TWI771331B - 異向性導電膜及其製造方法、以及連接構造體及其製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明之異向性導電膜具有下述構造，該構造係於絕緣性樹脂層5中分散有於導電粒子1之表面附著有絕緣粒子2之附絕緣粒子之導電粒子3，該異向性導電膜可使經異向性導電連接之連接構造體之導通電阻減小且可確實地抑制短路之產生。於異向性導電膜中之附絕緣粒子之導電粒子3中，膜厚方向上與導電粒子1接觸之絕緣粒子2之個數少於膜面方向上與導電粒子1接觸之絕緣粒子2之個數。異向性導電膜之正反之一膜面之俯視下與導電粒子重疊之絕緣粒子之個數較佳少於另一膜面之俯視下與導電粒子重疊之絕緣粒子之個數。

Description

異向性導電膜及其製造方法、以及連接構造體及其製造方法
本發明係關於一種異向性導電膜。
IC晶片等電子零件之安裝時廣泛使用異向性導電膜。就使異向性導電膜適應高安裝密度之觀點而言，於異向性導電膜中，正進行使導電粒子高密度地分散於其絕緣性樹脂層中之處理。然而，提高導電粒子之密度會成為短路產生之主要因素。
相對於此，提出了使用於導電粒子之表面附著有絕緣粒子之附絕緣粒子之導電粒子代替以往之導電粒子(專利文獻1)。藉由使用攪拌器將該附絕緣粒子之導電粒子混練於黏合劑樹脂中並進行膜化，而可獲得異向性導電膜。
先前技術文獻
專利文獻
專利文獻1：日本特開2014-132567號公報
然而，若如專利文獻1所記載般使用攪拌器將附絕緣粒子之導電粒子與黏合劑樹脂進行混練，則存在絕緣粒子會自導電粒子分離而無法獲得附絕緣粒子之導電粒子之原本之絕緣性之情況。因此，有於使用黏合劑樹脂中高密度地分散有附絕緣粒子之導電粒子之異向性導電膜進行異向性導電連接之電子零件之連接構造體中產生短路之虞。
又，於使用該異向性導電膜之異向性導電連接中，附絕緣粒子之導電粒子被壓抵於電子零件之端子時，不僅導電粒子，絕緣粒子亦會被壓抵於端子，因此，亦存在連接構造體之導通電阻容易變高之問題。
相對於此，本發明之課題在於提供一種異向性導電膜，其係使用有附絕緣粒子之導電粒子者，且可使異向性導電連接之連接構造體之導通電阻減小，且確實地抑制短路之產生。
本發明人發現，當使用於導電粒子之整個表面大致均等地附著有絕緣粒子之附絕緣粒子之導電粒子製造異向性導電膜時，若於附絕緣粒子之導電粒子中，使導電粒子之膜面方向上附著之絕緣粒子之數量得到維持，但使導電粒子之膜厚方向上附著之絕緣粒子之數量減少，則於使用異向性導電膜之異向性導電連接中，容易使導電粒子不經由絕緣粒子而直接被按壓於端子面，因此，可減小連接構造體之導通電阻，又，於相鄰之端子間藉由絕緣粒子之存在而不易引起短路，從而想到本發明。
即，本發明提供一種異向性導電膜，其係於絕緣性樹脂層中分散有於導電粒子之表面附著有絕緣粒子之附絕緣粒子之導電粒子者，且於附絕緣粒子之導電粒子中，膜厚方向上與導電粒子接觸之絕緣粒子數少於膜面方向上與導電粒子接觸之絕緣粒子數。
又，本發明提供一種使用上述異向性導電膜將電子零件彼此異向性導電連接之連接構造體之製造方法、及藉此獲得之連接構造體。
根據本發明之異向性導電膜，相對於絕緣粒子大致均等地附著於導電粒子之整個表面之以往的附絕緣粒子之導電粒子而言，膜厚方向上與導電粒子接觸之絕緣粒子數少於膜面方向上與導電粒子接觸之絕緣粒子數。因此，若使用該異向性導電膜將電子零件之端子異向性導電連接，則與維持以往之附絕緣粒子之導電粒子之狀態之情形相比，端子與導電粒子之直接接觸面積增加，因此，於連接構造體中可使導通電阻減小。又，根據該異向性導電膜，膜面方向上與導電粒子接觸之絕緣粒子數維持以往之附絕緣粒子之導電粒子之狀態，因此，於連接構造體中，可抑制相鄰之端子間之短路。
1:導電粒子
2:絕緣粒子
3:附絕緣粒子之導電粒子
5:絕緣性樹脂層
5a:絕緣性樹脂層之表面
5b:凹部(傾斜)
5c:凹部(起伏)
5p:切平面
6:低黏度絕緣性樹脂層
7:剝離膜
10A、10B、10C、10D:異向性導電膜
30:轉印模具
31:凹部
32:平板
33:平板或輥
A:格子軸
A1、A2、A3、A4:區域
D:附絕緣粒子之導電粒子之粒徑
La:絕緣性樹脂層之層厚
Lb:與附絕緣粒子之導電粒子接近之面至附絕緣粒子之導電粒子之最深部之距離
Lc:傾斜或起伏中之附絕緣粒子之導電粒子之露出(正上方)部分之直徑
Ld:附絕緣粒子之導電粒子之周圍或正上方之絕緣性樹脂層之傾斜或起伏之最大徑
Le:附絕緣粒子之導電粒子之周圍之絕緣性樹脂層中之傾斜之最大深度
Lf:附絕緣粒子之導電粒子之正上方之絕緣性樹脂層中之起伏之最大深度
NA1、NA2、NA3、NA4:存在於區域之絕緣粒子之個數
θ:端子之長邊方向與格子軸所成之角度
圖1A係表示實施例之異向性導電膜10A之導電粒子之配置之俯視圖。
圖1B係實施例之異向性導電膜10A之剖面圖。
圖2係膜厚方向或膜面方向上與導電粒子之表面接觸之絕緣粒子個數之測量方法之說明圖。
圖3A係附絕緣粒子之導電粒子之周圍之絕緣性樹脂層之凹部之說明圖。
圖3B係附絕緣粒子之導電粒子上之絕緣性樹脂層之凹部之說明圖。
圖4A係說明實施例之異向性導電膜10A之製造方法之剖面圖。
圖4B係說明實施例之異向性導電膜10A之製造方法之剖面圖。
圖4C係說明實施例之異向性導電膜10A之製造方法之剖面圖。
圖4D係說明實施例之異向性導電膜10A之製造方法之剖面圖。
圖4E係說明實施例之異向性導電膜10A之製造方法之剖面圖。
圖4F係說明實施例之異向性導電膜10A之製造方法之剖面圖。
圖5係實施例之異向性導電膜10B之剖面圖。
圖6係實施例之異向性導電膜10C之剖面圖。
圖7係實施例之異向性導電膜10D之剖面圖。
以下，一面參照圖式一面對本發明之異向性導電膜之一例進行詳細說明。再者，各圖中，相同符號表示相同或同等之構成要素。
<異向性導電膜之整體構成>
圖1A係說明本發明之一實施例之異向性導電膜10A之導電粒子之配置之俯視圖，圖1B係其X-X剖面圖。
於該異向性導電膜10A中，具有如下構造，即，於導電粒子1之表面接觸或附著有絕緣粒子2之附絕緣粒子之導電粒子3被埋入至絕緣性樹脂層5之單面。膜之俯視下，附絕緣粒子之導電粒子3相互不接觸地分散，於膜厚方向上，附絕緣粒子之導電粒子3亦相互不重疊地分散。又，附絕緣粒子之導電粒子3之膜厚方向(圖1B之紙面之縱方向)之位置一致，且附絕緣粒子之導電粒子3於膜面方向(圖1B之紙面之橫方向)上形成單層。
於本發明之異向性導電膜10A中，附絕緣粒子之導電粒子3中之絕緣粒子2之配置具有特徵，如以下所詳細說明般，膜厚方向上與導電粒子1接觸之絕緣粒子2之個數少於膜面方向上與導電粒子1接觸之絕緣粒子2之個數。
<附絕緣粒子之導電粒子>
於本發明之異向性導電膜10A中，關於附絕緣粒子之導電粒子3中之絕緣粒子2，位於導電粒子1之膜厚方向上之絕緣粒子2之個數少於位於導電粒子之膜面 方向上之絕緣粒子2之個數，但作為用作本發明之異向性導電膜10A之製造原料之附絕緣粒子之導電粒子3，可使用絕緣粒子2大致均等地附著於導電粒子1之整個表面者。
作為此種附絕緣粒子之導電粒子，可使用日本特開2009-280790號公報、日本特開2014-132567號公報等中所記載者。
就抑制配線高度存在偏差之情形時之導通電阻之上升且抑制短路產生之方面而言，導電粒子1之粒徑較佳為1μm以上且30μm以下，更佳為2.5μm以上且13μm以下，進而較佳為3μm以上且10μm以下。
絕緣粒子2之粒徑小於導電粒子1之粒徑。絕緣粒子2之具體之粒徑可根據導電粒子1之粒徑、異向性導電膜之用途等而決定，通常較佳為0.005μm以上且5μm以下，更佳為0.01μm以上且2.5μm以下，進而較佳為1μm以下，尤佳為0.5μm以下。藉此，無需過度提高異向性導電連接時所需之壓力或溫度。作為一例，若絕緣粒子之粒徑相對於導電粒子之粒徑過小，則難以賦予絕緣性，因此，下限較佳為設為0.4%以上，更佳為設為0.6%以上，進而更佳為0.8%以上。又，上限若過大則有對導電粒子之附著或所需之個數不足之虞，因此，較佳為設為18%以下，更佳為12%以下，進而更佳為6%以下。
導電粒子1、絕緣粒子2及附絕緣粒子之導電粒子3之粒徑之測量可藉由將該等粒子散佈於玻璃上，利用光學顯微鏡、金相顯微鏡、穿透式電子顯微鏡(TEM)、或掃描式電子顯微鏡(SEM)等進行觀察而求出。膜中之該等之粒徑亦可藉由利用掃描式電子顯微鏡等進行觀察而求出。於粒徑之測量中，較理想為將測量之樣品數設為300以上。穿透式電子顯微鏡可準確地測量相對較小之單個絕緣粒子之粒徑，掃描式電子顯微鏡尤其適於求出附絕緣粒子之導電粒子3之粒徑。
單個導電粒子之平均粒徑亦可利用一般之粒度分佈測量裝置進 行測量。可為圖像型亦可為雷射型。作為圖像型測量裝置，作為一例，可列舉濕式流動式粒徑-形狀分析裝置FPIA-3000(Malvern Instruments Ltd)。測量附絕緣粒子之導電粒子之粒徑D之樣品數(導電粒子個數)較佳為1000個以上。異向性導電膜中之附絕緣粒子之導電粒子之粒徑D可藉由SEM等電子顯微鏡觀察而求出。於該情形時，較理想為將測量附絕緣粒子之導電粒子之粒徑D之樣品數(導電粒子個數)設為300個以上。
於用作異向性導電膜10A之製造原料之附絕緣粒子之導電粒子3中，導電粒子1之整個表面中由絕緣粒子2被覆之比率(被覆率)較佳為20~97%，更佳為40~95%。若被覆率過少，則容易產生短路，若過大則產生利用凸塊之導電粒子之捕捉受到阻礙之擔憂。
再者，被覆率係絕緣粒子之被覆面積(投影面積)於附絕緣粒子之導電粒子之整個表面所占之比率。作為該比率具體之求法，可藉由使用掃描式電子顯微鏡觀察100個附絕緣粒子之導電粒子3，對各觀察圖像中之被覆率取平均而獲得。作為被覆率之簡便之求法，亦可測量各觀察圖像中每個附絕緣粒子之導電粒子之絕緣粒子之個數，根據其數值及1個附絕緣粒子之導電粒子之投影面積以及1個絕緣粒子之投影面積算出被覆率。此處，於絕緣粒子之觀察圖像局部地重疊於導電粒子之圓形之觀察圖像之情形時，該局部重疊之絕緣粒子亦可計算為0.5個。
另一方面，於實際構成異向性導電膜10A之附絕緣粒子之導電粒子3中，膜厚方向上與導電粒子1接觸之絕緣粒子2之個數少於膜面方向上與導電粒子1接觸之絕緣粒子2之個數。此處，所謂膜厚方向上與導電粒子1接觸之絕緣粒子2之個數，係指於在圖2所示之異向性導電膜10A中之附絕緣粒子之導電粒子3之膜厚方向之剖面中，利用穿過導電粒子1之中心之相對於膜厚方向正45°傾斜之直線及負45°傾斜之直線將附絕緣粒子之導電粒子3分割為4個區域A1、A2、 A3、A4之情形時，存在於位於導電粒子1之上下之區域(沿膜面之區域)A1、A2之絕緣粒子2之個數。又，所謂膜面方向上與導電粒子1接觸之絕緣粒子2之個數，係指存在於上述4個區域A1、A2、A3、A4中之位於導電粒子1之左右之區域(沿膜厚方向之區域)A3、A4之絕緣粒子2之個數。因此，若將存在於區域A1、A2、A3、A4之絕緣粒子2之個數設為NA1、NA2、NA3、NA4，則於本發明中，成為(NA3+NA4)>(NA1+NA2)。再者，膜厚方向之剖面較佳為於同一膜中有多個不同之方向(確認不同之方向之剖面觀察)，更佳為包含成為90°之2個剖面。
再者，當求出存在於區域A1、A2、A3、A4之絕緣粒子2之個數時，跨及導電粒子1之上下之區域A1、A2與左右之區域A3、A4之兩者之絕緣粒子2係根據更大地屬於哪一區域來決定歸屬。
又，於本發明中，無需全部附絕緣粒子之導電粒子3均滿足上述不等式。於各附絕緣粒子之導電粒子3中，存在於區域A1、A2、A3、A4之絕緣粒子2之個數可具有偏差，亦可存在上述不等式不成立之附絕緣粒子之導電粒子3，但若對異向性導電膜所包含之全部附絕緣粒子之導電粒子3取平均，則上述不等式成立，NA3、NA4多於NA1、NA2。
再者，對於異向性導電膜所包含之全部附絕緣粒子之導電粒子3確認上述不等式成立並不現實。因此，於如以下所示般測量存在於區域A1、A2、A3、A4之絕緣粒子2之個數而上述不等式成立之情形時，亦可視為對於全部附絕緣粒子之導電粒子之平均而言上述不等式之關係成立。
即，針對各附絕緣粒子之導電粒子3，當藉由使用掃描式電子顯微鏡觀察異向性導電膜10A之剖面來測量存在於區域A1、A2、A3、A4之絕緣粒子2之個數時，使1邊為100μm以上之矩形之測量區域相互隔開，並設定多處(較佳為5處以上，更佳為10處以上)，將合計面積設為1mm2以上，觀察自各測量區域抽出之100個附絕緣粒子之導電粒子3，針對各附絕緣粒子之導電粒子3求出存 在於區域A1及A2之絕緣粒子2之個數、及存在於區域A3及A4之絕緣粒子2之個數，作為100個附絕緣粒子之導電粒子之平均來求出膜厚方向上與導電粒子1接觸之絕緣粒子2之個數(NA1+NA2)及膜面方向上與導電粒子1接觸之絕緣粒子2之個數(NA3+NA4)，調查上述不等式是否成立。測量區域可根據導電粒子之大小進行適當調整。
又，作為簡便地確認膜厚方向上與導電粒子1接觸之絕緣粒子2之個數(NA1+NA2)少於膜面方向上與導電粒子1接觸之絕緣粒子2之個數(NA3+NA4)的方法，亦可於面積1mm2以上之測量區域中，確認異向性導電膜之正反之任一膜面之俯視下與導電粒子1重疊之絕緣粒子2之個數少於正反之另一膜面之俯視下與導電粒子1重疊之絕緣粒子2之個數。於如下所述般於本發明之異向性導電膜之製造步驟中將附絕緣粒子之導電粒子壓入至絕緣性樹脂層之情形時，成為NA3，NA4≧NA2>NA1，因此確認NA2>NA1，藉此，可確認膜厚方向上與導電粒子1接觸之絕緣粒子2之個數(NA1+NA2)少於膜面方向上與導電粒子1接觸之絕緣粒子2之個數(NA3+NA4)。
再者，此種因區域A1、A2、A3、A4引起之絕緣粒子2之個數差係如後述般，於如下之情形時產生，即，於異向性導電膜10A之製造方法中，為了將附絕緣粒子之導電粒子3配置為特定之排列而使用有轉印模具。即，此種絕緣粒子2之個數差產生之原因在於：於將附絕緣粒子之導電粒子3自轉印模具轉印至絕緣性樹脂層之情形時，膜厚方向上與導電粒子1接觸之絕緣粒子2(區域A1之絕緣粒子2)因與轉印模具之摩擦或與加壓構件之摩擦，而容易自導電粒子1脫離而殘留於該轉印模具，又，膜厚方向上與導電粒子1接觸之絕緣粒子2雖存在移動至膜面方向上與導電粒子1接觸之位置之情況，但膜面方向上與導電粒子 1接觸之絕緣粒子2即便使附絕緣粒子之導電粒子3自轉印模具轉印至絕緣性樹脂層，亦不易產生自導電粒子1之脫離或移動。
<附絕緣粒子之導電粒子之分散狀態>
本發明中之附絕緣粒子之導電粒子之分散狀態包含附絕緣粒子之導電粒子3隨機地分散之狀態，亦包含分散為規則配置之狀態。於該分散狀態下，較佳為附絕緣粒子之導電粒子相互非接觸地配置，其個數比率較佳為95%以上，更佳為98%以上，進而較佳為99.5%以上。關於該個數比率，於分散狀態之規則配置中，刻意地接觸之附絕緣粒子之導電粒子係計數為1個。與下述膜俯視下之附絕緣粒子之導電粒子之佔有面積率之求法同樣地，可藉由N=200以上而求出。於任一情形時，就捕捉穩定性之方面而言，均較佳為膜厚方向之位置一致。此處，所謂膜厚方向之導電粒子1之位置一致，並不限定於膜厚方向之單一之深度一致，亦包含於絕緣性樹脂層5之正反界面或其附近各處存在導電粒子之態樣。
於本發明中，如上所述，附絕緣粒子之導電粒子3較佳為於膜之俯視下規律地排列，例如，可如圖1A所示設為正方格子排列。此外，作為附絕緣粒子之導電粒子之規則之排列態樣，可列舉長方格子、斜方格子、六方格子等格子排列。規則之排列並不限定於格子排列，例如，亦可將使附絕緣粒子之導電粒子以特定間隔呈直線狀排列之粒子列以特定之間隔並排。藉由將附絕緣粒子之導電粒子3相互非接觸地配置而設為格子狀等規則之排列，而於異向性導電連接時對各附絕緣粒子之導電粒子3均等地施加壓力，從而可使導通電阻之偏差減小。規則之排列可藉由於例如膜之長邊方向上重複特定之粒子配置而確認。
附絕緣粒子之導電粒子之排列之格子軸或排列軸可與異向性導電膜之長邊方向平行，亦可與異向性導電膜之長邊方向交叉，可根據連接之端子寬度、端子間距等而決定。例如，於製成微間距用異向性導電膜之情形時，較佳為如圖1A所示，使附絕緣粒子之導電粒子3之格子軸A相對於異向性導電膜 10A之長邊方向傾斜，將由異向性導電膜10A連接之端子20之長邊方向(膜之短邊方向)與格子軸A所成之角度θ設為6°~84°、較佳為11°~74°。
附絕緣粒子之導電粒子3之粒子間距離根據利用異向性導電膜連接之端子之大小或端子間距適當決定。例如，於使異向性導電膜應對微間距之COG(Chip On Glass)之情形時，就防止短路產生之方面而言，較佳為使最接近之附絕緣粒子之導電粒子3之導電粒子1間距離大於附絕緣粒子之導電粒子之粒徑之0.5倍，更佳為大於0.7倍。另一方面，就附絕緣粒子之導電粒子3之捕捉性之方面而言，較佳為將最接近之附絕緣粒子之導電粒子3之導電粒子1間距離設為附絕緣粒子之導電粒子之粒徑之4倍以下，更佳為設為3倍以下。
又，以附絕緣粒子之導電粒子之面積佔有率成為35%以下、較佳為成為0.3~30%之方式決定。此處，面積佔有率係藉由[俯視下之附絕緣粒子之導電粒子之個數密度]×[1個附絕緣粒子之導電粒子之俯視面積之平均值]×100
而算出。
式中，附絕緣粒子之導電粒子之個數密度之測量區域係於異向性導電膜10A中任意設定多處(較佳為5處以上，更佳為10處以上)1邊為100μm以上之矩形區域，較佳為將測量區域之合計面積設為2mm2以上。各區域之大小或數量根據個數密度之狀態適當調整即可。作為微間距用途之個數密度相對較大之情形時之一例，可針對自異向性導電膜10A任意選擇之200處面積100μm×100μm之區域(2mm2)，使用利用金相顯微鏡等觀察到之圖像測量個數密度，並對其取平均，藉此，獲得上述式之「俯視下之附絕緣粒子之導電粒子之個數密度」。面積100μm×100μm之區域成為凸塊間距離50μm以下之連接對象物中存在1個以上凸塊之區域。
個數密度較佳為150~70000個/mm2，尤其是於微間距用途之情 形時，較佳為6000~42000個/mm2，更佳為10000~40000個/mm2，進而較佳為15000~35000個/mm2。再者，並非排除未達150個/mm2。
附絕緣粒子之導電粒子之個數密度除如上所述般使用金相顯微鏡求出以外，亦可使用圖像解析軟體(例如WinROOF，三谷商事股份有限公司等)對附絕緣粒子之導電粒子之顯微鏡圖像進行測量。
又，每個附絕緣粒子之導電粒子之膜俯視面積之平均值可根據膜面之利用金相顯微鏡等觀察到之圖像並藉由測量而求出。亦可如上所述般使用圖像解析軟體。較佳為N=300以上。
附絕緣粒子之導電粒子之膜俯視下之面積佔有率成為用以將異向性導電膜熱壓接於電子零件時按壓治具所需之推力之指標。以往，為了使異向性導電膜應對微間距，在不使短路產生之範圍內縮短導電粒子之粒子間距離以提高個數密度，但若如此提高個數密度，則用以將異向性導電膜熱壓接於電子零件時按壓治具所需之推力變得過大，而會引起利用以往之按壓治具時按壓不充分之間題。相對於此，藉由將面積佔有率設為上述範圍，可將用以使異向性導電膜熱壓接於電子零件時按壓治具所需之推力抑制為較低。
<絕緣性樹脂層>
(絕緣性樹脂層之最低熔融黏度)
於本發明之異向性導電膜中，絕緣性樹脂層5之最低熔融黏度並無特別限制，可根據異向性導電膜之使用對象或異向性導電膜之製造方法等適當決定。例如，只要可形成下述凹部5b(圖3A)、5c(圖3B)，則根據異向性導電膜之製造方法亦可設為1000Pa．s左右。另一方面，作為異向性導電膜之製造方法，於進行使附絕緣粒子之導電粒子以特定之配置保持於絕緣性樹脂層之表面並將該附絕緣粒子之導電粒子壓入至絕緣性樹脂層之方法時，就絕緣性樹脂層能夠進行膜成形之方面而言，較佳為將絕緣性樹脂之最低熔融黏度設為1100Pa．s以上。
又，就如下述異向性導電膜之製造方法中說明般，如圖3A所示於壓入至絕緣性樹脂層5之附絕緣粒子之導電粒子3之露出部分之周圍形成凹部5b、或如圖3B所示於壓入至絕緣性樹脂層5之附絕緣粒子之導電粒子3之正上方形成凹部5c之方面而言，較佳為1500Pa．s以上，更佳為2000Pa．s以上，進而較佳為3000~15000Pa．s，進而更佳為3000~10000Pa．s。作為一例，該最低熔融黏度可使用旋轉式流變儀(TA instruments公司製造)，使用於測量壓力5g保持固定且直徑8mm之測量板而求出，更具體而言，可藉由設為溫度範圍30~200℃內、升溫速度10℃/分鐘、測量頻率10Hz、對上述測量板之負載變動5g而求出。
藉由將絕緣性樹脂層5之最低熔融黏度設為1500Pa．s以上之高黏度，而於將異向性導電膜壓接於物品時可抑制導電粒子之無用之移動，尤其可防止於異向性導電連接時應夾持於端子間之導電粒子因樹脂流動而流失。
又，於將附絕緣粒子之導電粒子3壓入至絕緣性樹脂層5之情形時，將附絕緣粒子之導電粒子3壓入時之絕緣性樹脂層5係製成如下之高黏度黏性體，即，於以使附絕緣粒子之導電粒子3自絕緣性樹脂層5露出之方式將附絕緣粒子之導電粒子3壓入至絕緣性樹脂層5時，絕緣性樹脂層5塑性變形而於附絕緣粒子之導電粒子3之周圍之絕緣性樹脂層5形成凹部5b(圖3A)之類的高黏度黏性體，或者製成如下之高黏度黏性體，即，於以使附絕緣粒子之導電粒子3不自絕緣性樹脂層5露出之情況下埋入至絕緣性樹脂層5之方式將附絕緣粒子之導電粒子3壓入時，於附絕緣粒子之導電粒子3之正上方之絕緣性樹脂層5之表面形成凹部5c(圖3B)之類的高黏度黏性體。因此，絕緣性樹脂層5於60℃之黏度之下限較佳為3000Pa．s以上，更佳為4000Pa．s以上，進而較佳為4500Pa．s以上，且上限較佳為20000Pa．s以下，更佳為15000Pa．s以下，進而較佳為10000Pa．s以下。該測量可藉由與最低熔融黏度相同之測量方法進行，抽出溫度為60℃之值而求出。
將附絕緣粒子之導電粒子3壓入至絕緣性樹脂層5時之該絕緣性樹脂層5之具體黏度根據形成之凹部5b、5c之形狀或深度等，下限較佳為3000Pa．s以上，更佳為4000Pa．s以上，進而較佳為4500Pa．s以上，且上限較佳為20000Pa．s以下，更佳為15000Pa．s以下，進而較佳為10000Pa．s以下。又，使此種黏度可於較佳為40~80℃、更佳為50~60℃獲得。
如上所述，藉由於自絕緣性樹脂層5露出之附絕緣粒子之導電粒子3之周圍形成有凹部5b(圖3A)，與無凹部5b之情形相比，將異向性導電膜壓接於物品時產生之針對附絕緣粒子之導電粒子3之扁平化而受到來自絕緣性樹脂之阻力減小。因此，於異向性導電連接時，導電粒子容易夾持於端子，藉此導通性能提升，又，捕捉性提升。
又，藉由於不自絕緣性樹脂層5露出之情況下埋入之附絕緣粒子之導電粒子3之正上方之絕緣性樹脂層5之表面形成有凹部5c(圖3B)，而與無凹部5c之情形相比，將異向性導電膜壓接於物品時之壓力容易集中於附絕緣粒子之導電粒子3。因此，於異向性導電連接時導電粒子容易夾持於端子，藉此捕捉性提升，又，導通性能提升。
再者，於下述異向性導電膜之製造方法中，於使將附絕緣粒子之導電粒子3壓入至絕緣性樹脂層5時之埋入率為100%以下以使附絕緣粒子之導電粒子3自絕緣性樹脂層5露出之情形時，若絕緣性樹脂層5於60℃之黏度為上述範圍，則附絕緣粒子之導電粒子3被壓入之後之絕緣性樹脂層5存在於附絕緣粒子之導電粒子3之周圍形成凹部5b(圖3A)之情況。此時，亦存在僅絕緣粒子露出之情況。又，於使埋入率超過100%以使附絕緣粒子之導電粒子3不自絕緣性樹脂層5露出而埋入至絕緣性樹脂層5之情形時，存在於附絕緣粒子之導電粒子3之正上方之絕緣性樹脂層5之表面形成凹部5c(圖3B)之情況。再者，關於埋入率之含義，於下文之附絕緣粒子之導電粒子之埋入狀態之說明中進行詳細說明。
此種凹部5b、5c係根據將附絕緣粒子之導電粒子3壓入至絕緣性樹脂層5時之絕緣性樹脂層5之黏度、壓入速度、溫度等形成。凹部5b、5c之有無對本發明之效果無特別影響，但於存在凹部之深度較大之凹部5b、5c(例如，凹部之最深部之深度為附絕緣粒子之導電粒子之粒徑D之10%以上)局部地集中之區域之情形時，若使此種區域朝基板貼合，則根據基板之材質或表面狀態等，存在於該區域在異向性導電連接後產生***等，雖實用上無問題但外觀變差之情況。對此，較佳為將存在此種區域之異向性導電膜之表面以不會對異向性導電連接造成妨礙之程度進行加熱按壓，或散佈樹脂等以使凹部5b、5c較淺或使其平坦。於該情形時，散佈之樹脂較佳為黏度低於形成絕緣性樹脂層5之樹脂。散佈之樹脂之濃度亦可稀釋為於散佈後可確認絕緣性樹脂層5之凹部之程度。
<代替凹部之「傾斜」或者「起伏」>
如圖3A、3B所示之異向性導電膜之「凹部」5b、5c亦可根據「傾斜」或者「起伏」之觀點進行說明。以下，一面參照圖式一面進行說明。
異向性導電膜10A具有導電粒子分散層，即，以附絕緣粒子之導電粒子3於絕緣性樹脂層5之單面露出之狀態規律地分散之層(圖3A、圖3B)。膜之俯視下，附絕緣粒子之導電粒子3相互不接觸，於膜厚方向上，附絕緣粒子之導電粒子3亦相互不重疊而規律地分散，構成附絕緣粒子之導電粒子3之膜厚方向之位置一致之單層之導電粒子層。
於各附絕緣粒子之導電粒子3之附近之絕緣性樹脂層5之表面5a，相對於相鄰之附絕緣粒子之導電粒子間之中央部之絕緣性樹脂層5之切平面5p形成有傾斜5b。再者，如下所述，於本發明之異向性導電膜中，亦可於埋入至絕緣性樹脂層5之附絕緣粒子之導電粒子3之正上方之絕緣性樹脂層5之表面形成有起伏5c(圖3B)。
於本發明中，所謂「傾斜」係指於附絕緣粒子之導電粒子3之附 近，絕緣性樹脂層之表面之平坦性受損，相對於上述切平面5p，絕緣性樹脂層之一部分缺損而樹脂量減小之狀態。換言之，若傾斜，則附絕緣粒子之導電粒子之附近之絕緣性樹脂層之表面相對於切平面缺損。另一方面，所謂「起伏」係指附絕緣粒子之導電粒子之正上方之絕緣性樹脂層之表面存在起伏，存在如起伏般具有高低差之部分，因此導致樹脂減少之狀態。換言之，附絕緣粒子之導電粒子正上方之絕緣性樹脂層之樹脂量少於附絕緣粒子之導電粒子正上方之絕緣性樹脂層之表面位於切平面時。因此，起伏亦存在僅絕緣粒子露出之情況。該等可將與附絕緣粒子之導電粒子之正上方相當之部位和導電粒子間之平坦之表面部分(圖3A、3B)加以對比而識別。再者，亦存在起伏之起點以傾斜之形式存在之情況。
如上所述，藉由於自絕緣性樹脂層5露出之附絕緣粒子之導電粒子3之周圍形成有傾斜5b(圖3A)，而於異向性導電連接時，與無傾斜5b之情形相比，將附絕緣粒子之導電粒子3夾持於端子間時產生之針對附絕緣粒子之導電粒子3之扁平化而受到來自絕緣性樹脂之阻力減小，因此，容易進行端子間之附絕緣粒子之導電粒子之夾持，藉此，導通性能提升，又，捕捉性提升。該傾斜較佳沿附絕緣粒子之導電粒子之外形。其原因在於：更容易表現出連接時之效果，此外容易識別附絕緣粒子之導電粒子，藉此，容易進行異向性導電膜之製造中之檢查等。又，該傾斜及起伏因對絕緣性樹脂層進行熱壓等而存在其一部分消失之情況，本發明包含此情況。於該情形時，存在附絕緣粒子之導電粒子於絕緣性樹脂層之表面露出1處之情況。再者，異向性導電膜由於連接之電子零件多樣而要根據該等進行調整，此外，較理想為設計之自由度較高以滿足各種必要條件，因此，不論使傾斜或起伏減小抑或使其局部地消失均可使用。
又，藉由於不自絕緣性樹脂層5露出而埋入之附絕緣粒子之導電粒子3之正上方之絕緣性樹脂層5之表面形成有起伏5c(圖3B)，而與傾斜之情形 同樣地，於異向性連接時，來自端子之按壓力容易作用於附絕緣粒子之導電粒子。又，由於存在起伏，故而與樹脂平坦地堆積之情形相比，附絕緣粒子之導電粒子之正上方之樹脂量減小，因此，容易產生連接時之附絕緣粒子之導電粒子正上方之樹脂之排除，而端子與附絕緣粒子之導電粒子容易接觸，因此，端子之附絕緣粒子之導電粒子之捕捉性提升，導通可靠性提升。
(絕緣性樹脂層之厚度方向上之附絕緣粒子之導電粒子之位置)
關於考慮「傾斜」或者「起伏」之觀點之情形時之絕緣性樹脂層5之厚度方向上之附絕緣粒子之導電粒子3之位置，與上述同樣地，附絕緣粒子之導電粒子3可自絕緣性樹脂層5露出，亦可不露出而埋入至絕緣性樹脂層5內，但相鄰之附絕緣粒子之導電粒子間之中央部之切平面5p至附絕緣粒子之導電粒子之最深部之距離(以下，稱為埋入量)Lb與附絕緣粒子之導電粒子之粒徑D的比(Lb/D)(以下，稱為埋入率)較佳為30%以上且105%以下，為了獲得發明之效果，更佳為設為60%以上且105%以下。
若將埋入率(Lb/D)設為30%以上且未達60%，則附絕緣粒子之導電粒子自保持附絕緣粒子之導電粒子之相對高黏度之絕緣性樹脂層露出之比率變高，因此，更容易進行低溫低壓安裝。藉由設為60%以上，而容易將附絕緣粒子之導電粒子3利用絕緣性樹脂層5維持為特定之粒子分散狀態或者特定之排列。又，製造(壓入至膜)時之附絕緣粒子之導電粒子與樹脂之接觸面積變大，因此，可期待容易獲得發明之效果。又，藉由設為105%以下，可使作用於異向性導電連接時使端子間之導電粒子無用地流動之絕緣性樹脂層之樹脂量減小。
再者，埋入率(Lb/D)之數值係指異向性導電膜所包含之全部附絕緣粒子之導電粒子數之80%以上、較佳為90%以上、更佳為96%以上成為該埋入率(Lb/D)之數值。因此，所謂埋入率為30%以上且105%以下，係指異向性導電膜所包含之全部附絕緣粒子之導電粒子數之80%以上、較佳為90%以上、 更佳為96%以上之埋入率為30%以上且105%以下。如此，藉由使全部附絕緣粒子之導電粒子之埋入率(Lb/D)一致，而按壓之負荷均勻地作用於附絕緣粒子之導電粒子，因此，端子上之附絕緣粒子之導電粒子之捕捉狀態變得良好，導通之穩定性提升。
埋入率(Lb/D)可藉由下述方法而求出：自異向性導電膜任意抽出10處以上之面積30mm2以上之區域，利用SEM圖像觀察其膜剖面之一部分，測量合計50個以上之附絕緣粒子之導電粒子。為了進一步提高精度，亦可測量200個以上之附絕緣粒子之導電粒子而求出。
又，埋入率(Lb/D)之測量可藉由於面視野圖像中進行焦點調整，針對某種程度之個數一併求出。或者埋入率(Lb/D)之測量亦可使用雷射式判別位移感測器(KEYENCE(股份)製造等)。
就容易獲得上述附絕緣粒子之導電粒子之周圍之絕緣性樹脂層5之傾斜5b(圖3A)或附絕緣粒子之導電粒子之正上方之絕緣性樹脂層之起伏5c(圖3B)之效果之方面而言，傾斜5b之最大深度Le與附絕緣粒子之導電粒子3之粒徑D的比(Le/D)較佳為未達50%，更佳為未達30%，進而較佳為20~25%，傾斜5b或起伏5c之最大徑Ld與附絕緣粒子之導電粒子3之粒徑D的比(Ld/D)較佳為100%以上，更佳為100~150%，起伏5c之最大深度Lf與附絕緣粒子之導電粒子3之粒徑D的比(Lf/D)大於0，且較佳為未達10%，更佳為5%以下。
再者，傾斜5b或起伏5c中之附絕緣粒子之導電粒子3之露出(正上方)部分之徑Lc可設為附絕緣粒子之導電粒子3之粒徑D以下，較佳為粒徑D之10~90%。再者，可於附絕緣粒子之導電粒子3之頂部之1處露出，亦可將附絕緣粒子之導電粒子3完全地埋入至絕緣性樹脂層5內而使徑Lc成為零。
於此種本發明中，絕緣性樹脂層5之表面之傾斜5b、起伏5c之存在可藉由利用掃描式電子顯微鏡觀察異向性導電膜之剖面而進行確認，亦可於 面視野觀察中進行確認。亦可利用光學顯微鏡、金相顯微鏡進行傾斜5b、起伏5c之觀察。又，傾斜5b、起伏5c之大小亦可藉由圖像觀察時之焦點調整等進行確認。即便如上所述藉由熱壓使傾斜或起伏減少之後亦同樣。其原因在於存在殘留痕跡之情況。
(絕緣性樹脂層之組成)
絕緣性樹脂層5較佳為由硬化性樹脂組成物形成，例如，可由含有熱聚合性化合物及熱聚合起始劑之熱聚合性組成物形成。亦可視需要使熱聚合性組成物中含有光聚合起始劑。
於將熱聚合起始劑與光聚合起始劑併用之情形時，可使用既作為熱聚合性化合物亦作為光聚合性化合物發揮功能者，亦可除熱聚合性化合物以外亦含有光聚合性化合物。較佳為除熱聚合性化合物以外亦含有光聚合性化合物。例如，使用陽離子系硬化起始劑作為熱聚合起始劑，使用環氧樹脂作為熱聚合性化合物，使用光自由基起始劑作為光聚合起始劑，使用丙烯酸酯化合物作為光聚合性化合物。
作為光聚合起始劑，亦可含有與波長不同之光進行反應之多個種類。藉此，可將異向性導電膜之製造時之構成絕緣性樹脂層之樹脂之光硬化及於異向性導電連接時用以將電子零件彼此接著之樹脂之光硬化所使用之波長分開使用。
藉由異向性導電膜之製造時之光硬化，可使絕緣性樹脂層所包含之光聚合性化合物之全部或一部分光硬化。藉由該光硬化，絕緣性樹脂層5中之附絕緣粒子之導電粒子3之配置得以保持或固定化，而預見短路之抑制及導電粒子之捕捉之提升。又，藉由該光硬化，亦可適當調整異向性導電膜之製造步驟中之絕緣性樹脂層之黏度。
絕緣性樹脂層中之光聚合性化合物之摻合量較佳為30質量%以 下，更佳為10質量%以下，更佳為未達2質量%。其原因在於：若光聚合性化合物過多，則作用於連接時之壓入之推力增加。
作為熱聚合性組成物之例，可列舉包含(甲基)丙烯酸酯化合物與熱自由基聚合起始劑之熱自由基聚合性丙烯酸酯系組成物、包含環氧化合物與熱陽離子聚合起始劑之熱陽離子聚合性環氧系組成物等。亦可使用包含熱陰離子聚合起始劑之熱陰離子聚合性環氧系組成物代替包含熱陽離子聚合起始劑之熱陽離子聚合性環氧系組成物。又，只要不特別造成妨礙，則亦可併用多種聚合性組成物。作為併用例，可列舉陽離子聚合性化合物與自由基聚合性化合物之併用等。
此處，作為(甲基)丙烯酸酯化合物，可使用以往公知之熱聚合型(甲基)丙烯酸酯單體。例如可使用單官能(甲基)丙烯酸酯系單體、二官能以上之多官能(甲基)丙烯酸酯系單體。
作為熱自由基聚合起始劑，例如可列舉有機過氧化物、偶氮系化合物等。可尤佳地使用不會產生成為氣泡原因之氮氣之有機過氧化物。
熱自由基聚合起始劑之使用量若過少，則硬化不良，若過多，則製品壽命縮短，因此，相對於(甲基)丙烯酸酯化合物100質量份，較佳為2~60質量份，更佳為5~40質量份。
作為環氧化合物，可列舉：雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、酚醛清漆型環氧樹脂、該等之改質環氧樹脂、脂環式環氧樹脂等，可將該等之2種以上併用。又，除環氧化合物以外，亦可併用氧環丁烷化合物。
作為熱陽離子聚合起始劑，可採用公知者作為環氧化合物之熱陽離子聚合起始劑，例如可使用藉由熱產生酸之錪鹽、鋶鹽、鏻鹽、二茂鐵類等，可尤佳地使用對溫度表現出良好之潛伏性之芳香族鋶鹽。
熱陽離子聚合起始劑之使用量若過少則有硬化不良之傾向，若過 多則有製品壽命縮短之傾向，因此，相對於環氧化合物100質量份，較佳為2~60質量份，更佳為5~40質量份。
熱聚合性組成物較佳為含有膜形成樹脂或矽烷偶合劑。作為膜形成樹脂，可列舉：苯氧基樹脂、環氧樹脂、不飽和聚酯樹脂、飽和聚酯樹脂、胺酯樹脂、丁二烯樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚醯胺樹脂、聚烯烴樹脂等，可將該等之2種以上併用。該等之中，就製膜性、加工性、連接可靠性之觀點而言，可較佳地使用苯氧基樹脂。重量平均分子量較佳為10000以上。又，作為矽烷偶合劑，可列舉環氧系矽烷偶合劑、丙烯酸系矽烷偶合劑等。該等矽烷偶合劑主要為烷氧基矽烷衍生物。
於熱聚合性組成物中，為了調整熔融黏度，除含有上述附絕緣粒子之導電粒子3以外，亦可含有絕緣性填料。絕緣性填料可列舉二氧化矽粉或氧化鋁粉等。較佳為絕緣性填料粒徑20~1000nm之微小之填料，又，摻合量相對於環氧化合物等熱聚合性化合物(光聚合性化合物)100質量份，較佳為設為5~50質量份。
本發明之異向性導電膜中，除上述絕緣性之填料以外，亦可含有填充劑、軟化劑、促進劑、抗老化劑、著色劑(顏料、染料)、有機溶劑、離子捕捉劑等。
(絕緣性樹脂層之層厚)
於本發明之異向性導電膜中，絕緣性樹脂層5之層厚La與附絕緣粒子之導電粒子3之粒徑D的比(La/D)根據下述理由，可將下限設為0.3以上，且可將上限設為10以下。因此，其比較佳為0.3~10，更佳為0.6~8，進而較佳為0.6~6。此處，附絕緣粒子之導電粒子3之粒徑D係指其平均粒徑。若絕緣性樹脂層5之層厚La過大，則於異向性導電連接時，附絕緣粒子之導電粒子3容易因樹脂流動而發生位置偏移，使端子上之附絕緣粒子之導電粒子3之捕捉性下降。若該比(La/D) 超過10，則該傾向顯著，因此，該比更佳為8以下，進而較佳為6以下。反之，若絕緣性樹脂層5之層厚La過小而該比(La/D)未達0.3，則難以藉由絕緣性樹脂層5將附絕緣粒子之導電粒子3維持為特定之粒子分散狀態或者特定之排列，因此，比(La/D)較佳為0.3以上，就藉由絕緣性樹脂層5確實地維持特定之粒子分散狀態或者特定之排列之方面而言，更佳為0.6以上。又，於連接之端子為高密度COG之情形時，絕緣性樹脂層5之層厚La與附絕緣粒子之導電粒子3之粒徑D的比(La/D)較佳為0.8~2。
<絕緣性樹脂層中之附絕緣粒子之導電粒子之埋入狀態>
絕緣性樹脂層5中之附絕緣粒子之導電粒子3之埋入狀態較佳為將埋入率設為30%以上且105%以下。藉由將埋入率設為30%以上、較佳為60%以上，可藉由絕緣性樹脂層5使附絕緣粒子之導電粒子3維持為特定之粒子分散狀態或者特定之排列。又，藉由將埋入率設為105%以下，可使作用於異向性導電連接時使附絕緣粒子之導電粒子無用地流動之絕緣性樹脂層之樹脂量減小。
此處，所謂埋入率，係指於將埋入有附絕緣粒子之導電粒子3之絕緣性樹脂層5之表面5a(於絕緣性樹脂層5中，附絕緣粒子之導電粒子3所偏集存在之側之表面)與相對於埋入至絕緣性樹脂層5之附絕緣粒子之導電粒子3之上述表面5a之最深部的距離設為埋入量Lb之情形時，埋入量Lb相對於附絕緣粒子之導電粒子3之粒徑D之比率(Lb/D)(圖1B)。
再者，於本發明中，埋入率(Lb/D)之數值係指異向性導電膜所包含之全部附絕緣粒子之導電粒子數之80%以上、較佳為90%以上、更佳為96%以上成為該埋入率(Lb/D)之數值。因此，所謂埋入率為30%以上且105%以下，係指異向性導電膜所包含之全部附絕緣粒子之導電粒子數之80%以上、較佳為90%以上、更佳為96%以上之埋入率為30%以上且105%以下。如此藉由使全部附絕緣粒子之導電粒子之埋入率(Lb/D)一致，而按壓之負荷均勻地作用於 導電粒子，因此，端子上之導電粒子之捕捉狀態變得良好，導通之穩定性提升。
埋入率(Lb/D)可藉由自異向性導電膜任意抽出10處以上面積30mm2以上之區域，利用SEM圖像觀察其膜剖面之一部分，測量合計50個以上之導電粒子而求出。為了進一步提高精度，亦可測量200個以上之導電粒子而求出。
又，埋入率(Lb/D)之測量亦可藉由於面視野圖像中進行焦點調整而針對某程度之個數一併求出。或者埋入率(Lb/D)之測量亦可使用雷射式判別位移感測器(KEYENCE(股份)製造等)。
<異向性導電膜之製造方法>
於圖1A、圖1B所示之異向性導電膜10A之製造方法之一例中，於轉印模具30之凹部31填充附絕緣粒子之導電粒子3(圖4A)。該凹部31形成為與異向性導電膜中之附絕緣粒子之導電粒子3相同之排列。
作為此種轉印模具30，例如可使用藉由光微影法等公知之開口形成方法對於矽、各種陶瓷、玻璃、不鏽鋼等金屬等無機材料或各種樹脂等有機材料等形成有凹部31者。又，轉印模具可取板狀、輥狀等形狀。
另一方面，預先於剝離膜7上使絕緣性樹脂層5呈膜狀形成，使絕緣性樹脂層5覆蓋於填充於轉印模具30中之附絕緣粒子之導電粒子3上(圖4C)。或者，亦可於在附絕緣粒子之導電粒子3上覆蓋絕緣性樹脂層5前，使平板32與填充於轉印模具30中之附絕緣粒子之導電粒子3接觸等，藉此使絕緣粒子2自導電粒子1脫離(圖4B)，然後，覆蓋絕緣性樹脂層5(圖4C)。其次，自轉印模具30將絕緣性樹脂層5剝離，而獲得轉印有附絕緣粒子之導電粒子3之絕緣性樹脂層5(圖4D)。於該附絕緣粒子之導電粒子3之轉印步驟中，轉印模具30與絕緣粒子2摩擦，因此，與轉印模具30之凹部31之底面接觸之絕緣粒子2(成為區域A1之絕緣粒子2者)容易自附絕緣粒子之導電粒子3脫離。又，於將絕緣性樹脂層5 覆蓋於轉印模具30內之附絕緣粒子之導電粒子3時，對與絕緣性樹脂層5首先接觸之絕緣粒子2作用較大之力，因此，存在該區域之絕緣粒子2(成為區域A2之絕緣粒子2者)亦發生脫離之情況。因此，存在絕緣粒子2存在(散佈)於膜上之情況。
另一方面，膜面方向之絕緣粒子2於將絕緣性樹脂層5自轉印模具30剝離之後亦不會自絕緣性樹脂層5脫離，而維持於絕緣性樹脂層5。
因此，於轉印至絕緣性樹脂層5之後之附絕緣粒子之導電粒子3中，與轉印前相比，構成附絕緣粒子之導電粒子3之絕緣粒子2中膜厚方向上與導電粒子1接觸之絕緣粒子2之個數相較於膜面方向上與導電粒子1接觸之絕緣粒子2之個數減小。
其次，視需要將轉印至絕緣性樹脂層5之附絕緣粒子之導電粒子3利用平板或輥33壓入(圖4E)。於該壓入時，形成附絕緣粒子之導電粒子3之絕緣粒子2且位於平板或輥33側之絕緣粒子2(成為區域A1之絕緣粒子2)因與平板或輥33之接觸而自導電粒子1相對脫離。
將轉印至絕緣性樹脂層5之附絕緣粒子之導電粒子3利用平板或輥33壓入時之壓入量Lb較佳為以埋入率(Lb/D)成為較佳為30%以上且105%以下、更佳為60%以上且105%以下之方式進行調整，又，較佳為根據壓入時按壓治具所需之推力等而決定。
如此可獲得附絕緣粒子之導電粒子3中之絕緣粒子2之個數中，於異向性導電膜之膜厚方向上與導電粒子1接觸之絕緣粒子2之個數減小之異向性導電膜10A(圖4F)。
又，於上述異向性導電膜10A之製造方法中，自以往之附絕緣粒子之導電粒子3脫離之絕緣粒子2之個數可根據絕緣性樹脂層5之溫度及黏度、以及埋入率(Lb/D)等進行調整。
<異向性導電膜之變形態樣>
本發明之異向性導電膜亦可如圖5所示之異向性導電膜10B般，於埋入有附絕緣粒子之導電粒子3之絕緣性樹脂層5積層最低熔融黏度低於該絕緣性樹脂層5之低黏度絕緣性樹脂層6。藉由低黏度絕緣性樹脂層6之積層，於使用異向性導電膜將電子零件異向性導電連接時，可填充由電子零件之電極或凸塊形成之空間，而使接著性提升。
絕緣性樹脂層5與低黏度絕緣性樹脂層6之最低熔融黏度比較佳為2以上，更佳為5以上，進而較佳為8以上，實用上為15以下。低黏度絕緣性樹脂層6之更具體之最低熔融黏度為3000Pa．s以下，更佳為2000Pa．s以下，尤佳為1000~2000Pa．s。如此藉由使低黏度絕緣性樹脂層6為低黏度，而由電子零件之電極或凸塊形成之空間容易被低黏度絕緣性樹脂層填充，因此，絕緣性樹脂層5之移動量相對變少，而端子間之附絕緣粒子之導電粒子3不易因樹脂流動而流失。藉此，於異向性導電連接時，可無損附絕緣粒子之導電粒子3之捕捉性而使電子零件彼此之接著性提升。
又，使絕緣性樹脂層5與低黏度絕緣性樹脂層6接合而成之異向性導電膜10B整體之最低熔融黏度較佳為200~4000Pa．s。
再者，低黏度絕緣性樹脂層6可藉由針對與絕緣性樹脂層5相同之樹脂組成物調整黏度而形成。
又，於異向性導電膜10B中，低黏度絕緣性樹脂層6之層厚較佳為4~20μm。或者，相對於附絕緣粒子之導電粒子之粒徑D，較佳為1~8倍。
於本發明中，亦可將自轉印模具30剝離絕緣性樹脂層5之後且壓入附絕緣粒子之導電粒子3之前者作為異向性導電膜10C(圖6)，亦可將於其上積層有低黏度絕緣性樹脂層6者作為異向性導電膜10D(圖7)。於該情形時，亦可使附絕緣粒子之導電粒子存在於絕緣性樹脂層與低黏度絕緣性樹脂層之間。 又，低黏度絕緣性樹脂層側膜面之俯視下之導電粒子上之絕緣粒子數較佳為少於絕緣性樹脂層側膜面之俯視下之導電粒子上之絕緣粒子數。進而，亦可視需要於低黏度絕緣性樹脂層6之相反側之絕緣性樹脂層5上進而積層低黏度絕緣性樹脂層。
又，亦可於膜厚方向不同之位置設置多層附絕緣粒子之導電粒子3。該等變形態樣可適當組合。
<利用異向性導電膜連接之電子零件>
本發明之異向性導電膜可於將IC晶片、1C模組、FPC等第1電子零件與FPC、玻璃基板、塑膠基板、剛性基板、陶瓷基板等第2電子零件異向性導電連接時較佳地使用。亦可將IC晶片或晶圓堆疊使其多層化。再者，利用本發明之異向性導電膜連接之電子零件並不限定於上述電子零件。近年來，可用於多樣化之各種電子零件。
<使用異向性導電膜之連接方法及連接構造體>
本發明提供一種使用本發明之異向性導電膜將電子零件彼此異向性導電連接之連接構造體之製造方法，且提供一種藉由該製造方法獲得之連接構造體，即，其係對向之電子零件之端子彼此藉由附絕緣粒子之導電粒子及絕緣性樹脂層而異向性導電連接之連接構造體，且未夾持於對向之端子之附絕緣粒子之導電粒子包含具有朝向端子彼此之對向方向之絕緣粒子缺漏區域的附絕緣粒子之導電粒子。
該連接構造體中，夾持於對向之端子之附絕緣粒子之導電粒子亦包含具有朝向端子彼此之對向方向之絕緣粒子缺漏區域的附絕緣粒子之導電粒子。於該連接構造體中，端子彼此之對向方向與連接構造體之製造中使用之本發明之異向性導電膜之膜厚方向對應，端子之連接面方向與異向性導電膜之膜面方向對應。又，所謂絕緣粒子缺漏區域，係指附絕緣粒子之導電粒子之表面 之一部分與其外側之環狀部分相比絕緣粒子之面密度變低之區域。因此，於該連接構造體中，夾持於對向之端子之附絕緣粒子之導電粒子與上述異向性導電膜中絕緣粒子數減小之區域A1或A2對應，可認為於端子彼此之對向方向上與導電粒子接觸之絕緣粒子數少於在端子之連接面方向(與端子彼此之對向方向正交之方向)上與導電粒子接觸之絕緣粒子數的附絕緣粒子之導電粒子。關於此種附絕緣粒子之導電粒子，推測未夾持於上述對向之端子之附絕緣粒子之導電粒子之絕緣粒子缺漏區域的朝向於即將夾持於端子之前，藉由絕緣性樹脂而保持，於夾持於端子之後其朝向亦得以保持。夾持於對向之端子之附絕緣粒子之導電粒子由於與相對向於絕緣粒子缺漏區域之端子之至少一者接觸，故而就導通穩定性而言較佳，更佳為與相對向於絕緣粒子缺漏區域之端子之兩者接觸。
又，於該連接構造體中，絕緣粒子缺漏區域朝向端子彼此之對向方向之附絕緣粒子之導電粒子如上所述，與異向性導電膜中具有絕緣粒子數減少之區域A1或A2之附絕緣粒子之導電粒子對應，因此，滿足異向性導電膜之上述(NA3+NA4)>(NA1+NA2)之關係。
若概念性地說明連接構造體中之絕緣粒子缺漏區域之附絕緣粒子之導電粒子，則可認為其係於將附絕緣粒子之導電粒子設為球之情形時，與中心角45°對應之球之表面之一部分區域相較於與其外側之中心角45°~135°對應之環狀區域，絕緣粒子之面密度變低之情形時之與其中心角45°對應之球之表面的一部分區域。
於該連接構造體中，未夾持於對向之端子之附絕緣粒子之導電粒子包含夾於對向之電子零件之連接面中電子零件之端子列之非形成區域的對向之電子零件間之附絕緣粒子之導電粒子。該情形時之附絕緣粒子之導電粒子例如於將對向之電子零件設為第1電子零件及第2電子零件之情形時，藉由第1電子零件之端子列之非形成區域及與第2電子零件之端子列之非形成區域而於電子 零件之對向方向上被夾之附絕緣粒子之導電粒子。
又，於該連接構造體中，未夾持於對向之端子之附絕緣粒子之導電粒子包含端子列以特定之端子間距離形成於電子零件之情形時的存在於對向之電子零件之端子間距離彼此之間之附絕緣粒子之導電粒子。
換言之，所謂未夾持於對向之端子之附絕緣粒子之導電粒子，係指於連接構造體中對連接無助益之大多數之附絕緣粒子之導電粒子。
通常於連接構造體中，未夾持於對向之端子之附絕緣粒子之導電粒子包含因異向性導電連接時之加熱加壓而相對於加熱加壓前之狀態移動者，亦有朝向發生變化者。朝向之變化程度根據該附絕緣粒子相對於端子之位置、絕緣性樹脂層之黏度、加熱加壓條件等而不同，連接構造體之附絕緣粒子之導電粒子亦包含維持加熱加壓前之朝向者。因此，可知若連接構造體之製造中使用之異向性導電膜為本發明之異向性導電膜，則未夾持於對向之端子之附絕緣粒子之導電粒子之至少一部分包含絕緣粒子缺漏區域朝向對向之端子之對向方向者，而為本發明之連接構造體。尤其容易得知，若於連接構造體中絕緣粒子缺漏區域朝向對向之端子之對向方向之附絕緣粒子之導電粒子聚集存在於某區域，則其連接構造體為本發明之連接構造體。
異向性導電膜亦存在裁斷為與電子零件之一外形大致相同之大小而使用之情況，但一般裁斷為大於電子零件之一外形而使用。即，存在包含對連接無助益(充分遠離工具)之區域之情況。因此，亦存在如下情況，即，於對向之電子零件間之外側之異向性導電膜存在朝向端子彼此之對向方向之絕緣粒子缺漏區域，據此亦可確認本發明之連接構造體之特徵。
又，於在連接構造體之製造中使用之異向性導電膜中附絕緣粒子之導電粒子規則排列之情形時，亦存在於連接構造體中，亦發現未夾持於對向之端子之附絕緣粒子之導電粒子其維持排列之規則性之情況。於該情形時，於 發現該排列之規則性之附絕緣粒子之導電粒子中，可容易確認絕緣粒子缺漏區域朝向端子彼此之對向方向。又，針對其製造中使用之異向性導電膜，可容易確認(NA3+NA4)>(NA1+NA2)。
再者，於本發明之連接構造體之製造過程之構造體且本發明之異向性導電膜貼合於一電子零件而另一電子零件尚未連接之狀態之構造體(連接步驟中之半成品，換言之異向性導電膜貼合電子零件)中，其異向性導電膜中之附絕緣粒子之導電粒子亦具有與上述連接構造體中之附絕緣粒子之導電粒子相同之特徵。
作為使用異向性導電膜之電子零件之連接方法，於異向性導電膜之樹脂層由絕緣性樹脂層5之單層所構成之情形時，可藉由如下方式進行製造：對於各種基板等第2電子零件，自異向性導電膜之附絕緣粒子之導電粒子3埋入至表面之側進行暫時壓接，於暫時壓接之異向性導電膜之附絕緣粒子之導電粒子3未埋入至表面之側接合IC晶片等第1電子零件，並進行熱壓接。於異向性導電膜之絕緣性樹脂層不僅包含熱聚合起始劑與熱聚合性化合物，亦包含光聚合起始劑與光聚合性化合物(亦可與熱聚合性化合物相同)之情形時，亦可利用併用光及熱之壓接方法。如此，可將附絕緣粒子之導電粒子之無用之移動抑制為最小限度。又，亦可將未埋入附絕緣粒子之導電粒子3之側暫貼於第2電子零件而使用。再者，亦可將異向性導電膜暫貼於第1電子零件而非第2電子零件而使用。
又，於異向性導電膜之樹脂層由絕緣性樹脂層5與低黏度絕緣性樹脂層6之積層體形成之情形時，將絕緣性樹脂層5暫貼於各種基板等第2電子零件並進行暫時壓接，對準IC晶片等第1電子零件並將該第1電子零件載置、熱壓接於經暫時壓接之異向性導電膜之低黏度絕緣性樹脂層6。亦可將第1電子零件暫貼於異向性導電膜之低黏度絕緣性樹脂層6側而使用。
實施例
以下，藉由實施例對本發明進行具體說明。
實施例1~10
(1)異向性導電膜之製造
以表1所示之組成，分別製備形成絕緣性樹脂層及低黏度絕緣性樹脂層之樹脂組成物。
將形成絕緣性樹脂層之樹脂組成物利用棒式塗佈機塗佈於膜厚50μm之PET膜上，使其於80℃之烘箱中乾燥5分鐘，於PET膜上形成表2所示之厚度之絕緣性樹脂層。同樣地，使低黏度絕緣性樹脂層分別以表2所示之厚度形成於PET膜上。
另一方面，以附絕緣粒子之導電粒子俯視下成為圖1A所示之正方格子排列、且粒子間距離與附絕緣粒子之導電粒子之粒徑相等、個數密度為28000個/mm2之方式製作模具。即，製作模具之凸部圖案(個數密度28000個/mm2)為正方格子排列、且格子軸之凸部之間距為平均粒徑之2倍、格子軸與異向性導電膜之短邊方向所成之角度θ成為15°之模具，將公知之透明性樹脂之顆粒以熔融之狀態流入至該模具，進行冷卻而使其凝個，藉此，形成凹部為圖1A所示之排列圖案之樹脂模具。
又，製作將模具之凸部圖案(個數密度28000個/mm2)設為隨機者，使用該模具形成凹部成為隨機圖案之樹脂模具。此時，以相鄰之附絕緣粒子之導電粒子之導電粒子間之距離成為導電粒子之平均直徑之0.5倍以上之方式進行設定。
作為附絕緣粒子之導電粒子，準備於金屬被覆樹脂粒子(積水化學工業(股份)、AUL703、平均粒徑3μm)之表面，依據日本特開2014-132567號公報之記載附著有絕緣性微粒子(平均粒徑0.3μm)者，將該附絕緣粒子之導 電粒子填充至樹脂模具之凹部，於其上覆蓋上述絕緣性樹脂層。
於實施例1~2中，以60℃、0.5MPa對該絕緣性樹脂層進行按壓，自樹脂模具將絕緣性樹脂層剝離，藉此使附絕緣粒子之導電粒子轉接著於絕緣性樹脂層。此時之附絕緣粒子之導電粒子於絕緣性樹脂層中之埋入率(Lb/D)根據利用SEM之剖面觀察為30%。又，於轉接著有附絕緣粒子之導電粒子之絕緣性樹脂層之表面之該附絕緣粒子之導電粒子的周圍不存在凹部(參照圖2)。於實施例7~10中，與實施例1~2同樣地使附絕緣粒子之導電粒子轉接著於絕緣性樹脂層，但使將附絕緣粒子之導電粒子按壓至絕緣性樹脂層時之溫度低於60℃以使於轉接著後之附絕緣粒子之導電粒子之周圍之絕緣性樹脂層形成凹部。
其次，於實施例3~10中，藉由對絕緣性樹脂層上之附絕緣粒子之導電粒子進行按壓而將附絕緣粒子之導電粒子以壓入率(Lb/D)100%壓入至絕緣性樹脂層。該壓入時之溫度及壓力設為與使附絕緣粒子之導電粒子自樹脂模具轉接著於絕緣性樹脂層時之上述溫度及壓力相同。其結果，於實施例3~6中，於壓入後之附絕緣粒子之導電粒子之周圍之絕緣性樹脂層不存在凹部，於實施例7~10中，於壓入後之附絕緣粒子之導電粒子之周圍之絕緣性樹脂層形成有凹部(參照圖3A)。
於實施例1、2(埋入率30%)、及實施例3、4(埋入率100%)中，於絕緣性樹脂層之附絕緣粒子之導電粒子之轉接著面積層低黏度絕緣性樹脂層，將其作為異向性導電膜(參照圖5)。
另一方面，於實施例5~10(埋入率100%)中，未積層低黏度絕緣性樹脂層。其中，於實施例7~10中，於將附絕緣粒子之導電粒子壓入至絕緣性樹脂層之狀態下，於附絕緣粒子之導電粒子之周圍之絕緣性樹脂層，形成有凹部，但實施例9、10藉由對存在凹部之絕緣性樹脂層於不對異向性導電連接造成妨礙之條件下進行加熱按壓，而使凹部消失。
比較例1~4
於比較例1~4中，使用對金屬被覆樹脂粒子(積水化學工業(股份)、AUL703、平均粒徑3μm)之整個面實施過絕緣塗佈之絕緣塗佈導電粒子(塗佈膜厚0.1~0.5μm)代替上述實施例之附絕緣粒子之導電粒子，將絕緣塗佈導電粒子以成為表2所示之排列或配置之方式填充至上述樹脂模具，將絕緣塗佈導電粒子轉接著於絕緣性樹脂層(壓入率30%)，進而，於比較例3、4中，將轉接著於絕緣性樹脂層之絕緣塗佈導電粒子以成為壓入率100%之方式壓入至絕緣性樹脂層。然後，於絕緣塗佈導電粒子之轉接著面或壓入面積層低黏度絕緣性樹脂層。
Figure 106136139-A0305-02-0034-1
Figure 106136139-A0305-02-0035-2
(2)粒子之配置狀態
(2-1)獨立粒子個數比率
使用掃描式電子顯微鏡(SEM)，針對各實施例及比較例之異向性導電膜之正反之膜面(積層有低黏度絕緣性樹脂層而成者係低黏度絕緣性樹脂層側表面及其相反面)之各者，觀察100個附絕緣粒子之導電粒子或絕緣塗佈導電粒子，測量相互未接觸之附絕緣粒子之導電粒子或絕緣塗佈導電粒子之個數，求出其個數相對於總數之比率(即，獨立粒子個數比率)。其結果，於各實施例及比較例中，獨立粒子個數比率超過99%。
(2-2)絕緣粒子被覆率
求出實施例之異向性導電膜之製造中使用之附絕緣粒子之導電粒子(埋入至絕緣性樹脂層之前之附絕緣粒子之導電粒子)中之絕緣粒子被覆率。絕緣粒子被覆率係使用掃描式電子顯微鏡(SEM)，觀察100個附絕緣粒子之導電粒子，針對各附絕緣粒子之導電粒子，測量每個導電粒子之絕緣粒子之個數，並根據所測量之個數、1個附絕緣粒子之導電粒子之俯視下之面積、及1個絕緣粒子之俯視下之面積而算出。其結果，異向性導電膜之製造中使用之附絕緣粒子之導電粒子中之絕緣粒子被覆率為67%。
(2-3)異向性導電膜製作後之絕緣粒子之被覆狀態
藉由利用掃描式電子顯微鏡(SEM)之剖面觀察，求出實施例之異向性導電膜中分散之附絕緣粒子之導電粒子中絕緣粒子之被覆狀態。藉由該剖面觀察，測量100個附絕緣粒子之導電粒子，調查圖2所示之區域A1、A2、A3、A4中絕緣粒子之個數、NA1、NA2、NA3、NA4之大小關係。其結果，於各實施例中，區域A3及區域A4中之絕緣粒子之個數無特別之差異。又，於實施例3~10中，與實施例1相比，區域A1中之絕緣粒子之個數與存在於區域A2之絕緣粒子之個數相比顯著減少。
(3)評價
將各實施例及比較例之異向性導電膜以足夠用於連接及評價之面積進行裁斷之後，使用所裁斷之異向性導電膜，如以下所說明般對(a)初始導通電阻、(b)導通可靠性、(c)短路產生率、(d)導電粒子捕捉性進行測量或評價。將結果示於表2。
(a)初始導通電阻
將各實施例及比較例之異向性導電膜夾於導通特性之評價用IC與玻璃基板之間，進行加熱加壓(180℃、60MPa、5秒)，獲得各評價用連接物，測量所獲得之評價用連接物之導通電阻，按照以下基準對所測得之初始導通電阻進行評價。
A：0.3Ω以下
B：超過0.3Ω且0.4Ω以下
C：超過0.4Ω
若為B評價則實用上無問題。若為A評價則更佳。
此處，評價用IC及玻璃基板係該等之端子圖案相對應且尺寸如下所述。又，於將評價用IC與玻璃基板連接時，使異向性導電膜之長邊方向與凸塊之短邊方向對齊。
導通特性之評價用IC
外形 1.8×20.0mm
厚度 0.5mm
凸塊規格 尺寸30×85μm、凸塊間距離50μm、凸塊高度15μm
玻璃基板
玻璃材質 康寧公司製造之1737F
外徑 30×50mm
厚度 0.5mm
電極 ITO配線
(b)導通可靠性
與初始導通電阻同樣地測量將(a)中製作之評價用連接物於溫度85℃、濕度85%RH之恆溫槽中放置500小時後之導通電阻，按照以下基準對所測得之導通電阻進行評價。
S：3.0Ω以下
A：超過3.0Ω且4.0Ω以下
B：超過4.0Ω且6.0Ω以下
C：超過6.0Ω
若為B評價則實用上無問題。若為A評價以上則更佳。
(c)短路產生率
將各實施例及比較例之異向性導電膜夾於絕緣性試驗評價用IC(7.5μm間距之梳齒TEG(test element group，試驗元件組))與端子圖案相對應之玻璃基板之間，與初始導通電阻同樣地進行加熱加壓而獲得評價用連接物，利用數位萬用表(數位萬用表7561、Yokogawa Meters & Instruments(股份))測量所獲得之評價用連接物之短路產生率。將該絕緣性試驗評價用IC之規格示於以下。
絕緣性試驗評價用IC
外形 1.5×13mm
厚度 0.5mm
凸塊規格 鍍金、尺寸25×140μm、凸塊間距離7.5μm、凸塊高度15μm
按照以下基準對所測得之短路產生率進行評價。
A：未達50ppm
B：50ppm以上且200ppm以下
C：超過200ppm
若為B評價則實用上無問題。
(d)導電粒子捕捉性
使用導電粒子捕捉性之評價用IC，針對該評價用IC及與端子圖案相對應之ITO塗佈基板，將對準位置錯開6μm進行加熱加壓(180℃、60MPa、5秒)，針對評價用IC之凸塊與基板之端子重疊之100個6μm×66.6μm之區域，測量導電粒子之捕捉數，求出最低捕捉數，按照以下基準進行評價。
導電粒子捕捉性之評價用IC
外形 1.6×29.8mm
厚度 0.3mm
凸塊規格 尺寸12×66.6μm、凸塊間距22μm(L/S=12μm/10μm)、凸塊高度12μm
導電粒子捕捉性評價基準
OK：3個以上
NG：未達3個
根據表2，於實施例1~10之異向性導電膜中，附絕緣粒子之導電粒子中之絕緣粒子之個數密度係區域A2、A1低於區域A3、A4，尤其是於在異向性導電膜之製造時將附絕緣粒子之導電粒子壓入至絕緣性樹脂層之實施例3~10中，區域A1中之絕緣粒子之個數密度顯著低於區域A2。其結果可知，膜厚方向上與導電粒子接觸之區域A2、A1之絕緣粒子2之個數密度更少於膜面方向上與導電粒子1接觸之區域A3、A4之絕緣粒子2之個數，與實施例1、2相比，實施例3、4導通可靠性優異。相對於此，於使用樹脂塗佈導電粒子之比較例1~4中，導通可靠性較差。
又，根據表2之結果，根據實施例1與2之對比、實施例3與4之對 比、實施例5與6之對比、實施例7與8之對比、實施例9與10之對比、比較例1與2之對比、比較例3與4之對比，於使附絕緣粒子之導電粒子排列為正方格子之情形及隨機配置之情形、或使絕緣塗佈導電粒子排列為正方格子之情形及隨機配置之情形時，於導通電阻、短路產生率、導電粒子捕捉性未見到差異，但於捕捉性之評價中，使附絕緣粒子之導電粒子或絕緣塗佈導電粒子排列為正方格子之情形與隨機配置之情形相比，容易確認出壓痕。
再者，關於在附絕緣粒子之導電粒子之周圍之絕緣性樹脂層不存在凹部的實施例5、6、於附絕緣粒子之導電粒子之周圍之絕緣性樹脂層存在凹部的實施例7、8、對該凹部進行加熱按壓而使凹部消除之實施例9、10，初始導通電阻、導通可靠性、短路產生率及導電粒子捕捉性之評價均良好。據此可知，於本實施例中，無論有無凹部，附絕緣粒子之導電粒子均不會因樹脂流動而無用地移動。

Claims (23)

  1. 一種異向性導電膜，其於絕緣性樹脂層中分散有下述附絕緣粒子之導電粒子，該附絕緣粒子之導電粒子係於導電粒子之表面附著有絕緣粒子；且於附絕緣粒子之導電粒子中，膜厚方向上與導電粒子接觸之絕緣粒子數少於膜面方向上與導電粒子接觸之絕緣粒子數。
  2. 如申請專利範圍第1項之異向性導電膜，其中，異向性導電膜之正反之一膜面之俯視下與導電粒子重疊之絕緣粒子之個數少於另一膜面之俯視下與導電粒子重疊之絕緣粒子之個數。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之異向性導電膜，其中，附絕緣粒子之導電粒子相互非接觸地配置。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之異向性導電膜，其中，於絕緣性樹脂層積層有最低熔融黏度低於該絕緣性樹脂層之低黏度絕緣性樹脂層。
  5. 如申請專利範圍第4項之異向性導電膜，其中，附絕緣粒子之導電粒子存在於絕緣性樹脂層與低黏度絕緣性樹脂層之間。
  6. 如申請專利範圍第5項之異向性導電膜，其中，低黏度絕緣性樹脂層側膜面之俯視下之導電粒子上之絕緣粒子數少於絕緣性樹脂層側膜面之俯視下之導電粒子上之絕緣粒子數。
  7. 如申請專利範圍第1或2項之異向性導電膜，其中，絕緣性樹脂層之正反面中，附絕緣粒子之導電粒子所接近之面至附絕緣粒子之導電粒子之最深部之距離Lb與附絕緣粒子之導電粒子之粒徑D的比(Lb/D)為30~105%。
  8. 如申請專利範圍第1或2項之異向性導電膜，其中，附絕緣粒子之導電粒子附近之絕緣性樹脂層之表面相對於相鄰之附絕緣粒子之導電粒子間之中央部之絕緣性樹脂層之切平面具有傾斜或起伏。
  9. 如申請專利範圍第8項之異向性導電膜，其中，上述傾斜中，附 絕緣粒子之導電粒子之附近之絕緣性樹脂層之表面相對於上述切平面缺損，上述起伏中，附絕緣粒子之導電粒子之正上方之絕緣性樹脂層之樹脂量少於上述附絕緣粒子之導電粒子之正上方之絕緣性樹脂層之表面位於該切平面時。
  10. 一種連接構造體之製造方法，其係使用申請專利範圍第1至9項中任一項之異向性導電膜將電子零件彼此異向性導電連接。
  11. 一種連接構造體，其利用申請專利範圍第1至9項中任一項之異向性導電膜將電子零件彼此異向性導電連接。
  12. 一種連接構造體，其係對向之電子零件之端子彼此利用附絕緣粒子之導電粒子及絕緣性樹脂層而異向性導電連接；且，未夾持於對向之端子之附絕緣粒子之導電粒子包含下述附絕緣粒子之導電粒子，該附絕緣粒子之導電粒子具有朝向端子彼此之對向方向之絕緣粒子缺漏區域。
  13. 一種異向性導電膜之製造方法，該異向性導電膜於絕緣性樹脂層中分散有下述附絕緣粒子之導電粒子，該附絕緣粒子之導電粒子係於導電粒子之表面附著有絕緣粒子；且於附絕緣粒子之導電粒子中，膜厚方向上與導電粒子接觸之絕緣粒子數少於膜面方向上與導電粒子接觸之絕緣粒子數，於該異向性導電膜之製造方法中，於形成有凹部之轉印模具之該凹部填充附絕緣粒子之導電粒子，將形成於剝離膜上之絕緣性樹脂層自該絕緣性樹脂層側覆蓋於形成有填充有附絕緣粒子之導電粒子的凹部之轉印模具之該凹部側表面，將填充於凹部之附絕緣粒子之導電粒子轉印至絕緣性樹脂層，將絕緣性樹脂層自轉印模具剝離，藉此獲得由轉印有附絕緣粒子之導電粒子的絕緣性樹脂層所構成之異向性導電膜。
  14. 如申請專利範圍第13項之異向性導電膜之製造方法，其將最低熔融黏度低於絕緣性樹脂層之低黏度絕緣性樹脂層積層於異向性導電膜之轉印 有附絕緣粒子之導電粒子側之面。
  15. 如申請專利範圍第14項之異向性導電膜之製造方法，其以附絕緣粒子之導電粒子存在於絕緣性樹脂層與低黏度絕緣性樹脂層之間之方式進行轉印。
  16. 如申請專利範圍第13至15項中任一項之異向性導電膜之製造方法，其將附絕緣粒子之導電粒子填充於轉印模具之凹部後，使平板與填充於凹部之附絕緣粒子之導電粒子接觸而使絕緣粒子自附絕緣粒子之導電粒子脫離，然後覆蓋絕緣性樹脂層。
  17. 如申請專利範圍第13至15項中任一項之異向性導電膜之製造方法，其將附絕緣粒子之導電粒子轉印至絕緣性樹脂層後，利用平板或輥將該附絕緣粒子之導電粒子壓入至絕緣性樹脂層，使與平板或輥接觸之絕緣粒子自附絕緣粒子之導電粒子脫離。
  18. 如申請專利範圍第17項之異向性導電膜之製造方法，其以絕緣性樹脂層之正反面中，附絕緣粒子之導電粒子所接近之面至附絕緣粒子之導電粒子之最深部之距離Lb與附絕緣粒子之導電粒子之粒徑D的比(Lb/D)成為30~105%之方式，利用平板或輥進行壓入。
  19. 如申請專利範圍第13至15項中任一項之異向性導電膜之製造方法，其使異向性導電膜之正反之一膜面之俯視下與導電粒子重疊之絕緣粒子之個數少於另一膜面之俯視下與導電粒子重疊之絕緣粒子之個數。
  20. 如申請專利範圍第13至15項中任一項之異向性導電膜之製造方法，其以附絕緣粒子之導電粒子相互非接觸地配置之方式，於轉印模具形成凹部。
  21. 如申請專利範圍第19項之異向性導電膜之製造方法，其使低黏度絕緣性樹脂層側膜面之俯視下之導電粒子上之絕緣粒子數少於絕緣性樹脂層 側膜面之俯視下之導電粒子上之絕緣粒子數。
  22. 如申請專利範圍第17項之異向性導電膜之製造方法，其以附絕緣粒子之導電粒子附近之絕緣性樹脂層之表面相對於相鄰之附絕緣粒子之導電粒子間之中央部之絕緣性樹脂層之切平面傾斜或起伏之方式，利用平板或輥將該附絕緣粒子之導電粒子壓入至絕緣性樹脂層。
  23. 如申請專利範圍第22項之異向性導電膜之製造方法，其中，上述傾斜中，附絕緣粒子之導電粒子之附近之絕緣性樹脂層之表面相對於上述切平面缺損，上述起伏中，附絕緣粒子之導電粒子之正上方之絕緣性樹脂層之樹脂量少於上述附絕緣粒子之導電粒子之正上方之絕緣性樹脂層之表面位於該切平面時。
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018079365A1 (ja) * 2016-10-24 2018-05-03 デクセリアルズ株式会社 異方性導電フィルム
JP6935702B2 (ja) 2016-10-24 2021-09-15 デクセリアルズ株式会社 異方性導電フィルム
KR102422589B1 (ko) * 2017-01-27 2022-07-18 쇼와덴코머티리얼즈가부시끼가이샤 절연 피복 도전 입자, 이방 도전 필름, 이방 도전 필름의 제조 방법, 접속 구조체 및 접속 구조체의 제조 방법
KR102094870B1 (ko) 2019-07-26 2020-03-30 주식회사 남양이앤에스 가스절연 개폐장치용 가스 차단기
CN112898776B (zh) * 2021-01-22 2022-12-02 镇江中垒新材料科技有限公司 一种异方性导电薄片及其制备方法
JP2023131554A (ja) * 2022-03-09 2023-09-22 株式会社レゾナック 導電粒子、回路接続用接着フィルム及びその製造方法、並びに、接続構造体及びその製造方法
JP2023131379A (ja) * 2022-03-09 2023-09-22 株式会社レゾナック 導電粒子、回路接続用接着フィルム及びその製造方法、並びに、接続構造体及びその製造方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4999460A (en) * 1989-08-10 1991-03-12 Casio Computer Co., Ltd. Conductive connecting structure
CN1496597A (zh) * 2001-02-09 2004-05-12 Jsr��ʽ���� 各向异性导电性连接器、其制造方法以及探针构件
US20110121243A1 (en) * 2006-09-26 2011-05-26 Hitachi Chemical Company, Ltd. Anisotropic conductive adhesive composition, anisotropic conductive film, circuit member connecting structure and method for manufacturing coated particles
JP2013258138A (ja) * 2012-05-16 2013-12-26 Hitachi Chemical Co Ltd 導電粒子、異方性導電接着剤フィルム及び接続構造体
TW201445580A (zh) * 2013-03-29 2014-12-01 Cheil Ind Inc 包含導電黏著層之各向異性導電膜及半導體裝置
TW201619980A (zh) * 2014-11-27 2016-06-01 三星Sdi 股份有限公司 各向異性導電膜及使用其的顯示裝置

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0371570A (ja) * 1989-08-10 1991-03-27 Casio Comput Co Ltd 導電用結合剤および導電接続構造
JP2895872B2 (ja) * 1989-09-26 1999-05-24 触媒化成工業株式会社 異方導電性材料、異方導電性接着剤およびその異方導電性接着剤を使用した電極間を電気的に接続する方法並びにその方法により形成される電気回路基板
JPH0613432A (ja) * 1992-06-26 1994-01-21 Citizen Watch Co Ltd 半導体集積回路装置の接続方法
WO2000045431A1 (en) * 1999-01-27 2000-08-03 Citizen Watch Co., Ltd. Method of packaging semiconductor device using anisotropic conductive adhesive
CN100437838C (zh) * 2003-07-07 2008-11-26 积水化学工业株式会社 包覆导电性粒子、各向异性导电材料以及导电连接结构体
KR100861010B1 (ko) 2006-12-22 2008-09-30 제일모직주식회사 절연성 도전 입자 및 이를 이용한 이방 도전성 필름
KR100819524B1 (ko) 2007-01-25 2008-04-07 제일모직주식회사 절연 전도성 미립자 및 이를 이용한 이방 전도성 필름
JP5549069B2 (ja) 2008-04-22 2014-07-16 日立化成株式会社 異方性導電接着剤用粒子状導電材料及びその製造方法、並びに異方性導電接着剤
CN102387656B (zh) * 2010-08-30 2013-10-09 富葵精密组件(深圳)有限公司 具有接地屏蔽结构的电路板及其制作方法
CN103429693A (zh) * 2011-03-18 2013-12-04 迪睿合电子材料有限公司 光反射性各向异性导电粘接剂和发光装置
KR101716987B1 (ko) * 2012-08-24 2017-03-15 데쿠세리아루즈 가부시키가이샤 이방성 도전 필름의 제조 방법 및 이방성 도전 필름
JP6212369B2 (ja) 2012-12-05 2017-10-11 積水化学工業株式会社 絶縁性粒子付き導電性粒子、絶縁性粒子付き導電性粒子の製造方法、導電材料及び接続構造体
JP6661888B2 (ja) 2014-03-31 2020-03-11 デクセリアルズ株式会社 異方性導電フィルムの製造方法
JP6458503B2 (ja) * 2015-01-13 2019-01-30 デクセリアルズ株式会社 異方性導電フィルム、その製造方法及び接続構造体
JP6935702B2 (ja) 2016-10-24 2021-09-15 デクセリアルズ株式会社 異方性導電フィルム

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4999460A (en) * 1989-08-10 1991-03-12 Casio Computer Co., Ltd. Conductive connecting structure
CN1496597A (zh) * 2001-02-09 2004-05-12 Jsr��ʽ���� 各向异性导电性连接器、其制造方法以及探针构件
US20110121243A1 (en) * 2006-09-26 2011-05-26 Hitachi Chemical Company, Ltd. Anisotropic conductive adhesive composition, anisotropic conductive film, circuit member connecting structure and method for manufacturing coated particles
JP2013258138A (ja) * 2012-05-16 2013-12-26 Hitachi Chemical Co Ltd 導電粒子、異方性導電接着剤フィルム及び接続構造体
TW201445580A (zh) * 2013-03-29 2014-12-01 Cheil Ind Inc 包含導電黏著層之各向異性導電膜及半導體裝置
TW201619980A (zh) * 2014-11-27 2016-06-01 三星Sdi 股份有限公司 各向異性導電膜及使用其的顯示裝置

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