TWI785522B - Method of operating electrostatic clamp and electrostatic clamp - Google Patents
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Abstract
Description
本揭示內容係關於微影製程中的靜電夾具和操作靜電夾具的方法。 The present disclosure relates to electrostatic chucks and methods of operating electrostatic chucks in lithography processes.
在半導體積體電路產業中，積體電路的材料及技術進展已經產生數代的積體電路，其中與前代相比，每代具有更小且更複雜的電路。在積體電路發展過程中，大致增加了功能密度(亦即，單位面積內互連元件的數目)而減小了幾何尺寸(亦即，可使用製造製程產生的最小組件或接線)。此按比例縮小過程大致上經由增加生產效率並降低相關成本來提供益處。這樣的按比例縮小亦增加了積體電路處理和製造的複雜性。 In the semiconductor integrated circuit industry, advances in materials and technology for integrated circuits have produced generations of integrated circuits, each generation having smaller and more complex circuits than the previous generation. During the development of integrated circuits, functional density (ie, the number of interconnected elements per unit area) has generally increased while geometric size (ie, the smallest component or wiring that can be produced using a manufacturing process) has decreased. This scaling down process generally provides benefits by increasing production efficiency and reducing associated costs. Such scaling down also increases the complexity of integrated circuit processing and fabrication.
微影曝光製程在圖案化製程(例如，蝕刻或離子佈植)中形成圖案化光阻層。在典型的微影製程中，將光敏層(光阻層)施加至半導體基板的表面，且利用高亮度光的圖案對光敏層進行曝光，而在光敏層上產生半導體裝置的特徵定義組件的圖像。隨著半導體製程演變以提供更小的臨界尺寸，且裝置變得更小以及複雜性(包括層的數量)增加， 需要精確地將特徵圖案化的方式，以提高裝置的品質、可靠性、以及良率。 The lithography process forms a patterned photoresist layer in a patterning process (eg, etching or ion implantation). In a typical lithography process, a photosensitive layer (photoresist layer) is applied to the surface of a semiconductor substrate and exposed to a pattern of high-intensity light to produce a pattern of feature-defining components of a semiconductor device on the photosensitive layer. picture. As semiconductor processes evolve to provide smaller critical dimensions, and devices become smaller and their complexity (including number of layers) increases, A way to precisely pattern features is needed to improve device quality, reliability, and yield.
儘管已經提出許多改善執行微影曝光製程的方法，但在所有方面不是完全地令人滿意的。因此，希望提供一種改善微影系統的解決方案，以提高半導體晶圓的生產良率。 Although many methods have been proposed to improve the performance of lithographic exposure processes, they are not entirely satisfactory in all respects. Therefore, it is desirable to provide a solution for improving the lithography system so as to increase the production yield of semiconductor wafers.
本揭示內容的一些實施方式提供了一種靜電夾具的操作方法，包含：施加電壓於一靜電夾具的一電極層，電極層包含第一電極、圍繞第一電極的第二電極、圍繞第二電極的第三電極、和圍繞第三電極的第四電極，其中第一電極、第二電極、第三電極、和第四電極為第一極化狀態；切換第二電極和第三電極的電性變為與第一極化狀態相反的第二極化狀態；以及切換第一電極和第四電極的電性變為與第一極化狀態相反的第二極化狀態。 Some embodiments of the present disclosure provide a method of operating an electrostatic chuck, comprising: applying a voltage to an electrode layer of an electrostatic chuck, the electrode layer including a first electrode, a second electrode surrounding the first electrode, a layer surrounding the second electrode The third electrode, and the fourth electrode surrounding the third electrode, wherein the first electrode, the second electrode, the third electrode, and the fourth electrode are in the first polarization state; switching the electrical variable of the second electrode and the third electrode a second polarization state opposite to the first polarization state; and switching the electrical properties of the first electrode and the fourth electrode into a second polarization state opposite to the first polarization state.
本揭示內容的另一些實施方式提供了一種靜電夾具的操作方法，包含：施加電壓於靜電夾具的電極層且提供第一吸附力；執行第一去極化處理，使電極層的一部分電極去極化且靜電夾具具有呈環狀分佈的第二吸附力；執行第一再極化處理，使電極層的此部分電極再極化且具有與所述第一去極化處理之前相反的電性；執行第二去極化處理，使電極層的另一部分電極去極化且靜電夾具具有呈環狀分佈的第三吸附力；以及執行第二再極化處理，使靜電夾具的所述另一部分電極再極化且具有與所述第二去極化處理之前相反的電性。Another embodiment of the present disclosure provides a method for operating an electrostatic chuck, including: applying a voltage to an electrode layer of the electrostatic chuck and providing a first adsorption force; performing a first depolarization treatment to depolarize a part of the electrode layer and the electrostatic clamp has a second adsorption force distributed in a ring shape; performing a first repolarization process, repolarizing the electrode of this part of the electrode layer and having an electrical property opposite to that before the first depolarization process; performing a second depolarization process to depolarize another part of the electrodes of the electrode layer and the electrostatic clamp has a third adsorption force distributed in a ring; and performing a second repolarization process to make the other part of the electrodes of the electrostatic clamp repolarized and has an electrical property opposite to that prior to the second depolarization treatment.
本揭示內容的又另一些實施方式提供了一種靜電夾具，包含：電極層以及電源控制模組。電極層包含：第一電極、圍繞第一電極的第二電極、圍繞第二電極的第三電極、和圍繞第三電極的第四電極，其中第一電極、第二電極、第三電極、和第四電極彼此電性隔離。電源控制模組電性連接電極層，配置為使第二電極和第三電極同時切換電性、和使第一電極第四電極同時切換電性。Still other embodiments of the present disclosure provide an electrostatic clamp, comprising: an electrode layer and a power control module. The electrode layer includes: a first electrode, a second electrode surrounding the first electrode, a third electrode surrounding the second electrode, and a fourth electrode surrounding the third electrode, wherein the first electrode, the second electrode, the third electrode, and The fourth electrodes are electrically isolated from each other. The power control module is electrically connected to the electrode layer, configured to switch the electrical properties of the second electrode and the third electrode simultaneously, and switch the electrical properties of the first electrode and the fourth electrode simultaneously.
理解的是，之後的揭示內容提供了用於實現本揭示內容的不同的特徵的許多不同的實施方式或實施例。以下描述組件和配置的具體實施方式或實施例，以簡化本揭示內容。當然，這些僅是實施例，並不意圖為限制性的。例如，元件的尺寸不限於所揭示的範圍或數值，而是可能取決於裝置的製程條件和/或所需的特性。此外，在隨後的描述中，形成第一特徵在第二特徵上方或之上，可包括第一和第二特徵以直接接觸而形成的實施方式，且也可包括附加的特徵可形成介在第一和第二特徵之間，因此第一和第二特徵可不是直接接觸的實施方式。為了簡化和清楚起見，可用不同的比例任意繪製各個特徵。It is to be understood that the following disclosure provides many different implementations or examples for implementing the different features of the present disclosure. Detailed descriptions or examples of components and configurations are described below to simplify the present disclosure. Of course, these are examples only and are not intended to be limiting. For example, the dimensions of the elements are not limited to the disclosed ranges or values, but may depend on the process conditions and/or desired characteristics of the device. Furthermore, in the ensuing description, forming a first feature on or over a second feature may include embodiments where the first and second features are formed in direct contact, and may also include that additional features may be formed between the first and second features. and the second feature, so the first and second features may not be in direct contact. Various features may be arbitrarily drawn in different scales for simplicity and clarity.
此外，為了便於描述一個元件或特徵與另一個元件或特徵之間，如圖式中所繪示的關係，在此可能使用空間上的相對用語，諸如「之下」、「下方」、「低於」、「之上」、「高於」、和類似用語。除了在圖式中所繪示的方向以外，空間上的相對用語旨在涵蓋裝置在使用中或操作中的不同方向。裝置可能有其他方向(旋轉90度或其他方向)，並且此處所使用的空間上相對描述語也可相應地解釋。此外，用語「由…製成」可意指「包含」或者「由…組成」任一種。In addition, in order to facilitate describing the relationship between one element or feature and another element or feature, as shown in the drawings, relative terms in space may be used herein, such as "under", "under", "lower". on, on, above, above, and similar expressions. Spatially relative terms are intended to encompass different orientations of the device in use or operation in addition to the orientation depicted in the figures. Other orientations (rotated 90 degrees or otherwise) are possible for the device and the spatially relative descriptors used herein should be construed accordingly. In addition, the term "made of" may mean either "comprising" or "consisting of".
半導體晶圓在一系列連續的微影步驟中製造，這些步驟包括光罩對準、曝光、光阻劑顯影、層蝕刻、及各層面的沉積，以形成在積體電路內定義元件結構及互連的圖案。為了保證穩固的光罩對準，專用的對準結構置於積體電路的實體布局資料內，並且半導體製造製程中的產線上對準工具用來在光罩對準期間實現疊對(overlay;OVL)控制。圖案化的晶圓由布置成周期陣列或主光罩區的多個積體電路組成，其中每個主光罩區由步進重複工具圖案化，此步進重複工具是配置以基於從積體電路的實體布局資料獲得的對準結構位置的晶圓圖來將圖案化的光罩與獨立主光罩區對準。良率及元件效能依賴於當形成元件層時兩個或更多個光罩對準步驟之間穩固的疊對控制。Semiconductor wafers are fabricated in a series of sequential lithography steps including mask alignment, exposure, photoresist development, layer etching, and deposition of layers to form the structures and interconnections that define the components within the integrated circuit. even pattern. To ensure robust reticle alignment, dedicated alignment structures are placed within the physical layout data of the IC, and in-line alignment tools in the semiconductor manufacturing process are used to achieve overlay during reticle alignment. OVL) control. A patterned wafer consists of multiple integrated circuits arranged in a periodic array or master reticle area, where each master reticle area is patterned by a step-and-repeat tool configured to A wafer map of the alignment structure locations obtained from the physical layout data of the circuit to align the patterned reticle with the individual master reticle regions. Yield and device performance depend on robust overlay control between two or more photomask alignment steps when forming device layers.
由於微影製程變得更為複雜，需要改進在光罩對準期間的疊對品質。As lithography processes become more complex, there is a need to improve overlay quality during reticle alignment.
第1圖繪示根據一些實施方式的半導體基板處理系統的示意圖。半導體基板處理系統10包括裝載端口12、傳送模組20、切換模組30、和處理模組40。在其他的實施方式中，可以增加或省略半導體基板處理系統10的多個元件。FIG. 1 is a schematic diagram of a semiconductor substrate processing system according to some embodiments. The semiconductor
在一些實施方式中，裝載端口12配置為將光罩M從載體11加載到半導體基板處理系統10，或者將光罩M從半導體基板處理系統10移除到載體11。在一些實施方式中，裝載端口12能夠放置兩個載體11。兩個載體11中的其中一者用於加載要傳到至半導體基板處理系統10中的光罩M，並且另一者用於加載從半導體基板處理系統10移除的光罩M。In some embodiments, the
傳送模組20配置為在介於裝載端口12和切換模組30之間輸送光罩M。在一些實施方式中，傳送模組20位在介於裝載端口12和切換模組30之間。傳送模組20可包括控制電路21和機械手臂22。機械手臂22由來自控制電路21的電子訊號所控制。在一些實施方式中，機械手臂22包括多軸的機械操控器並且配置為輸送光罩M。在一些實施方式中，半導體基板處理系統10還包括配置為控制半導體基板處理系統10的多個模組操作的控制模組50。The
切換模組30配置為用於在將光罩M移動到處理模組40的光罩台43之前以及在將光罩M從光罩台43移除之後抓取光罩M。在一些實施方式中，切換模組30包括機械手臂31，機械手臂31配置為在傳送模組20的機械手臂22和光罩台43之間輸送光罩M。在傳送期間，將光罩M接收於由機械手臂31所抓取的光罩盒32之上或之內。The
在一些實施方式中，處理模組40是微影系統，其可操作以利用相應的輻射源和曝光模式來執行微影曝光製程。在一些實施方式，處理模組40是極紫外光(Extreme Ultraviolet; EUV)微影系統，設計為經由極紫外光來曝光阻劑層。阻劑層是對極紫外光敏感的合適材料。極紫外光微影系統採用輻射源41以產生極紫外光，例如具有波長約1奈米至100奈米之間極紫外光。在一具體實施例中，輻射源41產生具有大約13.5奈米波長的極紫外光。在一些實施方式中，輻射源41利用電射產生的電漿(Laser-produced plasma; LPP)的機制以產生極紫外輻射R。在一些實施方式中，處理模組40還包括氣體供應模組46，氣體供應模組46設計成向輻射源41提供氫氣，氫氣有助於減少輻射源41中的污染。In some embodiments, the
在一些實施方式中，處理模組40也運用照明模組42。在各個實施方式中，照明模組42包括各種反射的光學器件，例如單個反射鏡、或具有多個反射鏡的反射鏡系統，以將來自輻射源41的光引導到處理模組40的光罩台43上，特別是固定在光罩台43上的光罩M。In some embodiments,
光罩台43配置為固定光罩M。在一些實施方式中，光罩台43包括用於固定光罩M的靜電夾具。如第1圖所示，反射式光罩M由光罩台43固持，使得光罩M的圖案化的表面S1向下，並且與圖案化的表面S1相對的夾持的表面S2面對光罩台43。The mask table 43 is configured to fix the mask M. As shown in FIG. In some embodiments, the
處理模組40也包括投影光學模組44，用於將光罩M的圖案成像到固定在處理模組40的基板台45上的半導體基板W上。投影光學模組44具有用於投射極紫外光的反射的光學器件。投影光學模組44收集了從光罩M射出的極紫外光，此極紫外光承載定義在光罩M上的圖案的影像。在一些實施方式中，半導體基板W塗覆有對極紫外光敏感的阻劑層。The
在一些實施方式中，當切換模組30的機械手臂31將光罩M移到到處理模組40內時，光罩台43首先經由驅動器(未示出)移動到位置P1(也稱為裝置位置)，如在第1圖中所示。在裝置位置P1，光罩台43位在高於在機械手臂31上的光罩M之處。之後，經由靜電吸引力，將光罩M夾持在光罩台43上並且移動至位置P2(也稱為處理位置)。位置P2在高於半導體基板W之處，以進行隨後的微影製程。在微影製程之後，將光罩台43移動到卸載位置(相同於第1圖所示的裝置位置P1)。在卸載位置，解除靜電吸引力，並且從光罩台43移除光罩M，並且機械手臂接收光罩M，以將光罩M送出處理模組40以用於後續的處理或是存放。In some embodiments, when the
光罩台43中靜電夾具的電極層具有數個電極，經由供應來自電壓源的正電壓和/或負電壓產生極性而形成靜電吸引力。由於連續的工件製程中，電荷累積於靜電夾具上，為了避免持續的極化，必須每隔一段時間切換這些電極的電性，有助於避免靜電夾具的介電材料極化以及難以從光罩台移除光罩。The electrode layer of the electrostatic chuck in the photomask table 43 has several electrodes, which are polarized by supplying positive and/or negative voltages from a voltage source to form an electrostatic attraction force. Due to the accumulation of electric charge on the electrostatic fixture during the continuous workpiece process, in order to avoid continuous polarization, the electrical properties of these electrodes must be switched at regular intervals, which helps to avoid the polarization of the dielectric material of the electrostatic fixture and the difficulty of removing from the photomask. stage to remove the mask.
在切換電極的電性的過程中，光罩仍固持於光罩台上，因此切換電極的電性可例如每次切換一些電極的電性，而其他的電極仍維持原有的電性，使得靜電夾具仍有足夠的吸引力來夾持基板。因此須將其中一些電極的電壓供應切斷，接著供應相反電性的電壓，之後再將其餘的電極的電壓供應切斷，接著供應另一相反電性的電壓。In the process of switching the electrical properties of the electrodes, the photomask is still held on the photomask stage, so switching the electrical properties of the electrodes can, for example, switch the electrical properties of some electrodes each time, while other electrodes still maintain the original electrical properties, so that The electrostatic gripper still has enough attractive force to hold the substrate. Therefore, it is necessary to cut off the voltage supply to some of the electrodes, and then supply the opposite electrical voltage, and then cut off the voltage supply to the remaining electrodes, and then supply another opposite electrical voltage.
本揭示內容的一些實施方式提供的靜電夾具，改進了靜電夾具的電極圖案的配置，用於在吸附一夾持件(例如，光罩或晶圓)時，提供呈環形分佈的作用力，使得當切換靜電夾具的電性時，電極從去極化轉變為極化的狀態所產生的作用力不會導致夾持件(例如光罩或晶圓)的翹曲。Some embodiments of the present disclosure provide an electrostatic chuck, which improves the configuration of the electrode pattern of the electrostatic chuck, and is used to provide a circularly distributed force when adsorbing a clamp (eg, a photomask or a wafer), so that When switching the electrical properties of an electrostatic chuck, the force generated by the electrodes transitioning from depolarized to polarized state does not cause warping of the chuck (eg, reticle or wafer).
第2圖是根據本揭示內容的一些實施方式的光罩台上的靜電夾具的上視圖。靜電夾具100包括介電質體110和嵌入在介電質體110的電極層，其中電極層包含多個夾持電極120。在一些實施方式中，靜電夾具100包括四個夾持電極120。在不同的實施方式中，夾持電極的數量可以變化。FIG. 2 is a top view of an electrostatic clamp on a reticle stage according to some embodiments of the present disclosure. The
夾持電極120在接收電壓的同時提供靜電吸引力，以將光罩M固定在夾持表面上。在一些實施方式中，夾持電極120位於介電質體110的中央區域110C中，其中中央區域110C具有基本上等於光罩M的面積的面積，使得光罩M可以穩定地固定在靜電夾具上。The clamping
在一些實施方式中，靜電夾具100的夾持電極120包括第一電極122、圍繞第一電極122的第二電極124、圍繞第二電極124的第三電極126、和圍繞第三電極126的第四電極128。第一電極122、第二電極124、第三電極126、和第四電極128經由介電材料或絕緣材料而彼此電性隔離。In some embodiments, the clamping
在一些實施方式中，第一電極122和第二電極124的面積總和等於第三電極126和第四電極128的面積總和。在另一些實施方式中，第一電極122、第二電極124、第三電極126、和第四電極128的面積可相同。In some embodiments, the sum of the areas of the
在一些實施方式中，如在第2圖中所示，第一電極具有一邊長，尺寸為第一尺寸D1，第二電極124的一側的尺寸為第二尺寸D2，第三電極126的一側的尺寸為第三尺寸D3，第四電極128的一側的尺寸為第四尺寸D4，其中第一尺寸D1大於第二尺寸D2，第二尺寸D2大於第三尺寸D3，第三尺寸D3大於第四尺寸D4。換言之，圍繞第一電極122的多個環形電極的側部的尺寸由內向外遞減。In some embodiments, as shown in FIG. 2, the
如在第2圖中所示，靜電夾具100還包含電源控制模組130，電性電接第一電極122、第二電極124、第三電極126、和第四電極128，以提供不同電性的電壓於各個電極而產生靜電力。在一些實施方式中，電源控制模組130所提供的電壓可為介於大約0.5至3千伏(kV)的直流電，例如約1kV的直流電，亦即大約+1kV和-1kV的電壓。在其他的實施方式中也可以使用其他的電壓值。電源控制模組130並且控制第一電極122、第二電極124、第三電極126、和第四電極128的電性的切換。As shown in FIG. 2, the
在切換一電極的電性的過程中，首先切斷供應至此電極的電壓，之後再以與先前相反電性的電壓供應至此電極，例如使電極從帶正電切換為帶負電，或從帶負電切換為帶正電。In the process of switching the electrical properties of an electrode, the voltage supplied to the electrode is first cut off, and then the voltage of the opposite electrical property is supplied to the electrode, such as switching the electrode from positive to negative, or from negative Switch to positive charge.
在一些實施方式中，電源控制模組130控制第二電極124和第三電極126同時切換電性，以及控制第一電極122和第四電極128同時切換電性。In some embodiments, the
在本文中，在第一極化狀態的電極可為帶正電或帶負電任一者，而在第二極化狀態時，此電極為與第一極化狀態相反的電性。Herein, the electrode in the first polarization state can be either positively or negatively charged, and in the second polarization state, the electrode is opposite to the first polarization state.
第3A和第3B圖為根據一些實施方式的靜電夾具100的上視圖。如在第3A圖中所示，靜電夾具100的夾持電極120為第一極化狀態，其中第一電極122和第二電極124帶正電，並且第三電極126和第四電極128帶負電。如在第3B圖中所示，靜電夾具的夾持電極120為第二極化狀態，其中第一電極122和第二電極124帶負電，並且第三電極126和第四電極128帶正電。可於連續處理曝光數個晶圓後，在非曝光處理晶圓期間切換靜電夾具100的夾持電極120的電性。例如，在曝光數個晶圓後，將靜電夾具100的夾持電極120從第一極化狀態切換至第二極化狀態，之後再曝光數個晶圓後，將靜電夾具100的夾持電極120從第二極化狀態切換至第一極化狀態。3A and 3B are top views of an
換言之，在第一極化狀態時，例如，第一電極122和第二電極124為相同的第一電性(例如正電)，第三電極126和第四電極128為相同的第二電性(例如，負電)，第一電性和第二電性為相反的電性。之後在第二極化狀態時，例如，第一電極122和第二電極124為相同的第二電性(例如負電)，第三電極126和第四電極128為相同的第一電性(例如，正電)。In other words, in the first polarization state, for example, the
第4圖繪示根據一些實施方式的靜電夾具的操作方法的流程圖。在方法200包括步驟210中，施加電壓使第一電極、第二電極、第三電極、和第四電極為第一極化狀態。參見第5A圖，靜電夾具100的各個夾持電極120為第一極化狀態，其中第一電極122和第二電極124帶正電，第三電極126和第四電極128帶負電。FIG. 4 is a flowchart illustrating a method of operating an electrostatic chuck according to some embodiments.
在方法200的步驟220中，切換第二電極和第三電極的電性變為與第一極化狀態相反的第二極化狀態。參見第5B圖和第5C圖，其中切換電極的電性包括停止供應電壓，之後供應與第一極化狀態的電性相反的電壓。如在第5B圖所示，第二電極124和第三電極126此時為去極化的狀態。在此去極化期間，第一電極122和第四電極128仍維持電性，其中第一電極122帶正電，第四電極128帶負電，因此靜電夾具100可維持吸附夾持件。如在第5C圖所示，第二電極124再極化轉變為帶負電，第三電極126再極化轉變為帶正電。In
在方法200的步驟230中，切換第一電極和第四電極的電性變為與第一極化狀態相反的第二極化狀態。如在第5D圖和第5E圖中所示，其中切換電極的電性包括停止供應電壓，之後供應與第一極化狀態的電性相反的電壓。如在第5D圖所示，第一電極122和第四電極128此時為去極化的狀態。在此去極化期間，第二電極124和第三電極126仍維持電性，其中第二電極124帶負電，第三電極126帶正電，因此靜電夾具100可維持吸附夾持件。如在第5E圖所示，第一電極122再極化轉變為帶負電，第四電極128再極化轉變為帶正電。In
經由兩次的切換部分電極的電性，第一電極122、第二電極124、第三電極126、和第四電極128已從第一極化狀態變為第二極化狀態。After switching the electrical properties of some electrodes twice, the
之後夾持電極120以類似的方式，從第二極化狀態變化第一極化狀態。在方法200的步驟240中，切換第二電極和第三電極的電性變為第一極化狀態，參見第6A圖至第6C圖。在第6A圖中，此時靜電夾具100的各個夾持電極120為第二極化狀態，其中第一電極122和第二電極124帶負電，第三電極126和第四電極128帶正電。如在第6B圖和第6C圖所示，其中切換電極的電性包括停止供應電壓，之後供應與第二極化狀態的電性相反的電壓。在第6B圖中，第二電極124和第三電極126此時為去極化的狀態。在此去極化期間，第一電極122和第四電極128仍維持電性，其中第一電極122帶負電，第四電極128帶正電，因此靜電夾具100可維持吸附夾持件。在第6C圖中，第二電極124再極化轉變為帶正電，第三電極126再極化轉變為帶負電。The clamping
在方法200的步驟250中，切換第一電極和第四電極的電性變為第一極化狀態。如在第6D圖和第6E圖中所示，其中切換電極的電性包括停止供應電壓，之後供應與第二極化狀態的電性相反的電壓。在第6D圖中，第一電極122和第四電極128此時為去極化的狀態。在此去極化期間，第二電極124和第三電極126仍維持電性，其中第二電極124帶正電，第三電極126帶負電，因此靜電夾具100可維持吸附夾持件。在第6E圖中，第一電極122再極化轉變為帶正電，第四電極128再極化轉變為帶負電。In
經由兩次的切換部分電極的電性，第一電極122、第二電極124、第三電極126、和第四電極128已從第二極化狀態變為第一極化狀態。After switching the electrical properties of some electrodes twice, the
第7A圖至第7E圖為根據另一些實施方式，切換靜電夾具100的電極的極化狀態的方法。第7A圖至第7E圖與第5A圖至第5E圖的差異在於，先切換位於最內側和最外側的電極(亦即第一電極和第四電極)的電性，再切換位於中間的兩個電極的電性(亦即第二電極和第三電極的電性)。也就是說，在第4圖的方法200中，步驟220和步驟230的順序是可互換的。7A to 7E illustrate a method for switching the polarization state of the electrodes of the
參看第7A圖，靜電夾具100的各個夾持電極120為第一極化狀態，其中第一電極122和第二電極124帶負電，第三電極126和第四電極128帶正電。Referring to FIG. 7A, each clamping
第7B圖至第7C圖所示的過程相當於方法200的步驟230，切換第一電極和第四電極的電性變為與第一極化狀態相反的第二極化狀態。如在第7B圖和第7C圖中所示，其中切換電極的電性包括停止供應電壓，之後供應與第一極化狀態的電性相反的電壓。如在第7B圖所示，第一電極122和第四電極128此時為去極化的狀態。在此去極化期間，第二電極124和第三電極126仍維持電性，其中第二電極124帶負電，第三電極126帶正電，因此靜電夾具100可維持吸附夾持件。如在第7C圖所示，第一電極122再極化轉變為帶正電，第四電極128再極化轉變為帶負電。The process shown in FIG. 7B to FIG. 7C is equivalent to step 230 of the
第7D圖至第7E圖所示的過程相當於方法200的步驟220，切換第二電極和第三電極的電性變為與第一極化狀態相反的第二極化狀態。如在第7D圖和第7E圖中所示，其中切換電極的電性包括停止供應電壓，之後供應與第一極化狀態的電性相反的電壓。如在第7D圖所示，第二電極124和第三電極126此時為去極化的狀態。在此去極化期間，第一電極122和第四電極128仍維持電性，其中第一電極122帶正電，第四電極128帶負電，因此靜電夾具100可維持吸附夾持件。如在第7E圖所示，第二電極124再極化轉變為帶正電，第三電極126再極化轉變為帶負電。The process shown in FIG. 7D to FIG. 7E corresponds to step 220 of the
第8A圖至第8E圖為根據另一些實施方式，將靜電夾具100的各個電極從二極化狀態切換第一極化狀態的方法。第8A圖至第8E圖與第6A圖至第6E圖的差異在於，先切換位於內側和外側的電極(亦即第一電極122和第四電極128)的電性，再切換位於中間的兩個電極(亦即第二電極124和第三電極126)電性。也就是說，在第4圖的方法200中，步驟240和步驟250的順序是可互換的。8A to 8E illustrate a method for switching each electrode of the
參看第8A圖，靜電夾具100的各個夾持電極120為第二極化狀態，其中第一電極122和第二電極124帶正電，第三電極126和第四電極128帶負電。Referring to FIG. 8A, each clamping
第8B圖至第8C圖所示的過程相當於方法200的步驟250，切換第一電極和第四電極的電性變為第一極化狀態。如在第8B圖和第8C圖中所示，其中切換電極的電性包括停止供應電壓，之後供應與第二極化狀態相反的電壓。如在第8B圖所示，第一電極122和第四電極128此時為去極化的狀態。在此去極化期間，第二電極124和第三電極126仍維持電性，其中第二電極124帶正電，第三電極126帶負電，因此靜電夾具100可維持吸附夾持件。如在第8C圖所示，第一電極122再極化轉變為帶負電，第四電極128再極化轉變為帶正電。The process shown in FIG. 8B to FIG. 8C is equivalent to step 250 of the
第8D圖至第8E圖所示的過程相當於方法200的步驟240，切換第二電極和第三電極的電性變為第一極化狀態。如在第8D圖和第8E圖中所示，其中切換電極的電性包括停止供應電壓，之後供應與第二極化狀態的電性相反的電壓。如在第8D圖所示，第二電極124和第三電極126此時為去極化的狀態。在此去極化期間，第一電極122和第四電極128仍維持電性，其中第一電極122帶負電，第四電極128帶正電，因此靜電夾具100可維持吸附夾持件。如在第8E圖所示，第二電極124再極化轉變為帶負電，第三電極126再極化轉變為帶正電。The process shown in FIG. 8D to FIG. 8E is equivalent to step 240 of the
第9A圖繪示在第二電極124和第三電極126去極化時，靜電夾具100的作用力的分佈位置，可見在靜電夾具100的電極區域的最內側、和最外圍有吸附力的分佈，由於吸附力的分佈為在中央和外圍環狀分佈，因此靜電夾具100可平坦地吸附光罩，不會發生翹曲。並且之後當第二電極124和第三電極再極化時，由於作用力為環狀分佈，因此靜電夾具100可維持平坦地吸附光罩M，不會發生翹曲。
FIG. 9A shows the distribution position of the force of the
第9B圖繪示在第一電極122和第四電極128去極化時，靜電夾具100的作用力的分佈位置，可見在靜電夾具100的電極區域中有吸附力的分佈，由於吸附力的分佈為在第二電極124和第三電極126的區域且呈環狀分佈，因此靜電夾具100可平坦地吸附光罩，不會發生翹曲。並且之後當第一電極122和第四電極再極化時，由於作用力為在電極區域的中央和在外圍環狀分佈，因此靜電夾具100可維持平坦地吸附光罩M，不會發生翹曲。
Figure 9B shows the distribution position of the force of the
本揭示內容的一些實施方式所提供的靜電夾具，由於電極圖案的設置，因此施加電壓時於靜電夾具的所有電極時所提供的吸附力(第一吸附力)為呈環形分佈。當在第一次去極化的過程中，一部分的電極去極化而另一部分的電極仍維持電性，此時，雖只有較少的電極提供吸附力，但是此時吸附力(第二吸附力)仍為環形分佈。之後，在第二次去極化過程中，另一部分的電極去極化，而先前所述的部分的電極仍維持電性，此時吸附力(第三吸附力)仍為環形分佈。因此，本揭示內容的靜電夾具可減少在靜電夾具切換電性的過程中夾持件發生翹曲。 In the electrostatic chuck provided by some embodiments of the present disclosure, due to the configuration of the electrode pattern, the adsorption force (first adsorption force) provided to all the electrodes of the electrostatic chuck when a voltage is applied is in a circular distribution. When in the process of the first depolarization, a part of the electrodes are depolarized while the other part of the electrodes still maintain electrical properties. At this time, although only a few electrodes provide the adsorption force, the adsorption force (the second adsorption force) Force) is still a circular distribution. Afterwards, during the second depolarization process, another part of the electrodes is depolarized, while the aforementioned part of the electrodes still maintains electrical properties, and at this time the adsorption force (third adsorption force) is still distributed in a ring. Therefore, the electrostatic clamp of the present disclosure can reduce the warpage of the clamping member during the electrical switching process of the electrostatic clamp.
第10A圖和第10B圖為替代性的實施方式的靜電夾具的上視圖。靜電夾具300具有四個電極區域，其中，第一電極322為單一的電極，第二電極324包括複數個三角形的子電極，第三電極326包括複數個三角形的子電極，第四電極328包括複數個三角形的子電極。在靜電夾具300中，各個子電極彼此電性絕緣且獨立地電性連接至電源控制模組。在第10A圖中，靜電夾具300的各個電極為第一極化狀態，其中第一電極322和第二電極324的所有子電極帶正電，第三電極326的所有子電極和第四電極328的所有子電極帶負電。在第10B圖中，靜電夾具300的各個電極為第二極化狀態，其中第一電極322和第二電極324的所有子電極帶負電，第三電極326的所有子電極和第四電極328的所有子電極帶正電。10A and 10B are top views of an alternative embodiment electrostatic chuck. The
切換靜電夾具300的流程可例如參看前述第5A圖至第5E圖、第6A圖至第6E圖、第7A圖至第7E圖、第8A圖至第8E圖所討論的內容。在一些實施方式中，由於第一電極322和第二電極324的總面積小於第三電極326和第四電極328的總面積，因此可藉由調整供應的電壓的值，使靜電夾具300具有合適的吸附力。例如，第一電極322和第二電極324可供應較大量值的供應電壓，而第三電極326和第四電極328可供應較小量值的供應電壓。The process of switching the
在一些實施方式中，由於將靜電夾具300的將電極畫分為複數個子電極，因此可減少施加電壓於電極時充電所需的時間，使電極能較快極化。In some embodiments, since the electrodes of the
第11A圖和第11B圖為替代性的實施方式的靜電夾具的上視圖。靜電夾具400具有四個電極區域，其中，第一電極422為單一的電極，第二電極424包括4個矩形的子電極，第三電極426包括4個矩形的子電極，第四電極428包括4個矩形的子電極。在靜電夾具400中，各個子電極彼此電性絕緣且獨立地電性連接至電源控制模組。在第11A圖中，靜電夾具400的各個電極為第一極化狀態，其中第一電極422和第二電極424的所有子電極帶正電，第三電極426的所有子電極和第四電極428的所有子電極帶負電。在第11B圖中，靜電夾具400的各個電極為第二極化狀態，其中第一電極422和第二電極424的所有子電極帶負電，第三電極426的所有子電極和第四電極428的所有子電極帶正電。11A and 11B are top views of an alternative embodiment electrostatic chuck. The
切換靜電夾具400的流程可例如參看前述第5A圖至第5E圖、第6A圖至第6E圖、第7A圖至第7E圖、第8A圖至第8E圖所討論的內容。在一些實施方式中，由於將靜電夾具400的將電極畫分為複數個子電極，因此可減少施加電壓於電極時充電所需的時間，使電極能較快極化。For the process of switching the
第12A圖至12C圖繪示替代性的實施方式的靜電夾具500的上視圖。第12A圖顯示靜電夾具500包括位於中央區域的第一電極522(包含4個子電極)、圍繞第一電極522的第二電極524、圍繞第二電極524的第三電極526、和圍繞第三電極526的第四電極528，其中第一電極522、第二電極524、第三電極526、和第四電極528各者包含複數個子電極。在靜電夾具500中，各個子電極彼此電性絕緣且獨立地電性連接至電源控制模組。第12B圖顯示在第一極化狀態時靜電夾具各個子電極的電性，顯示帶正電的子電極和帶負電的子電極呈交錯的分佈。第12C圖顯示在第二極化狀態時靜電夾具各個子電極的電性，各個子電極的電性反轉，帶正電的子電極和帶負電的子電極呈交錯的分佈。Figures 12A-12C illustrate top views of an alternative embodiment electrostatic chuck 500 . Figure 12A shows that the electrostatic chuck 500 includes a first electrode 522 (including 4 sub-electrodes) located in a central region, a
第13A圖和第13B圖為替代性的實施方式的靜電夾具的上視圖。靜電夾具600包括四個彼此電性隔絕的電極區域602，其中每個電極區域602包括第一電極622、第二電極624、第三電極626、和第四電極628。在第14A圖中，靜電夾具600的各個電極為第一極化狀態，其中每個電極區域602中的第一電極622和第二電極624帶正電，第三電極626和第四電極628帶負電。在第14B圖中，靜電夾具600的各個電極為第二極化狀態，其中每個電極區域602中的第一電極622和第二電極624的電極帶負電，第三電極626和第四電極628帶正電。13A and 13B are top views of an alternative embodiment electrostatic chuck. The
切換靜電夾具600的流程可例如參看前述第5A圖至第5E圖、第6A圖至第6E圖、第7A圖至第7E圖、第8A圖至第8E圖所討論的內容。在一些實施方式中，由於將靜電夾具600畫分為複數個電極區域602，因此每個區域中的電極的面積較小，因此可減少施加電壓於電極時充電所需的時間，使電極能較快極化。For the process of switching the
本揭示內容的靜電夾具可運用於夾持光罩，亦可用於夾持晶圓。由於靜電夾具的吸附力呈環形分佈，因此在夾持光罩或晶圓時，可維持夾持件(例如光罩或晶圓)的平整度，減少翹曲，因此有助於提升在微影製程中的疊對控制。The electrostatic chuck of the present disclosure can be used for clamping a photomask, and can also be used for clamping a wafer. Since the adsorption force of the electrostatic clamp is circularly distributed, it can maintain the flatness of the clamping parts (such as the mask or wafer) and reduce warpage when clamping the mask or wafer, thus helping to improve the efficiency of photolithography. Overlay control in process.
本揭示內容的一些實施方式提供了一種靜電夾具的操作方法，包含：施加電壓於一靜電夾具的一電極層，電極層包含第一電極、圍繞第一電極的第二電極、圍繞第二電極的第三電極、和圍繞第三電極的第四電極，其中第一電極、第二電極、第三電極、和第四電極為第一極化狀態；切換第二電極和第三電極的電性變為與第一極化狀態相反的第二極化狀態；以及切換第一電極和第四電極的電性變為與第一極化狀態相反的第二極化狀態。在一些實施方式中，靜電夾具的操作方法還包含：切換第二電極和第三電極的電性，使第二電極和第三電極的電性從第二極化狀態變為第一極化狀態；以及切換第一電極和第四電極的電性，使第一電極和第四電極的電性從第二極化狀態變為第一極化狀態。在一些實施方式中，其中在第一極化狀態時，第一電極和第二電極為第一電性，並且第三電極和第四電極為與第一電性電性相反的第二電性。在一些實施方式中，其中第一電極、第二電極、第三電極、和第四電極各者包含複數個子電極，並且當所述施加電壓於靜電夾具的電極層時，所述複數個子電極的電性設置為第一電性和第二電***錯排列，其中第一電性的電性與第二電性的電性相反。在一些實施方式中，其中所述切換第二電極和第三電極的電性和所述切換第一電極和第四電極的電性各者包含去極化處理和再極化處理。Some embodiments of the present disclosure provide a method of operating an electrostatic chuck, comprising: applying a voltage to an electrode layer of an electrostatic chuck, the electrode layer including a first electrode, a second electrode surrounding the first electrode, a layer surrounding the second electrode The third electrode, and the fourth electrode surrounding the third electrode, wherein the first electrode, the second electrode, the third electrode, and the fourth electrode are in the first polarization state; switching the electrical variable of the second electrode and the third electrode a second polarization state opposite to the first polarization state; and switching the electrical properties of the first electrode and the fourth electrode into a second polarization state opposite to the first polarization state. In some embodiments, the method of operating the electrostatic chuck further includes: switching the electrical properties of the second electrode and the third electrode, so that the electrical properties of the second electrode and the third electrode change from the second polarization state to the first polarization state and switching the electrical properties of the first electrode and the fourth electrode, so that the electrical properties of the first electrode and the fourth electrode change from the second polarization state to the first polarization state. In some embodiments, wherein in the first polarization state, the first electrode and the second electrode are of a first electrical type, and the third electrode and the fourth electrode are of a second electrical type opposite to the first electrical type . In some embodiments, each of the first electrode, the second electrode, the third electrode, and the fourth electrode includes a plurality of sub-electrodes, and when the voltage is applied to the electrode layer of the electrostatic chuck, the plurality of sub-electrodes The electrical properties are arranged in a staggered arrangement of the first electrical properties and the second electrical properties, wherein the electrical properties of the first electrical properties are opposite to those of the second electrical properties. In some embodiments, each of said switching the electrical properties of the second electrode and the third electrode and said switching the electrical properties of the first electrode and the fourth electrode comprises depolarization treatment and repolarization treatment.
本揭示內容的另一些實施方式提供了一種靜電夾具的操作方法，包含：施加電壓於靜電夾具的電極層且提供第一吸附力；執行第一去極化處理，使電極層的一部分電極去極化且靜電夾具具有呈環狀分佈的第二吸附力；執行第一再極化處理，使電極層的此部分電極再極化且具有與所述第一去極化處理之前相反的電性；執行第二去極化處理，使電極層的另一部分電極去極化且靜電夾具具有呈環狀分佈的第三吸附力；以及執行第二再極化處理，使靜電夾具的所述另一部分電極再極化且具有與所述第二去極化處理之前相反的電性。在一些實施方式中，電極層包含第一電極、圍繞第一電極的第二電極、圍繞第二電極的第三電極、和圍繞第三電極的第四電極，其中所述部分的電極為第二電極和第三電極，所述另一部分電極為第一電極和第四電極。在一些實施方式中，在所述施加電壓於靜電夾具的電極層且提供第一吸附力期間，第一電極和第二電極具有相同的電性，且第三電極和第四電極具有相同的電性。Another embodiment of the present disclosure provides a method for operating an electrostatic chuck, including: applying a voltage to an electrode layer of the electrostatic chuck and providing a first adsorption force; performing a first depolarization treatment to depolarize a part of the electrode layer and the electrostatic clamp has a second adsorption force distributed in a ring shape; performing a first repolarization process, repolarizing the electrode of this part of the electrode layer and having an electrical property opposite to that before the first depolarization process; performing a second depolarization process to depolarize another part of the electrodes of the electrode layer and the electrostatic clamp has a third adsorption force distributed in a ring; and performing a second repolarization process to make the other part of the electrodes of the electrostatic clamp repolarized and has an electrical property opposite to that prior to the second depolarization treatment. In some embodiments, the electrode layer includes a first electrode, a second electrode surrounding the first electrode, a third electrode surrounding the second electrode, and a fourth electrode surrounding the third electrode, wherein the part of the electrode is the second electrode. electrode and the third electrode, and the other part of the electrodes is the first electrode and the fourth electrode. In some embodiments, during the period of applying a voltage to the electrode layer of the electrostatic chuck and providing the first adsorption force, the first electrode and the second electrode have the same electrical property, and the third electrode and the fourth electrode have the same electrical property. sex.
本揭示內容的另一些實施方式提供了一種靜電夾具的操作方法，包含：施加電壓於靜電夾具的電極層，其中電極層包含：第一電極、圍繞第一電極的一第二電極、圍繞第二電極的一第三電極、和圍繞第三電極的一第四電極，其中第一電極、第二電極、第三電極、和第四電極為第一極化狀態；執行第一去極化處理，使第二電極和第三電極去極化，之後執行第一再極化處理，使第二電極和第三電極的電性為與第一極化狀態相反；以及執行第二去極化處理，使第一電極和第四電極去極化，之後執行第二再極化處理，使第一電極和第四電極的電性為與第一極化狀態相反。在一些實施方式中，其中在第一極化狀態時，第一電極和第二電極為第一電性，並且第三電極和第四電極為與第一電性電性相反的第二電性。在一些實施方式中，其中第一電極、第二電極、第三電極、和第四電極各者包含複數個子電極，並且當所述施加電壓於靜電夾具的電極層時，所述複數個子電極的電性設置為第一電性和第二電***錯排列，其中第一電性的電性與第二電性的電性相反。在一些實施方式中，第一電極為單一的電極，第二電極、第三電極、和第四電極包含複數個子電極。在一些實施方式中，在一電極內的複數個子電極的極化為相同的電性。在一些實施方式中，在一電極內的複數個子電極極化為交錯排列的不同的電性。在一些實施方式中，靜電夾具的操作方法還包含：執行第三去極化處理，使第二電極和第三電極去極化，之後執行第三再極化處理，使第二電極和第三電極的電性為與第二極化狀態相反；以及執行第四去極化處理，使第一電極和第四電極去極化，之後執行第四再極化處理，使第一電極和第四電極的電性為與第二極化狀態相反。Other embodiments of the present disclosure provide a method of operating an electrostatic chuck, including: applying a voltage to an electrode layer of the electrostatic chuck, wherein the electrode layer includes: a first electrode, a second electrode surrounding the first electrode, a second electrode surrounding the a third electrode of the electrodes, and a fourth electrode surrounding the third electrode, wherein the first electrode, the second electrode, the third electrode, and the fourth electrode are in a first polarization state; performing a first depolarization process, depolarizing the second electrode and the third electrode, followed by performing a first repolarization process such that the electrical properties of the second electrode and the third electrode are opposite to the first polarization state; and performing a second depolarization process, The first electrode and the fourth electrode are depolarized, and then a second repolarization treatment is performed, so that the electrical properties of the first electrode and the fourth electrode are opposite to the first polarization state. In some embodiments, wherein in the first polarization state, the first electrode and the second electrode are of a first electrical type, and the third electrode and the fourth electrode are of a second electrical type opposite to the first electrical type . In some embodiments, each of the first electrode, the second electrode, the third electrode, and the fourth electrode includes a plurality of sub-electrodes, and when the voltage is applied to the electrode layer of the electrostatic chuck, the plurality of sub-electrodes The electrical properties are arranged in a staggered arrangement of the first electrical properties and the second electrical properties, wherein the electrical properties of the first electrical properties are opposite to those of the second electrical properties. In some embodiments, the first electrode is a single electrode, and the second electrode, the third electrode, and the fourth electrode include a plurality of sub-electrodes. In some embodiments, the polarizations of the plurality of sub-electrodes in an electrode are the same electrical property. In some implementations, the plurality of sub-electrodes in an electrode are polarized with different electrical properties in a staggered arrangement. In some embodiments, the method of operating the electrostatic chuck further includes: performing a third depolarization process to depolarize the second electrode and the third electrode, and then performing a third repolarization process to depolarize the second electrode and the third electrode. The electrical properties of the electrodes are opposite to the second polarization state; and a fourth depolarization process is performed to depolarize the first electrode and the fourth electrode, followed by a fourth repolarization process to cause the first electrode and the fourth electrode to be depolarized. The electrical properties of the electrodes are opposite to the second polarization state.
本揭示內容的又另一些實施方式提供了一種靜電夾具，包含：電極層以及電源控制模組。電極層包含：第一電極、圍繞第一電極的第二電極、圍繞第二電極的第三電極、和圍繞第三電極的第四電極，其中第一電極、第二電極、第三電極、和第四電極彼此電性隔離。電源控制模組電性連接電極層，配置為使第二電極和第三電極同時切換電性、和使第一電極第四電極同時切換電性。在一些實施方式中，電源控制模組配置為使第一電極和第二電極為第一電性，和使第三電極和第四電極為與第一電性相反的第二電性。在一些實施方式中，其中第一電極和第二電極的面積的總合等於第三電極和第四電極的面積的總和。在一些實施方式中，其中第一電極、第二電極、第三電極、或第四電極包含彼此電性隔離的複數個子電極。在一些實施方式中，其中複數個電極為三角形或矩形。 Still other embodiments of the present disclosure provide an electrostatic clamp, comprising: an electrode layer and a power control module. The electrode layer includes: a first electrode, a second electrode surrounding the first electrode, a third electrode surrounding the second electrode, and a fourth electrode surrounding the third electrode, wherein the first electrode, the second electrode, the third electrode, and The fourth electrodes are electrically isolated from each other. The power control module is electrically connected to the electrode layer, configured to switch the electrical properties of the second electrode and the third electrode simultaneously, and switch the electrical properties of the first electrode and the fourth electrode simultaneously. In some embodiments, the power control module is configured such that the first electrode and the second electrode are of a first electrical type, and the third electrode and the fourth electrode are of a second electrical type opposite to the first electrical type. In some embodiments, the sum of the areas of the first electrode and the second electrode is equal to the sum of the areas of the third electrode and the fourth electrode. In some embodiments, the first electrode, the second electrode, the third electrode, or the fourth electrode includes a plurality of sub-electrodes electrically isolated from each other. In some embodiments, the plurality of electrodes are triangular or rectangular.
以上概述了數個實施方式或多個實施例的特徵，以便本領域技術人員可能更好地理解本揭示內容的各方面。本領域的技術人員應理解，他們可容易地使用本揭示內容，作為其他製程和結構之設計和修改的基礎，以實現與在此介紹的實施方式或實施例的相同的目的，或是達到相同的優點。本領域技術人員亦應理解，這樣的均等的建構不脫離本揭示內容的精神和範圍，並且他們可進行各種改變、替換、和變更而不脫離本揭示內容的精神和範圍。 The foregoing summarizes features of several implementations or embodiments so that those skilled in the art may better understand aspects of this disclosure. Those skilled in the art will appreciate that they can readily use this disclosure as a basis for the design and modification of other processes and structures to achieve the same purpose as the embodiments or examples presented herein, or to achieve the same The advantages. Those skilled in the art should also understand that such equivalent constructions do not depart from the spirit and scope of the present disclosure, and that they may make various changes, substitutions and alterations without departing from the spirit and scope of the present disclosure.
10:半導體基板處理系統 10:Semiconductor substrate processing system
11:載體 11: carrier
12:裝載端口12: Load port
100:靜電夾具100: Electrostatic fixture
110:介電質體110: Dielectric body
110C:中央區域110C: Central area
120:夾持電極120: clamping electrode
122:第一電極122: first electrode
124:第二電極124: second electrode
126:第三電極126: The third electrode
128:第四電極128: The fourth electrode
130:電源控制模組130: Power control module
20:傳送模組20: Teleportation Module
21:控制電路21: Control circuit
22:機械手臂22: Mechanical arm
200:方法200: method
210:步驟210: step
220:步驟220: step
230:步驟230: step
240:步驟240: step
250:步驟250: step
30:切換模組30: switch module
31:機械手臂31: Mechanical arm
32:光罩盒32: Mask box
300:靜電夾具300: Electrostatic fixture
322:第一電極322: first electrode
324:第二電極324: second electrode
326:第三電極326: the third electrode
328:第四電極328: The fourth electrode
40:處理模組40: Processing Module
41:輻射源41: Radiation source
42:照明模組42: Lighting module
43:光罩台43: Mask table
44:投影光學模組44:Projection optical module
45:基板台45: Substrate table
46:氣體供應模組46: Gas supply module
400:靜電夾具400: Electrostatic fixture
422:第一電極422: first electrode
424:第二電極424: second electrode
426:第三電極426: the third electrode
428:第四電極428: The fourth electrode
50:控制模組50: Control module
500:靜電夾具500: Electrostatic fixture
522:第一電極522: first electrode
524:第二電極524: second electrode
526:第三電極526: the third electrode
528:第四電極528: The fourth electrode
600:靜電夾具600: Electrostatic fixture
602:電極區域602: electrode area
622:第一電極622: first electrode
624:第二電極624: second electrode
626:第三電極626: the third electrode
628:第四電極628: The fourth electrode
D1:第一尺寸D1: first size
D2:第二尺寸D2: second dimension
D3:第三尺寸D3: third dimension
D4:第四尺寸D4: fourth dimension
M:光罩M: mask
P1:位置P1: position
P2:位置P2: position
R:極紫外輻射R: extreme ultraviolet radiation
S1:圖案化的表面S1: Patterned surface
S2:夾持的表面S2: clamping surface
W:半導體基板 W: Semiconductor substrate
由以下的詳細描述，並與所附圖式一起閱讀，會最佳地理解本揭示內容的各態樣。需要強調的是，根據產業界的標準作法，各個特徵沒有按比例繪製，並且僅用於說明的目的。事實上，為了清楚地討論，各個特徵的尺寸可任意地增加或減小。 第1圖繪示根據一些實施方式的半導體基板處理系統的示意圖。 第2圖繪示根據一些實施方式的靜電夾具的上視示意圖。 第3A圖和第3B繪示根據一些實施方式的靜電夾具的上視圖。 第4圖繪示根據一些實施方式的靜電夾具操作方法的流程圖。 第5A圖至第5E圖繪示靜電夾具的電極從第一極化狀態切換為第二極化狀態的過程中的各個階段。 第6A圖至第6E圖繪示靜電夾具的電極從第二極化狀態切換為第一極化狀態的過程中的各個階段。 第7A圖至第7E圖繪示靜電夾具的電極電壓從第一極化狀態切換為第二極化狀態的過程中的各個階段。 第8A圖至第8E圖繪示靜電夾具的電極從第一極化狀態切換為第二極化狀態的過程中的各個階段。 第9A圖繪示在一去極化的過程中，靜電夾具對光罩的作用力的示意圖。 第9B圖繪示在一去極化的過程中，靜電夾具對光罩的作用力的示意圖。 第10A圖和第10B圖繪示根據一些替代性實施方式的靜電夾具的上視圖。 第11A圖和第11B圖繪示根據一些替代性實施方式的靜電夾具的上視圖。 第12A圖至第12C圖繪示根據一些替代性實施方式的靜電夾具的上視圖。 第13A圖和第13B圖繪示根據一些替代性實施方式的靜電夾具的上視圖。 Aspects of the present disclosure are best understood from the following detailed description, when read in conjunction with the accompanying drawings. It is emphasized that, in accordance with the standard practice in the industry, various features are not drawn to scale and are used for illustration purposes only. In fact, the dimensions of the various features may be arbitrarily increased or decreased for clarity of discussion. FIG. 1 is a schematic diagram of a semiconductor substrate processing system according to some embodiments. FIG. 2 illustrates a schematic top view of an electrostatic chuck according to some embodiments. 3A and 3B depict top views of electrostatic chucks according to some embodiments. FIG. 4 is a flowchart illustrating a method of operating an electrostatic chuck according to some embodiments. 5A-5E illustrate various stages in the process of switching the electrodes of the electrostatic chuck from a first polarization state to a second polarization state. 6A-6E illustrate various stages in the process of switching the electrodes of the electrostatic chuck from the second polarization state to the first polarization state. 7A-7E illustrate various stages in the process of switching the electrode voltage of the electrostatic chuck from the first polarization state to the second polarization state. 8A-8E illustrate various stages in the process of switching the electrodes of the electrostatic chuck from a first polarization state to a second polarization state. FIG. 9A is a schematic diagram of the force applied by the electrostatic clamp to the photomask during a depolarization process. FIG. 9B is a schematic diagram of the force exerted by the electrostatic clamp on the photomask during a depolarization process. Figures 10A and 10B depict top views of electrostatic chucks according to some alternative embodiments. 11A and 11B depict top views of electrostatic chucks according to some alternative embodiments. 12A-12C depict top views of electrostatic chucks according to some alternative embodiments. 13A and 13B depict top views of electrostatic chucks according to some alternative embodiments.
國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無 國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無 Domestic deposit information (please note in order of depositor, date, and number) none Overseas storage information (please note in order of storage country, institution, date, and number) none
200:方法 210:步驟 220:步驟 230:步驟 240:步驟 250:步驟 200: method 210: step 220: step 230: step 240: step 250: step
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2021
- 2021-03-08 TW TW110108056A patent/TWI785522B/en active
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