述第二表面導電層與所述第二導電參考層之間的所述實測間距，確定背鑽終點相對於機台的目標相對高度，包括：基於所述第二表面導電層與所述第二導電參考層之間的 所述實測間距、由所述第二導電參考層向所述目標信號層的預設分階控深、所述墊板相對機台高度，確定背鑽終點相對於機台的目標相對高度。
- 根據請求項2所述的背鑽加工方法，其中，所述待背鑽板包括第一導電參考層、第二導電參考層，其中，所述第一導電參考層為所述待背鑽板背鑽入鑽一側的第一表面導電層，所述第二導電參考層於所述第一表面導電層與所述目標信號層之間；所述在所述待背鑽板的設定位置鑽通孔，並基於所述通孔獲取所述待背鑽板的兩個所述導電參考層的實測間距的步驟，包括：在所述待背鑽板的設定位置鑽通孔，並基於所述通孔獲取所述待背鑽板的所述第一表面導電層與所述第二導電參考層的實測間距；所述回應於待背鑽的背鑽孔為第一類型，基於所述實測間距，確定目標背鑽深度；控制背鑽鑽頭向所述目標信號層鑽所述目標背鑽深度的背鑽孔，且背鑽不鑽穿所述目標信號層的步驟，包括：回應於待背鑽的背鑽孔為第一類型，基於所述待背鑽板的所述第一表面導電層與所述第二導電參考層的所述實測間距，確定目標背鑽深度；控制所述背鑽鑽頭由所述第一表面導電層，向所述目標信號層鑽所述目標背鑽深度的背鑽孔，且背鑽不鑽穿所述目標信號層。
- 根據請求項6所述的背鑽加工方法，其中，所述回應於待背鑽的背鑽孔為第一類型，基於所述待背鑽板的所述第一表面導電層與所述第二導電參考層的所述實測間距，確定目標背鑽深度的步驟，包括：回應於待背鑽的背鑽孔為第一類型，基於所述第一表面導 電層與所述第二導電參考層的所述實測間距、由所述第二導電參考層向所述目標信號層的預設分階控深，確定所述目標背鑽深度。
- 根據請求項7所述的背鑽加工方法，其中，所述待背鑽板還包括第二表面導電層；所述在所述待背鑽板的設定位置鑽通孔，並基於所述通孔獲取所述待背鑽板的兩個所述導電參考層的實測間距的步驟，包括：在所述待背鑽板的設定位置鑽通孔，並基於所述通孔獲取所述待背鑽板的所述第一表面導電層與所述第二導電參考層的實測間距，以及所述第一表面導電層與所述第二表面導電層的實測間距；所述回應於待背鑽的背鑽孔為第一類型，基於所述待背鑽板的所述第一表面導電層與所述第二導電參考層的所述實測間距，確定目標背鑽深度的步驟，包括：基於所述第一表面導電層與所述第二表面導電層的實測間距與所述待背鑽板的理論板厚，獲取板厚比例值；回應於待背鑽的背鑽孔為第一類型，由所述第二導電參考層向所述目標信號層的預設分階控深與板厚比例值的乘積，與所述第一表面導電層與所述第二導電參考層的所述實測間距之和，確定所述目標背鑽深度。
- 根據請求項7所述的背鑽加工方法，其中，所述待背鑽板還包括第三導電參考層和第二表面導電層；其中，所述第三導電參考層於所述第二表面導電層與所述目標信號層之間；所述在所述待背鑽板的設定位置鑽通孔，並基於所述通孔獲取所述待背鑽板的兩個所述導電參考層的實測間距的步驟，包括：在所述待背鑽板的設定位置鑽通孔，並基於所述通孔，獲 取所述第一表面導電層與所述第二導電參考層的實測間距、所述第二導電參考層與所述第三導電參考層的實測間距，以及所述第二表面導電層與所述第三導電參考層的實測間距；回應於待背鑽的背鑽孔為第一類型，基於所述第一表面導電層與所述第二導電參考層的所述實測間距、由所述第二導電參考層向所述目標信號層的預設分階控深，確定所述目標背鑽深度的步驟，包括：回應於待背鑽的背鑽孔為第一類型，基於所述第二導電參考層與所述第三導電參考層的實測間距與理論間距，獲取層間比例值；由所述第二導電參考層向所述目標信號層的預設分階控深與所述層間比例值的乘積，與所述第一表面導電層與所述第二導電參考層的所述實測間距之和，確定第一目標背鑽深度；所述控制背鑽鑽頭向所述目標信號層鑽所述目標背鑽深度的背鑽孔，且背鑽不鑽穿所述目標信號層的步驟，包括：所述控制背鑽鑽頭由所述第一表面導電層向所述目標信號層鑽所述第一目標背鑽深度的背鑽孔，且背鑽不鑽穿所述目標信號層。
- 根據請求項9所述的背鑽加工方法，其中，所述回應於待背鑽的背鑽孔為第一類型，基於所述第一表面導電層與所述第二導電參考層的所述實測間距、由所述第二導電參考層向所述目標信號層的預設分階控深，確定所述目標背鑽深度的步驟，還包括：由所述第三導電參考層向所述目標信號層的預設分階控深與所述層間比例值的乘積，與所述第二表面導電層與所述第三導電參考層的實測間距之和，確定第二目標背鑽深度；所述控制背鑽鑽頭向所述目標信號層鑽所述目標背鑽深度的背鑽孔，且背鑽不鑽穿所述目標信號層的步驟，包括：所述控制背鑽鑽頭由所述第二表面導電層向所述目標信 號層鑽所述第二目標背鑽深度的背鑽孔，且背鑽不鑽穿所述目標信號層。
- 根據請求項2-10任一項所述的背鑽加工方法，其中，所述信號探測安全值大於等於0.5毫米。
- 一種電路板，其特徵在於，通過請求項1-11中任一項所述的背鑽加工方法製造而成。
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Citations (4)
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|---|---|---|---|---|
| TWM541179U (zh) * | 2017-01-06 | 2017-05-01 | 金像電子股份有限公司 | 鑽孔系統 |
| TWM569541U (zh) * | 2017-06-30 | 2018-11-01 | 大陸商蘇州思諾林電子有限公司 | 一種用以控制綫路板鑽孔深度之鑽孔蓋板及鑽孔裝置 |
| TW202015499A (zh) * | 2018-10-01 | 2020-04-16 | 健鼎科技股份有限公司 | 電路板的背鑽孔方法 |
| CN112804825A (zh) * | 2021-04-09 | 2021-05-14 | 苏州维嘉科技股份有限公司 | 控深钻孔的补偿方法和钻孔设备 |
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| US9426902B2 (en) * | 2012-09-28 | 2016-08-23 | Huawei Technologies Co., Ltd. | Printed circuit board, and method and apparatus for drilling printed circuit board |
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| JP6485774B2 (ja) * | 2015-11-11 | 2019-03-20 | 大船企業日本株式会社 | 多層プリント配線基板におけるバックドリル加工方法及び基板加工装置 |
| CN107920423B (zh) * | 2017-11-21 | 2020-04-03 | 大族激光科技产业集团股份有限公司 | 钻孔机及钻孔制作方法 |
| CN110022647B (zh) * | 2018-01-08 | 2021-01-12 | 深南电路股份有限公司 | 一种pcb的钻孔方法及装置 |
| CN110022648A (zh) * | 2018-01-08 | 2019-07-16 | 深南电路股份有限公司 | 一种pcb的背钻方法及*** |
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| CN112492759B (zh) * | 2020-12-01 | 2021-05-07 | 苏州维嘉科技股份有限公司 | 一种电路板的背钻加工方法及钻孔*** |
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Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWM541179U (zh) * | 2017-01-06 | 2017-05-01 | 金像電子股份有限公司 | 鑽孔系統 |
| TWM569541U (zh) * | 2017-06-30 | 2018-11-01 | 大陸商蘇州思諾林電子有限公司 | 一種用以控制綫路板鑽孔深度之鑽孔蓋板及鑽孔裝置 |
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| CN112804825A (zh) * | 2021-04-09 | 2021-05-14 | 苏州维嘉科技股份有限公司 | 控深钻孔的补偿方法和钻孔设备 |
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