TWI777545B - 發光裝置 - Google Patents

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TWI777545B
TWI777545B TW110116387A TW110116387A TWI777545B TW I777545 B TWI777545 B TW I777545B TW 110116387 A TW110116387 A TW 110116387A TW 110116387 A TW110116387 A TW 110116387A TW I777545 B TWI777545 B TW I777545B
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Abstract

一種發光裝置，包括第一基板、第一主動元件、阻障層、第一感光元件、平坦層以及第一發光二極體。第一主動元件位於第一基板上。阻障層位於第一主動元件上。第一感光元件位於阻障層上。平坦層位於第一感光元件上，且第一感光元件位於阻障層與平坦層之間。第一發光二極體位於平坦層上。第一發光二極體包括第一電極、發光層以及第二電極。第一電極電性連接至第一主動元件。第一感光元件在第一基板之法線方向上不被第一電極完全遮蔽。發光層位於第一電極上。第二電極位於發光層上。

Description

發光裝置
本發明是有關於一種發光裝置，且特別是有關於一種具有第一感光元件的發光裝置。
目前，顯示裝置在製作完成後，會在工廠中以相機(例如電荷耦合元件相機(Charge-coupled device camera))拍攝顯示裝置所顯示的畫面，並以電腦分析顯示裝置所顯示的畫面是否有亮度不均勻(Mura)缺陷或其他故障的情形。在確認顯示裝置沒有Mura缺陷或其他故障後，顯示裝置才會從工廠出貨。
然而，許多顯示裝置會在使用一段時間之後才出現Mura缺陷，若要對這些使用一段時間後才出現的Mura缺陷進行檢測，還需要將顯示裝置運送回工廠，大幅增加檢測顯示裝置所需要的時間以及成本。
本發明提供一種發光裝置，可以藉由本身的感光元件以監控顯示品質。
本發明的至少一實施例提供一種發光裝置。發光裝置包括第一基板、第一主動元件、阻障層、第一感光元件、平坦層以及第一發光二極體。第一主動元件位於第一基板上。阻障層位於第一主動元件上。第一感光元件位於阻障層上。平坦層位於第一感光元件上，且第一感光元件位於阻障層與平坦層之間。第一發光二極體位於平坦層上。第一發光二極體包括第一電極、發光層以及第二電極。第一電極電性連接至第一主動元件。第一感光元件在第一基板之法線方向上不被第一電極完全遮蔽。發光層位於第一電極上。第二電極位於發光層上。
1、2、3、4:顯示裝置
100:第一基板
110:阻障層
120:平坦層
130:畫素定義層
200:第二基板
210:反射層
220:第一鈍化層
230:第二鈍化層
240:抗反射層
BL:緩衝層
C:檢測電路
CH:通道層
D:汲極
E1:第一電極
E1s:側壁
E1t、TEt:頂面
E2:第二電極
E1O、H、O1、O2、O3:開口
EA:發光區
EL:發光層
FVDD:工作電壓
FVSS:電壓
G:閘極
GI:閘絕緣層
I1:第一絕緣層
I2:第二絕緣層
L1:第一發光二極體
L2:第二發光二極體
L3:第三發光二極體
M:訊號線
ND:法線方向
PS:間隙物
S:源極
SA:感測區
SE1:第一感測電極
SE2:第二感測電極
SM:感光材料
SR1:第一感光元件
SR2:第二感光元件
SR3:第三感光元件
Sread、Sreset、Vout:訊號
T1:第一主動元件
TE:透明電極
TH1:第一通孔
TH2:第二通孔
t1、t2:厚度
X1、X2、X3:開關元件
Y1、Y2:光線
圖1是依照本發明的一實施例的一種發光裝置的剖面示意圖。
圖2是依照本發明的一實施例的一種發光裝置的上視示意圖。
圖3A是依照本發明的一實施例的一種發光裝置的上視示意圖。
圖3B是依照本發明的一實施例的一種感光元件的檢測電路的示意圖。
圖4是依照本發明的一實施例的一種發光裝置的剖面示意圖。
圖5是依照本發明的一實施例的一種發光裝置的上視示意圖。
圖6A是依照本發明的一實施例的一種發光裝置的上視示意圖。
圖6B是依照本發明的一實施例的一種感光元件的檢測電路的示意圖。
圖1是依照本發明的一實施例的一種發光裝置的剖面示意圖。
請參考圖1，發光裝置1包括第一基板100、第一主動元件T1、阻障層110、第一感光元件SR1、平坦層120以及第一發光二極體L1。在本實施例中，發光裝置1還包括緩衝層BL、間隙物PS、第二基板200、反射層210、第一鈍化層220、第二鈍化層230以及抗反射層240。
第一基板100之材質可為玻璃、石英、有機聚合物、或是不透光/反射材料(例如：導電材料、金屬、晶圓、陶瓷或其他可適用的材料)或是其他可適用的材料。若使用導電材料或金屬時，則在第一基板100上覆蓋一層絕緣層(未繪示)，以避免短路問題。在一些實施例中，第一基板100為軟性基板，且第一基板100的材料例如為聚乙烯對苯二甲酸酯(polyethylene terephthalate,PET)、聚二甲酸乙二醇酯(polyethylene naphthalate,PEN)、聚酯 (polyester,PES)、聚甲基丙烯酸甲酯(polymethylmethacrylate,PMMA)、聚碳酸酯(polycarbonate,PC)、聚醯亞胺(polyimide,PI)或金屬軟板(Metal Foil)或其他可撓性材質。
緩衝層BL位於第一基板100上。緩衝層BL為單層或多層結構。在一些實施例中，緩衝層BL為氧化矽、氮化矽或氧化矽與氮化矽的堆疊層，但本發明不以此為限。
第一主動元件T1位於第一基板100上。第一主動元件T1包括通道層CH、閘極G、源極S與汲極D。閘極G重疊於通道層CH，且閘極G與通道層CH之間夾有閘絕緣層GI。第一絕緣層I1覆蓋閘極G。第二絕緣層I2覆蓋第一絕緣層I1。源極S與汲極D位於第二絕緣層I2上，且分別透過開口O1、O2而電性連接至通道層CH。開口O1、O2貫穿閘絕緣層GI、第一絕緣層I1與第二絕緣層I2。在本實施例中，訊號線M位於第二絕緣層I2與第一絕緣層I1之間，且重疊於閘極G。
雖然在本實施例中，第一主動元件T1是以頂部閘極型的薄膜電晶體為例，但本發明不以此為限。在其他實施例中，第一主動元件T1也可以是底部閘極型或其他類型的薄膜電晶體。
阻障層110位於第一主動元件T1上。第一感光元件SR1位於阻障層110上。在本實施例中，第一感光元件SR1包括第一感測電極SE1、第二感測電極SE2以及感光材料SM。
第一感測電極SE1以及第二感測電極SE2位於阻障層110上。第一感測電極SE1以及第二感測電極SE2彼此分離。在 一些實施例中，第一感測電極SE1以及第二感測電極SE2屬於相同導電層，且是由同一道圖案化製程所形成，但本發明不以此為限。在本實施例中，一個第一感光元件SR1包括兩個第二感測電極SE2以及一個第一感測電極SE1，其中第一感測電極SE1位於兩個第二感測電極SE2之間。在一些實施例中，第一感測電極SE1以及第二感測電極SE2之間的間距為1微米至200微米。
感光材料SM位於第一感測電極SE1以及第二感測電極SE2之間。在一些實施例中，感光材料SM的材料例如包括富矽氧化層(Silicon-rich oxide)、富矽氮氧化物、富矽碳化物、富矽碳氧化物、氫化富矽氧化物、氫化富矽氮化物、氫化富矽碳化物或其組合，但本發明不以此為限。在其他實施例中，感光材料SM包括P型半導體、本質半導體以及N型半導體的堆疊層。
平坦層120位於第一感光元件SR1上，且第一感光元件SR1位於阻障層110與平坦層120之間。在本實施例中，感光材料SM位於第一感測電極SE1與平坦層120之間以及第二感測電極SE2與平坦層120之間。
第一發光二極體L1位於平坦層120上。第一發光二極體L1包括第一電極E1、發光層EL以及第二電極E2。在本實施例中，第一發光二極體L1還包括透明電極TE。
透明電極TE位於平坦層120上。透明電極TE的厚度t1為1奈米至500奈米。透明電極TE的材料包括導電氧化物，例如銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鎵鋅氧 化物或其他導電材料。透明電極TE透過開口O3而電性連接至第一主動元件T1的汲極D。開口O3例如貫穿阻障層110與平坦層120。透明電極TE在第一基板100的法線方向ND上至少部分重疊於第一感光元件SR1。
第一電極E1形成於透明電極TE上。第一電極E1透過透明電極TE而電性連接至第一主動元件T1。第一電極E1的厚度t2為1奈米至500奈米。在本實施例中，第一電極E1包括不透明的材料，例如金屬或其他導電材料。第一電極E1例如具有較透明電極TE高的反射率，藉此提升顯示裝置1的發光效率。
第一感光元件SR在第一基板100之法線方向ND上不被第一電極E1完全遮蔽。舉例來說，第一電極E1具有重疊於透明電極TE的開口E1O，開口E1O在第一基板100之法線方向ND上重疊於第一感光元件SR1，使第一感光元件SR1不被第一電極E1完全遮蔽。前述的「第一感光元件SR1在第一基板100之法線方向ND上不被第一電極E1完全遮蔽」可以為「整個第一感光元件SR1在第一基板100之法線方向ND上不被第一電極E1遮蔽」的情況或「部分第一感光元件SR1在第一基板100之法線方向ND上不被第一電極E1遮蔽」的情況。
畫素定義層130位於平坦層120上，且具有重疊於第一電極E1的開口H。發光層EL填入畫素定義層130的開口H，且發光層EL位於第一電極E1上。在本實施例中，發光層EL自第一電極E1的頂面E1t沿著第一電極E1的開口E1O的側壁E1s延 伸至透明電極TE的頂面TEt。換句話說，發光層EL填入第一電極E1的開口E1O。
第二電極E2位於發光層EL上。在一些實施例中，間隙物PS形成於畫素定義層130上，且第二電極E2形成於發光層EL、間隙物PS以及畫素定義層130上。
在一些實施例中，第一發光二極體L1為有機發光二極體，且發光層EL包括有機材料。在一些實施例中，發光層EL包括電子注入層、電子傳輸層、電洞傳輸層以及電洞注入層的組合，但本發明不以此為限。
發光層EL接觸透明電極TE的頂面TEt的部分定義為感測區SA，且發光層EL接觸第一電極E1的頂面E1t的部分定義為發光區EA。感測區SA在第一基板100的法線方向ND上重疊於第一感光元件SR1。在一些實施例中，發光區EA環繞感測區SA，但本發明不以此為限。在一些實施例中，發光區EA的面積與感測區SA的面積的比值為1~2000。
在本實施例中，感測區SA與發光區EA皆會發出光線。在本實施例中，第一發光二極體L1朝上(朝向第二基板200)發出光線Y1，且朝下(朝向第一基板100)發出光線Y2。在一些實施例中，第一電極E1包括反射材料，藉此增加發光區EA朝上發出的光線Y1。透明電極TE包括透明材料，因此感測區SA除了會發出朝上的光線Y1之外，還會發出朝下的光線Y2。
第一感光元件SR1接收光線Y2，藉此檢測第一發光二極 體L1是否出現色偏或其他問題。換句話說，第一感光元件SR1適用於檢測第一發光二極體L1的缺陷，因此，不需要將顯示裝置1運送回工廠就能檢測顯示裝置1的顯示品質。
在第一基板100的法線方向ND上，第二基板200重疊於第一基板100，且第一發光二極體L1以及第一感光元件SR1位於第一基板100與第二基板200之間。
第二基板200之材質可為玻璃、石英、有機聚合物或是其他可適用的材料。在一些實施例中，第二基板200為軟性基板，且第二基板200的材料例如為聚乙烯對苯二甲酸酯(polyethylene terephthalate,PET)、聚二甲酸乙二醇酯(polyethylene naphthalate,PEN)、聚酯(polyester,PES)、聚甲基丙烯酸甲酯(polymethylmethacrylate,PMMA)、聚碳酸酯(polycarbonate,PC)、聚醯亞胺(polyimide,PI)或其他可撓性材質。
反射層210位於第二基板200上。在一些實施例中，反射層210的材料包括金屬或其他導電材料，且反射層210適用於觸控電極。反射層210在第一基板100的法線方向ND上不重疊於發光區EA以及感測區SA。在本實施例中，反射層210具有第一通孔TH1，第一通孔TH1在第一基板100的法線方向ND上重疊於發光區EA以及感測區SA，使第一發光二極體L1朝上發出的光線Y1得以穿過第一通孔TH1。
第一鈍化層220以及第二鈍化層230位於反射層210上。抗反射層240位於第一鈍化層220以及第二鈍化層230上。在一 些實施例中，抗反射層240的材料包括黑色樹脂、鉻、氧化鉻、氧化鉬或是其他低反射率的材料。抗反射層240可避免第一發光二極體L1朝上發出的光線Y1被反射至其他發光二極體的位置，藉此避免不同個發光二極體所發出之光線互相干擾。
抗反射層240在第一基板100的法線方向ND上不重疊於發光區EA與感測區SA。在本實施例中，抗反射層具240有第二通孔TH2，第二通孔TH2在第一基板100的法線方向ND上重疊於發光區EA以及感測區SA，使第一發光二極體L1朝上發出的光線Y1得以穿過第二通孔TH2。在一些實施例中，第二通孔TH2延伸進第二鈍化層230，藉此提升穿透率。
基於上述，第一感光元件SR1可以檢測第一發光二極體L1所發出之光線L2，並檢測第一發光二極體L1是否產生缺陷，因此，可以節省檢測發光裝置1所需要的時間。
圖2是依照本發明的一實施例的一種發光裝置的上視示意圖。在此必須說明的是，圖2的實施例沿用圖1的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。
在本實施例中，發光裝置2包括第一發光二極體L1、第二發光二極體L2以及第三發光二極體L3，為了方便說明，圖2繪示出第一發光二極體L1、第二發光二極體L2以及第三發光二極體L3各自的透明電極TE、第一電極E1以及發光層EL，並省 略第一發光二極體L1、第二發光二極體L2以及第三發光二極體L3中的其他構件。第一發光二極體L1、第二發光二極體L2以及第三發光二極體L3例如分別電性連接至對應的一個主動元件(未繪出)，第一發光二極體L1、第二發光二極體L2以及第三發光二極體L3與主動元件電性連接的方法請參考圖1的第一發光二極體L1以及第一主動元件T1，於此不再贅述。
請參考圖2，第一感光元件SR1、第二感光元件SR2以及第三感光元件SR3位於阻障層110上。平坦層120位於第一感光元件SR1、第二感光元件SR2以及第三感光元件SR3上。第一發光二極體L1、第二發光二極體L2以及第三發光二極體L3位於平坦層120上。
第一發光二極體L1、第二發光二極體L2以及第三發光二極體L3在第一基板的法線方向(圖2中垂直紙面的方向)上分別重疊於第一感光元件SR1、第二感光元件SR2以及第三感光元件SR3。在本實施例中，第一發光二極體L1、第二發光二極體L2以及第三發光二極體L3各自的第一電極E1具有開口E1O，且第一發光二極體L1、第二發光二極體L2以及第三發光二極體L3各自的開口E1O在第一基板的法線方向上分別重疊於第一感光元件SR1、第二感光元件SR2以及第三感光元件SR3。
第一感光元件SR1、第二感光元件SR2以及第三感光元件SR3電性連接至感測電路(未繪出)。
在本實施例中，第一發光二極體L1的發光層EL、第二 發光二極體L2的發光層EL以及第三發光二極體L3的發光層EL分別為不同顏色的有機發光材料。換句話說，第一發光二極體L1、第二發光二極體L2以及第三發光二極體L3分別為不同顏色的有機發光二極體，但本發明不以此為限。在其他實施例中，第一發光二極體L1、第二發光二極體L2以及第三發光二極體L3為相同顏色的有機發光二極體。
在本實施例中，第一發光二極體L1、第二發光二極體L2以及第三發光二極體L3位於同一個畫素中，舉例來說，第一發光二極體L1、第二發光二極體L2以及第三發光二極體L3分別為同一個畫素的藍色發光二極體、綠色發光二極體以及紅色發光二極體。基於此，第一感光元件SR1、第二感光元件SR2以及第三感光元件SR3可以用於檢測不同顏色之發光二極體是否出現色偏或其他問題。
基於上述，第一感光元件SR1、第二感光元件SR2以及第三感光元件SR3適用於檢測第一發光二極體L1、第二發光二極體L2以及第三發光二極體L3的缺陷，因此，不需要將顯示裝置2運送回工廠就能檢測顯示裝置2的顯示品質。
圖3A是依照本發明的一實施例的一種發光裝置的上視示意圖。圖3B是依照本發明的一實施例的一種感光元件的檢測電路的示意圖。
在此必須說明的是，圖3A與圖3B的實施例沿用圖2的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表 示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。
請參考圖3A與圖3B，在本實施例中，第一發光二極體L1、第二發光二極體L2以及第三發光二極體L3在第一基板的法線方向上(圖3A中垂直紙面的方向)分別重疊於第一感光元件SR1、第二感光元件SR2以及第三感光元件SR3。第一感光元件SR1、第二感光元件SR2以及第三感光元件SR3以並聯的方式電性連接。舉例來說，第一感光元件SR1、第二感光元件SR2以及第三感光元件SR3之第一感測電極電性連接至檢測電路C，且第一感光元件SR1、第二感光元件SR2以及第三感光元件SR3之第二感測電極電性連接至電壓FVSS。在其他實施例中，第一感光元件SR1、第二感光元件SR2以及第三感光元件SR3之第二感測電極電性連接至檢測電路C，且第一感光元件SR1、第二感光元件SR2以及第三感光元件SR3之第一感測電極電性連接至電壓FVSS。
在本實施例中，檢測電路C包括三個開關元件X1、X2、X3。
開關元件X1的源極電性連接至工作電壓FVDD。對開關元件X1的閘極施加重置訊號Sreset，以控制開關元件X1的開路(OFF)或閉路(ON)。開關元件X1的汲極電性連接至並聯的第一感光元件SR1、第二感光元件SR2以及第三感光元件SR3。
開關元件X2的源極電性連接至工作電壓FVDD。開關元 件X2的閘極電性連接至開關元件X1的汲極。
開關元件X3的源極電性連接至開關元件X2的汲極。對開關元件X3的閘極施加讀取訊號Sread，以控制開關元件X3的開路(OFF)或閉路(ON)。讀取開關元件X3的汲極輸出的訊號Vout以獲得第一感光元件SR1、第二感光元件SR2以及第三感光元件SR3之檢測結果。
在本實施例中，第一感光元件SR1、第二感光元件SR2以及第三感光元件SR3電性連接至同一個檢測電路C，藉此節省電路佈局的空間。在一些實施例中，在檢測發光裝置時，輪流開啟不同顏色之第一發光二極體L1、第二發光二極體L2以及第三發光二極體L3，以分別檢測不同顏色之第一發光二極體L1、第二發光二極體L2以及第三發光二極體L3的缺陷，但本發明不以此為限。在其他實施例中，在檢測發光裝置時，同時開啟第一發光二極體L1、第二發光二極體L2以及第三發光二極體L3，以同時檢測第一發光二極體L1、第二發光二極體L2以及第三發光二極體L3的缺陷。
圖4是依照本發明的一實施例的一種發光裝置的剖面示意圖。
在此必須說明的是，圖4的實施例沿用圖1的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。
圖4的發光裝置3與圖1的發光裝置1的主要差異在於：在圖4的第一發光二極體L1中，感測區SA位於發光區EA的側邊。
請參考圖4，發光層EL自第一電極E1的頂面E1t沿著第一電極E1的側壁E1s延伸至透明電極TE的頂面TEt。發光層EL接觸透明電極TE的頂面TEt的部分定義為感測區SA，且發光層EL接觸第一電極E1的頂面E1t的部分定義為發光區EA。感測區SA在第一基板110的法線方向ND上重疊於第一感光元件SR1。
在本實施例中，感測區SA位於發光區EA的一側。換句話說，在本實施例中，發光區EA沒有環繞感測區SA。
在本實施例中，反射層210在第一基板100的法線方向ND上重疊於感測區SA。抗反射層240在第一基板100的法線方向ND上不重疊於發光區EA與感測區SA。在本實施例中，反射層210具有第一通孔TH1。第一通孔TH1在第一基板100的法線方向ND上重疊於發光區EA。抗反射層240具有第二通孔TH2，第二通孔TH2在第一基板100的法線方向ND上重疊於發光區EA以及感測區SA。
在本實施例中，感測區SA與發光區EA皆會發出光線。在本實施例中，第一發光二極體L1朝上(朝向第二基板200)發出光線Y1，且朝下(朝向第一基板100)發出光線Y2。在一些實施例中，第一電極E1包括反射材料，藉此增加發光區EA朝上發出的光線Y1。透明電極TE包括透明材料，因此感測區SA除了 會發出朝上的光線Y1之外，還會發出朝下的光線Y2。
在本實施例中，感測區SA朝上發出的光線Y1會被反射層210所反射，被反射的光線Y1可以穿過第一發光二極體L1，並被第一感光元件SR1所接收，藉此增加第一感光元件SR1所接收的光訊號。此外，反射層210還可以避免顯示裝置3外的光線照射至第一感光元件SR1，減少外界光線對第一感光元件SR1產生干擾。另外，反射層210重疊於感測區SA可以避免發出之光線Y1自第二基板200離開顯示裝置3，藉此避免感測區SA與發光區EA發出之光線Y1亮度不一致而影響顯示品質。
第一感光元件SR1接收光線Y2以及被反射的光線Y1，藉此檢測第一發光二極體L1是否出現色偏或其他問題。換句話說，第一感光元件SR1適用於檢測第一發光二極體L1的缺陷，因此，不需要將顯示裝置3運送回工廠就能檢測顯示裝置3的顯示品質。
圖5是依照本發明的一實施例的一種發光裝置的上視示意圖。
在此必須說明的是，圖5的實施例沿用圖4的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。
在本實施例中，發光裝置4包括第一發光二極體L1、第二發光二極體L2以及第三發光二極體L3，為了方便說明，圖5 繪示出第一發光二極體L1、第二發光二極體L2以及第三發光二極體L3各自的透明電極TE、第一電極E1以及發光層EL，並省略第一發光二極體L1、第二發光二極體L2以及第三發光二極體L3中的其他構件。第一發光二極體L1、第二發光二極體L2以及第三發光二極體L3例如分別電性連接至對應的一個主動元件(未繪出)，第一發光二極體L1、第二發光二極體L2以及第三發光二極體L3與主動元件電性連接的方法請參考圖4的第一發光二極體L1以及第一主動元件T1，於此不再贅述。
請參考圖5，第一感光元件SR1位於阻障層110上。平坦層120位於第一感光元件SR1上。第一發光二極體L1、第二發光二極體L2以及第三發光二極體L3位於平坦層120上。
第一發光二極體L1、第二發光二極體L2以及第三發光二極體L3在第一基板的法線方向(圖5中垂直紙面的方向)上皆部分重疊於第一感光元件SR1。在本實施例中，第一發光二極體L1、第二發光二極體L2以及第三發光二極體L3各自的第一電極E1在靠近第一感光元件SR1的位置具有開口E1O。
第一感光元件SR1電性連接至感測電路(未繪出)。
在本實施例中，第一發光二極體L1的發光層EL、第二發光二極體L2的發光層EL以及第三發光二極體L3的發光層EL分別為不同顏色的有機發光材料。換句話說，第一發光二極體L1、第二發光二極體L2以及第三發光二極體L3分別為不同顏色的有機發光二極體，但本發明不以此為限。在其他實施例中，第一發 光二極體L1、第二發光二極體L2以及第三發光二極體L3為相同顏色的有機發光二極體。
在本實施例中，第一發光二極體L1、第二發光二極體L2以及第三發光二極體L3位於同一個畫素中，舉例來說，第一發光二極體L1、第二發光二極體L2以及第三發光二極體L3分別為同一個畫素的藍色發光二極體、綠色發光二極體以及紅色發光二極體。基於此，第一感光元件SR1可以用於檢測不同顏色之發光二極體是否出現色偏或其他問題。
基於上述，第一感光元件SR1適用於檢測第一發光二極體L1、第二發光二極體L2以及第三發光二極體L3的缺陷，因此，不需要將顯示裝置4運送回工廠就能檢測顯示裝置4的顯示品質。
圖6A是依照本發明的一實施例的一種發光裝置的上視示意圖。圖6B是依照本發明的一實施例的一種感光元件的檢測電路的示意圖。
在此必須說明的是，圖6A與圖6B的實施例沿用圖5的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。
請參考圖6A與圖6B，在本實施例中，第一發光二極體L1、第二發光二極體L2以及第三發光二極體L3在第一基板的法線方向上(圖6A中垂直紙面的方向)皆部分重疊於第一感光元件SR1。在一些實施例中，第一感光元件SR1之第一感測電極電性 連接至檢測電路C，且第一感光元件SR1之第二感測電極電性連接至電壓FVSS。在其他實施例中，第一感光元件SR1第二感測電極電性連接至檢測電路C，且第一感光元件SR1之第一感測電極電性連接至電壓。
在本實施例中，檢測電路C包括三個開關元件X1、X2、X3。檢測電路C的說明可以參考圖3B的描述，於此不再贅述。
在本實施例中，第一發光二極體L1、第二發光二極體L2以及第三發光二極體L3共用一個第一感光元件SR1以及一個檢測電路C，藉此節省電路佈局的空間。在一些實施例中，在檢測發光裝置時，輪流開啟不同顏色之第一發光二極體L1、第二發光二極體L2以及第三發光二極體L3，以分別檢測不同顏色之第一發光二極體L1、第二發光二極體L2以及第三發光二極體L3的缺陷，但本發明不以此為限。在其他實施例中，在檢測發光裝置時，同時開啟第一發光二極體L1、第二發光二極體L2以及第三發光二極體L3，以同時檢測第一發光二極體L1、第二發光二極體L2以及第三發光二極體L3的缺陷。
1:顯示裝置
100:第一基板
110:阻障層
120:平坦層
130:畫素定義層
200:第二基板
210:反射層
220:第一鈍化層
230:第二鈍化層
240:抗反射層
BL:緩衝層
CH:通道層
D:汲極
E1:第一電極
E1s:側壁
E1t、TEt:頂面
E2:第二電極
E1O、H、O1、O2、O3:開口
EA:發光區
EL:發光層
G:閘極
GI:閘絕緣層
I1:第一絕緣層
I2:第二絕緣層
L1:第一發光二極體
M:訊號線
ND:法線方向
PS:間隙物
S:源極
SA:感測區
SE1:第一感測電極
SE2:第二感測電極
SM:感光材料
SR1:第一感光元件
T1:第一主動元件
TE:透明電極
TH1:第一通孔
TH2:第二通孔
t1、t2:厚度
Y1、Y2:光線

Claims (19)

  1. 一種發光裝置，包括： 一第一基板； 一第一主動元件，位於該第一基板上； 一阻障層，位於該第一主動元件上； 一第一感光元件，位於該阻障層上； 一平坦層，位於該第一感光元件上，且該第一感光元件位於該阻障層與該平坦層之間；以及 一第一發光二極體，位於該平坦層上，且包括： 一第一電極，電性連接至該第一主動元件，其中該第一感光元件在該第一基板之一法線方向上不被該第一電極完全遮蔽； 一發光層，位於該第一電極上；以及 一第二電極，位於該發光層上。
  2. 如請求項1所述的發光裝置，其中該第一發光二極體更包括： 一透明電極，位於該平坦層上，且在該第一基板的該法線方向上至少部分重疊於該第一感光元件，其中該第一電極形成於該透明電極上，且該第一電極透過該透明電極而電性連接至該第一主動元件。
  3. 如請求項2所述的發光裝置，其中該發光層自該第一電極的頂面沿著該第一電極的一開口的側壁延伸至該透明電極的頂面，且該發光層接觸該透明電極的頂面的部分定義為一感測區，且該發光層接觸該第一電極的頂面的部分定義為一發光區，其中該感測區在該第一基板的該法線方向上重疊於該第一感光元件。
  4. 如請求項3所述的發光裝置，其中該發光區環繞該感測區。
  5. 如請求項3所述的發光裝置，更包括： 一第二基板，在該第一基板的該法線方向上重疊於該第一基板，且該第一發光二極體位於該第一基板與該第二基板之間； 一反射層，位於該第二基板上，且在該第一基板的該法線方向上不重疊於該發光區與該感測區； 一鈍化層，位於該反射層上；以及 一抗反射層，位於該鈍化層上，其中該抗反射層在該第一基板的該法線方向上不重疊於該發光區與該感測區。
  6. 如請求項5所述的發光裝置，其中該反射層具有一第一通孔，該第一通孔在該第一基板的該法線方向上重疊於該發光區以及該感測區，該抗反射層具有一第二通孔，該第二通孔在該第一基板的該法線方向上重疊於該發光區以及該感測區。
  7. 如請求項2所述的發光裝置，其中該發光層自該第一電極的頂面沿著該第一電極的側壁延伸至該透明電極的頂面，且該發光層接觸該透明電極的頂面的部分定義為一感測區，且該發光層接觸該第一電極的頂面的部分定義為一發光區，其中該感測區在該第一基板的該法線方向上重疊於該第一感光元件。
  8. 如請求項7所述的發光裝置，其中該感測區位於該發光區的一側。
  9. 如請求項7所述的發光裝置，更包括： 一第二基板，在該第一基板的該法線方向上重疊於該第一基板，且該第一發光二極體位於該第一基板與該第二基板之間；以及 一反射層，位於該第二基板上，且在該第一基板的該法線方向上重疊於該感測區； 一鈍化層，位於該反射層上；以及 一抗反射層，位於該鈍化層上，其中該抗反射層在該第一基板的該法線方向上不重疊於該發光區與該感測區。
  10. 如請求項9所述的發光裝置，其中該反射層具有一第一通孔，該第一通孔在該第一基板的該法線方向上重疊於該發光區，該抗反射層具有一第二通孔，該第二通孔在該第一基板的該法線方向上重疊於該發光區以及該感測區。
  11. 如請求項1所述的發光裝置，其中該發光區的面積與該感測區的面積的比值為1~2000。
  12. 如請求項1所述的發光裝置，其中該第一電極的厚度為1奈米至500奈米，且該透明電極的厚度為1奈米至500奈米。
  13. 如請求項1所述的發光裝置，其中該第一電極的材料包括金屬，且該透明電極的材料包括銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物或銦鎵鋅氧化物。
  14. 如請求項1所述的發光裝置，其中該第一感光元件適用於檢測該第一發光二極體的缺陷。
  15. 如請求項1所述的發光裝置，其中該第一感光元件包括： 一第一感測電極以及一第二感測電極，該第一感測電極與該第二感測電極彼此分離，且該第一感測電極與該第二感測電極位於該阻障層上；以及 一感光材料，位於該第一感測電極以及該第二感測電極之間，其中該感光材料位於該第一感測電極與該平坦層之間以及該第二感測電極與該平坦層之間。
  16. 如請求項1所述的發光裝置，更包括： 一檢測電路，位於該第一基板上，該第一感光元件電性連接至該檢測電路。
  17. 如請求項16所述的發光裝置，更包括： 一第二感光元件，位於該阻障層上，其中該第二感光元件與該第一感光元件並聯；以及 一第二發光二極體，位於該平坦層上，其中在該第一基板的該法線方向上，該第二感光元件重疊於該第二發光二極體。
  18. 如請求項1所述的發光裝置，更包括： 一第二發光二極體，位於該平坦層上，其中在該第一基板的該法線方向上，該第一發光二極體與該第二發光二極體皆部分重疊於該第一感光元件。
  19. 如請求項1所述的發光裝置，更包括： 一第二基板，在該第一基板的該法線方向上重疊於該第一基板，且該第一發光二極體位於該第一基板與該第二基板之間，其中該第一發光二極體朝向該第一基板發光，且該第一發光二極體朝向該第二基板發光。
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