TWI776467B - Cleaning chemical supply device and cleaning unit - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種能夠靈活地因應稀釋比例的變更、且能夠抑制裝置尺寸的大型化的清洗藥液供給裝置、清洗藥液的供給方法及清洗單元，清洗藥液供給裝置具有：第1直列式混合器(72)，用於將第1清洗藥液供給到清洗裝置(200)；第2直列式混合器(73)，用於將第2清洗藥液供給到基板清洗裝置(200)；第1藥液CLC箱(120)，用於對供給到第1直列式混合器(72)的第1藥液的流量進行控制；第2藥液CLC箱(130)，用於對供給到第2直列式混合器(73)的第2藥液的流量進行控制；以及DIWCLC箱(110)，用於對供給到第1直列式混合器(72)或第2直列式混合器(73)的稀釋水的流量進行控制，且清洗藥液供給裝置構成為：將稀釋水的供給目的地從第1直列式混合器(72)切換到第2直列式混合器(73)，或從第2直列式混合器(73)切換到第1直列式混合器(72)。 The present invention provides a cleaning chemical solution supply device, a cleaning chemical solution supply method, and a cleaning unit that can flexibly respond to changes in dilution ratios and can suppress an increase in device size, wherein the cleaning chemical solution supply device includes: a first in-line mixing a device (72) for supplying the first cleaning chemical to the cleaning device (200); a second in-line mixer (73) for supplying the second cleaning chemical to the substrate cleaning device (200); the first The chemical liquid CLC tank (120) is used to control the flow rate of the first chemical liquid supplied to the first in-line mixer (72); the second chemical liquid CLC tank (130) is used to supply the second in-line mixer (72). control the flow rate of the second chemical solution in the mixer (73); and a DIWCLC tank (110) for diluting water supplied to the first inline mixer (72) or the second inline mixer (73) and the cleaning chemical solution supply device is configured to switch the supply destination of the dilution water from the first inline mixer (72) to the second inline mixer (73), or from the second inline mixer The mixer (73) is switched to the first in-line mixer (72).
Description
本發明涉及一種清洗藥液供給裝置及清洗單元。 The invention relates to a cleaning liquid medicine supply device and a cleaning unit.
CMP(Chemical Mechanical Polishing：化學機械研磨)裝置具有：研磨裝置，該研磨裝置用於對形成有半導體晶片的半導體基板的表面進行研磨；以及清洗裝置，該清洗裝置用於將清洗藥液供給到由研磨裝置研磨後的半導體基板並對其進行清洗。該清洗裝置通過對藥液混合DIW(De-Ionized Water：去離子水)等稀釋水，而製成清洗藥液(稀釋後的藥液)，用清洗藥液對半導體基板進行清洗(例如，參照專利文獻1)。 A CMP (Chemical Mechanical Polishing) apparatus includes: a polishing device for polishing the surface of a semiconductor substrate on which a semiconductor wafer is formed; and a cleaning device for supplying a cleaning chemical solution to a The polishing apparatus grinds and cleans the semiconductor substrate after polishing. In this cleaning apparatus, diluted water such as DIW (De-Ionized Water) is mixed with the chemical solution to prepare a cleaning chemical solution (diluted chemical solution), and the semiconductor substrate is cleaned with the cleaning chemical solution (for example, refer to Patent Document 1).
在使用清洗藥液的清洗裝置中，以往使用清洗藥液供給裝置，其具有將藥液的流量計和DIW的流量計排列成一對而構成的直列(in-line)式的流量計。這些藥液的流量計和DIW的流量計包含CLC(Closed Loop Controller：閉環控制器)，對各自的流量進行反饋控制，以使藥液流量和DIW流量成為一定的比例。由此，按一定比例稀釋後的藥液被供給到清洗裝置的清洗槽內。 Among the cleaning apparatuses using the cleaning chemical solution, a cleaning chemical solution supply device has been conventionally used, which has an in-line type flowmeter configured by arranging a chemical solution flowmeter and a DIW flowmeter as a pair. These chemical liquid flowmeters and DIW flowmeters include CLC (Closed Loop Controller: closed loop controller), and feedback control is performed on the respective flow rates so that the chemical liquid flow rate and the DIW flow rate become a constant ratio. As a result, the chemical solution diluted in a certain ratio is supplied into the cleaning tank of the cleaning device.
在以往的藥液供給裝置中，在一個箱內收納有藥液的流量計、DIW的流量計、以及將流量被控制的藥液和DIW混合的直列式攪拌器。即，一個DIW的流量計被設計成與一個藥液的流量計組合，一個箱的大小被設計成僅收納兩個流量計的大小。 In a conventional chemical solution supply device, a flowmeter for the chemical solution, a flowmeter for DIW, and an in-line agitator for mixing the chemical solution and DIW whose flow rates are controlled are housed in one tank. That is, one DIW flowmeter is designed to be combined with one chemical liquid flowmeter, and one box is designed to accommodate only two flowmeters.
近年來，在設於CMP裝置的清洗裝置中，要求這樣的處理：交替使用酸性的藥液和鹼性的藥液，對半導體基板進行清洗。如上所述，由於以往的清洗裝置的箱被設成僅收納兩個流量計，因此，在所述箱內可僅收納兩種藥液的流量計，可在所述箱內增加設置DIW的流量計。因此，在以往的藥液供給裝置中，在箱內配置藥液用的兩個流量計，且通過各自的流量計而供給預先被稀釋的兩種清洗藥液。 In recent years, in a cleaning apparatus provided in a CMP apparatus, a process of cleaning a semiconductor substrate by alternately using an acidic chemical solution and an alkaline chemical solution has been demanded. As described above, since the tank of the conventional cleaning apparatus is configured to accommodate only two flow meters, only two types of flow meters for chemical solutions can be accommodated in the tank, and the flow rate of the DIW can be increased in the tank. count. Therefore, in the conventional chemical solution supply device, two flow meters for the chemical solution are arranged in the tank, and two types of cleaning chemical solutions diluted in advance are supplied by the respective flow meters.
但是，在使用預先被稀釋的兩種清洗藥液的藥液供給裝置中，當清洗藥液的稀釋比例隨著製程參數(process recipe)的變更而變更時，必須準備不同的稀釋比例的清洗藥液。即，該藥液供給裝置不能靈活地因應製程參數的變更。 However, in a chemical solution supply device using two types of cleaning chemical solutions diluted in advance, when the dilution ratio of the cleaning chemical solution is changed according to the change of the process recipe, it is necessary to prepare cleaning chemicals with different dilution ratios. liquid. That is, the chemical solution supply device cannot flexibly respond to changes in process parameters.
另一方面，若使用上述的直列式流量計，則只要變更藥液的流量計和DIW的流量計的流量設定值，就可因應稀釋比例隨著製程參數的變更而發生的變更。但是，為了將兩種藥液供給到清洗裝置，必須準備兩個直列式流量計。在該情況下，由於對兩個直列式流量計分別設置DIW的流量計，因此，存在藥液供給裝置大型化的問題。 On the other hand, if the above-mentioned in-line flowmeter is used, the change of the dilution ratio due to the change of the process parameters can be accommodated only by changing the flow rate setting values of the flowmeter of the chemical solution and the flowmeter of the DIW. However, in order to supply two kinds of chemical solutions to the cleaning device, two in-line flowmeters must be prepared. In this case, since a DIW flowmeter is provided for each of the two in-line flowmeters, there is a problem that the size of the chemical solution supply device is increased.
然而，作為藥液的流量計及DIW的流量計，一般使用差壓式流量計(孔板流量計：orifice flowmeter)。差壓式流量計是，在通過流體的路徑上配置節流孔，根據差壓而測定該流體的體積流量(流速)。差壓式流量計的測定範圍，即是可由CLC控制的流量範圍，在構造上決定於節流孔的直徑。即，孔板流量計的測定範圍一般是，最大最小流量比為1：9，以成為例如30ml/min至300ml/min。因此，可由藥液的流量計及DIW的流量計控制的流量範圍，在構造上是預先確定的範圍。 However, as the flowmeter of the chemical solution and the flowmeter of the DIW, a differential pressure flowmeter (orifice flowmeter) is generally used. In a differential pressure flowmeter, an orifice is arranged in a passage through which a fluid passes, and the volume flow rate (flow velocity) of the fluid is measured from a differential pressure. The measurement range of the differential pressure flowmeter, that is, the flow rate range that can be controlled by the CLC, is determined by the diameter of the orifice in structure. That is, the measurement range of the orifice flowmeter is generally 1:9 at the maximum and minimum flow rate ratio, for example, 30 ml/min to 300 ml/min. Therefore, the flow rate range that can be controlled by the flowmeter of the chemical solution and the flowmeter of the DIW is a predetermined range in terms of structure.
在以往的清洗藥液供給裝置中，當清洗藥液的稀釋比例、或者清洗藥液的供給流量因製程參數的變更而變更時，存在如下情況：所需的藥液及DIW的流量未落入可由當前選定的藥液流量計及DIW流量計控制的流量範圍。在該情況下，通過再選定藥液流量計及DIW流量計，並更換成可控制的流量範圍的流量計，來因應製程參數的變更。因此，在變更後的製程參數中所需的藥液及DIW的流量未落入藥液流量計及DIW流量計的流量範圍的情況下，每次製程參數有變更時就必須更換藥液流量計及DIW流量計，花費了工夫。 In the conventional cleaning chemical supply device, when the dilution ratio of the cleaning chemical or the supply flow rate of the cleaning chemical is changed due to changes in the process parameters, there are cases where the flow rates of the required chemical and DIW do not fall within the The flow range that can be controlled by the currently selected chemical liquid flowmeter and DIW flowmeter. In this case, by reselecting the chemical liquid flowmeter and the DIW flowmeter, and replacing it with a flowmeter within a controllable flow rate range, it is possible to respond to changes in process parameters. Therefore, if the flow rate of the chemical solution and DIW required in the changed process parameters does not fall within the flow range of the chemical solution flowmeter and the DIW flowmeter, the chemical solution flowmeter must be replaced every time the process parameters are changed. And DIW flowmeter, it took time.
在CMP裝置的清洗裝置中，清洗藥液不僅用於基板的清洗，而且還對等待清洗的基板(接下來被清洗的基板)用於防止基板的氧化。在以往的CMP裝置的清洗處理中，基板的清洗和清洗的等待不同時進行。即，基板清洗的期間，基板未被搬送到等待場所。但是，近年來為了提高處理的處理量(throughput)，要求同時進行基板的清洗和清洗的等待的處理。在同時進行基板的清洗和清洗的等待的情況下，由於分別使用清洗藥液，因此，需要比以往多的流量的藥液及DIW。此外，要求還可因應供給小流量的藥液及DIW的處理。再者，在可由以往的藥液的流量計及DIW的流量計控制的流量範圍中，不能因應多種處理。 In a cleaning apparatus of a CMP apparatus, the cleaning chemical is used not only for cleaning the substrate, but also for preventing oxidation of the substrate to be cleaned (substrate to be cleaned next). In the cleaning process of the conventional CMP apparatus, the cleaning of the substrate and the waiting for cleaning are not performed simultaneously. That is, during the cleaning of the substrate, the substrate is not conveyed to the waiting place. However, in recent years, in order to increase the throughput of the process, it is required to perform the cleaning of the substrate and the process of waiting for the cleaning at the same time. When the cleaning of the substrate and the waiting for cleaning are performed at the same time, since the cleaning chemical solution is used separately, a larger flow rate of the chemical solution and DIW is required than before. In addition, it is also possible to supply a small flow of chemical solution and DIW processing according to requirements. Furthermore, in the flow rate range that can be controlled by the conventional chemical liquid flowmeter and the DIW flowmeter, it cannot accommodate various processes.
專利文獻1：日本特開2009-54959號公報 Patent Document 1: Japanese Patent Laid-Open No. 2009-54959
本發明是為解決上述問題中的至少一個問題而做成的，其目的之一是，提供一種清洗藥液供給裝置及清洗藥液供給方法，可靈活地因應稀釋比例的變更，且可抑制裝置尺寸的大型化。 The present invention is made to solve at least one of the above-mentioned problems, and one of its objects is to provide a cleaning chemical solution supply device and a cleaning chemical solution supply method, which can flexibly respond to changes in the dilution ratio, and can suppress the device increase in size.
本發明的其他目的之一是，不更換流量計就可在寬大的流量範圍供給藥液及DIW。 Another object of the present invention is to supply chemical solution and DIW in a wide flow rate range without replacing the flow meter.
根據本發明的一方式，提供一種清洗藥液供給裝置。該清洗藥液供給裝置用於將清洗藥液供給到基板清洗裝置，該清洗藥液供給裝置具有：第1混合部，該第1混合部用於將對第1藥液和稀釋水進行混合所得到的第1清洗藥液供給到所述基板清洗裝置；第2混合部，該第2混合部用於將對第2藥液和稀釋水進行混合所得到的第2清洗藥液供給到所述基板清洗裝置；第1藥液控制部，該第1藥液控制部用於對供給到所述第1混合部的所述第1藥液的流量進行控制；第2藥液控制部，該第2藥液控制部用於對供給到所述第2混合部的所述第2藥液的流量進行控制；稀釋水控制部，該稀釋水控制部用於對供給到所述第1混合部或所述第2混合部的所述稀釋水的流量進行控制；以及稀釋水供給切換部，該稀釋水供給切換部將所述稀釋水的供給目的地從所述第1混合部切換到所述第2混合部、或者從所述第2混合部切換到所述第1混合部。 According to one aspect of the present invention, there is provided a cleaning chemical solution supply device. The cleaning chemical solution supply device is used for supplying the cleaning chemical solution to the substrate cleaning device, and the cleaning chemical solution supply device has a first mixing unit for mixing the first chemical solution and the dilution water. The obtained first cleaning chemical solution is supplied to the substrate cleaning apparatus; and a second mixing unit for supplying a second cleaning chemical solution obtained by mixing the second chemical solution and dilution water to the substrate cleaning device; a substrate cleaning apparatus; a first chemical solution control unit for controlling the flow rate of the first chemical solution supplied to the first mixing unit; a second chemical solution control unit for the first chemical solution control unit 2. A chemical solution control unit for controlling the flow rate of the second chemical solution supplied to the second mixing unit; a dilution water control unit for controlling the flow rate of the second chemical solution supplied to the first mixing unit or the dilution water control unit. controlling the flow rate of the dilution water in the second mixing unit; and a dilution water supply switching unit that switches the supply destination of the dilution water from the first mixing unit to the first mixing unit 2 mixing units, or switching from the second mixing unit to the first mixing unit.
根據本發明的一方式，在所述清洗藥液供給裝置中，所述第1藥液控制部構成為，在所述第2清洗藥液供給到所述基板清洗裝置的期間，停止供給所述第1藥液，所述第2藥液控制部構成為，在所述第1清洗藥液供給到所述基板清洗裝置的期間，停止供給所述第2藥液。 According to an aspect of the present invention, in the cleaning chemical solution supply device, the first chemical solution control unit is configured to stop supplying the second cleaning chemical solution to the substrate cleaning device while the second cleaning chemical solution is being supplied to the substrate cleaning device. The first chemical solution, and the second chemical solution control unit is configured to stop supplying the second chemical solution while the first cleaning chemical solution is being supplied to the substrate cleaning apparatus.
根據本發明的另一方式，在所述清洗藥液供給裝置中，所述稀釋水供給切換部構成為，在所述第1藥液控制部將所述第1藥液供給到所述第1混合部的期間，將所述稀釋水向第1混合部供給，在所述第2藥液控制部將所述第2藥液供給到所述第2混合部的期間，將所述稀釋水向第2混合部供給。 According to another aspect of the present invention, in the cleaning chemical solution supply device, the dilution water supply switching unit is configured to supply the first chemical solution to the first chemical solution control unit in the first chemical solution control unit During the mixing part, the dilution water is supplied to the first mixing part, and the dilution water is supplied to the second mixing part while the second chemical solution control part is supplying the second chemical to the second mixing part. The second mixing unit supplies.
根據本發明的另一方式，所述清洗藥液供給裝置具有：第1藥液供給源，該第1藥液供給源將第1藥液供給到所述第1藥液控制部；第2藥液供給源，該第2藥液供給源將第2藥液供給到所述第2藥液控制部；第1藥液入口閥， 該第1藥液入口閥設在連接所述第1藥液供給源和所述第1藥液控制部的管路上；以及第2藥液入口閥，該第2藥液入口閥設在連接所述第2藥液供給源和所述第2藥液控制部的管路上。 According to another aspect of the present invention, the cleaning chemical solution supply device includes: a first chemical solution supply source that supplies the first chemical solution to the first chemical solution control unit; a second chemical solution supply source a liquid supply source, the second chemical liquid supply source supplies the second chemical liquid to the second chemical liquid control part; the first chemical liquid inlet valve, The first chemical solution inlet valve is provided on the pipeline connecting the first chemical solution supply source and the first chemical solution control unit; and the second chemical solution inlet valve is provided at the connection place on the pipeline between the second chemical solution supply source and the second chemical solution control unit.
根據本發明的另一方式，在所述清洗藥液供給裝置中，所述第1藥液及所述第2藥液中，一方是鹼性的藥液，另一方是酸性的藥液。 According to another aspect of the present invention, in the cleaning chemical solution supply device, one of the first chemical solution and the second chemical solution is an alkaline chemical solution and the other is an acidic chemical solution.
根據本發明的另一方式，提供一種清洗藥液供給方法。該清洗藥液供給方法用於將清洗藥液供給到基板清洗裝置，該清洗藥液供給方法具有如下工序：對第1藥液的流量進行控制的工序；對稀釋水的流量進行控制的工序；將所述第1藥液和所述稀釋水供給到第1混合部、並使所述第1藥液和所述稀釋水混合的工序；第1供給工序，該第1供給工序將對所述稀釋水和所述第1藥液進行混合所得到的第1清洗藥液供給到所述基板清洗裝置；對第2藥液的流量進行控制的工序；將所述稀釋水的供給目的地從所述第1混合部切換到第2混合部的工序；將所述第2藥液和所述稀釋水供給到所述第2混合部、並使所述第2藥液和所述稀釋水混合的工序；以及第2供給工序，該第2供給工序將與所述稀釋水混合所得到的第2清洗藥液供給到所述基板清洗裝置。 According to another aspect of the present invention, a cleaning chemical solution supply method is provided. The cleaning chemical solution supply method is used for supplying the cleaning chemical solution to a substrate cleaning apparatus, and the cleaning chemical solution supply method includes the following steps: a step of controlling the flow rate of the first chemical solution; and a step of controlling the flow rate of the dilution water; a step of supplying the first chemical solution and the dilution water to the first mixing unit and mixing the first chemical solution and the dilution water; the steps of supplying a first cleaning chemical solution obtained by mixing dilution water and the first chemical solution to the substrate cleaning apparatus; controlling the flow rate of the second chemical solution; changing the supply destination of the dilution water from any The process of switching the first mixing part to the second mixing part; supplying the second chemical solution and the dilution water to the second mixing part, and mixing the second chemical solution and the dilution water steps; and a second supply step of supplying a second cleaning chemical solution obtained by mixing with the dilution water to the substrate cleaning apparatus.
根據本發明的另一方式，在所述清洗藥液供給方法中，所述第1供給工序具有如下工序：在所述第2供給工序中所述第2清洗藥液供給到所述基板清洗裝置的期間，停止供給所述第1清洗藥液；所述第2供給工序具有如下工序：在所述第1供給工序中所述第1清洗藥液供給到所述清洗裝置的期間，停止供給所述第2清洗藥液。 According to another aspect of the present invention, in the cleaning chemical solution supply method, the first supplying step includes a step of supplying the second cleaning chemical solution to the substrate cleaning apparatus in the second supplying step During the period of time, the supply of the first cleaning chemical is stopped; the second supplying step includes a step of stopping supplying all the cleaning chemicals while the first cleaning chemical is being supplied to the cleaning device in the first supplying step. Describe the second cleaning solution.
根據本發明的另一方式，在所述藥液供給方法中，所述第1藥液及所述第2藥液中，一方是鹼性的藥液，另一方是酸性的藥液。 According to another aspect of the present invention, in the chemical liquid supply method, one of the first chemical liquid and the second chemical liquid is an alkaline chemical liquid, and the other is an acidic chemical liquid.
根據本發明的另一方式，提供一種清洗單元。該清洗單元具有：對基板進行清洗的基板清洗裝置；以及將清洗藥液供給到所述基板清洗裝 置的清洗藥液供給裝置，所述基板清洗裝置具有：將清洗藥液供給到所述基板的噴嘴；以及對供給到所述基板的所述清洗藥液的流量進行測定的第1超聲波流量計，所述第1超聲波流量計配置在比所述噴嘴的位置低的位置。 According to another aspect of the present invention, a cleaning unit is provided. The cleaning unit includes: a substrate cleaning device for cleaning a substrate; and supplying a cleaning chemical to the substrate cleaning device A cleaning chemical solution supply device provided, the substrate cleaning device has: a nozzle for supplying the cleaning chemical solution to the substrate; and a first ultrasonic flowmeter for measuring the flow rate of the cleaning chemical solution supplied to the substrate , the first ultrasonic flowmeter is arranged at a position lower than the position of the nozzle.
根據本發明的另一方式，在所述清洗單元中，所述第1超聲波流量計構成為，通過所述第1超聲波流量計的清洗藥液的流動方向朝向鉛垂方向。 According to another aspect of the present invention, in the cleaning unit, the first ultrasonic flowmeter is configured such that a flow direction of the cleaning chemical solution passing through the first ultrasonic flowmeter faces a vertical direction.
根據本發明的另一方式，在所述清洗單元中，所述清洗藥液供給裝置具有：混合部，該混合部用於將對藥液和稀釋水進行混合所得到的清洗藥液供給到所述基板清洗裝置；藥液流量控制部，該藥液流量控制部對所述藥液的流量進行控制，並將所述藥液供給到所述混合部；以及稀釋水流量控制部，該稀釋水流量控制部對所述稀釋水的流量進行控制，並將所述稀釋水供給到所述混合部，所述藥液流量控制部及所述稀釋水流量控制部分別具有第2超聲波流量計及第3超聲波流量計，所述第2超聲波流量計及所述第3超聲波流量計配置在比所述噴嘴的位置低的位置。 According to another aspect of the present invention, in the cleaning unit, the cleaning chemical solution supply device includes a mixing unit for supplying the cleaning chemical solution obtained by mixing the chemical solution and the dilution water to the cleaning unit. the substrate cleaning apparatus; a chemical solution flow control unit that controls the flow rate of the chemical solution and supplies the chemical solution to the mixing unit; and a dilution water flow control unit that The flow rate control unit controls the flow rate of the dilution water and supplies the dilution water to the mixing unit, and the chemical solution flow rate control unit and the dilution water flow rate control unit have a second ultrasonic flowmeter and a second ultrasonic flowmeter, respectively. 3. The ultrasonic flowmeter, wherein the second ultrasonic flowmeter and the third ultrasonic flowmeter are arranged at a position lower than the position of the nozzle.
根據本發明的另一方式，在所述清洗單元中，所述第2超聲波流量計及所述第3超聲波流量計配置成，在所述第2超聲波流量計中流動的稀釋水的流動方向和通過所述第3超聲波流量計的藥液的流動方向朝向鉛垂方向。 According to another aspect of the present invention, in the cleaning unit, the second ultrasonic flowmeter and the third ultrasonic flowmeter are arranged so that the flow direction of the dilution water flowing in the second ultrasonic flowmeter is the same as the flow direction of the dilution water flowing in the second ultrasonic flowmeter. The flow direction of the chemical solution passing through the third ultrasonic flowmeter faces the vertical direction.
根據本發明的一方式，提供一種清洗單元。該清洗單元具有：對基板進行清洗的基板清洗裝置；以及將清洗藥液供給到所述基板清洗裝置的清洗藥液供給裝置。所述基板清洗裝置具有：對基板進行清洗的清洗部；以及等待部，該等待部配置等待要由所述清洗部進行清洗的基板，且將清洗藥液供給到等待中的基板。所述清洗藥液供給裝置具有：混合部，該混合部用於將對藥液和稀釋水進行混合所得到的清洗藥液供給到所述清洗部及所述等待部；藥液流量控制部，該藥液流量控制部對所述藥液的流量進行控制，並將所述藥液 供給到所述混合部；以及稀釋水流量控制部，該稀釋水流量控制部對所述稀釋水的流量進行控制，並將所述稀釋水供給到所述混合部。所述藥液流量控制部具有第1藥液流量控制部和第2藥液流量控制部，且所述藥液流量控制部構成為，將流量由所述第1藥液流量控制部及/或所述第2藥液流量控制部控制後的藥液供給到所述混合部。所述第1藥液流量控制部構成為，能夠在第1範圍將流量控制。所述第2藥液流量控制部構成為，能夠在一部分與所述第1範圍重疊的第2範圍將流量控制。所述稀釋水流量控制部具有第1稀釋水流量控制部和第2稀釋水流量控制部，且所述稀釋水流量控制部構成為，將流量由所述第1稀釋水流量控制部及/或所述第2稀釋水流量控制部控制後的稀釋水供給到所述混合部。所述第1稀釋水流量控制部構成為，能夠在第3範圍將流量控制，所述第2稀釋水流量控制部構成為，能夠在一部分與所述第3範圍重疊的第4範圍將流量控制。 According to one aspect of the present invention, a cleaning unit is provided. The cleaning unit includes: a substrate cleaning device for cleaning the substrate; and a cleaning chemical solution supply device for supplying a cleaning chemical solution to the substrate cleaning device. The substrate cleaning apparatus includes a cleaning unit that cleans a substrate, and a waiting unit that arranges a substrate waiting to be cleaned by the cleaning unit and supplies a cleaning chemical to the waiting substrate. The cleaning chemical solution supplying device includes: a mixing part for supplying cleaning chemical solution obtained by mixing chemical solution and dilution water to the cleaning part and the waiting part; and a chemical solution flow control part, The medicinal solution flow control unit controls the flow rate of the medicinal solution, and controls the medicinal solution supplied to the mixing unit; and a dilution water flow control unit that controls the flow rate of the dilution water and supplies the dilution water to the mixing unit. The chemical solution flow rate control unit includes a first chemical solution flow rate control unit and a second chemical solution flow rate control unit, and the chemical solution flow rate control unit is configured to control the flow rate from the first chemical solution flow rate control unit and/or The chemical solution controlled by the second chemical solution flow rate control unit is supplied to the mixing unit. The first chemical solution flow rate control unit is configured to be able to control the flow rate within the first range. The second chemical solution flow rate control unit is configured to be capable of controlling the flow rate in a second range partially overlapping the first range. The dilution water flow rate control unit includes a first dilution water flow rate control unit and a second dilution water flow rate control unit, and the dilution water flow rate control unit is configured to control the flow rate from the first dilution water flow rate control unit and/or the dilution water flow rate control unit. The dilution water controlled by the second dilution water flow control unit is supplied to the mixing unit. The first dilution water flow control unit is configured to be capable of controlling the flow rate in a third range, and the second dilution water flow rate control unit is configured to be capable of controlling the flow rate in a fourth range partially overlapping the third range. .
根據本發明的另一方式，在所述清洗單元中，同時進行所述清洗部中的基板的清洗、和向所述等待部中的基板供給清洗藥液。 According to another aspect of the present invention, in the cleaning unit, cleaning of the substrate in the cleaning section and supply of a cleaning chemical to the substrate in the waiting section are performed simultaneously.
根據本發明的另一方式，在所述清洗單元中，所述清洗部具有：上表面清洗部，該上表面清洗部構成為，將清洗藥液供給到基板的上表面；以及下表面清洗部，該下表面清洗部構成為，將清洗藥液供給到基板的下表面。 According to another aspect of the present invention, in the cleaning unit, the cleaning unit includes: an upper surface cleaning unit configured to supply cleaning chemicals to the upper surface of the substrate; and a lower surface cleaning unit , and the lower surface cleaning unit is configured to supply cleaning chemicals to the lower surface of the substrate.
採用本發明，可提供一種清洗藥液供給裝置及清洗藥液供給方法，可靈活地因應稀釋比例的變更，且可抑制裝置尺寸的大型化。 According to the present invention, a cleaning chemical solution supply device and a cleaning chemical solution supply method can be provided, which can flexibly respond to changes in the dilution ratio, and can suppress an increase in the size of the device.
採用本發明，不更換流量計，就可在寬大的流量範圍供給藥液及DIW。 According to the present invention, the liquid medicine and DIW can be supplied in a wide flow range without replacing the flow meter.
10:DIW供給源 10: DIW supply source
20:第1藥液供給源 20: The first chemical supply source
30:第2藥液供給源 30: Second chemical supply source
50:藥液共用箱 50: liquid medicine sharing box
51,51a:第1藥液入口閥 51, 51a: 1st chemical inlet valve
52:壓力計 52: Manometer
60:藥液共用箱 60: liquid medicine sharing box
61,61a:第2藥液入口閥 61,61a: 2nd chemical inlet valve
62:壓力計 62: Manometer
72,72a:第1直列式混合器 72, 72a: 1st in-line mixer
73,73a:第2直列式混合器 73, 73a: 2nd in-line mixer
81:DIW供給配管 81: DIW supply piping
82:DIW分歧配管 82: DIW branch piping
83:第1DIW配管 83: 1st DIW piping
84:第2DIW配管 84: 2nd DIW piping
86:DIW供給閥86
86:
87:DIW壓力調節器 87: DIW pressure regulator
88:DIW壓力計 88: DIW pressure gauge
91:配管 91: Piping
92:配管 92: Piping
93:第1藥液配管 93: The first chemical solution piping
94:第2藥液配管 94: Second chemical liquid piping
96:第1清洗藥液配管 96: 1st cleaning liquid piping
97:第2清洗藥液配管 97: 2nd cleaning liquid piping
100:藥液供給裝置 100: liquid medicine supply device
110:DIWCLC箱 110: DIWCLC box
111:CLC 111: CLC
111a,111b,121a,121b:DIWCLC 111a, 111b, 121a, 121b: DIWCLC
113a,113b,123a,123b:藥液CLC 113a, 113b, 123a, 123b: Liquid CLC
112:第1DIW供給閥 112: 1st DIW supply valve
113:第2DIW供給閥 113: 2nd DIW supply valve
115,116:直列式混合器 115, 116: Inline mixers
120:第1藥液CLC箱 120: The first liquid medicine CLC box
121:CLC 121: CLC
122:第1藥液供給閥 122: The first chemical supply valve
130:第2藥液CLC箱 130: The second liquid medicine CLC box
131:CLC 131: CLC
132:第2藥液供給閥 132: Second chemical supply valve
200:清洗裝置 200: Cleaning device
210:DIW清洗部220
210:
220:藥液清洗部 220: Liquid cleaning department
221,241:等待部 221, 241: Waiting Department
222,242:上表面清洗部 222,242: Upper surface cleaning department
223,243:下表面清洗部 223,243: Lower Surface Cleaning Department
225,227,229:流量表 225, 227, 229: Flow meters
230:清洗槽 230: Cleaning tank
231a,232a,233a:噴嘴 231a, 232a, 233a: Nozzle
圖1是表示第1實施方式的藥液供給裝置的概略前視圖。 FIG. 1 is a schematic front view showing a chemical solution supply device according to the first embodiment.
圖2是第1實施方式的藥液供給裝置的藥液供給流程圖。 FIG. 2 is a flow chart of supply of a chemical solution by the chemical solution supply device according to the first embodiment.
圖3是第2實施方式的藥液供給裝置的藥液供給流程圖。 FIG. 3 is a flow chart of supply of a chemical solution by the chemical solution supply device according to the second embodiment.
圖4是表示第3實施方式的清洗單元所具有的藥液供給裝置的概略側視圖。 4 is a schematic side view showing a chemical solution supply device included in a cleaning unit according to a third embodiment.
圖5是表示第3實施方式的清洗單元所具有的清洗裝置的概略立體圖。 5 is a schematic perspective view showing a cleaning device included in a cleaning unit according to a third embodiment.
圖6是第3實施方式的清洗單元的概略圖。 6 is a schematic diagram of a cleaning unit according to a third embodiment.
圖7是表示第4實施方式的清洗單元所具有的藥液供給裝置的概略側視圖。 7 is a schematic side view showing a chemical solution supply device included in the cleaning unit according to the fourth embodiment.
圖8是第4實施方式的清洗單元的概略圖。 FIG. 8 is a schematic diagram of a cleaning unit according to a fourth embodiment.
圖9是表示第4實施方式的清洗單元的DIW及藥液的供給處理的程序圖。 FIG. 9 is a flow chart showing the DIW and chemical solution supply processing in the cleaning unit according to the fourth embodiment.
下面，參照隨說明書附上的圖式，來說明本發明的實施方式。在下面說明的圖式中，對於相同或類似的結構要素，標上相同或類似的符號而省略重複說明。另外，在對下面說明的單獨的結構要素進行任意組合的發明中，也包含本發明作為對象的技術思想。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings attached to the specification. In the drawings described below, the same or similar components are assigned the same or similar symbols, and repeated descriptions are omitted. In addition, the technical idea of the present invention is also included in the invention in which the individual constituent elements described below are arbitrarily combined.
<第1實施方式> <First Embodiment>
下面，參照圖式來說明本發明的第1實施方式。圖1是表示本發明第1實施方式的藥液供給裝置的概略前視圖。本實施方式的藥液供給裝置構
成為，可將例如鹼性的藥液即第1藥液和例如酸性的藥液即第2藥液供給到CMP裝置所具有的清洗裝置。如圖1所示，第1實施方式的藥液供給裝置100具有：殼體101；DIWCLC箱110(稀釋水控制部)；第1藥液CLC箱120(第1藥液控制部)；以及第2藥液CLC箱130(第2藥液控制部)。DIWCLC箱110對DIW(稀釋水)的供給進行控制。第1藥液CLC箱120對第1藥液的供給進行控制。第2藥液CLC箱130對第2藥液的供給進行控制。
Next, a first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic front view showing a chemical solution supply device according to a first embodiment of the present invention. The chemical solution supply device structure of the present embodiment
It is possible to supply, for example, a first chemical liquid, which is an alkaline chemical liquid, and a second chemical liquid, such as an acidic chemical liquid, to the cleaning device included in the CMP apparatus. As shown in FIG. 1 , the chemical
藥液供給裝置100還具有複數個藥液共用箱(共用箱：utility box)50或60，它們用於將來自第1藥液供給源20及第2藥液供給源30(參照圖2及圖3)的藥液導入藥液供給裝置100。在圖示的例子中，六個藥液共用箱50或60設於藥液供給裝置100，但是這是一例子而已，根據清洗裝置的規格，藥液共用箱50或60的數量也可適當變更。
The chemical
DIWCLC箱110、第1藥液CLC箱120、第2藥液CLC箱130和複數個藥液共用箱50或60被收納在殼體101內。
The
DIWCLC箱110構成為，將來自後述的DIW供給源10的DIW供給到後述的第1直列式混合器72或72a或第2直列式混合器73或73a(參照圖2及圖3)。另外，DIWCLC箱110可將DIW的流量控制成根據反饋控制而設定的流量。
The
第1藥液CLC箱120構成為，將來自第1藥液供給源20的第1藥液供給到後述的第1直列式混合器72或72a(參照圖2及圖3)。另外，第1藥液CLC箱120可將第1藥液的流量控制成根據反饋控制而設定的流量。
The 1st chemical|medical
同樣，第2藥液CLC箱130構成為，將來自第2藥液供給源30的第2藥液供給到後述的第2直列式混合器73或73a(參照圖2及圖3)。另外，第2藥液CLC箱130可將第2藥液的流量控制成根據反饋控制而設定的流量。
Similarly, the 2nd chemical|medical
雖未圖示，但藥液供給裝置100具有對DIW、第1藥液或第2藥液進行輸送用的配管、閥和壓力計等。詳細結構在圖2及圖3中進行說明。
Although not shown, the chemical
圖2是本發明第1實施方式的藥液供給裝置100的藥液供給流程圖。如圖所示，藥液供給裝置100構成為，分別通過噴嘴而與用於供給DIW的DIW供給源10流體連通，與用於供給第1藥液的第1藥液供給源20流體連通，以及與用於供給第2藥液的第2藥液供給源30流體連通。另外，藥液供給裝置100構成為，與清洗裝置200(基板清洗裝置)進行流體連通。具體來說，藥液供給裝置100構成為與清洗裝置200進行流體連通，以使得能夠將稀釋後的第1藥液(第1清洗藥液)及稀釋後的第2藥液(第2清洗藥液)供給到清洗裝置200。
FIG. 2 is a flow chart of supply of the chemical solution by the chemical
清洗裝置200具有：DIW清洗部210，該DIW清洗部210用DIW對由研磨裝置研磨後的半導體基板等清洗對象物進行清洗；以及藥液清洗部220，該藥液清洗部220用稀釋後的藥液(清洗藥液)對由研磨裝置研磨後的半導體基板等清洗對象物進行清洗。DIW清洗部210由例如超聲波水清洗部和其它的DIW清洗部等構成。藥液清洗部220由例如輥型清洗部等構成。該DIW清洗部210和藥液清洗部220共存於同一的清洗槽230內。
The
藥液供給裝置100具有：第1直列式混合器72(相當於第1混合部的一例子)；第2直列式混合器73(相當於第2混合部的一例子)；第1藥液CLC箱120；第2藥液CLC箱130；以及DIWCLC箱110。第1直列式混合器72將第1藥液和DIW混合而生成第1清洗藥液。第2直列式混合器73將第2藥液和DIW混合而生成第2清洗藥液。第1藥液CLC箱120對從第1藥液供給源20供給到第1直列式混合器72的第1藥液的流量進行控制。第2藥液CLC箱130對從第2藥液供給源30供給到第2直列式混合器73的第2藥液的流量進行控制。DIWCLC箱110對從DIW供給源10供給到第1直列式混合器72或第2直列式混合器73的DIW的流量進行控制。
The chemical
第1直列式混合器72構成為，將所生成的第1清洗藥液供給到藥液清洗部220。同樣，第2直列式混合器73構成為，將所生成的第2清洗藥液供給到藥液清洗部220。
The first in-
DIWCLC箱110具有：第1DIW供給閥112；第2DIW供給閥113；以及CLC(Closed Loop Controller：閉環控制器)111。通過打開第1DIW供給閥112，稀釋用DIW從DIW供給源10被供給到第1直列式混合器72。通過打開第2DIW供給閥113，稀釋用DIW從DIW供給源10被供給到第2直列式混合器73。CLC111對供給到第1DIW供給閥112及第2DIW供給閥113的流量進行調節。另外，CLC111對流動於CLC111的DIW的流量進行測定。CLC111基於該測定結果，而對CLC111的內部控制閥的開度進行調節(反饋控制)，以使在CLC111內流動的DIW的流量成為所期望的流量。
The
DIWCLC箱110，通過關閉第2DIW供給閥113並打開第1DIW供給閥112而將DIW供給到第1直列式混合器72。另一方面，DIWCLC箱110通過關閉第1DIW供給閥112並打開第2DIW供給閥113而將DIW供給到第2直列式混合器73。即，DIWCLC箱110、第1DIW供給閥112及第2DIW供給閥113，作為在第1直列式混合器72與第2直列式混合器73之間切換DIW的供給目的地的稀釋水供給切換部發揮功能。
The
第1藥液CLC箱120具有：第1藥液供給閥122，該第1藥液供給閥122用於將第1藥液從第1藥液供給源20供給到第1直列式混合器72；以及CLC121，該CLC121對流動於第1藥液供給閥122的第1藥液的流量進行測定。CLC121對流動於CLC121的第1藥液的流量進行測定。CLC121基於該測定結果，而對CLC121的內部控制閥的開度進行調節(反饋控制)，以使在CLC121內流動的第1藥液的流量成為所期望的流量。
The first chemical
第2藥液CLC箱130具有：第2藥液供給閥132，該第2藥液供給閥132用於將第2藥液從第2藥液供給源30供給到第2直列式混合器73；以及CLC131，該CLC131對流動於第2藥液供給閥122的第2藥液的流量進行測定。CLC131對流動於CLC131的第2藥液的流量進行測定。CLC131基於該測定結果，而對CLC131的內部控制閥的開度進行調節(反饋控制)，以使在CLC131內流動的第2藥液的流量成為所期望的流量。
The second chemical
另外，藥液供給裝置100具有藥液共用箱50、和藥液共用箱60。藥液共用箱50將來自第1藥液供給源20的第1藥液導入到第1藥液CLC箱120的CLC121。藥液共用箱60將來自第2藥液供給源30的第2藥液導入到第2藥液CLC箱130的CLC131。
In addition, the chemical
藥液共用箱50設在連接第1藥液供給源20和第1藥液CLC箱120的CLC121的配管91上，且具有將第1藥液供給到配管91的第1藥液入口閥51、和對配管91內的流體壓力進行計測的壓力計52。第1藥液入口閥51由例如未圖示的控制裝置進行開閉控制。
The chemical solution
同樣，藥液共用箱60設在連接第2藥液供給源30和第2藥液CLC箱130的CLC131的配管92上，且具有將第2藥液供給到配管92的第2藥液入口閥61、和對配管92內的流體壓力進行計測的壓力計62。第2藥液入口閥61由例如未圖示的控制裝置進行開閉控制。
Similarly, the chemical solution
藥液供給裝置100具有一端與DIW供給源10連接、另一端與清洗裝置200的DIW清洗部210連接的DIW供給配管81。DIW供給配管81設有：DIW供給閥86；DIW壓力調節器87；以及DIW壓力計88。DIW供給閥86通過被開閉而對DIW從DIW供給源10向DIW供給配管81的供給進行控制。DIW壓力調節器87對DIW從DIW供給配管81向DIW清洗部210的供給壓力進行調節。DIW壓力計88對通過DIW供給配管81內部的DIW的壓力進行計測。
The chemical
在DIW供給配管81上的DIW供給閥86與DIW壓力調節器87之間連接DIW分歧配管82，該DIW分歧配管82的一端與DIWCLC箱110的CLC111連接。CLC111連接有：與第1直列式混合器72流體連通的第1DIW配管83；以及與第2直列式混合器73流體連通的第2DIW配管84。第1DIW供給閥112設在第1DIW配管83上，且在將DIW供給到第1直列式混合器72的情況下而被開閉控制。第2DIW供給閥113設在第2DIW配管84上，且在將DIW供給到第2直列式混合器73的情況下而被開閉控制。
A
在第1藥液CLC箱120的CLC121上連接與第1直列式混合器72流體連通的第1藥液配管93。第1藥液供給閥122設在第1藥液配管93上，且在將第1藥液供給到第1直列式混合器72的情況下而被開閉控制。在第1直列式混合器72上連接第1清洗藥液配管96，該第1清洗藥液配管96的一端與藥液清洗部220連接。
To the
在第2藥液CLC箱130的CLC131上連接與第2直列式混合器73流體連通的第2藥液配管94。第2藥液供給閥132設在第2藥液配管94上，且在將第2藥液供給到第2直列式混合器73的情況下而被開閉控制。在第2直列式混合器73上連接第2清洗藥液配管97，該第2清洗藥液配管97的一端與藥液清洗部220連接。
To the
DIWCLC箱110的CLC111、第1藥液CLC箱120的CLC121及第2藥液CLC箱130的CLC131構成為，可從未圖示的控制裝置接收表示規定的流量值的信號。基於該流量值，控制CLC111、CLC121及CLC131的內部控制閥的開度。
The
下面，說明圖2所示的藥液供給裝置100中的藥液供給處理。當將第1清洗藥液供給到清洗裝置200的藥液清洗部220時，首先，藥液共用箱50
的第1藥液入口閥51打開。由第1藥液CLC箱120的CLC121調節第1藥液的流量，規定流量的第1藥液從第1藥液供給源20被供給到第1直列式混合器72。
Next, the chemical solution supply process in the chemical
當DIW供給配管81上的DIW供給閥86打開時，DIW就從DIW供給源10被供給到DIWCLC箱110的CLC111。通過打開第1DIW供給閥112，從而DIW從DIWCLC箱110被供給到第1直列式混合器72。此時，預先關閉第2DIW供給閥113。
When the
DIW與供給到第1直列式混合器72的第1藥液混合。由此生成的第1清洗藥液經由第1清洗藥液配管96而被供給到藥液清洗部220。
DIW is mixed with the first chemical solution supplied to the first
在第1清洗藥液供給到藥液清洗部220的期間，停止第2藥液向第2直列式混合器73的供給。具體來說，藥液共用箱60的第2藥液入口閥61及/或第2藥液CLC箱130的第2藥液供給閥132被關閉。由此，第2清洗藥液不供給到藥液清洗部220，僅第1清洗藥液供給到藥液清洗部220。
While the first cleaning chemical is supplied to the
在本實施方式的藥液供給裝置100中，可交替供給第1清洗藥液和第2清洗藥液。當從第1清洗藥液切換到第2清洗藥液時，將DIWCLC箱110的第1DIW供給閥112關閉，並打開第2DIW供給閥113。由此，DIW從DIWCLC箱110被供給到第2直列式混合器73。接著，將藥液共用箱60的第2藥液入口閥61打開。由第2藥液CLC箱130的CLC131調節第2藥液的流量，且規定流量的第2藥液從第2藥液供給源30被供給到第2直列式混合器73。DIW與供給到第2直列式混合器73的第2藥液混合。由此生成的第2清洗藥液通過第2清洗藥液配管97而被供給到藥液清洗部220。
In the chemical
在第2清洗藥液供給到藥液清洗部220的期間，停止第1藥液向第1直列式混合器72的供給。具體來說，藥液共用箱50的第1藥液入口閥51及/或第1藥液CLC箱120的第1藥液供給閥122被關閉。由此，第1清洗藥液不供給到藥液清洗部220，僅第2清洗藥液供給到藥液清洗部220。
While the second cleaning chemical is supplied to the
另外，當從第2清洗藥液切換到第1清洗藥液時，DIWCLC箱110的第2DIW供給閥113被關閉，第1DIW供給閥112被打開。另外，藥液共用箱50的第1藥液入口閥51被打開，第1藥液CLC箱120的第1藥液供給閥122被打開。另外，藥液共用箱60的第2藥液入口閥61及/或第2藥液供給閥132被關閉。由此，第2清洗藥液不供給到藥液清洗部220，僅第1清洗藥液供給到藥液清洗部220。
In addition, when switching from the second cleaning chemical solution to the first cleaning chemical solution, the second
另外，在本實施方式中，由第1藥液CLC箱120及第2藥液CLC箱130控制流量的第1藥液及第2藥液的流量範圍，例如分別是30ml/min以上、300ml/min以下。另外，由DIWCLC箱110控制流量的DIW的流量範圍，例如是200ml/min以上、2000ml/min以下。因此，第1藥液或第2藥液與DIW的稀釋比例是1：1以上、1：65以下。
In addition, in the present embodiment, the flow rate ranges of the first chemical liquid and the second chemical liquid whose flow rates are controlled by the first chemical
如以上說明那樣，本實施方式的藥液供給裝置100具有DIWCLC箱110，該DIWCLC箱110對從DIW供給源10供給到第1直列式混合器72或第2直列式混合器73的DIW的流量進行控制。另外，藥液供給裝置100在第1直列式混合器72與第2直列式混合器73之間對DIW的供給目的地進行切換。因此，通過對供給到第1直列式混合器72及第2直列式混合器73的DIW的流量進行控制，可靈活地因應第1藥液及第2藥液的稀釋比例的變更。
As described above, the chemical
在本實施方式中，由於可用共同的DIWCLC箱110進行第1藥液和第2藥液的稀釋，因此，不必像以往技術那樣設置兩個DIW的流量計，可抑制藥液供給裝置100的大型化。換言之，由於相比於以往技術可減少DIW的流量計，因此，因此可削減裝置成本。
In the present embodiment, since the dilution of the first chemical solution and the second chemical solution can be performed by the
在以往技術那樣用兩個DIW的流量計對第1藥液和第2藥液進行稀釋的情況下，由於兩個DIW的流量計的誤差(儀器誤差)不同，因此，即使設定相同的稀釋比例來稀釋第1藥液和第2藥液，也有可能因所述儀器誤差而不成
為相同的稀釋比例。相對於此，在本實施方式的藥液供給裝置100中，由於用共同的DIWCLC箱110對第1藥液和第2藥液進行稀釋，因此，可消除因DIWCLC箱110的儀器誤差所引起的第1藥液和第1藥液的稀釋比例的差異。
When diluting the first chemical solution and the second chemical solution with two DIW flowmeters as in the prior art, since the errors (instrument errors) of the two DIW flowmeters are different, even if the same dilution ratio is set to dilute the first liquid and the second liquid, it may not be possible due to the error of the instrument
for the same dilution ratio. On the other hand, in the chemical
另外，在本實施方式的藥液供給裝置100中，第1清洗藥液供給到清洗裝置200的藥液清洗部200的期間，停止供給第2藥液，第2清洗藥液供給到藥液清洗部220的期間，停止供給第1藥液。因此，可防止鹼性藥液即第1藥液和酸性藥液即第2藥液在清洗裝置200的清洗中產生混合的現象，可防止因鹼性藥液和酸性藥液的混合所引起的有毒氣體的產生。
In addition, in the chemical
<第2實施方式> <Second Embodiment>
下面，說明本發明的第2實施方式的藥液供給裝置。圖3是本發明第2實施方式的藥液供給裝置100的藥液供給流程圖。另外，第2實施方式的藥液供給裝置100的概略前視圖，由於是與圖1所示的藥液供給裝置100的概略前視圖相同的，因此省略說明。
Next, a chemical solution supply device according to a second embodiment of the present invention will be described. FIG. 3 is a flow chart of the supply of the chemical solution by the chemical
第2實施方式與第1實施方式相比，清洗裝置200分別各有兩個DIW清洗部和藥液清洗部，這一點不相同。相伴於此，藥液供給裝置100的DIWCLC箱110、第1藥液CLC箱120及第2藥液CLC箱130分別各有兩個CLC，這一點也與第1實施方式不同。其它的閥及藥液共用箱的數量、配管結構也與第1實施方式不同。下面，以不同於第1實施方式的部分為中心進行說明，對於與第1實施方式相同的結構，標上相同的符號而省略說明。
The second embodiment is different from the first embodiment in that the
如圖3所示，藥液供給裝置100構成為，通過配管而與供給DIW用的DIW供給源10a流體連通。清洗裝置200具有：DIW清洗部210a，該DIW清洗部210a用DIW對由研磨裝置研磨後的半導體基板等清洗對象物進行清洗；以及藥液清洗部220a，該藥液清洗部220a用稀釋後的藥液(清洗藥液)對由研磨裝置研磨後的半導體基板等清洗對象物進行清洗。DIW清洗部210a與DIW清洗部
210相同地由例如超聲波水清洗部或其它的DIW清洗部等構成。藥液清洗部220a與藥液清洗部220相同地由例如輥型清洗部等構成。該DIW清洗部210a和藥液清洗部220a共存於同一的清洗槽230a內。
As shown in FIG. 3, the chemical|medical
藥液供給裝置100具有：第1直列式混合器72a(第1混合部)，該第1直列式混合器72a將第1藥液和DIW混合而生成第1清洗藥液；以及第2直列式混合器73a(第2混合部)，該第2直列式混合器73a將第2藥液和DIW混合而生成第2清洗藥液。第1藥液CLC箱120構成為，對從第1藥液供給源20供給到第1直列式混合器72a的第1藥液的流量進行控制。第2藥液CLC箱130構成為，對從第2藥液供給源30供給到第2直列式混合器73a的第2藥液的流量進行控制。DIWCLC箱110構成為，對從DIW供給源10a供給到第1直列式混合器72a或第2直列式混合器73a的DIW的流量進行控制。
The chemical
第1直列式混合器72a構成為，將所生成的第1清洗藥液供給到藥液清洗部220a。同樣，第2直列式混合器73a構成為，將所生成的第2清洗藥液供給到藥液清洗部220a。
The first in-
DIWCLC箱110具有：第1DIW供給閥112a；第2DIW供給閥113a；以及CLC111a。第1DIW供給閥112a將稀釋用DIW從DIW供給源10a供給到第1直列式混合器72a。第2DIW供給閥113a將稀釋用DIW從DIW供給源10a供給到第2直列式混合器73a。CLC111a對供給到第1DIW供給閥112a及第2DIW供給閥113a的流量進行調節。CLC111a對流動於CLC111a的DIW的流量進行測定。CLC111a基於該測定結果而對CLC11a的內部控制閥的開度進行調節(反饋控制)，以使在CLC11a內流動的DIW的流量成為所期望的流量。
The
DIWCLC箱110通過關閉第2DIW供給閥113a並打開第1DIW供給閥112a而將DIW供給到第1直列式混合器72a。另一方面，DIWCLC箱110通過關閉第1DIW供給閥112a並打開第2DIW供給閥113a而將DIW供給到第2直列式混合
器73a。即，DIWCLC箱110、第1DIW供給閥112a及第2DIW供給閥113a，作為在第1直列式混合器72a與第2直列式混合器73a之間對DIW的供給目的地進行切換的稀釋水供給切換部發揮功能。
The
第1藥液CLC箱120具有：第1藥液供給閥122a，該第1藥液供給閥122a將第1藥液從第1藥液供給源20供給到第1直列式混合器72a；以及CLC121a，該CLC121a對流動於第1藥液供給閥122a的第1藥液的流量進行測定。CLC121a基於該測定結構而對CLC121a的內部控制閥的開度進行調節(反饋控制)，以使在CLC121a內流動的第1藥液的流量成為所期望的流量。
The first chemical
第2藥液CLC箱130具有：第2藥液供給閥132a，該第2藥液供給閥132a將第2藥液從第2藥液供給源30供給到第2直列式混合器73a；以及CLC131a，該CLC131a對流動於第2藥液供給閥132a的第2藥液的流量進行測定。CLC131a基於該測定結構而對CLC131a的內部控制閥的開度進行調節(反饋控制)，以使在CLC131a內流動的第2藥液的流量成為所期望的流量。
The second chemical
另外，藥液供給裝置100具有藥液共用箱50a和藥液共用箱60a。藥液共用箱50a將來自第1藥液供給源20的第1藥液導入到第1藥液CLC箱120的CLC121a。藥液共用箱60a將來自第2藥液供給源30的第2藥液導入到第2藥液CLC箱130的CLC131a。
Moreover, the chemical|medical
藥液共用箱50a具有：第1藥液入口閥51a，該第1藥液入口閥51a設在連接第1藥液供給源20和第1藥液CLC箱120的CLC121a的配管91a上；以及壓力計52a，該壓力計52a對配管91a內的流體壓力進行計測。第1藥液入口閥51a由例如未圖示的控制裝置開閉控制，且將第1藥液供給到配管91a。
The chemical solution
同樣，藥液共用箱60a具有：第2藥液入口閥61a，該第2藥液入口閥61a設在連接第2藥液供給源30和第2藥液CLC箱130的CLC131a的配管92a上；
以及壓力計62a，該壓力計62a對配管92a內的流體壓力進行計測。第2藥液入口閥61a由例如未圖示的控制裝置開閉控制，且將第2藥液供給到配管92a。
Similarly, the chemical solution
藥液供給裝置100具有一端與DIW供給源10a連接、另一端與清洗裝置200的DIW清洗部310a連接的DIW供給配管81a。在DIW供給配管81a上設有：DIW供給閥86a；DIW壓力調節器87a；以及DIW壓力計88a。DIW供給閥86a通過被開閉而對DIW從DIW供給源10a向DIW供給配管81a的供給進行控制。DIW壓力調節器87a對DIW從DIW供給配管81a向DIW清洗部210a的供給壓力進行控制。DIW壓力計88a對通過DIW供給配管81a內部的DIW的壓力進行計測。
The chemical
在DIW供給配管81a上的DIW供給閥86a與DIW壓力調節器87a之間連接DIW分歧配管82a，該分歧配管82a的一端與DIWCLC箱110的CLC111a連接。在CLC111a上連接有：與第1直列式混合器72a流體連通的第1DIW配管83a；和與第2直列式混合器73a流體連通的第2DIW配管84a。第1DIW供給閥112a設在第1DIW配管83a上，且在DIW供給到第1直列式混合器72a的情況下被開閉控制。第2DIW供給閥113a設在第2DIW配管84a上，且在DIW供給到第2直列式混合器73a的情況下被開閉控制。
A
在第1藥液CLC箱120的CLC121a上連接與第1直列式混合器72a流體連通的第1藥液配管93a。第1藥液供給閥122a設在第1藥液配管93a上，且在第1藥液供給到第1直列式混合器72a的情況下被開閉控制。在第1直列式混合器72a上連接第1清洗藥液配管96a，該第1清洗藥液配管96a的一端與藥液清洗部220a連接。
To the
在第2藥液CLC箱130的CLC131a上連接與第2直列式混合器73a流體連通的第2藥液配管94a。第2藥液供給閥132a設在第2藥液配管94a上，且在第2藥液供給到第2直列式混合器73a的情況下被開閉控制。在第2直列式混合器73a
上連接第2清洗藥液配管97a，該第2清洗藥液配管97a的一端與藥液清洗部220a連接。
To the
DIWCLC箱110的CLC111a、第1藥液CLC箱120的CLC121a及第2藥液CLC箱130的CLC131a構成為，可從未圖示的控制裝置接收表示規定的流量值的信號。基於該流量值，控制CLC111a、CLC121a及CLC131a的內部控制閥的開度。
The
下面，說明圖3所示的藥液供給裝置100中的藥液供給處理。在第2實施方式的藥液供給裝置100中，如第1實施方式中說明的那樣，構成為，可將第1清洗藥液或第2清洗藥液供給到藥液清洗部220，且也可將第1清洗藥液或第2清洗藥液供給到藥液清洗部220a。第1清洗藥液或第2清洗藥液供給到藥液清洗部220的處理，由於是與第1實施方式相同的，因此省略說明，對第1清洗藥液或第2清洗藥液供給到藥液清洗部220a的處理進行說明。
Next, the chemical solution supply process in the chemical
當將第1清洗藥液供給到清洗裝置200的藥液清洗部220a時，首先，藥液共用箱50a的第1藥液入口閥51a打開。由第1藥液CLC箱120的CLC121a調節第1藥液的流量，規定流量的第1藥液從第1藥液供給源20被供給到第1直列式混合器72a。
When the first cleaning chemical solution is supplied to the chemical
DIW供給配管81a上的DIW供給閥86a打開，DIW從DIW供給源10a被供給到DIWCLC箱110的CLC111a。通過打開第1DIW供給閥112a，DIW從DIWCLC箱110被供給到第1直列式混合器72a。此時，預先關閉第2DIW供給閥113a。
The
DIW與供給到第1直列式混合器72a的第1藥液混合。由此生成的第1清洗藥液經由第1清洗藥液配管96a而被供給到藥液清洗部220a。
DIW is mixed with the first chemical solution supplied to the first
在第1清洗藥液供給到藥液清洗部220a的期間，停止第2藥液向第2直列式混合器73a的供給。具體來說，藥液共用箱60a的第2藥液入口閥61a及
/或第2藥液CLC箱130的第2藥液供給閥132a被關閉。由此，第2清洗藥液不供給到藥液清洗部220a，僅第1清洗藥液供給到藥液清洗部220a。
While the first cleaning chemical solution is being supplied to the chemical
在第2實施方式的藥液供給裝置100中，不僅對藥液清洗部220，而且對藥液清洗部22a也能夠交替供給第1清洗藥液和第2清洗藥液。當從第1清洗藥液切換到第2清洗藥液時，將DIWCLC箱110的第1DIW供給閥112a關閉，並打開第2DIW供給閥113a。由此，DIW從DIWCLC箱110被供給到第2直列式混合器73a。
In the chemical
另外，藥液共用箱60a的第2藥液入口閥61a打開。由第2藥液CLC箱130的CLC131a調節第2藥液的流量，且規定流量的第2藥液從第2藥液供給源30被供給到第2直列式混合器73a。DIW與供給到第2直列式混合器73a的第2藥液混合。由此生成的第2清洗藥液經由第2清洗藥液配管97a而被供給到藥液清洗部220a。
In addition, the second chemical
在第2清洗藥液供給到藥液清洗部220a的期間，停止第1藥液向第1直列式混合器72a的供給。具體來說，藥液共用箱50a的第1藥液入口閥51a及/或第1藥液CLC箱120的第1藥液供給閥122a被關閉。由此，第1清洗藥液不供給到藥液清洗部220a，僅第2清洗藥液供給到藥液清洗部220a。
While the second cleaning chemical solution is being supplied to the chemical
另外，當從第2清洗藥液切換到第1清洗藥液時，DIWCLC箱110的第2DIW供給閥113a被關閉，第1DIW供給閥112a被打開。另外，藥液共用箱50a的第1藥液入口閥51a被打開，第1藥液CLC箱120的第1藥液供給閥122a被打開。另外，藥液共用箱60a的第2藥液入口閥61a及/或第2藥液供給閥132a被關閉。由此，第2清洗藥液不供給到藥液清洗部220a，僅第1清洗藥液供給到藥液清洗部220a。
In addition, when switching from the second cleaning chemical solution to the first cleaning chemical solution, the second
另外，在本實施方式中，由第1藥液CLC箱120的CLC121、121a及第2藥液CLC箱130的CLC131、131a控制流量的第1藥液及第2藥液的流量範
圍，例如分別是30ml/min以上、300ml/min以下。另外，由DIWCLC箱110的CLC111、111a控制流量的DIW的流量範圍，例如分別是200ml/min以上、2000ml/min以下。因此，第1藥液或第2藥液與DIW的稀釋比例是1：1以上、1：65以下。
In addition, in the present embodiment, the flow rate range of the first chemical liquid and the second chemical liquid whose flow is controlled by the
第2實施方式的藥液供給裝置100具有與第1實施方式的藥液供給裝置100相同的優點。除此之外，第2實施方式的藥液供給裝置100可對兩個藥液清洗部220、220a交替供給第1清洗藥液和第2清洗藥液。
The chemical
在第2實施方式中，說明了將第1清洗藥液及第2清洗藥液供給到兩個藥液清洗部220、220a的結構，但並不限於此，也可構成為將第1清洗藥液及第2清洗藥液供給到三個以上的藥液清洗部。在該情況下，只要在DIWCLC箱110、第1藥液CLC箱120及第2藥液CLC箱130上增加與藥液清洗部對應數量的CLC即可。
In the second embodiment, the configuration in which the first cleaning chemical and the second cleaning chemical are supplied to the two
另外，在第1實施方式及第2實施方式中，以第1藥液為鹼性藥液、以第2藥液為酸性藥液進行了說明，但也可以與此相反地將第1藥液作為酸性藥液，而將第2藥液作為鹼性藥液。 In addition, in the first and second embodiments, the first chemical liquid is described as the alkaline chemical liquid and the second chemical liquid is used as the acidic chemical liquid, but the first chemical liquid may be used conversely. As the acidic chemical solution, the second chemical solution was used as the alkaline chemical solution.
<第3實施方式> <Third Embodiment>
下面，說明本發明的第3實施方式的清洗單元。圖4是表示第3實施方式的清洗單元所具有的藥液供給裝置的概略側視圖。藥液供給裝置構成為，可將例如氫氟酸和氨等藥液供給到用於清洗CMP裝置各部分的清洗裝置。 Next, a cleaning unit according to a third embodiment of the present invention will be described. 4 is a schematic side view showing a chemical solution supply device included in a cleaning unit according to a third embodiment. The chemical solution supply device is configured to supply chemical solutions such as hydrofluoric acid and ammonia to the cleaning device for cleaning each part of the CMP apparatus.
如圖4所示，本實施方式的藥液供給裝置100具有：框架102；以及藥液稀釋箱140，該藥液稀釋箱140用DIW(稀釋水)對藥液進行稀釋，並用於供給稀釋後的藥液(清洗藥液)。在圖示的例子中，四個藥液稀釋箱140設於藥液供給裝置100，但這是一例子而已，根據清洗裝置的規格，也可適當變更藥液
稀釋箱140的數量。如圖示所示，藥液稀釋箱140被收納在框架102內。藥液稀釋箱140構成為，對來自後述的DIW供給源10的DIW和來自藥液供給源40的藥液進行混合，並可將清洗藥液供給到清洗裝置200(參照圖6)。雖未圖示，但藥液供給裝置100具有用於輸送DIW或藥液的配管、閥和壓力計等。在圖6中詳細說明它們。
As shown in FIG. 4 , the chemical
圖5是表示第3實施方式的清洗單元所具有的清洗裝置的概略立體圖。清洗裝置是使用從圖4所示的藥液供給裝置100供給的清洗藥液來對半導體基板及CMP裝置各部分進行清洗用的裝置。
5 is a schematic perspective view showing a cleaning device included in a cleaning unit according to a third embodiment. The cleaning apparatus is an apparatus for cleaning the semiconductor substrate and each part of the CMP apparatus using the cleaning chemical solution supplied from the chemical
如圖5所示，清洗裝置200具有：框架201；藥液清洗部220，該藥液清洗部220用清洗藥液對半導體基板等進行清洗；以及複數個藥液供給箱250，該複數個藥液供給箱250將清洗藥液供給到藥液清洗部220。在圖示的例子中，清洗裝置200例示了四個藥液清洗部220、和兩個藥液供給箱250，但這是一例子而已，根據清洗裝置200的規格也可適當變更它們的數量。
As shown in FIG. 5 , the
雖未圖示，但清洗裝置200具有用於輸送DIW或藥液的配管、閥和壓力計等。在圖6中詳細說明它們。藥液供給箱250具有流量表(flow meter)，用於測定供給到藥液清洗部220的清洗藥液的流量(參照圖6)。作為該流量表，以往使用了根據流體的差壓來測定流量的孔板流量計。但是，近年來，開發了可測定清洗藥液的流量的超聲波流量計。超聲波流量計與孔板流量計相比，由於流量的測定範圍寬大，因此在本實施方式中，作為藥液供給箱250所具有的流量表，採用超聲波流量計。
Although not shown, the
另一方面，超聲波流量計基於在配管內傳送的超聲波來測定流量，因此，當配管內存在氣泡時，超聲波會產生散射，難以進行正確的測定。因此，在本實施方式中，將藥液供給箱250所具有的流量表的位置設置得比清
洗藥液供給到藥液清洗部220的噴嘴的位置低。由此，流量表的配管內的氣泡容易向噴嘴移動，抑制配管內的氣泡滯留在流量表內的現象。
On the other hand, the ultrasonic flowmeter measures the flow rate based on the ultrasonic waves propagating in the piping. Therefore, when air bubbles are present in the piping, the ultrasonic waves are scattered, and it is difficult to perform accurate measurement. Therefore, in the present embodiment, the position of the flow meter included in the chemical solution supply tank 250 is set to be clearer
The position of the nozzle through which the chemical solution is supplied to the chemical
另外，在本實施方式中，流量表構成為，通過藥液供給箱250所具有的流量表的清洗藥液的流動方向朝向鉛垂方向。另外，流量表構成為，通過流量表的清洗藥液從下向上流動。由此，由於流量表的配管內的氣泡向上方移動，因此，進一步抑制配管內的氣泡滯留在流量表內的現象。 In addition, in the present embodiment, the flow meter is configured such that the flow direction of the cleaning chemical solution passing through the flow meter provided in the chemical solution supply tank 250 faces the vertical direction. In addition, the flow meter is configured so that the cleaning chemical liquid passing through the flow meter flows upward from the bottom. Thereby, since the air bubbles in the piping of the flow meter move upward, the phenomenon that the air bubbles in the piping remain in the flow meter is further suppressed.
接著，說明本實施方式的清洗單元。圖6是第3實施方式的清洗單元的概略圖。如圖示所示，清洗單元具有：圖4所示的藥液供給裝置100(相當於清洗藥液供給裝置的一例子)；以及圖5所示的清洗裝置200(相當於基板清洗裝置的一例子)。另外，在圖6中，例示了圖4所示的四個藥液稀釋箱140中的一個，並例示了圖5所示的兩個藥液供給箱250中的一個及四個藥液清洗部220中的一個。
Next, the cleaning unit of the present embodiment will be described. 6 is a schematic diagram of a cleaning unit according to a third embodiment. As shown in the figure, the cleaning unit includes: a chemical
藥液供給裝置100構成為，分別經由配管而使用於供給DIW的DIW供給源10與用於供給例如氫氟酸或氨等藥液的藥液供給源40流體連通。另外，藥液供給裝置100構成為與清洗裝置200流體連通。具體而言，藥液供給裝置100以能夠將DIW及稀釋後的藥液供給到清洗裝置200的方式與清洗裝置200流體連通。
The chemical
清洗裝置200具有：DIW清洗部210，該DIW清洗部210使用DIW清洗對象物；以及藥液清洗部220，該藥液清洗部220使用稀釋後的藥液(清洗藥液)而對清洗對象物進行清洗。DIW清洗部210由例如超聲波水清洗部或其它的DIW清洗部等構成，用DIW對由CMP裝置研磨後的半導體基板等的清洗對象物即CMP裝置的各部分進行清洗。藥液清洗部220由例如輥型清洗部或筆型清洗部構成，對由CMP裝置研磨後的半導體基板等的清洗對象物進行清洗。
The
藥液供給裝置100具有藥液稀釋箱140，該藥液稀釋箱140用DIW(稀釋水)對藥液進行稀釋，且用於將稀釋後的藥液(清洗藥液)供給到清洗裝置200的藥液清洗部220。
The chemical
藥液稀釋箱140具有：直列式混合器115(相當於混合部的一例子)；DIWCLC111c(相當於稀釋水流量控制部的一例子)；以及藥液CLC113c(相當於藥液流量控制部的一例子)。直列式混合器115將藥液和DIW混合而生成清洗藥液。DIWCLC111c對從DIW供給源10供給到直列式混合器115的DIW的流量進行調節。藥液CLC113c對從藥液供給源40供給到直列式混合器115的藥液的流量進行調節。直列式混合器115構成為，將所生成的清洗藥液供給到藥液清洗部220。
The chemical
藥液稀釋箱140還具有DIW供給閥112c，該DIW供給閥112c用於將稀釋用DIW從DIW供給源10供給到直列式混合器115。DIWCLC111c包含超聲波流量計(相當於第3超聲波流量計的一例子)，用於測定流動於DIWCLC111c的DIW的流量。DIWCLC111c基於流量的測定結果而對內部的控制閥的開度進行調節(反饋控制)，以使在DIWCLC111c內流動的DIW的流量成為所期望的流量。
The chemical
藥液稀釋箱140還具有藥液供給閥114c，該藥液供給閥114c用於將藥液從藥液供給源40供給到直列式混合器115。藥液CLC113c包含超聲波流量計(相當於第2超聲波流量計的一例子)，用於測定流動於藥液CLC113c的藥液的流量。藥液CLC113c基於流量的測定結果而對內部的控制閥的開度進行調節(反饋控制)，以使在藥液CLC113c內流動的藥液的流量成為所期望的流量。
The chemical
另外，藥液稀釋箱140具有：設在連接藥液供給源40和藥液CLC113c的配管91c上的藥液入口閥51c；及對配管91c內的流體壓力進行計測的壓力計52c。藥液入口閥51c通過例如未圖示的控制裝置而被開閉控制。
In addition, the chemical
藥液供給裝置100具有DIW供給配管81b，該供給配管81b的一端與DIW供給源10連接，另一端與清洗裝置200的DIW清洗部210連接。在DIW供給配管81b上設有DIW供給閥86b、DIW壓力調節器87b和DIW壓力計88b。通過DIW供給閥86b被開閉，從而控制DIW從DIW供給源10向DIW供給配管81b的供給。DIW壓力調節器87b對DIW從DIW供給配管81b向DIW清洗部210的供給壓力進行調節。DIW壓力計88b對DIW供給配管81b的內部的壓力進行計測。
The chemical
DIW供給配管81b上的DIW供給閥86b與DIW壓力調節器87b之間連接DIW分歧配管82c，該分歧配管82c的一端與DIWCLC111c連接。在DIWCLC111c上連接與直列式混合器115流體連通的DIW配管83c。DIW供給閥112c設在DIW配管83c上，且在將DIW供給到直列式混合器115的情況下被開閉控制。
A
在藥液稀釋箱140的藥液CLC113c上連接與直列式混合器115流體連通的藥液配管84c。藥液供給閥114c設在藥液配管84c上，將藥液供給到藥液配管84c內。在直列式混合器115上連接清洗藥液配管96b，該清洗藥液配管96b的一端與清洗裝置200連接。
To the
藥液稀釋箱140的DIWCLC111c及藥液CLC113c構成為，可從未圖示的控制裝置接收表示規定的流量值的信號。基於該流量值來控制DIWCLC111c及藥液CLC113c的內部控制閥的開度。
The
清洗裝置200的藥液清洗部220具有：上表面清洗部222，該上表面清洗部222將清洗藥液供給到研磨後的基板的上表面對其進行清洗；以及下表面清洗部223，該下表面清洗部223將清洗藥液供給到研磨後的基板的下表面對其進行清洗。除此之外，藥液清洗部220具有等待部221，該等待部221配置等待要由上表面清洗部222及下表面清洗部223進行清洗的基板。上表面清洗部222及下表面清洗部223作為對一張基板的上表面和下表面同時進行清洗的基板
清洗部發揮功能。等待部221將清洗藥液供給到等待中的基板，以防止等待中的基板產生氧化的現象。
The chemical
清洗裝置200具有：清洗藥液供給配管231；清洗藥液供給配管232；以及清洗藥液供給配管233。清洗藥液供給配管231使清洗藥液配管96c和等待部221流體連通。清洗藥液供給配管232使清洗藥液配管96c和上表面清洗部222流體連通。清洗藥液供給配管233使清洗藥液配管96c和下表面清洗部223流體連通。
The
在清洗藥液供給配管231上設有：用於將清洗藥液供給到等待部221的清洗藥液供給閥224；以及對所供給的清洗藥液的流量進行計測的流量表225。在清洗藥液供給配管232上設有：用於將清洗藥液供給到上表面清洗部222的清洗藥液供給閥226；以及對所供給的清洗藥液的流量進行計測的流量表227。在清洗藥液供給配管233上設有：用於將清洗藥液供給到下表面清洗部223的清洗藥液供給閥228；以及對所供給的清洗藥液的流量進行計測的流量表229。流量表225、227、229及清洗藥液供給閥224、226、228被收納在藥液供給箱250內。清洗藥液供給閥224、清洗藥液供給閥226及清洗藥液供給閥228由例如未圖示的控制裝置進行開閉控制。
The cleaning chemical
清洗藥液供給配管231的下游側端部具有噴嘴231a，該噴嘴231a用於將清洗藥液供給到等待部221。另外，清洗藥液供給配管232的下游側端部具有噴嘴232a，該噴嘴232a用於將清洗藥液供給到上表面清洗部222。此外，清洗藥液供給配管233的下游側端部具有噴嘴233a，該噴嘴233a用於將清洗藥液供給到下表面清洗部223。
The downstream end portion of the cleaning chemical
如圖5中說明的那樣，藥液供給箱250內的流量表225、227、229分別是超聲波流量計(相當於第1超聲波流量計的一例子)。對於這些流量表225、227、229，為了更準確地測定清洗藥液的流量，而在本實施方式中將所
對應的流量表225、227、229的位置設置得比噴嘴231a、232a、233a的各個位置低。由此，流量表225、227、229的配管內的氣泡容易向噴嘴231a、232a、233a移動，抑制配管內的氣泡滯留在流量表225、227、229內的現象。
As described in FIG. 5 , the
另外，如圖5中也說明的那樣，流量表225、227、229構成為，通過流量表225、227、229的清洗藥液的流動方向朝向鉛垂方向。即，如圖6所示，通過流量表225、227、229的配管以朝向鉛垂方向的狀態而沿上下方向排列。另外，以通過流量表225、227、229的清洗藥液從下向上流動的狀態，而構成流量表225、227、229及清洗藥液供給配管231、232、233。由此，由於流量表225、227、229內的氣泡向上方移動，因此，進一步抑制氣泡滯留在流量表225、227、229內的現象。
Moreover, as also demonstrated in FIG. 5, the
另外，此處的所謂「鉛垂方向」，不僅是完全的鉛垂方向，也包含相對於鉛垂方向具有稍許角度的方向。換言之，「鉛垂方向」也包含如下情況：通過流量表225、227、229的氣泡不滯留地可向上方移動的程度地、使通過流量表225、227、229的清洗藥液的流動方向相對於鉛垂方向具有稍許角度。
In addition, the so-called "vertical direction" here includes not only a complete vertical direction but also a direction having a slight angle with respect to the vertical direction. In other words, the "vertical direction" also includes a case where the flow directions of the cleaning chemicals passing through the
在本實施方式中，DIWCLC111c及藥液CLC113c的位置與藥液供給箱250的流量表225、227、229相同地，低於噴嘴231a、232a、233a的各個位置。由此，DIWCLC111c及藥液CLC113c所具有的超聲波流量計內的氣泡就容易向噴嘴231a、232a、233a移動，抑制氣泡滯留在超聲波流量計內的現象。
In the present embodiment, the positions of the
另外，在圖6的例子中，在DIWCLC111c及藥液CLC113c中流動的DIW及藥液的流動方向是橫向(水平方向)。但是，也可使這些流動方向朝向鉛垂方向地構成DIWCLC111c及藥液CLC113c。在該情況下，由於DIWCLC111c及藥液CLC113c的超聲波流量計內的氣泡向上方移動，因此，可進一步抑制氣泡滯留在超聲波流量計內的現象。
In addition, in the example of FIG. 6, the flow direction of the DIW and the chemical liquid flowing in the
如以上說明的那樣，由於流量表225、227、229是超聲波流量計，因此，相比於以往技術可將包含其的藥液供給箱250小型化。另外，由於通過流量表225、227、229的清洗藥液的流動方向是鉛垂方向，因此，可將包含流量表225、227、229在內的藥液供給箱250配置在清洗裝置200的圖5所示的位置。此外，藥液供給箱250的位置比噴嘴231a、232a、233a的各個位置低。因此，不會使裝置尺寸大型化，可進行抑制了氣泡所引起的測定誤差後的流量測定。
As described above, since the
以上，說明了本發明的第1實施方式至第3實施方式，但上述的發明的實施方式是用於容易理解本發明的實施方式，不限定本發明。本發明可不脫離其宗旨地進行變更、改進，且對於本發明當然包含其等價物。另外，在能解決上述問題的至少一部分的範圍、或者獲得至少一部分效果的範圍內，可對申請專利範圍及說明書中記載的各結構要素進行任意組合或省略。 The first to third embodiments of the present invention have been described above, but the above-described embodiments of the present invention are for facilitating understanding of the present invention and do not limit the present invention. The present invention can be changed and improved without departing from the gist of the present invention, and it is a matter of course that the present invention includes the equivalents thereof. In addition, within the range where at least part of the above-mentioned problems can be solved, or the range where at least part of the effects can be obtained, the respective components described in the scope of the claims and the specification can be arbitrarily combined or omitted.
具體來說，也可對第1實施方式至第3實施方式的各個特點部分進行置換或組合。例如，在作為第1實施方式的CLC111、121、131(參照圖2)的流量計而採用了超聲波流量計的情況下，也可將CLC111、121、131的位置設置得比將清洗藥液供給到藥液清洗部220的噴嘴的位置低。另外，也可取代第1實施方式或第2實施方式的清洗裝置200(參照圖2及圖3)，而採用第3實施方式的清洗裝置200(參照圖6)。另外，例如，也可取代第3實施方式的藥液供給裝置100(參照圖6)，而採用第1實施方式或第2實施方式的藥液供給裝置100(參照圖2及圖3)。
Specifically, each characteristic part of the first to third embodiments may be replaced or combined. For example, when an ultrasonic flowmeter is used as the flowmeter of the
<第4實施方式> <4th Embodiment>
下面，參照附圖來說明本發明的第4實施方式。圖7是表示本實施方式的清洗單元所具有的藥液供給裝置的概略側視圖。藥液供給裝置構成為，可將例如氫氟酸或氨等藥液供給到對CMP裝置各部分進行清洗用的清洗裝
置。如圖7所示，本實施方式的藥液供給裝置100具有：殼體10；以及複數個藥液稀釋箱150或160，該複數個藥液稀釋箱150或160用DIW(稀釋水)對藥液進行稀釋，並用於供給稀釋後的藥液(稀釋藥液)。在圖示的例子中，四個藥液稀釋箱150或160設於藥液供給裝置100，但是這是一例子而已，根據清洗裝置的規格，藥液稀釋箱150或160的數量也可適當變更。如圖所示，藥液稀釋箱150或160被收納在殼體101內。
Next, a fourth embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 7 is a schematic side view showing a chemical solution supply device included in the cleaning unit of the present embodiment. The chemical solution supply device is configured to supply a chemical solution such as hydrofluoric acid or ammonia to a cleaning device for cleaning various parts of the CMP apparatus.
set. As shown in FIG. 7 , the chemical
藥液稀釋箱150或160構成為，將來自後述的DIW供給源10的DIW和來自藥液供給源20或藥液供給源30的藥液混合，並可將稀釋藥液供給到清洗裝置200(參照圖8)。
The chemical
雖未圖示，但藥液供給裝置100具有用於輸送DIW或藥液的配管、閥和壓力計等。在圖8中詳細說明。
Although not shown, the chemical
圖8是本發明實施方式的清洗單元的概略圖。如圖所示，清洗單元具有：圖7所示的藥液供給裝置100(清洗藥液供給裝置)；以及清洗裝置200(基板清洗裝置)，該清洗裝置200用於利用從藥液供給裝置100供給的清洗藥液而對基板及CMP裝置的各部分進行清洗。 8 is a schematic diagram of a cleaning unit according to an embodiment of the present invention. As shown in the figure, the cleaning unit includes: a chemical solution supply device 100 (cleaning chemical solution supply device) shown in FIG. The supplied cleaning chemical solution cleans the substrate and each part of the CMP apparatus.
藥液供給裝置100構成為，分別經由配管而與用於供給DIW的DIW供給源10流體連通，與例如供給氫氟酸或氨等藥液的藥液供給源20流體連通，及與用於供給同樣的藥液的藥液供給源30流體連通。另外，藥液供給裝置100構成為，與清洗裝置200流體連通。具體來說，藥液供給裝置100構成為，以能夠將DIW及稀釋後的藥液供給到清洗裝置200方式與清洗裝置200流體連通。
The chemical
清洗裝置200具有：DIW清洗部210，該DIW清洗部210用DIW對由CMP裝置研磨後的半導體基板等的清洗對象物即CMP裝置的各部分進行清洗；第1藥液清洗部220及第2藥液清洗部240，該第1藥液清洗部220及第2藥液
清洗部240用稀釋後的藥液(清洗藥液)對由CMP裝置研磨後的半導體基板等的清洗對象物進行清洗。DIW清洗部210由例如超聲波水清洗部或其它的DIW清洗部等構成。第1藥液清洗部220由例如輥型清洗部構成，第2藥液清洗部240由例如筆型清洗部構成。
The
藥液供給裝置100具有：第1藥液稀釋箱150，該第1藥液稀釋箱150用DIW(稀釋水)對藥液進行稀釋，並用於將稀釋後的藥液(稀釋藥液)供給到清洗裝置200的第1藥液清洗部220；及第2藥液稀釋箱160，該第2藥液稀釋箱160用DIW(稀釋水)對藥液進行稀釋，並用於將稀釋後的藥液供給到清洗裝置200的第2藥液清洗部240。
The chemical
第1藥液稀釋箱150具有：將藥液和DIW混合而生成清洗藥液的直列式混合器115(混合部)；對從DIW供給源10供給到直列式混合器115的DIW的流量進行調節的DIWCLC(Closed Loop Controller：閉環控制器)111a(第1稀釋水流量控制部)及DIWCLC111b(第2稀釋水流量控制部)；以及對從藥液供給源20供給到直列式混合器115的藥液的流量進行調節的藥液CLC113a(第1藥液流量控制部)及藥液CLC113b(第2藥液流量控制部)。直列式混合器115構成為，將所生成的清洗藥液供給到第1藥液清洗部220。
The first chemical
第1藥液稀釋箱150還具有兩個DIW供給閥112a、112b，該兩個DIW供給閥112a、112b用於將稀釋用DIW從DIW供給源10分別供給到直列式混合器115。DIWCLC111a、111b分別對流動於DIWCLC111a、111b的DIW的流量進行測定，基於測定結果而對內部的控制閥的開度進行調節(反饋控制)，以使在DIWCLC111a、111b內流動的DIW的流量成為所期望的流量。
The first chemical
第1藥液稀釋箱150還具有藥液供給閥114a、114b，該藥液供給閥114a、114b用於將藥液從藥液供給源20分別供給到直列式混合器115。藥液CLC113a、113b分別對流動於藥液CLC113a、113b的藥液的流量進行測定，基
於測定結果而對內部的控制閥的開度進行調節(反饋控制)，以使在藥液CLC113a、113b內流動的藥液的流量成為所期望的流量。
The first chemical
另外，第1藥液稀釋箱150設在連接藥液供給源20和藥液CLC113a的配管91a上，並具有：將藥液供給到配管91a的藥液入口閥51a；以及對配管91a內的流體壓力進行計測的壓力計52a。同樣，第1藥液稀釋箱150設在連接藥液供給源20和藥液CLC113b的配管91b上，並具有：將藥液供給到配管91b的藥液入口閥51b；以及對配管91b內的流體壓力進行計測的壓力計52b。藥液入口閥51a、51b由例如未圖示的控制裝置進行開閉控制。
In addition, the first chemical
第2藥液稀釋箱160具有與第1藥液稀釋箱150類似的結構。即，第2藥液稀釋箱160具有：將藥液和DIW混合而生成清洗藥液的直列式混合器116(混合部)；對從DIW供給源10供給到直列式混合器116的DIW的流量進行調節的兩個DIWCLC(Closed Loop Controller：閉環控制器)121a、121b；以及對從藥液供給源30供給到直列式混合器116的藥液的流量進行調節的兩個藥液CLC123a、123b。直列式混合器116構成為，將所生成的清洗藥液供給到第2藥液清洗部240。
The second chemical
第2藥液稀釋箱160還具有兩個DIW供給閥122a、122b，該兩個DIW供給閥122a、122b用於將稀釋用DIW從DIW供給源10分別供給到直列式混合器116。DIWCLC121a、121b分別對流動於DIWCLC121a、121b的DIW的流量進行測定，基於測定結果而對內部的控制閥的開度進行調節(反饋控制)，以使在DIWCLC121a、121b內流動的DIW的流量成為所期望的流量。
The second chemical
第2藥液稀釋箱160還具有藥液供給閥124a、124b，該藥液供給閥124a、124b用於將藥液從藥液供給源30分別供給到直列式混合器116。藥液CLC123a、123b分別對流動於藥液CLC123a、123b的藥液的流量進行測定，基
於測定結構而對內部的控制閥的開度進行調節(反饋控制)，以使在藥液CLC123a、123內流動的藥液的流量成為所期望的流量。
The second chemical
另外，第2藥液稀釋箱160設在連接藥液供給源30和藥液CLC123a的配管92a上，並具有：將藥液供給到配管92a的藥液入口閥61a；以及對配管92a內的流體壓力進行計測的壓力計62a。同樣，第2藥液稀釋箱160設在連接藥液供給源30和藥液CLC123b的配管92b上，並具有：將藥液供給到配管92b的藥液入口閥61b；以及對配管92b內的流體壓力進行計測的壓力計62b。藥液入口閥61a、61b由例如未圖示的控制裝置進行開閉控制。
In addition, the second chemical
藥液供給裝置100具有DIW供給配管81，該DIW供給配管81的一端與DIW供給源10連接，另一端與清洗裝置200的DIW清洗部210連接。在DIW供給配管81上設有：DIW供給閥86，該DIW供給閥86用於將DIW從DIW供給源10供給到DIW供給配管81；DIW壓力調節器87，該DIW壓力調節器87用於對DIW從DIW供給配管81向DIW清洗部210的供給壓力進行調節；以及DIW壓力計88，該DIW壓力計88對通過DIW供給配管81的內部的DIW的壓力進行計測。
The chemical
在DIW供給配管81上的DIW供給閥86與DIW壓力調節器87之間連接DIW分歧配管82a，該DIW分歧配管82a的一端與DIWCLC111a連接。在DIWCLC111a上連接與直列式混合器115流體連通的DIW配管83a。DIW供給閥112a設在DIW配管83a上，且在將DIW供給到直列式混合器115的情況下被開閉控制。同樣，在DIW供給配管81上的DIW供給閥86與DIW壓力調節器87之間連接DIW分歧配管82b，該DIW分歧配管82b的一端與DIWCLC111b連接。在DIWCLC111b上連接與直列式混合器115流體連通的DIW配管83b。DIW供給閥112b設在DIW配管83b上，且在將DIW供給到直列式混合器115的情況下被開閉控制。DIWCLC111b及DIW供給閥112b以相對於DIWCLC111a及DIW供給閥112a為並列關係的狀態而配置在DIW供給源10與直列式混合器115之間。
A
在第1藥液稀釋箱150的藥液CLC113a上連接與直列式混合器115流體連通的藥液配管85a。藥液供給閥114a設在藥液配管85a上，將藥液供給到藥液配管85a內。在直列式混合器115上連接清洗藥液配管96，該清洗藥液配管96的一端與清洗裝置200連接。在第1藥液稀釋箱150的藥液CLC113b上連接與直列式和其115流體連通的藥液配管85b。藥液供給閥114b設在藥液配管85b上，將藥液供給到藥液配管85b內。藥液入口閥51b、壓力計52b、藥液CLC113b及藥液供給閥114b，以相對於藥液入口閥51a、壓力計52a、藥液CLC113a及藥液供給閥114a為並列關係的狀態而配置在藥液供給源20與直列式混合器115之間。
The chemical
另外，在DIW供給配管81上的DIW供給閥86與DIW壓力調節器87之間連接DIW分歧配管75a，該DIW分歧配管75a的一端與DIWCLC121a連接。在DIWCLC121a上連接與直列式混合器116流體連通的DIW配管76a。DIW供給閥122a設在DIW配管76a上，且在將DIW供給到直列式混合器116的情況下被開閉控制。同樣，在DIW供給配管81上的DIW供給閥86與DIW壓力調節器87之間連接DIW分歧配管75b，該DIW分歧配管75b的一端與DIWCLC121b連接。在DIWCLC121b上連接與直列式混合器116流體連通的DIW配管76b。DIW供給閥122b設在DIW配管76b上，且在將DIW供給到直列式混合器116的情況下被開閉控制。DIWCLC121b及DIW供給閥122b，以相對於DIWCLC121a及DIW供給閥122a為並列關係的狀態而配置在DIW供給源10與直列式混合器116之間。
In addition, a
在第2藥液稀釋箱160的藥液CLC123a上連接與直列式混合器116流體連通的藥液配管74a。藥液供給閥124a設在藥液配管74a上，將藥液供給到藥液配管74a內。在直列式混合器116上連接清洗藥液配管97，該清洗藥液配管97的一端與清洗裝置200連接。在第2藥液稀釋箱160的藥液CLC123b上連接與直列式混合器116流體連通的藥液配管74b。藥液供給閥124b設在藥液配管74b
上，將藥液供給到藥液配管74b內。藥液入口閥61b、壓力計62b、藥液CLC123b及藥液供給閥124b，以相對於藥液入口閥61a、壓力計62a、藥液CLC123a及藥液供給閥124a為並列關係的狀態而配置在藥液供給源30與直列式混合器116之間。
The chemical
第1藥液稀釋箱150的DIWCLC111a、111b及藥液CLC113a、113b、和第2藥液稀釋箱160的DIWCLC121a、121b及藥液CLC123a、123b構成為，可從未圖示的控制裝置接收表示規定的流量值的信號。基於該流量值而控制DIWCLC111a、111b及藥液CLC113a、113b和DIWCLC121a、121b及藥液CLC123a、123b的內部控制閥的開度。
The
清洗裝置200的第1藥液清洗部220具有：上表面清洗部222(清洗部)，該上表面清洗部222將清洗藥液供給到研磨後的基板的上表面對其進行清洗；下表面清洗部223(清洗部)，該下表面清洗部223將清洗藥液供給到研磨後的基板的下表面對其進行清洗；以及等待部221，該等待部221配置等待要由上表面清洗部222及下表面清洗部223清洗的基板。上表面清洗部222及下表面清洗部223作為對一張基板的上表面和下表面同時進行清洗的基板清洗部發揮功能。等待部221將清洗藥液供給到等待中的基板，以防止等待中的基板產生氧化的現象。
The first chemical
清洗裝置200具有：清洗藥液供給配管231，該清洗藥液供給配管231使清洗藥液配管96和等待部221流體連通；清洗藥液供給配管232，該清洗藥液供給配管232使清洗藥液配管96和上表面清洗部222流體連通；以及清洗藥液供給配管233，該清洗藥液供給配管233使清洗藥液配管96和下表面清洗部223流體連通。
The
在清洗藥液供給配管231上設置：清洗藥液供給閥224，該清洗藥液供給閥224用於將清洗藥液供給到等待部221；以及流量表225，該流量表
225對所供給的清洗藥液的流量進行計測。在清洗藥液供給配管232上設置：清洗藥液供給閥226，該清洗藥液供給閥226用於將清洗藥液供給到上表面清洗部222；以及流量表227，該流量表227對所供給的清洗藥液的流量進行計測。在清洗藥液供給配管233上設置：清洗藥液供給閥228，該清洗藥液供給閥228用於將清洗藥液供給到下表面清洗部223；以及流量表229，該流量表229對所供給的清洗藥液的流量進行計測。清洗藥液供給閥224、清洗藥液供給閥226及清洗藥液供給閥228由例如未圖示的控制裝置進行開閉控制。
The cleaning chemical
清洗裝置200的第2藥液清洗部240具有：上表面清洗部242(清洗部)，該上表面清洗部242將清洗藥液供給到研磨後的基板的上表面對其進行清洗；下表面清洗部243(清洗部)，該下表面清洗部243將清洗藥液供給到研磨後的基板的下表面對其進行清洗；以及等待部241，該等待部241配置等待要由上表面清洗部242及下表面清洗部243進行清洗的基板。上表面清洗部242及下表面清洗部243作為對一張基板的上表面和下表面同時進行清洗的基板清洗部而發揮功能。
The second chemical
清洗裝置200具有：清洗藥液供給配管251，該清洗藥液供給配管251使清洗藥液配管97和等待部241流體連通；清洗藥液供給配管252，該清洗藥液供給配管252使清洗藥液配管97和上表面清洗部242流體連通；以及清洗藥液供給配管253，該清洗藥液供給配管253使清洗藥液配管97和下表面清洗部243流體連通。
The
在清洗藥液供給配管251上設置：清洗藥液供給閥244，該清洗藥液供給閥244用於將清洗藥液供給到等待部241；以及流量表245，該流量表245對所供給的清洗藥液的流量進行計測。在清洗藥液供給配管252上設置：清洗藥液供給閥246，該清洗藥液供給閥246用於將清洗藥液供給到上表面清洗部242；以及流量表247，該流量表247對所供給的清洗藥液的流量進行計測。在
清洗藥液供給配管253上設置：清洗藥液供給閥248，該清洗藥液供給閥248用於將清洗藥液供給到下表面清洗部243；以及流量表249，該流量表249對所供給的清洗藥液的流量進行計測。清洗藥液供給閥244、清洗藥液供給閥246及清洗藥液供給閥248由例如未圖示的控制裝置進行開閉控制。
The cleaning chemical
在本實施方式的藥液供給裝置100中，為了在寬大的流量範圍供給藥液，可由藥液CLC113a及藥液CLC123a控制的藥液的流量範圍構成為，不同於可由藥液CLC113b及藥液CLC123b控制的藥液的流量範圍。具體來說，例如構成為，藥液CLC113a及藥液CLC123a在較低流量的流量範圍(第1範圍)可控制藥液流量，藥液CLC113b及藥液CLC123b在較高流量的流量範圍(第2範圍)可控制藥液流量，且藥液CLC113a及藥液CLC123a可控制的流量範圍和藥液CLC113b及藥液CLC123b可控制的流量範圍作成一部分重疊。
In the chemical
在本實施方式的藥液供給裝置100中，藥液CLC113a及藥液CLC123a可控制的流量範圍是30mL/min以上、300mL/min以下，藥液CLC113b及藥液CLC123b可控制的流量範圍是250mL/min以上、2500mL/min以下。因此，可用藥液CLC113a及藥液CLC113b供給到直列式混合器115的藥液的流量範圍成為30mLming以上、2800mL/min以下。同樣，可用藥液CLC123a及藥液CLC123b供給到直列式混合器116的藥液的流量範圍成為30mL/min以上、2800mL/min以下。
In the chemical
另外，在本實施方式的藥液供給裝置100中，構成為，為了在寬大的流量範圍供給DIW，可由DIWCLC111a及DIWCLC121a控制的DIW的流量範圍，不同於可由DIWCLC111b及DIWCLC121b控制的DIW的流量範圍。具體來說，例如構成為，DIWCLC111a及DIWCLC121a在較低流量的流量範圍(第3範圍)可控制DIW流量，DIWCLC111b及DIWCLC121b在較高流量的流量範圍
(第4範圍)可控制DIW流量，DIWCLC111a及DIWCLC121a可控制的流量範圍與DIWCLC111b及DIWCLC121b可控制的流量範圍作成一部分重疊。
In addition, in the chemical
在本實施方式的藥液供給裝置100中，DIWCLC111a及DIWCLC121a可控制的流量範圍是200mL/min以上、2000mL/min以下，DIWCLC111b及DIWCLC121b可控制的流量範圍是400mL/min以上、4000mL/min以下。因此，可用DIWCLC111a及DIWCLC111b供給到直列式混合器115的DIW的流量範圍成為200mLming以上、6000mL/min以下。同樣，可用DIWCLC121a及DIWCLC121b供給到直列式混合器116的DIW的流量範圍成為200mL/min以上、600mL/min以下。
In the chemical
在本實施方式中，由於藥液的流量範圍是30mL/min以上、2800mL/min以下，DIW的流量範圍是200mL/min以上、6000mL/min以下，因此，藥液與DIW的稀釋比例的範圍成為1：1以上、1：200以下(藥液：DIW)。 In the present embodiment, since the flow rate range of the chemical solution is 30 mL/min or more and 2800 mL/min or less, and the flow rate range of DIW is 200 mL/min or more and 6000 mL/min or less, the range of the dilution ratio of the chemical solution and DIW is 1:1 or more, 1:200 or less (medicine solution: DIW).
在藥液和DIW的CLC中，一般使用差壓式流量計(孔板流量計)。在使用孔板流量計的CLC中，已知的是，由於控制範圍的流量越小，小孔的直徑就越小，因此，相對於流量的壓力損失就大，另一方面，控制範圍的流量越小，控制精度就越好。同樣，已知的是，由於控制範圍的流量越大，小孔的直徑就越大，因此，相對於流量的壓力損失小，另一方面，控制範圍的流量越大，控制精度就越差。 In CLC of chemical liquid and DIW, a differential pressure flowmeter (orifice flowmeter) is generally used. In CLC using an orifice plate flowmeter, it is known that since the smaller the flow rate in the control range, the smaller the diameter of the orifice, the pressure loss relative to the flow rate is large, and on the other hand, the flow rate in the control range is larger. The smaller the value, the better the control accuracy. Also, it is known that since the larger the flow rate in the control range, the larger the diameter of the orifice, the pressure loss relative to the flow rate is small, on the other hand, the larger the flow rate in the control range, the worse the control accuracy.
因此，在本實施方式的藥液供給裝置100中，當將較低流量的藥液或DIW供給到清洗裝置200時，使用可在較低流量的流量範圍控制的藥液CLC113a及藥液CLC123a或DIWCLC111a及DIWCLC121a。由此，能以高的控制精度供給低流量的藥液或DIW。另一方面，當將較高流量的藥液或DIW供給到清洗裝置200時，使用可在較高流量的流量範圍控制的藥液CLC113b及藥液CLC123b或DIWCLC111b及DIWCLC121b。由此，可降低壓力損失來供給高流
量的藥液或DIW。另外，在該情況下控制精度稍許變差，但是，由於所供給的藥液或DIW是高流量，因此，該影響相比於低流量的情況較小。
Therefore, in the chemical
從直列式混合器115、116供給的清洗藥液不僅在上表面清洗部222、242及下表面清洗部223、243中用於基板的清洗，而且還對於在等待部221、241中等待清洗的基板(下一清洗的基板)用於防止基板的氧化。在本實施方式的藥液供給裝置100中，通過同時進行基板的清洗和清洗的等待而提高清洗處理的處理量。在同時進行基板的清洗和清洗的等待的情況下，由於在各個處理中使用清洗藥液，因此，需要高流量的藥液及DIW。因此，在本實施方式中，如上述那樣構成為，使用可控制的流量範圍為一部分重疊的兩個CLC，而可將藥液或DIW供給到清洗裝置200。此處，可控制的流量範圍為一部分重疊的兩個CLC的流量範圍是，一方是較低的流量，另一方是較高的流量。因此，通過使用低流量的流量範圍的CLC而可因應低流量的藥液或DIW的供給處理。另外，通過使用高流量的流量範圍的CLC而可因應高流量的藥液或DIW的供給處理。此外，由於通過同時使用兩個CLC而可將累積了可由兩個CLC控制的流量後的流量供給到清洗裝置200，因此，還可因應像同時進行基板的清洗和清洗的等待的處理那樣的、尤其是需要高流量的清洗藥液的處理。
The cleaning chemicals supplied from the in-
下面，說明圖8所示的清洗單元的DIW及藥液的供給處理。圖9是表示圖8所示的清洗單元的DIW及藥液的供給處理的程序圖。另外，從圖8所示的第2藥液稀釋箱160供給到第2藥液清洗部240的DIW及藥液的供給處理，由於是與從第1藥液稀釋箱150供給到第1藥液清洗部220的DIW及藥液的供給處理相同的，因此在此處省略說明。
Next, the DIW and the supply process of the chemical solution in the cleaning unit shown in FIG. 8 will be described. FIG. 9 is a flow chart showing the DIW and chemical solution supply processing in the cleaning unit shown in FIG. 8 . In addition, the supply process of DIW and the chemical solution supplied from the second chemical
當將藥液供給到圖8所示的清洗裝置200的第1藥液清洗部220時，首先，第1藥液稀釋箱150的藥液入口閥51a及藥液入口閥51b打開。由第1藥液稀釋箱150的藥液CLC113a及藥液CLC113b來分別調節藥液的流量，規定流
量的藥液從藥液供給源20被供給到直列式混合器115。如圖9所示，在本實施方式中，在步驟1中，藥液CLC113a及藥液CLC113b供給400mL/min的流量的藥液。
When the chemical solution is supplied to the first chemical
同樣，DIW供給配管81上的DIW供給閥86打開，DIW從DIW供給源10被供給到第1藥液稀釋箱150的DIWCLC111a及DIWCLC111b。DIWCLC111a及DIWCLC111b分別對DIW的流量進行調節。通過打開DIW供給閥112a、112b，從而規定流量的DIW從DIWCLC111a及DIWCLC111b被供給到直列式混合器115。如圖9所示，在本實施方式中，在步驟1中，DIWCLC111a及DIWCLC111b供給2100mL/min的流量的DIW。
Similarly, the
供給到直列式混合器115的藥液與DIW混合。由此生成的清洗藥液經由清洗藥液配管96而被供給到第1藥液清洗部220。
The chemical solution supplied to the in-
為了將清洗藥液供給到第1藥液清洗部220中的上表面清洗部222及下表面清洗部223，清洗藥液供給閥226及清洗藥液供給閥228被打開。由此，如圖9的步驟1所示，上表面清洗部222及下表面清洗部223將清洗藥液供給到基板，清洗基板的上表面及下表面。
In order to supply the cleaning chemical solution to the upper
為了防止在等待部221中等待清洗的另外的基板產生氧化的現象，第1藥液清洗部220還必須將清洗藥液供給到等待部221。因此，清洗藥液供給閥224被打開。由此，如圖9的步驟1所示，等待部221將清洗藥液供給到基板。通過清洗藥液被供給到基板，從而基板表面被弄濕而不會與空氣接觸，因此，可防止基板表面的氧化。
In order to prevent oxidation of another substrate waiting to be cleaned in the waiting
如圖9的步驟2所示，上表面清洗部222及下表面清洗部223接著步驟1而將清洗藥液供給到基板。另一方面，在等待部221中，在正在等待的基板表面充分被弄濕的情況下，如步驟2所示，停止供給清洗藥液。即，第1藥液清洗部220的清洗藥液供給閥224被關閉。
As shown in step 2 of FIG. 9 , the upper
同時，在步驟2中，由第1藥液稀釋箱150的藥液CLC113a及藥液CLC113b來分別調節藥液的流量。即，與停止等待部221供給的清洗藥液的量相應地減少藥液的流量。如圖9所示，在本實施方式中，在步驟2中，藥液CLC113a及藥液CLC113b供給50mL/min的流量的藥液。
At the same time, in step 2, the flow rate of the chemical solution is adjusted by the
同樣，在步驟2中，由第1藥液稀釋箱150的DIWCLC111a及DIWCLC111b來分別調節DIW的流量。即，與停止等待部221供給的清洗藥液的量相應地減少DIW的流量。如圖9所示，在本實施方式中，在步驟2中，DIWCLC111a及DIWCLC111b供給1350mL/min的流量的DIW。
Similarly, in step 2, the flow rate of DIW is adjusted by
在圖9所示的步驟3及步驟4中，進行清洗後的基板的搬送動作、及清洗後的基板的DIW沖洗動作等。 In step 3 and step 4 shown in FIG. 9 , the conveying operation of the cleaned substrate, the DIW rinsing operation of the cleaned substrate, and the like are performed.
接著，在步驟5至步驟8中，進行與步驟1至步驟4相同的工序。具體來說，用上表面清洗部222及下表面清洗部223對另外基板進行清洗，且使接下來被清洗的另外基板在等待部221等待(步驟5)。停止供給等待部221中的清洗藥液，減少DIW及藥液的流量(步驟6)。搬送清洗後的基板，進行DIW的沖洗動作等(步驟7及步驟8)。
Next, in step 5 to step 8, the same process as step 1 to step 4 is performed. Specifically, the other substrate is cleaned by the upper
如以上說明那樣，在本實施方式的清洗單元中，具有：可控制的流量範圍互相一部分重疊的DIWCLC111a及DIWCLC111b；以及可控制的流量範圍互相一部分重疊的藥液CLC113a及藥液CLC113b，因此，可將可控制的流量範圍作成寬大範圍。因此，在具有對基板進行清洗的上表面清洗部222及下表面清洗部223、和預先使要清洗的基板等待的等待部221的清洗裝置200中，可同時進行如下動作：由上表面清洗部222及下表面清洗部223對基板進行的清洗；以及由等待部221向等待中的基板進行的清洗藥液的供給，與以往技術相比可提高清洗處理的處理量。另外，採用本實施方式的清洗單元，還可因應需要低流量的處理。
As described above, in the cleaning unit of the present embodiment, there are
另外，本實施方式的清洗單元的藥液供給裝置100構成為，具有第1藥液稀釋箱150、和第2藥液稀釋箱160，但是，根據清洗裝置200的結構，既可僅具有第1藥液稀釋箱150，也可進一步具有另外的藥液稀釋箱。
In addition, although the chemical
以上，說明了本發明的實施方式，但上述的發明的實施方式是用於容易理解本發明的實施方式，不限定本發明。本發明可不脫離其宗旨地進行變更、改進，且對於本發明當然包含其等價物(equivalent)。另外，在能解決上述問題的至少一部分的範圍、或者獲得至少一部分效果的範圍內，可對申請專利範圍及說明書中記載的各結構要素進行任意組合或省略。 As mentioned above, although embodiment of this invention was described, the above-mentioned embodiment of invention is an embodiment for easy understanding of this invention, and does not limit this invention. The present invention can be changed and improved without departing from the gist, and it is a matter of course that the present invention includes its equivalents. In addition, within the range where at least part of the above-mentioned problems can be solved, or the range where at least part of the effects can be obtained, the respective components described in the scope of the claims and the specification can be arbitrarily combined or omitted.
10:DIW供給源 10: DIW supply source
20:第1藥液供給源 20: The first chemical supply source
30:第2藥液供給源 30: Second chemical supply source
50:藥液共用箱 50: liquid medicine sharing box
51:第1藥液入口閥 51: 1st liquid medicine inlet valve
52:壓力計 52: Manometer
60:藥液共用箱 60: liquid medicine sharing box
61:第2藥液入口閥 61: 2nd chemical liquid inlet valve
62:壓力計 62: Manometer
72:第1直列式混合器 72: 1st in-line mixer
73:第2直列式混合器 73: 2nd in-line mixer
81:DIW供給配管 81: DIW supply piping
82:DIW分歧配管 82: DIW branch piping
83:第1DIW配管 83: 1st DIW piping
84:第2DIW配管 84: 2nd DIW piping
86:DIW供給閥86
86:
87:DIW壓力調節器 87: DIW pressure regulator
88:DIW壓力計 88: DIW pressure gauge
91:配管 91: Piping
92:配管 92: Piping
93:第1藥液配管 93: The first chemical solution piping
94:第2藥液配管 94: Second chemical liquid piping
96:第1清洗藥液配管 96: 1st cleaning liquid piping
97:第2清洗藥液配管 97: 2nd cleaning liquid piping
100:藥液供給裝置 100: liquid medicine supply device
110:DIWCLC箱 110: DIWCLC box
111:CLC 111: CLC
112:第1DIW供給閥 112: 1st DIW supply valve
113:第2DIW供給閥 113: 2nd DIW supply valve
120:第1藥液CLC箱 120: The first liquid medicine CLC box
121:CLC 121: CLC
122:第1藥液供給閥 122: The first chemical supply valve
130:第2藥液CLC箱 130: The second liquid medicine CLC box
131:CLC 131: CLC
132:第2藥液供給閥 132: Second chemical supply valve
200:清洗裝置 200: Cleaning device
210:DIW清洗部220
210:
220:藥液清洗部 220: Liquid cleaning department
230:清洗槽 230: Cleaning tank
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