TWI770800B

TWI770800B - 電子裝置

Info

Publication number: TWI770800B
Application number: TW110103878A
Authority: TW
Inventors: 許良珍; 張羽; 吳菲朕; 林義忠
Original assignee: 大陸商宸美（廈門）光電有限公司
Priority date: 2021-02-02
Filing date: 2021-02-02
Publication date: 2022-07-11
Also published as: TW202232291A

Abstract

一種電子裝置包含柔性基板。柔性基板包含觸控區及週邊區。觸控區包含複數個第一電極、複數個絕緣層、複數個第二電極及複數條金屬線。複數個第一電極包含第一奈米銀導電層及第一導電薄層。第一導電薄層位於第一奈米銀導電層之上。複數個絕緣層位於複數個第一電極之上。複數個第二電極位於複數個絕緣層之上，並包含第二奈米銀導電層及第二導電薄層。第二導電薄層位於第二奈米銀導電層之上。複數個絕緣層用以隔絕複數個第一電極及複數個第二電極。複數個第一電極及複數個第二電極至少其中一者於週邊區與複數個金屬線耦接。

Description

電子裝置

本案涉及一種電子裝置。詳細而言，本案涉及一種觸控技術領域的電子裝置。

現有觸控技術朝超薄撓性面板發展，多數可撓性面板之感測器結構厚度太厚以致於影響顯示畫面，再者，由於多數可撓性面板之感測器的電阻值太高，面板無法滿足現有觸控筆之感應偵測。根據CN106919278A先前技術可知，降低架橋之厚度、提高面板製程之良率及維持適當的電阻值等問題為當前超薄撓性面板所待解決之課題。

因此，上述技術尚存諸多缺陷，而有待本領域從業人員研發出其餘適合的撓性面板結構。

本案的一面向涉及一種電子裝置。電子裝置包含柔性基板。柔性基板包含觸控區及週邊區。觸控區包含複數個第一電極、複數個絕緣層、複數個第二電極及複數個金屬線。複數個第一電極包含第一奈米銀導電層及第一導電薄層。第一導電薄層位於第一奈米銀導電層之上。複數個絕緣層位於複數個第一電極之上。複數個第二電極位於複數個絕緣層之上，並包含第二奈米銀導電層及第二導電薄層。第二導電薄層位於第二奈米銀導電層之上。複數個絕緣層用以隔絕複數個第一電極及複數個第二電極。複數個第一電極及複數個第二電極至少其中一者於週邊區與複數個金屬線耦接。

在一些實施例中，複數個金屬線包含銅。複數個金屬線之電阻值介於0.001Ω至1Ω。

在一些實施例中，第一導電薄層及第二導電薄層均包含銀。第一導電薄層及該第二導電薄層的厚度均介於1nm至50nm。

在一些實施例中，第一導電薄層及該第二導電薄層之厚度介於3nm至25nm。

在一些實施例中，第一導電薄層及該第二導電薄層之厚度介於3nm至15nm。

在一些實施例中，第一導電薄層及第一奈米銀導電層之複合電阻值介於0.001Ω至50Ω。

在一些實施例中，第二導電薄層及第二奈米銀導電層之複合電阻值介於0.001Ω至50Ω。

在一些實施例中，觸控區更包含光阻混合覆蓋層。光阻混合覆蓋層覆蓋於第二奈米銀導電層之上。

在一些實施例中，光阻混合覆蓋層的厚度介於0.001μm至3μm。

在一些實施例中，柔性基板包含聚醯亞胺及環烯烴聚合物。

在一些實施例中，觸控區更包含緩衝層。緩衝層位於柔性基板及第一奈米銀導電層之間。

在一些實施例中，緩衝層的厚度介於0.001μm至3μm。

本案的另一面向涉及一種電子裝置。電子裝置包含柔性基板。柔性基板包含觸控區及週邊區。觸控區包含複數個第一電極、複數個絕緣層、複數個第二電極及至少一導電薄層。複數個第一電極包含第一奈米銀導電層。複數個絕緣層位於複數個第一電極之上。複數個第二電極位於複數個絕緣層之上。複數個第二電極包含第二奈米銀導電層。至少一導電薄層位於第一奈米銀導電層或第二奈米銀導電層之上。複數個絕緣層用以隔絕複數個第一電極及複數個第二電極。

綜上所述，本案提供一種電子裝置，藉以改善撓性面板之感測器結構厚度及電阻值太高的問題。

以上所述僅係用以闡述本案所欲解決的問題、解決問題的技術手段、及其產生的功效等等，本案之具體細節將在下文的實施方式及相關圖式中詳細介紹。

以下將以圖式及詳細敘述清楚說明本案之精神，任何所屬技術領域中具有通常知識者在瞭解本案之實施例後，當可由本案所教示之技術，加以改變及修飾，其並不脫離本案之精神與範圍。

本文之用語只為描述特定實施例，而無意為本案之限制。單數形式如“一”、“這”、“此”、“本”以及“該”，如本文所用，同樣也包含複數形式。

關於本文中所使用之『包含』、『包括』、『具有』、『含有』等等，均為開放性的用語，即意指包含但不限於。

關於本文中所使用之用詞（terms），除有特別註明外，通常具有每個用詞使用在此領域中、在本案之內容中與特殊內容中的平常意義。某些用以描述本案之用詞將於下或在此說明書的別處討論，以提供本領域技術人員在有關本案之描述上額外的引導。

第1圖為根據本案一些實施例繪示的電子裝置之部分結構圖俯視示意圖。在一些實施例中，如第1圖所示，電子裝置100可為面板及顯示裝置。

電子裝置100包含柔性基板。柔性基板包含觸控區及週邊區。觸控區包含複數個第一電極M1、複數個絕緣層及複數個第二電極M2。須說明的是，複數絕緣層位於複數個第一電極M1及複數個第二電極M2之交叉點。

第2A圖為根據本案一些實施例繪示的電子裝置之部分結構剖面圖。請同時參閱第1圖及第2A圖，第2A圖為第1圖之電子裝置100的AA’線剖面圖。

在一些實施例中，請參閱第2A圖，電子裝置100包含柔性基板150、第一奈米銀導電層120、絕緣層130、第二奈米銀導電層140、金屬線110、光阻混合覆蓋層170、鈍化層180及阻水阻氣層190。

在一些實施例中，請參閱第2A圖，第一奈米銀導電層120位於柔性基板150之上，並且柔性基板150之材料為聚醯亞胺及環烯烴聚合物，因此，柔性基板150具有良好的可撓性及於光學上有高穿透率。在一實施例中，柔性基板150的厚度介於0.001μm至50μm。在另一實施例中，柔性基板150的厚度介於2μm至25μm。在又一實施例中，柔性基板150的厚度介於3μm至10μm。

在一些實施例中，電子裝置100更包含緩衝層160。緩衝層160位於柔性基板150及第一奈米銀導電層120之間。在一實施例中，緩衝層160的厚度介於0.001μm至3μm。在另一實施例中，緩衝層160的厚度介於0.01μm至1.5μm。在又一實施例中，緩衝層160的厚度介於0.02μm至1μm。須說明的是，於製程中根據柔性基板150對溶劑之抗酸鹼能力及實際需求將緩衝層160設計於電子裝置100。

在一些實施例中，請參閱第1圖及第2A圖，複數個第一電極M1包含第一奈米銀導電層120及第一導電薄層121。第一導電薄層121位於第一奈米銀導電層120上。須說明的是，第一導電薄層包含銀，並濺鍍於第一奈米銀導電層120之表面上。在一些實施例中，第一奈米銀導電層120之物質性質接近於液體，第一導電薄層121可溶於第一奈米銀導電層120中。在一些實施例中，第一導電薄層121的厚度介於1nm至50nm。又一些實施例中，第一導電薄層121的厚度介於3nm至25nm。另一些實施例中，第一導電薄層121的厚度介於3nm至15nm。須說明的是，第一導電薄層121可降低電阻值，超過此厚度範圍將影響光學之穿透率。在一些實施例中，第一奈米銀導電層120小於等於100nm。

在一些實施例中，第一奈米銀導電層120加上第一導電薄層121之複合電阻值介於0.001Ω至50Ω。在另一些實施例中，第一奈米銀導電層120加上第一導電薄層121之複合電阻值介於3Ω至30Ω。在又一些實施例中，第一奈米銀導電層120加上第一導電薄層121之複合電阻值介於5Ω至20Ω。

在一些實施例中，請參閱第1圖及第2A圖，複數個第二電極M2包含第二奈米銀導電層140及第二導電薄層141。第二導電薄層141位於第二奈米銀導電層140上。須說明的是，第二導電薄層包含銀，並濺鍍於第二奈米銀導電層140之表面上。在一些實施例中，第二奈米銀導電層140之物質性質接近於液體，第二導電薄層141可溶於第二奈米銀導電層140中。在一些實施例中，第二導電薄層141的厚度介於1nm至50nm。又一些實施例中，第二導電薄層141的厚度介於3nm至25nm。另一些實施例中，第二導電薄層141的厚度介於3nm至15nm。須說明的是，第二導電薄層141可降低電阻值，超過此厚度範圍將影響光學之穿透率。在一些實施例中，第二奈米銀導電層140小於等於100nm。

在一些實施例中，第二奈米銀導電層140加上第二導電薄層141之複合電阻值介於0.001Ω至50Ω。在另一些實施例中，第二奈米銀導電層140加上第二導電薄層141之複合電阻值介於3Ω至30Ω。在又一些實施例中，第二奈米銀導電層140加上第二導電薄層141之複合電阻值介於5Ω至20Ω。

在一些實施例中，請參閱第2A圖，第一奈米銀導電層120及第二奈米銀導電層140可進行彎折並於光學上有高穿透率。因此，第一奈米銀導電層120跨接線之尺寸大小不需太大，不會有肉眼可視跨接線之問題。

在一些實施例中，須說明的是，第一奈米銀導電層120用作跨接線，而第二奈米銀導電層140及金屬線110於製程時同時於週邊區P及觸控區D做出整個電路線路及圖面(pattern)，且第二奈米銀導電層140及金屬線110於實作上採用同一光罩，因此，可以減少一道黃光製程。須說明的是，金屬線110僅位於週邊區P，並於邊界線L與第一奈米銀導電層120及第二奈米銀導電層140其中至少一者耦接。在一些實施例中，金屬線110的材質為銅。在一些實施例中，週邊區P更包含第二奈米銀導電層140，並以金屬線110電鍍於週邊區P中的第二奈米銀導電層140上。在一些實施例中，金屬線110電鍍於複數個第一電極M1及複數個第二電極M2之上。

在一些實施例中，製造第一導電薄層121及第二導電薄層141之製程步驟可為上述濺鍍或蒸鍍方式。

在一些實施例中，金屬線110的電阻值介於0.001Ω至1Ω。在另一些實施例中，金屬線110之電阻值介於0.01Ω至0.8Ω。在又一些實施例中，金屬線110之電阻值介於0.1Ω至0.5Ω。

在一些實施例中，絕緣層130位於第一奈米銀導電層120及第二奈米銀導電層140之間，並用以隔絕第一奈米銀導電層120及第二奈米銀導電層140。在一些實施例中，絕緣層130之厚度介於0.001μm至3μm。在另一些實施例中，絕緣層130的厚度介於0.5μm至2.5μm。在又一些實施例中，絕緣層130的厚度介於0.8μm至1.7μm。

在一些實施例中，由於奈米銀特性，需於第二奈米銀導電層140上製成一層光阻混合覆蓋層170，以保護第二奈米銀導電層140防止受紫外光(Ultraviolet，UV)照射而分解。在一些實施例中，光阻混合覆蓋層170於製程中包含高分子溶劑及光阻，使光阻混合覆蓋層170可進行曝光製程及圖形化，並作為觸控區D之光阻混合覆蓋層，此外，光阻混合覆蓋層170不僅具有高透光性，於物理性質上具有可撓性。光阻混合覆蓋層170之高分子溶劑於製程中將會被烤乾。

在一些實施例中，光阻混合覆蓋層170之厚度介於0.001μm至3μm。在另一些實施例中，光阻混合覆蓋層170的厚度介於0.02μm至2.5μm。在又一些實施例中，光阻混合覆蓋層170的厚度介於0.1μm至1.5μm。

在一些實施例中，鈍化層180之厚度介於0.001μm至3μm。在另一些實施例中，鈍化層180的厚度介於0.5μm至2.5μm。在又一些實施例中，鈍化層180的厚度介於1μm至2.5μm。

在一些實施例中，阻水阻氣層190用以防止水氣進入，並包含第一阻水阻氣層191及第二阻水阻氣層192。在一些實施例中，第二阻水阻氣層192位於第一阻水阻氣層191之上。在一些實施例中，第一阻水阻氣層191之材料為氮化矽(Si3N4)及第二阻水阻氣層192之材料為二氧化矽(SiO2)。

在一些實施例中，第一阻水阻氣層191之厚度介於0.001μm至1μm。在另一些實施例中，第一阻水阻氣層191的厚度介於0.05μm至0.8μm。在又一些實施例中，第一阻水阻氣層191的厚度介於0.1μm至0.7μm。

在一些實施例中，第二阻水阻氣層192之厚度介於0.001μm至1μm。在另一些實施例中，第二阻水阻氣層192的厚度介於0.05μm至0.8μm。在又一些實施例中，第二阻水阻氣層192的厚度介於1μm至0.7μm。

第2B圖為根據本案一些實施例繪示的電子裝置之部分結構剖面示意圖。在一些實施例中，相較於第2A圖，至少一導電薄層121位於第一奈米銀導電層120之上，其餘結構與第2A圖之實施例相同，於此不作贅述。

第2C圖為根據本案一些實施例繪示的電子裝置之部分結構剖面示意圖。在一些實施例中，相較於第2A圖，至少一導電薄層141位於第二奈米銀導電層140之上其餘結構與第2A圖之實施例相同，於此不作贅述。

第3圖為根據本案一些實施例繪示的部分結構剖面放大示意圖。在一些實施例中，如第3圖所示，第3圖對應至第2A圖中Z的放大圖。Z為第一奈米銀導電層120上濺鍍第一導電薄層121或第二奈米銀導電層140上濺鍍第二導電薄層141之放大圖。由於奈米銀導電層中的奈米銀線為散亂分布且具有良好的可撓性，並不會干擾視覺或產生莫列波紋(Moire pattern)。此外，銀具有優越的導電性，較銦錫氧化物(Indium Tin Oxide, ITO)能提供元件更快的反應速度。再者，可以控制奈米銀線的分布密度，來提高光學上的穿透率。

第4圖為根據本案一些實施例繪示的金屬線示意圖。在一些實施例中，如第4圖所示，金屬線410為15μm*15μm的搭接圖形。金屬線420為10μm*10μm的搭接圖形。須說明的是，金屬線410及金屬線420以第4圖中搭接圖形與上述第一奈米銀導電層120及上述第二奈米銀導電層140搭接。

依據前案實施例，本案提供一種電子裝置，藉以改善撓性面板之感測器結構厚度及電阻值太高的問題。

雖然本案以詳細之實施例揭露如上，然而本案並不排除其他可行之實施態樣。因此，本案之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準，而非受於前述實施例之限制。

對本領域技術人員而言，在不脫離本案之精神和範圍內，當可對本案作各種之更動與潤飾。基於前述實施例，所有對本案所作的更動與潤飾，亦涵蓋於本案之保護範圍內。

100:電子裝置 M1:複數第一電極 M2:複數第二電極 110:金屬線 120:第一奈米銀導電層 121:第一導電薄層 130:絕緣層 140:第二奈米銀導電層 141:第二導電薄層 150:柔性基板 160:緩衝層 170:光阻混合覆蓋層 180:鈍化層 190:阻水阻氣層 191:第一阻水阻氣層 192:第二阻水阻氣層 AA’:剖面線 D:觸控區 P:週邊區 L:邊界線 Z:剖面放大圖 410:金屬線 420:金屬線

參照後續段落中的實施方式以及下列圖式，當可更佳地理解本案的內容：第1圖為根據本案一些實施例繪示的電子裝置之部分結構圖俯視示意圖；第2A圖為根據本案一些實施例繪示的電子裝置之部分結構剖面示意圖；第2B圖為根據本案一些實施例繪示的電子裝置之部分結構剖面示意圖；第2C圖為根據本案一些實施例繪示的電子裝置之部分結構剖面示意圖；第3圖為根據本案一些實施例繪示的部分結構剖面放大示意圖；以及第4圖為根據本案一些實施例繪示的金屬線示意圖。

國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無

100:電子裝置

110:金屬線

120:第一奈米銀導電層

121:第一導電薄層

130:絕緣層

140:第二奈米銀導電層

141:第二導電薄層

150:柔性基板

160:緩衝層

170:光阻混合覆蓋層

180:鈍化層

190:阻水阻氣層

191:第一阻水阻氣層

192:第二阻水阻氣層

AA’:剖面線

D:觸控區

P:週邊區

L:邊界線

Claims

一種電子裝置，包含：一柔性基板，包含一觸控區及一週邊區；其中該觸控區，包含：複數個第一電極，該些第一電極包含一第一奈米銀導電層及一第一導電薄層，其中該第一導電薄層位於該第一奈米銀導電層之上；複數個絕緣層，位於該些第一電極之上；複數個第二電極，位於該些絕緣層之上，並包含一第二奈米銀導電層及一第二導電薄層，其中該第二導電薄層位於該第二奈米銀導電層之上，其中該些絕緣層用以隔絕該些第一電極及該些第二電極，其中該第一導電薄層及該第二導電薄層均包含銀；以及複數個金屬線，其中該些第一電極及該些第二電極至少其中一者於該週邊區與該些金屬線耦接。
如請求項1所述之電子裝置，其中該些金屬線包含銅，該些金屬線之電阻值介於0.001Ω至1Ω。
如請求項2所述之電子裝置，其中該第一導電薄層及該第二導電薄層之厚度介於1nm至50nm。
如請求項3所述之電子裝置，其中該第一導電薄層及該第二導電薄層之厚度介於3nm至25nm。
如請求項4所述之電子裝置，其中該第一導電薄層及該第二導電薄層之厚度介於3nm至15nm。
如請求項5所述之電子裝置，其中該第一導電薄層及該第一奈米銀導電層之複合電阻值介於0.001Ω至50Ω。
如請求項6所述之電子裝置，其中該第二導電薄層及該第二奈米銀導電層之複合電阻值介於0.001Ω至50Ω。
如請求項1所述之電子裝置，其中該觸控區更包含一光阻混合覆蓋層，該光阻混合覆蓋層覆蓋於該第二奈米銀導電層之上。
如請求項8所述之電子裝置，其中該光阻混合覆蓋層的厚度介於0.001μm至3μm。
如請求項1所述之電子裝置，其中柔性基板包含聚醯亞胺及環烯烴聚合物。
如請求項10所述之電子裝置，其中該觸控區更包含一緩衝層，該緩衝層位於該柔性基板及該第一奈米銀導電層之間。
如請求項11所述之電子裝置，其中該緩衝層的厚度介於0.001μm至3μm。
一種電子裝置，包含：一柔性基板，包含一觸控區及一週邊區；其中該觸控區，包含：複數個第一電極，該些第一電極包含一第一奈米銀導電層；複數個絕緣層，位於該些第一電極之上；複數個第二電極，位於該些絕緣層之上，該些第二電極包含一第二奈米銀導電層；以及至少一導電薄層，位於該第一奈米銀導電層或該第二奈米銀導電層之上，其中該至少一導電薄層包含銀；其中該些絕緣層用以隔絕該些第一電極及該些第二電極。