TWI767779B - 檢測和中和電荷裝置與其檢測和中和電荷的方法 - Google Patents

Abstract

一種檢測和中和電荷裝置，在一真空腔室中設置一電子光學系統和一 電荷中和部件，電子光學系統輸出一帶電粒子束至該真空腔室中的一觀測位置，電荷中和部件則提供一聚焦真空紫外光到達該觀測位置處以中和累積的電荷。

Description

檢測和中和電荷裝置與其檢測和中和電荷的方法

本發明涉及一種中和電荷的技術，特別是一種關於檢測和中和電荷裝置與其檢測方法。

面板廠在剝離面板的保護膜時，為避免剝離產生靜電而導致電性損壞，在剝離保護膜的過程中，透過紫外光普照射面板的方式，移除剝離所產生靜電。

台灣專利號I484522揭露一種帶電粒子射線裝置，以實現靜電夾頭的除電裝置，透過紫外光和被紫外光照射的被照射構件設置在靜電夾頭的吸附面的垂線方向，達到為靜電夾頭除電的目的。

本發明提供一種可進行檢測和中和電荷的檢測和中和電荷裝置，利用聚焦的真空紫外光，於帶電粒子束掃描式的檢測過程中、持續中和在被觀測對象上的累積電荷。

本發明提供一種可進行檢測和中和電荷的檢測和中和電荷裝置，以聚焦的真空紫外光照射在帶電粒子束與被觀測對象上作用的區域，藉以持續地去除累積電荷。

根據上述，一種檢測和中和電荷裝置，包括：一真空腔室；一電子光學系統，其輸出一帶電粒子束至該真空腔室中的一觀測位置，該帶電粒子束與該觀測位置處的一待測對象作用以產生被檢測的訊號；及一電荷中和部件，提供一聚焦真空紫外光到達該觀測位置處以中和該待測對象上的電荷，其中，該電荷中和部件包括發出一真空紫外光的一出光面以及匯聚該真空紫外光形成該聚焦真空紫外光的一聚光件，以及該聚光件非設置於該帶電粒子束輸出至該觀測位置的路徑上。

於一例中，真空紫外光的波長為10奈米(nm)至300奈米(nm)，較佳範圍為100奈米(nm)~200奈米(nm)。

於一例中，該聚光件包括一凸透鏡設置於該出光面處或是貼靠該出光面以接收並匯聚該真空紫外光。

於一例中，更包括一調整件調整該平面反射鏡的位置或方位或上述二者的組合。

於一例中，該聚光件包括一凹面反射鏡設置於該出光面處以接收並匯聚反射該真空紫外光，該凹面反射鏡是可旋轉的。

於一例中，該聚光件包括設置於一鏡筒中的一準直鏡和一聚焦鏡片，該準直鏡設置於該出光面處或是貼靠該出光面。

於一例中，該聚光件包括一光纖、一光導、一聚光鏡結合一光纖或是一聚光鏡結合一光導。

於一例中，聚焦真空紫外光以非平行該帶電粒子束方向入射至該觀測位置處。

於一例中，該聚焦真空紫外光在該觀測位置處的一直徑為0.005毫米(mm)~50毫米(mm)，較佳為小於10毫米(mm)，更佳為小於5毫米(mm)。

於一例中，該電荷中和部件為複數個。

根據上述，一種使用上述裝置的檢測和中和電荷的方法，包括：將待測對象移入真空腔室的觀測位置處；入射帶電粒子束至該觀測位置處，使該帶電粒子束和該待測對象作用產生被檢測的訊號；及入射聚焦真空紫外光至該觀測位置處，藉以中和該待測對象上的電荷。

於一例中，檢測和中和電荷的方法更包括以該聚焦真空紫外光照射該觀測位置處一預定時間後關閉該聚焦真空紫外光或阻擋該聚焦真空紫外光照射該觀測位置處。

於一例中，檢測和中和電荷的方法更包括交替和同時提供該帶電粒子束的步驟和提供該聚焦真空紫外光的步驟。

於一例中，該聚焦真空紫外光的波長為100奈米(nm)~200奈米(nm)。

於一例中，提供該聚焦真空紫外光的步驟包括提供複數該聚焦真空紫外光至該觀測位置處。

1、2、4、5、6、7、8、9:檢測和中和電荷裝置

10:腔體

12:電子光學系統

13:真空腔室

14、24、51、63、64、74、84、94:電荷中和部件

15:抽真空設備

21:帶電粒子束

23:觀測位置

32:承載件

33:調整座

34:待測對象

41、46:聚焦真空紫外光

42:出光面

43:真空紫外光

44:聚光件

45:反射件

47:調整件

48:聚焦鏡片

49:準直鏡

50:鏡筒

53:光導件

52、54、56:步驟

θ、α:角度

65:固定件

66:紫外光源設備

圖1為本發明的第一實施例的帶電粒子束檢測系統的檢測和中和電荷裝置的側面示意圖。

圖2為本發明的第一實施例的帶電粒子束檢測系統執行一檢測和中和電荷的方法的步驟示意圖。

圖3為本發明的第二實施例的帶電粒子束檢測系統的檢測和中和電荷裝置的側面示意圖。

圖4為本發明的第三實施例的帶電粒子束檢測系統的檢測和中和電荷裝置的側面示意圖。

圖5為本發明的第四實施例的帶電粒子束檢測系統的檢測和中和電荷裝置的側面示意圖。

圖6為本發明的第五實施例的帶電粒子束檢測系統的檢測和中和電荷裝置的側面示意圖。

圖7為本發明的第六實施例的帶電粒子束檢測系統的檢測和中和電荷裝置的側面示意圖。

圖8為本發明的第六實施例的電荷中和部件的放大側面示意圖。

圖9為本發明的第七實施例的帶電粒子束檢測系統的檢測和中和電荷裝置的側面示意圖。

圖10為本發明的第八實施例的帶電粒子束檢測系統的檢測和中和電荷裝置的側面示意圖。

本發明以下所述的電荷中和裝置，可應用於包括電子儀、離子儀和顯微術等方面的檢測設備。舉例但不限地，電子儀可以是歐傑電子影像能譜儀(Auger Electron Microprobe)、X光光電子能譜儀(X-ray Photoelectron Spectrometer,XPS)、角析真空紫外光電子能譜儀(Angle Resolved Ultraviolet Photoelectron Spectrometer,ARUPS)或高解析電子能量損失頻譜儀(High Resolution Electron Energy Loss Spectrometer,HREELS)等等。離子儀可以是離 子散射譜儀(Ion Scattering Spectrometer,ISS)、二次離子質譜儀(Secondary Ion Mass Spectrometer,SIMS)或聚焦離子束微分析儀(Focused Ion Beam Microanalyzer)等等。顯微術可以是掃描電子顯微鏡(Scanning Electron Microscope,SEM)、穿透電子顯微鏡(Transmission Electron Microscope,TEM)、掃描穿透電子顯微鏡(Scanning Transmission Electron Microscope,STEM)或場離子顯微鏡(Field Ion Microscope,FIM)等等。上述電子儀、離子儀或顯微術設備以帶電粒子束與待測樣品作用，可產生包括二次電子、背向散射電子、歐傑電子(Auger electron)、散射離子或特徵X光等訊號。此些訊號帶有待測樣品的材料或結構的訊息，故可被捕捉後進一步檢測分析。而以下所稱的帶電粒子束檢測系統，可包括上述電子儀、離子儀和顯微術等方面的檢測設備，也請理解的，此些檢測設備的基本或標準的元件及結構等將不一一標示說明，以避免贅述。

上述檢測設備可檢測的待測樣品或有差異，待測樣品採樣後可逕行移至檢測設備中成為待測對象去進行檢測。本發明以下所稱的待測對象的材料，舉例但不限的，包括石英、玻璃、陶瓷、高分子、金屬氧化物、半導體氧化物、金屬氮化物、半導體氮化物、半導體或膠材(glue)等。可以理解的，因考量檢測原理、檢測過程等因素的考量，若干待測樣品採樣後會進行表面處理後，才能移至檢測設備中成為待測對象，如此的方式不免增加檢測成本。

本發明所述的真空紫外光，其波長範圍為10奈米(nm)~300奈米(nm)，涵蓋一般所稱的短波長紫外光(Ultraviolet-C,UVC)及真空紫外光(vacuum ultraviolet,VUV)。

圖1為本發明的第一實施例的帶電粒子束檢測系統的檢測和中和電荷裝置的側面示意圖。請參考圖1，檢測和中和電荷裝置2包括一腔體10、一 電子光學系統12和一電荷中和部件14。於一實施例中，腔體10提供一空間作為帶電粒子束檢測系統的一真空腔室13，例如透過帶電粒子束檢測系統的抽真空設備15，將腔體10提供的空間抽成真空，形成真空腔室13。電子光學系統12為輸出帶電粒子束21(charged particle beam)的系統，包括發射帶電粒子束的電荷產生源、相應的光學部件以及成像部件。電子光學系統12可固定在腔體10上，或是其一部分或全部設置於真空腔室13中。電荷產生源發射一帶電粒子束通過相應的光學部件後進入真空腔室13中。檢測和中和電荷裝置2可更包括一承載件32，一待測對象34放置於承載件32上，並可由該承載件32將待測對象34調整至一觀測位置23。其次，檢測和中和電荷裝置2可更包括一調整座33連接承載件32，調整座33以平移、升降、傾斜、旋轉等方式調整承載件32的位置、傾角、旋轉與否或方位，進而改變待測對象34的位置、傾轉角度或方位等等。電子光學系統12之進入真空腔室13中的帶電粒子束21到達上述的觀測位置23，帶電粒子束21可和觀測位置23處的待測對象34作用，產生帶有待測對象訊息的訊號，電子光學系統12捕捉訊號以得到待測對象訊息的影像。舉例但不限地，待測對象34的材料可以是石英、玻璃、陶瓷、高分子、金屬氧化物、半導體氧化物、金屬氮化物、半導體氮化物、半導體或膠材或上述一或多的組合；待測對象訊息，包括待測樣品的材料或表面結構或上述的組合。

續參考圖1，觀測位置23包括帶電粒子束21和待測對象34作用的區域，其中作用的區域可以是待測對象34的表面或待測對象34表面以下的區域。要說明的是，在使用帶電粒子束21進行檢測的檢測過程中，帶電粒子束21和待測對象34作用，並在待測對象34的表面持續產生電荷，進而造成電荷累積。檢測過程中、在待測對象34的表面所累積的電荷會影響訊號成像，故傳統 作法中將待測樣品先進行表面處理(如鍍上導電薄膜)可減少電荷累積。然在本發明中，是在掃描過程中持續中和電荷的方式避免累積電荷。是以，本發明採取在電荷中和部件14搭配真空腔室13的方式，將聚焦真空紫外光41入射至觀測位置23處，可持續地於觀測位置23處產生中和作用，其或是將微量氣體解離成帶有正電或負電的離子，進而中和了累積的電荷，或/及聚焦真空紫外光41照射至待測對象34的材料表面誘發光電效應產生電荷，進而中和了累積的電荷。於一實施例中，電荷中和部件14包括發出真空紫外光43的一出光面42以及設置於出光面42上的一聚光件44，聚光件44匯聚來自出光面42的真空紫外光43，藉以提高進入觀測位置23的單位面積的光通量。其次，出光面42可由商售的真空紫外光儀/設備提供，而一般商售的真空紫外光儀/設備所發射的真空紫外光43為準直光束或略發散光束。聚光件44，例如一凸透鏡，設置於腔體10處或位於真空腔室13中，其將真空紫外光43聚焦並朝向觀測位置23處或周圍輸出聚焦真空紫外光41，如此可將單位面積高光通量的聚焦真空紫外光41集中至觀測位置23處、產生正電荷、進而使用正電荷中和待測對象34附近的累積電荷。舉例但不限地，由聚光件44射出的聚焦真空紫外光41直接入射至的待測對象34的表面，聚焦真空紫外光41到達待測對象34的表面時的照光面積的直徑為0.005毫米(mm)~50毫米(mm)，以小於10mm為佳，例如為5公厘(mm)，藉以集中的光通量產生正或負電荷來中和觀測位置23處非訊號的電荷。另外，也可藉由調整座33的調整，改變待測對象34的位置、傾轉角度或方位，藉以搭配聚焦真空紫外光41照射的角度、位置和範圍，避開真空腔室13中其他部件或待測對象34本身結構的遮光，進而增加電荷中和或減除的效益。

續參考圖1，電子光學系統12通常在觀測位置23的正上方，因此電荷中和部件14輸出的聚焦真空紫外光41是以傾斜一θ角度(承載件32的表面和聚焦真空紫外光41的夾角)的方向到達觀測位置23處，帶電粒子束21和聚焦真空紫外光41非平行，聚焦真空紫外光41和待測對象34之間的θ角度小於180度。其次，電荷中和部件14的聚光件44非設置於帶電粒子束21至觀測位置23的路徑上。

依據上述，本發明提供一可在檢測過程中進行中和電荷的檢測和中和電荷裝置及以此裝置執行一檢測過程，請參考圖2，步驟52：將一待測對象移入本發明的檢測和中和電荷裝置的真空腔室中，並且調整待測對象至一觀測位置。以帶電粒子束檢測系統執行檢測而言，觀測位置通常在帶電粒子束檢測系統的電荷發生源的正下方，但本發明不限於此。步驟54：提供帶電粒子束入射至觀測位置的待測對象，使得帶電粒子束與待測對象作用。步驟56：提供聚焦真空紫外光入射至觀測位置的待測對象，其中聚焦真空紫外光入射到觀測位置的時間會持續一預定時間，以將非訊號的累積電荷中和。待聚焦真空紫外光被關閉或阻擋後，執行帶電粒子束與待測對象作用以產生帶有待測對象訊息的訊號作為取像之用。可以選擇的，在搭配帶有待測對象訊息的訊號被捕捉較不易受到干擾的設備中，本發明提供聚焦真空紫外光入射至觀測位置的步驟可以和帶電粒子束掃描待測對象同時進行，也就是提供聚焦真空紫外光不關閉而持續進行中和非訊號的電荷。

圖3為本發明的第二實施例的帶電粒子束檢測系統的檢測和中和電荷裝置的側面示意圖。和第一實施例不同之處在於檢測和中和電荷裝置4的電荷中和部件24，其聚光件44直接貼靠出光面42，並非如第一實施例中保持一 間距。因此，在第二實施例中，出光面42發出的準直真空紫外光直接進入聚光件44匯聚為聚焦真空紫外光41。

圖4為本發明的第三實施例的帶電粒子束檢測系統的檢測和中和電荷裝置的側面示意圖。請參考圖4，檢測和中和電荷裝置6的電荷中和部件64包括一光學模組設置一聚光件44和一反射件45，紫外光源設備66提供出光面42對接光學模組中的聚光件44，出光面42輸出的真空紫外光由聚光件44匯聚後，再由光學模組的反射件45反射至觀測位置23處。其次，檢測和中和電荷裝置6更包括一密封固定件65固定紫外光源設備66與光學模組的對接，並確保對接為密封狀態。和第一實施例相較，第三實施例的電荷中和部件64增加了可改變光路徑方向的反射件45，增加了電荷中和部件64設置於檢測和中和電荷裝置6的彈性。可以選擇的，電荷中和部件64可更包括調整件47，調整件47可調整反射件45的位置、角度或方位或上述組合者，進而改變聚焦真空紫外光41以和待測對象34之間的θ角度或方位。於此實施例中，聚光件44可以是單一凸透鏡或組合凸透鏡，反射件45可以是一平面反射鏡，調整件47可以是鏡座載台(stage)，固定件65可以是一法蘭(flange)。

圖5為本發明的第四實施例的帶電粒子束檢測系統的檢測和中和電荷裝置的側面示意圖。請參考圖1、4、5，第四實施例中，檢測和中和電荷裝置8的電荷中和部件84包括的聚光件44為一凹面反射鏡可進行聚焦反射，故來自出光面42的準直或略為發散的真空紫外光43可被聚光件44匯聚和反射後，到達觀測位置23處，其餘元件如前述實施例，於此不贅述。

圖6為本發明的第五實施例的帶電粒子束檢測系統的檢測和中和電荷裝置的側面示意圖。請同時參考圖1、4、5、6圖，檢測和中和電荷裝置9 的電荷中和部件94包括出光面42、準直鏡49和一聚光件44，其中聚光件44為一聚焦反射鏡片。其次，準直鏡49和一聚光件44分別設置於不同的鏡筒中，於第五實施例中，設置聚光件44的鏡筒可以單獨旋轉，例如旋轉角度為+/-45度，如此可以調整所輸出的聚焦真空紫外光41更精準地匯聚至觀測位置23處。可以理解的，設置聚光件44的鏡筒也可以被調整傾角，其餘元件如前述實施例，於此不贅述。

圖7為本發明的第六實施例的帶電粒子束檢測系統的檢測和中和電荷裝置的側面示意圖。圖8為本發明的第六實施例的電荷中和部件的放大側面示意圖。請同時參考圖1、7、8圖，檢測和中和電荷裝置7的電荷中和部件74所具有的聚光件44為一鏡筒50中設置一準直鏡49和一聚焦鏡片48，其中準直鏡49和聚焦鏡片48可分開地設置於鏡筒50中，或是準直鏡49和聚焦鏡片48貼近地設置於鏡筒50中。是以，在第六實施例中，電荷中和部件74類似第一實施例的電荷中和部件14，是以直射的方式將真空紫外光43匯聚為聚焦真空紫外光41，其可搭配帶電粒子束21之照射範圍為0.005毫米(mm)~50毫米(mm)，其餘元件如前述實施例，於此不贅述。

圖9為本發明的第七實施例的帶電粒子束檢測系統的檢測和中和電荷裝置的側面示意圖。請同時參考圖1、9圖，檢測和中和電荷裝置5的電荷中和部件51包括一光導件53，例如光纖(fiber)和光導(light guide)。其次，光導件53連接出光面42，來自紫外光源設備66的輸出光被導入光導件53中並被傳送至真空腔室13中接近觀測位置23的位置，如此亦可達到本發明採用電荷中和部件51匯聚形成電荷中和所需的聚焦真空紫外光41的目的，搭配帶電粒子束21之 照射範圍為0.005mm~50mm。可以選擇的，聚光鏡也可內建於光導件53中，或是設置於光導件53和出光面42之間，其餘元件如前述實施例，於此不贅述。

圖10為本發明的第八實施例的帶電粒子束檢測系統的檢測和中和電荷裝置的側面示意圖。請同時參考圖7和圖10，相較於圖7的檢測和中和電荷裝置7，檢測和中和電荷裝置1增設另一電荷中和部件63提供另一聚焦真空紫外光46，其中聚焦真空紫外光46以角度α入射觀測位置。於本實施例中，電荷中和部件63可以是與第一至第七實施例中所揭露的任一電荷中和部件，在檢測和中和電荷的過程中，則可因應待測對象本身的幾何形狀或表面材料、結構等因素的考量，而提供與電荷中和部件74相同或不同的照射情形。舉例來說，電荷中和部件74和電荷中和部件63分別提供相同或不同波段的聚焦真空紫外光41、46；聚焦真空紫外光41、46以相同或不同的角度α、θ入射觀測位置；聚焦真空紫外光41、46入射觀測位置的相同處或不同處；聚焦真空紫外光41、46的照射面積相同或不同；以及電荷中和部件74和電荷中和部件63搭配帶電粒子束的檢測照射，可以於同一時段或不同時段接續或間隔地開啟或關閉/被阻擋等等。是以，藉由二電荷中和部件的搭配，可以適應非平整表面的待測對象或異質接合或材質非均勻單一的待測對象，克服結構遮擋光源入射所造成的電荷中和效果衰減、克服導電性不連續所造成的電荷中和效果衰減、或是克服電荷累積速度不一致所造成的電荷中和效果衰減。

以上所述之實施例僅是為說明本發明之技術思想及特點，其目的在使熟習此項技藝之人士能夠瞭解本發明之內容並據以實施，當不能以之限定本發明之專利範圍，即大凡依本發明所揭示之精神所作之均等變化或修飾，仍應涵蓋在本發明之專利範圍內。

2:檢測和中和電荷裝置

10:腔體

12:電子光學系統

13:真空腔室

14:電荷中和部件

15:抽真空設備

21:帶電粒子束

23:觀測位置

32:承載件

33:調整座

34:待測對象

41:聚焦真空紫外光

42:出光面

43:真空紫外光

44:聚光件

θ:角度

Claims (18)

1. 一種檢測和中和電荷裝置，包括：一真空腔室；一電子光學系統，其輸出一帶電粒子束至該真空腔室中的一觀測位置，該帶電粒子束與該觀測位置處的一待測對象作用以產生被檢測的訊號；及一電荷中和部件，提供一聚焦真空紫外光到達該觀測位置處以中和該待測對象上的電荷，其中，該電荷中和部件包括發出一真空紫外光的一出光面以及匯聚該真空紫外光形成該聚焦真空紫外光的一聚光件，該聚光件非設置於該帶電粒子束輸出至該觀測位置的路徑上。
2. 如請求項1所述的檢測和中和電荷裝置，其中該真空紫外光的波長為10奈米(nm)至300奈米(nm)，或是100奈米(nm)~200奈米(nm)。
3. 如請求項1所述的檢測和中和電荷裝置，其中該聚光件包括一凸透鏡設置於該出光面處或是貼靠該出光面以接收並匯聚該真空紫外光。
4. 如請求項3所述的檢測和中和電荷裝置，其中該聚光件更包括一平面反射鏡接收並反射該凸透鏡匯聚的該真空紫外光以形成該聚焦真空紫外光。
5. 如請求項4所述的檢測和中和電荷裝置，更包括一調整件調整該平面反射鏡的位置或方位或上述二者的組合。
6. 如請求項1所述的檢測和中和電荷裝置，其中該聚光件包括一凹面反射鏡設置於該出光面處以接收並匯聚反射該真空紫外光。
7. 如請求項6所述的檢測和中和電荷裝置，其中該電荷中和部件更包括一準直鏡設置於該出光面和該凹面反射鏡之間。
8. 如請求項6所述的檢測和中和電荷裝置，其中該凹面反射鏡是可旋轉的。
9. 如請求項1所述的檢測和中和電荷裝置，其中該聚光件包括設置於一鏡筒中的一準直鏡和一聚焦鏡片，該準直鏡設置於該出光面處或是貼靠該出光面。
10. 如請求項1所述的檢測和中和電荷裝置，其中該聚光件包括一光纖、一光導、一聚光鏡結合一光纖或是一聚光鏡結合一光導。
11. 如請求項1所述的檢測和中和電荷裝置，其中該聚焦真空紫外光以非平行該帶電粒子束方向入射至該觀測位置處。
12. 如請求項1所述的檢測和中和電荷裝置，其中該聚焦真空紫外光在該觀測位置處的一直徑小於10毫米(mm)，或是小於5毫米(mm)，或是介於0.005毫米(mm)~50毫米(mm)。
13. 如請求項1所述的檢測和中和電荷裝置，其中該電荷中和部件為複數個。
14. 一種使用請求項1所述的檢測和中和電荷裝置的檢測和中和電荷的方法，包括：將該待測對象移入該真空腔室的該觀測位置處；入射該帶電粒子束至該觀測位置處，使該帶電粒子束和該待測對象作用產生被檢測的訊號；及 入射該聚焦真空紫外光至該觀測位置處，藉以中和該待測對象上的電荷。
15. 如請求項14所述的檢測和中和電荷的方法，更包括以該聚焦真空紫外光照射該觀測位置處一預定時間後關閉該聚焦真空紫外光或阻擋該聚焦真空紫外光照射該觀測位置處。
16. 如請求項14所述的檢測和中和電荷的方法，更包括交替和同時提供該帶電粒子束的步驟和提供該聚焦真空紫外光的步驟。
17. 如請求項14所述的檢測和中和電荷的方法，其中該聚焦真空紫外光的波長為100奈米(nm)~200奈米(nm)。
18. 如請求項14所述的檢測和中和電荷的方法，其中提供該聚焦真空紫外光的步驟包括提供複數該聚焦真空紫外光至該觀測位置處。

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