TWI770866B - 鹵化物材料及包含該鹵化物材料之光學單元和光電元件 - Google Patents
鹵化物材料及包含該鹵化物材料之光學單元和光電元件 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI770866B TWI770866B TW110108452A TW110108452A TWI770866B TW I770866 B TWI770866 B TW I770866B TW 110108452 A TW110108452 A TW 110108452A TW 110108452 A TW110108452 A TW 110108452A TW I770866 B TWI770866 B TW I770866B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- unsubstituted
- substituted
- halide material
- optical unit
- perovskite
- Prior art date
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 66
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 title claims abstract description 56
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 title claims abstract description 20
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 49
- 239000012788 optical film Substances 0.000 claims abstract description 17
- PNKUSGQVOMIXLU-UHFFFAOYSA-N Formamidine Chemical class NC=N PNKUSGQVOMIXLU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims abstract description 10
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 claims abstract description 10
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 241001529297 Coregonus peled Species 0.000 claims abstract 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 50
- BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-N Methylamine Chemical compound NC BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 13
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 13
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 claims description 10
- 125000005110 aryl thio group Chemical group 0.000 claims description 10
- 125000004104 aryloxy group Chemical group 0.000 claims description 10
- 125000004475 heteroaralkyl group Chemical group 0.000 claims description 10
- 125000005553 heteroaryloxy group Chemical group 0.000 claims description 10
- 125000005368 heteroarylthio group Chemical group 0.000 claims description 10
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 125000001072 heteroaryl group Chemical group 0.000 claims description 9
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 9
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 38
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 32
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 19
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 12
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 7
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000013067 intermediate product Substances 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- -1 methylamine lead halide Chemical class 0.000 description 6
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 6
- BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L potassium carbonate Chemical compound [K+].[K+].[O-]C([O-])=O BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 6
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 6
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 6
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 6
- CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L Magnesium sulfate Chemical compound [Mg+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 5
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 5
- 101100226770 Arabidopsis thaliana FAX2 gene Proteins 0.000 description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 4
- 238000000967 suction filtration Methods 0.000 description 4
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 4
- SIAVMDKGVRXFAX-UHFFFAOYSA-N 4-carboxyphenylboronic acid Chemical compound OB(O)C1=CC=C(C(O)=O)C=C1 SIAVMDKGVRXFAX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZADPBFCGQRWHPN-UHFFFAOYSA-N boronic acid Chemical compound OBO ZADPBFCGQRWHPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003480 eluent Substances 0.000 description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 3
- NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N palladium;triphenylphosphane Chemical compound [Pd].C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 229910000027 potassium carbonate Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N triphenylphosphine Chemical compound C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CTPUUDQIXKUAMO-UHFFFAOYSA-N 1-bromo-3-iodobenzene Chemical compound BrC1=CC=CC(I)=C1 CTPUUDQIXKUAMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WTDHULULXKLSOZ-UHFFFAOYSA-N Hydroxylamine hydrochloride Chemical compound Cl.ON WTDHULULXKLSOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000000103 photoluminescence spectrum Methods 0.000 description 2
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 2
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 2
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 2
- GOXICVKOZJFRMB-UHFFFAOYSA-N (3-phenylphenyl)boronic acid Chemical compound OB(O)C1=CC=CC(C=2C=CC=CC=2)=C1 GOXICVKOZJFRMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- USYQKCQEVBFJRP-UHFFFAOYSA-N 1-bromo-3-phenylbenzene Chemical group BrC1=CC=CC(C=2C=CC=CC=2)=C1 USYQKCQEVBFJRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002971 CaTiO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000304 alkynyl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001450 anions Chemical group 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 238000004587 chromatography analysis Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 125000000392 cycloalkenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 1
- 125000004366 heterocycloalkenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000592 heterocycloalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/06—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
- C07F7/24—Lead compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
- H01S3/16—Solid materials
- H01S3/163—Solid materials characterised by a crystal matrix
- H01S3/1645—Solid materials characterised by a crystal matrix halide
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/50—Organic perovskites; Hybrid organic-inorganic perovskites [HOIP], e.g. CH3NH3PbI3
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
- C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
- C09K2211/1003—Carbocyclic compounds
- C09K2211/1007—Non-condensed systems
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
- H01S3/16—Solid materials
- H01S3/163—Solid materials characterised by a crystal matrix
- H01S3/1675—Solid materials characterised by a crystal matrix titanate, germanate, molybdate, tungstate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/23—Arrangements of two or more lasers not provided for in groups H01S3/02 - H01S3/22, e.g. tandem arrangements of separate active media
- H01S3/2308—Amplifier arrangements, e.g. MOPA
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/135—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising mobile ions
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Abstract
本發明主要揭示一種化學式為ArMAX的鹵化物材料，其可與鹵化甲脒及金屬鹵化物一同製成一光學薄膜，從而應用在例如鈣鈦礦發光二極體或鈣鈦礦雷射的一光電元件之中。實驗數據顯示，包含本發明之鹵化物材料的光學薄膜，其具有光致發光峰值波長可調之特徵。隨著鉛、鹵素以及甲脒之比例的提升，該光學薄膜的光致發光峰值波長係自482nm移動至534nm。同時，實驗數據還證實，包含本發明之鹵化物材料的光學薄膜係可作為一藍色發光層、一紅色發光層或一綠色發光層，顯見在光電元件具有極大的應用潛力。
Description
本發明係關於光電元件之技術領域，尤指應用於一光電元件的一鹵化物材料。
傳統上，鈣鈦礦(Perovskite)具有化學式為CaTiO3的一種礦石。至今，鈣鈦礦材料化學通式為ABX3，其中A、B代表兩種不同的陽離子，X則為陰離子。近年來，有機無機混摻的鈣鈦礦材料被廣泛地研究及應用，例如CH3NH3PbI3，其為一種甲基胺鉛鹵化物(MAPbI3)，被開發用以作為太陽能電池中的光吸收層，顯見鈣鈦礦材料在光電轉換元件方面具有極大的應用潛力。
文獻一指出，利用低溫溶液製備法製作的有機無機混摻的鹵化鈣鈦礦薄膜(MAPbX3，X=Cl、Br、I)具有相當高的光學增益，可以用於作為雷射元件之中的增益介質層。依據文獻一的記載，包含MAPbX3增益介質層之雷射元件的發光波長可以從400nm調變到800nm，足以顯見鈣鈦礦在發光元件方面具有極大的應用潛力。於此，文獻一指的是Xing et.al,“Low-temperature
solution-processed wavelength-tunable perovskites for lasing”,Nature Materials,vol.13,pp.476-480(2014)。
另一方面，根據文獻二的記載，將鈣鈦礦溶液MAPbI3-xClx旋塗在表面覆有TiO2載子注入層的ITO玻璃之上，再覆上一層高分子聚合物，最後以MoO3/Ag做為電極，從而獲得鈣鈦礦LED(Perovskite lighit-emitting diode,PeLED)。值得說明的是，有別於傳統LED製程需要高度真空以及高溫的製備環境，PeLED可以透過低溫水溶液法和旋塗的方式實現元件製作，顯見鈣鈦礦在LED元件方面具有極大的應用潛力。於此，文獻二指的是Tan et.al,“Bright light-emitting diodes based on organometal halide perovskite”,Nature Nanotechnology,vol.9,No.9,pp.687-692(2014)。
由文獻一與文獻二可知，習知技術通常使用濕式製程(即，一步旋塗或二步旋塗)完成MAPbX3薄膜之製作。然而，濕式製程很難控制MAPbX3薄膜之形貌，導致薄膜的均勻度和緻密度有待改善。有鑑於此，文獻三指出，在MAPbX3薄膜之原料溶液的旋塗過程中引入氣流以輔助溶劑蒸發，係能夠使成膜的MAPbX3具有緻密均勻之優點，連帶著提升了使用該MAPbX3光吸收層之太陽能電池的轉換效率。於此，文獻三指的是Burschka J,Pellet N,Moon S J,et al.,“Sequential Deposition as a Route to High-performance Perovskite-sensitized Solar Cells”,Nature,Vol.499,No.7458,pp.316-319(2013)。
相關的研究資料指出，熱蒸鍍製程也可用於製作出高品質的MAPbX3薄膜。更詳細地說明，利用熱蒸鍍設備對MAPbX3之原材
料(即，MAI和PbX2)進行熱處理，從而在基板上形成均勻、緻密、且表面平整的MAPbX3薄膜。可惜的是，肇因於原材料MAI對於高溫的不穩定性，導致MAPbX3薄膜之熱蒸鍍製程的成功率並不高。
熟悉有機材料合成的材料工程師都知道，有機半導體材料依分子量大小可分為小分子寡聚物(oligomer)與高分子聚合物(polymer)。其中，由於寡聚物的昇華溫度低於其裂解溫度，因此寡聚物之有機半導體材料可利用簡單的熱蒸鍍製程加工成膜。
由前述說明可知，MAPbX3為一有機無機混成鈣鈦礦材料，其中MA為有機分子甲基胺(methylamine)。因此，若能加以改良習知的MAPbX3材料所包含之有機分子，使其成為小分子寡聚物或是提升其昇華溫度，則有機會利用熱蒸鍍來熱處理包含MAPbX3的小分子寡聚物，使其基板上直接均勻、緻密、且表面平整的一光電薄膜(Optoelectronic film)。
由上述說明可知，習知的有機無機混成鈣鈦礦材料(即，甲基胺金屬鹵化物)仍具有加以改善的空間。有鑑於此，本案之發明人係極力加以研究發明，而終於研發完成一種鹵化物材料與使用該鹵化物材料的光電元件。
本發明之主要目的在於提供一種鹵化物材料，其化學式為ArMAX，且可與鹵化甲脒及金屬鹵化物一同製成一光學薄膜，從而應用在例如鈣鈦礦發光二極體或鈣鈦礦雷射的一光電元件之中。實驗數據顯示，包含本發明之鹵化物材料的光學薄膜，其具有光致發
光峰值波長可調之特徵。隨著鉛、鹵素以及甲脒之比例的提升，該光學薄膜的光致發光峰值波長係自482nm移動至534nm。同時，實驗數據還證實，包含本發明之鹵化物材料的光學薄膜係可作為一藍色發光層、一紅色發光層或一綠色發光層，顯見在光電元件具有極大的應用潛力。
為達成上述目的，本發明提出所述鹵化物材料的一實施例，其係具有化學式ArMAX，且其化學結構係由下列式I所表示：
其中，於所述化學式中，MA為甲基胺(methylamine)，Ar為選自於由取代或未取代的C6-C30芳基、取代或未取代的C6-C30芳氧基、取代或未取代的C6-C30芳烷基、取代或未取代的C6-C30芳硫基、取代或未取代的C5-C30雜芳基、取代或未取代的C5-C30雜芳氧基、取代或未取代的C5-C30雜芳硫基、以及取代或未取代的C5-C30雜芳烷基所組成群組之中的任一者；其中，m為整數，且2≦m<10；以及其中，X為選自於由Cl、Br和I所組成群組之中的一種鹵素。
在可行的實施例中，本發明之所述鹵化物材料具有範圍介於300至800之間的分子量。
在可行的實施例中，本發明之所述鹵化物材料可應用於一光電元件之中，且該光電元件為一鈣鈦礦雷射或一鈣鈦礦發光二極體(Perovskite lighit-emitting diode,PeLED)。
並且，本發明同時揭示一種光學單元，其為利用一鹵化物材料、一鹵化甲脒以及一金屬鹵化物作為原料而製成的一光學薄膜，且具有化學式(ArMA)2FAn-1BnX13n+1；其中，所述鹵化物材料具有化學式ArMAX，且所述鹵化甲脒為FAX2；其中，於所述化學式中，MA為甲基胺(methylamine)，Ar為選自於由取代或未取代的C6-C30芳基、取代或未取代的C6-C30芳氧基、取代或未取代的C6-C30芳烷基、取代或未取代的C6-C30芳硫基、取代或未取代的C5-C30雜芳基、取代或未取代的C5-C30雜芳氧基、取代或未取代的C5-C30雜芳硫基、以及取代或未取代的C5-C30雜芳烷基所組成群組之中的任一者；其中，B為選自於由Pb、Sn、Ti、和Ge所組成群組之中的一種金屬，X1為選自於由Cl、Br和I所組成群組之中的一種鹵素，且X2為選自於由Br和I所組成群組之中的一種鹵素；以及其中，n為介於1至8之間的整數。
在一實施例中，前述本發明之光學單元所包含之所述鹵化物材料之化學結構係由下列式I所表示：
其中，m為整數，且2≦m<10。
在可行的實施例中，前述本發明之光學單元係作為一鈣鈦礦雷射的一增益介質層(Gain medium layer)，或作為一鈣鈦礦發光二極體的一發光層(Emission layer)。
本發明還揭示一種光電元件，其包含利用前述本發明之鹵化物材料、一鹵化甲脒以及一金屬鹵化物作為原料而製成的一光學薄膜；其中，該光學薄膜具有化學式(ArMA)2FAn-1BnX13n+1，且所述鹵化甲脒為FAX2；其中，於所述化學式中，MA為甲基胺(methylamine)，Ar為選自於由取代或未取代的C6-C30芳基、取代或未取代的C6-C30芳氧基、取代或未取代的C6-C30芳烷基、取代或未取代的C6-C30芳硫基、取代或未取代的C5-C30雜芳基、取代或未取代的C5-C30雜芳氧基、取代或未取代的C5-C30雜芳硫基、以及取代或未取代的C5-C30雜芳烷基所組成群組之中的任一者；其中，B為選自於由Pb、Sn、Ti、和Ge所組成群組之中的一種金屬，X1為選自於由Cl、Br和I所組成群組之中的一種鹵素，且X2為選自於由Br和I所組成群組之中的一種鹵素；以及其中，n為介於1至8之間的整數。
10:光學單元
20:光電元件
圖1為本發明之一種鹵化物材料的第一化學反應式的示圖；
圖2A與圖2B為本發明之一種鹵化物材料的第二化學反應式的示圖；圖3A與圖3B為本發明之一種鹵化物材料的第三化學反應式的示圖；圖4為本發明之一種光學單元的示意性立體圖；圖5為本發明之光學單元的5個樣品的光致發光的光譜圖；圖6為本發明之光學單元的樣品No.6的吸收光譜圖；圖7為本發明之光學單元的樣品No.7的吸收光譜圖；圖8為本發明之光學單元的樣品No.8的吸收光譜圖；圖9為本發明之光學單元的樣品No.9的吸收光譜圖；以及圖10為本發明之光學單元的4個樣品的光致發光的光譜圖。
為使 貴審查委員能進一步瞭解本發明之結構、特徵、目的、與其優點，茲附以圖式及較佳具體實施例之詳細說明如後。
本發明揭示一種鹵化物材料，其具有化學式ArMAX，且其化學結構係由下列式I所表示：
其中，於所述化學式中，MA為甲基胺(methylamine)。另一方面，可選地，Ar可以是取代或未取代的C6-C30芳基、取代或未取
代的C6-C30芳氧基、取代或未取代的C6-C30芳烷基、取代或未取代的C6-C30芳硫基、取代或未取代的C5-C30雜芳基、取代或未取代的C5-C30雜芳氧基、取代或未取代的C5-C30雜芳硫基、或是取代或未取代的C5-C30雜芳烷基。舉例而言，Ar之化學結構係由下列式I-1所表示：
可選地，R11~R16皆可為氫(hydrogen)、烷基、烯基、炔基、烷氧基、雜環烷基、環烯基、或雜環烯基。當然，在考慮減少m的數值但又想而令所述鹵化物材料保有一定的分子量的情況下，R11~R16亦可為芳基、芳氧基、芳烷基、芳硫基、雜芳基、雜芳氧基、雜芳硫基、或雜芳烷基等分子量相對較大的基團。依據本發明之設計，m為整數，2≦m<10，且X為選自於由Cl、Br和I所組成群組之中的一種鹵素。並且，較佳地，所述鹵化物材料的分子量係介於300至800之間。
鹵化物材料的製造方法
為了證實本發明所提出的鹵化物材料的確具有可實施性，以下將舉出該鹵化物材料的二個示範性製造方法，其中，製造方法(1)包括以下主要合成步驟。圖1顯示與前述製造方法(1)之合成步驟相對應的該鹵化物材料的第一化學反應式。如圖1所示，將1.1莫耳的3-溴聯苯(即，化學結構式A-1)、1.0莫耳的4-甲醯基苯硼酸(即，化學結構式A-2)、4.0莫耳的碳酸鉀與0.1莫耳的四(三苯基磷)鈀添加至一圓底燒瓶之中。然後，加入3毫升四氫呋喃與3毫升水至該圓底燒瓶之中，並攪拌該圓底燒瓶之中的溶液。接續地，將該圓底燒瓶之中的溶液加熱至80℃的反應溫度，並維持該反應溫度持續24小時。反應結束後降至室溫，接著以二氯甲烷和水進行萃取，收集有機層溶液並使用無水硫酸鎂除水，再以乙酸乙酯/正己烷作為沖提劑(eluent)從而透過管住層析法純化前述之有機層(已除水)，最終得到產物為米白色固體1,1’：3’,1”-三聯苯-4-醛基(即，化學結構式A-3)，產率為80%。
之後，將1.0莫耳的1,1’：3’,1”-三聯苯-4-醛基(即，化學結構式A-3)、1.5莫耳的鹽酸羥胺與4.8莫耳的氫氧化鈉添加至一圓底燒瓶之中；然後加入4.5毫升乙醇與0.96毫升水至該圓底燒瓶之中，並攪拌該圓底燒瓶之中的溶液。繼續地，將該圓底燒瓶之中的溶液加熱至120℃的反應溫度，並維持該反應溫度持續10分鐘後接著將反應溫度降至室溫，於室溫下持續攪拌3小時。反應結束後將該圓底燒瓶之中的溶液倒入100毫升的1M鹽酸水溶液，利用抽氣過濾收
集沉澱之產物為白色固體的(Z)-1,1’：3’,1”-三聯苯-4-甲醛肟(即，化學結構式A-4)，產率為87%。
接續地，將1.0莫耳的(Z)-1,1’：3’,1”-三聯苯-4-甲醛肟(即，化學結構式A-4)與14莫耳的鋅添加至一圓底燒瓶之中，接著加入5.4毫升乙酸至該圓底燒瓶之中，並攪拌該圓底燒瓶之中的溶液。最終，將該圓底燒瓶之中的溶液維持於室溫反應溫度持續16小時，反應結束後先利用抽氣過濾去除殘餘鋅固體，並以鹼水中和溶液中之乙酸。接著，以二氯甲烷和水進行萃取，收集有機層溶液並使用無水硫酸鎂除水，然後將HX溶液(例如：HI)慢慢滴入溶液中即可觀察到白色粉末慢慢析出，此白色粉末即為最終產物3PhMAX(例如：PhMAI)。
補充說明的是，圖1的反應式(A)和反應式(B)之化學結構式A-1~A-4以及3PhMAX的中英文名稱係整理於下表(1)之中。
製造方法(2)包括以下主要合成步驟。圖2A和圖2B顯示與前述製造方法(2)之合成步驟相對應的該鹵化物材料的第二化學反應式。如圖2A所示，將1.1莫耳的3-聯苯硼酸(即，化學結構式A’-1)、1.0莫耳的1-溴-3-碘苯(即，化學結構式A’-2)、4.0莫耳的碳酸鉀與0.1莫耳的四(三苯基磷)鈀添加至一圓底燒瓶之中，然後加入3毫升四氫呋喃與3毫升水至該圓底燒瓶之中，並攪拌該圓底燒瓶之中的溶液。繼續地，將該圓底燒瓶之中的溶液加熱至80℃的反應溫度，並維持該反應溫度持續24小時。反應結束後降至室溫，接著以二氯甲烷和水進行萃取，收集有機層溶液並使用無水硫酸鎂除水，再以乙酸乙酯/正己烷作為沖提劑(eluent)從而透過管住層析法純化前述之有機層(已除水)，最終得到產物為米白色固體之3-溴-1,1’：3’,1”-三聯苯基(即，化學結構式A’-3)，產率為82%。
接續地，將1.1莫耳的3-溴-1,1’：3’,1”-三聯苯基(即，化學結構式A’-3)、1.0莫耳的4-甲醯基苯硼酸(即，化學結構式A’-4)、4.0莫耳的碳酸鉀與0.1莫耳的四(三苯基磷)鈀添加至一圓底燒瓶之中；然後加入3毫升四氫呋喃與3毫升水至該圓底燒瓶之中，並攪拌該圓底燒瓶之中的溶液。之後，將該圓底燒瓶之中的溶液加熱至80℃的反應溫度，並維持該反應溫度持續24小時。反應結束後降至室溫，接著以二氯甲烷和水進行萃取，收集有機層溶液並使用無水硫酸鎂除水，再以乙酸乙酯/正己烷作為沖提劑(eluent)從而透過管住層析法純化前述之有機層(已除水)，最終得到產物為米白色固體之
[1,1’：3’,1”：3”.1’’’-四聯苯]-4-醛基(即，化學結構式A’-5)，產率為78%。
接續地，如圖2B所示，將1.0莫耳的[1,1'：3',1"：3".1'''-四聯苯]-4-醛基(即，化學結構式A’-5)、1.5莫耳的鹽酸羫胺與4.8莫耳的氫氧化鈉添加至一圓底燒瓶之中，然後加入4.5毫升乙醇與0.96毫升水至該圓底燒瓶之中，並攪拌該圓底燒瓶之中的溶液。之後，將該圓底燒瓶之中的溶液加熱至120℃的反應溫度，並維持該反應溫度持續10分鐘後將反應溫度降至室溫，並於室溫下持續攪拌3小時。反應結束後將該圓底燒瓶之中的溶液倒入100毫升的1M鹽酸水溶液，利用抽氣過濾收集沉澱之白色固體之(Z)-[1,1'：3'，1"：3"，1'''-四苯基]-4-甲醛肟(即，化學結構式A’-6)，產率為84%。
繼續地，將1.0莫耳的(Z)-[1,1'：3'，1"：3"，1'''-四苯基]-4-甲醛肟(即，化學結構式A’-6)與14莫耳的鋅添加至一圓底燒瓶之中，然後加入5.4毫升乙酸至該圓底燒瓶之中，並攪拌該圓底燒瓶之中的溶液。最終，將該圓底燒瓶之中的溶液維持於室溫持續16小時，反應結束後先利用抽氣過濾去除殘餘鋅固體，並以鹼水中和溶液中之乙酸。之後，以二氯甲烷和水進行萃取，收集有機層溶液並使用無水硫酸鎂除水，然後將HX溶液慢慢滴入溶液中即可觀察到白色粉末慢慢析出，此白色粉末即為最終產物4PhMAX，產率為42%。
補充說明的是，圖2A和圖2B之反應式(A’)~(D’)之化學結構式A’-1~A’-6以及4PhMAX的中英文名稱係整理於下表(2)之中。
表(2)
圖3A與圖3B顯示該鹵化物材料的第三化學反應式。在參詳圖1以及圖2A與圖2B之化學反應式之後，可以理解，合成起始材料之一的有機硼酸所包含的苯基至少為一個，且所述苯基的數量決定了最終本發明之所述鹵化物材料所包含之苯基的數量。因此，如圖3A的化學反應式(A)所示，合成起始材料之一的有機硼酸可以如下式I-2表示：
其中，Ar表示為苯基、芳基、芳氧基、芳烷基、芳硫基、雜芳基、雜芳氧基、雜芳硫基、或雜芳烷基。熟悉有機化學合成的材
料工程師必然知道，苯基為最簡單結構之芳基，通常以Ph表示。並且，在參考圖1以及圖2A與圖2B之化學反應式的情況下，可以推知L為等於或大於1的整數。
如圖3A的化學反應式(A”)所示，首先具有如式I-2所表示之化學結構的有機硼酸與1-溴-3-碘苯經化學反應而合成為中間產物(1)。接著，如圖3A的化學反應式(B”)所示，再令中間產物(1)與4-甲醯基苯硼酸經化學反應而合成為中間產物(2)。繼續地，如圖3B的化學反應式(C”)所示，令中間產物(2)經化學反應後成為中間產物(3)。最終，如圖3B的化學反應式(D”)所示，中間產物(3)再經化學反應即成為本發明之所述鹵化物材料，其代號為mPhMAX。
在示範性的實施例中，本發明之鹵化物材料之化學結構由下列式(1)~式(8)所表示：
換句話說，前述式I之中的m為整數，且2≦m<10。重複說明的是，本發明之所述鹵化物材料具有化學式ArMAX，且其化學結構係由前述呈現之列式I。換句話說，上式(1)至式(8)只是用以示範性地揭露本發明之鹵化物材料的化學結構，並非作為限制性的實施例。
包含所述鹵化物材料之光學單元
本發明同時揭露一種光學單元其為利用前述之鹵化物材料、一鹵化甲脒(Halogenated formamidine,FAX2)以及一金屬鹵化物(BX1)作為原料而製成的一光學薄膜，用以應用於一光電元件之中。更詳細地說明，在該光電元件為一鈣鈦礦雷射的情況下，本發明之
光學單元係作為該鈣鈦礦雷射的一增益介質層(Gain medium layer)。並且，在該光電元件為一鈣鈦礦發光二極體(Perovskite lighit-emitting diode,PeLED)的情況下，本發明之光學單元係作為該鈣鈦礦發光二極體的一發光層(Emission layer)。
圖4顯示本發明之一種光學單元的示意性立體圖。如圖4所示，利用蒸鍍設備(Thermal evaporation)可對前述之鹵化物材料(即，ArMAX)、鹵化甲脒(FAX2)以及一金屬鹵化物(BX1)進行共蒸鍍(co-evaporation)，從而在一光電元件20上形成本發明之光學單元10(即，光學薄膜)。依據本發明之設計，本發明之光學單元10具有化學式(ArMA)2FAn-1BnX13n+1。其中，B為Pb、Sn、Ti、或Ge金屬，n為介於1至8之間的整數，X1為鹵素Cl、Br或I，且X2為鹵素Br或I。並且，在詳加參考前述對於本發明之所述鹵化物材料的有關描述後，應可理解，依據所述鹵化物材料所包含之苯基(或芳基)的數量，Ar可以是取代或未取代的C6-C30芳基、取代或未取代的C6-C30芳氧基、取代或未取代的C6-C30芳烷基、取代或未取代的C6-C30芳硫基、取代或未取代的C5-C30雜芳基、取代或未取代的C5-C30雜芳氧基、取代或未取代的C5-C30雜芳硫基、或是取代或未取代的C5-C30雜芳烷基。
光學單元的實驗例
為了證實本發明之光學單元的確在光電元件上具有極大的應用潛力，本案發明人首先完成了實驗一。於實驗一中，係以4PhMAI
和PbI2為原料而後在一基板上製作出本發明之光學單元(即，光學薄膜)。應可理解，於實驗一中，本發明之光學單元的原料不包含鹵化甲脒，因此其具有化學式(4PhMA)2PbnI3n+1。並且，下表(1)列出了實驗一所使用的本發明之光學單元的5個樣品。
圖5顯示本發明之光學單元的5個樣品的光致發光(photoluminescence,PL)的光譜圖。如圖5所示，樣品1、樣品2、樣品3、樣品4、和樣品5的光致發光峰值波長(PL peak wavelength)分別約為402nm、402nm、520nm、504nm、以及402nm。顯然地，實驗數據證實，隨著化學式之中的n值之增加，光學薄膜的光致發光峰值波長並非是規律地正向移動或反向移動，而是不規則的移動。
繼續地，本案發明人還完成了實驗二。於實驗二中，係以4PhMABr、FABr、PbBr2為原料而後在一光電元件20上製作出本發明之光學單元10(即，光學薄膜)。應可理解，於實驗二中，本發明
之光學單元具有化學式(4PhMA)2FAn-1PbnBr3n+1。並且，下表(2)列出了實驗一所使用的本發明之光學單元的4個樣品。
圖6、圖7、圖8、圖9分別顯示本發明之光學單元的樣品6~樣品9的吸收光譜圖(Absorption spectrum)。由圖6可知，本發明之光學單元的樣品6的最大吸收波長約為260nm。另一方面，樣品7、樣品8和樣品9的最大吸收波長則皆約為296-298nm。進一步地，圖10顯示本發明之光學單元的4個樣品的光致發光(photoluminescence,PL)的光譜圖。並且，下表(2A)和表(2B)整理了樣品6、樣品7、樣品8、和樣品9的多項實驗數據。
由圖6以及上表(2A)和(2B)可知，樣品6、樣品7、樣品8、和樣品9的光致發光峰值波長(PL peak wavelength)分別約為482nm、522nm、530nm、以及434nm。顯然地，實驗數據證實，隨著化學式之中的n值之增加，本發明之光學單元(即，光學薄膜)的光致發光峰值波長並是規律地正向移動。因此，實驗數據證實，包含本發明之鹵化物材料的光學薄膜係可作為一藍色發光層、一紅色發光層或一綠色發光層，顯見在光電元件具有極大的應用潛力。
如此，上述已完整且清楚地說明本發明之一種鹵化物材料及包含該鹵化物材料之光學單元和光電元件。然而，必須加以強調的是，前述本案所揭示者乃為較佳實施例，舉凡局部之變更或修飾而源於本案之技術思想而為熟習該項技藝之人所易於推知者，俱不脫本案之專利權範疇。
10:光學單元
20:光電元件
Claims (14)
- 一種鹵化物材料，係具有化學式ArMAX，且其化學結構係由下列式I所表示：
- 如請求項1所述之鹵化物材料，其具有範圍介於300至800之間的分子量。
- 如請求項1所述之鹵化物材料，其中，所述鹵化物材料應用於一光電元件之中，且該光電元件為一鈣鈦礦雷射或一鈣鈦礦發光二極體(Perovskite lighit-emitting diode,PeLED)。
- 如請求項3所述之鹵化物材料，其中，所述鹵化物材料作為該鈣鈦礦雷射的一增益介質層(Gain medium layer)的一原材料。
- 如請求項3所述之鹵化物材料，其中，所述鹵化物材料作為該鈣鈦礦發光二極體的一發光層(Emission layer)的一原材料。
- 一種光學單元，其為利用如請求項1所述之鹵化物材料、一鹵化甲脒以及一金屬鹵化物作為原料而製成的一光學薄膜，且具有化學式(ArMA)2FAn-1BnX13n+1；其中，於所述化學式中，MA為甲基胺(methylamine)，FA為甲脒(formamidine)，且Ar為選自於由取代或未取代的C6-C30芳基、取代或未取代的C6-C30芳氧基、取代或未取代的C6-C30芳烷基、取代或未取代的C6-C30芳硫基、取代或未取代的C5-C30雜芳基、取代或未取代的C5-C30雜芳氧基、取代或未取代的C5-C30雜芳硫基、以及取代或未取代的C5-C30雜芳烷基所組成群組之中的任一者；其中，B為選自於由Pb、Sn、Ti、和Ge所組成群組之中的一種金屬，且X1為選自於由Cl、Br和I所組成群組之中的一種鹵素；以及其中，n為介於1至8之間的整數。
- 如請求項6所述之光學單元，其中，該鹵化物材料具有範圍介於300至800之間的分子量。
- 如請求項6所述之光學單元，其中，所述光學單元應用於一光電元件之中，且該光電元件為一鈣鈦礦雷射或一鈣鈦礦發光二極體(Perovskite lighit-emitting diode,PeLED)。
- 如請求項6所述之光學單元，其中，所述光學單元係作為該鈣鈦礦雷射的一增益介質層(Gain medium layer)。
- 如請求項6所述之光學單元，其中，所述光學單元係作為該鈣鈦礦發光二極體的一發光層(Emission layer)。
- 一種光電元件，其特徵在於，具有利用如請求項1所述之一鹵化物材料、一鹵化甲脒以及一金屬鹵化物作為原料而製成的具有化學式(ArMA)2FAn-1BnX3n+1的一光學薄膜；其中，於所述化學式中，MA為甲基胺(methylamine)，FA為甲脒(formamidine)，且Ar為選自於由取代或未取代的C6-C30芳基、取代或未取代的C6-C30芳氧基、取代或未取代的C6-C30芳烷基、取代或未取代的C6-C30芳硫基、取代或未取代的C5-C30雜芳基、取代或未取代的C5-C30雜芳氧基、取代或未取代的C5-C30雜芳硫基、以及取代或未取代的C5-C30雜芳烷基所組成群組之中的任一者； 其中，B為選自於由Pb、Sn、Ti、和Ge所組成群組之中的一種金屬，且X1為選自於由Cl、Br和I所組成群組之中的一種鹵素；以及其中，n為介於1至8之間的整數。
- 如請求項11所述之光電元件，其中，該鹵化物材料具有範圍介於300至800之間的分子量。
- 如請求項11所述之光電元件，其中，所述光電元件為一鈣鈦礦雷射，且該光學薄膜作為該鈣鈦礦雷射的一增益介質層(Gain medium layer)。
- 如請求項11所述之光電元件，其中，所述光電元件為一鈣鈦礦發光二極體(Perovskite lighit-emitting diode,PeLED)，且該光學薄膜作為該鈣鈦礦發光二極體的一發光層(Emission layer)。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW110108452A TWI770866B (zh) | 2021-03-10 | 2021-03-10 | 鹵化物材料及包含該鹵化物材料之光學單元和光電元件 |
| US17/384,884 US11737348B2 (en) | 2021-03-10 | 2021-07-26 | Halide material and optical unit and optoelectronic device having the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW110108452A TWI770866B (zh) | 2021-03-10 | 2021-03-10 | 鹵化物材料及包含該鹵化物材料之光學單元和光電元件 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TWI770866B true TWI770866B (zh) | 2022-07-11 |
| TW202235407A TW202235407A (zh) | 2022-09-16 |
Family
ID=83285178
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW110108452A TWI770866B (zh) | 2021-03-10 | 2021-03-10 | 鹵化物材料及包含該鹵化物材料之光學單元和光電元件 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11737348B2 (zh) |
| TW (1) | TWI770866B (zh) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW201930549A (zh) * | 2018-01-04 | 2019-08-01 | 國立清華大學 | 鈣鈦礦量子點、其製備方法以及包含其之量子點膜 |
| CN111909686A (zh) * | 2020-06-23 | 2020-11-10 | 北京大学 | 一种具有光学增益特性的混合多阳离子钙钛矿材料薄膜及其制备方法和应用 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005110399A2 (en) * | 2004-04-29 | 2005-11-24 | The Regents Of The University Of California | Zinc-binding groups for metalloprotein inhibitors |
| US9102617B2 (en) * | 2010-06-25 | 2015-08-11 | Rutgers, The State University Of New Jersey | Antimicrobial agents |
| WO2020123940A1 (en) * | 2018-12-14 | 2020-06-18 | Alliance For Sustainable Energy, Llc | Manufacturing of perovskite films |
| CA3139242A1 (en) * | 2019-06-20 | 2020-12-24 | Viengkham Malathong | Compounds for treatment of pd-l1 diseases |
-
2021
- 2021-03-10 TW TW110108452A patent/TWI770866B/zh active
- 2021-07-26 US US17/384,884 patent/US11737348B2/en active Active
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW201930549A (zh) * | 2018-01-04 | 2019-08-01 | 國立清華大學 | 鈣鈦礦量子點、其製備方法以及包含其之量子點膜 |
| CN111909686A (zh) * | 2020-06-23 | 2020-11-10 | 北京大学 | 一种具有光学增益特性的混合多阳离子钙钛矿材料薄膜及其制备方法和应用 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20220302393A1 (en) | 2022-09-22 |
| TW202235407A (zh) | 2022-09-16 |
| US11737348B2 (en) | 2023-08-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6271643B2 (ja) | 有機半導体を含む電子デバイス | |
| US9076971B2 (en) | Spirobifluorene compounds | |
| CN101875674A (zh) | 一种铱金属配合物及其应用 | |
| CN116355612A (zh) | 一种高效发黄光和抗热淬灭的金属卤化物钙钛矿发光材料、其制备方法及应用 | |
| TWI770866B (zh) | 鹵化物材料及包含該鹵化物材料之光學單元和光電元件 | |
| CN101597489B (zh) | 一种网络形结构的有机无机杂化绿光材料及其制备和应用 | |
| CN111454435B (zh) | 一类基于菲并咪唑单元的电致发光聚合物及其制备方法与应用 | |
| CN101314635B (zh) | 含有咔唑和噁二唑单元的聚合物及其应用 | |
| EP1484380A1 (en) | Polymeric phosphors, process for production thereof, phosphorescent compositions and articles made by using the same | |
| CN1214087C (zh) | 新的红色荧光物质和含有其的有机场致发光器件 | |
| CN107245037B (zh) | 一种梯形大分子衍生物及其制备方法与应用 | |
| WO2018000177A1 (en) | Process for making an organic charge transporting film | |
| CN100491313C (zh) | 含有联苯中心的ppv类发光齐聚物 | |
| CN101575506B (zh) | 基于倍半硅氧烷有机无机杂化蓝光材料及其制备和应用 | |
| KR101172728B1 (ko) | 광활성 그룹을 측쇄로 가지는 사다리 구조의 폴리실세스퀴옥산을 포함하는 발광재료, 이의 박막 및 이를 포함하는 유기전자소자 | |
| CN111499557B (zh) | 一种有机主体材料及电致发光器件 | |
| CN101792508B (zh) | 非共轭有机磷氧稀土配位聚合物及其制备方法和应用 | |
| US11515492B2 (en) | Compound, display panel, and display apparatus | |
| JP6983460B2 (ja) | 新規な高分子およびこれを含む有機発光素子 | |
| JP7334886B2 (ja) | 新規な化合物およびこれを利用した有機発光素子 | |
| CN115611922B (zh) | 一种多环化合物、制备方法及其应用 | |
| JP2023526683A (ja) | 有機発光素子 | |
| KR100809906B1 (ko) | 신규한 트리 아릴 아민계 화합물이 도입된 이리듐 인광덴드리머 화합물, 이의 제조 방법 및 이를 발광재료로채용하고 있는 유기전계발광소자 | |
| CN103502255A (zh) | 含铱有机电致发光化合物、其制备方法和有机电致发光器件 | |
| KR101540064B1 (ko) | 피렌 유도체를 포함하는 유기 전자 수송 화합물 및 이의 제조방법 |