TWI781318B - 經組態以產生在一樣品上偵測到之缺陷之一樣本的系統，非暫時性電腦可讀媒體，及方法 - Google Patents

經組態以產生在一樣品上偵測到之缺陷之一樣本的系統，非暫時性電腦可讀媒體，及方法 Download PDF

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Abstract

本發明提供用於產生用於一樣品之一缺陷樣本之方法及系統。一種方法包含基於藉由一輸出獲取子系統之一偵測器產生之輸出偵測一樣品上之缺陷。對於在該樣品上之一陣列區中偵測到之該等缺陷，其中該陣列區包含多個陣列胞類型，該方法包含基於該多個陣列胞類型堆疊該等缺陷之資訊。該堆疊包含覆疊僅該多個陣列胞類型之一第一者的設計資訊與僅在該多個陣列胞類型之該第一者中偵測到之該等缺陷之該資訊。另外，該方法包含基於該堆疊之結果選擇該等經偵測缺陷之一部分，藉此產生該等經偵測缺陷之一樣本。

Description

經組態以產生在一樣品上偵測到之缺陷之一樣本的系統，非暫時性電腦可讀媒體，及方法
本發明大體上係關於用於產生在一樣品上偵測到之缺陷之一樣本的方法及系統。
以下描述及實例並未憑藉其包含於此段落中而被承認是先前技術。
製作半導體裝置(諸如邏輯及記憶體裝置)通常包含使用大量半導體製程處理一基板(諸如一半導體晶圓)以形成半導體裝置之各種特徵及多個層級。例如，微影係涉及將一圖案自一光罩轉印至配置於一半導體晶圓上之一光阻劑之一半導體製程。半導體製程之額外實例包含但不限於化學機械拋光(CMP)、蝕刻、沈積及離子植入。多個半導體裝置可製作於一單一半導體晶圓上之一配置中且接著分離成個別半導體裝置。
在一半導體製程期間之各個步驟使用檢測程序來偵測晶圓上之缺陷。檢測程序始終為製作半導體裝置(諸如積體電路)之一重要部分。然而，隨著半導體裝置尺寸之減小，檢測程序對於成功地製造可接受半導體裝置變得更加重要。例如，隨著半導體裝置尺寸之減小，偵測大小減小之缺陷已成為必要，此係因為甚至相對較小缺陷亦可引起半導體裝置中之非所要像差。
一旦已藉由檢測偵測到缺陷，便可依一或多個方式產生該等缺陷之額外資訊。例如，可藉由缺陷檢視重新訪查缺陷，其中使用具有大於檢測期間所使用之解析度能力之解析度能力的一系統來產生缺陷之影像。接著，使用此等影像產生之關於缺陷之資訊可用於判定缺陷之一類型(或分類)。例如，缺陷可分類為顆粒型缺陷、橋接型缺陷、刮痕型缺陷及類似者。
歸因於在任何給定檢測中偵測到之缺陷之數目且歸因於在缺陷檢視及藉由其他手段產生缺陷之額外資訊時所涉及之時間，並未在缺陷檢視中進一步處理在檢測中偵測到之全部缺陷。代替性地，在幾乎每種情況中，藉由僅選擇全部經偵測缺陷之一部分而產生缺陷之一樣本。接著，僅進一步處理缺陷之樣本。接著，可將缺陷檢視或其他處理之結果外推回至整個經偵測缺陷群體。
已發展出用於針對其他程序產生經偵測缺陷之樣本之許多方法。當前使用之方法之一些實例包含隨機取樣及多樣性取樣。顧名思義地執行隨機取樣：隨機地選擇經偵測缺陷之一部分且接著進行組合以產生一缺陷樣本。多樣性取樣係基於藉由檢測判定之缺陷之一或多個特性而執行，以藉此選擇具有最多樣化之特性集之缺陷。亦已產生用於缺陷取樣之許多更複雜方法。
由於使用對缺陷樣本之進一步處理來判定整個經偵測缺陷群體之特性，故必須關注缺陷樣本準確地表示缺陷群體整體。另外，亦關注缺陷樣本適用於判定關於一使用者感興趣之經偵測缺陷之資訊。例如，若對晶圓上之晶粒中之不同區域執行檢測，但使用者僅想要關於僅在該等區域之一者中偵測到之缺陷的額外資訊，則包含在除該一個區域以外之區 域中偵測到之缺陷的一缺陷樣本對於該應用將為不令人滿意的(例如，對一使用者不感興趣之缺陷執行額外處理係浪費的)。
在除其他區域之特定區域中產生缺陷樣本亦更困難。例如，產生用於形成於一晶圓或其他樣品上之一晶粒中之一陣列區的一缺陷樣本可尤其困難。在一個此實例中，一典型設計具有陣列區之多個例項，且該等例項之各者包含不同類型之陣列胞或位元胞。當前使用之系統及方法未使用此陣列胞或位元胞位置資訊用於取樣。代替性的，儘管諸如iDO(其在商業上可購自加利福尼亞州苗必達市之KLA-Tencor)及擾亂點(nuisance)事件過濾器之構件可用，但當前執行之自陣列區取樣仍為手動的且實質上繁瑣的。對於當前執行之在陣列區中取樣，有效取樣所涉及之時間可在3小時至5小時之間，此係因為其可涉及多次反覆取樣。
因此，發展出用於產生在一樣品上偵測到之缺陷之一樣本之不具有上述缺點之一或多者的系統及/或方法將為有利的。
各項實施例之以下描述絕不應理解為限制隨附技術方案之標的物。
一項實施例係關於一種經組態以產生在一樣品上偵測到之缺陷之一樣本的系統。該系統包含一輸出獲取子系統，該輸出獲取子系統包含至少一能量源及一偵測器。該能量源經組態以產生引導至一樣品之能量。該偵測器經組態以偵測來自該樣品之能量且回應於該經偵測能量產生輸出。該系統亦包含一或多個電腦子系統，該一或多個電腦子系統經組態以基於藉由該偵測器產生之該輸出偵測該樣品上之缺陷，以藉此產生一組經偵測缺陷。該一或多個電腦子系統亦經組態以：針對在該樣品上之一陣 列區中偵測到之該等缺陷，其中該陣列區包含多個陣列胞類型，基於該多個陣列胞類型堆疊該等缺陷之資訊。該堆疊包含覆疊僅該多個陣列胞類型之一第一者的設計資訊與僅在該多個陣列胞類型之該第一者中偵測到之該等缺陷的該資訊。僅在該多個陣列胞類型之該第一者中偵測到之該等缺陷的該資訊包含在該多個陣列胞類型之該第一者內之該等缺陷的位置。另外，該方法包含：基於該堆疊之結果選擇該等經偵測缺陷之一部分，藉此產生該等經偵測缺陷之一樣本；及基於該等經偵測缺陷之該選定部分及該等經偵測缺陷之該選定部分之該資訊產生缺陷樣本結果。該系統可如本文中描述般進一步組態。
另一實施例係關於一種用於產生在一樣品上偵測到之缺陷之一樣本的電腦實施方法。該方法包含用於上文描述之一或多個電腦子系統之功能之各者的步驟。該方法之該等步驟係藉由耦合至如本文中描述般組態之一輸出獲取子系統之一或多個電腦子系統執行。該方法可如本文中進一步描述般執行。另外，該方法可包含本文中描述之(若干)任何其他方法之(若干)任何其他步驟。此外，該方法可藉由本文中描述之系統之任一者執行。
一額外實施例係關於一種儲存程式指令之非暫時性電腦可讀媒體，該等程式指令可在一電腦系統上執行以執行用於產生在一樣品上偵測到之缺陷之一樣本的一電腦實施方法。該電腦實施方法包含上文描述之方法之步驟。該電腦可讀媒體可如本文中描述般進一步組態。該電腦實施方法之步驟可如本文中進一步描述般執行。另外，可執行其程式指令之電腦實施方法可包含本文中描述之(若干)任何其他方法之(若干)任何其他步驟。
10:輸出獲取子系統
14:樣品
16:光源/源
18:光學元件
20:透鏡
21:光束分離器
22:載物台
24:集光器
26:元件
28:偵測器
30:集光器
32:元件
34:偵測器
36:電腦子系統
102:電腦子系統
104:使用者介面
122:電子柱
124:電腦子系統
126:電子束源
128:樣品
130:元件
132:元件
134:偵測器
300:晶粒
302:邏輯區域
304:陣列區域
304a:陣列區
304b:陣列區
304c:陣列區
306:位元胞
400:陣列區
402:堆疊結果
500:使用者介面
502:顯示選項欄標
504:覆疊
506:表
508:長條圖
510:窗口
512:欄標之列
514:按鈕
516:選項
600:電腦可讀媒體
602:程式指令
604:電腦系統
在閱讀以下詳細描述並參考隨附圖式之後將明白本發明之其他目的及優點，其中：圖1及圖2係繪示如本文中描述般組態之一系統之實施例之側視圖的示意圖；圖3係繪示在用一樣品形成之一裝置之一設計中的陣列區及一邏輯區域之佈局之一個實例之一平面圖的一示意圖；圖4係繪示一陣列胞類型之一個實例之一平面圖及如本文中描述般針對陣列胞類型執行之堆疊之結果的一示意圖；圖5係繪示可藉由如本文中描述般組態之一使用者介面之一實施例顯示的一螢幕截圖之一項實施例的一示意圖；及圖6係繪示儲存可在一電腦系統上執行以執行本文中描述之電腦實施方法之一或多者的程式指令之一非暫時性電腦可讀媒體之一項實施例的一方塊圖。
雖然本發明易有各種修改及替代形式，但本發明之特定實施例在圖式中藉由實例展示且將在本文中詳細描述。然而，應瞭解，圖式及其詳細描述並不意欲將本發明限於所揭示之特定形式，恰相反，其意欲涵蓋落在如由隨附發明申請專利範圍定義之本發明之精神及範疇內的全部修改、等效物及替代物。
如在本文中可互換地使用之術語「設計」、「設計資料」及「設計資訊」一般指代一IC之實體設計(佈局)及透過複雜模擬或簡單幾何 及布林(Boolean)運算自實體設計導出之資料。實體設計可儲存於諸如一圖形資料流(GDS)檔案、任何其他標準機器可讀檔案、此項技術中已知之任何其他適合檔案及一設計資料庫之一資料結構中。一GDSII檔案係用於表示設計佈局資料之一類檔案之一者。此等檔案之其他實例包含GL1及OASIS檔案及專屬檔案格式，諸如加利福尼亞州苗必達市之KLA-Tencor專屬之光罩設計檔案(RDF)資料。另外，藉由一光罩檢測系統獲取之一光罩之一影像及/或其導出物可用作設計之一或多個「代理」。此一光罩影像或其導出物可用作在本文中描述之使用一設計之任何實施例中之設計佈局的一替代。設計可包含在於2009年8月4日頒予Zafar等人之共同擁有之美國專利第7,570,796號及於2010年3月9日頒予Kulkarni等人之共同擁有之美國專利第7,676,077號中描述之任何其他設計資料或設計資料代理，該兩案宛如全文闡述以引用的方式併入本文中。另外，設計資料可為標準胞庫資料、整合佈局資料、用於一或多個層之設計資料、設計資料之導出物及完整或部分晶片設計資料。
在一些例項中，自一晶圓或光罩模擬或獲取之影像可用作設計之一代理。影像分析亦可用作設計分析之一代理。例如，假定以足以充分地成像印刷於一晶圓及/或光罩上之一設計之多邊形的解析度獲取晶圓及/或光罩之一影像，則可自設計之一影像提取設計中之多邊形。另外，本文中描述之「設計」及「設計資料」指代藉由半導體裝置設計者在一設計程序中產生且因此可在將設計印刷於任何實體晶圓上之前良好地用於本文中描述之實施例中的資訊及資料。
較佳地，「設計」或「實體設計」在該等術語在本文中使用時指代如將理想地形成於晶圓上之設計。以此方式，本文中描述之一設 計或實體設計較佳將不包含設計之將不會印刷於晶圓上之特徵，諸如光學近接校正(OPC)特徵，其添加至設計以增強特徵在晶圓上之印刷而實際上其自身未被印刷。以此方式，在一些實施例中，用於本文中進一步描述之步驟的樣品之設計並不包含設計之將不會印刷於樣品上之特徵。
本文中描述之一「設計」及「設計資料」可因此包含與形成於晶圓上之裝置的實體意圖有關之資料及資訊，該資料及資訊可包含上文描述之各種類型之設計及設計資料之任一者。一「設計」及「設計資料」亦可包含或替代地包含與形成於晶圓上之裝置的電意圖有關之資料及資訊。此資訊及資料可包含例如網路連線表及SPICE命名法及/或一「注釋佈局」(例如，其中設計包含電網連線表參數標籤)。此資料及資訊可用於判定一佈局或晶圓影像之哪些部分在一或多個電氣態樣中係關鍵的。
一些先進檢測工具(例如，包含商業上可購自加利福尼亞州苗必達市之KLA-Tencor之寬頻電漿(BBP)光源之檢測工具)使用晶片設計資料或資訊用於各種使用案例，諸如分級(binning)、關注區域準確度、缺陷位置改良、擾亂點過濾等等)。然而，不同於當前使用之系統及方法，本文中描述之實施例使用設計意圖來幫助改良對陣列區缺陷之取樣效率。若晶片之邏輯區域內存在足夠數目個重複結構，則該概念亦可擴展至邏輯區域。
晶片設計資料以來自一鑄造場內部之微影群組/設計群組之GDS及OASIS檔案之形式可用。此資訊用於產生用於在晶圓上印刷各種結構之微影遮罩。此資訊含有印刷於晶圓上之內容之藍圖。設計資料亦可包含本文中描述之任何其他設計資料。使用此資訊，本文中描述之實施例可幫助改良檢測靈敏度、減少擾亂點且改良SEM取樣效率，如本文中進一步 描述。「擾亂點」在該術語在本文中使用時一般定義為被偵測為缺陷但實際上並非一使用者關注之缺陷的事件。例如，擾亂點可因雜訊、如此以其他方式被錯誤地偵測之缺陷、並非所關注缺陷之缺陷及類似者引起。
描述邏輯區域及陣列區域中之經圖案化特徵之設計資料(諸如GDS或OASIS檔案)通常較大，大小高達數十GB。晶片設計資料特別是在陣列區中併有許多結構重用。如上文提及，KLA-Tencor具有表示晶片設計資料之被稱為一光罩設計檔案(RDF)之一專屬格式。現今，軟體能夠產生一晶片之「設計」資訊之完整視圖，且在檢測中偵測到之缺陷可覆疊於該完整視圖之頂部上。覆疊之結果有助於一使用者查看跨整個光罩/晶粒之缺陷分佈。
現參考圖式，應注意，圖未按比例繪製。特定言之，極大地放大圖之一些元件之比例以強調該等元件之特性。亦應注意，圖未按相同比例繪製。已使用相同元件符號指示在一個以上圖中展示之可能類似組態之元件。除非本文中另有提及，否則所描述及展示之任何元件可包含任何適合市售元件。
一項實施例係關於一種經組態以產生在一樣品上偵測到之缺陷之一樣本的系統。在一項實施例中，樣品包含一晶圓。在另一實施例中，樣品包含一光罩。晶圓及光罩可包含此項技術中已知之任何晶圓及光罩。
在圖1中展示此一系統之一實施例。系統包含一輸出獲取子系統，該輸出獲取子系統包含至少一能量源及一偵測器。該能量源經組態以產生引導至一樣品之能量。該偵測器經組態以偵測來自該樣品之能量且回應於該經偵測能量產生輸出。
在一項實施例中，引導至樣品之能量包含光，且自樣品偵測之能量包含光。例如，在圖1中展示之系統之實施例中，輸出獲取子系統10包含經組態以將光引導至樣品14之一照明子系統。照明子系統包含至少一個光源。例如，如圖1中展示，照明子系統包含光源16。在一項實施例中，照明子系統經組態以依一或多個入射角(其可包含一或多個傾斜角及/或一或多個法線角)將光引導至樣品。例如，如圖1中展示，將來自光源16之光引導穿過光學元件18且接著穿過透鏡20而至光束分離器21，光束分離器21以一法線入射角將光引導至樣品14。入射角可包含任何適合入射角，其可取決於例如樣品之特性及待在樣品上偵測之缺陷而變化。
照明子系統可經組態以在不同時間以不同入射角將光引導至樣品。例如，輸出獲取子系統可經組態以更改照明子系統之一或多個元件之一或多個特性使得可依不同於圖1中所展示之入射角之一入射角將光引導至樣品。在一個此實例中，輸出獲取子系統可經組態以使光源16、光學元件18及透鏡20移動使得以一不同入射角將光引導至樣品。
在一些例項中，輸出獲取子系統可經組態以同時以一個以上入射角將光引導至樣品。例如，照明子系統可包含一個以上照明通道，該等照明通道之一者可包含如圖1中展示之光源16、光學元件18及透鏡20，且該等照明通道之另一者(未展示)可包含可不同地或相同地組態之類似元件，或可包含至少一光源及可能一或多個其他組件，諸如本文中進一步描述之組件。若將此光與另一光同時引導至樣品，則以不同入射角引導至樣品之光之一或多個特性(例如，波長、偏光等)可不同，使得由以不同入射角照明樣品產生之光可在(若干)偵測器處彼此區別。
在另一例項中，照明子系統可僅包含一個光源(例如，圖1 中展示之源16)且來自光源之光可藉由照明子系統之一或多個光學元件(未展示)(例如，基於波長、偏光等)分離至不同光學路徑中。接著，可將不同光學路徑之各者中之光引導至樣品。多個照明通道可經組態以同時或在不同時間(例如，當使用不同照明通道循序地照明樣品時)將光引導至樣品。在另一例項中，相同照明通道可經組態以在不同時間將具有不同特性之光引導至樣品。例如，在一些例項中，光學元件18可組態為一光譜濾光片，且光譜濾光片之性質可以多種不同方式(例如，藉由換出光譜濾光片)改變使得可在不同時間將不同波長之光引導至樣品。照明子系統可具有此項技術中已知之用於以不同或相同入射角循序地或同時地將具有不同或相同特性之光引導至樣品之任何其他適合組態。
在一項實施例中，引導至樣品之能量包含藉由一寬頻電漿(BBP)光源產生之光。例如，光源16可包含一BBP光源。以此方式，由光源產生且引導至樣品之光可包含寬頻光。然而，光源可包含任何其他適合光源，諸如一雷射。雷射可包含此項技術中已知之任何適合雷射，且可經組態以產生此項技術中已知之一或多個任何適合波長之光。另外，雷射可經組態以產生單色或近單色之光。以此方式，雷射可為一窄頻雷射。光源亦可包含產生在多個離散波長或波帶下之光的一多色光源。
可藉由透鏡20將來自光學元件18之光聚焦至光束分離器21。儘管透鏡20在圖1中被展示為一單一折射光學元件，然應瞭解，實務上，透鏡20可包含組合地將來自光學元件之光聚焦至樣品之若干折射及/或反射光學元件。在圖1中展示且在本文中描述之照明子系統可包含任何其他適合光學元件(未展示)。此等光學元件之實例包含但不限於(若干)偏光組件、(若干)光譜濾光片、(若干)空間濾光片、(若干)反射光學元件、 (若干)變跡器、(若干)光束分離器、(若干)孔徑及類似者，其可包含此項技術中已知之任何此等適合光學元件。另外，系統可經組態以基於待用於輸出獲取之照明之類型更改照明子系統之元件之一或多者。
輸出獲取子系統亦可包含經組態以引起光在樣品上方掃描之一掃描子系統。例如，輸出獲取子系統可包含載物台22，樣品14在輸出獲取期間安置於載物台22上。掃描子系統可包含可經組態以使樣品移動使得光可在樣品上方掃描之任何適合機械及/或機器人總成(其包含載物台22)。另外或替代地，輸出獲取子系統可經組態使得輸出獲取子系統之一或多個光學元件執行光在樣品上方之某一掃描。可使光以任何適合方式在樣品上方掃描。
輸出獲取子系統進一步包含一或多個偵測通道。該一或多個偵測通道之至少一者包含一偵測器，該偵測器經組態以偵測歸因於藉由輸出獲取子系統照明樣品而來自樣品之光，且回應於該經偵測光產生輸出。例如，圖1中展示之輸出獲取子系統包含兩個偵測通道，一個偵測通道由集光器24、元件26及偵測器28形成且另一偵測通道由集光器30、元件32及偵測器34形成。如圖1中展示，兩個偵測通道經組態以依不同收集角收集及偵測光。在一些例項中，一個偵測通道經組態以偵測鏡面反射光，且另一偵測通道經組態以偵測未自樣品鏡面反射(例如，散射、繞射等)之光。然而，兩個或更多個偵測通道可經組態以偵測來自樣品之相同類型之光(例如，鏡面反射光)。儘管圖1展示包含兩個偵測通道之輸出獲取子系統之一實施例，然輸出獲取子系統可包含不同數目個偵測通道(例如，僅一偵測通道或兩個或更多個偵測通道)。儘管集光器之各者在圖1中展示為單一折射光學元件，然應瞭解，集光器之各者可包含一或多個折射 光學元件及/或一或多個反射光學元件。
一或多個偵測通道可包含此項技術中已知之任何適合偵測器。例如，偵測器可包含光電倍增管(PMT)、電荷耦合裝置(CCD)及時間延遲積分(TDI)相機。偵測器亦可包含此項技術中已知之任何其他適合偵測器。偵測器亦可包含非成像偵測器或成像偵測器。以此方式，若偵測器為非成像偵測器，則偵測器之各者可經組態以偵測散射光之特定特性(諸如強度)但可未經組態以偵測依據在成像平面內之位置而變化之此等特性。因而，藉由包含於輸出獲取系統之偵測通道之各者中之偵測器之各者產生的輸出可為信號或資料而非影像信號或影像資料。在此等例項中，系統之一電腦子系統(諸如電腦子系統36)可經組態以自偵測器之非成像輸出產生樣品之影像。然而，在其他例項中，偵測器可組態為經組態以產生成像信號或影像資料之成像偵測器。因此，系統可經組態以依若干方式產生本文中描述之輸出。
應注意，本文中提供圖1以大體繪示可包含於本文中描述之系統實施例中之一輸出獲取子系統之一組態。顯然，可更改本文中描述之輸出獲取子系統組態以最佳化系統之效能，如通常在設計一商業檢測、缺陷檢視或其他系統時執行。另外，可使用諸如光學檢測及/或缺陷檢視工具(諸如商業上可購自KLA-Tencor之28xx及29xx系列之工具及商業上可購自其他來源之其他工具)之一現有輸出獲取系統(例如，藉由將本文中描述之功能性添加至一現有輸出獲取系統)來實施本文中描述之系統。對於一些此等系統，可將本文中描述之方法提供為系統之選用功能性(例如，除系統之其他功能性之外)。替代地，本文中描述之系統可「從頭開始」設計以提供一全新系統。
系統之電腦子系統36可以任何適合方式(例如，經由一或多個傳輸媒體，其可包含「有線」及/或「無線」傳輸媒體)耦合至輸出獲取子系統之偵測器，使得電腦子系統可接收在掃描樣品期間藉由偵測器產生之輸出。電腦子系統36可經組態以執行如本文中描述之使用偵測器之輸出的若干功能及本文中進一步描述之任何其他功能。此電腦子系統可如本文中描述般進一步組態。
此電腦子系統(以及本文中描述之其他電腦子系統)在本文中亦可稱為(若干)電腦系統。本文中描述之(若干)電腦子系統或系統之各者可採取各種形式，包含一個人電腦系統、影像電腦、主機電腦系統、工作站、網路器具、網際網路器具或其他裝置。一般而言，術語「電腦系統」可廣泛定義為涵蓋具有執行來自一記憶媒體之指令之一或多個處理器的任何裝置。(若干)電腦子系統或系統亦可包含此項技術中已知之任何適合處理器，諸如一平行處理器。另外，(若干)電腦子系統或系統可包含具有高速處理能力及軟體之一電腦平台作為一獨立工具或一網路工具。
若系統包含一個以上電腦子系統，則不同電腦子系統可彼此耦合使得可如本文中進一步描述在電腦子系統之間發送影像、資料、資訊、指令等。例如，電腦子系統36可藉由任何適合傳輸媒體(其可包含此項技術中已知之任何適合有線及/或無線傳輸媒體)耦合至(若干)電腦子系統102(如圖1中以虛線展示)。兩個或更多個此等電腦子系統亦可藉由一共用電腦可讀儲存媒體(未展示)有效地耦合。
儘管上文將輸出獲取子系統描述為一基於光學或基於光之輸出獲取子系統，然輸出獲取子系統可為一基於電子束之輸出獲取子系統。例如，在一項實施例中，引導至樣品之能量包含電子，且自樣品偵測 之能量包含電子。以此方式，能量源可為一電子束源。在圖2中展示之一項此實施例中，輸出獲取子系統包含耦合至電腦子系統124之電子柱122。
亦如圖2中展示，電子柱包含電子束源126，電子束源126經組態以產生藉由一或多個元件130聚焦至樣品128之電子。電子束源可包含例如一陰極源或射極尖端，且一或多個元件130可包含例如一槍透鏡、一陽極、一限束孔徑、一閘閥、一束電流選擇孔徑、一物鏡及一掃描子系統，其全部可包含此項技術中已知之任何此等適合元件。
自樣品返回之電子(例如，二次電子)可藉由一或多個元件132聚焦至偵測器134。一或多個元件132可包含例如一掃描子系統，該掃描子系統可為包含於(若干)元件130中之相同掃描子系統。
電子柱可包含此項技術中已知之任何其他適合元件。另外，電子柱可如以下各者中描述般進一步組態：於2014年4月4日頒予Jiang等人之美國專利第8,664,594號；於2014年4月8日頒予Kojima等人之美國專利第8,692,204號；於2014年4月15日頒予Gubbens等人之美國專利第8,698,093號；及於2014年5月6日頒予MacDonald等人之美國專利第8,716,662號，該等案宛如全文闡述以引用的方式併入本文中。
儘管圖2中將電子柱展示為經組態使得電子以一傾斜入射角引導至樣品且以另一傾斜角自樣品散射，然應瞭解，電子束可以任何適合角度引導至樣品及自樣品散射。另外，基於電子束之子系統可經組態以使用多個模式(例如，運用不同照明角、收集角等)產生樣品之影像。基於電子束之子系統之多個模式可在子系統之任何影像產生參數方面不同。
電腦子系統124可如上文描述般耦合至偵測器134。偵測器 可偵測自樣品之表面返回之電子，藉此形成樣品之電子束影像。電子束影像可包含任何適合電子束影像。電腦子系統124可經組態以使用偵測器之輸出及/或電子束影像來執行本文中描述之功能之任一者。電腦子系統124可經組態以執行本文中描述之(若干)任何額外步驟。包含圖2中展示之輸出獲取子系統之一系統可如本文中描述般進一步組態。
應注意，本文中提供圖2以大體繪示可包含於本文中描述之實施例中之一基於電子束之輸出獲取子系統之一組態。如同上文描述之光學輸出獲取子系統，可更改本文中描述之基於電子束之輸出獲取子系統組態以最佳化輸出獲取子系統之效能，如通常在設計一商業檢測或缺陷檢視系統時所執行。另外，可使用諸如商業上可購自KLA-Tencor之eDR-xxxx系列工具之一現有缺陷檢視系統(例如，藉由將本文中描述之功能性添加至一現有檢測或缺陷檢視系統)來實施本文中描述之系統。對於一些此等系統，可將本文中描述之方法提供為系統之選用功能性(例如，除系統之其他功能性之外)。替代地，本文中描述之系統可「從頭開始」設計以提供一全新系統。
儘管上文將輸出獲取子系統描述為一基於光或基於電子束之輸出獲取子系統，然輸出獲取子系統可為一基於離子束之輸出獲取子系統。此一輸出獲取子系統可如圖2中展示般組態，惟電子束源可由此項技術中已知之任何適合離子束源取代除外。另外，輸出獲取子系統可為任何其他適合基於離子束之子系統，諸如包含於市售聚焦離子束(FIB)系統、氦離子顯微鏡(HIM)系統及二次離子質譜儀(SIMS)系統中之基於離子束之子系統。
如上文提及，輸出獲取子系統經組態以使能量(例如，光或 電子)在樣品之一實體版本上方掃描，藉此產生樣品之實體版本之實際輸出(例如，影像)。以此方式，輸出獲取子系統可組態為一「實際」工具而非一「虛擬」工具。例如，圖1中展示之一儲存媒體(未展示)及(若干)電腦子系統102可組態為一「虛擬」工具。特定言之，儲存媒體及(若干)電腦子系統並非輸出獲取子系統10之部分且並不具有處置樣品之實體版本之任何能力。換言之，在組態為虛擬工具之工具中，其之一或多個「偵測器」之輸出可為先前藉由一實際工具之一或多個偵測器產生且儲存於虛擬工具中之輸出，且在「掃描」期間，虛擬工具可重播經儲存輸出，就像正在掃描樣品一樣。以此方式，運用一虛擬工具掃描樣品可看似就像正運用一實際工具掃描一實體樣品一樣，而實際上「掃描」僅涉及以與可掃描樣品相同之方式重播樣品之輸出。組態為「虛擬」檢測工具之系統及方法描述於2012年2月28日頒予Bhaskar等人之共同讓與之美國專利第8,126,255號及2015年12月29日頒予Duffy等人之美國專利第9,222,895號中，該兩案宛如全文闡述以引用的方式併入本文中。本文中描述之實施例可如此等專利中描述般進一步組態。例如，本文中描述之一或多個電腦子系統可如此等專利中描述般進一步組態。另外，將一或多個虛擬系統組態為一中央運算及儲存(CCS)系統可如上文引用之Duffy之專利中所描述般執行。本文中描述之永久儲存機制可具有分佈式運算及儲存(諸如CCS架構)，但本文中所描述之實施例不限於該架構。
包含於本文中描述之實施例中之輸出獲取子系統可經組態以運用多個模式產生樣品之輸出(例如，影像)。一般而言，一「模式」可藉由用於產生一樣品之輸出(例如，影像)之輸出獲取子系統之參數之值定義。因此，不同之模式可在輸出獲取子系統之參數之至少一者之值方面不 同。例如，在一基於光學之輸出獲取子系統之一項實施例中，多個模式之至少一者使用至少一個波長之光用於照明，該光不同於用於多個模式之至少一個其他模式之照明的至少一個波長之光。模式可如本文中針對不同模式進一步描述般(例如，藉由使用不同光源、不同光譜濾光片等)在照明波長方面不同。在另一實施例中，多個模式之至少一者使用輸出獲取子系統之一照明通道，該照明通道不同於用於多個模式之至少一個其他模式之輸出獲取子系統之一照明通道。例如，如上文提及，輸出獲取子系統可包含一個以上照明通道。因而，不同照明通道可用於不同模式。
在一項實施例中，輸出獲取子系統組態為一檢測子系統。例如，本文中描述之光學及電子束輸出獲取子系統可經組態為檢測工具。在另一實施例中，輸出獲取子系統組態為一度量子系統。例如，本文中描述之光學及電子束輸出獲取子系統可組態為度量工具。在另一實施例中，輸出獲取子系統組態為一缺陷檢視工具。例如，本文中描述之光學及電子束輸出獲取子系統可經組態用於缺陷檢視應用。特定言之，在本文中描述且在圖1及圖2中展示之輸出獲取子系統之實施例可取決於其將用於之應用而在一或多個參數方面修改以提供不同能力。在一個此實例中，圖1中展示之輸出獲取子系統可經組態以在待用於度量而非用於檢測時具有一較高解析度。換言之，圖1及圖2中展示之輸出獲取子系統之實施例描述用於一輸出獲取子系統之一些一般組態及各種組態，該等組態可依熟習此項技術者將顯而易見之若干方式定製以產生具有或多或少適於不同應用之不同能力的輸出獲取子系統。
上文描述之一或多個電腦子系統經組態以基於藉由偵測器產生之輸出偵測樣品上之缺陷，以藉此產生一組經偵測缺陷。本文中描述 之(若干)電腦子系統可經組態以依任何適合方式(例如，藉由將一臨限值應用於輸出及將具有高於臨限值之一或多個值的輸出識別為一缺陷或可能缺陷且不將具有低於臨限值之一或多個值的輸出識別為一缺陷或可能缺陷)偵測樣品上之缺陷。在樣品上偵測到之缺陷可包含此項技術中已知之任何缺陷。以此方式，本文中描述之(若干)電腦子系統可產生一組經偵測缺陷。
藉由一或多個電腦子系統針對該組經偵測缺陷產生之結果可包含藉由一檢測程序及/或可能一缺陷檢視程序在樣品上偵測到之缺陷之資訊。資訊可包含缺陷之一或多個屬性之資訊。一或多個缺陷屬性可包含可藉由一檢測或缺陷檢視系統或自藉由一檢測或缺陷檢視系統產生之結果判定的任何缺陷屬性。可包含於缺陷偵測結果中之適合缺陷屬性之實例包含但不限於能量、量值、晶粒座標及設計屬性。缺陷偵測結果可包含關於在樣品上偵測到之缺陷之任何其他適合資訊，諸如在樣品上偵測到之缺陷之位置及針對缺陷產生之影像資料或影像。
一或多個電腦子系統進一步經組態以：針對在樣品上之一陣列區中偵測到之缺陷，其中該陣列區包含多個陣列胞類型，基於該多個陣列胞類型堆疊該等缺陷之資訊。堆疊包含覆疊僅該多個陣列胞類型之一第一者之設計資訊與僅在該多個陣列胞類型之該第一者中偵測到之該等缺陷的資訊。僅在該多個陣列胞類型之該第一者中偵測到之該等缺陷的資訊包含在該多個陣列胞類型之該第一者內之該等缺陷的位置。以此方式，本文中描述之實施例基於陣列胞類型識別及堆疊缺陷。
在圖3中展示一晶粒或晶片佈局之一非常通用實例以繪示及促進對本文中使用之一些術語之理解。應注意，圖3中展示之任何事物 不意欲表示任何特定裝置及/或晶片之任何特定設計及可包含於其中之任何圖案化特徵。在此實例中，晶粒300包含邏輯區域302及陣列區域304。(晶粒可包含圖3中為簡單起見未展示之其他額外區域及區)。邏輯區域302可包含特性(諸如大小、間距(或週期)、定向及形狀)差異很大且不一定以一相對較高頻率重複之圖案化特徵。相比之下，陣列區域一般包含設計為相同且以一相對較高頻率重複之圖案化特徵。
一佈局中之最小可重用單元被稱為一「胞」。一典型設計具有多個類型之陣列胞，且陣列胞之各者可包含不同類型之位元胞。例如，如圖3中展示，陣列區域304可包含不同陣列區，在此實例中包含陣列區304a、304b及304c。陣列區之各者可包含不同類型之位元胞。在一項此實例中，如陣列區304c中展示，位元胞306可形成於其中。陣列區304a及304b亦可包含位元胞(圖3中未展示)。一陣列區中之位元胞之各者可具有相同設計。換言之，陣列區之任一者中之位元胞之各者中之圖案化特徵的佈局及特性可設計為相同的。若陣列區304a、304b及304c包含不同類型之位元胞，則陣列區304a中之位元胞可不同於陣列區304b及304c中之位元胞。另外，陣列區304b中之位元胞可不同於陣列區304a及304c中之位元胞，且陣列區304c中之位元胞可不同於陣列區304a及304b中之位元胞。
以此方式，陣列區304a、304b及304c可為具有不同目的之不同類型之陣列區。在一個此實例中，不同陣列區可為形成於晶粒中之不同記憶體裝置之部分。特定言之，陣列區304a可為形成於晶粒中之一第一類型之記憶體裝置之部分，陣列區304b可為形成於晶粒中之一第二類型之記憶體裝置之部分，且陣列區304c可為形成於晶粒中之一第三類型之記 憶體裝置之部分。第一類型、第二類型及第三類型之記憶體裝置可全部彼此不同。在另一實例中，不同陣列區可為具相同類型但具有彼此不同之特性的不同記憶體裝置之部分。例如，陣列區之兩者可為具有彼此不同之特性之靜態隨機存取記憶體(SRAM)裝置。
包含於一裝置中之陣列胞類型之清單可在光罩設計檔案內部獲得。然而，現今，系統及方法並未使用此陣列胞或位元胞位置資訊用於取樣。例如，現今未在任何先進檢測工具特徵中利用胞名稱及位置資訊。然而，本文中描述之實施例利用來自陣列內容背景之此資訊用於此特徵。
在一些實施例中，堆疊步驟包含分別覆疊多個陣列胞類型之一或多個其他陣列胞類型之設計資訊與僅在多個陣列胞類型之該一或多個其他陣列胞類型中偵測到之缺陷的資訊。例如，儘管本文中僅關於多個胞類型之一個(或一第一)胞類型描述一些實施例，然本文中描述之實施例可針對多個胞類型之一或多者各別地執行如本文中描述之堆疊。以此方式，堆疊可包含：覆疊多個陣列胞類型之一第一者之設計資訊與僅在多個陣列胞類型之該第一者中偵測到之缺陷的資訊；覆疊多個陣列胞類型之一第二者之設計資訊與僅在多個陣列胞類型之該第二者中偵測到之缺陷的資訊；覆疊多個陣列胞類型之一第三者之設計資訊與僅在多個陣列胞類型之該第三者中偵測到之缺陷的資訊；等等。以此方式，堆疊不必僅限於多個胞類型之一第一者。代替性地，可如本文中描述般針對全部胞類型執行堆疊。
另外，如本文中進一步描述(例如，在圖5中展示之使用者介面中)，若針對一個以上胞類型執行堆疊，則使用者介面可經組態以容 許一使用者揀取胞類型之一者以使用缺陷堆疊資訊查看/執行一或多個取樣操作。因此，若針對一個以上胞類型執行堆疊，則可針對一使用者各別地或共同地顯示堆疊結果，使用者可選取顯示哪些堆疊結果，且可如本文中進一步描述般針對多個胞類型之各者各別地執行取樣(例如，針對不同胞類型運用不同偏置參數)。
更明確言之，在上文描述之堆疊步驟(較佳針對彼此不同且因此可具有形成於其中之不同位元胞之陣列胞類型各別地執行堆疊步驟)中，針對其執行堆疊之陣列胞類型之陣列或位元胞中之缺陷的位置可用於將在該陣列胞類型中之陣列或位元胞之多個例項內偵測到的全部缺陷組合或堆疊至陣列胞類型之一單一例項中。接著，可覆疊該等缺陷之各者之資訊(例如，胞內位置)與陣列胞類型之該單一例項之設計資訊以藉此繪示胞之各者內之缺陷之各者相對於胞之一者中之圖案化特徵之位置(即，胞之設計資料)。因此，堆疊結果可繪示胞內之缺陷位置與胞內之圖案化特徵之位置的相關性。因此，堆疊結果可用於判定關於缺陷之額外資訊，諸如哪些缺陷在一胞內之任何給定位置處重複、缺陷在一胞內之任何給定位置處重複之頻率、胞內之一區域內之缺陷之密度，及胞內之哪些圖案化特徵或區域與其他圖案化特徵或區域相比更容易出現缺陷。如本文中進一步描述，此資訊可藉由本文中描述之實施例使用及/或傳達給一使用者使得其可以多種不同方式偏置自經偵測缺陷產生之一缺陷樣本。
在一個特定實例中，如圖4中展示，陣列區400可包含在陣列區內反覆重複之相同胞類型之若干不同例項。可在胞類型之一單一例項之設計資訊上覆疊在全部相同類型之胞中偵測到之缺陷。例如，如陣列區400中展示，圖4中展示之此陣列區之部分包含在x及y兩者上重複之相同 胞類型之若干例項。接著，在相同類型之全部該等胞例項中偵測到之缺陷的胞內位置及該胞類型之設計資料可用於產生具有在全部胞例項中偵測到之缺陷之各者之位置的指示符之該胞類型之僅一個例項的一表示。以此方式，可將相同類型之胞之全部(或至少一些)例項之缺陷檢測結果「堆疊」至胞之一個單一例項中且覆疊於該胞類型之一圖形表示上。例如，如堆疊結果402中展示，其展示胞之一個例項，其中在相同胞類型之全部例項中偵測到之全部缺陷位置展示為覆疊於該例項中。以此方式，可如本文中進一步描述般使用本文中描述之實施例之胞堆疊結果執行取樣。
儘管諸如商業上可購自KLA-Tencor之iDO之構件及擾亂點事件過濾器(NEF)可用，但現今自陣列區取樣仍為手動執行的且非常繁瑣的。現今取樣之時間在3小時至5小時之間且可涉及多個取樣例項。然而，預期本文中描述之基於陣列區中之胞堆疊之實施例在少於一個小時內執行之一次反覆內以一半自動方式改良取樣效能(其中取樣全部所關注缺陷(DOI)類型)。
在一項實施例中，僅在多個陣列胞類型之第一者中偵測到之缺陷的資訊包含僅在樣品上之陣列區中之多個陣列胞類型之第一者之一個以上例項中偵測到之缺陷的資訊。例如，如本文中進一步描述，一晶粒或晶片上之一陣列區域可包含多個陣列區，且陣列區域中之任一陣列區可包含一單一陣列胞類型之多個例項。特定言之，如圖3中展示，陣列區域304包含陣列區304a、304b及304c，且陣列區304c可包含位元胞306之多個例項，該等例項之各者可為相同類型。因此，在針對該陣列區之堆疊步驟中使用之缺陷資訊可包含在單一胞類型之至少兩個例項中偵測到之缺陷的缺陷資訊，該至少兩個例項可包含該單一胞類型之全部例項或該單一胞 類型之至少一些例項(即，少於單一胞類型之全部例項)。
在另一實施例中，針對其執行堆疊之陣列區僅包含形成於樣品上之陣列區之一個例項。例如，在本文中描述之樣品(諸如晶圓及光罩)上，可形成晶片或晶粒之多個例項。以此方式，包含於晶片或晶粒中之陣列區域及陣列區之各者之多個例項可形成於晶圓或光罩上。在一個此實例中，圖3中展示之晶粒300可在一晶圓或光罩之不同區域中多次形成於該晶圓或光罩上。因此，陣列區域及形成於其中之陣列區之各者之多個例項將形成於樣品上。然而，在上文描述之實施例中，可僅在樣品上之該多個例項之一者中執行堆疊。特定言之，可僅針對形成於一樣品上之晶粒300之僅一個例項中的陣列區304c執行堆疊。然而，亦可各別地針對形成於樣品上之晶粒300之任一其他例項中之任何其他陣列區執行堆疊。在一個此實例中，可僅針對形成於一樣品上之晶粒300之一個例項中的陣列區304c執行堆疊，且亦可各別地僅針對形成於該樣品上之該晶粒之一不同例項中的陣列區304c執行堆疊。以此方式，可各別地針對形成於一樣品上之不同晶粒中之相同類型之陣列區及因此陣列胞類型執行堆疊。在另一此實例中，可僅針對形成於該樣品上之晶粒300之一個例項中的陣列區304c執行堆疊，且亦可各別地僅針對形成於樣品上之晶粒300之相同例項中的陣列區304b執行堆疊。在此實例中，可未針對形成於樣品上之任何其他晶粒執行堆疊。
在一額外實施例中，僅在多個陣列胞類型之第一者中偵測到之缺陷的資訊包含僅在樣品上之陣列區之一個以上例項中的多個陣列胞類型之第一者之一個以上例項中偵測到之缺陷的資訊。例如，如上文描述，在本文中描述之樣品(諸如晶圓及光罩)上，可形成晶片或晶粒之多個 例項。以此方式，包含於晶片或晶粒中之陣列區域及陣列區之各者之多個例項可形成於晶圓或光罩上。在一個此實例中，圖3中展示之晶粒300可在一晶圓或光罩之不同區域中多次形成於該晶圓或光罩上。因此，陣列區域及形成於其中之陣列區之各者之多個例項將形成於樣品上。
然而，不同於上文描述之實施例，在此實施例中，可針對樣品上之該多個例項之一個以上例項執行堆疊。特定言之，可僅針對形成於一樣品上之晶粒300之一個以上例項中的陣列區304a執行堆疊。然而，亦可各別地針對形成於樣品上之晶粒300之一個以上例項中的任何其他陣列區執行堆疊。在一個此實例中，可僅針對形成於一樣品上之晶粒300之一個以上例項中的陣列區304c執行堆疊。以此方式，可針對形成於一樣品上之不同晶粒中之相同類型之陣列區及因此陣列胞類型共同地執行堆疊。在另一此實例中，可僅針對形成於樣品上之晶粒300之一個以上例項中的陣列區304c執行堆疊，且亦可各別地僅針對形成於樣品上之晶粒300之一個以上例項中的陣列區304b執行堆疊。
可以若干不同方式判定是針對一樣品上之一晶粒之一單一例項中之一陣列區域之一單一例項中的一陣列區之一單一例項還是針對一陣列區之一個以上例項及/或樣品上之一晶粒之一個以上例項中之陣列區域之一個以上例項執行堆疊。例如，可基於樣品之特性判定堆疊之參數。在一個此實例中，若已知一樣品(諸如一晶圓)之特定區域具有明顯不同於該晶圓之其他區域之雜訊特性，則可各別地針對具有不同雜訊特性之區域分別執行堆疊及/或可不對全部區域(例如，未在晶圓之尤其是有雜訊區域中)執行堆疊。在另一實例中，可基於缺陷偵測結果判定堆疊之參數。在一個此實例中，可基於提供具統計意義之堆疊結果所需之陣列胞類型之例 項數目來判定任一陣列胞類型(其之缺陷資訊係用於任一堆疊步驟)之例項數目(例如，若每陣列胞類型偵測到較少缺陷，則可堆疊更多陣列胞類型例項之缺陷資訊以提供有意義的結果)。在一額外實例中，可藉由一使用者選擇堆疊步驟之參數。在一個此實例中，本文中描述之實施例可(例如，經由本文中進一步描述之使用者介面實施例之一者)為一使用者提供堆疊參數之選項。接著，使用者可基於其感興趣之資訊選擇參數，諸如陣列區域或區之多少個例項及/或哪些例項及/或哪一陣列胞類型用於堆疊步驟。在一個特定此實例中，使用者可僅對堆疊定位於樣品上之一特定區域中之僅一個特定陣列胞類型之例項(例如，僅形成於樣品邊緣附近之例項)的缺陷資訊感興趣。因此，本文中描述之實施例在如何執行堆疊步驟方面提供顯著靈活性。
在一些實施例中，陣列區包含用樣品形成之一裝置之一靜態隨機存取記憶體(SRAM)陣列區。例如，本文中描述之實施例可用於使用設計意圖取樣相關SRAM缺陷類型。然而，本文中描述之實施例可用於自形成於一樣品上之任何類型之記憶體區域取樣缺陷。另外，陣列區可包含此項技術中已知之任何SRAM陣列區。換言之，本文中描述之實施例並不被認為限於可針對其執行堆疊及取樣之陣列區類型。
在一項實施例中，在堆疊中與僅在多個陣列胞類型之第一者中偵測到之缺陷的資訊覆疊之設計資訊包含多個陣列胞類型之第一者中之圖案化特徵之一圖形表示。例如，如圖4中展示，可覆疊針對其執行堆疊步驟之陣列胞類型中之缺陷的資訊與陣列胞類型中之圖案化特徵的一二維圖形表示。圖形表示可自設計資料產生且可簡單為在設計中定義圖案化特徵時表示該等圖案化特徵之多邊形之一二維表示。亦可藉由模擬針對其 執行堆疊步驟之陣列胞類型中的圖案化特徵將如何出現在藉由輸出獲取子系統及/或(若干)電腦子系統產生之樣品之影像中而自設計資料產生圖形表示。例如，模擬可採取設計資料作為輸入且可模擬用於在樣品上形成圖案化特徵之製作步驟及經執行以產生圖案化特徵之一影像之輸出獲取。圖形表示亦可為藉由本文中描述之輸出獲取子系統及/或(若干)電腦子系統產生之樣品的一影像。在另一實例中，在樣品上形成圖案化特徵時或在自樣品之一較低解析度影像產生之設計資料中定義圖案化特徵時，圖形表示可為圖案化特徵之一高解析度影像。特定言之，可使用一深度學習模型自樣品之一較低解析度影像產生樣品之一較高解析度影像或樣品之設計資料，如在例如由Zhang等人於2017年7月6日發表之美國專利申請公開案第2017/0193680號及由Bhaskar等人於2017年7月13日發表之美國專利申請公開案第2017/0200265號中描述，該等案宛如全文闡述以引用的方式併入本文中。本文中描述之實施例可進一步如此等公開案中描述般組態。在任何情況中，藉由繪示圖案化特徵與覆疊於其上之缺陷，一使用者可容易理解圖案化特徵與缺陷之間之空間關係。
在另一實施例中，自樣品之設計資料產生僅多個陣列胞類型之第一者之設計資訊。例如，如本文中描述之對其執行堆疊步驟之第一(及其他)陣列胞類型不需要藉由一使用者產生或基於來自一使用者之輸入。替代地，當設計資料可用於檢測及/或陣列區缺陷取樣時，配方中之用於執行本文中描述之步驟的一指令可引起一或多個電腦子系統存取設計資料且在不需來自一使用者之任何輸入之情況下自設計資料產生第一(及可能其他)陣列胞類型之設計資訊。例如，在一進一步實施例中，一或多個電腦子系統經組態以基於樣品之設計資料且在不需來自一使用者之輸入 之情況下識別多個陣列胞類型。以此方式，可在不需來自一使用者之輸入之情況下自動地產生第一(及可能其他)陣列胞類型之設計資訊，且可在不需來自一使用者之輸入之情況下藉由本文中描述之(若干)電腦子系統自動地識別陣列胞類型。因此，本文中描述之多個陣列胞類型不同於使用者定義之關注區域(即，其中待在一檢測相關程序中執行特定步驟之區域)，此係因為本文中描述之實施例不需要一使用者藉由識別多個陣列胞類型及/或產生或選擇多個陣列胞類型之設計資訊而手動地設置多個陣列胞類型。
在一些實施例中，系統包含經組態用於向一使用者顯示堆疊之結果及針對多個陣列胞類型偏置樣本之選項且自使用者接收針對偏置選擇之選項的一使用者介面，且一或多個電腦子系統經組態用於基於經接收選項選擇經偵測缺陷之部分。代替在晶圓檢測器軟體之檢視模式中顯示整個設計檔案及缺陷之覆疊，使用者介面可僅提供堆疊之結果(其可包含如本文中進一步描述之多種資訊)及可用偏置選項。以此方式，使用者介面可提供一「胞視圖」。為實現此，可將SRAM輪廓層(例如，圍繞存在於一晶粒內之全部SRAM區塊之一邊界框)或其他類型之陣列區輪廓層識別為本文中描述之RDF或其他設計資訊之部分。
可藉由來自一或多個電腦子系統之資訊提供使用者介面及/或使用該資訊產生使用者介面。例如，使用者介面104可如圖1中展示耦合至(若干)電腦子系統102，使得使用者介面係藉由(若干)電腦子系統提供之資訊產生及/或使用藉由(若干)電腦子系統提供之資訊。使用者介面亦可為(若干)電腦子系統之部分且可包含此項技術中已知之任何適合硬體及/或軟體組件。使用者介面104可如參考圖5描述般進一步組態。
在上文描述之使用者介面之一項實施例中，如圖5中展 示，使用者介面500可包含用於如何顯示檢測之結果之若干選項，該等選項可包含晶圓、設計及胞，如顯示選項欄標(tab)502中所展示。(儘管關於一晶圓在圖5中展示且在本文中描述使用者介面，然使用者介面亦可用於本文中描述之任何其他樣品)。當選擇胞視圖時，在使用者介面中展示胞堆疊之結果。在選擇胞視圖時，使用者介面可顯示全部(或一或多個)陣列胞類型之堆疊視圖及覆疊於該等陣列胞類型之頂部上之缺陷。例如，胞堆疊結果可展示為覆疊504，其包含一胞類型(在其上展示缺陷位置)之設計資料之一圖形表示。不同陣列胞類型內之缺陷之位置可基於藉由檢測工具報告之位置判定且可被識別為包含x及y胞位置(例如，「Cell_X」及「Cell_Y」)之缺陷屬性。在一些例項中，檢測工具或配方可能未將缺陷位置報告為陣列胞內位置。在此等例項中，本文中描述之實施例可將經報告之缺陷座標轉譯為胞內座標。設計資料之圖形表示可包含表示胞(顯示該胞之胞堆疊結果)之設計資料中之多邊形之位置、尺寸及其他特性的一二維圖式。然而，使用者介面中所展示之設計資料之圖形表示可為設計資料之任何其他適合表示，諸如其上印刷設計資料之一光罩之一影像、其上印刷設計資料之一晶圓之一影像、預期如何設計資料如何印刷於晶圓上之一模擬影像，及本文中進一步描述之其他表示。一般而言，可依將傳達經偵測缺陷位置與設計資料中之圖案化特徵之位置之間的空間關係之任何方式在胞堆疊結果中以圖形方式顯示設計資料。可藉由如圖5中展示之點在覆疊結果中指示缺陷，但可在本文中描述之使用者介面實施例中以任何其他適合方式在該等缺陷之胞內位置處以圖形方式繪示該等缺陷。
使用者介面亦可包含向一使用者顯示之多種其他資訊。在一個例項中，資訊可包含表506，表506可包含針對在胞中偵測到之個別 缺陷判定之資訊。取決於選擇哪一視圖(例如，晶圓、設計、胞)，其資訊包含於表中之缺陷可改變。例如，當選擇胞視圖時，表可包含僅在顯示其資訊之(若干)特定胞類型中之缺陷的資訊。表可包含藉由晶圓檢測及/或其他缺陷相關程序針對個別缺陷判定之任何資訊。在一些例項中，表可包含：一缺陷ID，如表506之ID欄中所展示；是否已取樣個別缺陷之各者之一指示(例如，可選中已選擇為在一樣本中之缺陷之樣本欄中的方框，且未選中尚未被選擇為在該樣本中之缺陷之樣本欄中的方框)；及針對缺陷判定之一性質，如表之性質欄中所展示。圖5中展示之性質欄可僅為包含於表中之缺陷性質之多個欄(未展示)之一者，且在表中可包含針對該等性質之各者之一欄。表中顯示之性質可包含藉由檢測判定之任何缺陷性質(諸如能量、量值、大小、位置、區等)及/或藉由任何其他缺陷相關程序判定之任何其他缺陷性質。
在另一實例中，資訊可包含長條圖508，長條圖508可包含在胞中偵測到之缺陷之資訊。包含於長條圖中之缺陷之資訊亦可如上文描述般基於選擇哪一視圖(晶圓、設計、胞)而改變。可針對沿x軸之不同缺陷類別產生長條圖。長條圖之y軸可展示包含於長條圖中之各缺陷分類中所包含之缺陷之數目。亦可產生其他長條圖並在使用者介面中展示。此等可包含針對一缺陷性質之每不同值範圍之缺陷計數、一胞內之每不同位置(或區域)之缺陷計數等。使用者介面可包含一使用者可選擇以藉此引起使用者介面顯示不同類型之長條圖的若干選項(未展示)。
在另一實例中，資訊可包含窗口510中展示之若干不同影像。可顯示使用者選擇之一個特定缺陷(其可藉由點擊堆疊結果中之一特定缺陷(「當前缺陷」)而選擇)之不同影像。例如，不同影像可包含一缺 陷影像、一參考影像及可藉由自缺陷影像減去參考影像而產生之一差異影像。可藉由本文中描述之輸出獲取子系統及/或(若干)電腦子系統產生不同影像。例如，可在檢測及/或檢視期間針對一缺陷產生缺陷影像、參考影像及差異影像。一般而言，對於在使用者介面中顯示之不同類型之資訊之任一者，使用者介面可容許如選擇一群組之缺陷、一當前缺陷等之操作，使得可取決於使用者之期望及需求客製化及改變資訊之顯示。
使用者介面可包含包含於檢測、檢視、度量等工具軟體中及/或藉由樣品檢測、檢視或度量產生之任何其他選項及資訊。例如，使用者介面可包含欄標之列512，該等欄標之各者在經選擇時顯示含有各種選項之一下拉式選單。如圖5中展示，欄標列可包含檔案、編輯、光學、檢視、視圖、工具及幫助欄標。在選擇此等欄標之任一者時顯示之下拉式選單可包含此項技術中已知之任何適合選項。使用者介面亦可包含用於所顯示之關於檢測、檢視或度量結果之選項的若干按鈕514。選項可包含用於選擇在使用者介面上顯示哪一「批次」之檢測、檢視或度量結果之一選擇批次選項。選項亦可包含用於自另一來源匯入檢測結果之一匯入檢測結果選項。
在一項此實施例中，堆疊之結果包含針對多個陣列胞類型之第一者及至少一個其他陣列胞類型各別地執行之堆疊之結果及在多個陣列胞類型中之經偵測缺陷之密度，且由使用者介面顯示之用於偏置之選項包含用於基於經偵測缺陷之密度偏置樣本之選項。以此方式，本文中描述之實施例容許一使用者檢查各陣列區上之缺陷密度且基於用於缺陷取樣之缺陷密度分佈偏置取樣。例如，本文中描述之實施例可利用將基於陣列胞類型中之缺陷密度接受偏置參數之一新的取樣使用者介面。
在另一此實施例中，堆疊之結果包含針對多個陣列胞類型之第一者及至少一個其他陣列胞類型各別地執行之堆疊之結果，且由使用者介面顯示之用於偏置之選項包含用於基於多個陣列胞類型偏置樣本之選項。以此方式，本文中描述之實施例提供容許針對陣列胞類型偏置之一新的缺陷取樣方法論及使用者介面。因此，本文中描述之實施例可確保未自一特定陣列區過取樣缺陷且實現基於陣列胞類型偏置樣本。例如，本文中描述之實施例可利用將基於陣列胞類型接受偏置參數之一新的取樣使用者介面(諸如圖5中展示之取樣使用者介面)。本文中描述之實施例容許使用者針對不同陣列類型微調此等輸入且定義一取樣方案。此將確保使用者現知道陣列內容背景且不僅可基於著陸於陣列區上之缺陷取樣，而且可基於陣列胞類型進行偏置。另外，本文中描述之實施例可實現基於陣列胞類型及其對應缺陷密度兩者進行偏置。
本文中描述之實施例亦可提供供使用者使用基於胞之參數(諸如胞x位置及胞y位置)作為用於取樣之屬性之部分的選項。運用胞視圖，使用者介面亦可支援顯示一熱圖以藉此幫助使用者區分胞堆疊中缺陷率較高之處。胞視圖中可支援諸如過濾之操作以協助使用者取樣。亦可具有對應於DOI及擾亂點類別碼之不同色碼且在胞視圖內顯示該等色碼。
在另一此實施例中，堆疊之結果包含針對多個陣列胞類型之第一者及至少一個其他陣列胞類型各別的執行之堆疊之結果，且使用者介面經組態以顯示供使用者選擇在使用者介面中顯示各別執行之堆疊之哪些結果的額外選項。例如，可在不同時間或同時顯示不同胞堆疊結果。換言之，儘管在圖5之使用者介面中展示僅針對一個胞類型之堆疊結果，然使用者介面較佳經組態以藉由對使用者提供在使用者介面中顯示之內容之 靈活性而使得可同時或根據使用者請求顯示不同堆疊結果。在一個此實例中，如圖5中展示，使用者介面可包含選項516，選項516可包含用於在樣品之設計中識別之不同胞類型之各者的一個選項。在圖5中展示之實例中，不同胞類型選項包含一第一陣列胞類型(「陣列1」)及一第二陣列胞類型(「陣列2」)，但可在使用者介面中以任何適合識別顯示任何數目個不同陣列胞類型。在一特定實例中，第一陣列胞類型可為一第一SRAM胞類型(例如，「SRAM1」或一第一SRAM區塊)，且第二陣列胞類型可為一第二SRAM胞類型(例如，「SRAM2」或一第二SRAM區塊)。
一或多個電腦子系統進一步經組態以基於堆疊之結果選擇經偵測缺陷之一部分，藉此產生經偵測缺陷之一樣本。選擇經偵測缺陷之部分可基於經由使用者介面自一使用者接收之偏置參數來執行。偏置參數可包含本文中描述之偏置參數之任何組合。亦可基於自使用者接收之任何其他輸入及/或經由包含於用於取樣之一配方中之指令來執行選擇。例如，可基於待取樣之缺陷之一預定數目(其可基於自使用者接收之偏置參數選擇)來執行選擇。替代地，可基於在陣列胞類型中偵測到之缺陷之總數目的一預定百分比來執行選擇。所選擇之經偵測缺陷將少於全部經偵測缺陷，此係因為本文中描述之取樣之目的係產生待用於(若干)其他步驟(諸如缺陷檢視、度量等)之一較小經偵測缺陷群體。
一或多個電腦子系統亦經組態用於基於經偵測缺陷之選定部分及經偵測缺陷之選定部分之資訊產生缺陷樣本結果。產生缺陷樣本結果可包含：收集藉由針對選定缺陷進行缺陷偵測而產生之資訊及將經收集資訊組合成不同於檢測結果檔案之一結果檔案。缺陷取樣結果檔案可具有可用於(若干)其他步驟(諸如上文描述之步驟，例如，檢測、檢視、度量 等)之任何適合格式。然而，產生缺陷樣本結果可包含用缺陷樣本資訊修改、更改或注釋檢測結果檔案。例如，檢測結果檔案可包含在樣品上偵測到之缺陷之一清單，該清單可包含一表(諸如圖5中展示之表506)中之資訊。若檢測結果檔案包含用於指示經偵測缺陷之各者(或一或多者)是否被選擇為在一樣本中的一欄，則可基於本文中描述之選擇步驟之結果更改該欄中之資訊。在另一實例中，可修改檢測結果檔案以包含此資訊，及/或可將缺陷之選定部分之資訊簡單注釋至檢測結果檔案。
本文中描述之實施例不一定產生子樣本(針對各陣列胞類型或位元胞類型產生一個子樣本)，但容許藉由視覺化及分析胞堆疊內之缺陷率而取樣缺陷。一使用者可基於缺陷率來判定將取樣偏置朝向(若干)特定位元胞或(若干)陣列胞，但無需實施本文中描述之並不直觀的理念。
晶粒堆疊及光罩堆疊之理念已長時間存在，因為其有助於識別晶粒或光罩內之圖徵及有問題區域，但考慮到一重複胞區塊之大小(通常為亞微米)，胞堆疊之理念且更重要的是具有胞堆疊視圖之應用係不明顯的。KLA-Tencor已發展出非常成功地提供NMOS/PMOS區之改良的靈敏度之專屬特徵。隨著吾人進一步開發在PMOS/NMOS區內解決DOI/擾亂點分離之特徵，出現了改良自胞內區取樣之需求。本文中描述之理念係新的且完全不同於主要集中於按區、關注區域群組等取樣之現有取樣方案及方法之任一者。
若設計中有足夠重複結構可用，則亦有可能擴展基於胞之取樣區。特定言之，若形成於樣品上之裝置之一邏輯區域中有足夠重複結構可用，則可對邏輯區域執行本文中描述之步驟。例如，在一項實施例中，一或多個電腦子系統經組態以針對在樣品上之一邏輯區中偵測到之缺 陷，邏輯區包含多個重複結構類型，基於多個重複結構類型進一步堆疊缺陷之資訊。此堆疊包含覆疊僅多個重複結構類型之一第一者之設計資訊與僅在多個重複結構類型之第一者中偵測到之缺陷的資訊，且僅在多個重複結構類型之第一者中偵測到之缺陷之資訊包含在多個重複結構類型之第一者內之缺陷的位置。一項此實施例亦包含基於此堆疊之結果選擇經偵測缺陷之另一部分及產生包含僅經偵測缺陷之該選定另一部分之資訊之經偵測缺陷的另一樣本。
可依與本文中關於陣列胞類型所描述相同之方式執行本文中針對重複結構類型描述之步驟。例如，可如本文中描述般執行步驟，其中用在邏輯區域中找到由重複結構類型取代之陣列胞類型。另外，可針對在邏輯區域中找到之不同重複結構類型各別地執行步驟。此外，亦可針對邏輯區域執行本文中描述之其他步驟之任一者。例如，(若干)電腦子系統可經組態以在不具有來自使用者之輸入之情況下基於樣品之設計資料自動地識別邏輯區域中之第一(及可能其他)多個重複結構類型。
本文中描述之實施例提供優於用於產生用於陣列區之缺陷樣本之當前可用方法及系統的若干優點。例如，若一使用者現今必須達成基於陣列胞類型取樣缺陷，則其需要識別全部SRAM類型且將其保持為不同關注區域群組碼。此設置需要基於各設計中之SRAM定義改變且係一非常手工的方法。另外，當前使用之方法及系統並非一穩健方法論。相比之下，本文中描述之實施例有利地為通用的。例如，本文中描述之實施例可基於設計檔案內部之SRAM定義自動地設置其自身。
缺陷對良率之關鍵性係位置相依的且終端使用者想要知道缺陷發生之準確位置且亦利用此資訊。運用設計整合，先進檢測工具已能 夠以更大準確度報告缺陷位置，且提供PMOS/NMOS缺陷之偵測及分離之增強的靈敏度之特徵已成功地改良靈敏度及減少擾亂點。進一步發展係針對在PMOS及NMOS內提供缺陷分離，但不存在用於對SRAM胞內之一特定部分處發生之缺陷取樣的簡單方式。本文中提出之理念使使用者能夠基於胞堆疊理解/視覺化缺陷率，且運用諸如過濾之操作，其容許分析在胞內之特定位置處發生之修補且幫助使用者臨時取樣。一旦經取樣缺陷經檢視及分類，便亦可容許使用者視覺化胞堆疊內之DOI/擾亂點之發生以幫助判定正確關注區域策略。
本文中描述之實施例之各者可如本文中描述般進一步組態。例如，本文中描述之實施例之一個以上實施例可組合至一單一實施例中。
另一實施例係關於一種用於產生在一樣品上偵測到之缺陷之一樣本的電腦實施方法。該方法包含用於上文描述之(若干)電腦子系統之功能之各者的步驟。
該方法之步驟之各者可如本文中進一步描述般執行。該方法亦可包含可藉由本文中描述之輸出獲取子系統及/或(若干)電腦子系統或系統執行之(若干)任何其他步驟。可藉由可根據本文中描述之實施例之任一者組態之一或多個電腦系統執行方法之步驟。另外，上文描述之方法可藉由本文中描述之系統實施例之任一者執行。
一額外實施例係關於一種儲存程式指令之非暫時性電腦可讀媒體，該等程式指令可在一電腦系統上執行以執行用於產生在一樣品上偵測到之缺陷之一樣本的一電腦實施方法。一個此實施例展示於圖6中。特定言之，如圖6中展示，非暫時性電腦可讀媒體600包含可在電腦系統 604上執行之程式指令602。電腦實施方法可包含本文中描述之(若干)任何方法之(若干)任何步驟。
實施諸如本文中描述之方法之方法的程式指令602可儲存於電腦可讀媒體600上。電腦可讀媒體可為一儲存媒體，諸如一磁碟或光碟、一磁帶或此項技術中已知之任何其他適合非暫時性電腦可讀媒體。
程式指令可以各種方法之任一者實施，包含基於程序之技術、基於組件之技術及/或物件導向之技術等。例如，程式指令可視需要使用ActiveX控制項、C++物件、JavaBeans、微軟基礎類別(「MFC」)、SSE(串流SIMD延伸)或其他技術或方法論實施。
電腦系統604可根據本文中所描述之實施例之任一者組態。
本文中描述之全部方法可包含將方法實施例之一或多個步驟之結果儲存於一電腦可讀儲存媒體中。該等結果可包含本文中描述之結果之任一者且可依此項技術中已知之任何方式儲存。儲存媒體可包含本文中描述之任何儲存媒體或此項技術中已知之任何其他適合儲存媒體。在已儲存結果之後，該等結果可在儲存媒體中存取且藉由本文中描述之方法或系統實施例之任一者使用、經格式化以顯示給一使用者、藉由另一軟體模組、方法或系統使用等。
在一項實例中，本文中描述之實施例可經組態以儲存缺陷取樣結果或將缺陷取樣結果匯出至另一系統或方法，使得可針對包含於樣本中之缺陷執行(若干)額外程序。此(若干)額外程序可包含缺陷檢視、缺陷度量、缺陷修復及類似者。以此方式，缺陷取樣結果可經儲存且可用於及/或匯出至一缺陷檢視系統及/或方法、一缺陷度量系統及/或方法、一缺 陷修復系統及/或方法及類似者。缺陷取樣結果亦可經儲存且藉由本文中描述之實施例及/或另一方法及/或系統使用以更改對樣品執行之導致樣品上之缺陷的程序。例如，樣本中之缺陷可用於判定在對樣品執行之缺陷偵測之前對樣品執行之一微影程序或一蝕刻程序的一或多個改變。以此方式，可較佳地更改程序以減少在對其執行程序之其他樣品上偵測到之缺陷之數目。
鑒於此描述，熟習此項技術者將明白本發明之各種態樣之進一步修改及替代實施例。例如，提供用於產生在一樣品上偵測到之缺陷之一樣本的方法及系統。因此，此描述應僅被理解為闡釋性的且用於教示熟習此項技術者實行本發明之一般方式之目的。應瞭解，在本文中展示及描述之本發明之形式應被視為當前較佳實施例。如熟習此項技術者在受益於本發明之此描述之後將明白，元件及材料可替換本文中所繪示及描述之元件及材料、部件及程序可顛倒，且可獨立地利用本發明之某些特徵。在不脫離如以下發明申請專利範圍中描述之本發明之精神及範疇之情況下，可對本文中描述之元件作出改變。
10:輸出獲取子系統
14:樣品
16:光源/源
18:光學元件
20:透鏡
21:光束分離器
22:載物台
24:集光器
26:元件
28:偵測器
30:集光器
32:元件
34:偵測器
36:電腦子系統
102:電腦子系統
104:使用者介面

Claims (21)

  1. 一種經組態以產生在一樣品上偵測到之缺陷之一樣本的系統，其包括： 一輸出獲取子系統，其包括至少一能量源及一偵測器，其中該能量源經組態以產生引導至一樣品之能量，且其中該偵測器經組態以偵測來自該樣品之能量及回應於該經偵測能量產生輸出；及 一或多個電腦子系統，其經組態以： 基於藉由該偵測器產生之該輸出偵測該樣品上之缺陷以藉此產生一組經偵測缺陷； 針對在該樣品上之一陣列區中偵測到之該等缺陷，其中該陣列區包含多個陣列胞類型，基於該多個陣列胞類型堆疊該等缺陷之資訊，其中該堆疊包括覆疊僅該多個陣列胞類型之一第一者之設計資訊與僅在該多個陣列胞類型之該第一者中偵測到之該等缺陷的該資訊，且其中僅在該多個陣列胞類型之該第一者中偵測到之該等缺陷的該資訊包括在該多個陣列胞類型之該第一者內之該等缺陷的位置； 基於該堆疊之結果選擇該等經偵測缺陷之一部分，藉此產生該等經偵測缺陷之一樣本；及 基於該等經偵測缺陷之該選定部分及該等經偵測缺陷之該選定部分之該資訊產生缺陷樣本結果。
  2. 如請求項1之系統，其中在該堆疊中與僅在該多個陣列胞類型之該第一者中偵測到之該等缺陷的該資訊覆疊之該設計資訊包括該多個陣列胞類型之該第一者中之圖案化特徵之一圖形表示。
  3. 如請求項1之系統，其中該堆疊進一步包括分別覆疊該多個陣列胞類型之一或多個其他陣列胞類型的設計資訊與僅在該多個陣列胞類型之該一或多個其他陣列胞類型中偵測到之該等缺陷的該資訊。
  4. 如請求項1之系統，其進一步包括經組態以向一使用者顯示該堆疊之該等結果及針對該多個陣列胞類型偏置該樣本之選項且自該使用者接收針對該偏置選擇之該等選項的一使用者介面，其中該一或多個電腦子系統進一步經組態以基於該等經接收選項選擇該等經偵測缺陷之該部分。
  5. 如請求項4之系統，其中該堆疊之該等結果包括針對該多個陣列胞類型之該第一者及至少一個其他陣列胞類型各別地執行之該堆疊的結果及該多個陣列胞類型中之該等經偵測缺陷之密度，且其中藉由該使用者介面顯示之用於該偏置之該等選項包括用於基於該等經偵測缺陷之該等密度偏置該樣本的選項。
  6. 如請求項4之系統，其中該堆疊之該等結果包括針對該多個陣列胞類型之該第一者及至少一個其他陣列胞類型各別的執行之該堆疊的結果，且其中藉由該使用者介面顯示之用於該偏置之該等選項包括用於基於該多個陣列胞類型偏置該樣本之選項。
  7. 如請求項4之系統，其中該堆疊之該等結果包括針對該多個陣列胞類型之該第一者及至少一個其他陣列胞類型各別地執行之該堆疊的結果，且其中該使用者介面進一步經組態以顯示供該使用者選擇在該使用者介面中顯示各別執行之該堆疊之該等結果中之哪些結果的額外選項。
  8. 如請求項1之系統，其中該陣列區包括用該樣品形成之一裝置之一靜態隨機存取記憶體陣列區。
  9. 如請求項1之系統，其中該一或多個電腦子系統進一步經組態以： 針對在該樣品上之一邏輯區中偵測到之該等缺陷，其中該邏輯區包含多個重複結構類型，進一步基於該多個重複結構類型堆疊該等缺陷之資訊，其中該進一步堆疊包括：覆疊僅該多個重複結構類型之一第一者之設計資訊與僅在該多個重複結構類型之該第一者中偵測到之該等缺陷的該資訊，且其中僅在該多個重複結構類型之該第一者中偵測到之該等缺陷之該資訊包括在該多個重複結構類型之該第一者內之該等缺陷的位置； 基於該進一步堆疊之結果選擇該等經偵測缺陷之另一部分；及 產生包括僅該等經偵測缺陷之該選定另一部分之資訊之該等經偵測缺陷的另一樣本。
  10. 如請求項1之系統，其中僅該多個陣列胞類型之該第一者之該設計資訊係自該樣品之設計資料產生。
  11. 如請求項1之系統，其中該一或多個電腦子系統進一步經組態用於基於該樣品之設計資料且在不具有來自一使用者之輸入之情況下識別該多個陣列胞類型。
  12. 如請求項1之系統，其中僅在該多個陣列胞類型之該第一者中偵測到之該等缺陷之該資訊包括僅在該樣品上之該陣列區中的該多個陣列胞類型之該第一者之一個以上例項中偵測到之該等缺陷的該資訊。
  13. 如請求項1之系統，其中針對其執行該堆疊之該陣列區僅包括形成於該樣品上之該陣列區之一個例項。
  14. 如請求項1之系統，其中僅在該多個陣列胞類型之該第一者中偵測到之該等缺陷之該資訊包括僅在該樣品上之該陣列區之一個以上例項中的該多個陣列胞類型之該第一者之一個以上例項中偵測到之該等缺陷的該資訊。
  15. 如請求項1之系統，其中該樣品包括一晶圓。
  16. 如請求項1之系統，其中該輸出獲取子系統進一步組態為一檢測子系統。
  17. 如請求項1之系統，其中引導至該樣品之該能量包括光，且其中自該樣品偵測之該能量包括光。
  18. 如請求項1之系統，其中引導至該樣品之該能量包括藉由一寬頻電漿光源產生之光。
  19. 如請求項1之系統，其中引導至該樣品之該能量包括電子，且其中自該樣品偵測之該能量包括電子。
  20. 一種儲存程式指令之非暫時性電腦可讀媒體，該等程式指令可在一電腦系統上執行以執行用於產生在一樣品上偵測到之缺陷之一樣本的一電腦實施方法，其中該電腦實施方法包括： 基於藉由一輸出獲取子系統之一偵測器產生之輸出偵測一樣品上之缺陷，其中該輸出獲取子系統包括至少一能量源及該偵測器，其中該能量源經組態以產生引導至該樣品之能量，且其中該偵測器經組態以偵測來自該樣品之能量且回應於該經偵測能量產生該輸出； 針對在該樣品上之一陣列區中偵測到之該等缺陷，其中該陣列區包含多個陣列胞類型，基於該多個陣列胞類型堆疊該等缺陷之資訊，其中該堆疊包括覆疊僅該多個陣列胞類型之一第一者之設計資訊與僅在該多個陣列胞類型之該第一者中偵測到之該等缺陷的該資訊，且其中僅在該多個陣列胞類型之該第一者中偵測到之該等缺陷之該資訊包括在該多個陣列胞類型之該第一者內之該等缺陷的位置； 基於該堆疊之結果選擇該等經偵測缺陷之一部分，藉此產生該等經偵測缺陷之一樣本；及 基於該等經偵測缺陷之該選定部分及該等經偵測缺陷之該選定部分之該資訊產生缺陷樣本結果。
  21. 一種用於產生在一樣品上偵測到之缺陷之一樣本的電腦實施方法，其包括： 基於藉由一輸出獲取子系統之一偵測器產生之輸出偵測一樣品上之缺陷，其中該輸出獲取子系統包括至少一能量源及該偵測器，其中該能量源經組態以產生引導至該樣品之能量，且其中該偵測器經組態以偵測來自該樣品之能量且回應於該經偵測能量產生該輸出； 針對在該樣品上之一陣列區中偵測到之該等缺陷，其中該陣列區包含多個陣列胞類型，基於該多個陣列胞類型堆疊該等缺陷之資訊，其中該堆疊包括覆疊僅該多個陣列胞類型之一第一者之設計資訊與僅在該多個陣列胞類型之該第一者中偵測到之該等缺陷的該資訊，且其中僅在該多個陣列胞類型之該第一者中偵測到之該等缺陷之該資訊包括在該多個陣列胞類型之該第一者內之該等缺陷的位置； 基於該堆疊之結果選擇該等經偵測缺陷之一部分，藉此產生該等經偵測缺陷之一樣本；及 基於該等經偵測缺陷之該選定部分及該等經偵測缺陷之該選定部分之該資訊產生缺陷樣本結果，其中該方法之步驟係藉由耦合至該輸出獲取子系統之一或多個電腦子系統執行。
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