TWI768393B - 發光二極體封裝結構及其製作方法以及發光二極體顯示器 - Google Patents

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Abstract

本發明公開一種發光二極體封裝結構及其製作方法以及發光二極體顯示器。發光二極體封裝結構包括一發光二極體晶片、一量子點材料層以及一藍光散射材料層。發光二極體晶片包括裸露的兩個導電焊墊。量子點材料層包覆發光二極體晶片。藍光散射材料層設置在量子點材料層上，以增加藍光的散射效果，進而直接提升藍光經過量子點材料層時的光波長轉換效能。此外，藍光散射材料層可以替換成用於增加藍光吸收效果的一藍光吸收材料層，進而降低藍光穿過藍光吸收材料層的可能性，藉此以間接提升量子點材料層的光波長轉換效能。

Description

發光二極體封裝結構及其製作方法以及發光二極體顯示器
本發明涉及一種封裝結構及其製作方法以及顯示器，特別是涉及一種發光二極體封裝結構及其製作方法以及發光二極體顯示器。
發光二極體晶片已被廣範的應用在人類的生活中，然而現有發光二極體晶片在製作與使用上仍然具有可改進空間。
本發明所要解決的技術問題在於，針對現有技術的不足提供一種發光二極體封裝結構及其製作方法以及發光二極體顯示器。
為了解決上述的技術問題，本發明所採用的其中一技術方案是提供一種發光二極體封裝結構，其包括：一發光二極體晶片、一量子點材料層以及一藍光散射材料層。發光二極體晶片包括裸露的兩個導電焊墊。量子點材料層包覆發光二極體晶片。藍光散射材料層設置在量子點材料層上。
為了解決上述的技術問題，本發明所採用的另外一技術方案是提供一種發光二極體顯示器，其包括：一電路基板、多個發光二極體群組以及一黑色矩陣。多個發光二極體群組設置在電路基板上且電性連接於電路基板。黑色矩陣設置在電路基板上，以圍繞每一發光二極體群組。其中，發光二極體群組為一藍色發光二極體晶片或者一發光二極體封裝結構。其中，發光二極體封裝結構包括：一發光二極體晶片、一量子點材料層以及一藍光散射材料層，發光二極體晶片包括裸露的兩個導電焊墊，量子點材料層包覆發光二極體晶片，藍光散射材料層設置在量子點材料層上。
為了解決上述的技術問題，本發明所採用的另外再一技術方案是提供一種發光二極體封裝結構的製作方法，其包括：提供多個發光二極體晶片，每一發光二極體晶片包括裸露的兩個導電焊墊；形成多個量子點材料層，以分別包覆多個發光二極體晶片；以及，形成多個藍光散射材料層，以分別設置在量子點材料層上。其中，發光二極體封裝結構包括發光二極體晶片、量子點材料層以及藍光散射材料層。
本發明的其中一有益效果在於，本發明所提供的發光二極體封裝結構以及發光二極體顯示器，其能通過“量子點材料層包覆發光二極體晶片”以及“藍光散射材料層設置在量子點材料層上”的技術方案，以增加藍光的散射效果，進而直接提升藍光經過量子點材料層時的光波長轉換效能。值得注意的是，藍光散射材料層可以替換成用於增加藍光吸收效果的一藍光吸收材料層，進而降低藍光穿過藍光吸收材料層的可能性，藉此以間接提升量子點材料層的光波長轉換效能。
本發明的另外一有益效果在於，本發明所提供的發光二極體封裝結構的製作方法，其能通過“形成多個量子點材料層，以分別包覆多個發光二極體晶片”以及“形成多個藍光散射材料層，以分別設置在量子點材料層上”的技術方案，以增加藍光的散射效果，進而直接提升藍光經過量子點材料層時的光波長轉換效能。值得注意的是，藍光散射材料層可以替換成用於增加藍光吸收效果的一藍光吸收材料層，進而降低藍光穿過藍光吸收材料層的可能性，藉此以間接提升量子點材料層的光波長轉換效能。
為使能進一步瞭解本發明的特徵及技術內容，請參閱以下有關本發明的詳細說明與圖式，然而所提供的圖式僅用於提供參考與說明，並非用來對本發明加以限制。
以下是通過特定的具體實施例來說明本發明所公開有關“發光二極體封裝結構及其製作方法以及發光二極體顯示器”的實施方式，本領域技術人員可由本說明書所公開的內容瞭解本發明的優點與效果。本發明可通過其他不同的具體實施例加以實行或應用，本說明書中的各項細節也可基於不同觀點與應用，在不背離本發明的構思下進行各種修改與變更。另外，本發明的附圖僅為簡單示意說明，並非依實際尺寸的描繪，事先聲明。以下的實施方式將進一步詳細說明本發明的相關技術內容，但所公開的內容並非用以限制本發明的保護範圍。另外，本文中所使用的術語“或”，應視實際情況可能包括相關聯的列出項目中的任一個或者多個的組合。
參閱圖1至圖33所示，本發明提供一種發光二極體封裝結構的製作方法，其包括：首先，提供多個發光二極體晶片1，每一發光二極體晶片1包括裸露的兩個導電焊墊100；接著，形成多個量子點材料層3，以分別包覆多個發光二極體晶片1；然後，形成多個藍光散射材料層4，以分別設置在量子點材料層3上。其中，發光二極體封裝結構S包括發光二極體晶片1、量子點材料層3以及藍光散射材料層4。值得注意的是，藍光散射材料層4可以替換成一藍光吸收材料層。
參閱圖11、圖20與圖33所示，本發明提供一種發光二極體封裝結構S，其包括：一發光二極體晶片1、一量子點材料層3以及一藍光散射材料層4。其中，發光二極體晶片1包括裸露的兩個導電焊墊100，量子點材料層3包覆發光二極體晶片1，並且藍光散射材料層4設置在量子點材料層3上。值得注意的是，藍光散射材料層4可以替換成一藍光吸收材料層。
參閱圖11、圖20與圖33所示，本發明提供一種發光二極體顯示器Z，其包括：一電路基板P、多個發光二極體群組C以及一黑色矩陣M。多個發光二極體群組C設置在電路基板P上且電性連接於電路基板P，並且黑色矩陣M設置在電路基板P上，以圍繞每一發光二極體群組C。其中，發光二極體群組C為一藍色發光二極體晶片1或者一發光二極體封裝結構S。其中，發光二極體封裝結構S包括一發光二極體晶片1、一量子點材料層3以及一藍光散射材料層4。發光二極體晶片1包括裸露的兩個導電焊墊100，量子點材料層3包覆發光二極體晶片1，並且藍光散射材料層4設置在量子點材料層3上。值得注意的是，藍光散射材料層4可以替換成一藍光吸收材料層。
[第一實施例]
參閱圖1至圖11所示，本發明第一實施例提供一種發光二極體封裝結構的製作方法，其包括：首先，配合圖1與圖2所示，將多個發光二極體晶片1設置在一第一可移除式基板S1上（步驟S100）；接著，配合圖1與圖3所示，形成一保護層2於第一可移除式基板S1上，以覆蓋多個發光二極體晶片1（步驟S102）；然後，配合圖1與圖4所示，形成一初始光阻層L1於保護層2上（步驟S104）；接下來，配合圖1、圖4與圖5所示，移除初始光阻層L1的一部分，以形成圍繞每一發光二極體晶片1的一圖案化光阻層L2，圖案化光阻層L2具有分別容置多個發光二極體晶片1的多個容置空間R（步驟S106）；緊接著，配合圖1與圖6所示，分別形成多個量子點材料層3於多個容置空間R內（步驟S108）；然後，配合圖1與圖7所示，形成一藍光散射材料4a（或者一藍光吸收材料）於圖案化光阻層L2與多個量子點材料層3上，藍光散射材料4a包括多個藍光散射材料層4（步驟S110）；接下來，配合圖1、圖8與圖9所示，將包括有多個藍光散射材料層4的藍光散射材料4a貼附在一第二可移除式基板S2上（步驟S112）；緊接著，配合圖1、圖9與圖10所示，移除第一可移除式基板S1（步驟S114）；然後，配合圖1、圖10與圖11所示，將發光二極體封裝結構S從第二可移除式基板S2與圖案化光阻層L2分離（步驟S116），並且發光二極體封裝結構S可以透過導電材料（例如錫球或者錫膏）而設置在一電路基板P。
舉例來說，第一可移除式基板S1包括一第一承載基板以及設置在第一承載基板上的一第一黏著層（例如UV解膠膜或者熱解膠膜），並且第二可移除式基板S2包括一第二承載基板以及設置在第二承載基板上的一第二黏著層（例如UV解膠膜或者熱解膠膜）。另外，發光二極體晶片1可為任何一種能發光藍光的藍色發光二極體晶片，並且保護層2可為厚度約為100 nm的一親水性無機固化膠，以用於保護第一可移除式基板S1的第一黏著層不會接觸到疏水性的初始光阻層L1。再者，當量子點膠體液填入容置空間R內後再經過固化，就能形成量子點材料層3，所以量子點材料層3可由親水性的量子點膠體液所形成。此外，藍光散射材料層4可由厚度約為100 nm至5 μm之間的TiO2 、SiO2 、ZrO2 等藍光散射材料4a所製成，這些藍光散射材料4a能增加藍光的散射效果，使得透過藍光散射材料層4而產生散射的藍光能夠再次返回量子點材料層3，藉此以提升藍光經過量子點材料層3時的光波長轉換效能。值得注意的是，藍光散射材料層4也可以替換成一藍光吸收層，並且藍光吸收層可由能提升藍光吸收效果的有機材料所製成，或者藍光散射材料4a與藍光吸收材料也可以混合在一起使用，藉此以提升藍光經過量子點材料層3時的光波長轉換效能。值得注意的是，在步驟S116中，發光二極體封裝結構S可以透過雷射加工而從第二可移除式基板S2與圖案化光阻層L2分離，同時多個藍光散射材料層4會彼此分離，而留下少部分的藍光散射材料4a，並且保護層2也會被分出好幾段。然而，上述所舉的例子只是其中一可行的實施例而並非用以限定本發明。
再者，配合圖10與圖11所示，本發明第一實施例進一步提供一種發光二極體封裝結構S，其包括：一發光二極體晶片1、一量子點材料層3以及一藍光散射材料層4。更進一步來說，發光二極體晶片1包括裸露的兩個導電焊墊100，量子點材料層3包覆發光二極體晶片1，並且藍光散射材料層4設置在量子點材料層3上。舉例來說，發光二極體晶片1具有一底端1001、一頂端1002以及連接於底端1001與頂端1002之間的一外周圍1003，發光二極體晶片1的頂端1002與外周圍1003被一保護層2所覆蓋，並且保護層2被量子點材料層3所覆蓋。另外，發光二極體晶片1的底端1001未被保護層2所覆蓋，並且兩個導電焊墊100設置在發光二極體晶片1的底端1001上。此外，保護層2被量子點材料層3所覆蓋，量子點材料層3的一上表面3001被藍光散射材料層4所覆蓋，並且量子點材料層3的一周圍表面3003未被藍光散射材料層4所覆蓋。然而，上述所舉的例子只是其中一可行的實施例而並非用以限定本發明。
再者，如圖11所示，本發明第一實施例還進一步提供一種發光二極體顯示器Z，其包括：一電路基板P、多個發光二極體群組C以及一黑色矩陣M。更進一步來說，多個發光二極體群組C設置在電路基板P上且電性連接於電路基板P，黑色矩陣M設置在電路基板P上，以圍繞每一發光二極體群組C，並且發光二極體群組C可為一藍色發光二極體晶片1B或者一發光二極體封裝結構S。再者，發光二極體封裝結構S包括：具有裸露的兩個導電焊墊100的一發光二極體晶片1（例如藍色發光二極體晶片）、包覆發光二極體晶片1的一量子點材料層3以及設置在量子點材料層3上的一藍光散射材料層4。舉例來說，當發光二極體封裝結構S為一紅色發光二極體封裝結構SR時，發光二極體晶片1為一藍色發光二極體晶片，並且量子點材料層3為一紅色量子點材料層。當發光二極體封裝結構S為一綠色發光二極體封裝結構SG時，發光二極體晶片1為一藍色發光二極體晶片，並且量子點材料層3為一綠色量子點材料層。然而，上述所舉的例子只是其中一可行的實施例而並非用以限定本發明。
[第二實施例]
參閱圖12至圖20所示，本發明第二實施例提供一種發光二極體封裝結構的製作方法，其包括：首先，配合圖12與圖13所示，將多個發光二極體晶片1設置在一第一可移除式基板S1上（步驟S200）；接著，配合圖12與圖13所示，形成一初始光阻層L1於第一可移除式基板S1上，以覆蓋多個發光二極體晶片1（步驟S202）；然後，配合圖12、圖13與圖14所示，移除初始光阻層L1的一部分，以形成圍繞每一發光二極體晶片1的一圖案化光阻層L2，圖案化光阻層L2具有分別容置多個發光二極體晶片1的多個容置空間R（步驟S204）；接下來，配合圖12與圖15所示，分別形成多個量子點材料層3於多個容置空間R內（步驟S206）；緊接著，配合圖12與圖16所示，形成一藍光散射材料4a（或者一藍光吸收材料）於圖案化光阻層L2與多個量子點材料層3上，藍光散射材料4a包括多個藍光散射材料層4（步驟S208）；然後，配合圖12、圖17與圖18所示，將包括有多個藍光散射材料層4的藍光散射材料4a貼附在一第二可移除式基板S2上（步驟S210）；接下來，配合圖12、圖18與圖19所示，移除第一可移除式基板S1（步驟S212）；緊接著，配合圖12、圖19與圖20所示，將發光二極體封裝結構S從第二可移除式基板S2與圖案化光阻層L2分離（步驟S214），並且發光二極體封裝結構S可以透過導電材料（例如錫球或者錫膏）而設置在一電路基板P。
舉例來說，第一可移除式基板S1包括一第一承載基板以及設置在第一承載基板上的一第一黏著層（例如UV解膠膜或者熱解膠膜），第二可移除式基板S2包括一第二承載基板以及設置在第二承載基板上的一第二黏著層（例如UV解膠膜或者熱解膠膜），並且發光二極體晶片1可為任何一種能發光藍光的藍色發光二極體晶片。再者，當量子點膠體液填入容置空間R內後再經過固化，就能形成量子點材料層3，所以量子點材料層3可由親水性的量子點膠體液所形成。此外，藍光散射材料層4可由厚度約為100 nm至5 μm之間的TiO2 、SiO2 、ZrO2 等藍光散射材料4a所製成，這些藍光散射材料4a能增加藍光的散射效果，使得透過藍光散射材料層4而產生散射的藍光能夠再次返回量子點材料層3，藉此以提升藍光經過量子點材料層3時的光波長轉換效能。值得注意的是，藍光散射材料層4也可以替換成一藍光吸收層，並且藍光吸收層可由能提升藍光吸收效果的有機材料所製成，或者藍光散射材料4a與藍光吸收材料也可以混合在一起使用，藉此以提升藍光經過量子點材料層3時的光波長轉換效能。值得注意的是，在步驟S214中，發光二極體封裝結構S可以透過雷射加工而從第二可移除式基板S2與圖案化光阻層L2分離，同時多個藍光散射材料層4會彼此分離，而留下少部分的藍光散射材料4a。然而，上述所舉的例子只是其中一可行的實施例而並非用以限定本發明。
再者，配合圖19與圖20所示，本發明第二實施例進一步提供一種發光二極體封裝結構S，其包括：一發光二極體晶片1、一量子點材料層3以及一藍光散射材料層4。更進一步來說，發光二極體晶片1包括裸露的兩個導電焊墊100，量子點材料層3包覆發光二極體晶片1，並且藍光散射材料層4設置在量子點材料層3上。舉例來說，發光二極體晶片1具有一底端1001、一頂端1002以及連接於底端1001與頂端1002之間的一外周圍1003，並且發光二極體晶片1的頂端1002與外周圍1003被量子點材料層3所覆蓋。另外，發光二極體晶片1的底端1001未被量子點材料層3所覆蓋，並且兩個導電焊墊100設置在發光二極體晶片1的底端1001上。此外，量子點材料層3的一上表面3001被藍光散射材料層4所覆蓋，並且量子點材料層3的一周圍表面3003未被藍光散射材料層4所覆蓋。然而，上述所舉的例子只是其中一可行的實施例而並非用以限定本發明。
再者，如圖20所示，本發明第二實施例還進一步提供一種發光二極體顯示器Z，其包括：一電路基板P、多個發光二極體群組C以及一黑色矩陣M。更進一步來說，多個發光二極體群組C設置在電路基板P上且電性連接於電路基板P，黑色矩陣M設置在電路基板P上，以圍繞每一發光二極體群組C，並且發光二極體群組C可為一藍色發光二極體晶片1B或者一發光二極體封裝結構S。再者，發光二極體封裝結構S包括：具有裸露的兩個導電焊墊100的一發光二極體晶片1（例如藍色發光二極體晶片）、包覆發光二極體晶片1的一量子點材料層3以及設置在量子點材料層3上的一藍光散射材料層4。舉例來說，當發光二極體封裝結構S為一紅色發光二極體封裝結構SR時，發光二極體晶片1為一藍色發光二極體晶片，並且量子點材料層3為一紅色量子點材料層。當發光二極體封裝結構S為一綠色發光二極體封裝結構SG時，發光二極體晶片1為一藍色發光二極體晶片，並且量子點材料層3為一綠色量子點材料層。然而，上述所舉的例子只是其中一可行的實施例而並非用以限定本發明。
[第三實施例]
參閱圖21至圖33所示，本發明第三實施例提供一種發光二極體封裝結構的製作方法，其包括：首先，配合圖21與圖22所示，將被一承載基材B所承載的多個發光二極體晶片1設置在一第一可移除式基板S1上（步驟S300）；接著，配合圖21、圖22與圖23所示，移除承載基材B，以裸露出每一發光二極體晶片1的一頂端1002（步驟S302）；然後，配合圖21與圖24所示，形成一初始光阻層L1於第一可移除式基板S1上，以覆蓋多個發光二極體晶片1的多個頂端1002（步驟S304）；接下來，配合圖21、圖24與圖25所示，移除初始光阻層L1的一部分，以形成圍繞每一發光二極體晶片1的頂端1002的一圖案化光阻層L2，圖案化光阻層L2具有分別裸露多個發光二極體晶片1的多個頂端1002的多個第一容置空間R1（步驟S306）；緊接著，配合圖21與圖26所示，移除第一可移除式基板S1的一部分，以形成分別連通於多個第一容置空間R1的多個第二容置空間R2，每一發光二極體晶片1的一外周圍1003被相對應的第二容置空間R2所裸露（步驟S308）；然後，配合圖21與圖27所示，形成多個量子點材料3a，每一量子點材料3a被填充於相對應的第一容置空間R1與相對應的第二容置空間R2內（步驟S310）；接下來，配合圖21與圖28所示，移除每一量子點材料3a的一部分，以形成相對應的量子點材料層3，每一量子點材料層3的一周圍表面3003被一第三容置空間R3所裸露（步驟S312）；緊接著，配合圖21與圖29所示，形成多個藍光散射材料層4，以分別覆蓋多個量子點材料層3（步驟S314）；然後，配合圖21、圖30與圖31所示，將多個藍光散射材料層4貼附在一第二可移除式基板S2上（步驟S316）；接下來，配合圖21、圖31與圖32所示，移除第一可移除式基板S1與圖案化光阻層L2（步驟S318）；緊接著，配合圖21、圖32與圖33所示，將發光二極體封裝結構S從第二可移除式基板S2分離（步驟S320），並且發光二極體封裝結構S可以透過導電材料（例如錫球或者錫膏）而設置在一電路基板P。
舉例來說，第一可移除式基板S1包括一第一承載基板以及設置在第一承載基板上的一第一黏著層（例如UV解膠膜或者熱解膠膜），第二可移除式基板S2包括一第二承載基板以及設置在第二承載基板上的一第二黏著層（例如UV解膠膜或者熱解膠膜），並且發光二極體晶片1可為任何一種能發光藍光的藍色發光二極體晶片。再者，所以量子點材料層3可由親水性的量子點膠體液所形成。此外，藍光散射材料層4可由厚度約為100 nm至5 μm之間的TiO2 、SiO2 、ZrO2 等藍光散射材料所製成，這些藍光散射材料能增加藍光的散射效果，使得透過藍光散射材料層4而產生散射的藍光能夠再次返回量子點材料層3，藉此以提升藍光經過量子點材料層3時的光波長轉換效能。值得注意的是，藍光散射材料層4也可以替換成一藍光吸收層，並且藍光吸收層可由能提升藍光吸收效果的有機材料所製成，或者藍光散射材料與藍光吸收材料也可以混合在一起使用，藉此以提升藍光經過量子點材料層3時的光波長轉換效能。值得注意的是，在步驟S320中，發光二極體封裝結構S可以透過雷射加工而從第二可移除式基板S2分離。然而，上述所舉的例子只是其中一可行的實施例而並非用以限定本發明。
再者，配合圖32與圖33所示，本發明第三實施例進一步提供一種發光二極體封裝結構S，其包括：一發光二極體晶片1、一量子點材料層3以及一藍光散射材料層4。更進一步來說，發光二極體晶片1包括裸露的兩個導電焊墊100，量子點材料層3包覆發光二極體晶片1，並且藍光散射材料層4設置在量子點材料層3上。舉例來說，發光二極體晶片1具有一底端1001、一頂端1002以及連接於底端1001與頂端1002之間的一外周圍1003，並且發光二極體晶片1的頂端1002與外周圍1003被量子點材料層3所覆蓋。另外，發光二極體晶片1的底端1001未被量子點材料層3所覆蓋，並且兩個導電焊墊100設置在發光二極體晶片1的底端1001上。此外，量子點材料層3具有一上表面3001、一下表面3002以及連接於上表面3001與下表面3002之間的一周圍表面3003，量子點材料層3的上表面3001與周圍表面3003被藍光散射材料層4所覆蓋，並且藍光散射材料層4的一下表面4002與量子點材料層3的下表面3002相互齊平。然而，上述所舉的例子只是其中一可行的實施例而並非用以限定本發明。
再者，如圖33所示，本發明第三實施例還進一步提供一種發光二極體顯示器Z，其包括：一電路基板P、多個發光二極體群組C以及一黑色矩陣M。更進一步來說，多個發光二極體群組C設置在電路基板P上且電性連接於電路基板P，黑色矩陣M設置在電路基板P上，以圍繞每一發光二極體群組C，並且發光二極體群組C可為一藍色發光二極體晶片1B或者一發光二極體封裝結構S。再者，發光二極體封裝結構S包括：具有裸露的兩個導電焊墊100的一發光二極體晶片1（例如藍色發光二極體晶片）、包覆發光二極體晶片1的一量子點材料層3以及設置在量子點材料層3上的一藍光散射材料層4。舉例來說，當發光二極體封裝結構S為一紅色發光二極體封裝結構SR時，發光二極體晶片1為一藍色發光二極體晶片，並且量子點材料層3為一紅色量子點材料層。當發光二極體封裝結構S為一綠色發光二極體封裝結構SG時，發光二極體晶片1為一藍色發光二極體晶片，並且量子點材料層3為一綠色量子點材料層。然而，上述所舉的例子只是其中一可行的實施例而並非用以限定本發明。
[實施例的有益效果]
本發明的其中一有益效果在於，本發明所提供的發光二極體封裝結構S以及發光二極體顯示器Z，其能通過“量子點材料層3包覆發光二極體晶片1”以及“藍光散射材料層4設置在量子點材料層3上”的技術方案，以增加藍光的散射效果，進而直接提升藍光經過量子點材料層3時的光波長轉換效能。值得注意的是，藍光散射材料層4可以替換成用於增加藍光吸收效果的一藍光吸收材料層，進而降低藍光穿過藍光吸收材料層的可能性，藉此以間接提升量子點材料層3的光波長轉換效能。
本發明的另外一有益效果在於，本發明所提供的發光二極體封裝結構的製作方法，其能通過“形成多個量子點材料層3，以分別包覆多個發光二極體晶片1”以及“形成多個藍光散射材料層4，以分別設置在量子點材料層3上”的技術方案，以增加藍光的散射效果，進而直接提升藍光經過量子點材料層3時的光波長轉換效能。值得注意的是，藍光散射材料層4可以替換成用於增加藍光吸收效果的一藍光吸收材料層，進而降低藍光穿過藍光吸收材料層的可能性，藉此以間接提升量子點材料層3的光波長轉換效能。
以上所公開的內容僅為本發明的優選可行實施例，並非因此侷限本發明的申請專利範圍，所以凡是運用本發明說明書及圖式內容所做的等效技術變化，均包含於本發明的申請專利範圍內。
Z:發光二極體顯示器 P:電路基板 C:發光二極體群組 M:黑色矩陣 1B:藍色發光二極體晶片 SR:紅色發光二極體封裝結構 SG:綠色發光二極體封裝結構 S:發光二極體封裝結構 1:發光二極體晶片 100:導電焊墊 1001:底端 1002:頂端 1003:外周圍 2:保護層 3:量子點材料層 3001:上表面 3002:下表面 3003:周圍表面 4:藍光散射材料層 4002:下表面 S1:第一可移除式基板 S2:第二可移除式基板 L1:初始光阻層 L2:圖案化光阻層 3a:量子點材料 4a:藍光散射材料 B:承載基材 R:容置空間 R1:第一容置空間 R2:第二容置空間 R3:第三容置空間
圖1為本發明第一實施例的發光二極體封裝結構的製作方法的流程圖。
圖2為本發明第一實施例的發光二極體封裝結構的製作方法的步驟S100的剖面示意圖。
圖3為本發明第一實施例的發光二極體封裝結構的製作方法的步驟S102的剖面示意圖。
圖4為本發明第一實施例的發光二極體封裝結構的製作方法的步驟S104的剖面示意圖。
圖5為本發明第一實施例的發光二極體封裝結構的製作方法的步驟S106的剖面示意圖。
圖6為本發明第一實施例的發光二極體封裝結構的製作方法的步驟S108的剖面示意圖。
圖7為本發明第一實施例的發光二極體封裝結構的製作方法的步驟S110的剖面示意圖。
圖8為本發明第一實施例的發光二極體封裝結構的製作方法的步驟S112進行前的剖面示意圖。
圖9為本發明第一實施例的發光二極體封裝結構的製作方法的步驟S112進行後的剖面示意圖。
圖10為本發明第一實施例的發光二極體封裝結構的製作方法的步驟S114的剖面示意圖。
圖11為本發明第一實施例的發光二極體封裝結構與發光二極體顯示器的剖面示意圖。
圖12為本發明第二實施例的發光二極體封裝結構的製作方法的流程圖。
圖13為本發明第二實施例的發光二極體封裝結構的製作方法的步驟S200與步驟S202的剖面示意圖。
圖14為本發明第二實施例的發光二極體封裝結構的製作方法的步驟S204的剖面示意圖。
圖15為本發明第二實施例的發光二極體封裝結構的製作方法的步驟S206的剖面示意圖。
圖16為本發明第二實施例的發光二極體封裝結構的製作方法的步驟S208的剖面示意圖。
圖17為本發明第二實施例的發光二極體封裝結構的製作方法的步驟S210進行前的剖面示意圖。
圖18為本發明第二實施例的發光二極體封裝結構的製作方法的步驟S210進行後的剖面示意圖。
圖19為本發明第二實施例的發光二極體封裝結構的製作方法的步驟S212的剖面示意圖。
圖20為本發明第二實施例的發光二極體封裝結構與發光二極體顯示器的剖面示意圖。
圖21為本發明第三實施例的發光二極體封裝結構的製作方法的流程圖。
圖22為本發明第三實施例的發光二極體封裝結構的製作方法的步驟S300的剖面示意圖。
圖23為本發明第三實施例的發光二極體封裝結構的製作方法的步驟S302的剖面示意圖。
圖24為本發明第三實施例的發光二極體封裝結構的製作方法的步驟S304的剖面示意圖。
圖25為本發明第三實施例的發光二極體封裝結構的製作方法的步驟S306的剖面示意圖。
圖26為本發明第三實施例的發光二極體封裝結構的製作方法的步驟S308的剖面示意圖。
圖27為本發明第三實施例的發光二極體封裝結構的製作方法的步驟S310的剖面示意圖。
圖28為本發明第三實施例的發光二極體封裝結構的製作方法的步驟S312的剖面示意圖。
圖29為本發明第三實施例的發光二極體封裝結構的製作方法的步驟S314的剖面示意圖。
圖30為本發明第三實施例的發光二極體封裝結構的製作方法的步驟S316進行前的剖面示意圖。
圖31為本發明第三實施例的發光二極體封裝結構的製作方法的步驟S316進行後的剖面示意圖。
圖32為本發明第三實施例的發光二極體封裝結構的製作方法的步驟S318的剖面示意圖。
圖33為本發明第三實施例的發光二極體封裝結構與發光二極體顯示器的剖面示意圖。
Z:發光二極體顯示器
P:電路基板
C:發光二極體群組
M:黑色矩陣
1B:藍色發光二極體晶片
SR:紅色發光二極體封裝結構
SG:綠色發光二極體封裝結構
S:發光二極體封裝結構
1:發光二極體晶片
100:導電焊墊
1001:底端
1002:頂端
1003:外周圍
2:保護層
3:量子點材料層
3001:上表面
3003:周圍表面
4:藍光散射材料層

Claims (7)

  1. 一種發光二極體封裝結構，其包括：一發光二極體晶片，所述發光二極體晶片包括裸露的兩個導電焊墊；一量子點材料層，所述量子點材料層包覆所述發光二極體晶片；以及一藍光散射材料層，所述藍光散射材料層設置在所述量子點材料層上；其中，所述藍光散射材料層的一下表面與所述發光二極體晶片的一底端齊平。
  2. 如請求項1所述的發光二極體封裝結構，其中，所述發光二極體晶片具有所述底端、一頂端以及連接於所述底端與所述頂端之間的一外周圍，所述發光二極體晶片的所述頂端與所述外周圍被一保護層所覆蓋，且所述保護層被所述量子點材料層所覆蓋；其中，所述發光二極體晶片的所述底端未被所述保護層所覆蓋，且兩個所述導電焊墊設置在所述發光二極體晶片的所述底端上；其中，所述保護層被所述量子點材料層所覆蓋，所述量子點材料層的一上表面被所述藍光散射材料層所覆蓋，且所述量子點材料層的一周圍表面未被所述藍光散射材料層所覆蓋；其中，所述藍光散射材料層由一藍光吸收材料層所替換。
  3. 如請求項1所述的發光二極體封裝結構，其中，所述發光二極體晶片具有所述底端、一頂端以及連接於所述底端與所述頂端之間的一外周圍，且所述發光二極體晶片的所述頂端與所述外周圍被所述量子點材料層所覆蓋；其中，所述發光二 極體晶片的所述底端未被所述量子點材料層所覆蓋，且兩個所述導電焊墊設置在所述發光二極體晶片的所述底端上；其中，所述量子點材料層具有一上表面、一下表面以及連接於所述上表面與所述下表面之間的一周圍表面，所述量子點材料層的所述上表面與所述周圍表面被所述藍光散射材料層所覆蓋，且所述藍光散射材料層的所述下表面與所述量子點材料層的所述下表面相互齊平；其中，所述藍光散射材料層由一藍光吸收材料層所替換；當所述發光二極體封裝結構設置在一電路基板時，所述藍光散射材料層不會接觸到所述電路基板。
  4. 一種發光二極體顯示器，其包括：一電路基板；多個發光二極體群組，多個所述發光二極體群組設置在所述電路基板上且電性連接於所述電路基板；以及一黑色矩陣，所述黑色矩陣設置在所述電路基板上，以圍繞每一所述發光二極體群組；其中，所述發光二極體群組為一藍色發光二極體晶片或者一發光二極體封裝結構；其中，所述發光二極體封裝結構包括：一發光二極體晶片、一量子點材料層以及一藍光散射材料層，所述發光二極體晶片包括裸露的兩個導電焊墊，所述量子點材料層包覆所述發光二極體晶片，所述藍光散射材料層設置在所述量子點材料層上；其中，所述藍光散射材料層的一下表面與所述發光二極體晶片的一底端齊平，且所述藍光散射材料層不會接觸到所述電路基板。
  5. 如請求項4所述的發光二極體顯示器，其中，當所述發光二極體封裝結構為一紅色發光二極體封裝結構時，所述發光二極體晶片為一藍色發光二極體晶片，所述量子點材料層為一紅色量子點材料層；其中，當所述發光二極體封裝結構為一綠色發光二極體封裝結構時，所述發光二極體晶片為一藍色發光二極體晶片，所述量子點材料層為一綠色量子點材料層；其中，所述藍光散射材料層由一藍光吸收材料層所替換。
  6. 一種發光二極體封裝結構的製作方法，其包括：提供多個發光二極體晶片，每一所述發光二極體晶片包括裸露的兩個導電焊墊；形成多個量子點材料層，以分別包覆多個所述發光二極體晶片；以及形成多個藍光散射材料層，以分別設置在所述量子點材料層上；其中，所述發光二極體封裝結構包括所述發光二極體晶片、所述量子點材料層以及所述藍光散射材料層；其中，所述藍光散射材料層的一下表面與所述發光二極體晶片的一底端齊平。
  7. 如請求項6所述的發光二極體封裝結構的製作方法，進一步包括：將被一承載基材所承載的多個所述發光二極體晶片設置在一第一可移除式基板上；移除所述承載基材，以裸露出每一所述發光二極體晶片的一頂端；形成一初始光阻層於所述第一可移除式基板上，以覆蓋多個 所述發光二極體晶片的多個所述頂端；移除所述初始光阻層的一部分，以形成圍繞每一所述發光二極體晶片的所述頂端的一圖案化光阻層，所述圖案化光阻層具有分別裸露多個所述發光二極體晶片的多個所述頂端的多個第一容置空間；移除所述第一可移除式基板的一部分，以形成分別連通於多個所述第一容置空間的多個第二容置空間，每一所述發光二極體晶片的一外周圍被相對應的所述第二容置空間所裸露；形成多個量子點材料，每一所述量子點材料被填充於相對應的所述第一容置空間與相對應的所述第二容置空間內；移除每一所述量子點材料的一部分，以形成相對應的所述量子點材料層，每一所述量子點材料層的一周圍表面被一第三容置空間所裸露；形成多個所述藍光散射材料層，以分別覆蓋多個所述量子點材料層；將多個所述藍光散射材料層貼附在一第二可移除式基板上；移除所述第一可移除式基板與所述圖案化光阻層；以及將所述發光二極體封裝結構從所述第二可移除式基板分離；當所述發光二極體封裝結構設置在一電路基板時，所述藍光散射材料層不會接觸到所述電路基板。
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