TWI766482B - 光學同調斷層掃描探頭 - Google Patents

Abstract

一種光學同調斷層掃描探頭，包含管狀罩體、至少一電極、光纖掃描器以及輔助定位元件。電極設置於管狀罩體的外表面。光纖掃描器設置於管狀罩體內，且光纖掃描器包含光纖以及光學鏡。光學鏡設置於光纖的發光端，且光學鏡的位置對應於管狀罩體的可透光部位。輔助定位元件設置於管狀罩體，且輔助定位元件與部份的可透光部位重疊。光纖掃描器發出的一光束行進通過可透光部位以產生斷層掃描影像，且該光束之一部分與輔助定位元件互動而於斷層掃描影像中形成對應輔助定位元件的特徵點。

Description

光學同調斷層掃描探頭

本揭露係關於一種光學同調斷層掃描探頭。

隨著醫療技術的發展，巴金森氏病的治療已從病程初期服用左多巴胺藥物，到中後期也可以藉由外科手術來調控大腦迴路的運作，來彌補藥物治療的限制與副作用。腦深層刺激術(Deep Brain Stimulation，DBS)是目前針對巴金森氏病的主要外科手術療法。腦深層刺激術的原理是藉由植入細長的刺激電極至深腦中的視丘下核(Subthalamic nucleus，STN)或蒼白球內核(Globus pallidus internal)，藉著電流刺激來導正神經傳導迴路異常，而達到運動障礙症狀的控制與病患運動功能的改善。

腦深層刺激術流程可以分成兩個階段：(1)術前腦部定位階段以及(2)術中電極植入階段。於術前腦部定位階段時，會先針對病患頭部進行磁振造影(MRI)掃描進行手術路徑規劃，另外在術中於病患頭頂開洞後根據所規畫路徑***電生理記錄(MER)電極探針偵測腦細胞放電生理訊號來確認手術目標物的最終置放位置。於術中電極植入階段時，將永久性DBS刺激電極(DBS lead)根據上述所決定的置放位置植入至手術目標物中。

現有的腦深層刺激術在腦部定位階段面臨了定位不精確的問題。雖然磁振造影以及腦細胞電生理紀錄可以幫助確認手術目標物的位置，但由於目標物(視丘下核或蒼白球內側核)尺寸微小，醫師根據磁振造影影像辨識目標物的難度很高。同時手術中因腦脊髓液溢漏及腦壓改變導致不可避免的腦位移(Brain Shift)也會使得目標物的位置改變。此外，腦細胞電生理紀錄僅能提供一維空間位置資訊(例如沿著電極針***方向的空間位置資訊)，無法獲得三維空間位置資訊，這導致醫師雖然可以根據腦細胞電生理紀錄確認電極針尖所在位置，但仍難以確認電極針在目標物中的相對空間位置以及電極端是否如預期到達定位，這導致醫師缺乏資訊作為後續調整路徑之參考。

鑒於以上問題，有必要對腦深層刺激術的腦部定位方式進行改良。本揭露揭露一種適用於腦深層刺激術的光學同調斷層掃描探頭，有助於解決手術前無法精確定位目標物或手術中無法精確得知電極位置的問題。

本揭露所揭露的光學同調斷層掃描探頭包含一管狀罩體、至少一電極、一光纖掃描器以及一輔助定位元件。電極設置於管狀罩體的一外表面。光纖掃描器設置於管狀罩體內，且光纖掃描器包含一光纖以及一光學鏡。光學鏡設置於光纖的一發光端，且光學鏡的位置對應於管狀罩體的一可透光部位。輔助定位元件設置於管狀罩體，且輔助定位元件與部份的可透光部位重疊。光纖掃描器發出的一光束行進通過可透光部位以產生一斷層掃描影像，且光束之一部分與輔助定位元件互動而於斷層掃描影像中形成對應輔助定位元件的一特徵點。

根據本揭露所揭露的光學同調斷層掃描探頭，輔助定位元件與可透光部位重疊，因此光纖掃描器發出的光束在通過可透光部位時會被輔助定位元件遮擋或反射，進而於斷層掃描影像中形成特徵點(暗區或亮區)。根據特徵點可以判斷光學同調斷層掃描探頭與手術目標物的相對位置關係，而能精確定位目標物位置或是確保電極植入目標物中心區域，若有偏差，醫師則可根據斷層掃描影像來重新調整電極植入路徑，有助於提升DBS手術的治療效果。

以上之關於本揭露內容之說明及以下之實施方式之說明係用以示範與解釋本揭露之精神與原理，並且提供本揭露之專利申請範圍更進一步之解釋。

以下在實施方式中詳細敘述本揭露之實施例，其足以使任何熟習相關技藝者瞭解本揭露之技術內容並據以實施。以下之實施例進一步詳細說明本揭露之觀點，但非以任何觀點限制本揭露之範疇。

根據本揭露的一實施例，光學同調斷層掃描探頭包含管狀罩體、電極、光纖掃描器以及輔助定位元件。請參照圖1，為根據本揭露第一實施例之光學同調斷層掃描探頭的示意圖。在本實施例中，光學同調斷層掃描探頭1a包含一管狀罩體10、一電極20、一光纖掃描器30以及一輔助定位元件40。

管狀罩體10例如為玻璃管，其包含一可透光部位110和不透光部位120，但本揭露並不以此為限。在其他實施例中，管狀罩體10的整體可以由透光材質(例如玻璃)製成，也就是說管狀罩體10的任意部位都是可透光部位。在本實施例中，可透光部位110位於管狀罩體10的側壁，但可透光部位110的具體位置並非用以限制本揭露。

電極20例如為環狀電極圈，其設置於管狀罩體10的外表面。管狀罩體10與電極20之組合可以構成DBS電極套管。電極20可與外部電源(未另繪示)電性連接，以通電刺激光學同調斷層掃描探頭1a外部的組織(如腦部組織)。圖1繪示多個電極20設置於管狀罩體10，但電極20的數量並非用以限制本揭露。在其他的實施例中，亦可配置單一電極20來進行量測。電極20的設置可以通電刺激腦部組織或是偵測腦細胞電生理紀錄。

光纖掃描器30設置於管狀罩體10內，且光纖掃描器30包含一基座310、一光纖320以及一光學鏡330a。其中光纖320設置於基座310，光學鏡330a的位置對應於管狀罩體10的可透光部位110。在一實施例中，基座310可轉動地設置於管狀罩體10內。藉此，基座310可以自身之中心軸相對管狀罩體10轉動而帶動光纖320一併轉動。但在其他實施例中，光纖320以可旋轉的方式設置於基座310中，由於光纖320可以相對於基座310旋轉，可藉此達到掃描的功能。在本實施例中，光纖320進一步包含一發光端321，光學鏡330a設置於光纖320的發光端321，由於可透光部位110位於管狀罩體10的側壁，故本實施例的光學鏡330a可為一反射鏡，其用以改變光纖320發出之光束的行進方向，使得光束被光學鏡330a反射後通過可透光部位110而傳遞至光學同調斷層掃描探頭1a的外部。藉此，光束可以照射位在光學同調斷層掃描探頭1a外部的組織，光束在照射組織後反射回來，使連接在光纖320末端的感光元件(未另繪示)接收此光束而產生一個或多個斷層掃描影像。以反射鏡作為光學鏡330a的實施方式並非用以限制本揭露。在其他實施例中，光學鏡330a可依據可透光部位的設置位置而搭配適合的光學元件，並不以所列舉者為限。

此外，本實施例的光纖掃描器30可拆卸地插設於管狀罩體10內，使得光纖掃描器30可沿著管狀罩體10的中心軸移動，因此光纖掃描器30可自管狀罩體10被取出，但本揭露並不以此為限。在其他實施例中，光纖掃描器30可以固定在管狀罩體10內部。

在本實施例以及其他實施例中，所述管狀罩體的「可透光部位」是指此部位對於光纖發出之光束的波長而言是可通過的。例如，當一實施例的光纖發出之光束具有可見光波長範圍時，可透光部位是指能夠讓可見光通過的部位；當另一實施例的光纖發出之光束具有紅外光波長範圍時，可透光部位是指能夠讓紅外光通過的部位。

輔助定位元件40設置於管狀罩體10，且輔助定位元件40與部份的可透光部位110重疊。在本實施例中，輔助定位元件40例如為導線，其設置於管狀罩體10的側壁內並且與各個電極20電性連接。輔助定位元件40可與外部電源(未另繪示)電性連接，以供電給電極20來刺激光學同調斷層掃描探頭1a的外部組織。輔助定位元件40與電極20電性連接的構造並非用以限制本揭露。在其他實施例中，輔助定位元件40可不導電且不與電極20連接，取而代之的是額外配置的導電線與電極20電性連接。

當光纖320發出之光束通過管狀罩體10的可透光部位110時，由於輔助定位元件40與部分的可透光部位110重疊，光束中的部分光線會與輔助定位元件40互動，而於前述斷層掃描影像中形成對應輔助定位元件40的特徵點。關於光束與輔助定位元件的互動和斷層掃描影像的特徵點將於後續進一步詳述。

於本實施例中，光學同調斷層掃描探頭1a進一步包含設置於管狀罩體10之外表面的一指示元件50，且指示元件50具有方向對應於輔助定位元件40的一標記510。詳細來說，指示元件50可以是裝設在管狀罩體10外表面的環狀凸塊，並且所述標記510可以是環狀凸塊上的凹凸點、文字符號或圖案。於管狀罩體10的軸向方向上，輔助定位元件40與標記510對齊，藉此能透過觀察標記510來判斷輔助定位元件40的朝向。

本揭露所揭露的光學同調斷層掃描探頭並不以圖1的具體態樣為限。請參照圖2，為根據本揭露第二實施例之光學同調斷層掃描探頭的示意圖。在本實施例中，光學同調斷層掃描探頭1b包含一管狀罩體10b、多個電極20、一光纖掃描器30b、一輔助定位元件40b以及一指示元件50。關於圖2中的電極20以及指示元件50，可以參照圖1中對應元件的前述相關說明，以下不再重覆贅述。

管狀罩體10b包含一可透光部位110b和不透光部位120。在本實施例中，管狀罩體100b的可透光部位110b位於管狀罩體100b的封閉端面，可透光部位110b的大小視光纖掃描規格決定，並不以此為限。配合可透光部位110b的位置，光纖掃描器30b中的光學鏡330b可為一聚焦透鏡，用以將光纖320發出之光束聚焦，使光束由可透光部位110b傳遞至光學同調斷層掃描探頭1b的外部進行掃描。輔助定位元件40b設置於管狀罩體10b，且輔助定位元件40b與部份的可透光部位110b重疊。在一實施例中，輔助定位元件40b例如為導線，與電極20電性連接並延伸至管狀罩體100b的封閉端面，以遮蔽部分的可透光部位110b。在其他實施例中，輔助定位元件40b單純為一標記線，遮蔽部分的可透光部位110b。

請參照圖3，為根據本揭露第三實施例之光學同調斷層掃描探頭的示意圖。在本實施例中，光學同調斷層掃描探頭1c包含一管狀罩體10c、一電極20、一光纖掃描器30c以及一輔助定位元件40c。關於圖3中的電極20可以參照圖1中對應元件的前述相關說明，以下不再重覆贅述。為了方便說明，圖3省略繪示位於管狀罩體外表面的指示元件。

管狀罩體10c包含一第一可透光部位110c以及一第二可透光部位110c’。第一可透光部位110c位於管狀罩體10c的側壁，且第二可透光部位110c’位於管狀罩體10c的封閉端面。除了第一可透光部位110c以及第二可透光部位110c’之外，管狀罩體10的其餘部位可以是可透光或不透光。

光纖掃描器30c包含基座310、光纖320以及光學鏡330c。基座310可轉動地設置於管狀罩體10c內，且光纖320設置於基座310。光學鏡330c設置於光纖320的發光端321，由於第一可透光部位110c與第二可透光部位110c’分別位於管狀罩體10c的側壁與封閉端，故本實施例的光學鏡330c可為一分光鏡，光學鏡330c的位置對應於第一可透光部位110c以及第二可透光部位110c’，光學鏡330c用以將光纖320發出之光束分成朝向第一可透光部位110c行進的第一子光束以及朝向第二可透光部位110c’行進的第二子光束。兩道子光束分別行經通過第一可透光部位110c與第二可透光部位110c’而傳遞至光學同調斷層掃描探頭1c的外部。兩道子光束可以照射光學同調斷層掃描探頭1c外組織的不同區域，並且感光元件(未另繪示)可接收第一與第二子光束而產生一個或多個斷層掃描影像。

輔助定位元件40c設置於管狀罩體10c，其包含一第一定位單元410c以及一第二定位單元420c。第一定位單元410c與部份的第一可透光部位110c重疊，且第二定位單元420c與部份的第二可透光部位110c’重疊。在本實施例中，第一定位單元410c例如為導線，其設置於管狀罩體10c的側壁內並且與電極20電性連接。第一定位單元410c可與外部電源(未另繪示)電性連接，以供電給電極20。第二定位單元420c設置於管狀罩體10c的封閉端，可與電極20電性連接。在其他實施例中，輔助定位元件40c中的第一定位單元410c與第二定位單元420c可為單純的標記線，遮蔽部分的第一可透光部位110c與第二可透光部位110c’。

當光纖320發出之光束通過第一可透光部位110c或第二可透光部位110c’時，由於輔助定位元件40c中的第一定位單元410c、第二定位單元420c分別與第一可透光部位110c與第二可透光部位110’重疊，光束中的部分光線會與輔助定位元件40c互動，而於斷層掃描影像中形成對應第一定位單元410c或第二定位單元420c的特徵點。

請參照圖4，為根據本揭露第四實施例之光學同調斷層掃描探頭的示意圖。在本實施例中，光學同調斷層掃描探頭1d包含一管狀罩體10c、多個電極20d、一光纖掃描器30c以及一輔助定位元件40d。關於圖4中的管狀罩體10c以及光纖掃描器30c，可以參照圖3中對應元件的前述相關說明，以下不再重覆贅述。為了方便說明，圖4省略繪示位於管狀罩體外表面的指示元件。

各個電極20d例如為環狀電極圈，其設置於管狀罩體10c的外表面。輔助定位元件40d包含多個定位單元，並且這些定位單元設置於該管狀罩體10c的不同位置。詳細來說，輔助定位元件40d包含多個第一定位單元410d以及一第二定位單元420d。圖4只繪示出其中一個第一定位單元410d作為示例。

第一定位單元410d與管狀罩體10c的部份第一可透光部位110c重疊，且第二定位單元420d與部份的第二可透光部位110c’重疊。在本實施例中，各個第一定位單元410d例如為導線，其設置於管狀罩體10c的側壁內並且分別電性連接於這些電極20d。第一定位單元410d可與外部電源(未另繪示)電性連接，以供電給電極20d。第二定位單元420d設置於管狀罩體10c的封閉端，可與電極20d電性連接。要注意的是，雖然設置有多個與這些電極20d電性連接的導線，但並非所有的導線皆可作為輔助定位元件40d的第一定位單元410d或第二定位單元420d，僅有對第一可透光部位110c與第二可透光部位110c’有遮蔽效果的導線可作為輔助定位元件40d。在其他實施例中，輔助定位元件40d中的第一定位單元410d與第二定位單元420d可為不具導電性的標記線或印刷圖案，其遮蔽部分的第一可透光部位110c與第二可透光部位110c’。

請參照圖5為根據本揭露第五實施例之光學同調斷層掃描探頭的示意圖。在本實施例中，光學同調斷層掃描探頭1e包含一管狀罩體10e、一電極20e、一光纖掃描器30以及一輔助定位元件40e。關於圖5中的光纖掃描器30可以參照圖1中對應元件的前述相關說明，以下不再重覆贅述。為了方便說明，圖5省略繪示位於管狀罩體外表面的指示元件。

管狀罩體10e例如為玻璃管，其包含位於側壁的一可透光部位110。此外，管狀罩體10e還包含一錐狀末端130。電極20e設置於管狀罩體10e的錐狀末端130，並且電極20e位於管狀罩體10e的外表面。在一實施例中，管狀罩體10e與電極20e之組合可以構成用於偵測腦細胞電生理紀錄的電極探針，其中電極20e的尺寸大約等於一個人類腦神經元大小。

輔助定位元件40e設置於管狀罩體10e，且輔助定位元件40與部份的可透光部位110重疊。在本實施例中，輔助定位元件40e例如為導線，其設置於管狀罩體10e的側壁內並且與電極20e電性連接。輔助定位元件40e可與外部電源(未另繪示)電性連接，以供電給電極20e。

請參照圖6，為根據本揭露第六實施例之光學同調斷層掃描探頭的示意圖。在本實施例中，光學同調斷層掃描探頭1f包含一管狀罩體10e、多個電極20f、一光纖掃描器30以及一輔助定位元件40f。關於圖6中的管狀罩體10e以及光纖掃描器30，可以參照圖1和圖5中對應元件的前述相關說明，以下不再重覆贅述。為了方便說明，圖6省略繪示位於管狀罩體外表面的指示元件。

電極20f包含第一電極210f與第二電極220f。第一電極210f例如為環狀電極圈，其設置於管狀罩體10e的外表面。第二電極220f設置於管狀罩體10e的錐狀末端130，並且第二電極220f位於管狀罩體10e的外表面。輔助定位元件40f設置於管狀罩體10e，其包含一第一定位單元410f以及一第二定位單元420f。第一定位單元410f和第二定位單元420f皆與管狀罩體10e的部分可透光部位110重疊。第一定位單元410f設置於管狀罩體10e的側壁內並且與第一電極210f電性連接。第二定位單元420f設置於管狀罩體10e的側壁內並且與第二電極220f電性連接。第一定位單元410f和第二定位單元420f能分別供電給第一電極210f和第二電極220f。在一實施例中，第一定位單元410f和第二定位單元420f分別與管狀罩體10e之軸心連線所產生的夾角為180度，但在另一實施例中，第一定位單元410f和第二定位單元420f分別與管狀罩體10e之軸心連線所產生的夾角為90度，而本揭露並不以所列舉之夾角角度為限。

請參照圖7，為根據本揭露第七實施例之光學同調斷層掃描探頭的示意圖。光學同調斷層掃描探頭1g包含一管狀罩體10c、多個電極20g、一光纖掃描器30c以及一輔助定位元件40g。關於圖7中的管狀罩體10c和光纖掃描器30c可以參照圖4中對應元件的前述相關說明，以下不再重覆贅述。為了方便說明，圖7省略繪示位於管狀罩體外表面的指示元件。

電極20g包含第一電極210g與第二電極220g。多個第一電極210g例如為環狀電極圈，其設置於管狀罩體10c的外表面。第一電極210g與圖4的電極20d相同，在此不予贅述。第二電極220g設置於管狀罩體10c的半球狀封閉末端，並且第二電極220g位於管狀罩體10c的外表面。在本實施例中，第二電極220g為一針尖自管狀罩體10c的外表面突出，且針尖的尺寸大約相當於一個人類腦神經元大小。

輔助定位元件40g包含多個第一定位單元410g以及一第二定位單元420g。第一定位單元410g與管狀罩體10c的部分第一可透光部位110c重疊，且第二定位單元420g與管狀罩體10c的部分第二可透光部位110c’重疊。這些第一定位單元410g設置於管狀罩體10c的側壁內並且分別與這些第一電極210g電性連接。圖7只繪示出其中一個第一定位單元410g做為示例。第二定位單元420g設置於管狀罩體10c的側壁內，其與第二電極220g電性連接。在一實施例中，第一定位單元410g和第二定位單元420g分別與管狀罩體10c之軸心連線所產生的夾角為180度，但在另一實施例中，第一定位單元410g和第二定位單元420g分別與管狀罩體10c之軸心連線所產生的夾角為90度，但本揭露並不以所列舉之夾角角度為限。

要注意的是，雖然設置有多個導線，但並非所有的導線皆可作為輔助定位元件40g，僅有對第一可透光部位110c與第二可透光部位110c’有遮蔽效果的導線可作為輔助定位元件40g。在其他實施例中，輔助定位元件40g中的第一定位單元410g與第二定位單元420g可為不具導電性的標記線或印刷圖案，其遮蔽部分的第一可透光部位110c與第二可透光部位110c’。

以下說明本揭露之光學同調斷層掃描探頭應用於腦深層刺激術。本揭露之光學同調斷層掃描探頭可使用於腦部定位階段確認手術目標物的位置。請一併參照圖3和圖8，其中圖8為圖3之光學同調斷層掃描探頭用於確認手術目標物位置的示意圖。於圖8中，目標物O例如為人腦視丘下核(CTN)。

光學同調斷層掃描探頭1c***人腦，並且將電極20通電以即時偵測電生理紀錄。光纖掃描器30c轉動並且光纖320發射之光束經光學鏡330c分光後發出兩道子光束(第一子光束L1與第二子光束L2)。第一子光束L1行進通過管狀罩體10c的第一可透光部位110c以產生一第一斷層掃描影像，由於輔助定位元件40c之第一定位單元410c的尺寸大於或等於光纖掃描器30c中光纖320的光學解析度，第一子光束L1中的一部分光線會跟第一定位單元410c互動後而在第一斷層掃描影像中形成對應第一定位單元410c的一第一特徵點。類似地，第二子光束L2行進通過管狀罩體10c的第二可透光部位110c’以產生一第二斷層掃描影像，由於輔助定位元件40c之第二定位單元420c的尺寸也大於或等於光纖320的光學解析度，第二子光束L2中的一部分光線會跟第二定位單元420c互動而在第二斷層掃描影像中形成對應第二定位單元420c的一第二特徵點。根據電極20偵測到的電生理紀錄配合上述斷層掃描影像，可以精確定位出光學同調斷層掃描探頭1c在目標物O中的相對區域位置(例如位於人腦視丘下核的中間、偏左或偏右)。

以下說明本揭露之光學同調斷層掃描探頭使用於電極植入階段，以幫助電極能植入到正確位置。確認手術目標物的位置。請一併參照圖1和圖9，其中圖9為圖1之光學同調斷層掃描探頭用於植入電極的位置的示意圖。

光學同調斷層掃描探頭1a***人腦，光纖掃描器30轉動並且發出光束(參見圖9)。當光束行進通過管狀罩體10的可透光部位110時，由於輔助定位元件40的尺寸大於或等於光纖掃描器30中光纖320的光學解析度，使回傳的光束中會呈現與輔助定位元件40互動後的斷層掃描影像探頭探頭，此斷層掃描影像具有對應輔助定位元件40的特徵點。根據上述斷層掃描影像，可以精確定位出光學同調斷層掃描探頭1a在目標物O中的相對區域位置，藉以判斷光學同調斷層掃描探頭1a的電極20是否已經位於目標物O的中心區域。在確認電極20位在正確位置之後，可自管狀罩體10抽取出光纖掃描器30，並且遺留在人腦內的管狀罩體10和電極20作為永久性DBS電極套管，其可通電以調控大腦迴路的運作。

前述斷層掃描影像中的特徵點會依據輔助定位元件的特性而有所不同。在一實施例中，輔助定位元件由不透光材質製成，因此光束通過可透光部位時會有一部分光線被輔助定位元件遮擋，進而斷層掃描影像中會形成對應輔助定位元件的暗區。於另一實施例中，輔助定位元件由金屬材質製成或是外表面披覆有金屬鍍膜，因此光束通過可透光部位時會有一部分光線被輔助定位元件反射，進而斷層掃描影像中會形成對應輔助定位元件的亮區。前述光束與輔助定位元件的「互動」，即是指光線被輔助定位元件遮檔產生暗區或是反射產生亮區的情形。

以下進一步說明如何透過斷層掃描影像確認光學同調斷層掃描探頭與目標物的相對位置關係。圖10為圖9之光學同調斷層掃描探頭所生成之斷層掃描影像的示意圖。通過管狀罩體10之可透光部位110的光束中，有一部分光線被輔助定位元件40遮擋，因而圖10的斷層掃描影像具有對應輔助定位元件40的暗區D(特徵點)。根據暗區D周圍的影像區塊，可以判斷光學同調斷層掃描探頭1a當下是否已經***目標物O。又或者，在光學同調斷層掃描探頭1a***目標物O後，可以根據暗區D周圍的影像區塊判斷當下電極20的位置是否位於目標物O中心區域還是有偏離目標物O中心，以決定是否要重新進行電極植入。

在部分實施例中，由於在進行腦深層刺激術時光學同調斷層掃描探頭是埋入腦部內，使用者(如施術醫師)可能無法清楚觀察到輔助定位元件。為了方便施術，如圖2所示，可以在管狀罩體10配置指示元件50，並且指示元件50具有對應於輔助定位元件40的標記510。藉此，能透過觀察標記510來判斷輔助定位元件40的朝向。

綜上所述，本揭露所揭露的光學同調斷層掃描探頭設置有輔助定位元件，其中輔助定位元件與可透光部位重疊，因此光纖掃描器發出的光束在通過可透光部位時會被輔助定位元件遮擋或反射，進而於斷層掃描影像中形成特徵點(暗區或亮區)。根據特徵點可以判斷光學同調斷層掃描探頭在手術目標物的相對區域位置，而能精確定位目標物位置或是確認電極是否有植入目標物中心區域，從而有助於提升DBS電極調控大腦迴路運作的效果。

雖然本揭露以前述之實施例揭露如上，然而這些實施例並非用以限定本揭露。在不脫離本揭露之精神和範圍內，所為之更動與潤飾，均屬本揭露之專利保護範圍。關於本揭露所界定之保護範圍請參考所附之申請專利範圍。

1a、1b、1c、1d、1e、1f、1g…:光學同調斷層掃描探頭 10、10b、10c、10e…:管狀罩體 110、110b…:可透光部位 110c…:第一可透光部位 110c’…:第二可透光部位 120…:不透光部位 130…:錐狀末端 20、20d、20e、20f、20g…:電極 210f…:第一電極 220f…:第二電極 210g…:第一電極 220g…:第二電極 30、30b、30c…:光纖掃描器 310…:基座 320…:光纖 321…:發光端 330a、330b、330c…:光學鏡 40、40c、40d、40e、40f、40g…:輔助定位元件 410c、410d、410f、410g…:第一定位單元 420c、420d、420f、420g…:第二定位單元 50…:指示元件 510…:標記 O…:目標物 L1…:第一子光束 L2…:第二子光束 D…:暗區

圖1為根據本揭露第一實施例之光學同調斷層掃描探頭的示意圖。 圖2為根據本揭露第二實施例之光學同調斷層掃描探頭的示意圖。 圖3為根據本揭露第三實施例之光學同調斷層掃描探頭的示意圖。 圖4為根據本揭露第四實施例之光學同調斷層掃描探頭的示意圖。 圖5為根據本揭露第五實施例之光學同調斷層掃描探頭的示意圖。 圖6為根據本揭露第六實施例之光學同調斷層掃描探頭的示意圖。 圖7為根據本揭露第七實施例之光學同調斷層掃描探頭的示意圖。 圖8為圖3之光學同調斷層掃描探頭用於確認手術目標物位置的示意圖。 圖9為圖2之光學同調斷層掃描探頭用於植入電極的位置的示意圖。 圖10為圖9之光學同調斷層掃描探頭所生成之斷層掃描影像的示意圖。

1a:光學同調斷層掃描探頭

10:管狀罩體

110:可透光部位

120:不透光部位

20:電極

30:光纖掃描器

310:基座

320:光纖

330a:反射鏡

40:輔助定位元件

50:指示元件

510:標記

Claims (17)

1. 一種光學同調斷層掃描探頭，包含：一管狀罩體；至少一電極，設置於該管狀罩體的一外表面；一光纖掃描器，設置於該管狀罩體內，該光纖掃描器包含一光纖以及一光學鏡，該光學鏡設置於該光纖一發光端，且該光學鏡的位置對應於該管狀罩體的一可透光部位；以及一輔助定位元件，設置於該管狀罩體，且該輔助定位元件與部份的該可透光部位重疊；其中，該光纖掃描器發出的一光束行進通過該可透光部位以產生一斷層掃描影像，且該光束之一部分與該輔助定位元件互動而於該斷層掃描影像中形成對應該輔助定位元件的一特徵點。
2. 如申請專利範圍第1項所述之光學同調斷層掃描探頭，其中該特徵點為該斷層掃描影像中的暗區，且該光束與該輔助定位元件互動是指該光束被該輔助定位元件遮擋。
3. 如申請專利範圍第1項所述之光學同調斷層掃描探頭，其中該特徵點為該斷層掃描影像中的亮區，且該光束與該輔助定位元件互動是指該光束被該輔助定位元件反射。
4. 如申請專利範圍第1項所述之光學同調斷層掃描探頭，其中該光纖掃描器更包含一基座，該光纖設置於該基座，該基座可轉動地設置於該管狀罩體內而帶動該光纖一併轉動。
5. 如申請專利範圍第1項所述之光學同調斷層掃描探頭，其中該光纖掃描器更包含一基座，該光纖以可相對於該基座旋轉的方式設置於該基座中。
6. 如申請專利範圍第1項所述之光學同調斷層掃描探頭，其中該輔助定位元件為一導線，且該導線與該至少一電極電性連接。
7. 如申請專利範圍第1項所述之光學同調斷層掃描探頭，其中該至少一電極包含設置於該管狀罩體之該外表面的一環狀電極圈。
8. 如申請專利範圍第1項所述之光學同調斷層掃描探頭，其中該至少一電極設置於該管狀罩體的一半球狀封閉末端，該至少一電極為一針尖自該管狀罩體的該外表面突出。
9. 如申請專利範圍第1項所述之光學同調斷層掃描探頭，更包含設置於該管狀罩體之該外表面的一指示元件，且該指示元件具有方向對應於該輔助定位元件的一標記。
10. 如申請專利範圍第1項所述之光學同調斷層掃描探頭，其中該輔助定位元件的尺寸大於或等於該光纖掃描器的光學解析度。
11. 如申請專利範圍第1項所述之光學同調斷層掃描探頭，其中該可透光部位是位於該管狀罩體的一側壁，該輔助定位元件位於該管狀罩體的該側壁內，且該光學鏡為一反射鏡。
12. 如申請專利範圍第11項所述之光學同調斷層掃描探頭，其中該管狀罩體具有一錐狀末端，且該至少一電極設置於該錐狀末端。
13. 如申請專利範圍第1項所述之光學同調斷層掃描探頭，其中該可透光部位是位於該管狀罩體的一封閉端面，且該光學鏡為一聚焦透鏡。
14. 如申請專利範圍第1項所述之光學同調斷層掃描探頭，其中該管狀罩體包含一第一可透光部位以及一第二可透光部位，該第一可透光部位位於該管狀罩體的一側壁，該第二可透光部位位於該管狀罩體的一封閉端面，該光學鏡為一分光鏡，其位置對應於該第一可透光部位以及該第二可透光部位。
15. 如申請專利範圍第14項所述之光學同調斷層掃描探頭，其中該輔助定位元件包含一第一定位單元與一第二定位單元，該第一定位單元與部分的該第一可透光部位重疊，且該第二定位單元與部分的該第二可透光部位重疊，該光束經由該光學鏡分光後發出一第一子光束與一第二子光束，該第一子光束行進通過該第一可透光部位以產生一第一斷層掃描影像，該第一子光束中的一部分光線會跟該第一定位單元互動而在該第一斷層掃描影像中形成對應該第一定位單元的一第一特徵點，且該第二子光束行進通過該第二可透光部位以產生一第二斷層掃描影像，該第二子光束中的一部分光線會跟該第二定位單元互動而在該第二斷層掃描影像中形成對應該第二定位單元的一第二特徵點。
16. 如申請專利範圍第1項所述之光學同調斷層掃描探頭，其中該光纖掃描器可拆卸地插設於該管狀罩體內。
17. 如申請專利範圍第1項所述之光學同調斷層掃描探頭，其中該至少一電極的尺寸等於人類神經元的大小。

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