TWI771483B

TWI771483B - 轉印材料、觸控感測器及其製造方法及圖像顯示裝置

Info

Publication number: TWI771483B
Application number: TW107131368A
Authority: TW
Inventors: 豊岡健太郎; 有年陽平; 中村秀之; 後藤英範
Original assignee: 日商富士軟片股份有限公司
Priority date: 2017-10-16
Filing date: 2018-09-06
Publication date: 2022-07-21
Also published as: CN111225790A; WO2019077891A1; US20200278772A1; JPWO2019077891A1; TW201917010A; JP6921220B2

Abstract

本發明提供一種被隱蔽物的隱蔽性高且被隱蔽物的可見性得到改善之轉印材料以及電極圖案的隱蔽性優異且電極圖案的可見性得到改善之觸控感測器、觸控感測器之製造方法及圖像顯示裝置。轉印材料具有：臨時支撐體；第2透明轉印層；第3透明轉印層，在臨時支撐體與第2透明轉印層之間配置於第2透明轉印層的其中一個表面，且具有比第2透明轉印層的折射率高的折射率；及第1透明轉印層，配置於第2透明轉印層的另一個表面，且具有比第2透明轉印層的折射率高的折射率。

Description

轉印材料、觸控感測器及其製造方法及圖像顯示裝置

本揭示關於一種轉印材料、觸控感測器及其製造方法以及圖像顯示裝置。

以往，對在可攜式電話、汽車導航系統、個人電腦、售票機、銀行終端等電子設備中賦予功能性的同時以免損壞外觀及顯示圖像而難以從外部進行視覺辨認內部結構（例如電極等）之技術進行了研究。

近年來，藉由觸碰手指或觸控筆等而能夠進行與指示圖像對應之資訊的輸入之輸入裝置（以下，還稱為觸控面板。）被廣泛利用。觸控面板有電阻膜型及靜電電容型裝置。在靜電電容型觸控面板具有能夠構成為在一片基板上形成有透光性導電膜之簡單的結構之優點。

作為靜電電容型觸控面板的例，已知有沿彼此交叉之方向分別延伸電極圖案並藉由捕獲由人手指等接近導體而產生之靜電電容的變化來檢測觸控位置之裝置（例如，參閱專利文獻1）。

又，作為與電極圖案的隱蔽性相關連之技術，揭示有透明積層體，其具有第一硬化性透明樹脂層及與第一硬化性透明樹脂層相鄰而配置且折射率高於第一硬化性透明樹脂層的折射率且1.6以上之第二硬化性透明樹脂層（例如，參閱專利文獻2）。又，揭示有透明觸控開關，其積層有透明導電膜、厚度25μm以上之黏著層及折射率大於黏著層的折射率的外塗層，並使其折射率逐漸變小（例如，參閱專利文獻3）。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2013-206197號公報 [專利文獻2]日本特開2014-108541號公報 [專利文獻3]國際公開第2006/126604號

使用靜電電容型觸控面板時，有時例如若稍微遠離從內部光源入射之光反射之位置附近而觀察觸控面板的表面，則可視覺辨認存在於面板內部之電極圖案，而有損外觀。因此，作為對於觸控面板之性能，要求電極圖案的隱蔽性良好。

與具備橋接電極之間之橋接配線之橋接型觸控感測器相比，在基材的單側配置隔著透明層沿一方向（例如X方向）延伸之電極及沿另一方向（例如Y方向）延伸之電極之觸控感測器難以視覺辨認配線及電極的圖案。然而，關於電極圖案，不能說確保了足夠的隱蔽性，需要進一步改善圖案的可見性。

本揭示係鑑於上述情況而完成者。亦即，本發明的一實施形態欲要解決之課題在於提供一種被隱蔽物的隱蔽性高且被隱蔽物的可見性得到改善之轉印材料。本發明的另一實施形態欲要解決之課題在於提供一種電極圖案的隱蔽性優異且電極圖案的可見性之得到改善之觸控感測器。本發明的另一實施形態欲要解決之課題在於提供一種電極圖案的隱蔽性優異且電極圖案的可見性之得到改善之觸控感測器之製造方法。本發明的一實施形態欲要解決之課題在於提供一種電極圖案的可見性之得到改善之圖像顯示裝置。

用於解決課題的具體機構包括以下的態樣。＜1＞一種轉印材料，其具有：臨時支撐體；第2透明轉印層；第3透明轉印層，在臨時支撐體與第2透明轉印層之間配置於第2透明轉印層的其中一個表面，且具有比第2透明轉印層的折射率高的折射率；及第1透明轉印層，配置於第2透明轉印層的另一個表面，且具有比第2透明轉印層的折射率高的折射率。＜2＞如＜1＞中所述之轉印材料，其中第2透明轉印層的厚度係0.5μm以上，第1透明轉印層及第3透明轉印層的厚度係0.3μm以下。＜3＞如＜1＞或＜2＞中所述之轉印材料，其中第1透明轉印層及第3透明轉印層的折射率係1.6以上。＜4＞如＜1＞～＜3＞中任一項所述之轉印材料，其中第1透明轉印層及第3透明轉印層含有金屬氧化物粒子。＜5＞如＜1＞～＜4＞中任一項所述之轉印材料，其具有：第4透明轉印層，配置於第1透明轉印層的與配置有第2透明轉印層之表面相反的一側，折射率低於第1透明轉印層的折射率；及第5透明轉印層，配置於第3透明轉印層的與配置有第2透明轉印層之表面相反的一側，折射率低於第3透明轉印層的折射率。

＜6＞一種觸控感測器，其具有：基板，具有基材和圖案狀的第1電極；圖案狀的第2電極；第2透明層，配置於第1電極與第2電極之間，厚度係0.5μm以上且小於25μm；第1透明層，配置於第1電極與第2透明層之間，折射率高於第2透明層的折射率；及第3透明層，配置於第2電極與第2透明層之間，折射率高於第2透明層的折射率。＜7＞如＜6＞中所述之觸控感測器，其中第2透明層的厚度係0.5μm以上，第1透明層及第3透明層的厚度係0.3μm以下。＜8＞如＜6＞或＜7＞中所述之觸控感測器，其中第1透明層及第3透明層的折射率係1.6以上。＜9＞如＜6＞～＜8＞中任一項所述之觸控感測器，其中第1透明層及第3透明層含有金屬氧化物粒子。＜10＞如＜6＞～＜9＞中任一項所述之觸控感測器，其具有：第4透明層，配置於第1透明層的與配置有第2透明層之一側相反的一側，折射率低於第1透明層的折射率；及第5透明層，配置於第3透明層的與配置有第2透明層之一側相反的一側，折射率低於第3透明層的折射率。＜11＞如＜10＞中所述之觸控感測器，其中第1透明層、第2透明層、第3透明層、第4透明層及第5透明層係轉印層。＜12＞如＜6＞～＜11＞中任一項所述之觸控感測器，其中在基材與第1電極之間具有折射率高於基材的折射率並且低於第1電極的第6透明層。＜13＞如＜6＞～＜12＞中任一項所述之觸控感測器，其中在第2電極的與配置有第2透明層之一側相反的一側的表面具有折射率低於第2電極的折射率的第7透明層。

＜14＞一種觸控感測器之製造方法，其使用＜1＞～＜5＞中任一項所述之轉印材料，該製造方法具有：藉由上述轉印材料的轉印在第1電極上形成第2透明層之步驟；藉由上述轉印材料的轉印在第1電極與第2透明層之間形成折射率高於第2透明層的折射率的第1透明層之步驟；藉由上述轉印材料的轉印在第2透明層的與具有第1透明層之一側相反的一側形成折射率高於第2透明層的折射率的第3透明層之步驟；及在第3透明層的與具有第2透明層之一側相反的一側配置第2電極之步驟。＜15＞如＜14＞中所述之觸控感測器之製造方法，其還具有：藉由上述轉印材料的轉印在第1透明層的與第2透明層接觸之一側相反的一側形成折射率低於第1透明層的折射率的第4透明層之步驟；及藉由上述轉印材料的轉印在第3透明層的與第2透明層接觸之一側相反的一側形成折射率低於第3透明層的折射率的第5透明層之步驟。＜16＞一種圖像顯示裝置，其具備＜6＞～＜13＞中任一項所述之觸控感測器。 [發明效果]

藉由本發明的一實施形態，提供該一種被隱蔽物的隱蔽性高且被隱蔽物的可見性得到改善之轉印材料。藉由本發明的另一實施形態，提供一種電極圖案的隱蔽性優異且電極圖案的可見性之得到改善之觸控感測器。藉由本發明的另一實施形態，提供一種電極圖案的隱蔽性優異且電極圖案的可見性之得到改善之觸控感測器之製造方法。藉由本發明的另一實施形態，提供一種電極圖案的可見性之得到改善之圖像顯示裝置。

本說明書中，利用“～”表示之數值範圍係表示將記載於“～”的前後之數值分別作為最小值及最大值而包含之範圍。在本揭示中階段性地記載之數值範圍中，在某一數值範圍記載之上限值或下限值可以替換成其他階段性記載的數值範圍的上限值或下限值。又，在本揭示中記載之數值範圍中，在某一數值範圍記載之上限值或下限值可以替換成實施例中示出的值。本說明書中，在組成物中存在複數個相當於各成分之物質時，在無特別說明的情況下，組成物中的各成分的量表示在組成物中存在之複數個物質的總量。

又，關於本說明書中的“步驟”這一用語，不僅在獨立之步驟，而且即使在無法與其他步驟明確區分之情況下，只要達到該步驟所預期的目的，則包含於本用語中。

本說明書中，“透明”係指波長400nm～700nm的可見光的平均透射率為80%以上的含義。因此，“透明層”及“透明導電層”等係指波長400nm～700nm的可見光的平均透射率為80%以上之層。“透明層”及“透明轉印層”等可見光的平均透射率係90%以上為較佳。又，“透明層”及“透明轉印層”等平均透射率係之使用分光光度計在25℃下測量之值，例如能夠使用Hitachi, Ltd.製造的分光光度計U-3310進行測定。

本說明書中，只要無特別說明，則聚合物的各構成單元的含有比率係莫耳比。又，本說明書中，只要無特別說明，則折射率係波長550nm下藉由橢圓偏光法在25℃下測量之值。

以下，對本揭示的轉印材料、觸控感測器及其製造方法以及圖像顯示裝置進行詳細說明。

本揭示的轉印材料具有：臨時支撐體；第2透明轉印層；第3透明轉印層，在臨時支撐體與第2透明轉印層之間配置於第2透明轉印層的其中一個表面，且具有比第2透明轉印層的折射率高的折射率；及第1透明轉印層，配置於第2透明轉印層的另一個表面（第2透明轉印層的2個面中，未配置第3透明轉印層之一側的面），並具有比第2透明轉印層的折射率高的折射率。轉印材料依次具有臨時支撐體、第3透明轉印層、第2透明轉印層及第1透明轉印層。本揭示的轉印材料可以為薄膜或片材中的任一種形態。

以往，對在各種電子設備中賦予功能性的同時難以從外部視覺辨認需要隱蔽之內部結構（例如電極）並良好地維持外觀及顯示圖像之技術進行了研究。例如觸控感測器的領域中，在內部具備隔著透明層沿一方向延伸之電極及沿另一方向延伸之電極之結構之情況下，使用時容易從外部視覺辨認電極圖案成為課題。既述的以往技術中，作為迴避電極圖案的可見性之技術，例如在專利文獻2中，提出有在第一硬化性透明樹脂層的單側配置有折射率高於第一硬化性透明樹脂層的折射率的第二硬化性透明樹脂層之結構。然而，在該技術中，需要設置橋接配線或在感測器電極之間設置絕緣層。又，在專利文獻3中，揭示有在厚度成為25μm以上之厚的黏著層上積層外塗層之結構。然而，在專利文獻3中記載的技術中，積層體過厚成為課題。

鑑於上述，在本揭示的轉印材料中，如已敘述，設為層疊第2透明轉印層與以夾持第2透明轉印層的方式而配置且折射率高於第2透明轉印層的折射率的第1透明轉印層及第3透明轉印層而配置之積層結構，可得到相對於例如包含金屬來顯示高的折射率之結構物（例如電極）之隱蔽作用，並能夠有效地改善結構物的可見性。

例如如圖1所示，本揭示的轉印材料可以設為配置臨時支撐體10、第2透明轉印層23、在臨時支撐體10與第2透明轉印層23之間配置於第2透明轉印層23的其中一個表面之第3透明轉印層25及配置於第2透明轉印層23的另一個表面之第1透明轉印層21之態樣。

（臨時支撐體）臨時支撐體的材質只要具有形成薄膜時所需要的強度及柔軟性，則並無特別限制。從成形性、成本的觀點考慮，樹脂薄膜為較佳。用作臨時支撐體之薄膜係具有撓性且在加壓下或加壓及加熱下不發生顯著的變形、收縮或伸長之薄膜為較佳。更具體而言，作為臨時支撐體，可舉出聚對酞酸乙二酯（PET）薄膜、三乙酸纖維素（TAC）薄膜、聚苯乙烯（PS）薄膜、聚碳酸酯（PC）薄膜等，雙軸拉伸聚對酞酸乙二酯薄膜為較佳。對臨時支撐體的外觀亦並無特別限制，可以是透明薄膜，亦可以是被著色之薄膜。作為被著色之薄膜，可舉出含有染色矽、氧化鋁溶膠、鉻鹽、鋯鹽等之樹脂薄膜。能夠藉由日本特開2005-221726號公報中記載的方法等對臨時支撐體賦予導電性。

以下，關於設置於臨時支撐體上之透明層，對第1透明轉印層、第2透明轉印層及第3透明轉印層以及第4透明轉印層及第5透明轉印層進行了詳細說明。藉由使用了轉印材料之轉印法形成了本揭示的觸控感測器之情況下，藉由第1透明轉印層的轉印而形成之層係第1透明層，藉由第2透明轉印層的轉印而形成之層係第2透明層，藉由第3透明轉印層的轉印而形成之層係第3透明層。又，藉由第4透明轉印層的轉印而形成之層係第4透明層，藉由第5透明轉印層的轉印而形成之層係第5透明層。首先，對第2透明轉印層進行詳細地說明。

（第2透明轉印層）本揭示的轉印材料在臨時支撐體上的後述之第1透明轉印層與第3透明轉印層之間具有第2透明轉印層。第2透明轉印層如後述那樣製作觸控感測器之情況下，能夠形成轉印後的第2透明層。

第2透明轉印層可以是例如至少包含聚合性單體及樹脂之層，亦可以是藉由賦予能量而硬化之層。第2透明轉印層還可以包含聚合起始劑、藉由加熱能夠與酸進行反應之化合物。第2透明轉印層可以是光硬化性，亦可以是熱硬化性，還可以是熱硬化性且光硬化性。其中，從能夠更加提高膜的可靠性這一觀點考慮，熱硬化性且光硬化性的組成物為較佳。亦即，第2透明層亦可以如以下形成。在臨時支撐體上使用具有第2透明轉印層之轉印材料，藉由轉印法在被轉印體上轉印第2透明轉印層。藉由光照射對所轉印之第2透明轉印層進行圖案化。對圖案化後的第2透明轉印層實施顯影等處理。本揭示中的第2透明轉印層可以為鹼可溶性樹脂層，並能夠藉由弱鹼水溶液進行顯影為較佳。

第2透明轉印層的折射率及厚度與後述之第2透明層相同。第2透明轉印層只要是折射率低於第1透明轉印層及第3透明轉印層的折射率的透明層，則並無特別限制，能夠依據目的適當選擇。第2透明轉印層的折射率係1.4～1.6為較佳，1.4～1.55為更佳，1.45～1.55為進一步較佳。

第2透明轉印層的厚度並無特別限制，能夠依據目的適當選擇。第2透明轉印層的厚度係0.5μm（500nm）以上為較佳，0.5μm以上且小於30μm為更佳，0.5μm以上且小於25μm為進一步較佳。又，將本揭示的轉印材料應用於例如靜電電容型輸入裝置亦即觸控感測器之情況下，從透明性的觀點考慮，第2透明轉印層的厚度係1μm～25μm為進一步較佳，1μm～10μm為特佳。

第2透明轉印層可以由包含聚合性單體之負型材料形成。此時，成為強度及可靠性優異者。

-樹脂- 第2透明轉印層能夠含有樹脂中的至少一種。樹脂能夠作為黏合劑而發揮功能。第2透明轉印層中包含之樹脂係鹼可溶性樹脂為較佳。另外，鹼可溶性係指在25℃的1mol/l氫氧化鈉溶液中可溶。

從顯影性的觀點考慮，作為鹼可溶性樹脂，例如酸值為60mgKOH/g以上的樹脂為較佳。又，從與交聯成分進行反應而熱交聯，並易形成強固的膜之觀點考慮，具有羧基之樹脂為較佳。從顯影性及透明性的觀點考慮，作為鹼可溶性樹脂，丙烯酸樹脂為較佳。丙烯酸樹脂係指具有來自於（甲基）丙烯酸及（甲基）丙烯酸酯中的至少一種之構成單元之樹脂。鹼可溶性樹脂並無特別限制，但酸值為60mgKOH/g以上的含有羧基之丙烯酸樹脂為較佳。

作為酸值為60mgKOH/g以上的含有羧基之丙烯酸樹脂，只要滿足上述酸值的條件，並無特別限制，能夠從公知的樹脂中適當選擇而使用。例如可舉出日本特開2011-095716號公報的0025段中記載的聚合物中酸值為60mgKOH/g以上的含有羧基之丙烯酸樹脂、日本特開2010-237589號公報的0033～0052段中記載的聚合物中酸值為60mgKOH/g以上的含有羧基之丙烯酸樹脂等。

鹼可溶性樹脂中的具有羧基之單體的共聚合比的較佳範圍相對於鹼可溶性樹脂100質量%為5質量%～50質量%，更佳為5質量%～40質量%，進一步較佳為20質量%～30質量%的範圍內。作為鹼可溶性樹脂，以下所示之聚合物為較佳。另外，以下所示之各構成單元的含有比率能夠依據目的而適當變更。

[化學式1]

具體而言，鹼可溶性樹脂的酸值係60mgKOH/g～200mgKOH/g為較佳，60mgKOH/g～150mgKOH/g為更佳，60mgKOH/g～110mgKOH/g為進一步較佳。本說明書中，樹脂的酸值為利用JIS K0070（1992）中規定之滴定方法而測定之值。

第2透明轉印層及後述之第1透明轉印層均含有丙烯酸樹脂之情況下，能夠提高第2透明轉印層與第1透明轉印層之間的層間密合性。

鹼可溶性樹脂的重量平均分子量係5,000以上為較佳，10,000以上為更佳。鹼可溶性樹脂的重量平均分子量的上限值並無特別限制，亦可以設為100,000。

重量平均分子量係指藉由凝膠滲透層析法（GPC）測量之值。以下亦相同。關於基於GPC的測量，作為測量裝置，使用HLC（註冊商標）-8020GPC（TOSOH CORPORATION），作為管柱，使用3根TSKgel（註冊商標）Super Multipore HZ-H（4.6mmID×15cm、TOSOH CORPORATION製造），作為洗脫液，使用四氫呋喃。又，作為測量條件，將試樣濃度設為0.45質量%、將流速設為0.35mL/min、將樣品注入量設為10μL及將測量溫度設為40℃，並使用示差折射率（RI）檢測器來進行。校準曲線依據TOSOH CORPORATION“標準試樣TSK standard,polystyrene”：“F-40”､“F-20”､“F-4”､“F-1”､“A-5000”､“A-2500”､“A-1000”及“正丙苯”這8個樣品而製作。

從硬化前的膜的操作性、硬化後的第2透明轉印層的硬度的觀點考慮，樹脂的含量相對於第2透明轉印層的總質量係10質量%～80質量%的範圍為較佳，40質量%～60質量%的範圍為更佳。若樹脂的含量為80質量%以下，則單體量不會變得過於減少，良好地維持硬化膜的交聯密度，成為硬度優異者。又，若樹脂的含量為10質量%以上，則硬化前的膜不會變得過於柔軟，在中途的操作性這一點上有利。

-聚合性單體- 本揭示中的第2透明轉印層可以含有聚合性單體。作為聚合性單體，包含具有乙烯性不飽和基團之聚合性單體為較佳，包含具有乙烯性不飽和基團之光聚合性化合物為更佳。聚合性單體具有至少1個乙烯性不飽和基團作為光聚合性基團為較佳，除了具有乙烯性不飽和基團以外，還可以具有環氧基等陽離子聚合性基團。作為第2透明轉印層中所包含之聚合性單體，具有（甲基）丙烯醯基之化合物為較佳。

第2透明轉印層包含具有兩個乙烯性不飽和基團之化合物及具有至少三個乙烯性不飽和基團之化合物作為聚合性單體為較佳，包含具有兩個（甲基）丙烯醯基之化合物及具有至少三個（甲基）丙烯醯基之化合物為更佳。又，從上述樹脂中的羧基和聚合性單體的羧基形成羧酸酐而能夠提高濕熱耐性之觀點考慮，聚合性單體的至少1種含有羧基為較佳。作為含有羧基之聚合性單體，並無特別限定，能夠使用市售的化合物。作為市售品，例如可較佳地舉出ARONIX TO-2349（TOAGOSEI CO.,LTD.）、ARONIX M-520（TOAGOSEI CO.,LTD.）、ARONIX M-510（TOAGOSEI CO.,LTD.）等。包含含有羧基之聚合性單體之情況下的含量相對於第2透明轉印層中包含之所有的聚合性單體，在1質量%～50質量%的範圍含有為較佳，在1質量%～30質量%的範圍含有為更佳，在5質量%～15質量%的範圍含有為進一步較佳。

聚合性單體包含（甲基）丙烯酸胺基甲酸酯化合物為較佳。包含（甲基）丙烯酸胺基甲酸酯化合物之情況下的含量係第2透明轉印層中所包含之所有聚合性單體10質量%以上為較佳，20質量%以上為更佳。（甲基）丙烯酸胺基甲酸酯化合物中，光聚合性基團的官能基數量亦即（甲基）丙烯醯基的數量為3官能以上為較佳，4官能以上為更佳。具有2官能的乙烯性不飽和基團之聚合性單體只要是在分子內具有兩個乙烯性不飽和基團之化合物，則並無特別限定，能夠使用市售的（甲基）丙烯酸酯化合物。作為市售品，例如可較佳地舉出三環癸烷二甲醇二丙烯酸酯（A-DCP SHIN-NAKAMURA CHEMICAL CO.,LTD.）、三環癸烷二甲醇二甲基丙烯酸酯（DCP SHIN-NAKAMURA CHEMICAL CO.,LTD.）、1,9-壬二醇二丙烯酸酯（A-NOD-N SHIN-NAKAMURA CHEMICAL CO.,LTD.）、1,6-已烷二醇二丙烯酸酯（A-HD-N SHIN-NAKAMURA CHEMICAL CO.,LTD.）等。

具有3官能以上的乙烯性不飽和基團之聚合性單體只要是在分子內具有三個以上乙烯性不飽和基團之化合物，則並無特別限定，例如能夠使用二新戊四醇（三/四/五/六）丙烯酸酯、新戊四醇（三/四）丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、二-三羥甲基丙烷四丙烯酸酯、異三聚氰酸丙烯酸酯、甘油三丙烯酸酯等骨架的（甲基）丙烯酸酯化合物。

聚合性單體的分子量係200～3,000為較佳，250～2,600為更佳，280～2,200為特佳。聚合性單體可以僅使用1種，亦可以使用2種以上。從能夠控制第2透明轉印層的膜物性之觀點考慮，使用2種以上的聚合性單體為較佳。其中，從改善將轉印後的第2透明轉印層曝光之後的膜物性之觀點考慮，第2透明轉印層中含有之聚合性單體組合使用3官能以上的聚合性單體和2官能的聚合性單體為較佳。使用2官能的聚合性單體之情況下，相對於第2透明轉印層中包含之所有的聚合性單體，在10質量%～90質量%的範圍使用為較佳，在20質量%～85質量%的範圍使用為更佳，在30質量%～80質量%的範圍使用為進一步較佳。使用3官能以上的聚合性單體之情況下，相對於第2透明轉印層中包含之所有的聚合性單體，在10質量%～90質量%的範圍使用為較佳，在15質量%～80質量%的範圍使用為更佳，在20質量%～70質量%的範圍使用為進一步較佳。

第2透明轉印層中除了含有樹脂及聚合性單體以外，進而還能夠依據目的含有各種成分。作為任意成分，可舉出聚合起始劑、藉由加熱能夠與酸進行反應之化合物等。

-聚合起始劑- 第2透明轉印層中包含聚合起始劑為較佳，包含光聚合起始劑為更佳。第2透明轉印層除了包含樹脂、聚合性單體以外，還包含聚合起始劑，藉此容易在第2透明轉印層形成圖案。

作為聚合起始劑，可舉出日本特開2011-095716號公報中記載的0031～0042段中記載的光聚合起始劑。作為光聚合起始劑，例如除了1,2-辛二酮、1-[4-（苯硫基）-,2-（鄰苯甲醯肟）]（產品名：IRGACURE OXE-01、BASF公司）之外，還可較佳地舉出乙酮、1-[9-乙基-6-（2-甲基苯甲醯基）-9H-咔唑-3-基]-,1-（鄰乙醯基肟）（產品名：IRGACURE OXE-02、BASF公司）、2-苄基-2-二甲基胺基-1-（4-口末啉基苯基）丁酮（產品名：Irgacure 379、BASF公司）、2-（二甲基胺基）-2-[（4-甲基苯基）甲基]-1-[4-（4-口末啉基）苯基]-1-丁酮（產品名：IRGACURE 379EG、BASF公司）、2-甲基-1-（4-甲基苯硫基）-2-口末啉代丙烷-1-酮（產品名：IRGACURE 907、BASF公司）、KAYACURE DETX-S（Nippon Kayaku Co.,Ltd.）等。

第2透明轉印層包含聚合起始劑時的聚合起始劑相對於第2透明轉印層的固體成分之含量係0.01質量%以上為較佳，0.1質量%以上為更佳。又，聚合起始劑的含量係10質量%以下為較佳，5質量%以下為更佳。藉由聚合起始劑的含量在上述範圍，在能夠更加改善轉印材料中的圖案形成性、與被轉印體的密合性。

為了調整硬化靈敏度，本揭示中的第2透明轉印層還能夠包含選自敏化劑及聚合抑制劑之至少1種。

-敏化劑- 本揭示中的第2透明轉印層能夠包含敏化劑。敏化劑具有更加提高第2透明轉印層中包含之敏化色素、聚合起始劑等針對活性放射線之靈敏度之作用，或者抑制因氧引起的聚合性化合物的聚合抑制之作用等。

作為本揭示中的敏化劑的例，可舉出硫醇及硫化物化合物，例如日本特開昭53-000702號公報、日本特公昭55-500806號公報、日本特開平5-142772號公報中記載的硫醇化合物、日本特開昭56-075643號公報的二硫化物化合物等。更具體而言，可舉出2-巰基苯并噻唑、2-巰基苯并㗁唑、2-巰基苯并咪唑、2-巰基-4（3H）-喹唑啉、β-巰基萘基等。

作為本揭示中的敏化劑的另一例，N-苯基甘胺酸等胺基氧化合物、日本特公昭48-042965號公報中記載的有機金屬化合物（例如，三丁基錫乙酸酯等）、日本特公昭55-034414號公報中記載的氫予體、日本特開平6-308727號公報中記載的硫化合物（例如，三噻𠮿等）等。

從因聚合成長速度和鏈轉移的平衡引起而硬化速度更加提高這一觀點考慮，本揭示中的第2透明轉印層包含敏化劑時的敏化劑的含量相對於第2透明轉印層的總固體成分量在0.01質量%～30質量%的範圍為較佳，在0.05質量%～10質量%的範圍為更佳。本揭示中的第2透明轉印層包含敏化劑時，可以僅包含1種敏化劑，亦可以包含2種以上。

-聚合抑制劑- 本揭示中的第2透明轉印層能夠包含聚合抑制劑。聚合抑制劑具有在製造過程中或保存過程中阻止不希望的聚合性單體的聚合之功能。本揭示的聚合抑制劑並無特別限制，能夠依據目的使用公知的聚合抑制劑。作為公知的聚合抑制劑，例如可舉出氫醌、對甲氧苯酚、二-三級丁基-對甲酚、五倍子酚、三級丁基兒茶酚、苯醌、4,4’-硫代雙（3-甲基-6-三級丁苯酚）、2,2’-亞甲基雙（4-甲基-6-三級丁苯酚）、N-亞硝基苯基羥基胺第一鈰鹽、啡噻𠯤、啡㗁𠯤等。

本揭示中的第2透明轉印層包含聚合抑制劑時的聚合抑制劑的添加量相對於第2透明轉印層的總固體成分為0.01質量%～20質量%為較佳。本揭示中的第2透明轉印層包含聚合抑制劑時，聚合抑制劑可以僅包含1種，亦可以包含2種以上。

-藉由加熱能夠與酸進行反應之化合物- 本揭示中的第2透明轉印層可以含有藉由加熱能夠與酸進行反應之化合物。藉由加熱能夠與酸進行反應之化合物為相較於與25℃下的酸的反應性，與超過25℃進行加熱之後的酸的反應性高的化合物為較佳。藉由加熱能夠與酸進行反應之化合物具有能夠與因阻斷劑而暫時不活性化之酸進行反應之基團，在規定的解離溫度下來自於阻斷劑的基團解離之化合物為較佳。藉由加熱能夠與酸進行反應之化合物能夠舉出羧氧化合物、醇化合物、胺化合物、封端異氰酸酯化合物、環氧化合物等，封端異氰酸酯化合物為較佳。

作為用於轉印材料之封端異氰酸酯化合物，能夠舉出市售的封端異氰酸酯。例如能夠舉出異佛爾酮二異氰酸酯的甲基乙基酮肟封端化體亦即Takenate（註冊商標）B870N（Mitsui Chemicals, Inc.）、六亞甲基二異氰酸酯系封端異氰酸酯化合物亦即Duranate（註冊商標）MF-K60B、TPA-B80E、X3071.04（均為ASAHIKASEI CHEMICALS. CORPORATION.）、AOI-BM（Showa Denko Co., Ltd.）等。

第2透明轉印層所包含之封端異氰酸酯化合物的重量平均分子量係200～3,000為較佳，250～2,600為更佳，280～2,200為特佳。從轉印後的加熱步驟前的操作性、加熱步驟後的低透濕性的觀點考慮，封端異氰酸酯化合物的含量相對於第2透明轉印層的總固體成分量為1質量%～30質量%的範圍為較佳，5質量%～20質量%的範圍為更佳。

-粒子- 從折射率及透明性的觀點考慮，第2透明轉印層包含粒子為較佳，包含金屬氧化物粒子為更佳。藉由包含粒子，能夠調節折射率及透光性。作為金屬氧化物粒子的種類，並無特別限制，能夠使用公知的金屬氧化物粒子。具體而言，能夠在第1透明轉印層中使用能夠用於後述之第1透明轉印層之金屬氧化物粒子。其中，關於第2透明轉印層，從將轉印層的折射率抑制成低於1.6之觀點考慮，金屬氧化物粒子係氧化鋯粒子或二氧化矽粒子為較佳，二氧化矽粒子為更佳。

-添加劑- 作為第2透明轉印層中包含之另一添加劑，例如可舉出日本專利第4502784號公報的0017段、日本特開2009-237362號公報的0060～0071段中記載的界面活性劑、公知的氟系界面活性劑、日本專利第4502784號公報的0018段中記載的熱聚合防止劑，在日本特開2000-310706號公報的0058～0071段中記載的其他添加劑。作為較佳地用於第2透明轉印層中之添加劑，可舉出公知的氟系界面活性劑亦即MEGAFACE（註冊商標）F551（DIC Corporation）。又，第2透明轉印層包含金屬氧化抑制劑為較佳。

金屬氧化抑制劑具有在分子內包含氮原子之芳香環之化合物為較佳。作為上述包含氮原子之芳香環，係選自包括咪唑環、***環、四唑環、噻二唑環及該等與其他芳香環的縮合環之群組中之至少一個環為較佳，包含氮原子之芳香環為咪唑環或咪唑環與其他芳香環的縮合環為更佳。作為其他芳香環，可以是單環，亦可以是雜環，但單環為較佳，苯環或萘環為更佳，苯環為進一步較佳。較佳的金屬氧化抑制劑可例示出咪唑、苯并咪唑、四唑、巰基噻二唑、1,2,4-***及苯并***，咪唑、苯并咪唑、1,2,4-***及苯并***為更佳。作為金屬氧化抑制劑，可以使用市售品，例如可較佳地列舉包含苯并***之JOHOKU CHEMICAL CO.,LTD.製的BT120等。

第2透明轉印層能夠塗佈溶液（稱為第2透明轉印層形成用塗佈液）並使其乾燥而形成，該溶液為將用於形成至少包含聚合性單體及樹脂之第2透明轉印層之樹脂組成物溶解於溶劑而成之溶液。第2透明轉印層形成用塗佈液能夠包含溶劑。作為溶劑，例如可舉出1-甲氧基-2-丙基乙酸酯、甲基乙基酮、二丙酮醇、乙二醇、丙二醇、異丁醇等。

（第1透明轉印層）第1透明轉印層係配置於與第2透明轉印層的具有臨時支撐體及後述第3透明轉印層之一側相反的一側的面（另一面）並具有比第2透明轉印層的折射率高的折射率之透明性的層。第1透明轉印層在如後述那樣製作觸控感測器之情況下，能夠形成轉印後的第1透明層。例如，如圖1所示，本揭示的轉印材料可以為如下態樣：在第2透明轉印層23的、具有臨時支撐體10及後述第3透明轉印層25之一側相反的一側的面（另一面）配置有第1透明轉印層21。

第1透明轉印層可以是包含金屬氧化物粒子及樹脂之層，亦可以是藉由賦予能量而硬化之層。第1透明轉印層可以是光硬化性層，亦可以是熱硬化性層，還可以是熱硬化性且光硬化性層。其中，若為熱硬化性且光硬化性的層，則能夠容易製膜。

第1透明轉印層由負型材料形成之情況下，第1透明轉印層除了包含金屬氧化物粒子、樹脂（較佳為鹼可溶性樹脂）以外，還包含聚合性單體及聚合起始劑為較佳，依據需要亦可以包含其他添加劑。

第1透明轉印層的折射率及厚度與後述之第1透明層相同。第1透明轉印層的折射率係1.6以上為較佳，1.6～1.9為更佳，1.65～1.8為進一步較佳。第1透明轉印層的厚度係0.5μm以下為較佳，0.3μm（300nm）以下為更佳，20nm～300nm為進一步較佳，30nm～200nm為進一步較佳，30nm～100nm為特佳。作為控制第1透明轉印層的折射率之方法，並無特別限制，可舉出單獨使用所希望的折射率的透明樹脂層之方法、使用添加了金屬粒子或金屬氧化物粒子等粒子之透明樹脂層之方法、使用金屬鹽和高分子的複合體之方法等。

-樹脂- 第1透明轉印層包含樹脂為較佳。樹脂可以具有作為黏合劑的功能。作為樹脂，鹼可溶性樹脂為較佳。關於鹼可溶性樹脂的詳細內容，與第2透明轉印層中的鹼可溶性樹脂為相同含義。其中，係具有來自於（甲基）丙烯酸及（甲基）丙烯酸酯中的至少一種之構成單元之樹脂（（甲基）丙烯酸樹脂）為更佳，具有來自於（甲基）丙烯酸之構成單元及來自於烯丙基（甲基）丙烯酸酯之構成單元之（甲基）丙烯酸樹脂為更佳。又，第1透明轉印層中，能夠舉出具有酸基之樹脂的銨鹽作為較佳的樹脂的例。第1透明轉印層形成用組成物可以包含具有酸基之單體的銨鹽作為硬化成分。

-具有酸基之樹脂的銨鹽- 作為具有酸基之樹脂的銨鹽，並無特別限制，可較佳地舉出（甲基）丙烯酸樹脂的銨鹽。

製備第1透明轉印層形成用組成物時，包含製備第1透明轉印層形成用塗佈液之步驟為較佳，該第1透明轉印層形成用塗佈液包含將具有酸基之樹脂溶解於氨水溶液，酸基的至少一部分銨鹽化之樹脂。

--具有酸基之樹脂-- 具有酸基之樹脂為對於水性溶劑（較佳為水或碳數1～3的低級醇與水的混合溶劑）具有溶解性之樹脂，能夠無特別限制地從公知的樹脂中適當選擇。作為具有酸基之樹脂的較佳的例，可舉出具有1價的酸基（羧基等）之樹脂。第1透明轉印層中包含之樹脂係具有羧基之樹脂為特佳。作為具有酸基之樹脂，鹼可溶性樹脂為較佳。鹼可溶性樹脂能夠從線狀有機高分子聚合物且為在分子中具有至少1個促進鹼可溶性之基團之聚合物中適當選擇。作為促進鹼可溶性之基團，亦即酸基，例如可舉出羧基、磷酸基、磺酸基等，羧基為較佳。作為鹼可溶性樹脂，較佳地可舉出在主鏈包含選自（甲基）丙烯酸及苯乙烯中之構成單元之共聚物。關於鹼可溶性樹脂，更佳地可舉出溶解於有機溶劑且能夠藉由弱鹼水溶液而顯影的樹脂。

又，作為具有酸基之樹脂，具有酸基之（甲基）丙烯酸樹脂為較佳，（甲基）丙烯酸/乙烯化合物的共聚樹脂為更佳，（甲基）丙烯酸/（甲基）丙烯酸烯丙酯的共聚樹脂為特佳。其中，第1透明轉印層作為樹脂包含具有來自於（甲基）丙烯酸的構成單元及來自於苯乙烯的構成單元之共聚物為較佳，包含具有來自於（甲基）丙烯酸的構成單元、來自於苯乙烯的構成單元及具有乙烯氧基鏈之來自於（甲基）丙烯酸酯的構成單元之共聚物為更佳。用於第1透明轉印層之樹脂包含具有來自於（甲基）丙烯酸的構成單元及來自於苯乙烯的構成單元之共聚物，還包含具有來自於（甲基）丙烯酸的構成單元、來自於苯乙烯的構成單元及具有乙烯氧基鏈之來自於（甲基）丙烯酸酯的構成單元之共聚物，藉此形成第1透明轉印層時的膜厚均勻性變得更加良好。

具有酸基之樹脂可以使用市售品。具有酸基之樹脂的市售品並無特別限制，能夠依據目的適當選擇。作為具有酸基之樹脂的市售品，例如可舉出TOAGOSEI CO.,LTD.製造的ARUFON（ARUFON：註冊商標） UC3000、UC3510、UC3080、UC3920、UF5041（以上，產品名），BASF公司製造的JONCRYL（註冊商標）67、JONCRYL611、JONCRYL678、JONCRYL690、JONCRYL819（以上，產品名）等。

具有酸基之樹脂相對於第1透明轉印層的總質量，包含10質量%～80質量%為較佳，包含15質量%～65質量%為更佳，包含20質量%～50質量%為進一步較佳。

-其他樹脂- 第1透明轉印層還可以包含不具有酸基之其他樹脂。不具有酸基之其他樹脂並無特別限制。

-金屬氧化物粒子- 第1透明轉印層包含金屬氧化物粒子為較佳。藉由包含金屬氧化物粒子，能夠調節折射率及透光性。依據所使用之樹脂、聚合性單體的種類及含量、所使用之金屬氧化物粒子的種類等，能夠使第1透明轉印層以任意比例包含金屬氧化物粒子。

作為金屬氧化物粒子的種類，並無特別限制，能夠使用公知的金屬氧化物粒子。從透明性的觀點及在第1透明轉印層的折射率的範圍控制折射率之觀點考慮，第1透明轉印層含有氧化鋯粒子（ZrO₂ 粒子）、Nb₂ O₅ 粒子、氧化鈦粒子（TiO₂ 粒子）及二氧化矽粒子（SiO₂ 粒子）中的至少1個為較佳。其中，從容易將轉印層的折射率調整為1.6以上之觀點考慮，第1透明轉印層中的金屬氧化物粒子係氧化鋯粒子或氧化鈦粒子為更佳，氧化鋯粒子為進一步較佳。作為二氧化矽粒子，例如可舉出膠體二氧化矽、煙霧狀二氧化矽等，作為上市之市售品的例，可舉出Nissan Chemical Industries,LTD.製的SNOWTEX ST-N（膠體二氧化矽；不揮發量20%）、SNOWTEX ST-C（膠體二氧化矽；不揮發量20%）等。作為氧化鋯粒子的例，可舉出Nissan Chemical Industries,LTD.製的NanoUse OZ-S30M（甲醇分散液、不揮發量30.5質量%）、Sakai Chemical Industry Co.,Ltd.製的SZR-CW（水分散液、不揮發量30質量%）、SZR-M（甲醇分散液、不揮發量30質量%）等。作為氧化鈦粒子的例，TAYCA Co., Ltd.製的TS-020（水分散液、不揮發量25.6質量%）、Nissan Chemical Industries,LTD.製二氧化鈦溶膠R（甲醇分散液、不揮發量32.1質量%）等。

當使用氧化鋯粒子作為金屬氧化物粒子時，從電極圖案等被隱蔽物的隱蔽性良好並能夠有效地被隱蔽物的可見性得到改善之觀點考慮，氧化鋯粒子的含量相對於第1透明轉印層的總固體成分質量，1質量%～95質量%為較佳，20質量%～90質量%為更佳，40質量%～85質量%為進一步較佳。當使用氧化鈦作為金屬氧化物粒子時，從電極圖案等被隱蔽物的隱蔽性良好並能夠有效地被隱蔽物的可見性得到改善之觀點考慮，氧化鈦粒子的含量相對於第1透明轉印層的總固體成分質量，1質量%～95質量%為較佳，20質量%～90質量%為更佳，40質量%～85質量%為進一步較佳。

金屬氧化物粒子的折射率高於由從第1透明轉印層形成用塗佈液除去了金屬氧化物粒子之組成物形成之透明膜的折射率為較佳。具體而言，轉印材料的第1透明轉印層含有折射率為1.5以上的金屬氧化物粒子為較佳，含有折射率為1.55以上的粒子為更佳，含有折射率為1.7以上的粒子為進一步較佳，含有折射率為1.9以上的粒子為特佳，含有折射率為2.0以上的粒子為最佳。在此，折射率為1.5以上係指波長550nm的光中的平均折射率為1.5以上。另外，平均折射率係將相對於波長550nm的光之折射率的測量值的總和除以測量點的數而得之值。

從霧度等光學性能的觀點考慮，金屬氧化物粒子的平均一次粒徑係100nm以下為較佳，50nm以下為更佳，20nm以下為進一步較佳。金屬氧化物粒子的平均一次粒徑為藉由使用透射型電子顯微鏡（TEM）之觀測而測定任意100個粒子的直徑，並藉由100個直徑的算數平均而求得之值。

第1透明轉印層可以單獨包含1種金屬氧化物粒子，亦可以包含2種以上的金屬氧化物粒子。金屬氧化物粒子的第1透明轉印層中的含量與金屬氧化物粒子的種類無關，相對於第1透明轉印層的總固體成分質量係1質量%～95質量%為較佳，20質量%～90質量%為更佳，40質量%～85質量%為進一步較佳。金屬氧化物粒子的含量在既述的範圍內，藉此更加提高轉印後的透明電極圖案的隱蔽性。

第1透明轉印層除了包含樹脂及金屬氧化物粒子以外，還能夠包含其他成分。

-金屬氧化抑制劑- 第1透明轉印層包含金屬氧化抑制劑為較佳。作為金屬氧化抑制劑，具有在分子內包含氮原子之芳香環之化合物為較佳。又，作為金屬氧化抑制劑，上述包含氮原子之芳香環為選自包括咪唑環、***環、四唑環、噻二唑環及該等與其他芳香環的縮合環之群組中之至少一個環為較佳，上述包含氮原子之芳香環為咪唑環或咪唑環與其他芳香環的縮合環為更佳。作為上述其他芳香環，可以是單環，亦可以是雜環，但單環為較佳，苯環或萘環為更佳，苯環為進一步較佳。作為較佳的金屬氧化抑制劑，較佳地例示出咪唑、苯并咪唑、四唑、巰基噻二唑及苯并***，咪唑、苯并咪唑及苯并***為更佳。作為金屬氧化抑制劑，可以使用市售品，例如能夠較佳地使用包含苯并***之JOHOKU CHEMICAL CO.,LTD.、BT120等。又，金屬氧化抑制劑的含量相對於第1透明轉印層的總質量，0.1質量%～20質量%為較佳，0.5質量%～10質量%為更佳，1質量%～5質量%為進一步較佳。

-聚合性單體- 關於第1透明轉印層，從使其硬化而提高膜的強度等之觀點考慮，包含聚合性單體或熱聚合性單體等聚合性單體為較佳。作為聚合性單體，乙烯性不飽和化合物為較佳，（甲基）丙烯酸酯化合物及（甲基）丙烯醯胺化合物為更佳。第1透明轉印層可以僅包含前述具有酸基之單體作為聚合性單體。作為用於第1透明轉印層之聚合性單體，能夠使用日本專利第4098550號的0023～0024段中記載的聚合性化合物。其中，能夠較佳地使用新戊四醇四丙烯酸酯、新戊四醇三丙烯酸酯、新戊四醇環氧乙烷加成物的四丙烯酸酯。可以單獨使用該等聚合性單體，亦可以組合複數個而使用。使用新戊四醇四丙烯酸酯與新戊四醇三丙烯酸酯的混合物時，新戊四醇三丙烯酸酯比率以質量比計為0%～80%以下為較佳，10%～60%為更佳。

作為用於第1透明轉印層之聚合性單體，能夠舉出由下述結構式1表示之水溶性的聚合性單體、新戊四醇四丙烯酸酯混合物（NK ESTER A-TMMT：SHIN-NAKAMURA CHEMICAL CO.,LTD.、含有約10%的三丙烯酸酯作為雜質）、新戊四醇四丙烯酸酯與三丙烯酸酯的混合物（NK ESTER A-TMM3LM-N SHIN-NAKAMURA CHEMICAL CO., LTD.、三丙烯酸酯37%）、新戊四醇四丙烯酸酯與三丙烯酸酯的混合物（NK ESTER A-TMM-3L SHIN-NAKAMURA CHEMICAL CO., LTD.、三丙烯酸酯55%）、新戊四醇四丙烯酸酯與三丙烯酸酯的混合物（NK ESTER A-TMM3 SHIN-NAKAMURA CHEMICAL CO., LTD.、三丙烯酸酯57%）、新戊四醇環氧乙烷加成物的四丙烯酸酯（KAYARAD RP-1040 Nippon Kayaku Co.,Ltd.）等。

[化學式2]

作為用於第1透明轉印層之其他聚合性單體，對於水或碳數1～3的低級醇與水的混合溶劑等水性溶劑具有溶解性之聚合性單體、具有酸基之單體為較佳。對於水性溶劑具有溶解性之聚合性單體，可舉出具有羥基之單體、在分子內具有環氧乙烷或聚環氧丙烷及磷酸基之單體。作為具有酸基之單體，含有羧基之聚合性單體為較佳，能夠更佳地使用（甲基）丙烯酸或其衍生體等的丙烯酸單體，其中，ARONIX TO-2349（TOAGOSEI CO.,LTD.）為特佳。

-聚合起始劑- 第1透明轉印層能夠包含聚合起始劑。作為用於第1透明轉印層之聚合起始劑，對於水性溶劑具有溶解性之聚合起始劑為較佳。作為對於水性溶劑具有溶解性之聚合起始劑，可舉出IRGACURE 2959、下述結構式2的光聚合起始劑等。

[化學式3]

以上，以轉印材料為負型材料的情況為中心進行了說明，但轉印材料亦可以是正型材料。轉印材料為正型材料的情況下，前述的第1透明轉印層中使用例如日本特開2005-221726號公報中記載的材料等，但並不限於既述的材料。

第1透明轉印層能夠塗佈溶液（稱為第1透明轉印層形成用塗佈液）並使其乾燥而形成，該溶液為將用於形成至少包含聚合性單體及樹脂之第1透明轉印層之樹脂組成物溶解於溶劑而成之溶液。第1透明轉印層形成用塗佈液能夠包含溶劑。作為溶劑，例如可舉出水、甲醇、二丙酮醇、乙二醇、丙二醇、異丁醇等。

（第3透明轉印層）第3透明轉印層係在臨時支撐體與第2透明轉印層之間配置於第2透明轉印層的與具有第1透明轉印層之一側相反的一側的面（其中一個表面）並具有比第2透明轉印層的折射率高的折射率之透明性的層。第3透明轉印層如後述那樣製作觸控感測器之情況下，能夠形成轉印後的第3透明層。如圖1所示，本揭示的轉印材料例如亦可以為在臨時支撐體10與第2透明轉印層23之間在第2透明轉印層23的其中一個表面配置有第3透明轉印層25之態樣。

第3透明轉印層的折射率及厚度與後述之第3透明層相同。具體而言，第3透明轉印層的折射率係1.6以上為較佳，1.6～1.9為更佳，1.65～1.8為進一步較佳。第3透明轉印層的厚度係0.5μm以下為較佳，0.3μm（300nm）以下為更佳，20nm～300nm為進一步較佳，30nm～200nm為進一步較佳，30nm～100nm為特佳。

第3透明轉印層能夠與用於轉印形成既述的第1透明層的第1透明轉印層相同地形成。第3透明轉印層中所使用之成分能夠使用與能夠用於第1透明轉印層的成分相同的成分。第3透明轉印層包含金屬氧化物粒子為較佳。藉由包含金屬氧化物粒子，能夠調節折射率及透光性。

關於金屬氧化物粒子，含義與第1透明轉印層中的金屬氧化物粒子相同，較佳的態樣亦相同。作為金屬氧化物粒子的種類，並無特別限制，能夠使用公知的金屬氧化物粒子。從透明性的觀點及將折射率控制在第1透明轉印層的折射率的範圍之觀點考慮，第1透明轉印層含有氧化鋯粒子（ZrO₂ 粒子）、Nb₂ O₅ 粒子、氧化鈦粒子（TiO₂ 粒子）及二氧化矽粒子（SiO₂ 粒子）中的至少一個為較佳。其中，從容易將轉印層的折射率調整成1.6以上之觀點考慮，第1透明轉印層中的金屬氧化物粒子係氧化鋯粒子或氧化鈦粒子為更佳，氧化鋯粒子為進一步較佳。作為二氧化矽粒子，例如可舉出膠體二氧化矽、煙霧狀二氧化矽等，作為上市之市售品的例，可舉出Nissan Chemical Industries,LTD.製的SNOWTEX ST-N（膠體二氧化矽；不揮發量20%）、SNOWTEX ST-C（膠體二氧化矽；不揮發量20%）等。

第3透明轉印層能夠塗佈溶液（稱為第3透明轉印層形成用塗佈液）並使其乾燥而形成，該溶液為將用於形成至少包含聚合性單體及樹脂之第3透明轉印層之樹脂組成物溶解於溶劑而成之溶液。第3透明轉印層形成用塗佈液能夠包含溶劑。作為溶劑，例如可舉出水、甲醇、1-甲氧基-2-丙基乙酸酯、甲基乙基酮、二丙酮醇、乙二醇、丙二醇、異丁醇等。

（第4透明轉印層）從更加提高電極圖案的隱蔽性之觀點考慮，本揭示的轉印材料除了上述第1透明轉印層、第2透明轉印層及第3透明轉印層以外，還在第1透明轉印層的與第2透明轉印層接觸之一側相反的一側具有折射率低於第1透明轉印層的折射率的第4透明轉印層為較佳。如圖2所示，本揭示的轉印材料例如亦可以為還在第1透明轉印層21的與第2透明轉印層23接觸之一側相反的一側配置有折射率低於第1透明轉印層21的折射率的第4透明轉印層27之態樣。

第4透明轉印層如後述那樣製作觸控感測器之情況下，能夠形成轉印後的第4透明層。

第4透明轉印層的折射率及厚度與後述之第4透明層相同。具體而言，第4透明轉印層的折射率小於第1透明層的折射率為較佳，折射率小於1.6為較佳。其中，從更加有效地改善結構物的可見性之觀點考慮，1.2以上且小於1.6為較佳，1.3～1.5為更佳，1.4～1.5為進一步較佳。又，第4透明轉印層的厚度係300nm以下為較佳，200nm以下為更佳，10nm～100nm為進一步較佳，10nm～50nm為特佳。

上述之中，第4透明轉印層的折射率係1.3～1.5且厚度係10nm～50nm之情況為較佳。

第4透明轉印層能夠與用於轉印形成既述的第1透明層的第1透明轉印層相同地形成。第4透明轉印層中所使用之成分能夠使用與能夠用於第1透明轉印層的成分相同的成分。第4透明轉印層中所包含之粒子係賦予低折射率之粒子為較佳，折射率小於1.6的無機氧化物粒子為較佳，SiO₂ 粒子等為進一步較佳。

（第5透明轉印層）從更加提高電極圖案的隱蔽性之觀點考慮，本揭示的轉印材料除了上述第1透明轉印層、第2透明轉印層及第3透明轉印層以外，還在第3透明轉印層的與第2透明轉印層接觸之一側相反的一側亦即臨時支撐體與第3透明轉印層之間具有折射率低於第3透明轉印層的折射率的第5透明轉印層為較佳。如圖2所示，本揭示的轉印材料例如以可以為在臨時支撐體10與第3透明轉印層25之間配置有折射率低於第3透明轉印層25的折射率的第5透明轉印層29之態樣。

第5透明轉印層如後述那樣製作觸控感測器之情況下，能夠形成轉印後的第5透明層。

第5透明轉印層的折射率及厚度與後述之第5透明層相同。具體而言，第5透明轉印層的折射率小於第3透明層的折射率為較佳，進而小於1.6為更佳。第5透明轉印層的折射率比第1透明轉印層低，藉此尤其能夠提高第2電極圖案的隱蔽性，從而更加改善電極圖案的可見性。作為第5透明轉印層的折射率，1.2以上且小於1.6為較佳，1.3～1.5為更佳，1.4～1.5為進一步較佳。又，作為第5透明轉印層的厚度，300nm以下為較佳，200nm以下為更佳，10nm～100nm為進一步較佳，10nm～50nm為特佳。

上述之中，第5透明轉印層的折射率係1.3～1.5且厚度係10nm～50nm之情況為較佳。

第5透明轉印層能夠與用於轉印形成既述的第1透明層的第1透明轉印層相同地形成。第5透明轉印層中所包含之粒子係賦予低折射率之粒子為較佳，折射率小於1.6的無機氧化物粒子為更佳，SiO₂ 粒子等為進一步較佳。

從更加提高電極圖案的隱蔽性之觀點考慮，本揭示的轉印材料除了上述第1透明轉印層、第2透明轉印層及第3透明轉印層以外，還在第1透明轉印層的與第2透明轉印層接觸之一側相反的一側具有折射率低於第1透明轉印層的折射率的第4透明轉印層，並且在第3透明層的與第2透明層接觸之一側相反的一側具有折射率低於第3透明轉印層的折射率的第5透明轉印層之態樣為較佳。另外，從更加提高電極圖案的隱蔽性之觀點考慮，第1透明轉印層的折射率係1.65～1.8且厚度係30nm～200nm，第2透明轉印層的折射率係1.4～1.55且厚度係1μm～10μm，第3透明轉印層的折射率係1.65～1.8且厚度係30nm～200nm，第4透明轉印層的折射率係1.3～1.5且厚度係10nm～100nm，第5透明轉印層的折射率係1.3～1.5且厚度係10nm～100nm之情況為較佳。

轉印材料除了既述之各種透明轉印層以外，在不損害效果的範圍內，亦可以具有熱塑性樹脂層、中間層、保護薄膜等其他任意的層。

＜觸控感測器＞本揭示的觸控感測器係具有在基材的單側隔著透明層配置有沿一方向延伸之電極及沿另一方向延伸之電極之結構之觸控感測器，作為透明層，至少具備第1透明層、第2透明層及第3透明層。作為電極，使用了ITO（Indium TinOxide，銦錫氧化物）等金屬氧化物之透明電極為較佳。具體而言，層疊如下而具有：具有基材及圖案狀的第1電極（以下，亦稱為第1電極圖案。）之基板；圖案狀的第2電極（以下，亦稱為第2電極圖案。）；配置於第1電極與第2電極之間且厚度係0.5μm以上且小於25μm之第2透明層；配置於第1電極與第2透明層之間（較佳為第1電極與第2透明層之間的第2透明層的表面）並且折射率高於第2透明層的折射率的第1透明層；及配置於第2電極與第2透明層之間（較佳為第2電極與第2透明層之間的第2透明層的表面）並且折射率高於第2透明層的折射率的第3透明層。亦即，本揭示的觸控感測器成為第2電極/第3透明層/第2透明層/第1透明層/基板（=第1電極/基材）的積層結構。

從以往，已知具有在基材的單側隔著透明層配置沿一方向延伸之電極及沿另一方向延伸之電極之結構之觸控感測器。然而，在具備觸控感測器之觸控面板畫面中，使用時電極的圖案被視覺辨認成為課題。既述的以往技術中，作為迴避電極圖案的可見性之技術，例如在專利文獻2中提出有在第一硬化性透明樹脂層的單側配置折射率高於第一硬化性透明樹脂層的折射率的第二硬化性透明樹脂層之結構。然而，在該技術中，需要設置橋接配線或在感測器電極之間配置絕緣層。又，在專利文獻3中提出有在厚度為25μm以上之厚的黏著層上積層外塗層之結構。因此，在專利文獻3中記載的技術中，積層體過厚成為問題。

鑑於上述，在本揭示的觸控感測器中，如已敘述，設為圖案狀的第1電極與第2電極之間層疊配置厚度係0.5μm以上且小於25μm之第2透明層、配置成夾持第2透明層之折射率高於第2透明層的折射率的第1透明層及第3透明層之積層結構，藉此電極圖案的隱蔽性更加提高，有效地改善電極圖案的可見性。

關於本揭示的觸控感測器的一實施形態，參閱圖3說明一例（第1實施形態）。但是，本揭示的觸控感測器並不限定於圖3所示之實施形態。又，圖3所示之第1實施形態中所包含之構成要素亦能夠應用於對第1實施形態還附加其他構成要素的其他實施形態。圖3係表示成為無法視覺辨認電極圖案之狀態之觸控感測器的第1實施形態之積層剖面圖。

如圖3所示，本揭示的一實施形態亦即觸控感測器300在基材60上具備形成為圖案狀之第1電極（第1電極圖案）51及第2電極（第2電極圖案）53，隔著第1電極圖案51與第2電極圖案53之間從第1電極圖案51側依次積層有第1透明層31、第2透明層33及第3透明層35。

第1電極圖案51亦可以由具有沿基板上的第1方向隔開間隔而配置之複數個第1島狀電極部及電連接相鄰之第1島狀電極部之第1配線部之結構未配設。第1電極圖案的圖案形狀依欲要製作之觸控感測器選擇即可，能夠設為任意的結構。第1島狀電極部及第1配線部係折射率在1.75～2.1的範圍內為較佳。

第1島狀電極部的材料並無特別限制，能夠形成透明導電膜之材料即可，能夠使用公知的材料。作為具體的材料，例如可舉出氧化銦錫（Indium Tin Oxide：ITO）、氧化鋅鋁（AZO）、氧化銦鋅（Indium Zinc Oxide：IZO）等金屬氧化物。

第1島狀電極部例如能夠設為ITO膜、IZO膜、SiO₂ 膜等透光性金屬氧化膜；Al、Zn、Cu、Fe、Ni、Cr、Mo、Ag、Au等金屬膜；銅鎳合金等複數個金屬的合金膜等。第1島狀電極部的厚度能夠設為10nm～200nm。又，亦可以藉由煅燒將非晶質ITO膜製成多晶ITO膜。藉由ITO膜等形成導電性圖案之情況下，能夠參閱日本專利第4506785號公報的0014～0016段等的記載。

第1島狀電極部的形狀並無特別限制，可以為正方形、長方形、菱形、台形、五邊形以上的多邊形等中的任一種，從容易形成細密填充結構之觀點考慮，正方形、菱形或六邊形為較佳。

第1配線部只要能夠彼此電連接相鄰之第1島狀電極部之構件，則並無限制。第1配線部能夠應用與第1島狀電極部相同的材料，厚度亦相同。又，亦可以藉由煅燒將非晶質ITO膜製成多結晶的ITO膜。

第2電極圖案配置於與配置有第3透明層的第1電極圖案之一側相反的一側。第2電極圖案可以由具有沿第1電極圖案中的與第1方向交叉之第2方向隔著間隔而配置之複數個第2島狀電極部及電連接相鄰之第2島狀電極部之第2配線部之結構來配設。第2電極圖案的圖案形狀依欲要製作之觸控感測器選擇即可，能夠設為任意結構。第2島狀電極部及第2配線部的折射率在1.75～2.1的範圍為較佳。

第2島狀電極部的材料並無特別限制，能夠形成透明導電膜之材料即可，能夠使用公知的材料。具體的材料與第1島狀電極部的材料相同。第2島狀電極部例如能夠設為ITO膜、IZO膜、SiO₂ 膜等透光性的金屬氧化膜；Al、Zn、Cu、Fe、Ni、Cr、Mo、Ag、Au等金屬膜；銅鎳合金等複數個金屬的合金膜等。

第2島狀電極部的厚度能夠設為10nm～200nm。又，亦可以藉由煅燒將非晶質ITO膜製成多結晶的ITO膜。藉由ITO膜等形成導電性圖案之情況下，能夠參閱日本第4506785號公報的0014～0016段等的記載。又，第2島狀電極部的形狀並無特別限制，可以為正方形、長方形、菱形、台形、五邊形以上的多邊形等中的任一種，從容易形成細密填充結構的觀點考慮，正方形、菱形或六邊形為較佳。

第2配線部只要是能夠彼此電連接相鄰之第2島狀電極部之構件，則並無限制。第2配線部能夠應用與第2島狀電極部相同的材料，厚度亦相同。又，亦可以藉由煅燒將非晶質ITO膜製成多結晶的ITO膜。其中，第2配線部係透明電極之情況為較佳。藉由作為透明電極而配設，設為觸控感測器之情況的橋接配線的可見性更加顯著地降低，外觀品質的提高效果高。

本揭示的觸控感測器中的第1電極圖案51及第2電極圖案53的折射率在1.75～2.1的範圍為較佳。

基材60係透明基材為較佳，電絕緣性的基材為更佳。基材的折射率係1.5～1.6為較佳，1.5～1.55為更佳。若基材的折射率在上述範圍，則可得到電極圖案的隱蔽作用。作為電絕緣性的基材，例如可舉出玻璃基材及PET（聚對酞酸乙二酯）薄膜、PC（聚碳酸酯）薄膜、COP（環烯烴聚合物）薄膜、PVC（聚氯乙烯）薄膜等樹脂薄膜。 COP薄膜不僅光學均向性優異，而且尺寸穩定性、進而加工精度亦優異，在這一點上為較佳。另外，透明基材係玻璃基板之情況下，厚度可以為0.3mm～3mm。又，基材係樹脂薄膜之情況下，厚度可以為20μm～3mm。

接著，對配置於第1電極圖案51與第2電極圖案53之間之第1透明層、第2透明層及第3透明層進行說明。

首先，對第2透明層33進行說明。本揭示中的第2透明層33係具有厚度係0.5μm以上且小於25μm之透明性之層。第2透明層33藉由折射率比第2透明層高的第1透明層31或來自與第3透明層35之間的界面的反射光的干擾作用來隱蔽電極圖案的像，突破性地改善電極圖案的可見性。

本揭示中的第2透明層係折射率低於第1透明層及第3透明層的折射率的透明層，第2透明層的折射率係1.4～1.6為較佳，1.4～1.55為更佳，1.45～1.55為進一步較佳。

第2透明層的厚度0.5μm以上且小於25μm。若第2透明層的厚度係0.5μm以上，則容易得到所期望之折射率。又，第2透明層的厚度小於25μm係指第2透明層不太厚，能夠提高依據目的或用途等要求出之觸控感測器的設計上的自由度。作為第2透明層的厚度，從透明性及彼此相鄰之第1透明層及第3透明層更有效地顯現光的干擾作用之觀點考慮，0.5μm～20μm為更佳，1μm～10μm為進一步較佳。

第2透明層尤其為折射率係1.4～1.55且厚度係1μm～10μm為較佳。

第2透明層的厚度係使用掃描型電子顯微鏡（SEM；Scanning Electron Microscope）來測量之平均厚度。具體而言，使用超薄切片機形成觸控面板的切片，並使用SEM對切片中的截面的5mm長度的區域進行掃描而測量第2透明層的厚度。接著，求出以等間隔劃分之20個部位的厚度的測定值的算數平均作為平均厚度。。

第2透明層的厚度只要是0.5μm以上且小於25μm之透明的層（較佳為折射率係1.4～1.6），則材料並無特別限制。第2透明層中例如亦可以使用藉由濺射形成之金屬氧化物層，或使用由既述的第2透明轉印層中的硬化成分進行硬化反應而成之硬化層。

關於第2透明層，藉由使用了轉印材料之轉印法，例如將既述的轉印材料的第2透明轉印層作為藉由轉印於後述之第1透明層上而形成之轉印層而設置為較佳。若為轉印層，則由於各層容易以均勻性高的厚度形成，因此可得到穩定之折射率，利用光的干擾之電極圖案的隱蔽性更加優異。又，第2透明層可以為進行硬化反應而成之層，包含鹼可溶性樹脂、聚合性單體及光聚合起始劑之組成物的硬化物為較佳。作為鹼可溶性樹脂的重量平均分子量，35,000以下為較佳，25,000以下為更佳，20,000以下為進一步較佳。關於形成第2透明層之成分的詳細內容，包括鹼可溶性樹脂、聚合性單體及光聚合起始劑在內如既述的轉印材料中的第2透明轉印層的一項中的說明。

作為第2透明層中的來自於鹼可溶性樹脂之成分的含量，相對於第2透明層的固體成分為30質量%以上為較佳。若來自於鹼可溶性樹脂之成分的含量為30質量%以上，則在設為錐形形狀這一點上為較佳。作為來自於鹼可溶性樹脂之成分的含量，相對於第2透明層的固體成分為40質量%～70質量%為更佳。

接著，對第1透明層31進行說明。本揭示中的第1透明層係配置於第1電極與第2透明層之間且具有折射率高於第2透明層的折射率之高透明性之層。第1透明層31以適當的厚度配置於折射率比第1透明層低的第2透明層與第1電極（第1電極圖案）51之間，藉由來自層間的界面的反射光或來自層及電極的界面的反射光的干擾作用來顯現電極圖案的隱蔽作用。藉此，改善來自電極圖案的外部的可見性。

本揭示中的第1透明層的折射率係1.6以上為較佳，1.6～1.9為更佳，1.65～1.8為進一步較佳。

第1透明層的厚度係0.5μm以下為較佳，0.3μm（300nm）以下為更佳，20nm～300nm為進一步較佳，30nm～200nm為進一步較佳，30nm～100nm為特佳。

上述中，第1透明層的折射率係1.65～1.8且厚度係30nm～200nm為較佳，折射率係1.65～1.8且厚度係30nm～100nm為更佳。

第1透明層的折射率比第2透明層的折射率大0.05以上為較佳，大0.1以上為更佳，大0.15以上為進一步較佳。該情況下，成為在第1透明層上層疊第2透明層之結構，從靠近第1電極圖案的一側朝向遠離第1電極圖案的一側，層的折射率變低。藉此，ITO等的折射率較高的電極圖案更難以從外部視覺辨認，能夠得到外觀優異之觸控感測器。

第1透明層的折射率係例如能夠藉由包含粒子來調整，第1透明層含有金屬氧化物粒子為較佳。關於金屬氧化物粒子的詳細內容，與既述的第1透明轉印層中所包含之金屬氧化物粒子相同，較佳的態樣亦相同。第1透明層尤其含有氧化鋯粒子（ZrO₂ 粒子）、Nb₂ O₅ 粒子、氧化鈦粒子（TiO₂ 粒子）及二氧化矽粒子（SiO₂ 粒子）中的至少一個為較佳。

另外，第1透明層的厚度係使用透射型電子顯微鏡（TEM；Transmission Electron Microscope）來測量之平均厚度。具體而言，使用超薄切片機形成觸控面板的切片，並使用TEM對切片中的截面的5mm長度的區域進行掃描而測定第2透明層的厚度。接著，求出以等間隔劃分之20個部位的厚度的測定值的算數平均作為平均厚度。

第1透明層只要是折射率大於第2透明層的折射率的透明的層（較佳為折射率係1.6以上且厚度小於500nm（較佳為300nm以下）之透明的層），則材料並無特別限制。第1透明層中例如亦可以使用藉由真空蒸鍍法或濺射法形成之金屬氧化物層，或者使用由既述的第1透明轉印層中的硬化成分進行硬化反應而成之硬化層。

第1透明層例如可以設為將既述的轉印材料的第1透明轉印層至少轉印於第1電極圖案上之轉印層，亦可以為進行硬化反應而成之層。關於形成第1透明層之成分的詳細內容，如既述的轉印材料中的第1透明轉印層的一項中的說明。

接著，對第3透明層35進行說明。本揭示中的第3透明層35係配置於第2電極與第2透明層之間且具有折射率高於第2透明層的折射率的透明性之層。第3透明層35與第2透明層33相鄰而配置，藉此根據折射率比第3透明層35低的第2透明層33而得到之光的干擾作用來顯現電極圖案的隱蔽作用。藉此，改善來自電極圖案的外部的可見性。

本揭示中的第3透明層的折射率係1.6以上為較佳，1.6～1.9為更佳，1.65～1.8為進一步較佳。

第3透明層的厚度係0.5μm以下為較佳，0.3μm（300nm）以下為更佳，20nm～300nm為進一步較佳，30nm～200nm為進一步較佳，30nm～100nm為特佳。

上述中，第3透明層的折射率係1.65～1.8且厚度係30nm～200nm為較佳，折射率係1.65～1.8且厚度係30nm～100nm為更佳。

第3透明層的折射率比第2透明層的折射率大0.05以上為較佳，大0.1以上為更佳，大0.15以上為進一步較佳。該情況下，成為在第2透明層上層疊第3透明層之結構，從與第2電極圖案靠近的一側朝向遠離第2電極圖案的一側，層的折射率變低。藉此，ITO等的折射率較高的電極圖案更難以從外部視覺辨認，能夠得到外觀優異之觸控感測器。

第3透明層的折射率例如能夠藉由包含粒子來調整，第3透明層含有金屬氧化物粒子為較佳。關於金屬氧化物粒子的詳細內容，與既述的第1透明轉印層中所包含之金屬氧化物粒子相同，較佳的態樣亦相同。第1透明層尤其含有氧化鋯粒子（ZrO₂ 粒子）、Nb₂ O₅ 粒子、氧化鈦粒子（TiO₂ 粒子）及二氧化矽粒子（SiO₂ 粒子）中的至少一種為較佳。

另外，第3透明層的厚度係使用透射型電子顯微鏡（TEM）來測量之平均厚度，能夠與上述第1透明層中的情況相同的方式進行測量。

第3透明層只要是折射率大於第2透明層的折射率的透明的層（較佳為折射率係1.6以上且厚度小於500nm（較佳為300nm以下）之透明的層），則材料並無特別限制。第3透明層中例如亦可以使用藉由真空蒸鍍法或濺射法而形成之金屬氧化物層，或使用由既述的第1透明轉印層中的硬化成分進行硬化反應而成之硬化層。

第3透明層例如可以為藉由將既述的轉印材料的第3透明轉印層轉印於第2透明層上而形成之轉印層，亦可以為進行硬化反應而成之層。形成第3透明層之成分的詳細內容如既述的轉印材料中的第3透明轉印層的一項中的說明。

～第2實施形態～本揭示的觸控感測器的另一實施形態可以為具有圖4所示之結構之第2實施形態。關於第2實施形態，參閱圖4進行說明。另外，第2實施形態的觸控感測器中，對與第1實施形態的觸控感測器相同的構成要素附加相同元件符號，省略附加相同元件符號之構成要素的說明。

亦即，本揭示的觸控感測器在第1透明層的與第2透明層接觸之一側相反的一側具有折射率低於第1透明層的折射率的第4透明層，並且在第3透明層的與第2透明層接觸之一側相反的一側具有折射率低於第3透明層的折射率的第5透明層為較佳。藉由配設第4透明層及第5透明層，分別從第1電極圖案或第2電極圖案的一側成為低折射率層/高折射率層/低折射率層的積層結構，電極圖案的可見性的改善效果高。

具體而言，例如如圖4所示，第2實施形態的觸控感測器400在第1透明層31的與第2透明層33接觸之一側相反的一側具有折射率低於第1透明層31的折射率的第4透明層37，並且在第3透明層35的與第2透明層33接觸之一側相反的一側具有折射率低於第3透明層35的折射率的第5透明層39。以下，對第4透明層37及第5透明層39進行說明。

第4透明層37係配置於第1電極（第1電極圖案）51與第1透明層31之間且具有折射率低於第1透明層31的折射率的透明性之層。作為第4透明層的厚度，300nm以下為較佳，200nm以下為更佳，10nm～100nm為進一步較佳，10nm～50nm為特佳。第4透明層的折射率低於第1透明層的折射率為較佳，折射率小於1.6為較佳。藉由第4透明層的折射率比第1透明層低，尤其提高第1電極圖案的隱蔽性，能夠更加改善電極圖案的可見性。作為第4透明層的折射率，1.2以上且小於1.6為較佳，1.3～1.5為更佳，1.4～1.5為進一步較佳。上述之中，第4透明層的折射率係1.3～1.5且厚度係10nm～100nm之情況為較佳。

另外，第4透明層的厚度為使用透射型電子顯微鏡（TEM）而測定之平均厚度，能夠設為與上述第1透明層中的情況相同的方式而進行測定。

第4透明層只要是折射率比第1透明層低的低折射率層（較佳為折射率小於1.6且厚度係300nm以下之低折射率層），則形成第4透明層之材料並無限制，除了對折射率帶來影響之粒子等的成分以外，能夠使用與第1透明層中所使用之材料相同者。第4透明層例如能夠使用藉由真空蒸鍍法或濺射法形成之金屬氧化物層，亦可以使用由既述的第1透明轉印層中的硬化成分進行硬化反應而成之硬化層。

第4透明層係例如藉由將既述的轉印材料的第1透明轉印層至少轉印於第1電極圖案上來配置於第1電極圖案51與第1透明層31之間之轉印層為較佳，亦可以為進行硬化反應而成之層。形成第4透明層之成分的詳細內容與既述的轉印材料中的第1透明轉印層（去除粒子）中的成分相同，較佳的態樣亦相同。第4透明層中所包含之粒子係賦予低折射率之粒子為較佳，折射率小於1.6的無機氧化物粒子為更佳，SiO₂ 粒子等為進一步較佳。

第5透明層39係配置於第2電極（第2電極圖案）53與第3透明層35之間且具有折射率低於第3透明層35的折射率的透明性之層。第5透明層的折射率小於第3透明層的折射率為較佳，折射率小於1.6為較佳。藉由第5透明層的折射率比第3透明層低，尤其提高第2電極圖案的隱蔽性，能夠更加改善電極圖案的可見性。作為第5透明層的折射率，1.2以上且小於1.6為較佳，1.3～1.5為更佳，1.4～1.5為進一步較佳。作為第5透明層的厚度，300nm以下為較佳，200nm以下為更佳，10nm～100nm為進一步較佳，10nm～50nm為特佳。上述之中，第5透明層的折射率係1.3～1.5且厚度係10nm～100nm之情況為較佳。

另外，第5透明層的厚度為使用透射型電子顯微鏡（TEM）而測定之平均厚度，能夠設為與上述第1透明層中的情況相同的方式而進行測定。

第5透明層只要是比第3透明層的折射率低的低折射率層（較佳為折射率小於1.6且厚度係300nm以下之低折射率層），則形成第5透明層之材料並無限制，除了對折射率帶來影響之粒子等成分以外，能夠使用與第1透明層中所使用之材料相同者。第5透明層例如能夠使用藉由真空蒸鍍法或濺射法而形成之金屬氧化物層，亦可以使用由既述的第1透明轉印層中的硬化成分進行硬化反應而成之硬化層。

第5透明層係例如藉由將既述的轉印材料的第1透明轉印層轉印於第3透明層上來配置於第2電極圖案53與第3透明層35之間之轉印層為較佳，亦可以為進行硬化反應而成之層。形成第5透明層之成分的詳細內容如在既述的轉印材料中的第1透明轉印層（去除粒子）的一項中的說明。第5透明層中所包含之粒子係對低折射率帶來影響之粒子為較佳，折射率小於1.6的無機氧化物粒子為更佳，SiO₂ 粒子等為進一步較佳。

從更加提高電極圖案的隱蔽性之觀點考慮，本揭示的觸控感測器係除了上述第1透明層、第2透明層及第3透明層以外還在第1透明層的與第2透明層接觸之一側相反的一側具有折射率低於第1透明層的折射率的第4透明層並且在第3透明層的與第2透明層接觸之一側相反的一側具有折射率低於第3透明層的折射率的第5透明層之態樣為較佳。另外，從與上述相同的觀點考慮，本揭示的觸控感測器可以為如下態樣為較佳：第1透明層的折射率係1.65～1.8且厚度係30nm～200nm，第2透明層的折射率係1.4～1.55且厚度係1μm～10μm，第3透明層的折射率係1.65～1.8且厚度係30nm～200nm，第4透明層的折射率係1.3～1.5且厚度係10nm～100nm，第5透明層的折射率係1.3～1.5且厚度係10nm～100nm。該情況下，還可以為組合第6透明層的折射率係1.6～1.7且厚度係50nm～100nm、第7透明層的折射率係1.6～1.7且厚度係50nm～100nm之態樣之情況為較佳。

～第3實施形態～本揭示的觸控感測器的另一實施形態可以為具有圖5所示之結構之第3實施形態。參閱圖5對第3實施形態進行說明。另外，第3實施形態的觸控感測器中，對與第1實施形態或第2實施形態的觸控感測器相同的構成要素附加相同元件符號，省略附加了相同元件符號之構成要素的說明。

亦即，本揭示的觸控感測器在基板中的基材與第1電極（第1電極圖案）之間具有折射率高於基板中的基材的折射率並且折射率低於第1電極的第6透明層為較佳。亦即，折射率的順序成為基材＜第6透明層＜第1電極圖案為較佳。藉由具有第6透明層，更加有效地提高第1電極的隱蔽性。又，本揭示的觸控感測器在第2電極（第2電極圖案）的與配置有第2透明層之一側相反的一側的面具有折射率低於第2電極的折射率的第7透明層為較佳。亦即，折射率的順序成為第7透明層＜第2電極圖案為較佳。藉由具有第7透明層，更加有效地提高第2電極的隱蔽性。

具體而言，例如如圖5所示，第3實施形態的觸控感測器500在基板中的基材60與第1電極（第1電極圖案）51之間具有折射率高於基板中的基材60的折射率並且折射率低於第1電極51的第6透明層41，並且在第2電極（第2電極圖案）53的與配置有第2透明層33之一側相反的一側的面具有折射率低於第2電極53的折射率的第7透明層43。以下，對第6透明層41及第7透明層43進行說明。

第6透明層41係配置於基板中的基材60與第1電極（第1電極圖案）51之間且折射率高於基板中的基材60的折射率並且低於第1電極51的折射率的具有透明性之層。

作為第6透明層的折射率，從與上述相同的理由，1.55以上且小於1.9為較佳，1.6～1.7為更佳，1.6～1.65為進一步較佳。第6透明層的厚度係200nm以下為較佳，40nm～200nm為更佳，50nm～100nm為進一步較佳。上述中，第6透明層的折射率係1.6～1.7且厚度係50nm～100nm為較佳。

如圖5所示，第6透明層係配置於基材60上之層，因此作為觸控感測器的基材，亦可以使用在基材上附設有第6透明層之積層基材。

另外，第6透明層的厚度係使用透射型電子顯微鏡（TEM）來測量之平均厚度，能夠以與上述第1透明層中的情況相同的方式來測量。

第6透明層只要是折射率高於基板中的基材的折射率並且折射率低於第1電極的層，則形成第6透明層之材料並無限制，能夠使用與第1透明層中所使用之材料相同者。第6透明層亦可以使用由既述的第1透明轉印層中的硬化成分進行硬化反應而成之硬化層。

第6透明層例如可以為將既述的轉印材料的第1透明轉印層轉印於基材上而配置之轉印層，亦可以為進行硬化反應而成之層。形成第6透明層之成分的詳細內容與既述的第1透明轉印層的成分相同。

第7透明層43係配置於第2電極（第2電極圖案）的與配置有第2透明層之一側相反的一側的面且折射率低於第2電極的折射率的透明性的層。作為第7透明層的折射率，1.55以上且小於1.9為較佳，1.6～1.7為更佳，1.6～1.65為進一步較佳。第7透明層的厚度係200nm以下為較佳，40nm～200nm為更佳，50nm～100nm為進一步較佳。上述中，第7透明層的折射率係1.6～1.7且厚度係50nm～100nm為較佳。

另外，第7透明層的厚度為使用透射型電子顯微鏡（TEM）而測定之平均厚度，能夠設為與上述第1透明層中的情況相同的方式而進行測定。

第7透明層只要是折射率低於第2電極的折射率的層，則形成第7透明層之材料並無限制，能夠使用與第1透明層中所使用之材料相同者。第7透明層亦可以使用由既述的第1透明轉印層中的硬化成分進行硬化反應而成之硬化層。

第7透明層例如可以為將既述的轉印材料的第1透明轉印層轉印於基材上而配置之轉印層，亦可以為進行硬化反應而成之層。形成第7透明層之成分的詳細內容與既述的第1透明轉印層的成分相同。

～第4實施形態～本揭示的觸控感測器的另一實施形態可以為具有圖6所示之結構之第4實施形態。參閱圖6對第4實施形態進行說明。另外，第4實施形態的觸控感測器中，對與第1實施形態、第2實施形態或第3實施形態的觸控感測器相同的構成要素附加相同元件符號，省略對附加了相同元件符號之構成要素的說明。

亦即，本揭示的觸控感測器在具有基材及第1電極圖案之基板與第2電極圖案之間，具有：配置於第1電極（第1電極圖案）與第2電極（第2電極圖案）之間且厚度係0.5μm以上且小於25μm之第2透明層；配置於第1電極圖案與第2透明層之間並且折射率高於第2透明層的折射率的第1透明層；配置於第2電極圖案與第2透明層之間並且折射率高於第2透明層的折射率的第3透明層；在第1透明層的與第2透明層接觸之一側相反的一側，折射率低於第1透明層的折射率的第4透明層；在第3透明層的與第2透明層接觸之一側相反的一側，折射率低於第3透明層的折射率的第5透明層；在基板中的基材與第1電極圖案之間，折射率高於基板中的基材的折射率並且低於第1電極圖案的第6透明層；及在第2電極的與配置有第2透明層之一側相反的一側的面，折射率低於第2電極圖案的折射率的第7透明層之態樣為較佳。藉由具有如此的積層結構，第1電極圖案及第2電極圖案的隱蔽性更加優異，提高對電極圖案的可見性之改善效果。

如圖3～圖6所示，本揭示的觸控感測器亦可以在第2電極圖案或第7透明層上進而形成有透明黏著層70。又，在透明黏著層70的上方（透明黏著層70的與配置有第2電極圖案之一側相反的的一側）進而可以配置玻璃基板。透明黏著層70亦可以設為折射率係1.5～1.55左右的透明性的層。

＜觸控感測器之製造方法＞本揭示的觸控感測器只要是使用了轉印材料之方法，則能夠選擇任意方法來製造。本揭示的觸控感測器之製造方法亦可以為在所期望的基材、具體而言在基材上具有第1電極圖案之基板上藉由轉印法形成第1透明層、第2透明層及第3透明層之情況下，使用具有第1透明轉印層之轉印材料、具有第2透明轉印層之轉印材料及具有第3透明轉印層之轉印材料，逐次轉印第1透明層、第2透明層及第3透明層而形成之態樣。又，本揭示的觸控感測器之製造方法亦可以為使用具有第1透明轉印層、第2透明轉印層及第3透明轉印層之轉印材料，總括轉印第1透明層、第2透明層及第3透明層而形成之態樣。在本揭示之製造方法中，兩態樣中，從製造效率的觀點考慮，使用具有第1透明轉印層、第2透明轉印層及第3透明轉印層之轉印材料，總括轉印第1透明層、第2透明層及第3透明層之態樣為較佳。

具體而言，本揭示的觸控感測器藉由使用了既述的本揭示的轉印材料之方法（本揭示的觸控感測器之製造方法）適當地製造。亦即，本揭示的觸控感測器藉由具有如下步驟來製造：在第1電極上藉由轉印材料的轉印層的轉印而形成第2透明層之步驟（以下，亦稱為第2透明層形成步驟。）；在第1電極與第2透明層之間（較佳為、第1電極與第2透明層之間的第2透明層的表面）藉由轉印材料的轉印層的轉印而形成折射率高於第2透明層的折射率的第1透明層之步驟（以下，亦稱為第1透明層形成步驟。）；在第2透明層的與具有第1透明層之一側相反的一側（在第2透明層的與具有第1透明層之一側相反的一側的面）藉由轉印材料的轉印層的轉印而形成折射率高於第2透明層的折射率的第3透明層之步驟（以下，亦稱為第3透明層形成步驟。）及在第3透明層的與具有第2透明層之一側相反的一側配置第2電極之步驟。使用本揭示的轉印材料之製造方法中，能夠設為具有如下步驟之方法：在第1電極上藉由轉印材料的轉印層的轉印配置第1透明轉印層、第2透明轉印層及第3透明轉印層，在（較佳為經由曝光及顯影）第1電極上從第1電極一側依次形成第1透明層、第2透明層及第3透明層之步驟；及在第3透明層的與具有第2透明層之一側相反的一側配置第2電極之步驟。

本揭示中，藉由設為在第1電極圖案與第2電極圖案之間將第2透明層由折射率大於第2透明層的折射率的第1透明層及第3透明層夾持之積層結構，電極圖案的隱蔽性優異，更加有效地改善電極圖案的可見性。而且，藉由使用了轉印材料之轉印法進行各透明層的形成，因此確保具有均勻性的厚度，容易穩定地得到所期望之折射率，亦提高密接性。藉此，得到電極圖案的隱蔽性優異之觸控感測器。

從上述，本揭示的觸控感測器之製造方法可以為（i）使用具有臨時支撐體、從臨時支撐體側依次積層之第3透明轉印層、第2透明轉印層及第1透明轉印層之轉印材料，壓接於被轉印體，剝離臨時支撐體並總括轉印3層之方法。與上述不同地，本揭示的觸控感測器之製造方法可以為（ii）使用具有在臨時支撐體A上配置有第3透明轉印層之保護薄膜/第3透明轉印層/臨時支撐體A的積層結構之轉印材料a及具有在臨時支撐體B上配置有第2透明轉印層及第1透明轉印層之覆蓋膜/第1透明轉印層/第2透明轉印層/臨時支撐體B的積層結構之轉印材料b之方法。亦即，準備轉印材料a、b，分別剝離轉印材料a的保護薄膜及轉印材料b的臨時支撐體B，使用使暴露之各暴露面彼此接觸而層疊並壓接而得到之轉印材料c，進而剝離覆蓋膜，將3層總括轉印於被轉印體之方法。另外，轉印材料c具有臨時支撐體A/第3透明轉印層/第2透明轉印層/第1透明轉印層/覆蓋膜的積層結構。

本揭示的觸控面板之製造方法還具有：在第1透明層的與第2透明層接觸之一側相反的一側藉由轉印材料的轉印層的轉印形成折射率低於第1透明層的折射率的第4透明層之步驟（以下，亦稱為第4透明層形成步驟。）及在第3透明層的與第2透明層接觸之一側相反的一側藉由轉印材料的轉印層的轉印形成折射率低於第3透明層的折射率的第5透明層之步驟（以下，亦稱為第5透明層形成步驟。）為較佳。該情況下，本揭示的觸控感測器之製造方法中，使用具有臨時支撐體、從臨時支撐體側依次積層之第5透明轉印層、第3透明轉印層、第2透明轉印層、第1透明轉印層及第4透明轉印層之轉印材料之方法為較佳。在第4透明層形成步驟中，以成為所期望之折射率的方式適當選擇粒子等，藉此能夠以與第1透明層形成步驟相同的方式轉印形成第4透明層。又，第5透明層形成步驟中，以成為所期望之折射率的方式適當選擇粒子等，藉此能夠以與第1透明層形成步驟相同的方式轉印形成第5透明層。

又，如圖3～圖6所示，本揭示的觸控感測器之製造方法亦可以具有在第2電極圖案或第7透明層上進而形成透明黏著層之步驟。

如上所述，在被轉印體轉印各透明層之後，將各透明層曝光成圖案狀，藉由經由顯影處理，能夠形成所期望之圖案。曝光成圖案狀之方法並無特別限制，亦可以藉由利用光罩之面曝光進行，亦可以藉由基於雷射束等的掃描曝光進行。又，亦可以藉由使用了透鏡之折射式曝光，亦可以藉由使用了反射鏡之反射式曝光。又，亦可以利用接觸式曝光、接近式曝光、縮小投影曝光、反射投影曝光等曝光方式進行。關於光源，g射線、h射線、i射線、j射線等紫外線為較佳。作為光源種類，例如可舉出金屬鹵素燈、高壓汞燈及發光二極體（LED）。又，曝光後的顯影並無特別限制，使用鹼性顯影液為較佳。

＜圖像顯示裝置＞本揭示的圖像顯示裝置具備既述的本揭示的觸控感測器。然而，改善圖像顯示裝置的來自於圖像顯示部中的內部電極配線的圖案的可見性，並成為外觀上良好的顯示畫面。圖像顯示裝置係具備靜電電容型輸入裝置等觸控面板之顯示裝置，例如包括有機電致發光（EL）顯示裝置、液晶顯示裝置等。 [實施例]

以下，藉由實施例對本發明的實施形態進行進一步具體說明。但是，本發明的實施形態只要不超過其主旨，則並不限定於以下的實施例。另外，只要沒有特別的限定，“份”及“%”為質量基準。另外，聚合物中的組成比只要無特別說明，則係莫耳比。又，只要無特別說明，折射率係在波長550nm下藉由橢圓偏振計測量之值。

以下所示之實施例中，樹脂的重量平均分子量（Mw）及數量平均分子量（Mn）在下述條件下藉由凝膠滲透色譜（GPC）進行。校準曲線依據TOSOH CORPORATION製“標準試樣TSK standard,polystyrene”：“F-40”､“F-20”､“F-4”､“F-1”､“A-5000”､“A-2500”､“A-1000”､“正丙苯”這8個樣品而製作。＜條件＞ GPC：HLC（註冊商標）-8020GPC（TOSOH CORPORATION製）管柱：TSKgel（註冊商標）、Super MultiporeHZ-H（TOSOH CORPORATION、4.6mmID×15cm）3根洗提液：THF（四氫呋喃）試樣濃度：0.45質量% 流速：0.35ml/min 樣品注入量：10μl 測量溫度：40℃ 檢測器：差示折射計（RI）

＜透明轉印層形成用塗佈液的製備＞藉由以下表1～表3所示之組成中的成分及含量，製備了用於形成第1透明轉印層、第2透明轉印層、第3透明轉印層、第4透明轉印層及第5透明轉印層的塗佈液之材料。

[表1]

[化學式4]

[表2]

[化學式5]

[表3]

[化學式6]

＜轉印薄膜的製作＞ -轉印薄膜1（實施例1）- 使用狹縫狀噴嘴，將塗佈量調整為乾燥後的厚度成為70nm之塗佈量，將第3透明轉印層形成用的材料A-2塗佈於厚度16μm的聚對酞酸乙二酯薄膜亦即臨時支撐體上，在80℃的乾燥區域下揮發溶劑，從而形成了第3透明轉印層。接著，在第3透明轉印層的表面壓接了作為保護薄膜厚度16μm的聚對酞酸乙二酯薄膜。如上所述，製作了具有保護薄膜/第3透明轉印層/臨時支撐體的積層結構之轉印薄膜1a。

接著，使用狹縫狀噴嘴，將塗佈量調整為乾燥後的厚度成為8.0μm之塗佈量，將第2透明轉印層形成用的材料A-1塗佈於厚度16μm的聚對酞酸乙二酯薄膜亦即臨時支撐體上，在80℃的乾燥區域下揮發溶劑，從而形成了第2透明轉印層。接著，使用狹縫狀噴嘴，將塗佈量調整為乾燥後的厚度成為70nm之量，將第1透明轉印層形成用的材料B-1塗佈於乾燥後的第2透明轉印層上。之後，在70℃的乾燥溫度下乾燥塗佈膜而形成了第1透明轉印層。接著，在第1透明轉印層的表面壓接了作為覆蓋膜厚度16μm的聚對酞酸乙二酯薄膜。如上所述，製作了具有覆蓋膜/第1透明轉印層/第2透明轉印層/臨時支撐體的積層結構之轉印薄膜1b。

接著，剝離上述的轉印薄膜1a的保護薄膜，還剝離了上述的轉印薄膜1b的臨時支撐體。而且，轉印薄膜1b的暴露面亦即第2透明轉印層的表面接觸轉印薄膜1a的暴露面亦即第3透明轉印層的表面來進行壓接。如上所述，製作了具有臨時支撐體/第3透明轉印層/第2透明轉印層/第1透明轉印層/覆蓋膜的積層結構之轉印薄膜1（轉印材料）。轉印薄膜1具有圖1所示之積層結構。

-轉印薄膜2～7（實施例2、4、6～10）- 使用狹縫狀噴嘴，將塗佈量調整為乾燥後的厚度成為70nm之塗佈量，將第3透明轉印層形成用的材料C-1塗佈於厚度16μm的聚對酞酸乙二酯薄膜亦即臨時支撐體上，在80℃的乾燥區域下揮發溶劑，從而形成了第3透明轉印層。接著，使用狹縫狀噴嘴，將塗佈量調整為乾燥後的厚度成為8.0μm之量，將第2透明轉印層形成用的材料A-1塗佈於乾燥後的第3透明轉印層上。之後，在80℃的乾燥溫度下乾燥塗佈膜而形成了第2透明轉印層。接著，使用狹縫狀噴嘴，將塗佈量調整為乾燥後的厚度成為70nm之量，將第1透明轉印層形成用的材料B-1塗佈於乾燥後的第2透明轉印層上。之後，在70℃的乾燥溫度下乾燥塗佈膜而形成了第1透明轉印層。接著，在第1透明轉印層的表面壓接了作為保護薄膜的厚度16μm的聚對酞酸乙二酯薄膜。如上所述，如圖1所示，製作了具有保護薄膜/第1透明轉印層/第2透明轉印層/第3透明轉印層/臨時支撐體的積層結構之轉印薄膜（轉印材料）2。

又，上述的轉印薄膜2的製作中，如下述表5所示，將用於第1透明層的形成之第1透明轉印層形成用的材料B-1代替為材料B-4或B-5，並且將第3透明轉印層形成用的材料C-1代替為材料C-3或C-4，分別設為表5所示之厚度，除此以外，以與轉印薄膜2相同的方式，製作了轉印薄膜（轉印材料）3～4。

另外，在上述的轉印薄膜2的製作中，將第2透明層的厚度從8.0μm變更為表5所示之厚度，除此以外，以與轉印薄膜2相同的方式，製作了轉印薄膜（轉印材料）5～7。

-轉印薄膜8（實施例3、5）- 使用狹縫狀噴嘴，將塗佈量調整為乾燥後的厚度成為33nm之塗佈量，將第5透明轉印層形成用的材料A-3塗佈於厚度16μm的聚對酞酸乙二酯薄膜亦即臨時支撐體上，在80℃的乾燥區域下揮發溶劑，從而形成了第5透明轉印層。接著，使用狹縫狀噴嘴，將塗佈量調整為乾燥後的厚度成為35nm之量，將第3透明轉印層形成用的材料C-2塗佈於乾燥後的第5透明轉印層上。之後，在80℃的乾燥溫度下乾燥塗佈膜而形成了第3透明轉印層。接著，使用狹縫狀噴嘴，將塗佈量調整為乾燥後的厚度成為8.0μm之量，將第2透明轉印層形成用的材料A-1塗佈於乾燥後的第3透明轉印層上。之後，在80℃的乾燥溫度下乾燥塗佈膜而形成了第2透明轉印層。接著，使用狹縫狀噴嘴，將塗佈量調整為乾燥後的厚度成為35nm之量，將第1透明轉印層形成用的材料B-2塗佈於乾燥後的第2透明轉印層上。之後，在70℃的乾燥溫度下乾燥塗佈膜而形成了第1透明轉印層。另外，使用狹縫狀噴嘴，將塗佈量調整為乾燥後的厚度成為33nm之量，將第4透明轉印層形成用的材料B-3塗佈於乾燥後的第1透明轉印層上。之後，在70℃的乾燥溫度下乾燥塗佈膜而形成了第4透明轉印層。接著，在乾燥後的第4透明轉印層的表面壓接了作為保護薄膜的厚度16μm的聚對酞酸乙二酯薄膜。如上所述，如圖2所示，製作了具有保護薄膜/第4透明轉印層/第1透明轉印層/第2透明轉印層/第3透明轉印層/第5透明轉印層/臨時支撐體的積層結構之轉印薄膜（轉印材料）8。

-轉印薄膜9（比較例1）- 使用狹縫狀噴嘴，將塗佈量調整為乾燥後的厚度成為8.0μm之塗佈量，將第2透明轉印層形成用的材料A-1塗佈於厚度16μm的聚對酞酸乙二酯薄膜亦即臨時支撐體上。之後，在80℃的乾燥區域下揮發溶劑，從而形成了第2透明轉印層。接著，在第2透明轉印層的表面壓接了作為保護薄膜的厚度16μm的聚對酞酸乙二酯薄膜。如上所述，製作了具有保護薄膜/第2透明轉印層/臨時支撐體的積層結構之比較用轉印薄膜（轉印材料）9。

-轉印薄膜10（比較例2）- 上述的轉印薄膜2的製作中，將用於第1透明層的形成之第1透明轉印層形成用的材料B-1代替為材料B-3，並且將第3透明轉印層形成用的材料C-1代替為材料C-5，除此以外，以與轉印薄膜2相同的方式，如圖1所示，製作了具有保護薄膜/第1透明轉印層/第2透明轉印層/第3透明轉印層/臨時支撐體的積層結構之比較用轉印薄膜（轉印材料）10。

＜附透明電極圖案的薄膜的製作＞（透明薄膜基板的形成）使用高頻振盪器在下述條件下，對膜厚38μm及折射率1.53的環烯烴樹脂薄膜（基材）進行3秒鐘的電暈放電處理，實施表面改質，從而製作了透明薄膜基板。透明薄膜基板係在後述之實施例1～3及比較例1～2使用之基板。＜條件＞輸出電壓：100% 輸出：250W 電極：直徑1.2mm的線電極電極長：240mm 工作電極之間：1.5mm

（附透明膜的基板的形成）與上述不同地，使用狹縫狀噴嘴，在以與上述相同地方式製作之透明薄膜基板的電暈放電處理面，塗佈下述表4所示之材料-D，照射紫外線（積算光量：300mJ/cm² ），在約110℃下進行了乾燥。藉此，在透明薄膜基板上製作了具有折射率1.60及膜厚80nm的第6透明層之附透明膜的基板。附透明膜的基板係在後述之實施例4～10中所使用之基板。

[表4]

[化學式7]

＜透明電極圖案的形成＞將上述透明薄膜基板或附透明膜的基板導入到真空腔室內，使用氧化錫（SnO₂ ）含有率係10質量%的ITO靶（銦:錫=95:5（莫耳比）），藉由直流（DC）磁控濺射（條件：透明薄膜基板的溫度150℃、氬氣壓力0.13Pa、氧氣壓力0.01Pa），作為透明電極層，形成了厚度40nm及折射率1.82的ITO膜。藉此，得到了在透明薄膜基板上配設透明的ITO膜之基板及在附透明膜的基板上配設第6透明層及透明的ITO膜之基板。ITO膜的表面電阻值係80Ω/□（Ω每平方），折射率係1.9。

接著，藉由公知的化學蝕刻法蝕刻ITO膜，藉此將ITO膜圖案化。藉此，製作了在透明薄膜基板上具有圖案狀的第1透明電極（第1電極；以下為第1電極圖案）之附透明電極圖案的薄膜1及在附透明膜的基板的第6透明層上具有圖案狀的第1透明電極（第1電極圖案）之附透明電極圖案的薄膜2。

接著，如以下的表5所示，使用轉印薄膜1～10及附透明電極圖案的薄膜1～2製作了觸控感測器。

（實施例1～10、比較例1～2） -觸控感測器的製作- 分別剝離在上述中製作之轉印薄膜1～10的各保護薄膜（或覆蓋膜）。使藉由剝離暴露之轉印薄膜1～10的暴露面於附透明電極圖案的薄膜1的包含透明電極圖案之電暈放電處理面或附透明電極圖案的薄膜2的包含透明電極圖案之第6透明層的表面接觸，在以下的條件下積層。藉此，得到了12種透明積層體。＜條件＞透明薄膜基板的溫度：40℃ 橡膠輥的溫度：90℃ 線壓：3N/cm 搬送速度：4m/分鐘

接著，將曝光遮罩（通孔形成用遮罩）的表面與透明積層體的臨時支撐體的表面之間的距離設定成125μm，使用具有超高壓水銀燈之接近型曝光機（Hitachi high-tech electronic engineering），經由臨時支撐體，對透明積層體將i射線以曝光量100mJ/cm² 曝光成圖案狀。之後，從透明積層體剝離臨時支撐體，使用溫度32℃的碳酸鈉1質量%水溶液，對剝離面進行了60秒鐘的洗淨處理。洗淨處理之後，還從超高壓洗淨噴嘴對剝離面噴射超純水，藉此去除了殘渣。接著，對剝離面的表面噴吹空氣來去除水分，在溫度145℃下實施了30分鐘的後烘烤處理。

接著，使用氧化錫（SnO₂ ）含有率係10質量%的ITO靶（銦:錫=95:5（莫耳比）），藉由直流（DC）磁控濺射（條件：透明薄膜基板的溫度150℃、氬氣壓力0.13Pa、氧氣壓力0.01Pa），形成了厚度40nm及折射率1.82的ITO膜。ITO膜的表面電阻值係80Ω/□（Ω每平方），折射率係1.9。

接著，藉由公知的化學蝕刻法蝕刻ITO膜使其圖案化，在各透明積層體的剝離面形成了圖案狀透明電極（第2電極；以下為第2電極圖案）。

如上所述，實施例1～2及比較例2中，製作了具有圖3所示之積層結構之觸控感測器。又，實施例3中，製作了具有圖4所示之積層結構之觸控感測器。

又，實施例4～10中，使用狹縫狀噴嘴，還將既述的材料-D塗佈於形成於各透明積層體的剝離面之第2透明電極圖案上。之後，對塗佈膜照射紫外線（積算光量300mJ/cm² ），在約110℃下進行了乾燥。藉此，形成了折射率1.60及厚度80nm的第7透明層。如上所述，實施例4及實施例6～10中，製作了具有圖5所示之積層結構之觸控感測器。又，實施例5中，製作了具有圖6所示之積層結構之觸控感測器。

-評價1- （1）透明電極圖案的隱蔽性如已敘述，使各個轉印薄膜1～10與附透明電極圖案的薄膜1或附透明電極圖案的薄膜2接觸而積層之12種透明積層體的透明薄膜基板黏接黑色聚對酞酸乙二酯（PET）材料，並遮擋了基板整體。黑色的PET材料的黏接使用透明接著膠（產品名：OCA膠8171CL、3M Japan Limited製）來進行。在暗室內，從配置於與黏接對透明積層體、透明積層體的黑色的PET材之一側相反的一側之臨時支撐體的面照射熒光燈的光，從側面以肉眼觀察來自臨時支撐體的反射光，按照下述評價基準評價了透明電極圖案的外觀。評價基準中，A、B及C在實用上的允許範圍，A或B為較佳，A為更佳。將評價結果示於下述表5中。＜評價基準＞ A：即使從距離積層體15cm之位置凝視，亦看不到電極圖案，從距離積層體40cm之位置進行一般的肉眼觀察時，亦看不到電極圖案。 B：若從距離積層體15cm之位置凝視，則略微看到電極圖案，從距離積層體40cm之位置進行一般的肉眼觀察時，看不到電極圖案。 C：若從距離積層體15cm之位置凝視時，則略微看到電極圖案，從距離積層體40cm之位置進行一般的肉眼觀察時，亦略微看到電極圖案。 D：若從距離積層體15cm之位置凝視，則清楚地看到電極圖案，從距離積層體40cm之位置進行一般的肉眼觀察時，略微看到電極圖案。 E：若從距離積層體15cm之位置凝視，清楚地看到電極圖案，從距離積層體40cm之位置進行一般的肉眼觀察時，亦清楚地看到電極圖案。

（2）反射率以與上述“透明電極圖案的隱蔽性”的評價相同的方式，準備了黏接黑色PET材料之透明積層體，使用分光光度計V-570（JASCO Corporation製），測量了相對於透明積層體的D65光源之反射率。將測量結果示於下述表5中。

[表5]

如表5所示，在夾持第2透明層之兩側積層折射率高於第2透明層的折射率的第1透明層及第3透明層之實施例的觸控感測器中，與單層結構亦即比較例1的觸控感測器及第2透明層的折射率高於第1透明層及第3透明層的折射率的比較例2的觸控感測器相比，顯著地顯現反射率的降低效果，電極圖案的隱蔽性亦突破性地提高。

又，在設為具有折射率低於第1透明層的折射率的第4透明層及折射率低於第3透明層的折射率的第5透明層之積層結構之實施例3的觸控感測器中，與實施例1～2相比，反射率更加降低，電極圖案的隱蔽性高且更加改善了電極圖案的可見性。設為配設有折射率高於基板中的基材的折射率並且低於第1透明電極的第6透明層及折射率低於第2電極圖案的折射率的第7透明層之積層結構之實施例4的觸控感測器中，能夠實現比實施例3更加進一步降低反射率。另外，具備第4透明層、第5透明層、第6透明層及第7透明層之實施例5的觸控感測器中，反射率的降低效果顯著，且電極圖案的隱蔽性高且更加改善了電極圖案的可見性。

-圖像顯示裝置（觸控面板）的製作- 藉由日本特開2009-47936號公報的0097～0119段中記載的方法製造之液晶顯示元件中貼合在實施例1中製作之觸控感測器，進而貼合前面玻璃板，藉此藉由公知的方法製作了將靜電電容型輸入裝置作為構成要素而具備之圖像顯示裝置。與上述相同地，使用實施例2～10及比較例1～2的觸控感測器製作了圖像顯示裝置亦即觸控面板。

-評價2- 如上所述，在所製作之觸控面板顯示樣品圖像來進行了觀察。其結果，顯示於具備在各實施例中製作之觸控感測器之觸控面板之圖像，與顯示於具備比較例的觸控感測器之觸控面板之圖像相比，對比度高且鮮明。

10‧‧‧臨時支撐體12‧‧‧保護薄膜或覆蓋膜21‧‧‧第1透明轉印層23‧‧‧第2透明轉印層25‧‧‧第3透明轉印層27‧‧‧第4透明轉印層29‧‧‧第5透明轉印層31‧‧‧第1透明層33‧‧‧第2透明層35‧‧‧第3透明層37‧‧‧第4透明層39‧‧‧第5透明層41‧‧‧第6透明層43‧‧‧第7透明層51‧‧‧第1電極（第1電極圖案）53‧‧‧第2電極（第2電極圖案）60‧‧‧基材70‧‧‧透明黏著層100、200‧‧‧轉印薄膜300、400、500、600‧‧‧觸控感測器

圖1係表示本揭示的轉印材料的一實施形態之概略剖面圖。圖2係表示本揭示的轉印材料的另一實施形態之概略剖面圖。圖3係表示本揭示的觸控感測器的第1實施形態之概略剖面圖。圖4係表示本揭示的觸控感測器的第2實施形態之概略剖面圖。圖5係表示本揭示的觸控感測器的第3實施形態之概略剖面圖。圖6係表示本揭示的觸控感測器的第4實施形態之概略剖面圖。

10‧‧‧臨時支撐體

21‧‧‧第1透明轉印層

23‧‧‧第2透明轉印層

25‧‧‧第3透明轉印層

100‧‧‧轉印薄膜

Claims

一種轉印材料，其具有：臨時支撐體；第2透明轉印層；第3透明轉印層，在該臨時支撐體與該第2透明轉印層之間配置於第2透明轉印層的其中一個表面，且具有比第2透明轉印層的折射率高的折射率；第1透明轉印層，配置於該第2透明轉印層的另一個表面，且具有比第2透明轉印層的折射率高的折射率；及保護薄膜，該第1透明轉印層與該保護薄膜相接，該第3透明轉印層與該臨時支撐體相接，該第2透明轉印層的厚度係0.5μm以上，該第1透明轉印層及該第3透明轉印層的厚度係0.3μm以下。
一種轉印材料，其具有：臨時支撐體；第2透明轉印層；第3透明轉印層，在該臨時支撐體與該第2透明轉印層之間配置於第2透明轉印層的其中一個表面，且具有比第2透明轉印層的折射率高的折射率；第1透明轉印層，配置於該第2透明轉印層的另一個表面，且具有比第2透明轉印層的折射率高的折射率；第4透明轉印層，配置於該第1透明轉印層的與配置有該第2透明轉印層之表面相反的一側，折射率低於該第1透明轉印層的折射率；及第5透明轉印層，配置於該第3透明轉印層的與配置有該第2透明轉印層之表面相反的一側，折射率低於第3透明轉印層的折射率，該第2透明轉印層的厚度係0.5μm以上，該第1透明轉印層及該第3透明轉印層的厚度係0.3μm以下。
如申請專利範圍第1項或第2項所述之轉印材料，其中該第1透明轉印層及該第3透明轉印層的折射率係1.6以上。
如申請專利範圍第1項或第2項所述之轉印材料，其中該第1透明轉印層及該第3透明轉印層含有金屬氧化物粒子。
一種觸控感測器之製造方法，其使用申請專利範圍第1項~第4項中任一項所述之轉印材料，該製造方法具有：藉由該轉印材料的轉印在第1電極上形成第2透明層之步驟；藉由該轉印材料的轉印在該第1電極與該第2透明層之間形成折射率高於第2透明層的折射率的第1透明層之步驟；藉由該轉印材料的轉印在該第2透明層的與具有該第1透明層之一側相反的一側形成折射率高於第2透明層的折射率的第3透明層之步驟；及在該第3透明層的與具有該第2透明層之一側相反的一側配置第2電極之步驟。
如申請專利範圍第5項所述之觸控感測器之製造方法，其還具有：藉由該轉印材料的轉印在該第1透明層的與該第2透明層接觸之一側相反的一側形成折射率低於該第1透明層的折射率的第4透明層之步驟；及藉由該轉印材料的轉印在該第3透明層的與該第2透明層接觸之一側相反的一側形成折射率低於該第3透明層的折射率的第5透明層之步驟。
一種觸控感測器，其具有：基板，具有基材和圖案狀的第1電極；圖案狀的第2電極；第2透明層，配置於該第1電極與該第2電極之間，厚度係0.5μm以上且小於25μm；第1透明層，配置於該第1電極與該第2透明層之間，折射率高於該第2透明層的折射率；及第3透明層，配置於該第2電極與該第2透明層之間，折射率高於該第2透明層的折射率。
如申請專利範圍第7項所述之觸控感測器，其中該第2透明層的厚度係0.5μm以上，該第1透明層及該第3透明層的厚度係0.3μm以下。
如申請專利範圍第7項或第8項所述之觸控感測器，其中該第1透明層及該第3透明層的折射率係1.6以上。
如申請專利範圍第7項或第8項所述之觸控感測器，其中該第1透明層及該第3透明層含有金屬氧化物粒子。
如申請專利範圍第7項或第8項所述之觸控感測器，其具有：第4透明層，配置於該第1透明層的與配置有該第2透明層之一側相反的一側，折射率低於該第1透明層的折射率；及第5透明層，配置於該第3透明層的與配置有該第2透明層之一側相反的一側，折射率低於該第3透明層的折射率。
如申請專利範圍第11項所述之觸控感測器，其中該第1透明層、該第2透明層、該第3透明層、該第4透明層及該第5透明層係轉印層。
如申請專利範圍第7項或第8項所述之觸控感測器，其中在該基材與該第1電極之間具有折射率高於該基材的折射率並且折射率低於該第1電極之第6透明層。
如申請專利範圍第7項或第8項所述之觸控感測器，其中在該第2電極的與配置有該第2透明層之一側相反的一側的表面具有折射率低於第2電極的折射率的第7透明層。
一種圖像顯示裝置，其具備申請專利範圍第7項~第14項中任一項所述之觸控感測器。